CN112119487A - 检查装置和温度控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的检查装置包括：能够载置形成有电子器件的基片载置台，其中，与基片侧相反的一侧由光透射材料形成，并且具有供可透射光的致冷剂流过的致冷剂流路；光照射机构，其以与载置台的跟基片侧相反的一侧对置的方式配置，具有面向基片的多个LED；和控制部，其控制由该致冷剂进行的吸热和由LED进行的加热，控制作为检查对象的电子器件的温度，该控制部具有：温度信息获取部，其获取检查对象的温度的信息；加热控制部，其通过基于当前检查对象的温度的闭环控制，进行LED对检查对象的加热的控制；吸热控制部，其基于过去的检查中的电子器件的温度的变迁，推断下次检查时对检查对象施加的电功率的变迁，通过基于推断出的电功率的变迁的开环控制，进行下次检查时的致冷剂从检查对象的吸热的控制。

Description

检查装置和温度控制方法
技术领域
(关联申请的相互参照)
本申请基于2018年5月23日在日本申请的日本特愿2018-098705号主张优先权，将其内容援引于此。
本公开涉及检查装置环温度控制方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种检查装置，其考虑IC芯片被使用的气候条件，在各种温度条件下进行形成有IC芯片的半导体晶片的电气检查。专利文献1的检查装置具有载置半导体晶片的载置台和加热载置台的加热器，在载置台形成有供给冷却该载置台的低温空气的气体流路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-135315号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本公开的技术提供一种能够抑制电子器件的成本高的电子器件检查装置及该检查装置中的温度控制方法。
用于解决技术问题的技术方案
本公开的一实施方式为一种检查电子器件的检查装置，包括：能够载置形成有上述电子器件的基片的载置台，其中，与上述基片的载置侧相反的一侧由光透射材料形成，并且在内部具有供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；光照射机构，其以与上述载置台的跟上述基片的载置侧相反的一侧的面对置的方式配置，具有面向上述基片的多个LED；和控制部，其控制由流过上述致冷剂流路的致冷剂进行的吸热和由来自上述LED的光进行的加热，控制作为检查对象的上述电子器件的温度，上述控制部具有：温度信息获取部，其获取作为检查对象的电子器件的温度的信息；加热控制部，其通过基于作为当前检查对象的上述电子器件的温度的闭环控制，进行来自上述LED的光对作为检查对象的上述电子器件的加热的控制；和吸热控制部，其基于过去的检查中的上述电子器件的温度的变迁，推断下次检查时对上述电子器件施加的电功率的变迁，通过基于上述推断出的上述电功率的变迁的开环控制，进行上述下次检查时的上述致冷剂从作为检查对象的上述电子器件的吸热的控制。
发明效果
依照本公开，能够提供一种能够抑制电子器件的成本高的电子器件检查装置及该检查装置中的温度控制方法。
附图说明
图1是表示本实施方式的检查装置的结构的概要的立体图。
图2是表示本实施方式的检查装置的结构的概要的正面图。
图3是概要地表示基片的结构的平面图。
图4是概要地表示工作台的结构的截面图。
图5是概要地表示光照射机构的结构的平面图。
图6是概要地表示图1的检查装置中的基片的温度测量用电路的结构的图。
图7是示意性地表示控制部的结构的概要的框图。
具体实施方式
首先，对专利文献1所记载的以往的检查装置进行说明。
在半导体制造工艺中，在半导体晶片(以下有时称为“晶片”)上形成具有规定的电路图案的大量电子器件。对所形成的电子器件进行电气特性等的检查，甄别合格品和次品。电子器件的检查例如是在各电子器件被分割前的晶片的状态下，使用检查装置进行的。如前所述，专利文献1的检查装置具有载置半导体晶片的载置台和加热载置台的加热器，在载置台形成有供给冷却该载置台的低温空气的气体流路。
然而，近年来，电子器件向高速化和微小化发展，集成度变高，工作时的发热量显著增大。因此，在晶片中的一个电子器件的检查中，有可能向相邻的其他电子器件施加热负荷，在该其他电子器件产生不良情况。
作为防止这种不良情况产生的方法，如专利文献1的检查装置那样，考虑用低温空气、加热器控制检查中的电子器件的温度，抑制向其他电子器件施加热负荷。但是，在使用了加热器、低温空气的情况下，虽然能够整体地控制晶片的温度，但是不能仅限于局部(例如，检查中的电子器件附近)地控制晶片的温度，抑制向其他电子器件施加热负荷。这是因为供给低温空气的气体流路和加热器难以小型化，难以对载置台局部地配置上述气体流路和加热器。
因此，例如，通过使对检查中的电子器件施加的电压比在安装环境中应施加的比较高的安装时电压小，避免向相邻的其他电子器件施加热负荷。但是，其结果是，在电子器件的封装前不能发现施加安装时电压的时候产生的不良情况，产生使封装后的成品率下降，导致成本高这样的问题。
下面，对用于抑制电子器件的成本高的、本实施方式的检查装置及该检查装置中的温度控制方法，参照附图进行说明。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
首先，对本实施方式的检查装置的结构进行说明。图1和图2分别是表示本实施方式的检查装置1的结构的概要的立体图和正面图。在图2中，为了表示图1的检查装置的后述的收纳室和装载器内含的构成要素，以截面示出其一部分。
检查装置1是进行形成于基片W的多个电子器件(参照后述的图3的附图标记D)各自的电气特性的检查的装置。如图1和图2所示，该检查装置1包括检查时收纳晶片的收纳室2、与收纳室2相邻配置的装载器3和以覆盖收纳室上方的方式配置的测试器4。
收纳室2是内部为空的壳体，具有载置作为检查对象的基片W的工作台10。工作台10吸附保持基片W使得基片W相对于该工作台10的位置不偏移。此外，工作台10构成为在水平方向和竖直方向上可移动，依照这样的结构，能够调整后述的探针卡11和基片W的相对位置以使基片W的表面的电极与探针卡11的探针11a接触。
在收纳室2中的该工作台10的上方，以与该工作台10对置的方式配置探针卡11。探针卡11具有探针11a，探针11a是与设置于基片W的电子器件的电极等电接触的接触端子。
此外，探针卡11经由接口12连接至测试器4。在各探针11a接触到基片W的各电子器件的电极时，各探针11a从测试器4经由接口12向电子器件供给电功率，或者将来自电子器件的信号经由接口12传递至测试器4。
装载器3取出收纳于作为输送容器的FOUP(省略图示)的基片W，并将其输送至收纳室2的工作台10。此外，装载器3从工作台10接收电子器件D的电气特性的检查结束了的基片W，并将其收纳至FOUP。
此外，装载器3具有：进行作为检查对象的电子器件的温度控制等各种控制的控制部13；和测量各电子器件的电位差生成电路(省略图示)中的电位差的电位差测量单元14。上述电位差生成电路例如是二极管、晶体管或电阻。电位差测量单元14经由配线15与接口12连接，获取接触与上述电位差生成电路对应的两个电极的两个探针11a之间的电位差。电位差测量单元14将获取到的电位差的信息传递至控制部13。接口12中的各探针11a和配线15的连接结构，在后文说明。也被称为基础单元的控制部13经由配线16与工作台10连接，基于上述电位差的信息来控制后述的光照射机构40和后述的调节去往载置台30的致冷剂的流量的流量控制阀。此外，控制部13和电位差测量单元14也可以设置于收纳室2，另外，电位差测量单元14还可以设置于探针卡11。
测试器4具有再现搭载电子器件的主板的电路结构的一部分的测试板(省略图示)。测试板与测试器计算机17连接，测试器计算机17基于来自电子器件的信号判断该电子器件良好与否。在测试器4中，通过替换上述测试板，能够再现多种主板的电路结构。
此外，检查装置1包括用于向用户显示信息并供用户输入指示的用户接口部18。用户接口部18例如由触摸面板、键盘等输入部和液晶显示器等显示部构成。
在具有上述各构成要素的检查装置1中，在检查电子器件的电气特性时，测试器计算机17向经由各探针11a与电子器件连接的测试板发送数据。而且，测试器计算机17基于来自该测试板的电信号，判断所发送的数据是否由该测试板正确处理了。
下面，对于作为上述的检查装置1的被检查体的基片W，使用图3进行说明。图3是概要地表示基片W的结构的平面图。
通过对基片W，例如对大致圆板状的硅基片等的晶片实施蚀刻处理、配线处理，如图3所示，多个电子器件D彼此隔开规定的间隔形成于表面形成。在电子器件D，即基片W的表面，形成有电极E，该电极E与该电子器件D的内部的电路元件电连接。通过向电极E施加电压，能够使电流流向各电子器件D的内部的电路元件。
下面，使用图4和图5，对工作台10的结构进行说明。图4是概要地表示工作台10的上部结构的截面图，图5是概要地表示后述的光照射机构40的结构的平面图。
如图4所示，工作台10在上部从上方依次具有载置台30和光照射机构40。载置台30是在其上表面载置基片W的部件。光照射机构40通过向载置台30的后述的盖部件31照射光，对基片W进行加热，来对形成于该基片W上的电子器件D进行加热。
载置台30，在基片W的载置侧即上侧具有盖部件31，在与基片W的载置侧相反的一侧即下侧具有有底部件32，盖部件31与有底部件32经由O形环33抵接。
盖部件31形成为圆板状，例如由SiC形成。SiC的导热系数和杨氏模量高，对来自光照射机构40的光的吸收效率也高。因此，通过用SiC形成盖部件31，在加热/冷却了该盖部件31时，能够高效地加热/冷却载置于该盖部件31的基片W。此外，通过用SiC形成盖部件31，能够防止在盖部件31产生裂纹等，而且能够用来自光照射机构40的光有效地加热盖部件31即基片W。此外，因为SiC能够使用生片(green sheet)法，所以加工性高，能够降低检查装置1的制造成本。
在盖部件31的上表面形成有用于真空吸附基片W的吸附孔(省略图示)。此外，在盖部件31，在俯视时彼此间隔开的位置埋设有多个温度传感器31a。
有底部件32形成为与盖部件31大致相同半径的圆板状，由使来自光照射机构40的光透射的光透射材料形成。在来自光照射机构40的光为近红外光的情况下，作为上述光透射材料，可以使用聚碳酸酯、石英、聚氯乙烯、丙烯酸树脂或玻璃。此外，因为这些材料容易加工和成型，所以能够降低检查装置1的制造成本。
此外，在有底部件32的上表面形成有用于使致冷剂在载置台30内部流动的槽，该槽被盖部件31覆盖而形成致冷剂流路32a。换言之，载置台30在其内部具有由盖部件31和有底部件32形成的致冷剂流路32a。在检查装置1中，通过用流过致冷剂流路32a的致冷剂冷却载置于载置台30上的基片W，冷却形成于该基片W的电子器件，即进行电子器件的吸热。
此外，在有底部件32的侧部形成有与致冷剂流路32a连通的供给口32b和排出口32c。在供给口32b，连接有对致冷剂流路32a供给致冷剂的致冷剂配管34，在排出口32c，连接有从致冷剂流路32a排出致冷剂的排出管35。在致冷剂配管34设置有控制对致冷剂流路32a供给的致冷剂的流量的流量控制阀36。此外，设置三通阀作为该流量控制阀36，也可以设置使致冷剂流路32a旁通那样的旁通流路。此外，在致冷剂流路32a和旁通流路的阀是可变流导阀的情况下，设致冷剂流路32a的流导为Cv，旁通流路的流导为Cvb时，使Cv+Cvb＝一定，由此能够不改变整体的流导而进行控制。
作为流过致冷剂流路32a的致冷剂，可以使用例如作为可透射光的液体的水，借助设置于检查装置1的外部的泵(省略图示)经由致冷剂配管34对致冷剂流路32a进行供给。此外，调节致冷剂的流量的流量控制阀36等的动作由控制部13控制。在水结冰的温度区域或沸腾的温度区域，作为致冷剂，可以使用氟利昂类致冷剂。
光照射机构40以与载置台30的与基片W的载置侧相反的一侧的面对置的方式配置，换言之，以与有底部件32的下表面对置的方式配置。
该光照射机构40具有面向基片W的多个LED 41。具体而言，光照射机构40具有多个由多个LED 41单元化而成的LED单元U，并且具有在表面搭载这些LED单元U的基座42。
光照射机构40中的LED单元U例如如图5所示，包括：与形成于基片W上的电子器件D(参照图3)以相同数目且同样的方式排列的俯视呈正方形的单元U1：和覆盖其外周的俯视呈非方形的单元U2。而且，LED单元U被上述单元U1和单元U2覆盖基座42的几乎全表面。由此，能够用来自LED单元U的LED 41的光，至少照射盖部件31中的搭载基片W的所有部分。
各LED 41向基片W照射光。在本例中，各LED 41出射近红外光。从LED 41出射的光(以下有时称为“LED光”)通过由光透射材料构成的载置台30的有底部件32。通过了有底部件32的光，通过在载置台30的致冷剂流路32a中流动的可透射光的致冷剂，入射到盖部件31。
由光照射机构40入射到载置台30中载置基片W的盖部件31的LED光，以LED单元U为单位进行控制。因此，光照射机构40能够仅向盖部件31的任意部位照射LED光，或者使照射的光的强度在任意部位和其他部位不同。
在检查装置1中，通过由来自光照射机构40的光进行的加热和由流过致冷剂流路32a的致冷剂进行的吸热，将形成于载置台30上的基片W的作为检查对象的电子器件D的温度控制为在目标温度下一定。为了该温度控制，在检查装置1中，测量电子器件D的温度。
图6是概要地表示检查装置1中的电子器件D的温度测量用电路的结构的图。
在检查装置1中，如图6所示，各探针11a通过配置于接口12的多个配线20与测试器4连接。而且，在各配线20中的、将跟电子器件D的电位差生成电路(例如，二极管)的两个电极E接触的两个探针11a与测试器4接连的两个配线20的每一者，设置继电器21。
各继电器21构成为能够向测试器4和电位差测量单元14的任一者切换地传递各电极E的电位。各继电器21例如在进行电子器件D的电气特性的检查时，在向各电极E施加安装时电压之后，在规定的时候将各电极E的电位传递到电位差测量单元14。已知在上述电位差生成电路中流过规定的电流时产生的电位差根据温度的不同而不同。因此，基于电子器件D的电位差生成电路的电位差，即电位差生成电路的两个电极E(探针11a)之间的电位差，能够在检查中实时地测量电子器件D的温度。在检查装置1中，电位差测量单元14基于从各继电器21传递来的各电极E的电位获取电子器件D的电位差生成电路的电位差，然后将获取到的电位差传递至控制部13。控制部13基于传递来的电位差和电位差生成电路的电位差的温度特性，测量电子器件D的温度。
此外，电子器件D的温度的测量方法并不限于上述，只要能够测量电子器件D的温度那么也可以为其他方法。
下面，使用图7，对控制部13的电子器件D的温度控制的相关方式进行说明。图7是示意性地表示控制部13的结构的概要的框图。
控制部13例如由计算机等构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有控制检查装置1中的电子器件D的温度控制处理等各种处理的程序等。此外，上述程序例如可以记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制部13。
控制部13具有存储部13a、温度信息获取部13b、温度计算部13c、加热控制部13d、吸热控制部13e和另一温度信息获取部13f。
存储部13a存储电子器件D的目标温度、致冷剂的温度、LED 41的最大光输出等。致冷剂的温度由例如电子器件D的目标温度、LED 41的最大输出等预先决定。此外，存储部13a还存储电子器件D中的电位差生成电路的电位差的温度特性的信息。而且，存储部13a存储温度计算部13c等中的计算结果。
温度信息获取部13b在检查中、至检查结束为止的各时间点，从电位差测量单元14获取作为检查对象的电子器件D中的前述电位差生成电路的电位差的信息，作为该电子器件D的温度的信息。
温度计算部13c在检查中、至检查结束为止的各时间点，基于温度信息获取部13b获取到的、作为检查对象的电子器件D的电位差生成电路的电位差的信息和电位差生成电路的电位差的温度特性的信息，计算该电子器件D的温度。在至检查结束为止的各时间点计算出的电子器件D的温度按每次检查存储在存储部13a。即，电子器件D的温度的变迁按每次检查存储在存储部13a。
加热控制部13d控制来自LED 41的光输出，控制由来自LED 41的光进行的电子器件D的加热。特别地，加热控制部13d通过基于作为当前检查对象的电子器件D的温度的闭环控制(例如，PID控制)，进行检查时的来自LED 41的光输出的控制。具体而言，加热控制部13d决定至检查结束为止的各时间点的LED 41的操作量，使得作为当前检查对象的电子器件D的温度在目标温度下一定。更具体而言，加热控制部13d例如计算温度计算部13c计算出的作为检查对象的电子器件D的温度与存储于存储部13a的电子器件D的目标温度的偏差。然后，加热控制部13d根据上述偏差通过PID动作计算/决定与作为检查对象的电子器件D对应的LED 41的操作量。基于计算/决定的操作量，加热控制部13d调节上述对应的LED 41的光输出。由此，控制由来自LED 41的光进行的作为检查对象的电子器件D的加热。此外，在将从检查开始至检查结束为止的各时间点计算/决定出的LED 41的操作量，变换为例如基于来自LED 41的光输出的加热量QL，并按每次检查存储在存储部13a。即，将基于来自LED 41的光输出的加热量QL的变迁按每次检查存储在存储部13a。
吸热控制部13e进行流过载置台30的致冷剂流路32a的致冷剂的流量的控制。该吸热控制部13e基于至n次为止的检查中的电子器件D的温度TD的变迁(分布)，来推断第n+1次检查时从测试器4施加到电子器件D的电功率PE,n+1的变迁。即，吸热控制部13e基于过去的检查中的电子器件D的温度TD的变迁，来推断下次检查时从测试器4施加到电子器件D的电功率PE的变迁。
像这样推断下次检查时从测试器4施加到电子器件D的电功率PE的变迁的理由如下。即，检查包含多次试验，存在每次试验施加到电子器件D的电功率不同，试验的顺序被检查装置1的操作者改变的可能性。于是，如果将试验的顺序和种类的信息从测试器4发送到控制部13，则检查装置1能够判别该试验的顺序和种类，并能够决定而不是推断上述电功率的变迁，但是，上述那样的信息并没有被发送到控制部13。
吸热控制部13e通过基于推断出的第n+1次的上述电功率PE,n+1的变迁的开环控制，进行第n+1次检查时流过载置台30的致冷剂流路32a的致冷剂的流量的控制。具体而言，基于推断出的第n+1次的上述电功率PE,n+1的变迁，计算/决定第n+1次检查时的至检查结束为止的各时间点的流量控制阀36的开度。然后，吸热控制部13e基于计算/决定出的流量控制阀36的开度，调节流过载置台30的致冷剂流路32a的致冷剂的流量。由此，控制由上述致冷剂进行的作为检查对象的电子器件D的吸热。
通过如上述那样控制吸热，有以下效果。
虽然通过由LED 41进行的加热能够将电子器件D的温度调节到目标温度的范围，由LED 41的最大输出、LED 41的密度决定，但是存在使用最大输出小、密度低的LED 41作为LED 41的情况。即使在这种情况下，如上述那样，通过基于根据过去的检查推断出的下次检查时的电功率PE的变迁来控制吸热，能够通过由LED 41进行的加热将电子器件D的温度调节到目标温度。
此外，如前述那样计算/决定出的、至检查结束为止的各时间点的流量控制阀36的开度，被转换成例如致冷剂的吸热量QR，并按每次检查存储在存储部13a。即，致冷剂的吸热量QR的变迁按每次检查存储在存储部13a。
控制部13的另一温度信息获取部13f从温度传感器31a获取载置台30的温度的信息，具体而言，盖部件31的温度的信息。
此处，对于吸热控制部13e进行的、第n+1次检查时从测试器4施加到电子器件D的电功率PE,n+1的变迁的推断，进一步进行说明。
在作为过去的检查的第n次检查的各时间点从测试器4施加到电子器件D的电功率PE,n，与在第n次检查的各时间点由该电功率PE,n施加给电子器件D的热量QE,n成正比。于是，在第n次检查的各时间点给电子器件D带来温度变化ΔT的热量QΔT,n，可以用以下的式(1)表示。
QΔT，n＝QL，n-QR，n+QE，n…(1)
式(1)中，QL,n是第n次检查的各时间点的来自LED 41的光输出对作为检查对象的电子器件D的加热量。QR,n、QE,n同样是第n次检查的各时间点的参数，QR,n是致冷剂从作为检查对象的电子器件D的吸热量，QE,n是来自测试器4的电功率施加给电子器件D的热量。
通过对上述式(1)进行变形，第n次检查的各时间点的来自测试器4的电功率施加给电子器件D的热量QE,n，可以用以下的式(2)表示。
QE，n＝QΔT，n-QL，n+QR，n…(2)
此外，如前所述，按每次检查将各时间点的电子器件D的温度被存储于存储部13a。根据各时间点的电子器件D的温度，能够计算各时间点的给电子器件D带来温度变化ΔT的热量QΔT。而且，如前所述，各时间点的LED 41的上述加热量QL和各时间点的致冷剂的上述吸热量QR按每次检查被存储于存储部13a。
因此，吸热控制部13e根据上述式(2)和存储于存储部13a的关于第n次检查的信息，计算第n次检查的各时间点的来自测试器4的电功率施加给电子器件D的热量QE,n。
此处，从测试器4给到电子器件D的电功率PE与该电功率PE施加给电子器件D的热量QE成正比。因此，能够计算第n次检查的各时间点的由来自测试器4的电功率引起的热量QE,n，意味着能够计算第n次检查的各时间点从测试器4施加到电子器件D的电功率PE,n。在至检查结束为止的各时间点计算出的上述给电子器件D的电功率，按每次检查被存储在存储部13a。
而且，对于检查结束前的各时间点，吸热控制部13e基于至第n次为止的检查中的从测试器4给到电子器件D的电功率，推断第n+1次检查中的从测试器4给到电子器件D的电功率PE,n+1。即，推断第n+1次检查中的上述电功率PE,n+1的变迁。在上述推断中，使用例如递归最小二乘法。
在使用递归最小二乘法的情况下，优选使用遗忘因子的递归最小二乘法。这是因为，可以对于新检查中的关于给到电子器件D的电功率的计算结果，使之权重大，对于旧检查中的上述计算结果，使之权重小，能够进行更准确的推断。
此外，在使用递归最小二乘法的情况下，关于至检查结束为止的各时间点，也可以计算从第一次至规定次数为止的检查中的从测试器4给到电子器件D的电功率的平均值。而且，关于第m次(m>规定次数)检查，用将上述平均值作为初始值的递归最小二乘法，推断该检查中的从测试器4给到电子器件D的电功率PE,m。此外，在这种情况下，在从第一次至规定次数为止的检查中，吸热控制部13e例如将流过载置台30的致冷剂流路32a的致冷剂的流量控制为预定的流量。此外，上述规定次数，例如是对于设置于一片基片W的全部电子器件D的检查完成的次数，或对于一批次量的基片W的检查全部完成的次数。
此外，在检查装置1进行的检查中，在该检查所包含的全部试验完成前，有时检查在中途结束。例如，在该检查所包含的最后试验之前的试验中，作为检查对象的电子器件D的温度变得异常的情况下，该检查在中途结束。在推断下次检查中的从测试器4给到电子器件D的电功率PE的变迁时，优选从参照的过去的检查中去除如上述那样在中途结束了的检查。关于检查是否在中途结束的判断，可以为控制部13从测试器4获取检查开始信号和检查结束信号，基于从检查开始信号的接收至检查结束信号的接收为止的间隔是否比规定时间短来进行。此外，也可以通过将获取到的电子器件D的温度分布即温度的变迁与推测为正常的电子器件D的温度分布进行比较，来判断应该去除的检查。
下面，说明使用检查装置1进行的对基片W的检查处理的一例。
首先，从装载器3的FOUP取出基片W，将其输送并载置到工作台10。接着，将工作台10移动到规定的位置。
然后，点亮光照射机构40的全部LED 41，基于从盖部件31的温度传感器31a获取的信息，调节来自LED 41的光输出和流过载置台30内的致冷剂的流量，使得盖部件31的温度在面内成为均匀的。
在该状态下，电位差测量单元14获取作为检查对象的电子器件D中的前述电位差生成电路的电位差。然后，进行上述电位差的校正，即补正上述电位差的温度特性的信息，使得在面内均匀的盖部件31的温度与作为检查对象的电子器件D的温度大约一致。上述至补正为止的步骤，例如对每个基片W进行。
之后，移动工作台10，设置于工作台10上方的探针11a与基片W的作为检查对象的电子器件D的电极E接触。
然后，将检查用的信号输入到探针11a。由此，开始电子器件D的检查。该检查中，根据作为检查对象的电子器件D的电位差生成电路中产生的电位差的信息，计算该电子器件D的温度。然后，加热控制部13d通过基于上述温度的闭环控制，进行来自与该电子器件D对应的LED单元U的LED 41的光输出的控制。此外，上述检查中，吸热控制部13e用前述的方法，控制流过载置台30的致冷剂流路32a的致冷剂的流量。
之后，反复进行电子器件D中的电位差生成电路的电位差的校正后的步骤，直至设置于基片W的全部电子器件D的检查完成。此外，将检查中的电子器件D的温度的变迁、来自LED 41的光输出的加热量的变迁和致冷剂的吸热量的变迁存储在存储部13a。
当全部电子器件D的检查完成时，将基片W送回装载器3的FOUP，将下一个基片W输送到工作台10。之后，执行上述的步骤，直至对于全部基片W的检查完成。
以上，依照本实施方式，检查电子器件D的检查装置1包括：能够载置形成有电子器件D的基片W的载置台30，其中，与基片W的载置侧相反的一侧由光透射材料形成，并且在内部具有供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路32a；光照射机构40，其以与载置台30的跟基片W的载置侧相反的一侧的面对置的方式配置，具有面向基片W的多个LED 41；和控制部13，其控制由流过致冷剂流路32a的致冷剂进行的吸热和由来自LED 41的光进行的加热，控制作为检查对象的电子器件D的温度，控制部13具有：温度信息获取部13b，其获取作为检查对象的电子器件D的温度的信息；加热控制部13d，其通过基于作为当前检查对象的电子器件D的温度的闭环控制，进行来自LED 41的光对作为检查对象的电子器件D的加热的控制；和吸热控制部13e，基于过去的检查中的电子器件D的温度的变迁，推断下次检查时对电子器件D施加的电功率的变迁，通过基于上述推断出的电功率的变迁的开环控制，进行下次检查时的致冷剂从作为检查对象的电子器件D的吸热的控制。
因为具有上述那样的载置台30和光照射机构40，所以能够使来自各LED 41的LED光透射致冷剂等而到达载置台30的盖部件31。而且，光照射机构40能够用LED 41对盖部件31局部地照射LED光。当具有控制致冷剂的吸热的结构时，也可以考虑与LED光的控制无关地，仅通过致冷剂的吸热的控制来控制电子器件D的温度。与之相对，在本实施方式中，不仅进行致冷剂的吸热还进行LED光的控制，来控制电子器件D的温度。因此，在基片W中，能够仅控制作为检查对象的电子器件D的温度并且冷却其他电子器件D。因此，能够抑制来自作为检查对象的电子器件D的热负荷向其他电子器件D传递。其结果是，能够对电子器件D施加所希望的安装时电压，由此，能够在封装前发现在施加安装时电压的时候产生的不良情况，能够抑制封装后的成品率下降从而防止引起成本高。
此外，因为如上述那样控制作为检查对象的电子器件D的温度，所以不需要使用最大输出大的LED 41，或增加LED 41的密度。最大输出大的LED 41价格高，而且若增加LED 41的密度则成本增加。此外，在使用最大输出大的LED 41或增加LED 41的密度的情况下，需要冷却LED 41本身。因此，在本实施方式中，能够防止成本增加，而且还能够不需要冷却LED41。并且，因为不冷却LED 41时的该LED 41的故障率低，所以能够维持检查装置1的可靠性。
另外，光照射机构40也能够用各LED单元U局部地改变照射到盖部件31的光的强度。因此，也能够用载置台30内的致冷剂对盖部件31整体地进行冷却，并且局部地改变对盖部件31的LED光的照射状态，由此，也能够使检查中的电子器件D的加热状态与其他电子器件不同。即，在基片W中，能够一边对作为检查对象的电子器件D和其他电子器件D这两者进行温度控制，一边进行作为检查对象的电子器件D的检查。
另外，在本实施方式中，吸热控制部13e控制设置于与致冷剂流路32a连通的致冷剂配管34的流量控制阀36的开度，来调节流过致冷剂流路32a的致冷剂的流量，控制致冷剂从作为检查对象的电子器件D的吸热。因此，通过调节致冷剂的温度，与上述控制吸热的情况相比，响应性高。
另外，在本实施方式中，吸热控制部13e基于过去的检查中的电子器件D的温度的变迁，使用递归最小二乘法推断下次检查时对电子器件D施加的电功率的变迁。由此，能够准确地推断上述电功率的变迁。此外，由于能够基于对电子器件D施加的电功率的推断值事先调整吸热量，因此能够在LED 41的控制性良好的区域进行温度控制。
在本实施方式中，使用水作为吸热的致冷剂。因此，与使用氟利昂类致冷剂的情况相比，能够快速地进行致冷剂的吸热。此外，在进行更宽范围的温度控制的情况下，可以使用氟利昂类致冷剂。
此外，在本实施方式中，因为使用水作为吸热的致冷剂并将SiC用于载置台30的盖部件31，所以温度响应性高。
此外，在本实施方式中，在检查电子器件D时，可以不需要将该电子器件D切割成芯片，而以晶片单位进行。
本次公开的实施方式在所有方面都是例示，而不应认为是限制性的。上述实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、替换、改变。
附图标记说明
1 检查装置
13 控制部
13b 温度信息获取部
13c 温度计算部
13d 加热控制部
13e 吸热控制部
30 载置台
32a 致冷剂流路
40 光照射机构
41 LED
W 基片。

Claims (5)

1.一种检查电子器件的检查装置，其特征在于，包括：
载置形成有所述电子器件的基片的载置台，其中，与所述基片的载置侧相反的一侧由光透射材料形成，并且在内部具有供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；
光照射机构，其以与所述载置台的跟所述基片的载置侧相反的一侧的面对置的方式配置，具有面向所述基片的多个LED；和
控制部，其控制由流过所述致冷剂流路的致冷剂进行的吸热和由来自所述LED的光进行的加热，控制作为检查对象的所述电子器件的温度，
所述控制部具有：
温度信息获取部，其获取作为检查对象的电子器件的温度的信息；
加热控制部，其通过基于作为当前检查对象的所述电子器件的温度的闭环控制，进行来自所述LED的光对作为检查对象的所述电子器件的加热的控制；和
吸热控制部，其基于过去的检查中的所述电子器件的温度的变迁，推断下次检查时对所述电子器件施加的电功率的变迁，通过基于所述推断出的所述电功率的变迁的开环控制，进行所述下次检查时的所述致冷剂从作为检查对象的所述电子器件的吸热的控制。
2.如权利要求1所述的检查装置，其特征在于：
所述吸热控制部控制设置于与所述致冷剂流路连通的致冷剂配管的流量控制阀的开度，来调节流过所述致冷剂流路的所述致冷剂的流量，控制所述吸热。
3.如权利要求1所述的检查装置，其特征在于：
所述吸热控制部基于过去的检查中的所述电子器件的温度的变迁，使用递归最小二乘法推断所述电功率的变迁。
4.如权利要求2所述的检查装置，其特征在于：
所述吸热控制部基于过去的检查中的所述电子器件的温度的变迁，使用递归最小二乘法推断所述电功率的变迁。
5.一种检查电子器件的检查装置中的温度控制方法，其特征在于：
所述检查装置包括：
载置形成有所述电子器件的基片的载置台，其中，与所述基片的载置侧相反的一侧由光透射材料形成，并且在内部具有供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；
光照射机构，其以与所述载置台的跟所述基片的载置侧相反的一侧的面对置的方式配置，具有面向所述基片的多个LED，
该温度控制方法包括：
通过基于作为当前检查对象的所述电子器件的温度的闭环控制，进行来自所述LED的光对作为检查对象的所述电子器件的加热的控制的步骤；和
基于过去的检查中的所述电子器件的温度的变迁，推断下次检查时对所述电子器件施加的电功率的变迁，通过基于所述推断出的所述电功率的变迁的开环控制，进行所述下次检查时的所述致冷剂从作为检查对象的所述电子器件的吸热的控制的步骤。
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