TW202404431A - 覆銅積層板、印刷線路板及半導體封裝體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種耐熱性優異且低傳輸損耗化而成之覆銅積層板、具有該覆銅積層板之印刷線路板及半導體封裝體。具體而言，提供一種覆銅積層板等，其包含含有樹脂之絕緣層與配置於該絕緣層的至少其中一面的銅箔，      前述銅箔與絕緣層相對向的面的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且為具有金屬處理層之表面處理銅箔，該金屬處理層含有80～300 μg/dm 2的矽。

Description

覆銅積層板、印刷線路板及半導體封裝體
本發明關於一種覆銅積層板、印刷線路板及半導體封裝體。
因近年來電子機器的小型化及高性能化，印刷線路板正在進行線路密度的高度化及高積體化，且伴隨此情形，對於印刷線路板用的覆銅積層板，越來越強烈要求提高可靠性。 覆銅積層板是將絕緣層與銅箔積層而成者，一般而言，是以下述方式製造：將使樹脂含浸於玻璃織布中而成的預浸體與銅箔積層，並加熱及加壓。然後，所獲得的覆銅積層板在形成電路後，實施退火處理、回焊處理等加熱處理，而製造使用了該覆銅積層板之印刷線路板。
如同前述，在印刷線路板的製造過程中，會在將預浸體等絕緣層與銅箔積層後的狀態下實施複數次加熱處理，但此時，有時在絕緣層與銅箔之間會發生***(以下亦稱為「起泡(blister)」)，而耐熱性會成為技術問題。該起泡由於會成為覆銅積層板的良率惡化、印刷線路板的可靠性降低等原因，故一直期望具有能夠如抑制其發生的程度的耐熱性。
特別是，近年來，從地球環境保護的觀點來看，正在進行焊料的無鉛化，在將零件安裝在印刷線路板時及組裝半導體封裝體時，回焊步驟的溫度會變得非常高。此外，有時為了提高生產效率的目的而提高積層成形時的加熱溫度，於是對覆銅積層板施加的熱履歷逐漸越來越嚴苛，於是進一步要求提高覆銅積層板的耐熱性日漸強烈。
為了提高覆銅積層板的耐起泡性等耐熱性已進行了各種研究。例如，專利文獻1揭示了一種覆銅積層板，其包含：絕緣層，其含有樹脂；及，銅箔，其配置於該絕緣層的至少其中一面上；前述銅箔是具有金屬處理層之表面處理銅箔，該金屬處理層含有鋅，並且，前述金屬處理層中的鋅的含量為10～2,500 μg/dm 2。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：國際公開第2020/017551號。
[發明所欲解決的問題] 專利文獻1所記載的印刷線路板確實耐起泡性高而耐熱性優異。另一方面，針對因應近年的高水準的低傳輸損耗化的要求，有關低傳輸損耗化方面仍有進一步改善的空間。 因此，本發明的目的在於提供一種耐熱性優異且低傳輸損耗化而成之覆銅積層板、具有該覆銅積層板之印刷線路板及半導體封裝體。 [解決問題的技術手段]
發明人致力於研究，結果發現藉由本發明能夠解決前述技術問題。
本發明中關於下述[1]～[6]的實施形態。 [1] 一種覆銅積層板，其包含含有樹脂之絕緣層與配置於該絕緣層的至少其中一面的銅箔， 前述銅箔與絕緣層相對向的面的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且為具有金屬處理層之表面處理銅箔，該金屬處理層含有80～300 μg/dm 2的矽。 [2] 如上述[1]所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層進一步含有選自由鋅、鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬。 [3] 如上述[2]所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層中的鋅的含量為10～2500 μg/dm 2。 [4] 如上述[2]或[3]所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層中的選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬的合計含量為10～2500 μg/dm 2。 [5] 一種印刷線路板，其具有上述[1]～[4]中任一項所述之覆銅積層板。 [6] 一種半導體封裝體，其具有上述[5]所述之印刷線路板與半導體元件。 [發明的效果]
藉由本發明，能夠提供一種耐熱性優異且低傳輸損耗化而成之覆銅積層板、具有該覆銅積層板之印刷線路板及半導體封裝體。
在本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值可置換為實施例中所示的值。此外，數值範圍的下限值及上限值分別能夠與其它數值範圍的下限值及上限值任意組合。針對數值範圍「AA～BB」這樣的標示，在數值範圍中包含兩端的數值AA及BB分別作為下限值及上限值。 本說明書中，例如「10以上」這樣的記載意指10及超過10的數值，當數值不同時也以此為準。此外，例如「10以下」這樣的記載，意指10及小於10的數值，當數值不同時也以此為準。 此外，本說明書中例示的各成分及材料只要未特別說明，即可單獨使用1種，也可以併用2種以上。本說明書中，當組成物中存在有複數種相當於各成分的物質時，組成物中的各成分的含量只要未特別說明，即是意指存在於組成物中的該複數種物質的合計量。
本說明書中，所謂「樹脂成分」意指在構成樹脂組成物的固形分之中，不包括後述的無機填充材料等無機化合物之全部成分。 本說明書中，所謂「固形分」意指後述的有機溶劑以外的成分，並且也視為在25℃中的液體狀的成分。 本說明書中所記載的「含有XX」這樣的用語，意指下述任一態樣：當XX進行反應而獲得時以XX經反應的狀態含有的態樣或單純地含有XX的態樣。 將本說明書中的記載事項任意組合而成之態樣亦包含在本發明中。
[覆銅積層板] 本發明提供一種覆銅積層板，其包含含有樹脂之絕緣層(以下，也僅稱為「絕緣層」)與配置於該絕緣層的至少其中一面的銅箔， 前述銅箔與絕緣層相對向的面的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且為具有金屬處理層之表面處理銅箔，該金屬處理層含有80～300 μg/dm 2的矽。 再者，以下的說明中，有時會將本實施形態的覆銅積層板所具有的「與絕緣層相對向的面的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且為具有含有80～300 μg/dm 2的矽之金屬處理層之表面處理銅箔」稱為「表面處理銅箔(I)」。該銅箔中，與絕緣層相對向的面為經粗糙化的面，有時將經粗糙化的面稱為「消光面」。該消光面存在於金屬處理層上。
本實施形態的覆銅積層板只要是包含絕緣層與配置於該絕緣層的至少其中一面的表面處理銅箔(I)這樣的構成即可，其構成並無特別限定。 當本實施形態的覆銅積層板包含2片以上的銅箔時，2片以上的銅箔可以僅為表面處理銅箔(I)，也可以是表面處理銅箔(I)與表面處理銅箔(I)以外的銅箔之組合。
作為覆銅積層板的構成，可以是銅箔積層於絕緣層的其中一面或雙面而成，也可以一層以上的絕緣層與一層以上的銅箔交互地形成為層而成。此外，也可以是如下構成：在雙面具有銅箔之芯基板的其中一面或雙面，一層以上的絕緣層與一層以上的銅箔交互地形成為層而成。 本實施形態的覆銅積層板中所包含的絕緣層的層數，可以是一層以上，也可以依據其用途例如由2～20片來適當選擇。 本實施形態的覆銅積層板中所包含的銅箔的片數，可以是一片以上，也可以依據其用途例如由2～20片來適當選擇。 進一步，本實施形態的覆銅積層板所具有的銅箔，可藉由後述的方法來形成電路。 再者，在前述說明中，當僅記載為「銅箔」時，該用語在當覆銅積層板為僅包含「表面處理銅箔(I)」之態樣時意指「表面處理銅箔(I)」，當覆銅積層板為包含「表面處理銅箔(I)」與「表面處理銅箔(I)以外的銅箔」之態樣時意指「表面處理銅箔(I)」與「表面處理銅箔(I)以外的銅箔」兩者。 本實施形態的覆銅積層板的厚度並無特別限定，可依據覆銅積層板的用途適當地決定，較佳是0.03～1.6 mm。 繼而，針對本實施形態的覆銅積層板所具有的表面處理銅箔(I)及絕緣層進行說明。
＜表面處理銅箔(I)＞ 本實施形態的覆銅積層板所具有的表面處理銅箔(I)與絕緣層相對向的面(消光面)的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且具有含有80～300 μg/dm 2的矽之金屬處理層。在此處，本實施形態中，矽的含量是利用螢光X射線分析所分析出的數值，詳言之是依據實施例所記載的方法所測定者。此外，本實施形態中，表面粗糙度是依據日本工業規格JIS B0601(2013年)使用接觸式粗糙度計測出的十點平均粗糙度Rz，詳言之是依據實施例所記載的方法所測定者。 再者，本說明書中，所謂金屬處理層中的特定元素的含量，意指每一層的金屬處理層中的前述特定元素的含量。因而，當表面處理銅箔(I)在雙面具有金屬處理層時，所謂金屬層中的特定元素的含量，意指雙面的金屬處理層之中其中一面的金屬處理層中的前述特定元素的含量。
藉由前述金屬處理層中的矽的含量為80 μg/dm 2以上，表面處理銅箔(I)與絕緣層的密合性會提升，而有助於耐熱性進一步的提升。此外，藉由前述金屬處理層中的矽的含量為300 μg/dm 2以下，能夠抑制傳輸損耗的惡化。從該觀點來看，前述金屬處理層含有80～300 μg/dm 2的矽，較佳是含有90～250 μg/dm 2的矽，更佳是含有100～200 μg/dm 2的矽，進一步較佳是含有100～150 μg/dm 2的矽，特佳是含有105～135 μg/dm 2的矽。 將前述金屬處理層中的矽的含量設定在前述規定範圍的方法並無特別限制，例如可列舉如下方法等：針對銅箔，一邊調整矽烷耦合劑的量一邊利用矽烷耦合劑對與絕緣層相對向的面進行表面處理。此外，金屬處理層中的矽的含量也能夠使用前述規定範圍內之市售的銅箔。作為這樣的銅箔，例如能夠由三井金屬股份有限公司製造的銅箔來選擇。
此外，藉由與絕緣層相對向的面(消光面)的表面粗糙度Rz為0.30 μm以上，絕緣層與銅箔的密合性會變高而藉此耐熱性會變得良好，藉由為0.60 μm以下，能夠進行低傳輸損耗化。從該觀點來看，與絕緣層相對向的面(消光面)的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm，較佳是0.35～0.55 μm，更佳是0.40～0.55 μm，進一步較佳是0.45～0.55 μm。 作為製造具有該表面粗糙度Rz之銅箔的方法，可列舉針對銅箔將與絕緣層相對向的面進行粗糙化處理的方法等。粗糙化處理的方法及條件，只要表面粗糙度Rz會成為前述範圍內即可，並無特別限制，可適當地調整以往習知的方法及條件，例如可列舉：藉由銅等電鍍覆，使具有微細的凹凸之覆膜附著於銅箔的表面的方法。在粗糙化處理之前，可適當地實行酸洗滌等前處理。
再者，前述金屬處理層可進一步含有選自由鋅、鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬。 金屬處理層中的鋅的含量並無特別限制，較佳是10～2500 μg/dm 2，更佳是15～1000 μg/dm 2，進一步較佳是20～500 μg/dm 2，特佳是25～300 μg/dm 2，最佳是30～200 μg/dm 2。 金屬處理層中的鋅的含量若為前述下限值以上，可獲得充分的防鏽效果，而具有微細線路性優異的傾向，若為前述上限值以下，則耐起泡性優異繼而具有耐熱性優異的傾向。
作為作成含有鋅之金屬處理層的方法，並無特別限制，較佳是使用了鋅之鍍覆處理。使用了鋅之鍍覆處理可以是鋅鍍覆處理或鋅合金鍍覆處理中的任一者，較佳是鋅合金鍍覆處理。 當藉由鋅合金鍍覆處理進行時，作為與鋅形成合金的金屬，可列舉選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬。作為鋅合金的具體例，可列舉鋅鎳合金、鋅鈷合金、鋅鉬合金、鋅鈷鉬合金等，該等之中，較佳是鋅鎳合金、鋅鈷鉬合金。
前述金屬處理層含有選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬，藉此，所獲得的覆銅積層板會有更進一步成為耐起泡性優異繼而耐熱性優異者的傾向。特別是，當前述金屬處理層含有鋅時，會有耐熱性變的不充分的疑慮，因此在含有鉛的條件下，較佳是進一步含有選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬。 前述金屬處理層中的選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬的合計含量，較佳是10～2500 μg/dm 2，更佳是40～1000 μg/dm 2，進一步較佳是60～500 μg/dm 2，特佳是100～300 μg/dm 2，最佳是150～200 μg/dm 2。 前述金屬處理層，在選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬之中，較佳是含有鎳，並且可以含有鎳而不含鈷及鉬。
前述金屬處理層，從防鏽處理及提升與樹脂的密合性的觀點來看，可進一步含有鉻。當前述金屬處理層含有鉻時，鉻的含量較佳是10～200 μg/dm 2，更佳是20～150 μg/dm 2，進一步較佳是30～100 μg/dm 2，特佳是40～80 μg/dm 2，最佳是50～80 μg/dm 2。 作為作成含有鉻之金屬處理層的方法，並無特別限制，可列舉例如鉻酸鹽處理(防鏽處理)等。藉由鉻酸鹽處理，會有下述傾向：能夠抑制銅箔的氧化，並且在形成電路時能夠良好地形成微細線路。鉻酸鹽處理，可以是電解鉻酸鹽處理或浸漬鉻酸鹽處理中的任一種，從附著量的穩定性等觀點來看，較佳是電解鉻酸鹽處理。
本實施形態的覆銅積層板所包含的銅箔並無特別限定，可以是軋延銅箔，也可以是電解銅箔，較佳是電解銅箔。
表面處理銅箔(I)的厚度可依據覆銅積層板的用途等來適當決定，較佳是1～120 μm，更佳是3～60 μm，進一步較佳是5～40 μm，特佳是10～25 μm。此外，從進一步將半導體封裝體薄型化的觀點來看，較佳是35 μm以下，更佳是25 μm以下，進一步較佳是20 μm以下。
＜絕緣層＞ 本實施形態的覆銅積層板所具有的含有樹脂之絕緣層，並無特別限定，可依據所期望的特性由以往習知的絕緣樹脂材料中適當選擇。 絕緣層較佳是含有熱硬化性樹脂組成物的硬化物，更佳是預浸體的硬化物，該預浸體是熱硬化性樹脂組成物含浸於玻璃纖維布等薄片狀補強基材中所形成而成。
前述熱硬化性樹脂組成物，只要是含有熱硬化性樹脂者即可，並無特別限定。 作為熱硬化性樹脂，可列舉馬來醯亞胺化合物、環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并惡嗪樹脂、氧雜環丁烷樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、烯丙基樹脂、二聚環戊二烯樹脂、矽氧樹脂、三氮雜苯樹脂、三聚氰胺樹脂等。該等可單獨使用1種，也可以併用2種以上。該等之中，從耐熱性、成形性及低熱膨脹性的觀點來看，較佳是馬來醯亞胺化合物、環氧樹脂、酚樹脂，更佳是馬來醯亞胺化合物。
前述熱硬化性樹脂組成物，從更進一步提高耐熱性及低傳輸損耗化的觀點、以及獲得優異的銅箔黏合性、低熱膨脹性等觀點來看，較佳是含有聚苯醚衍生物(A)、硬化促進劑(B)、馬來醯亞胺化合物(C)、無機填充材料(D)、阻燃劑(E)及熱塑性彈性體(F)[以下，有時分別稱為(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、(E)成分、(F)成分]。只要是包含該熱硬化性樹脂組成物之絕緣層，會有與前述銅箔的密合性良好而耐熱性提升的傾向及可進行低傳輸損耗化的傾向。 以下，針對各成分的適當態樣進行說明。
(聚苯醚衍生物(A)) 聚苯醚衍生物(A)較佳是具有由下述通式(I)表示的結構單元者，從高頻特性、與導體的高黏合性、高玻璃轉移溫度、低熱膨脹性及高阻燃性的觀點來看，更佳是具有含N-取代馬來醯亞胺結構之基及由下述通式(I)表示的結構單元者。 (通式(I)中，R 1各自獨立地是碳數1～5的脂肪族烴基或鹵素原子。x是0～4的整數。)
作為前述通式(I)中的R 1表示的脂肪族烴基，可列舉例如：甲基、乙基、正丙基、異丙基等。作為該脂肪族烴基，較佳是碳數1～3的脂肪族烴基，更佳是甲基。此外，作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 以上之中，作為R 1較佳是碳數1～5的脂肪族烴基。
x是0～4的整數，較佳是0～2的整數，更佳是2。再者，當x是1或2時，R 1可以取代於苯環上的鄰位(但是，以氧原子的取代位置為準)。此外，當x是2以上時，複數個R 1彼此可以各自相同，也可以不同。
當聚苯醚衍生物(A)具有含N-取代馬來醯亞胺結構之基時，該含N-取代馬來醯亞胺結構之基的數量可以是1個以上，並無特別限制，較佳是1個或2個，更佳是1個。 作為前述含N-取代馬來醯亞胺結構之基，從高頻特性、與導體的黏合性、耐熱性、玻璃轉移溫度、低熱膨脹性及阻燃性的觀點來看，較佳含有雙馬來醯亞胺結構之基，其是2個馬來醯亞胺基的氮原子彼此隔著有機基進行鍵結而成(但是也包含源自該結構的結構。在此處，所謂源自該結構的結構，為具有馬來醯亞胺基的碳-碳雙鍵與官能基(胺基等)反應而成之結構等)。作為前述含N-取代馬來醯亞胺結構之基，更佳是由下述通式(Z)表示的基。 (通式(Z)中，R 2各自獨立地是碳數1～5的脂肪族烴基或鹵素原子。y是0～4的整數。A 1是由後述的通式(II)、(III)、(IV)或(V)表示的基。)
作為R 2表示的碳數1～5的脂肪族烴基、鹵素原子，可與R 1的情況進行同樣的說明。 y是0～4的整數，較佳是0～2的整數，更佳是0。當y是2以上的整數時，複數個R 2彼此可以相同，也可以不同。
A 1表示的由通式(II)、(III)、(IV)或(V)表示的基，如以下所述。
(通式(II)中，R 3各自獨立地是碳數1～5的脂肪族烴基或鹵素原子。p是0～4的整數。) 作為R 3表示的碳數1～5的脂肪族烴基、鹵素原子，可與R 1的情況進行同樣的說明。
p是0～4的整數，從取得容易性的觀點來看，較佳是0～2的整數，更佳是0或1，進一步較佳是0。當p是2以上的整數時，複數個R 3彼此可以相同，也可以不同。
(通式(III)中，R 4及R 5各自獨立地是碳數1～5的脂肪族烴基或鹵素原子。A 2是碳數1～5的伸烷基、碳數2～5的亞烷基、醚基、硫醚基、磺醯基、羰氧基、酮基、單鍵或由下述通式(III-1)表示的基。q及r各自獨立地是0～4的整數。)
作為R 4及R 5表示的碳數1～5的脂肪族烴基、鹵素原子，可列舉與R 1的情況相同者。作為該脂肪族烴基，較佳是碳數1～3的脂肪族烴基，更佳是甲基、乙基，進一步較佳是乙基。
作為A 2表示的碳數1～5的伸烷基，例如可列舉：甲烯基(methylene group)、1,2-伸乙基、1,3-伸丙基、1,4-伸丁基、1,5-伸戊基等。作為該伸烷基，從高頻特性、與導體的黏合性、耐熱性、玻璃轉移溫度、低熱膨脹性及阻燃性的觀點來看，較佳是碳數1～3的伸烷基，更佳是甲烯基。
作為A 2表示的碳數2～5的亞烷基，例如可列舉：亞乙基、亞丙基、亞異丙基、亞丁基、亞異丁基、亞戊基、亞異戊基等。該等之中，從高頻特性、與導體的黏合性、耐熱性、玻璃轉移溫度、低熱膨脹性及阻燃性的觀點來看，較佳是亞異丙基。 作為A 2，在上述選項之中，較佳是碳數1～5的伸烷基、碳數2～5的亞烷基。
q及r各自獨立地是0～4的整數，從取得容易性的觀點來看，較佳是皆為0～2的整數，更佳是皆為0或2。當q或r是2以上的整數時，複數個的R 4或R 5彼此可以各自相同或各自不同。
再者，A 2表示的由通式(III-1)表示的基，如以下所述。 (通式(III-1)中，R 6及R 7各自獨立地是碳數1～5的脂肪族烴基或鹵素原子。A 3是碳數1～5的伸烷基、亞異丙基、醚基、硫醚基、磺醯基、羰氧基、酮基或單鍵。s及t各自獨立地是0～4的整數。)
作為R 6及R 7表示的碳數1～5的脂肪族烴基、鹵素原子，可與R 4及R 5的情況進行同樣的說明。
作為A 3表示的碳數1～5的伸烷基，可列舉與A 2表示的碳數1～5的伸烷基相同者。 作為A 3，在上述選項之中，較佳是碳數2～5的亞烷基。 s及t是0～4的整數，從取得容易性的觀點來看，較佳是皆為0～2的整數，更佳是皆為0或1，進一步較佳是皆為0。當s或t是2以上的整數時，複數個的R 6或R 7彼此可以各自相同或各自不同。 (通式(IV)中，n是0～15的整數。)
n從取得容易性的觀點來看，較佳是0～5，更佳是0～3。
(通式(V)中，R 8及R 9各自獨立地是氫原子或碳數1～5的脂肪族烴基。u是1～8的整數。)
作為R 8及R 9表示的碳數1～5的脂肪族烴基、鹵素原子，可與R 1的情況進行同樣的說明。 u是1～8的整數，較佳是1～3的整數，更佳是1。
聚苯醚衍生物(A)，較佳是由下述通式(A’)表示的聚苯醚衍生物。 (通式(A’)中，A 1、R 1、R 2、x及y如同前述的定義。m是1以上的整數。)
m較佳是1～300的整數，更佳是10～300的整數，進一步較佳是30～200的整數，特佳是50～150的整數。
此外，聚苯醚衍生物(A)，較佳是由下述式(A’-1)～(A’-4)中的任一者表示的聚苯醚衍生物。
(該等式中，m與前述通式(A’)中的m相同，較佳範圍亦同。)
從原料便宜這樣的觀點來看，較佳是上述式(A’-1)的聚苯醚衍生物，從介電特性優異、低吸水性這樣的觀點來看，較佳是上述式(A’-2)的聚苯醚衍生物，從與導體的黏合性及機械特性(拉伸、斷裂強度等)優異這樣的觀點來看，較佳是上述式(A’-3)或上述式(A’-4)的聚苯醚衍生物。從而，能夠配合設為目的之特性，單獨使用由上述式(A’-1)～(A’-4)中的任一式表示的聚苯醚衍生物中的1種、或併用2種以上。
作為聚苯醚衍生物(A)的數量平均分子量，較佳是4000～14000，更佳是5000～12000，進一步較佳是7000～12000，特佳是7000～10000。此外，聚苯醚衍生物(A)的數量平均分子量可以是4000～8000，也可以是4000～6500。只要數量平均分子量是4000以上，在本發明的樹脂組成物、使用該樹脂組成物而成的預浸體及積層板中，會有傾向可獲得更良好的玻璃轉移溫度。此外，只要數量平均分子量是14000以下，將本發明的樹脂組成物用於積層板時，會有傾向可獲得更良好的成形性。 再者，在本說明書中，數量平均分子量是藉由膠透層析術(GPC)並從使用了標準聚苯乙烯的校正曲線換算所獲得的值，更詳細而言，是藉由實施例中所述之數量平均分子量的測定方法所求得的值。
(硬化促進劑(B)) 硬化促進劑(B)較佳是含有選自由有機過氧化物、咪唑系硬化促進劑、磷系硬化促進劑所組成之群組中的至少1種。藉由含有(B)成分，能夠使耐熱性等更進一步提升。(B)成分可單獨使用1種，也可以併用2種以上。
作為有機過氧化物並無特別限制，較佳是含有選自由下述有機過氧化物所組成之群組中的至少1種：單碳酸過氧化三級丁基異丙酯、1,1-二(過氧化三級己基)環己烷、過氧化雙(1-苯基-1-甲基乙基)、氫過氧化二異丙苯及α，α’-雙(過氧化三級丁基)二異丙苯。
作為咪唑系硬化促進劑並無特別限制，可列舉：甲基咪唑、苯基咪唑、2-十一烷基咪唑等咪唑化合物；六亞甲基二異氰酸酯樹脂與2-乙基-4-甲基咪唑之加成反應物等異氰酸酯遮蔽咪唑等。
作為磷系硬化促進劑，可列舉：三苯膦等三級膦；對苯醌的三正丁基膦加成反應物等四級鏻化合物等。
(熱硬化性樹脂(C)) 熱硬化性樹脂(C)較佳是選自由環氧樹脂、氰酸酯樹脂及馬來醯亞胺化合物所組成之群組中的至少1種，更佳是馬來醯亞胺化合物。再者，該馬來醯亞胺化合物，不包含前述聚苯醚衍生物(A)。
作為環氧樹脂，較佳是具有2個以上的環氧基之環氧樹脂。在此處，環氧樹脂可被分類為環氧丙基醚型的環氧樹脂、環氧丙胺型的環氧樹脂、環氧丙酯型的環氧樹脂等。該等之中，可以選擇環氧丙基醚型的環氧樹脂。
環氧樹脂可基於不同的主骨架而被分類為各種環氧樹脂，在上述不同型的環氧樹脂中，進一步可被分類為：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；脂環式環氧樹脂；脂肪族鏈狀環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；苯酚芳烷型環氧樹脂；二苯乙烯型環氧樹脂；雙環戊二烯型環氧樹脂；萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚芳烷型環氧樹脂等含萘骨架型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；聯苯芳烷型環氧樹脂；二甲苯型環氧樹脂；二氫蒽型環氧樹脂；雙環戊二烯型環氧樹脂等。
環氧樹脂可單獨使用1種，也可併用2種以上。該等之中，從高頻特性、耐熱性、玻璃轉移溫度、低熱膨脹性及阻燃性等觀點來看，較佳是含萘骨架型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂。
氰酸酯樹脂並無特別限定，可列舉：2,2-雙(4-氰氧苯)丙烷、雙(4-氰氧苯)乙烷、雙(3,5-二甲基-4-氰氧苯)甲烷、2,2-雙(4-氰氧苯)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、α，α’-雙(4-氰氧苯)間二異丙苯、苯酚加成雙環戊二烯聚合物的氰酸酯化合物、苯酚酚醛清漆型氰酸酯化合物、甲酚酚醛清漆型氰酸酯化合物等。氰酸酯樹脂可單獨使用1種，也可併用2種以上。該等之中，從製造成本的觀點、及高頻特性和其他特性的綜合平衡的觀點來看，較佳是使用2,2-雙(4-氰氧苯)丙烷。
作為馬來醯亞胺化合物並無特別限定，較佳是具有至少2個含N-取代馬來醯亞胺結構之基之馬來醯亞胺化合物及胺基改質雙馬來醯亞胺化合物中的至少1種。從對有機溶劑的溶解性、高頻特性、與導體的黏合性及預浸體的成形性的觀點來看，作為該馬來醯亞胺化合物，較佳是胺基改質雙馬來醯亞胺化合物。
作為馬來醯亞胺化合物並無特別限定，可列舉：雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、聚苯甲烷馬來醯亞胺、雙(4-馬來醯亞胺苯基)醚、雙(4-馬來醯亞胺苯基)碸、3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯雙馬來醯亞胺、間苯雙馬來醯亞胺、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、雙(4-馬來醯亞胺苯基)硫醚、雙(4-馬來醯亞胺苯基)酮、雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)碸、4,4’-雙(3-馬來醯亞胺苯氧基)聯苯、1,6-雙馬來醯亞胺基-(2,2,4-三甲基)己烷等。
胺基改質雙馬來醯亞胺化合物可使胺化合物反應於雙馬來醯亞胺化合物來獲得，作為其胺化合物，並無特別限定，從對有機溶劑的溶解性高、合成時的反應率高且能夠提高耐熱性的觀點來看，可列舉：4,4’-二胺二苯甲烷、4,4’-二胺基-3,3’-二甲基二苯甲烷、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯甲烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、4,4’-[1,3-伸苯雙(1-甲基亞乙基)]雙苯胺、4,4’-[1,4-伸苯雙(1-甲基亞乙基)]雙苯胺等。
(無機填充材料(D)) 作為無機填充材料(D)並無特別限制，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、雲母、鈹土、鈦酸鋇、鈦酸鉀、鈦酸鍶、鈦酸鈣、碳酸鋁、氫氧化鎂、氫氧化鋁、矽酸鋁、碳酸鈣、矽酸鈣、矽酸鎂、氮化矽、氮化硼、煅燒黏土等黏土、鉬酸鋅等鉬酸鹽化合物、滑石、硼酸鋁、碳化矽等。(D)成分可單獨使用1種，也可併用2種以上。又，針對無機填充材料的形狀及粒徑並無特別限制，可適合地使用粒徑為0.01～20μm者，較佳是0.1～10μm者。在此處，本說明書中所謂粒徑意指平均粒徑，是將粒子的總體積設為100%來求得源自粒徑的累積粒度分布曲線時，對應於體積50%的點的粒徑。能夠藉由使用雷射繞射散射法的粒度分布測定裝置等來測定。
當使用(D)成分時，以使(D)成分的分散性和(D)成分與樹脂組成物中的有機成分的密合性提升為目的，較佳是併用耦合劑。作為耦合劑並無特別限定，例如能夠使用各種矽烷耦合劑和鈦酸酯耦合劑。該等成分可單獨使用1種，也可併用2種以上。
(阻燃劑(E)) 作為阻燃劑(E)，可列舉磷系阻燃劑、金屬水合物、鹵素系阻燃劑等。(E)成分從環境問題的觀點來看，較佳是選自由磷系阻燃劑及金屬水合物所組成之群組中的至少1種，更佳是併用磷系阻燃劑和金屬水合物。阻燃劑(E)可單獨使用1種，也可併用2種以上。
(熱塑性彈性體(F)) 作為熱塑性彈性體(F)可列舉：苯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、胺酯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、丙烯酸系彈性體、矽氧系彈性體及該等彈性體的衍生物等。該等之中，較佳是苯乙烯系彈性體。 (F)成分可單獨使用1種，也可併用2種以上。
熱塑性彈性體(F)，在分子末端或分子鏈中可具有反應性官能基，也可以不具有反應性官能基。作為反應性官能基可列舉：環氧基、羥基、羧基、胺基、醯胺基、異氰酸酯基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基、乙烯基等。當熱塑性彈性體(F)在分子末端或分子鏈中具有該等反應性官能基時，會有傾向提升與其他樹脂成分的相容性並且能進一步提升基板的耐熱性。
作為苯乙烯系彈性體可列舉：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物的氫化物(例如：SEBS、SBBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)的氫化物、苯乙烯-(異戊二烯及丁二烯)-苯乙烯嵌段共聚物的氫化物(SEEPS)及苯乙烯-馬來酸酐共聚物(SMA)等苯乙烯系熱塑性彈性體。該等之中，從相對介電係數(Dk)、預浸體彼此的非密合性及抗裂性等觀點來看，較佳是SEBS、SEPS、苯乙烯-馬來酸酐共聚物(SMA)，更佳是SEBS、苯乙烯-馬來酸酐共聚物(SMA)。在此處，前述SEBS，是苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)的全部的丁二烯單元經氫化而成者，並且是以苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯各自的第一個字母命名而成者，前述SBBS，是苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)的丁二烯單元中的1,2-鍵結單元經選擇性地氫化而成者，並且是以苯乙烯-(1,4-丁二烯)-丁烯-苯乙烯各自的第一個字母命名而成者。 再者，作為苯乙烯系彈性體的原料單體，除了苯乙烯以外，還能夠使用α-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、4-環己基苯乙烯等苯乙烯衍生物。 該等之中，作為苯乙烯系彈性體較佳是SEBS。
(熱硬化性樹脂組成物中的各成分的含量) 熱硬化性樹脂組成物中的各成分的含量並無特別限制，例如能夠設為以下所記載的範圍。 當熱硬化性樹脂組成物含有(A)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是2～40質量份，更佳是5～35質量份，進一步較佳是10～30質量份。若(A)成分的含量為前述下限值以上，會有相對介電係數優異的傾向。另一方面，若為前述上限值以下，會有耐熱性、成形性及加工性優異的傾向。 當熱硬化性樹脂組成物含有(B)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是0.1～10質量份，更佳是0.3～5質量份，進一步較佳是0.5～3質量份。若(B)成分的含量在前述範圍內，會有可獲得良好的耐熱性、保存穩定性及成形性的傾向。 當熱硬化性樹脂組成物含有(C)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是10～90質量份，更佳是20～85質量份，進一步較佳是30～70質量份。若(C)成分的含量為前述下限值以上，會有耐熱性、相對介電係數及低熱膨脹性優異的傾向。另一方面，若(C)成分的含量為前述上限值以下，會有流動性及成形性優異的傾向。
當熱硬化性樹脂組成物含有(D)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是30～200質量份，更佳是40～150質量份，進一步較佳是45～120質量份，特佳是60～100質量份。若(D)成分的含量為前述下限值以上，會有低熱膨脹性優異的傾向。另一方面，若為前述上限值以下，會有耐熱性、流動性及成形性優異的傾向。 當熱硬化性樹脂組成物含有(E)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是2～40質量份，更佳是5～35質量份，進一步較佳是10～30質量份。若(E)成分的含量為前述下限值以上，會有可獲得充分的阻燃性的傾向。另一方面，若為前述上限值以下，會有耐熱性及成形性優異的傾向。 當熱硬化性樹脂組成物含有(F)成分時，其含量相對於熱硬化性樹脂組成物中的樹脂成分總量100質量份，較佳是1～40質量份，更佳是3～30質量份，進一步較佳是5～25質量份。若(F)成分的含量為前述下限值以上，會有相對介電係數優異的傾向。另一方面，若為前述上限值以下，會有可獲得良好的耐熱性、成形性、加工性及阻燃性的傾向。
(其他成分) 在不損及本實施形態的效果的範圍內，熱硬化性樹脂組成物可進一步含有著色劑、抗氧化劑、還原劑、紫外線吸收劑、螢光增白劑、密合性提升劑、有機填充材料等其他成分。該等成分分別可單獨使用1種，也可以併用2種以上。
(有機溶劑) 本發明的樹脂組成物，從介電特性的觀點、容易進行操作這樣的觀點及容易製造後述的預浸體這樣的觀點來看，較佳是含有有機溶劑來調整固形分濃度。 作為有機溶劑，可列舉：乙醇、丙醇、丁醇、甲基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、丙二醇單甲醚等醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族系溶劑；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等含氮原子溶劑；二甲亞碸等含硫原子溶劑；γ-丁內酯等酯系溶劑等。該等可單獨使用1種，也可以併用2種以上。
[預浸體的製造方法] 當前述絕緣層是將預浸體硬化而成者時，該預浸體例如能夠將前述熱硬化性樹脂組成物含浸或塗佈於薄片狀補強基材，藉由加熱等使其半硬化(B階段化)來製造。在此處，所謂B階段化是作成日本工業規格JIS K6900(1994年)所定義的B階段的狀態。 當將熱硬化性樹脂組成物含浸或塗佈於薄片狀補強基材時，熱硬化性樹脂組成物可以是藉由甲基乙基酮等有機溶劑稀釋而成的清漆的狀態。清漆中的不揮發成分的濃度，例如是40～80質量%，較佳是50～75質量%。 含浸後的乾燥條件並無特別限定，加熱溫度較佳是120～200℃，更佳是140～180℃，加熱時間較佳是30秒～30分鐘，更佳是1～10分鐘。
作為預浸體的薄片狀補強基材，能夠使用被用作各種電性絕緣材料用積層板的習知物。作為薄片狀補強基材的材質，可列舉：紙、棉絨等天然纖維；玻璃纖維、石綿等無機物纖維；芳綸、聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚酯、四氟乙烯、丙烯酸等有機纖維；該等混合物等。該等之中，從阻燃性的觀點來看，較佳是玻璃纖維。作為玻璃纖維基材，可列舉：使用E玻璃、C玻璃、D玻璃、S玻璃等而成之玻璃纖維布或將短纖以有機黏合劑黏合而成之玻璃纖維布；將玻璃纖維與纖維素纖維混紗而成者等。該等之中，較佳是使用E玻璃而成之玻璃纖維布。 該等薄片狀補強基材具有例如：織布、不織布、紗束、切股氈或表面氈等形狀。再者，材質及形狀是依目標的成形物的用途、性能等來選擇，可單獨使用1種，且亦能夠依據需要來組合2種以上的材質及形狀。 從成形性及能夠高密度佈線的觀點來看，預浸體的厚度以0.01～0.5 mm為佳，以0.02～0.3 mm較佳，以0.05～0.2 mm更佳。
從成形性及能夠高密度佈線的觀點來看，覆銅積層板中所含的絕緣層的厚度較佳是0.01～0.5 mm，更佳是0.02～0.3 mm，進一步較佳是0.05～0.2 mm。
[覆銅積層板的製造方法] 本實施形態的覆銅積層板是含有本發明的預浸體與金屬箔而成的積層板。本發明的積層板，例如能夠藉由下述方式來製造：將藉由前述本發明的預浸體的製造方法所獲得的預浸體與金屬箔積層，利用壓製法來加熱並加壓而進行硬化。
作為金屬箔的金屬，只要是可用於電性絕緣材料用途者則沒有特別限制，從導電性的觀點來看，較佳是銅、金、銀、鎳、鉑、鉬、釕、鋁、鎢、鐵、鈦、鉻或含有該等金屬元素中的至少1種之合金，更佳是銅、鋁，進一步較佳是銅。
加熱加壓成形的條件並沒有特別限制，例如能夠在溫度100～300℃、壓力0.2～10.0MPa、加熱時間0.1～5小時的範圍內來實施。又，加熱加壓成形能夠採用使用真空壓製機等保持真空狀態0.5～5小時的方法。
[印刷線路板] 本實施形態的印刷線路板是具有本實施形態的覆銅積層板之印刷線路板。 本實施形態的印刷線路板能夠藉由對本實施形態的覆銅積層板的銅箔實施電路加工來製造。電路加工例如能夠在在銅箔表面形成阻劑圖案後，藉由蝕刻去除不需要的部分的銅箔，然後去除阻劑圖案後，利用鑽孔形成所需的通孔，並再度形成阻劑圖案後，施以使通孔導通的鍍覆，在最後去除阻劑圖案地實行。以與前述相同的條件，對所獲得的印刷線路板的表面進一步進行所需次數的將覆銅積層板進行積層及電路加工的步驟，即能夠作成多層印刷線路板。
[半導體封裝體] 本實施形態的半導體封裝體，是具有本實施形態的印刷線路板與半導體元件之半導體封裝體。本實施形態的半導體封裝體，能夠藉由在本實施形態的印刷線路版的特定位置裝配半導體晶片、記憶體等半導體元件來製造。
本實施形態的覆銅積層板、印刷線路板及半導體封裝體，耐熱性優異且為低傳輸損耗，因此例如能夠適用於處理10GHz以上的高頻訊號的電子機器。
以上，已說明了適當的實施形態，但是該等實施形態僅為例示，而並無本實施形態限定限於前述實施形態的意圖。 本實施形態在不脫離其主旨的範圍內，能夠以與上述實施形態不同的各種態樣來實施。 [實施例]
繼而，藉由下述實施例進一步詳細地說明本實施形態，但是無論如何本實施形態都不受該等實施例限制。
(重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)的測定方法) 再者，重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)利用膠透層析術(GPC)並且由使用了標準聚苯乙烯的校準曲線所換算而得。校準曲線，使用標準聚苯乙烯TSK standard POLYSTYRENE(Type：A-2500、A-5000、F-1、F-2、F-4、F-10、F-20、F-40)[東曹(TOSOH)股份有限公司製造，商品名]並利用三次方程式來進行近似。GPC的條件顯示於以下。 裝置： (幫浦：L-6200型[日立先端科技股份有限公司製造])、 (偵檢器：L-3300型RI[日立先端科技股份有限公司製造])、 (管柱烘箱：L-655A-52[日立先端科技股份有限公司製造])。 管柱:TSKgel SuperHZ2000+TSKgel SuperHZ2300(皆為東曹股份有限公司製造)。 管柱尺寸：6.0×40mm(保護管柱)、7.8×300mm(管柱)。 溶析液：四氫呋喃。 試料濃度：30mg/5mL。 注入量：20μL。 流量：1.0mL/分鐘。 測定溫度：40℃。
(銅箔的表面粗糙度Rz(十點平均粗糙度)的測定方法) 使用於各例的銅箔的表面粗糙度Rz，依據日本工業規格JIS B0601(2013年)並使用接觸式粗糙度計「SURFCOM TOUCH」(東京精密股份有限公司製造)來測定。
[測定及評價方法] ＜1.耐熱性(焊接耐熱性)＞ 使用由實施例或比較例製成的4層覆銅積層板，在尚未實施下述條件的壓力鍋試驗的狀態下，將4層覆銅積層板浸泡於288℃的熔融焊料槽(solder bath)中20秒。 此外，將下述條件的壓力鍋試驗(PCT)實施1小時、3小時或5小時後，將4層覆銅積層板浸泡於288℃的熔融焊料槽中20秒。之後，依據下述評價基準來評價4層覆銅積層板的耐熱性。 (壓力鍋試驗條件) 121℃，0.22MPa，相對溼度100% (耐熱性的評價標準) A：目視確認時，並未發生起泡。 B：目視確認時，發生起泡。
＜2.傳輸損耗＞ 在由製造例1製成的預浸體的雙面設置表1所記載的銅箔1或銅箔2(但是，設置於預浸體雙面的銅箔相同。也就是為「銅箔1/預浸體/銅箔1」的態樣或「銅箔2/預浸體/銅箔2」的態樣)，然後以溫度185℃、壓力3.9MPa、時間60分鐘的條件來進行積層並一體化，藉此製成雙面覆銅積層板(厚度：0.1 mm)。 繼而，使用直徑0.15 mm的鑽頭，在上述製成的雙面覆銅積層板鑽出貫穿孔。對已鑽有貫穿孔之雙面覆銅積層施行銅鍍覆，藉此來連接正反面後，藉由蝕刻去除雙面覆銅積層的表面的銅箔，並形成期望的電路圖案。 使高頻探頭「ACP65-A-GSG250」(Form Factor股份有限公司製造)接觸於如此製成的雙面覆銅積層的傳輸線路，並自隔著同軸電纜「SUCOFLEX102」(HUBER+SUHNER公司製造)連接的網路分析儀「N5227A」(Keysight Technologies, Inc.製造)來供應電力，測定通過傳輸電路時的傳輸損耗。將結果顯示於第1圖，並將頻率80 GHz時的傳輸損耗顯示於表2。再者，傳輸損耗為負值，並且其絕對值越小表示傳輸損耗越小。
＜3.銅箔的剝離強度＞ 使用由實施例或比較例製成的2層覆銅積層板，依據IPC-TM-650 2.4.8C來測定銅箔的剝離強度(銅箔與絕緣層的黏合強度)。
＜4.預浸體層間的剝離強度＞ 藉由蝕刻去除由實施例或比較例製成的2層覆銅積層板的銅箔後，在雙面配置預浸體然後進行壓製，藉此獲得4層覆銅積層板。自所獲得的4層覆銅積層板去除銅箔後，裁切為5 mm×100mm而作成試驗片。 將該試驗片固定於擋片上，自試驗片端部剝離表層的預浸體層，然後以角度45度、剝離速度50 mm/分鐘測定預浸體層間(芯材的預浸體層與表層的預浸體層之間)的剝離強度。
製造例1(預浸體的製作) 當要製作預浸體時，首先準備下述所示的各成分。
(A)成分：由下述方法製成的聚苯醚衍生物 在具備溫度計、攪拌裝置及附有回流冷卻管之水分定量器之反應容器中，倒入聚苯醚化合物「XYRON(註冊商標) S202A」(旭化成化學股份有限公司製造)100質量份、對胺苯酚1.3質量份、單碳酸過氧化三級丁基異丙酯2質量份、辛酸錳1.5質量份、甲苯530質量份及丙二醇單甲基醚28質量份，然後在90℃中反應6小時。 之後，在反應液中添加2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷7質量份、丙二醇單甲基醚28質量份，在108℃中反應5小時，藉此獲得聚苯醚衍生物(Mn=7000～10000)。然後將其用作(A)成分。
(B)成分 ‧α,α'-雙(過氧化三級丁基)二異丙基苯 ‧異氰酸酯遮蔽咪唑(六亞甲基二異氰酸酯樹脂與2-乙基-4-甲基咪唑之加成反應物)
(C)成分：由下述方法製成的胺基改質雙馬來醯亞胺化合物 在具備溫度計、攪拌裝置及附有回流冷卻管之水分定量器之反應容器中，倒入3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺25克、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷75克、4,4’-(1,3-伸苯基二亞異丙基)雙苯胺13克及丙二醇單甲基醚61克，然後在125℃中反應3～5小時，藉此獲得胺基改質雙馬來醯亞胺化合物(Mw=1250～1450)。將其用作(C)成分。
(D)成分： ‧藉由乙烯系耦合劑處理而成的熔融二氧化矽，平均粒徑：0.5 μm，甲基異丁基酮分散液。
(E)成分： ‧二烷基次磷酸鋁鹽 ‧具有下述結構之磷系阻燃劑2 磷系阻燃劑2
(F)成分： ‧「SMA(註冊商標) EF80」(苯乙烯/馬來酸酐(莫耳比)=8，Mw=14400，CRAY VALLEY股份有限公司製造)[苯乙烯系彈性體1] ‧「TUFTEC(註冊商標)H1051」(旭化成股份有限公司製造)，氫化苯乙烯系熱塑性彈性體，SEBS[苯乙烯系彈性體2]
繼而，調配(A)成分100質量份、(B)成分各自4質量份、(C)成分310質量份、(D)成分518質量份、(E)成分(二烷基次磷酸鋁鹽為97質量份及前述磷系阻燃劑2為46質量份)及(F)成分112質量份(苯乙烯系彈性體1為13質量份及苯乙烯系彈性體2為99質量份)，然後進一步添加甲苯206質量份及環己酮36質量份，藉此調製樹脂清漆。再者，前述的各成分的調配量皆為固形分的質量份，當為溶液(不含有機溶劑)或分散液時為固形分換算量。 使所獲得的各樹脂清漆含浸於IPC規格#2013的玻璃纖維布(厚度：0.080 mm)，在160℃中乾燥5分鐘左右而藉此獲得預浸體。
實施例1及比較例1(製作覆銅積層板) 組合由製造例1所製成的預浸體與表1所示的銅箔，藉由以下所示的方法來製成2層覆銅積層板與4層覆銅積層板。 (2層覆銅積層板的製作) 以金屬處理層成為預浸體側的方式，將表1所示的銅箔重合於一片預浸體的雙面，然後以溫度200℃、壓力40 kgf/cm 2(3.90 MPa)、60分鐘的條件實行加熱加壓成形，來製成2層覆銅積層板。使用該2層覆銅積層板，實行銅箔的剝離強度的測定。將結果顯示於表2。 (4層覆銅積層板的製作) 以金屬處理層成為預浸體側的方式，將表1所示的銅箔重合於每一片預浸體的雙面，然後以溫度185℃、壓力40 kgf/cm 2(3.90 MPa)、60分鐘的條件實行加熱加壓成形，來製成雙面覆銅積層板。繼而，對該雙面覆銅積層板的雙面的銅箔表面施行內層密合處理[Multi Bond 100(MacDermid Performance Solutions Japan股份有限公司製造)處理]，來獲得作為芯材的雙面覆銅積層板。 繼而，將作為芯材的前述雙面覆銅積層板的雙面的銅箔分別重合1片預浸體，然後以金屬處理層成為預浸體側的方式，進一步在該預浸體上的各面重合一片表1所示的銅箔。之後，以溫度200℃、壓力30 kgf/cm 2(2.90 MPa)、80分鐘的條件實行加熱加壓成形，來製成4層覆銅積層板。使用該4層覆銅積層板，實行各評價。將結果顯示於表2。
[表1]
   厚度 表面粗糙度Rz 金屬處理層中的各元素的含量(μm/dm 2)
(μm) (μm) 鎳 鉻 矽 鋅
銅箔1 18 0.49 176 64 120 81
銅箔2 18 0.90 - 58 72 156
※金屬處理層中的各元素的含量，是藉由螢光X射線分析(Rigaku股份有限公司製，商品名：ZSX Primus II)所測定出的數值。
[表2]
   實施例 比較例
1 1
銅箔的種類 銅箔1 銅箔2
      測定 及評價 結果    1.耐熱性 無PCT試驗 A A
PCT試驗1小時後 A A
PCT試驗3小時後 A A
PCT試驗5小時後 A A
2. 傳輸損耗(dB/cm) -0.64472 -0.73398
3. 銅箔的剝離強度(kN/m) 0.53～0.55 0.52～0.54
4. 預浸體層間的剝離強度(kN/m) 0.89～0.96 0.84～0.93
由表2可知，使用了本實施形態的表面處理銅箔(I)之實施例1的覆銅積層板，不僅具有優異的耐熱性，傳輸損耗也小。 此外，實施例1的覆銅積層板在銅箔的剝離強度(銅箔與絕緣層的黏合強度)方面優異，還出現了預浸體層間的剝離強度(內層銅箔與預浸體的黏合強度)提升的傾向。
無
第1圖是顯示實施例1及比較例1中的傳輸損耗的試驗結果的圖表。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (6)

  1. 一種覆銅積層板，其包含含有樹脂之絕緣層與配置於該絕緣層的至少其中一面的銅箔， 前述銅箔與絕緣層相對向的面的表面粗糙度Rz為0.30～0.60 μm且為具有金屬處理層之表面處理銅箔，該金屬處理層含有80～300 μg/dm 2的矽。
  2. 如請求項1所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層進一步含有選自由鋅、鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬。
  3. 如請求項2所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層中的鋅的含量為10～2500 μg/dm 2。
  4. 如請求項2所述之覆銅積層板，其中，前述金屬處理層中的選自由鎳、鈷及鉬所組成之群組中的一種以上的金屬的合計含量為10～2500 μg/dm 2。
  5. 一種印刷線路板，其具有請求項1～4中任一項所述之覆銅積層板。
  6. 一種半導體封裝體，其具有請求項5所述之印刷線路板與半導體元件。
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