TW202144519A - 黏著性積層膜及電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種黏著性積層膜（50），依次包括基材層（20）、凹凸吸收性樹脂層（30）及黏著性樹脂層（40），用於保護電子零件的電路形成面，凹凸吸收性樹脂層（30）包含熔點為40℃以上、80℃以下的乙烯系共聚物、以及交聯劑，相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層（30）中的交聯劑的含量為0.06質量份以上、0.60質量份以下。

Description

黏著性積層膜及電子裝置的製造方法
本發明是有關於一種黏著性積層膜及電子裝置的製造方法。
於電子裝置（例如半導體裝置）的製造步驟中，就保護電子零件（例如半導體晶圓）的非電路形成面（背面）的觀點而言，有時進行於電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜的步驟。 作為與所述熱硬化性保護膜有關的技術，例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2017-1188號公報）中記載的技術。
在專利文獻1中記載了一種半導體用保護膜，所述半導體用保護膜包括：由非導電性無機材料構成的保護層、以及設置於所述保護層的其中一面的接著劑層。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-1188號公報
[發明所欲解決之課題]
作為近年來的傾向，電子零件的厚度逐漸變薄。根據本發明者等人的研究可知，隨著電子零件的厚度變薄，於先前的電子裝置的製造方法中，於在電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜後對所述保護膜進行熱硬化時、或於背面研磨步驟後，存在電子零件容易產生翹曲的傾向。特別是於如晶圓級晶片級封裝（chip scale package，CSP）般使密封樹脂與半導體一體化且所述密封樹脂的厚度較厚的情況下，存在容易產生翹曲的傾向。若電子零件產生翹曲，則電子零件的處理變得困難，或者電極產生裂紋。
本發明是鑑於所述情況而完成，提供一種可抑制電子零件的翹曲且抑制對所述電子零件或周邊裝置的污染的黏著性積層膜及電子裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層、含熔點為特定範圍內的乙烯系共聚物及交聯劑的凹凸吸收性樹脂層、以及黏著性樹脂層且交聯劑的含量為特定範圍內的黏著性積層膜作為用於保護電子零件的電路形成面的表面保護膜，可抑制電子零件的翹曲且抑制與黏著性膜相伴隨的對電子零件或周邊裝置的污染（特別是構成黏著性積層膜的樹脂的滲出），從而完成了本發明。
根據本發明，可提供以下所示的黏著性積層膜及電子裝置的製造方法。
[1] 一種黏著性積層膜，依次包括基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，用於保護電子零件的電路形成面， 所述凹凸吸收性樹脂層包含熔點為40℃以上、80℃以下的乙烯系共聚物、以及交聯劑， 相對於所述乙烯系共聚物100質量份，所述凹凸吸收性樹脂層中的所述交聯劑的含量為0.06質量份以上、0.60質量份以下。 [2] 如所述[1]所述的黏著性積層膜，其中 所述乙烯系共聚物包含選自由乙烯-α-烯烴共聚物及乙烯-乙烯基酯共聚物所組成的群組中的至少一種。 [3] 如所述[2]所述的黏著性積層膜，其中 所述乙烯-乙烯基酯共聚物包含乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 所述交聯劑包含選自由光交聯起始劑及有機過氧化物所組成的群組中的至少一種。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的黏著性積層膜， 為背面研磨膠帶。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 所述凹凸吸收性樹脂層進而包含交聯助劑。 [7] 如所述[6]所述的黏著性積層膜，其中 所述交聯助劑包含選自由二乙烯基芳香族化合物、三聚氰酸酯化合物、二烯丙基化合物、丙烯酸酯化合物、三烯丙基化合物、肟化合物及馬來醯亞胺化合物所組成的群組中的一種或兩種以上。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 構成所述基材層的樹脂包含選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺所組成的群組中的一種或兩種以上。 [9] 如所述[1]至[7]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 構成所述基材層的樹脂包含聚萘二甲酸乙二酯。 [10] 如所述[1]至[9]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上、1000 μm以下。 [11] 如所述[1]至[10]中任一項所述的黏著性積層膜，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。 [12] 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備包括電子零件、黏著性積層膜及熱硬化性保護膜的結構體， 所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性積層膜貼附於所述電子零件的所述電路形成面側，所述熱硬化性保護膜貼附於所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面；以及 熱硬化步驟（B），藉由對所述結構體進行加熱來使所述熱硬化性保護膜熱硬化， 所述黏著性積層膜是如所述[1]至[11]中任一項所述的黏著性積層膜。 [13] 如所述[12]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 硬化步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，使所述黏著性積層膜中的所述凹凸吸收性樹脂層熱硬化或紫外線硬化；以及 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟。 [14] 如所述[13]所述的電子裝置的製造方法，其中 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟中的加熱溫度為50℃以上、90℃以下。 [15] 如所述[13]或[14]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）於所述硬化步驟之前包括背面研磨步驟，所述背面研磨步驟是於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨。 [16] 如所述[12]至[15]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述熱硬化步驟（B）中的加熱溫度為120℃以上、170℃以下。 [17] 如所述[12]至[16]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述電子零件的所述電路形成面包含凸塊電極。 [18] 如所述[17]所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凸塊電極的高度設為H[μm]且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上、1以下。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種可抑制電子零件的翹曲且抑制對所述電子零件或周邊裝置的污染的黏著性積層膜及電子裝置的製造方法。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。再者，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。另外，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上、B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
1.黏著性積層膜 圖1是示意性地表示本發明的實施形態的黏著性積層膜50的一例的剖面圖。 本實施形態的黏著性積層膜50是依次包括基材層20、凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40，且用於保護電子零件的電路形成面的黏著性積層膜50，凹凸吸收性樹脂層30包含熔點為40℃以上、80℃以下的乙烯系共聚物、以及交聯劑，相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層30中的交聯劑的含量為0.06質量份以上、0.60質量份以下。 乙烯系共聚物的熔點藉由示差掃描熱量計（Differential Scanning Calorimeter，DSC）進行測定。
如上所述，根據本發明者等人的研究可知，隨著電子零件的厚度變薄，於先前的電子裝置的製造方法中，於在電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜後對所述保護膜進行熱硬化時、或於背面研磨步驟後，存在電子零件容易產生翹曲的傾向。特別是於如晶圓級CSP般使樹脂與半導體一體化且所述樹脂的厚度較厚的情況下，存在容易產生翹曲的傾向。若電子零件產生翹曲，則電子零件的處理變得困難，或者電極產生裂紋。 本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層20、含熔點為40℃以上、80℃以下的乙烯系共聚物及交聯劑的凹凸吸收性樹脂層30、以及黏著性樹脂層40且交聯劑的含量為所述範圍內的黏著性積層膜50作為用於保護電子零件的電路形成面的表面保護膜，可抑制電子零件的翹曲且抑制與黏著性膜相伴隨的對電子零件或周邊裝置的污染（特別是構成黏著性積層膜的樹脂的滲出）。 如上所述，根據本實施形態的黏著性積層膜50，可抑制電子零件的翹曲。
本實施形態的黏著性積層膜50在電子裝置的製造步驟中用於保護電子零件的表面或固定電子零件，更具體而言，在作為電子裝置的製造步驟之一的研削電子零件的步驟（亦稱為背面研磨步驟）中可較佳地用作用於保護電子零件的電路形成面（即包含電路圖案的電路面）的背面研磨膠帶。具體而言，可用於在電子零件的電路形成面上貼附黏著性積層膜50來進行保護，並對與所述電路形成面為相反側的面進行研削的步驟。於在電路形成面上具有凸塊電極的情況下，可較佳地應用包括凹凸吸收性樹脂層30的本實施形態的黏著性積層膜50。 另外，本實施形態的黏著性積層膜50例如亦可用作：在切割步驟或轉印步驟等中用於保護或保持具有表面凹凸的電子零件（例如半導體晶圓、密封晶圓等）的黏著性膜；用於臨時固定具有表面凹凸的電子零件（例如半導體晶片或半導體封裝等）的黏著性膜；於電子零件（例如半導體晶圓等）的乾式拋光、電子零件（例如半導體晶圓等）的背面保護用構件的貼附、硬化、在電子零件（例如半導體封裝等）上的電磁波屏蔽膜的形成、在電子零件（例如半導體晶圓等）的背面上的金屬膜形成等90℃以上的加熱步驟中使用的黏著性膜。
＜基材層＞ 基材層20是出於使黏著性積層膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。 基材層20並無特別限定，例如可列舉樹脂膜。 作為構成基材層20的樹脂，可列舉選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺等中的一種或兩種以上。 該些中，就使耐熱性更良好的觀點而言，較佳為選自聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺中的至少一種，更佳為聚萘二甲酸乙二酯。
基材層20可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成基材層20而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，基材層20的厚度較佳為10 μm以上、500 μm以下，更佳為20 μm以上、200 μm以下，進而佳為25 μm以上、100 μm以下。 基材層20為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
＜凹凸吸收性樹脂層＞ 本實施形態的黏著性積層膜50於基材層20與黏著性樹脂層40之間具有凹凸吸收性樹脂層30。 凹凸吸收性樹脂層30是出於使黏著性積層膜50的對於電路形成面10A的追隨性良好，且使電路形成面10A與黏著性積層膜50的密接性良好的目的而設置的層。進而，凹凸吸收性樹脂層30是出於藉由進行熱硬化或紫外線硬化來提高黏著性積層膜50的耐熱性的目的而設置的層。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制電子零件的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。
凹凸吸收性樹脂層30包含乙烯系共聚物。 作為本實施形態的乙烯系共聚物，可使用選自由乙烯-α-烯烴共聚物及乙烯-乙烯基酯共聚物所組成的群組中的至少一種。
本實施形態的乙烯-α-烯烴共聚物例如是藉由將乙烯與碳數3～20的α-烯烴共聚而獲得的共聚物。 作為α-烯烴，例如可將碳數3～20的α-烯烴單獨使用一種，或者將兩種以上組合使用。其中，較佳為碳數為10以下的α-烯烴，尤佳為碳數為3～8的α-烯烴。作為此種α-烯烴的具體例，可列舉丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3,3-二甲基-1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。其中，就獲取的容易性的方面而言，較佳為丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯及1-辛烯。乙烯-α-烯烴共聚物可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物，就柔軟性的觀點而言，較佳為無規共聚物。
此處，作為乙烯-α-烯烴共聚物，例如可列舉三井化學公司製造的塔夫瑪（TAFMER）（註冊商標）、陶氏（DOW）公司製造的英吉志（ENGAGE）（註冊商標）、埃克森美孚（Exxon Mobil）公司製造的英仔特（EXACT）（註冊商標）、日本聚乙烯公司製造的科耐爾（KERNEL）（註冊商標）等。
按照美國材料試驗學會（American Society for Testing Material，ASTM）D1505測定的乙烯-α-烯烴共聚物的密度較佳為850 kg/m3 ～900 kg/m3 ，更佳為850 kg/m3 ～880 kg/m3 ，進而佳為850 kg/m3 ～870 kg/m3 。 於密度為所述下限值以上時，可避免黏連等處理故障。另外，於密度為所述上限值以下時，可獲得凹凸吸收性優異的凹凸吸收性樹脂層30。 按照ASTM D1238，在190℃、2.16 kg負荷的條件下測定的乙烯-α-烯烴共聚物的熔體流動速率（Melt Flow Rate，MFR）較佳為0.1 g/10分鐘～50 g/10分鐘，更佳為1 g/10分鐘～40 g/10分鐘，進而佳為3 g/10分鐘～35 g/10分鐘。 於MFR為所述下限值以上時，乙烯-α-烯烴共聚物的流動性提高，可使凹凸吸收性樹脂層30的加工性更良好。 另外，於MFR為所述上限值以下時，可獲得厚度更均勻的凹凸吸收性樹脂層30，可抑制加熱步驟時凹凸吸收性樹脂層引起的樹脂的滲出。
作為本實施形態的乙烯-乙烯基酯共聚物，較佳為包含例如選自乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物、乙烯-丙酸乙烯基酯共聚物、乙烯-丁酸乙烯基酯共聚物、乙烯-硬脂酸乙烯基酯共聚物等中的一種或兩種以上，更佳為包含乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物。
所述乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物是乙烯與乙酸乙烯基酯的共聚物，例如為無規共聚物。 所述乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物中的源自乙酸乙烯基酯的結構單元的含有比例較佳為15質量%以上、50質量%以下，更佳為20質量%以上、45質量%以下，進而佳為25質量%以上、40質量%以下。於乙酸乙烯基酯的含量為該範圍內時，凹凸吸收性樹脂層30的柔軟性、耐熱性、透明性、機械性質的平衡更優異。另外，在將凹凸吸收性樹脂層30成膜時，成膜性亦變得良好。 乙酸乙烯基酯的含量可按照日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K7192：1999進行測定。
另外，乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物較佳為僅包含乙烯及乙酸乙烯基酯的二元共聚物，除了乙烯及乙酸乙烯基酯以外，可包含選自例如甲酸乙烯基酯、乙醇酸乙烯基酯、丙酸乙烯基酯、苯甲酸乙烯基酯等乙烯基酯系單量體；丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、或者該些的鹽或烷基酯等丙烯酸系單量體等中的一種或兩種以上作為共聚成分。於包含所述乙烯及乙酸乙烯基酯以外的共聚成分的情況下，較佳為將乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物中的所述乙烯及乙酸乙烯基酯以外的共聚成分的量設為0.5質量%以上、5質量%以下。
按照JIS K7210：1999，在190℃、2.16 kg負荷的條件下測定的乙烯-乙烯基酯共聚物的熔體流動速率（MFR）較佳為0.1 g/10分鐘～50 g/10分鐘，更佳為1 g/10分鐘～40 g/10分鐘，進而佳為3 g/10分鐘～35 g/10分鐘。 於MFR為所述下限值以上時，乙烯-乙烯基酯共聚物的流動性提高，可使凹凸吸收性樹脂層30的成形加工性更良好。 另外，於MFR為所述上限值以下時，分子量變高，因此難以發生向冷卻輥等輥面的附著，可獲得厚度更均勻的凹凸吸收性樹脂層30，可抑制加熱步驟時凹凸吸收性樹脂層引起的樹脂的滲出。
凹凸吸收性樹脂層30例如可藉由將各成分乾式混合或熔融混煉後進行擠出成形而獲得。另外，可視需要添加抗氧化劑。
於將凹凸吸收性樹脂層30的整體設為100質量%時，凹凸吸收性樹脂層30中所含的乙烯系共聚物及交聯劑的合計含量較佳為60質量%以上，更佳為70質量%以上，進而佳為80質量%以上，進而更佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上。
乙烯系共聚物的熔點為40℃以上，較佳為45℃以上，更佳為50℃以上，進而佳為54℃以上。 於乙烯系共聚物的熔點為所述下限值以上時，可抑制輸送、保管黏著性積層膜50時的形狀變化。進而，於乙烯系共聚物的熔點為所述下限值以上時，可抑制在背面研磨步驟中黏著性積層膜50的形狀變化，可更良好地推進電子零件的背面研磨。進而，於乙烯系共聚物的熔點為所述下限值以上時，可提高凹凸吸收性樹脂層30的加工溫度。
乙烯系共聚物的熔點為80℃以下，較佳為75℃以下，更佳為70℃以下，進而佳為65℃以下。 於乙烯系共聚物的熔點為所述上限值以下時，可降低將黏著性積層膜50貼附於電子零件時的溫度。進而，於乙烯系共聚物的熔點為所述上限值以下時，可提高添加劑在乙烯系共聚物中的相容性，結果，可抑制凹凸吸收性樹脂層30中所含的添加劑的滲漏。進而，於乙烯系共聚物的熔點為所述上限值以下時，可進一步提高使黏著性積層膜50的厚度變厚時的黏著性積層膜50的處理性、或黏著性積層膜50的應力緩和性。
於包含兩種成分以上的乙烯系共聚物時，亦有時會觀測到兩個以上的熔點，只要至少一個熔點為所述範圍內即可。較佳為所述兩個以上的熔點均為所述範圍內。
另外，凹凸吸收性樹脂層30包含交聯劑。藉由凹凸吸收性樹脂層30包含交聯劑，可在步驟（B）之前使凹凸吸收性樹脂層30有效地熱硬化或紫外線硬化，可進一步提高凹凸吸收性樹脂層30的耐熱性。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可進一步抑制電子零件的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可進一步抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。 作為本實施形態的交聯劑，並無特別限定，例如可使用選自由光交聯起始劑及有機過氧化物所組成的群組中的至少一種。 就抑制翹曲的觀點而言，相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層30中的交聯劑的含量為0.60質量份以下，較佳為0.55質量份以下，更佳為0.50質量份以下。 另外，就防止加熱時的樹脂的滲出的觀點而言，相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層30中的交聯劑的含量為0.06質量份以上，較佳為0.07質量份以上，更佳為0.08質量份以上。
作為有機過氧化物，例如可使用選自過氧化二月桂醯基、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、過氧化二苯甲醯基、過氧化環己酮、二-第三丁基過鄰苯二甲酸酯、枯烯過氧化氫、第三丁基過氧化氫、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烯、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷、第三戊基過氧化-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧化-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧化異丁酸酯、第三丁基過氧化馬來酸酯、1,1-二(第三戊基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(第三戊基過氧化)環己烷、第三戊基過氧化異壬酸酯、第三戊基過氧化正辛酸酯、1,1-二(第三丁基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(第三丁基過氧化)環己烷、第三丁基過氧化異丙基碳酸酯、第三丁基過氧化-2-乙基己基碳酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲醯基過氧化)己烷、第三戊基過氧化苯甲酸酯、第三丁基過氧化乙酸酯、第三丁基過氧化異壬酸酯、第三丁基過氧化苯甲酸酯、2,2-二(丁基過氧化)丁烷、正丁基-4,4-二(第三丁基過氧化)丁酸酯、過氧化甲基乙基酮、乙基-3,3-二(第三丁基過氧化)丁酸酯、過氧化二枯基、過氧化第三丁基枯基、第三丁基過氧化苯甲酸酯、過氧化二-第三丁基、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化氫、過氧化乙醯丙酮等中的一種或兩種以上。
該些中，較佳為使用選自2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烯、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷、第三丁基過氧化-2-乙基己基碳酸酯、第三丁基過氧化苯甲酸酯中的一種或兩種以上。
作為光交聯起始劑，例如可使用選自由二苯甲酮、二苯甲酮衍生物、硫雜蒽酮、硫雜蒽酮衍生物、安息香、安息香衍生物、α-羥基苯烷基酮類、α-胺基烷基酚類、醯基氧化膦類、烷基苯基乙醛酸酯類、二乙氧基苯乙酮、肟酯類、二茂鈦化合物、蒽醌衍生物所組成的群組中的一種或兩種以上。其中，就交聯性更良好的方面而言，較佳為二苯甲酮、二苯甲酮衍生物、安息香、安息香衍生物、α-羥基苯烷基酮類、肟酯類、蒽醌衍生物，進而佳為二苯甲酮、二苯甲酮衍生物、蒽醌衍生物，二苯甲酮、二苯甲酮衍生物由於透明性亦良好，因此最佳。 作為二苯甲酮及二苯甲酮衍生物的較佳例，可列舉二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、4-苯氧基二苯甲酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、4-甲基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮等。 作為蒽醌衍生物的較佳例，可列舉2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。
另外，就進一步提高耐熱性的觀點而言，凹凸吸收性樹脂層30較佳為進而包含交聯助劑。 作為交聯助劑，例如可使用選自由二乙烯基芳香族化合物、三聚氰酸酯化合物、二烯丙基化合物、丙烯酸酯化合物、三烯丙基化合物、肟化合物及馬來醯亞胺化合物所組成的群組中的一種或兩種以上。 相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層30中的交聯助劑的含量較佳為5.0質量份以下，更佳為2.0質量份以下，尤佳為1.0質量份以下。 另外，相對於乙烯系共聚物100質量份，凹凸吸收性樹脂層30中的交聯助劑的含量較佳為0.01質量份以上，更佳為0.05質量份以上，進而佳為0.10質量份以上。
作為二乙烯基芳香族化合物，例如可列舉二乙烯基苯、二-異丙烯基苯等。 作為三聚氰酸酯化合物，例如可列舉三烯丙基三聚氰酸酯、三烯丙基異三聚氰酸酯等。 作為二烯丙基化合物，例如可列舉鄰苯二甲酸二烯丙酯等。 作為三烯丙基化合物，例如可列舉季戊四醇三烯丙醚等。 作為丙烯酸酯化合物，例如可列舉：二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯等。 作為肟化合物，例如可列舉對醌二肟、p-p'-二苯甲醯基醌二肟等。 作為馬來醯亞胺化合物，例如可列舉間苯二馬來醯亞胺等。 作為交聯助劑，較佳為一分子中具有三官能以上的乙烯基等交聯性不飽和鍵的化合物，其中，就交聯性良好的方面而言，較佳為三烯丙基三聚氰酸酯、三烯丙基異三聚氰酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯，尤佳為三烯丙基三聚氰酸酯及三烯丙基異三聚氰酸酯。
凹凸吸收性樹脂層30的厚度若為可將電子零件10的電路形成面10A的凹凸埋入的厚度，則並無特別限制，例如較佳為10 μm以上、1000 μm以下，更佳為20 μm以上、900 μm以下，進而佳為30 μm以上、800 μm以下，尤佳為50 μm以上、700 μm以下。
於將電子零件10的電路形成面10A上存在的凸塊電極的高度設為H[μm]且將凹凸吸收性樹脂層30的厚度設為d[μm]時，H/d較佳為1以下，更佳為0.85以下，進而佳為0.7以下。若H/d為所述上限值以下，則可使黏著性積層膜50的厚度更薄，且使凹凸吸收性更良好。 H/d的下限並無特別限定，例如為0.01以上。凸塊電極的高度通常為2 μm以上、600 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 黏著性樹脂層40為設置於凹凸吸收性樹脂層30的其中一面側的層，是於將黏著性積層膜50貼附於電子零件10的電路形成面10A時，與電子零件10的電路形成面10A接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層40的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
另外，作為構成黏著性樹脂層40的黏著劑，亦可使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。由放射線交聯型黏著劑所構成的黏著性樹脂層40藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減少，因此於將後述的電子零件10與黏著性積層膜50剝離的步驟（C）中，容易自黏著性樹脂層40剝離電子零件10。放射線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。 放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯基酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、馬來酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型黏著劑例如包含：所述(甲基)丙烯酸系聚合物、交聯性化合物（具有碳-碳雙鍵的成分）、以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
交聯性化合物例如可列舉：分子中具有碳-碳雙鍵，可藉由自由基聚合而交聯的單體、寡聚物或聚合物等。所述交聯性化合物例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基三聚氰酸酯、2-羥基乙基雙(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯等異三聚氰酸酯或者異三聚氰酸酯化合物等。 再者，於(甲基)丙烯酸系聚合物為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線交聯型聚合物的情況下，亦可不添加交聯性化合物。
相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份，交聯性化合物的含量較佳為1質量份～900質量份，更佳為2質量份～100質量份，進而佳為5質量份～50質量份。藉由交聯性化合物的含量為所述範圍，與少於所述範圍的情況相比，黏著力的調整變得容易，且與多於所述範圍的情況相比，難以產生由於對熱或光的感度過高而引起的保存穩定性的下降。
光聚合起始劑只要為藉由照射放射線而開裂生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類；苄基、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類等。
熱聚合起始劑例如可列舉有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起始劑等。就加熱時不會產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑例如可列舉：酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。 就提高黏著性樹脂層40的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份，交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上、10質量份以下。
黏著性樹脂層40的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上、100 μm以下，更佳為3 μm以上、50 μm以下。
黏著性樹脂層40例如可藉由在凹凸吸收性樹脂層30上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，一般而言較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。進而佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
關於本實施形態的黏著性積層膜50，於使凹凸吸收性樹脂層30紫外線硬化或使黏著性樹脂層40紫外線交聯的情況下，需要以使所述硬化或交聯不妨礙本發明的目的的程度具有光線透過率。
就機械特性與操作性的平衡而言，本實施形態的黏著性積層膜50整體的厚度較佳為25 μm以上、1100 μm以下，更佳為100 μm以上、900 μm以下，進而佳為200 μm以上、800 μm以下。
本實施形態的黏著性積層膜50可於各層之間設置黏接層（未圖示）。藉由該黏接層，可提高各層之間的黏接性。
繼而，對本實施形態的黏著性積層膜50的製造方法的一例進行說明。 首先，於基材層20的其中一面上，利用擠出層壓法來形成凹凸吸收性樹脂層30。繼而，藉由在凹凸吸收性樹脂層30上塗佈黏著劑塗佈液，使其乾燥而形成黏著性樹脂層40，獲得黏著性積層膜50。 另外，基材層20與凹凸吸收性樹脂層30可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的基材層20與膜狀的凹凸吸收性樹脂層30進行層壓（積層）而形成。
2.電子裝置的製造方法 其次，對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。 圖2的（A）、圖2的（B）是示意性地表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。 本實施形態的電子裝置的製造方法包括以下的步驟（A）及步驟（B）。 （A）準備步驟，準備包括電子零件10、黏著性積層膜50及熱硬化性保護膜70的結構體60，所述電子零件10具有電路形成面10A，所述黏著性積層膜50貼附於電子零件10的電路形成面10A側，所述熱硬化性保護膜70貼附於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C （B）熱硬化步驟，藉由對結構體60進行加熱來使熱硬化性保護膜70熱硬化 此處，電子零件10的電路形成面10A與黏著性樹脂層40相接。
（步驟（A）） 首先，準備包括電子零件10、黏著性積層膜50及熱硬化性保護膜70的結構體60，所述電子零件10具有電路形成面10A，所述黏著性積層膜50貼附於電子零件10的電路形成面10A側，所述熱硬化性保護膜70貼附於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C。
所述結構體60例如可藉由進行於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的步驟（A1）、以及在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）來製作。
於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的方法並無特別限定，可利用一般公知的方法剝離。例如，可由人手進行，亦可由安裝了輥狀的黏著性積層膜50的被稱為自動貼附機的裝置進行。
在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的方法並無特別限定，可利用一般公知的方法剝離。例如，可由人手進行，亦可由安裝了輥狀的熱硬化性保護膜70的被稱為自動貼附機的裝置進行。
在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）例如於對熱硬化性保護膜70進行加熱的同時進行。步驟（A2）中的加熱溫度根據熱硬化性保護膜70的種類適當設定，因此並無特別限定，例如為50℃以上、90℃以下，較佳為60℃以上、80℃以下。
作為熱硬化性保護膜70，並無特別限定，例如可使用公知的熱硬化型半導體背面保護用膜。 熱硬化性保護膜70例如包括熱硬化性接著劑層，亦可視需要進一步包括保護層。 作為接著劑層，較佳為由熱硬化性樹脂形成，更佳為由熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂形成。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該些熱硬化性樹脂可使用一種或兩種以上。該些中，較佳為離子性雜質等含量少的環氧樹脂。 作為熱塑性樹脂，例如可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。該些熱塑性樹脂可使用一種或兩種以上。該些中，較佳為離子性雜質等含量少的丙烯酸樹脂。
接著劑層可視需要含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉填充劑、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、增量劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑等。
保護層例如由耐熱性樹脂、金屬等構成。 作為構成保護層的耐熱性樹脂，並無特別限定，例如可列舉聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、液晶聚合物、聚四氟乙烯等。該些中，可列舉聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚碸、聚醚醯亞胺、聚醚酮、聚醚醚酮等。 作為構成保護層的金屬，並無特別限定，例如可列舉鋁、耐酸鋁（alumite）、不鏽鋼、鐵、鈦、錫、銅等。
熱硬化性保護膜70可使用市售的膜。作為市售的膜，例如可列舉琳得科（Lintec）公司製造的晶片背面保護膠帶（製品名：「LC膠帶」系列）等。
作為電子零件10，只要為具有電路形成面10A的電子零件10，則並無特別限定，例如可列舉：半導體晶圓、藍寶石基板、鉭酸鋰基板、模具晶圓、模具面板、模具陣列封裝、半導體基板等。 另外，作為半導體基板，例如可列舉：矽基板、鍺基板、鎵-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板、鎵-砷基板等。
另外，電子零件10可為任意用途的電子零件，例如可列舉邏輯用途（例如通信用途、高頻信號處理用途等）、記憶用途、感測器用途、電源用途的電子零件等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
電子零件10的電路形成面10A例如藉由具有電極10B而成為凹凸結構。 另外，電極10B是於將電子裝置安裝於安裝面時與形成於安裝面上的電極接合而形成電子裝置與安裝面（印刷基板等的安裝面）之間的電性連接者。 作為電極10B，例如可列舉球凸塊、印刷凸塊、螺栓凸塊、鍍敷凸塊、柱凸塊等凸塊電極。即，電極10B通常為凸電極。該些凸塊電極可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成凸塊電極的金屬種並無特別限定，例如可列舉銀、金、銅、錫、鉛、鉍及該些的合金等。該些金屬種可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
本實施形態的電子裝置的製造方法中，較佳為進行於在電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50的狀態下，使黏著性積層膜50中的凹凸吸收性樹脂層30熱硬化或紫外線硬化的硬化步驟（A3）。藉此，可提高黏著性積層膜50的耐熱性。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制電子零件10的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。硬化步驟（A3）並無特別限定，較佳為於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）之前進行。
作為凹凸吸收性樹脂層30的熱硬化方法，只要是可使乙烯系共聚物熱硬化的方法即可，並無特別限定，可列舉利用自由基聚合起始劑進行的熱交聯。 利用自由基聚合起始劑進行的熱交聯可使用乙烯系共聚物的交聯中使用的自由基聚合起始劑。作為自由基聚合起始劑，可使用公知的熱自由基聚合起始劑。
另外，藉由對凹凸吸收性樹脂層30照射紫外線，可使凹凸吸收性樹脂層30交聯而硬化。 紫外線例如從黏著性積層膜50的基材層20側的面照射。 另外，於任一交聯方法中，可對凹凸吸收性樹脂層30調配交聯助劑而進行凹凸吸收性樹脂層30的交聯。
本實施形態的電子裝置的製造方法中，亦可進行背面研磨步驟（A4），所述背面研磨步驟（A4）於在電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50的狀態下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨。即，可將本實施形態的黏著性積層膜50用作背面研磨膠帶。此處，若於背面研磨步驟（A4）之前進行硬化步驟（A3），則黏著性積層膜50的黏著力降低，因此於背面研磨步驟（A4）中，有黏著性積層膜50剝落之虞。因此，較佳為於硬化步驟（A3）之前進行背面研磨步驟（A4）。
於背面研磨步驟（A4）中，於貼附於黏著性積層膜50的狀態下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨。 此處，所謂進行背面研磨，是指於不會使電子零件10破裂、或破損的情況下，進行薄化加工至既定的厚度為止。 電子零件10的背面研磨可利用公知的方法進行。例如，可列舉於研削機的夾盤等上固定電子零件10，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行研削的方法。
背面研削方式並無特別限定，例如可採用貫穿進給（through feed）方式、切入進給（in feed）方式等公知的研削方式。各種研削是一邊將水澆到電子零件10及研磨石上冷卻一邊進行。
（步驟（B）） 其次，藉由對結構體60進行加熱來使熱硬化性保護膜70熱硬化。
使熱硬化性保護膜70熱硬化的步驟（B）中的加熱溫度根據熱硬化性保護膜70的種類適當設定，因此並無特別限定，例如為120℃以上、170℃以下，較佳為130℃以上、160℃以下。
（步驟（C）） 另外，本實施形態的電子裝置的製造方法中，亦可於步驟（B）之後進一步進行將電子零件10與黏著性積層膜50剝離的步驟（C）。藉由進行所述步驟（C），可從黏著性積層膜50剝離電子零件10。剝離溫度例如為20℃～100℃。 電子零件10與黏著性積層膜50的剝離可利用公知的方法進行。
（其他步驟） 本實施形態的電子裝置的製造方法亦可包括所述以外的其他步驟。作為其他步驟，可使用在電子裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，亦可進一步進行金屬膜形成步驟、退火處理、切割步驟、晶粒結合步驟、打線接合步驟、倒裝晶片連接步驟、硬化加熱測試步驟、密封步驟、回流焊步驟等電子零件的製造步驟中通常進行的任意的步驟等。
以上，對本發明的實施形態進行敘述，但該些是本發明的例示，亦可採用所述以外的各種構成。
再者，本發明並不限定於所述實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等亦包括在本發明中。 [實施例]
以下，藉由實施例及比較例具體說明本發明，但本發明並不限定於此。 有關黏著性膜的製作的詳情如下所述。
＜基材層＞ 基材層1：聚萘二甲酸乙二酯膜（製品名：泰耐斯（Teonex）Q81，東洋紡膜解決方案（toyobo film solution）公司製造，厚度：50 μm） 基材層2：聚對苯二甲酸乙二酯膜（東洋紡公司製造，製品名：E7180，厚度：50 μm）
＜凹凸吸收性樹脂層形成用樹脂＞ 樹脂1：乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物（製品名：維波福萊（Evaflex）EV150，三井陶氏聚合化學（Mitsui Dow polychemical）公司製造，熔點：61℃） 樹脂2：乙烯-丙烯共聚物（製品名：塔夫瑪（TAFMER）A35070S，三井化學公司製造，熔點：55℃） 樹脂3：乙烯-丙烯共聚物（製品名：塔夫瑪（TAFMER）A4070，三井化學公司製造，熔點：55℃）
＜黏著劑聚合物（丙烯酸系樹脂）＞ 使丙烯酸正丁酯77質量份、甲基丙烯酸甲酯16質量份、丙烯酸2-羥基乙酯16質量份及作為聚合起始劑的第三丁基過氧化-2-乙基己酸酯0.3質量份於甲苯20質量份、乙酸乙酯80質量份中反應10小時。於反應結束後，將該溶液冷卻，向其中加入甲苯30質量份、甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（昭和電工（股）製造，製品名：卡萊資（Karenz）MOI）7質量份及二月桂酸二丁基錫0.05質量份，一邊吹入空氣一邊在85℃下反應12小時，獲得黏著劑聚合物溶液。
＜黏著性樹脂層用黏著劑塗佈液＞ 相對於黏著劑聚合物（固體成分）100質量份，添加作為光起始劑的苄基二甲基縮酮（巴斯夫（BASF）公司製造，商品名：豔佳固（Irgacure）651）8質量份、異氰酸酯系交聯劑（三井化學公司製造，商品名：奧萊斯特（olester）P49-75S）2.33質量份、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯（新中村化學工業公司製造，商品名：AD-TMP）6質量份，獲得黏著劑塗佈液。
[實施例1] 獲得將樹脂1（100質量份）、作為交聯助劑的三烯丙基異三聚氰酸酯（三菱化學公司製造，商品名：塔邁克（TMAIC））0.44質量份及作為交聯劑的第三丁基過氧化-2-乙基己基碳酸酯（阿科瑪（Arkema）吉富公司製造，商品名：魯派羅斯（LUPEROX）TBEC）0.32質量份乾式混合後的組成物。繼而，藉由熱壓機將利用實驗塑性磨機（LABO PLASTOMILL）熔融混煉而獲得的組成物成形為厚度500 μm，獲得凹凸吸收樹脂層。繼而，藉由將基材層1貼合在凹凸吸收樹脂層，來製作積層膜。
繼而，將黏著性樹脂層用黏著劑塗佈液塗佈在矽酮脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二酯膜（38 μm）上，使其乾燥，形成厚度20 μm的黏著性樹脂層。繼而，藉由將所得的黏著性樹脂層貼合在所述積層膜的凹凸吸收性樹脂層側，獲得黏著性膜。對所得的黏著性膜進行以下各評價。將所得的結果示於表1中。
＜評價＞ （1）乙烯系共聚物的熔點 乙烯系共聚物的熔點按照示差掃描式熱量測定法（Differential Scanning Calorimetry，DSC），藉由示差掃描式熱量計（SII公司製造，製品名：X-DSC7000）進行測定。將試樣約10 mg放入鋁盤中，以10℃/分鐘自30℃升溫至230℃後（第一次加熱），保持5分鐘。繼而，以10℃/分鐘冷卻至-100℃，保持5分鐘後，再次以10℃/分鐘升溫至230℃（第二次加熱）。在橫軸取溫度、縱軸取DSC時的第二次加熱時的圖表中，根據吸熱峰求出熔點。
（2）矽試驗片翹曲的評價 準備了將研削至75 μm的矽晶圓單片化為5 cm×2.5 cm的試驗片。將黏著性膜的黏著性樹脂層側的矽酮脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二酯膜剝離，並貼合在加熱至70℃的加熱板上後，按照試驗片的尺寸切斷該黏著性膜，製作黏著性膜/矽試驗片積層體。然後，將積層體的矽試驗片側置於下方，以載置於矽酮脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二酯的脫模面的狀態放入至加熱爐中，在150℃下加熱2小時30分鐘。然後，將取出的積層體靜置、放冷10分鐘後，將積層樣品的矽試驗片側置於下方，用手指自上方按壓積層樣品的一個短邊（2.5 cm寬）中央部，利用標尺測定此時抬起的另一個樣品短邊的中點距底面的高度，將該值設為翹曲。 按照以下基準對翹曲進行評價。 ◎：≦2 mm ○：2 mm＜翹曲＜4 mm ×：≧4 mm
（3）凹凸吸收性樹脂層的滲出評價 目視確認凹凸吸收性樹脂層是否自翹曲評價後的試驗片端部滲出。另外，確認於滲出時滲出的樹脂層是否貼合在聚對苯二甲酸乙二酯膜。 按照以下基準對滲出進行評價。 ◎：無滲出 ○：有滲出，但並未貼合在矽酮脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二酯 ×：有滲出，與矽酮脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二酯貼合
[實施例2～實施例4及比較例1、比較例2] 除了將基材層及凹凸吸收性樹脂層的種類變更為表1所示的種類以外，與實施例1同樣地分別製作黏著性膜。另外，與實施例1同樣地分別進行了各評價。將所得的結果分別示於表1中。
[實施例5] 除了將基材層及凹凸吸收性樹脂層的種類變更為表1所示的種類以外，與實施例1同樣地分別製作黏著性膜。另外，在翹曲評價中，在將黏著性膜/矽試驗片積層體放入至加熱爐中之前在室溫下自黏著性膜側利用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm2 實施3240 mJ/cm2 的UV照射，除此以外，與實施例1同樣地分別進行了各評價。將所得的結果分別示於表1中。此處，作為光起始劑，使用4-甲基二苯甲酮（雙邦工業（SHUANG-BANG INDUSTRIAL）公司製造，商品名：SB-PI712）。
[表1] 表1
項目 單位 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2
基材層 基材層的種類 - 基材層1 基材層1 基材層1 基材層1 基材層2 基材層1 基材層1
凹凸吸收性樹脂層 乙烯系共聚物①的種類 - 樹脂1 樹脂1 樹脂1 樹脂1 樹脂2 樹脂1 樹脂1
乙烯系共聚物①的熔點 ℃ 61 61 61 61 55 61 61
乙烯系共聚物①的調配量 質量份 100 100 100 100 50 100 100
乙烯系共聚物②的種類 - - - - - 樹脂3 - -
乙烯系共聚物②的熔點 ℃ - - - - 55 - -
乙烯系共聚物②的調配量 質量份 0 0 0 0 50 0 0
有機過氧化物的調配量 質量份 0.32 0.2 0.16 0.08    0.64 0.04
光起始劑的調配量 質量份             0.5      
交聯助劑的調配量 質量份 0.44 0.3 0.22 0.11 0.85 0.88 0.06
評價結果 試驗片翹曲 - ○ 3 mm ◎ 2 mm ◎ 2 mm ◎ 1 mm ◎ 1 mm × 4 mm ◎ 1 mm
滲出 - ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ×
本申請案主張以2020年5月22日提出申請的日本申請特願2020-089610號為基礎的優先權，並將其揭示的全部內容引入至本申請案中。
10:電子零件 10A:電路形成面 10B:電極 10C:與電路形成面為相反側的表面 20:基材層 30:凹凸吸收性樹脂層 40:黏著性樹脂層 50:黏著性積層膜 60:結構體 70:熱硬化性保護膜
圖1是示意性地表示本發明的實施形態的黏著性積層膜的一例的剖面圖。 圖2的（A）、圖2的（B）是示意性地表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
20:基材層
30:凹凸吸收性樹脂層
40:黏著性樹脂層
50:黏著性積層膜

Claims (18)

  1. 一種黏著性積層膜，依次包括基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，用於保護電子零件的電路形成面， 所述凹凸吸收性樹脂層包含熔點為40℃以上、80℃以下的乙烯系共聚物、以及交聯劑， 相對於所述乙烯系共聚物100質量份，所述凹凸吸收性樹脂層中的所述交聯劑的含量為0.06質量份以上、0.60質量份以下。
  2. 如請求項1所述的黏著性積層膜，其中 所述乙烯系共聚物包含選自由乙烯-α-烯烴共聚物及乙烯-乙烯基酯共聚物所組成的群組中的至少一種。
  3. 如請求項2所述的黏著性積層膜，其中 所述乙烯-乙烯基酯共聚物包含乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物。
  4. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 所述交聯劑包含選自由光交聯起始劑及有機過氧化物所組成的群組中的至少一種。
  5. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜， 其為背面研磨膠帶。
  6. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 所述凹凸吸收性樹脂層進而包含交聯助劑。
  7. 如請求項6所述的黏著性積層膜，其中 所述交聯助劑包含選自由二乙烯基芳香族化合物、三聚氰酸酯化合物、二烯丙基化合物、丙烯酸酯化合物、三烯丙基化合物、肟化合物及馬來醯亞胺化合物所組成的群組中的一種或兩種以上。
  8. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 構成所述基材層的樹脂包含選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺所組成的群組中的一種或兩種以上。
  9. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 構成所述基材層的樹脂包含聚萘二甲酸乙二酯。
  10. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上、1000 μm以下。
  11. 如請求項1或請求項2所述的黏著性積層膜，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
  12. 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備包括電子零件、黏著性積層膜及熱硬化性保護膜的結構體， 所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性積層膜貼附於所述電子零件的所述電路形成面側，所述熱硬化性保護膜貼附於所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面；以及 熱硬化步驟（B），藉由對所述結構體進行加熱來使所述熱硬化性保護膜熱硬化， 所述黏著性積層膜是如請求項1至請求項11中任一項所述的黏著性積層膜。
  13. 如請求項12所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 硬化步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，使所述黏著性積層膜中的所述凹凸吸收性樹脂層熱硬化或紫外線硬化；以及 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟。
  14. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其中 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟中的加熱溫度為50℃以上、90℃以下。
  15. 如請求項13或請求項14所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）於所述硬化步驟之前包括背面研磨步驟，所述背面研磨步驟是於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨。
  16. 如請求項12或請求項13所述的電子裝置的製造方法，其中 所述熱硬化步驟（B）中的加熱溫度為120℃以上、170℃以下。
  17. 如請求項12或請求項13所述的電子裝置的製造方法，其中 所述電子零件的所述電路形成面包含凸塊電極。
  18. 如請求項17所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凸塊電極的高度設為H[μm]且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上、1以下。
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