TW202348974A - 保護構件形成裝置 - Google Patents

保護構件形成裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202348974A
TW202348974A TW112121279A TW112121279A TW202348974A TW 202348974 A TW202348974 A TW 202348974A TW 112121279 A TW112121279 A TW 112121279A TW 112121279 A TW112121279 A TW 112121279A TW 202348974 A TW202348974 A TW 202348974A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
protective member
resin
sheet
liquid resin
Prior art date
Application number
TW112121279A
Other languages
English (en)
Inventor
右山芳國
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202348974A publication Critical patent/TW202348974A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Electrophotography Configuration And Component (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

[課題]提供一種保護構件形成裝置，是在使液狀樹脂硬化時，偵測於已擴張到晶圓的一面整個面之液狀樹脂中包含有氣泡之情形。 [解決手段]一種保護構件形成裝置(1)，形成由樹脂(31)與片材(30)所構成之保護構件(32)，並包含：紫外線照射部(23)，從該片材側對該液狀樹脂(31)照射紫外線來使其硬化；相機(24)，接收該紫外線在該樹脂反射後之反射光來拍攝該樹脂(31)；及判斷部(41)，若在該相機(24)拍攝該樹脂整個區域後之拍攝圖像具有黑色的像素，即判斷為在該樹脂中具有氣泡。

Description

保護構件形成裝置
本發明是有關於一種保護構件形成裝置。
在對晶圓進行磨削加工等之時，會形成保護晶圓的一面整個面之保護構件。形成保護構件之保護構件形成裝置是在對已載置於工作台之片材上供給液狀樹脂，並使在工作台的上方保持有晶圓之保持部下降，而以保持部所保持之晶圓將液狀樹脂擴展後，使液狀樹脂硬化，而在晶圓的一面整個面形成由樹脂與片材所構成之保護構件。
形成保護構件之液狀樹脂可使用像是紫外線硬化型樹脂或熱硬化型樹脂，會藉由賦與特定的外在刺激而硬化之液狀樹脂。例如，如專利文獻1所示，在紫外線硬化型的液狀樹脂的情況下，是以事先設定之時間來照射紫外線而使其硬化。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2021-61333號公報
發明欲解決之課題
在使液狀樹脂硬化時，若在已擴張到晶圓的一面整個面之液狀樹脂中包含有氣泡，因為會在已硬化之樹脂內形成空洞，且在接下來的磨削步驟中以磨石磨削晶圓時，晶圓會因空洞部分而在磨石的荷重下彎曲，所以會有已磨削之晶圓未能成為均一的厚度之問題。
從而，保護構件形成裝置必須在使已擴張到晶圓的一面之液狀樹脂硬化時偵測包含有氣泡之情形。
據此，本發明之目的在於提供一種保護構件形成裝置，其在使液狀樹脂硬化時，偵測於已擴張到晶圓的一面整個面之液狀樹脂中包含有氣泡之情形。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種保護構件形成裝置，其是對使面積比晶圓的一面更大之片材與晶圓相對地接近而被擴展到晶圓的一面整個面之紫外線硬化型的液狀樹脂照射紫外線來使其硬化，而形成由樹脂與片材所構成之保護構件，前述保護構件形成裝置具備：紫外線照射部，從該片材側對該液狀樹脂照射紫外線來使其硬化；相機，接收該紫外線在該樹脂反射後之反射光來拍攝該樹脂；及判斷部，若在該相機拍攝該樹脂整個區域後之拍攝圖像具有黑色的像素，即判斷為在該樹脂中具有氣泡。
較佳的是，該保護構件形成裝置更具備剝離該保護構件之剝離裝置，於已藉由該判斷部判斷為在該樹脂中具有氣泡的情況下，在以該剝離裝置將已形成於晶圓之該保護構件剝離後，再次形成該保護構件。 發明效果
根據本發明之保護構件形成裝置，可以在使液狀樹脂硬化時，偵測於已擴張到晶圓的一面整個面之液狀樹脂中包含有氣泡之情形。
用以實施發明之形態
以下，參照附加圖式，說明本實施形態的保護構件形成裝置。圖1以及圖2顯示有本實施形態之保護構件形成裝置的整體與一部分。圖3至圖7是說明在保護構件形成裝置進行之各步驟的圖。圖8是保護構件形成裝置中的從晶圓的下表面所拍攝到之液狀樹脂的攝影圖像的示意圖。
各圖所示之X軸方向、Y軸方向、Z軸方向是互相垂直的關係。X軸方向與Y軸方向是大致水平的方向，Z軸方向是上下方向(垂直方向)。在各圖中，將表示X軸方向之雙箭頭線當中附加有X的文字之側設為左方，並將未附加有X的文字之側設為右方。在表示Y軸方向之雙箭頭線當中，將附加有Y的文字之側設為前方，並將未附加有Y的文字之側設為後方。在表示Z軸方向之雙箭頭線當中，將附加有Z的文字之側設為上方，並將未附加有Z的文字之側設為下方。
圖1所示之保護構件形成裝置1是藉由對已擴展到晶圓W的一面的整個面之液狀樹脂賦與外在刺激來使其硬化，而形成保護構件的裝置之一例。在圖1中，是以虛線來表示保護構件形成裝置1的外部殼體10，且是以透視了外部殼體10的內側的構成要素之狀態來表示。將晶圓W當中在保護構件形成裝置1處理時朝向上側之面設為上表面Wa，且將朝向下側之面設為下表面Wb。
詳細將於後文描述，在保護構件形成裝置1中，是將液狀樹脂31(參照圖2、圖4、圖5)供給至已載置在保護構件形成載台16之片材30上，並使已保持在晶圓保持部20之晶圓W，以從保護構件形成載台16的上方朝液狀樹脂31按壓的方式動作。可藉由將晶圓W的下表面Wb朝向片材30按壓，而讓液狀樹脂31在晶圓W與片材30之間擴展(參照圖6)。可在此狀態下對液狀樹脂31賦與外在刺激來讓其硬化，而藉由已硬化之樹脂與片材30來形成保護構件32(參照圖7)。
像這樣的一連串的動作是在由對保護構件形成裝置1進行整合控制之控制器40(圖1)所進行的控制之下進行。針對以下說明之各部的動作，在沒有清楚記載控制的主體之情況下，是當作藉由從控制器40所傳送來之控制訊號來控制動作。
晶圓W可為例如從圓柱狀的矽等晶錠切出之圓板狀的原切片晶圓(as-sliced wafer)。再者，晶圓W並不受限於器件形成前之原切片晶圓，亦可為器件形成後之器件晶圓等。
保護構件形成裝置1在外部殼體10的X軸方向的一端側(左側之端部)具備有片匣容置部11。在片匣容置部11形成有上下2層的容置空間111、112。在上層的容置空間111是供容置有形成保護構件32之前的複數片晶圓W之搬入側的片匣C1載置。在下層的容置空間112是供容置形成保護構件32後之晶圓W之搬出側的片匣C2載置。在片匣C1與片匣C2可分別容置複數片晶圓W。
在片匣容置部11的X軸方向的右側的位置設置有暫置工作台13與片材切割工作台14。暫置工作台13位於上側，片材切割工作台14則位於下側。在暫置工作台13設置有對形成保護構件32之前的晶圓W的中心位置以及方向進行檢測之晶圓檢測部131。在片材切割工作台14設置有將已貼附於晶圓W之片材30沿著晶圓W的外形來切斷之片材切割器141。
對各片匣C1、C2進行晶圓W的搬入以及搬出之第1搬送機構12是相對於暫置工作台13以及片材切割工作台14設置在Y軸方向的前方側。第1搬送機構12具備支撐於台座121上之機械手122，且台座121以可沿著在Y軸方向上延伸之一對導軌123移動的方式受到支撐。台座121具備對在Y軸方向上延伸之滾珠螺桿124螺合之螺合部(省略圖示)。當藉由馬達的驅動力使滾珠螺桿124旋轉時，台座121即在Y軸方向上移動。
第1搬送機構12是藉由台座121往Y軸方向之移動、與機械手122之動作，來進行晶圓W在片匣容置部11、與暫置工作台13以及片材切割工作台14之間的搬送。更詳細地說，第1搬送機構12可以將形成保護構件32前之晶圓W從容置空間111內的片匣C1搬出並載置於暫置工作台13。又，第1搬送機構12可以將已形成保護構件32後之晶圓W從片材切割工作台14搬出，並搬入至容置空間112內的片匣C2。
保護構件形成裝置1相對於暫置工作台13以及片材切割工作台14而在X軸方向的右側具備有基台15。在基台15設置有保護構件形成載台16。保護構件形成載台16是由石英玻璃等之透光性材料所構成，且形成為圓板狀。保護構件形成載台16的上表面是形成為用於載置片材30之平坦的片材支撐面161。
具備將片材30搬送並載置到保護構件形成載台16的片材支撐面161上之片材搬送機構17。片材搬送機構17具備有：片材供給部171，支撐已捲繞成捲狀之片材30；臂172，可在X軸方向上移動；及夾持部173，安裝在臂172的側面。在片材搬送機構17中，是將已支撐在片材供給部171之捲狀的片材30藉由夾持部173來保持，並使臂172朝X軸方向移動來拉伸片材30，藉此，將片材30載置到保護構件形成載台16的片材支撐面161上。
片材30是由透光性材料所構成。作為片材30，可以使用例如以聚對苯二甲酸乙二酯等所形成之薄膜等。再者，亦可使用由除此以外的材質所構成之片材30。
在保護構件形成載台16的片材支撐面161形成有複數個吸引孔(省略圖示)。吸引孔已連接於吸引源162(參照圖2)。藉由使吸引源162動作而使吸引力作用於吸引孔，可將已載置在片材支撐面161上之片材30吸引保持於片材支撐面161。
在保護構件形成載台16的附近設置有樹脂供給機構18，前述樹脂供給機構18會朝片材支撐面161上的片材30的上表面供給預定量的液狀樹脂31。樹脂供給機構18具備：分配器(dispenser)181，連接於已設置在基台15內之槽184；及樹脂供給噴嘴183，供從分配器181延伸之連接管182連接。樹脂供給噴嘴183可將朝向Z軸方向之軸作為中心來旋繞，且可以形成為：將樹脂供給噴嘴183定位在保護構件形成載台16的上方之狀態、與使樹脂供給噴嘴183從保護構件形成載台16的上方退避之狀態。
已貯留於槽184中之液狀樹脂31會藉由分配器181而經由連接管182來傳送，且可從樹脂供給噴嘴183朝向下方滴下液狀樹脂31。自樹脂供給噴嘴183供給之液狀樹脂31的供給量，可藉由分配器181來調整。
液狀樹脂31具有會因為外在刺激而硬化之性質。在本實施形態中，是使用會因為紫外線的照射而硬化之紫外線硬化樹脂。
在相對於保護構件形成載台16而在X軸方向的左側之位置上，設置有從基台15往上方突出之支柱19。在支柱19設置有使晶圓保持部20往Z軸方向移動，而相對於保護構件形成載台16接近以及遠離之升降機構21。升降機構21具備有在Z軸方向上延伸之一對導軌211、以可相對於一對導軌211在Z軸方向上移動的方式被支撐之升降工作台212、與在Z軸方向上延伸且螺合於升降工作台212的螺合部215(參照圖2)之滾珠螺桿213(參照圖2)。當藉由馬達214的驅動力使滾珠螺桿213旋轉時，升降工作台212即沿著一對導軌211在Z軸方向上移動。當使滾珠螺桿213往第1方向旋轉時，升降工作台212會往下方移動，當使滾珠螺桿213往第2方向旋轉時，升降工作台212會往上方移動。
晶圓保持部20是被升降工作台212支撐，且晶圓保持部20會伴隨於升降工作台212而往Z軸方向移動。晶圓保持部20具備有圓板狀的保持工作台201。如圖2、圖5至圖7所示，在保持工作台201的下表面側設置有圓板狀的多孔質構件202。多孔質構件202的下表面是位於保護構件形成載台16的上方之晶圓保持面203。晶圓保持面203是和保護構件形成載台16的片材支撐面161大致平行的面。
如圖2所示，多孔質構件202是經由吸引路204而連通於吸引源205。可以藉由使吸引源205動作來對多孔質構件202賦與吸引力，而以晶圓保持面203來吸引保持晶圓W的上表面Wa。
若在已將晶圓W的上表面Wa吸引保持於晶圓保持部20的晶圓保持面203之狀態(圖2)下，藉由升降機構21使晶圓保持部20下降時，晶圓W的下表面Wb會接觸於已供給至片材30上之液狀樹脂31，並可藉由使晶圓W下降之力來將液狀樹脂31擴展。
晶圓保持部20具備有荷重偵測部22。在保持工作台201的上表面側使位置不同地設置有複數個荷重感測器221，且可藉由這些荷重感測器221來構成荷重偵測部22(圖5)。荷重偵測部22可以藉由複數個荷重感測器221的輸出，來偵測施加於晶圓W的下表面Wb之垂直方向(Z軸方向)的荷重，而判斷液狀樹脂31的擴張狀態。
在保護構件形成載台16的下部設置有對已滴下到片材支撐面161上的片材30之液狀樹脂31賦與外在刺激來讓其硬化之硬化機構23。硬化機構23具備有可發出紫外線UV(圖7)之複數個紫外線照射部231，且通過具有透光性之保護構件形成載台16以及片材30來對液狀樹脂31照射紫外線UV而使其硬化。使用於紫外線照射部231之光源亦可使用LED。
又，在保護構件形成載台16的下部設置有對片材支撐面161的方向進行拍攝之相機24。相機24是以透鏡與拍攝元件所構成，且具有可從片材支撐面161的下方側對在片材支撐面161上的片材30進行擴展之液狀樹脂31的整個區域、或正在讓液狀樹脂31擴展時之晶圓W的下表面Wb的整體進行拍攝之拍攝範圍。
如圖1所示，相對於基台15而在Y軸方向的前方側設置有第2搬送機構25。第2搬送機構25具備支撐於台座251上之機械手252，且台座251以可沿著在X軸方向上延伸之一對導軌253移動的方式受到支撐。台座251具備對在X軸方向上延伸之滾珠螺桿254螺合之螺合部(省略圖示)。當藉由馬達的驅動力使滾珠螺桿254旋轉時，台座251即在X軸方向上移動。
第2搬送機構25是藉由台座251往X軸方向的移動、與機械手252的動作，來進行晶圓W在暫置工作台13以及片材切割工作台14、與晶圓保持部20之間的搬送。更詳細而言，第2搬送機構25可以將形成保護構件32前之晶圓W從暫置工作台13接收並搬送，且交接至晶圓保持部20的保持工作台201。又，第2搬送機構25可以將形成保護構件32後之晶圓W從晶圓保持部20的保持工作台201回收，並搬送往片材切割工作台14。
保護構件形成裝置1是藉由控制器40(圖1)而被整合地控制。控制器40是由執行各種處理之處理器、與記憶各種參數或程式等之記憶部(記憶體)所構成。在控制器40的記憶部記憶有用於從後述之相機24拍攝了液狀樹脂31的整個區域之拍攝圖像中執行各種處理之程式，來作為保護構件形成裝置1的控制程式的一部分。
作為控制器40的功能方塊的1個，可包含判斷部41。判斷部41是依據相機24拍攝液狀樹脂31的整個區域之拍攝圖像，來判斷於液狀樹脂31中是否包含氣泡。
再者，判斷部41的功能是藉由構成控制器40之處理器或記憶體等的動作來實現之功能，並非意指判斷部41是以獨立的電子零件所構成。又，在圖1中，雖然僅示意地顯示判斷部41與相機24之間的連接關係，但是控制器40對於相機24以外的保護構件形成裝置1的各部，也是連接成可進行訊號的發送接收。
剝離裝置300是相鄰於保護構件形成裝置1、或者設置於保護構件形成裝置1的內部。剝離裝置300會將已失敗之晶圓W中的由已硬化之液狀樹脂31與片材30所構成之保護構件32從晶圓W剝離，並廢棄到裝置內的垃圾桶。
以下針對由如以上地構成之保護構件形成裝置1所進行之保護構件的形成來說明。
圖3是顯示片材搬入步驟。在片材搬入步驟中，是在片材搬送機構17中，以夾持部173夾持片材30的端部並使臂172往X軸方向移動，而從片材供給部171將片材30拉出且往保護構件形成載台16側搬送。已拉出之片材30是以預定的長度來裁切。將片材30載置於保護構件形成載台16的片材支撐面161上，並藉由吸引源162的動作使吸引力作用在片材支撐面161的吸引孔(省略圖示)來吸引保持片材30。藉此，片材30會密合於片材支撐面161。在此階段的片材支撐面161上的片材30的面積比晶圓W的下表面Wb的面積更大。
圖4是顯示液狀樹脂供給步驟。在液狀樹脂供給步驟中，是將樹脂供給機構18的樹脂供給噴嘴183定位到已藉由在前的片材搬入步驟而載置在片材支撐面161上之片材30的上方。然後，控制分配器181來將液狀樹脂31送出至樹脂供給噴嘴183，使液狀樹脂31從樹脂供給噴嘴183朝向片材30滴下。樹脂供給噴嘴183是定位在保護構件形成載台16的中央附近的上方，且從樹脂供給噴嘴183滴下之液狀樹脂31，成為在比晶圓W的面積更狹窄的範圍內蓄積於片材30的上表面的中央附近之狀態。
控制器40是依據晶圓W的大小等之資訊，將可遍布於晶圓W的下表面Wb的整個面之量(預定量)的液狀樹脂31藉由樹脂供給機構18供給到片材30。已完成預定量的液狀樹脂31的供給後，使樹脂供給噴嘴183旋繞動作來從保護構件形成載台16的上方脫離，而完成液狀樹脂供給步驟。
圖5是顯示藉由晶圓保持步驟使晶圓W保持於晶圓保持部20之狀態。在晶圓保持步驟中，是藉由第1搬送機構12，將形成保護構件32之前的晶圓W從容置空間111內的片匣C1取出，並搬送至暫置工作台13。在暫置工作台13，是藉由晶圓檢測部131來檢測晶圓W的方向或中心。當檢測晶圓W的方向或中心後，即可藉由第2搬送機構25將晶圓W搬送至晶圓保持部20。在晶圓保持部20，是使吸引源205動作來讓吸引力作用於多孔質構件202，而將晶圓W的上表面Wa吸引並保持於晶圓保持面203。
再者，亦可將晶圓保持步驟的至少一部分和片材搬入步驟以及液狀樹脂供給步驟並行(同時地)來進行。
當已保持在晶圓保持部20之晶圓W成為位於和片材30上的液狀樹脂31的上方相向之狀態(圖5)後，即前進到圖6所示之擴展步驟。在擴展步驟中，是以升降機構21使馬達214動作而使升降工作台212以及晶圓保持部20以預定的進給速度下降。
藉由晶圓保持部20的下降，晶圓W的下表面Wb會朝保護構件形成載台16接近而接觸於液狀樹脂31。然後，液狀樹脂31會被晶圓W的下表面Wb推壓，且液狀樹脂31會朝晶圓W的徑方向擴展。晶圓W的下表面Wb接觸之前的液狀樹脂31是集中位於片材30的中央附近(參照圖5)，藉由被晶圓W推壓，液狀樹脂31會朝向晶圓W的外緣側擴張(參照圖6)。
再者，在判斷液狀樹脂31的擴張狀態時，亦可藉由荷重偵測部22來偵測，亦可參照藉由相機24所拍攝到之圖像。
完成擴展步驟，而成為液狀樹脂31覆蓋晶圓W的下表面Wb的整體之狀態後，即前進到圖7所示之硬化步驟。在硬化步驟中，是從硬化機構23的紫外線照射部231朝向片材支撐面161照射使液狀樹脂31硬化之強度(波長)的紫外線UV。從紫外線照射部231所發出之紫外線UV會穿透具有透光性之保護構件形成載台16以及片材30而到達液狀樹脂31，使紫外線硬化樹脂即液狀樹脂31硬化。若為被判斷為液狀樹脂31已充分地硬化之狀態後，即結束來自硬化機構23之紫外線UV的照射。
可在擴展步驟、硬化步驟或任意的時間點，對液狀樹脂31進行氣泡偵測。相機24是對晶圓W的下表面Wb進行拍攝。圖8是相機24所拍攝到之拍攝圖像的示意圖。
圖8A是對已擴展到晶圓W的下表面Wb之下表面整個面之液狀樹脂進行拍攝後之拍攝圖像的示意圖。圖8B是將圖8A之範圍A放大之圖像的示意圖。如圖8A以及圖8B所示，在範圍A存在有氣泡B。
在本實施形態中，是依據對紫外線照射時之晶圓W的下表面Wb進行拍攝後之拍攝圖像，來對液狀樹脂31進行氣泡偵測。
相機24會接收到紫外線的照射光在液狀樹脂31反射(螢光)之光，在圖8A以及圖8B的圖像的示意圖中雖然看不出顏色，但拍攝到的是整體為藍白色的圖像。
在此，因為範圍A之氣泡B不會因紫外線的照射光而螢光，所以被拍攝為黑色的像素。在本實施形態中，是將藉由相機24所拍攝到之紫外線照射時的拍攝圖像發送至控制器40。在控制器40中，判斷部41會偵測拍攝圖像的黑色像素的有無，而判斷在液狀樹脂31是否包含有氣泡。例如，在拍攝圖像具有黑色像素的情況下，會判斷為在液狀樹脂31具有氣泡。
像這樣，在本實施形態中，可以在使液狀樹脂31硬化時，偵測於已擴張到晶圓W的一面整個面之液狀樹脂31中包含有氣泡之情形。由於是在使液狀樹脂31硬化後隨即確認氣泡的有無，因此變得可在磨削之前再次重新形成保護構件，而不會有浪費晶圓之情形。
又，作為本實施形態的變形例，判斷部41亦可在拍攝圖像的黑色像素的數量為事先設定之數量以上的情況下，判斷為有氣泡。
又，作為本實施形態的變形例，即使在拍攝圖像的黑色像素的數量小於事先設定之數量的情況下，判斷部41亦可在拍攝圖像之相鄰而相連之黑色像素的面積為一定以上的情況下，判斷為有氣泡。
又，作為本實施形態的變形例，亦可不將判斷之像素的顏色限定為黑色，而是依據其他之顏色來判斷，亦可依據預定的彩度、或亮度的設定值來判斷。
在判斷部41已判斷為於液狀樹脂31中包含有氣泡之情況下，會當作保護構件形成失敗之晶圓W，並藉由第1搬送機構12或第2搬送機構25來搬送至剝離裝置300。剝離裝置300會將由已硬化之液狀樹脂31與片材30所構成之保護構件32從晶圓W剝離，並廢棄至裝置內的垃圾桶。已剝離保護構件32之晶圓W會被搬送至保護構件形成裝置1，而再次提供到保護構件形成之步驟。再次提供之步驟宜提供到例如晶圓保持步驟。
在判斷為在液狀樹脂31中未包含有氣泡，且液狀樹脂31已硬化之情況下，保護構件32的形成即完成。
結束來自硬化機構23的紫外線照射部231之紫外線UV的照射，而藉由已硬化之狀態的樹脂(原本的液狀樹脂31)與片材30，形成覆蓋晶圓W的下表面Wb的保護構件32。又，使吸引源162的動作停止，以解除片材30在保護構件形成載台16的片材支撐面161之吸引保持。
接著，以升降機構21使馬達214動作來使升降工作台212以及晶圓保持部20上升，並將保護構件32形成完畢之晶圓W從晶圓保持部20交接至第2搬送機構25的機械手252。在此交接時，遮斷晶圓保持部20中的晶圓保持面203與吸引源205的連通，而解除由晶圓保持部20所進行之晶圓W的吸引保持。具體而言，是將設於吸引路204之開關閥(省略圖示)關閉、或停止吸引源205的動作，藉此，變得不會使吸引力作用於晶圓保持面203。當解除晶圓保持部20側之吸引保持後，即可進行晶圓W往位於晶圓保持部20的下方之機械手252之交接。
第2搬送機構25將從晶圓保持部20所交接來之晶圓W搬送至片材切割工作台14。使用片材切割器141，沿著已載置於片材切割工作台14之晶圓W的外形來切斷多餘的片材30。
接著，藉由第1搬送機構12將晶圓W從片材切割工作台14搬送至片匣容置部11，並容置於容置空間112內的片匣C2。
如以上地進行，在保護構件形成裝置1上之對晶圓W的保護構件32之形成即完成。形成有保護構件32之晶圓W可被搬送至和保護構件形成裝置1不同之加工裝置來加工。
如以上所說明，在本實施形態中的保護構件形成裝置中，是偵測藉由相機24所拍攝到之紫外線照射時的拍攝圖像的黑色像素，來判斷於液狀樹脂31中是否包含有氣泡。藉此，可以在使液狀樹脂31硬化時，偵測已擴張到晶圓W的一面整個面之液狀樹脂31中包含有氣泡之情形。
再者，本發明之實施形態並不限定於上述之實施形態或變形例，且亦可在不脫離本發明之技術思想的主旨的範圍內進行各種變更、置換、變形。此外，若能經由技術之進步或衍生之其他技術而以其他的方式來實現本發明之技術思想的話，亦可使用該方法來實施。從而，申請專利範圍涵蓋了可包含在本發明之技術思想範圍內的所有的實施態樣。
如以上所說明，本發明之保護構件形成裝置，可以在使液狀樹脂硬化時，偵測已擴張到晶圓的一面整個面之液狀樹脂中包含有氣泡之情形。從而，變得可進行形成有期望的保護構件之晶圓的形成，且在包含對晶圓的一面形成保護構件的步驟之半導體等的製造領域中特別有用。
1:保護構件形成裝置 10:外部殼體 11:片匣容置部 12:第1搬送機構 13:暫置工作台 14:片材切割工作台 15:基台 16:保護構件形成載台 17:片材搬送機構 18:樹脂供給機構 19:支柱 20:晶圓保持部 21:升降機構 22:荷重偵測部 23:硬化機構 24:相機 25:第2搬送機構 30:片材 31:液狀樹脂 32:保護構件 40:控制器 41:判斷部 111,112:容置空間 121,251:台座 122,252:機械手 123,211,253:導軌 124,213,254:滾珠螺桿 131:晶圓檢測部 141:片材切割器 161:片材支撐面 162:吸引源 171:片材供給部 172:臂 173:夾持部 181:分配器 182:連接管 183:樹脂供給噴嘴 184:槽 201:保持工作台 202:多孔質構件 203:晶圓保持面 204:吸引路 205:吸引源 212:升降工作台 214:馬達 215:螺合部 221:荷重感測器 231:紫外線照射部 300:剝離裝置 A:範圍 B:氣泡 C1,C2:片匣 UV:紫外線 W:晶圓 Wa:上表面 Wb:下表面 X,Y,Z:方向
圖1是顯示本實施形態之保護構件形成裝置的立體圖。 圖2是保護構件形成裝置的一部分的剖面圖。 圖3是顯示保護構件形成裝置中的片材搬入步驟的剖面圖。 圖4是顯示保護構件形成裝置中的液狀樹脂供給步驟的剖面圖。 圖5是顯示保護構件形成裝置中的晶圓保持步驟的剖面圖。 圖6是顯示保護構件形成裝置中的擴展步驟的剖面圖。 圖7是顯示保護構件形成裝置中的硬化步驟的剖面圖。 圖8A是保護構件形成裝置中的從晶圓的下表面所拍攝到的液狀樹脂的攝影圖像的示意圖，圖8B是圖8A的A部分的放大圖。
1:保護構件形成裝置
10:外部殼體
11:片匣容置部
12:第1搬送機構
13:暫置工作台
14:片材切割工作台
15:基台
16:保護構件形成載台
17:片材搬送機構
18:樹脂供給機構
19:支柱
20:晶圓保持部
21:升降機構
22:荷重偵測部
23:硬化機構
24:相機
25:第2搬送機構
30:片材
40:控制器
41:判斷部
111,112:容置空間
121,251:台座
122,252:機械手
123,211,253:導軌
124,254:滾珠螺桿
131:晶圓檢測部
141:片材切割器
161:片材支撐面
171:片材供給部
172:臂
173:夾持部
181:分配器
182:連接管
183:樹脂供給噴嘴
184:槽
201:保持工作台
212:升降工作台
214:馬達
300:剝離裝置
C1,C2:片匣
W:晶圓
X,Y,Z:方向

Claims (2)

  1. 一種保護構件形成裝置，對使面積比晶圓的一面更大之片材與該晶圓相對地接近而被擴展到該晶圓的一面整個面之紫外線硬化型的液狀樹脂照射紫外線來使其硬化，而形成由該樹脂與該片材所構成之保護構件，前述保護構件形成裝置具備： 紫外線照射部，從該片材側對該液狀樹脂照射紫外線來使其硬化； 相機，接收該紫外線在該樹脂反射後之反射光來拍攝該樹脂；及 判斷部，若在該相機拍攝該樹脂整個區域後之拍攝圖像具有黑色的像素，即判斷為在該樹脂中具有氣泡。
  2. 如請求項1之保護構件形成裝置，其更具備剝離該保護構件之剝離裝置，在以該剝離裝置將已被該判斷部判斷為在該樹脂中具有氣泡之已形成於該晶圓的該保護構件剝離後，再次形成該保護構件。
TW112121279A 2022-06-13 2023-06-07 保護構件形成裝置 TW202348974A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-094783 2022-06-13
JP2022094783A JP2023181575A (ja) 2022-06-13 2022-06-13 保護部材形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202348974A true TW202348974A (zh) 2023-12-16

Family

ID=88874072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112121279A TW202348974A (zh) 2022-06-13 2023-06-07 保護構件形成裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2023181575A (zh)
KR (1) KR20230171385A (zh)
CN (1) CN117238784A (zh)
DE (1) DE102023205161A1 (zh)
TW (1) TW202348974A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7323411B2 (ja) 2019-10-08 2023-08-08 株式会社ディスコ 樹脂保護部材形成装置、および、保護部材の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230171385A (ko) 2023-12-20
DE102023205161A1 (de) 2023-12-14
CN117238784A (zh) 2023-12-15
JP2023181575A (ja) 2023-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI708285B (zh) 被加工物的檢查方法、檢查裝置、雷射加工裝置、及擴張裝置
TW200933720A (en) Ultraviolet irradiation method and device using the same
TWI829950B (zh) 保護構件形成方法及保護構件形成裝置
JP7323411B2 (ja) 樹脂保護部材形成装置、および、保護部材の形成方法
JP7105053B2 (ja) 保護部材形成装置
TW202109659A (zh) 工件之確認方法以及加工方法
JP2017224670A (ja) 保護部材形成装置
TW202032701A (zh) 卡盤台
KR20170110026A (ko) 보호 부재 형성 장치
JP6732383B2 (ja) シート拡張装置
TW202348974A (zh) 保護構件形成裝置
JP6817761B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP6739294B2 (ja) 紫外線照射方法及び紫外線照射装置
JP7154687B2 (ja) テープ拡張装置
TW202407316A (zh) 液狀樹脂之硬化判斷方法及保護構件形成裝置
JPS63141342A (ja) 半導体ウエハ処理方法及びその装置
TW202344824A (zh) 紫外線硬化型的液狀樹脂之硬化判斷方法及保護構件形成裝置
TWI837405B (zh) 保護構件形成裝置
JP7436165B2 (ja) ダイシングユニットの診断方法、及び、ダイシングシステム
JP2009252967A (ja) 保護膜被覆装置
JP2023181576A (ja) 保護部材形成装置、および、液状樹脂の供給量の算出方法
JP2023180784A (ja) 保護部材形成装置
JP2024053803A (ja) 保護部材形成装置
JP2024094470A (ja) 保護部材形成方法および保護部材形成装置
TW202209461A (zh) 保護構件形成裝置