TW419820B - Dram-cell arrangement and its production method - Google Patents

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4 1 ^ Ο ^ 〇 Α7 B7 經濟部中央標準局肩工消費合作社印装 五、發明説明 ( ) 1 1 1 本 發 明 傜 關 於 種 dram - K*D 単 胞 配 置 * 邸 9 動 態 随 機 存 1 1 1 取 記 億 m 單 胞 配 置 9 其 中 言己 億 m 單 胞 含 有 三 籲 m 晶 體 〇 1 在 DRAH- 單 胞 配 置 中 » @ 前 幾 乎 是 專 門 使 用 所 諝 單 一 /-V. 請 先 1 [ 電 晶 體 - 記 憶 體 單 胞 單 _ · 電 晶 醱 - 記 億 釅 單 胞 含 有 閲 讀， jk. I m m 擇 m 晶 m 和 一 館 記 億 钃 電 容 器 〇 資 訊 是 以 霣 荷 之 形 背 面 之 1 式 儲 存 在 記 億 體 電 容 器 中 * 其 中 霣 荷 是 表 示 邏 輯 值 0 或 注 意 1 I 1 經 由 宇 線 來 控 制 m 揮 窜 晶 體 » 刖 可 由 位 元 線 讀 出 資 Ύ 項 再 1 訊 〇 儲 存 在 記 億 體 電 容 器 中 之 η 荷 於 是 可 驅 動 位 元 線 0 填 寫 1 由 於 記 億 體 密 度 是 由 __- 桓 畤 代 至 另 一 侮 時 代 而 逐 m 增 頁 1 | 加 » 刖 單 一 鼋 晶 醱 - 記 億 m 單 胞 所 需 之 面 積 必 須 一 代 一 1 I 代 地 降 低 〇 瑄 樣 會 造 成 基 本 技 術 性 上 之 實 際 間 匾 0 例 如 1 1 記 憶 體 電 容 器 在 較 小 面 稹 之 單 一 電 晶 體 - 記 億 體 單 胞 之 ! if 情 況 下 仍 然 必 須 可 儲 存 —» 霍 最 小 數 量 之 電 荷 9 以 便 能 m 1 驅 動 位 元 练 4 [ 1 此 一 問 題 在 另 — 棰 DRAM - 單 胞 配 置 (其中使用所諝增益 1 1 m 單 胞 作 為 記 億 醱 單 胞 )中須避開》 此時資訊亦以電荷之 J 1 緣 1 形 式 儲 存 9 但 電 荷 不 必 直 接 驅 動 位 元 線 1 而 是 儲 存 在 電 晶 體 之 閘 搔 電 極 中 且 只 作 為 闥 棰 電 極 之 控 制 用 9 因 此 原 I 本 數 量 很 少 之 m 荷 即 已 足 夠 0 1 1 在 Η . Η e s h a ，i所 箸 之 1996 I ΕΕ Ε J. 0 f S 〇 1 id S t a t e 1 1 C i Γ C u i t s 9 Vo 1 . 3 1， N 0 · 3中 描 述 一 種 含 有 三 傾 電 晶 醴 1 [ 之 增 益 型 單 胞 〇 電 荷 儲 存 在 第 一 η 晶 釀 之 闥 棰 霣 m 中 〇 1 1 1 此 種 電 椅 之 儲 存 作 用 是 藉 助 於 第 二 電 晶 體 來 兀 成 0 第 一 電 晶 髑 之 闞 極 罨 極 是 舆 第 -3 電 晶 匾 之 第 源 棰 / 汲 極 匾 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) 4 彳 982 0 A7 B7 經濟部中央標準局員工消资合作社印製 五、發明説明（ > ) 1 1 相 連 接 且 第 二 電 晶 體 之 第 二 葱 極 / 汲 棰 區 是 舆 寫 入 用 1 1 I 之 位 元 線 相 建 接 〇 第 二 霄 晶 體 之 閘 極 電 極 是 由 寫 人 用 之 1 宇 線 所 控 制 以 便 進 行 儲 存 作 用 〇 電 椅 之 數 量 以 及 其 所 代 請 1 先 表 之 資 訊 (其傜儲存在第- -電晶體之閘極電極中）是 由 寫 閲 讀 I 入 用 之 位 元 線 上 之 電 壓 所 決 定 〇 資 訊 之 讀 出 是 藉 肋 於 第 背 1 I 之 電 晶 體 來 ti!n TG 成 〇 第 一 電 晶 體 之 第 二 源 m / 汲 極 區 是 與 注 意 1 事 ί 第 三 電 晶 體 之 第 —^- m 棰 / 汲 極 區 相 連 接 且 第 — 電 晶 體 之 項 再 t 第 二 源 m / 汲 極 匾 是 與 讀 出 用 之 位 元 線 相 連 接 〇 第 三 電 寫 本 I 晶 體 之 閘 棰 電 極 是 由 謓 出 用 之 字 線 所 控 制 以 便 進 行 讀 出 頁 1 1 過 程 〇 電 荷 之 數 量 及 其 所 代 表 之 資 訊 是 經 由 謓 出 用 之 位 1 1 元 線 而 被 讀 出 〇 1 1 本 發 明 之 目 的 是 提 供 種 DRAM 早 m 配 置 > 其 含 有 增 訂 益 型 〇〇 早 胞 (其分別具有三傕電晶體）以作 為 記 憶 JUK 腊 單 胞 且 1 能 以 特 別 高 之 封 裝 密 度 而 製 成 〇 此 外 > 本 發 明 亦 提 供 此 1 種 DRAM on m 胞 配 置 之 製 造 方 法 〇 1 I 上 述 的 是 緒 由 丰 請 専 利 範 圍 第 1 項 之 DRAM - 單 胞 配 1 1 置 來 逹 成 其 製 法 方 法 則 依 據 串 請 專 利 範 圍 第 9 項來逹 岐 1 成 本 發 明 之 其 它 構 造 敍 述 在 其 餘 之 袖 請 專 利 範 圍 中 〇 1 | 在 本 發 明 之 DRAM - 〇〇 単 胞 配 置 中 » 記 億 體 〇〇 早 胞 中 至 少 有 1 1 —* 電 晶 體 是 以 垂 直 式 電 晶 體 構 成 〇 記 億 體 cm 単 晦 之 所 有 三 1 I 傾 電 晶 體 都 是 以 垂 直 式 電 晶 體 構 成 是 有 利 的 這 曰 疋 因 為 I | 記 憶 體 單 胞 之 面 積 可 因 此 而 變 得 特 別 小 0 «1 1 本 發 明 之 領 域 包 括 ; 在 第 一 構 渠 和 第 二 構 渠^之邊 緣 形 成 上 述 之 三 個 電 晶 體 f 其 中 此 二 m 構 渠 基 本 上 是 互 相 平 1 I -4 1 1 1 本紙浪尺度適用中國K家橾準（CNS) A4規格（2丨OX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 五、發明説明 ( ) 1 1 行 的 〇 第 一 電 晶 體 閘 榷 電 極 (資訊儲存於其中） 能 舆 第 二 1 1 1 電 晶 體 之 第 一 源 極 / 汲 槿 匾 相 連 接 是 Μ 由 一 導 m 性 结 構 1 來 完 成 f 此 - 導 電 性 結 構 例 如 在 第 —* m 渠 内 部 是 和 第 二 讀 1 I 先 邊 緣 相 鄰 接 的 此 三 傾 電 晶 體 中 任 —«* m 都 不 是 形 成 在 第 閲 讀 1 一 邊 緣 上 〇 背 面 1 I 之 I 於 是 在 不 同 電 晶 體 之 相 鄰 的 由 第 一 導 電 型 所 摻 雜 之 源 意 古 1 I m / 汲 棰 區 之 間 沿 箸 第 一 溝 渠 和 第 二 溝 渠 之 邊 旗 不 會 有 Ψ 項 4 1 Ί I 電 流 流 動 在 這 些 雷 晶 體 間 之 第 _- 溝 渠 和 第 二 m 渠 之 邊 填 寫 1 本 Λ<~ I 緣 上 藉 由 傾 斜 式 之 植 入 作 用 可 産 生 高 接 雜 之 通 道 - 停 止 頁 'w 1 I - 區 〇 這 些 通 道 一 停 止 - 匾 是 以 和 第 一 導 電 型 相 反 之 第 1 1 二 導 電 型 來 進 行 摻 雜 〇 1 1 為 了 滅 小 記 億 體 DCS 単 胞 之 面 積 > 則 當 相 鄰 之 電 晶 體 (其在 1 ΐτ i 電 性 上 是 互 相 連 接 的 )互相叠合時是有利的Ρ 本 發 明 之 領 域 除 了 記 億 體 HCI 単 胞 之 m 電 晶 體 以 及 使 其 I 它 紐 件 (例如， 電容器） 積 體 化 於 記 憶 體 〇〇 早 胞 中 這 些 待 點 1 1 之 外 * 另 外 亦 涉 及 DRAM — 早 胞 配 置 各 種 性 質 之 改 良 〇 l i 由 於 漏 電 流 之故 資 訊 必 須 在 固 定 之 期 間 重新 寫 人 第 一 電 晶 體 之 閘 掻 m 極 0 為 了 增 大 此 種 期 間 1 則 各 記 億 I 體 單 胞 分 別 設 置 電 容 器 是 有 利 的 此 一 電 容 器 之 第 一 1 板 Η 是 與 第 電 晶 amt 腊 之 閘 極 電 m 相 連 接 0 1 1 本 發 明 以 下 將 依 據 顯 示 在 圖 式 中 之 實 施 例 作 詳 細 描 述 1 i 〇 圖 式 簡 BC3 単 說 明 如 下 : 1 第 1 圖 顥 示 第 一 基 體 之 表 面 t 其 14 分 成 第 一 區 和 第 二 ’ | 區 9 第 區 包 括 第 區 1 第 -5 區 包 括 第 四 區 基 體 中 會 1 I 1 i 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 1 9 82 Ο Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 4 ) 産 生 第 一 溝 渠 和 第 二 溝 渠 〇 第 2 a 圖 顔 示 一 種 沿 箸 第 一 匾 之 中 線 經 由 層 中 所 摻 雜 之 第 _- 基 體 所 顯 現 之 第 一 横 切 面 9 然 後 産 生 第 一 隔 m 請 先 層 第 一 溝 渠 9 第 二 溝 渠 » 第 —- 電 晶 醱 之 第 一 源 掻 / 汲 閲 讀 m 區 ， 第 二 電 晶 體 之 第 二 源 m / 汲 極 區 P 第 三 電 晶 體 之 背 ιέ 之 第 二 源 搔 / 汲 極 匾 $ 第 一 通 道 — 停 止 區 以 及 第 二 通 道 I 4 - 停 止 - 區 〇 事 項 1 1 第 2 b 圖 沿 箸 第 二 區 之 的 中 線 在 平 行 於 第 —«· 描 切 面 填 寫 ! 本 之 第 二 横 切 面 中 由 第 2 a圖 所 構 成 之 基 體 e ΐ 1 I 第 3 圖 由 第 2 b 圖 所 構 成 之 横 切 面 • 然 後 産 生 第 二 電 1 1 晶 體 之 第 一 源 棰 / 汲 極 m > 第 三 電 晶 醴 之 第 一 源 棰 / 汲 I ί 搔 區 9 第 _. 電晶體之第二源極/ 汲掻區， 閘棰介電質， ! 訂 第 一 電 晶 體 之 閛 棰 電 槿 * 第 二 電 晶 體 之 閘 棰 電 棰 以 及 第 1 zr 電 晶 體 之 閛 掻 電 極 〇 1 第 4 圓 由 第 2 a . 圖 所 構 成 之 横 切 面 然 後 産 生 第 二 電 1 1 晶 體 之 第 一 源 棰 / 汲 m 區 第 三 電 晶 體 之 第 一 源 棰 / 汲 1 1 棰 區 第 一 電 晶 體 之 第 二 Μ 極 / 汲 棰 匾 9 閛 棰 介 電 質 9 | 第 一 閘 極 電 極 第 二 電 晶 體 之 閘 極 電 極 > 第 三 電 晶 醱 之 1 I 闊 捶 電 槿 9 第 一 隔 離 結 構 以 及 第 二 隔 離 結 構 〇 1 1 第 5 圖 由 第 4 圖 所 構 成 之 横 切 面 » 然 後 産 生 導 電 性 結 1 | 構 t 其 使 第 —· 電 晶 體 之 閘 榷 電 極 能 與 第 二 電 晶 體 之 第 . I J 源 極 / 汲 極 區 相 連 接 〇 1 第 6 圖 由 第 5 圖 所 構 成 之 横 切 面 % 然 後 産 生 位 元 線 以 1 及 位 元 線 之 接 觸 區 〇 -6 - ! 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4規格（210X297公釐） 4 1 9 82 Ο υ Α7 Β7 五、發明説明（^ ) 第7圖顯示一種經由一層中所接雜之第二基體所顯現 之横切面，其類似於第2圏中之横切面，然後植入第一 匾且沈稍第一隔離層，導罨層以及第二隔離層β 第8圓由第7匾所構成之横切而，然後産生第一溝渠， 第二溝渠，第一電晶之第一源極/汲極區，第二電晶體之 第二源棰/汲極匾，第三電晶體之第二源棰/汲極匾，通 道-停止-匾，第二電晶體之第一源棰/汲捶區，第三 電晶體之第一源榷/汲掻匾，第一電晶體之第二源摧/汲 極匾，閘極介罨質，第一電晶體之閘搔電棰，第二電晶 體之閘極電樯，第三電晶體之閘搔電掻以及第一隔離結 構。 第9圖由第8圖所構成之横切面，然後産生第二隔離 結構以及導電结構。 第lfl圏顯示一種經由第三基體所顯現之横切面，其類 似於第2 圖中之横切面，然後産生第一隔離層，導電 層以及以Si02埔入之第一溝渠和第二溝渠。 第11匾由第1〇_所構成之横切面，隨後産生凹口。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第12圖在製成DRAM-單胞配置之後經由第四基體所顯 現之橫切面，其類似於第6圖中之横切面，DRAM-單胞 配置之記億體單胞分別含有三個垂直式電晶體以及一倨 電容器。 依據第一實施例，由矽所構成之第一基體1須P-摻雜 成含有一層厚度大約為2；ue且與第一基體1之表面0相 郯接之層S ^摻雜物質之濃度大約是10 表而0 -7 - 本紙張九度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '419 82 0 v A7 B7五、發明説明（b ) 種 區一 η 是 第Β2 和區 Β 二 區第 一 和 第Β1 括區 包一 第 閲 參 請 /1" 2 為 約 大 度 寛 第之互 f 是 ί ^ 2 圖5 i 圓 第式 。形 三 第 2 -Β 之 區形 二方 第長 5 括 Β 包 區Β1 一 匾 第一 〇 第 伸 〇 延接 而鄰 行相 平互 相且 互置 且配 itη·ϋ 地 CE3 替 - Μ交Β3 條相區 度 -,¾ Ϊ 第 5 寬 2 之 } 2 是 約 大 0 " 的一 Λί鄰第 ).5相之 }之鄰 1 目 B if 區 ο 是 約 長一二B 且 第區 之鄰 3 1 B 相 點第 中的 閲 參 請 Μ 大 ttff 距 的 間 圖 1 是 第約 小 最 的 間 之 3 B 匾 三 中 圖 於 示 顯 未 y(«- 罩 遮 阻 光 1 第 於 助 藉 0 η 是 約 大 離 距 4 η Β ο I 5 區 1 四約 第大 之楢二 5 生 0.産 為式 約方 大入 度植 寬由 且藉 可 1 則 為 ， 約丨 大 度 長 蓋 覆 其

鬪 1 0 閲 參 -IB 雜是 摻B4 η-區 之四 0^0 2 Bit 閲 參 請 和 圖 6 區 雜 第10 的 X 間 5 a之是 3 I B 約 區大 三度 第濃 在質 G 置物 匾配雜 摻 之 圖 b 之 2 B 匾 之摻 述 。 上部 , 内 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在表面0上沈積一層由Si02所構成之第一隔離層si且 藉助於第二光阻進罩（未顯示於圖中）以非等向性之蝕刻 方式對第一隔離層S1進行結構化 <請參閲第2a圖和第2b 圃）。CHF3+ 02例如睡合作為蝕刻劑β藉由選擇性地 對Si02進行矽之非等向性蝕刻，則可産生第一溝渠G1和 第二溝渠82{請參閲第2a圖和第2b圖），溝渠61和62 是垂直於第一區B1和第二區B2而互相平行地延伸β已结 構化之第一隔離層S1可作為遮罩。HBrF適合作為蝕刻劑 〇第一溝渠G1和第二溝渠G2大約是0.6；um深，〇.5/<·寛 以及50G#ii長且互相交替地配置箸。第一溝渠G1之中央 線和第三區B3之中央之間的最短距離以及第二溝渠6 2之 -8 - -----------，衣-------訂—^-----』線I. ' y - (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 - 4 1 982 Ο 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中央線和第三匾B3之中央之間的最短距雔大約是625na (奈米E域G在第三匾B3内部所剩下之部份適合用作 第二電晶體之第二源棰/汲極區2S/D2且同時可用作第三 電晶體之第二獠極/汲極區3S/D2。匾域G在第三區B3之 間的第一區B1内部所剩下之部份適合用作第一電晶體之 第一源搔/汲極匾1S/D1。區域G在第二區B2内部所剩下 之部份使沿著第二溝渠G2而相鄰之第一電晶體的第一猓 極/汲掻匾1S/D1互相連接。 藉肋於第三光阻遮罩（其覆蓋第一匾Β1以及第一溝渠G1) ,則藉由植入法可産生Ρ-摻雜之第一通道-停止-區C1 (請參閲第2a匾）。此種植入法偽以傾斜方式進行，使 得第一通道-停止-匾C1鄰接於第一溝渠G1之第二邊緣 1F2且鄰接於第二溝渠G2第一邊緣2F1之存在於第二區B2 内部之部份。在第一溝渠G1之第二邊緣上以及在第二溝 渠G2之第一邊緣上第一通道-停止-區C1之寬度大約是 iOOn·。第一通道-停止-區C1之摻雜物質濃度大約是 1 0 19 c II 3 0 經消部中央標準扃员工消介合作社印裝 赭肋於第四光阻遮罩（未示於圃中，其未覆蓋第二區B2 )，則藉由植入法可産生（P—摻雜之第二通道-停止-區 C 2 (請參閱第2b圖）。此種植入法傜以傾斜方式進行，使 得第二通道-停止-區C2鄰接於第一溝渠G1之第一邊緣 1F1且鄰接於第二溝渠G2之第二邊緣2F2。在第一溝渠G1 之第一邊緣1F1上以及第二溝渠G2之第二邊緣2F2上第二 通道-停止-區C2之寛度大約是c*3 9 藉肋於第五光咀遮罩（未示出，其覆蓋第二區B2),則 藉由植入法可産生第二電晶體之舆第一溝渠G1底部相鄰 接之第一潁楢/汲楱匾2S/D1以及産生第Ξ電晶體之與第 '__:_^_ 本紙張尺度迸用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297々i"l 經：欢部中次榡率局员^消资合作社印^ 4 1 9 8 2 Ο^ ΑΊ ____ Β7 ---------- -------…… _____ 五、發明説明Μ ) 二嫌渠G2底部相郯接之第一源極/汲極區3S/D1(其同時 也楚第一電晶體之第二源極/汲極區1S/D2，謓參間第4 麵）。随後所進行之RTp_方法可驅動第二電晶體之第一源 搔/汲極匾2S/D1之摻雜物質以及第三電晶醴之第一療極 /圾棰區3S/D1之摻雜物質〇第二霄晶體之第一顴槿/汲 槿匾2S/D1以及第三雷晶臞之第一源極/汲極® 3S/D1是 η~摻雜的且摻雜物質濃度大約是5 xl〇2〇c·3· 轉由熱氣化作用來産生閘槿介電質Gd，其覆蓋第一溝 渠61之第一邊線1F1，第二邊緣1F2和底部且覆蓋第二溝 蕖G2之第一邊綠1F2,第二邊線2F2和底部（請參閲第3 圖）。 然後沈積厚度大約為15 0nn之摻雜的多晶矽且進行回蝕 刻，使得在第一溝渠61和第二溝渠G2之邊緣上産生間隔 物（spacer,請參閲第3、4圖）。C2Pe+〇2例如適合作 為蝕刻劑。在第一溝渠G1之第一邊緣1F1上之間隔物可作 為寫入用之字線WS。在第二溝渠G2之第一邊绨2F1上之間 隔物可作為謓出用之字線間隔物之第一部份（其配置 在第一區B1之内部旦和第二溝渠G2之第二邊终2F2相鄰接 )作為第一電閘極笛棰Gal。寫入用之宇線》fS之配置在第一 區ΙΠ内部之此一部份是作為第二電晶體之閘極霄極6a2。 讀出用之字線W A之配置在第一匾B1内部之此一部份是作 為第三電晶塍之閘棰電極Ga3e藉肋於第六光阻遮單（未 示於圖中，其在第二匾B2中未S蓋第一溝渠61之第二邊 緣1F2以及第二溝渠G2之第二邊線2F2),則藉由多晶矽之 蝕刻可去除間隔物之第二部份，使得閛栴電極Sal可和沿 箸第二溝渠G2而柑鄰接之第一電晶賭互相隔離（鯖參間*第 3、4麵）。和第一通道-停止-匾C1以及第二通道-停止 ___ __丄 Q·:__ 本紙张尺度適用中國园家標準（CNS ) 格（210X 297公釐） (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁，)

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、1T 經濟.砰中夾榡準局貝二消费合作社印^ 4 1 9 82 0 五、發明説明（9 ) -匾C2相鄰接之間隔物由於第一 5S道-停止-MCI和第 二通道-停止-區C2較高之摻雜物質綦度而不會在第一 通道停止-匾C2C1和第二通道-停止-區C2 Φ ®生通道電流。相鄰之第二電晶體 之通道匾以及相鄰之第三電晶體之通道區於是可互相隔 離。 為了形成第一隔離結構II,則第一溝渠G1和第二溝渠 G2須填入Si02 ,其中先沈積Si〇2 ,然後再進行等向性 之回轴刻（請參閲第4圈）〇

Si02沈積之厚度大約是25Gni且随後_助於第七光阻 遮箪（未示於圜中，其在第一區B1内部中未覆蓋第一溝渠 G1之第二邊绨1F2以及第二溝渠G2之第二邊線2F2)來進行 蝕刻，於是産生第二隔離結構12(請參閲第4團>。 然後藉肋於第八光阻遮罩（未示於圃中，其在第一區B1 内部中未覆蓋第一溝渠G1之第二邊緣1F2)首先以例如 C2 F6 +02對多晶矽進行牲刻，然後例如以CHF3 +〇2對 3102進行蝕刻，使得在第一溝渠G1之第二邊銻1F2上之 間隔物被去除且露出第一溝渠G1之底部的一部份。 然後沈積厚度大約是150η·之摻雜的多晶矽。_助於第 九光阻疲罩（未示於圖中，其在第一區Β1中覆蓋第一溝渠 61之第二邊緣1F2以及第二溝渠G2之第二邊緣2F2)對多晶 矽進行蝕刻，於是産生一種具有水平成份Lh和垂直成份 LV之導電結構L ，其可將第一電晶體之閛棰電SGal連接 至第二電體之相關的第一源極/汲搔區2S/D1(請參閲第 5圖}。 随後産生第三隔離結構13,其中須沈積厚度大約是 500η*之Si02且藉助於第十光阻遮箪（未示出，其未覆蓋 第三1SB3)夾准行轴划亩荃笛二菹基_夕隹二Μ堪/淋 本紙张尺度迸用中囷囤家標準（CNS ) Λ4現格（210X297公釐> -11- yt. --：-------)------訂——^-----.^-. ---- - * (請先閱讀背面之注項再填寫本I·) 4 1 982 Ο Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 Ί 匾 3S/D 2之- -部份露出為止（諸 參閲 第6 圖 )〇 然後例如沈 1 1 I 積 一 層 m 且 進 行 回 站 刻 9 於 是 可形 成即 將 産 生 之位 元線 1 j Β 所 裔 之 接 觸 匾 Κ 1 〇 SF 6 例 如 適合 作為 蝕 刻 m 。位 元線 請 1 1 先 Β 是 條 形 的 且 垂 直 於 寫 入 用 之 字線 WS和 讀 出 用 之宇 線HA 閱· 讀 1 .背 1 而 互 相 平 行 地 延 伸 〇 面 I 之· 1 I 為 了 産 生 位 元 線 B, 首先須沈積〜 -層鋁， 然後藉助於第 注 意 1 1 事 1 十 - 光 姐 遮 罩 (未示於圖中， 其未覆蓋第二區S 2 >來 進行 項 再 ί I 結 構 化 {參考第6 m )〇 填 寫 .本 1 在 第 二 實 施 例 中 t 由 矽 所 構 成之 第二 基 am 歴 1 ' 須P- 摻雜 頁 、_ 1 1 成 含 有 一 層 厚 度 大 約 為 2 μ η 且 與第 二基 體 ί · 之 表面 0 相 1 1 1 鄰 接 之 層 S ' 〇 摻 雜 物 質 之 濃 度 大約 是10 17 C通-3 〇類 似於 1 1 第 一 實 施 例 第 二 基 體 1 ' 之 表 面0 包括 第 區 和第 二匾。 訂 1 1 類 似 於 第 一 實 施 例 第 一 區 包 栝第 三區 且 第 二 匾包 括第 四 區 〇 就 像 第 一 實 施 例 一 樣 ί 藉由 植入 法 可 産 生一 種深 1 度 大 約 是 1 5 On m之η -摻雜區G < 0 随後沈稹- -層厚度大約是 1 1 15 On β之由s i 0 2 構 成 之 第 一 隔 離層 S 1、 其上沈積- -層 [ I 由 多 晶 矽 所 搶 稱 成 之 導 電 層 S L 1 其上再沈積- -層厚度大約 線 1 是 20 0 η β之由S ί 0 2 構 成 之 第 二 隔離 層S2 '( 請 參 閲第 7圖）〇 I 然 後 就 像 第 實 施 例 一 樣 産 生第 一溝 渠 G 1 • * 第二溝渠 1 1 G2 量 » 第- -電晶體之第- -源棰/ 汲槿區1 S /D 1 t I 第三電晶 1 I 體 之 第 二 源 極 / 汲 m 區 3S /D2 ' 以及 第二 電 晶 體 之第 二源 1 I 極 / 汲 極 區 2S/D2' 0 然 後 m 由 選擇 性地 對 矽 來 進行 S io 2 1 之 蝕 刻 以 便 去 除 第 二 隔 離 層 SZ '之其餘部份β 然後就像第 1 '1 一 實 施 例 一 樣 産 生 第 一 通 道 - 停止 -匾 C 1 f 第二通道- - 1 1 -1 2- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29?公釐） 4 1 982 Ο Α7 Β7五、發明説明（Η ) 停止-匾C2',第二電晶體之第一源極/汲棰匾2S/D1、 第三電晶體之第一源搔/汲棰區3S/D1·,第一電晶體之 第二源槿/汲極區1S/D2’，闕棰介電質Gd_,第一電晶釀 之閛棰電棰Gal'第二電晶體之閘棰電極Ga2',第三電 晶體之閘極電棰<5a3',寫入用之宇線以及謫出用之字線 。就像第一實施例一樣，閘極電極Gar藉助於第六光阻 遮罩而與沿箸第二溝渠62'相鄰之第一電晶體互相隔離β 就像第一實施例一樣，然後第一溝渠Gl和第二溝渠G2_ 以Si02構成之第一隔離結構II’填入。藉肋於十二光阻 遮罩（未示於圖中，其在第一區中覆蓋第一溝渠G1’之第 二邊緣以及第第二溝渠G2’之第二邊緣），則可選擇性地 對Si02來進行多晶矽之蝕刻（請參閲第8圖）。然後産生 第二隔離結構12‘，其中須沈積Si02且g肋於第十三光 阻遮罩{未示於圍中，其在第一區中未覆蓋第一溝渠6厂 之第二邊線）來對Si02進行蝕刻直至導電層SL’之一部份 露出為止。然後對多晶矽進行蝕刻，再對Si02進行蝕刻 ，使第一溝渠Gl_底部之一部分露出。然後沈積厚度大約 為250ηΒ之摻雜的多晶矽且進行回蝕刻，於是産生一種具 有水平成份Lh'和垂直成份Lv'之導電結構L_,其可將第 一霄晶體之閘極電極Gal’連接至第二電晶體之第一源棰 /汲搔區2S/D1'(請參閲第9圖）β 就像第一實施例一樣，然後産生第三隔離結構，位元 線以及位元線之第一接觭匾。 在第三實施例中，由矽所構成之第三基醱1"須Ρ-摻雜 -1 3 - -----.----,------ίτ·------绛' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適州中國囤家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） 4(9 82 0 'Η A7 B7五、發明説明（ 相第 ο 像 商就 表。 之-3 η Β n c 體17 基10 三是 第约 與大 且度 V 2 之 為質 約物 大雜 度接 厚 〇 層s' 一 層 有之 含接 成鄰 包由 匾藉 一 下 第況 ; 情 區之 二罩 第遮 和霈 區不 一 ο 第匾 括四 包第 0"括 面包 表區 ,二 樣第 一 且 例區 施三 實第 1 括 類層成 後離構 然隔 2 ο 一10 Μ 1Ϊ CS 第 匾之 雜成 摻構 - η 2 之10 m S on由 15層 為一 約生 大産 度樣 深一 種例 一 施 生實 産二 法第 入於 植似 層 0 隔)<, 二圖 1st ο 每 1 之第 ! 2 由 G 層渠 1 溝,二 L·'第 S , i 及 0 ,, IMK- 1 G 導渠 之溝 成一 構第 矽 , 晶 2 多 由 層 閲 參 謫 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然後須沈積Si02且進行商蝕刻，於是在第一溝渠和第 二溝渠中填入Si〇2 (請參閲第10圓）。藉肋於第十三光阻 遮單（其未覆蓋第四區）首先對Si02進行蝕刻，然後再對 多晶矽蝕刻，然後再蝕刻Si〇2，使表面之一部份露出》 去除第十三光阻遮罩。然後産生一些凹口，於此選擇性 地對Si02進行矽之蝕刻直至深度大約為3 0 0 HI為止。區 域G"之其餘部份滴合作為第二電晶體之第二源極/汲極 區，第三電晶體之第二源極/汲極區以及第一電晶體之 第一源棟/汲極區。然後對Si02進行鈾刻，使第一溝渠 Gl_'及第二溝渠G2”之邊緣和底部裸露出來。 然後就像第二實施例一樣産生第一通道-停止-區， 第二通道-停止-區，第三電晶體之第一源棰/汲極區 ，第一電晶體之第二源極/汲棰匾，第二電晶體之第一 源極/汲極區，閘極電介質，第一電晶體之閘搔電極， 第二電晶體之閘極電極以及第二電晶體之閘搔電極。藉 -14- -----------_ %-------訂 I L-----^ 1. r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） 經漭部中次標準局負工消资合作社印犁 4 19 82 0 A7 B7五、發明説明（< ) 助於第+四光阻遮罩（其在第二匾中未覆蓋第一溝渠之第 二邊鋒和第二溝渠之第二邊緣且未覆蓋第三匾以及未覆 蓋第四區之一部份）而對多晶矽進行蝕刻，於是閘極電棰 與沿箸第二溝渠而相鄰接之第一電晶體互相隔離且第二 源棰-汲極區與沿著第二構渠而相鄰接之第二電晶體互 相隔離》 然後類似於第二實施例而産生導電結構，位元線以及 位元線之第一接觸區。 在此三個實施例之記億醱單胞中可設置電容器，這將 在第四實施例中說明，就像第一實施例一樣，須産生第 一溝渠，第二溝渠G1** ,第一電晶體之第一源極/ 汲掻匾1S/D1* ,第三電晶體之第二源棰/汲棰區3S/D2* ，第二電晶體之第二源極/汲棰區2S/D2·，第一通道-停止-匾C1·，第二通道-停止-匾，第二電晶體之第 一源槿/汲極區2S/D1* ，第三電晶體之第一源極/汲搔 區3S/D1"，第一電晶髑之第二源棰/汲棰區1S/D2* ， 閘極介電質G d ·，第一電晶體之閛棰電掻G a 1 ·，第二電 晶體之閘®電極Ga2* ，第三電晶體之閛棰電棰Ga3* ， " kj (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 第 * V ， L * 份 1A I 成 構 結 離和 隔· lLh 第份 ， 成 線平 宇水 之有 用具 出及 讓以 線12*1 字播構 之結結 rm 隹 1— 月 入隔導 寫二之 i 2 s s 由層 藉離 後隔 然 一 生 産 來 積 沈 之 大 度 厚 層 罩 遮 阻 光 五 十 第 於 肋 0 之Ρ > 中 on圖 3 於 為示 約未 第 於L*第 位構於 蓋結位 覆電至· 未導直 其之刻

極 源 1 第 之 體 晶 1 jJSDT 份 成 平 水 之 部 之 進 汲來 \1/ "份 極 汲 / 極 源 1 第 之 0 晶 i ιρν 匾行1S 捶進匾 上蝕之 * 之上 本紙张X度遍州中SS家樣4*. ( CNS ) Μ規格（210Χ297公嫠） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 1 9 82 0 ‘ α7 Β7 五、發明説明（4 ) 導電結構L**之水平成份Lh**之部份露出為止。然後産生 此種邸将産生之第一電容器板片P1·之第二接觸區K2· ,其中須沈積例如鎢且進行回蝕刻。 隨後例如沈積厚度大約為2〇βηπι之鉑。藉助於第十六光 咀遮罩（未示於画中，其在第一匾内部未覆蓋位於第二電 晶體之第二源梅/汲極區2S/D2*上方以及第三電晶體之 第二源極/汲捶匾3S/D2"上方之第二隔離層S2*之部份 >例如以Ci2+02來對鉑進行蝕刻，於是産生第一電容器 板 Η P1"。 然後沈積厚度大約為2〇η*之餌缌鈦酸迤，其上再沈積 厚度大約是200n e之鉑〇 g助於第十七光阻遮罩（未示於 圏中，其未覆蓋此種平行於第一溝渠而延伸且配置在邸 將産生之第一接觸匾Kle之間的條形區，這些條形區包 括第一電容器板HPle ),則例如以Cl2+02同時對鉑和 鋇锶鈦酸塩進行蝕刻，於是産生第二電容器板HP2*和 電容器介電質Kde 。 然後就像第一實施例一樣産生第三隔離結構13* ,位 元線B*之第一接觭ΕΚ”以及位元線B"。 上述實施例之許多受型是可想像得到的，這些變型同 樣是在本發明之領域中。特別是上述各層，區域以及溝 渠之大小可依各別之需求進行調整。同樣情況亦可適用 於所建議之摻雜物質濃度。由3102所構成之各結溝和各 層特別是可藉由熱氧化作用或沈積方法而産生。多晶矽 可在沈積期間或沈積之後進行摻雜e若不用摻雜之多晶 -1 6 - ： > ------17--1-----練 τ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中困K家梯準（CNS > A4規格（210X297公釐） 4 19 820.4 A7 B7 五、發明説明（^ ) 矽，則例如亦可使用金鼷矽化物及/或金屬。具有高的 介電常數之介電質適合作為電容器介電質之材料，例如 SI之 OV積 er沈 p J ί 已 礦對 钛不 鈣若 機 學 化 用 使 可 亦 則 刻 蝕 回 行 進 蝕 行 進 再 地 撖 輕 後。 随構 且結 構電 結導 離生 隔産 一 於 第用 生適 産亦 來況 法情 光樣 抛同 式 0 械刻 (請先閱讀背面之注意Ϋ.項再填寫本頁) T '-° 魄 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4 1 9 82 0 a A7 B7 五、發明説明（a ) 1 , 1 Μ ", 1 * 11,11' ,11* I 2 , I 2 ' , I Ζ ** 13,13* … S 1 , S 1 ' , S 1 * S 2 , S2 _，S2 * G , G 1 , G ".... .....基髏 .....第一隔離結構 .....第二隔離结構 .第三隔離結構 .....第一隔離層 .....第二隔離層 .區域 表面 ——第一溝渠 ——第二溝渠 .導電結構 G 1 , G ] M , G 1 * G 2 , G 2 " , G 2 * L , I, r , L * .. V.....凹口 B , B * .....位元線 S，S，，S ”，S * .....層 WA.....讀出用之宇線 WS.....寫入用之字線 K 1 , K 1 K 2 , K 2 * . G d , G d 1 , G d 第一接觸區 第二接觸匾 ——閘極介電質 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 -1 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐>

Claims (1)

1. “19 82 0 ： ui 第87 107706號"DRAM-單胞配置及其製造方法”專利案 87年8月修正 申請專利範圍

   Mi 煩請委Μ明 ,Μ... 绫齊郎 tit瞟合咋it^lt 1 ·一種DRAM-犟胞配置，其 -具有記億醵單胞，其含有第一霉晶體，第二霣晶饉 和第三霄晶體， -第一電晶體之鬧極電極（6al)是與第二電晶體之第一 源槿/汲棰區（2S/D1)相連接， -第二電晶體之第二源棰/汲掻區（2S/D2)是輿寫入用 之位元線（B )相連接· -第二電晶薛之閘極電極（Ga2)是舆寫人用之宇線（WS) 相建接， -第三電晶醭之閘搔電榷（Ga3)是舆讀出用之宇線UA) 相連接， -第一電晶體之第二源棰/汲極區US/D2)是與第三電 晶體之第一源極/汲棰區（3S/D1>相連接， -第三電晶髏之第二源® /汲掻匾（3S/D2)是與讀出用 之位元線（B>相連接，此種DRAH-單胞配置之待撤為 -第一電晶體，第二電晶體和第三電晶體是垂直式 NOS-電晶醱。 2.如申請專利範圍第1項之DRAM-單胞配置，其中 -由半導醱材料所構成之基體（1)中已存在之第一溝蕖 (G1)之第一邊緣設有閘棰介電質（Gd), -第二溝渠（Ga2)之第一邊绨設有閛搔介電質（Gd), -第一溝渠（G1)和第二溝渠（G2)基本上是平行地延伸 著， -寫入用之字線（WS)沿著第一溝蕖（G1)而延伸， -讀出用之宇線（WA)沿箸第二溝渠（G2)而延伸， -第二罨晶體之閘摧電極（Ga2)在第—溝渠（G1)内部是 -1 9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規淋（2丨0X297公釐） ---^---:------V— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 4 1 9 82 Ο Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 舆第一溝渠（Gl>之第一邊緣（1F1)相鄰接， -第三電晶體之閛棰電極（Ga3)在第二溝渠（G2)内部是 與第二溝渠（G2)之第一邊緣<2F1)相鄰接。 3. 如申請專利範圍第2項之DRAM-單胞配置，其中 -第二電晶體之第一源掻/汲棰匾（2S/D1)是輿第一溝 渠U1)之底部相鄰接， -第三電晶體之第一源極/汲搔匾（3S/D1)是與第二溝 渠（G2)之底部相鄰接， -第二電晶體之第二獠掻/汲極區（2S/D2)是與第一溝 渠（G1)之第一邊緣（1F1)相鄰接， -第三電晶體之第二源搔/汲掻區（3S/D2)在側面上是 舆第二溝渠（G2>之第一邊综（2F1)相鄰接， -寫入用之位元線（B)和讓出用之位元線（B)是垂直於 寫入用之字線（WS)和讀出用之字線UA)而延伸， -寫入用之立元線<B)是配置於第二電晶體之第一源棰 /汲極區（2S/D1)上方，讀出用之位元線（B)是配置 於第三電晶體之第一源^極/汲搔匾（3S/D1)上方β 4. 如申諳專利範圍第3項之DRAM-單胞配置，其中 -第一電晶體之閘極電極（Gal)是與第二溝渠（G2)之第 二邊緣（2F2)柑鄰接且是配置在第二溝渠（G2)之内部， -第二溝渠（G2)之第二邊緣（2F2)設有閛極介電質（Gd)， -第三電晶體之第一源棰/汲榷區（3S/D1)是與第一電 晶體之第二源榷/汲極區（1S/D2)相《合， -第一電晶體之第一源極/汲檳區（1S/D1)在倒面上是 -2 0- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中囷國家楳準（CNS ) A4泥格（2丨OX”7公釐） ο 2 8 9 1H 4 ABCD 々、申請專利範圍 與第二溝渠（G2)之第二邊絲（2F2)相鄰接， -第一電晶體之閛棰電棰（Sal)經由導電结構（L)而與 第二電晶體之第一獠棰/汲榷區（2S/D1)相連接， -導電結構U)含有一箱水平成份（Lh)和一值垂直成份 (L v ), -水平成扮（Lh)gg置在第一隔離層（S1)之第一部份上 方，而該第一部份是配置於第一電晶體之第一源檳 /汲極區（1S/D1)上方， -垂直成份（Lv)是與第一溝渠（G1)之第二邊緣（1F2)相 鄰接且是配置於第一溝渠（61)内部， -讀出用之位元線（B)是與寫入用之位元線（B)相疊合β 5.如申請專利範圍第4項之DRAH-單胞配置，其中 -第一電晶體之第一源榷/汲極區（1S/DU在倒面上是 與第一溝渠（G1)之第二邊緣（1F2)相鄰接， -第一電晶體之第一源搔/汲極區（1S/D1),第一電晶 體之第二源極/汲棰區（1S/D2),第二電晶體之第一’ 源掻/汲極區（2S/D1),第二電晶體之第二鳔極/汲 搔匾（2S/D2),第三電晶體之第一源極/汲棰區（3S/D1) 以及第三電晶體之第二源棰/汲極區（3S/D2)是以第 一種導電型式來摻雜， -舆基體（1)之表面（0)相鄰接之層（S>中基體（1)是以 和第一種導電型式相反之第二種導電型式來摻雜， -層（S)具有一種第一摻雜物質接度， -第一通道-停止-匾（C1)是舆第一溝渠（G1)之第二 邊緣相鄰接且是配置在基醴U)中， -第一溝渠（G1)之第二邊綠設有閛棰介電質（Gd), -2 1- I— I 1^1 1^1 I i 4 .Mj/ I -- — I - i —— \-* _ . K (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣隼（CNS ) A4現格（2丨0X297公釐） ο 2 8 1— 4 ABCD 六、申請專利範圍 -第一通道-停止-匾（C1)是以第二種導電型式來摻 雜且具有第二摻雜物質濃度，其較第一摻雜物質濃 度理高。 6. 如申請専利範圍第1至第5項中任一項之DRAM-單胞 配置，其中第二電晶體之相鄰的第二源搔/汲槿區 (2S/D2)以及第三電晶體之相鄰的第二源棰/汲棰匾 (3S/D2)分別藉由一以隔離材料填入之凹口而互相隔離β 7. 如申謫専利範圍第1至第5項中任一項之DRAK-單胞 配置，其中 -各記億體單胞分別含有一 g電容器， -該電容器含有一個第一電容器板片（Ρ1β ), —籲第 二電容器板片（Ρ2-)以及一種介於第一電容器板片 和第二電容器板片之間的電容器介電質<Kd· >, -第一罨容器板片（P1")是與第一電晶體之第一源棰 /汲ffi匾（1S/D1· >相連接。 8. 如申請專利範圍第7項之DRAM-單胞配置，其中 -第一電容器板H(ple >是經由第二接觸區（K2- >而 舆第一電晶體之第一源榷/汲ffi匾（lS/Dl» )相連接 且是配置於第一電晶體之第一源極/汲掻區（1S/D1-) 上方， -第二電容器板片（Ρ2β >是配置於第一電容器板Η(Ρ1β ) 上方以及位元線（Ββ >下方， -第二電容器板Η(Ρ2β >是與沿箸第一溝渠（G1** )而 相鄰之各電容器相連接。 9. 一種DRAM-單胞配置之製造方法，其待擞為： -須産生記億體單胞，其含有一餡第一電晶體，一館 第二霄晶體以及一值第三霜晶體， -22- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ΛΙ格（210X297公釐） _ ‘ 於 訂r. Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 1^ 82 0 eg D8 六、申請專利範圍 -須産生寫入用之宇線（WS)和讀出用之宇狳（WA>以及 産生一種舆寫入用之宇線（WS)和饋出用之宇線（WA) 相垂直之寫入用之位元線（B)和黷出用之位元線（B), -須産生閛棰電捶，第一葱搔/汲榷區以及第二海榷 /汲棰區， -第一電晶體之蘭極電捶（GaU是舆第二電晶體之第一 源榷/汲梅匾（2S/D1)相連接， -第二電晶體之第二源《 /汲掻匾（2S/D2)是輿寫入用 之位元線（B )相連接， -第二電晶醱之闞掻電棰（Ga2)是與寫入用之字線<WS) 柑連接， -第三電晶體之閘棰電棰（Ga3)是舆讀出用之宇線UA) 柑連接， -第一電晶體之第二源棰/汲槿區（lS/i)2)是與第三電 晶體之第一源棰/汲棰區<3S/D1)相連接， -第三電晶體之第二源搔/汲棰匾（3S/D2)是舆讀出用 之位元線（B)相連接， -第一電晶體，第二霣晶體以及第三電晶體是以垂直 式電晶體構成》 10.如申_專利範圍第9項之方法，其中 -在基皚（1)中須産生第一溝渠（G1)和第二溝渠（62)， 此二傾溝渠基本上是互相平行而延伸， -第一溝渠（GU之第一邊線（1F1)和第二溝渠（G2)之第 一邊綠（2F1)設有閘極介電質Ud)， •第二電晶鱧之閘棰電極（Ga2)在第一》渠（61)内部中 構成間隔物（spacer)而鄰接於第一溝渠（G1)之第一 -23- --：---:-----^ ^-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、17 r 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CNS > A4現格（210X297公釐) 4 1 9 82 Ο 4 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 邊緣（1F1 > , -寫入用之宇線（WS)沿著第一溝渠（G1)而延伸， -第三電晶體之閘極電榷（Ga3)在第二溝渠（G2)内部中 _成間隔物（spacer)而郯接於第二溝渠（G2)之第一 邊箨（2F1)， -讀出用之宇線（WA)沿著第二溝渠（G2>而延伸。 11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中 -須産生第二電晶體之第一源極/汲棰區（2S/D1),使 其鄰接於第一溝渠（G1)之底部， -須産生第三電晶體之第一源極/汲棰區（3S/D1)，使 其鄰接於第二溝磨（G2)之底部， -須産生第二電晶體之第二源棰/汲搔區（2S/D2)，使 其在側面上郯接於第一溝渠（G1)之第一邊緣（1F1), -須産生第三電晶體之第二源極/汲搔區（3S/D2),使 其在Μ面上鄰接於第二溝渠（G2)之第一邊絲（2F1), -須産生寫人用之位元線（Β>和讀出用之位元線（Β), 使.其垂直於寫入用之宇線（WS)和謓出用之字線（WA) 而延伸， -寫入用之位元線（Β)形成在第二電晶體之第一源棰/ 汲極區（2S/D1),上方，讀出用之位元線（Β)形成在 第三電晶體之第一源捿/汲極區（3S/D1),上方。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中 -第二溝渠（G2)之第二邊綠（2F2)設有閘槿介電質（Gd) -第一雷晶醱之閘極電搔（Gal)在第二溝樂（G2)内部是 -24- —-—-----ΓΑ-------ΐτ------r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } Μ洗格（210><2们公釐） 經濟印令央樣奉局員工消費合作；ϋ印装 ΑΒ Β8 C8 D8々、申請專利範圍 鄰接於第二溝渠（G2)之第二邊緣（2F2>, -須産生第二電晶體之第二源棰/汲極區（2S/D2),使 其鄰接於第一溝渠（Gl>之底部， -須産生第一電晶體之第一源掻/汲極區（1S/D1),使 其在榭面上鄰接於第二溝渠（G2)之第二邊緣（2F2), -在第一電晶體之第一源極/汲搔匾（1S/D1),上方産 生導電結構U)之水平成伤（Lh),使其能與第一電晶 體之閘槿電搔（Gal)相連接， -在與第一溝渠（G1)之第二遴線（1F2)相鄰接之處産生 閛搔介電質（G d )， -在第一溝渠<GU内部中與第一溝渠（SU之第二遴線 (1F2)相鄰接之處産生導電結構之垂直成份（Lv> ，使其能舆第二電晶體之第一源掻/汲極區（2S/D1) ,以及導霍結構（L)之水平成份（Lh)相連接， -須産生位元線<B),其不但作為讀出用之位元線（B) ,而且亦作為寫入用之位元線（Β>β 13.如申謓專利範圍第12項之方法，其中 -基體（1)含有半導體材料，在與基體（1)之表面（0)相 鄰接之層（S)中基體是以具有第一摻雜物質濃度之第 二種導電型式來進行摻雜， -須形成第一電晶體之第一源棰/汲極區（1S/D1),使 其在側面上能和第一溝渠（61)之第二邊線（1F2)相鄰 接， -須形成第一記憶體單胞之第三電晶體的第二源棰/ -2 5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS > Α4说格（21〇Χ：297公釐） 41 9 82 Ο Α8 Β8 C8 D8 i. 年 * 申請專利範圍 汲極區（3S/D2),以及相鄰之第二記億體覃胞之第二 電晶體的第二源棰/汲榷匾US/D2),使它們互相鄰 接或互相叠合， -在基體（1>中須藉由植入法産生第一電晶體之第一源 搔/汲搔區（1S/D1),第一電晶體之第二猓樓/汲極 區（1S/D2)，第二電晶體之第一源極/汲搔匾（2S/DU ，第二電晶體之第二源楂/汲搔區（2S/D2),第三電 晶體之第一源搔/汲棰區（3S/D1),以及第三電晶體 之第二源極/汲極區（3S/D2),使它們能以和第二種 導電型式相反之第一種導電型式來摻雜， -在第一溝渠（G1)外部之舆第一溝渠（G1)之第二邊緣 相鄰接之處藉由植入法産生一種以第二種導電型式 摻雜之第一通道-停止-區（Cl>,使其具有一種較 第一摻雜物質濃度還高之第二摻雜物質濃度， -位元線（B)是在第一電晶體之第一源極/汲極區US/D1 ，第一電晶體之第二源極/汲極區（1S/D2)，第二電 晶體之第一源棰/汲棰區（2S/D1),第二電晶體之第 二源極/汲極區（2S/D2),第三電晶體之第一源搔/ 汲棰匾（3S/D1),以及第三電晶體之第二源槿/汲極 區（3S/D2),上方延伸。 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中 -在基體（1)之層（S)中須産生一種以第一導翟型式來 摻雜之區域（G), -在表面（0)上沈積一種隔離材料且進行蝕刻，使産生 -26- I Ml ： ^-llrll—ιί 訂 I-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中囷國家榡準（CNS ) A4規格（2〖0X297公釐） 4ι^Β2〇 - ί® C8 _ D8 __ 六、申請專利範圍 一種結構化之第一隔離層（S1)， --,--·----'装--I I 訂 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -在直域（G)中藉由第一溝渠（G1)和第二薄渠（G2)之産 生來形成第一電晶醱之第一源楔/汲棰匾US/DU， 第二電晶體之第二源極/汲搔畐（2S/D2)以及第三觜 晶體之第二獠搐/汲極區（3S/D2)， -在産生第一溝渠（G1)和第二溝渠<G2)之後，須藉由 傾斜式植入法産生第一通道-停止-區（C1)， -在植入第三電晶體之第一潁極/汲極匾（3S/D1)，第 一電晶醴之第二源極/汲権區（1S/D2)，以及第二電 晶鶄之第一源極/汲掻BUS/D1)之過程中於産生第 一通道-停It -匾（C1)之後使用一種條形之第五光 阻遮單，其可保議此種介於相鄰之位元線（8)之間的 第二區（B2)不會受到植入過程之影響， -為了産生第一霉晶體之閘棰電掻（Gal)，第二電晶體 之閘樓電極（Ga2)以及第三霣晶醱之閛極電搔（Ga3) ,朗在産生閛搔介踅質（Gd)之後須沈積導電性材料 旦進行回蝕刻，使第一電晶體之閛極電極（Gal),第 二電晶體之閛搔電棰（Ga2)以及第三電晶襞之蘭極電 極（Ga3)以間隔物之形式産生， -藉肋於第六光阻遮覃沿箸第二清渠（G 2)藉由導電性 材料之蝕刻而使相鄰之第一蘭極電榷（Gal)互相隔離， -第一溝渠（GU和第二溝渠（G2)然後以隔離材料填入， -在産生導電结構（L>之後，須産生一種由隔_材料所 構成之第三隔雌结構U3),其中藉助於第十光 -2 7- 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS) A4規格（210X297公釐） 4 1 9 82 Ο 1 ΑΒ Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 罩來對隔離材料進行蝕刻，使第三電晶體之第二源 搔/汲極匾（3S/D2)和第二電晶體之第二源ffi /圾掻 區（2S/D2)之一部份裸g出來， -然後沈積一種導電性材料且藉助於第十一光阻遮罩 來進行結構化，以便産生位元線（B )以及位元線{ B ) 之接觸區（K)。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中 -在産生第一隔離結構（II)之後須産生第二隔離結構 (12),其中須沈積一種隔離材料且藉肋於第七光阻 遮罩（其未覆蓋第一溝渠（G1)之第二遴緣以及第二溝 渠（G2)之第二jg緣（2F2U來進行蝕刻，使第一閘極 電極（Gal)之一部份裸露出來， -藉肋於第八光阻遮罩（其未覆蓋第一溝^(61)之第二 邊緣（〗F2)>使第二電晶體之第一源搔/汲掻區（2S/D1) 之一部份裸露出來，然後沈積一種導電性材料且進 行結構化以便産生導電結構（L)。 16. 如申謓專利範圍第14項之方法，其中 -在對表面<〇’）上所沈積之隔離材料進行蝕刻之前須 在此種隔離材料上方沈積一種導電層（S厂）， -第一溝渠（G〗'）和第二溝渠（G2')以隔離材料填入之 後，藉肋於第十二光阻遮罩（其覆蓋第一溝渠（G1') 之第二邊緣以及第二溝渠（G2’）之第二邊緣（2F2")) 使導電層（S11)之一部伤被去除， -然後沈積一種隔離材料且藉助於第十三光阻遮罩（其 _ 2 8 _ 本紙張尺度逋用中國國家榡準（CNS > A4洗格（2丨0><297公釐） 4 1 9 82 Ο Λ8 BS C8 D8 申請專利範圍 互相建接， -電容器介電質（Kd" >産生於電容器第一板片<Ρ1·) 上方，電容器第二板Η (Ρ2* )産生於電容器介電質 (Kd")上方，位元線（Β* )産生於電容器第二板片 (P2W >上方， -電容器第二板片（P2* )是與沿箸第一溝渠（G1·* )而 相鄰之各電容器相連接。 請 先 閱 讀 背 注 $ 項 再 填 ·&.. Λ、 1 丁 經濟部中央揉率局貝工消費含；&Ei.f si 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（2[0X297公釐）