TW300341B - - Google Patents

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ο 0 QS41 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) [産業上的利用領域] 本發明為關於薄膜電晶體（TFT, Thin Film Transistor)陣列基板（array board),使用該基板的液晶 顯示裝置以及TFT陣列基板之製造方法，尤其為關於提供 改善使製造成品率低下主要原因之一的點缺陷之修復方法 者。 [習用的技術] 習用的液晶顯示裝置使用之TFT陣列有如圖25及圖26 所示者。 圖25表示習用的液晶顯示裝置使用之TFT陣列的部分 擴大圖，圖26為圖25中A-A斷面圖。圖中1為玻璃基板，2 為兼做閘極U a t e )的閘極配線，3為由透明導電膜形成的 畫素電極，4為絶緣膜，5為半導體層，6為電阻性接觸（ ohmic contact)層，7為源極（source) ♦配線，8為汲極（ drain) 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下説明習用之TFT陣列的製造程序及構造。首先於 洗淨的玻璃基板1以噴鍍（sputter ing)法等的方法形成鉻（ Ο),鉅（Ta),鈦（Ti)等之金羼薄膜，然後以照像蝕刻等 的方法形成電路模圖（pattern)而做成閘極♦配線2。其次 以等電漿化學的氣相澱積法（p 1 a s m a C V D , c h b i c a 1 Vapor Deposition)形成做為聞極絶緣膜4的氮化砂（SiN) 或《化矽（Si〇2)等的絶緣膜，做為半導體層5的i-a-Si或 Poly-Si等，以及做為電阻性接觸層6的n-a-Si等。其次為 以照像蝕刻等的方法將n-a-Si及ί-a-Si形成島狀或為線狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 3 38 183 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（4 ) * 1 的 模 圖 (P at t e Γ η ) 〇 其次以噴鍍等的方法形成絪錫氣化物（ 1 ：| I IT0 , I n d i u m - T i η Ox i d e ) 等 的透 明導 電膜以形 成畫 素電極 1 1 1 3 〇 其後以噴鍍法等形成鋁（ A e ), 络（Cr)等的金屬薄膜， /—S 1 I 請 1 I 將 其 以 照 像 蝕 刻 法 等 形 成 模 画做 成源 極•配線 7及汲極8後 先 閱 1 I 1 I 9 將 源 極 ♦ 汲 極 間 的 電 阻 性 接觸 層6之η-a-Si以独刻去除 背 ώ 1 1 之 1 〇 最 後 因 應 需 要 以 Si N等形成保護膜。 意 1 事 1 又 習 用 之 用 於 該 種 液 晶 顯示 裝置 的TFT陣列有如圖27 項 再 1 填 及 圖 28所 示 者 0 圖 27 表 示 用 於習 用之 液晶顯示 裝置 之TFT % 本 装 I 陣 列 部 分 平 面 圖 9 圖 28為 圖 27之 B-B斷面圖。下面參照該 頁 1 1 圖 等 說 明 習 用 之 TFT陣列的製造程序及構造。 1 1 圖 27及 CBI 圖 2 8所 示 的 習 用 裝置 ,首 先於洗淨 的玻 璃基板 1 1 1以噴鍍法等的方法形成鉻， 鉅， 鈦等之金屬薄膜， 然後 訂 1 以 照 像 独 刻 等 的 方 法 形 成 必 要的 模圖 而做成閘 極（及閘極 1 I 配 線 )2 0 其 次 以 噴 鍍 法 等 的 方法 形成 IT0 (铟錫 氧化 物）等 1 I 的 透 明 導 電 膜 9 將 其 以 照 像 蝕刻 法等 的方法形 成必 要的模 1 [ 圖 而 做 成 畫 素 電 極 3。 其次以等電漿C V D (化學氣相澱積）法 1 等 形 成 做 為 閘 極 絶 緣 膜 4之例如為由S i 〇2 , S i N * 金 羼氣化 1 1 膜 等 的 絶 緣 膜 9 做 為 半 導 體 層5的i - a -S i 或 Po 1 y - S i ,以及 1 1 做 為 電 阻 性 接 觸 層 6的u -a -S i等。 其次以照像蝕刻法等的 1 1 方 法 將 η ** a - Si 及 i - a - Si 形 成 島狀 /如圖1所示半 導體 層5之 1 1 島 狀 部 分 )或線狀（ 細 長 之 帶 狀的 部分 )的模圖。 1 1 1 妖 後 以 昭 像 蝕 刻 法 等 之 方法 形成 必要的模 圖以 形成畫 1 1 素 電 極 上 的 接 觸 孔 9 (汲 極 8與畫素電極3相接的 部分 )〇其 1 1 次 以 噴 鍍 法 等 的 方 法 形 成 鋁 ,鉻 等的 金屬薄膜 ,將 其以照 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 3 8 18 3 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 像蝕刻等的方法形成模圖做成源極（及源極配線）7及汲極 8。其次將源極與汲極之間（圖4所示半導體層5上部之未被 源極及汲極被覆的部分）的n-a-Si由蝕刻去除。最後因應 需要以SiN等形成保護膜。 如上述構成的TFT陣列，由於雜物構成閘極2與汲極8 的短路，以及由其構成之不能得十分的電阻性接觸等之理 由，以數PPm的或然率發生不能正常動作的晝素，亦即所 謂點缺陷。用以修復該點缺陷的方法有如日本特開昭59-101693號公報及特開平2-135320號公報掲示，由形成連接 互為相鄰之驅動電極間的模圖，而由雷射照射將成為缺陷 的畫素電極連接至相鄰之畫素電極的方法。 圖29表示具有積蓄電容之用於習用的液晶顯示裝置之 TFT陣列的部分擴大圖，圖30為圖29中的A-A斷面圖。匾中 ,1為玻璃基板，21為積蓄電容電極，31為積蓄電容的電 介質。 以下說明上述型類之習用TFT陣列的製造程序及構造 。首先於洗淨的玻璃基板1以噴鍍法等的方法形成鉻，鉅， 鈦等的金屬薄膜，然以照像蝕刻法等的方法形成模圖以形 成積蓄電容電極21。其次以電漿CVD法等形成做為積蓄； 容之電介質31的氮化矽或氣化矽等的膜，並形成用以接觸 於其後形成的閘極及閘極配線2之接觸孔模圖。其次以噴 鍍法等的方法形成鉻，鉅，鈦等的金靨薄膜，以照像蝕刻 法等的方法將其形成模圖以形成閘極及閘極配線2。其後 以噴鍍等的方法形成ΙΤ0(洇錫氧化物）等的透明導電膜， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） c (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

3003^1 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (6 ) I 並 將 其 以 照 像 蝕 刻 法 等 的 方 法 形 成 模圖 做 成 室 素 電 極 3 〇 Η I 其 次 以 電 漿 CVD法等形成做為閘極絶綠膜4的 氮 化 矽 9 1 1 1 氣 化 矽 等 的 绝 緣 膜 t 做 為 半 導 體 層 5的i -a -S ί或Ρ ο 1 y - Si 等 1 I 請 I * 以 及 做 為 電 阻 性 接 觸 層 6的η -a -S 1 〇 其次以照像蝕刻 先 閱 1 I 1# 1 I 法 等 的 方 法 將 η - a - Si 及 1 - a - si 形 成 島狀 或 線 狀 的 楔 圖 〇 其 背 1 | 之 1 次 以 照 像 蝕 刻 法 等 的 方 法 形 成 模 圖 ,於 蜜 素 電 極 3上形成 注 意 1 I 事 1 接 觸 孔 〇 其 次 以 噴 鍍 法 等 形 成 鋁 鉻等 的 金 羼 薄 膜 將 其 項 1 填 —1 以 照 像 蝕 刻 法 等 形 成 模 圖 以 做 成 源 極與 源 極 配 線 7及汲極 寫 本 百 ▲ I 8後， 將源極< >汲極間之η -a -S i由蝕刻去除。 最後因應必 貝 、^〆 1 1 I 要 以 Si N等形成保護膜。 1 1 如 上 述 構 成 的 TFT陣列， 由於雜物構成閘極2與 汲 極 8 1 1 的 短 路 t 以 及 由 其 構 成 之 不 能 得 充 分的 電 阻 性 接 觸 等 之 理 訂 1 由 以 數 P P m的或然率發生不能正常動作的畫素， 亦即所 1 I 謂 點 缺 陷 〇 用 以 修 復 該 缺 陷 的 方 法 有如 B 本 待 開 平 2 - 1 1 2 8 4 1 20 號 公 報 或 特 開 平 5 - 6 6 4 1 5號公報所掲示， 將連接相 1 1 鄰 驅 動 電 極 間 的 模 圖 與 積 蓄 電 容 同 時形 成 t 將 其 由 雷 射 照 1 1 射 熔 融 而 將 成 為 缺 陷 之 衋 素 電 極 至相 鄰 之 奎 素 電 極 的 方 1 1 法 〇 1 1 [發明所欲解決的課題] 1 1 如 上 述 於 習 用 的 TFT陣列存在有因點缺陷的發生使成 1 I 品 率 低 下 的 問 題 〇 又 於 習 用 的 點 缺 陷修 復 方 法 t 雖 然 具 備 1 I 修 復 點 缺 陷 的 連 接 模 圖 1 然 而 欲 以 雷射 照 射 該 將 模 圖 與 鄰 1 1 I 接 的 盡 素 電 極 連 接 時 * 由 於 亶 素 電 極為 透 明 而 由 畫 素 電 極 1 1 側 照 射 的 雷 射 光 透 過 畫 素 霄 極 » 構 成不 容 易 與 修 理 用 之 連 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 6 38 183 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (7 ) I 接 模 圖 做 良 好 連 接 的 問 題 0 1 ：I I 又 於 實 行 雷 射 照 射 時 1 亦 有 不 能 確 實 熔 融 連 接 楔 圖 的 1 1 | 狀 態 而 成 修 復 困 難 的 問 題 0 1 I 請 1 又 於 習 用 的 點 缺 陷 修 復 方 法 » 雖 妖 備 有 為 了 修 復 的 模 先 閱 1 I 讀 1 | 圖 > 然 而 由 雷 射 照 射 將 該 模 圖 與 鄰 接 的 畫 素 電 極 連 接 時 9 背 IS 1 I 之 1 | 由 於 畫 素 電 極 為 透 明 而 由 亶 素 電 極 側 照 射 的 雷 射 光 透 過 畫 注 意 1 1 事 1 素 電 極 f 構 成 不 容 易 做 良 好 之 連 接 的 問 題 Ο 項 再 導 1 —J 本 發 明 為 鑑 於 此 » 以 具 備 與 閘 極 及 閘 極 配 線 同 材 料 同 Ή 本 4- 頁 1 時 形 成 的 重 複 於 鄰 接 之 2畫素的點缺陷修復模圖， 以及介 1 I 由 閘 極 绝 緣 膜 形 成 於 該 點 缺 陷 修 復 模 圖 上 的 島 部 » 而 對 於 1 認 為 點 缺 陷 的 晝 素 以 雷 射 光 切 斷 其 畫 素 的 電 晶 體 部 > 以 雷 1 1 射 光 照 射 而 介 由 點 缺 陷 修 復 模 圖 將 鄰 接 之 畫 素 的 畫 素 電 極 訂 1 相 互 間 予 以 連 接 者 0 1 1 又 以 具 備 與 積 蓄 電 容 霣 極 同 材 料 同 時 形 成 的 重 複 於 鄰 1 I 接 之 2畫素的點缺陷修復模圖， 以及介由積蓄電容電介質 1 膜 形 成 於 該 點 缺 陷 修 複 模 圖 上 的 島 部 ， 而 對 於 認 為 點 缺 陷 \ I 的 畫 素 以 雷 射 光 切 歐 其 晝 素 的 電 晶 體 部 t 以 雷 射 光 照 射 而 1 1 介 由 點 缺 陷 修 復 模 圖 將 鄰 接 之 畫 素 的 盡 素 電 極 相 互 間 予 以 1 1 連 接 者 0 1 1 以 上 述 狀 態 為 將 介 以 绝 緣 膜 的 2金羼膜， 亦即為將點 1 I 缺 陷 修 復 模 圖 及 接 以 畫 素 電 極 形 成 的 島 部 以 雷 射 連 接 % 因 1 1 此 可 容 易 並 確 實 的 修 復 0 1 1 1 [圖面的簡單說明] 1 1 I 圓 1表示本發明實施例1 之 用 於 液 晶 顯 示 裝 置 的 TFT陣 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 38 183 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 列之部分平面圖。 圖2表示圖1之A-A斷面圖。 圖3表示圖1之B-B斷面函。 圖4表示本發明實施例2之用於液晶顯示裝置的TFT陣 列之部分斷面圖。 圖5表示本發明實施例3之用於液晶顯示裝置的TFT陣 列之部分平面圖。 圖6表不圖5之A_A斷面圖。 圖7表7F圖5之B-B斷面圖。 圖8表示本發明實施例4之用於液晶顯示裝置的TFT陣 列之部分斷面圖。 圖9表示本發明實施例5之用於顯示裝置的TFT陣列之 部分平面圖。 圖10表示圖9之A-A斷面圖。 圖11表示圖9之B-B斷面圖。 圖12表示本發明實施例6之用於顯示裝置的TFT陣列之 斷面圖。 圖13表示本發明實施例7之用於顯示裝置的TFT陣列之 部分¥面圖。 圖14表示圖13之A-A斷面圖。 圖15表示圖13之B-B斷面圖。 圖16表示本發明實施例8之用於顯示装置之TFT陣列的 斷面圖。 圖17表示本發明實施例9之用於液晶顯示裝置的TFT陣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Q , Q , Q , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -.

'1T A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、 發明説明 (9 ) I 列 之 部 分平 面 圖 0 ：| | 圖 18表 示 圖 17 之 A- A斷面 圖。 1 1 I 圖 19表 示 圖 1 7 之 B - B斷面 圖。 1 I 請 1 圖 20表 示 本 發 明 實 施例1 0之 用 於 液 晶 潁 示裝置的 TFT 先 閱 1 I 1 I 陣 列 之 部分 斷 面 rat _ 0 背 1 I 之 1 圖 21表 示 本 發 明 實 施例1 1之 用 於 液 晶 顯 示裝置的 TFT 1 f ψ 1 陣 列 之 部分 平 面 圖 〇 再 1 4 —J 圖 22表 示 圖 21 之 A- A斷面 圖。 馬 本 頁 1 圔 23表 示 圖 21 之 B - B斷面 面 國〇 ___, 1 I 圖 24表 示 本 發 明 實 施例1 2之 用 於 液 晶 顯 示裝置的 TFT 1 1 陣 列 之 部分 斷 面 圖 〇 1 1 圖 25表 示 習 用 之 用 於液晶顯 示 裝 置 的 TFT陣列之部分 訂 1 平 面 画 0 1 1 圖 26表 示 圖 25 之 A- A斷面 圖。 1 I 圖 27表 示 習 用 之 用 於液晶顯 示 裝 置 的 TFT陣列的部分 1 平 面 圖 0 Γ I 圖 23表 示 面 圖 27之 B - B斷面 圖。 1 1 圖 29表 示 習 用 之 用 於液晶顯 示 裝 置 的 TFT陣列之部分 1 1 平 面 圖 0 * ! 1 圖 30表 示 圖 29之 A- A斷面 圖。 1 j [實施例] 1 I s_ 施 例 1 1 ! I 參 照圖 面 說 明 實 施 例1 〇 圖1 表 示 使 用 於 本發明之 液晶 1 1 1 顯 示 裝 置的 TFT陣列之部分平 面圖， 圖2 為 圖 1之A - A斷 面圖 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） 9 38183 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (10 ) 1 * 圖 3為圖1 之B- B斷面圖。 圖 中 9為與閘極 •配線2同 材 料 '1 I 並 於 同 時 形 成之 第1金羼模圖 的 點 修 復模 圖 t 1 0為 與 源 極 1 1 I ♦ 配 線 7及汲極8同材料 同 時形成的第2金 羼 模 圖 之 島 部 9 -Ν 1 I 請 I 島 部 1 0與 晝 素電 極3上接觸以 形 成 〇 又圖 中 C - C及D 表 示 做 先 閱 1 1 讀 1 I 點 缺 陷 修 復 之際 照射雷 射 處所。 圖中與習用例同- -部分註 背 1 I 之 1 以 同 一 符 號 而省 各其說 明 0 注 意 1 I 事 1 以 下 說 明本 實施例 之 TFT陣 列 的 製造 方 法 〇 首 先 於 洗 項 再 填 1 淨 的 玻 璃 基 板1以噴鍍法等的 方 法 形 成鉻 1 鉅 9 鈦 等 之 膜 寫 本 百 浪 I 厚 為 3 0 0 η m程度的高融點金屬 薄 膜 9 然後 將 其 以 照 像 蝕 刻 Η '— 1 1 I 法 等 的 方 法 形成 模圖以 形 成閘極 >配線2及 點 缺 陷 修 復 模 1 1 圖 9。 其次以電漿C V D (化學氣 相 澱 積 )法等形成做為閘極絶 1 1 緣 膜 4之膜厚300 n in程度 的 S i N或 Si 〇2 等的 絶 綠 膜 » 做 為 半 訂 1 導 體 層 5之膜厚200nm程 度 的i -a -S i 或 Ρ 〇 1 y - Si 等 以 及 做 1 1 為 電 阻 性 接 觸層 6之膜厚50nm 程 度 的 η - a ~ si 等 〇 其 次 以 照 1 I 像 独 刻 法 等 的方 法將η - a - S i及i -a -S i形成線狀或島狀的模 1 圖 0 Γ I 其 次 以 噴鍍 等的方 法 形成膜厚1 0 0 n m 程 度 之 ΙΤ0 ( 絪 錫 1 1 氣 化 物 )等的透明導電膜， 然 後 以 照 像蝕 刻 法 等 的 方 法 形 1 1 成 模 _ 以 形 成畫 素電極 3 〇 其 次 以 噴 鍍法 等 形 成 膜 厚 4 0 0 n m 1 1 程 度 的 鋁 鉻或 鉬等的 金 羼薄膜， 然後將其以照像蝕刻法 1 I 等 形 成 模 圖 以形 成源極 • 配線7 汲 極8以及於點缺陷修復 1 1 模 圖 9之接觸部分的島部1 0 〇 亦 即 在 做點 缺 陷 修 復 時 雷 射 1 1 1 照 射 處 所 D 〇 為於點缺陷修復 模 圖 9上經介以閘極絶緣膜4 1 1 及 金 素 電 極 3形成島部1 0 〇 其 後 將 源 極· 汲 極 間 之 η - a - S ί 1 1 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 38183 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、 發明説明（11 ) | 以 独 刻 去 除 0 取 後 因 應 需 要 以 Si N形成保護膜。 於 如 上 述 作 成 的 TFT陣列及用該陣列作成的液晶顯示 1 1 裝 置 * 對 於 認 為 點 缺 陷 的 盡 素 9 將 該 畫 素之 電 晶 體 部 以 雷 1 1 請 1 I 射 光 昭 yv»、 射 圖 1所示C -C 線 部 將 其 切 斷 $ 然 後照 射 雷 射 光 於 耋 先 閱 1 I 讀 I I 素 電 極 3上的D部 及 鄰 接 盡 素 之 畫 素 電 極 3上的D部 1 亦 卽 經 背 ιέ 1 I 之 1 I 介 點 缺 陷 修 復 模 圖 9將鄰接之畫素的畫素電極相互間予以 注 意 1 ψ 1 短 路 0 由 於 僳 將 介 著 絶 緣 膜 之 兩 金 羼 膜 ,即 為 以 雷 射 連 接 .項 再 1 填 點 缺 陷 修 復 模 圖 9及島部1 0 , 可以容易並確實的實行修復 寫 本 •2Γ I 0 尤 其 對 於 由 畫 素 電 極 3側的雷射照射甚具效果。 又由於 貝 1 1 I 傷 以 鉻 t 鉅 或 鈦 等 的 金 屬 形 成 點 缺 陷 修 復模 圖 9 因 此 比 較 1 i 用 矽 薄 膜 形 成 該 模 圖 時 9 其 照 射 雷 射 時 的熔 融 連 接 更 容 易 1 1 0 又 於 本 實 施 例 構 成 為 連 接 左 右 的 盡 素 電極 » 但 亦 讓 成 為 訂 1 連 接 上 下 的 盡 素 電 極 亦 可 〇 1 1 依 本 實 施 例 將 認 識 為 點 缺 陷 的 畫 素 利用 點 缺 陷 修 復 模 1 1 圖 與 鄰 接 的 畫 素 短 路 » 使 相 互 鄰 接 的 畫 素電 極 在 同 電 位 做 1 意 同 一 的 顯 示 f 因 此 難 認 為 點 缺 陷 而 可 提 高TFT陣列的成品 1 I 率 0 又 依 本 實 施 例 與 習 用 技 術 為 以 同 樣 的製 造 方 法 而 僅 變 1 1 更 其 模 圖 1 因 此 其 加 工 程 序 數 不 致 增 加 而具 不 增 加 成 本 的 1 1 優 點 〇 ' 1 1 又 依 本 發 明 > 對 於 TFT陣列階段發現之點缺陷的修復 I I 白 不 待 言 f 對 於 成 為 具 有 該 TFT陣列基板與透明電極及色 1 1 濾 器 等 之 對 向 電 極 基 板 之 間 挾 持 液 晶 的 液晶 顯 示 裝 置 之 後 1 I I 9 亦 卽 為 由 畫 素 電 極 側 射 入 雷 射 光 的 狀 態， 亦 可 容 易 並 且 1 1 I 確 實 的 修 復 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 38 183 11 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（12 ) 1 菁 旅 蓋 2 | 圖 4表示用於本發明 之 實 施 例 2的顯示裝置之TFT陣 列 I 1 | 部 分 斷 面 圖。 本實 施例除將畫素電極3與 源 極 • 配 線7及汲 ^-Ν 1 I 請 I 極 8的製造工程之順序更 換 之 外 9 為 與 實 施 例 1相同的構造 先 閱 1 I 讀 I I 〇 亦 即 於 點缺 陷修 復模画9上 挾 以 絶 緣 膜 形 成 島 部 10, 又 背 \έ 1 1 之 1 在 其 上 形 成金 素電 極3 〇 如 上 述 島 部 1 0 可 以 為 形 成 在畫 素 注 意 1 I ψ 1 電 極 3之上或之下的構成 9 任 一 之 構 成 均 可 利 用 點 缺陷 修 項 再 1 填 i 復 模 圖 9容易且確實的修 復 點 缺 陷 9 可 以 得 到 與 實 施例 1同 寫 本 - 頁 1 樣 的 效 果 0 1 I S. 旃 例 3 1 1 以 下 參照 圖面 説明本發明之實施例3 〇 圖 5表示用於本 1 1 發 明 之 顯 示裝 置的 TFT陣 列 部 分 平 面 圖 f m 6為圖5之A- A斷 訂 1 面 圖 ， 圖 7為圖5之 B-B斷 面 圖 0 圖 中 11 為 蝕 刻 停 止 膜。 1 1 其 次 説明 本實 施例之TFT陣 列 的 製 造 方 法 0 首 先將 洗 1 I 淨 之 玻 Ιήχ 调 基板 1以噴鍍法 等 的 方 法 形 成 鉻 9 鉅 t 鈦 等之 膜 1 1 Μ 厚 為 3 0 0 η ffl程度的高融點 金 屬 薄 膜 > 然 後 將 其 以 昭 川、 像蝕 刻 1 I 法 等 的 方 法形 成模 圖以形成閘極 配線2 及 點 缺 陷 修復 模 1 1 圖 9〇 其次以電漿C VD (化 學 的 氣 相 澱 積 法 )法等形成做為閘 1 1 極 絶 緣 膜 4之膜厚300ηπ程度的S i N或 Si 0 2 等 的 絶 緣 膜， 做 1 1 為 半 導 體 層5之膜厚100η m程度的i -a -S i或P 〇 1 y - Si 等， 以 1 | 及 做 為 独 刻停 止膜 1 1之膜厚200 n m 程 度 的 Si N或S i 0 2等的絶 1 I 緣 膜 0 其 次以 照像 蝕刻法等的方法形成蝕刻停止膜之模圖 1 I I 0 接 著 以 電漿 CVD法等形 成 做 為 電 阻 性 接 觸 層 6的η -a - S ί膜 1 1 | 9 並 形 成 模圖 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 12 38183 A7 B7五、發明説明（U )其次以噴鍍等的方法形成膜厚lOOnm程度的ITO (絪錫 氧化物）等的透明導電膜。為得到做為液晶顯示装置所要 η 極 η電_ ο 霄！ 5 1罾或為盡一I 路 大成 最形， 原以 膜圖 該模 ,成 度形 亮法40 的方厚 求的膜 鋁 的 度 程 η 等成像 法形照 刻等以 蝕法其 像鍍將 照噴 ， 以以膜 其次薄 將其颶 然 。金 之 〇 3 源 成 形 以 圖 模 成 形 等圖膜 法模護 刻復保 蝕修的 極 線 配 及 8 ο 1 部 島 成 形 分 部 接 boe 形 要 極需 汲應 , 因 7Γ 後 最 與 成 陷等 缺iN 點 示 顯 晶 液 的 成 作 列 BF 該 用 及 列 I 8^ 雷 3 以極 部電 體素 晶耋 E <z pr 方 之光 素射 該射 將照 , 後 素其 I 3 , 的斷 TF陷切 的缺線 成點-C 作為： 述認 上於 如對圖 於 ，如 置光 裝射 示 所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之 上 上 3 pr 音 D 的 模 復 路 短 極 極 電 電 素 素畫 畫之 之素 齧 3 畫的 接接 鄰鄰 及將 部19 D 圖 修 陷 缺 點 由 介 訂 之 造 構 的 述 上 以

例 施 實 及 1X 例 施 實 與 到 得 可 亦 列 I 果 效 的 樣 同 例 旃 奮 之 置 裝 示 顯 晶 液 於 用 的 4 例 施 實 之 明 發 本 示 表 8 圖 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 與超 3 β 極為 電 ， 素外 畫之 將換 除更 中 序 例順 施的 實程 本工 〇 造 圖製 面之 斷 8 卜極 Γ 彳及 的 7 列線 陣配 容 亦上9¾ 。 其圖 造在模 構 ，復 的10修 樣部陷 同島缺 圖 模 復30 修 極 陷電 缺素 點晝 於成 即形 上缺 以點 復 修 的 實 確 且 易 極 源 例 施 實 成點例 形用施 模利實 HHff αί 緣可與 絶亦到 以造得 挾構 ， 上述陷 9 明 發 本 例1 其 為 僅 造 構 之 列 il T F T 示 〇 所 果例 效施 的實 樣" 同上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 3 11 38183 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（14 ) 的構造當不限定於此。 如上述依本發明以雷射光照射溶融鄰接於重複二畫素 之第1金靨模圖以及介以閘極絶緣膜形成於該第1金屬模圖 上的第2金屬模圖，可以得到容易並且確實修復畫素缺陷 之TFT陣列基板及使用該TFT陣列基板的液晶顯示裝置，具 有提高成品率的效果。 又由於第1金靥模圖與閘極配線，第2金屬模圖與源極 及汲極各為以相同金屬材料同時形成，因此以與習用工程 為同樣的工程數，僅以變更模圖遮蔽（patter· n mask),故 可不提高成本而容易製造。 啻旃例5 圖9至圖11表示本發明之實施例5。圖9表示本發明之 顯示裝置使用的TFT陣列之部分平面圖，圖10為圖9之A-A 斷面圖。圖11為圖9之B-B斷面圖。首先以噴鍍法等的方法 形成膜厚300nm程度的鉻，鉅，鈦，鍚，钜，鋁等的高融 點金屬薄膜，然後以照像蝕刻法等的方法形成閘極（及閘 極配線）2,然後於其後形成之點缺陷修復模圖之橋部連接 的位置形成模圖（pattern)12當作島部。其次以噴鍍法等 之方法形成膜厚為ΙΟΟηπι程度的ΙΤ0(洇錫氣化物）等的透明 等電膜。然後以照像蝕刻法等的方法形成模圖以形成盖素 電極3。其後以電漿C V D (化學氣相澱積）法等形成做為閘極 絶線膜4的膜厚300πβ程度的SiN或Si〇2等的絶緣膜，做為 半導體層5之膜厚100nm程度的ί-a-Si或Poly-Si,以及做 為電阻性接觸層6之膜厚500nm程度的n-a-Si。其次以照像 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 14 〇 〇 , 〇 « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、 發明説明 ；15 ) :丨 I 蝕 刻 法 等 的 方 法 將 η - a - Si 及 1 - a - Si 形成 線 狀 (或島狀） 的模 圖 〇 I 1 | 其 次 以 昭 像 蝕 刻 法 等 的 方 法 形 成模 圖 以 於 耋 素 電 極上 ^—v 1 I 請 | 形 成 接 觸 孔 9 1 0 其 次 以 噴 鍍 法 等 的 方法 形 成 膜 厚 400 η m程 先 閱 I I it 1 I 度 的 鋁 > 鉻 等 的 金 羼 薄 膜 > 然 後 以 照像 独 刻 法 等 的 方 法形 背 1 之 1 I 成 模 圖 以 形 成 源 極 (及源極配線） 7 , 汲極8及 做 為 點 缺 陷修 注 意 1 I 事 1 復 模 圖 的 橋 部 13 0 其 次 將 源 極 及 汲 極之 間 的 η - a - Si 以 蝕刻 項 再 1 去 除 0 最 後 因 應 需 要 以 Si H等形成保護膜。 寫 ▲ - 頁 1 於 如 上 述 作 成 的 TFT陣列及使用該陣列作成的液晶顯 1 I 示 裝 置 對 於 認 為 點 缺 陷 的 畫 素 > 將 其含 於 盖 素 之 電 晶 體以 1 1 雷 射 光 如 圖 9之C -C 線 切 斷 1 其 後 照 射雷 射 光 於 盡 素 電 極上 1 I 之 D部（ 在 橋 部 13 的 部 分 中 於 橋 部 下 層配 置 島 部 12 的 部 分） 訂 1 及 鄰 接 壷 素 之 畫 素 電 極 上 之 同 樣 的 D部將閘極絶緣膜熔融， 1 1 介 由 修 復 模 圖 之 橋 部 將 前 述 認 為 點 缺陷 的 盖 素 之 畫 素 電極 1 I 與 鄰 接 之 畫 素 的 奎 素 電 極 短 路 0 1 惠 菁 旃 例 1 I 圖 1 2 表 示 本 發 明 之 實 施 例 6 〇 圖12之構造除了其閘極 1 1 2與畫素電極3 的 製 造 X 程 之 順 序 更 換以 外 與 實 施 例 5的構 1 1 造 相 同 〇 亦 即 於 奎 素 電 極 3上形成島部電極1 2 〇 1 Ί W 旃 例 7 I | 圖 13 至 圖 15表 示 本 發 明 之 實 施 例7 〇 圖1 3表示本發明 1 I 之 顯 示 装 置 使 用 的 TFT陣列之部分平面圖， 圖1 4為圖1 3之 1 1 I A - A斷面圖。 圖1 5為圖1 3之B -B m 面 圖。 首 先 於 洗 淨 的 玻璃 1 1 | 基 板 1以噴鍍法等的方法形成膜厚300πβ 程 度 之 鉻 t 鉅 ,鈦 1 1 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 38 183 A7 ^ϋΰυ^ί五、發明説明（16 ) ，鎢，鉬，鋁等的高融點金屬之薄膜，然後以照像蝕刻法 等的方法形成模圖以形成閘極（及閘極配線）2 ,然後於其 後形成之點缺陷修復模圖之橋部連接的位置形成模圖12當 作島部。其次以噴鍍法等的方法形成膜厚lOOnm程度之ITO (洇錫氣化物）等的透明導電膜。為得到做為液晶顯示裝置 以 極 lyml 質 ο 素 15耋 為成 大形 最以 成圖 做模 厚成 膜形 該法 度方 亮的 的等 求法 要刻 所蝕 像 照 以 後 然 Ο 下 漿 以 次 其 厚 膜 之 4 膜 緣 絶 極 閘 為 做 成 形 各 等 法 法 積 澱 相 氣 學 化 或 N S 的 度 程 0 η 膜 之 5 層 體 導 半 為 做 膜 緣 絶 的 等 2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 厚 的on 度20 程厚 nm膜 00之 或 或 N «1 S 的 度 程 膜 止 停 刻 蝕 為 做 及 以 照 以 次 其 0 膜 緣 絶 的 圖 模 成 形 膜 止 停 刻0 將 法CV 方漿 的電 等以 法次 刻其 蝕 像 厚 膜 之 層 觸 接 性 阻 電 為 做 成 形 等 法 膜法 成方 形的 法等 方法 的鍍 等噴 法以 刻次 蝕其 像 〇 照91 以 孔 後觸 然接 , 成 等形 S1上 a-極 _ η 質 的素 度畫 程於 nm以 50圖 鋁 的 度 程 a η ο ο 4 厚 膜 成 形 極 源 成 形 以 圖 楔 成 形 法 方 的 等 法 刻0 像汲 照 ， 以)7 後線 然配 , 極 膜源 薄及 屬 ί 金 之 等 鉻 訂 _竣_. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 做 Γ 及>η 8 之 極間 部 橋 的 圖 模 復 修 陷 缺 點 為 的 要 不 之 部 素 i 3 於 及 a 極 汲 與 極 源 將 次 其 或 去 刻 蝕 用 置 装 示 顯 晶 液 之 ο 列 膜陣 護該 保 用 成使 形及 等列 H il «1 ΐϋυ S τ 以TF 要的 必成 於作 應述 後上 最如 ο 除 晶 B tpBT 之 素 ί 3 於 含 將 光 射 雷 以 素 i 簦 的 陷 缺 點 為 認 所 其 於 對 後 其 斷 切 線 C- C 之 3 1X 圖 依 體 部 島 置 配 層 下 部 橋 在 中 分 部 之 3 11 部 橋 /IV 部 之鄰 上及 極丨 電 素 i 3 射 照 光 射 雷 以 分 部 的 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 16 38 183 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（I?) 接之畫素的畫素電極上同樣的D部將閘極絶緣膜熔融，介 由修復模圖之橋部將前述認為點缺陷的畫素之畫素電極與 鄰接之畫素的畫素電極短路。 啻旃例8 圖16表示本發明之實施例8。圖16之構造除其閘極2與 畫素電極3的製造工程之順序更換以外與實施例7的構造相 同。亦即為在畫素電極3上形成島部電極12。 依本發明可以容易的修復點缺陷，改善TFT陣列及使 用該陣列之液晶顯示裝置的製造時之成品率。又依本發明 於製造途中發現的TFT陣列階段容易修復點缺陷自不待言， 對於成為液晶顯示装置後發現的點缺陷，亦即於修復之際 必需將雷射光由畫素電極側射入時，亦可容易並確實的實 行修後。 又其製造工程與習用方法完全相同，僅為變更模圖， 不增加工程而不提高成本。 審施例9 圔17表示本發明之實施例9。圖17表示用於本發明之 顯示装置的TFT陣列之部分平面圖，圖18為圖17的A-A斷面 圖，圖19為匾17的B-B斷面圖。圖中111為與積蓄電容電極 21同材料同時形成之第1金屬模圖的點缺陷修復模圖，12 為與閘極及閘極配線2同材料同時形成的第2金屬模圖之島 部，島部12為接於耋素電極3之下形成。又圖中C-C及D為 修復點缺陷時照射雷射處所。 其次説明本實施例之TFT陣列的製造方法。首先將洗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 38 183 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) μ衣. 訂 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (18 ) Ί I 淨 的 玻 璃 基 板 1以噴鍍法等的方法形成 鉻， 鉅 » 鈦等的金 «Μ | I 屬 薄 膜 $ 妖 後 以 昭 像 蝕 刻法等 的方 法形成模圖以形成積 蓄 1 1 I 電 容 電 極 21 及 點 缺 陷 修 復模圓 1 1 1 〇 其 次以 電 漿 CVD法等 形 1 I 請 I 成 積 蓄 電 容 的 電 介 質 膜 31之 S i N或S 1 0 2 等的 薄 膜 ,以模圖 先 閱 1 I 讀 1 I 形 成 與 其 後 形 成 之 閘 極 及閘極 配線 2接 觸的 接 AJS 胸 孔。其次 背 1 I 之 1 I 以 噴 鍍 法 等 的 方 法 形 成 膜厚300nm程度 之鉻 > 鉅 ,鈦等高 注 意 1 I 事 1 融 點 金 屬 薄 膜 9 將 其 以 照像蝕 刻法 等的方法形成模圖以 形 項 再 1 填 Λ 成 閘 極 • 配 線 2及與點缺陷修復楔圖11 1接觸部分形成島 部 寫 本 百 A 1 1 2 0 亦 即 於 修 復 點 缺 陷 時照射 雷射 處所D , 為 在 點缺陷修 貝 1 1 I 復 模 圖 11 1上介著積蓄電容之電介質31 形成 島 部 1 2 〇 I 1 其 次 以 噴 鍍 等 的 方 法形成 膜厚 100 n in程 度 之 ΙΤ0 (銦錫 1 1 氣 化 物 )等的透明導電膜，然後將其以 照像 独 刻 法等的方 訂 1 法 形 成 模 圖 以 形 成 畫 素 電極3。 其次以 電漿 C V D法等形成 做 1 1 為 閘 極 絶 緣 膜 4之膜厚300nm程 度的 S i N 或S i 0 2 等 之絶線膜， 1 1 做 為 半 導 體 層 5之膜厚200nm程 度的 i - a -S i 或 P 〇 1 y-Si 等， 1 以 及 做 為 電 阻 性 接 觸 層 6之膜厚50η m程 度的 η - a - S i等。其 ! I 次 以 照 像 蝕 刻 法 等 的 方 法將η- a - S i 及ί -a - S i形成線狀或 島 1 1 狀 的 楔 圖 0 然 後 以 照 像 蝕刻法 等的 方法形成模圖以於畫 素 1 1 電 極 3上形成-接觸孔。 其次以噴鍍法形 成膜 厚 400nm程度 的 1 1 鋁 t 鉻 等 之 金 屬 薄 膜 » 將其以 照像 蝕刻法形成模圖以形 成 1 I 源 極 • 配 線 7及汲極8後 ,將源 極· 汲極間之η -a -S ί由蝕 刻 1 I 去 除 0 最 後 應 於 必 要 以 S i Ν等形成保護 膜。 1 I 於 如 上 述 作 成 的 TFT陣列及使用該 陣列 之 液 晶顯不裝 1 1 1 置 t 對 於 認 為 點 缺 陷 的 畫素， 為將 其盡素之電晶體部以 雷 1 1 本紙張尺度適用中國國家標羋（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 18 38183 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19 ) 射光依圖1 7所示C - C線切斷，其後於畫素電極3上之D部及 鄰接盡素之盖素電極3上之D部以雷射光照射，介以點缺陷 修復楔圖111將鄰接奎素之奎素電極短路。此時因偽將介 存積蓄電容之電介質31的二金屬膜，即點缺陷修復模圖 111及島部12以雷射連接，可以容易並且確實予以修復。 尤其由畫素電極3側照射雷射時為有效。又於本實施例為 以連接左右畫素電極的構成，然亦可做為連接上下之畫素 電極的構成。 依本實施例，為利用點缺陷修復模圖111將認為點缺 陷的畫素與鄰接的畫素短路，因此其相鄰接的畫素電極成 為同電位，做相同的顯示而不易認為偽點缺陷，由此提高 TFT陣列的成品率。又因其為與習用技術以同樣製造方法 而僅變更其模圖，不增加工程數而具不增加成本的優點。 又依本發明，對於TFT陣列階段發現之點缺陷的修復 自不待言，對於成為具有該TFT陣列基板與透明電極及色 濾器等之對向電極基板之間挟持液晶的液晶顯示裝置之後 ,亦即為由畫素電極側射入雷射光的狀態，亦可容易並且 確實的予以修復。 窨旃例1 0 圖20表示本發明之實施例10的用於顯示裝置之TFT陣 列的部分斷面圖。本實施例10除了將閘極•配線2與畫素 電極3之製造工程的順序更換以外與實施例9的構造相同。 即為於點缺陷修復模圖111上介以積蓄電容之電介質31形 成畫素電極；3,在其上形成島部12。如上述其島部12可以 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 。。t。。 ---------尽------ΐτ------f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 五、 發明説明 (2 0 ) :丨 I 為 形 成 在 上 或 下 的 構 造 均 可 利 用點缺陷修復模圖1 1 1容易 •m ] 1 的 修 復 點 缺 陷 * 得 到 與 實 施 例 9同樣 的 效 果 0 1 1 S. 旅 例 1 1 1 I 請 1 I 以 下 參 照 圖 面 説 明 本 發 明 之實施例1 1 〇 圖21表示本發 先 閱 1 I 讀 1 I 明 之 液 晶 顯 示 装 置 使 用 的 TFT陣列之 部 分 平 面圖 9 圖22為 背 1 I 之 1 圖 2 1 之 A- A斷面圖， 圖23為圖2 1之Β - Β斷面圖。圖中131為 注 意 1 事 1 独 刻 停 止 膜 〇 項 再 1 4 J 其 次 說 明 本 實 施 例 之 TFT陣列的 製 造 方 法。 首 先以噴 本 | 鍍 法 等 的 方 法 於 洗 淨 的 玻 璃 基 板1形 成 鉻 > 鉅， 鈦 等的金 貝 1 1 I 屬 薄 膜 > 然 後 將 其 以 照 像 蝕 刻 法等的方法形成模圖以形成 1 1 積 蓄 電 容 電 極 2 1 及 點 缺 陷 修 復 模圖1 11 0 其 次以 電 漿CVD法 1 1 等 形 成 做 為 積 蓄 電 容 之 誘 電 體 膜31的S i N或 S i 〇2 等 的薄膜， 訂 1 然 後 形 成 與 其 後 形 成 之 閘 極 ♦ 配線接觸的接觸孔之模圖。 1 1 其 次 以 噴 鍍 法 等 的 方 法 形 成 膜 厚300 n m 程 度 的鉻 f 钽，鈦 1 I 等 之 高 融 點 金 饜 薄 膜 妖 後 將 其以照像蝕刻法等的方法形 1 成 模 圖 以 形 成 閘 極 ♦ 配 線 2 , 並在與 點 缺 陷 修復 模 圖1 1 1的 1 | 接 觸 部 分 形 成 島 部 12 0 亦 即 於 修復點缺陷時照射雷射的處 1 1 所 為 於 點 缺 陷 修 復 模 圖 11 1上介以積 蓄 電 容 的電 介 質31形 1 ! 成 島 部 12 0 - 1 1 其 次 以 噴 鍍 等 的 方 法 形 成 膜厚1 00 n m 程 度之 ΙΤ0 (銦錫 1 1 氣 化 物 )等的透明導電膜。 為得到做 為 液 晶 顯示 裝 置所要 1 I 求 的 亮 度 • 該 膜 厚 最 大 為 150η η 〇然 後 將 其 以照 像 蝕刻法 1 I I 等 的 方 法 形 成 模 圖 以 形 成 畫 素 電極3 0 其 次 以電 漿 CVD法等 1 1 1 形 成 做 為 閘 極 緣 膜 4之膜厚3 00 n m程度的S ί N或 Si 〇2等的 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 38 183 20 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (2 1 ) I 絶 綠 膜 » 做 為 半 導 體 層 5之 膜厚 1 00η π程度的丨-a -S ί或 | Po 1 y -S ί等的薄膜， 以及做 為蝕 刻 停 止 膜 1 3 1之膜厚20 0 n m 1 1 I 程 度 的 Si N或S i 0 2等的絶緣 膜0 其 次 以 照 像 蝕刻 法等的方 ^-Ν 1 I 請 1 I 法 形 成 蝕 刻 停 止 膜 1 3 1之模 圖。 接 著 以 電 漿 C VD法等形成做 先 閱 1 I 讀 1 | 為 電 阻 性 接 觸 層 6之膜厚50 n m程 度 的 η - a - S i 等， 然後以照 背 ιδ 1 | 之 1 像 蝕 刻 法 等 的 方 法 形 成 模圖以於盡素電極3上形 成接觸孔 意 1 事 1 〇 其 次 以 噴 鍍 法 等 形 成 膜厚400 n m 程 度 之 鋁 ,鉻 等的金靥 項 再 1 寧 薄 膜 t 將 其 以 照 像 蝕 刻 法等形成模圔以形成源極•配線7 頁 1 及 汲 極 8 〇 其次將源極 汲 極間 之 η - a - Si 及 在畫 素部之不 1 I 要 的 η - a - Si 或 i - a - Si 由 蝕刻去除。 最後因應需要以SiN等 1 1 形 成 保 護 膜 〇 ! 1 於 如 上 述 作 成 的 TFT陣 列及 用 該 陣 列 作 成的 液晶顯示 訂 1 裝 置 9 對 於 其 認 為 點 缺 陷的盡素， 將該畫素之電晶體部以 1 I 雷 射 光 依 圖 2 1 所 示 C - C線切 imr 斷， 其 後 對 於 畫 素電 極3上的D 1 I 部 及 鄰 接 畫 素 之 畫 素 電 極3上的 D部各以雷射光照射，而介 1 1 由 點 缺 陷 修 復 模 圖 11 1將郯 接之 畫 素 的 衋 素 電極 予以短路 1 1 0 如 上 述 構 造 之 TFT陣列 亦可 得 到 與 實 施 例9及實施例10 1 I ! 同 樣 的 效 果 0 - 1 1 奮 旃 例 12 1 I 1〇| 圖 24 表 示 本 發 明 之 實施例1 2的用於液晶顯示装置之 1 I TFT陣列的部分斷面圖。 本 實施 例 1 2除 了 閘 極2與畫素電極 1 1 I 3的製造工程的順序更換以 外， 為 與 實 施 例 1 1同 樣的構造 1 1 1 0 亦 即 為 於 點 缺 陷 修 復 模圖1 1 1 上 介 著 積 蓄 電容 之電介質 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐〉 38 183 2 1 A7 B7 五、發明説明（22 )膜3 1形成番素電極 於其上形成島部12。以上述構成亦 施 1L> J/ 缺 f 寶點-Ϊ 用 9 利例 可施 圖 模 復 修 陷 例 實 與 到 得 陷 缺 點 復 修 的 易。 容果 11效 tfL 的 樣 同 發 本 例 1 其 為 hBa 造 構 的 列 il st τ ρ τ 示 ο 所此 例於 施限 實不 述當 上造 又構 的 明 素 I 3 個 兩 之 接 鄰 於 複 S 3 射 照 射 雷 以 為 明 發 本 依 上 以 1 成 形 膜 緣 絶 之 等 膜 體 gml 誘 容 i Ι^ΠΓ 蓄 積 以 介 及 圖 ml/ 效 的 率 品 成 高 TF提 I I 之有 模模 陷具 屬屬® ， 素置 第第畫裝 的在復示 金 2 該 用 使 及 板 基 第列 的陣 上FT 圖r 修顯 實晶 確液 並的 易板 容基 得列 可陣 而FT 融Γ 熔 圖 楔 屬 圖 容時 I 模 電同 罾#更 HIPS ! 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Claims (1)

1. AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種薄膜電晶體（TFT)陣列基板，為具備由形成在透明 線與配膜 配 ，極電 極層源導 閘體之明 之導極透 極半源之 閘的為近 為設兼附 兼所的件 的 膜件元 成緣元體 形絶體導 所極導半 膜閘半述 薄介成上 颶經構於 金上起設 之線一由 上配層 ， 板極體極 基閘導汲 緣該半及 絶在該線 料 材 屬 金 的 同 相 線 配 極 0 述之 上置 與配 以素 , 畫 極 二 Be 素接 畫鄰 的於 成跨 形重第 述配 上極 在源 及與 以之 , 置 圖配 模膜 屬緣 金絶 1I& 極 閘 述 上 以 介 中 上 圖 模 羼 金 模 颶 3 金 由 2 而第 , 述 圖上 模與 屬圖 金模 2屬 了 之 1 料第 材述 羼上 金於 的光 同射 Jd 梦3 f 脅B 極射 汲照 及 線 行 實 而 間 極 素 ί 養 個 兩 之 接 鄰 接 3 以 接 I- 遶 融 熔 其 將 圖 其金 , 之 板等 基鈦 列或 陣鉅 體 ， 晶絡 電以 膜偽 薄圖 。的模 者 激 I記金 持 I 1 項 其 1 第 為第及 復圍線 修範配 之利極 素專閘 畫請述 陷申前 缺如中 2 其其 , 為 板成 基形 列屬 陣金 體之 晶 等 1Ε 百 5® 0 膜或 薄鉻 的 ， 載鋁 記以 項偽 。1圖 者第 I 模 擻圍 屬 其利 2 為專第 成請述 形申前 屬如中 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其為 , 成 板形 基下 列或 陣上 體之 晶 極 BegBt 膜素 薄蛋 的於 載接 記以 項係 1圖 第 — 3 模 圍 屬 範 Ji金 和 2 。 專第 者請述 激申前 待如中 製 之 列 下 括 包 法 方 造 製 之 板 基 列 I 阔 體 晶 E o IplT 者膜 擻薄 待種 其一 5 程 等 鈦 或 鉅 鉻 成 形 等 法 鍍 噴 以 上 板 基 緣 绝 明 透 於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） 38183 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 六、申請專利範 圍 I 的 金 屬 薄 膜 9 然 後 以 照 像 蝕 刻 法 等 的 方 法 形 成 楔 圖 以 1 1 I 形 成 閛 極 » 閘 極 配 線 及 重 跨 郯 接 之 二 耋 素 的 第 1金屬模 1 1 I 圖 之 製 程 1 I 請 1 I 以 電 漿 C V D (化 學 氣 相 澱 積 )法等依次形成閘極絶綠 先 閲 1 I 1 1 膜 » 半 導 體 層 及 電 阻 性 接 觸 層 » 然 後 將 其 形 成 模 圖 的 背 面 1 I 之 1 製 程 意 1 事 1 以 噴 鍍 法 等 的 方 法 形 成 透 明 導 電 膜 » 然 後 形 成 模 項 再 1 填 圖 以 形 成 畫 素 電 極 的 裂 程 寫 本 笨 頁 1 以 噴 鍍 法 等 形 成 鋁 1 鉻 或 鉬 等 的 金 屬 薄 膜 » 然 後 1 形 成 模 圖 以 形 成 源 極 與 源 極 配 線 $ 汲 極 及 於 上 述 第1 1 1 金 靨 模 圖 上 至 少 為 介 以 上 述 閘 極 絶 緣 膜 形 成 第 2金屬模 1 1 圖 的 製 程 以 及 訂 1 於 認 出 缺 陷 的 亶 素 時 t 以 雷 射 照 射 將 該 畫 素 的 訊 1 | 號 電 路 切 離 i 然 後 將 上 述 第 1金羼模圖與上述第2金 屬 1 I 模 圖 熔 融 以 連 接 鄰 接 的 兩 個 盡 素 電 極 間 而 實 行 對 缺 陷 1 1 —N.. 室 素 修 復 之 製 程 1 為 其 特 徽 者 0 1 1 6 . — 種 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基 板 9 為 具 備 由 形 成 在 透 明 絶 緣 1 1 基 板 上 之 金 羼 薄 膜 所 形 成 的 兼 為 閘 極 之 閘 極 配 線 * 在 1 I 該 閛 極 配 線 上 中 介 閘 極 絶 綠 膜 所 設 的 半 導 體 層 » 與 該 1 I 半 導 體 層 一 起 構 成 半 導 體 元 件 的 兼 為 源 極 之 源 極 配 線 1 1 I 及 汲 極 1 由 設 於 上 述 半 導 體 元 件 附 近 之 透 明 導 電 膜 形 1 1 I 成 的 衋 素 電 極 « 由 形 成 在 上 述 透 明 絶 緣 基 板 上 之 金 屬 1 1 薄 膜 形 成 積 蓄 電 容 電 極 » 設 於 該 積 蓄 電 容 電 極 上 的 積 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 4 3 8 1 8 3 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 I 蓄 電 容 誘 電 體 膜 » 以與上述積蓄電容電極相同的金羼 I 材 料 而 重 跨 於 鄰 接 之兩値畫素配置的第1金 屬 模 圖， 以 1 1 I 及 在 該 第 1金羼模圖上 中 介 上 述 積 蓄 電 容 誘 電 體 膜等 之 1 I 請 先 閱 I 絶 綠 膜 配 置 的 第 2金靥 模 圖 t 而 由 1 I 讀 1 | 照 射 雷 射 光 於 上述第1金 屬 模 m 與 上 述 第 2金屬模 背 ιέ 1 I 之 1 画 將 其 熔 融 連 接 以 連接鄰接之兩値畫素電極間而實行 注 意 1 | 事 1 缺 陷 耋 素 之 修 復 為 其特擻者。 項 再 1 7 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 6項 記 載 的 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基 板， 其 寫 装 頁 1 中 前 述 閘 極 配 線 及 第1金 屬 模 圖 偽 以 鉻 » 鉅 或 鈦 等之 金 —^ 1 I 屬 形 成 為 其 特 擻 者 0 1 1 1 8 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 6項 記 載 的 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基 板， 其 1 1 中 刖 述 第 2金屬模圖以 鉻 9 鉅 或 鈦 等 之 金 靨 形 成 為其 特 訂 1 擻 者 0 1 1 9 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 6項 記 載 的 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基 板， 其 1 I 中 刖 述 第 2金屬模圖以 與 閘 極 配 線 相 同 的 金 屬 材 料形 成 1 i 為 其 特 歡 者 0 Γ 10 .如 請 專 利 範 圍 第 6項 記 載 的 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基 板， 其 1 1 中 前 述 第 2金屬模画以 接 於 畫 素 電 極 之 上 或 下 形 成為 其 1 1 特 擻 者 0 1 1 11 ,一 種 液 晶 顯 示 裝 置 ，以申請專利範圍第1項 至 第 4項， 1 I 第 6項至第1 0項之任一 項 記 載 的 薄 膜 電 晶 體 陣 列 基板 與 1 I 具 有 透 明 電 極 與 色 過濾器之對向電極基板間配置液晶 1 1 I 為 其 特 歡 者 〇 1 1 12 ♦ 一 種 薄 膜 電 晶 體 陣 列基板之製造方法， 包括下列之製 1 1 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 25 38183 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 程： 於透明絶綠基板上以噴鍍法等形成鉻，鉅或鈦等 的金屬薄膜，然後以照像蝕刻法等的方法形成模圖以 形成積蓄電容電極及重跨鄰接之二畫素的第1金屬模圖 之製程； 以電漿C V D (化學氣相澱積）法等形成S i H , S ί 0 2等 的薄膜，然後將其形成模圖以形成積蓄電容電介質膜 的製程； 以噴鍍法等形成鉻，鉋或鈦等的金颶薄膜，然後 將其以照像蝕刻法等的方法形成模圖以形成閘極與閘 極配線，及於上述第1金屬模圖上至少中介上述積蓄電 容介質膜形成第2金屬模圖的製程； 以噴鍍等的方法形成透明導電膜，由形成模圖以 形成畫素電極的製程； 以電漿CVD法等依次形成閘極絶緣膜，半導體層及 電阻性接觸層，然後將其形成模圖的製程； 以噴鍍法等形成鋁，鉻等的金屬薄膜，然後由形 成模圖以形成源極與源極配線及汲極的製程；以及 於認出缺陷的畫素時，以雷射照射將該畫素的訊 號電路切離，然後將上述第1金屬模画與上述第2金屬 模圖熔融以連接郯接的兩値畫素電極間而實行對缺陷 畫素修復之製程； 為其等獻者。 1 3 . —種液晶顯示裝置，為以包含金屬薄膜形成的閘極與 2 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 38183 --------f 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-a AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 閘極配線，閘極絶綠膜，半導體層，電阻性接觸層， 源極與源極配線及汲極的薄膜電晶體，以及由透明導 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 電對成 ，置薄 前 前一 裝 方一 第 素素電 膜之形 部位屬 中 中任 示 造同 圍耋 蜜素 薄器以橋應金 其 其之 顯 。製以 範之一耋 的濾而的對成 ， ，中 晶者的 ， 利陷任之 上過，成的形 置 置鋁 液歡置時 專 缺將陷 板色置形層置 裝 裝或 的特装同 請點中缺 基及装膜下位 示 α 示鉬 載其示之 申有極點 緣極示薄部的 顯者顯 ， 記為顯成 。於 含電有 絶電顯 屬橋層 晶 徽晶鎢 項極晶 形者係 將素含 明明晶金述下 液待液 ，15電液線戡 ，中畫述 透透液由前或 的其的鈦 第素的配特法其個前 於有的為於層 載為載 ， 或畫載極其方 ，二復 設具晶並膜上 。記成記鉅14於記閘為復置之修 為與液極緣之者項形項 ， ，接項與部修裝接以 極其持電絶極擻13屬14鉻13以13極島的示鄰位 電以挾素極電特第金第以 第部第閘述置 顯極電 。 素，間畫閘 素其圍 點圍偽 。圍 島圍述 前裝晶電同者 畫板之的述畫為範融範屬者範述範前成示液素為擻 的基板接前述 ，利高利金激利前利於形顯的畫一特 成列基鄰介前部專以專點特專中專中料 晶載該另其 形陣極於中於島請部請融其請其請其材液記與與為 膜 體電跨 及為之 申島申 高為申 .申 ，屬種 項極極 ， 電晶向重以並膜如述如述種如置如法金 一13電電極 {裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 38183 ^〇〇3^i as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19.如申請專利範圍第18項記載的液晶顯示裝置的修復方 該與者 於.徽 接部待 鄰橋其 與的為 極極位 iyes 素素 同 畫金為 的之成 陷一其 缺任使 點中路 有極短 含電部 於素島 跨晝之 重二 部 將之橋 中極該 其電於 , 素應 法畫對 方極 。 復閛者 修的歡 的間待 置之其 裝部為 示島路 顯的短 晶部以 液橋予 的該而 載於融 記應熔 項對其 19與將 第部光 圍橋射 範述雷 利前用 專中為 請其膜 申 ，緣 如法絶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 28 3 8 18 3