JP2009027133A - 半導体プロセスおよびウエット処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体製造に用いられる半導体プロセスおよびウエット処理装置に関する。

これまで、半導体デバイスのウエットプロセスでは、酸・アルカリをベースとした薬液にウエハを浸漬したり、回転しているウエハ上に薬液を噴出することで、洗浄またはエッチング処理が施されてきた。

一方、ウエハ上の粒子の除去では、これまでの基板材料を１ｎｍ程度エッチングし粒子を基板からリフトオフし、洗浄液のゼータ電位による反発を利用することで再付着を抑制し、ウエハ表面を清浄化してきた。枚葉式ウエット処理での純水リンス時の場合、静電気が発生することで、Ｃｕ配線等の溶解が生じる。この静電気は、超純水が絶縁物であり、ウエハ上にもシリコン酸化膜等の絶縁物質が存在するので、双方の摩擦によって発生する。つまり、枚葉式ウエット処理での純水リンス時の場合には、異種材料の接触にかかわらず、メタル部分が溶解する現象が発生する。こうした静電的な摩擦を抑制するために、導電性のあるリンス水として、還元水を用いることが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００２−３７３８７９号公報

しかし、これまでのウエットプロセスには、次の課題がある。つまり、６５ｎｍ以降の半導体デバイスにおいては、多種メタルが搭載されるようになり、ウエット処理時に、異種材料接触部で腐食の問題が顕在化しつつある。上記の還元水を用いたリンス法も同様である。

一方、ウエハ上の微小粒子（粒径５０ｎｍ以下）の除去も困難を極めている。つまり、６５ｎｍ以降の先端デバイスにおいては、基板のエッチングロスは＜０．２ｎｍ以下に抑制し、５０ｎｍ以下の微小粒子も除去することが要求されているため、現状では解決策がない。なお、７０ｎｍ以下の微小粒子は、ゼータ電位による反発が利かず、除去が困難である。

この発明の目的は、前記の課題を解決し、ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供することにある。

前記の課題を解決するために、請求項１の発明は、半導体製造工程の洗浄で使用される半導体プロセスにおいて、ウエハに電圧を印加しながらウエット処理することを特徴とする半導体プロセスである。請求項２の発明は、半導体製造工程により配線部を形成する前の工程で、ウエット処理中に光を遮断することを特徴とする半導体プロセスである。請求項３の発明は、ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する第１の電極部と、第１の電極部に向かって移動可能であると共に注入された薬液を第１の電極部に通す第２の電極部とを備え、第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらウェット処理することを特徴とするウエット処理装置である。請求項４の発明は、請求項３記載のウエット処理装置において、第２の電極部は少なくとも１つの貫通孔を持つことを特徴とする。請求項５の発明は、請求項３または４記載のウエット処理装置において、第１の電極部の側面に密着状態で装着可能な側壁部を備え、第２の電極部は、第１の電極部に装着された側壁部内に移動可能なことを特徴とする。請求項６の発明は、ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する第１の電極部と、第１の電極部に静電吸着されたウエハの端面に接触するブラシ部と、このブラシ部を回転すると共に電圧を印加するための回転軸部とから成る第２の電極部と、第２の電極部のブラシ部に薬液を供給する薬液供給部とを備え、第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらブラシ部に薬液を注入して、ウエット処理することを特徴とするウエット処理装置である。請求項７の発明は、回転するウエハの端面に接触するブラシ部と、このブラシ部を回転すると共に電圧を印加するための回転軸部とから成る第１の電極部および第２の電極部と、第１の電極部および第２の電極部の少なくとも一方のブラシ部に薬液を供給する薬液供給部とを備え、第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらブラシ部に薬液を供給して、ウエット処理することを特徴とするウエット処理装置である。請求項８の発明は、請求項３〜７のいずれか１項に記載のウエット処理装置において、半導体製造工程により配線部を形成する前の工程で、ウエット処理中に光を遮断する遮断手段を備えることを特徴とする。

この発明では、ウエット処理装置においてウエハを静電吸着し、正または負の電圧をウエハに印加する。この場合、処理ステップによって印加の正負を制御する。

この発明は、ウエハに電圧を印加しながらウエット処理することで、腐食を抑制することができる。また、ウエハに電圧を印加しながらウエット処理することで、微小粒子の除去性能を向上するものである。つまり、本発明の原理は、ウエハの電位を強制的に制御することで、付着粒子を電気的に反発し、再付着を抑制する。また、デバイス構成材料（特にメタル）の腐食電位を緩和し、異種金属間腐食（ガルバニック腐食）を抑制できる。さらに、メタルゲートを使用するフロントエンド工程では、光を遮断することでメタルゲートの腐食を抑制できるため、処理中に光を遮断することも重要である。

次に、この発明の各実施の形態について、図面を用いて詳しく説明する。

（実施の形態１）
この実施の形態で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を図１に示す。図１（ａ）に示す枚葉式電界ウエット処理装置は、下部電極１と回転軸２とサイドカップ３と上部電極４と薬液注入管５と電圧発生装置６を備えている。円板状の下部電極１には、その一方の面の中心に回転軸２が取り付けられている。下部電極１は回転軸２により回転する。下部電極１の他方の面は、ウエハ１０１を載せるためのものである。つまり、下部電極１は、ウエハ１０１を静電吸着し、正または負の電圧をウエハに印加する。下部電極１の側面には、円筒状のサイドカップ３が密着状態で装着可能である。上部電極４は、多数の貫通孔を持つメッシュ状の電極またはパンチングにより貫通孔が空けられた電極である。なお、図１（ｂ）ではパンチングにより貫通孔４Ａが空けられた上部電極４を示している。これにより、上部電極４は、薬液注入管５から注入される薬液を、下部電極１に載せられたウエハ１０１に向けて流す。また、上部電極４はＡ方向に移動可能である。上部電極４はＰｔなどで作られている。電圧発生装置６は、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加する。なお、この実施の形態では、下部電極１に対しては回転軸２を介して電圧発生装置６の電圧が印加される。回転する回転軸２と電圧発生装置６との電気的接続には、電圧発生装置６に電気的に接続されたリード線にブラシを用いて回転軸２と接続する方法や、回転軸２を支持する軸受けにリード線を接続する方法などがある。

この枚葉式電界ウエット処理装置によれば、処理時は、サイドカップ３でウエハ１０１上に薬液が盛られる状態となり、上部のメッシュ電極である上部電極４は降下して薬液に接触する。薬液処理後のリンス時には、サイドカップ３の覆いを外し、リンス液を薬液注入管５に注入して処理を行う。電圧発生装置６により印加される、下部電極１と上部電極４との間の印加電圧は、電気分解を生じないように１．８Ｖ以下にすることが望ましい。これは、電気分解による気泡の発生を抑制するためである。また、電圧発生装置６を用いて単に直流を印加するだけでなく、処理目的に応じて、直流をベースにした交流を印加してもよい。

こうした枚葉式電界ウエット処理装置は次のようにしてエッチングに用いられる。４５ｎｍ世代以降において、ゲート材料にメタルゲートが搭載されようとしている。ここでは、その候補の例としてＴｉＮ膜を図２（ａ）に示す構造で用いた場合の例を示す。０．５％のＤＨＦ溶液で下地のＨｉｇｈ−Ｋ膜（ＨｆＳｉＯ）の破線円Ｃ１に示す部分をエッチング除去する場合、つまり、余分なＨｉｇｈ−Ｋ膜を除去するためのウエット処理を行う場合、従来の方式では、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のＴｉＮ近傍で破線円Ｃ２に示すようなサイドエッチングを生じる。これは、異種材料が接触した状態で薬液に触れるとＰｏｌｙ−Ｓｉが（＋）極にＴｉＮが（−）極となり、局所電池効果（ガルバニック）腐食が生じるためである。

しかし、この実施の形態の枚葉式電界ウエット処理装置を用いて、基板側（Ｓｉ ｓｕｂ．）に（＋）の電位を印加することによって図２（ｂ）に示すようなサイドエッチングを生じることなく、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜のエッチング除去を完了することが可能となる。基板に印加する電位とサイドエッチング量の関係を図３に示す。印加電圧を高めることによって、大幅にサイドエッチング量を抑制できることが分かる。

また、処理中に光を遮断することによって、エッチング量を抑制することが可能である。特に、半導体製造工程においてウエハ１０１に配線部を形成するバックエンドプロセスでは、ガルバニック腐食を抑制するために、光を遮断してウエット処理を施している。これに対して、配線部を形成するまでのフロントエンド工程のウエット処理装置として、積極的に光を遮断した装置はない。しかし、メタルゲートを使用するフロントエンド工程においては、光遮断装置（図示を省略する）により光を遮断することでメタルゲートの腐食を抑制できるため、処理中に光を遮断することも重要である。基板にバイアスを印加していない状態で光を遮断した場合は、１Ｋルクスの光を照射した場合の１／１０にエッチング量を抑制できた。したがって、基板にバイアスする場合は、電圧を抑制ことが可能となる。

（実施の形態２）
実施の形態１の枚葉式電界ウエット処理装置を用いた場合に、酸化膜（ＳｉＯ２）エッチング量の基板印加電圧依存性を図４に示す。ＤＨＦ（１００ｐｐｍ）によるＳｉＯ２膜のエッチング量は、基板の印加電位（負）に対して依存性を持たないが、カチオン系界面活性剤（５０ｐｐｍ）を添加したＤＨＦ（１００ｐｐｍ）は、印加電圧とともにエッチング量を抑制できる。これは、カチオン系界面活性剤の親水基（＋）が、基板の負電位によってＳｉＯ２膜に吸着して表面を保護し、ＨＦイオンによるＳｉＯ２膜のエッチングを抑制できるためである。残渣やゴミの溶解にはＨＦイオンが必要となるが、基板のＳｉＯ２膜をエッチングさせたくない場合（４５ｎｍ世代のゲート酸化膜形成プロセスで必要）には、このように基板バイアスで制御する。洗浄ステップを終了した後、リンスのステップで逆バイアスを印加することにより、吸着していた界面活性剤を効果的に除去することができる。

（実施の形態３）
ウエハ上に付着した７０ｎｍ以下の微小粒子は、これまでの洗浄技術では除去が困難であり、基板のエッチング量を多くするか、もしくは、強力な超音波を併用しなければ除去率を高めることができない。しかし、微細化にともない、基板のエッチング量を抑制する必要があり、また、微細パターンへのダメージ倒壊を抑制する観点から、超音波による洗浄も困難となってきた。このような状況で純水をベースに物理洗浄が試みられているが、微小粒子の除去とダメージ抑制の両立は困難である。

そこで、この実施の形態では、実施の形態１の枚葉式電界ウエット処理装置を用い、基板にバイアスを印加している状態で洗浄処理を行う。図５に微小粒子の付着数を示す。図５は、シリカ粒子を用いて浸漬実験し、ＡＦＭで特定エリア内の粒子付着数を計測した結果を示している。実施の形態１の枚葉式電界ウエット処理装置を用いて電圧（１．５Ｖ）印加をすることによって、微小粒子の付着も抑制できることがわかる。

負に帯電したシリカ粒子をウエハから除去する実験において、従来の技術では７０ｎｍ以下の粒子は除去性能が急激に劣化する。これに対し、実施の形態１の枚葉式電界ウエット処理装置によれば、電圧発生装置６で基板に−１Ｖのバイアスを印加しながら処理した場合、ＤＨＦ（１ｐｐｍ）によって基板から脱離した粒子は、電荷反発によって再付着せずに、粒子除去される。

なお、この実施の形態では、枚葉式電界ウエット処理装置のサイドカップ３を外した状態で、基板にバイアスを印加して洗浄処理することも可能である。

（実施の形態４）
この実施の形態で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を図６に示す。図６の枚葉式電界ウエット処理装置は、下部電極１１と回転軸１２とベベルブラシ１３と薬液注入管１４と電圧発生装置１５を備えている。この実施の形態による枚葉式電界ウエット処理装置の下部電極１１、回転軸１２、薬液注入管１４および電圧発生装置１５は、実施の形態１による枚葉式電界ウエット処理装置の下部電極１、回転軸２、薬液注入管５および電圧発生装置６とそれぞれ同じであるので、これらの説明を省略する。

ベベルブラシ１３はブラシ部１３Ａと上部軸電極部１３Ｂで構成されている。上部軸電極部１３Ｂはブラシ部１３Ａを回転支持する回転軸であり、導電性の材料で造られている。ベベルブラシ１３としては、Ｐｔコーティングした金属、または、高濃度にボロンをドーピングしたダイヤモンドをコーティングした金属などが望ましい。上部軸電極部１３Ｂは電圧発生装置１５により電圧をマイナスに印加される。なお、上部軸電極部１３Ｂと電圧発生装置１５との電気的接続は、実施の形態１で述べたように、回転する回転軸２と電圧発生装置６との電気的接続と同様にする。

形状が８の字形のブラシ部１３Ａは、ウエハ１０１のベベル（端面）の余分な膜を、上部軸電極部１３Ｂにより回転しながら除去する。ブラシ部１３Ａには、薬液注入管１４から薬液が注入される。ブラシ部１３Ａの材質にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の多孔質（スポンジ）材などを用い、薬液がブラシ部１３Ａの内部に染み込む。また、ブラシ部１３Ａは脱着式で、ベベル処理時のみウエハ１０１に接触する。なお、ブラシ部１３Ａの形状としては、８の字形の他にも円筒形など各種の形状がある。

この枚葉式電界ウエット処理装置を用いたプロセスによれば、ウエハ１０１にベベルブラシ１３のブラシ部１３Ａを接触させながら処理する。この場合、ウエハ１０１もブラシ部１３Ａも回転させる。電圧発生装置１５によりプラスに印加した下部電極１１にウエハ１０１を接触させ、ベベルブラシ１３の回転軸（導電性物質）である上部軸電極部１３Ｂをマイナスに印加する。薬液注入管１４からの薬液がベベルブラシ１３のブラシ部１３Ａ内部に染み込み、ベベルブラシ１３の上部軸電極部１３Ｂとウエハ１０１との間で電流が流れる。プラス極となる材料は、イオン化されやすく、溶解が促進される。また、ブラシ部１３Ａは脱着式であるので、ベベル処理時のみウエハに接触させる。

このように、この実施の形態では、ウエハ１０１のベベル（端面）の余分な膜を、基板に電界を印加しながら除去する。特に、従来の薬液だけでは、溶解が困難な膜に対して、基板に電界を印加しながら希釈薬液で膜を溶解除去する。ＴａＮ膜は、図７に示すように５０％フッ酸で５ｎｍ／ｍｉｎ程度しかエッチング速度が得られない。しかし、５％フッ酸を用いた場合のＴａＮ膜のエッチング速度の基板印加電圧依存性（図７）に示すように、電界を印加することで、膜の溶解を促進し、希釈溶液でもエッチングが可能となる。したがって、大幅に薬液の使用量を削減でき、短時間で処理ができる。

この実施の形態では、除去する膜としてＴａＮ膜をＨＦ溶液で除去する例を挙げたが、Ｐｔ、Ｒｕ、ＴａＯなどの金属膜に対しては、塩酸溶液、フッ酸溶液、硫酸溶液などを適用してもよい。金属膜は、上記に限らず、遷移金属、貴金属すべてを対象とする。また、絶縁膜のＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ、ＢＣＮなどに対しても有機溶媒を添加したＨＦ溶液を用い、基板に電圧を印加することで、溶解を促進できる。これは、ウエハ基板自身が電極となり、活性酸素が発生するため、膜の溶解を促進できるものと考えられる。

この実施の形態による枚葉式電界ウエット処理装置を用いたプロセスの背景は次のとおりである。Ｃｕ配線の形成工程において、ウエハのベベル部分に付着した金属膜（Ｃｕ膜）は、キャリアケースなどと接触することでクロス汚染を生じるため、ベベル（端面）の金属膜を図８に示すように除去する必要がある。このようなベベルのＣｕ膜除去は、すでに実用化されている。Ｃｕ膜は希釈した硫酸酸化水素水溶液などの薬液で容易に溶解除去できるが、ＴａＮなどのバリアメタルは濃厚なＨＦ薬液でしか除去できず、またＬｏｗＫ膜のＳｉＯＣ組成の膜は容易にエッチングできる薬液がない。ベベルに回り込んだ膜はそのまま残した状態で次工程に進むことになる。

このようにベベル部で残膜が積み重なると、密着性不良により剥れを生じる。剥れたゴミはウエハ表面に付着するだけでなく、ＦＯＵＰ内では歯に接触して剥れ下のウエハに落ちて付着し、製品の歩留りを低下させ問題が多発している。これに対して、最近、純水のみを用いて効率的にベベルをケアできるダブルブラシなどが報告され、より清浄化を目指した技術開発が進められているが、難溶解性の膜には対応ができない。しかし、この実施の形態による枚葉式電界ウエット処理装置を用いたプロセスによれば、基板に電界を印加しながら希釈薬液で膜を溶解除去することができる。

なお、この実施の形態では、一方のベベルブラシ１３に薬液注入管１４を設けたが、両方のベベルブラシ１３に薬液注入管１４を設けてもよい。さらに、ベベルブラシ１３および薬液注入管１４の設置数は１つ以上であればよい。

（実施の形態５）
この実施の形態で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を図９に示す。なお、図９では、先に説明した実施の形態４と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号を付けて、その説明を省略する。図９（ａ）の枚葉式電界ウエット処理装置では、実施の形態４の下部電極１１の代わりに、ウエハ１０１を保持する保持台１１Ａが設けられている。また、２つのベベルブラシ１３の代わりに、ブラシ部１６Ａと軸電極部１６Ｂとから成る陰極用ブラシ１６と、ブラシ部１７Ａと軸電極部１７Ｂとから成る陽極用ブラシ１７が設けられている。陰極用ブラシ１６は、実施の形態４のベベルブラシ１３と同様であるが、この実施の形態では、軸電極部１６Ｂが電圧発生装置１５の陰極側に接続されている。また、陽極用ブラシ１７はベベルブラシ１３と同様であるが、この実施の形態では、軸電極部１７Ｂが電圧発生装置１５の陽極側に接続されている。

陰極用ブラシ１６と陽極用ブラシ１７とのブラシ間隔は、図９（ｂ）に示すように、３０ｍｍ程度の間隔で配置されている。陰極用ブラシ１６と陽極用ブラシ１７とに電圧を印加することによって、ウエハ１０１のベベル（端面）に接触する金属をアノード酸化することで溶解させる。ブラシ間隔は５ｍｍ〜１００ｍｍ程度が望ましい範囲であり、その間隔および、ウエハへの接触圧は自由に調整できるものとする。図１０は、電圧を５Ｖ印加してＲｕ膜およびＴａＮ膜のエッチング速度を測定した結果である。ＨＣｌ溶液は０．５％以下の低濃度でも十分溶解できることが分かる。

ＲｕおよびＴａは、Ｃｌと錯イオンを形成するため、アノード酸化とともに溶解除去されたと考えられる。また、実用的な膜厚は、２０ｎｍ以下であることから、Ｒｕ膜は１ｍｉｎ以内の除去が可能であると言える。電圧発生装置１５の電極の極性が一定の場合、溶解したメタル成分でスポンジ、つまり、ブラシ部１６Ａとブラシ部１７Ａとが汚染されてくるため、定期的に極性を反転することが可能である。この実験では、希釈塩酸１０μＬを５秒間隔で滴下し、電圧５Ｖを印加しているが、滴下間隔、滴下量、印加電圧は、適宜変化させてよい。定電圧ではなく、定電流方式を用いてもよい。滴下する溶液は、塩酸に限らず、硫酸、硝酸などの酸性薬液、アンモニアなどのアルカリ溶液でもよい。また、これらの溶液に過酸化水素水を混合してもよい。ただし、フッ酸は、Ｓｉ基板を溶解するため避けることが望ましい。

この発明の実施の形態１で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を示す図であり、図１（ａ）は枚葉式電界ウエット処理装置を示す部分断面図、図１（ｂ）は下部電極および上部電極を示す斜視図である。 エッチングの様子を示す図であり、図２（ａ）は従来の枚葉式電界ウエット処理装置を用いた場合を示す図、図２（ｂ）はこの発明による枚葉式電界ウエット処理装置を用いた場合を示す図である。 基板に印加する電位とサイドエッチング量の関係を示す図である。 酸化膜（ＳｉＯ２）エッチング量の基板印加電圧依存性を示す図である。 微粒子の再付着数を示す図である。 この発明の実施の形態４で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を示す図である。 ＴａＮ膜のエッチング速度の基板印加電圧依存性を示す図である。 ウエハのベベル膜除去処理の説明図である。 この発明の実施の形態５で使用される枚葉式電界ウエット処理装置を示す図であり、図９（ａ）は枚葉式電界ウエット処理装置の構成を示す図、図９（ｂ）はウエハに対するベベルブラシの位置を示す図である。 ＨＣｌ（塩酸）濃度に対するＲｕ膜およびＴａＮ膜の溶解速度の依存性を示す図である。

符号の説明

１、１１ 下部電極（第１の電極部）
２、１２ 回転軸
３ サイドカップ（側壁部）
４ 上部電極（第２の電極部）
４Ａ 貫通孔
５ 薬液注入管
６、１５ 電圧発生装置
１３ ベベルブラシ（第２の電極部）
１４ 薬液注入管（薬液供給部）
１３Ａ ブラシ部
１３Ｂ 上部軸電極部
１６ 陰極用ブラシ（第１の電極部）
１６Ａ ブラシ部
１６Ｂ 軸電極部（回転軸部）
１７ 陽極用ブラシ（第２の電極部）
１７Ａ ブラシ部
１７Ｂ 軸電極部（回転軸部）

Claims (8)

1. 半導体製造工程の洗浄で使用される半導体プロセスにおいて、
   ウエハに電圧を印加しながらウエット処理することを特徴とする半導体プロセス。
2. 半導体製造工程により配線部を形成する前の工程で、ウエット処理中に光を遮断することを特徴とする半導体プロセス。
3. ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する第１の電極部と、
   第１の電極部に向かって移動可能であると共に注入された薬液を第１の電極部に通す第２の電極部とを備え、
   第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらウエット処理することを特徴とするウエット処理装置。
4. 第２の電極部は少なくとも１つの貫通孔を持つことを特徴とする請求項３記載のウエット処理装置。
5. 第１の電極部の側面に密着状態で装着可能な側壁部を備え、
   第２の電極部は、第１の電極部に装着された側壁部内に移動可能なことを特徴とする請求項３または４記載のウエット処理装置。
6. ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する第１の電極部と、
   第１の電極部に静電吸着されたウエハの端面に接触するブラシ部と、このブラシ部を回転すると共に電圧を印加するための回転軸部とから成る第２の電極部と、
   第２の電極部のブラシ部に薬液を供給する薬液供給部とを備え、
   第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらブラシ部に薬液を注入して、ウエット処理することを特徴とするウエット処理装置。
7. 回転するウエハの端面に接触するブラシ部と、このブラシ部を回転すると共に電圧を印加するための回転軸部とから成る第１の電極部および第２の電極部と、
   第１の電極部および第２の電極部の少なくとも一方のブラシ部に薬液を供給する薬液供給部とを備え、
   第１の電極部と第２の電極部との間に電圧を印加しながらブラシ部に薬液を供給して、ウエット処理することを特徴とするウエット処理装置。
8. 半導体製造工程により配線部を形成する前の工程で、ウエット処理中に光を遮断する遮断手段を備えることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載のウエット処理装置。

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