TW202117890A - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種有利於「在發生異常而中斷執行中之基板處理的情況下，將接受了處理之基板回收作為可有效使用的基板」之技術。 [解決手段]基板處理系統，係具備有：基板搬送裝置；複數個處理單元；及控制部。控制部，係被構成為當在複數個處理單元中之某處理單元發生異常而無法對處理對象之基板完成基板處理程序的情況下，以「將處理對象的基板即救濟基板搬送至不同於某處理單元的處理單元即救濟處理單元，並在救濟處理單元中，對救濟基板執行補足處理程序」的方式，依照表示補足處理程序之內容的補足配方資訊，控制基板搬送裝置及救濟處理單元。

Description

基板處理系統及基板處理方法
本揭示，係關於基板處理系統及基板處理方法。
在基板處理裝置中，係依照預先設定之配方，執行包含有藥液處理、沖洗處理及乾燥處理的一連串基板處理。
於基板處理之途中，當藥液供給等發生了異常時，存在有「在處理對象之基板配置於處理單元內的狀態下，處理被中斷」的情形。在該情況下，於處理之途中，藉由手動或機械，從處理單元取出基板。另一方面，在例如藥液處理中發生了異常的情況下，存在有藥液(例如氟酸等)附著於基板之表面的可能性。
有鑑於像這樣的狀況，當於基板處理之中途發生了異常時，提出如下述技術：中斷執行中之處理，使用純水進行沖洗處理，並使基板旋轉進行基板乾燥(參閱專利文獻1)。根據該技術，可迴避藥液之過度處理，適當地回收未完成接受原本處理的基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-148734號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種有利於「在發生異常而中斷執行中之基板處理的情況下，將接受了處理之基板回收作為可有效使用的基板」之技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣，係關於一種基板處理系統，其特徵係，具備有：基板搬送裝置，搬送基板；複數個處理單元，各處理單元具有基板保持機構與處理流體供給部，該基板保持機構，係可旋轉地保持從基板搬送裝置所接收的基板，該處理流體供給部，係將處理流體供給至基板保持機構所保持的基板；及控制部，被構成為以執行基板處理程序的方式，依照表示基板處理程序之內容的處理配方資訊，控制基板搬送裝置及複數個處理單元，該基板處理程序，係包含有對基板供給藥液的基板藥液處理、對基板供給沖洗液的基板沖洗處理及使基板乾燥的基板乾燥處理，控制部，係被構成為當在複數個處理單元中之某處理單元發生異常而無法對處理對象之基板完成基板處理程序的情況下，以「將處理對象的基板即救濟基板搬送至不同於某處理單元的處理單元即救濟處理單元，並在救濟處理單元中，對救濟基板執行補足處理程序」的方式，依照表示補足處理程序之內容的補足配方資訊，控制基板搬送裝置及救濟處理單元。 [發明之效果]
根據本揭示，有利於在發生異常而中斷執行中之基板處理的情況下，將接受了處理之基板回收作為可有效使用的基板。
參閱圖面，說明基板處理系統及基板處理方法之實施形態。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，係為了明確位置關係而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
圖1所示之基板處理系統1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有：載體載置部11；及搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C，該載體C，係以水平狀態收容複數片基板，在本實施形態中為半導體晶圓(以下稱為晶圓W)。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，且使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有：搬送部15；及複數個處理單元16。複數個處理單元16，係被排列設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，且使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送之晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有程式，該程式，係控制基板處理系統1中所執行的各種處理。控制部18，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述般所構成之基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。收授部14所載置之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，收授部14所載置之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13，返回到載體載置部11之載體C。
其次，參閱圖2，說明關於處理單元16之概略構成。圖2，係表示處理單元16之概略構成的圖。
如圖2所示般，處理單元16，係具備有：腔室20；基板保持機構30；處理流體供給部40；及回收罩杯50。
腔室20，係收容有基板保持機構30、處理流體供給部40及回收罩杯50。在腔室20之頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成下降流。
基板保持機構30，係具備有：保持部31；支柱部32；及驅動部33。保持部31，係水平地保持晶圓W。支柱部32，係延伸於垂直方向之構件，藉由驅動部33可旋轉地支撐基端部，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33，係使支柱部32繞垂直軸旋轉。該基板保持機構30，係藉由使用驅動部33來使支柱部32旋轉的方式，使被支撐於支柱部32之保持部31旋轉，藉此，使被保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40，係對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40，係被連接於處理流體供給源70。
回收罩杯50，係被配置為包圍保持部31，捕捉因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50之底部，係形成有排液口51，藉由回收罩杯50所捕捉之處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收罩杯50之底部，係形成有將從FFU21所供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。
其次，參閱圖3，說明處理單元16之構成例。圖3，係表示處理單元16之構成之具體例的示意圖。
如圖3所示般，在FFU21，係經由閥22連接有惰性氣體供給源23。FFU21，係將從惰性氣體供給源23所供給之N2 氣體等的惰性氣體吐出至腔室20內。
又，在基板保持機構30所具備之保持部31的上面，係設置有從側面保持晶圓W的保持構件311。晶圓W，係在些微離開保持部31之上面的狀態下，藉由該保持構件311而水平保持。如此一來，基板保持機構30，係可旋轉地保持從基板搬送裝置17所接收的晶圓W。
又，處理單元16，係具備有第1供給部40a與第2供給部40b作為將處理流體供給至基板保持機構30所保持之晶圓W的處理流體供給部40(參閱圖2)。
第1供給部40a，係具備有：噴嘴41a~41d；第1臂部42a，水平地支撐噴嘴41a~41d；及第1旋轉升降機構43a，使第1臂部42a旋轉及升降。
第1供給部40a，係從噴嘴41a對晶圓W供給藥液的一種即DHF(Diluted Hydrofluoric acid)。第1供給部40a，係從噴嘴41b對晶圓W供給沖洗液的一種即DIW (Deionized Water)。第1供給部40a，係從噴嘴41c對晶圓W供給有機溶劑的一種即IPA(Iso-Propyl Alcohol)。第1供給部40a，係從噴嘴41d對晶圓W供給惰性氣體的一種即N2 。
具體而言，在噴嘴41a，係經由閥61a連接有DHF供給源71a，並經由閥61b連接有DIW供給源71b，且經由閥61c連接有IPA供給源71c，並經由閥61d連接有N2 供給源71d。
第2供給部40b，係具備有：噴嘴41e、41f；第2臂部42b，水平地支撐噴嘴41e、41f；及第2旋轉升降機構43b，使第2臂部42b旋轉及升降。
第2供給部40b，係從噴嘴41e對晶圓W供給藥液的一種即SC1(DIW、氫氧化銨及過氧化氫的混合液)，並從噴嘴41供給沖洗液的一種即DIW。
具體而言，在噴嘴41e，係經由閥62a連接有SC1供給源72a，在噴嘴41f，係經由閥62b連接有DIW供給源72b。
另外，在此，雖係表示了分別與各噴嘴41a~ 41f對應地設置處理流體之供給源時的例子，但各處理流體之供給源，係亦可在噴嘴41a~41f間被適當地共用。
形成於回收罩杯50之底部的排液口51，係被連接於3種類的排液管線。具體而言，排液口51，係經由閥64a被連接於排出鹼系之排液的排液管線，並經由閥64b被連接於排出酸系之排液的排液管線，且經由閥64c被連接於排出有機系之排液的排液管線。
其次，說明關於在發生異常時，基板處理系統1所實施之基板處理方法的典型例。
[第1實施形態] 圖4，係表示控制裝置4之功能構成例的圖。另外，在圖4，係僅表示關於發生異常時之處理的功能構成，其他功能構成，係在圖4中被省略。
控制部18，係具有處理執行部25及配方取得部26。處理執行部25及配方取得部26，係分別可藉由任意的硬體及/或軟體所構成。處理執行部25及配方取得部26，係亦可藉由互不相同的元件(運算處理裝置及記憶裝置等)所構成，或亦可藉由一部分或全部共用的元件所構成。
配方取得部26，係取得表示在各處理單元16所進行之處理容器內的配方資訊。本實施形態之配方取得部26，係讀出被記憶於記憶部19之基本配方資訊D，且取得處理配方資訊、救濟配方資訊及補足配方資訊。處理配方資訊，係表示未發生異常的情況下所進行之通常時的處理內容之配方資訊，且亦可為與基本配方資訊D所含有的處理內容相同。救濟配方資訊及補足配方資訊，係表示發生了異常的情況下所進行之處理內容的配方資訊，且基於基本配方資訊D而獲得。救濟配方資訊及補足配方資訊，係亦可包含與基本配方資訊D所含有之一部分的處理完全相同之內容的處理，或亦可包含一部分或全部與基本配方資訊D所含有之處理不同之內容的處理。
處理配方資訊、救濟配方資訊及補足配方資訊(及後述之完成配方資訊)之資料形態並未被限定，該些配方資訊，係亦可藉由互不相同的資訊資料來決定，或亦可基於相互共用的資訊資料來決定。例如，處理配方資訊、救濟配方資訊、補足配方資訊及完成配方資訊，係分別亦可藉由表示基本配方資訊D所含有的複數個處理內容中之成為執行對象的1或複數個處理內容之資料來構成。基本配方資訊D，係亦可包含複數個處理內容，並且與每一處理配方相關連地包含表示該複數個處理內容中之能成為執行對象之處理內容的資料。
處理執行部25，係基於藉由配方取得部26所取得之處理配方資訊、救濟配方資訊及補足配方資訊，控制基板搬送裝置17及各處理單元16。處理配方資訊，係表示通常的基板處理程序之內容，救濟配方資訊，係表示救濟處理程序之內容，補足配方資訊，係表示補足處理程序之內容。關於未發生異常之處理單元16，係進行基於處理配方資訊的基板處理(亦即，基板處理程序)。另一方面，關於發生了異常之處理單元16(以下亦稱為「異常處理單元16a」)，係進行基於救濟配方資訊的基板處理(亦即，救濟處理程序)。又，在異常處理單元16a接受了處理之晶圓W(以下亦稱為「救濟晶圓(救濟基板)」)，係在其他處理單元16(以下亦稱為「救濟處理單元16b」)接受基於補足配方資訊的基板處理(亦即補足處理程序)。
在控制裝置4，係連接有異常檢測部80。異常檢測部80，係可檢測各處理單元16中所發生之異常，並在檢測到異常的情況下，將異常檢測信號發送至控制裝置4。在控制裝置4接收了異常檢測信號的情況下，處理執行部25及配方取得部26，係進行因應異常檢測信號的控制。
作為一例，異常檢測部80，係可檢測處理流體供給部40中之處理流體(藥液等)的流量異常、調整器(開關閥及流量調整閥等)的異常、關於處理流體供給部40中之處理流體之流動的其他異常(例如處理流體的洩漏等)，該調整器，係調整處理流體供給部40中之處理流體的流量。又，異常檢測部80，係可藉由殘量檢測部來構成，該殘量檢測部，係檢測被儲存於藥液供給源(例如圖3所示之DHF供給源71a及SC1供給源72a)之藥液的殘量。例如在被儲存於藥液供給源之藥液的殘量低於閾值的情況下，異常檢測部80，係亦可將發生了異常之主旨的通知發送至控制部18。
另外，在本實施形態中，異常檢測部80雖與控制裝置4(特別是控制部18)分開設置，但異常檢測部80亦可被設置為控制裝置4(特別是控制部18)的一部分。設置為控制裝置4之一部分的異常檢測部80，係例如可藉由接收從感測器(省略圖示)所發送之檢測資料且進行分析的方式，檢測有無發生異常。該感測器，係例如亦可檢測處理流體供給部40中之處理流體的流量、調整器的狀態及/或被儲存於藥液供給源之藥液的殘量，該調整器，係調整處理流體供給部40中之處理流體的流量。又，亦可藉由洩漏感測器來檢測處理流體向處理單元16之外部的洩漏。在該情況下，亦可檢測所洩漏之處理流體的pH值，並因應檢測到之pH值，進行發生了異常之主旨的通知。
圖5，係表示第1實施形態之基板處理方法的一例之整體流程的流程圖。
控制部18之處理執行部25，係控制基板搬送裝置13、收授部14及基板搬送裝置17(搬送部15)，從載體C取出晶圓W且收容於所分配的處理單元16。而且，處理執行部25，係依照處理配方資訊，控制基板搬送裝置17及各處理單元16之基板保持機構30及處理流體供給部40，並在各處理單元16中執行基板處理程序(圖5的S11)。基板處理程序，係包含有：基板藥液處理，對晶圓W供給藥液；基板沖洗處理，對晶圓W供給沖洗液以沖洗藥液；及基板乾燥處理，在基板沖洗處理後，使晶圓W乾燥。
圖6，係表示基板處理程序之一例的流程圖。本實施形態中之各晶圓W，係在所分配的處理單元16中，依序接受第1基板藥液處理(圖6的S21)、第1基板沖洗處理(S22)、第2基板藥液處理(S23)、第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。因此，第2基板沖洗處理(S24)，係成為基板乾燥處理(S25)之前所進行的最後沖洗處理，不僅發揮沖洗藥液之作用，亦發揮作為後續之基板乾燥處理的預處理之作用。
另外，圖6所示之基板處理程序僅為一例，亦可以其他流程來進行處理或各處理之內容亦未被限定。例如第1基板藥液處理中所使用之第1藥液及第2基板藥液處理中所使用之第2藥液並未被限定，亦可為彼此相同或不同。相同地，第1基板沖洗處理中所使用之第1沖洗液及第2基板沖洗處理中所使用之第2沖洗液並未被限定，亦可為彼此相同或不同。在各處理，係亦可含有複數個處理步驟。例如，第1基板藥液處理及/或第2基板藥液處理，係亦可包含使用了複數個種類之藥液的複數個處理步驟。例如，第1基板藥液處理及/或第2基板藥液處理，係亦可包含使用了複數個種類之沖洗液的複數個處理步驟。又，基板乾燥處理，係亦可包含將乾燥劑(例如IPA)賦予至晶圓W的處理步驟與藉由旋轉乾燥等從晶圓W去除乾燥劑的處理步驟。
處理執行部25，係在執行基板處理程序的期間，基於異常檢測部80之檢測結果，監視有無發生關於各處理單元16的異常(圖5的S12)。在未發生異常的期間(S12之N)，在各處理單元16中，係繼續進行基板處理程序(S11)。
另一方面，當在某處理單元16發生異常而無法對處理對象之晶圓W(救濟晶圓)完成基板處理程序的情況下(S12之Y)，處理執行部25，係在該某處理單元16中執行救濟處理程序(S13)。亦即，處理執行部25，係在發生了異常後，以在異常處理單元16a中，對救濟晶圓執行救濟處理程序的方式，依照救濟配方資訊，控制異常處理單元16a的基板保持機構30及處理流體供給部40。
救濟處理程序，係因應發生了異常時救濟晶圓所接受到之處理的內容來決定，並可包含各種處理。作為一例，當在第1基板藥液處理(圖6的S21)之途中發生了異常的情況下，處理執行部25，係亦可依照救濟處理程序，跳過第1基板藥液處理的剩餘部分而進行第1基板沖洗處理(S22)。其後，處理執行部25，係亦可跳過第2基板藥液處理(S23)而進行第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。又，當在第1基板沖洗處理(S22)之途中發生了異常的情況下，處理執行部25，係亦可依照救濟處理程序，跳過第1基板沖洗處理的剩餘部分及第2基板藥液處理(S23)而進行第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。又，當在第2基板藥液處理(S23)之途中發生了異常的情況下，處理執行部25，係亦可依照救濟處理程序，跳過第2基板藥液處理(S23)的剩餘部分而進行第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。又，當在第2基板沖洗處理(S24：亦即最後沖洗處理)之途中發生了異常的情況下，處理執行部25，係亦可依照救濟處理程序，進行第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。又，當在基板乾燥處理(S25)之途中發生了異常的情況下，處理執行部25，係亦可依照救濟處理程序，進行第2基板沖洗處理(S24)及基板乾燥處理(S25)。
救濟晶圓，係在接受了救濟處理程序後，從異常處理單元16a被搬送至救濟處理單元16b(圖5的S14)，並在救濟處理單元16b接受補足處理程序(S15)。亦即，處理執行部25，係依照補足配方資訊，控制基板搬送裝置17及救濟處理單元16b的基板保持機構30及處理流體供給部40。如此一來，救濟晶圓被搬送至不同於異常處理單元16a之正常的處理單元16即救濟處理單元16b，並在救濟處理單元16b中，對救濟晶圓執行補足處理程序。
圖7，係表示從發生異常起至執行補足處理程序為止之流程之一例的流程圖。補足處理程序所含有之處理，係因應救濟晶圓在異常處理單元16a中實際接受到之處理的內容來決定。當藉由異常檢測部80檢測到異常處理單元16a中發生異常時(圖7的S31)，則配方取得部26基於基本配方資訊D取得補足配方資訊(S32)。此時，配方取得部26，係亦可從處理執行部25取得救濟晶圓在異常處理單元16a中實際接受到之處理的內容，並用以作成補足配方資訊。處理執行部25，係基於配方取得部26所取得之補足配方資訊，在救濟處理單元16b中，對救濟晶圓執行補足處理程序(S33)。
另外，補足處理程序所含有之處理的具體內容並未被限定。典型例，係基於基板處理程序所含有之處理的內容，決定補足處理程序之處理的內容。因發生異常而被中斷之處理步驟(以下亦稱為「中斷處理步驟」)與基板處理程序所含有之中斷處理步驟以後的處理步驟亦可被包含於補足處理程序。因此，補足處理程序，係例如亦可包含對救濟晶圓完成基板藥液處理的補足藥液處理。又，在中斷處理步驟(例如基板藥液處理)之前的處理步驟為基板沖洗處理的情況下，補足處理程序，係亦可包含中斷處理步驟之前的基板沖洗處理與該基板沖洗處理後所進行的中斷處理步驟。在補足處理程序中，依基板沖洗處理及中斷處理步驟之順序來處理救濟晶圓，藉此，即便在補足處理程序中，亦可在適當地調整救濟晶圓之處理面的狀態後(亦即適當的預濕後)，進行中斷處理步驟。另外，在基板處理程序中，在中斷處理步驟(例如基板藥液處理)之前的處理步驟並非基板沖洗處理的情況下，補足處理程序，係亦可在中斷處理步驟之前不進行基板沖洗處理。
圖8，係表示補足處理程序之一例的流程圖。根據圖8所示之補足處理程序，救濟晶圓，係在救濟處理單元16b中，依序接受補足藥液處理(圖8的S41)、補足沖洗處理(S42)及補足乾燥處理(S43)。補足藥液處理，係將藥液賦予至救濟晶圓之處理，補足沖洗處理，係將沖洗液賦予至救濟晶圓之處理，補足乾燥處理，係使救濟晶圓乾燥之處理。例如，當在第2基板藥液處理(圖6的S23)發生異常的情況下及在使用相同藥液之第1基板藥液處理(S21)及第2基板藥液處理(S23)之任一者發生了異常的情況下，圖8所示之補足處理程序是有用的。另外，圖8所示之補足處理程序僅為一例，補足處理程序，係例如亦可包含複數個補足藥液處理，或亦可包含未圖示的處理。
救濟處理單元16b，係只要為可執行補足處理程序之處理單元16，則無限定。例如，可將具有與異常處理單元16a相同構成之正常的處理單元16適當地使用作為救濟處理單元16b。控制部18(例如處理執行部25)，係可因應被置放於載體載置部11之複數個晶圓W整體的基板處理程序，選定救濟處理單元16b。典型而言，係對複數個晶圓W之各個分配處理(特別是基板處理程序)的順序，並且分配因應其處理之順序的處理單元16。救濟晶圓之補足處理程序，係亦可在所有未處理的晶圓W之基板處理程序完成後進行，或亦可在未處理的晶圓W之一部分或全部的基板處理程序之前進行。如此一來，可對救濟晶圓分配用以進行補足處理程序之新的處理之順序，並將因應該新的處理之順序之處理單元16使用作為救濟處理單元16b。
如此一來，控制部18(例如處理執行部25)，係當在某處理單元16(亦即異常處理單元16a)發生了異常的情況下，對未處理的晶圓W及救濟晶圓進行處理之優先順序的重新分配。在進行該重新分配之際，異常處理單元16a，係從可分配的處理單元16排出。在發生了異常後，控制部18(例如處理執行部25)，係以使晶圓W不被搬送至異常處理單元16a的方式，控制基板搬送裝置17。
[第2實施形態] 在本實施形態中，對於與上述第1實施形態相同或類似的要素，係賦予相同符號，並省略其詳細說明。
即便在本實施形態中，亦與上述第1實施形態相同地，當在某處理單元16發生了異常的情況下，係執行救濟處理程序及補足處理程序。但是，本實施形態之補足處理程序所含有的處理，係基於從救濟處理程序完成後起至開始執行補足處理程序為止的時間來決定。
圖9，係表示第2實施形態之基板處理方法的一例之流程的流程圖。
當在各處理單元16執行基板處理程序之期間，某處理單元16發生了異常的情況下(圖9的S51)，處理執行部25，係在其異常處理單元16a中執行救濟處理程序(S52)。
而且，控制部18(例如配方取得部26)，係計數對救濟晶圓之救濟處理程序結束後的經過時間(S53)。藉此，控制部18，係取得「直接或間接地表示從關於救濟晶圓之救濟處理程序結束起至補足處理程序開始為止的時間」之經過時間資訊。控制部18，係取得「正確地表示從關於救濟晶圓之救濟處理程序結束起至補足處理程序開始為止的時間」之經過時間資訊為較佳。但是，控制部18，係未必需要計數從救濟處理程序結束起至補足處理程序開始為止之間的全部時間。亦即，經過時間資訊，係亦可不為表示從救濟處理程序結束起至補足處理程序開始為止之嚴格的時間者。例如，從救濟處理程序結束後起至補足處理程序開始前為止，在救濟晶圓被置放於預先決定之保管場所的情況下，控制部18，係亦可取得表示救濟晶圓被置放於保管場所之時間的資訊來作為經過時間資訊。
而且，配方取得部26，係取得基於救濟晶圓之經過時間資訊的補足配方資訊(S54)。例如，在從救濟處理程序結束起至補足處理程序開始為止之時間比較長的情況下，預測晶圓在待機時間中被氧化，並在補足處理程序的開始時點形成不期望之氧化膜。本實施形態之配方取得部26，係基於經過時間資訊，產生補足配方資訊，使得在補足處理程序中亦進行像那樣的不期望之氧化膜的去除。具體而言，在補足處理程序，係可含有氧化膜去除處理。在原本之補足處理程序含有氧化膜去除處理的情況下，係除了原本之氧化膜的去除量以外，亦考慮不期望之氧化膜的去除量，並在補足處理程序中，決定被賦予至救濟晶圓之藥液的賦予量及/或氧化膜去除處理的時間。
處理執行部25，係像這樣地依照配方取得部26所取得之補足配方資訊，在救濟處理單元16b中，對救濟晶圓執行補足處理程序(S55)。藉此，救濟處理程序結束後所產生之救濟晶圓的不期望之變質亦可在補足處理程序中去除。
[第3實施形態] 在本實施形態中，對於與上述第1實施形態或第2實施形態相同或類似的要素，係賦予相同符號，並省略其詳細說明。
本實施形態之控制部18(例如處理執行部25)，係基於在異常處理單元16a中救濟晶圓即將發生異常之前所接受之處理的內容，決定是否對救濟晶圓執行補足處理程序。在決定了執行補足處理程序的情況下，控制部18，係以將救濟晶圓搬送至救濟處理單元16b且執行補足處理程序的方式，依照補足配方資訊，控制基板搬送裝置17及救濟處理單元16b。另一方面，在決定了不執行補足處理程序的情況下，控制部18，係以對救濟晶圓執行完成處理程序而不是補足處理程序的方式，依照完成配方資訊，控制基板搬送裝置17及救濟處理單元16b。完成配方資訊，係藉由配方取得部26，基於基本配方資訊D來取得。配方取得部26，係亦可基於發生異常時救濟晶圓所接受之處理，作成完成配方資訊。
圖10，係表示第3實施形態之基板處理方法的一例之流程的流程圖。
與上述第1實施形態相同地，即便在本實施形態中，處理執行部25亦在執行基板處理程序的期間，基於異常檢測部80之檢測結果，監視各處理單元16中有無發生異常(參閱圖10的S61及S62)。在未發生異常的期間(S62之N)，在各處理單元16中，係繼續進行基板處理程序(S61)。
另一方面，當在某處理單元16發生異常而無法對救濟晶圓完成基板處理程序的情況下(S62之Y)，處理執行部25，係判定是否需要對救濟晶圓執行補足處理程序(S63)。該判定，係根據直至在異常處理單元16a發生異常時救濟晶圓所接受之處理的內容而進行，並基於救濟晶圓是否已接受了某種程度以上的處理而進行。具體之判定基準，係因應基板處理程序之具體的處理內容及所要求之處理之品質的程度來決定。
例如，當在發生異常時救濟晶圓所接受之處理為使用了第1藥液之藥液處理(以下亦稱為「異常藥液處理」)的情況下，可基於以下條件，判定是否需要對救濟晶圓執行補足處理程序。亦即，為了判定為不需要補足處理程序，可將「異常藥液處理相當於在基板處理程序中使用第1藥液之處理中之最後處理」設為條件。而且，為了附加地判定為不需要補足處理程序，係亦可將「救濟晶圓已賦予原本應被使用在異常藥液處理之第1藥液的總量之預定比例(例如90%)以上」設為條件。亦即，控制部18，係當在即將發生異常之前，救濟晶圓已供給有應被使用在基板藥液處理(亦即異常藥液處理)之第1藥液的總量之預定比例以上的情況下，亦可決定為不執行補足處理程序。如此一來，於異常發生時間點，僅在救濟晶圓已賦予異常藥液處理中原本應賦予至晶圓W之第1藥液的總量之預定比例以上的情況下，亦可判定為不需要補足處理程序。
在本例中，係像這樣地在「異常藥液處理相當於使用了第1藥液的藥液處理中之最後處理，且在發生異常時救濟晶圓已賦予預定量以上之第1藥液」的情況下，判定為不需要補足處理程序(S63之N)。另一方面，在「異常藥液處理不相當於使用了第1藥液的藥液處理中之最後處理，或在發生異常時救濟晶圓僅賦予比預定量少的量之第1藥液」的情況下，判定為需要補足處理程序(S63之Y)。
在被判定為需要補足處理程序的情況下(S63之Y)，與上述第1實施形態相同地，在異常處理單元16a中，對救濟晶圓執行救濟處理程序(S64)。而且，救濟晶圓，係被搬送至救濟處理單元16b(S65)，並在救濟處理單元16b中，對救濟晶圓執行補足處理程序(S66)。另外，與上述第2實施形態相同地，補足處理程序所含有之處理的內容，係亦可基於從救濟處理程序完成後起至開始進行補足處理程序為止的時間來決定。
另一方面，在被判定為不需要補足處理程序的情況下(S63之N)，處理執行部25，係依照完成配方資訊，在異常處理單元16a中，對救濟晶圓執行完成處理程序(S67)。完成處理程序，係包含用以將救濟晶圓作為處理完畢之晶圓W而出貨的處理，完成配方資訊，係表示完成處理程序之處理的內容。完成處理程序之內容，係因應基板處理程序的內容來決定。典型而言，雖係在完成處理程序中，跳過發生異常時所進行之處理步驟(以下亦稱「異常處理步驟」)的剩餘部分，但進行基板處理程序中之異常處理步驟以後的處理步驟。
圖11，係表示被判定為需要補足處理程序時所進行之救濟處理程序之處理例的圖。圖12，係表示被判定為不需要補足處理程序時所進行之完成處理程序之處理例的圖。圖11及圖12，係例示第1基板藥液處理中所使用之第1藥液與第2基板藥液處理中所使用之第2藥液彼此不同的情形且在第1基板藥液處理發生了異常的情形。
如上述般，在圖11，係表示「在發生異常時，救濟晶圓僅賦予比應被使用在第1基板藥液處理之第1藥液的量之預定比例(例如90%)少的量之第1藥液」的情形。另一方面，在圖12，係表示「在發生異常時，救濟晶圓已賦予應被使用在第1基板藥液處理之第1藥液的量之預定比例以上的量之第1藥液」的情形。
如圖11所示般，在第1基板藥液處理之途中發生了需要進行補足處理程序之異常的情況下，處理執行部25，係可依照救濟配方資訊，跳過執行第1基板藥液處理的剩餘部分、第1基板沖洗處理及第2基板藥液處理。而且，處理執行部25，係可依照救濟處理配方，對救濟晶圓執行最後沖洗處理即第2基板沖洗處理與乾燥處理。
另一方面，如圖12所示般，在第1基板藥液處理之途中發生了不需要進行補足處理程序之異常的情況下，處理執行部25，係可依照完成配方資訊，僅跳過執行第1基板藥液處理的剩餘部分。而且，處理執行部25，係可對救濟晶圓執行後續的第1基板沖洗處理、第2基板藥液處理、第2基板沖洗處理與乾燥處理。
如以上說明般，根據上述基板處理系統1及基板處理方法，即便為發生異常而中斷執行中之基板處理的情況下，亦可將未接受處理之基板(亦即救濟晶圓)回收作為可有效使用的基板。
特別是，藉由因應救濟晶圓在異常處理單元16a中實際接受到之處理的內容來決定補足處理程序所含有之處理的方式，可進行因應於救濟晶圓之狀態的適應性補足處理程序。
例如藉由使補足處理程序包含對救濟晶圓完成基板藥液處理的補足藥液處理，即便對於救濟晶圓，亦可賦予與對通常的晶圓W之藥液處理相同程度的藥液處理。
又，可藉由在對救濟晶圓進行了救濟處理程序後進行補足處理程序的方式，使補足處理程序的處理精度提高。
特別是，亦可藉由基於從救濟處理程序完成後起至補足處理程序開始為止的時間來決定補足處理程序所含有之處理的方式，去除從救濟處理程序完成後起至補足處理程序開始為止對救濟晶圓產生之氧化等的變質。
又，藉由因應發生了異常時救濟晶圓所接受到之處理的內容來決定救濟處理程序的方式，可進行因應於救濟晶圓之狀態的適應性救濟處理程序。
又，可藉由基於救濟晶圓即將發生異常之前所接受之處理的內容來決定是否需要執行補足處理程序的方式，達成發生異常後之救濟晶圓的處理之效率化。
又，發生異常後，係可藉由不將晶圓W搬送至異常處理單元16a的方式，防止後續的晶圓W之基板處理的不良情況發生於未然。
另外，應注意，本說明書所揭示之實施形態，係在所有方面僅為例示，不應被解釋為限制性。上述實施形態，係可在不脫離添附之申請專利範圍及其意旨下，以各種形態進行省略、置換及變更。例如亦可組合上述實施形態及變形例，又，亦可將上述以外之實施形態與上述實施形態或變形例組合。
又，具體化上述技術思想之技術性範疇亦未被限定。例如上述基板處理系統亦可被應用於其他裝置。又，亦可藉由用以使電腦執行上述基板處理方法所含有之1或複數個程序(步驟)的電腦程式，具體化上述技術思想。又，亦可藉由記錄了像這樣的電腦程式之電腦可讀取的非暫時性(non-transitory)記錄媒體，具體化上述技術思想。
1:基板處理系統 16:處理單元 16a:異常處理單元 16b:救濟處理單元 17:基板搬送裝置 18:控制部 30:基板保持機構 40:處理流體供給部 W:晶圓
[圖1]圖1，係表示基板處理系統之概略構成例的圖。 [圖2]圖2，係表示處理單元之概略構成例的圖。 [圖3]圖3，係表示處理單元之構成之具體例的示意圖。 [圖4]圖4，係表示控制裝置之功能構成例的圖。 [圖5]圖5，係表示第1實施形態之基板處理方法的一例之整體流程的流程圖。 [圖6]圖6，係表示基板處理程序之一例的流程圖。 [圖7]圖7，係表示從發生異常起至執行補足處理程序為止之流程之一例的流程圖。 [圖8]圖8，係表示補足處理程序之一例的流程圖。 [圖9]圖9，係表示第2實施形態之基板處理方法的一例之流程的流程圖。 [圖10]圖10，係表示第3實施形態之基板處理方法的一例之流程的流程圖。 [圖11]圖11，係表示被判定為需要補足處理程序時所進行之救濟處理程序之處理例的圖。 [圖12]圖12，係表示被判定為不需要補足處理程序時所進行之完成處理程序之處理例的圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理系統，其特徵係，具備有： 基板搬送裝置，搬送基板； 複數個處理單元，各處理單元具有基板保持機構與處理流體供給部，該基板保持機構，係可旋轉地保持從前述基板搬送裝置所接收的前述基板，該處理流體供給部，係將處理流體供給至前述基板保持機構所保持的前述基板；及 控制部，被構成為以執行基板處理程序的方式，依照表示前述基板處理程序之內容的處理配方資訊，控制前述基板搬送裝置及前述複數個處理單元，該基板處理程序，係包含有對前述基板供給藥液的基板藥液處理、對前述基板供給沖洗液的基板沖洗處理及使前述基板乾燥的基板乾燥處理， 前述控制部，係被構成為當在前述複數個處理單元中之某處理單元發生異常而無法對處理對象之前述基板完成前述基板處理程序的情況下，以「將前述處理對象的前述基板即救濟基板搬送至不同於前述某處理單元的處理單元即救濟處理單元，並在前述救濟處理單元中，對前述救濟基板執行補足處理程序」的方式，依照表示前述補足處理程序之內容的補足配方資訊，控制前述基板搬送裝置及前述救濟處理單元。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中， 前述補足處理程序所含有之處理，係因應前述救濟基板在前述某處理單元中實際接受到之處理的內容來決定。
  3. 如請求項2之基板處理系統，其中， 前述補足處理程序，係包含有：補足藥液處理，對前述救濟基板完成前述基板藥液處理。
  4. 如請求項1~3中任一項之基板處理系統，其中， 前述控制部，係被構成為在發生了前述異常後，以在前述某處理單元中，對前述救濟基板執行救濟處理程序的方式，依照表示前述救濟處理程序之內容的救濟配方資訊，控制前述某處理單元。
  5. 如請求項4之基板處理系統，其中， 前述補足處理程序所含有之處理，係基於從前述救濟處理程序完成後起至執行前述補足處理程序為止的時間來決定。
  6. 如請求項4之基板處理系統，其中， 前述救濟處理程序，係因應發生了前述異常時前述救濟基板所接受到之處理的內容來決定。
  7. 如請求項1~3中任一項之基板處理系統，其中， 前述控制部，係被構成為基於在前述某處理單元中前述救濟基板即將發生前述異常之前所接受之處理的內容，決定是否對前述救濟執行基板前述補足處理程序，在決定了執行前述補足處理程序的情況下，以將前述救濟基板搬送至前述救濟處理單元且執行前述補足處理程序的方式，依照前述補足配方資訊，控制前述基板搬送裝置及前述救濟處理單元。
  8. 如請求項7之基板處理系統，其中， 前述控制部，係當在即將發生前述異常之前，前述救濟基板已供給有應被使用在前述基板藥液處理之前述藥液的總量之預定比例以上的情況下，決定為不執行前述補足處理程序。
  9. 如請求項1~3中任一項之基板處理系統，其中， 前述控制部，係被構成為在發生了前述異常後，以使前述基板不被搬送至前述某處理單元的方式，控制前述基板搬送裝置。
  10. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有： 依照處理配方資訊，控制搬送基板之基板搬送裝置與複數個處理單元，並執行基板處理程序，該複數個處理單元，係各處理單元具有可旋轉地保持從前述基板搬送裝置所接收之前述基板的基板保持機構與將處理流體供給至前述基板保持機構所保持之前述基板的處理流體供給部，該基板處理程序，係包含有對前述基板供給藥液的基板藥液處理、對前述基板供給沖洗液的基板沖洗處理及使前述基板乾燥的基板乾燥處理；及 當在前述複數個處理單元中之某處理單元發生異常而無法對處理對象之前述基板完成前述基板處理程序的情況下，依照補足配方資訊，控制前述基板搬送裝置與不同於前述某處理單元之處理單元即救濟處理單元，將前述處理對象的前述基板即救濟基板搬送至前述救濟處理單元，並在前述救濟處理單元中，對前述救濟基板執行補足處理程序。
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