TW202338037A - 切晶黏晶膜 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種切晶黏晶膜等，該切晶黏晶膜具備：切晶帶，其具有基材層及重疊於該基材層之黏著劑層；及黏晶片，其重疊於該切晶帶，
上述切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，
上述切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上。
Description
本發明係關於一種例如於製造半導體裝置時使用之切晶黏晶膜。
先前，已知於半導體裝置之製造中所使用之切晶黏晶膜。此種切晶黏晶膜例如具備切晶帶、及積層於該切晶帶且要接著於晶圓之黏晶片。切晶帶具有基材層及與黏晶片接觸之黏著劑層。此種切晶黏晶膜於半導體裝置之製造中例如以如下方式使用。
製造半導體裝置之方法通常具備：藉由高積體之電子電路於圓板狀裸晶圓之單面側形成電路面之前步驟；及自形成有電路面之半導體晶圓切出半導體晶片並進行組裝之後步驟。
例如後步驟具有如下步驟：隱形切割步驟，利用雷射光於半導體晶圓上形成用於將半導體晶圓割斷成小半導體晶片(Die)之脆弱部位；安裝步驟，於半導體晶圓之與電路面相反側之面貼附黏晶片，經由黏晶片將半導體晶圓固定於切晶帶；擴展步驟，沿半導體晶圓之放射方向拉伸切晶帶，將形成有脆弱部位之半導體晶圓與黏晶片一起割斷，擴大相鄰之半導體晶片(Die)之間隔；拾取步驟，於黏晶片與黏著劑層之間剝離，將貼附有黏晶片之狀態之半導體晶片取出；黏晶步驟，將貼附有黏晶片之狀態之半導體晶片經由黏晶片接著於被接著體；硬化步驟，對接著於被接著體之黏晶片進行熱硬化處理。半導體裝置例如經過該等步驟而製造。
於如上所述之半導體裝置之製造方法中，例如實施上述擴展步驟後，有時切晶帶於被割斷之複數個半導體晶片之周圍發生鬆弛，間隔暫時擴大之相鄰之半導體晶片彼此接觸。
針對此，已知一種切晶黏晶膜，其為了抑制如上所述之切晶帶之鬆弛並防止相鄰之半導體晶片之接觸，而特定了相對於以高溫加熱前之切晶帶之長度之加熱後之切晶帶的長度(例如專利文獻1)。
詳細而言，於專利文獻1記載之切晶黏晶膜中，相對於以100℃加熱1分鐘前之切晶帶之MD方向之第1長度100%，上述加熱後之上述MD方向之第2長度為95%以下。
根據專利文獻1記載之切晶黏晶膜，能夠抑制因拉伸切晶帶而切晶帶於被割斷之複數個半導體晶片之周圍發生鬆弛。藉此，能夠使相鄰之半導體晶片間之相隔距離(切口)充分隔開，而能夠防止半導體晶片彼此之接觸。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-115775號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，對於不僅能夠使相鄰之半導體晶片間之相隔距離(切口)充分隔開，而且能夠抑制上述相隔距離(切口)因部位而不均一之切晶黏晶膜，尚不能說進行了充分研究。
因此，本發明之課題在於，提供一種能夠於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開、及能夠抑制切口因部位而不均一之切晶黏晶膜。
[解決問題之技術手段]
為了解決上述課題，本發明之切晶黏晶膜之特徵在於，具備：具有基材層及重疊於該基材層之黏著劑層之切晶帶、及重疊於該切晶帶之黏晶片，
上述切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，
上述切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上。
以下，針對本發明之切晶黏晶膜之一個實施方式，一邊參照圖式一邊進行說明。
本實施方式之切晶黏晶膜1如圖1所示，具備切晶帶20、及積層於該切晶帶20之黏著劑層22(後述)且要接著於半導體晶圓之黏晶片10。
再者，圖式中之圖為模式圖，不一定與實物中之縱橫長度比相同。
本實施方式之切晶黏晶膜1於使用時，藉由照射活性能量射線(例如紫外線)而使黏著劑層22硬化。詳細而言，在於一個面接著有半導體晶圓之黏晶片10與貼合於該黏晶片10之另一面之黏著劑層22積層的狀態下，至少對黏著劑層22照射紫外線等。例如，自配置有基材層21之一側照射紫外線等，經過基材層21之紫外線等到達黏著劑層22。藉由照射紫外線等，黏著劑層22發生硬化。
由於黏著劑層22於照射後發生硬化，故而能夠降低黏著劑層22之黏著力，因此於照射後能夠較容易地自黏著劑層22將黏晶片10(接著有半導體晶片之狀態)剝離。於半導體裝置之製造中，黏晶片10接著於電路基板或半導體晶片等被接著體。
＜切晶黏晶膜之切晶帶＞
上述切晶帶20通常為長條片，並以捲繞之狀態保管至使用。本實施方式之切晶黏晶膜1貼於具有較要割斷處理之矽晶圓大一圈之內徑之圓環狀框上，進行切割來使用。
上述切晶帶20具備基材層21及重疊於該基材層21之黏著劑層22。
切晶帶20於120℃下之彈性模數(拉伸彈性模數)為0.10 MPa以上。因此，能夠抑制相鄰之半導體晶片間之相隔距離(切口)因部位而不均一。關於能夠抑制上述相隔距離(切口)之不均一之理由，於後文詳細地說明。
切晶帶20於120℃下之上述彈性模數較佳為0.20 MPa以上、更佳為0.30 MPa以上。藉由使上述彈性模數更大，能夠進一步抑制切口之不均一。上述彈性模數可以為0.70 MPa以下。藉由使上述彈性模數為0.70 MPa以下，切晶帶20能夠更有效地發生熱收縮。
切晶帶20於120℃下之彈性模數例如可藉由進一步提高彈性模數較高之聚丙烯等樹脂於基材層21中之含有率來增大。另一方面，藉由進一步降低彈性模數較高之聚丙烯等樹脂於基材層21中之含有率，能夠減小上述彈性模數。
上述彈性模數(拉伸彈性模數)於以下之測定條件下測定。
測定裝置：固體黏彈性測定裝置(例如測定裝置名「RSA-G2」、TAInstruments公司製造)
試樣尺寸：初始長度40 mm、寬度10 mm
升溫速度：10℃/min、
測定溫度：-40℃以上且150℃以下之溫度範圍內之120℃
夾盤間距離：20 mm
頻率：1 Hz
應變：0.1%
將拉伸儲存模數E'之值作為上述拉伸彈性模數。
切晶帶20於120℃下之熱收縮率為6%以上。因此，能夠於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開。關於能夠使半導體晶片間之切口充分隔開之理由，於後文詳細說明。
上述熱收縮率較佳為7%以上、更佳為12%以上、進而較佳為17%以上。藉由使上述熱收縮率更大，能夠使半導體晶片之間之切口更大。上述熱收縮率可以為70%以下，可以為60%以下，亦可以為25%以下。
切晶帶20於120℃下之熱收縮率可藉由提高熱收縮性較高之樹脂(例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂等)於基材層21中之含有率、或提高基材層21中能夠包含之乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂中之乙酸乙烯酯比率來增大。另一方面，可藉由降低熱收縮性較高之樹脂(例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂等)於基材層21中之含有率等來減小上述熱收縮率。
上述熱收縮率於以下之測定條件下測定。詳細而言，將切晶帶20切成寬度30 mm、長度120 mm之長條狀。於沿長度方向之10 mm/100 mm/10 mm之各位置處沿寬度方向劃標線。用夾具夾持所切割之試驗片之長度方向之一端部中較標線更靠端部之側。於設為120℃之熱風乾燥烘箱中，將切晶帶20與夾具一同吊起，於不對切晶帶20施加自重以外之負載之狀態下加熱1分鐘。加熱後，測定試驗片之標線間之距離。將相對於加熱前之標線間距離(100 mm)之收縮量(100 mm－加熱後之標線間距離)用百分率表示，藉此求出熱收縮率。
[切晶帶之基材層]
本實施方式中，重疊於黏著劑層22之基材層21可以為單層結構，亦可以為積層結構(例如3層結構)。
基材層21之各層例如為金屬箔、紙、布等纖維片、橡膠片、樹脂膜等。
作為構成基材層21之纖維片，可例舉紙、織布、不織布等。
作為樹脂膜之材質，例如可例舉：低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物等乙烯之共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚丙烯酸酯；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；脂肪族聚醯胺、全芳香族聚醯胺(aramid)等聚醯胺；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素或纖維素衍生物；含聚矽氧之高分子；含氟高分子等。其等可單獨使用1種或組合使用2種以上。
基材層21較佳為包含高分子材料，更佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂及聚丙烯樹脂。基材層21之各層較佳為由乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂或聚丙烯樹脂等之樹脂膜等構成。藉此，能夠更充分地兼具較高之熱收縮性及較高之彈性模數。
再者，基材層21具有樹脂膜時，亦可對樹脂膜實施拉伸處理等而控制伸長率等變形性。
對於基材層21之表面，亦可實施表面處理，以提高與黏著劑層22之密接性。作為表面處理，例如亦可採用鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等基於化學方法或物理方法之氧化處理等。又，亦可實施利用增黏塗佈劑、底塗劑、接著劑等塗佈劑進行之塗佈處理。
基材層21較佳為由複數個層構成，更佳為由至少3層構成，進而較佳為由3層構成。
藉由使基材層21具有複數個層之積層結構(例如3層結構)，能夠將彈性模數更高之層與彈性模數更低之層進行積層，因此能夠較簡便地控制基材層21之彈性模數。例如，僅由1層構成之基材層21之彈性模數較高時，於擴展步驟中，可能變得略容易產生半導體晶片之***、基材層21之破裂。又，例如，用於割斷半導體晶片之應力於擴展步驟中自拉伸切晶帶20之力經過基材層21及黏著劑層22而傳遞時，僅由1層構成之基材層21之彈性模數較低時，上述應力可能變得略難以傳遞。
又，藉由使基材層21具有複數個層之積層結構(例如3層結構)，根據與上述理由同樣之理由，能夠較簡便地控制基材層21之熱收縮率。
如此，藉由使基材層21由複數個層構成，能夠引出各層之物性(特性)。因此，由多層構成之基材層與單層之基材層相比，容易發揮期望之特性。
基材層21例如如圖2所示，由第1基材層21a、第2基材層21b及第3基材層21c堆疊而成之3層構成。3層結構之基材層21中，較佳為分別配置於一表面側及另一表面側之第1基材層21a及第3基材層21c均包含聚丙烯樹脂，且配置於第1基材層21a和第3基材層21c之間之第2基材層21b包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂。藉此，基材層21能夠發揮於高溫下彈性模數較高之聚丙烯樹脂之特性，除此以外，基材層21還能夠發揮於高溫下熱收縮率較高之乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂之特性。因此，能夠更充分地實現於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開及抑制切口因部位而不均一這兩者。再者，於基材層21中，例如，與黏著劑層22重疊之層為第1基材層21a，距離黏著劑層22最遠之層為第3基材層21c。第2基材層21b配置於第1基材層21a與第3基材層21c之間。
3層結構之基材層21較佳為具有分別包含非彈性體材料之第1基材層21a及第3基材層21c、以及配置於該等層之間且包含彈性體材料之第2基材層21b。
彈性體材料係室溫下之彈性模數為200 MPa以下之高分子材料。彈性體材料係通常於室溫(23℃)下表現出橡膠彈性之高分子材料。另一方面，非彈性體材料係室溫下之彈性模數大於200 MPa之高分子材料。
關於具有此種3層之積層結構之基材層21，例如藉由共擠出成形製作各層且將3個層一體化而形成。
於3層結構之基材層21中，內層之厚度相對於外層之總厚度之比(第2基材層21b之厚度/第1基材層21a及第3基材層21c之總厚度)較佳為1以上且10以下。又，第1基材層21a及第3基材層21c之厚度可大致相同，例如第1基材層21a之厚度相對於第3基材層21c之厚度之比可以為0.9以上且1.1以下。
上述非彈性體材料較佳為至少包含低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯等聚烯烴。聚丙烯亦可為利用茂金屬觸媒合成之茂金屬聚丙烯。
另一方面，彈性體材料較佳為至少包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)。乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(EVA)亦可包含5質量%以上且35質量%以下之乙酸乙烯酯之結構單元。
基材層21之厚度(總厚度)較佳為80 μm以上且150 μm以下。該值為隨機選擇之至少3個部位之測定值的平均值。以下，黏著劑層22之厚度亦為以相同方式測得之平均值。藉由使基材層21之厚度為80 μm以上，能夠對基材層21之整體更均勻地施加應力，於擴展步驟中能夠將半導體晶圓更良好地割斷。
更佳為第1基材層21a及第3基材層21c各自獨立地具有1 μm以上且15 μm以下之厚度，第2基材層21b具有70 μm以上且120 μm以下之厚度。藉此，有基材層21更好地反映出基材層21中各層之物性(特性)之優點。
上述基材層21中，較佳為第1基材層21a及第3基材層21c中之至少一者進而包含抗靜電劑。藉此，能夠防止基材層21帶靜電。因此，可以充分防止半導體晶片中之電子電路因靜電放電而受到靜電破壞。又，藉由防止靜電，能夠充分防止灰塵等異物附著於基材層21。
抗靜電劑係藉由調配於構成基材層之各層中而使各層之抗靜電性能較調配前提高之化合物。作為抗靜電劑，例如可例舉界面活性劑等低分子型抗靜電劑、碳黑等導電性顆粒、高分子型抗靜電劑等。作為抗靜電劑，較佳為高分子型抗靜電劑。高分子型抗靜電劑具有如下特性：於分子內具有成為電荷之通道之導電性單元，不易受到濕度之影響，而不易自構成基材層之各層中滲出。例如，將高分子型抗靜電劑混練至樹脂中而成形樹脂膜，且使第1基材層21a或第3基材層21c採用該樹脂膜，藉此，基材層能夠具有經時穩定之抗靜電性能。
抗靜電劑較佳為選自由聚烯烴-聚乙二醇共聚物、聚烯烴-聚醯胺共聚物、聚乙二醇-聚醯胺共聚物、聚乙二醇-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚乙二醇-表氯醇共聚物、離子聚合物、及聚合物與離子性化合物(例如鋰鹽等金屬鹽)之混合物所組成之群中之至少1種。
對於基材層21之背面側(未重疊黏著劑層22之一側)，例如亦可利用聚矽氧系樹脂、氟系樹脂等脫模劑(剝離劑)等實施脫模處理，以賦予剝離性。
就能夠自背面側對黏著劑層22提供紫外線等活性能量射線之方面而言，基材層21較佳為透光性(紫外線透過性)之樹脂膜等。
構成基材層21之複數個層之面中距離黏著劑層22最遠之面之表面電阻率較佳為1.00×10
9[Ω/sq.]以上且1.00×10
12[Ω/sq.]以下。例如於圖2中，較佳為第3基材層21c之露出面之表面電阻率為上述數值範圍內。藉此，能夠使電荷更充分地逃逸至基材層21之外，因此能夠更充分地防止基材層21之靜電。
上述表面電阻率可藉由增加具有要測定表面電阻率之面之層中所含之抗靜電劑的調配量、或採用進一步提高表面電阻率之抗靜電劑來增大。另一方面，藉由減少抗靜電劑之調配量、採用進一步降低表面電阻率之抗靜電劑等，能夠減小上述表面電阻率。再者，可採用市售品作為具有期望之表面電阻率之基材層21。
上述表面電阻率於以下之測定條件下進行測定。詳細而言，使用高電阻率計(例如「HirestaUP」、三菱化學公司製造)，於23℃±2℃、50%RH±5%之條件下將切晶帶20靜置2小時。然後，於上述條件下測定切晶帶中之基材層21之背面側(未重疊黏著劑層22之一側)之面的表面電阻率。測定條件為施加電壓500 V、1分鐘。
[切晶帶之黏著劑層]
本實施方式中，黏著劑層22例如包含丙烯酸系共聚物、異氰酸酯化合物及聚合起始劑。
黏著劑層22亦可具有5 μm以上且40 μm以下之厚度。黏著劑層22之形狀及大小通常與基材層21之形狀及大小相同。
本實施方式中，黏著劑層22包含於分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯單元及含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元作為單體單元之丙烯酸系共聚物。
丙烯酸系共聚物中，含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元中之一部分具有自由基聚合性碳-碳雙鍵。丙烯酸系共聚物相對於(甲基)丙烯酸烷基酯單元100莫耳份含有15莫耳份以上且60莫耳份以下之含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元，含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元中之50莫耳%以上且95莫耳%以下含有自由基聚合性碳-碳雙鍵。
再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」之表述表示甲基丙烯酸酯(methacrylic acid ester)及丙烯酸酯(acrylic acid ester)中之至少一者。「(甲基)丙烯酸」之用語亦同樣如此。
上述丙烯酸系共聚物於分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯單元及含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元作為單體單元。單體單元係構成丙烯酸系共聚物之主鏈之單元。換言之，單體單元係來自用以使丙烯酸系共聚物聚合之單體的單元。上述丙烯酸系共聚物中之各側鏈包含於構成主鏈之各單體單元中。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯單元來自(甲基)丙烯酸烷基酯單體。換言之，(甲基)丙烯酸烷基酯單體進行聚合反應後之分子結構為(甲基)丙烯酸烷基酯單元。「烷基」 之表述表示與(甲基)丙烯酸進行了酯鍵結之烴部分。
(甲基)丙烯酸烷基酯單元中之烷基部分(烴)可以為飽和烴，亦可以為不飽和烴。
(甲基)丙烯酸烷基酯單元中之烷基部分(烴)可以為直鏈狀烴，亦可以為支鏈狀烴，還可以包含環狀結構。
(甲基)丙烯酸烷基酯單元中之烷基部分(烴)之碳數可以為8以上且22以下。
上述丙烯酸系共聚物較佳為包含烷基部分之碳數為8以上之(甲基)丙烯酸長鏈烷基酯單元作為(甲基)丙烯酸烷基酯單元，更佳為包含烷基部分為飽和烴且為碳數8以上且22以下之烴的(甲基)丙烯酸長鏈飽和烷基酯單元。
上述丙烯酸系共聚物較佳為於分子中之全部單體單元中碳數8以上之(甲基)丙烯酸長鏈烷基酯單元所占之比率(莫耳換算)最高，更佳為碳數9以上之(甲基)丙烯酸長鏈烷基酯單元所占之比率(莫耳換算)最高。例如，全部單體單元中之(甲基)丙烯酸長鏈烷基酯單元以莫耳換算計亦可占50%以上且80以下%。
(甲基)丙烯酸長鏈飽和烷基酯單元較佳為分子中不含苯環以及醚鍵(-CH
2-O-CH
2-)、-OH基及-COOH基等極性基之任何一者。(甲基)丙烯酸長鏈飽和烷基酯單元中，烷基部分亦可為不含C及H以外之原子且由8～12之碳原子構成之飽和直鏈狀烴或飽和支鏈狀烴。
上述丙烯酸系共聚物較佳為包含烷基部分之碳數為8以上且10以下之(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單元、及烷基部分之碳數為12以上且14以下之(甲基)丙烯酸飽和直鏈狀烷基酯單元作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯單元。
上述(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單元之烷基部分(烴部分)之結構為飽和支鏈狀烷基結構即可，可以為iso結構、sec結構、neo結構或tert結構。
具體而言，作為(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單元，可例舉(甲基)丙烯酸異庚酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯之各單元等。其中，較佳為(甲基)丙烯酸異壬酯單元及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯單元中之至少一者。
上述(甲基)丙烯酸飽和直鏈狀烷基酯單元之烷基部分(烴部分)之結構為飽和直鏈狀烷基結構即可。
具體而言，作為(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單元，可例舉(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯
、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸山崳酯等各單元。
上述丙烯酸系共聚物中，作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯單元，可單獨包含1種或包含2種以上。
上述丙烯酸系共聚物較佳為包含選自由(甲基)丙烯酸2-乙基己酯單元、(甲基)丙烯酸異壬酯單元及(甲基)丙烯酸月桂酯單元所組成之群中之至少1種作為(甲基)丙烯酸烷基酯單元。
含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元具有能夠藉由胺基甲酸酯化反應而形成胺基甲酸酯鍵之羥基、或能夠藉由自由基反應而聚合之聚合性基。更詳細而言，含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元具有未反應之羥基或作為聚合性基之自由基聚合性碳-碳雙鍵中之至少任一者。例如，含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元之一部分具有未反應之羥基，另一部分(其他全部)不具有羥基且具有自由基聚合性碳-碳雙鍵。
上述丙烯酸系共聚物具有於碳數4以下之烷基部分上鍵結有羥基之含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元作為含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元。當黏著劑層22包含異氰酸酯化合物時，異氰酸酯化合物之異氰酸基與含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之羥基能夠容易地反應。
藉由預先使具有含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之丙烯酸系共聚物與異氰酸酯化合物共存於黏著劑層22中，能夠使黏著劑層22適度地硬化。因此，丙烯酸聚合物能夠充分凝膠化。藉此，黏著劑層22能夠維持形狀並且發揮黏著性能。
含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元較佳為於碳數2以上且4以下之烷基部分上鍵結有OH基之含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯單元。「C2～C4烷基」之表述表示與(甲基)丙烯酸進行了酯鍵結之烴部分的碳數。換言之，含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯系單體表示(甲基)丙烯酸與碳數2以上且4以下之醇(通常為二元醇)進行酯鍵結而得到之單體。以下於本說明書中相同。
C2～C4烷基之烴部分通常為飽和烴。例如，C2～C4烷基之烴部分為直鏈狀飽和烴或支鏈狀飽和烴。C2～C4烷基之烴部分較佳為不包含含有氧(O)、氮(N)等之極性基。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯單元，例如可例舉(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、或者(甲基)丙烯酸羥基正丁酯或(甲基)丙烯酸羥基異丁酯等(甲基)丙烯酸羥基丁酯之各單元。再者，羥基(-OH基)可以與烴部分之末端之碳(C)鍵結，亦可以與烴部分之末端以外之碳(C)鍵結。
上述丙烯酸系共聚物包含於側鏈中具有自由基聚合性碳-碳雙鍵(聚合性不飽和雙鍵)之聚合性(甲基)丙烯酸酯單元作為含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元。
聚合性(甲基)丙烯酸酯單元具體而言，具有上述含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元中之羥基與含異氰酸基之(甲基)丙烯酸系單體之異氰酸基進行胺基甲酸酯鍵結而成的分子結構。
上述丙烯酸系共聚物藉由含有含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元之自由基聚合性碳-碳雙鍵，而能夠於上述拾取步驟之前，藉由照射活性能量射線(紫外線等)使黏著劑層22硬化。例如，藉由照射紫外線等活性能量射線，自光聚合起始劑產生自由基，藉由該自由基之作用，能夠使丙烯酸系共聚物彼此發生交聯反應。藉此，能夠使照射前之黏著劑層22之黏著力於照射後降低。並且，能夠將黏晶片10自黏著劑層22良好地剝離。
再者，作為活性能量射線，可採用紫外線、放射線、電子束。
聚合性(甲基)丙烯酸酯單元可於丙烯酸系共聚物之聚合反應後藉由胺基甲酸酯化反應來製備。例如，於(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸系單體之共聚後，藉由使含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之一部分中的羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基進行胺基甲酸酯化反應，能夠得到聚合性(甲基)丙烯酸酯單元。
上述含異氰酸基之(甲基)丙烯酸系單體較佳為於分子中具有1個異氰酸基且具有1個(甲基)丙烯醯基。作為該單體，例如可例舉異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
本實施方式中，上述丙烯酸系共聚物亦可包含除上述單體單元以外之單體單元。例如亦可包含(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基-2-吡咯啶酮或丙烯腈等各單元。
於黏著劑層22所含之丙烯酸系共聚物中，上述各單元(各結構單元)可藉由
1H-NMR、
13C-NMR等NMR分析、熱分解GC/MS分析、及紅外分光法等來確認。再者，丙烯酸系共聚物中之上述單元之莫耳比率通常由使丙烯酸系共聚物聚合時之調配量(添加量)來算出。
上述丙烯酸系共聚物較佳為相對於(甲基)丙烯酸烷基酯單元100莫耳份，包含15莫耳份以上且60莫耳份以下之含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元，且含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元中之50莫耳%以上且95莫耳%以下如上所述地形成有胺基甲酸酯鍵。換言之，上述丙烯酸系共聚物較佳為相對於(甲基)丙烯酸烷基酯單元100莫耳份，包含15莫耳份以上且60莫耳份以下之含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元，且含交聯性基之(甲基)丙烯酸酯單元中之50莫耳%以上且95莫耳%以下為具有自由基聚合性碳-碳雙鍵的聚合性(甲基)丙烯酸酯單元。藉此，能夠維持黏晶片10與硬化前之黏著劑層22之黏著力，另一方面，能夠使黏晶片10與硬化後之黏著劑層22之剝離性更良好。
上述丙烯酸系共聚物較佳為相對於(甲基)丙烯酸烷基酯單元100莫耳份包含19莫耳份以上且55莫耳份以下之聚合性(甲基)丙烯酸酯單元，更佳為包含23莫耳份以上。藉此，能夠維持黏晶片10與硬化前之黏著劑層22之黏著力，另一方面，能夠使黏晶片10與硬化後之黏著劑層22之剝離性更良好。
本實施方式中，切晶帶20之黏著劑層22能夠進一步包含之異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基。藉由使異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基，能夠使黏著劑層22中之丙烯酸系共聚物間進行交聯反應。詳細而言，使異氰酸酯化合物之一個異氰酸基與丙烯酸系共聚物之羥基反應，使另一個異氰酸基與其他丙烯酸系共聚物之羥基反應，藉此能夠進行經由異氰酸酯化合物之交聯反應。
再者，異氰酸酯化合物亦可為經胺基甲酸酯化反應等而合成之化合物。
作為異氰酸酯化合物，例如可例舉脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯、或芳香脂肪族二異氰酸酯等二異氰酸酯。
進而，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉二異氰酸酯之二聚體、三聚體等聚合多異氰酸酯、多亞甲基多伸苯基多異氰酸酯。
此外，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉使過量之上述異氰酸酯化合物與含活性氫之化合物進行反應而得到之多異氰酸酯。作為含活性氫之化合物，可例舉含活性氫之低分子量化合物、含活性氫之高分子量化合物等。
再者，作為異氰酸酯化合物，亦可使用脲基甲酸酯化多異氰酸酯、縮二脲化多異氰酸酯等。
上述異氰酸酯化合物可單獨使用1種或組合使用2種以上。
作為上述異氰酸酯化合物，較佳為芳香族二異氰酸酯與含活性氫之低分子量化合物之反應物。芳香族二異氰酸酯之反應物由於異氰酸基之反應速度較慢，故使得包含該反應物之黏著劑層22過度地硬化得到抑制。作為上述異氰酸酯化合物，較佳為於分子中具有3個以上異氰酸基之化合物。
本實施方式中，黏著劑層22所包含之聚合起始劑為能夠藉由所施加之熱能、光能而使聚合反應起始之化合物。藉由使黏著劑層22包含聚合起始劑，而於對黏著劑層22施加了熱能或光能時能夠使丙烯酸聚合物間之交聯反應進行。詳細而言，能夠於具有含有自由基聚合性碳-碳雙鍵之聚合性(甲基)丙烯酸酯單元之丙烯酸系共聚物間，使聚合性基彼此之聚合反應起始，而使黏著劑層22硬化。藉此，能夠使黏著劑層22之黏著力降低，於拾取步驟中，能夠自硬化之黏著劑層22將黏晶片10容易地剝離。
作為聚合起始劑，例如採用光聚合起始劑或熱聚合起始劑等。作為聚合起始劑，可使用通常之市售製品。
黏著劑層22可進而包含除上述成分以外之其他成分。作為其他成分，例如可例舉黏著賦予劑、塑化劑、填充劑、抗老化劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑、界面活性劑、輕剝離化劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的來適當選擇。
＜切晶黏晶膜之黏晶片＞
黏晶片10如圖1所示，重疊於上述切晶帶20之黏著劑層22。
黏晶片10之厚度並無特別限定，例如為1 μm以上且200 μm以下。該厚度可為3 μm以上且150 μm以下，亦可為5 μm以上且140 μm以下。再者，當黏晶片10為積層體時，上述厚度為積層體之總厚度。
黏晶片10例如可如圖1所示，具有單層結構。本說明書中，單層係指僅具有由相同組合物形成之層。積層有複數個由相同組合物形成之層之形態亦為單層。
另一方面，黏晶片10亦可具有積層有例如由2種以上之不同組合物分別形成之層的多層結構。黏晶片10具有多層結構時，構成黏晶片10之至少1層包含後述含交聯性基之丙烯酸聚合物等，並根據需要還包含熱固性樹脂即可。
黏晶片10與切晶帶20之黏著劑層22之間之黏著劑層22於硬化前之剝離力(黏晶片10及黏著劑層22均未硬化之狀態下之剝離力)可為0.30[N/20 mm]以上，亦可為0.50[N/20mm]以上。又，上述硬化前之剝離力可為3.00[N/20 mm]以下，亦可未達2.50[N/20 mm]，亦可為2.00[N/20 mm]以下。
黏晶片10與切晶帶20之黏著劑層22之間之黏著劑層22於硬化後之剝離力(黏晶片10未硬化且黏著劑層22充分硬化後之剝離力)可為0.03[N/20 mm]以上，亦可為0.05[N/20 mm]以上。又，可為0.35[N/20 mm]以下，亦可為0.25[N/20 mm]以下。
再者，為了使黏著劑層22充分硬化，例如對黏著劑層22照射強度300 mJ/cm
2之紫外線。
上述黏著劑層22與黏晶片10之間之硬化後之剝離力係藉由以下之測定法進行測定。根據需要，首先自黏晶片10將剝離襯墊剝離而使黏晶片10之一個面露出。繼而，於黏晶片10之露出面貼合襯底帶(例如製品名「ELP BT315」、日東電工公司製造)。使用日東精機公司製造之高壓水銀燈(製品名「UM-810」、60 mW/cm
2)，自基材層側照射強度300 mJ/cm
2之紫外線而使黏著劑層硬化。然後，切出黏著劑層22以達到寬度50 mm×長度100 mm之尺寸，而製作測定用樣品。針對所製作之測定用樣品，使用拉伸試驗器(例如製品名「AUTOGRAPH AGX-V」、島津製作所公司製造)實施T型剝離試驗。試驗條件為溫度23℃、拉伸速度300 mm/分鐘。再者，關於黏著劑層22於硬化前之上述剝離力，除了自硬化前之黏著劑層22切出黏著劑層22以達到寬度20 mm×長度100 mm之尺寸而製作測定用樣品這一點以外，與上述方法同樣地進行測定。
例如，於黏著劑層22中所含之丙烯酸系共聚物之分子中，藉由提高烷基部分之碳數少之(甲基)丙烯酸烷基酯單元之比率、或提高含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之比率，能夠提高上述剝離力。另一方面，例如於黏著劑層22所含之丙烯酸系共聚物之分子中，藉由提高烷基部分之碳數多之(甲基)丙烯酸烷基酯單元之比率、或降低含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之比率，能夠降低上述剝離力。
黏晶片10包含於分子中具有藉由熱硬化處理而發生交聯反應之交聯性基的含交聯性基之丙烯酸聚合物。該含交聯性基之丙烯酸聚合物為至少使(甲基)丙烯酸酯單體聚合而得到之高分子化合物。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物通常於側鏈具有上述交聯性基。上述含交聯性基之丙烯酸聚合物亦可於側鏈之末端具有上述交聯性基。再者，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物亦可以於主鏈之兩端中之至少一端具有上述交聯性基。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物於分子中所具有之交聯性基只要為藉由熱硬化處理而發生交聯反應之官能基，則無特別限定。
作為交聯性基，例如可例舉羥基或羧基等。該等交聯性基能夠與環氧基或異氰酸基發生交聯反應。例如，於分子中具有羥基或羧基之至少一者之上述含交聯性基之丙烯酸聚合物與在分子中具有環氧基或異氰酸基之化合物(例如後述之環氧樹脂等)之間能夠發生交聯反應。
又，作為交聯性基，例如可例舉環氧基或異氰酸基等。該等交聯性基能夠與羥基、羧基發生交聯反應。例如，於分子中具有環氧基或異氰酸基之至少一者之上述含交聯性基之丙烯酸聚合物與在分子中具有羥基或羧基之至少一者之化合物(例如後述之酚樹脂等)之間能夠發生交聯反應。
本實施方式中，黏晶片10所含之含交聯性基之丙烯酸聚合物較佳為含有羥基或羧基之至少一者作為交聯性基。藉此，能夠使黏晶片10更良好地接著於被接著體。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物中，含交聯性基之單體之結構單元所占之比率可為0.1質量%以上且60.0質量%以下，可為0.5質量%以上且40.0質量%以下，可為1.0質量%以上且30.0質量%以下，亦可為3.0質量%以上且20.0質量%以下。
藉由使上述比率為0.1質量%以上，能夠使對黏晶片10進行熱硬化處理時之硬化充分進行。另一方面，藉由使上述比率為60.0質量%以下，能夠適度地抑制含交聯性基之丙烯酸聚合物之交聯反應性而提高經時穩定性。
再者，結構單元係指使含交聯性基之丙烯酸聚合物聚合時之單體(例如丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸羥基乙酯等)聚合後之源自各單體的結構。以下同樣。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物例如可藉由使用自由基聚合起始劑之通常聚合方法來合成。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物較佳為包含以質量比率計最多之分子中之結構單元中之(甲基)丙烯酸烷基酯單體之結構單元。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯單體，例如可例舉烷基(烴基)之碳數為1以上且18以下之(甲基)丙烯酸C1～C18烷基酯單體。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸飽和直鏈狀烷基酯單體、(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單體等。
作為(甲基)丙烯酸飽和直鏈狀烷基酯單體，可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。再者，直鏈狀烷基部分之碳數較佳為2以上且8以下。
作為(甲基)丙烯酸飽和支鏈狀烷基酯單體，可例舉：(甲基)丙烯酸異庚酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。再者，烷基部分亦可具有iso結構、sec結構、neo結構、或tert結構中之任一種。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物包含源自能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯單體共聚之含交聯性基之單體的結構單元。
本實施方式中，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物為至少使(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含交聯性基之單體共聚而成之丙烯酸聚合物。換言之，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物具有(甲基)丙烯酸烷基酯單體之結構單元與含交聯性基之單體之結構單元以無規順序連接的結構。
作為上述含交聯性基之單體，例如可例舉：含羧基之(甲基)丙烯酸系單體、(甲基)丙烯酸酐系單體、含羥基(羥基)之(甲基)丙烯酸系單體、含環氧基(縮水甘油基)之(甲基)丙烯酸系單體、含異氰酸基之(甲基)丙烯酸系單體、含磺酸基之(甲基)丙烯酸系單體、含磷酸基之(甲基)丙烯酸系單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體等。再者，上述含交聯性基之單體亦可於分子中具有醚基或酯基等。
上述含交聯性基之丙烯酸聚合物較佳為：
選自由含羧基之(甲基)丙烯酸系單體、含羥基之(甲基)丙烯酸系單體、含環氧基之(甲基)丙烯酸系單體及含異氰酸基之(甲基)丙烯酸系單體所組成之群中之至少1種含交聯性基之單體與
(甲基)丙烯酸烷基酯(尤其是烷基部分之碳數為8以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)之共聚物
作為含羧基之(甲基)丙烯酸系單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸、單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)丁二酸酯單體等。再者，羧基可配置於單體結構之末端部分，亦可與末端部分以外之烴鍵結。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸系單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸羥基乙酯單體、(甲基)丙烯酸羥基丙酯單體、(甲基)丙烯酸羥基丁酯單體等。再者，羥基可配置於單體結構之末端部分，亦可與末端部分以外之烴鍵結。
作為含環氧基之(甲基)丙烯酸系單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯單體、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚等。再者，環氧基可配置於單體結構之末端部分，亦可與末端部分以外之烴鍵結。
作為含異氰酸基之(甲基)丙烯酸系單體，例如可例舉：異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯、2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、2-(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基)乙基異氰酸酯等。
黏晶片10還可包含除上述含交聯性基之丙烯酸聚合物以外之成分。例如黏晶片10可進而包含熱固性樹脂或除上述含交聯性基之丙烯酸聚合物以外之熱塑性樹脂之至少一者。
作為熱固性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂等。作為上述熱固性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
作為上述環氧樹脂，例如可例舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、酚系酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型、乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型、或縮水甘油胺型之各環氧樹脂。
酚樹脂可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用。作為酚樹脂，例如可例舉酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。
作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可例舉酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚系酚醛清漆樹脂、壬基酚系酚醛清漆樹脂等。
酚樹脂之羥基當量[g/eq]例如可為90以上且220以下。
作為上述酚樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
本實施方式中，黏晶片10亦可含有彼此發生交聯反應之上述含交聯性基之丙烯酸聚合物及熱固性樹脂。
例如、黏晶片10可含有含環氧基之丙烯酸聚合物作為含交聯性基之丙烯酸聚合物，且含有酚樹脂作為熱固性樹脂。藉此，含交聯性基之丙烯酸聚合物之環氧基與酚樹脂之羥基發生交聯反應，而能夠使黏晶片10充分硬化。
作為黏晶片10可包含之除上述含交聯性基之丙烯酸聚合物以外之熱塑性樹脂，例如可例舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-聚醯胺樹脂及6,6-聚醯胺樹脂等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、於分子中不含交聯性官能基之丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。
作為上述熱塑性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
黏晶片10中，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物之含有率較佳為8質量%以上且100質量%以下，更佳為30質量%以上，進而較佳為40質量%以上。
黏晶片10中，相對於除填料以外之有機成分(例如，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物、熱固性樹脂、硬化觸媒等、矽烷偶合劑、染料)之100質量份，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物之含有比率較佳為15質量份以上且100質量份以下，更佳為40質量份以上且95質量份以下，進而較佳為60質量份以上。再者，藉由使黏晶片10中之熱固性樹脂之含有率發生變化，能夠調整黏晶片10之彈性及黏性。
另一方面，相對於上述有機成分100質量份，熱固性樹脂之含有比率亦可為40質量份以下。
黏晶片10亦可含有填料，亦可不含有填料。藉由改變黏晶片10中之填料之量，能夠更容易地調整黏晶片10之彈性及黏性。進而，能夠調整黏晶片10之導電性、導熱性、彈性模數等物性。
作為填料，可例舉無機填料及有機填料。作為填料，較佳為無機填料。
作為無機填料，例如可例舉包含氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、晶體二氧化矽、非晶二氧化矽等二氧化矽等之填料。又，作為無機填料之材質，可例舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金等。亦可為硼酸鋁晶鬚、非晶碳黑、石墨等填料。填料之形狀可為球狀、針狀、鱗片狀等各種形狀。作為填料，可僅採用上述1種或採用2種以上。
當黏晶片10包含填料時，上述填料之含有率可為黏晶片10之總質量之50質量%以下，可為40質量%以下，亦可為30質量%以下。再者，上述填料之含有率例如可為5質量%以上。
黏晶片10根據需要亦可包含其他成分。作為上述其他成分，例如可例舉硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。
作為阻燃劑，例如可例舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。
作為矽烷偶合劑，例如可例舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。
作為離子捕捉劑，例如可例舉：水滑石類、氫氧化鉍、苯并***等。
作為上述其他添加劑，可僅採用1種或採用2種以上。
就容易調整彈性及黏性之方面而言，黏晶片10較佳為包含上述含交聯性基之丙烯酸聚合物、熱固性樹脂及填料。
本實施方式之切晶黏晶膜1於使用前之狀態下亦可具備覆蓋黏晶片10之一個面(黏晶片10未與黏著劑層22重疊之面)之剝離襯墊。剝離襯墊用於保護黏晶片10，並於即將對黏晶片10貼附被接著體(例如半導體晶圓)之前剝離。
作為剝離襯墊，例如可以使用經聚矽氧系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、硫化鉬等剝離劑表面處理之塑料膜或紙等。
剝離襯墊可作為用於支持黏晶片10之支持材料來利用。剝離襯墊適宜在對黏著劑層22重疊黏晶片10時使用。詳細而言，以積層有剝離襯墊與黏晶片10之狀態將黏晶片10重疊於黏著劑層22，於重疊後將剝離襯墊剝去(轉印)，藉此能夠對黏著劑層22重疊黏晶片10。
繼而，對本實施方式之黏晶片10、及切晶黏晶膜1之製造方法進行說明。
＜切晶黏晶膜之製造方法＞
本實施方式之切晶黏晶膜1之製造方法具備：
製作黏晶片10之步驟、
製作切晶帶20之步驟、及
將所製造之黏晶片10與切晶帶20重疊之步驟。
＜製作黏晶片之步驟＞
製作黏晶片10之步驟具有：
製備用於形成黏晶片10之樹脂組合物之樹脂組合物製備步驟、及
由樹脂組合物形成黏晶片10之黏晶片形成步驟。
樹脂組合物製備步驟中，例如藉由將上述含交聯性基之丙烯酸聚合物；環氧樹脂、酚樹脂或硬化觸媒中之任一者；及溶劑進行混合並使各樹脂溶解於溶劑中而製備樹脂組合物。藉由改變溶劑之量，能夠調整組合物之黏度。再者，作為該等樹脂，可使用市售之製品。
黏晶片形成步驟中，例如將如上所述地製備之樹脂組合物塗佈於剝離襯墊上。作為塗佈方法，並無特別限定，例如採用輥塗覆、網版塗覆等通常之塗佈方法。繼而，根據需要，藉由脫溶劑處理、硬化處理等使所塗佈之組合物硬化，而形成黏晶片10。
＜製作切晶帶之步驟＞
製作切晶帶之步驟具備：
合成丙烯酸系共聚物之合成步驟；
自包含上述丙烯酸系共聚物、異氰酸酯化合物、聚合起始劑、溶劑、及根據目的而適當追加之其他成分之黏著劑組合物中使溶劑揮發而製作黏著劑層22之黏著劑層製作步驟；
製作基材層21之基材層製作步驟；及
藉由將黏著劑層22與基材層21貼合而使基材層21與黏著劑層22積層之積層步驟。
合成步驟中，例如藉由使烴部分之碳數為8以上且12以下之(甲基)丙烯酸C8～C12烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸系單體進行自由基聚合，而合成丙烯酸系共聚物中間體。
自由基聚合可藉由通常之方法進行。例如，使上述各單體溶解於溶劑中，一邊加熱一邊攪拌並添加聚合起始劑，藉此能夠合成丙烯酸系共聚物中間體。為了調整丙烯酸系共聚物之分子量，亦可於鏈轉移劑之存在下進行聚合。
繼而，使丙烯酸系共聚物中間體所包含之含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之一部分羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基藉由胺基甲酸酯化反應進行鍵結。藉此，含羥基之(甲基)丙烯酸酯單元之一部分成為含有自由基聚合性碳-碳雙鍵之聚合性(甲基)丙烯酸酯單元。
胺基甲酸酯化反應可藉由通常之方法來進行。例如於溶劑及胺基甲酸酯化觸媒之存在下，一邊加熱一邊攪拌丙烯酸系共聚物中間體及含異氰酸基之聚合性單體。藉此，能夠使丙烯酸系共聚物中間體之羥基之一部分與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基進行胺基甲酸酯鍵結。
黏著劑層製作步驟中，例如使丙烯酸系共聚物、異氰酸酯化合物及聚合起始劑溶解於溶劑中，而製備黏著劑組合物。藉由改變溶劑之量，能夠調整組合物之黏度。繼而，將黏著劑組合物塗佈於剝離襯墊上。作為塗佈方法，例如可採用輥塗覆、網版塗覆、凹版塗覆等通常之塗佈方法。藉由對塗佈之組合物實施脫溶劑處理、固化處理等而使塗佈之黏著劑組合物固化，而製作黏著劑層22。
基材層製作步驟中，可藉由通常之方法進行製膜而製作基材層。作為製膜方法，例如可例舉：壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、乾式層壓法等。還可採用共擠出成形法。再者，作為基材層21，亦可使用市售之膜等。
於積層步驟中，使重疊於剝離襯墊之狀態之黏著劑層22與基材層21重疊並積層。再者，剝離襯墊亦可在直到使用前為止處於重疊於黏著劑層22之狀態。
再者，為了促進交聯劑與丙烯酸系共聚物之反應，又，為了促進交聯劑與基材層21之表面部分之反應，亦可於積層步驟之後，於50℃環境下實施48小時之熟化處理步驟。
藉由該等步驟，能夠製造切晶帶20。
＜將黏晶片與切晶帶重疊之步驟＞
於使黏晶片10與切晶帶20重疊之步驟中，將黏晶片10貼附於如上所述製造之切晶帶20之黏著劑層22。
於上述貼附中，自切晶帶20之黏著劑層22及黏晶片10分別將剝離襯墊剝離，以黏晶片10與黏著劑層22直接接觸之方式將兩者貼合。例如，可藉由壓接進行貼合。貼合時之溫度並無特別限定，例如為30℃以上且50℃以下、較佳為35℃以上且45℃以下。貼合時之線壓並無特別限定，較佳為0.1 kgf/cm以上且20 kgf/cm以下，更佳為1 kgf/cm以上且10 kgf/cm以下。
經過上述步驟而如上所述地製造之切晶黏晶膜1例如可作為用於製造半導體裝置(半導體積體電路)之輔助用具來使用。以下，針對半導體裝置之製造方法(切晶黏晶膜之使用方法)進行說明。
＜半導體裝置之製造方法(製造半導體裝置時之切晶黏晶膜之使用方法)＞
半導體裝置之製造方法中，通常自形成有電路面之半導體晶圓切出半導體晶片並進行組裝。此時，使用本實施方式之切晶黏晶膜作為製造輔助用具。
本實施方式之半導體裝置之製造方法具備：
將形成有電路面之半導體晶圓割斷成半導體晶片(Die)之割斷步驟；及
將貼附於上述切晶黏晶膜之上述黏著劑層之上述黏晶片與上述半導體晶片一起自上述黏著劑層進行剝離之拾取步驟。
本實施方式之半導體裝置之製造方法中，割斷步驟例如具有：隱形切割步驟，於貼附有背面研磨帶之半導體晶圓之內部利用雷射光形成脆弱部分，進行藉由割斷處理而將半導體晶圓加工成半導體晶片(Die)的準備；背面研磨步驟，對貼附有背面研磨帶之半導體晶圓進行研削而減薄厚度；安裝步驟，將厚度已變薄之半導體晶圓之一面(例如與電路面處於相反側之面)貼附於黏晶片10，經由黏晶片10將半導體晶圓固定於切晶帶20；擴展步驟，藉由拉伸切晶帶20將半導體晶圓割斷而製作半導體晶片，使相鄰之半導體晶片之間隔擴大；拾取步驟，將黏晶片10與黏著劑層22之間剝離，以貼附有黏晶片10之狀態取出半導體晶片(Die)。
本實施方式之半導體裝置之製造方法進而具有：黏晶步驟，將貼附於半導體晶片之黏晶片10接著於被接著體之；硬化步驟，使接著於被接著體之黏晶片10硬化；引線接合步驟，將半導體晶片中之電子電路之電極與被接著體藉由引線進行電性連接；及密封步驟，利用熱固性樹脂將被接著體上之半導體晶片及引線進行密封。
隱形切割步驟為所謂SDBG(Stealth Dicing Before Grinding，研磨前隱形切割)製程中之步驟。隱形切割步驟中，如圖3A～圖3C所示，於半導體晶圓W之內部形成用於將形成有電路面之圖案晶圓割斷成半導體晶片之脆弱部分。具體而言，首先，於半導體晶圓W之電路面貼附背面研磨帶G(參照圖3A)。繼而，於貼附有背面研磨帶G之狀態下實施基於研削墊K之研削加工(預背面研磨加工)直至半導體晶圓W達到規定厚度(參照圖3B)。然後，對厚度已變薄之半導體晶圓W照射雷射光，藉此於半導體晶圓W之內部形成脆弱部分(參照圖3C)。
亦可實施半切割步驟代替隱形切割步驟。半切割步驟係所謂DBG(Dicing Before Grinding，研磨前切割)製程中之步驟。
半切割步驟中，為了利用割斷處理將半導體晶圓加工成半導體晶片(Die)而於半導體晶圓形成槽後，對半導體晶圓進行研削而減薄厚度。
具體而言，於半切割步驟中，實施用於將形成有電路面之半導體晶圓割斷成半導體晶片(Die)之半切割加工。更具體而言，於半導體晶圓之與電路面處於相反側之面貼附晶圓加工用帶。以於半導體晶圓上貼附有晶圓加工用帶之狀態，於半導體晶圓形成分割用槽。於形成有槽之面上貼附背面研磨帶，另一方面，將開始貼附之晶圓加工用帶剝離。
本實施方式之切晶黏晶膜如上所述，較佳為在用於將半導體晶圓割斷而製造半導體晶片之SDBG(Stealth Dicing Before Grinding)製程或DBG(Dicing Before Grinding)製程中使用。
背面研磨步驟中，如圖3D所示，對貼附有背面研磨帶G之狀態之半導體晶圓W進而實施研削加工，將半導體晶圓W之厚度減薄至藉由其後之割斷處理製作之半導體晶片(Die)之厚度為止。例如，亦可實施研削加工直至達到規定厚度，以使上述經半切割加工之半導體晶圓W不會單片化。若如此實施研削加工，則藉由其後之擴展步驟(尤其是低溫擴展步驟)，於將半導體晶圓W割斷成半導體晶片之同時，亦割斷黏晶片10。另一方面，亦可以實施研削加工直至上述經半切割加工之半導體晶圓W單片化為止。若如此實施研削加工，則於其後之擴展步驟(尤其是低溫擴展步驟)中，例如於擴大相鄰之半導體晶片彼此之間隔之同時，將黏晶片10割斷。
安裝步驟中，如圖4A～圖4B所示，將半導體晶圓W固定於切晶帶20。詳細而言，於切晶帶20之黏著劑層22安裝切晶環R，並且於露出之黏晶片10之面上貼附如上所述藉由切削加工而使厚度變薄之半導體晶圓W(參照片圖4A)。繼而，自半導體晶圓W剝離背面研磨帶G(參照圖4B)。
亦可於擴展步驟之前藉由例如雷射光之照射而將黏晶片10割斷。具體而言，於藉由上述切削加工對半導體晶圓W進行單片化之情形時，亦可藉由雷射光之照射，將重疊於使半導體晶圓單片化而成之半導體晶片並且尚未被割斷之黏晶片10切斷。然後，亦可藉由擴展步驟，擴大相鄰之晶片彼此之間隔。
擴展步驟中，如圖5A～圖5C所示，擴大藉由割斷製作之半導體晶片X彼此之間隔。詳細而言，於切晶帶20之黏著劑層22上安裝切晶環R之後，將切晶帶20固定於擴展裝置之保持器H(參照圖5A)。將擴展裝置所具備之頂起構件U自切晶黏晶膜1之下側頂起，藉此將切晶黏晶膜1進行拉伸以於面方向上擴展(參照圖5B)。藉此，於特定之溫度條件下將半導體晶圓W割斷。上述溫度條件例如為-20～0℃，較佳為-15～0℃，更佳為-10～-5℃。藉由使頂起構件U下降而解除擴展狀態(參照圖5C，目前為止為低溫擴展步驟)。
進而，於擴展步驟中，如圖6A～圖6B所示，於更高之溫度條件下(例如10℃～25℃)下對切晶帶20進行拉伸以使面積擴大。藉此，將割斷後相鄰之半導體晶片X於膜面之面方向上拉離，而進一步擴大切口(相鄰之半導體晶片間之相隔距離)(常溫擴展步驟)。
再者，於實施上述DBG製程時，於擴展步驟中，可採用於低溫下將黏晶片10割斷之方式，或者可採用利用雷射光來切割黏晶片10之方式。當利用雷射光切割黏晶片時，有時於切割黏晶片10後進而於低溫下進行擴展步驟。
本實施方式中，切晶帶20因擴展步驟而成為於面方向上被拉伸之狀態。此時，若切晶帶20於小片化之複數個半導體晶片組之周圍未受到加熱處理，則與複數個半導體晶片重疊之部分(中央部分)之切晶帶20會收縮而恢復原本形狀。為了抑制如上所述切晶帶20發生收縮，而於小片化之複數個半導體晶片組之周圍以120℃左右之溫度對切晶帶20進行加熱處理。換言之，以120℃左右之溫度，對與複數個半導體晶片重疊且沿複數個半導體晶片組之外周之部分的切晶帶20進行加熱處理。加熱處理例如如圖7所示，使用能夠沿小片化之複數個半導體晶片組之外周於周方向上移動之加熱器S等來實施。因此，切晶帶20中被加熱處理之部分中能夠同時存在溫度更高之部分及更低之部分。如圖7所示，例如於切晶帶20中被加熱處理且包圍半導體晶片組之外周之帶狀部分可能成為如下狀況，即於長度方向之一側之部分溫度更高，於另一側之部分溫度更低。
於拾取步驟之前，例如自基材層21側對重疊於基材層21之黏著劑層22照射紫外線，藉此對黏著劑層22實施硬化處理(硬化處理步驟)。
於拾取步驟中，如圖8所示，將貼附有黏晶片10之狀態之半導體晶片X自切晶帶20之黏著劑層22進行剝離。詳細而言，使頂銷構件P上升，而將拾取對象之半導體晶片X隔著切晶帶20頂起。藉由吸附夾具J保持被頂起之半導體晶片X。
於黏晶步驟中，將貼附有黏晶片10之狀態之半導體晶片X接著於被接著體Z。黏晶步驟中，例如如圖9所示，有時將貼附有黏晶片10之狀態之半導體晶片X堆疊複數次。
於硬化步驟中，例如於100℃以上且180℃以下之溫度下進行加熱處理，以提高黏晶片10中所包含之上述含交聯性基之丙烯酸聚合物中交聯性基(例如環氧基)之反應活性而進行黏晶片10之硬化。
於引線接合步驟中，一邊加熱半導體晶片X(Die)與被接著體Z，一邊用引線L進行連接(例如參照圖9)。
於密封步驟中，如圖10所示，藉由環氧樹脂等熱固性樹脂M將半導體晶片X與黏晶片10進行密封。密封步驟中，為了使熱固性樹脂M之硬化反應進行，例如於100℃以上且180℃以下之溫度下進行加熱處理。
再者，於近年來之半導體產業中，隨著積體化技術之進一步發展，強烈希望更薄之半導體晶片(例如20 μm以上且50 μm以下之厚度)、及更薄之黏晶片(例如1 μm以上且40 μm以下、較佳為7 μm以下、更佳為5 μm以下之厚度)。
於上述半導體裝置之製造方法(切晶黏晶膜之使用方法)中，於擴展步驟(尤其是常溫擴展步驟)中，用較強之力於面方向上進行拉伸，以擴大切晶帶20之面積。又，將切晶帶20拉伸後，藉由將切晶帶20之一部分以120℃左右進行加熱處理而使其收縮。具體而言，將未與小片化之複數個半導體晶片重疊且沿複數個半導體晶片組之外周之部分(外周部分)的切晶帶20如上所述地藉由加熱處理而使其收縮。藉由使上述熱收縮率為6%以上，而使得經上述加熱處理加熱之部分(外周部分)容易收縮。與外周部分容易收縮相應地，與小片化之複數個半導體重疊之部分(中央部分)之切晶帶20之收縮被抑制。換言之，能夠抑制被拉伸且與複數個半導體晶片重疊之部分(中央部分)之切晶帶20向拉伸方向之反方向收縮。因此，能夠抑制小片化之複數個半導體晶片之間隔變窄。
與此相對，假如不控制切晶帶20於120℃下之熱收縮性，例如切晶帶20幾乎不因熱處理而發生熱收縮時，切晶帶20之中央部分較容易收縮，因此小片化之複數個半導體晶片之間隔變窄。因此，可能難以於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開。
本實施方式之切晶黏晶膜中，切晶帶20於120℃下之熱收縮率為6%以上，因此如上所述，能夠於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開。
又，如上所述對切晶帶20進行之加熱處理例如如圖7所示，藉由使加熱器等沿小片化之複數個半導體晶片組之外周進行移動而實施。具體而言，沿複數個半導體晶片組之外周，分別移動2個加熱器等半周。於此種加熱處理方法中，於被加熱之部分中存在最初被加熱之部位與最後被加熱之部位。因此，於最初被加熱之部位與最後被加熱之部位產生溫度差。換言之，最初被加熱之部位之溫度於加熱器等離開期間逐漸被冷卻，因此於加熱處理結束時變得比最後被加熱之部位之溫度低。通常，溫度越高則材料之彈性模數越小，因此於冷卻前之例如120℃左右之高溫部分之彈性模數可能變得遠小於得到冷卻之部分的彈性模數。因此，於彈性模數因高溫而減小之切晶帶20之高溫部分，可能並不一定可充分抑制切晶帶20向拉伸方向之反方向收縮之力。另一方面，切晶帶20之冷卻部分之彈性模數高，因此能夠充分抑制上述收縮之力。於此種狀態下，與複數個半導體晶片組重疊之部分之切晶帶20容易不均勻地收縮。因此，暫時擴大之複數個半導體晶片組中之切口有可能不均一。
與此相對，本實施方式之切晶黏晶膜中，切晶帶20於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，於120℃這一高溫下彈性模數亦較高，因此能夠充分抑制如上所述切晶帶20企圖收縮之力。120℃這一溫度接近於例如對於擴展步驟中被拉伸之切晶帶20之一部分如上所述地進行加熱處理而使其收縮時的溫度。此時之加熱處理如上所述，例如藉由利用加熱器等依次對沿小片化之複數個半導體晶片組之外周之應當加熱的部分進行加熱而實施。因此，受到加熱而溫度升高之部分與加熱後溫度降低之部分混合存在。於該狀況下，對於本實施方式之切晶帶20而言，由於高溫部位(例如120℃之部分)之彈性模數較高，故而於低溫部位及高溫部位均可充分抑制如上所述切晶帶20要收縮之力。因此，能夠抑制於與複數個半導體晶片組重疊之切晶帶20之中央部分，收縮力因部位而不均一。因此，能夠抑制擴展步驟後切口因部位而不均一。
本實施方式之切晶黏晶膜如上述例示所示，但本發明不限定於上述例示之切晶黏晶膜。
即，於不損害本發明之效果之範圍內，可採用通常之切晶黏晶膜中所使用之各種形態。
由本說明書所揭示之事項包括以下者。
(1)
一種切晶黏晶膜，其具備：切晶帶，其具有基材層及重疊於該基材層之黏著劑層；及黏晶片，其重疊於該切晶帶，
上述切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，上述切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上。
根據該構成之切晶黏晶膜，能夠於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開，及能夠抑制切口因部位而不均一。
(2)
如上述(1)記載之切晶黏晶膜，其中上述基材層包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂及聚丙烯樹脂。
(3)
如上述(1)或(2)記載之切晶黏晶膜，其中上述基材層由複數個層構成。
(4)
如上述(3)記載之切晶黏晶膜，其中上述基材層由3層以上構成。
(5)
如上述(4)記載之切晶黏晶膜，其中上述基材層由第1基材層、第2基材層及第3基材層堆疊而成之3層構成，
分別配置於上述基材層之一表面側及另一表面側之第1基材層及第3基材層均包含聚丙烯樹脂，配置於上述第1基材層及上述第3基材層之間之第2基材層包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂。
(6)
如上述(5)記載之切晶黏晶膜，其中上述第1基材層及上述第3基材層中之至少一者進而包含抗靜電劑。
(7)
如上述(6)記載之切晶黏晶膜，其中上述抗靜電劑為選自由聚烯烴-聚乙二醇共聚物、聚烯烴-聚醯胺共聚物、聚乙二醇-聚醯胺共聚物、聚乙二醇-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚乙二醇-表氯醇共聚物、離子聚合物、及聚合物與離子性化合物(例如鋰鹽等金屬鹽)之混合物所組成之群中之至少1種。
(8)
如上述(5)～(7)中任一項記載之切晶黏晶膜，其中上述第1基材層及上述第3基材層各自獨立地具有1 μm以上且15 μm以下之厚度，上述第2基材層具有70 μm以上且120 μm以下之厚度。
(9)
如上述(3)～(8)中任一項記載之切晶黏晶膜，其中於構成上述基材層之複數個層之面中距離上述黏著劑層最遠之面的表面電阻率為1.00×10
9[Ω/sq.]以上且1.00×10
12[Ω/sq.]以下。
(10)
如上述(1)～(9)中任一項記載之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層包含丙烯酸系共聚物、異氰酸酯化合物及聚合起始劑。
(11)
如上述(1)～(10)中任一項記載之切晶黏晶膜，其中上述黏晶片包含：含交聯性基之丙烯酸聚合物、熱固性樹脂及填料，上述含交聯性基之丙烯酸聚合物於分子中具有藉由熱硬化處理而發生交聯反應之交聯性基。
實施例
繼而，藉由實驗例對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明不限定於其等。
以如下方式製造切晶帶。又，使該切晶帶與黏晶片貼合而製造切晶黏晶膜。
＜切晶帶之製作＞
[黏著劑層]
(丙烯酸系共聚物之原料單體)
•丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)：20質量份
•丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)：100質量份
於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入上述各原料。相對於單體之合計100質量份，使用偶氮二異丁腈(AIBN)0.2重量份作為熱聚合起始劑。以全部單體之濃度達到規定濃度(例如35質量%)之方式加入乙酸乙酯作為反應溶劑。於氮氣氣流中在62℃下進行規定時間(例如3小時)之聚合反應處理，進而在75℃下進行規定時間(例如4小時)之聚合反應處理，得到丙烯酸系共聚物之中間體。
於各實施例及各比較例中，聚合時之單體濃度、聚合時間分別如表2所示。
於包含如上所述製備之丙烯酸系共聚物之中間物之液體中，以相對於HEA之合計，按莫耳換算計達到80莫耳%之方式加入異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(以下，亦稱為MOI)。又，添加相對於MOI添加量為0.03質量%之二月桂酸二丁基錫作為反應觸媒。然後，於空氣氣流中以50℃進行12小時加成反應處理(胺基甲酸酯化反應處理)，得到丙烯酸系共聚物。
繼而，相對於丙烯酸系共聚物100質量份，加入下述調配成分，製備黏著劑溶液。
・光聚合起始劑：2.5質量份
(製品名「Omnirad127D」、IGM公司製造)
・多異氰酸酯化合物：0.75質量份
(製品名「TakenateD-101E」、三井化學公司製造)
・抗氧化劑：0.01質量份
(製品名「Irganox1010」、BASF Japan公司製造)
將如上所述製備之黏著劑溶液塗佈於實施了聚矽氧處理之PET剝離襯墊之處理面上，於120℃下加熱乾燥2分鐘，形成厚度10 μm之黏著劑層。
[基材層]
使用以下所示之製品作為原料，按照表1及表2各自示出之調配組成製作積層3層或2層而成之基材層、或者單層之基材層。再者，關於單層之基材層之組成，記載於第1基材層之欄中。
(聚烯烴系樹脂)
・PO-1：製品名「Wintek WXK1233」(日本聚丙烯公司製造)
聚烯烴系樹脂(茂金屬系聚丙烯樹脂)
・PO-2：製品名「Vistamaxx3980FL」(ExxonMobil Chemical公司製造)
聚烯烴系樹脂(丙烯系彈性體樹脂、乙烯含有率9%)
・PO-3：製品名「Zelas5053YT13」(三菱化學公司製造)
聚烯烴系樹脂(烯烴系熱塑性彈性體樹脂)
・PO-4：製品名「ZelasZT536」(三菱化學公司製造)
聚烯烴系樹脂(烯烴系熱塑性彈性體樹脂)
(乙烯-乙酸乙烯酯樹脂)
・EVA-1：製品名「EVAFLEX P1007」(Mitsui-Dow Polychemical公司製造)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(含有乙酸乙烯酯10質量%)
・EVA-2：製品名「Ultrathene 626」(東曹公司製造)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(含有乙酸乙烯酯15質量%)
・EVA-3：製品名「EVAFLEX V1030」(Mitsui-Dow Polychemical公司製造)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(含有乙酸乙烯酯10質量%)
・EVA-4：乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(Mitsui-Dow Polychemicall公司製造)
(低密度聚乙烯樹脂)
・PE：製品名「Sumikasen F723-P」(住友化學公司製造)
(離子聚合物樹脂)
・IO：Mitsui-Dow Polychemical公司製造
(聚胺基甲酸酯樹脂)
・PU：BASF公司製造
(抗靜電劑)
・AS：製品名「PELESTAT 230」(三洋化成公司製造)
聚烯烴-聚乙二醇共聚物
[表1]
| 構成基材層之各層之組成及厚度 | ||||
| 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 比較例1 | |
| 第一基材層 (黏著劑層側) | PO-1[80質量%] ＋ AS[20質量%] ＜9 μm＞ | PO-1[90質量%] ＋ AS[10質量%] ＜8 μm＞ | PO-2[56質量%] ＋ EVA-1[24質量%] ＋ AS[20質量%] ＜10 μm＞ | EVA-3 [100質量%] ＜125 μm＞ |
| 第2基材層 | PO-2[70質量%] ＋ EVA-1[30質量%] ＜92 μm＞ | EVA-2[100質量%] ＜84 μm＞ | PO-2[70質量%] ＋ EVA-1[30質量%] ＜100 μm＞ | - |
| 第3基材層 (帶背面側) | PO-1[80質量%] ＋ AS[20質量%] ＜9 μm＞ | PO-1[90質量%] ＋ AS[10質量%] ＜8 μm＞ | PO-2[56質量%] ＋ EVA-1[24質量] ＋ AS[20質量%] ＜10 μm＞ | - |
[表2]
| 構成基材層之各層之組成及厚度 | ||||
| 比較例2 | 比較例3 | 比較例4 | 比較例5 | |
| 第一基材層 (黏著劑層側) | PO-3[100質量%] ＜32 μm＞ | PO-4[100質量%] ＜65 μm＞ | IO[100質量%] ＜12.5 μm＞ | IO[100質量%] ＜25 μm＞ |
| 第2基材層 | PE[100質量%] ＜40 μm＞ | PE[100質量%] ＜35 μm＞ | PU[100質量%] ＜75 μm＞ | EVA-4 [100質量%] ＜50μm＞ |
| 第3基材層 (帶背面側) | PE ＋ AS[20質量%] ＜8 μm＞ | - | IO[100質量%] ＜12.5 μm＞ | IO[100質量%] ＜25 μm＞ |
(基材層之成形)
使用擠出T模成形機對基材層進行成形。擠出溫度為190℃。對於2層型或3層積層型之基材層，自T模共擠出成形而一體化。一體化之基材層(積層體)充分固化後，將基材層捲取成卷狀並保管。
再者，構成基材層之各層之厚度分別如表1及表2所示。
[黏著劑層與基材層之貼合]
繼而，將如上所述分別製作之黏著劑層與基材層貼合，於50℃下保存24小時，製造切晶帶。
＜黏晶片之製作＞
・丙烯酸聚合物：100質量份
(製品名「PARACRON KG-8001」、質量平均分子量：1,200,000、玻璃轉移溫度Tg：9℃、含有環氧基、根上工業公司製造)
・酚樹脂：3質量份
(製品名「MEHC-7851SS」、23℃下為固體、明和化成公司製造)
・二氧化矽填料：10質量份
(製品名「SE2050-MCV」、平均粒徑500 nm、Admatechs公司製造)
將上述各原料加入至規定量之甲乙酮中並加以混合，製備總固形物成分濃度12質量%之接著劑組合物溶液。繼而，使用塗抹器，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET剝離襯墊的聚矽氧脫模處理面上塗佈接著劑組合物，而形成塗膜。對該塗膜以130℃實施2分鐘之加熱乾燥，於PET剝離襯墊上製作厚度10 μm之黏晶片。
(實施例1～3、比較例1～5)
[切晶黏晶膜之製造]
將黏晶片之基材層之各構成示於表1及表2。將黏晶片沖裁成直徑330 mm之圓形狀，製作圓形狀之黏晶片。於室溫下，使用層壓機，將圓形狀之黏晶片與切晶帶貼合，藉此製造切晶黏晶膜。
＜切晶帶之物性測定＞
針對各實施例及各比較例之切晶黏晶膜之切晶帶，如以下方式測定各物性。
[120℃下之彈性模數]
切晶帶之彈性模數(拉伸彈性模數)之測定方法之詳情如上所述。將40℃及120℃下之各彈性模數之測定結果示於表3。
[120℃下之熱收縮率]
切晶帶之120℃下之熱收縮率之測定方法之詳情如上所述。將熱收縮率之測定結果示於表3。
將各實施例及各比較例中之黏晶片之組成及物性示於表3。
[表3]
| 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 比較例1 | 比較例2 | 比較例3 | 比較例4 | 比較例5 | |
| 切晶帶物性 | ||||||||
| 120℃彈性模數[MPa] | 0.33 | 0.21 | 0.19 | 0.07 | 0.57 | 0.26 | 0.61 | 0.72 |
| 40℃彈性模數[MPa] | 54.5 | 38.4 | 36.5 | 32.4 | 69.5 | 32.9 | 42.2 | 48.2 |
| 120℃熱收縮率[%] | 7 | 16 | 14 | 65 | 3 | 5 | 1 | 5 |
| 切晶黏晶膜之性能評價 | ||||||||
| 切口不均一抑制 | 良好 | 良好 | 良好 | 不良 | 良好 | 良好 | 無法評價 | 良好 |
| 切口 | 良好 38 μm | 良好 45 μm | 良好 48 μm | 尤其良好 64 μm | 不良 11 μm | 不良 12 μm | 不良 7 μm | 不良 14 μm |
以如下方式操作，對如上所述製造之切晶黏晶膜之性能進行評價。
＜性能評價(相鄰之半導體晶片間之相隔距離(切口))＞
(評價用樣品之準備)
作為評價用樣品，準備使用裸晶圓製作之帶晶片(Die)之切晶黏晶膜。
具體而言，使用層壓機，將保持於晶圓加工用帶(製品名「UB-3083D」、日東電工公司製造)之裸晶圓貼合於切晶黏晶膜之黏晶片。繼而，自晶圓將晶圓加工用帶剝離。貼合時之條件為：貼合速度為10 mm/秒、溫度條件為50～80℃、壓力條件為0.15 MPa。
(晶圓之準備)
首先，於裸晶圓(直徑12英吋，厚度780 μm，東京化工公司製造)中預定形成改性區域之第1面貼合晶圓加工用帶(製品名「UB-3083D」、日東電工公司製造)。繼而，使用隱形切割裝置(製品名「DAL7360(SDE05)」、Power：0.25 W，頻率：80 kHz、Disco公司製造)，於該裸晶圓之內部形成改性區域。詳細而言，自與第1面相反之背面(第2面)側照射聚焦在晶圓內部之靠近第1面之一側的雷射光。照射係沿用於分割裸晶圓之預定線來實施。藉此，藉由基於多光子吸收之剝蝕，於晶圓內部(距離晶圓之第1面之深度為50 μm)以描繪每個區間3 mm×7 mm之格子之方式形成小片化用之改性區域。然後，使用背面研磨裝置(製品名「DGP8760」、Disco公司製造)自晶圓之第2面進行研削，將該晶圓減薄至厚度30 μm。如上所述地形成保持於晶圓加工用帶之狀態之晶圓。該晶圓包含用於將晶圓小片化成複數個晶片(3 mm×7 mm)之區間。
(晶片(Die)之製作)
將如上所述地製作之裸晶圓貼附於切晶黏晶膜。藉由擴展步驟將貼附於切晶黏晶膜之狀態之裸晶圓割斷並小片化。再者，以自裸晶圓剝離了上述晶圓加工用帶之狀態，使用晶片分割裝置(製品名「Die Separator DDS2300」、Disco公司製造)實施擴展步驟。又，擴展步驟中，實施冷擴展後，實施常溫擴展。
冷擴展係以如下方式來實施。具體而言，於貼附於裸晶圓之切晶黏晶膜之黏著劑層上預定貼合框之區域，於室溫下貼附直徑12英吋之SUS製環狀框(Disco公司製造)。繼而，將貼附有SUS製環狀框之裸晶圓安裝於晶片分割裝置。然後，利用冷擴展單元，以擴展溫度-15℃、擴展速度100 mm/秒、擴展量10 mm之條件將晶圓及黏晶片割斷，得到複數個帶黏晶片層之晶片。
進而，於室溫環境下以擴展速度1 mm/秒、擴展量10 mm之條件進行常溫擴展。
然後，在維持擴展狀態之情況下，以加熱溫度250℃、加熱距離20 mm、轉速3°/sec之條件，利用加熱器，使包圍晶圓之外周緣之部分之切晶帶發生熱收縮。即，藉由如圖7所示之加熱處理方法，對未與複數個半導體晶片組重疊之部分之切晶帶實施加熱處理，使經加熱處理之部分發生熱收縮。
熱收縮後，藉由顯微鏡觀察，於複數個部位測定帶黏晶片之晶片間之間隔(切口)。切口係藉由測定任意10個部位處之間隔並將測定值進行算術平均而求出。將切口(平均值)為15 μm以上之情況評價為「良好」，將為50 μm以上之情況評價為「尤其良好」，將未達15 μm之情況評價為「不良」。
＜性能評價(切口不均一之抑制/切口之均一性)＞
如上所述地使切晶帶之一部分發生熱收縮後，利用顯微鏡，於複數個部位觀察帶黏晶片之晶片間之間隔(切口)。具體而言，於如上所述地測定晶片間之間隔(切口)之部分，觀察因割斷而成為矩形狀之複數個晶片間之切口。更具體而言，觀察於彼此正交之各晶片之兩條邊分別延伸之方向(A方向及B方向)上相鄰之4個晶片組中的晶片間之切口。根據於A方向及B方向上分別延伸之切口(切割線)是否為直線狀來評價切口之均一性。將切割線於A方向及B方向上均成為直線狀(看起來呈十字架狀)之情況判定為「良好」。另一方面，將切割線於A方向或B方向之任一方向上彎曲之情況判定為「不良」。
由上述評價結果可把握，實施例之切晶黏晶膜與比較例之切晶黏晶膜相比，能夠於擴展步驟後使半導體晶片間之切口充分隔開、及能夠抑制切口因部位而不均一。
實施例之切晶黏晶膜中，切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上。
藉由於製造半導體裝置時使用具有此種構成之實施例之切晶黏晶膜，能夠效率良好地製造半導體裝置。於半導體裝置之製造中，於擴展步驟中，拉伸切晶帶並將半導體晶圓小片化。並且，於擴展步驟之後，例如一邊使加熱用加熱器等沿小片化之複數個半導體晶片組之外周於一個方向上移動，一邊對複數個半導體晶片組之周圍部分之切晶帶進行加熱，藉此使其發生熱收縮。藉由如此於半導體晶片組之周圍部分使切晶帶發生熱收縮，而能夠減弱切晶帶於被拉伸之方向之反方向上收縮的力。與切晶帶收縮之力減弱相應地，能夠保持暫時擴大之相鄰之半導體晶片之間隔(切口)。此時，藉由如上述實施例般使切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上，能夠充分地抑制擴展步驟後之切晶帶之外周部分之鬆弛。因此，能夠抑制與複數個半導體晶片組重疊之切晶帶之中央部分收縮而復原，能夠使半導體晶片間之切口充分隔開。
又，藉由如上述實施例般使切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10 MPa以上，而於切晶帶中之被加熱處理之部分中混合存在最初被加熱而溫度更低之部位與最後被加熱而溫度更高之部位(例如120℃附近)。如上所述，於切晶帶中，即使受到加熱處理之部分中存在溫度差，亦由於高溫部分之彈性模數較大，故能抑制與複數個半導體晶片組重疊之部分(中央部分)之切晶帶如上所述要收縮時之力的不均一。因此，認為能夠抑制半導體晶片組中之切口因部位而不均一。
[產業上之可利用性]
本發明之切晶黏晶膜例如適宜地用作製造半導體裝置(半導體積體電路)時之輔助用具。
1:切晶黏晶膜
10:黏晶片
20:切晶帶
21:基材層
21a:第1基材層
21b:第2基材層
21c:第3基材層
22:黏著劑層
G:背面研磨帶
H:保持器
J:吸附治具
K:研削墊
L:引線
M:熱固性樹脂
P:頂銷構件
R:切晶環
S:加熱器
U:頂起構件
W:半導體晶圓
X:半導體晶片
Z:被接著體
圖1係將本實施方式之切晶黏晶膜沿著厚度方向切斷之剖視圖。
圖2係將本實施方式之切晶黏晶膜中之切晶帶之基材層之一例沿著厚度方向切斷的剖視圖。
圖3A係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之隱形切割步驟之情況的剖視圖。
圖3B係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之隱形切割步驟之情況的剖視圖。
圖3C係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之隱形切割步驟之情況的剖視圖。
圖3D係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之背面研磨步驟之情況的剖視圖。
圖4A係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之安裝步驟之情況的剖視圖。
圖4B係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之安裝步驟之情況的剖視圖。
圖5A係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之低溫下之擴展步驟之情況的剖視圖。
圖5B係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之低溫下之擴展步驟之情況的剖視圖。
圖5C係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之低溫下之擴展步驟之情況的剖視圖。
圖6A係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之常溫下之擴展步驟之情況的剖視圖。
圖6B係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之常溫下之擴展步驟之情況的剖視圖。
圖7係自半導體晶片之厚度方向之一側觀察半導體裝置之製造方法中的擴展步驟後之加熱處理之情況的模式圖。
圖8係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之拾取步驟之情況的剖視圖。
圖9係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之黏晶步驟及引線接合步驟之情況的剖視圖。
圖10係模式性地表示半導體裝置之製造方法中之密封步驟之情況的剖視圖。
1:切晶黏晶膜
10:黏晶片
20:切晶帶
21:基材層
22:黏著劑層
Claims (8)
- 一種切晶黏晶膜，其具備： 切晶帶，其具有基材層及重疊於該基材層之黏著劑層；及黏晶片，其重疊於該切晶帶； 上述切晶帶於120℃下之彈性模數為0.10MPa以上， 上述切晶帶於120℃下之熱收縮率為6%以上。
- 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述基材層包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂及聚丙烯樹脂。
- 如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述基材層由複數個層構成。
- 如請求項3之切晶黏晶膜，其中上述基材層由3層以上構成。
- 如請求項4之切晶黏晶膜，其中上述基材層由第1基材層、第2基材層及第3基材層堆疊而成之3層構成， 分別配置於上述基材層之一表面側及另一表面側之上述第1基材層及上述第3基材層均包含聚丙烯樹脂，配置於上述第1基材層及上述第3基材層之間之上述第2基材層包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂。
- 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述第1基材層及上述第3基材層中之至少一者進而包含抗靜電劑。
- 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述第1基材層及上述第3基材層各自獨立地具有1 μm以上且15 μm以下之厚度，上述第2基材層具有70 μm以上且120 μm以下之厚度。
- 如請求項3之切晶黏晶膜，其中構成上述基材層之複數個層之面中距離上述黏著劑層最遠之面的表面電阻率為1.00×10 9[Ω/sq.]以上且1.00×10 12[Ω/sq.]以下。
Applications Claiming Priority (2)
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| JP2021208223A JP2023092918A (ja) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | ダイシングダイボンドフィルム |
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2021
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