TW419666B - Arrangement to test several memory-chips on a wafer - Google Patents

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TW419666B
TW419666B TW088103838A TW88103838A TW419666B TW 419666 B TW419666 B TW 419666B TW 088103838 A TW088103838 A TW 088103838A TW 88103838 A TW88103838 A TW 88103838A TW 419666 B TW419666 B TW 419666B
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Patrick Heyne
Martin Buck
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Siemens Ag
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Description

4 19β6β Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Β7五、發明説明(/ ) 本發明偽關於一種晶圓上之複數痼記憶體晶Η測試時 所用之配置,其中在使用針銷之情況下使電源電壓,起 始信號,諛出倍號t時脈信號以及位址-,資料-和控制 信號傳送至記憶體晶片。 目前為止例如6 4 M b i t D R A M s之晶Η是以分成小組 (g r o u ρ )之方式藉由針銷卡之針銷來進行测試。於是問 題是:須製造一種具有足夠數目之針銷之針銷卡,以便 在測試過程中利用針銷來接觸許多晶Η (最好是晶圓之 所有晶片)。 針銷卡上之針銷數目之上限目前是大約1 0 Q 0支針銷。 於是可在大約20至5Q摘晶Η之範圍中進行測試,這是因 為各種不同之位址信號,資料-供應信號和控制信號都 必須經由針銷傳送至每一各別之晶片》 習知之配置因此在針銷卡上設置多達1 Q 0 0支之針銷, 利用這些針銷可同時測試大約2 0至5 0個晶Η。於是問題 是相對較大之表面壓力(surface pressure),其是藉由 50至20値晶片上之100Q支針銷來産生。對每一晶Η (其 針銷數之範圍是50支)而言在針銷之尖端處以共平面之 方式形成數目這樣多之針銷(其可使晶圖上之每一各別 之晶片可靠地被測試)是困難的。 本發明之目的是提供一種配置以便測試晶圓上之多値 記億體晶片。這樣所可測試之記憶體晶片數目較目前以 針銷卡來測試的_試過程中所可測試之數目大很多9 依據本發明,在本文開頭所逑技藝之配置中上述目的 ----------/------tT------岣、— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!〇X 297公釐) 4 19668 A7 B7 五、發明説明(,) 是以下述方式達成:至少一些信號是由一種配置在記億 體晶片之切鋸邊綠(其含有此種遮罩之測試結構和中心 輔肋件)中之邏輯電路中之位址信號,資料信號和控制 信號所産生且直接傳送至記億體晶片。於是最好是所有 位址信號,資料信號和控制倍號都在此種設置在切鋸 邊緣中之邏輯電路中産生。此處可知者是:在許多記億 體晶片中亦可認清各別之記億體晶K ,例如,可査知二 値由切鋸邊緣所隔開之記億體晶Η ^ 本發明因此採用一種和目前技藝完全不同之方式:本 發明並不在針銷卡或針銷中力求改良(這是屬研究發展 之範圍),而是在記億體晶Η之切鋸邊緣中安裝一種待 殊之邏輯,藉肋於此種邏輯可在局部性地在每一記憶體 晶Η之切鋸邊緣中産生位址信號,資料信號和控制信號 且直接傳送至記億體晶片 這樣所具有之重大優點是: 毎一記億體晶片中只有電源電壓和少數已編碼之輸出信 號需要經由針銷卡傳送^卽,經由針銷卡只需5膣接觸 區以用於下列信號中:2個電源電壓,1値起始信號, 1痼讀出倍號以及1 時脈信號,因此利用此針銷卡( 大約具有1 0 0 0傾針銷)可测試直至2 0 0痼晶片。 此種各別記億體晶Η用之設置在切鋸邊緣(k e r f )中之 局部性邏輯因此可産生所有必要之位址信號,資料佶號 和控制信號且對這些信號進行計算。若發生錯誤,則會 發出一種錯誤信號以便通知一種測試器:錯誤已發生^ 藉由適當之已编碼之信號可輕易地確定:此種錯誤位於 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) 规格(210:<297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 經濟部智慧財產局貨工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消f合作社印‘纪 41966£ B7五、發明説明(々) 何處。在四個同時拉升之字線中此處例如需要二個已編 碼之倍號。藉由此種錯話發生時之時間點以及η茴己編 碼之信號,則可確定正確之錯誤位置方。 本發明以下將依據圖式作詳述。 圖式簡輩説明如下: 第1圖 具有切鋸邊線(k e「f )之記億體晶片之俯視圖。 此一唯一之圔式是表示一種記億體晶H.其是由切鋸 邊緣2所圍嬈。此種切鋸邊緣2在切割晶圓時藉由切鋸 作用而分離成各別之記億體晶Η 1,使得在切割之後只 留下各別之記億體晶Η1而不會有上述之切鋸邊緣2。 記億體晶Η1設有各種不同之襯墊(接觸墊)3, 4, 7 ,這些襯墊在測試進行時是與針銷卡之針銷相號接觸。 因此,概墊3是用於起口信號I,時脈信號CLK以及選擇 信號CS中而襯墊7是用於電源電壓VDD或VSS中。此外, 記億體晶片1具有襯墊4,其是與位址信號,資料倍號 和控制信號用之針銷相接觸。為了簡單起見,在圖中只 顯示三値這樣的襯墊4 ,雖實際上在測試過程中例如可 施加1 1値位址信號,8至1 6値資料信號以及5値控制倍 號。因此,如上所述,需要許多針銷,使得只有較少之 記億體晶片可在一組中與一種具有大約1000支針銷之針 銷卡一同被測試。 依據本發明,現在須在切鋸邊緣2中設置一種邏輯5 ,其是與輸出端0相連接且直接發出位址信號,資料信 號和控制信號至襯墊4 ^就襯墊4而言,因此已不需任 -5 - 1 . I- I I -- - I ί - - - I -- 1 — I i I I -I - I -1 - : c請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 4ίθβ6β Α7 Β7五、發明説明(4 ) 銷低 針降 何地 H 晶 ΜΜΗΠ 億 記 試 測 得 使 大 大 可 數 銷 針 之 需 然 示 〇 表伸 6 延 號而 符面 考圖 參之 以 3 在Μ 是襯 且於 中直 圖垂 在是 示上 顯際 銷實 針銷 些針 這择! 這 之然 號當 信 。 制少 控減 和 地 號應 信對 料相 資數 ,銷 號針 信之 址需 位所 了部 擔全 承得 此使 因 , fcb 5 輯功 邏試 測 記 至 送 傳 而 5 輯 邏 由 經 號 信 些 1 之 中 號 佶 些 這Ιο 使片 只晶 可體 亦億 除 去 而 用 作 ο 鋸離 切分 由被 藉 5 2 輯 緣邏 邊之 鋸要 切需 -再 後不 之種 程此 過使 試可 測亦 在樣 這 給之 所需 緣所 邊使 鋸 5 切輯 由邏 種之 此置 用設 使外 式另 方於 之肋 利藉 有此 以在 是便 。 此以低 因 ,降 明間目 發空數 本之銷 定針 ---------.求 II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消f·合作社印製 可和片之置需 其號晶卡配 R 使信體銷而言 ,料憶針開而 中資記高隔H 緣 ,値提相晶 邊號多再互體 鋸信或可步憶 切址個亦一記 在位二中進之 置之於置可別 配應屬配身各 可對配之本就 亦相可明銷:明 5 供 5 發針實說 輯提輯本為事之 邏片邏在因下號 晶如 是以符 體例 導 ’ 半號 痼倍 多制 對控 這據 。 ,依銷 目是針 數這之 _ ,少 針箸較 -1 Η 晶緣 體遴 億鋸 記切 墊 襯 6 輯銷 邏針 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A^J規招(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 4 *9eee ABC D 六、申請專利範圍 1 _ 一種晶圓上之複數個記憶體晶片(1 )測試時所用之配 置,在使用針銷(6 )之情況下使電源電壓(V D D , V S S ) ,起始信號(1>。讀出信號(CS),時脈信號(CLK)以 及位址信號,資料信號和控制倍號傳送至記億體晶 Η ( 1),此種配置之特徵是:至少一部份位址信號, 資料信號和控制信號是在邏輯(5 )中産生且直接傳送 至記憶體晶片(1 ),邏輯(5 )則配置在記億體晶片(1) 之切鋸遴緣(2 )中。2 .如申請專利範圍第1項之配置,其中位址信號,資料 信號和控制信號都是在邏輯(5)中産生且直接傳送至 記憶體晶M ( U。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X 297公釐)
TW088103838A 1998-04-30 1999-03-12 Arrangement to test several memory-chips on a wafer TW419666B (en)

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