TW202331870A - 基板載置機構、檢查裝置、及檢查方法 - Google Patents
基板載置機構、檢查裝置、及檢查方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202331870A TW202331870A TW111134887A TW111134887A TW202331870A TW 202331870 A TW202331870 A TW 202331870A TW 111134887 A TW111134887 A TW 111134887A TW 111134887 A TW111134887 A TW 111134887A TW 202331870 A TW202331870 A TW 202331870A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- temperature
- heating
- temperature controller
- control
- electronic component
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 163
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
提供一種能以短時間且簡單地進行在檢查基板上所形成的複數電子元件時之電子元件的溫度控制之基板載置機構、檢查裝置及檢查方法。
一種基板載置機構,係具備會載置基板之台座、會控制台座上之基板的電子元件的溫度之溫度控制部;台座係具有頂板、被分割為複數加熱區之加熱部、及複數溫度感測器,溫度控制部具有:第1溫度控制器,係依據相對應之溫度感測器的檢測值來控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個加熱區的輸出,以控制檢查中之電子元件的溫度,以及第2溫度控制器,係依據相對應之溫度感測器的檢測值來控制檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個加熱區的輸出,以控制該電子元件的溫度。
Description
本揭露係關於一種基板載置機構、檢查裝置及檢查方法。
半導體製程中會使用在將形成有電子元件之基板載置於載置台之狀態下進行電子元件的電性特性等檢查之檢查裝置。專利文獻1揭示一種檢查裝置,其係構成為會針對載置有被檢查對象的基板之載置台,使基板載置面在徑向上被區劃為複數區域,且於複數區域分別設置有加熱器。然後,專利文獻1之檢查裝置係具有控制部,該控制部會針對基板載置面之複數區域中的最中心區域進行反饋控制來使其成為設定溫度,且針對較基板載置面之複數區域中的最中心區域更靠外側之區域進行反饋控制,以使與鄰接於徑向內側之區域的溫差成為預先設定的值。
又,專利文獻2揭示一種在相同的檢查裝置中,使用複數LED作為加熱機構來對複數區域進行溫度控制之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2020-191332號公報
專利文獻2:日本特開2019-153717號公報
本揭露係提供一種能以短時間且簡單地進行在檢查基板上所形成的複數電子元件時之電子元件的溫度控制之基板載置機構、檢查裝置及檢查方法。
本揭露之一樣態相關之載置機構為一種基板載置機構,係會在依序對設置於基板的複數電子元件進行檢查之檢查裝置中載置基板,具備:台座,係載置設置有複數電子元件之基板;以及溫度控制部,係控制該台座上之該基板的該電子元件的溫度;該台座係具有:頂板,係具有該基板的載置面;加熱部,係加熱該頂板;以及複數溫度感測器,係設置於該頂板;該加熱部係被分割為複數加熱區;該溫度控制部係具有:第1溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的溫度;以及第2溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件的溫度。
依據本揭露,係提供一種能以短時間且簡單地進行在檢查基板上所形成的複數電子元件時之電子元件的溫度控制之基板載置機構、檢查裝置及檢查方法。
以下,參照添附圖式來針對實施型態加以說明。
<檢查裝置>
首先,針對一實施型態相關之檢查裝置加以說明。
圖1係顯示一實施型態相關之檢查裝置的概略構成之立體圖,圖2係以剖面來顯示圖1之檢查裝置的一部分之前視圖。
如圖1及圖2所示,檢查裝置1係用以對形成於作為基板的晶圓W之複數電子元件分別進行電性特性檢查,具備檢查部2、裝載器3及測試器4。
檢查部2係於內部具有空洞的框體11,框體11內係具有會載置檢查對象的晶圓W之台座20。台座20係具備具有供載置晶圓W的載置面來吸附固定晶圓W之頂板21、進行頂板21的加熱之加熱部24、進行頂板21的冷卻之冷卻部25、以及設置於頂板21之複數溫度感測器26。台座20係構成為會藉由移動機構16而在水平方向及鉛直方向移動自如。加熱部24及冷卻部25係藉由溫度控制部23受到控制,台座20及溫度控制部23構成了基板載置機構10。有關基板載置機構10的細節將詳敘於後。
在檢查部2之台座20的上方,以對向於該台座20之方式配置有探針卡12。探針卡12係具有為接觸端子之複數探針12a。又,探針卡12係透過介面13而連接於測試器4。當各探針12a接觸於晶圓W之各電子元件的電極之際,各探針12a會透過介面13將電力從測試器4朝電子元件供應,或透過介面13將來自電子元件的訊號朝測試器4傳達。於是,介面13及探針12a便具有會將電力(功率)供應至電子元件之供應構件的功能。
裝載器3係具有框體14,框體14內係配置有收納有晶圓W之搬送容器,即FOUP(圖中未顯示)。又,裝載器3係具有搬送裝置(圖中未顯示),藉由搬送裝置來取出被收納在FOUP的晶圓W並朝檢查部2的台座20搬送。又,藉由搬送裝置來搬送已結束電性特性檢查後之台座20上的晶圓W並朝FOUP收納。
又,裝載器3的框體14內係設置有會進行檢查對象之電子元件的溫度控制等各種控制之控制部15。
控制部15係由電腦所構成,具有會控制檢查裝置1的各構成部之主控制部,而藉由主控制部來控制檢查裝置之各構成部的動作。又,控制部15係具有輸入裝置、輸出裝置、顯示裝置及記憶裝置。主控制部所致之各構成部的控制係藉由內建在記憶裝置之記憶媒體(硬碟、光碟、半導體記憶體等)所記憶的控制程式(即處理配方)而被執行。又,控制部15會控制溫度控制部23。此外,控制部15的配置位置不限於框體14內,亦可設置於例如檢查部2的框體11內。
檢查部2的框體11係設置有構成控制部15的一部分之使用者介面部18。使用者介面部18係用以向使用者顯示資訊或供使用者輸入指示,例如,由觸控面板或鍵盤等輸入部及液晶顯示器等顯示部所構成。
測試器4係具有會重現搭載有電子元件之主機板之電路構成的一部分之測試板(省略圖示)。測試板係連接於會依據來自檢查對象之電子元件的訊號來判斷該電子元件的良窳之測試電腦17。測試器4可藉由更換上述測試板來重現複數種主機板的電路構成。
此外,探針卡12、介面13、測試器4係構成檢查機構。
在電子元件的電性特性檢查之際,測試電腦17會將資料傳送至透過各探針12a來與電子元件連接之測試板。然後,測試電腦17會依據來自該測試板的電氣訊號來判定所傳送之資料是否已藉由該測試板來被正確地處理。
為檢查對象基板之晶圓W例如圖3所示,係具有藉由對略圓板狀的矽基板施予蝕刻處理或佈線處理而彼此相距特定間隔地形成於其表面之複數電子元件D。電子元件D的表面係形成有電極E,該電極E係電連接於該電子元件D內部的電路元件。藉由對電極E施加電壓,可使電流流往各電子元件D內部的電路元件。
<基板載置機構>
接著,針對基板載置機構10詳細地說明。圖4係顯示基板載置機構10的一範例之剖面圖。基板載置機構10如上所述,係具有台座20及溫度控制部23。
台座20如上所述,係具有頂板21、加熱部24、冷卻部25及複數溫度感測器26。圖4中,雖係於頂板21下設置有加熱部24,於加熱部24下設置有冷卻部25,但加熱部24與冷卻部25亦可為相反。
頂板21係對應於例如晶圓W而呈圓板狀,由Cu、Al、SiC、AlN、碳纖般之熱傳導率高的材料所形成。藉由以熱傳導率高的材料來形成頂板21,可提高溫控精度及效率。
加熱部24為內建有加熱源31之板狀體,藉由加熱源31來加熱頂板21。加熱部24被分割為複數個(3個以上)加熱區32,加熱源31亦是對應於各加熱區32被加以分割,而構成為可分別獨立地加熱複數加熱區32。複數加熱區32係分別對應於複數溫度感測器26來加以設置。
作為加熱源31,例如圖5所示,可使用形成為特定圖案之電阻加熱器。作為電阻加熱器,可使用以網版印刷方式來將銅箔印刷在聚合物上,再將其蝕刻成特定形狀者。
冷卻部25為於內部形成有冷卻介質流道35之板狀體,係構成為會將冷卻水等冷卻介質從冷卻介質供應源36循環供應至冷卻介質流道35。
複數溫度感測器26係設置於頂板21的內部,且嵌入至頂板21所形成的孔。作為溫度感測器26,可使用例如RTD(測溫阻抗體)感測器。作為溫度感測器26,也可以使用例如使用熱電耦或二極體、電晶體等之PN接面等之其他的溫度感測器。複數溫度感測器26亦可以被安裝在定位單元之狀態下總括地配置於測定位置。定位單元可藉由可撓性基板來加以構成。
加熱控制部23會控制頂板21所載置之晶圓W的電子元件D的溫度,具有主控制部41、感測器選擇部42及加熱選擇部43。
主控制部41會依據來自控制部15的指令,將感測器選擇訊號施加在感測器選擇部42,且將會選擇被選擇出之溫度感測器26相對應的加熱區32之訊號施加在加熱選擇部43。又,主控制部41係具有第1溫度控制器45a及第2溫度控制器45b,該等溫度控制器會依據來自溫度感測器26的訊號來控制從電源50被輸出至加熱部24的加熱區32之電壓。第1溫度控制器45a及第2溫度控制器45b雖未特別限制,可適當地使用PID控制器。又,主控制部41會控制被供應至冷卻部25之冷卻介質的供應量或溫度等。
感測器選擇部42會依據感測器選擇訊號來選擇複數溫度感測器26中最接近檢查中的電子元件D(第1電子元件)者,以及最接近其下一個或其後被檢查之電子元件D(第2電子元件)者,從該等所選擇之2個溫度感測器26將檢測訊號分別傳送至第1溫度控制器45a及第2溫度控制器45b。
加熱選擇部43會選擇會被施加從第1溫度控制器45a及第2溫度控制器45b所輸出的控制電壓之加熱區32。該選擇如上所述,係依據來自主控制部41的選擇訊號而進行。將由第1溫度控制器45a受到控制之電壓施加在藉由加熱選擇部43所選擇之1個或複數個加熱區32的加熱源31,以將檢查中之第1電子元件的溫度控制為所欲溫度。又,將由第2溫度控制器45b受到控制之電壓施加在藉由加熱選擇部43所選擇之1個或複數個加熱區32的加熱源31,以將其下一個或其後被檢查之第2電子元件的溫度控制為所欲溫度。
當作為對象之電子元件D係位在2個加熱區32的邊界般之情況,較佳宜將電壓施加在複數加熱區32的加熱源31,此時較佳宜對應於電子元件D的位置來分配複數加熱區32的功率(電壓)。又,當其下一個或其後被測定之電子元件D係對應於相同加熱區的情況,亦可藉由第2溫度控制器45b來進行再下一個電子元件D所相對應之加熱區32的溫度控制。
圖6係顯示被分割為複數加熱區之加熱部24、主控制部41的第1溫度控制器45a及第2溫度控制器45b、以及加熱選擇部43的具體電路構成一範例之電路圖。本例中,加熱部24係具備具有加熱源31之複數加熱區32
1、32
2、32
3、….、32
f。加熱選擇部43係具有分別連接於複數加熱區32
1~32
f之複數第1固態繼電器(SD)46
11~46
1f與同樣地分別連接於複數加熱區32
1~32
f之複數第2固態繼電器(SD)46
21~46
2f。第1溫度控制器45a係連接於第1固態繼電器(SD)46
11~46
1f,第2溫度控制器45b係連接於第2固態繼電器(SD)46
21~46
2f。然後,藉由使第1固態繼電器(SD)46
11~46
1f的1個或複數個為開啟,來選擇加熱區32
1~32
f當中被施加有來自第1溫度控制器45a的控制電壓者。又,藉由使第2固態繼電器(SD)46
21~46
2f的1個或複數個為開啟,來選擇加熱區32
1~32
f當中被施加有來自第2溫度控制器45b的控制電壓者。
當加熱選擇部43係如此般地由複數固態繼電器所構成之情況,藉由將加熱選擇部43配置在加熱部24的正下方,可使固態繼電器到加熱區32的加熱源31之佈線為最小。
此外,固態繼電器為開關元件一範例,作為開關元件,不限於固態繼電器,亦可為例如開關電晶體等。
圖7係顯示台座所設置之複數溫度感測器與複數加熱區的一關係例之圖。本例中,加熱部24係具有16個加熱區32
1~32
16。加熱區32
1~32
12為外周側,加熱區32
13~32
16為中心側。頂板21係對應於該等加熱區32
1~32
16而設置有16個溫度感測器26
1~26
16。
例如圖7中,當電子元件D
1為檢查中,電子元件D
2是下一個檢查對象的情況,係依下述方式進行控制。亦即,電子元件D
1所相對應的加熱區32
13係依據溫度感測器26
13的檢測值由第1溫度控制器45a進行溫度控制,且依據電子元件D
2所相對應之加熱區32
4的檢測值由第2溫度控制器45b進行溫度控制。
<檢查裝置所進行之檢查處理>
接著,針對使用檢查裝置1來對晶圓W進行檢查處理之一範例加以說明。
首先,藉由搬送裝置將晶圓W從裝載器3的FOUP取出並搬送、載置於台座20。接著,使台座20移動至特定位置。
在此狀態下,藉由讓台座20的上方所設置之探針12a與晶圓W之檢查對象的電子元件D的電極E接觸來開始檢查。在檢查之際,為了確保電子元件D在作動環境下的作動,會對檢查中的電子元件D進行溫度控制。檢查係對複數電子元件D連續進行。
此時的溫度控制係藉由下述方式進行,先調整在冷卻部25流通之冷卻介質的流量等以調整台座20的基礎溫度後,再控制加熱部24所致之加熱。加熱部24所致之檢查中之電子元件D的溫度控制係使用複數配置之溫度感測器26當中最接近檢查中的電子元件D之溫度感測器26的訊號來進行。然後,藉由將由第1溫度控制器45a受到控制之電壓施加在檢查中的電子元件D所相對應之1個或複數個加熱區32的加熱源31,以對檢查中的電子元件進行溫度控制。
近年來,伴隨著半導體元件被要求高速化、高度集成化,檢查時的溫度控制亦被要求高精度。針對此要求,本實施型態中,係配置複數個溫度感測器26,並使用最接近所檢查的電子元件之溫度感測器26的訊號來進行溫度控制。
針對其下一個之後的電子元件,亦可使用最接近之溫度感測器26的訊號來進行溫度控制,以進行高精度的溫度控制。此情況下,即使加熱部24的溫度控制為1個區域,仍能實現高精度的溫度控制。
然而,當電子元件D為高發熱元件之情況,發熱會對溫度控制造成影響,由於會使對加熱器的施加電壓減少,在加熱部24的溫度控制為1個區域之情況,會發生下一元件的溫度降低,而有因復機的待機時間導致產能降低之情況。
針對這一點,說明於下。
如圖8所示,當依序進行複數電子元件D之高溫下的檢查之情況,下一個被檢查的電子元件D會因之前被檢查之電子元件D的熱影響而發生溫度上升。於是,下一電子元件D之溫度控制時的升溫量便會非常微少,即使加熱部24的溫度控制為1個區域,幾乎不會產生用於溫度控制之待機時間。然而,當隨機檢查的情況,如圖9所示,亦會有檢查中的電子元件D
1與下一個被檢查的電子元件D
2為遠離之情況。上述般之情況下,由於電子元件D
2幾乎不會受到電子元件D
1的發熱影響,故加熱部24的溫度控制在1個區域中,在控制電子元件D
2的溫度時之溫度上升的幅度便會變大,使得溫度控制的時間變長。於是,檢查的產能便會降低。
是以,本實施型態中,係將加熱部24分割為複數加熱區32,以第1溫度控制器45a來控制檢查中的電子元件D所相對應之1個或複數個加熱區32的輸出,且以第2溫度控制器45b來控制其下一個或其後被檢查之電子元件D所相對應之1個或複數個加熱區32的輸出。更具體而言,第1溫度控制器45a會依據檢查中的電子元件D所相對應(最接近)之溫度感測器26的檢測值,來控制所相對應之1個或複數個加熱區32的加熱源31的輸出,以控制檢查中之電子元件D的溫度。第2溫度控制器45b會依據其下一個或其後被檢查之電子元件D所相對應(最接近)之溫度感測器的檢測值,來控制所相對應之1個或複數個加熱區32的加熱源31的輸出,以控制其下一個或其後被檢查之電子元件D的溫度。
舉例,如上述圖7所示,檢查中的電子元件D
1所相對應的加熱區32
13係依據溫度感測器26
13的檢測值由第1溫度控制器45a進行溫度控制,且依據下一個被檢查之電子元件D
2所相對應之加熱區32
4的檢測值由第2溫度控制器45b進行溫度控制。又,當其下一個或其後所測定之電子元件D係對應於相同加熱區的情況,藉由進行再下一個電子元件D所相對應之加熱區32的溫度控制,便可獲得相同的效果。藉此,即便是下一個或其之後被檢查之電子元件與檢查中的電子元件為遠離的,仍能以短時間來進行溫度控制。
另一方面,將加熱部分割為複數加熱區亦已記載於專利文獻1、2中。然而專利文獻1、2中係藉由所分別相對應之溫度控制器來控制複數加熱區的溫度,控制系統會變得複雜且費用變高。
相對於此,本實施型態中,由於只要進行檢查中之電子元件的溫度控制與其下一個或其後之電子元件的溫度控制即可,故不須在每個加熱區皆設置溫度控制器。亦即,本實施型態中,係使用會進行檢查中之電子元件D的溫度控制之第1溫度控制器45a與會進行其下一個或其後被檢查之第2電子元件的溫度控制之第2溫度控制器45b,並以加熱選擇部43來選擇藉由該等溫度控制器而受到控制之加熱區32。是以,可較專利文獻1、2的技術更為簡化控制系統,從而可抑制費用上升。
又,專利文獻2係使用配置有複數個具有複數LED來作為加熱部的單元之裝置,且藉由對該等複數單元進行溫度控制來使熱阻及熱容為最小,以實現高速高精度下的溫度控制,適合高價且高功率密度之電子元件的檢查。相對於此,本實施型態中係顯示使用電阻加熱器來作為加熱部24的加熱源31之範例,且採用使用電阻加熱器來進行上述般溫度控制之構成,藉此,對於較便宜之中等程度的功率密度之電子元件,便能以短時間且以低費用來簡單地進行針對隨機檢查之溫度控制。
<其他應用>
以上,已針對實施型態加以說明,惟本說明書所揭示之實施型態應被認為在所有方面僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離申請專利範圍及其要旨之範圍內,以各種型態來做省略、置換或變更。
例如,上述實施型態中,係顯示使用第1溫度控制器與第2溫度控制器之範例,該第1溫度控制器會控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個加熱區,該第2溫度控制器會控制其下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個加熱區的溫度。然並未侷限於此,亦可設置有第3溫度控制器,該第3溫度控制器會控制再更之後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個加熱區的溫度。藉此,便可更加對檢查中之電子元件後續的更多電子元件進行溫度控制,從而可更加縮短控制時間且可提高溫度控制的精度。可適當地使用PID控制器來作為第3溫度控制器。第3溫度控制器亦可為複數個。此外,第1溫度控制器、第2溫度控制器、第3溫度控制器的總數量須少於加熱區的數量。
又,上述實施型態中,雖係顯示使用電阻加熱器來作為加熱部的加熱源之範例,然並未侷限於此,亦可為LED等其他加熱源。進一步地,基板不限於晶圓,只要是形成有複數電子元件者即可。
1:檢查裝置
2:檢查部
3:裝載器
4:測試器
10:基板載置機構
12:探針卡
12a:探針
13:介面
15:控制部
16:移動機構
20:台座
21:頂板
23:溫度控制部
24:加熱部
25:冷卻部
26:溫度感測器
31:加熱源
32:加熱區
41:主控制部
42:感測器選擇部
43:加熱選擇部
45a:第1溫度控制器
45b:第2溫度控制器
50:電源
46
11~46
1f、46
21~46
2f:固態繼電器(開關元件)
D、D
1、D
2:電子元件
W:晶圓(基板)
圖1係顯示一實施型態相關之檢查裝置的概略構成之立體圖。
圖2係以剖面來顯示圖1之檢查裝置的一部分之前視圖。
圖3係概略顯示為檢查對象基板之晶圓的構成之俯視圖。
圖4係顯示一實施型態相關之檢查裝置所使用的基板載置機構一範例之剖面圖。
圖5係顯示作為加熱源使用之電阻加熱器的構造之圖。
圖6係顯示被分割為複數加熱區之加熱部、主控制部的第1溫度控制器及第2溫度控制器、以及加熱選擇部的具體電路構成一範例之電路圖。
圖7係顯示台座所設置之複數溫度感測器與複數加熱區的一關係例之圖。
圖8為說明依序進行複數電子元件的檢查之情況的一範例之示意圖。
圖9為說明隨機進行複數電子元件的檢查之情況的一範例之示意圖。
20:台座
21:頂板
23:溫度控制部
24:加熱部
25:冷卻部
26:溫度感測器
31:加熱源
32:加熱區
35:冷卻介質流道
36:冷卻介質供應源
41:主控制部
42:感測器選擇部
43:加熱選擇部
45a:第1溫度控制器
45b:第2溫度控制器
50:電源
Claims (20)
- 一種基板載置機構,係會在依序對設置於基板的複數電子元件進行檢查之檢查裝置中載置基板,具備: 台座,係載置設置有複數電子元件之基板;以及 溫度控制部,係控制該台座上之該基板的該電子元件的溫度; 該台座係具有: 頂板,係具有該基板的載置面; 加熱部,係加熱該頂板且被分割為複數加熱區;以及 複數溫度感測器,係設置於該頂板; 該溫度控制部係具有: 第1溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的溫度;以及 第2溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件的溫度。
- 如申請專利範圍第1項之基板載置機構,其中該溫度控制部係具有: 感測器選擇部,係選擇該溫度感測器; 加熱選擇部,係選擇該加熱區;以及 主控制部,係將選擇溫度感測器之訊號施加在該感測器選擇部,將選擇加熱區之訊號施加在該加熱選擇部,且具有該第1溫度控制器及該第2溫度控制器。
- 如申請專利範圍第2項之基板載置機構,其中該加熱選擇部係具有分別對應於該複數加熱區來加以設置且連接於該第1溫度控制器之複數第1開關元件,以及分別對應於該複數加熱區來加以設置且連接於該第2溫度控制器之複數第2開關元件。
- 如申請專利範圍第3項之基板載置機構,其中該第1及第2開關元件為固態繼電器。
- 如申請專利範圍第2至4項中任一項之基板載置機構,其中該加熱選擇部係配置在該加熱部的正下方。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板載置機構,其中該台座係另具有會冷卻該頂板之冷卻部,該溫度控制部會控制該冷卻部。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板載置機構,其中該第1溫度控制器及該第2溫度控制器為PID控制器。
- 如申請專利範圍第1項之基板載置機構,其中該溫度控制部係另具有第3溫度控制器,該第3溫度控制器會依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制藉由該第2溫度控制器而被控制溫度之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制藉由該第2溫度控制器而被控制溫度之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件的溫度;該第1溫度控制器、該第2溫度控制器及該第3溫度控制器的總數量係少於該加熱區的數量。
- 如申請專利範圍第8項之基板載置機構,其中該第1溫度控制器及該第2溫度控制器及該第3溫度控制器為PID控制器。
- 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板載置機構,其中該加熱部的加熱源為電阻加熱器。
- 一種檢查裝置,係依序對設置於基板的複數電子元件進行檢查,具備: 基板載置機構,係包含有台座,該台座係載置設置有複數電子元件的基板;以及 檢查機構,係使探針電性接觸於該台座上的基板所設置之該電子元件來檢查該電子元件; 該基板載置機構係另具備會控制該台座上之該基板的該電子元件的溫度之溫度控制部; 該台座係具有: 頂板,係具有該基板的載置面; 加熱部,係加熱該頂板;以及 複數溫度感測器,係設置於該頂板; 該加熱部係被分割為複數加熱區, 該溫度控制部係具有: 第1溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的溫度;以及 第2溫度控制器,係依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件的溫度。
- 如申請專利範圍第11項之檢查裝置,其中該溫度控制部係具有: 感測器選擇部,係選擇該溫度感測器; 加熱選擇部,係選擇該加熱區;以及 主控制部,係將選擇溫度感測器之訊號施加在該感測器選擇部,將選擇加熱區之訊號施加在該加熱選擇部,且具有該第1溫度控制器及該第2溫度控制器。
- 如申請專利範圍第12項之檢查裝置,其中該加熱選擇部係具有分別對應於該複數加熱區來加以設置且連接於該第1溫度控制器之複數第1開關元件,以及分別對應於該複數加熱區來加以設置且連接於該第2溫度控制器之複數第2開關元件。
- 如申請專利範圍第13項之檢查裝置,其中該第1及第2開關元件為固態繼電器。
- 如申請專利範圍第12至14項中任一項之檢查裝置,其中該加熱選擇部係配置在該加熱部的正下方。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之檢查裝置,其中該台座係另具有會冷卻該頂板之冷卻部,該溫度控制部會控制該冷卻部。
- 如申請專利範圍第11至16項中任一項之檢查裝置,其中該第1溫度控制器及該第2溫度控制器為PID控制器。
- 如申請專利範圍第11項之檢查裝置,其中該溫度控制部係另具有第3溫度控制器,該第3溫度控制器會依據該複數溫度感測器中相對應者的檢測值來控制藉由該第2溫度控制器而被控制溫度之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制藉由該第2溫度控制器而被控制溫度之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件的溫度;該第1溫度控制器、該第2溫度控制器及該第3溫度控制器的總數量係少於該加熱區的數量。
- 如申請專利範圍第18項之檢查裝置,其中該第1溫度控制器及該第2溫度控制器及該第3溫度控制器為PID控制器。
- 一種檢查方法,係依序對設置於基板的複數電子元件進行檢查,具有以下工序: 將設置有複數電子元件的基板載置於台座上之工序; 藉由檢查機構來依序檢查該複數電子元件之工序;以及 在該檢查之工序時會對該電子元件進行溫度控制之工序; 該台座具有:頂板,係具有該基板的載置面,以及加熱部,係加熱該頂板; 該加熱部係被分割為複數加熱區; 該溫度控制之工序係控制檢查中的電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出來進行該檢查中之電子元件的溫度控制,且控制該檢查中之電子元件的下一個或其後被檢查之電子元件所相對應之1個或複數個該加熱區的輸出,以控制該檢查中的電子元件的下一個或其後被檢查之該電子元件的溫度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-155287 | 2021-09-24 | ||
JP2021155287A JP2023046600A (ja) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 基板載置機構、検査装置、および検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202331870A true TW202331870A (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=85720644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111134887A TW202331870A (zh) | 2021-09-24 | 2022-09-15 | 基板載置機構、檢查裝置、及檢查方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023046600A (zh) |
KR (1) | KR20240053003A (zh) |
CN (1) | CN117941047A (zh) |
TW (1) | TW202331870A (zh) |
WO (1) | WO2023047999A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6415858B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
JP2001210683A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバのチャック機構 |
JP4121361B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2008-07-23 | 住友重機械工業株式会社 | チャック温度制御方式 |
JP4613589B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体試験装置 |
JP4911954B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-04-04 | 株式会社東京精密 | プローバ |
JP7300310B2 (ja) | 2019-05-20 | 2023-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度調整方法、検査装置及び載置台 |
-
2021
- 2021-09-24 JP JP2021155287A patent/JP2023046600A/ja active Pending
-
2022
- 2022-09-12 WO PCT/JP2022/034025 patent/WO2023047999A1/ja active Application Filing
- 2022-09-12 CN CN202280062354.1A patent/CN117941047A/zh active Pending
- 2022-09-12 KR KR1020247011980A patent/KR20240053003A/ko unknown
- 2022-09-15 TW TW111134887A patent/TW202331870A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023047999A1 (ja) | 2023-03-30 |
CN117941047A (zh) | 2024-04-26 |
JP2023046600A (ja) | 2023-04-05 |
KR20240053003A (ko) | 2024-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11340283B2 (en) | Testing device | |
US10295590B2 (en) | Probe card with temperature control function, inspection apparatus using the same, and inspection method | |
JP2007019094A (ja) | 半導体試験装置 | |
JP7300310B2 (ja) | 載置台の温度調整方法、検査装置及び載置台 | |
KR102623795B1 (ko) | 탑재대의 온도 조정 방법 및 검사 장치 | |
JP2003344498A (ja) | 半導体試験装置 | |
JP4514787B2 (ja) | 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法 | |
TW202331870A (zh) | 基板載置機構、檢查裝置、及檢查方法 | |
JP2005347612A (ja) | ウェハトレイ及びウェハバーンインユニット、それを用いたウェハレベルバーンイン装置並びに半導体ウェハの温度制御方法 | |
JP7345320B2 (ja) | 検査装置及びプローブカードの温度調整方法 | |
JP7474678B2 (ja) | 載置台、検査装置及び検査方法 | |
JP2022032473A (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
JP2005101387A (ja) | ウェハバーンイン装置 | |
KR20210114481A (ko) | 히터의 온도 제어 방법, 히터 및 탑재대 | |
CN112119487A (zh) | 检查装置和温度控制方法 |