TW299456B - - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 本 發 明 係 關 於 具 有 粗 糙 半 導 體 表 面 之 半 導 體 裝 置 〇 1 1 此 種 半 導 體 裝 置 例 如 已 描 述 在 專 利 文 獻 DI 2 E > 1 9 0 5 A3之 中， 1 I 在 此 文 獻 中 掲 示 一 種 具 有 m -V連結半導體本體之發光 /•—V 請 1 1 半 導 體 裝 置 ，其表面設計為粗糙狀。 為了作電性接觸， 在 先 閱 1 1 ΙΠ -V連結半導體表面之部份區域上塗有由金坡層和金 背 1 I 層 所 構 成 之 金 屬 接 觸 〇 之 注 1 | 意 | 粗 糙 面 減 少 半 導 體 裝 置 内 産 生 之 束 在 表 面 上 之 全 事 項 1 I 再 1 I 反 射 ,因此可提高輻射強度以及發光半導體裝置外部之 填 1 量 子 效 率 〇 % 本 頁 僉 1 可 是 製 造 此 種 半 導 體 裝 置 的 極 大 困 難 度 在 於 由 金 -玻 1 1 和 金 所 構 成 之 金 靥 接 觸 〇 1 首 先 言 裡 要 提 出 的 是 以 白 動 光 學 確 金 屬 化 金 層 之 困 難 1 1 度 0 其 原 因 為 在 半 導 體 表 面 和 金 層 接 觸 表 面 之 間 有 一 不 訂 | 利 之 對 比 關 僳 0 在 晶 Η 裝 配 線 中 使 用 之 傳 統 照 相 機 条 統 1 I 必 須 特 別 為 此 種 材 料 組 合 而 作 校 準 〇 若 無 此 種 校 準 ，則 1 1 具 可 靠 性 之 白 動 光 學 確 認 是 不 可 能 的 0 可 是 在 晶 片 裝 配 1 1 線 中 每 一 新 校 準 都 需 另 外 的 費 用 〇 ,r 1 此 種 困 難 度 亦 造 成 下 述 現 象 ，即， 在 傳 統 上 使 用 之 由 金 1 1 作 成 之 連 結 線 和 由 金 作 成 之 連 結 墊 之 間 的 連 接 位 置 上 只 1 I 有 很 小 的 機 械 強 度 ，因此在晶Η製造期間， 例 如 在 包 裝 時， 1 1 會 增 加 接 點 導 線 斷 開 之 危 險 〇 1 1 因 此 本 發 明 之 百 的 為 發 展 一 種 具 有 粗 糙 半 導 體 表 面 之 1 I 半 導 體 裝 置 ，其具有金屬接觸， 此 種 金 颶 接 觸 對 半 導 體 材 1 1 料 之 對 比 關 係 可 確 保 以 傳 統 上 3- 在 晶 片 生 産 中 所 使 用 之 照 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（> ) A7 B7 建 之 線 導 結 I 逋 對 «3 其 且 認 確 學 光。 動度 自強 的械 靠機 可之 作高 统很 糸有 機具 相接 而 置觸 裝接 體屬 導金 半之 種結之 一 連體 用能本 利一體 將少導 的至半 目有份 WtLN yj 具部 此體一 本有 決 解 金 在 狀 糙 粗 成 定 設 面 表 導,1本 半中體 中觸導 其接半 ，屬· 造 蓋構 覆步 觭一 接進 靥之 金明 被發 會本 不 料 材 屬 金 之 £ S 貴 不 有 具 觴 接 靥 金 中 圍 範 利 專 請 Φ 於 述 描 之 關 相 於 述 描 亦 法 方 k 的 置 裝 體 導 半。 之中 明圍 發範 本利 據專 依請 申 金之 合知 之習 主較 為有 鋁具 以常 或通 J料 料材 材體 羼導 金半 之對 重觸 貴接 不屬 由金 種之 一 作 構 連出 鋁高 於度 介強 認械 確機 學之 光接 動連 自的 比的間 對靠之 之可線 良行導 優進結 更統連 層糸之 屬認成 金確構 之學金 成光由 構之和 金用塾 由使接 統 傳 以 保 確 可 其 係 關 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝— 度 強為 械點 機優 之 一 接 S 連之f @ 金如 多 很 例！ ，用 料使 材統 屬傳 金了 之除 tgt 一 3 貴 不 用 使 時 觸 接 屬 金 造 製 在 據種 外依一 之將示 線明顯 産發 1 生本圖 之 備 設 套 成 之 別 待 需 不 下 如 明 說 單 簡 式 圖.。 。置 明裝 說體 細導 詳半 式之 圖明 和發 例本 施據 實依 了^up— 、-"髮 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 上 發)J tl 「--* 種.{ 一 板 示基 顯 S 中aA 圖(G 此鎵 在化 砷 觸 接 上r:屬 再h之 上(1成 其板構 } 基所 (2型料 層電材 極 二 光 一 上 鍍 之 A 型-X 電al G 導 X P 1 在 A ，之 面型 切電 横導 P 之 層 體 導δ Ρ 屬 〇金 \—/ Γ * A 3 重 X ,—^ I 貴1 不Ga XA由IX a-二 XG二 1 丨 驾 導 之上ΐ 型面在 電個 。 導整 4 β /CV 其 在 方 層 層 層 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2^438 Α7 Β7 --- 五、發明説明㈠） {靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} (3)之上方鍍上一層由不貴重金靥材料所構成之第二金 屬接觸（5),但金羼接觸只棰赛11導電型AlxGal-xAs層（3) 之表面的一小部份。金屬接觸（4,5)由例如绍或以錦為 主之合金所構成。砷化鎵基板（2,3) 未使用之表面具有粗糙狀（6)° 需要一種方法以製造此種半導體裝置，此種方法一方 面將半導ft材料之表面粗糙化，另一方面不損傷金饜接 觸（4 , 5)之表面使具有連結塾之待性。 此種含有粗糙之砷化鎵表面*AlxGal-XAS表面（銘含 量（XS040)且含有金靥接觸（具有鋁表面）之半導體裝置 的製造方法具有例如下列次序之步顏^ a) 半導體本體之製造； b) 鍍上一層由鋁構成之金麻接觸； c) 預先清洗半導體表面以製造一種吸水性之半導體表 面，例如可用水清洗，或添加清潔劑； d) 利用由過氣化水（230¾)和氣氟酸（240X)(1000:6)所 組成之蝕刻混合物進行粗糙蝕刻約1分鐘至2·5分鐘； e) 再以稀釋之礦酸，例如硫酸（153!)，在35°C独刻約1分 鐘至2分鐘。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 一種含有粗糙之砷化鎵表面*AlxGa^As表面（錯含量 0SXS1)且含有金屬接觸（具有鋁表面）之半導體裝置的製 造方法具有例如下列次序之步驟： a)半導體本體之製造； b>鍍上一層由鋁構成之金屬接觸； -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（4 ) C)預先清洗半導體表面以製造一種吸水性之半導體表 面，例如可用水清洗，或添加清潔劑； d )利用硝酸（6 5 X )在0 °C和3 0 °C之間進行粗糙蝕刻。 依據鋁含量X ,則粗糙蝕刻之溫度和蝕刻時間必須作調 整。 為了上述半導體裝置之製造，將使用習知之晶圓製造 程序。其意義為：製造此種具有粗糙表面之半導體裝置 時，不需要其它費用之增加。在載蓮箔片上之晶片各別 分離後，表面粗糙化是晶圓製造程序後段之最後步驟。 例如，若只要在圖示之半導體本體之上方或側邊表面上 方和部份區域進行租糙化，則此種粗糙化可在晶Η各別 分離前進付或在晶片間之切割線鋸開之後進行。此種已 製造完成之結構需保持不受損傷，使在晶片之鍍層，鈍化 和金屬接觸過程中不需持別之方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種具有粗糙半導體表面之半導體裝置，其持擞為：半 導體本體至少具有一能連結之金鼷接觸（5)，半導體本 體至少一部份表面設置成粗糙狀（6),半導體本體不完 全被金屬接觸（5)覆蓋，金靥接觸（5)含有不貴重之金 靨材料。 2·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中金靥接觸（5) 由鋁所構成。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中金屬接觸（5) 由一種以鋁為主之合金所構成。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體裝置，其 中半導韹本體由AlxGal-xAs所構成。 5. —種製造半導體裝置之方法，傜用以製造申請專利範 圍第1至4項中任一項之半導體裝置，此方法具有之步 驟為： a) 半導體本體之製造； b) 鎪上一層之金屬接觸（5); c) 預先清洗半導體表面以製造一種吸水性之半導體 表面； d) 利用由過氧化水和氫氟酸所組成之蝕刻混合物進 行粗糙蝕刻； e )再以稀釋之礦酸進行蝕刻； 6. —種製造半導體裝置之方法，傺<用以製造申請專利範 圍第1至4項中任一項之半導體裝置，此方法具有之步 驟為： -7 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱績背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 申請專利範圍 ·， 解 造接 製屬 之金 體之 本層 體一 導上 半鍍 \ί/ \J/ a b Α8 Β8 C8 D8 捿 βθ 導 半 之 性 水 吸 種 1 造 製 以 。 面 刻 表 蝕 體 槠 導 粗 半 行 洗 進 清 酸 先 硝 預.，以 C)面d) 表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 镖 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）