JPH08314116A - 露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣接する開口部の堀り込み量の差のみなら
ず、各々の堀り込み量を想定することのできる露光用マ
スクと測定方法を提供すること。 【解決手段】 透光性基板１０１と、この透光性基板１
０１上に形成された遮光パターン１０２及び該基板１０
１の一部を堀り込んで作成された位相シフトパターンか
らなるマスクパターンとを備えた露光用マスクに於い
て、基板１０１は少なくとも１種類の深さに堀り込ま
れ、堀り込み量の違いにより所望の位相差を得るもので
あって、遮光パターン１０２は露光光に対して遮光性を
有し、且つ露光光より長波長の位相検査領域で透光性を
有する物質で構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
製造工程のリソグラフィー工程に用いられる露光用マス
クに係わり、特に透光性基板を堀込んで位相シフトパタ
ーンを形成した露光用マスク及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術の進歩と共に、半導体装置ひ
いては半導体素子の高速化、高集積化が進められてい
る。それに伴いパターンの微細化の必要性は益々高くな
り、パターン寸法も微細化、高集積化が要求されるよう
になっている。

【０００３】この要求を満たす目的で、露光光源に遠紫
外光など短波長の光が用いられるようになってきた。そ
の一方で、近年露光光源を変えずに微細化する試みが成
されてきている。その一つの手法として位相シフト法が
ある。この手法は、光透過部分に部分的に位相反転層を
設け、隣接するパターンとの間で生じる光の回折の悪影
響を除去し、パターン精度の向上をはかるものである。

【０００４】位相シフト法の中でとりわけ解像性能が向
上する手法にレベンソン型位相シフト法がある。この手
法では、遮光パターンが配置されたマスクについて、光
透過部に対し交互に位相シフタを設けている。この位相
シフタを透過した光の位相は、位相シフタを配置してい
ない部分を透過した光に対して１８０度反転する。この
様に隣接した透過部の光の位相を反転させることでパタ
ーン相互の光の負の干渉を生じさせ解像性能を向上させ
ている。

【０００５】このレベンソン型位相シフトマスクは、特
開昭６２−１８９４６８公報に示される如く基板を堀込
むことで作成可能であった。しかし、この様なマスクで
は開口部寸法が同じであっても基板を堀込んだ位相シフ
ト部と堀込まない非位相シフト部とで光強度に差が生じ
るという問題があった。この問題は、位相シフト部で光
軸に平行なパターンエッジ部の干渉により開口部寸法が
光学的に狭められたことによる。この問題を解決するた
めに特願平６−４３６１８号では、開口部のどちらも堀
込むことで、両開口部でパターンエッジ部の干渉を生じ
させ均一な光強度を達成する手法について述べられてい
る。

【０００６】特願平６−４３６１８号に記載されている
隣接する両開口部のどちらも堀込んで作成した露光用マ
スクの断面構造を図２Ａに示す。図において、１０１は
透光性基板を示している。遮光パターン１０２ａとして
は、クロム化合物が主に用いられており、このクロム化
合物は露光波長のみならず可視領域以下のどの波長に於
いても遮光性を示すよう組成が調整されたものが用いら
れてきた。隣接する開口部１０３と１０４を透過する光
は逆位相となるように両開口部１０３，１０４の堀込み
量が調整されている。開口部１０３と１０４の堀込み量
の差は光路長差として露光波長λのほぼ１／２となるよ
うにされている（位相シフタ厚）。また、浅い部分の堀
込み量（バイアス量）は開口部１０３と１０４の堀込み
量の差とほぼ等しくなるように構成されている。

【０００７】しかしながら、この種の露光用マスクにあ
っては次のような問題があった。即ち、この露光用マス
クにおける光学的手法による検査では、相対位相差（位
相シフタ厚：開口部１０３と１０４の深さの差）は調べ
ることができたが、バイアス量（開口部１０３或いは１
０４の深さ）については調べることができない。また、
バイアス量を調べることができないから露光用マスクを
製造する際にバイアス量を正確に制御することは困難で
あった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、隣接する
両開口部のどちらも堀込んで作成した露光用マスクにお
いては、隣接する開口部の堀込み量の差は測定できて
も、各々の堀込み量を測定することはできなかった。さ
らに、バイアス量を正確に制御して露光用マスクを製造
するのは困難であった。本発明の目的は、隣接する開口
部の堀込み量の差のみならず、各々の堀込み量を測定す
ることのできる露光用マスク及びその製造方法を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は次のような露
光用マスクにより達成される。即ち、透光性基板と、こ
の透光性基板上に形成されるものであって、露光光を遮
光し且つ当該露光光より長い波長の光を透光する物質で
構成されている遮光パターンと、前記透光性基板の一部
を堀込んで作成された位相シフトパターンとからなるマ
スクパターンとを具備する露光用マスク、である。

【００１０】また上記目的は次のような露光用マスクの
製造方法により達成される。すなわち、透光性基板と、
この透光性基板上に形成されるものであって、露光光を
遮光し且つ当該露光光より長い波長の光を透光する物質
で構成されている遮光パターンと、前記透光性基板の一
部を堀込んで作成された位相シフトパターンと、からな
るマスクパターンとを具備する露光用マスクの製造方法
に於いて、前記透光性基板のエッチング深さを、前記遮
光性物質が露光光よりも長波長の光を用いて遮光パター
ンを通過する光と遮光パターンの開口を透過する光との
光学像及び位相差を測定することで算出することを特徴
とする露光用マスクの製造方法、である。

【００１１】また上記目的は次のような露光用マスクの
製造方法により達成される。すなわち、透光性基板と、
この透光性基板上に形成された遮光パターンと前記透光
性基板の一部を堀込んで作成された位相シフトパターン
とからなるマスクパターンとを具備する露光用マスクの
製造方法に於いて、透光性基板上に、露光光を遮光し且
つ露光光より長い波長の光で透する物質からなる遮光パ
ターンを形成する工程と、遮光パターンの開口をレジス
トにより選択的にマスクし、露光光よりも長波長の光を
用いて遮光パターンを透過する光と遮光パターンの開口
を通過する光との位相差を測定しながら、遮光パターン
及びレジストをマスクに基板をエッチングし、所望の位
相差となった時点でエッチングを停止する工程と、レジ
ストを除去する工程とを少なくとも含む露光用マスクの
製造方法、である。 また上記目的は次のような露光用
マスクの製造方法により達成される。すなわち、透光性
基板と、この透光性基板上に形成された遮光パターンと
前記透光性基板の一部を堀込んで作成された位相シフト
パターンとからなるマスクパターンとを具備する露光用
マスクの製造方法に於いて、透光性基板上に、露光光を
遮光し且つ露光光より長波長域の光を透光する物質から
なる遮光パターンを形成する工程と、遮光パターンの開
口をレジストにより選択的にマスクし、前記遮光性物質
が透光性を有する波長域の光を用いて遮光パターンを透
過する光と遮光パターンの開口を通過する光との位相差
を測定しながら、遮光パターン及びレジストをマスクに
基板をエッチングし、所望の位相差となった時点でエッ
チングを停止する工程と、レジストを除去した後、露光
光よりも長波長の光を用いて遮光パターンを透過する光
と遮光パターンの開口を透過する光との位相差を測定し
ながら、遮光パターンをマスクに基板をエッチングし、
所望の位相差となった時点でエッチングを停止する工程
とを少なくとも含む露光用マスクの製造方法、である。

【００１２】

【発明の実施の形態】好適実施形態の説明に先立ち、本
発明の原理を説明する。即ち本発明は、透光性基板と、
この透光性基板上に形成された遮光パターン及び該基板
の一部を堀込んで作成された位相シフトパターンからな
るマスクパターンとを備えた露光用マスクに於いて、前
記遮光パターンが露光光に対して遮光性を有し、且つ露
光光より長波長域で透光性を有する物質で構成されてい
ることを特徴とする。

【００１３】ここで、基板は２種類の深さに堀込み形成
され、各々の堀込み量の差と浅い方の堀込み量とが略等
しいことを特徴とする。さらに、各々の堀込み量の違い
により露光光に対して略１８０度の位相差を有すること
を特徴とする。

【００１４】或いは、基板は少なくとも１種類の深さに
堀込み形成され、前記堀込み部の少なくとも一部を透過
する光が前記透光性基板の非加工領域を透過する露光光
に対して略１８０度の位相差を有するものであることを
特徴とする。

【００１５】また、長波長域は露光波長で遮光性を有す
る膜の透過率が４％以上になるような波長であることが
望ましい。なお、露光波長に於ける遮光性を有する膜の
透過率は０．１％程度以下であることが望ましい。

【００１６】また、露光波長で遮光性を有するパターン
はシリコン、ゲルマニウム、ガリウムアルセナイド、チ
タン、アルミニウム、クロム、錫、インジウム、ニッケ
ル、コバルト、タンタル、ハフニウム、金属シリサイ
ド、アモルファスカーボン、タングステンのいずれか１
種で構成されるか或いはこれらの酸化物、窒化物、水素
化物、炭化物、ハロゲン化物から構成されるか、或いは
これらの混合物から構成されることが望ましい。なお、
これらを単層として、或いは組成の異なる特質で構成す
る複数の多層膜として用いても良い。

【００１７】また、本発明は上記マスクの製造方法に於
いて、透光性基板と、この基板上に形成された遮光パタ
ーン及び該基板の一部を堀込んで作成された位相シフト
パターンからなるマスクパターンとを少なくとも具備
し、且つ前記遮光パターンとして露光光に対して遮光性
を有し且つ露光光より長波長の波長域で透光性を有する
物質を用いた露光用マスクの製造方法に於いて、前記透
光性基板のエッチング深さを、前記露光光よりも長波長
の波長域の光を用いて遮光パターンを通過する光と遮光
パターンの開口を透過する光との位相差（光路長差）を
測定することで算出することを特徴とする。

【００１８】望ましくは透光性基板と、この透光性基板
上に、形成された遮光パターン及び該基板の一部を堀込
んで作成された位相シフトパターンからなるマスクパタ
ーンとを備えた露光用マスクの製造方法において、前記
透光性基板上に露光光に対して遮光性を有し且つ露光光
より長波長域で透光性を有する物質からなる遮光パター
ンを形成する工程と、遮光パターンの開口をレジストに
より選択的にマスクし、露光光よりも長波長の光を用い
て遮光パターンを透過する光と遮光パターンの開口を通
過する光との位相差（光路長差）を測定しながら、遮光
パターン及びレジストをマスクに基板をエッチングし、
所望の位相差となった時点でエッチングを停止する工程
と、レジストを除去する工程を少なくとも含む露光用マ
スクの製造方法を提供する。

【００１９】また、望ましくは透光性基板と、この透光
性基板上に、形成された遮光パターン及び該基板の一部
を堀込んで作成された位相シフトパターンからなるマス
クパターンと、を備えた露光用マスクの製造方法に於い
て、前記透光性基板上に露光光に対して遮光性を有し且
つ露光光より長波長域で透光性を有する物質からなる遮
光パターンを形成する工程と、遮光パターンの開口をレ
ジストにより選択的にマスクし、露光光よりも長波長の
光を用いて遮光パターンを透過する光と遮光パターンの
開口を通過する光との位相差（光路長差）を測定しなが
ら、遮光パターン及びレジストをマスクに基板をエッチ
ングし、所望の位相差となった時点でエッチングを停止
する工程と、レジストを除去した後、露光光よりも長波
長の光を用いて遮光パターンを透過する光と遮光パター
ンの開口を透過する光との位相差（光路長差）を測定し
ながら遮光パターンをマスクに基板をエッチングし、所
望の位相差となった時点でエッチングを停止する工程を
少なくとも含む露光用マスクの製造方法を提供する。

【００２０】位相差の測定は、前記遮光パターンを通過
する光と遮光パターンの開口を透過する光との光路長差
の測定値、または、遮光パターンの開口を透過する光の
仮想非転写基板面における光学像の焦点位置変化量、か
ら算出して得ることを特徴とする。

【００２１】望ましくは位相差（光路長差）を測定する
工程が、遮光性パターンと堀込み量の異なる個々のパタ
ーン及び透光性基板の堀込まない領域に対して露光波長
より長波長の波長で行われ、それぞれの光路長差と光路
長差測定波長、光路長測定波長に於ける透光性基板の屈
折率、露光波長、露光波長における透光性基板の屈折率
から個々のパターンの堀込み量、または位相差を求める
工程であることを特徴としている。

【００２２】ここで、基板は２種類の深さに堀込み形成
され、各々の堀込み量の差と浅い方の堀込み量とが略等
しいことを特徴とする。さらに、各々の堀込み量の違い
により露光光に対して略１８０度の位相差を有すること
を特徴とする。

【００２３】或いは、基板は少なくとも１種類の深さに
堀込み形成され、前記堀込み部の少なくとも一部を透過
する光が前記透光性基板の非加工領域を透過する露光光
に対して略１８０度の位相差を有することを特徴とす
る。

【００２４】また、長波長域は露光波長で遮光性を有す
る膜の透過率が４％以上になるような波長であることが
望ましい。なお、露光波長に於ける遮光性を有する膜の
透過率は０．１％程度以下であることが望ましい。

【００２５】また、露光波長で遮光性を有するパターン
はシリコン、ゲルマニウム、ガリウムアルセナイド、チ
タン、アルミニウム、クロム、錫、インジウム、ニッケ
ル、コバルト、タンタル、ハフニウム、金属シリサイ
ド、アモルファスカーボン、タングステンのいずれか１
種で構成されるか、或いはこれらの酸化物、窒化物、水
素化物、炭化物、ハロゲン化物から構成されるか、或い
はこれらの混合物から構成されることが望ましい。

【００２６】上述した発明によれば次のように作用す
る。即ち、隣接する開口部を透過する光を逆位相にし、
負の干渉を生じさせてパターン分離をはかるマスクで
は、露光波長における遮光部の透過率を限りなく０にす
る必要がある。ここで、遮光材に例えば酸窒化シリコン
（ＳｉＮｘＯｙ）を用い、シリコンと窒素及び酸素の組
成比を調整すると、露光波長に於ける膜透過率を０．１
％程度に抑え、且つ３６５ｎｍ以上の波長で３０％以上
の透過率を得ることが可能となる。

【００２７】ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）において、遮光
膜としてＳｉＮｘＯｙを複素屈折率２．０７−０．６４
２ｉで作成した。この材料は、膜厚を１６０ｎｍにする
ことでＡｒＦで透過率０．１％程度（複素屈折率＝２．
０７−０．６４２ｉ）の遮光性を持たせることができ
る。この露光用マスクの断面構造は図２（ａ）であり、
従来構造と基本的には同じである。図において、１０１
は透光性基板、１０２ａは酸窒化シリコンで作成した遮
光パターン、１０３は浅い堀込み部、１０４は深い堀込
み部である。遮光パターン１０２ａは従来と異なる材料
であるが、露光光であるＡｒＦ光を遮光パターン１０２
ａは遮光する。

【００２８】本発明が従来例と異なるのは、露光光より
も長波長領域において、図２（ｂ）に示すように、遮光
パターン１０２ｂを形成する膜がＩ線（波長３６５ｎ
ｍ）で３９％程度（複素屈折率＝２．１７−０．１５７
ｉ）の、またＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）領域
で９２％程度の透過率を有することである。そして、Ｓ
ｉＯｘＮｙ膜の透過率が高くなる波長領域で、ＳｉＮｘ
Ｏｙ膜で構成されたパターンと、基板を堀込み作成した
位相シフトパターンとの光路長差を求めることで位相シ
フタ厚とバイアス量を求めることができる。

【００２９】その手順を図１及び図２（ｂ）に従い説明
する。遮光膜１０２ｂの検査波長における基板１０１と
の位相差をＰ０とする（７００）。同様に、浅い堀込み
部１０３と遮光膜１０２ｂの位相差及び深い部分の堀込
み部１０４と遮光膜１０２の位相差をそれぞれＰ１、Ｐ
２とする（７０１）。これより、基板表面と基板を堀込
んだ部分の位相差をそれぞれ求めると（７０２）、 浅い堀込み部：Ｐ１１＝Ｐ１−Ｐ０ 深い堀込み部：Ｐ１２＝Ｐ２−Ｐ０ を得る。このＰ１１とＰ１２及び検査波長λ１での透光
性基板の屈折率Ｎ１、露光波長でλ２の透光性基板の屈
折率をＮ２とすると、それぞれの深さは、 浅い堀込み部の深さｈ＝Ｐ１１×λ１／｛２π（Ｎ１−１）｝ 深い堀込み部の深さＨ＝Ｐ１２×λ１／｛２π（Ｎ１−１）｝ となる（７０３）。これより、バイアス量ｈ（浅い堀込
み部の深さ）を容易に求めることができる。また、露光
波長における位相差Ｐについては Ｐ＝２π（Ｈ−ｈ）×（Ｎ２−１））／λ２ として求めることができる（７０４）。ここで求めたＰ
は多重干渉を考慮せずに算出した値であるが、多層構造
の透光性基板などでは培風館応用光学II１１９ページ
（鶴川著）等に記載されている光学理論に基づき多重干
渉を考慮して求めることが望ましい。

【００３０】なお、位相差Ｐについては直接浅い堀込み
部と深い堀込み部の位相差を、露光波長により直接計測
して求めることも可能である。以下、上述した本発明原
理に従う好適実施形態を図面を参照して詳細に説明す
る。

【００３１】（実施形態１）図３及び図４は、本発明の
第一の実施形態に係わる露光用マスクの製造工程を示す
断面図である。本実施形態は、ＡｒＦ露光用レベンソン
型位相シフトマスクに関するもので、開口部の交互に堀
り込み量を異ならせ作成したマスクに関する。 まず、
透光性基板２０１上に、複素屈折率２．０７−０．６４
２ｉを有するＳｉＮｘＯｙ遮光膜２０２を膜厚１６０ｎ
ｍで形成した。このとき、ＳｉＮｘＯｙ膜を形成した部
分の１９３ｎｍにおける強度透過率は０．１１％であっ
た（図３（ａ））。

【００３２】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン２０３を作
成した（図３（ｂ））。

【００３３】次いで、このレジストパターン２０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図３（ｃ））、レジ
ストパターン２０３を酸化除去し遮光膜パターン２０２
ｂを形成した（図３（ｄ））。ここで、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザを用いて開口部とＳｉＮｘＯｙパターンとの位相差を
測定し９６度の値を得た。

【００３４】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン２０４を作
成した（図４（ｅ））。そして、このレジストパターン
２０４をマスクに透光性基板２０１を位相シフト量だけ
エッチングを行った（図４（ｆ））。

【００３５】ここで、本実施形態マスクの本来の露光波
長よりも長波長の光（例えばＨｅ−Ｎｅレーザの６３３
ｎｍ）を用い、遮光膜パターン２０２ｂを通過する光と
その開口部を通過する光との位相差を測定し、測定され
た位相差が所望値となる時点でエッチングを停止するこ
とにより、基板２０１の堀込み量を必要とする位相シフ
タ厚に正確に制御することができる。

【００３６】次いで、レジストパターン２０４を酸化除
去し位相シフトパターン２０１ａを形成した（図４
（ｇ））。その後、基板全面の開口部に対してバイアス
量だけエッチングを行い、所望の露光用マスクを作成し
た（図４（ｈ））。

【００３７】ここで、先と同様に露光波長よりも長波長
の光を用い、遮光膜パターン２０２ｂを通過する光とそ
の開口部を通過する光との位相差を測定し、測定された
位相差が所望値となる時点でエッチングを停止すること
により、基板２０１の堀込み量を必要とするバイアス量
に正確に制御できる。

【００３８】このマスクをＨｅ−Ｎｅレーザを用いた位
相差測定装置により、ＳｉＮｘＯｙパターンと浅く堀込
んだパターン及び深く堀込んだパターンとの位相差を測
定したところ、それぞれ１３９．５度と１８４度の結果
を得た。これらの値と先に測定したＳｉＮｘＯｙ単独の
位相シフト量９６度及び６３３ｎｍにおける透光性基板
の屈折率１．４５から、浅く堀込んだパターンと深く堀
込んだパターンの深さをそれぞれ求めると、 ｈ＝633 ×(139.5−96)/｛360 ×(1.45-1)｝＝170.0 ｎｍ Ｈ＝633 ×(184−96)/｛360 ×(1.45-1)｝＝343.9 ｎｍ となる。これらの値から更に位相差Ｐを求めると、 Ｐ＝360 ×(343.9−170.0)×(1.56-1)/193＝181.6 度 を得た。これらの結果から、本露光用マスクは位相差が
１８０±３度の範囲内であり、またバイアス量が位相シ
フタ厚にほぼ等しいことが分かり、光学的及び構造的な
条件が十分に満たされていることが確認できた。

【００３９】０．１３μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【００４０】本実施形態では、位相を測定する波長とし
てＨｅ−Ｎｅレーザの６３３ｎｍを用いたがこれに限る
ものではなく、露光波長より長波長で、露光波長で用い
た遮光膜が透光性を有するような波長があれば如何なる
波長でもよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、
位相測定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが
望ましい値は４％以上である。

【００４１】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【００４２】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＳｉＮｘＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。

【００４３】また、本実施形態ではＡｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスクに対して適用可能である。さらに
Ｘ線露光用マスクに対しても本手法を適用できる。

【００４４】（実施形態２）本実施形態は、ＡｒＦ露光
用レベンソン型位相シフトマスクに関するもので、製造
工程は第一の実施形態と同様であり、検査波長として水
銀のＩ線を用いた場合に関する。

【００４５】透光性基板２０１上に、１９３ｎｍに於い
て複素屈折率２．０７−０．６４２ｉを有するＳｉＮｘ
Ｏｙ遮光膜２０２を膜厚１６０ｎｍで形成した。このＳ
ｉＮｘＯｙ膜を形成した部分の１９３ｎｍにおける強度
透過率は０．１１％であった。ＳｉＮｘＯｙパターンを
形成後（図３（ｄ））、Ｉ線を用いて開口部とＳｉＮｘ
Ｏｙパターンとの位相差を測定し１８２度の値を得た。
更に最終工程まで行った露光用マスクについてＩ線を用
いた位相測定装置により、ＳｉＮｘＯｙパターンと浅く
堀り込んだパターン及び深く堀り込んだパターンとの位
相差を測定し、それぞれ２６３度と３４３度の結果を得
た。

【００４６】これらの値と先に測定したＳｉＮｘＯｙ単
独の位相シフト量９６度及び３６５ｎｍにおける透光性
基板の屈折率１．４７５から、浅く堀込んだパターンと
深く堀込んだパターンの深さをそれぞれ求めると、 ｈ＝365 ×(263−182)／｛360 ×(1.475−1)｝＝172.9 ｎｍ Ｈ＝365 ×(343−182)／｛360 ×(1.475−1)｝＝343.7 ｎｍ となる。これらの値から更に位相差Ｐを求めると、 Ｐ＝360 ×(343.7−172.9)×(1.56-1)/193＝178.4 度 を得た。これらの結果から、本露光用マスクは位相差が
１８０±３度の範囲内であり、またバイアス量が位相シ
フタ厚にほぼ等しいことが分かり、光学的及び構造的な
条件が十分に満たされていることが確認できた。また、
本実施形態で得た結果は実施形態１で示した波長６３３
ｎｍを用いた測定結果と異なるが、ＡＦＭによる段差測
定の結果、測定波長が短い本実施形態で精度が高いこと
がわかった。 ０．１３μｍパターンを最小寸法に持つ
デバイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを
適用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイ
スを数多く作成することができた。

【００４７】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線（３６５ｎｍ）を用いたがこれに限るもの
ではなく、露光波長より長波長で、露光波長で用いた遮
光膜が透光性を有するような波長があれば如何なる波長
でもよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、位相
測定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが望ま
しい値は４％以上である。

【００４８】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【００４９】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＳｉＮｘＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。
また、組成の異なるＳｉＮｘＯｙ層を積層して用いても
良く、或いはＳｉＮｘＯｙとＣｒＯｘＯｙ等の積層にし
ても良い。 また、本実施形態ではＡｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスクに対して適用可能である。さらに
Ｘ線露光用マスクに対しても本手法を適用できる。

【００５０】（実施形態３）図５及び図６は、本発明の
第３の実施形態の係わる露光用マスクの製造工程を示す
断面図である。本実施形態は、ＫｒＦ露光用レベンソン
型位相シフトマスクに関する。

【００５１】まず、透光性基板３０１上に、酸窒化クロ
ム（ＣｒＯｘＮｙ）遮光膜３０２を膜厚１４０ｎｍで形
成した。この酸窒化クロム膜を形成した部分の２４８ｎ
ｍにおける強度透過率は０．０８％であった（図５
（ａ））。

【００５２】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン３０３を作
成した（図５（ｂ））。

【００５３】次いで、このレジストパターン３０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図５（ｃ））、レジ
ストパターン３０３を酸化除去し遮光膜パターン３０２
ｂを形成した（図５（ｄ））。ここで、水銀のＩ線を用
いて開口部とＣｒＯｘＮｙパターンとの位相差を測定し
１６１度の値を得た。

【００５４】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン３０４を作
成した（図５（ｅ））。

【００５５】次いで、このレジストパターン３０４をマ
スクに透光性基板３０１を位相シフト量だけエッチング
を行った（図６（ｆ））。レジストパターンを酸化除去
して位相シフトパターン３０１ｂを形成した（図６
（ｇ））。

【００５６】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により深
い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、続いて
現像することによりレジストパターン３０５を作成した
（図６（ｈ））。

【００５７】次いで、このレジストパターン３０５をマ
スクに透光性基板３０１のエッチングを行い、位相シフ
トパターン３０１を作成した（図６（ｉ））。そして、
レジストパターン３０５を酸化除去することにより、所
望の露光用マスクを作成した（図６（ｊ））。

【００５８】このマスクを、水銀のＩ線を用いた位相差
測定装置により、酸化クロム（ＣｒＯｘＮｙ）パターン
と浅く堀り込んだパターン及び深く堀り込んだパターン
との位相差を測定したところ、それぞれ２７６度と３９
１度の結果を得た。これらの値と先に測定した酸窒化ク
ロム（ＣｒＯｘＮｙ）単独の位相シフト量１６１度及び
水銀のＩ線における透光性基板の屈折率１．４７５か
ら、浅く堀り込んだパターンと深く堀り込んだパターン
の深さをそれぞれ求めると、ｈ＝２４６ｎｍ、Ｈ＝４９
１ｎｍとなった。

【００５９】これらの値から更に位相差Ｐを求めると、
Ｐ＝１７８．５度を得た。これらの結果から、本露光用
マスクは位相差が１８０±３度の範囲であり、また、バ
イアス量が位相シフタ厚にほぼ等しいことがわかり、光
学的及び構造的な条件が十分に満たされていることが確
認できた。

【００６０】０．１８μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【００６１】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線を用いたがこれに限るものではなく、露光
波長より長波長で、露光波長で用いた遮光膜が透光性を
有するような波長があれば如何なる波長でもよい。な
お、透光性を有する領域の透過率は、位相測定時の精度
が保証されれば如何なる値でも良いが望ましい値は４％
以上である。

【００６２】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【００６３】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜として酸窒化クロム（ＣｒＯｘＮｙ）を用いたが
これに限るものでない。前述の化合物の他にシリコン、
ゲルマニウム、ガリウムアルセナイド、チタン、アルミ
ニウム、クロム、錫、インジウム、ニッケル、コバル
ト、タンタル、ハフニウム、金属シリサイド、アモルフ
ァスカーボン、タングステンのいずれか１種で構成され
るか、或いはこれらの酸化物、窒化物、水素化物、炭化
物、ハロゲン化物から構成されるか、或いはこれらの混
合物から構成され、且つ露光波長において遮光性を有
し、且つ検査波長において透光性を有する膜であれば如
何なるものでも良い。なお、組成の異なるＣｒＯｘＮｙ
を積層して用いても良い。

【００６４】また、本実施形態ではＫｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＡｒＦ露光用
マスクに対して適用可能である。さらにＸ線露光用マス
クに対しても本手法を適用できる。また、検査波長にＨ
ｅ−Ｎｅレーザ（６３３ｎｍ）を用いた場合にはＩ線、
Ｇ線露光用マスクに対しても適用できる。

【００６５】なお、本実施形態では３０１ａパターンと
３０１ｂパターンの深さを露光マスク製造後に測定した
が、３０１ｂパターン形成後（工程図６（ｇｂ））に３
０１ｂパターンの深さを測定し、工程図６（ｊ）終了後
に３０１ａパターンの深さを測定することで、位相差と
バイアス量を求めても良い。

【００６６】（実施形態４）図７及び図８は、本発明の
第４の実施形態の係わる露光用マスクの製造工程を示す
断面図である。本実施形態は、ＡｒＦ露光用レベンソン
型位相シフトマスクに関する。

【００６７】まず、透光性基板４０１上に、酸化モリブ
デンシリサイド（ＭｏＳｉＯｙ）遮光膜４０２を膜厚２
２０ｎｍで形成した。このＭｏＳｉＯｙ膜を形成した部
分の１９３ｎｍにおける強度透過率は０．１１％であっ
た（図７（ａ））。

【００６８】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン４０３を作
成した（図７（ｂ））。

【００６９】次いで、このレジストパターン４０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図７（ｃ））、レジ
ストパターン４０３を酸化除去し遮光膜パターン４０２
ｂを形成した（図７（ｄ））。ここで、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザを用いて開口部とＭｏＳｉＯｙパターンとの位相差を
測定し６９度の値を得た。

【００７０】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン４０４を作
成した（図７（ｅ））。

【００７１】次いで、このレジストパターン４０４をマ
スクに透光性基板４０１を位相シフト量だけエッチング
を行った（図８（ｆ））。レジストパターンを酸化除去
して位相シフトパターン４０１ａを形成した（図８
（ｇ））。

【００７２】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により深
い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、続いて
現像することによりレジストパターン４０５を作成した
（図８（ｈ））。そして、このレジストパターン４０５
をマスクに透光性基板３０１のエッチングを行い、位相
シフトパターン４０１ｂを作成した（図８（ｉ））。そ
して、レジストパターン４０５を酸化除去することによ
り、所望の露光用マスクを作成した（図８（ｊ））。

【００７３】このマスクを、Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いた
位相差測定装置により、ＭｏＳｉＯｙパターンと浅く堀
り込んだパターン及び深く堀り込んだパターンとの位相
差を測定したところ、それぞれ１１３度と１５８度の結
果を得た。これらの値と先に測定したＭｏＳｉＯｙ単独
の位相シフト量６９度及び６３３ｎｍにおける透光性基
板の屈折率１．４５から、浅く堀り込んだパターンと深
く堀り込んだパターンの深さをそれぞれ求めると、ｈ＝
１７２ｎｍ、Ｈ＝３４７ｎｍとなった。これらの値から
更に位相差Ｐを求め、Ｐ＝１８３度を得た。

【００７４】これらの結果から、本露光用マスクは位相
差が１８０±３度の範囲であり、また、バイアス量が位
相シフタ厚にほぼ等しいことがわかり、光学的及び構造
的な条件が十分に満たされていることが確認できた。

【００７５】０．１８μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【００７６】本実施形態では、位相を測定する波長とし
てＨｅ−Ｎｅの６３３ｎｍを用いたがこれに限るもので
はなく、露光波長より長波長で、露光波長で用いた遮光
膜が透光性を有するような波長があれば如何なる波長で
もよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、位相測
定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが望まし
い値は４％以上である。

【００７７】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【００７８】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＭｏＳｉＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。
組成の異なるＭｏＳｉＯｘＮｙを積層して用いても良
い。

【００７９】また、本実施形態ではＫｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスクに対して適用可能である。さらに
Ｘ線露光用マスクに対しても本手法を適用できる。

【００８０】なお、本実施形態では４０１ａパターンと
４０１ｂパターンの深さを露光マスク製造後に測定した
が、４０１ｂパターン形成後（工程図８（ｇ））に４０
１ｂパターンの深さを測定し、工程図８（ｊ）終了後に
４０１ａパターンの深さを測定することで、位相差とバ
イアス量を求めても良い。

【００８１】（実施形態５）図９及び図１０は、本発明
の第３の実施形態の係わる露光用マスクの製造工程を示
す断面図である。本実施形態は、ＫｒＦ露光用レベンソ
ン型位相シフトマスクに関する。

【００８２】まず、透光性基板５０１上に、窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ）遮光膜５０２を膜厚１４０ｎｍで形成し
た。この酸窒化クロム膜を形成した部分の２４８ｎｍに
おける強度透過率は０．１％であった（図９（ａ））。

【００８３】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン５０３を作
成した（図９（ｂ））。

【００８４】次いで、このレジストパターン５０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図９（ｃ））、レジ
ストパターン５０３を酸化除去し遮光膜パターン５０２
ｂを形成した（図９（ｄ））。ここで、水銀のＩ線を用
いて開口部とＳｉＮｘパターンとの位相差を測定し２０
０度の値を得た。

【００８５】次いで、更に基板全面の開口部に対してバ
イアス量相当のエッチングを行い５０１ａ、５０２ｂパ
ターンを同じ深さで作成した（図１０（ｅ））。この基
板に更に３６０ｎｍの光に感光するレジストを膜厚０．
７μｍで形成し、レーザ描画装置により深い堀込み部を
形成する領域に対して露光を行い、さらに現像すること
によりレジストパターン５０４を作成した（図１０
（ｆ））。

【００８６】次いで、このレジストパターン５０４をマ
スクに透光性基板の５０１ａパターンを位相差分だけエ
ッチングを行い（図１０（ｇ））、更にレジストパター
ン５０４を酸化除去し所望の露光用マスクを作成した
（図１０（ｈ））。

【００８７】このマスクを、水銀のＩ線を用いた位相差
測定装置により、ＳｉＮｘパターンと浅く堀り込んだパ
ターン及び深く堀り込んだパターンとの位相差を測定し
たところ、それぞれ３１３度と４３０度の結果を得た。
これらの値と先に測定したＳｉＮｘ単独の位相シフト量
２００度及び水銀のＩ線における透光性基板の屈折率
１．４７５から、浅く堀り込んだパターンと深く堀り込
んだパターンの深さをそれぞれ求めると、ｈ＝２４６ｎ
ｍ、Ｈ＝４９１ｎｍとなった。これらの値から更に位相
差Ｐを求めると、Ｐ＝１７８．５度を得た。

【００８８】これらの結果から、本露光用マスクは位相
差が１８０±３度の範囲であり、また、バイアス量が位
相シフタ厚にほぼ等しいことがわかり、光学的及び構造
的な条件が十分に満たされていることが確認できた。

【００８９】０．１８μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【００９０】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線を用いたがこれに限るものではなく、露光
波長より長波長で、露光波長で用いた遮光膜が透光性を
有するような波長があれば如何なる波長でもよい。な
お、透光性を有する領域の透過率は、位相測定時の精度
が保証されれば如何なる値でも良いが望ましい値は４％
以上である。

【００９１】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【００９２】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜として窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を用いたがこれ
に限るものでない。前述の化合物の他にシリコン、ゲル
マニウム、ガリウムアルセナイド、チタン、アルミニウ
ム、クロム、錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タ
ンタル、ハフニウム、金属シリサイド、アモルファスカ
ーボン、タングステンのいずれか１種で構成されるか、
或いはこれらの酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハ
ロゲン化物から構成されるか、或いはこれらの混合物か
ら構成され、且つ露光波長において遮光性を有し、且つ
検査波長において透光性を有する膜であれば如何なるも
のでも良い。

【００９３】また、本実施形態ではＫｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＡｒＦ露光用
マスクに対して適用可能である。さらにＸ線露光用マス
クに対しても本手法を適用できる。また、検査波長にＨ
ｅ−Ｎｅレーザ（６３３ｎｍ）を用いた場合にはＩ線、
Ｇ線露光用マスクに対しても適用できる。

【００９４】なお、本実施形態では５０１ａパターンと
５０１ｂパターンの深さを露光マスク製造後に測定した
が、５０１ｂパターン形成後（工程図１０（ｅ））に５
０１ｂパターンの深さを測定し、工程図１０（ｊ）終了
後に５０１ａパターンの深さを測定することで、位相差
とバイアス量を求めても良い。

【００９５】（実施形態６）図１１及び図１２は、本発
明の第３の実施形態の係わる露光用マスクの製造工程を
示す断面図である。本実施形態は、ＡｒＦ露光用レベン
ソン型位相シフトマスクに関するもので、開口部の交互
に堀り込み作成したマスクに関する。

【００９６】まず、透光性基板６０１上に、複素屈折率
２．０８−０．８１ｉを有するＳｉＮｘＯｙ遮光膜６０
２を膜厚１８０ｎｍで形成した（図１１（ａ））。この
とき、ＳｉＮｘＯｙ膜を形成した部分の１９３ｎｍにお
ける強度透過率は０．０１％であった。

【００９７】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン６０３を作
成した（図１１（ｂ））。

【００９８】次いで、このレジストパターンをマスクに
遮光膜のエッチングを行い（図１１（ｃ））、レジスト
パターンを酸化除去し遮光膜パターン６０２ｂを形成し
た（図１１（ｄ））。ここで図１１（ｅ）に示す如く、
水銀ランプのＩ線を用いて開口部を透過する測定光６０
５ａとＳｉＮｘＯｙパターンを透過する測定光６０５ｂ
との位相差を測定し３２７．６度の値を得た。また、こ
の波長に於ける遮光膜の透過率は４％であった。なお、
ＳｉＮｘＯｙパターンの開口部はエッチングで堀り込む
領域で若干広くなるようにパターン寸法を調整した。

【００９９】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン６０４を作
成した（図１２（ｆ））。そして、このレジストパター
ンをマスクに透光性基板を位相シフト量だけエッチング
を行った（図１２（ｇ））。

【０１００】ここで、本実施形態マスクの本来の露光波
長よりも長波長の光（例えば水銀のＩ線）を用い、遮光
膜パターンを通過する光６０６ｂとその開口部６０６ａ
を通過する光との位相差を測定し（図１２（ｈ））、測
定された位相差が所望値となる時点でエッチングを停止
することにより、基板の堀込み量を必要とする位相シフ
タ厚に正確に制御した（図１２（ｉ））。

【０１０１】このマスクを水銀のＩ線を用いた位相差測
定装置により、ＳｉＮｘＯｙパターンと堀込んだパター
ンとの位相差を測定したところ、４０６．７度であっ
た。これらの値と先に測定したＳｉＮｘＯｙ単独の位相
シフト量３２７．６度及び３６５ｎｍにおける透光性基
板の屈折率１．４７５から、堀込んだパターンの深さを
求めると、 ｈ＝365 ×(406.7−327.6)／｛360 ×(1.475−1)｝＝16
9.0 ｎｍ となる。これらの値から更に位相差Ｐを求めると、 Ｐ＝360 ×169.0 ×(1.56-1)/193＝176.5 度 を得た。これらの結果から、本露光用マスクは所望位相
差１７４度に対して位相差が１７４±３度の範囲内であ
り、またバイアス量が位相シフタ厚にほぼ等しいことが
分かり、光学的及び構造的な条件が十分に満たされてい
ることが確認できた。この実施形態に示す如く本発明
は、如何なる所望位相差に対しても精度良く加工するこ
とを可能にする。

【０１０２】なお、堀り込み部に対する寸法補正を施さ
ない場合、前述の露光用マスクに対して更にフッ化アン
モニウムにより石英基板の等方的なエッチングを行い、
所望の露光用マスクを作成することも可能である。

【０１０３】０．１３μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【０１０４】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線（３６５ｎｍ）を用いたがこれに限るもの
ではなく、露光波長より長波長で、露光波長で用いた遮
光膜が透光性を有するような波長があれば如何なる波長
でもよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、位相
測定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが望ま
しい値は４％以上である。

【０１０５】また、位相を測定する遮光膜と開口部は必
ずしも隣接している必要はない。また、本実施形態では
深さの測定を位相差により算出したがこれに限るもので
はなく、測定した開口部の光学像の歪み、即ち像強度が
最大となるデフォーカス位置と焦点位置の差及び任意の
光強度で与えられるパターン寸法差から求めることも可
能である。

【０１０６】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＳｉＮｘＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。

【０１０７】また、本実施形態ではＡｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスク、更にＸ線露光用マスクに対して
適用可能である。なお、Ｉ線またはＧ線のマスクにおい
ては位相を測定する際の用いる光を本実施形態で用いた
Ｉ線の変わりにＩ線（３６５ｎｍ）のマスクに対しては
Ｇ線（４３６ｎｍ）、Ａｒレーザの４８８ｎｍなどＩ線
より長波長の光を、Ｇ線のマスクについてはＥ線、Ａｒ
レーザの４８８ｎｍや５１５ｎｍ或いはＨｅ−Ｎｅ（６
３３ｎｍ）等のＧ線より長波長の光を用いると良い。

【０１０８】（実施形態７）本実施形態は実施形態２と
同様の手法で作成され、且つ、エッチング加工後のクオ
ーツ側壁で生じる像質劣化を考慮し、目標位相差（深い
堀込み部と浅い堀込み部間の位相差）、目標バイアス量
（浅い方の堀込み量と透光性基板の非堀込み領域との位
相差）をともに１７４度で作成されたＡｒＦ露光用マス
クに関するもので、開口部の交互に堀り込み量を異なら
せ作成したマスクに関する（製法は図３Ａ〜図３及び図
４を参照）。

【０１０９】透光性基板２０１上に、１９３ｎｍに於い
て複素屈折率２．０８−０．８１ｉを有するＳｉＮｘＯ
ｙ遮光膜２０２を膜厚１８０ｎｍで形成した。このＳｉ
ＮｘＯｙ膜を形成した部分の１９３ｎｍにおける強度透
過率は０．０１％であった。ＳｉＮｘＯｙパターンを形
成後（図３（ｄ））、Ｉ線を用いて開口部とＳｉＮｘＯ
ｙパターンとの位相差を測定し３２７．６度の値を得
た。更に最終工程まで行った露光用マスクについてＩ線
を用いた位相測定装置により、ＳｉＮｘＯｙパターンと
浅く堀り込んだパターン及び深く堀り込んだパターンと
の位相差を測定し、それぞれ４０５．４度と４８２．９
度の結果を得た。

【０１１０】これらの値と先に測定したＳｉＮｘＯｙ単
独の位相シフト量９６度及び３６５ｎｍにおける透光性
基板の屈折率１．４７５から、浅く堀込んだパターンと
深く堀込んだパターンの深さをそれぞれ求めると、 ｈ＝365 ×(405.4−327.6)／｛360 ×(1.475−1)｝＝166.1 ｎｍ Ｈ＝365 ×(482.9−327.6)／｛360 ×(1.475−1)｝＝331.5 ｎｍ となる。これらの値から更に位相差Ｐを求めると、 Ｐ＝360 ×(331.5−166.1)×(1.56-1)/193＝172.8 度 を得た。これらの結果から、本露光用マスクは位相差が
１７４±３度の範囲内であり、またバイアス量が位相シ
フタ厚にほぼ等しいことが分かり、光学的及び構造的な
条件が十分に満たされていることが確認できた。また、
本実施形態で得た結果は実施形態１で示した波長６３３
ｎｍを用いた測定結果と異なるが、ＡＦＭによる段差測
定の結果、測定波長が短い本実施形態で精度が高いこと
がわかった。

【０１１１】０．１１μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。

【０１１２】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線（３６５ｎｍ）を用いたがこれに限るもの
ではなく、露光波長より長波長で、露光波長で用いた遮
光膜が透光性を有するような波長があれば如何なる波長
でもよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、位相
測定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが望ま
しい値は４％以上である。

【０１１３】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【０１１４】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＳｉＮｘＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。

【０１１５】また、本実施形態ではＡｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスクに対して適用可能である。さらに
Ｘ線露光用マスクに対しても本手法を適用できる。

【０１１６】（実施形態８）本実施形態は実施形態３と
同様の手法で作成され、且つ、エッチング加工後のクオ
ーツ側壁で生じる像質劣化を考慮し、目標位相差（深い
堀込み部と浅い堀込み部間に生じる位相差）・バイアス
量（浅い堀込み部と透光性基板の非加工領域間で生じる
位相差）とをそれぞれ１７４度で作成したＫｒＦ露光用
マスクに関するもので、開口部の交互に堀り込み量を異
ならせ作成したマスクに関する（製法は図５及び図６を
参照）。

【０１１７】まず、透光性基板３０１上に、酸窒化クロ
ム（ＣｒＯｘＮｙ）遮光膜３０２を膜厚１７０ｎｍで形
成した。この酸窒化クロム膜を形成した部分の２４８ｎ
ｍにおける強度透過率は０．０１％であった。（図５
（ａ））。

【０１１８】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン３０３を作
成した（図５（ｂ））。

【０１１９】次いで、このレジストパターン３０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図５（ｃ））、レジ
ストパターン３０３を酸化除去し遮光膜パターン３０２
ｂを形成した（図５（ｄ））。ここで、水銀のＩ線を用
いて開口部とＣｒＯｘＮｙパターンとの位相差を測定し
２００．４度の値を得た。

【０１２０】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン３０４を作
成した（図５（ｅ））。

【０１２１】次いで、このレジストパターン３０４をマ
スクに透光性基板３０１を位相シフト量だけエッチング
を行った（図６（ｆ）））。この際、エッチング量を３
６５ｎｍの波長を用いた位相差測定装置により遮光膜
（ＣｒＯｘＮｙ）とエッチング部の位相差を測定し、ほ
ぼ所望値（３１２．７度）と等しくなった時点で終了し
た。この時実際に得られた位相差（３１１．６度であっ
た）はレジストパターンを酸化除去して位相シフトパタ
ーン３０１ｂを形成した（図６（ｇ））。

【０１２２】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により深
い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、続いて
現像することによりレジストパターン３０５を作成した
（図６（ｃ））。

【０１２３】次いで、このレジストパターン３０５をマ
スクに透光性基板３０１のエッチングを行い、位相シフ
トパターン３０１を作成した（図６（ｉ））。ここで
も、先ほどと同様エッチング量を３６５ｎｍの波長を用
いた位相差測定装置により遮光膜（ＣｒＯｘＮｙ）と浅
い堀込み部のエッチング部の位相差を測定し、ほぼ所望
値（３１２．７度）と等しくなった時点で終了した。こ
の時の実際の位相差は３１２．７度を得ることができ
た。また、この時の深い堀込み部と遮光膜との位相差は
４２３．５度であった。レジストパターン３０５を酸化
除去することにより、所望の露光用マスクを作成した
（図６（ｊ））。

【０１２４】各堀込み部の深さを求めるため、これらの
値と先に測定した酸窒化クロム（ＣｒＯｘＮｙ）単独の
位相シフト量２００．４度及び水銀のＩ線における透光
性基板の屈折率１．４７５から、浅く堀り込んだパター
ンと深く堀り込んだパターンの深さをそれぞれ求める
と、ｈ＝４７６．２ｎｍ、Ｈ＝２３９．７ｎｍとなっ
た。 これらの値から更に位相差Ｐを求めると、Ｐ＝１
７１．７度を得た。また、バイアス量は１７４．１度で
あった。これらの結果から、本露光用マスクは位相差が
１７４±３度の範囲であり、また、バイアス量が位相シ
フタ厚にほぼ等しいことがわかり、光学的及び構造的な
条件が十分に満たされていることが確認できた。 ０．
１５μｍパターンを最小寸法に持つデバイス作成に用い
るマスクに対して本露光用マスクを適用したところ、電
気的特性のばらつきの少ないデバイスを数多く作成する
ことができた。

【０１２５】本実施形態では、位相を測定する波長とし
て水銀のＩ線を用いたがこれに限るものではなく、露光
波長より長波長で、露光波長で用いた遮光膜が透光性を
有するような波長があれば如何なる波長でもよい。な
お、透光性を有する領域の透過率は、位相測定時の精度
が保証されれば如何なる値でも良いが望ましい値は４％
以上である。

【０１２６】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【０１２７】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜として酸窒化クロム（ＣｒＯｘＮｙ）を用いたが
これに限るものでない。前述の化合物の他にシリコン、
ゲルマニウム、ガリウムアルセナイド、チタン、アルミ
ニウム、クロム、錫、インジウム、ニッケル、コバル
ト、タンタル、ハフニウム、金属シリサイド、アモルフ
ァスカーボン、タングステンのいずれか１種で構成され
るか、或いはこれらの酸化物、窒化物、水素化物、炭化
物、ハロゲン化物から構成されるか、或いはこれらの混
合物から構成され、且つ露光波長において遮光性を有
し、且つ検査波長において透光性を有する膜であれば如
何なるものでも良い。

【０１２８】また、本実施形態ではＫｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＡｒＦ露光用
マスクに対して適用可能である。さらにＸ線露光用マス
クに対しても本手法を適用できる。また、検査波長にＨ
ｅ−Ｎｅレーザ（６３３ｎｍ）を用いた場合にはＩ線、
Ｇ線露光用マスクに対しても適用できる。

【０１２９】なお、本実施形態では３０１ａパターンと
３０１ｂパターンの深さを露光マスク製造後に測定した
が、３０１ｂパターン形成後（工程図６（ｇ））に３０
１ｂパターンの深さを測定し、工程図６（ｊ）終了後に
３０１ａパターンの深さを測定することで、位相差とバ
イアス量を求めても良い。

【０１３０】（実施形態１０）本実施形態は実施形態４
と同様の手法で作成され、且つ、エッチング加工後のク
オーツ側壁で生じる像質劣化を考慮し、目標位相差（深
い堀込み部と浅い堀込み部間で生じる位相差）を１７４
度、目標バイアス量（浅い堀込み部と透光性基板の非加
工領域間で生じる位相差）を１８０度で作成されたＡｒ
Ｆ露光用マスクに関するもので、開口部の交互に堀り込
み量を異ならせ作成したマスクに関する（製法は図７及
び図８を参照）。

【０１３１】まず、透光性基板４０１上に、酸化モリブ
デンシリサイド（ＭｏＳｉＯｙ）遮光膜４０２を膜厚２
１０ｎｍで形成した。このＭｏＳｉＯｙ膜を形成した部
分の１９３ｎｍにおける強度透過率は０．０１％であっ
た（図７（ａ））。

【０１３２】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により遮
光膜パターンを形成する領域以外の部分に対して露光を
行い、現像することによりレジストパターン４０３を作
成した（図７（ｂ））。

【０１３３】次いで、このレジストパターン４０３をマ
スクに遮光膜のエッチングを行い（図７（ｃ））、レジ
ストパターン４０３を酸化除去し遮光膜パターン４０２
ｂを形成した（図７（ｄ））。ここで、Ａｒレーザーの
４８８ｎｍを用いて開口部とＭｏＳｉＯｙパターンとの
位相差を測定し６９．３度の値を得た。

【０１３４】この基板に更に３６０ｎｍの光に感光する
レジストを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置に
より深い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、
さらに現像することによりレジストパターン４０４を作
成した（図７（ｅ））。

【０１３５】次いで、このレジストパターン４０４をマ
スクに透光性基板４０１を位相シフト量だけエッチング
を行った（図８（ｆ））。レジストパターンを酸化除去
して位相シフトパターン４０１ａを形成した（図８
（ｇ））。

【０１３６】次いで、３６０ｎｍの光に感光するレジス
トを膜厚０．７μｍで形成し、レーザ描画装置により深
い堀込み部を形成する領域に対して露光を行い、続いて
現像することによりレジストパターン４０５を形成した
（図８（ｈ））。そして、このレジストパターン４０５
をマスクに透光性基板３０１のエッチングを行い、位相
シフトパターン４０１ｂを作成した（図８（ｉ））。そ
して、レジストパターン４０５を酸化除去することによ
り、所望の露光用マスクを作成した（図８（ｊ））。

【０１３７】このマスクを、Ａｒレーザーの４８８ｎｍ
を用いた位相差測定装置により、ＭｏＳｉＯｙパターン
と浅く堀り込んだパターン及び深く堀り込んだパターン
との位相差を測定したところ、それぞれ１２７．９度と
１８４．２度の結果を得た。これらの値と先に測定した
ＭｏＳｉＯｙ単独の位相シフト量６９．３度及び４８８
ｎｍにおける透光性基板の屈折率１．４６から、浅く堀
り込んだパターンと深く堀り込んだパターンの深さをそ
れぞれ求めると、ｈ＝１７２．７ｎｍ、Ｈ＝３３８．６
ｎｍとなった。これらの値から更に位相差Ｐを求め、Ｐ
＝１７３．３度を得た。また、浅い方の透光性基板の非
加工領域に対する位相差（バイアス量）は１８０．４度
であった。

【０１３８】これらの結果から、本露光用マスクは位相
差が１７４±３度の範囲であり、また、バイアス量が１
８０±３度の範囲にあったことがわかり、光学的及び構
造的な条件が十分に満たされていることが確認できた。

【０１３９】０．１８μｍパターンを最小寸法に持つデ
バイス作成に用いるマスクに対して本露光用マスクを適
用したところ、電気的特性のばらつきの少ないデバイス
を数多く作成することができた。更に本手法で得た露光
用マスクを実施形態３記載のデバイスに適用した場合更
に焦点裕度を広く確保できた。

【０１４０】本実施形態では、位相を測定する波長とし
てＡｒレーザーの４８８ｎｍを用いたがこれに限るもの
ではなく、露光波長より長波長で、露光波長で用いた遮
光膜が透光性を有するような波長があれば如何なる波長
でもよい。なお、透光性を有する領域の透過率は、位相
測定時の精度が保証されれば如何なる値でも良いが望ま
しい値は４％以上である。

【０１４１】また、本実施形態では深さの測定を位相差
により算出したがこれに限るものではなく、測定した開
口部の光学像の歪み、即ち像強度が最大となるデフォー
カス位置と焦点位置の差及び任意の光強度で与えられる
パターン寸法差から求めることも可能である。

【０１４２】なお、本実施形態では、露光波長に対する
遮光膜としてＭｏＳｉＯｙを用いたがこれに限るもので
ない。前述の化合物の他にシリコン、ゲルマニウム、ガ
リウムアルセナイド、チタン、アルミニウム、クロム、
錫、インジウム、ニッケル、コバルト、タンタル、ハフ
ニウム、金属シリサイド、アモルファスカーボン、タン
グステンのいずれか１種で構成されるか、或いはこれら
の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハロゲン化物か
ら構成されるか、或いはこれらの混合物から構成され、
且つ露光波長において遮光性を有し、且つ検査波長にお
いて透光性を有する膜であれば如何なるものでも良い。

【０１４３】また、本実施形態ではＫｒＦ露光用マスク
を作成したが、これに限るものではなく、ＫｒＦ、Ｉ
線、Ｇ線露光用マスクに対して適用可能である。さらに
Ｘ線露光用マスクに対しても本手法を適用できる。

【０１４４】なお、本実施形態では４０１ａパターンと
４０１ｂパターンの深さを露光マスク製造後に測定した
が、４０１ｂパターン形成後（工程図８（ｇ））に４０
１ｂパターンの深さを測定し、工程図８（ｊ）終了後に
４０１ａパターンの深さを測定することで、位相差とバ
イアス量を求めても良い。

【０１４５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、隣接する
開口部の堀込み量の差のみならず、各々の堀込み量を測
定することのできる露光用マスク及びその製造方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるバイアス量ｈ及び露光波長にお
ける位相差Ｐの算出手順を示す流れ図。

【図２】本発明の露光用マスクの断面構造と露光波長及
び位相検査波長における半透過状況を示す図

【図３】第１の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の前半を示す図。

【図４】第１の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の後半を示す図。

【図５】第３の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の前半を示す図。

【図６】第３の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の後半を示す図。

【図７】第４の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の前半を示す図。

【図８】第４の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の後半を示す図。

【図９】第５の実施形態に係わる露光用マスクの製造工
程の前半を示す図。

【図１０】第５の実施形態に係わる露光用マスクの製造
工程の後半を示す図。

【図１１】第６の実施形態に係わる露光用マスクの製造
工程の前半を示す図。

【図１２】第６の実施形態に係わる露光用マスクの製造
工程の後半を示す図。

【図１３】遮光膜の透過率に対する焦点深度の劣化度を
示す図。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１…透
光性基板、１０２ａ…露光波長における遮光パターン、
１０２ｂ…位相検査波長における遮光パターン、１０
３，２０１ｂ，３０１ｂ，４０１ｂ，５０１ｂ，６０１
ａ…浅い堀り込み部、１０４，２０１ａ，３０１ａ，４
０１ａ，５０１ａ…深い堀り込み部、１０５…マスクへ
の照射光、２０２，３０２，４０２，５０２，６０２…
遮光膜、２０２ｂ，３０２ｂ，４０２ｂ，５０２ｂ，６
０２ｂ…遮光パターン、２０３，２０４，３０３〜３０
５，４０３〜４０５，５０３，５０４，６０３，６０４
…レジストパターン、６０５ａ…透光性基板の開口部を
透過する位相検査光、６０６ａ…透光性基板のエッチン
グ部を透過する位相検査光、６０５ｂ，６０６ｂ…透光
性基板の遮光部を透過する位相検査光。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透光性基板と、 この透光性基板上に形成されるものであって、露光光を
   遮光し且つ当該露光光より長い波長の光を透光する物質
   で構成されている遮光パターンと、前記透光性基板の一
   部を堀込んで作成された位相シフトパターンと、からな
   るマスクパターンとを具備すること特徴とする露光用マ
   スク。
2. 【請求項２】前記遮光パターンは、前記透光性基板上に
   形成されるものであって，露光光を遮光し且つ当該露光
   光より長い波長であって７００ｎｍ以下の少なくとも一
   部の波長域の光を透光する物質で構成されていることを
   特徴とする請求項１記載の露光用マスク。
3. 【請求項３】前記透光性基板には、２種類の深さに堀込
   まれた堀込部が形成され、該堀込部の堀込み量の違いに
   より露光光に対して略１８０度の位相差を有することを
   特徴とする請求項１又は２記載の露光用マスク。
4. 【請求項４】前記透光性基板は、少なくとも１種類の深
   さに堀込まれた堀込部が形成され、当該堀込部の少なく
   とも一部を透過する光が前記透光性基板の非加工領域を
   透過する露光光に対して光路長差を生じるものであるこ
   とを特徴とする請求項１乃至３記載の露光用マスク。
5. 【請求項５】前記透光性基板は、少なくとも２種類の深
   さに堀込まれた堀込部が形成され、該堀込部の各々の堀
   込み量の差と浅い方の堀込み量とが略等しいことを特徴
   とする請求項１乃至４記載の露光用マスク。
6. 【請求項６】透光性基板と、 この透光性基板上に形成されるものであって、露光光を
   遮光し且つ当該露光光より長い波長の光を透光する物質
   で構成されている遮光パターンと、前記透光性基板の一
   部を堀込んで作成された位相シフトパターンと、からな
   るマスクパターンとを具備する露光用マスクの製造方法
   に於いて、 前記透光性基板のエッチング深さを、前記遮光性物質が
   露光光よりも長波長の光を用いて遮光パターンを通過す
   る光と遮光パターンの開口を透過する光との光学像及び
   位相差を測定することで算出することを特徴とする露光
   用マスクの製造方法。
7. 【請求項７】透光性基板と、 この透光性基板上に形成された遮光パターンと前記透光
   性基板の一部を堀込んで作成された位相シフトパターン
   とからなるマスクパターンとを具備する露光用マスクの
   製造方法に於いて、 透光性基板上に、露光光を遮光し且つ露光光より長い波
   長の光で透する物質からなる遮光パターンを形成する工
   程と、 遮光パターンの開口をレジストにより選択的にマスク
   し、露光光よりも長波長の光を用いて遮光パターンを透
   過する光と遮光パターンの開口を通過する光との位相差
   を測定しながら、遮光パターン及びレジストをマスクに
   基板をエッチングし、所望の位相差となった時点でエッ
   チングを停止する工程と、 レジストを除去する工程とを少なくとも含むことを特徴
   とする露光用マスクの製造方法。
8. 【請求項８】透光性基板と、 この透光性基板上に形成された遮光パターンと前記透光
   性基板の一部を堀込んで作成された位相シフトパターン
   とからなるマスクパターンとを具備する露光用マスクの
   製造方法に於いて、 透光性基板上に、露光光を遮光し且つ露光光より長い波
   長の光を透光する物質からなる遮光パターンを形成する
   工程と、 遮光パターンの開口をレジストにより選択的にマスク
   し、前記遮光性物質が透光性を有する波長域の光を用い
   て遮光パターンを透過する光と遮光パターンの開口を通
   過する光との位相差を測定しながら、遮光パターン及び
   レジストをマスクに基板をエッチングし、所望の位相差
   となった時点でエッチングを停止する工程と、 レジストを除去した後、露光光よりも長波長の光を用い
   て遮光パターンを透過する光と遮光パターンの開口を透
   過する光との位相差を測定しながら、遮光パターンをマ
   スクに基板をエッチングし、所望の位相差となった時点
   でエッチングを停止する工程とを少なくとも含むことを
   特徴とする露光用マスクの製造方法。
9. 【請求項９】前記遮光パターンは、前記透光性基板上に
   形成されるものであって，露光光を遮光し且つ当該露光
   光より長い波長であって７００ｎｍ以下の少なくとも一
   部の波長域の光を透光する物質で構成されていることを
   特徴とする請求項６乃至８記載の露光用マスクの製造方
   法。
10. 【請求項１０】前記位相差を測定する工程は、遮光性パ
    ターンと堀込み量の異なる個々のパターン及び透光性基
    板の堀込まない領域に対して露光波長より長波長の波長
    で行われ、それぞれの光路長差と光路長差測定波長、光
    路長測定波長に於ける透光性基板の屈折率、露光波長、
    露光波長における透光性基板の屈折率から個々のパター
    ンの堀込み量、または位相差を求める工程であることを
    特徴とする請求項６乃至９記載の露光用マスクの製造方
    法。