TW202410234A - 基板處理裝置及膜厚推定方法 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本揭示係說明即使在具有外擾之環境下，亦能精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻地變化的膜厚的基板處理裝置及膜厚推定方法。 基板處理裝置具備保持部、供給部、光感測器和控制部。控制部係被構成實行：第1處理，其係對被保持於保持部之基板之表面供給蝕刻液；第2處理，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，取得在光感測器中接收到的來自照射處的反射光之強度的變化；第3處理，其係從表示在第2處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去藉由位置於基板之上方的外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，而生成補正資料；及第4處理，其係根據上述補正資料，推定在蝕刻處理中的膜的膜厚。

Description

基板處理裝置及膜厚推定方法
本揭示係關於基板處理裝置及膜厚推定方法。
現在，對基板(例如，半導體晶圓)進行微細加工而製造半導體裝置的時候，對基板吐出各種處理液而進行基板處理的基板處理系統眾所周知。專利文獻1揭示一種膜厚測定方法，包含：將來自光源(鹵素燈)之光經由透鏡、鏡等而引導至基板之表面的工程，和藉由光接收手段接收來自基板之表面的反射光的工程，和根據表示反射光之光量的二次元的空間分布的資訊，一起算出被形成在基板之表面的薄膜之膜厚的工程。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平10-047926號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係說明即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚的基板處理裝置及膜厚推定方法。 [用以解決課題之手段]
基板處理裝置之一例具備：保持部，其係被構成保持在表面形成膜之基板，和供給部，其係被構成對基板之表面供給蝕刻液，和光感測器，其係被構成朝向被設定為與被保持於保持部之基板之表面重疊的照射處而照射特定波長之光，接收其反射光，和控制部。控制部係被構成實行：第1處理，其係控制供給部，對保持於保持部之基板之表面供給蝕刻液；第2處理，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，取得在光感測器中接收到的來自照射處的反射光之強度的變化；第3處理，其係從表示在第2處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去藉由位置於基板之上方的外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，而生成補正資料；及第4處理，其係根據補正資料，推定蝕刻處理中之膜之膜厚。 [發明之效果]
若藉由本揭示所涉及之基板處理裝置及膜厚推定方法時，即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
在以下的說明中，對於具有相同要素或相同功能之要素使用相同的符號，省略重複說明。另外，在本說明書中，稱圖的上方、下方、又方、左方之時，係以圖中之符號的方向作為基準。
[基板處理系統之構成] 首先，參照圖1，針對被構成處理基板W之基板處理系統1(基板處理裝置)予以說明。基板處理系統1具備搬入搬出站2、處理站3和控制器Ctr(控制部)。搬入搬出站2及處理站3即使在例如水平方向排成一列亦可。
即使基板W呈圓板狀亦可，即使呈多角形圓形以外的板狀亦可。即使基板W具有一部分缺口的缺口部亦可。即使缺口部為例如溝槽(U字形、V字形等的溝)亦可，即使為直線狀地延伸的直線部(所謂的定向平面)亦可。即使基板W為例如半導體基板(矽晶圓)、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板之其他各種基板亦可。即使基板W之直徑為例如200mm～450mm程度亦可。
如圖2例示般，在基板W之上面Wa形成膜F。即使膜F為熱氧化膜(Th-Ox)亦可，即使為金屬膜亦可。即使金屬膜為例如氮化鈦、氮化矽(SiN)、氧化鈦、鈦、鎢、鉭、氮化鉭、鋁、氧化鋁、銅、釕、氧化鋯、氧化鉿等亦可。另外，在本說明書中，「基板W之表面」係指基板W之最外面之意。即是，在基板W之上面Wa形成膜F的圖2之例中，「基板W之表面」稱為膜F之上面Fa。
搬入搬出站2包含載置部4(取得部)和搬入搬出部5和棚架單元6。載置部4包含在寬度方向(圖1之上下方向)排列的複數載置台(無圖示)。各載置台被構成能夠載置載體7。載體7係被構成在密封狀態收容至少一個基板W。載體7包含用以取出放入基板W之開關門(無圖示)。
搬入搬出部5係在搬入搬出站2及處理站3排列的方向(圖1之左右方向)，與載置部4鄰接配置。搬入搬出部5包含對載置部4設置的開關門(無圖示)。藉由在載置部4上載置載體7之狀態，載體7之開關門和搬入搬出部5之開關門同時被開啟，搬入搬出部5內與載體7內連通。
搬入搬出部5係內置搬運臂A1及棚架單元6。搬運臂A1係被構成能夠在搬入搬出部5之寬度方向的水平移動，在垂直方向的上下移動，和在繞垂直軸的旋轉動作。搬運臂A1係被構成將基板W從載體7取出而轉交至棚架單元6，再者，從棚架單元6接取基板W而返回至載體7內。棚架單元6係位於處理站3之附近，被構成收容基板W。
處理站3具備搬運部8和複數液處理單元U(基板處理裝置)。搬運部8係在例如搬入搬出站2及處理站3排列的方向(圖1之左右方向)水平延伸。搬運部8係內置搬運臂A2(搬運部)。搬運臂A2係被構成能夠在搬入搬出部8之長邊方向的水平移動，在垂直方向的上下移動，和在繞垂直軸的旋轉動作。搬運臂A2係被構成從棚架單元6取出基板W5轉交至液處理單元U，再者，從液處理單元U接取基板W而返回至棚架單元6內。
複數液處理單元U係在搬運部8之兩側之各者，被設置成沿著搬運部8之長邊方向(圖1之左右方向)排列成一列。液處理單元U係被構成進行對基板W進行特定處理(例如，蝕刻處理、洗淨處理等)。針對液處理單元U之詳細於後述。
控制器Ctr係被構成部分性或全體性地控制基板處理系統1。針對控制器Ctr之詳細於後述。
[液處理單元之詳細] 接著，參照圖2～圖4，針對液處理單元U詳細說明。液處理單元U係如圖2例示般，具備旋轉保持部10(保持部)，和供給部20、30，和複數光感測器40。
旋轉保持部10包含驅動部11、轉軸12和保持部13。驅動部11係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，使轉軸12旋轉。即使驅動部11為例如電動馬達等的動力源亦可。
保持部13係被設置在轉軸12之前端部。保持部13係被構成藉由例如吸附等，吸附保持基板W之下面Wb。即是，即使旋轉保持部10被構成在基板W之姿勢為略水平的狀態，使基板W繞相對於基板W之表面呈垂直之旋轉中心軸Ax旋轉亦可。
供給部20係被構成對基板W之表面供給蝕刻液L1。即使蝕刻液L1為例如酸系藥液亦可，即使為鹼系藥液亦可，即使為有機系藥液亦可。即使酸系藥液包含例如SC-2液(鹽酸、過氧化氫及純水的混合液)、SPM(硫酸及過氧化氫水的混合液)、HF液(氫氟酸)、DHF(稀氫氟酸)、HNO 3+HF液(硝酸及氫氟酸之混合液)等亦可。即使鹼系藥液包含例如SC-1液(氨、過氧化氫及純水的混合液)、過氧化氫水等亦可。
供給部20包含液源21、泵浦22、閥體23、噴嘴24(外擾衍生物)、配管25、臂部26(外擾衍生物)和驅動源27。液源21為蝕刻液L1之供給源。泵浦22係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，從液源21將吸引到的蝕刻液L1經由配管25及閥體23而送出至噴嘴24。
閥體23係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，在容許配管25中之流體的流通的開啟狀態，和阻礙在配管25中之流體之流通的關閉狀態之間遷移。噴嘴24係以吐出口朝向基板W之表面之方式被配置在基板W之上方。噴嘴24係被構成將從泵浦22被送出的蝕刻液L1從吐出口朝向基板W之表面吐出。因基板W藉由旋轉保持部10旋轉，故被吐出至基板W之表面的蝕刻液L1，邊以特定的擴散速度從基板W之中心部朝向周緣部擴散，邊從基板W之周緣向外方甩掉(參照圖4)。
配管25係從上游側依序連接液源21、泵浦22、閥體23及噴嘴24。臂部26係保持噴嘴24。在臂部26連接有驅動源27。驅動源27係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，在基板W之上方，沿著水平方向或垂直方向而使臂部26移動(參照圖2之箭號Ar1、Ar2)。因此，蝕刻液l1不僅基板W之表面之中心部，也能夠朝向基板W之表面的任意位置吐出。例如，即使在繼續從噴嘴24吐出蝕刻液L1之狀態，噴嘴24從基板W之周緣朝向中心部移動亦可(所謂，掃描輸入動作)。或是，即使在繼續從噴嘴24吐出蝕刻液L1之狀態，噴嘴24從基板W之中心部朝向周緣移動亦可(所謂，掃描輸出動作)。
供給部30係被構成對基板W供給沖洗液L2。沖洗液L2係例如用以從基板W除去(沖洗)例如被供給至基板W之表面的蝕刻液L1、蝕刻L1所致的膜F之溶解成分、蝕刻殘渣等的液。即使沖洗液L2包含例如純水(DIW：deionized water)、臭氧水、碳酸水(CO 2水)、氨水等亦可。
供給部30包含液源31、泵浦32、閥體33、噴嘴34、配管35、臂部36和驅動源37。液源31為蝕刻液L2之供給源。泵浦32係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，從液源31將吸引到的沖洗液L2經由配管35及閥體33而送出至噴嘴34。
閥體33係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，在容許配管35中之流體的流通的開啟狀態，和阻礙在配管35中之流體之流通的關閉狀態之間遷移。噴嘴34係以吐出口朝向膜F之基板W之表面之方式被配置在基板W之上方。噴嘴34係被構成將從泵浦32被送出的沖洗液L2從吐出口朝向基板W之表面吐出。因基板W藉由旋轉保持部10旋轉，故被吐出至基板W之表面的沖洗液L2，邊以特定的擴散速度從基板W之中心部朝向周緣部擴散，邊從基板W之周緣向外方甩掉。
配管35係從上游側依序連接液源31、泵浦32、閥體33及噴嘴34。臂部36係保持噴嘴34。在臂部36連接有驅動源37。驅動源37係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，在基板W之上方，沿著水平方向或垂直方向而使臂部36移動(參照圖2之箭號Ar1、Ar2)。因此，沖洗液L2不僅基板W之表面之中心部，也能夠朝向基板W之表面的任意位置吐出。例如，即使在繼續從噴嘴34吐出蝕刻液L2之狀態，噴嘴34從基板W之周緣朝向中心部移動亦可(所謂，掃描輸入動作)。或是，即使在繼續從噴嘴34吐出沖洗液L2之狀態，噴嘴34從基板W之中心部朝向周緣移動亦可(所謂，掃描輸出動作)。
複數光感測器40係被配置在基板W之上方。複數光感測器40包含無圖示的照射部，和無圖示的受光部。照射部係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，對藉由旋轉保持部10旋轉中的基板W之表面照射光。受光部係構成接收在基板W之表面反射的光(反射光)，將其反射光之強度(以下，稱為「反射強度」)發送至控制器Ctr。
即使光感測器40為例如雷射感測器亦可，即使為光電感測器亦可，即使為彩色感測器亦可。光感測器40為雷射感測器之情況，即使照射部例如使用紅色雷射(波長：655nm)作為雷射光亦可，使用綠色雷射(波長：532nm)作為雷射光亦可，使用藍色雷射(波長：405nm)作為雷射光亦可，使用其他種類的雷射光亦可。
即使光感測器40之照射部沿著相對於基板W之表面呈垂直的方向，朝下方照射光亦可。即使光感測器40之照射部經由光反射構件(例如，鏡)而對基板W之表面照射光亦可，光感測器40之受光部係經由鏡而接收其反射光亦可。在該些情況，即使光感測器40之照射部和受光部被配置在相同的一個框體內亦可，物理性地被分離亦可。
即使光感測器40之照射部沿著相對於基板W之表面呈傾斜的方向，朝斜下方照射光亦可。在此情況，光感測器40之照射部和受光部係物理性地被分離，即使被配置成在基板W之表面的光之照射處位於該些之間亦可。
複數光感測器40係如圖2例示般，即使包含3個光感測器41～43亦可。光感測器41～43係被構成分別朝向被設定為與藉由旋轉保持部10被保持的基板W之表面重疊的照射處P1～P3照射光，接收從照射處P1～P3反射的反射光。照射處P1～P3之各者係被固定的定位置，即使基板W旋轉也不變化。
照射處P1～P3係圖2例示般，設定在彼此不同的位置。即是，即使照射處P1～P3從基板W之中心側朝向周緣側而排列亦可。具體而言，即使照射處P2較照射處P1更位於靠基板W之周緣側亦可，即使照射處P3位於較照射處P2更靠基板W之周緣側亦可。照射處P1～P3係如圖3(a)例示般，即使在基板W之徑向排列成一列亦可。或是，照射處P1～P3係如圖3(b)例示般，即使不在基板W之徑向排列，在基板W之圓周方向錯開排列亦可。即是。照射處P1、P2不在連結照射處P3和基板W之中心的直線上亦可，即使照射處P2、P3不在連結照射處P1和基板W之中心的直線上亦可，即使照射處P1、P3不在連結照射處P2和基板W之中心的直線上亦可。
即使照射處P1～P3之間隔之各者略相等亦可，即使不同亦可。在基板W之半徑為150mm程度之情況，即使照射處P1離基板W之中心50mm程度之位置亦可，即使照射處P2離基板W之中心100mm程度的位置亦可，即使照射處P3離基板W之中心147mm程度的位置亦可。
[控制器的詳細] 控制器Ctr係如圖4例示般，具有讀取部M1、記憶部M2、處理部M3和指示部M4，作為功能模組。該些功能模組只不過為了方便將控制器Ctr之功能區分為複數模組，不一定係構成控制器Ctr之硬體被分成如此的模組之意。各功能模組不限定於藉由程式之實行而被實現，即使藉由專用之電路(例如，邏輯電路)或將此予以積體的積體電路(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)而被實現者亦可。
讀取部M1係被構成從電腦能夠讀取之記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM係記錄使用以使包含液處理單元U之基板處理系統1之各部動作的程式。即使記錄媒體RM為例如半導體記憶體、光記錄碟、磁記錄碟、磁光記錄碟亦可。另外，在以下中，基板處理系統1之各部可以包含旋轉保持部10、供給部20、30及光感測器40。
記憶部M2係被構成記憶各種資料。即使記憶部M2係經由例如在讀取部M1中從記錄媒體RM讀出的程式、外部輸入裝置(無圖示)而記憶從操作者被輸入的設定資料等亦可。即使記憶部M2記憶藉由光感測器40被取得的反射強度之資料亦可。
即使記憶部M2記憶表示膜F之膜厚和反射強度之關係的模型亦可。該模型之生成方法例如同下述。首先，使測試用之基板W(樣本基板)保持在旋轉保持部10。接著，控制器Ctr控制旋轉保持部10，邊吸附保持測試用之基板W的背面，邊使旋轉。在該狀態，控制器Ctr控制供給部20、30，依序對測試用之基板W之表面供給蝕刻液L1及沖洗液L2，蝕刻膜F。接著，藉由眾知的膜厚測定裝置測定被蝕刻的膜F之膜厚。再者，使用光感測器40而對被蝕刻的膜F照射光，藉由光感測器40接收其反射光，測定反射光的反射強度。之後，一面改變蝕刻時間一面對複數測試用之基板W實行上述處理，取得相對於複數之不同的膜厚的反射強度，藉此作成膜F的膜厚和反射強度的關係的模型。
在此，在圖5～圖7表示模型的例。圖5(a)～(c)係表示使用膜F被氮化鈦所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)、照射處P2(100mm)及照射處P3(147mm)之各者的位置中之膜厚和反射強度之關係的模型之例。圖6(a)～(c)係表示使用膜F被氮化矽(SiN)所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)、照射處P2(100mm)及照射處P3 (147mm)之各者的位置中之膜厚和反射強度之關係的模型之例。圖7(a)～(c)係表示使用膜F被熱氧化膜(Th-Ox)所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)、照射處P2(100mm)及照射處P3(147mm)之各者的位置中之膜厚和反射強度之關係的模型之例。另外，在圖5～圖7之各模型之作成的時候所使用的光感測器40為雷射感測器，其雷射光之波長為655nm。
處理部M3係被構成處理各種資料。即使處理部M3係根據例如被記憶於記憶部M2之各種資料，生成用以使基板處理系統1之各部動作的訊號亦可。
指示部M4係被構成將在處理部M3中被生成的動作訊號，發送至基板處理系統1之各部。
即使控制器Ctr之硬體藉由例如一個或複數控制用之電腦而被構成亦可。即使控制器Ctr如圖8所示般，包含電路C1作為硬體上之構成亦可。即使電路C1藉由電路要素(circuitry)構成亦可。即使電路C1包含例如處理器C2、記憶體C3、儲存器C4、驅動器C5和輸入輸出埠C6亦可。
即使處理器C2被構成與記憶體C3及儲存器C4之至少一方協同動作而實行程式，藉由實行經由輸入輸出埠C6之訊號的輸入輸出，實現上述各功能模組亦可。即使記憶體C3及儲存器C4作為記憶部M2而發揮功能亦可。即使驅動器C5被構成分別驅動基板處理系統1之各部的電路亦可。即使輸入輸出埠C6被構成在驅動器C5和基板處理系統1之各部之間，仲介訊號的輸入輸出亦可。
即使基板處理系統1具備一個控制器Ctr亦可，即使具備由複數控制器Ctr構成的控制器群(控制部)亦可。在基板處理系統1具備控制器群之情況，上述功能模組分別藉由一個控制器Ctr而被實現亦可，藉由兩個以上之控制器Ctr之組合而被實現亦可。控制器Ctr由複數電腦(電路C1)構成之情況，上述功能模組分別藉由一個電腦(電路C1)而被實現亦可，即使藉由兩個以上的電腦(電路C1)之組合而被實現亦可。即使控制器Ctr具有複數處理器C2亦可。在此情況，即使上述功能模組之各者藉由一個處理器C2而被實現亦可，即使藉由兩個以上之處理器C2之組合而被實現亦可。
[基板處理方法] 接著，參照圖9～圖11，針對藉由處理液處理基板W的方法予以說明。
首先，在載置部4之載置台載置載體7。在該載體7內，收容相同種類之至少一片的基板W。接著，控制器Ctr控制搬運臂A1、A2，從載體7取出一片基板W，搬運至任一者的液處理單元U內。被搬運至液處理單元U內的基板W被吸附保持於保持部13(參照圖9之步驟S1)。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部10，邊以保持部13吸附保持基板W之下面Wb，邊使基板W旋轉。在該狀態，控制器Ctr控制供給部20，從噴嘴24對基板W之表面供給蝕刻液L1特定時間(參照圖9之步驟S2)。此時，即使噴嘴24及臂部26進行掃描輸入動作或掃描輸出動作亦可。對供給至基板W之表面的蝕刻液L1係藉由基板W之旋轉，在基板W之全面擴散，從基板W之周緣朝向外方被甩掉。因此，在繼續從噴嘴24供給蝕刻液L1之期間，在基板W之表面形成蝕刻液L1之液膜。依此，膜F被蝕刻處理。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部10，邊以保持部13吸附保持基板W之下面Wb，邊使基板W旋轉。在該狀態，控制器Ctr控制供給部30，從噴嘴34對基板W之表面供給沖洗液L2特定時間(參照圖9之步驟S3)。此時，即使噴嘴34及臂部36進行掃描輸入動作或掃描輸出動作亦可。對供給至基板W之表面的蝕刻液L2係藉由基板W之旋轉，在基板W之全面擴散，從基板W之周緣朝向外方被甩掉。因此，在繼續從噴嘴34供給蝕刻液L2之期間，在基板W之上面Wa形成沖洗液L2之液膜。依此，基板W之表面被洗淨。
另一方面，在步驟S2、S3中對基板之表面供給蝕刻液L1及沖洗液L2之時，控制器Ctr係控制光感測器41～43。依此，光感測器41～43係對照射處P1～P3照射光，在每個照射處P1～P3取得作為表示反射強度之資料的強度變化資料(參照圖9之步驟S4)。圖10係表示在照射處P1的強度變化資料之一例的曲線圖。如圖10所示般，蝕刻液L1之供給中，噴嘴24及臂部26隨著掃描輸入動作或掃描輸出動作，反射強度受到很大的干擾。此係隨著噴嘴24及臂部26之動作，該些與光感測器40之光路互相重疊，或從噴嘴24被吐出的蝕刻液L1在基板之表面起波浪之故(參照圖12)。
於是，控制器Ctr係從強度變化資料除去藉由噴嘴24或臂部26之影響而產生的上述外擾成分，生成補正資料(參照圖9之步驟S5)。補正資料係根據在每個照射處P1～P3所取得之強度變化資料之各者而被生成。圖11為表示圖10所例示的強度變化資料之中的在蝕刻液L1之供給期間中從資料除去外擾成分之後的補正資料的曲線圖，放大表示圖10之虛線圓圈部分。
從強度變化資料除去外擾成分即使係根據例如噴嘴24或臂部26之位置，和來自噴嘴24之蝕刻液L1之供給流量之至少一方而被實行亦可。更詳細而言，當隨著噴嘴24或臂部26之移動，該些位置接近於照射處P1～P3時，光感測器40之光的光路與該些重疊，反射強度受到很大的干擾。因此，當噴嘴24或臂部26接近於照射處P1～P3之特定範圍內之時，即使排除此時的強度變化資料亦可，即使停止照射來自光感測器40之光亦可。或是，當來自噴嘴24之蝕刻液L1之供給流量變多時，蝕刻液L1容易在基板W之表面起波浪。因此，當供給流量大於特定的大小之時，即使排除此時的強度變化資料亦可，即使停止照射來自光感測器40的光亦可。另外，因基板W之處理條件(臂部26之移動路徑、蝕刻液L1之供給流量等)事先被決定為所謂的配方，故即使根據該處理條件，設定從強度變化資料除去外擾成分的時序亦可。
接著，控制器Ctr係根據在步驟S5生成的補正資料，推定膜F之膜厚(參照圖9之步驟S6)。具體而言，根據被記憶於記憶部M2之模型，和補正資料之反射強度，推定膜F之膜厚。藉由在膜F之蝕刻處理中推定膜厚，能夠即時地掌握蝕刻之進行狀況。步驟S6之處理係針對對應於照射處P1～P3之各者的補正資料而被進行。因此，針對照射處P1～P3之各者的位置，可以推定膜F之膜厚。
然而，如圖5及圖6例示般，取決於模型，有具有極值之情形。因此，雖然具有對應於某反射強度之值的膜厚存在兩個之情況，但是由於隨著蝕刻之進行，膜厚變小，應推定的膜厚為兩個中的哪一個可以藉由蝕刻之進行狀態來決定。另外，步驟S4～S6之處理係如圖10例示般，即使從對基板W供給蝕刻液L1之前被實行亦可，即使在對基板W供給沖洗液L2之後繼續被實行亦可。
於對基板W供給沖洗液L2結束，完成基板W之後，控制器Ctr比較在照射處P1～P3之各者的位置中之推定膜厚(參照圖9之步驟S7)。具體而言，算出該些推定膜厚之中的最大值和最小值的差。接著，判斷該差是否小於特定臨界值(參照圖9之步驟S8)。該差小於特定臨界值之情況，因在照射處P1～P3之各者的位置中之推定膜厚之偏差小，故判斷為蝕刻處理後之膜F之膜厚之面內均勻性為容許範圍內(參照在圖9之步驟S8的「YES」)。因此，在步驟S8之後，完成基板W之處理。之後，使用相同的液處理單元U，即使以相同的處理條件，實行後續的基板W之處理亦可。
另一方面，該差大於特定臨界值之情況，因在照射處P1～P3之各者的位置中之推定膜厚之偏差大，故判斷為蝕刻處理後之膜F之膜厚之面內均勻性為容許範圍外(參照在圖9之步驟S8的「NO」)。在此情況，可能還有改善基板W之處理條件的空間。因此，控制器Ctr變更後續的基板W之處理條件(參照圖9之步驟S9)。在此作為被變更的處理條件，可舉出例如被吐出於後續之基板W的蝕刻液L1之吐出位置、被吐出至後續的基板W的蝕刻液L1之流量等。步驟S9之後，基板W之處理完成，以新的處理條件在液處理單元U處理後續的基板W。
[作用] 若藉由上述例時，由於反射光之強度因應膜厚變化，故藉由使用強度變化資料，可以推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。而且，因從強度變化資料除去外擾成分而生成補正資料，故即使由於外擾衍生物(噴嘴24、臂部26)在強度變化資料產生外擾，亦可以藉由使用補正資料，精度佳地推定膜厚。其結果，即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
若藉由上述例時，例如即使以蝕刻液L1在基板W之表面略均勻地擴散之方式，一面在基板W之上方，使臂部26及噴嘴24移動，一面對基板之表面供給蝕刻液L1，藉由臂部26或噴嘴24產生的外擾成分也被除去。因此，能夠邊精度更佳地實施蝕刻處理，邊精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
若藉由上述例時，在外擾衍生物(噴嘴24、臂部26)之位置接近於照射處P1～P3之附近的特定範圍之情況，或蝕刻液L1之供給流量超過特定大小之情況，排除反射光之強度的資料。因此，可以更正確地生成補正資料。因此，即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
若藉由上述例時，藉由事先取得模型，可以立即從光感測器40接收到的反射光之強度推定膜厚。因此，能夠精度佳地並且即時地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
若藉由上述例時，可以推定在基板W之徑向不同的複數位置(照射處P1～P3)之膜厚。因此，根據被推定的複數膜厚，能夠掌握蝕刻處理之基板W之面內均勻性。
若藉由上述例時，根據基於複數推定膜厚而掌握到的基板W之面內均勻性，變更後續的基板W之處理條件。因此，蝕刻處理所致的後續的基板W之面內均勻性變高。即是，以後續的基板W之處理結果變成較佳之方式，調整基板W之處理條件。因此，能夠更適當地處理基板W。
[變形例] 在本說明書的揭示所有方面都應視為例示性而非限制性。即使在不脫離申請專利範圍和其主旨的範圍下，對上述示例進行各種省略、置換、變更等亦可。
(1)即使在基板W不旋轉之狀態，對基板W之表面供給蝕刻液L1亦可。
(2)即使光感測器40被構成朝向相同的照射處，照射彼此不同的複數波長的光La～Lc亦可。在圖12之例中，即使光感測器41被構成朝向照射處P1，照射彼此不同的3種類波長的光La～Lc亦可。即使光感測器42被構成朝向照射處P2，照射彼此不同的3種類之波長的光La～Lc亦可。即使光感測器43被構成朝向照射處P3，照射彼此不同的3種類之波長的光La～Lc亦可。即使光感測器40係經由例如濾波器等而獨立接收不同波長的光La～Lc之反射光Ra～Rc亦可。控制器Ctr係根據反射光Ra～Rc之各強度和模型，推定照射處P1～P3之各者的位置的膜厚亦可。
在此，即使該模型係表示膜F的膜厚和反射光Ra～Rc之各強度的關係亦可。即使該模型之生成方法與上述方法相同亦可。在圖13表示該模型之例。圖13(a)係使用膜F由氮化鈦所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)中之膜厚和反射光Ra～Rc之各強度之關係的模型之例。圖13(b)係使用膜F由氮化矽(SiN)所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)中之膜厚和反射光Ra～Rc之各強度之關係的模型之例。圖13(c)係使用膜F由熱氧化膜(Th-Ox)所形成的基板W之情況的照射處P1(50mm)中之膜厚和反射光Ra～Rc之各強度之關係的模型之例。如圖13所示般，當光的波長不同時，膜厚和反射光之強度的關係也不同。因此，藉由使用複數波長之光，根據各者的反射光之強度推定膜厚，能夠提高膜厚之推定精度。
(3)即使控制器Ctr係根據反射強度分別取得基板W之蝕刻前後的膜厚，算出1次的蝕刻處理中之蝕刻結果(例如，蝕刻量、蝕刻率等)亦可。即使控制器Ctr判斷算出後的蝕刻結果是否在特定的容許範圍內亦可。判斷的結果，在算出後的蝕刻結果非容許範圍內之情況，有基板W之處理不適當的可能性。因此，即使控制器Ctr將該不適當的判斷結果記憶於記憶部M2亦可。此時，即使控制器Ctr將蝕刻結果不在容許範圍內的主旨的警報從無圖示的通報部通報亦可(例如，即使在顯示器顯示警報亦可，即使從揚聲器發出警報聲或警報導引亦可)。之後，即使中繼後續的基板W之處理亦可，即使使用與有可能進行不適當的基板W之處理的液處理單元U不同的液處理單元U而實行後續的基板W之處理亦可。
即使控制器Ctr沿著時間系列排列算出後的蝕刻結果，使記憶於記憶部M2而作為所謂的日誌亦可。控制器Ctr係根據隨著時間經過被蓄積的日誌之資訊，預測估算蝕刻結果在將來成為容許範圍外的時期亦可。例如，在構成日誌之蝕刻結果的時間序列資料與時間逐漸變大之情況，即使藉由算出其近似線，預測將來的蝕刻結果高於容許範圍之時期亦可。例如，在構成日誌之蝕刻結果的時間序列資料與時間逐漸變小之情況，即使藉由算出其近似線，預測將來的蝕刻結果低於容許範圍之時期亦可。
(4)為了測定被形成在基板之表面的圖案之線寬或圖案形狀，即使適用本說明書揭示的技術亦可。即是，從光感測器40對圖案照射光，根據其反射光之強度，測定圖案之線寬或圖案形狀亦可。
[其他例] 例1.基板處理裝置之一例具備：保持部，其係被構成保持在表面形成膜之基板，和供給部，其係被構成對基板之表面供給蝕刻液，和光感測器，其係被構成朝向被設定為與被保持於保持部之基板之表面重疊的照射處而照射特定波長之光，接收其反射光，和控制部。控制部係被構成實行：第1處理，其係控制供給部，對保持於保持部之基板之表面供給蝕刻液；第2處理，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，取得在光感測器中接收到的來自照射處的反射光之強度的變化；第3處理，其係從表示在第2處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去藉由位置於基板之上方的外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，而生成補正資料，第4處理，其係根據補正資料，推定蝕刻處理中之膜之膜厚。此情況，由於反射光之強度因應膜厚變化，故藉由使用強度變化資料，可以推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。而且，因從強度變化資料除去外擾成分而生成補正資料，故即使由於外擾衍生物在強度變化資料產生外擾，亦可以藉由使用補正資料，精度佳地推定膜厚。其結果，即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
例2.在例1之裝置中，供給部亦可包含：噴嘴，其係被構成吐出蝕刻液，和臂部，其係保持噴嘴且被構成在基板之上方沿著基板之表面使噴嘴移動，外擾衍生物為臂部或噴嘴。在此情況，即使例如以蝕刻液在基板之表面略均勻地擴散之方式，一面在基板之上方使臂部及噴嘴移動，一面對基板之表面供給蝕刻液，亦能除去藉由臂部或噴嘴產生的外擾成分。因此，能夠邊精度更佳地實施蝕刻處理，邊精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
例3.在例2之裝置中，外擾成分亦可藉由臂部或噴嘴與光感測器之光路互相重疊而產生者，或藉由基板之表面的液膜由於從噴嘴被吐出的蝕刻液被干擾而產生者。
例4.在例1～例3中之任一的裝置中，第3處理亦可包含根據外擾衍生物之位置，和供給部所致的蝕刻液之供給流量之至少一方，從強度變化資料之中除去外擾成分，而生成補正資料之步驟。通常，光感測器所致的光之照射處和外擾衍生物之位置越接近，越容易產生光之光路和外擾衍生物之重疊，故有在強度變化資料容易出現外擾成分之傾向。再者，因蝕刻液之供給流量越多，在基板之表面越容易於蝕刻液之液膜引起波浪，故有在強度變化資料容易出現外擾成分之傾向。因此，在外擾衍生物之位置接近於照射處之附近之特定範圍之情況，或蝕刻液之供給流量超過特定之大小之情況，藉由排除反射光之強度的資料，可以更正確地生成補正資料。因此，即使在具有外擾的環境下，也能夠精度佳地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
例5.在例1～例4中之任一裝置中，第4處理亦可包含根據表示被形成在樣本基板之表面的膜之膜厚，和藉由光感測器對樣本基板之表面照射光而接收其反射光而獲得的該反射光之強度之關係的模型，從補正資料所含的強度推定在基板中之膜之膜厚。在此情況，藉由事先取得模型，可以立即從光感測器接收到的反射光之強度推定膜厚。因此，能夠精度佳地並且即時地推定在蝕刻處理中時時刻刻變化的膜厚。
例6.在例1～例5中之任一裝置中，光感測器亦可被構成朝向照射處，照射光，和特定波長之光，接收各者之反射光，第2處理包含在對基板之表面供給蝕刻液中，取得光之反射光之強度的變化，和另外的光之反射光之強度的變化。然而，當光之波長不同時，膜厚和反射光之強度的關係也不同。因此，藉由使用複數波長之光，根據各者的反射光之強度推定膜厚，能夠提高膜厚之推定精度。
例7.例1～例6中之任一的裝置中，亦可進一步具備另外的光感測器，其係被構成朝向被設定在與被保持於保持部之基板之表面重疊並且與照射處在基板之徑向不同的位置的另外的照射處，照射光，接收其反射光，控制部被構成進一步實行：第5處理，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，取得在另外的光感測器中接收到的來自照射處之反射光之強度的變化；第6處理，其係從表示在第5處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去由於外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，生成另外的補正資料；及第7處理，其係根據另外的補正資料，推定在蝕刻處理中之膜的膜厚。在此情況，可以在基板之徑向推定不同的複數位置的膜厚。因此，能夠根據被推定的複數膜厚，掌握蝕刻處理之基板之面內均勻性。
例8.在例7之裝置中，控制部亦可被構成進一步實行第8處理，其係根據在第4處理中被推定的膜之膜厚，和在第7處理中被推定之膜的膜厚，變更藉由供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之吐出位置，和藉由供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之流量之至少一方。在此情況，根據在例7中掌握到的蝕刻處理之基板之面內均勻性，變更後續之基板的處理條件。因此，提高蝕刻處理所致的後續之基板的面內均勻性。即是，以後續之基板之處理結果變得更佳之方式，調整基板之處理條件。因此，能夠更適當地處理基板。
例9.在例1～例8中之任一裝置中，保持部亦可被構成邊保持基板邊使旋轉，第1處理包含控制供給部及保持部，對旋轉中之基板的表面供給蝕刻液。
例10.膜厚推定方法之一例，包含：第1工程，其係在表面形成膜之基板被保持於保持部之狀態下，供給部對基板之表面供給蝕刻液；第2工程，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，朝向被保持於保持部之基板的照射處，藉由光感測器照射特定波長的光，取得在光感測器中接收到的來自照射處的反射光之強度的變化；第3工程，其係從表示在第2工程中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去由於外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，生成另外的補正資料；及第4工程，其係根據補正資料，推定在蝕刻處理中的膜的膜厚。在此情況，得到與例1之裝置相同的作用效果。
例11.在例10之方法中，供給部亦可包含：噴嘴，其係被構成吐出蝕刻液，和臂部，其係保持噴嘴且被構成在基板之上方沿著基板之表面使噴嘴移動，外擾衍生物為臂部或噴嘴。在此情況，得到與例2之裝置相同的作用效果。
例12.在例11之方法中，外擾成分亦可藉由臂部或噴嘴與光感測器之光路互相重疊而產生者，或藉由基板之表面的液膜由於從噴嘴被吐出的蝕刻液被干擾而產生者。
例13.在例10～例12中之任一的方法中，第3工程亦可包含根據外擾衍生物之位置，和供給部所致的蝕刻液之供給流量之至少一方，從強度變化資料之中除去外擾成分，而生成補正資料之步驟。在此情況，得到與例4之裝置相同的作用效果。
例14.在例10～例13中之任一方法中，第4工程亦可包含根據表示被形成在樣本基板之表面的膜之膜厚，和藉由光感測器對樣本基板之表面照射光而接收其反射光而獲得的該反射光之強度之關係的模型，從補正資料所含的強度推定在基板中之膜之膜厚。在此情況，得到與例5之裝置相同的作用效果。
例15.在例10～例14中之任一方法中，光感測器亦可被構成朝向照射處，照射光，和特定的另外的波長之光，接收各者之反射光，第2處理包含在對基板之表面供給蝕刻液中，取得光之反射光之強度的變化，和另外的光之反射光之強度的變化。在此情況，得到與例6之裝置相同的作用效果。
例如16.例10～例15中之任一的方法中，亦可進一步包含：第5工程，其係在對基板之表面供給蝕刻液中，朝向被保持於保持部之基板的另外的照射處，藉由另外的光感測器照射特定的另外的波長之光，取得在另外的光感測器中接受到的來自另外的照射處之反射光之強度的變化，且在第5工程中，另外的照射處係被設定為與照射處在基板之徑向不同的位置；第6工程，其係從表示在第5工程中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去由於外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，生成另外的補正資料；及第7工程，其係根據另外的補正資料，推定在蝕刻處理中的膜的膜厚。在此情況，得到與例7之裝置相同的作用效果。
例17.在例16之方法中，亦可進一步包含第8工程，其係根據在第4工程中被推定的膜之膜厚，和在第7工程中被推定之膜的膜厚，變更藉由供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之吐出位置，和藉由供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之流量之至少一方。在此情況，得到與例8之裝置相同的作用效果。
例18.在例10～例17中之任一方法中，保持部亦可被構成邊保持基板邊使旋轉，第1工程包含控制供給部及保持部，對旋轉中之基板的表面供給蝕刻液。
1:基板處理系統(基板處理裝置) 10:旋轉保持部(保持部) 13:保持部 20:供給部 24:噴嘴(外擾衍生物) 26:臂部(外擾衍生物) 40:光感測器 Ctr:控制器(控制部) F:膜 Fa:上面(表面) L1:蝕刻液 P1~P3:照射處 U:液處理單元(基板處理裝置) W:基板
[圖1]為示意性表示基板處理系統之一例的俯視圖。 [圖2]為示意性表示液處理單元之一例的側視圖。 [圖3]為表示光感測器所致的照射位置之一例的上視圖。 [圖4]為表示基板處理系統之主要部分之一例的方塊圖。 [圖5]為表示膜厚和反射強度之關係的模型之一例的圖。 [圖6]為表示膜厚和反射強度之關係的模型之一例的圖。 [圖7]為表示膜厚和反射強度之關係的模型之一例的圖。 [圖8]為表示控制器之硬體構成之一例的概略圖。 [圖9]為用以說明基板之處理順序之一例的流程圖。 [圖10]係表示在特定照射處的強度變化資料之一例的曲線圖。 [圖11]為表示補正資料之一例的曲線圖。 [圖12]為示意性表示液處理單元之其他例的側視圖。 [圖13]為表示膜厚和反射強度之關係的模型之其他例的圖。
10:旋轉保持部
11:驅動部
12:轉軸
13:保持部
20:供給部
21:液源
22:泵浦
23:閥體
24:噴嘴
25:配管
26:臂部
27:驅動源
30:供給部
31:液源
32:泵浦
33:閥體
34:噴嘴
35:配管
36:臂部
37:驅動源
40:光感測器
41:光感測器
42:光感測器
43:光感測器
Ctr:控制器
F:膜
Fa:上面
L1:蝕刻液
L2:沖洗液
P1:照射處
P2:照射處
P3:照射處
U:液處理單元(基板處理裝置)
W:基板
Wa:上面
Wb:下面

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 保持部，其係被構成保持於表面形成膜之基板； 供給部，其係被構成對上述基板之表面供給蝕刻液； 光感測器，其係朝向被設定為與被保持在上述保持部的上述基板之表面重疊的照射處，照射特定波長之光，接收其反射光；及 控制部， 上述控制部係被構成實行： 第1處理，其係控制上述供給部，對被保持於上述保持部的上述基板之表面供給蝕刻液； 第2處理，其係在對上述基板之表面供給蝕刻液中，取得在上述光感測器中接收到的來自上述照射處的反射光之強度的變化； 第3處理，其係從表示在上述第2處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去藉由位置於上述基板之上方的外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，而生成補正資料， 第4處理，其係根據上述補正資料，推定在蝕刻處理中的上述膜的膜厚。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述供給部包含： 噴嘴，其係被構成吐出蝕刻液；和 臂部，其係被構成保持上述噴嘴，並且在上述基板之上方，使上述噴嘴沿著上述基板之表面移動； 上述外擾衍生物為上述臂部或上述噴嘴。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 上述外擾成分係藉由上述臂部或上述噴嘴與上述光感測器之光路互相重疊而產生，或上述基板之表面的液膜藉由從上述噴嘴被吐出的蝕刻液受到干擾而產生。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第3處理包含根據上述外擾衍生物之位置，和上述供給部所致的蝕刻液之供給流量之至少一方，從上述強度變化資料之中除去上述外擾成分，生成上述補正資料的步驟。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第4處理包含根據表示被形成在樣本基板之表面的膜之膜厚，和藉由上述光感測器對上述樣本基板之表面照射光而接收其反射光而獲得的該反射光之強度之關係的模型，從上述補正資料所含的強度推定在上述基板中之上述膜之膜厚。
  6. 如請求項1至5中之任一項之基板處理裝置，其中 上述光感測器係被構成朝向上述照射處，照射上述光，和特定的另外的波長之光，接收各者的反射光， 上述第2處理係包含在對上述基板之表面供給蝕刻液中，取得上述光之反射光之強度的變化，和上述另外的光之反射光之強度的變化之步驟。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中 進一步具備另外的光感測器，其係被構成朝向被設定在與被保持於上述保持部之上述基板之表面重疊並且與上述照射處在上述基板之徑向不同的位置的另外的照射處，照射光，接收其反射光， 上述控制部係被構成進一步實行： 第5處理，其係在對上述基板之表面供給蝕刻液中，取得在上述另外的光感測器中接收到的來自上述照射處的反射光之強度的變化； 第6處理，其係從表示在上述第5處理中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去由於上述外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，生成另外的補正資料；及 第7處理，其係根據上述另外的補正資料，推定在蝕刻處理中之上述膜的膜厚。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中 上述控制部被構成進一步實行第8處理，其係根據在上述第4處理中被推定的上述膜之膜厚，和在上述第7處理中被推定之上述膜的膜厚，變更藉由上述供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之吐出位置，和藉由上述供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之流量之至少一方。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述保持部係被構成邊保持上述基板邊使旋轉， 上述第1處理係控制上述供給部及上述保持部，對旋轉中之上述基板之表面供給蝕刻液之步驟。
  10. 一種膜厚推定方法，包含： 第1工程，其係在表面形成膜之基板被保持於保持部之狀態下，供給部對上述基板之表面供給蝕刻液； 第2工程，其係在對上述基板之表面供給蝕刻液中，朝向被保持於上述保持部之上述基板的照射處，藉由光感測器照射特定波長的光，取得在上述光感測器中接收到的來自上述照射處的反射光之強度的變化； 第3工程，其係從表示在上述第2工程中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去藉由位置於上述基板之上方的外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，而生成補正資料， 第4工程，其係根據上述補正資料，推定在蝕刻處理中的上述膜的膜厚。
  11. 如請求項10之膜厚推定方法，其中 上述供給部包含： 噴嘴，其係被構成吐出蝕刻液；和 臂部，其係被構成保持上述噴嘴，並且在上述基板之上方，使上述噴嘴沿著上述基板之表面移動； 上述外擾衍生物為上述臂部或上述噴嘴。
  12. 如請求項11之膜厚推定方法，其中 上述外擾成分係藉由上述臂部或上述噴嘴與上述光感測器之光路互相重疊而產生，或上述基板之表面的液膜藉由從上述噴嘴被吐出的蝕刻液受到干擾而產生。
  13. 如請求項10之膜厚推定方法，其中 上述第3工程包含根據上述外擾衍生物之位置，和上述供給部所致的蝕刻液之供給流量之至少一方，從上述強度變化資料之中除去上述外擾成分，生成上述補正資料的步驟。
  14. 如請求項10之膜厚推定方法，其中 上述第4工程包含根據表示被形成在樣本基板之表面的膜之膜厚，和藉由上述光感測器對上述樣本基板之表面照射光而接收其反射光而獲得的該反射光之強度之關係的模型，從上述補正資料所含的強度推定在上述基板中之上述膜之膜厚。
  15. 如請求項10至14中之任一項之膜厚推定方法，其中 上述光感測器係被構成朝向上述照射處，照射上述光，和特定的另外的波長之光，接收各者的反射光， 上述第2工程係包含在對上述基板之表面供給蝕刻液中，取得上述光之反射光之強度的變化，和上述另外的光之反射光之強度的變化之步驟。
  16. 如請求項10之膜厚推定方法，其中 進一步包含：第5工程，其係在對上述基板之表面供給蝕刻液中，朝向被保持於上述保持部之上述基板的另外的照射處，藉由另外的光感測器照射特定的另外的波長之光，取得在上述另外的光感測器中接受到的來自上述另外的照射處之反射光之強度的變化，且在上述第5工程中，上述另外的照射處係被設定為與上述照射處在上述基板之徑向不同的位置； 第6工程，其係從表示在上述第5工程中被取得的反射光之強度之變化的強度變化資料之中，除去由於上述外擾衍生物之影響而產生的外擾成分，生成另外的補正資料；及 第7工程，其係根據上述另外的補正資料，推定在蝕刻處理中之上述膜的膜厚。
  17. 如請求項16之膜厚推定方法，其中 進一步包含第8工程，其係根據在上述第4工程中被推定的上述膜之膜厚，和在上述第7工程中被推定之上述膜的膜厚，變更藉由上述供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之吐出位置，和藉由上述供給部被吐出至後續之基板的蝕刻液之流量之至少一方。
  18. 如請求項10之膜厚推定方法，其中 上述保持部係被構成邊保持上述基板邊使旋轉， 上述第1工程係控制上述供給部及上述保持部，對旋轉中之上述基板之表面供給蝕刻液之步驟。
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