TW497007B - Phase shift mask and method of manufacture - Google Patents

Description

497007 A7 ___ _B7_ 五、發明説明（1 ) 【發明之技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種相移光罩及其製造方法之發明，特 別是在照射A r F等離子雷射與F 2雷射光等短波長之高能 量光線時亦具有充分之透過率與耐久性，且經時變化極少 之新穎相移光罩及其製造方法。 【先前技術】 近年來，半色調（half-tone )型相移光罩，多係使用 鉬矽化物作爲相移器材料以達其之實用化，又，氧化鉻系 等材料亦常被使用。 此半色調型相移光罩，如圖5所示般，其係於石英板 a上以設置可使光之相位產生變化相移器b之方式，利用 通過此相移器b而使相位產生變化之光線與，未通過相移 器b而未產生相位變化之光線的繞射作用以提高解像力。 近年來，隨著L S I之局集積化與局速度化，在尋求 圖型線路之更微細化的同時，用於形成此圖型之光罩亦被 要求應具有更微細化之結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相移光罩亦在此要求下而進行深入之開發，在尋求更 微細化的同時，製造光罩時所使用之光源的曝光波長已由 I線（3 6 5nm)進展至Ki· F等離子雷射光（248 nm)，甚至必須再發展至ArF等離子雷射光（193 nm)，甚至F2雷射光（157nm)之短波長化。 其中，蝕刻印刷術中之解像度，如下記之瑞利（Rayle 1 g h )式所示般，係與曝光波長之大小形成比例。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 外7007 A7 B7 五、發明説明（2 )

瑞利式：R=kA/NA (其中，R爲解像力，k爲步驟係數，λ爲波長， Ν Α爲透鏡之開口數） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但，目前主要使用之鉬矽化物系之相移器膜，幾乎未 能夠透過A r F等離子雷射光（1 9 3 nm)或Fa雷射光 (1 5 7 n m )領域等短波長之光線，且因吸收係數較大 ，故並不能對應此些曝光光源之短波長化等問題。 又，鉻系之相移器膜，因僅具有鉻系金屬之金屬，故 幾乎不具有透過率，而即使於鉻金屬上添加氧、氮、碳後 ，仍極難達到於1 9 3 n m以下之短波長領域下的相移器 材料所要求的充分透過率（例如3至4 0 % )。 又，因1 9 3 n m以下短波長的光，對以往使用之 365nm或248nm的光線而言，係具有極高之能量 者，故光罩之基板或與透鏡材料相同之相移器材料亦極容 易隨時間而產生劣化，故極期待能發出一種可耐高能量線 照射之材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，相移材料中，通過相移器層之光線對未通過相移 器層之光線而言，需使其產生180度之相位變換，故在 考量相移器層圖型之外形（topography )下，相移膜之厚 度係以式（1 ) Ό = λ / 2 (η-1) ".(1) (其中，D爲180度相移時之相移器膜厚度，η爲 相移材料之折射率，λ爲透過之波長） 所示之膜厚度D進行成膜所得折射率.較高之材料，其 張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公楚)— 497007 A7 _____B7 五、發明説明（3 ) 1 8 0度相位變化所需之膜厚度（段差）較小，故爲較佳 〇 但，以往之鉻系或鉬矽化物系之相移器材料，對於曝 光波長之短波長化，即，對於1 9 3 n m以下之短波長光 線，並未能得到高折射率，且膜厚較大，故極難形成 1 8 0度之相位變化。 鑒於上述情事，本發明，.第1以提供一種具有可解決 半色調型相移光罩之問題點，並可充分地對應半導體集積 回路之微細化、高集積化之相移光罩及其製造方法爲目的 〇 又，本發明第2以提供一種即使受A I* F等離子雷射 及F 2雷射光等短波長之高能量照射亦具有充分耐久性的經 時變化較少之相移材料爲目的。 又，本發明第3以提供一種對於1 9 3 n m以下之短 波長的曝光波長具有較高折射率之相移器材料，且於配合 焦點之光罩圖型面上亦可將外型抑制至極低，故可進行 1 8 0度之相移變換，以改善曝光時外觀形狀之相移光罩 及其製造方法爲目的。 【發明之內容與發明之實施形態】 本發明者們，鑒於上述目的，對於解決以往半色調型 相移光罩之問題點，以得到可對應半導體集積回路之微細 化、高集積化之相移器材料之目的經過深入硏究結果，得 知使用鉬金屬或鉬矽化物作爲標靶，並使用反應性氣體之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - I：---：------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497007 A7 ____B7_ 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) s i F 2，或使用鉻金屬與鉻矽化物作爲標靶，且使用反應 性氣體之S i F 2時，可達成以往鉻系或鉬矽化物系之相移 器材料所未能達到之可使透過之曝光光線相移變換爲 18〇±5度，且19 3nm以下之短波長之透過率爲3 至4 〇 %之高性能的摻雜氟之鉬矽化物膜與摻雜氟之鉻矽 化物膜。 即，本發明係提供一種下記之相移光罩及其製造方法 〇 申請項1 : 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的第2 光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉬矽化物膜，此摻雜 氟之鉬矽化物膜，係使用鉬金屬作爲濺射標靶，並使用反 應性氣體之S i F 2而形成者。 申請項2 : 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的第2 光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉬矽化物膜，此摻雜 氟之鉬矽化物膜，係使用鉬矽化物作爲濺射標靶，並使用 反應性氣體之S i F 2而形成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請項3 : 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的第2 光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉻矽化物膜，此摻雜 氟之鉻矽化物膜，係使用鉻金屬作爲濺射標靶，並使用反 應性氣體之S i F 2而形成者。 申請項4 : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497007 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的第2 光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉻矽化物膜，此摻雜 氟之鉻矽化物膜，係使用鉻矽化物作爲濺射標靶，並使用 反應性氣體之S 1 F 2而形成者。 申請項5 : 如申請項第1至4項中任一項之相移光罩，其係由摻 雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物膜所構成之相移器 ，且其透過之曝光光線之相位變換爲1 8 0 土 5度，且透 過率爲3至40 %者。 申請項6 : 一種相移光罩之製造方法，其係包含： 於可透過曝光光線之基板上以濺鍍法形成摻雜氟之鉬 矽化物膜的步驟， 於摻雜氟之鉬矽化物膜上形成光阻圖型之步驟，與 使用此光阻圖型以乾蝕刻法或或濕蝕刻法將摻雜氟之 鉬矽化物膜形成圖型之步驟。 申請項7 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如申請項第6項之相移光罩的製造方法，其中濺鍍法 係使用鉬金屬或鉬矽化物作爲標靶，且反應性氣體係使用 S i F 2 者。 申請項8 : --種相移光罩之製造方法，其係包含： 於可透過曝光光線之基板上以濺鍍法形成摻雜氟之鉻 矽化物膜的步驟， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 497007 A7 B7 五、發明説明（6 ) 於摻雜氟之鉻矽化物膜上形成光阻圖型之步驟，與 使用此光阻圖型以乾鈾刻法或或濕蝕刻法將摻雜氟之 鉻矽化物膜形成圖型之步驟。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請項9 : 如申請項第8項之相移光罩的製造方法，其中，濺鍍 法係使用鉻金屬或鉻矽化物作爲標靶，且反應性氣體係使 用S i F 2者。 申.請項1 0 : 如申請項第6至9項中任一項之相移光罩的製造方法 ，其中，濺鍍法係使用由氧、氮及碳中所選出之元素來源 氣體與不活性氣體與反應性氣體混合所得之混合氣體的反 應性濺鍍法。 申請項1 1 : 如申請項第1 0項之相移光罩的製造方法，其中，元 素來源氣體之元素比例對不活性氣體而言，其流量比爲氧 1至4 0 %，氮1至2 0 %，碳1至1 0 % 。 申請項1 2 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如申請項第6至1 1項中任一項之相移光罩的製造方 法，其中，由摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物膜 所構成之相移器，且其透過之曝光光線之相位變換爲 180土5度，且透過率爲3至40%者。 本發明之摻雜氟之鉬矽化膜及摻雜氟之鉻矽化物膜， 反應性氣體除S i F 2外雖可使用S i F 4進行成膜，但如 上述般使用S i F 4作爲反應性氣體時，於等離子中之分解 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497007 A7 _____B7_ 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 過程，會產生過剩之游離氟原子，此游離氟原子因係具有 與作爲成膜種子相反機能之作爲蝕刻氣體之機能，故極難 設定其成膜條件，於成膜與蝕刻之競爭反應中，需花費精 神使其趨向於成膜反應，相對於此，使用S i F 2作爲反應 性氣體使用時，因具有蝕刻效果之游離氟原子之發生量極 低，故以於反應室中導入具有作爲全部成膜種機能之 S i F 2時可有效地提高成膜之效率，且可使滲入膜中之 S i與F之比例增大，進而可使所產生之膜大幅地改善 1 9 3 n m以下之短波長領域之透過率外，亦可改善於短 波長之高能量照射下之經時安定性。 本發明之摻雜氟之鉬矽化物膜及摻雜氟之鉻矽化物膜 ，具有折射率較高、具有相對較薄之膜厚度、且可使透過 光產生1 8 0度之相移，可極力地壓抑因相移器膜厚於曝 光蝕之影響（主要爲焦點之深度等）等特徵。 以下將詳細說明本發明。 本發明之相移光罩，如圖1所示般，係於石英、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C a F 2等可透過曝光光線之基板1上，使相移器膜形成圖 型者，相移器膜間係由第1光透過部1 a，相移器膜2係 由第2光透過部2 a所構成者，本發明係由此第2光線透 光部之相移器形成有摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽 化物膜所得者，此時，較佳之相位差爲1 8 0 ± 5度，透 過率爲3至4 0%之厚度者。 此相移光罩的摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化 物膜，可使用濺鍍法以形成，此時，係使用鉬金屬或鉬矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7ΐΠ ." 497007 A7 B7 五、發明説明（8 ) 化物作爲標靶，而反應性氣體使用s i F 2時，或使用鉻金 屬或鉻矽化物作爲標靶，而反應性氣體使用S i F 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此相移光罩材料使用摻雜氟之鉬砂化物膜或含氟之銘 矽化物膜之理由，係因可使有效的S i與F大量地存在於 膜中，故折射率較高，而對於248nm、19 3nm、 157nm之光線在一定透過率下，使用Mo、MoSi 、C ι*或C r S i作爲標靶使用時，將S i F2氣體導入等 離子中以使其進行反應性濺鍍。 本發明中，濺鍍方法可使用直流電源或使用高周波電 源皆可，又，磁濺鍍方式或慣用方式皆可。 濺鍍氣體以使用氬、氙等不活性氣體與使用不活性氣 體之S 1 F2，再配合氧、氮、碳等作爲來源之各種元素來 源氣體，例如氧氣、氮氣、甲烷氣體、一氧化氮氣體、二 氧化氮氣體等與A r等不活性氣體及反應性氣體（S i F 2 )混合所得之混合氣體，進行反應性濺鍍者爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，流動此混合氣體以進行反應性濺鍍之理由，係因 其可使成膜的摻雜氮之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物之 折射率或透過率產生變化，以製得最適合作爲相移器材料 之膜物性。 又，本發明與以往鉬矽化物系之半色調光罩，其標靶 係使用Μ 〇 S i X (其中，X爲2至3 )，再以流通大量氧 氣、氮氣、甲烷等元素來源氣體以進行反應性濺鍍法成膜 相比較時，因相移光罩之光透過率或折射率之微調整係使 用氧氣、氮氣、甲烷等元素來源氣體，故可使此些元素氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .11 . 497007 A7 B7 五、發明説明（9 ) 體之比例降低，因此不易產生顆粒。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明中，反應性氣體所使用之s i F 2，已知其係爲 二氟基亞矽烷，一般亞矽烷若以反應中間物存在時，其將 形成極不安定之活性種，且與碳近似物中稱爲聚炔者同爲 不安定之中間物種，但此二氟基亞矽烷（S i F 2 )之半衰 期約爲1 5 0秒，故作爲反應性氣體使用時可得到充分之 存在時間。 此S i F 2氣體之產生方法，例如將S :片加熱至 I 1 5 0至1 2 5 0 t：中，再流通S i F 4氣體，將所產生 之Si F2氣體導入真空濺鍍裝置，使剛產生之S i F2 ( 二氟基亞矽烷）活性種以反應性氣體之形式被利用〔參考 Journal of Material Chemistory, 1 996, 6(7), pll31-1133 ]

O 具體而3，S i F2氣體，係如圖2所不般，於 S i F2氣體產生器23中塡入S i片24後，加熱至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 II 0 0至1 3 0 0 °C,再以流通S i F4氣體之方式產生 。此時，S i F2氣體流量可以S i F2氣體產生率爲5 0 %之方式換算，此S i F 2氣體之流量係依裝置或能量而有 所不同，故不能一槪而論，一般而言，不活性氣體： S i F2氣體（流量比）: 〇 · 05至20之程度爲佳 〇 又，摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物膜之光 透過率或折射率欲以微調整方式改變時，可於A r等不活 性氣體及反應性氣體（S i F 2 )中混以氧、氮、甲院、—^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 497007 Α7 Β7 五、發明説明（10) 氧化二氮、一氧化碳、二氧化碳等作爲氧、氮、碳來源之 氣體進行混合以作爲混合氣體，特別是此些元素來源氣體 ，可配合不同目的進行區分，於需要光透過率時導入氧或 氮氣，欲使光透過率降低時，以導入碳成分之方式對膜特 性進行微調即可。 又，改變此些元素來源氣體之比例，可使折射率在 1 . 8至2 · 5之廣大範圍內進行變化，改變此些折射率 時，即使相同之膜厚度下亦可改變相移角，而對相移量作 細微之調整。 其中，相移器膜之厚度係以式（1 ) Ό = λ / 2 (η-1) …（1 ) (其中，D爲180度相移時之相移器膜厚度，η爲 相移材料之折射率，λ爲透過之波長） 所示膜厚D之方式進行成膜。 摻雜氟之鉬矽化物膜及摻雜氟之鉻矽化物膜之情形中 ，折射率爲1 . 5至2 . 5之範圍間，以所使用光源之波 長λ使目標之膜厚產生變化。可達成1 8 0度相移角之目 標膜厚度係如表1所示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -13- 497007 Μ Β7_ 五、發明説明（11) 【表1】 各光源下欲達成1 8 0度相移角之相移器膜厚（折射率η · 3 時） 波長（λ ) 目標膜厚度（埃） K r F 2 4 8 n m 9 5 3 A r F 1 9 3 η m 7 4 2 F 2 1 5 7 η m 6 0 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但，實際上，因短波長時其折射率較小，故膜厚通常 需較此爲厚。又，實際之膜厚度，因分布於基板面內部故 會有若干之誤差，在期待成膜時可使目標之膜被覆均勻的 膜厚度，又，相移光罩所容許之相移角度一般爲180 士 .5度以內，故需注意膜値之分布、膜厚之分部等。 又，相移光罩所使用之相移器膜，必須具有未超過光 阻曝光値之光透過率（約5 % )，故期待對於各種材料皆 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可將其調整爲透過率爲5 %之左右之材料，此情形中，如 上述說明般，可將由氧、氮、碳等作爲來源之氣體作爲濺 鑛時之混合氣體，以調整其透過率。即，各波長之透過率 不足時，主要係以增加氧與氮之成分，使氧及氮成分大量 滲入濺鍍膜中，相反地，若各波長之透過率過高時，應使 碳成分等大量滲入膜中，故以增加甲烷等氣體成分爲佳。 此透過率，以約爲5 %爲適當，於3至4 0 %時，多 數之情形中，在不超過光阻之曝光値下，多可作爲有用之 相移材料使用。 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210Χ297公羡）-- 497007 A7 B7 五、發明説明（12) 製造本發明相移光罩時，一般係採用如圖3 (A)所 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 示般，於上記基板1 1上形成摻雜有氟之鉬矽化物膜或摻 雜有氟之鉻矽化物膜1 2後，形成光阻膜1 3 ,如圖3 ( B )所示般，將光阻膜1 3進行曝光、顯像。隨後如圖3 (C)所示般，將摻雜有氟之鉬矽化物膜或摻雜有氟之鉻 矽化物膜1 2進行乾蝕刻或濕触刻後，即如圖3 ( D )所 示般，將光阻膜1 3剝離之方法等。此時，光阻膜之塗佈 、曝光、顯像、乾蝕刻或濕蝕刻、光阻膜之去除等皆可依 公知之方法進行。 又，本發明之相移膜不僅可爲單層，於摻雜有氟之鉬 矽化物膜或摻雜有氟之鉻矽化物膜上，可再以形成遮光膜 之方式製得具有多數層構造之相移光罩亦可。 【實施例】 以下，將以實施例對本發明作具體之說明，但本發明 並不受下記實施例所限制。 〔實施例1〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用如圖4所示之濺鍍裝置，於石英基板上使摻雜有 氟之鉬矽化物膜成膜。於圖4中，2 0爲真空反應室， 2 1爲石英基板，2 2爲標靶，使標靶係使用鉬（Μ 〇 ) ，不活性氣體係使用氬氣（A r ) 3 〇 S C C Μ，反應性 氣體係使用二氟基亞矽烷（SiF2) 10SCCM，氧及 碳元素之來源氣體係使用C〇2 1 〇 SCCM。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ j 5 - 497007 A7 ____ B7_五、發明説明（13) 此時，3丨？2氣體係於3丨？2氣體產生器2 3中充 塡入S i片2 4後，加熱至1 2 0 0 °C，再流通以S i F 4 氣體20SCCM之方式產生。又，SiF2氣體流量以 S 1 F2氣體之發生率5 0%換算所得結果爲1 〇 SCCM 〇 此混合濺鍍氣體，如圖4所示般，係由裝置之側壁流 通，以進行反應性濺鍍。 濺鍍條件係如表2所示。又，所得膜之特性（膜厚、 折射率、透過率）係使用蘇來公司製分光計G E s P 一 5 進行測定。其結果如表3所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【表2】 混合氣體之組j 成內容(SCCM) 能量密度 基板溫度 濺鍍壓力 Ts間距離 標靶 實施例1 Ar S1F2 C〇2 10w/cm2 150 °C 0.6Pa 70mm Mo 30 10 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【表3】 膜厚 折ft -率 透過率 248nm 1 93nm 248nm 1 93nm 實施例1 1 280 埃 1.86 1.93 8.8 °/〇 3.5 % 〔實施例2至4〕 除濺鍍條件係如表4所示之條件以外，其他皆依實施 例1相同方法製作相移器膜。所得膜之特性（膜厚、折射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 16- 497UU7 A7 --^______B7 五、發明説明（14) +、透過率）係使用蘇來公司製分光計G E S P - 5進行 測定。其結果如表5所示。 【表4】 j 昆合氣體之結 [成內容(SCCM) 能量密度 (w/cm2) 基板溫度 (°〇 濺鍍壓力 (Pa) Ts間距離 (mm) 標靶 Ar S1F2 C〇2 N2 實施例2 30 5 3 2 10 140 0.8 70 MoSi 實施例3 30 10 8 1 15 150 0.7 70 Cr 實施例4 30 3 6 3 8 150 0.7 70 CrSi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【表5】 膜厚 折Ιϊ .率 透過率^ 248nm 193nm 24 8nm 1 93nm 實施例2 1 120 埃 1.98 2.12 13 % 6 °/〇 實施例3 1 3 5 4 埃 2.12 2.24 3.7% 1.2% 實施例4 1267 埃 1.86 2.08 1 1 % 4.8% 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【發明之效果】 依本發明之內容，可提供一種對於A I* F等離子雷射 及F 2雷射等短波長之高能量照射具有耐久性，且具有充 分透過率與經時變化較低之相移器材料。 又，依本發明之內容，亦提供一種對於1 9 3 n m以 下的短波長之曝光波長，具有較高折射率之相移器材料， 且於配合焦點之光罩圖型面上亦可將外型抑制至極低，故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡1 Γΐ7 - 497007 A7 ___B7 五、發明説明（15) 可進行1 8 0度之相移變換，以改善曝光時外觀形狀之相 移光罩及其製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，依本發明之內容，係提供一種具有可解決半色 調型相移光罩之問題點，並可充分地對應半導體集積回路 之微細化、高集積化之相移光罩及其製造方法。 【圖示之簡單說明】 【圖1】 本發明之實施例中的相移光罩之截面圖。 【圖2】

SiF2氣體產生器之槪略圖。 【圖3】 相移光罩製造方法之說明圖：（A)爲形成光阻膜之 狀態，（B )爲光阻膜進行曝光、顯像之狀態，.（C )進 行乾蝕刻或濕蝕刻之狀態，（D )去除光阻膜之狀態等槪 略截面圖。 【圖4】 實施例所使用之濺鍍裝置之槪略圖。 【圖5】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (A ) , (B)爲半色調型相移光罩之原理說明圖， (B )爲（A )的X部分之擴大圖。 【主要元件符號之簡單說明】 1,11,21 基板 2,12 摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497007 A7 B7 五、發明説明（16) 物膜 la 第1光透過部 2 a 第2光透過部 13 光阻 2 0 真空反應室 2 2 標靶 23 SiF2氣體產生器 2 4 S i 片 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 19 _

Claims (1)

1. 厂 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 '〜一、…„ 附件1 : 第90104221號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年5月修正 1 . 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的 第2光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉬矽化物膜，此 摻雜氟之鉬矽化物膜，係使用鉬金屬作爲濺射標靶，並使 用反應性氣體之s i F 2而形成者。 2 . —種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的 第2光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉬矽化物膜，此 摻雜氟之鉬矽化物膜，係使用鉬矽化物作爲濺射標靶，並 使用反應性氣體之S i F 2而形成者。 3 . —種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的 第2光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉻矽化物膜，此 摻雜氟之鉻矽化物膜，係使用鉻金屬作爲濺射標靶，並使 用反應性氣體之S i F 2而形成者。 4 , 一種相移光罩，其係於通過曝光光線之基板上的 第2光線透過部之相移器上形成摻雜氟之鉻矽化物膜，此 摻雜氟之鉻矽化物膜，係使用鉻矽化物作爲濺射標靶，並 使用反應性氣體之S i F 2而形成者。 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之相移光罩 ，其係由摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物膜所構 成之相移器，且其透過之曝光光線之相位變換爲1 8 0± 5度，且透過率爲3至40 %者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） J---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財4^¾工消費合作社印製 JV— 497007 經濟部智慧財>.-LA:H工消費合作社印製 A8 m C8 D8 六、申請專利範圍 6 種相移光罩之製造方法，其係包含： 於可透過曝光光線之基板上以濺鍍法形成摻雜氟之鉬 矽化物膜的步驟， 於摻雜氟之鉬矽化物膜上形成光阻圖型之步驟，與 使用;此光阻圖型以乾蝕刻法或或濕蝕刻法將摻雜氟之 鉬矽化物膜形成圖型之步驟。 7 ·如申請專利範圍第6項之相移光罩的製造方法， 其中濺鍍法係使用鉬金屬或鉬矽化物作爲標靶，且反應性 氣體係使用S i F 2者。 8·—種相移光罩之製造方法，其係包含： 於可透過曝光光線之基板上以濺鍍法形成摻雜氟之鉻 矽化物膜的步驟， 於摻雜氟之鉻矽化物膜上形成光阻圖型之步驟，與 使用此光阻圖型以乾蝕刻法或或濕蝕刻法將摻雜氟之 鉻矽化物膜形成圖型之步驟。 9 ·如申請專利範圍第8項之相移光罩的製造方法， 其中，濺鑛法係使用鉻金屬或鉻矽化物作爲標靶，且反應 性氣體係使用S i F 2者。 1〇·如申請專利範圍第6至9項中任一項之相移光 罩的衣ia方法，其中，濺鑛法係使用由氧、氮及碳中所選 出之元素來源氣體與不活性氣體與反應性氣體混合所得之 混合氣體的反應性濺鍍法。 •如申請專利範圍第1 〇項之相移光罩的製造方 法，其中，元素來源氣體之元素比例對不活性氣體而言， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X；297公釐） —I— immmi man 11_ ϋ— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言. 497007 A8 B8 C8 _______ D8 ττ、申凊專利範圍 # Μ 4比爲氧1至4 〇 % ，氮1至2 〇 % ，碳1至1 〇 % 〇 1 2 ·如申請專利範圍第6至9項中任一項之相移光 胃@製造方法，其中，由摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之 虐各砂化物膜所構成之相移器，且其透過之曝光光線之相位 變換爲18〇± 5度，且透過率爲3至40 %者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之相移光罩的製造方 法，其中，由摻雜氟之鉬矽化物膜或摻雜氟之鉻矽化物膜 所構成之相移器，且其透過之曝光光線之相位變換爲 1 8〇± 5度，且透過率爲3至40%者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財4局Μ工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -3-