JPH07295203A

JPH07295203A - ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法

Info

Publication number: JPH07295203A
Application number: JP8948894A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Mori; 弘毛利; Hiroyuki Miyashita; 裕之宮下; Masayasu Takahashi; 正泰高橋
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1994-04-27
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】短波長光に対して十分な透過率を有する高解
像度リソグラフィーに使用可能なハーフトーン位相シフ
トフォトマスク用ブランクスを得る。【構成】フッ素原子含有気体から生成したプラズマ中
において金属クロムもしくはクロム化合物から蒸発また
はスパッタリングさせたクロムを透明基板上に成膜させ
ることによってフッ化クロム化合物を主体とする層の少
なくとも１層を基板上に形成してハーフトーン位相シフ
トフォトマスク用ブランクスを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩなど
の高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクに関
し、特に微細な投影像を得られる位相シフトフォトマス
クを製造するための位相シフト用フォトマスクブランク
スの製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積回
路は、フォトマスクを使用したいわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことによって製造されるが、特に微細寸
法の形成には、例えば特開昭５８−１７３７４４号公
報、特公昭６３−５９２９６号公報等に示されているよ
うな位相シフトフォトマスクの使用が検討されている。
位相シフトフォトマスクには様々な構成のものが提案さ
れているが、その中でも例えば特開平４−１３６８５４
号公報、米国特許第４８９０３０９号等に示されるよう
な、いわゆるハーフトーン型位相シフトフォトマスクが
早期実用化の観点から注目を集め、特開平５−２２５９
号公報、特開平５−１２７３６１号公報等のように、製
造工程数の減少により歩留りの向上、コストの低減など
が可能な構成および材料に関していくつかの提案がされ
てきている。

【０００３】ハーフトーン位相シフトフォトマスクを図
面に従って簡単に説明する。図１はハーフトーン位相シ
フトフォトマスクの原理を示す図、図２は従来法を示す
図である。図１（Ａ）及び図２（Ａ）はフォトマスクの
断面図、図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）はフォトマスク上の
光の振幅、図１（Ｃ）及び図２（Ｃ）はウエハ上の光の
振幅、図１（Ｄ）及び図２（Ｄ）はウエハ上の光強度を
それぞれ示す。１０１及び２０１は基板、２０２は１０
０％遮光膜、１０２は入射光の位相を実質的に１８０度
ずらし、かつ透過率が１〜５０％であるハーフトーン位
相シフト膜、１０３及び２０３は入射光である。従来法
においては図２（Ａ）に示すように石英ガラス等からな
る基板２０１上にクロム等からなる１００％遮光膜２０
２を形成し所望のパターンの光透過部を形成しているの
みであり、ウエハ上での光強度分布は図２（Ｄ）に示す
ように裾広がりとなり解像度が劣ってしまう。一方、ハ
ーフトーン位相シフトフォトマスクでは、ハーフトーン
位相シフト膜１０２を透過した光と開口部を透過した光
とでは位相が実質的に反転するので、図２（Ｄ）に示す
ように、ウエハ上でパターン境界部での光強度は０にな
り、裾広がりを抑えることができ、従って解像度を向上
することができる。

【０００４】ここで注目すべき点は、ハーフトーン以外
の位相シフトフォトマスクでは、遮光膜とシフター膜と
で異なるパターンであるため、マスクパターン作製のた
めに、２回の製版工程を必要とするのに対し、ハーフト
ーン位相シフトフォトマスクでは、パターンが１つであ
るため、製版工程は１回のみで良いという点であり、こ
れがハーフトーン位相シフトフォトマスクの大きな長所
となっている。

【０００５】ハーフトーン位相シフトマスクのハーフト
ーン位相シフト層１０２には位相反転と透過率調整とい
う２つの機能が要求される。このうち位相反転機能につ
いては、位相シフト部を透過する露光光と、開口部を透
過する露光光とで、位相が実質的に反転すればよい。こ
こで、ハーフトーン位相シフト層を、例えばＭ．Ｂｏｒ
ｎ，Ｅ．Ｗｏｌｆ著「ＰｒｉｎｃｉｐｌｅｓｏｆＯ
ｐｔｉｃｓ」６２８〜６３２頁に示される吸収膜として
扱い、多重干渉は無視できるので、垂直透過光の位相差
φはにより計算され、φがｎπ±π／３（ｎは奇数）の範囲
内に含まれるとき、上述の位相シフト効果が得られる。
ここで、φは基板上に（ｍ−２）層の多層膜が構成され
ているフォトマストを垂直に透過する光が受ける位相変
化で、χ^k,k+1はｋ番目の層と（ｋ＋１）番目の層との
界面でおきる位相変化、ｕ_k、ｄ_kはそれぞれｋ番目の
層を構成する材料の屈折率と膜厚、λは露光光の波長で
ある。ただし、ｋ＝１はマスク基板、ｋ＝ｍは空気とす
る。

【０００６】一方、ハーフトーン位相シフト効果が得ら
れるための、ハーフトーン位相シフト部の露光光透過率
は、転写パターンの寸法・面積・配置・形状等によって
決定され、パターンによって異なる。実質的に、上述の
効果を得るためには、ハーフトーン位相シフト部の露光
光透過率を、パターンによって決まる最適透過率を中心
として、最適透過率±数％の範囲内に含まれるようにし
なければならない。通常、この最適透過率は転写パター
ンによって、開口部を１００％としたときに１〜５０％
という広い範囲内で大きく変動する。すなわち、あらゆ
るパターンに対応するためには、様々な透過率を有する
ハーフトーン位相シフトフォトマスクが要求される。

【０００７】実際には、位相反転機能と透過率調整機能
とは、ハーフトーン位相シフト膜を構成する材料（多層
の場合は各層を構成する各材料）の複素屈折率（屈折率
と消衰係数）と膜厚とによって決定される。つまり、ハ
ーフトーン位相シフト膜の膜厚を調整し、式（１）によ
り求まる位相差φがｎπ±π／３（ｎは奇数）の範囲に
含まれるように成層したときの露光光透過率が１乃至５
０％の範囲に含まれるような材料が、ハーフトーン位相
シフトフォトマスクのハーフトーン位相シフト層として
使える。このような材料としては、例えば特開平５−１
２７３６１号公報に示されるクロム化合物を主体とする
膜などが知られている。

【０００８】前記クロム化合物を主体とする膜は、クロ
ムの酸化物、窒化物、酸化窒化物、酸化炭化物、酸化炭
化窒化物であり、これらの膜の露光光に対する透過率
は、露光光の波長によって大きく変わる。たとえば、図
３に、クロムターゲットを使用した酸素雰囲気中での反
応性スパッタリング法により合成石英基板上に成膜され
た酸化クロム膜の分光透過率曲線を示す。ここで、酸化
クロム膜の膜厚はおよそ５０ｎｍである。図３より明ら
かなように、酸化クロム膜の透過率は短波長域で急激に
低下する。このため、この酸化クロムをハーフトーン位
相シフター層に用いたハーフトーン位相シフトフォトマ
スクは高圧水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５
ｎｍ）の露光には使用できるものの、より高解像度が実
現できるフッ化クリプトンエキシマレーザー（２４８ｎ
ｍ）等の遠紫外線による露光では、透過率が低すぎて、
使用できないという問題があった。また、窒化クロム
膜、酸化窒化クロム膜、酸化炭化クロム膜、酸化炭化窒
化クロム膜についても、同様にフッ化クリプトンエキシ
マレーザー等の遠紫外線露光に使用できないため、高解
像度リソグラフィーに対応できないという問題があっ
た。さらに、フッ素原子を含有するクロム化合物膜は、
フッ素含有率によって光学常数が決定されるので、精度
の良いマスクを得るためには、クロム化合物膜の組成を
調整することが重要となるが、従来の反応性スパッタリ
ングによる方法では、膜の組成を精密に制御することは
困難であった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況を鑑みてなされたものであり、短波長光に対して十分
な透過率を有し、フッ化クリプトンエキシマレーザー等
の遠紫外線露光による高解像度リソグラフィーに使用可
能なハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフト
ーン位相シフトフォトマスク用ブランクスを提供するこ
とである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、フッ化クリプトンエキシマレーザー等の遠紫外線
光の位相を反転する膜厚に成膜したときに、その透過率
がハーフトーン位相シフト層として使える範囲に含まれ
るようなハーフトーン位相シフト材料の製造法を開発す
べき研究の結果、完成に至ったものである。すなわち、
本発明はハーフトーン位相シフト層としてフッ素原子を
含むクロム化合物を主体とする層の少なくとも１層を含
むハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの
製造法に関する。フッ素原子を含むクロム化合物を主体
とする膜は従来のフッ素原子を含まない酸化クロム、窒
化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化炭化
窒化クロムを主体とする膜に比べ、短波長域の透過率が
優れるため、透明基板上にフッ化クリプトンエキシマレ
ーザー等の遠紫外線光の位相を反転する膜厚で成膜して
も、ハーフトーン位相シフター膜として十分使用できる
透過率を得ることが可能となる。

【００１１】ハーフトーン位相シフトリソグラフィーで
は、ハーフトーン位相シフト層を構成する膜の露光光で
の屈折率と消衰係数を例えば偏光解析法などにより求め
て、上記式（１）により算出される露光光の位相を反転
するのに必要な膜厚を透明基板上に成膜したときの透過
率が、前記の転写パターンなどから決定される最適透過
率となることが求められる。フッ化クリプトンエキシマ
レーザー露光を想定した場合、従来のフッ素原子を含ま
ない酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭
化クロム、酸化炭化窒化クロムを主体とする膜では、位
相を反転する膜厚での透過率が低すぎてハーフトーン位
相シフト層として使用できないのに対し、本発明のフッ
素原子を含むクロム化合物は、含まれるフッ素原子やそ
の他の原子の割合によって屈折率、消衰係数が変動し、
位相反転するときの膜厚での露光光に対する透過率が、
要求される最適透過率となるように組成を調整すること
ができる。この場合、単層でハーフトーン位相シフト層
として用いることができるが、露光光に対する透過率を
要求される透過率よりも高くなるよう成膜しておいてか
ら、位相反転機能を損なわない範囲内で透過率を調整す
る遮光層を積層することもできる。

【００１２】ところで、上記フッ素原子を含むクロム化
合物膜は、上述の通りフッ素等の含有率によってその光
学定数が決定されるので、精度良いハーフトーン位相シ
フトフォトマスクを得るためには、膜の組成を精密にコ
ントロールすることが重要となる。また、化学量論的に
安定な化合物で、位相反転機能と透過率調整機能との両
機能を満たすことは希で、一般的に中間的な化合物を成
膜することが要求される。本発明は、これら中間的な化
合物を所望の組成で精度よく成膜する作製法に関するも
のである。すなわち、本発明のフッ素原子を含むクロム
化合物の製造方法は、真空槽内でクロムを蒸発させ、こ
れをフォトマスク用透明基板上に被着させる薄膜形成方
法において、蒸発したクロムが基板に蒸着する前にフッ
素原子と反応させる製造方法であり、特にクロムとフッ
素原子との反応を、蒸発したクロムがフッ素原子を含む
ガスのプラズマ中を通過することによって行うものであ
る。ここで、クロム蒸発源は、純金属クロム、クロム化
合物のいずれでもよく、これらを蒸発する手段として
は、電子銃による加速電子の照射、イオン銃によるイオ
ン照射などが好ましいが、コイル、ボートなどによる抵
抗加熱によることもできる。また、上述のプラズマを発
生させる手段としては、予めフッ素原子を含むガスを導
入した空間に容量結合あるいは誘導結合の高周波電界を
印加しても良く、直流電界によってプラズマを生成して
も良い。また、イオン銃によってイオン化された気体
を、上記フッ素原子を含む気体を導入した空間に流す方
法や、イオン銃によってフッ素原子を含む気体自体をイ
オン化してから上記空間に導入することも可能である。
また、フッ素原子を含む気体としては、フッ素、フッ化
炭素系の気体、六フッ化硫黄、三フッ化窒素、三フッ化
塩素などを使用することができる。

【００１３】さらに、クロムターゲットからスパッタリ
ングによってクロム粒子を発生させるとともに、イオン
銃によってフッ素原子含有気体から生成したプラズマを
発生させることによって均一な膜厚が均一な所望の組成
のフッ素原子含有クロム化合物膜を成膜することができ
る。この成膜法により形成される化合物膜の光学定数を
制御するためには、上述のプラズマ空間での反応を制御
すればよく、蒸発させるクロムの量、フッ素原子含有気
体の流量、圧力、プラズマの生成のために印加する電力
などを制御すれば良い。また、反応空間の形状、気体の
導入方法など使用する装置の特性も形成される膜の光学
特性に影響を及ぼすので、これらを考慮して任意に設定
することが好ましく、蒸着される基板を加熱しても良
い。

【００１４】以上説明したフッ素原子を含むクロム化合
物の製造方法は、化学量論的に安定でない中間状態にお
いても所望の組成を精度よく実現できるので、様々な光
学定数を持つハーフトーン位相シフト膜が成膜できる。
また、膜の残留応力も低減し、基板との密着性も向上し
た膜が容易に得られるという特長もある。さらに、堆積
速度も実用上充分なものである。また、以上では、フッ
化クロム化合物の単層膜について述べたが、ハーフトー
ン位相シフト層を多層構造とする場合にも同様に適用す
ることが可能である。

【００１５】さらに、本発明の製造法で成膜されるフッ
素原子を含むクロム化合物を単層でハーフトーン位相シ
フト層とした場合、クロム原子を母材としているため
に、従来型フォトマスクのクロム遮光膜とほとんど同じ
方法でパターニングができる。また、多層膜であって
も、遮光膜としてクロム、酸化クロム、窒化クロム、酸
化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化炭化窒化クロムな
どを用いた場合、従来とほぼ同じ方法で、１回のパター
ニング工程で製版できる。このため、歩留りの向上、コ
ストの低減が実現できる。

【００１６】

【作用】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランクスの製造方法は、フッ化クリプトンエキシマ
レーザー等の遠紫外線露光にも使用できるハーフトーン
位相シフトフォトマスク用ブランクスを提供することが
できるため、高解像度リソグラフィーが実現できる。ま
た、このブランクスは、従来型フォトマスクとほとんど
同じ方法でマスク化できるため、歩留りの向上、コスト
の低減が実現できる。

【００１７】

【実施例】以下に本発明のハーフトーン位相シフトマス
ク用ブランクスの製造方法を図面を参照して説明する。
図４は、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランクスの製造に使用する装置の１例を説明する図
である。図４において、真空槽４０１はバタフライバル
ブ４０２を通じて、排気装置および廃ガス処理装置と連
結されている。真空槽４０１内にはクロム蒸発源４０
３、電子銃４０４、フォトマスク用基板４０５が配置さ
れている。また、４０６は反応気体供給口、４０７は高
周波電流供給用コイルである。バタフライバルブ４０２
を開き、真空槽４０１内を所定の真空度まで排気した
後、マスフローコントローラー４０８により流量を調整
して四フッ化炭素気体を供給口４０６を通じて真空槽内
に導入する。次にバタフライバルブ４０２を調整するこ
とによって、真空槽内の圧力をプラズマ発生に好適な真
空度に調整し、コイル４０７に高周波電流を投入し、基
板４０５と蒸発源４０３との間の空間にプラズマを発生
させ、続いて、電子銃４０４から加速電子を純金属クロ
ムからなるクロム蒸発源４０３に照射し、クロムの蒸発
を開始する。電子の放出状態、プラズマの放電状態が安
定した後、基板４０５を覆うシャッター４０９を開き成
膜を開始し、所定の膜厚の成膜を行う。

【００１８】図５は、本発明のハーフトーン位相シフト
フォトマスク用ブランクスの製造方法に使用する装置の
他の例を説明する図である。真空槽５０１は図４に示し
た真空槽４０１と同様な構成であるが、イオン銃５０４
が装着されている。このイオン銃はキャリア気体導入口
５０７より槽内に供給する気体を電離し、クロム蒸発源
５０３とフォトマスク用基板５０５との間の空間にキャ
リア気体のプラズマを発生させ、さらに、クロム蒸発源
５０３を照射し、クロムを蒸発させている。この装置に
よるハーフトーン位相シフトフォトマスク用フォトブラ
ンクスの製造は、バタフライバルブ５０２を開き、真空
槽５０１内を所定の真空度まで排気した後、マスフロー
コントローラー５１０により流量を調整しながらアルゴ
ンを真空槽内に供給するとともに、バタフライバルブ５
０２を調整して圧力をプラズマ発生に好適な圧力に調整
する。次いで、イオン銃内のフィラメントに電流を通じ
るとともにイオン流引き出し電極に電圧を印加して、イ
オン銃を通過するアルゴンを電離し真空槽内にアルゴン
プラズマを生成する。５１１はプラズマの広がりを制御
する収束コイルである。次に、マスフローコントローラ
ー５０８により流量を調整して四フッ化炭素を気体供給
口５０６から真空槽内に供給する。プラズマが安定した
ところで、シャッター５０９を開き、基板上への成膜を
開始する。

【００１９】図６は、本発明のハーフトーン位相シフト
フォトマスク用ブランクスの製造方法に使用する他の装
置を説明する図である。真空槽６０１は図４に示した真
空槽４０１と同様な構成であるが、イオン銃６０４が装
着されている。このイオン銃はキャリア気体導入口６０
７より槽内に供給する気体を電離し、クロムターゲット
６０３とフォトマスク用基板６０５との間の空間にキャ
リア気体のプラズマを発生させる。また、マスフローコ
ントラー６０８は、図５と同様に流量を調整してフッ素
原子含有気体を気体供給口６０６から真空槽内に供給す
る。クロムターゲット６０３とフォトマスク基板６０５
には、電源６１２から高周波電圧もしくは直流電圧を印
加して、スパッタリングによってクロム粒子を発生させ
てフッ素原子含有気体のプラズマと反応させて、フォト
マスク用基板にフッ素原子含有クロム化合物を成膜す
る。

【００２０】実施例１図４に示す装置を用いて、ハーフトーン位相シフトフォ
トマスク用フォトブランクスを製造した。バタフライバ
ルブ４０２を開き、真空槽４０１内を１×１０^-5Ｔｏｒ
ｒ台まで排気した後、マスフローコントローラー４０８
により流量を１００ｓｃｃｍに制御された四フッ化炭素
気体を供給口４０６を通じて真空槽内に導入する。次に
バタフライバルブ４０２を調整することによって、真空
槽内の圧力を５×１０^-3Ｔｏｒｒにして、コイル４０７
に１５０Ｗの高周波電流（１３．５６ＭＨｚ）を投入
し、基板４０５と蒸発源４０３との間の空間にプラズマ
を発生させ、続いて、電子銃４０４から加速電子を純金
属クロムからなるクロム蒸発源４０３に照射し、クロム
の蒸発をはじめる。電子の放出状態、プラズマの放電状
態が安定した後、基板４０５を覆うシャッター４０９を
開き成膜を開始する。このとき、水晶振動子膜厚モニタ
ーにより成膜速度をモニターしたところ、毎秒０．５ｎ
ｍであった。この条件で、シリコンウエハ上に約５０ｎ
ｍ堆積した膜のＫｒＦエキシマレーザー波長（２４８ｎ
ｍ）での光学定数を偏光解析法により求めたところ、ｕ
＝１．７２３、ｋ＝０．２２５５であった。これを、本
文中と同様に、Ｍ．Ｂｏｒｎ、Ｅ．Ｗｏｌｆ著「Ｐｒｉ
ｎｃｉｐｌｅｓｏｆＯｐｔｉｃｓ」６２８〜６３２
頁に示される金属膜として扱い、フォトマスク基板上に
成膜したときの、２４８ｎｍの透過光の位相を１８０度
シフトに必要な膜厚を計算したところ、１７０ｎｍであ
った。

【００２１】また、得られたフッ素原子含有クロム化合
物膜は、Ｘ線電子分光法（ＶＧＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ
社製ＥＳＣＡＬＡＢ２１０）によって測定したとこ
ろ、クロムとフッ素の原子比は、１：４であった。光学
研磨され、よく洗浄された高純度石英基板上に、上と同
じ条件でフッ素原子を含むクロム化合物膜を約１７０ｎ
ｍ成膜したときの透過率は図７に示す通りである。な
お、このときの２４８ｎｍにおける透過率は１０．５％
である。このハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブ
ランクスは、従来型フォトマスクとほとんど同じ方法で
マスク化でき、良好なＫｒＦエキシマレーザー露光用ハ
ーフトーン位相シフトフォトマスクに加工される。

【００２２】実施例２図５に示す装置によって、本発明のハーフトーン位相シ
フトフォトマスク用ブランクスを製造した。バタフライ
バルブ５０２を開き、真空槽５０１内を１×１０^-5Ｔｏ
ｒｒ台まで排気した後、マスフローコントローラー５１
０により流量を５０ｓｃｃｍに制御されたアルゴンを真
空槽内に供給する。ここで、バタフライバルブ５０２を
調整することによって圧力を５×１０^-3Ｔｏｒｒにした
後に、イオン銃内のフィラメントに電流を通じるととも
にイオン流引き出し電極に電圧を印加して、イオン銃を
通過するアルゴンを電離し真空槽内にアルゴンプラズマ
を生成する。５１１はプラズマの広がりを制御する収束
コイルである。次に、マスフローコントローラー５０８
により流量を５０ｓｃｃｍに制御された四フッ化炭素を
気体供給口５０６から真空槽内に供給する。プラズマが
安定したところで、シャッター５０９を開き、基板上へ
の成膜を開始する。この方法により成膜された、フッ素
原子を含むクロム化合物膜は、実施例１で成膜されたも
のとほぼ同じ特性を示し、良好なハーフトーン位相シフ
トフォトマスクのシフターとなった。

【００２３】

【発明の効果】本発明のハーフトーン位相シフトフォト
マスク用ブランクスの製造方法は、短波長のフッ化クリ
プトンエキシマレーザー等の遠紫外線露光にも使用でき
るハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスを
得ることができるので高解像度リソグラフィーが実現で
き、また、このブランクスは、従来型フォトマスクとほ
とんど同じ方法でマスク化できるため、歩留りの向上、
コストの低減が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ハーフトーン位相シフトフォトマスクを説明す
る図である。

【図２】従来の位相シフトフォトマスクを説明する図で
ある。

【図３】クロムターゲットを使用した酸素雰囲気中での
反応性スパッタリングにより合成石英基板上に成膜され
た酸化クロム膜の透過率を説明する図である。

【図４】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランクスの製造方法に使用する装置の１例を説明す
る図である。

【図５】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランクスの製造方法に使用する装置の他の例を説明
する図である。

【図６】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランクスの製造方法に使用する装置の他の実施例を
説明する図である。

【図７】高純度石英基板上に、フッ素原子を含むクロム
化合物膜を約１７０ｎｍ成膜したときの透過率は説明す
る図である。

【符号の説明】

４０１…真空槽、４０２…バタフライバルブ、４０３…
クロム蒸発源、４０４…電子銃、４０５…フォトマスク
用基板、４０６…反応気体供給口、４０７…高周波電流
供給用コイル、４０８…マスフローコントローラー、４
０９…シャッター、５０１…真空槽、５０２…バタフラ
イバルブ、５０３…クロム蒸発源、５０４…イオン銃、
５０５…フォトマスク用基板、５０６…気体供給口、５
０７…キャリア気体導入口、５０８…マスフローコント
ローラー、５０９…シャッター、５１０…マスフローコ
ントローラー、５１１…収束コイル、６０１…真空槽、
６０３…クロムターゲット、６０４…イオン銃、６０５
…フォトマスク用基板、６０６…気体供給口、６０７…
キャリア気体導入口、６０８…マスフローコントローラ
ー、６０９…シャッター、６１０…マスフローコントロ
ーラー、６１１…収束コイル、６１２…電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ハーフトーン位相シフトフォトマスク用
ブランクスの製造方法において、フッ素原子含有気体か
ら生成したプラズマ中において金属クロムもしくはクロ
ム化合物からクロムを蒸発もしくはスパッタリングする
ことにより透明基板上にフッ化クロム化合物を主体とす
る層を形成することを特徴とするハーフトーン位相シフ
トフォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項２】クロムの蒸発が、電子銃により加速され
た電子の照射もしくは電離気体の照射によって行うこと
を特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトフ
ォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項３】フッ素原子含有気体から生成するプラズ
マを、クロム源と透明基板との間の空間にフッ素原子含
有気体を導入しつつ電離させることによって発生するこ
とを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のハ
ーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造
方法。
【請求項４】フッ素原子含有気体から生成するプラズ
マを、クロム源と透明基板との間の空間にあらかじめ電
離したフッ素原子含有気体を導入することによって発生
させることを特徴とする請求項１または２のいずれかに
記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク
スの製造方法。
【請求項５】フッ素原子含有気体から生成するプラズ
マを、クロム源と透明基板との間の空間にフッ素原子含
有気体を導入しつつあらかじめ電離した気体を導入する
ことによって発生させることを特徴とする請求項１また
は２のいずれかに記載のハーフトーン位相シフトフォト
マスク用ブランクスの製造方法。
【請求項６】あらかじめ電離されたフッ素原子含有気
体を、クロム源と透明基板との間の空間を通してクロム
源に照射することにより、クロムを蒸発させるととも
に、フッ素原子を含むプラズマを生じさせ、透明基板上
にフッ化クロム化合物を主体とする層を形成することを
特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトフォ
トマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項７】