TW202215535A - 半導體處理系統與半導體處理方法 - Google Patents

半導體處理系統與半導體處理方法 Download PDF

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Abstract

提供半導體處理裝置與半導體處理方法。在翻轉半導體晶圓且接著旋轉半導體晶圓的之前與之後，分別藉由第一光標與第二光標來圖案化半導體晶圓的前側與半導體晶圓的後側。在一些實施例中，半導體處理方法包含：當半導體晶圓的第一側面向第一方向時，藉由第一光標來圖案化半導體晶圓的第一側上的第一層；翻轉半導體晶圓；在翻轉半導體晶圓之後，相對於第一側之半導體晶圓的第二側面向第一方向；繞著旋轉軸旋轉半導體晶圓，旋轉軸沿著第一方向延伸；及藉由第二光標來圖案化半導體晶圓的第二側上的第二層。

Description

用於減少層疊誤差的系統與方法
半導體積體電路(integrated circuit，IC)產業已經歷了快速的成長。隨著積體電路的材料與設計的技術進步已製作出好幾代的積體電路，且每一代的積體電路都比前一代的積體電路具有更小且更複雜的電路。在積體電路發展的期間，當幾何尺寸(geometry size，亦即製程所能製得的最小元件或線路)減少時，功能密度(functional density，亦即單位晶片面積中的內連線元件數)逐漸增加。
光學微影是使用輻射將圖案從光標(reticle)轉移到工件的過程，且光學微影在製造積體電路(integrated circuit，IC)的期間重複地進行。此外，光學微影包含層疊(overlay)控制，層疊控制是通過使工件的第一對準結構與光標的第二對準結構之間的層疊變化最小化來使得光標與工件對準的過程。
隨著半導體製程的發展以提供較小的臨界尺寸，並且裝置的尺寸減小及包括多個層的複雜度增加，一種以降低層疊誤差(overlay error)來精確地圖案化特徵的方法係用以改善裝置的品質、可靠度及良率。
以下的揭露提供了許多不同的實施例或例子，以實施所提供標的的不同特徵。以下描述之構件與安排的特定例子，以簡化本揭露。當然，這些僅僅是例子而不是用以限制本揭露。例如，在說明中，第一特徵形成在第二特徵之上方或之上，這可能包含第一特徵與第二特徵以直接接觸的方式形成的實施例，這也可以包含額外特徵可能形成在第一特徵與第二特徵之間的實施例，這使得第一特徵與第二特徵可能沒有直接接觸。此外，本揭露可能會在各種例子中重複參考數字及/或文字。此重複是為了簡明與清晰的目的，但本身並非用以指定所討論的各種實施例及/或架構之間的關係。
再者，在此可能會使用空間相對用語，例如「底下(beneath)」、「下方(below)」、「較低(lower)」、「上方(above)」、「較高(upper)」等等，以方便說明如圖式所繪示之一元件或一特徵與另一(另一些)元件或特徵之關係。這些空間上相對的用語除了涵蓋在圖式中所繪示的方向，也欲涵蓋裝置在使用或操作中不同的方向。設備可能以不同方式定位(例如旋轉90度或在其他方位上)，而在此所使用的空間上相對的描述同樣也可以有相對應的解釋。
本文中提供的實施例包含半導體處理裝置及其方法，其有助於減少或消除在半導體晶圓的第一側(例如前側)上形成的圖案與在半導體晶圓的第二側(例如後側)上形成的圖案之間的層疊誤差(overlay error)。在本揭露的實施例中提供了系統與方法，其中由極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影工具的透鏡造成的層疊誤差通常具有具方向性的特定透鏡指紋(lens fingerprint)可能例如導致層疊偏移(offset)或移位(shift)。藉由減少在半導體晶圓的前側與後側上形成的圖案之間的層疊誤差，半導體晶圓的前側上的圖案化特徵或結構更好地對準於半導體晶圓的後側上的圖案化特徵或結構，這產生了具有改善的性能並減少緩解措施(mitigation measures)之半導體裝置結構，否則在半導體晶圓的前側和後側上的特徵或結構之間未對準的情況下可能需要緩解措施。
掃描器是用於執行光學微影的處理工具。在根據曝光場佈局(exposure field layout)步進或移動工件的同時，掃描器將塗佈於工件(例如半導體晶圓)的光敏層(photosensitive layer)重複地曝光為光標(reticle)圖案，以定義根據曝光場佈局佈設在工件上的曝光場(exposure field)。對於每次曝光而言，工件步進或移動至新的曝光位置，並且在新的曝光位置掃描光標圖案。為了保持光標圖案與工件之間的正確對準，可藉由層疊控制來產生層疊校正並將層疊校正應用於掃描器的設備參數。
圖1係根據本揭露的一或多個實施例之微影系統100的示意圖。在一些實施例中，微影系統100包含軌道裝置10、負載鎖定腔室(load lock chamber)30、曝光裝置50與控制器70。本揭露的實施例不限於此，並且在各種實施例中，可於微影系統100中被取代或消除以下所述的一或多個特徵。
在一些實施例中，軌道裝置10包含卡匣站(cassette station)S1與處理站S2，它們按順序進行基板處理，例如光阻塗佈處理、顯影處理等等。在一些實施例中，卡匣站S1包含卡匣台(cassette stage)11與卡匣12。卡匣台11為固持數個晶圓卡匣(例如四個或更多個晶圓卡匣)的固持結構。每個卡匣12包含多個半導體晶圓2。
在一些實施例中，處理站S2位於卡匣站S1與負載鎖定腔室30之間。處理站S2在卡匣站S1與負載鎖定腔室30之間傳送半導體晶圓2。
在一些實施例中，處理站S2用以執行光阻塗佈處理與顯影處理，且處理站S2包含傳送機構13、塗佈腔室14、顯影腔室15與熱腔室16。傳送機構13是將半導體晶圓2傳送至處理站S2及傳送來自處理站S2的半導體晶圓2的傳送部分。傳送機構13可包含一或多個可動晶圓處理結構，其可例如升高、向左移動、向右移動、向前移動、向後移動、繞軸(例如垂直軸)旋轉，以在塗佈腔室14、顯影腔室15與熱腔室16之間傳送半導體晶圓2。
熱腔室16用以對在顯影腔室15或塗佈腔室14中進行的處理進行預處理或後處理。舉例而言，熱腔室16可包含加熱單元，對半導體晶圓2進行光阻塗佈處理之後，加熱單元用以加熱每個半導體晶圓2。替代地或附加地，熱腔室16可包含後曝光烘烤單元，對半導體晶圓2進行微影曝光處理之後，後曝光烘烤(post-exposure baking)單元用以加熱每個半導體晶圓2。替代地或附加地，熱腔室16可包含後烘烤(post-baking)單元，對半導體晶圓2進行顯影處理之後，後烘烤單元用以執行加熱處理以汽化每個半導體晶圓2上的水分。
在一些實施例中，微影系統100可包含量測(metrology)工具165，量測工具165可位於熱腔室16中。在一些實施例中，量測工具165包含用於測量熱腔室16中的半導體晶圓的溫度的熱電偶。在一些實施例中，量測工具165用以測量一或多個形貌(topographic)參數，例如位於熱腔室16中的半導體晶圓的形貌或形貌高度。舉例而言，在一些實施例中，量測工具165透過噴嘴將氣體排放到半導體晶圓2的表面上，並透過氣壓計偵測氣體的壓力的變化。基於偵測到的氣體的壓力的變化，量測工具165可確定半導體晶圓2的形貌(例如形貌水平或高度)或半導體晶圓2的任意部分。
量測工具165可電性地耦接或通訊地耦接至控制器70。在一些實施例中，來自量測工具165的測量結果被傳輸到控制器70，以確定曝光裝置50的一或多個處理參數。舉例而言，在各種實施例中，曝光裝置50的一或多個操作處理參數可被改變或以其他方式與在半導體晶圓2上限定的一或多個特徵的特定形貌相關聯。應當理解，本揭露的實施例可包含一或多個量測工具165，並且數個量測工具165可基於一次要在半導體晶圓2上測量的區域的數量而變化。
負載鎖定腔室30位於軌道裝置10與曝光裝置50之間。負載鎖定腔室30佈設於軌道裝置10與曝光裝置50之間。負載鎖定腔室30用以透過將其與軌道裝置10分離而將大氣保存在曝光裝置50內。負載鎖定腔室30能夠根據半導體晶圓2的下一個預定裝載位置來形成與曝光裝置50或軌道裝置10兼容的大氣。上述之大氣的形成可通過改變負載鎖定腔室30中的氣體含量來進行，例如透過添加氣體或產生真空，或透過任何其他適合的方法來調節負載鎖定腔室30中的氣體以匹配曝光裝置50或軌道裝置10的大氣。當達到正確的大氣時，可透過傳送機構13或傳送機構56來存取半導體晶圓2。
曝光裝置50用以使用輻射或高亮度光來曝光塗佈於半導體晶圓2上的光敏層(例如光阻層)。曝光裝置50可一般地稱為掃描器，其可操作以利用相應的輻射源和曝光模式來執行微影曝光處理。在一些實施例中，曝光裝置50包含真空容器51、晶圓台52、光學量測工具53、曝光工具54與傳送機構56。
真空容器51在超高真空壓力下保持真空環境。晶圓台52、光學量測工具53與曝光工具54位於真空容器51中。晶圓台52用以在曝光裝置50的處理期間支撐或固持半導體晶圓2，舉例而言，晶圓台52可物理性耦接至半導體晶圓2。在一些實施例中，晶圓台52位於真空容器51中，且可透過例如線性電動機(圖未示)的驅動構件在測量位置(由實線表示之)與曝光位置(由虛線表示之)之間移動。在一些實施例中，晶圓台52可徑向地或旋轉地移動，以便例如在測量位置與曝光位置之間傳送半導體晶圓2。此外，晶圓台52的旋轉運動可能有助於例如在曝光位置的一或多個微影處理或曝光之間圍繞著旋轉軸(例如垂直軸)旋轉半導體晶圓2。
光學量測工具53用以測量半導體晶圓2的形貌(topographic)，例如形貌高度，以確定半導體晶圓2的形貌(例如形貌高度或水平)或半導體晶圓2的任意部分。當晶圓台52位於量測位置時，光學量測工具53位於晶圓台52之上。
在一些實施例中，光學量測工具53包含感測器(transducer)31與收集器32。感測器31用以發射量測訊號(例如聚焦的入射輻射束)至半導體晶圓2的表面。收集器32用以接收從半導體晶圓2反射的量測訊號。光學量測工具53可電性地耦接或通訊地耦接至控制器70。來自光學量測工具53的測量(例如半導體晶圓2的形貌)被傳輸至控制器70以確定曝光裝置50的一或多個處理參數。
曝光工具54用以將包括在光束的剖面中的圖案的輻射束施加到半導體晶圓2的表面上，以便在塗佈於半導體晶圓2上的光敏層上印刷或以其他方式轉移期望的圖案。當晶圓台52位於曝光位置時，曝光工具54可位於晶圓台52上。
圖2係根據本揭露的一些實施例之其上放置有半導體晶圓2的晶圓台52的剖視示意圖。晶圓台52包含介電體(dielectric body)21、電源供應器57與一對電極71。電極71嵌入於介電體21中。介電體21可為電極71嵌入於其中的絕緣體。
在各種實施例中，電極71可以單極或雙極配置耦接至電源供應器57。於操作中，電源供應器57施加電壓至電極71，且產生靜電荷，例如負電荷。極性相反的靜電荷，例如正電荷，累積在後側上或後側附近的半導體晶圓2中，通過後側將半導體晶圓2支撐在晶圓台52上。由於支撐在卡盤(chuck)上的晶圓的後側上的一或多種特性，例如晶圓的翹曲(warpage)或汙染物的存在等，可能存在間隙，例如圖2所示的間隙G。
夾置力(clamping force)是由極性相反的累積電荷之間的靜電吸引所引起的。夾置力將半導體晶圓2固持或固定至晶圓台52。夾置力取決於多種因素，包含間隙G的尺寸、介於電極71與晶圓台52的上表面之間的介電體21的厚度、以及施加至電極71的電壓。
晶圓台52的配置不限於上述的例示，且應理解，在各種實施例中可利用被配置為在曝光裝置50中的處理期間保持半導體晶圓並例如在微影曝光之間旋轉晶圓的任何適合的晶圓台52
請再次參照圖1，曝光工具54用以提供高亮度的光以曝光塗佈於半導體晶圓2上的光阻層。在一些實施例中，曝光工具54包含輻射源41、照明器(illuminator)42、光標卡盤(reticle chuck)或光標台(reticle stage)43、光罩(mask)或光標(reticle)44、以及投影光學組件45。
在一些實施例中，輻射源41可為極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)源，其產生具有以大約13.5奈米(nm)為中心的波長的極紫外光。然而，應理解的是，輻射源41不限於極紫外光源，並且於各種實施例中，輻射源可為適合執行微影處理的任何輻射源，例如紫外光(ultraviolet，UV)源或深紫外光(deep ultraviolet，DUV)源。在一些實施例中，輻射源41可包含同步加速器(synchrotron)或電漿源，例如透過雷射或熱激發所產生的離子化的氙(xenon，Xe)或錫(tin，Sn)，並發射波長在大約10奈米至大約130奈米的範圍內的極紫外光輻射。
在一些實施例中，照明器42包含各種折射光學元件，例如單個透鏡、或具有多個透鏡(波帶板(zone plates))的透鏡系統、或可替代性反射光學部件(例如，用於極紫外光微影系統)，例如單個反射鏡或具有多個反射鏡的反射鏡系統，以便將來自輻射源41的光引導至光標台43，尤其是固定到光標台43的光標44。在輻射源41產生極紫外光波長範圍內的光的一些實施例中，可採用反射光學部件。
光標台43用以固定光標44。在一些實施例中，光標台43包含靜電卡盤，以固定光標。在一些實施例中，光標44可為反射光罩且包含多個沉積於基板上的反射多層(multiple layers，ML)，以高度地反射極紫外光。在一些實施例中，光標44包含多層反射鏡，多層反射鏡包含用以透過布拉格(Bragg)干涉來反射入射輻射之交替反射部件(例如鉬(Mo)或釕(Ru)等)與間隔層(例如矽(Si))，從而產生約13.5奈米的峰值反射波長，這允許了在圖案化半導體晶圓2時實現更好的特徵解析度。
投影光學組件45用以將光標44的圖案成像到固定於曝光裝置50的晶圓台52之半導體晶圓2上。在一些實施例中，投影光學組件45包含一組光學透鏡。在各種實施例中，該組光學透鏡可包含折射光學部件(例如用於紫外光微影系統)或反射光學部件(例如用於極紫外光微影系統)。從光標44引導的輻射(光標44帶有光標上所限定的圖案的影像)由投影光學組件45所收集。照明器42和投影光學組件45可統稱為曝光裝置50的光學模組。
在一些實施例中，曝光裝置50還包含連接到照明器42與投影光學組件45的多個致動器(actuators)，以調整照明器42與投影光學組件45的光學元件的位置。致動器電性地耦接或通訊地耦接至控制器70。此外，控制致動器以根據控制器70發出的訊號來驅動照明器42與投影光學組件45的光學元件的移動。結果，可調整在半導體晶圓2上掃描的輻射的焦距。
在一些實施例中，控制器70包含資訊處理系統，例如電腦、伺服器、工作站、或其他適合的裝置，控制器70電性地耦接或通訊地耦接至微影系統100的一或多個元件，以執行本文所述的微影系統的一或多個特徵或功能。
舉例而言，在一些實施例中，控制器70電性地耦接或通訊地耦接至量測工具165與光學量測工具53，且控制器70從量測工具165與光學量測工具53接收與半導體晶圓2的高度有關的訊號。此外，控制器70可電性地耦接或通訊地耦接至曝光裝置50的晶圓台52，以控制晶圓台52的移動或控制由電源供應器57所提供的電力。
在一些實施例中，於曝光裝置50中的微影處理期間，可沿著掃描方向61或第一方向(例如Y軸方向)完成半導體晶圓2的掃瞄。舉例而言，在一些實施例中，控制器70用以在步進或移動半導體晶圓2(例如透過晶圓台50的移動)的同時，根據光標44的曝光場佈局使得曝光裝置50，將半導體晶圓2上的光敏層重複曝光至光標44的光標圖案，從而根據曝光場佈局來定義佈設於半導體晶圓2上的多個曝光場。舉例而言，控制器70可根據曝光場佈局來控制晶圓台52在曝光位置之間步進或移動。在一些實施例中，晶圓台52沿著掃描方向61在曝光位置之間移動。再者，在每個曝光位置，控制器70可控制輻射源41、光標台43與晶圓台52，以傳送光標圖案至曝光位置。舉例而言，控制器70致能輻射源41，且隨後沿著相反方向(例如沿著軸線或掃描方向61的相反方向)移動光標台43與晶圓台52，以在曝光位置上逐漸掃描光標圖案，從而逐漸形成曝光場。
圖3A係根據本揭露的一些實施例之在透過曝光工具，例如圖1的微影系統的曝光裝置，進行曝光之前的半導體晶圓的頂視圖。圖3B係沿著圖3A的線A-A’之半導體晶圓的剖視示意圖。
半導體晶圓202可例如代表圖1的半導體晶圓2。如圖所示，半導體晶圓202包含可在製造的任意階段的多個積體電路(integrated circuit，IC)晶粒204。半導體晶圓202可包含共同形成積體電路晶粒204的多個層。舉例而言，半導體晶圓202可包含半導體基板(圖未示)、於半導體基板之上或之中的半導體裝置層(圖未示)、堆疊於半導體基板上的多個介層層或導電材料層(圖未示)、或半導體裝置的任意其他層。半導體基板可例如為單晶矽或一些其他半導體的塊狀晶圓(bulk wafer)、絕緣層上覆半導體(semiconductor-on-insulator，SOI)晶圓、或一些其他種類的晶圓。半導體裝置可例如為電晶體、電容、影像感測器、微機電系統(microelectromechanical systems，MEMS)裝置、記憶體單元、一些其他種類的半導體裝置、或前述的組合。介電層或導電材料層可例如定義覆蓋半導體裝置與半導體基板的金屬線與通孔的後段製程(back-end-of-line，BEOL)互連結構。
光敏層206設置於半導體晶圓202上且覆蓋半導體晶圓202，且光敏層206用以圖案化一或多個下覆層(underlying layers)(圖未示)。舉例而言，介電層或導電材料層可包含與光敏層206接壤的第一後段製程(BEOL)金屬化層，使得光敏層206可用於圖案化的第一後段製程(BEOL)金屬化層。為了促進一或多個下覆層的圖案化，光敏層206是將圖案化的輻射(例如來自輻射源41的光)轉換成物理光罩的光敏材料。舉例而言，光敏材料可為光阻。一旦圖案化輻射已被轉換成半導體晶圓202上的物理光罩，則物理光罩可接著被用於圖案化一或多個下覆層。舉例而言，可在物理光罩定位的情況下對一或多個下覆層進行蝕刻，從而將物理光罩的圖案轉移到一或多個下覆層。
圖4A係根據本揭露的一些實施例之透過曝光工具，例如圖1的微影系統的曝光裝置，曝光之後的半導體晶圓的頂視圖。圖4B係沿著圖4A的線B-B’之半導體晶圓的剖視示意圖。
半導體晶圓302可例如代表圖1的半導體晶圓2。
如圖所示，光敏層304覆蓋半導體晶圓302且光敏層304包含多個曝光場306。根據用於形成曝光場306的光標(例如光標44)的曝光場佈局來設置曝光場306，且每個曝光場306具有光標的光標圖案。為了便於說明，在曝光場306中未示出光標圖案。在一些實施例中，每個曝光場306覆蓋一或多個積體電路(IC)晶粒308。舉例而言，每個曝光場306可覆蓋四個積體電路(IC)晶粒。在其他實施例中，每個曝光場306覆蓋單個積體電路(IC)晶粒，或具有與單個積體電路(IC)晶粒相同的尺寸或形狀。
在本揭露的各種實施例中，利用曝光裝置，例如曝光裝置50，在半導體晶圓2的相對兩側上對半導體晶圓2進行圖案化。舉例而言，可在半導體晶圓2的前側上圖案化半導體晶圓2以形成第一特徵，然後可翻轉半導體晶圓2(例如藉由在晶圓台52上翻轉半導體晶圓2)，然後可圖案化半導體晶圓2的後側以形成第二特徵。
圖5A示出了可例如在圖1的微影系統100中執行的半導體晶圓402的前側的圖案化的例示。如圖5A所示，前側光標444用於在半導體晶圓402的前側的光敏層上形成圖案481。前側光標444可帶有要形成或轉移到半導體晶圓402的前側上的任何圖案。於圖5A中，前側光標444被示為字母「F」的形狀的圖案481的轉印，然而，僅出於便於說明的目的提供此圖案，且應容易理解的是，前側光標444可將具有任何形狀的任何圖案轉印到半導體晶圓402上，以形成半導體裝置的任何特徵，半導體裝置的任何特徵例如包括電晶體、電容器、影像感測器、微機電系統(MEMS)裝置、儲存單元、金屬線或通孔的互連結構、或任何其他結構的特徵、或半導體裝置的特徵。
可透過本文所述的任何技術，包括例如透過掃瞄具有輻射源41、照明器42、光標台43、投影光學組件45與前側光標444的曝光裝置50，來將前側光標444的圖案481轉印至半導體晶圓402。舉例而言，輻射源41發射的輻射可被引導通過照明器42並在前側光標444處被接收，前側光標444將入射的輻射通過投影光學組件45反射至半導體晶圓402上的光敏層，從而於沿著掃描方向61移動或步進半導體晶圓402的同時，當曝光工具54掃描半導體晶圓402的表面時，將光標圖案(例如「F」)轉印至半導體晶圓402的前側上。在一些實施例中，曝光裝置50透過沿著掃描方向61移動一或多個光學模組(例如照明器42與投影光學組件45)、光標台43或晶圓台52來掃描半導體晶圓402。
在一些實施例中，曝光裝置50可沿著掃描方向61掃描半導體晶圓402的第一區域或線，其中第一區域沿著與掃描方向垂直或正交的第二方向62具有特定的或限定的寬度。舉例而言，半導體晶圓402的第一區域可為延伸橫跨半導體晶圓402的前側的柱狀區域，其可沿著掃描方向61被掃瞄。光學模組、光標台43或晶圓台52可接著在第二方向62上移動，在該點處可沿著掃描方向61掃描具有沿著第二方向62的特定寬度或限定寬度的第二區域。以這種方式，可掃描半導體晶圓402的整個前側表面，且可將圖案481從光標444轉印到半導體晶圓402的前側。
圖5B示出了可例如在圖1的微影系統100中執行的半導體晶圓402的後側的圖案化的例示。在圖案化半導體晶圓402的後側之前，在一些實施例中，翻轉半導體晶圓402使得半導體晶圓402的前側面向晶圓台52且半導體晶圓402的後側面向投影光學組件45，因此半導體晶圓402的後側被定位成由曝光裝置50圖案化。可基於對準指示器403來對準半導體晶圓402，以確保在前側圖案化期間半導體晶圓402的取向與在後側圖案化期間半導體晶圓402的取向係相對應或相匹配。舉例而言，在前側圖案化期間，對準指示器403可被定向在沿著掃描方向61的最低位置(例如圖5A所示的6點鐘位置)。在完成前側圖案化之後，可使晶片繞著Y軸或掃描方向61的軸翻轉，使得晶片的後側朝上且對準指示器403保持在沿著掃描方向的最低位置(例如圖5B所示的6點鐘位置)。以這種方式，在半導體晶圓402的後側的圖案化期間形成的特徵與在半導體晶圓402的前側的圖案化期間形成的特徵對準或相對應。
如圖5B所示，利用後側光標544以於半導體晶圓402的後側上的光敏層上形成圖案482。後側光標544可帶有要形成或轉移到半導體晶圓402的後側上的任何圖案。在一些實施例中，後側光標544所具有的圖案為前側光標444所具有的圖案的鏡像(mirror-image)，其中後側光標544的圖案相對於前側光標444的圖案圍繞軸線(例如Y軸或掃描方向61)鏡像。舉例而言，後側光標544可轉印具有反向(backward)字母「F」(例如圍繞Y軸鏡像)的形狀的圖案。然而，僅出於便於說明的目的提供此圖案，且應容易理解的是，後側光標544可將具有任何形狀的任何圖案轉印到半導體晶圓402上，以形成半導體裝置的任何特徵，半導體裝置的任何特徵例如包括電晶體、電容器、影像感測器、微機電系統(MEMS)裝置、儲存單元、金屬線或通孔的互連結構、或任何其他結構的特徵、或半導體裝置的特徵。
可透過本文所述的任何技術將後側光標444的圖案482轉印至半導體晶圓402。舉例而言，輻射源41發射的輻射可被引導通過照明器42並在後側光標544處被接收，後側光標544將入射的輻射通過投影光學組件45反射至半導體晶圓402上的光敏層，從而於沿著掃描方向61移動或步進半導體晶圓402的同時，當曝光工具54掃描半導體晶圓402的表面時，將光標圖案(例如反向的「F」)轉印至半導體晶圓402的後側上。
從圖5B的虛線可看出，半導體晶圓402的前側上的圖案481可能與半導體晶圓402的後側上的圖案482有點不對齊。這可能是由於半導體晶圓402的前側圖案化與後側圖案化而導致的層疊誤差(overlay error)的結果。層疊誤差可能是由於通過微影系統100的光學組件，例如透過光學模組的一或多個透鏡(例如照明器42與投影光學組件45的透鏡)，的不對稱光標放大所引起的。特別地，微影系統的光學模組具有特定的具有方向性的透鏡指紋(lens fingerprint)，這可能在後側至前側圖案化的期間引起層疊誤差。具體地，極紫外光(EUV)微影工具的透鏡(例如微影系統100的透鏡)通常具有特定的方向性的透鏡指紋，其可能導致例如層疊偏移(offset)或移位(shift)(例如形成在半導體上的圖案的移位)，層疊偏移或移位的量根據沿著X軸的位置而有所不同。這將在圖6A至圖6D中進一步詳細示出。
圖6A示出形成在半導體晶圓602的後側上的圖案的場域內(intra-field)區域606。在場域內區域606內，示出了圖案的第一位置A與圖案的第二位置B。
圖6B示出在半導體晶圓602的後側圖案化期間所導致之沿著X軸方向(例如第二方向62)的層疊移位的透鏡指紋的方向性的圖。如圖6B所示，層疊移位的量(例如距離的大小)根據沿著X軸的場域內區域606內的圖案的位置而變化。特別地，對於-X軸方向上的圖案的位置，層疊移位通常為負值(例如沿著X軸相對於目標圖案位置的負移位)，且對於+X軸方向上的圖案的位置，層疊移位通常為正值。於後側圖案化期間的場域內區域606的位置A與位置B處的透鏡指紋如圖6B所示。
圖6C示出在半導體晶圓602的前側圖案化期間的透鏡指紋的圖。如圖6C所示，層疊移位的量(例如距離的大小)根據沿著X軸的場域內區域606內的圖案的位置而變化。然而，因為晶圓被翻轉且光標在半導體晶圓602的相對側上提供鏡像的影像圖案(例如本文中關於圖5A與圖5B所描述者)，因此於圖6C中之位置A處的透鏡指紋標示為A’且位置B處的透鏡指紋標示為B’。由於前側的透鏡指紋所引起的層疊偏移(offset)或移位(shift)相對於由於後側的透鏡指紋所引起的層疊偏移(offset)或移位(shift)是向後的。
圖6D示出圖6B與圖6C所示的透鏡指紋的疊加(superposition)的圖。如圖6D所示，透鏡指紋在半導體晶圓602的後側圖案與前側圖案之間的位置處(例如於位置A與位置B’)未對準。當晶圓翻轉時，位置A與位置B’理想上應該彼此對準，因此在位置A與位置B’上形成的圖案應該是相同的，即，如果沒有層疊誤差。然而，如圖6D所示，因為由透鏡指紋引起的層疊誤差，在半導體晶圓602的後側上的位置A處的層疊移位具有正值(例如相對於目標圖案位置之沿X軸的正偏移)，而在半導體晶圓602的前側上的位置B’處的層疊移位具有負值(例如相對於目標圖案位置之沿X軸的負偏移)。位置A與位置B’處的層疊移位之間的差值是由指紋誤差(即，由於光標圖案的鏡像之間透過微影系統100的透鏡之圖案投影引起的誤差)引起的層疊誤差619。
層疊誤差619為場域內(intra field)層疊誤差，其在半導體晶圓602的前側與後側的掃描與圖案化期間在多個場域內(intra field)區域606的每一個中產生(developed)。場域內(intra field)層疊誤差619被表示為沿著X軸方向(例如沿著第二方向62)的誤差。應注意的是，在Y軸方向上的層疊誤差也可能是由鏡像的後側圖案與鏡像的前側圖案化引起的，然而，由於掃描器在掃描期間在Y軸方向(例如掃描方向61)上移動，因此可透過控制掃描器來補償這種類型的誤差。
圖7A至圖7C示出了半導體處理方法，其中在半導體晶圓上執行前側與後側圖案化。圖7A至圖7C所示的方法減少或消除了沿著X軸方向的場域內(intra field)層疊誤差。
圖7A示出了根據一些實施例之半導體晶圓702的前側的圖案化，該圖案化可例如在圖1的微影系統100中執行。如圖7A所示，利用前側光標744在半導體晶圓702的前側的光敏層上形成圖案781。前側光標744可帶有要形成或轉移到半導體晶圓702的前側上的任何圖案。於圖7A中，前側光標744被示為字母「F」的形狀的圖案781的轉印，然而，僅出於便於說明的目的提供此圖案，且應容易理解的是，前側光標744可將具有任何形狀的任何圖案轉印到半導體晶圓702上，以形成半導體裝置的任何特徵，半導體裝置的任何特徵例如包括電晶體、電容器、影像感測器、微機電系統(MEMS)裝置、儲存單元、金屬線或通孔的互連結構、或任何其他結構的特徵、或半導體裝置的特徵。
可透過本文所述的任何技術，包括例如透過掃瞄具有輻射源41、照明器42、光標台43、投影光學組件45與前側光標744的曝光裝置50，來將前側光標744的圖案781轉印至半導體晶圓702。舉例而言，輻射源41發射的輻射可被引導通過照明器42並在前側光標744處被接收，前側光標744將入射的輻射通過投影光學組件45反射至半導體晶圓702上的光敏層，從而於沿著掃描方向61移動或步進半導體晶圓702的同時，當曝光工具54掃描半導體晶圓702的表面時，將光標圖案(例如「F」)轉印至半導體晶圓702的前側上。在一些實施例中，曝光裝置50透過沿著掃描方向61移動一或多個光學模組(例如照明器42與投影光學組件45)、光標台43或晶圓台52來掃描半導體晶圓702。
圖7B示出了半導體晶圓702的後側。如圖7B所示，翻轉半導體晶圓702使得半導體晶圓702的前側面向晶圓台52且半導體晶圓702的後側向上，例如因此面向投影光學組件45。可基於對準指示器703來對準半導體晶圓702，以確保在翻轉晶圓702之後晶圓702的取向與前側圖案化期間的晶圓702的取向係相對應或相匹配(例如如圖7A所示)。舉例而言，在前側圖案化期間，對準指示器703可被定向在沿著掃描方向61的最低位置(例如圖7A所示的6點鐘位置)。在完成前側圖案化之後，可使晶片繞著Y軸或掃描方向61的軸翻轉，使得晶片的後側朝上且對準指示器403保持在沿著掃描方向的最低位置(例如圖7B所示的6點鐘位置)。意即，對準指示器703在翻轉半導體晶圓702之前與之後處於相同位置。
圖7C示出半導體晶圓702的180˚旋轉。更具體地，半導體晶圓702繞著正交於掃描方向61與第二方向62的旋轉軸63旋轉180˚。舉例而言，旋轉軸63可為Z軸。如圖7C所示，在將半導體晶圓703旋轉180˚之後，對準指示器703位於沿著掃描方向的最高位置(例如圖7C所示的12點鐘位置)。
圖7D示出當以如上關於圖7C所述定位時半導體晶圓702的後側的圖案化的例示。可例如在圖1的微影系統100中執行半導體晶圓702的後側的圖案化。
如圖7D所示，利用後側光標844以於半導體晶圓702的後側上的光敏層上形成圖案782。後側光標844可帶有要形成或轉移到半導體晶圓702的後側上的任何圖案。在一些實施例中，後側光標844所具有的圖案為前側光標744所具有的圖案的鏡像(mirror-image)，其中後側光標844的圖案相對於前側光標744的圖案圍繞軸線(例如X軸或第二方向62)鏡像。舉例而言，後側光標844可轉印具有上下顛倒的(upside-down)字母「F」(例如圍繞X軸鏡像)的形狀的圖案。然而，僅出於便於說明的目的提供此圖案，且應容易理解的是，後側光標844可將具有任何形狀的任何圖案轉印到半導體晶圓702上，以形成半導體裝置的任何特徵，半導體裝置的任何特徵例如包括電晶體、電容器、影像感測器、微機電系統(MEMS)裝置、儲存單元、金屬線或通孔的互連結構、或任何其他結構的特徵、或半導體裝置的特徵。
可透過本文所述的任何技術將後側光標844的圖案782轉印至半導體晶圓702。舉例而言，輻射源41發射的輻射可被引導通過照明器42並在後側光標844處被接收，後側光標844將入射的輻射通過投影光學組件45反射至半導體晶圓702上的光敏層，從而於沿著掃描方向61移動或步進半導體晶圓702的同時，當曝光工具54掃描半導體晶圓702的表面時，將光標圖案(例如上下顛倒的「F」)轉印至半導體晶圓702的後側上。
以這種方式，在半導體晶圓702的後側圖案化期間形成的特徵與在半導體晶圓702的前側圖案化期間形成的特徵對準或以其他方式相對應。
從圖7D可看出，圖案782以與形成在半導體晶圓702的前側上的圖案781實質上相同的方式形成在半導體晶圓702的後側上。意即，與在圖5B所示的半導體晶圓402的前側與後側圖案化之間表現出的層疊誤差相比，實質上減少了或消除了層疊誤差。
更具體地，由於後側光標844是前側光標744沿著X軸的鏡像，因此減少或消除了層疊誤差。如本文之前所討論的，微影系統100的透鏡通常可具有特定的具有方向性的透鏡指紋，其可能導致例如層疊偏移(offset)或移位(shift)，該層疊偏移或移位(例如在半導體晶圓上形成的圖案的移位)根據沿著X軸(例如第二方向62)的位置而改變。
如以上關於圖5A至圖6D所述，當後側光標544的圖案繞著相對於前側光標444的圖案的軸(例如Y軸或掃描方向61)鏡像時，由於透鏡指紋的方向性而引起的沿著X軸的層疊移位，導致半導體晶圓的前側與後側處的對應位置之間的層疊誤差。
然而，在關於圖7A至圖7D所描述的方法中，後側光標844相對於前側光標744繞著X軸鏡像，使得透鏡指紋的方向性對於前側光標744與後側光標844都是相同的，並且，形成在半導體晶圓702的後側上的圖案782與形成在半導體晶圓702的前側上的圖案781實質上相同。這在圖8A至圖8C中示出。
特別地，圖8A是示出在半導體晶圓702的後側圖案化期間透鏡指紋的方向性的圖，且圖8B是示出在半導體晶圓702的前側圖案化期間透鏡指紋的方向性的圖。圖8C是示出圖8A與圖8B所示的透鏡指紋的疊加(superposition)的圖。從圖8A至圖8C可看出，因為前側光標與後側光標是沿著X軸的彼此的鏡像，所以對於前側圖案化與後側圖案化而言，鏡像指紋都是相同的。結果，如圖8C所示，因為在半導體晶圓702的前側與後側上的位置A與位置B處任何層疊移位的值都相同，所以沒有層疊誤差。因此，圖7A至圖7D的方法導致沿著X方向的場域內(intra field)層疊性能得到顯著改善(即，減少了或消除了沿著X軸方向的前側與後側之間的層疊誤差)。
圖9係根據本揭露的一或多個實施例之半導體處理方法的流程圖900。該方法可例如由本文所述的微影系統100所實現。
於流程圖900的步驟902，該方法包括使用第一光標對半導體晶圓的前側進行圖案化。在一些實施例中，前側的圖案化可包括在半導體晶圓的前側上的一層或多層的圖案化。舉例而言，圖案化可包括透過輻射在半導體晶圓的前側上圖案化光敏材料層，該輻射被第一光標反射到其上的光敏材料層上，如本文先前所述者。
在一些實施例中，例如參考圖3A所述的，光敏層被設置在半導體晶圓的前側上並覆蓋半導體晶圓的前側，且光敏層用於圖案化一或多個下覆層。為了促進一或多個下覆層的圖案化，光敏層可為將圖案化的輻射轉換成物理光罩的光敏材料。光敏材料可例如為光阻。一旦圖案化的輻射已被轉換成半導體晶圓的前側上的物理光罩，則物理光罩可接著被用於圖案化一或多個下覆層。舉例而言，可在物理光罩定位的情況下對一或多個下覆層進行蝕刻，從而將物理光罩的圖案轉移到一或多個下覆層。在一些實施例中，圖案化的下覆層可包含一或多個氧化擴散層，其限定了半導體晶圓的前側上的半導體裝置的一或多個主動區域，例如源極區域、汲極區域、通道區域等。在一些實施例中，圖案化的下覆層可包含多晶矽層、金屬化層、或半導體裝置的任何其他層。在一些實施例中，前側的圖案化可作為生產線前端(front-end-of-line)製程的一部分來執行，該製程可被實施以在半導體晶圓中或其上形成或以其他方式圖案化一或多個單獨的裝置(例如電晶體、電容器、電阻器等)。
於流程圖900的步驟904，該方法包括將半導體晶圓的前側結合(bonded)到毯覆晶圓(blanket wafer)。意即，在對前側進行圖案化之後，將半導體晶圓的前側結合到毯覆晶圓，以例如於半導體晶圓的前側之中或之上形成一或多個結構或裝置。毯覆晶圓可為任何基板或晶圓，且在一些實施例中，毯覆晶圓可為半導體晶圓。在一些實施例中，毯覆晶圓可為實質上均勻的晶圓，且可沒有任何圖案化結構或裝置。可透過任何合適的結合技術將半導體晶圓的前側結合到毯覆晶圓。在一些實施例中，可透過氧化物結合(oxide bonding)、金屬結合(metal bonding)、或透過諸如高分子膠(polymer glue)的任何黏合劑將半導體晶圓的前側結合到毯覆晶圓。在一些實施例中，可從該方法中省略在步驟904中的半導體晶圓的前側到毯覆晶圓的結合。
於流程圖900的步驟906，該方法包含翻轉半導體晶圓。在一些實施例中，翻轉半導體晶圓，使得半導體晶圓的正面面對晶圓台，而半導體晶圓的後側朝上，例如，在步驟902中對半導體晶圓的前側進行圖案化期間，前側朝著正面面對的方向。
於流程圖900的步驟908，該方法包括薄化(thinning)半導體晶圓的後側。可透過任何合適的技術來薄化半導體晶圓的後側。在一些實施例中，在步驟908中之薄化半導體晶圓的後側包括透過化學機械研磨(chemical-mechanical-polishing，CMP)製程來薄化半導體晶圓的後側。在一些實施例中，在步驟908中之薄化半導體晶圓的後側包括將半導體晶圓的厚度減少至小於10μm的厚度。在一些實施例中，在步驟908中之薄化半導體晶圓的後側包括將半導體晶圓的厚度減少至小於1μm的厚度。在一些實施例中，在步驟908中之薄化半導體晶圓的後側包括將半導體晶圓的厚度減少至小於100nm的厚度。在一些實施例中，可從該方法中省略在步驟908中之薄化半導體晶圓的後側。
於流程圖900的步驟910，該方法包括將半導體晶圓旋轉180˚。在一些實施例中，如本文先前所述者，半導體晶圓繞著正交於掃描方向61與第二方向62的旋轉軸63旋轉180˚。半導體晶圓可例如透過晶圓台52的旋轉而旋轉。
於流程圖900的步驟912，該方法包括使用第二光標對半導體晶圓的後側進行圖案化。在一些實施例中，後側的圖案化可包括在半導體晶圓的後側上的一層或多層的圖案化。舉例而言，圖案化可包括透過輻射對半導體晶圓的後側上的光敏材料層進行圖案化，該幅射被第二光標反射到其上的光敏材料層，如本文先前所述者。
在一些實施例中，例如參考圖3A所述的，光敏層被設置在半導體晶圓的前側上並覆蓋半導體晶圓的前側，且光敏層用於圖案化一或多個下覆層。為了促進一或多個下覆層的圖案化，光敏層可為將圖案化的輻射轉換成物理光罩的光敏材料。光敏材料可例如為光阻。一旦圖案化的輻射已被轉換成半導體晶圓的後側上的物理光罩，則物理光罩可接著被用於圖案化一或多個下覆層。舉例而言，可在物理光罩定位的情況下對一或多個下覆層進行蝕刻，從而將物理光罩的圖案轉移到一或多個下覆層。在一些實施例中，圖案化的下覆層可包含堆疊於半導體晶圓的後側之上的一或多個介電材料或導電材料、金屬化層、或半導體裝置的任何其他層。在一些實施例中，後側的圖案化可作為生產線後端(back-end-of-line，BEOL)製程的一部分來執行，該製程可被實施以形成或以其他方式圖案化一或多個金屬化層、接觸、接觸通孔等。
在本文提供的各種實施例中，半導體處理裝置及其方法有助於減少或消除在半導體晶圓的第一側上形成的圖案與在半導體晶圓的第二側上形成的圖案之間的層疊誤差。在一些實施例中，提供系統與方法，其中由極紫外光(EUV)微影工具的透鏡引起的層疊誤差通常具有特定的具有方向性的透鏡指紋，該透鏡指紋可能例如導致層疊偏移(offset)或移位(shift)。透過減少在半導體晶圓的前側上形成的圖案與在半導體晶圓的後側上形成的圖案之間的層疊誤差，在半導體晶圓的前側上的圖案化的特徵或結構與在半導體晶圓的後側上的圖案化的特徵或結構更好地對準，這產生了具有改善的性能的半導體裝置結構，並且減少了緩解措施(mitigation measures)，否則在半導體晶圓的前側與後側上的特徵或結構之間未對準的情況下可能需要緩解措施。
根據一實施例，提供一種半導體處理方法包括：當半導體晶圓的第一側面向第一方向時，藉由第一光標來圖案化半導體晶圓的第一側上的第一層；翻轉半導體晶圓，在翻轉半導體晶圓之後，與半導體晶圓的第一側相對的半導體晶圓的第二側面向第一方向；繞著旋轉軸旋轉半導體晶圓，上述旋轉軸沿著第一方向延伸；及藉由第二光標來圖案化半導體晶圓的第二側上的第二層。
根據其他實施例，提供一種半導體處理系統包括曝光裝置。曝光裝置包括：可旋轉晶圓台、光標台、介於可旋轉晶圓台與光標台之間的光學組件、及用以發射輻射的輻射源。上述曝光裝置用以：從被光標台所保持的第一光標將輻射反射到半導體晶圓的第一側，以圖案化半導體晶圓的第一側上的第一層；翻轉可旋轉晶圓台上的半導體晶圓，在翻轉半導體晶圓之後，與半導體晶圓的第一側相對的半導體晶圓的第二側面向第一方向；圍繞旋轉軸旋轉可旋轉晶圓台，以旋轉半導體晶圓；及從被光標台所保持的第二光標將輻射反射到半導體晶圓的第一側，以圖案化半導體晶圓的第二側上的第二層。
根據又一其他實施例，提供一種半導體處理方法包括：圖案化半導體晶圓的前側上的第一層，半導體晶圓的前側面向耦接至光標台的第一光標，其中上述之圖案化第一層包括以被第一光標所反射的輻射來沿著掃描方向掃描第一層中的複數個曝光場域的每一者；翻轉半導體晶圓，在翻轉半導體晶圓之後，半導體晶圓的後側面向耦接至光標台的第二光標；當半導體晶圓的後側面向第二光標時，繞著旋轉軸旋轉半導體晶圓；及圖案化半導體晶圓的後側上的第二層，其中上述之圖案化第二層包括：以被第二光標所反射的輻射來沿著掃描方向掃描第二層中的複數個曝光場域的每一者，其中第二光標具有圖案，上述圖案為圍繞與掃描方向正交的鏡軸的第一光標的圖案之鏡像。
以上概述了數個實施例的特徵，因此熟習此技藝者可以更了解本揭露的實施例的態樣。熟習此技藝者應了解到，其可輕易地把本揭露的實施例當作基礎來設計或修改其他的製程與結構，藉此實現和在此所介紹的這些實施例相同的目標及/或達到相同的優點。熟習此技藝者也應可明白，這些等效的建構並未脫離本揭露的精神與範圍，並且他們可以在不脫離本揭露精神與範圍的前提下做各種的改變、替換與變動。
上述多個實施例可以結合以提供其它實施例。在上述詳細描述的啟發下，可以對實施例做出這些和其它變化。一般來說，在所附發明申請專利範圍中，所使用的術語不應理解為將發明申請專利範圍限於說明書及發明申請專利範圍中所揭示的特定實施例，而應理解為包含所有可能實施例以及此發明申請專利範圍所賦予的等效物的全部範圍。因此，發明申請專利範圍並不受本揭示內容限制。
2,202,302,402,602,702:半導體晶圓 10:軌道裝置 11:卡匣台 12:卡匣 13,56:傳送機構 14:塗佈腔室 15:顯影腔室 16:熱腔室 21:介電體 30:負載鎖定腔室 31:感測器 32:收集器 41:輻射源 42:照明器 43:光標台 44:光標 45:投影光學組件 50:曝光裝置 51:真空容器 52:晶圓台 53:光學量測工具 54:曝光工具 57:電源供應器 61:掃描方向 62:第二方向 63:旋轉軸 70:控制器 71:電極 100:微影系統 165:量測工具 204,308:積體電路晶粒 206,304:光敏層 306:曝光場 403,703:對準指示器 444,744:前側光標 481,482,781,782:圖案 544,844:後側光標 606:場域內區域 619:層疊誤差 900:流程圖 902,904,906,908,910,912:步驟 A,A’,B,B’:位置 A-A’,B-B’:線 G:間隙 S1:卡匣站 S2:處理站
從以下結合所附圖式所做的詳細描述，可對本揭露的實施例之態樣有更佳的了解。需注意的是，根據業界的標準實務，各特徵並未依比例繪示。事實上，為了使討論更為清楚，各特徵的尺寸都可任意地增加或減少。 [圖1]係根據本揭露的一些實施例之微影系統的示意圖。 [圖2]係根據本揭露的一些實施例之其上放置有半導體晶圓的晶圓台的剖視示意圖。 [圖3A]係根據本揭露的一些實施例之在透過曝光工具進行曝光之前的半導體晶圓的頂視圖。 [圖3B]係沿著圖3A的線A-A’之半導體晶圓的剖視示意圖。 [圖4A]係根據本揭露的一些實施例之透過曝光工具曝光之後的半導體晶圓的頂視圖。 [圖4B]係沿著圖4A的線B-B’之半導體晶圓的剖視示意圖。 [圖5A]係根據本揭露的一些實施例之半導體晶圓的前側的圖案化的例示。 [圖5B]係根據本揭露的一些實施例之半導體晶圓的後側的圖案化的例示。 [圖6A]係根據本揭露的一些實施例之形成在半導體晶圓的後側上的圖案的場域內區域的示意圖。 [圖6B]示出在半導體晶圓的後側圖案化期間所導致之層疊移位的透鏡指紋的方向性的例示。 [圖6C]示出在半導體晶圓的前側圖案化期間的透鏡指紋的例示。 [圖6D]示出圖6B與圖6C所示的透鏡指紋的疊加的圖。 [圖7A]係根據本揭露的一些實施例之半導體晶圓的前側的圖案化的示意圖。 [圖7B]係根據本揭露的一些實施例之圖7A的半導體晶圓的後側的示意圖。 [圖7C]係根據本揭露的一些實施例之圖7B的半導體晶圓的180˚旋轉的示意圖。 [圖7D]係根據本揭露的一些實施例之圖7C的半導體晶圓的後側的圖案化的例示。 [圖8A]係根據本揭露的一些實施例之在半導體晶圓的後側圖案化期間透鏡指紋的方向性的圖。 [圖8B]係根據本揭露的一些實施例之在圖8A的半導體晶圓的前側圖案化期間透鏡指紋的方向性的圖。 [圖8C]示出圖8A與圖8B所示的透鏡指紋的疊加的圖。 [圖9]係根據本揭露的一些實施例之半導體處理方法的流程圖。
2:半導體晶圓
10:軌道裝置
11:卡匣台
12:卡匣
13,56:傳送機構
14:塗佈腔室
15:顯影腔室
16:熱腔室
30:負載鎖定腔室
31:感測器
32:收集器
41:輻射源
42:照明器
43:光標台
44:光標
45:投影光學組件
50:曝光裝置
51:真空容器
52:晶圓台
53:光學量測工具
54:曝光工具
57:電源供應器
61:掃描方向
70:控制器
100:微影系統
165:量測工具
S1:卡匣站
S2:處理站

Claims (20)

  1. 一種方法，包括： 當一半導體晶圓的一第一側面向一第一方向時，藉由一第一光標來圖案化該半導體晶圓的該第一側上的一第一層； 翻轉該半導體晶圓，在翻轉該半導體晶圓之後，與該半導體晶圓的該第一側相對的該半導體晶圓的一第二側面向該第一方向； 繞著一旋轉軸旋轉該半導體晶圓，其中該旋轉軸沿著該第一方向延伸；及 藉由一第二光標來圖案化該半導體晶圓的該第二側上的一第二層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中圖案化該第一層以及圖案化該第二層之至少一者包括： 藉由一掃描器沿著一掃描方向來掃描該半導體晶圓，其中該掃描器包含該第一光標與該第二光標之至少一者。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該第二光標具有一圖案，該圖案為圍繞與該掃描方向成橫向的一鏡軸的該第一光標的一圖案之一鏡像。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該鏡軸係正交於該掃描方向。
  5. 如請求項1所述之方法，更包括： 在翻轉該半導體晶圓之後，將該半導體晶圓的一對準指示器定向於一第一位置，該第一位置相應於翻轉該半導體晶圓之前之該對準指示器的一第二位置。
  6. 如請求項5所述之方法，其中旋轉該半導體晶圓係執行於定向該對準指示器之後，其中旋轉該半導體晶圓包括將該對準指示器沿著與該第一方向正交的一第二方向定向於一第三位置，該第三位置相對於該第一位置與該第二位置。
  7. 如請求項1所述之方法，其中旋轉該半導體晶圓包括藉由旋轉一晶圓台來旋轉該半導體晶圓，該晶圓台物理性地耦接至該半導體晶圓。
  8. 如請求項1所述之方法，更包括： 於圖案化該半導體晶圓的該第二側上的該第二層之前，薄化該半導體晶圓的該第二側。
  9. 如請求項8所述之方法，其中薄化該半導體晶圓的該第二側包括藉由化學機械研磨來薄化該半導體晶圓的該第二側。
  10. 如請求項1所述之方法，其中圖案化該半導體晶圓的該第一側上的該第一層包括於該第一層上投影極紫外光，其中圖案化該半導體晶圓的該第二側上的該第二層包括於該第二層上投影極紫外光。
  11. 一種半導體處理系統，包括： 一曝光裝置，包括： 一可旋轉晶圓台； 一光標台； 一光學組件，介於該可旋轉晶圓台與該光標台之間；及 一輻射源，用以發射一輻射； 其中，該曝光裝置用以： 從被該光標台所保持的一第一光標將該輻射反射到一半導體晶圓的一第一側，以圖案化該半導體晶圓的該第一側上的一第一層； 翻轉該可旋轉晶圓台上的該半導體晶圓，在翻轉該半導體晶圓之後，與該半導體晶圓的該第一側相對的該半導體晶圓的一第二側面向一第一方向； 圍繞一旋轉軸旋轉該可旋轉晶圓台，以旋轉該半導體晶圓；及 從被該光標台所保持的一第二光標將該輻射反射到該半導體晶圓的該第一側，以圖案化該半導體晶圓的該第二側上的一第二層。
  12. 如請求項11所述之半導體處理系統，其中該曝光裝置更包括： 一照明器，介於該輻射源與該光標台之間，該照明器用以接收該輻射且將該輻射引導至該光標台。
  13. 如請求項11所述之半導體處理系統，更包括： 一控制器，用以控制該曝光裝置，以藉由沿著一掃描方向掃描該半導體晶圓來圖案化該半導體晶圓的該第一側上的該第一層且圖案化該半導體晶圓的該第二側上的該第二層。
  14. 如請求項13所述之半導體處理系統，其中該第二光標具有一圖案，該圖案為圍繞與該掃描方向正交的一鏡軸的該第一光標的一圖案之一鏡像。
  15. 如請求項13所述之半導體處理系統，其中該控制器更用以控制該可旋轉晶圓台以： 在翻轉該半導體晶圓之後，將該半導體晶圓的一對準指示器定向於一第一位置，該第一位置相應於在該可旋轉晶圓台上翻轉該半導體晶圓之前之該對準指示器的一第二位置；及 將該對準指示器沿著與該掃描方向正交的一方向定向於一第三位置，該第三位置相對於該第一位置與該第二位置。
  16. 如請求項11所述之半導體處理系統，其中該輻射源為一極紫外光源。
  17. 一種方法，包括： 圖案化一半導體晶圓的一前側上的一第一層，該半導體晶圓的該前側面向耦接至一光標台的一第一光標，其中圖案化該第一層包括以被該第一光標所反射的輻射來沿著一掃描方向掃描該第一層中的複數個曝光場域的每一者； 翻轉該半導體晶圓，在翻轉該半導體晶圓之後，該半導體晶圓的一後側面向耦接至該光標台的一第二光標； 當該半導體晶圓的該後側面向該第二光標時，繞著一旋轉軸旋轉該半導體晶圓；及 圖案化該半導體晶圓的該後側上的一第二層，其中圖案化該第二層包括以被該第二光標所反射的輻射來沿著該掃描方向掃描該第二層中的複數個曝光場域的每一者，其中該第二光標具有一圖案，該圖案為圍繞與該掃描方向正交的一鏡軸的該第一光標的一圖案之一鏡像。
  18. 如請求項17所述之方法，更包括： 在翻轉該半導體晶圓之後，將該半導體晶圓的一對準指示器定向於一第一位置，該第一位置相應於翻轉該半導體晶圓之前之該對準指示器的一第二位置。
  19. 如請求項18所述之方法，其中旋轉該半導體晶圓係執行於定向該對準指示器之後，其中旋轉該半導體晶圓包括將該對準指示器沿著該鏡軸定向於一第三位置，該第三位置相對於該第一位置與該第二位置。
  20. 如請求項17所述之方法，其中旋轉該半導體晶圓包括藉由旋轉一晶圓台來旋轉該半導體晶圓，該晶圓台物理性地耦接至該半導體晶圓。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115799049B (zh) * 2022-11-28 2023-08-08 湖北江城芯片中试服务有限公司 半导体结构的制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923403A (en) * 1997-07-08 1999-07-13 Anvik Corporation Simultaneous, two-sided projection lithography system
US6552790B1 (en) * 2001-02-20 2003-04-22 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for facilitating wafer alignment by mitigating effects of reticle rotation on overlay
US7268360B2 (en) * 2001-09-20 2007-09-11 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
US7136144B2 (en) * 2001-09-20 2006-11-14 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
JP4158514B2 (ja) * 2002-12-24 2008-10-01 ウシオ電機株式会社 両面投影露光装置
JP4532927B2 (ja) * 2003-02-14 2010-08-25 キヤノン株式会社 露光装置
US6853440B1 (en) * 2003-04-04 2005-02-08 Asml Netherlands B.V. Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination
US7333175B2 (en) * 2004-09-13 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Method and system for aligning a first and second marker
US7898095B2 (en) * 2006-03-20 2011-03-01 Tezzaron Semiconductor, Inc. Fiducial scheme adapted for stacked integrated circuits
NL1036545A1 (nl) * 2008-03-04 2009-09-07 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP5182143B2 (ja) * 2009-02-19 2013-04-10 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
CN102156392A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻机对准参数的检测装置及其检测方法
US8357591B2 (en) * 2011-04-14 2013-01-22 Harris Corporation Method of processing a wafer by using and reusing photolithographic masks
CN103913955B (zh) * 2013-01-06 2016-06-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 双面光刻机及双面光刻方法
CN103926797B (zh) * 2013-01-11 2016-07-06 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻装置的双面套刻***及方法
CN103713467B (zh) * 2013-12-16 2016-07-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法
CN106547171B (zh) * 2015-09-17 2019-01-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种用于光刻装置的套刻补偿***及方法
US10281827B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Noise reduction for overlay control
US10162257B2 (en) * 2016-12-15 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet lithography system, device, and method for printing low pattern density features
CN111433678B (zh) * 2017-12-04 2023-02-17 Asml荷兰有限公司 测量方法、图案化设备以及设备制造方法
CN110824847B (zh) * 2018-08-08 2023-07-04 长鑫存储技术有限公司 提高套刻精度的刻蚀方法
US11429027B2 (en) * 2018-08-17 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photolithography method and apparatus
EP3674797B1 (en) * 2018-12-28 2021-05-05 IMEC vzw An euvl scanner
CN111554591B (zh) * 2020-04-27 2024-03-12 上海果纳半导体技术有限公司 半导体芯片处理装置

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