TWI843828B - 電子零件用膠帶及電子零件之加工方法 - Google Patents

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大倉雅人
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日商古河電氣工業股份有限公司
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本發明係一種電子零件用膠帶及電子零件之加工方法，其中提供：對於具有高度大的凸塊之半導體晶圓而言亦可充份使其順應的同時，可防止壓凹痕產生於半導體晶圓研削面之電子零件用膠帶及電子零件之加工方法。 經由本申請發明之電子零件用膠帶(1)係至少具有1層的樹脂層(3)， 樹脂層(3)係儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中為10000～200000Pa，而熔體流量為10～200g/10min。

Description

電子零件用膠帶及電子零件之加工方法
本發明係有關電子零件用膠帶及電子零件之加工方法。更詳細係有關主要可適用於半導體晶圓的薄膜研削工程之電子零件用膠帶，與使用此電子零件用膠帶的電子零件之加工方法。
在半導體晶圓之製造工程中，圖案形成後之半導體晶圓係通常，為了薄化其厚度，而於半導體晶圓背面施以背面研削加工，蝕刻等之處理。此時，以保護半導體晶圓表面的圖案之目的，於該圖案面貼附有半導體晶圓表面保護用膠帶。半導體晶圓表面保護用膠帶係一般而言，成為呈層積黏著劑層於基材薄膜而成，再於半導體晶圓的背面，貼附黏著劑層而使用(例如，參照專利文獻1)。
近年，伴隨著行動電話或個人電腦等之小型化，高機能化，開發有比較於以往的半導體晶片的連接方法之打線接合，可省空間而安裝之覆晶安裝。覆晶安裝係在電性連接半導體晶片表面與基板時，經由形成於半導體晶圓表面的球狀或圓柱狀的凸塊而連接。如此之凸塊係以往，高度(厚度)為100μｍ以下之構成為主流，但對於半導體晶片之更小型化的要求，為了確保接合信賴性而提案有：將高度(厚度)呈超過200μｍ之凸塊進行再配線之WLCSP(Wafer level Chip Size Package)等。
使用以往的半導體晶圓表面保護用膠帶而進行如上述之晶圓的背面研削情況，因凸塊有著高度而半導體晶圓表面保護用膠帶係無法充分密著保持於晶圓表面。如此，自半導體晶圓表面保護用膠帶與晶圓的間隙，侵入有在研削時所噴射之切削水與矽的研削屑，而發生污染晶圓表面，稱為滲漏的現象。
因此，為了使半導體晶圓表面保護用膠帶順應半導體晶圓表面的凹凸，而提案有：設置儲存模數為1×104 ～1×106 Pa之中間層於基材薄膜與黏著劑層之間的半導體晶圓表面保護用膠帶(例如，參照專利文獻2)。另外，亦提案有：於基材薄膜與黏著劑層之間，設置JIS-A硬度為10～55、厚度為25～400μm之熱可塑性樹脂中間層之半導體晶圓表面保護用膠帶(例如，參照專利文獻3，4)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2000-8010號公報 [專利文獻2] 日本特開2014-17336號公報 [專利文獻3] 日本專利第4054113號公報 [專利文獻4] 日本專利第3773358號公報
[發明欲解決之課題]
但，在記載於上述之專利文獻的半導體晶圓表面保護用膠帶中，半導體晶圓表面保護用膠帶則順應於半導體晶圓表面的凹凸之結果，於半導體晶圓表面保護用膠帶表面產生有凹凸，當在此狀態研削半導體晶圓時，產生有轉印其凹凸於半導體晶圓研削面的壓凹痕。當於半導體晶圓研削面產生有壓凹痕時，有著研削後的半導體晶圓之厚度精確度（TTV：total thickness variation）產生惡化的問題。 [為了解決課題之手段]
因此，本發明係其目的為提供：對於具有高度大的凸塊之半導體晶圓而言亦可充份使其順應的同時，可防止壓凹痕產生於半導體晶圓研削面之電子零件用膠帶及電子零件之加工方法。
為了解決上述課題，有關本申請發明之電子零件用膠帶係其特徵為至少具有1層的樹脂層，前述樹脂層係儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中為10000～200000Pa，而熔體流量為10～200g/10min。
另外，上述電子零件用膠帶係前述樹脂層的分子量分布Mw/Mn則為1.0～3.0者為佳。
上述電子零件用膠帶係於設置有10μm以上之階差的半導體晶圓之電路形成面，以50～100℃之溫度所貼合為佳。
上述電子零件用膠帶係在貼合於前述半導體晶圓之後，配合前述半導體晶圓的尺寸而切斷為佳。
另外，為了解決上述課題，經由本申請發明的電子零件之加工方法係其特徵為具有：於設置有10μm以上之階差的半導體晶圓之電路形成面，以50～100℃的溫度而貼合上述電子零件用膠帶的貼合工程，和在前述貼合工程之後，研削與前述半導體晶圓的電路形成面相反側的面之研削工程。
上述電子零件之加工方法係在前述貼合工程之後，具有將前述電子零件用膠帶配合前述半導體晶圓的尺寸而進行切斷的切斷工程，在前述切斷工程之後，實施前述研削工程者為佳。 [發明效果]
如經由根據本發明之電子零件用膠帶，對於具有高度大的凸塊之半導體晶圓而言亦可充份使其順應的同時，可防止壓凹痕產生於半導體晶圓研削面者。
以下，依據圖面而詳細說明本發明之實施形態。圖1係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子零件用膠帶1之構造的剖面圖。
如圖1所示，有關本實施形態之電子零件用膠帶1係具有基材薄膜2，而於基材薄膜2之至少單面側係設置有樹脂層3。對於樹脂層3之上面係設置有黏著劑層4，而對於黏著劑層4之上面，係脫模處理表面之剝離薄膜5之脫模處理面則呈至黏著劑層4側而進行層積。然而，在本實施形態中係設置有剝離薄膜，但並非必須設置剝離薄膜5。
以下，對於本實施形態之電子零件用膠帶1之各構成要素，詳細進行說明。
(基材薄膜2) 作為本發明之電子零件用膠帶1的基材薄膜2，可使用公知的塑料，橡膠等。基材薄膜2係特別對於黏著劑層4使用放射線硬化性的組成物之情況，選擇其組成物產生硬化之波長的放射線之透過性佳的構成為佳。然而，在此，放射線係指：例如，總稱如紫外線的光線，或者雷射光，或如電子束之電離性放射線之構成，以下，總稱此等而稱為放射線。
作為如此之基材薄膜2而可選擇之樹脂的例，係可使用高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯丙烯酸共聚物或乙烯甲基丙烯酸共聚物與此等之金屬交聯體(離子交聯聚合物)等之聚烯烴類，或聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等之聚酯類，或使丙烯酸樹脂交聯而作成薄膜狀之構成者。各個樹脂係亦可以單獨作為單層基材而使用，或組合樹脂進行混合，以及作為不同之樹脂的複層構成亦可。另外，調配為了辨識･識別電子零件用膠帶1之著色用顏料等，在對於物性未有影響的範圍而加上添加物亦可。
基材薄膜2係為了作為電子零件用膠帶1之處理性或半導體晶圓6之薄膜研削時之彎曲抑制，在25℃之拉伸彈性率為0.01～10GPa者佳，而0.1～5GPa為更佳。 更且，基材薄膜2為最表面之情況係對於要求可承受經由電子零件用膠帶1之加熱貼合，或半導體晶圓6之研磨等之加工熱之同時，使用於在電子零件用膠帶1之剝離時，加熱壓著熱封膜於膠帶背面再進行剝離之工程的情況，熔點為70～170℃為佳，而90～140℃為更佳。
基材薄膜2之厚度係無特別加以限定，而適宜作設定即可，為10～300μm，又25～100μm為佳。
上述基材薄膜2之製造方法係無特別加以限定。可使用壓延法，T字模押出法，吹塑法等以往的方法。另外，亦可為以接著劑等而貼合獨立製膜之薄膜與其他的薄膜而作為基材薄膜。
對於設置有基材薄膜2之樹脂層3側的表面，為了使與樹脂層3之密著性提升，而適宜實施電暈處理或設置底漆層等之處理亦可。然而，將未設置有基材薄膜2之樹脂層3側的表面，進行粗糙化加工或滑劑塗層亦為理想，而經由此，可得到本發明之電子零件用膠帶1保管時之阻隔防止等的效果。
對於使用於在電子零件用膠帶1之剝離時，加熱壓著熱封膜於膠帶背面再進行剝離之工程的情況，於未設置有基材薄膜2之樹脂層3側的表面，設置具有熱封與接著性之塗層或樹脂層亦為理想。此等熱封層的熔點係70～170℃為佳，而90～140℃為更佳。特別是作為基材薄膜2，對於使用PET等之高熔點材料的情況係熱封層為有效。
(樹脂層3) 作為構成樹脂層3之樹脂係儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中，更理想係在70℃之溫度中為10000～200000Pa，而熔體流量如為10～200g/10min，可未特別限定而使用公知的樹脂。
作為樹脂層3而可選擇之樹脂的例，係可舉出：聚乙烯，乙烯-乙酸乙烯共聚物，乙烯-丙烯酸乙基共聚物，乙烯-丙烯酸甲基共聚物，乙烯-丙烯酸共聚物，離子交聯聚合物等之α-烯烴之單獨聚合物或共聚物。各個樹脂係亦可以單獨作為單層而使用，或組合此等之樹脂進行混合，以及作為不同之樹脂的複層構成亦可。
樹脂層3係儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中為10000～200000Pa，而熔體流量為10～200g/ 10min。當儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中為不足10000Pa時，經由根據加熱貼合而過度變形之故，而電子零件用膠帶1之厚度精確度變差之情況，或樹脂層3外露於半導體晶圓6之側面的情況之時，在沿著半導體晶圓6側面而切斷電子零件用膠帶1時成為毛邊或團塊，污染半導體晶圓6。當於樹脂層3之切斷部分產生有毛邊等時，在研削或研磨半導體晶圓6的背面時，毛邊等則捲入至加工面，對於半導體晶圓6產生有側緣裂縫，以及產生斷裂。另外，在半導體晶圓6之乾式研磨等之研磨時，在經由加工的摩擦熱亦有超過60℃，認為有成為半導體晶圓6之破損或厚度精確度不良之情況。更且，在電子零件用膠帶1之輸送或保管中，高溫時係亦有超過60℃之狀況，而亦認為有經由在電子零件用膠帶1之端部產生軟化，將電子零件用膠帶1作為卷狀物而進行輸送或保管之情況在端部的誤著或產生軟化之樹脂的周邊污染。
當儲存模數則在60℃～80℃之任一溫度中超過200000Pa時，電子零件用膠帶1則無法充份順應半導體晶圓6表面之凹凸61，而帶來研削水之侵入或研削時之半導體晶圓破損。
樹脂層3之儲存模數係理想在70℃中為10000～200000Pa，而更理想係在70℃中為30000～160000Pa。
樹脂層3係當熔體流量不足10g/10min時，認為電子零件用膠帶1則在順應半導體晶圓6表面之凹凸61時，對於電子零件用膠帶1之表面產生有凹凸，當研削半導體晶圓6時，產生有壓凹痕，而研削後之半導體晶圓6的厚度精確度惡化之情況，或在真空吸附電子零件用膠帶1的背面時產生外洩而無法吸附之情況。當熔體流量超過200g/10min時，樹脂層3之製膜時，或電子零件用膠帶1之貼合後的厚度精確度則變差。熔體流量係理想為15～70，而更理想為30～70。
在本發明中，熔體流量(MFR)係依照 JIS K7210而進行測定，在190℃、2.16kg負載下，每10分鐘流出之樹脂的質量(g/10分)。
樹脂層3之60～80℃的儲存模數係例如，樹脂的密度或共聚單體共聚物之情況係可由共聚單體含有比率而進行調整。乙烯-乙酸乙烯共聚物，乙烯丙烯酸甲酯共聚物，乙烯丙烯酸丁酯之情況係共聚單體含有率10～50質量%為佳，而25～45%為更佳。α-烯烴之情況係密度為0.87～0.93為佳，而0.88～0.90為更佳。
樹脂層3之熔體流量係例如，可由樹脂的分子量而進行調整，重量平均分子量則10000～200000為佳，而40000～80000為更佳。
樹脂層3的分子量分布Mw/Mn係1.0～3.0為佳。當分子量分布Mw/Mn超過3.0時，經由根據加熱貼合而過度變形之故，而電子零件用膠帶1之厚度精確度變差之情況，或樹脂層3外露於半導體晶圓6之側面的情況之時，在沿著半導體晶圓6側面而切斷電子零件用膠帶1時成為毛邊或團塊，污染半導體晶圓6。當於樹脂層3之切斷部分產生有毛邊等時，在研削或研磨半導體晶圓6的背面時，毛邊等則捲入至加工面，對於半導體晶圓6產生有側緣裂縫，以及產生斷裂。分子量分布Mw/Mn係理論上超過1.0。
分子量分布(Mw/Mn)係重量平均分子量(Mw)與數平均分子量(Mn)的比。重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)係經由凝膠滲透層析(GPC)法而作為聚苯乙烯換算分子量所測定。具體而言，重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)係以過濾器而過濾經由四氫呋喃(THF)稀釋50倍(甲基)丙烯酸聚合物所得到之稀釋液，再使用所得到之濾液，經由GPC法而作為聚苯乙烯換算分子量所測定。
對於樹脂層3係因應必要，含有安定劑、滑劑、氧化防止劑、顏料、可塑劑等亦可。但經由添加劑的種類，含有量係亦有污染黏著劑層或半導體晶圓之情況之故，而其情況係設置阻障層於樹脂層3與黏著劑層之間為佳。
樹脂層3之厚度係30～500μm為佳，而80～300μm為更佳。
樹脂層3之層積方法係未特別限制，但例如，可舉出：由T字模押出機押出成形為薄膜狀之同時，與預先準備之基材薄膜2進行層壓的方法，將基材薄膜2與基材薄膜3各進行製膜而進行乾式層壓或熱層壓之方法，經由共押出基材薄膜2與樹脂層3而同時進行製膜之方法等。共押出的方法係除了T字模押出法之外，可舉出吹塑法等。
(黏著劑層4) 構成黏著劑層4之黏著劑組成物係未特別限制，而可使用以往的構成，但可舉出：將(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之單獨聚合物，或作為構成成分而具有(甲基)丙烯酸酯之共聚物。作為構成成分而含有丙烯酸酯之聚合物的單體成分係，例如，可舉出：甲基，乙基，n-丙基、異丙基，n-丁基，t-丁基，異丁基，戊基，異戊基，己基，庚基，環己基，2-乙基己基，辛基，異辛基，壬基，異壬基，癸基，異癸基，十一烷基，月桂基，十三烷基，十四烷基，十八烷醯，十八烷基，及十二烷基等之碳數30以下，理想係具有碳數4~18之直鏈或分歧的烷基之丙烯酸烷酯或甲基丙烯酸烷酯。此等烷基(甲基)丙烯酸酯係亦可單獨使用，或併用2種以上。
作為上述以外之丙烯酸樹脂中的構成成分係可含有以下的單體。例如，可舉出丙烯酸，甲基丙烯酸，羧乙基(甲基)丙烯酸酯，羧基戊基(甲基)丙烯酸酯，衣康酸，馬來酸，丁烯二酸，及巴豆酸等之羧基含有單體，無水順丁烯二酸，或衣康酸酐等之酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥乙基，(甲基)丙烯酸2-羥丙基，(甲基)丙烯酸4-羥基丁基，(甲基)丙烯酸6-羥基已基，(甲基)丙烯酸8-羥基辛基，(甲基)丙烯酸10-羥基癸基，(甲基)丙烯酸12-羥基十二烷基，及(4-羥甲基環己烷)甲基(甲基)丙烯酸等之羥基含有單體，苯乙烯磺酸，丙烯基磺酸，2-(甲基)丙烯醯胺-2甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸，磺丙基(甲基)丙烯酸，及(甲基)丙烯醯氧基奈磺酸等之磺酸基含有單體；2-羥乙基丙烯醯基磷酸等之磷酸基含有單體，(甲基)丙烯醯胺，(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基(例如、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、t-丁基胺基甲基丙烯酸乙酯等)、N-乙烯吡咯烷酮、丙烯醯基嗎啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。此等單體成分係亦可單獨使用，或併用2種以上。
另外，作為丙烯酸樹脂，作為構成成分，可含有以下之多官能性單體。作為其例，可舉出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，四甲醇甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二聚季戊四醇單羥基(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體係亦可單獨使用，或併用2種以上。
作為丙烯酸酯係可舉出：丙烯酸乙酯，丙烯酸丁酯，丙烯酸2-乙基己基，丙烯酸環氧丙基，丙烯酸2-羥基乙基等。另外，可使用將上述之丙烯酸酯，例如取代為甲基丙烯酸酯之構成等之丙烯酸系聚合物與硬化劑而成之構成。
作為硬化劑，係可使用記載於日本特開2007-146104號公報的硬化劑。例如，可舉出：對於1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)環己烷，1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)甲苯，1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)苯環，N,N,N,N'-四縮水甘油基-m-間苯二甲胺等之分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物，對於2,4-二異氰酸甲苯酯，2,6-二異氰酸甲苯酯，1,3-二甲苯二異氰酸酯，1,4-二甲苯二異氰酸酯，二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯等之分子中具有2個以上之異氰酸酯基之異氰酸酯系化合物，對於四羥甲基－三-β-氮丙啶基丙酸酯，三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-丙烯亞胺)丙酸鹽等之分子中具有2個以上之氮丙啶基之氮丙啶系化合物等。硬化劑的含有量係如因應期望的黏著力或儲存模數而做調整即可，而對於上述聚合物100質量份而言，0.01～10質量份為理想，更理想為0.1～5質量份。
經由使光聚合性化合物及光聚合開始劑含於如上述之黏著劑層4中之時，經由照射紫外線而進行硬化，而黏著劑層4係可使黏著力降低。作為如此之光聚合性化合物，係廣泛使用如揭示於日本特開昭60-196956號公報及日本特開昭60-223139號公報，於可經由光照射而作為三次元網化之分子內，至少具有2個以上光聚合性碳-碳二重結合之低分子量化合物。
具體而言，係可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，三丙烯酸季戊四醇酯，四丙烯酸季戊四醇酯，二季戊四醇單羥基丙烯酸酯，雙季戊四醇六丙烯酸酯，1,4-丁二醇二丙烯酸酯，1,6-己二醇二丙烯酸酯，聚乙二醇雙丙烯酸酯，市售的寡酯丙烯酸酯等。
作為光聚合開始劑，係可使用記載於日本特開2007-146104或日本特開2004-186429號公報之光聚合開始劑。可併用安息香異丙醚，安息香異丁醚，二甲基苯酮，米氏酮，氯噻吨酮，苄基甲基縮酮，α-羥環己基苯基酮，2-羥甲基苯基丙烷等。
作為黏著劑層4，可使用具有光聚合碳-碳二重結合於聚合物中之聚合物，光聚合開始劑，及使用含有硬化劑之樹脂組成物而成之光聚合性黏著劑。作為具有光聚合碳-碳二重結合於聚合物中之聚合物，以1種或2種以上之任意的方法而單獨聚合或共聚合於側鏈具有碳原子數為4~12，更理想為碳原子數8之烷基之(甲基)丙烯酸酯等之單體或共聚合性改質單體的丙烯酸系聚合物。
其他，對於構成黏著劑層4之黏著劑組成物，係因應必要而可調配黏著賦予劑，黏著調整劑，界面活性劑等，或者其他的改質劑等。另外，適宜添加無機化合物充填劑亦可。
黏著劑層4係例如，可由塗佈黏著劑組成物於剝離薄膜5上，使其乾燥而轉印於樹脂層3而形成。在本發明之黏著劑層4之厚度係理想為1～130μm、更理想為1～40μm、又更理想為1～20μm。在本發明之黏著劑層4之作用係主要確保對於半導體晶圓6表面之黏著性及剝離性。當黏著劑層4為厚時，經由其儲存模數係有妨礙對於半導體晶圓6之順應性，或成為對於半導體晶圓6之殘糊的要因之可能性。
黏著劑層4與樹脂層3之合計厚度係半導體晶圓6表面之凹凸高度以上為佳。樹脂層3單獨的厚度係半導體晶圓6表面之凹凸高度的1.0～2.0倍為更佳。
(剝離薄膜5) 另外，對於電子零件用膠帶1係設置剝離薄膜5於黏著劑層4上亦可。剝離薄膜5係為了保護間隔件或剝離層，亦稱為剝離襯墊，黏著劑層4之目的，另外，為了將黏著劑作為平滑之目的所設置。作為剝離薄膜5之構成材料，係可舉出：聚乙烯，聚丙烯，聚乙烯對苯二甲酸酯等之合成樹脂薄膜或紙等。對於剝離薄膜5的表面，係為了提高自黏著劑層4之剝離性，因應必要而施以聚矽氧處理，長鏈烷基處理，氟素處理等之剝離處理亦可。另外，因應必要，黏著劑層4則呈未經由環境紫外線等未企圖之紫外線的暴露而產生反應，而施以紫外線防止處理亦為理想。剝離薄膜5之厚度係通常為10～100μm、理想係25～50μm程度。
＜使用方法＞ 接著，對於本發明之電子零件用膠帶1的使用方法，即半導體晶圓6之加工方法進行說明。
具體而言，首先，實施如圖2(A)所示，自黏著劑層4剝離電子零件用膠帶1之剝離薄膜5，如圖2(B)所示，於半導體晶圓6之電路圖案面(表面)，黏著劑層4則呈成為貼合面而貼合電子零件用膠帶1之貼合工程。此時，以50～100℃的溫度進行加熱而貼合為佳，而以60～80℃的溫度進行加熱而貼合為更佳。經由此，電子零件用膠帶1則充分順應於半導體晶圓6表面的凹凸51。另外，經由樹脂層3之流動性而吸收半導體晶圓6表面的凹凸51，對於電子零件用膠帶1之表面係可抑制凹凸。更且，在將之後的電子零件用膠帶1沿著半導體晶圓6之側面進行切斷時，可抑制切斷毛邊或團塊而進行切斷。貼合時之加熱係經由保持半導體晶圓6之夾盤或貼合滾輪之加溫而實施。
貼合工程之後，在保持於夾盤之狀態，經由附屬於貼合機之切割刀，沿著半導體晶圓6的側面，實施切斷電子零件用膠帶1之切斷工程。為了提升切割性，亦有將切割刀加熱成70～150℃程度之情況。
電子零件用膠帶1係適合使用於形成在電路形成面之凸塊等之凹凸61面的高低差，即電路形成面的階差為10μm以上之構成，更適合使用於階差為100μm以上之構成，特別適合適用於階差為180μm以上之構成。
之後，如圖2(C)所示，將半導體晶圓6的背面，即無電路圖案的面側，半導體晶圓6的厚度則至成為特定的厚度，例如10～200μm，實施經由研削機7而進行研削的研削工程。之後，對於最後加工而實施乾式研磨等之研磨工程亦可。此時，電子零件用膠帶1係充分順應於半導體晶圓6表面的凹凸51之故，而可作為滲漏抑制。另外，抑制了電子零件用膠帶1之表面的凹凸之故，對於半導體晶圓6的背面係均一加上自研削機7的力，厚度精確度佳而研削･研磨半導體晶圓6，亦抑制了壓凹痕。
之後，電子零件用膠帶1為光聚合之情況，係照射能量線而使黏著劑層4之黏著力下降，自半導體晶圓6剝離電子零件用膠帶1。然而，在照射能量線之後，剝離電子零件用膠帶1之前，於半導體晶圓6的無電路圖案之研削･研磨面側，貼合晶圓切割･晶片接合薄膜(未圖示)亦可。
然而，在本實施形態中，作為呈設置黏著劑層4於樹脂層的上面，但如無必要設置黏著劑層4而亦可不設置。此情況，直接貼合半導體晶圓6於樹脂層而研削･研磨半導體晶圓6的背面，在研削･研磨結束之後，自半導體晶圓6剝離電子零件用膠帶1。
然而，在本實施形態中，對於將電子零件用膠帶1使用於半導體晶圓6的研削･研磨的例，已做過說明，但並不限定於此，而可使用於具有凹凸於表面之電子零件的切割，或搬送用等之表面保護的用途者。作為電子零件係除了半導體晶圓6以外，例如，可舉出具有階差為200μm程度之凸凹於表面的玻璃，或具有高度200μm程度的凸塊的封裝等。
＜實施例＞ 以下，依據實施例而更詳細說明本發明，但本發明係未限定於此等實施例者。
[黏著劑層組成物的調製] [黏著劑層組成物A] 對於2-丙烯酸異辛酯80重量份，2-丙烯酸羥乙酯15重量份，甲基丙烯酸5重量份所成之共聚物100質量份而言，加上coronate-L(商品名、Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製)1.0質量份進行混合而得到黏著劑層組成物A。
[構成樹脂層之樹脂的準備] [樹脂B1] 作為樹脂B1，準備丙烯酸丁酯含有率為30%，重量平均分子量為100000之乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA)。在樹脂B1之70℃的儲存模數係9.0×104 Pa、MFR係30g/10min、分子量分布係5.8。
[樹脂B2] 作為樹脂B2，準備乙酸乙烯含有率為40%，重量平均分子量為40000之乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)。在樹脂B2之70℃的儲存模數係3.7×104 Pa、MFR係70g/10min、分子量分布係6.5。
[樹脂B3] 作為樹脂B3，準備密度為0.89，重量平均分子量為40000之α烯烴樹脂。在樹脂B3之70℃的儲存模數係1.6×105 Pa、MFR係40g/10min、分子量分布係2.4。
[樹脂B4] 作為樹脂B4，準備密度為0.88，重量平均分子量為35000之α烯烴樹脂。在樹脂B4之70℃的儲存模數係1.0×105 Pa、MFR係15g/10min、分子量分布係1.8。
[樹脂B5] 作為樹脂B5，準備密度為0.90，重量平均分子量為40000之α烯烴樹脂。在樹脂B5之70℃的儲存模數係2.2×105 Pa、MFR係40g/10min、分子量分布係2.0。
[樹脂B6] 作為樹脂B6，準備丙烯酸甲酯含有率為22%，重量平均分子量為200000之乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)。在樹脂B6之70℃的儲存模數係1.2×105 Pa、MFR係8g/10min、分子量分布係7.1。
[樹脂B7] 作為樹脂B7，準備密度為0.90，重量平均分子量為300000之α烯烴樹脂。在樹脂B5之70℃的儲存模數係3.3×105 Pa、MFR係18g/10min、分子量分布係2.1。
[電子零件用膠帶的製作] [實施例1] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B1，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之實施例1的電子零件用膠帶。
[實施例2] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B2，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之實施例2的電子零件用膠帶。
[實施例3] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B3，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之實施例3的電子零件用膠帶。
[實施例4] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B4，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之實施例4的電子零件用膠帶。
[比較例1] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B5，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之比較例1的電子零件用膠帶。
[比較例2] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B6，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之比較例2的電子零件用膠帶。
[比較例3] 於作為基材薄膜的厚度50μm聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜上，以厚度300μm而押出樹脂B7，形成樹脂層，對於樹脂層側施以電暈處理。接著，於厚度40μm之聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)之間隔件上，乾燥後之膜厚則呈成為20μm而塗佈黏著劑組成物A，再使其乾燥而得到黏著劑層。之後，將黏著劑層與上述樹脂層面貼合而進行轉印，得到有關厚度370μm之比較例3的電子零件用膠帶。
[特性評估試驗] 對於上述實施例及比較例之電子零件用膠帶，如以下進行特性評估試驗。將其結果示於表1。
(1)切斷毛邊評估 作為貼附機而使用日東精機股富有限公司製之 DR8500III(商品名)，以貼合溫度70℃而貼合有關實施例及比較例之電子零件用膠帶於半導體晶圓。作為半導體晶圓係使用：於表面具有高度200μm、間距400μm的凸塊，寬度100μm之劃線，晶片尺寸為5mm角之8英吋口徑之半導體晶圓。貼合後，沿著半導體晶圓之周面而切斷電子零件用膠帶。之後，以目視觀察半導體晶圓之側面(周面)，對於確認到樹脂層之切斷毛邊情況係作為容許品評估為△、而未確認到的構成係作為良品評估為○。
(2)順應性的評估 貼合電子零件用膠帶於半導體晶圓之後，經過22小時之後，以目視觀察對於電子零件用膠帶之半導體晶圓的順應性。確認到在自電子零件用膠帶之半導體晶圓的貼合面之凸塊部分之浮起的構成係作為不良品而評估為×、而確認到僅劃線部分的浮起之構成係作為容許品評估為△、而未確認到浮起之構成係作為良品評估為○。
(3)厚度精確度(TTV)之評估 貼合電子零件用膠帶於半導體晶圓之後，經過24小時之後，使用日本DISCO公司製DFG8760(商品名)，將貼合電子零件用膠帶之半導體晶圓，各2片進行研削加工至100μm之厚度。之後，使用掃描型電子顯微鏡(SEMDEX、Hitachi High-Technologies股份有限公司製)而測定厚度精確度(TTV)。TTV係對於半導體晶圓中之任意5個晶片，在任意的10mm角之範圍進行測定，求取其平均值。TTV為10μm以上之構成，作為不良品而評估為×、TTV為5μm以上，不足10μm之構成，作為容許品而評估為△、TTV為不足5μm之構成，作為良品而評估為○。然而，在上述之順應性的評估中，對於確認到自電子零件用膠帶之半導體晶圓的貼合面之浮起之構成，當研削半導體晶圓之背面時，有著使晶圓或裝置破損之虞之故，未實施研削加工。
(4)邊緣裂縫之評估 在半導體晶圓之研削後，以目視觀察斷裂而對於半導體晶圓即使確認到1片斷裂，作為不良品而評估為×、而以目視雖未確認到斷裂，但以光學顯微鏡觀察而確認到半導體晶圓每1片2個以上之邊緣裂縫之構成作為容許品而評估為△、而以目視雖未確認到斷裂，以光學顯微鏡之觀察，邊緣裂縫為1個以下的構成，作為良品而評估為○。
(5)灰塵侵入之評估 在半導體晶圓之研削後，自電子零件用膠帶剝離半導體晶圓，由光學顯微鏡觀察半導體晶圓之端部，確認有無研削灰塵。附著有研削灰塵於半導體晶圓之構成，作為不良品而評估為×、而未附著之構成，作為良品而評估為○。
如表1所示，實施例1~4係樹脂層之儲存模數則在70℃中為37000～160000Pa之故，在順應性的評估及灰塵侵入的評估中成為良好的結果。另外，實施例1~4中，樹脂層的熔體流量為2.0～70g/10min之故，在TTV之評估中成為良好的結果。更且，實施例3，4係樹脂層的分子量分布為1.8～2.4之故，在切斷毛邊的評估及邊緣裂縫的評估中亦成為優良的結果。
另一方面，比較例1係樹脂層之儲存模數為220000Pa，超過請求項1規定之200000Pa之故，在研削半導體晶圓時，電子零件用膠帶則無法順應半導體晶圓，而在灰塵侵入的評估中成為不佳的結果。比較例2係樹脂層之熔體流量為8g/10min，不足請求項1規定之10g/10min之故，在電子零件用膠帶順應於半導體晶圓之凹凸時，於電子零件用膠帶的表面產生有凹凸之故，在TTV的評估中成為不佳的結果。另外，經由表面的凹凸，由研削機之校準膠帶產生由吸附錯誤而成為無法自動加工之故，由手動進行加工。比較例3係樹脂層之儲存模數為330000Pa，大幅超過請求項1規定之200000Pa之故，電子零件用膠帶則無法順應半導體晶圓，而在研削半導體晶圓之前，自半導體晶圓浮起，在順應性的評估中成為顯著不佳的結果，而當加工時，會有晶圓的破損，或經由研削機賦予損傷的可能性之故，而未進行之後的加工。
1:電子零件用膠帶 2:基材薄膜 3:樹脂層 4:黏著劑層 5:剝離薄膜 6:半導體晶圓 61:凹凸 7:研削機
[圖1] 係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子零件用膠帶之構造的剖面圖。 [圖2] 係為了說明有關本發明之實施形態的電子零件用膠帶之使用例的說明圖。
1:電子零件用膠帶
2:基材薄膜
3:樹脂層
4:黏著劑層
5:剝離薄膜

Claims (5)

  1. 一種電子零件用膠帶，其中具有至少1層的樹脂層，前述樹脂層係儲存模數在60℃~80℃之任一溫度中為10000~200000Pa，而熔體流量為30~200g/10min；前述樹脂層的分子量分布Mw/Mn為1.0~3.0，前述樹脂層的厚度係超過300μm，500μm以下。
  2. 如請求項1之電子零件用膠帶，其中於設置有10μm以上之階差的半導體晶圓之電路形成面，在50~100℃之溫度貼合。
  3. 如請求項2之電子零件用膠帶，其中在貼合於前述半導體晶圓之後，配合前述半導體晶圓的尺寸而切斷。
  4. 一種電子零件之加工方法，其中具有：於設置有10μm以上之階差的半導體晶圓之電路形成面，在50~100℃的溫度貼合請求項1或請求項2記載之電子零件用膠帶的貼合工程，和在前述貼合工程之後，研削前述半導體晶圓的與電路形成面相反側的面之研削工程。
  5. 如請求項4之電子零件之加工方法，其中在前述貼合工程之後，具有將前述電子零件用膠帶配合前述半導體晶圓的尺寸而切斷的切斷工程，在前述切斷工程之後，實施前述研削工程。
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