TW479256B - Recording medium, recording apparatus and recording method - Google Patents

Description

479256 A7 B7 五、發明説明（1 ) 相關申請案參考資料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此申請案係以1 9 9 9年9月2 9日提出之先前日本 專利申請案第1 1 一 2 7 7 4 5 6號爲基礎，並主張其優 先權權利，該申請案全部內容倂入本文爲參考資料。 發明背景 本發明有關一種需要、一種記錄裝置與一種記錄方法 〇 近年來，資訊界中之資訊量激增。因此，發展一種與 先前技藝相較可以大幅改善記錄密度之記錄方法或記錄裝 置非常重要。 至於實現高記錄密度之技術，注意力集中在_光學記錄 ，諸如熱模式記錄，其中將光轉換成熱，以進行該記錄， 或者光子模式記錄，其中進行該記錄不需將光轉換成熱。 熱模式記錄中，已經實際應用磁光記錄或相變記錄。 然而，此種技術中尙無法實現極高記錄密度。因此，爲了 改良此種熱模式記錄之記錄密度，已提出一種使用近場掃 描光學顯微鏡（N S〇Μ )，其可以形成小於光波之記錄 標記。 例如，Betzig 等人在 ''Appl. Phys. Lett. 6 1， 142 (19 9 2)〃中指出，使用一個NS〇Μ探針， 以A r離子雷射輸出照射一 C o/P t多層膜，試圖磁光 記錄/複製資訊，因而形成直徑約6 0 n m之記錄標記。 Η 〇 s a k a 等人也在 AThin Solid Films 273,1 22 ( 1 996Γ 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 涇齊_暂.^时4^資1.肖旁合阼^印災 479256 A7 ___B7_ _ 五、發明説明（2 ) 與 '、J . Appl . Phys · 79,8082 ( 1 996Γ 中指出，使用一 個N S Ο Μ探針，以一半導體層之輸出照射厚度約3 0 nm之G e 2S b2T e 5薄膜，如此形成直徑約5 0 nm 之記錄標記。 然而，在此等方法中，該記錄標記會被熱擴散作用放 大。此外，記錄所需之能量很大。因此，被認爲不可能達 到兆位元/ c m 2等級之記錄密度，其記錄標記必須約1 〇 n m ° 曰本專利特許公開公報（Kokai )第7-25453號 揭示一種其他熱模式記錄用之記錄媒介，其中使用一種有 機染料之相改變進行該記錄，並藉由偵測螢光讀出已讀取 資料。根據此種記錄媒介，可以藉由使用具有低導熱性之 有機染料分子縮小該記錄標記。然而，此方法中同樣很難 達到記錄標記必須約1 〇 n m之兆位元/ c m 2等級記錄密 度。此外，該記錄媒介中，相應於該記錄標記之非晶相區 與該結晶區毗鄰，結果該非晶相區容易結晶。換句話說， 該記錄容易中斷。此外，因爲該記錄媒介中之記錄層具有 均組成物，所以介於該結晶區與該非晶相區之間的訊號強 度差異小，導致大雜訊。 不僅熱模式記錄媒介中發生產生雜訊問題，該記錄層 中具有均勻組成物之光子模式記錄媒介中亦會發生。 關於該光子模式記錄，日本專利特許公開公報（Koku )第8 - 4 5 1 2 2號揭示一種記錄媒介，其中在一基材 上形成點狀（磁疇結構）記錄區，其係由一種有機染料分 I---------裝----Ί I 訂 . 線 ^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7 五、發明説明（3 ) 子組成，而且直徑約1 0至1 0 0 nm，該藉由將一種電 何注入該記錄區以進行該記錄。此種記錄媒介中，一個訊 號點對應於一個記錄單位（1位元），使之達到高記錄密 度。然而，此種記錄媒介中，很難形成均勻大小之點狀將 記錄區，以及規則排列此等點狀記錄區。除此之外，該點 狀記錄區之大小與排列容易隨著時間而改變。此外，因爲 將一種電荷注入該點狀記錄區，以及自該點狀記錄區放出 該電荷時，必須使一個電極與該電荷注接觸，所以形成該 點狀記錄區之記錄媒介表面必須光滑。然而，大體上很難 達到所需之光滑度。又，即使在該形成點狀記錄區之記錄 媒介表面上形成一層保護層，而達到所需之表面光滑度， 所引發的新問題係：將電荷注入該記錄區或自該記錄區放 出電荷均需要相當高的電壓。 如上述，習用記錄技術中仍然存在各種問題：無法形 成小型記錄標記；記錄資訊與複製已記錄資訊需要大量能 量；已記錄資訊容易中斷；產生大雜訊；以及很難使該記 錄層光滑。此外，在該記錄表面上形成一層保護層，製得 一光滑表面表面時，注入及放出電荷需要相當高的電壓。 在此等情況之下，尙未能實際應用可以達到超高記錄密度 之記錄技術。 發明簡要 本發明目的係提出可以達到超高記錄密度之記錄媒介 、記錄裝置與記錄方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - 裝------訂-------線 % (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7 五、發明説明（4 ) 其他目的係提出可以達到超高記錄密度，亦可以相當 低電壓記錄資訊之記錄媒介、記錄裝置與記錄方法。 根據本發明第一實施樣態，其中提出一種記錄媒介， 其包括~種基材，一層覆蓋在該基材上而且具有數個電荷 積聚區之記綠層，以及在該記錄層上形成而且具有一個光 電導區之光電導層，其中各個電荷積聚區均包含可以積聚 電荷之第一材料，而光電導區包含藉由吸收光提高導電性 之第二材料。 根據本發明第二實施樣態，其中提出一種記錄媒介， 其包括一種基材、一層覆蓋在該基材上之導電層、一層在 該導電層上形成之光電導層，以及一層在該光電導層上形 成而且具有數個電荷積聚區之記錄層，其中該電導層包含 藉由吸收光提高導電性之第二材料，而該記錄層中各電荷 積聚區均包含可以積聚電荷之第一材料。 根據本發明第三實施樣態，其中提出一種記錄媒介， 其包括一種基材與一層覆蓋在該基材上而且具有數個電荷 積聚區與一個光電導區之記錄層，其中各電荷積聚區均包 含可以積聚電荷之第一材料，而光電導區包含藉由吸收光 提高導電性之第二材料。 根據本發明第四實施樣態，其中提出一種記錄裝置， 其包括一種記錄媒介與一個記錄頭；其中該記錄媒介包括 一種基材與一層覆蓋在該基材上而且具有數個電荷積聚區 之記錄層，該記錄層另外包括一個光電導區，其包含藉由 吸收光fe筒導電性之第一材料，或者該記錄媒介另外包括 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 線 J·. 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（21〇x 297公慶） 479256 A7 _____ B7_ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一層與該記錄層接觸而且具有光電導區之光電導層；配置 該記錄頭，使之面對該記錄媒介主要表面，該記錄頭包括 一個發光部分與一個電極，該發光部分朝該記錄層發射光 ’該電極與該發光部分相鄰，而且用以將一種電荷注入數 個電荷積聚區中至少一者。 根據本發明第五實施樣態，其中提出一種記錄裝置， 包括此等記錄媒介中任何一者與一個配置得面對該記錄媒 介主要表面之記錄頭。 根據本發明第六實施樣態，其中提出一種記錄裝置， 其包括此等記錄媒介中任何一者與一個記錄頭，該記錄頭 包括一個面對該記錄媒介主要表面之發光部分，以及一個 與該發光部分相鄰之電極。 此外，根據本發明第七實施樣態，其中提出一種藉由 將電荷注入一個電荷積聚區來記錄資訊之記錄方法，其中 該電荷積聚區包含可以積聚該電荷之第一材料，該方法包 括=照射一個光電導區，以及經由照光之光電導區部分將 電荷注入該電荷積聚區內等步驟，其中該光電導區配置成 與該電荷積聚區接觸，而且其包含藉由吸收光提高導電性 之第二材料。 本發明中所使用之 >區〃一辭表示不同於界面或表面 .之立體區，而且主要用以表示具有單層結構或一部分此種 單層之整體薄膜。當 ''區〃一辭與具有單層結構之薄膜一 部分倂用時， ''部分〃一辭包括，例如一個分散系統中之 分散媒介（連續相）或分散相（細微粒子）、具有一個通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 479256 A7

五、發明説明（6 孔之薄膜、承載該通孔之材料、表面上具有凹入部分之薄 膜，或是塡滿該凹入部分之材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 大小觀念，而且凸用於廣泛範圍，包括該分子水準大小與 該薄膜大小。 本發明中，可以積聚該電荷之第—材料包括釋放電子 或接受電子有機材料、金屬合金、半導體與介電體。另外 ’只要可以藉由吸收光提高導電性，本發明中使用之第二 材料並無特殊限制，通常提出之材料於不照光時係一種絕 緣體，而發射光時轉換成一種導電性材料。使用導電性根 據光之強度呈非線性改變的材料作爲該第二材料情況下， 可以達到更高之記錄密度。 經濟部智慧財A旁合阼fi印災 本發明之記錄媒介係一層記錄層與一層光電導層之層 g結構時’該記錄層通常包括數個電荷積聚區與至少一個 電絕緣區，使該電荷積聚區彼此電絕緣。此種情況中，該 記錄層可以建成數個電荷積聚區與至少一個電絕緣區交叉 並置在該基材上。又，該記錄層可以建成至少一個電絕緣 區形成該分散媒介至少一部分，而該數個電荷積聚區分散 於該分散媒介內。此外，該記錄層可以建成該記錄層包括 一層表面具有數個凹入部分之絕緣層，作爲至少一個電絕 緣區，以及數個塡滿該數個凹入部分之電荷積聚區。 本發明中，該記錄媒介係一層記錄層與一層光電導層 以此順序堆疊在該基材上之層疊結構，該記錄媒介可以另 外包括一層置於該基材與該記錄層之間的導電層，以及一 層置於該導電層與該記錄層之間的絕緣層。此外，該記錄 9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 479256 A7 B7 五、發明説明（7 ) 層包括本發明之電荷積聚區與光電導區時，該記錄媒介可 以另外包括一層置於該基材與該記錄層之間的導電層，以 及一層置於該導電層與該記錄層之間的絕緣層。 本發明之記錄裝置中，該發光部分必須發出近場光作 爲該光。又，本發明之記錄裝置可以另外包括一個複製頭 ，其配置成面對該記錄媒介主要表面，用以根據數個電荷 積聚區各者所積聚之電荷數量讀取資訊。下列說明中將闡 明本發明其他目的與優點，其中一部分可由該說明明顯看 出，其他則由進行本發明學習。利用下文特別指出之工具 與組合物可以達成且獲得本發明之目的與優點。 圖式簡述 倂入並構成本說明書一部分之附圖說明本發明目前的 較佳具體實例，其與上述槪述以及下列較佳具體實例詳述 一倂用以解釋本發明的原則。 圖1係槪略顯示本發明第一具體實例記錄媒介之橫剖 面圖； 圖2 A係槪略顯示本發明第一具體實例記錄-複製裝 置之圖； 圖2 B係顯示圖2 A所示記錄-複製裝置一部分之放 大圖； 圖3係槪略顯示圖2 A所示記錄-複製裝置之複製頭 實例的斜視圖； 圖4係槪略顯示本發明第二具體實例記錄媒介之橫剖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -10 - 479256 A7 B7 涇齊郎皆达对4 θ 3£肖穸^咋^印踅 五、 發明説明 (8 ) 1 面 圖 3 1 1 圖 5 係 槪 略顯示本 發 明 第 具 體 實 例 記 錄 媒 介 之 橫 剖 1 1 面 圖 » /^v 1 I 圖 6 係 槪 略顯示本 發 明 弟 四 具 ML 目S 實 例 記 錄 媒 介 之 橫 剖 請 先 閲 1 1 | 面 圖 1 讀 背 1 1 面 I 圖 7 係 槪 略顯示本 發 明 第 五 具 jm 體 實 例 記 錄 媒 介 之 橫 剖 之 注 音 1 1 面 圖 > 事 項 1 I 再 I 圖 8 係 槪 略顯示本 發 明 第 五 具 鹏 實 例 記 錄 一 複 製 裝 置 填 舄 本 1 裝 % | 之 圖 頁 1 I 圖 9 係 槪 略顯示本 發 明 第 /\ 具 體 πΔζ. 實 例 記 錄 媒 介 之 橫 剖 1 1 I 面 圖 > 圖 1 〇 A 係槪略顯 示 本 發 明 第 具 體 實 例 記 錄 一 複 製 1 訂 裝 置 之 圖 1 圖 1 0 B 係顯示圖 1 0 A 記 錄 一 複 製 裝 置 一 部 分 之 放 丨 | 大 圖 0 1 I 1 線 主 要 元 件 對 照 表 1 1 1 0 記錄媒介 ! 1 1 1 基材 1 1 1 2 導電層 1 J 1 3 絕緣層 1 1 | 1 4 電荷積聚1 區 1 1 1 5 電絕緣區 1 1 6 記錄層 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐）-11 - 479256 A7 B7 五、發明説明（9 ) 17 光電導層 18 光電導記錄層 19 保護層 20 記錄-複製裝置 2 1 馬達 2 2 記錄頭 2 3 半導體雷射 2 4 光纖 2 5 電極 2 6 支架 2 7 開口 2 8 複製頭 3 1 半導體層 3 2 源極 3 3 汲極 37/38 透鏡 4 1 浮動頭 4 2 滑動觸頭 發明詳述 現在，茲參考附圖，詳細說明本發明。附帶一提，所 有圖示中，以相同參考數字表示相同或相似構件，以省略 重複描述。 圖1係槪略顯示本發明第一具體實例記錄媒介1 〇之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2i〇x297公釐） -12: I 裝 ^ 訂 . 線 > » (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 _B7 _____ 五、發明説明（10 ) 橫剖面圖。如該圖所示，記錄媒介1 〇係一種層疊結構， 其中導電層1 2、絕緣層1 3、記錄層1 6與光電導層 1 7以此順序堆疊在基材1 1上。該圖所示之記錄媒介 1 0中，記錄層具有數個電荷積聚區1 4與一個電絕緣區 1 5交叉並置之結構，如此藉由置於此等相鄰電荷積聚區 1 4之間的電絕緣區1 5，使相鄰電荷積聚區1 4彼此電 絕緣。此具體實例中，各個電荷積聚區1 4相當於一個位 元。 如本文稍後細細欽述’可以將一'種電何注入各個電何 積聚區1 4或自此處放出電荷，使此等電荷積聚區1 4呈 現積聚之電荷量較大狀態或是積聚之電荷量較小狀態。然 後，使用圖1所示記錄媒介1 0中這兩種狀態，可以將資 訊記錄爲'' 0 〃與'' 1 〃 。 可由例如下述方法圖1所示之記錄媒介1 0。 第一步驟中，製備具有經光學修整主要表面，而且直 徑約1 2 0 m m，厚度約1 · 2 m m之玻璃碟作爲基材 1 1。只要該基材具有光滑表面，基材1 1並無特別限制 。更明確地說，形成基材1 1之材料可爲一種導體、一種 半導體、一種絕緣體或其複合材料。此外，基材可爲透明 或不透明。 下一步驟中，藉由蒸氣澱積在基材1 1經光學修整表 面上形成厚度約2 0 0 nm之A 1薄膜，作爲導電層1 2 。只要形成導電層1 2之材料顯示出導電性，該材料並無 特別限制。此實施例中，導電層1 2以及在導電層1 2上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - I--------批衣----：---1T------^ * W (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7 五、發明説明（11 ) 形成之絕緣層1 3並非絕對必要的。然而，形成導電層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2與絕緣層1 3時，所記錄之資訊更形安定。附帶一提 ’基材1 1之鏡面磨光表面具有導電性時，則不必形成導 電層1 2。 藉由一種濺鍍方法，在導電層1 2上形成厚度約 2 0 〇 nm之S i〇2膜，作爲絕緣層1 3。只要形成絕緣 層1 3之材料顯示出電絕緣性質，該材料並無特別限制。 然後，藉由旋轉塗覆法一種聚延胡索酸二異丁酯，在 絕緣層1 3上形成厚度約5 0 n m之保護膜，然後使用一 種E B製圖裝置，以一種電子光束，按照預定圖型照射該 保護膜。此外，以乙醇顯影經E B製圖後之保護膜，如此 製得具有數個通孔之薄膜，作爲電絕緣區i 5。此步驟中 ，形成之電絕緣區1 5中，各個通孔具有直徑約3 0 n m 之圓形開口，而且介於相鄰通孔中心之間的距離約5 Ο n m 〇 次一步驟中，將具有化學式（1 )所示化學結構的釋 放電子有機染料分子蒸發至一基材整體表面上，該基材表 面上已事先形成電絕緣區1 5。然後，在一種氮氣氣氛下 ，以約8 0°C加熱表面上形成該有機染料分子膜之基材約 一小時。藉由該加熱作用，以蒸氣澱積作用澱積在電絕緣 區1 5上表面之釋放電子有機染料分子流入該通孔，在該 通孔內形成電荷積聚區1 4。因此，製得具有電荷積聚區 1 4與電絕緣區1 5之記錄層1 6。 記錄層1 6之厚度必須約1 Ο n m至約1 Ο Ο n m。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -14 - 479256 A 7 _ _B7_ 五、發明説明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 記錄層1 6必須可以將相當大量電荷積聚在電荷積聚區 1 4內，而且可以達到高解析度。通常，記錄層1 6之厚 度約1 0 n m以上，即可將相當大量電荷積聚在電荷積聚 區1 4內。此外，記錄層1 6之厚度不大於約1 0 〇 nm ’即可獲得高度解析度。

唾齊郎智ίΛ;財^阼杜印奴 以旋轉塗覆法在記錄層1 6上形成厚度約5 0 nm之 光電導層1 7，其係由具有下文所不化學結構（2 )之化 合物組成。光電導層1 7之厚度必須在介於約5 n m與約 1 0 0 n m範圍內。當不照光時，光電導層1 7必須具有 充分絕緣性，當其照光時，必須具有充分導電性。通常， 在光電導層1 7之厚度至少約5 nm情況下’當層1 7不 照光時，可以獲得充分絕緣性質。此外’在光電導層1 7 不厚於約1 〇 0 n m情況下，當層1 7照光時’可以獲得 充分導電性。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（ 210X297公釐） -15 - 479256 A7 _____B7 五、發明説明（13 )

C2H5 使用圖2 A與2 B所示之裝置，可以將資訊寫在如此 製得之|5錄媒介1 〇上，並讀取與刪除記錄在記錄媒介 1 0上之資訊。 更明確地說，圖2 A槪略顯示根據本發.0月一具體實例 之記錄一複製裝置2 0。另一方面，圖2 B以放大方式顯 示圖2 A所示記錄-複製裝置其中一部分。此外，圖3係 一斜視圖，其舉例說明圖2 A所示記錄-複製裝置中包括 的複製頭2 8。 圖2A所示之記錄一複製裝置20具有一個馬達21 ’其用以fe轉錄媒介1〇 ; —個記錄頭2 2，其配置成 面對記錄媒介1 0 ; —條光纖2 4，其與記〜錄頭2 4 —端 連接；一個半導體雷射2 3，其與光纖24另一端連接； 以及一個複製頭2 8。該記錄-複製裝置2〇中，配置記 錄媒介1 0，使記錄媒介1 〇之光電導層1 7面對記錄頭 2 2與複製頭2 8。記錄媒介10可爲記錄-複製裝置 2 0的組件之一，或者並非記錄—複製裝置2 〇組件之一 。換句話說，記錄媒介1 0可能無法拆卸，諸如位於原有 HDD內，或者可拆卸，諸如DVD — RAM。 如圖2 B所示’記錄頭2 2具有一個支架，光纖2 4 通過該支架。光纖24在支架2 6內朝向記錄媒介1 〇逐 本紙張尺度適用中國國家標準（ CN^J ) A4規格（210X297公釐） :16- ~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·

、1T 線 479256 A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 漸變尖，並在記錄層1 〇該側尖端處形成一個開口 2 7。 以環繞開口 2 7方式，將電極2 5配置在記錄媒介1 〇該 側之支架2 6內。用以將資訊寫入記錄媒介1 〇之記錄頭 2 2亦可以用來刪除已記錄在記錄媒介1 〇中之資訊。 可以使用圖3所示之微F E T感應頭作爲複製頭2 8 。該微F E T感應頭2 8具有例如一層半導體層3 1 ，其 由摻雜一種雜質之S i組成，以及與分別與半導體層3 1 連接之源極3 2與汲極3 3。 例如，如下述，使用記錄-複製裝置2 0將資訊記錄 在記錄媒介1 0上。更明確地說，以一種雷射光作爲近場 光照射記錄媒介1 0，該記錄頭2 2之電極2 5與光電導 層1 7保持接觸，同時操作馬達2 1，以約4 ’ 0 0 0 r p m速度旋轉該碟狀記錄媒介1 0 ;其中該雷射光之波 長約6 2 0 nm，並且經由光纖2 4自一個半_體雷射 2 3發出，該半導體雷射2 3之輸出約1 mW。此實例中 ，該光纖之開口 2 7直徑約3 0 n m。此外’以徑向移動 該記錄頭2 2，如此該近場光可以螺旋方式照射記錄媒介 10。 經濟部智慈財產苟員工消費合作钍印奴 若此步驟中，將一個約1 0 v且相當於欲記錄資訊之 脈衝電壓施加於該電極2 5，光電導層1 7中以近場光照 射區域之導電性提高，惟光電導層1 7中未照射近場光區 域仍然是絕緣體。因此，正電荷僅注入電荷積聚區1 4中 以近場光照射而且施加電壓之區域。如此，將資訊記錄在 記錄媒介1 0上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17: 479256 A7 _____B7____ 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可以使用上述微F E T感應頭複製如此記錄之資訊。 更明確地說，旋轉該記錄媒介1 0，使該微F E T感應頭 2 8之半導體層3 1與記錄媒介1 〇之光電導層1 7稍微 分開，以觀察微F E T感應頭2 8之源極3 2與汲極3 3 間的電流改變。因爲由電荷積聚區1 4中之積聚電荷所形 成的電場作用在微F E T感應頭2 8的半導體層3 1上， 所以該電荷積聚區1 4作爲該微F E T感應頭2 8的閘極 。換句話說，流經該微F E T感應頭2 8的源極3 2與汲 極3 3之間的電流係根據電荷積聚區1 4中積聚之電荷量 而改變。然後，可以特定方法讀出記錄在該記錄媒介1 〇 上之資訊。 附帶一提，將具有以上述方法記錄之資訊的記錄媒介 1 0置於約8 0 °C數週，然後使用該微F E T感應頭2 8 複製所記錄資訊。結果，與剛記錄之數量相較，電荷積聚 區1 4中貯存之電荷量減少約5 %。不過，可以獲得約 30dB之S/N比。換句話說，已經證實可以高度安定 地保留已記錄在記錄媒介1 0上之資訊。 此外，可以例如下述刪除記錄在記錄媒介1 0上之資 訊。更明確地說，以一種經由光纖2 4自一個半導體雷射 2 3發出之雷射光作爲近場光照射記錄媒介1 0，該記錄 頭2 2之電極2 5與光電導層1 7保持接觸，同時操作馬 達2 1 ，以約4，000 r pm速度旋轉該碟狀記錄媒介 1 0。同時，對該電極2 5施加約一 3 V之脈衝電壓。附 帶一提，以徑向移動該記錄頭2 2，如此該近場光可以螺 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 1 Q . ~ 479256 A7 _B7_ 五、發明説明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 旋方式照射記錄媒介1 0。藉由該特定操作，貯存於電荷 積聚區1 4中之正電荷經由光電導層1 7與電極2 5放出 ，其大體上與前述資訊記錄作用相同。如此，可以刪除記 錄在記錄媒介1 0上之資訊。該記錄資訊已被上述方法實 際刪除，然後使用該微F E T感應頭複製該資訊。可證實 該資訊已完全刪除。 除了上述記錄與刪除資訊之外’亦可以在該記錄媒介 1 0上進行覆寫記錄。例如，將一個相當於該資訊而且欲 新記錄之1 Ο V脈衝電壓疊加於一個—3 V脈衝電壓上， 以刪除已記錄在記錄媒介1 0上之資訊，並將所形成之脈 衝電壓施加於該電極2 5上，同時進行已記錄資訊之刪除 作用以及新資訊之記錄作用。 如上述，此具體實例利用僅僅以近場光照射區之電阻 降低的現象。因此，即使電極2 5很大，仍然可以選擇性 將電荷注入所需之電荷積聚區1 4內。此外，因爲光電導 層1 7中以近場光照射區域的電阻降低’於電荷積聚區 14中注入電荷不需要高電壓。 亦必須注意的是，因爲光電導層1 7具有夠1之電阻 値，所以注入該電荷積聚區1 4內之電荷實質上不可能經 由光電導層1 7放到外面。此外，此具體實例中，藉由置 於相鄰電荷積聚區1 4之間的電絕緣區1 5 ’使此等相鄰 電荷積聚區1 4彼此電絕緣，因此相鄰電荷積聚區1 4之 間不會發生電荷遷移。必須注意的是’導電層1 2與絕緣 層1 3置於基材1 1與記錄層1 6之間’結果與欲注入電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 19 - 479256 A7 B7 五、發明説明（17 ) 荷積聚區14內之電荷極性相反的鏡電荷2積聚在導電層中 。因此，根據該第此具體實例中之記錄媒介1 0 ，該電荷 極安定地保留在電荷積聚區1 4內’而且可以將大量電荷 注入電荷積聚區1 4內。因此，此具體實例中之記錄媒介 1〇可以達到筒目己錄始度。 .二- 此外，上述第一具體實例中，在記錄層1 &上形成光 電導層1 7，因此記錄媒介1 0可具有光滑表面士此外， 因爲形成光電導層1 7覆蓋記錄層1 6之故，該光電導層 1 7可以具有保護層功能，以保護記錄層1 6，以及潤滑 膜功能，以減少記錄媒介1 0與記錄頭2 2間之氣擦係數 ° 一 如上述，此具體實例中，光纖2 4之開口 2 .7尺寸非 常小，而且經由該開口 2 7以近場光照射記錄媒介1 0。 該近場光係，以彼照射一種物質時，僅位於該物質表面之 光。換句話說，該近場光表示，當一基材照光時，該基材 內所產生之感應偶極子當中位於在該表面附近彼此相鄰感 應偶極子之間的電力線。在使用近場光情況下，可以使該 照光點非常小。產生該近場光之方法（本發明中並無特別 限制）包括，例如如上述具體實例所述，使用非常小開口 之探針的方法；使用一種堅實液浸透鏡之方法；使用一種 相改變材料之方法，該材料中之折小指數根據溫度呈非線 性改變’諸如銻，以及使用細微金屬粒子之電漿子共振的 方法。 現在茲說明本發明第二具體實例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- _批衣1^ 訂 I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7

L 五、 發明説明 (18 ) 1 | 圖 4 係 槪略 韜 示 恨 療' W E 因! i ： 二具體實例記錄媒介 1 I 1 〇 之 橫 剖 面圖 〇 圖 4 中 顯 示 之 記 錄 媒 介 1 〇 具 有 一 種 結 1 1 | 構 其 中 導 電層 1 2 、 絕 緣 層 1 3 記 錄 層 1 6 與 光 電 導 請 1 1 層 1 7 以 此 順序 堆 疊 在 基 材 1 1 上 〇 此 特 別 構 造 之 記 錄 媒 先 閲 1 I 讀 1 I 介 1 〇 中 將該 記 錄 層 1 6 建 構 成 其 中 大 量 微 小 電 荷 積 聚 背 1 1 區 ( 未 顯 示 出來 ) 均 勻 分 散 在 電 絕 緣 區 ( 未 顯 示 出 來 ) 內 ·<- 注 意 1 I 〇 白 然 而 然 地， 以 該 電 絕 緣 1^ 使 相 鄰 電 荷 積 聚 彼 此 電 絕 爭 項 再 1 1 該 第 填 緣 0 換 句 話 說， 二 具 體 實 例 與 第 — 具 體 實 例 不 同 之 處 馬 本 裝 1 在 於 記 錄 層 16 構 造 〇 此 外 > 第 二 具 體 實 例 中 數 個 電 荷 積 貪 1 聚 相 點 於 一個位> 元 〇 1 1 例 如 J 如下 製 造 圖 4 所 示 之 記 錄 媒 介 1 〇 〇 第 —» 步 驟 1 | 中 j 所 製 備 的是: a ; 有經光學修整主要表适 ί， 而且请 :徑 :約 訂 I 1 2 〇 m m ，厚 度 約 1 • 2 m m 之 玻 璃 碟 〇 然 後 > 藉 由 蒸 1 1 I 氣 澱 積 法 在 基材 1 1 經 光 學 修 整 表 面 上 形 成 厚 度 約 2 0 0 1 1 η m 之 A 1 薄膜 1 作 爲 導 電 層 1 2 〇 另 外 ， 藉 由 一 種 濺 鍍 1 1 方 法 在 導 電層 1 2上; 形成厚度約： ^ 0 0 Γ l m之S C >2 膜 線 I 作 爲 絕 緣 層1 3 〇 1 I 下 一 步 驟中 以 旋 轉 塗 覆 法 在 絕 緣 層 1 3 上 形 成 厚 度 1 1 | 約 1 〇 〇 π m之 記 錄 層 1 6 〇 將 該 記 錄 層 1 6 建 構 成 其 中 1 l· 接 受 電 子 有 機染 料 分 子 分 散 在 絕 緣 聚 苯 乙 烯 內 該 接 受 電 1 1 子 有 機 染 料 分子 具 有 下 列 化 學 結 構 ( 3 ) 〇 該 記 錄 層 1 6 ί 1 中 該 電 絕 緣區 係 由 該 絕 緣 聚 苯 乙 烯 形 成 〇 此 外 該 電 荷 1 I 積 聚 Tm 係 由 接受 電 子 有 機 染 料 分 子 形 成 ， 該 接 受 電 子 有 機 1 1 Ι 染 料 分 子 具 有化: 學 式 ( 3 ) 〇 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 21 - 479256 A7 B7 五、發明説明（19 ) CIO4' C4H9—N+

V

CI04' N+一C4H9 (3) 此外，以旋轉塗覆法在該記錄層1 6上形成光電導層 17 ’該光電導層17厚度約6〇nm，而且係由先前所 述化學式（2 )之化合物製得，如此製得圖4所示之記錄 媒介1〇。 使用例如圖2 A所示之裝置，將資訊記錄在記錄媒介 1 0上。更明確地說，以一種雷射光作爲近場光照射記錄 媒介1 0，該記錄頭2 2之電極2 5與光電導層1 7保持 接觸，同時操作馬達2 1 ，以約5 ，0 0 0 r p m速度旋 轉該碟狀記錄媒介1 0 ;其中該雷射光之波長約6 2 0 n m，並且經由光纖2 4自一個半導體雷射2 3發出，該 半導體雷射2 3之輸出約1 m W。此實例中，該光纖之開 口 2 7直徑約5 0 n m。此外，以徑向移動該記錄頭2 2 ，如此該近場光可以螺旋方式照射記錄媒介1 0。 若此步驟中，將一個約- 1 0 V且相當於欲記錄資訊 之脈衝電壓施加於該電極2 5，光電導層1 7中以近場光 照射區域之導電性提高，惟光電導層1 7中未照射近場光 區域仍然是絕緣體。因此，正電荷僅注入電荷積聚區1 4 中以近場光照射而且施加電壓之區域。如此’將資訊記錄 在記錄媒介1 〇上。 以類似第一具體實例所使用之方法複製如此記錄之資 訊。附帶一提’將具有以上述方法記錄之資訊的記錄媒介 -22- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210x 297公釐） 479256 A7 B7_ 五、發明説明（20 ) 1 0置於約8 0°C數週，然後使用該微F E τ感應頭2 8 複製所記錄資訊。結果’與剛記錄之數量相較’電荷積聚 區中貯存之電荷量減少約1 0 % °不過’可以獲得約3〇 d B之S / N比。換句話說’已經證實可以高度安定地保 留已記錄在記錄媒介1 〇上之資訊。 此外，可以例如下述刪除記錄在記錄媒介1 〇上之資 訊。更明確地說’以一種經由光纖2 4自一個半導體雷射 2 3發出之雷射光作爲近場光照射記錄媒介1 〇 ’該記錄 頭2 2之電極2 5與光電導層1 7保持接觸’同時操作馬 達2 1 ，以約5，0 0 0 r p m速度旋轉該碟狀記錄媒介 1 0。同時，對該電極2 5施加約4 V之脈衝電壓。附帶 一提，以徑向移動該記錄頭2 2，如此該近場光可以螺旋 方式照射記錄媒介1 〇。藉由該特定操作，貯存於電荷積 聚區1 4中之負電荷經由光電導層1 7與電極2 5放出， 其大體上與前述資訊記錄作用相同。如此，可以刪除記錄 在記錄媒介1 0上之資訊。該記錄資訊已被該特定方法實 際刪除，然後使用該微F E T感應頭複製該資訊。可證實 該資訊已完全刪除。 此外，亦可在圖4所示之記錄媒介1 0上進行覆寫記 錄。例如，將一個相當於該資訊而且欲新記錄之一 1 0 V 脈衝電壓疊加於一個4 V脈衝電壓上，以刪除先前記錄在 記錄媒介1 0上之資訊，並將所形成之脈衝電壓施加於該 電極2 5上。因此，先前記錄資訊之刪除作用以及新資訊 之記錄作用可以同時進行。 I--------Ί裝^------訂-------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） -23- 479256 A7 ___ B7 五、發明説明（21 ) 根據上述第一具體實例，可以獲得與第一具體實例相 似之結果。此外’在第二具體實例中，該電荷積聚區均勻 分散於記錄層1 6之電絕緣區內，因此可以使用一種容易 結晶，而且成膜性質低之材料形成該電荷積聚區。此外， 因爲第二具體實例中未使用電子光束製圖作用形成該記錄 層1 6，所以可以達到高生產性。 現在茲本發明本發明第三具體實例。 更明確地說，圖5槪略顯示根據本發明第三具體實例 記錄媒介1 0之橫剖面圖。如該圖所示，該記錄媒介1 0 具有一種結構，其中導電層1 2、絕緣層1 3與光電導記 錄層1 8以此順序堆疊在基材1 1上。第三具體實例與第 一和第二具體實例不同之處在於，第三具體實例中使用光 電導記錄層1 8代替記錄層1 6與光電導層1 7之層疊結 構。光電導記錄層1 8中，光電導區（未顯示出來）與電 荷積聚區（未顯示出來）分散於一個電絕緣區（未顯示出 來）內。此外，第三具體實例中，數個電荷積聚區相當於 一個位兀。 可以例如下述製造圖5所示之記錄媒介1 0。 第一步驟中，所製備的是具有經光學修整主要表面， 而且直徑約1 2 0 m m，厚度約1 · 2 m m之玻璃碟。然 後，藉由蒸氣澱積法在基材1 1經光學修整表面上形成厚 度約200nm之A1薄膜’作爲導電層12。另外，藉 由一種濺鍍方法，在導電層1 2上形成厚度約2 0 0 n m 之S i〇2膜，作爲絕緣層1 3。 --------Ί裝：------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 479256 A7 _B7______ 五、發明説明（22 ) 下一步驟中，以旋轉塗覆法在絕緣層1 3上形成厚度 約3 0 n m之光電導記錄層1 8 ，以製得圖5所示之記錄 媒介1 0。該光電導記錄層1 8建構成具有下列化學式（ 4 )之釋放電子有機染料分子以及具有下列化學式（5 ) 之光電導分子分散在一種絕緣聚苯乙烯中。該光電導記錄 層1 8中，該電絕緣區係由該絕緣聚苯乙烯形成。此外’ 該電荷積聚區係由具有化學式（4 )之釋放電子有機染料 分子形成，而光電導區係由具有化學式（5 )之光電導分 子开多成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·

CH=N-N

…⑷ 訂 NC 〇Ν

…⑸ 此具體實例之記錄媒介1 〇中，光電導記錄層1 8在 非照光期間必須顯示充分絕緣性質，而在照光期間必須羅 示充分導電性質。此外，該光電導記錄層1 8必須可以將 相當大量電荷積聚在該電荷積聚區內，並顯示高解析度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25 - i 479256 A7 B7 五、發明説明（23 ) 在此等條件下，該光電導記錄層1 8之厚度必須落在介於 約1 0 n m與約2 0 0 n m範圍內。此外，該光電導記錄 層1 8內之電荷積聚區必須遠小於該記錄標記。另外，該 電荷積聚區與該光電導區必須均勻分散於該電絕緣區內。 可以使用例如圖2 A所示之裝置將資訊記錄在記錄媒 介1 0上。更明確地說，以一種雷射光作爲近場光照射記 錄媒介1 0，該記錄頭2 2之電極2 5與光電導層1 7保 持接觸，同時操作馬達2 1 ，以約5，0 0 0 r p m速度 旋轉該碟狀記錄媒介1 0 ;其中該雷射光之波長約4 7〇 nm，並且經由光纖2 4自一個半導體雷射2 3發出，該 半導體雷射2 3之輸出約1 m W。此實例中，該光纖之開 口 2 7直徑約8 0 n m。此外，以徑向移動該記錄頭2 2 ，如此該近場光可以螺旋方式照射記錄媒介1 0。 若此步驟中，將一個約1 0 V且相當於欲記錄資訊之 脈衝電壓施加於該電極2 5，光電導記錄層1 8中以近場 光照射區域之導電性提高，惟光電導記錄層1 8中未照射 近場光區域仍然是絕緣體。因此，正電荷僅注入電荷積聚 區1 4中以近場光照射而且施加電壓之區域。如此’將資 訊記錄在記錄媒介1 0上。 以類似第一具體實例所使用之方法複製如此記錄之資 訊。附帶一提，將具有以上述方法記錄之資訊的記錄媒介 Γ 0置於約8 0 °C數週，然後使用該微F E T感應頭2 8 複製所記錄資訊。結果發現，與剛記錄之數量相較’電荷 積聚區中貯存之電荷量減少約1 0 %。不過，可以獲得約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 26 - ---------1. I裝^------訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7__ 五、發明説明（24 ) 3 0 d B之S / N比。換句話說，已經證實可以高度安定 地保留已記錄在記錄媒介1 〇上之資訊。 此外，可以例如下述刪除記錄在記錄媒介1 〇上之資 訊。更明·確地說，以一種經由光纖2 4自一個半導體雷射 2 3發出之雷射光作爲近場光照射記錄媒介1 〇 ’該記錄 頭2 2之電極2 5與光電導記錄層1 8保持接觸’同時操 作馬達2 1 ，以約5，0 0 0 r p m速度旋轉該碟狀記錄 媒介1 0。同時，對該電極2 5施加約一 4 V之脈衝電壓 。附帶一提，以徑向移動該記錄頭2 2，如此該近場光可 以螺旋方式照射記錄媒介1 0。藉由該特定操作，貯存於 電荷積聚區1 4中之正電荷經由光電導記錄層1 8與電極 2 5放出，其大體上與前述資訊記錄作用相同。如此，可 以刪除記錄在記錄媒介1 0上之資訊。該記錄資訊已被該 特定方法實際刪除，然後使用該微F E T感應頭複製該資 訊。發現該資訊已完全刪除。 此外，亦可在圖5所示之記錄媒介1 0上進行覆寫記 錄。例如，將一個相當於該資訊而且欲新記錄之1 0 V脈 衝電壓疊加於一個- 4 V脈衝電壓上，並將所形成之脈衝 電壓施加於該電極2 5上。因此，先前記錄資訊之刪除作 用以及新資訊之記錄作用可以同時進行。 現在茲說明本發明第四具體實例。 更明確地說，圖6係槪略顯示根據本發明第四具體實 例記錄媒介1 0之橫剖面圖。圖6所示之記錄媒介1 〇具 有一種結構，其中導電層1 2、記錄層1 6與光電導層 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -27- I-------:1¾衣；------訂------# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 _B7__ 五、發明説明（25 ) 1 7以此順序堆疊在基材1 1上。第四具體實例與第一具 體實例不同之處在於，第四具體實例中未形成絕緣層1 3 。此外，該記錄層1 6係由表面上形成數個坑之電絕緣區 (絕緣層）1 5 ，與數個個塡滿此等坑之電絕緣區1 4構 成。另外，此具體實例中，數個電荷積聚區1 4各者均相 當於一個位元。 可以例如下述製造圖6所示之記錄媒介1〇。 第一步驟中，製備具有經光學修整主要表面，而且直 徑約1 2 0 m m，厚度約1 · 2 m m之玻璃碟作爲基材 1 1。然後，藉由蒸氣澱積法在基材1 1經光學修整表面 上形成厚度約5 0 0 nm之A 1薄膜，作爲導電層1 2。 次一步驟中，將一個模子壓在導電層1 2上，該模子 排列有間隔約1 3 n m之凸出部分，如此在該導電層1 2 表面形成凹痕。該模子之凸出部分係由S i C製得，而且 尖端直徑約3 n m。然後，在一種稀釋硫酸中，對於具有 凹痕表面之導電層1 2進行陽極氧化作用。因此，同時進 行導電層1 2表面之氧化作用與化學蝕刻作用，形成由 A 1 2〇3製得而且表面上具有數個坑之之電絕緣區1 5。 更確切的說，藉由導電層1 2之表面氧化作用，形成厚度 爲8 0 nm之電絕緣區1 5 ，同時藉由導電層1 2表面凹 痕處之化學蝕刻作用，形成數個坑，各坑之直徑約1〇 n m，深度約2 0 n m，而且排列成相鄰坑的中心間距約 1 3 n m 〇 然後，在真空下將一種熔融S e倒在此等坑上，然後 I----------—坤本：------1T-------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2iOX29<7公釐） -28- 479256 A 7 B7 五、發明説明（26 ) 以約2 0 0 r p m旋轉該基材，同時加熱該基材，如此離 心去除附著在電絕緣區1 5上表面之過量S e。換句話說 ，S e僅留在此等坑內，如此形成該電荷積聚區1 4。 此外，藉由濺鍍法，在具有電絕緣區1 5與電荷積聚 區1 4之記錄層1 6上形成厚度約1 0 nm之C d S e光 電導層1 7，如此製得圖6所示之記錄媒介1 0。 使用例如圖2 A所示之裝置，將資訊記錄在記錄媒介 1 0上。更明確地說，以一種雷射光作爲近場光照射記錄 媒介1 0，該記錄頭2 2之電極2 5與光電導層1 7保持 接觸，同時操作馬達2 1 ，以約3，0 0 0 r p m速度旋 轉該碟狀記錄媒介1 0 ;其中該雷射光之波長約6 7 0 nm，並且經由光纖2 4自一個半導體雷射2 3發出，該 半導體雷射2 3之輸出約1 m W。此實例中，該光纖之開 口 2 7直徑約1 0 n m。此外，以徑向移動該記錄頭2 2 ，如此該近場光可以螺旋方式照射記錄媒介1 0。 若此步驟中，將一個約- 1 0 V且相當於欲記錄資訊 之脈衝電壓施加於該電極2 5 ，光電導層1 7中以近場光 照射區域之導電性提高，惟光電導層1 7中未照射近場光 區域仍然是絕緣體。因此，正電荷僅注入電荷積聚區中以 近場光照射而且施加電壓之區域。如此，將資訊記錄在記 錄媒介1 0上。 以類似第一具體實例所使用之方法複製如此記錄之資 訊。附帶一提，將具有以上述方法記錄之資訊的記錄媒介 1 0置於約8 0 °C數週，然後使用該微F E T感應頭2 8 I--;------.— 装^------1T線、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 29 - 479256 A7 _B7____ 五、發明説明（27 ) 複製所記錄資訊。結果發現，與剛記錄之數量相較’電荷 積聚區中貯存之電荷量減少約5 %。不過，可以獲得約 3 0 d B之S / N比。換句話說，已經證實可以高度安定 地保留已記錄在記錄媒介1 0上之資訊。 此外，可以例如下述刪除記錄在記錄媒介1 〇上之資 訊。更明確地說，以一種經由光纖2 4自一個半導體雷射 2 3發出之雷射光作爲近場光照射記錄媒介1 〇 ’該記錄 頭2 2之電極2 5與光電導記錄層1 8保持接觸’同時操 作馬達2 1 ，以約3，0 0 0 r p m速度旋轉該碟狀記錄 媒介1 0。同時，對該電極2 5施加約5 V之脈衝電壓。 附帶一提，以徑向移動該記錄頭2 2，如此該近場光可以 螺旋方式照射記錄媒介1 0。藉由該特定操作，貯存於電 荷積聚區1 4中之負電荷經由光電導層1 7與電極2 5放 出，其大體上與前述資訊記錄作用相同。如此，可以刪除 記錄在記錄媒介1 0上之資訊。該記錄資訊已被該特定方 法實際刪除，然後使用該微F E T感應頭複製該資訊。已 發現該資訊已完全刪除。 此外，亦可在圖4所示之記錄媒介1 0上進行覆寫記 £ | 錄。例如，將一個相當於該資訊而且欲新記錄之一 1 〇 V ξ 脈衝電壓疊加於一個5 V脈衝電壓上，以刪除先前記錄在 才 \ 記錄媒介1 0上之資訊，並將所形成之脈衝電壓施加於該 j ; 電極2 5上。因此，先前記錄資訊之刪除作用以及新資訊 ^ 之記錄作用可以同時進行。 η 根據該第四具體實例，可以得到類似第一具體實例之 、裝^ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -30- 479256 A7 B7 五、發明説明（28 ) 效果。第四具體實例中，如同第一具體實例，在預定位置 形成此等電荷積聚區1 4 ’各個電荷積聚區1 4相當於一 個位兀。然後’藉者以電何積聚區1 4爲準，校正該記錄 頭2 2與複製頭2 8，可以妥善處理記錄媒介1 〇顫動問 題。此外，因爲第四具體實例中係利用氧化作用形成電絕 緣區1 5 ，所以可以由一種具有低導電性之金屬氧化物形 成該電絕緣區1 5。因此’本發明第四具體實例可以獲得 高S / N比，故可以縮小電荷積聚區1 4之尺寸。換句話 說，可以獲得高記錄密度。此外，第四具體實例中，使用 一種模子形成記錄層1 6，並未使用電子光束製圖作用， 所以可以達到高生產性。 現在茲說明本發明第五具體實例。 更明確地說，圖7係槪略顯示根據本發明第五具體實 例記錄媒介1 0之橫剖面圖。圖7所示之記錄媒介1 〇具 有一種結構，其中導電層1 2、記錄層1 6與光電導層 1 7以此順序堆疊在基材1 1上，如同圖6所示之記錄媒 介1 0。然而，必須注意的是，圖7所示之記錄媒介1 〇 . 與圖6不同之處在於，圖7所示記錄媒介1 〇所包括之光 έ. Ρ 電導層1 7包含一種材料，該材料之導電性根據光的強度 〇 I 呈非線性改變。圖7所示之第五具體實例中，此等電荷積 \ 聚區14亦各相當於一個位元。 1 i 可以例如下述製造圖7所示之記錄媒介1 0。 \7 ^ 第一步驟中，製備具有經光學修整主要表面，而且直 ρ 徑約1 20mm，厚度約1 · 2mm之玻璃碟作爲基林 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 · I ， 裝I- 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 _B7 五、發明説明（29 ) 1 1。然後，藉由蒸氣澱積法在基材1 1經光學修整表面 上形成厚度約5 0 0 nm之A 1薄膜，作爲導電層1 2。 次一步驟中，將一個模子壓在導電層1 2上，該模子 排列有間隔約1 0 0 n m之凸出部分，如此在該導電層 1 2表面形成凹痕。該模子之凸出部分係由s 1 C製得， 而且尖端直徑約3 n m。然後，在一種稀釋硫酸中，對於 具有凹痕表面之導電層1 2進行陽極氧化作用。因此，同 時進行導電層1 2表面之氧化作用與化學鈾刻作用，形成 由A 1 2〇3製得而且表面上具有數個坑之之電絕緣區1 5 。更確切的說，藉由導電層1 2之表面氧化作用，形成厚 度爲1 0 0 nm之電絕緣區1 5 ，同時藉由導電層1 2表 面凹痕處之化學蝕刻作用，形成數個坑，各坑之直徑約 8 0 n m，深度約8 0 n m，而且排列成相鄰坑的中心間 距約1〇0 n m。 然後，在真空下將一種熔融S e倒在此等坑上，然後 以約2 0 0 r p m旋轉該基材，同時加熱該基材，如此離 心去除附著在電絕緣區1 5上表面之過量S e。換句話說 ，S e僅留在此等坑內，如此形成該電荷積聚區1 4。 此外，將分散有/3 -酞花青之氯仿溶液旋轉塗覆在具 有電絕緣區1 5與電荷積聚區1 4之記錄層1 6上，形成 厚度約3 0 n m之光電導層1 7，如此製得圖7所示之記 錄媒介1 0。 使用例如圖8所示之裝置，將資訊記錄在記錄媒介 1 0上，以及複製與刪除已記錄資訊。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、tr 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 479256 A7 ___ B7 五、發明説明（3〇 ) 更明確地說，圖8槪略顯示根據本發明第五具體實例 之記錄-複製裝置2 0。圖8所示之記錄一複製裝置2 0 具有一個馬達2 1 ’其用以旋轉記錄媒介1 〇 ; 一個半導 體雷射2 3 ; —個記錄頭2 2 ;介於該記錄頭2 2與該半 導體雷射2 3間之透鏡3 7與3 8 ; —個電極2 5 ，其安 裝方式使之面對該記錄媒介1 〇 ;以及一個複製頭2 8。 圖8所示之記錄一複製裝置2 0中，配置記錄媒介1〇， 使記錄媒介1 0之光電導層1 7面對透鏡3 7。此外，在 圖8所示之記錄一複製裝置2 0中，該透鏡3 7、電極 2 5等共同組成該記錄頭2 2。附帶一提，該記錄媒介 1〇可爲記錄-複製裝置2 0的組件之一，或者並非記錄· -複製裝置2 0組件之一。換句話說，記錄媒介1 〇可能 無法拆卸，或者可拆卸。 例如’如下述’使用圖8所示之裝置將資訊記錄在圖 7所示之記錄媒介1 0上。更明確地說，以一種雷射光作 爲近場光照射記錄媒介1 0，該記錄頭2 2之電極2 5與 光電導層1 7保持接觸，同時操作馬達2 1，以約 3 ’ OOOrpm速度旋轉該碟狀記錄媒介1〇 ;其中該 雷射光之波長約6 2 0 n m，並且經由透鏡3 7與3 8自 一個半導體雷射2 3發出，該半導體雷射2 3之輸出約1 m W。此實例中，以透鏡3 7與3 8將記錄媒介1 〇表面 上之雷射光直徑控制在約6 0 0 n m。此外，以徑向移動 該記錄頭2 2，如此該雷射光可以螺旋圖型該照射記錄媒 介1 0。若此步驟中，將一個約一 2 0 V且相當於欲記錄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - --------Ί t衣：------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 將具有以上述方法記錄之 8 0 °C約一週，然後使用該微 錄資訊。結果發現，與剛記錄 貯存之電荷量減少約5 %。不 S / N比。換句話說，已經證 留記錄在記錄媒介1〇。 可以例如下述刪除記錄在 2 3發出之雷射光照射記錄媒 極2 5與光電導層1 7保持接 約3 ，0〇〇r pm速度旋轉 介10，該記錄頭2 觸，同時操作馬達2 該碟狀記錄媒介1 〇 A7 B7 五、發明説明（31 ) 資訊之脈衝電壓施加於該電極2 5 ，可將資訊記錄在記錄 媒介1 0上。 如上述，此具體實例中之光電導層1 7包含一種材料 ，該材料之導電性根據光的強度呈非線性改變。此外，該 雷射光之強度分佈如同Gaussian分佈，該強度自自中央向 外圍降低。因此，此具體實例中，該光電導層之導電性僅 僅以雷射光照射部分之中央部分有大幅改變，而其他區的 導電性幾乎沒有改變，此與前述第一至第四具體實例任一 者不同。因此，此具體實例中，不論該雷射光直徑（約 6〇〇nm)明顯大於該電荷積聚區（約8〇nm)，該 電荷可以選擇性地注入所需之電荷積聚區內。事實上，已 經由前述以及第一具體實例之類似複製方法證實，每個電 荷積聚區1 4內記錄一位元資訊 資訊的記錄媒介1 0置於約 F E T感應頭2 8複製所記 之數量相較，電荷積聚區中 過，可以獲得約3 0 d B之 實已記錄資訊可以安定地保 記錄媒介1 0上之資訊。更 明確地說，以一種經由透鏡3 7與3 8自一個半導體雷射 2之電 1，以 。同時 — · 裝^ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34 - 479256 A7 _B7_ 五、發明説明（32 ) ，對該電極2 5施加約1 Ο V之脈衝電壓。附帶一提’以 透鏡3 7與3 8將記錄媒介1 0表面上之雷射光直徑控制 在約6 0 0 n m。此外’以徑向移動該記錄頭2 2 ’如此 該雷射光可以螺旋圖型該照射記錄媒介1 〇 °藉由該特定 操作，貯存於電荷積聚區1 4中之負電荷經由光電導層 1 7與電極2 5等放出’其大體上與前述資訊記錄作用相 同。如此，可以刪除記錄在記錄媒介1 0上之資訊。該記 錄資訊已被該特定方法實際刪除，然後使用該微F E T感 應頭複製該·資訊。已發現該資訊已完全刪除。 亦可在圖7所示之記錄媒介1 0上進行覆寫記錄。例 如，將一個相當於該資訊而且欲新記錄之- 2 Ο V脈衝電 壓疊加於一個1 〇 V脈衝電壓上，以刪除先前記錄在記錄 媒介1 0上之資訊，並將所形成之脈衝電壓施加於該電極 2 5上。因此，先前記錄資訊之刪除作用以及新資訊之記 錄作用可以同時進行。 如上述，該第五具體實例可以獲得類似前述連同第一 至第四具體實例之效果。此外，在第五具體實例，該光電 導層1 7包含一種材料’該材料之導電性根據光的強度呈 非線性改變。因此，光電導層1 7中藉由照光提高導電性 之區域尺寸小於該光束直徑。因此，此具體實例中，可以 達到所謂''超高解析度〃記錄作用。 現在茲說明本發明之第六具體實例。 圖9係槪略顯示根據本發明第六具體實例記錄媒介 1 0構造之橫剖面圖。如該圖所示，該第六具體實例之記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -35- ---------·_批衣^------1T線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 Μ _Β7_ 五、發明説明（33 ) 錄媒介1 0具有一種結構，其中導電層1 2、光電導層 1 7、記錄層1 6與保護層1 9以上述順序堆疊在基材 1 1上。該第六具體實例與第一至第五具體實例任一者不 同之處在於，第六具體實例中’光電導層1 了置於導電層 1 2與記錄層1 6之闈。第六具體實例之記錄媒介1 〇中 ，記錄層1 6具有一種結構’其中電何積聚區1 4與電絕 緣區1 5交叉並置在光電導層1 7上。如該圖所示，居中 之電絕緣區1 5使相鄰電荷積聚區1 4彼此電絕緣。此具 體實例中，各個電荷積聚區1 4相當於一位元。 可以例如下述製造圖9所示之記錄媒介1 0。 第一步驟中，製備具有經光學修整主要表面，而且直 徑約1 2 0mm，厚度約1 · 2mm之玻璃碟作爲基材 1 1。藉由蒸氣澱積法在基材1 1經光學修整表面上形成 厚度約2 0 0 n m之A 1薄膜，作爲導電層1 2。此外， 以旋轉塗覆法在導電層1 2上形成厚度約3 0 n m之光電 導層1 7，其係由具有前述化學結構（2 )之化合物組成 〇 次一步驟中，藉由旋轉塗覆一種聚延胡索酸二異丁酯 ，形成厚度約2 0 n m之保護膜，然後使用一種E B製圖 裝置，以一種電子光束，按照預定圖型照射該保護膜。然 後，該保護膜進行電子光束製圖之後，以乙醇顯影經電子 光束製圖後之保護膜，如此製得具有數個通孔之薄膜，作 爲電絕緣區1 5。此實例中，形成之電絕緣區1 5內各個 通孔具有直徑約8 0 n m之圓形開口，而且介於相鄰通孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- — 裝 訂 線 - 續 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 ___B7___ 五、發明説明（34 ) 中心之間的距離約1 2 0 n m。 然後，將具有上述化學式（1 )之釋放電子有機染料 分子蒸發至基材1 1整體表面上，該基材表面上已事先形 成電絕緣區1 5。然後，在一種氮氣氣氛下，以約8 0 °C 加熱表面上澱積該有機染料分子膜之基材約一小時。藉由 該加熱作用，以蒸氣澱積作用澱積在電絕緣區1 5上表面 之釋放電子有機染料分子流入該通孔，在該通孔內形成電 荷積聚區1 4。因此，製得具有電荷積聚區1 4與電絕緣 區1 5之記錄層1 6。 最後，在記錄層1 6上形成保護層1 9，其厚度約 1〇n m，而且由聚醯亞胺製得，如此獲的圖9所示之記 錄媒介1〇。 此具體實例中，並非約對需求該電絕緣區Γ 5與保護 層1 9。然而，在形成此等層1 5與1 9情況下，可以高 度安定地保留注入電荷積聚區1 4之電荷。又，只要該保 護層1 9係由一種絕緣材料形成，其材料並無特別限制。

可以使用例如圖1 Ο A與1 Ο B所示之裝置，將資訊 記錄在記錄媒介1 0上，以及刪除已記錄在記錄媒介1〇 上之資訊。更明確地說，圖1 Ο A槪略顯示根據本發明第 六具體實例之記錄一複製裝置2 0。另一方面，圖1 Ο B 以放大方式鼠示圖1 Ο A所示記錄-複製裝置其中一部分 〇 圖1 Ο A所示之記錄一複製裝置2 0具有一個馬達 2 0 ，用以旋轉該記錄媒介1 0 ; —個浮動頭4 1 ，其配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X： 297公釐] 「37 · ' I . 裝^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 土 479256 A7 _____ B7_ 五、發明説明（35 ) 置成面對記錄媒介1 〇，並作爲記錄-複製頭；一條光纖 24，其與浮動頭41 一端連接；一個半導體雷射23， 其與光纖2 4另一端連接。附帶一提，該記錄-複製裝置 2 0中’該記錄媒介1 〇之配置方式使記錄媒介1 〇之保 護層1 9面對該浮動頭4 1。此外，該記錄媒介1 〇可爲 記錄-複製裝置2 〇的組件之一，或者並非記錄一複製裝 置2 0組件之一。換句話說，記錄媒介1 〇可能無法拆卸 ，或者可拆卸。 如圖1 Ο B所示，該浮動頭4 1具有一個滑動觸頭 42 °該光纖24通過滑動觸頭42。該滑動觸頭42係 利用記錄媒介1 〇旋轉所產生之氣流，使浮動頭4 1浮起 。滑動觸頭4 2內之光纖2 4朝向記錄媒介1 0逐漸變尖 ’並在記錄層1 0該側邊緣形成一個開口 2 7。此外，以 環繞開口 2 7方式，將電極2 5配置在記錄媒介1 0該側 之滑動觸頭4 2內。此外，將構造與圖3所示相同之微 F E T感應頭2 8安裝於該滑動觸頭4 2 —端。使用該浮 動頭4 2將資訊記錄在記錄媒介1 〇，以及複製與刪除已 記錄在記錄媒介1 0上之資訊。 任何例如圖1 Ο A所示之記錄-複製裝置2 0將資訊 記錄在圖9所示之記錄媒介1 〇。更明確地說，以一種雷 射光作爲近場光照射記錄媒介1 〇，同時操作馬達2 1 ， 以約4，0 0 0 r p m速度旋轉該碟狀記錄媒介1 0 ;其 中該雷射光之波長約6 2 0 n m，並且經由光纖2 4自一 個半導體雷射2 3發出，該半導體雷射2 3之輸出約1 I---------------、玎------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -38- 479256 Α7 Β7 五、發明説明（36 ) m W。此實例中，該光纖2 4之開口 2 7直徑約8 0 n m 。此外，以徑向移動該記錄頭2 2 ，如此該雷射光可以螺 旋圖型該照射記錄媒介1 0。 必須注意的是，若將一個約1 0 V且相當於欲記錄資 訊之脈衝電壓施加於該電極2 5，光電導層1 7中以近場 光照射區域之導電性提高，惟光電導層1 7中未照射近場 光區域仍然是絕緣體。如前述，滑動觸頭4 2利用記錄媒 介1 0旋轉所產生之氣流，使浮動頭4 1浮起。因此，該 第六具體實例與第一至第五具體實例任一者不同之處在於 ，第六具體實例中，該電極2 5位在離該記錄媒介1 0預 定距離處。因此，第六具體實例中，自該導電層12 (而 非自電極2 5 )將電荷注入以近場光照射而且施加電壓之 .電荷積聚區1 4，如此在該記錄媒介1 〇上進行資訊記錄 作用。 可以使用微F E T感應頭2 8複製該記錄資訊。更明 確地說，可以前述方法，藉由浮動該浮動頭4 1 ，並觀察 微F E T感應頭2 8介於源極3 2與汲極3 3之間的電流 改變，讀出已記錄在記錄媒介1 0上之資訊。 將具有以上述方法記錄之資訊的記錄媒介1 〇置於約 8 0 °C約一週，然後使用該微F E T感應頭複製所記錄資 訊。結果發現，與剛記錄之數量相較，電荷積聚區1 4中 貯存之電荷量減少約3 %。不過，可以獲得約3 0 d B之 S / N比。換句話說，已經證實已記錄資訊可以安定地保 留記錄在記錄媒介1 0。 I-------衣：------、玎------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -39 - 479256 A7 B7 五、發明説明（37 ) 可以例如下述刪除記錄在記錄媒介1 0上之資訊。更 明確地說，以一種經由光纖2 4自一個半導體雷射2 3發 出之雷射光作爲近場光照射記錄媒介1 0，同時操作馬達 2 1 ，以約4，000 r pm速度旋轉該記錄媒介1 〇。 同時，對該電極2 5施加約一 3 V之脈衝電壓。附帶一提 ，以徑向移動該浮動頭4 1 ，如此該雷射光可以螺旋圖型 該照射記錄媒介1 0。藉由該特定操作，貯存於電荷積聚 區1 4中之負電荷經由光電導層1 7放出，進入導電層 1 2。如此，可以刪除記錄在記錄媒介1 〇上之資訊。該 記錄資訊已被該特定方法實際刪除，然後使用該微F E T 感應頭複製該資訊。已證實該資訊已完全刪除。 亦可在記錄媒介1 0上進行覆寫記錄。例如，已記錄 資訊之刪除與記錄新資訊可以同時進行，其係例如藉由用 以刪除已記錄資訊之一 3 V脈衝電壓疊加於一個1 0 V脈 衝電壓上，並將所形成之脈衝電壓施加於該電極2 5上。 如上述，該第六具體實例，可以獲得類似前述連同第 一至第五具體實例之效果。此外’在第六具體實例’因爲 自導電層12經由光電導層17將電荷注入電荷積聚區 1 4，所以該電極2 5不必與記錄媒介1 0接觸。因此， 根據該第六具體實例，記錄媒介1 〇表面磨蝕之可能性以 及該頭固定在該記錄媒介1 〇上使之無法移動之可能性降 低。此外，此具體實例中’因爲電極2 5不必與該記錄媒 介1 0接觸，所以該記錄媒介1 〇之表面不必很光滑。因 此，不必形成厚保護層1 9 ’所以可以相當低電壓將電荷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4〇 - ---------Ί裝：------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 _B7 __ 五、發明説明（38 ) 注入電荷積聚區14中。 在上述第一至第六具體實例各者中，使用微F E T感 應頭2 8讀取記錄在記錄媒介1 0上之資訊。然而，亦可 以使用其他方法。例如，可以使用：藉由原子力顯微鏡（ A M F )測量靜電力之方法；測量電容改變之方法；以及 測量所吸收光、反射光以及螢光任一者之強度或波氣改變 的方法，其中該螢光係以強度與波長不會中斷記錄之光照 射該記錄媒介1 0所產生。 光電導層1 7與光電導記錄層1 8中包含之藉由吸收 光提高其導電性的材料並不限於第一至第六具體實例所列 舉者。此種材料可爲有機或無機材料。該材料在不照光期 間必須顯示出高度絕緣性質，而在照光時導電性必須大幅 提高。此外，該材料對光之反應速度必須很高。該反應速 度小於介於約1 Ο Ο Μ Η ζ與約1 G Η ζ間之値 藉由吸收光提高導電性之材料中，該有機材料包括例 如下列（A 1 )至（A 6 ): (A 1 )稠合多環顏料 £ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） _ 41 - 1 · 裝^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479256 A7 B7 五、發明説明（39 )

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -42- 479256 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) (A 2 )雙偶氮與三偶氮型顏料 <Q^hn-c^〇h Cl〇VN=N s

N=N

〇 Cl OH C-NH

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i齊¥κσ曰达吋4苟邑：11肖穸^阼^印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 43 -

479256 A7 B7 五、發明説明（41 ) (A 3 )酞花青顏料 X - H2Pc, r-H2Pc, ε - CuPc, VOPc, TiOPc, AlCIPc, CIGaPc, HOGaPc (A 4 )斯奎林鏺（squarilium)染料 x σ (A 6 )葜鑰鹽染料 批衣 訂 線 m I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

藉由吸收光提高導電性之材料中，該無機材料包括例 如：金屬或一種非金屬，諸如S i 、Se或Ge 種氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） -44 - 479256 A7 ___ B7 五、發明説明（42 ) 化物，諸如Zn〇、T 1〇2或Sn〇2 ;以及一種合金或 一種化合物，諸如A 1 G a A s、G a A s、 A1 InAs、GaInAs、GaInP2、InP、 PbS、ZnS、ZnSSe、ZnTe、

As2SeTe2、As2Te3、CdS、CdTe、 ZnCdTe、CdSSe、CdSe、CuInSe2 與 C u S 〇 此等藉由吸收光提局導電性之材料可以單獨使用，或 者以此等材料至少兩者之混合物形式使用。此外此等材料 可以分散於各種基質中。 包含在記錄層16或光電導記錄層18內之電荷積聚 材料並不受限於第一至第六具體實例列舉者。當欲積聚之 電荷是電子時，記錄層1 6與電荷積聚區1 4之傳導能量 之能量水準與L U Μ〇必須低於光電導層1 7之傳導能量 之能量水準與L UMO。另一方面，欲積聚之電荷是電洞 時’記錄層1 6與電荷積聚區1 4之價電子帶與HOMO 必須高於光電導層1 7之價電子帶與HOMO。 該電荷積聚材料可爲有機或無機材料。此等電荷積聚 材料中，有機材料包括例如，具有分子架構（B 1 )至( B 7 )之釋放電子材料，以及具有分子架構（C 1 )至（ C 5 )之接受電子材料，此等分子架構如下： 45- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 479256 五、發明說明（43 ) (B 1 )富瓦烯型釋電子體 • S S-

•S S- TTF ch3 s s ch3 V——/ I I Η CH3入 s S 入 Ch3 ΤΜΤΊΤ

ακ»

s s- MHTTF • S、 -S S\ /S、 •Se Se.

、s, s BEDT-TTF

•Se Se 一 TSF

CH 3\^-Se Se^/CH3

CH， Se Se^CH3 TMTSF ακχ>

’Se Se" HMTSF n —-· 11 n !li 51 In In -- -1 -n il - . —1 -- -- ------ n I I 一口，I I -II n n ! I— n 1 -i - (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) ακχ>

•Te Te^ HMTTeF 本紙張尺度適用t a國家櫺準（CNS)A‘丨規格（210 X 297公釐） -46- 479256 Λ7 B7 五、發明說明（44 ) (B 2 )含硫雜釋電子體

S — S

S——S 四硫丁省 (TTT)

Se—Se 四硒丁省 (TST) S——Sόΐδ s——s 四硫蔡φ s

一Te

Te-Te

S——SOTO

S——S 四硫二萘嵌苯 (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁)

(ΒΤΡ) Φ sφ 四苯基聯噻喃

S

Φ

Φ S- C0 聯苯並噻吩 (BBT) [Φ 表示一個苯基 本紙ifi尺度過用t 00家標半（CNS)A4規格（21ϋ X 297公釐） -47 - 479256 ‘Λ7 Π7 五、發明說明（45 )(B 3 )胺型釋電子體

CH3 CH3\ / N NH 2

苯胺 ch3、 QN—甲基苯胺 h2n對伸苯基二胺 Ν：

• CH 3

NH 2

CH， \一/ m TMPD 3 oib^ NHc

NH 2 :胺基蔡 聯苯胺

CH CH, 3\ Ν-<〇>-©>- 四甲基聯苯胺 N； -CH3 xh3 二胺基芘 2 CH, CH^ N； 'CH, ch3\ ch3^

----------- 裝--------訂---------^r. 1 it 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

[R代表一個氫原子或一個烷基] 本紙張尺度適用中國國孓標準（CNS)M規格（210 X 297公;ί ) -48 - 479256 五、發明說明（46 ) (B 4 )金屬錯合物型釋電子體 Γ

Fe

二茂鐵

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) η αΝχ

Ni(dbtaa)

~ --------_________

口卜_ 〇一Η··〇

I I .N N. rN N:

I I 0 —H .*0 M(bqd)2 [M代表一個金屬原子] -49- 木紙悵尺度適用t a國家碟準（CNS)A.l A見烙（210x297公芨） 479256 Λ7 [37 五、發明說明U7 〇 〇 〇一H—〇 I I .NwN: Μ 〇--Η·-〇 〇 〇 Μ (bpq) 2

Ν..............Μ:-〇 Ο - -----------'·.裝--------訂--------- f *· * (請先閱tf背面之达意事項再填寫本頁) 〇 • Ν, [Μ代表一個金屬原子] 本纸悵尺度適用中am楳芈（CNSM‘1規恪（21ϋ X 297公;2 ) -50- 479256 Λ7 B7 五、發明說明（48 B 5 )花青著色物質釋電子體

本紙悵尺度適用中a國家標準（CNS)A.丨規格（210x 297公;s ) - 51 - -----------^--------訂---------0 < » (請先閱讀背面之丄意事項再填寫本頁) 479256 ___ D7 五、發明說明（49 ) (B 6 )含氮雜環釋電子體

R

----------- --------訂·-------- -ί · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 冬紙悵尺度適用中0Θ茉標芈（CNS)/V丨规格·（210 X L;97公朵） ^52- 479256 Λ 7 Β7 五、發明說明（5〇 ) (B 7 )聚合物型釋電子體 聚乙炔

\ 门 -Η^4 (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) --- 聚吼II定 聚對苯 S- 门 聚對苯硫醚 訂---------_ h 本紙張尺度適用中0國家標芈（CNS)A‘l規烙（210x 297公；i ) -53- 479256 A7 B7 五、發明説明（51 ) (ci)氰化合物型受電子體

TCNQ

MeCnw>==\=

,CN 、CN

Me Me2TCNQ

TCNDQ

NC NC

NO 2 o2n

i〇〇Q N〇2

NCK ) V-CN

Λ NC CN DTF 二氰基苯 (PCNB) I---------裝----^---訂-------線 -* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慈財產笱員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54 - 479256 Λ7 B7五、發明說明（52 ) (C 2 )醌型受電子體

2,3-二氰基_苯哲昆 〇IX 〇 (111至114各表示一個氫原子、一個鹵素原子、一個 烷基、一個烯基、一個芳基、一個烷氧基、一個烷基 硫代基、一個烷基羰基、一個氰基、一個胺基、一個 羥基、一個醯基或甲醯基。） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭 n n n n n V 唪 a n n n *1— ϋ n ϋ I 乡1 本紙悵尺度適用中3國家丨S芈（CNS)M規格（210 X 297公釐） -55- 479256 Λ7 Β7 五、發明說明（53 C 3 )硝基化合物型受電子體

NO NC~<©KN〇2 2

對硝基氛基苯 N〇21，3-二硝基苯 NO； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

〇 TNF Ο ^ σ4 LI t f Ν〇2 〇 、ν〇21，3,5-三硝基基 〇2Ν~-Ν〇2 對二硝基苯 本紙悵尺度適用中S國家瞟芈（CMS)/Vl規格（210 x 297公a ) -5ό-

* I— m I I I m -- - 一 tv 1 -·-- n ϋ «ϋ n an n I 479256 Μ Β7 五、發明説明（54 ) (C 4 )奎諾二亞胺型受電子體

CN N

CN (R5至R8各表示一個氫原子、一個鹵素原子、一個 烷基、一個烯基、一個芳基、一個烷氧基、一個烷基 硫代基、一個烷基羰基、一個氰基、一個胺基、一個 羥基、一個醯基或甲醯基。） C 5 )紫羅鹼型受電子體

R—N Χ\Θ-β (R代表一個烷基或一個芳基。） 至於具有架構（B1)至（B7)與（C1)至（ C 5 )之分子，必須使用具有此種架構之聚合物或具；^ {氏 分子量之材料，其具有下述通式。通常，因爲此等材料戶斤 形成之薄膜呈非晶相，所以使用此等材料容易製得g _ 組成均勻之薄膜。 Z -（ X — Y ) η 其中Ζ代表一個芳族架構或一個脂族架構，Υ代表^ 個釋放電子或接受電子架構’ X代表一個鍵基團，諸如〜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '多' 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） -57 /^256 A7 B7 五、發明説明（55 ) 個單鍵’〜個伸乙基鍵、一個醯胺鍵或一個酯鍵，而η係 1以上之整數。以上述通式表示材料中，通式中之η爲3 以上的材料容易形成一種安定非晶相結構，其玻璃化溫度 至少2 5 °C。 此外，在該電荷積聚材料中，該無機材料包括例如金 屬’諸如Au、Al與Se ;此等金屬之合金；半導體， 諸如S i與C ;以及介電體，·諸如S與S丨◦。 此等電荷積聚材料可以單獨使用或者以此等材料至少 一者之混合物形式使用。亦可以將此等材料分散於各種基 質中。必須使用一種電絕緣聚合物作爲分散此等電荷積聚 材料之基質。 如上述，本發明中，利用照光降低該光電導區電阻之 現象’將電荷注入該電荷積聚區，因此可以相當低電壓將 該電荷注入該電荷積聚區內。此外，因爲該光電導區在非 照光期間之電阻高於照光期間之電阻，所以非照光期間， 已注入該電荷積聚區之電荷幾乎不會放出。因此，本發明 中，可以相當低電壓達到高記錄密度。換句話說，本發明 提出可以達到超高記錄密度，以及可以相當低電壓記錄資 訊之記錄媒介、記錄裝置與記錄方法。 熟智本技藝者很容易明白其他優點與修正。因此，本 發明之廣義實施樣態並不受限於本文所示與所述之特定細 節與代表性具體實例。因此，在不違背附錄申請專利範圍 與其等效物所界定之發明槪念的精神與範圍下，可以獲得 各種修正。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0>< 297公# ) -58- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•J 、τ

L

Claims (1)

1. 479256 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利乾圍 1 . 一種記錄媒介，其包括： 一個基材； 一層覆蓋在該基材上而且具有數個電荷積聚區之記錄 層，各個電荷積聚區均包含可以積聚電荷之第一材料；以 及 在該記錄層上形成而且具有一個光電導區之光電導層 ，該光電導區包含藉由吸收光提高導電性之第二材料。 2 ·如申請專利範圍第1項之記錄媒介，其另外包括 一層導電層，其介於該基材與該記錄層之間；以及 一層絕緣層，其介於該導電層與該記錄層之間。 3 ·如申請專利範圍第1項之記錄媒介，其中該記錄 層另外包括至少一個電絕緣區，其使數個電荷積聚區彼此 電絕緣。 4 .如申請專利範圍第3項之記錄媒介，其中該記錄 層具有一種結構，其中數個電荷積聚區與至少一個電絕緣 區彼此交叉並置在該基材上。 5 .如申請專利範圍第3項之記錄媒介，其中該記錄 層具有一種分散媒介以及數個分散在該分散媒介內之電荷 積聚區，該至少一個電絕緣區構成該分散媒介至少一部分 〇 6 .如申請專利範圍第3項之記錄媒介，其中該記錄 層具有一層表面上具有數個凹入部分作爲至少一個電絕緣 區之絕緣層，而且具有一種結構，以其中以所提數個電荷 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4^ ( 210X297公釐） -59 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •m 訂 線 479256 A8 B8 C8 ___D8 六、申請專利範圍 積聚區塡滿此等凹入部分。 7 ·如申請專利範圍第1項之記錄媒介，其中該第二 材料係一種根據照射彼之光強度非線性改變其導電性材料 〇 8 · —種記錄媒介，其包括： 一'種基材； 一層導電層，其覆蓋於該基材上； 一層光電導層’其覆蓋於該導電層，而且包含藉由吸 收光提高導電性之第二材料；以及 一層記錄層’其在該光電導層上形成，而且具有數個 電荷積聚區，其各包含可以積聚電荷之第一材料。 9 ·如申請專利範圍第8項之記錄媒介，其另外包括 一個電絕緣區，其使該等數個電荷積聚區彼此電絕緣。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之記錄媒介，其中該第 二材料係一種根據照射彼之光強度非線性改變其導電性材 料。 1 1 . 一種記錄媒介，其包括： 一種基材； 一層記錄層，其覆蓋該基材，而且具有數個電荷積聚 區，其各包含可以積聚電子之第一材料，以及一個光電導 區，其包含藉由吸收光提高導電性之第二材料。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之記錄媒介，其另外 包括： 一層導電層，其介於該基材與該記錄層之間；以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) Γ60 - ： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 479256 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一層絕緣層，其介於該導電層與該記錄層之間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之記錄媒介，其中該 第二材料係一種根據照射彼之光強度非線性改變其導電性 材料。 14.一種記錄裝置，其包括： 一個記錄媒介，其包括一種基材與一層記錄層，其覆 蓋該基材而且具有數個電荷積聚區之記錄層，各個電荷積 聚區均包含可以積聚電荷之第一材料；該記錄層另外包括 一個光電導區，其包含藉由吸收光提高導電性之第二材料 ;或者，該記錄媒介另外包括一層光電導層，其與該記錄 層接觸，而且具有該光電導區；以及 一個記錄頭，將之配置成面對該記錄媒介主要表面， 該記錄頭包括一個發光部分與一個電極，該發光部分朝該 記錄層發射光，該電極與該發光部分相鄰，而且用以將一 種電荷注入數個電荷積聚區中至少一者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之記錄裝置，其中該 發光部分發出一種近場光作爲該光。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之記錄裝置，其另外 包括一個複製頭，其配置成面對該記錄頭，並根據該等電 荷積聚區內所積聚之電荷量讀取資訊.。 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項之記錄裝置，其中該 記錄媒介具有一種層疊結構，該記錄層覆蓋在該基材上， 並且在該記錄層上形成光電導層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項之記錄裝置，其中該 本紙张尺度適用中國國家梯準（CNS )八4規格（210X：297公釐）-61 - 479256 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 記錄媒介另外包括一層導電層，而且具有一種結構，其中 該導電層覆蓋在該基材上，在該導電層上形成光電導層， 而且在該光電導層上形成該記錄層。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之記錄裝置，其中該 記錄媒介另外包括： 一層導電層，其介於該基材與該記錄層之間；以及 一層絕緣層，其介於該導電層與該記錄層之間。 2 0 . —種記錄資訊之記錄方法，其係將電荷注入一 個電荷積聚區進行記錄，該電荷積聚區包含可以積聚電荷 之第一材料，該方法包括步驟： 照射一光電導區，該光電導區配置成與該電荷積聚區 接觸，而且包含藉由吸收光提高導電性之第二材料；以及 經由該光電導區照光部分，將電荷注入該電荷積聚區 內0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 :tr . 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -62 -