EP0811250A1 - Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter halbleiteroberfläche - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter halbleiteroberfläche

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EP0811250A1
EP0811250A1 EP96901222A EP96901222A EP0811250A1 EP 0811250 A1 EP0811250 A1 EP 0811250A1 EP 96901222 A EP96901222 A EP 96901222A EP 96901222 A EP96901222 A EP 96901222A EP 0811250 A1 EP0811250 A1 EP 0811250A1
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semiconductor device
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roughened
producing
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Gisela Lang
Reinhard Sedlmeier
Ernst Nirschl
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Siemens AG
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Definitions

  • the invention relates to a semiconductor device with a roughened semiconductor surface.
  • Such a semiconductor device is described for example in the patent specification DD 251 905 A3.
  • a light-emitting semiconductor device with a III-V compound semiconductor body is disclosed therein. Its surface is roughened.
  • contact metallizations consisting of a gold beryllium and a gold layer are applied to partial areas of the III-V compound semiconductor surface.
  • the roughening reduces the total reflection of the light radiation generated in the semiconductor device on the surface. As a result, the radiation intensity and thus also the external quantum efficiency of the light-emitting semiconductor device is increased.
  • contact metallizations made from gold beryllium and gold present great difficulties in the production of these semiconductor devices.
  • This invention is therefore based on the object of developing a semiconductor device with a roughened semiconductor surface which has a contact metallization, the contrast ratio of which to the semiconductor material ensures reliable automatic optical detection with conventional camera systems used in chip production, and its connection to the bonding wire has high mechanical strength.
  • a semiconductor device in which a semiconductor body has at least one bondable contact metallization, in which at least a part of the surface of the semiconductor body which is not covered by the contact metallization is roughened and in which the contact metallization is a base metal material on ice.
  • a contact metallization made of a base metal material such as aluminum or an aluminum-based alloy generally has a better contrast ratio to the semiconductor material than the known metallization made of gold. It thus ensures reliable automatic optical detection with conventionally used optical detection systems.
  • the mechanical strength of the The connection between aluminum bond pads and gold bond wires is significantly higher than that of a gold-gold connection.
  • the use of base metallic materials such as aluminum also has the advantage that no special cycles outside of the conventionally used production lines are necessary to manufacture the contact metallizations.
  • the figure shows a semiconductor device according to the invention.
  • a cross section through a light-emitting diode is shown.
  • a p-type GaAs substrate (1) On a p-type GaAs substrate (1) a p-type Al x Ga ⁇ _ x As layer (2) is applied, on which in turn an n-type Al x Ga ⁇ _ x As layer (3) is applied.
  • the underside of the p-type substrate (1) is covered over the entire area with a contact metallization (4) made of a non-precious metallic material.
  • a second contact metalization (5) made of a base metal material is applied, but only a small part of the surface of the n-type A ⁇ Ga ⁇ s layer (3) covered.
  • the contact metallizations (4, 5) consist, for example, of aluminum or an aluminum-based alloy.
  • the free surfaces of the GaAs substrate (1) and the Al x Ga ⁇ _ x As layers (2,3) have a roughening (6).
  • Such a method for producing a semiconductor device with roughened GaAs and Al x Ga ⁇ _ x As surfaces with an Al content of x ⁇ 0.40 and contact metallizations with aluminum surfaces has, for example, the following successive steps: a) producing the semiconductor body ; b) applying the contact metallizations made of aluminum; c) pre-cleaning the semiconductor surface to produce a hydrophilic semiconductor surface, for example by rinsing with water, possibly with detergent additive; d) roughening with an etching mixture of water peroxide (> 30%) and hydrofluoric acid (> 40%) (1000: 6) over a period of 1 to 2.5 minutes. ; e) Etching with a dilute mineral acid, such as sulfuric acid (15%), at 35 ° C for a period of 1 to 2 minutes.
  • a dilute mineral acid such as sulfuric acid (15%)
  • a method for producing a semiconductor device with roughened GaAs and Al x Ga ⁇ _ x As surfaces with an Al content of 0 ⁇ x ⁇ 1 and contact metallizations with aluminum surfaces has, for example, the following successive steps: a) producing the Semiconductor body; b) applying the contact metallization from aluminum, - c) pre-cleaning the semiconductor surface to produce a hydrophilic semiconductor surface, for example by rinsing with water, possibly with detergent additive; d) roughening with nitric acid (65%) at temperatures between 0 ° C and 30 ° C. Depending on the aluminum content x, the temperature and the etching time have to be adapted for the roughening.
  • the known wafer production processes are used to produce the semiconductor device described above. This means that no additional cost-increasing effort is required to manufacture the semiconductor device with a roughened surface.
  • the surface roughening is the last step at the end of the wafer manufacturing process after being separated into chips on a carrier film. If, for example, only the upper side or the upper side and partial areas of the lateral surface of the semiconductor body shown in the figure are to be roughened, the roughening is carried out before the separation in chips or after sawing the dividing lines between the chips.
  • the structures that have already been completed remain unaffected, so that no special processes are necessary for the coating, passivation and contacting of the chips.

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Abstract

Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, bei dem zumindest ein Teil der nicht mit einer Kontaktmetallisierung versehenen Oberfläche eine Aufrauhung aufweist. Die Kontaktmetallisierung besteht aus einem unedelen metallischen Werkstoff wie beispielsweise Aluminium. Zur Aufrauhung der Halbleiteroberfläche wird ein Verfahren eingesetzt, das die Oberfläche der Kontaktmetallisierung nicht angreift.

Description

Beschreibung
Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche.
Eine solche Halbleitervorrichtung ist beispielsweise in der Patentschrift DD 251 905 A3 beschrieben. Darin ist eine lichtaussendende Halbleitervorrichtung mit einem III-V-Ver- bindungshalbleiterkörper offenbart. Seine Oberfläche ist mit einer Aufrauhung versehen. Zur elektrischen Kontaktierung sind auf Teilbereichen der III-V-Verbindungshalbleiterober- fläche Kontaktmetallisierungen, bestehend aus einer Gold- beryllium- und einer Goldschicht, aufgebracht.
Die Aufrauhung verringert die Totalreflexion der in der Halbleitervorrichtung erzeugten Lichtstrahlung an der Ober¬ fläche. Folglich ist die Abstrahlstärke und damit auch der externe Quantenwirkungsgrad der lichtaussendenden Halbleiter¬ vorrichtung erhöht.
Große Schwierigkeiten bei der Herstellung dieser Halbleiter¬ vorrichtungen bereiten jedoch die Kontaktmetallisierungen aus Goldberyllium und Gold.
Als erstes sind hierzu Schwierigkeiten bei der automatischen optischen Erkennung der Goldmetallisierungen zu nennen. Der Grund dafür ist ein ungünstiges Kontrastverhältnis zwischen Halbleiteroberfläche und Goldkontaktoberfläche. Die herkömm¬ lich in den Chip-Montagelinien verwendeten Kamerasysteme müssen speziell für diese Materialkombination justiert wer¬ den. Ohne dieser Justierung ist eine einigermaßen sichere automatische optische Erkennung nicht möglich. Jede Neuju- stierung in Chip-Montagelinien ist jedoch mit zusätzlichen Kosten verbunden. Große Schwierigkeiten bereitet auch die Tatsache, daß die Verbindungsstelle zwischen dem herkömmlich verwendeten Bond¬ draht aus Gold und einem Bondpad aus Gold nur eine geringe mechanische Festigkeit aufweist. Damit steigt die Gefahr des Abreißens der Anschlußverdrahtung während der Chip-Herstel¬ lung, beispielsweise beim Umhüllen.
Dieser Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halb¬ leitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche zu entwickeln, die eine Kontaktmetallisierung aufweist, deren Kontrastverhältnis zum Halbleitermaterial eine sichere auto¬ matische optische Erkennung mit herkömmlichen in der Chip- Produktion eingesetzten Kamerasystemen gewährleistet und deren Verbindung zum Bonddraht eine hohe mechanische Festig- keit aufweist.
Diese Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung gelöst, bei der ein Halbleiterkörper mindestens eine bondfähige Kontaktmetallisierung aufweist, bei der zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, der nicht von der Kontaktmetallisierung bedeckt ist, mit einer Aufrauhung versehen ist und bei der die Kontaktmetallisierung einen unedlen metallischen Werkstoff auf eist.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteran¬ sprüchen.
Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleiter¬ vorrichtung sind Gegenstand von Nebenansprüchen.
Eine Kontaktmetallisierung aus einem unedelen metallischen Werkstoffe wie beispielsweise Aluminium oder eine Aluminium- Basislegierung weist im allgemeinen ein besseres Kontrastver¬ hältnis zum Halbleitermaterial auf als die bekannte Metalli- sierung aus Gold. Sie gewährleistet damit eine zuverlässige automatische optische Erkennung mit herkömmlich eingesetzten optischen ErkennungsSystemen. Die mechanische Festigkeit der Verbindung zwischen Aluminium-Bondpads und Bonddrähten aus Gold ist bedeutend höher als die einer Gold-Gold-Verbindung. Die Verwendung von unedelen metallischen Werkstoffen wie beispielsweise Aluminium hat zudem den Vorteil, daß zur Herstellung der Kontaktmetallisierungen keine Sonderzyklen außerhalb der herkömmlich eingesetzten Produktionslinien notwendig sind.
Die Erfindung wird anhand von Auεführungsbeispielen in Ver- bindung mit der Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfin¬ dung.
In der Figur ist ein Querschnitt durch eine lichtemittierende Diode dargestellt. Auf einem p-leitenden GaAs-Substrat (1) ist eine p-leitende AlxGaι_xAs-Schicht (2) aufgebracht, auf der wiederum eine n-leitende AlxGaι_xAs-Schicht (3) aufge¬ bracht ist. Die Unterseite des p-leitenden Substrats (1) ist ganzflächig mit einer Kontaktmetallisierung (4) aus einem unedlen metallischen Werkstoff bedeckt. Auf der Oberseite der n-leitenden AlxGaη__xAs-Schicht (3) ist eine zweite Kontaktme¬ tallisierung (5) aus einem unedlen metallischen Werkstoff aufgebracht, die jedoch nur einen kleinen Teil der Oberfläche der n-leitenden A^Ga^^s-Schicht (3) bedeckt. Die Kontakt- etallisierungen (4,5) bestehen beispielsweise aus Aluminium oder einer Aluminium-Basislegierung. Die freien Oberflächen des GaAs-Substrats (1) und der AlxGaι_xAs-Schichten (2,3) weisen eine Aufrauhung (6) auf.
Zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung ist ein Verfahren erforderlich, das einerseits die Oberfläche der Halbleitermaterialien aufrauht und andererseits die Oberflä¬ che der Kontaktmetallisierungen (4,5) zum Erhalt der Bondpad- Eigenschaften nicht angreift. Ein solches Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervor¬ richtung mit aufgerauhten GaAs- und AlxGaι_xAs-Oberflachen mit einem AI-Gehalt von x < 0,40 und Kontaktmetallisierungen mit Aluminiumoberflächen weist beispielsweise folgende auf- einanderfolgende Schritte auf : a) Herstellen des Halbleiterkörpers; b) Aufbringen der Kontaktmetallisierungen aus Aluminium; c) Vorreinigen der Halbleiteroberfläche zur Herstellung einer hydrophilen Halbleiteroberfläche beispielsweise durch Wasser- spülen, eventuell mit Detergenzzusatz; d) Aufrauhätzen mit einer Ätzmischung aus Wasserperoxid (> 30%) und Flußεäure (> 40%) (1000:6) über eine Dauer von 1 bis 2, 5 min. ; e) Nachätzen mit einer verdünnten Mineralsäure, wie z.B. Schwefelsäure (15%) , bei 35°C über eine Dauer von 1 bis 2 min.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit aufgerauhten GaAs- und AlxGa^_xAs-Oberflächen mit einem Al- Gehalt von 0 < x < 1 und Kontaktmetallisierungen mit Alumini¬ umoberflächen weist beispielsweise folgende aufeinanderfol¬ gende Schritte auf : a) Herstellen des Halbleiterkörpers; b) Aufbringen der Kontaktmetallisierung aus Aluminium,- c) Vorreinigen der Halbleiteroberfläche zur Herstellung einer hydrophilen Halbleiteroberfläche beispielsweise durch Wasser¬ spülen, eventuell mit Detergenzzusatz; d) Aufrauhätzen mit Salpetersäure (65%) bei Temperaturen zwischen 0°C und 30°C. Je nach Aluminiumgehalt x muß für das Aufrauhätzen die Tem¬ peratur und die Ätzdauer angepaßt werden.
Zur Herstellung der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung werden die bekannten Waferherstellungsprozesse eingesetzt. Dies bedeutet, daß kein zusätzlicher kostensteigernder Auf¬ wand zur Herstellung der Halbleitervorrichtung mit aufgerauh¬ ter Oberfläche notwendig ist. Die Oberflächenaufrauhung erfolgt als letzter Schritt am Ende des Waferherstellungspro- zesses nach der Vereinzelung in Chips auf einer Trägerfolie. Soll beispielsweise nur die Oberseite oder die Oberseite und Teilbereiche der seitlichen Oberfläche des in der Figur gezeigten Halbleiterkörpers aufgerauht werden, wird die Aufrauhung vor der Vereinzelung in Chips bzw. nach Ansägen der Trennlinien zwischen den Chips vorgenommen. Die bereits fertiggestellten Strukturen bleiben unbeeinträchtigt, so daß zur Vergütung, Passivierung und Kontaktierung der Chips keine besonderen Verfahren notwendig sind.

Claims

Patentansprüche
1. Halbleitervorrichtung, bei der ein Halbleiterkörper mindestens eine bondfähige Kontaktmetallisierung (5) aufweist, bei der zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, der nicht von der Kontaktmetallisierung (5) bedeckt ist, mit einer Aufrauhung (6) versehen ist und bei der die Kontaktmetallisierung (5) einen unedlen metallischen Werkstoff aufweist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Kontaktmetallisierung (5) aus Aluminium besteht.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Kontaktmetallisierung (5) aus einer Aluminium-Basislegierung besteht.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der der Halbleiterkörper aus AlxGaτ__xAs besteht.
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit den Verfahrensschritten: a) Herstellen des Halbleiterkörpers; b) Aufbringen der Kontaktmetallisierung (5) ; c) Vorreinigen der Halbleiteroberfläche zur Herstellung einer hydrophilen Halbleiteroberfläche,- d) Aufrauhätzen mit einer Ätzmischung aus Wasserstoffperoxid und Flußsäure; e) Nachätzen mit einer verdünnten Mineralsäure.
6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit den Verfahrensschritten: a) Herstellen des Halbleiterkörpers; b) Aufbringen der Kontaktmetallisierung (5) ; c) Vorreinigen der Halbleiteroberfläche zur Herstellung einer hydrophilen Halbleiteroberfläche,- d) Aufrauhätzen mit Salpetersäure.
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TW (1) TW299456B (de)
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19506323A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Siemens Ag Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche
DE19509262C2 (de) * 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
JP3586594B2 (ja) * 1999-08-25 2004-11-10 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
DE19953839A1 (de) * 1999-11-09 2001-05-10 Paul Drude Inst Fuer Festkoerp Hocheffiziente UV-Emitter auf Nitridhalbleiterbasis
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
WO2002041364A2 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
KR20030052060A (ko) * 2001-12-20 2003-06-26 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
JP3776824B2 (ja) * 2002-04-05 2006-05-17 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
DE10234977A1 (de) 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
JP4881003B2 (ja) 2003-09-26 2012-02-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射を発する薄膜半導体チップ
US8748923B2 (en) 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
KR100735496B1 (ko) * 2006-05-10 2007-07-04 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법
US7670894B2 (en) * 2008-04-30 2010-03-02 Intel Corporation Selective high-k dielectric film deposition for semiconductor device
CN101630706B (zh) * 2008-07-16 2011-02-16 玉晶光电股份有限公司 正向出光型发光二极管结构
CN102130223B (zh) * 2010-12-06 2012-07-25 山东华光光电子有限公司 一种GaN基LED外延片表面粗化方法
TW201242122A (en) * 2011-04-15 2012-10-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device
EP2740162B1 (de) * 2011-08-05 2019-07-03 Wostec, Inc. Lichtemittierende diode mit einer nanostrukturierten schicht, verfahren zu ihrer herstellung und nanomaske die in dem verfahren verwendet wird.
JP6250429B2 (ja) * 2014-02-13 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN116799120A (zh) * 2023-08-28 2023-09-22 江西兆驰半导体有限公司 一种led芯片制备方法及led芯片

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142160A (en) * 1972-03-13 1979-02-27 Hitachi, Ltd. Hetero-structure injection laser
CA1058732A (en) * 1976-06-11 1979-07-17 Northern Telecom Limited Light emitting diodes with increased light emission efficiency
DE2719657A1 (de) 1977-05-03 1978-11-09 Maerklin & Cie Gmbh Geb Vorrichtung zum anschalten eines zweiten transformators in den stromkreis einer spielzeuganlage
US4124160A (en) 1977-07-29 1978-11-07 American Can Company Round tray
US4188710A (en) * 1978-08-11 1980-02-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors using epitaxial germanium films
JPS59175776A (ja) * 1983-03-26 1984-10-04 Toshiba Corp 半導体発光素子の高出力化処理方法
JPS62182200A (ja) * 1986-02-06 1987-08-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体の化学エツチング法
CA2006597A1 (en) * 1988-12-26 1990-06-26 Kazuo Kogure Method for manufacturing compound semiconductor devices and a compound semiconductor device
JPH0442582A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
JPH0645648A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Omron Corp 上面出射型半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
DE4305296C3 (de) * 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
DE19506323A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Siemens Ag Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO9626550A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW299456B (de) 1997-03-01
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