TW202043362A - 樹脂組成物及紫外線發光裝置 - Google Patents

樹脂組成物及紫外線發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202043362A
TW202043362A TW109115495A TW109115495A TW202043362A TW 202043362 A TW202043362 A TW 202043362A TW 109115495 A TW109115495 A TW 109115495A TW 109115495 A TW109115495 A TW 109115495A TW 202043362 A TW202043362 A TW 202043362A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
structural unit
resin composition
fluororesin
molar ratio
less
Prior art date
Application number
TW109115495A
Other languages
English (en)
Inventor
吉川岳
中田邦彦
小野寺悠
Original Assignee
日商住友化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友化學股份有限公司 filed Critical 日商住友化學股份有限公司
Publication of TW202043362A publication Critical patent/TW202043362A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/16—Halogen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/18—Homopolymers or copolymers or tetrafluoroethene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種耐熱性及密接性優異的樹脂組成物、以及提供一種密封部的耐熱性及密接性優異的紫外線發光裝置。一種樹脂組成物，其特徵在於包含：氟樹脂、以及無機填料，並且所述氟樹脂包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，且所述構成單元A相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上，所述構成單元C相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下。

Description

樹脂組成物及紫外線發光裝置
本發明是有關於一種樹脂組成物及紫外線發光裝置。
迄今為止，存在大量包括發光二極體（Light Emitting Diode，LED）等發光元件的發光裝置，為了防止因發光元件與氧或水蒸氣等接觸而導致的劣化，利用樹脂將發光元件密封。
例如，非專利文獻1中記載有：具有CF3 末端的全氟(4-乙烯基氧基-1-丁烯)（perfluoro(4-vinyloxy-1-butene)，BVE）系聚合物對於深紫外線的耐久性優異，因此可用於深紫外AlGaN系LED的密封中。另外，專利文獻1中揭示有：利用非晶質氟樹脂密封紫外線發光元件而成的紫外線發光裝置。進而，專利文獻2中揭示有：於LED元件的密封中使用至少包含四氟乙烯（Tetrafluoroethylene，TFE）、六氟丙烯（Hexafluoropropylene，HFP）及偏二氟乙烯（Vinylidene Fluoride，VdF）的氟聚合物（THV）。進而，專利文獻3中記載有：含有氟樹脂、與導熱率為1.5 W/mK以上的導熱材料的樹脂組成物可適宜地用於波長轉換構件或密封構件等中。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/178288號 [專利文獻2]日本專利特開2009-51876號公報 [專利文獻3]日本專利特開2014-145012號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]永井晶子等人，「具有使用藉由詳細可行性研究來選擇的樹脂的半球形密封結構的高耐久AlGaN系深紫外LED多晶片陣列的發展」，「日本應用物理學期刊」（Shoko Nagai et al., “Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study”, Japanese Journal of Applied Physics）（2016年，55卷，082101）
[發明所欲解決之課題] 如上所述，迄今為止，已知有多種利用樹脂對發光元件進行密封的技術，尤其是於對紫外線發光元件進行密封時，使用含有對於紫外線的耐久性高的氟樹脂的組成物。對於此種含有氟樹脂的組成物，不僅可期待對於紫外線的耐久性，而且亦可期待對於紫外線發光元件的發熱的耐熱性提高、或對於紫外線發光裝置的基材等的密接性等提高。本發明是鑑於所述情況而成，其目的在於提供一種耐熱性及密接性優異的樹脂組成物。另外，本發明的其他目的在於提供一種密封部的耐熱性及密接性優異的紫外線發光裝置。 [解決課題之手段]
可解決所述課題的本發明的樹脂組成物及紫外線發光裝置包含以下構成。 [1]一種樹脂組成物，其特徵在於包含： 氟樹脂、以及無機填料，並且 所述氟樹脂包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，且 所述構成單元A相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上， 所述構成單元C相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下。 [2]如[1]所述的樹脂組成物，其中所述構成單元A相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上且0.75以下。 [3]如[1]或[2]所述的樹脂組成物，其中所述構成單元C相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.20以上且0.60以下。 [4]如[1]至[3]中任一項所述的樹脂組成物，其中所述構成單元B相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（B）為0.05以上且0.50以下。 [5]如[3]所述的樹脂組成物，其中所述莫耳比（C）相對於所述莫耳比（A）的比（莫耳比（C）/莫耳比（A））為0.20以上且3.50以下。 [6]如[4]所述的樹脂組成物，其中所述莫耳比（B）相對於所述莫耳比（A）的比（莫耳比（B）/莫耳比（A））為0.10以上且0.80以下。 [7]如[1]至[6]中任一項所述的樹脂組成物，其中所述無機填料為金屬氟化物。 [8]如[1]至[7]中任一項所述的樹脂組成物，其中所述無機填料的粒徑為300 μm以下。 [9]如[1]至[8]中任一項所述的樹脂組成物，其中相對於所述氟樹脂、以及所述無機填料的合計100質量份的、所述無機填料的量為1質量份以上且60質量份以下。 [10]如[1]至[9]中任一項所述的樹脂組成物，其中所述氟樹脂與所述無機填料的折射率的差為0.05以下。 [11]如[1]至[10]中任一項所述的樹脂組成物，其於紫外線發光元件的密封中使用。 [12]一種紫外線發光裝置，其特徵在於包括：紫外線發光元件，並且 所述紫外線發光元件由如[1]至[11]中任一項所述的樹脂組成物的固化物密封。 [發明的效果]
根據本發明，藉由所述構成，可獲得耐熱性及密接性優異的樹脂組成物、以及密封部的耐熱性及密接性優異的紫外線發光裝置。
本發明的樹脂組成物於如下方面具有特徵：包含氟樹脂、以及無機填料，並且氟樹脂包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，且構成單元A相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上，構成單元C相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下。藉此，可提高對於紫外線發光元件的發熱的耐熱性、以及對於紫外線發光裝置的基材等的密接性。以下，依次對氟樹脂、以及無機填料的詳細情況進行說明。
以下，有時將包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，且構成單元A相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上，構成單元C相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下的氟樹脂稱為本發明的氟樹脂。
構成單元A相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元A的莫耳比（A）的下限更佳為0.28以上，進而佳為0.30以上。另一方面，就透明性的觀點而言，構成單元A的莫耳比（A）的上限較佳為0.75以下，更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下。
構成單元C相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元C的莫耳比（C）的上限較佳為0.58以下，更佳為0.56以下。另一方面，構成單元C的莫耳比（C）的下限較佳為0.20以上。藉此，對於有機溶媒的溶解性提高，因此於對紫外線發光元件進行密封時，可減少樹脂組成物的塗佈次數。因此，構成單元C的莫耳比（C）的下限更佳為0.30以上，進而佳為0.40以上，進而更佳為0.50以上。
構成單元B相對於構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計的莫耳比（B）較佳為0.05以上且0.50以下。就溶解性的觀點而言，構成單元B的莫耳比（B）的下限更佳為0.07以上，進而佳為0.09以上。另一方面，就耐熱性的觀點而言，構成單元B的莫耳比（B）的上限更佳為0.40以下，進而佳為0.30以下，進而更佳為0.20以下。
莫耳比（C）相對於莫耳比（A）的比（莫耳比（C）/莫耳比（A））較佳為0.20以上且3.50以下。藉由將莫耳比（C）/莫耳比（A）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。另外，可防止高溫加熱時的樹脂的著色。莫耳比（C）/莫耳比（A）的下限更佳為0.50以上，進而佳為1.00以上，進而更佳為1.30以上，特佳為1.45以上，最佳為1.50以上。另一方面，莫耳比（C）/莫耳比（A）的上限更佳為3.00以下，進而佳為2.50以下，進而更佳為2.00以下。
莫耳比（B）相對於莫耳比（A）的比（莫耳比（B）/莫耳比（A））較佳為0.10以上且0.80以下。藉由將莫耳比（B）/莫耳比（A）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。莫耳比（B）/莫耳比（A）的下限更佳為0.20以上，進而佳為0.24以上，進而更佳為0.28以上。另一方面，莫耳比（B）/莫耳比（A）的上限更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下，進而更佳為0.40以下。
氟樹脂的各構成單元的莫耳比可藉由後述實施例中記載的核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR）測定來求出。於算出莫耳比時，例如可參照：埃里克B.吐溫等人，「源自偏二氟乙烯（VDF）-六氟丙烯（HFP）-四氟乙烯（TFE）的三元共聚物的多維19F NMR分析」，「大分子」（Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene (HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules）（2015年，48卷，11號，p.3563-3576）。
本發明的氟樹脂包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，亦可包含構成單元A、構成單元B、以及構成單元C以外的其他構成單元。作為其他構成單元，例如可列舉：源自乙烯的構成單元、源自全氟烷基乙烯基醚的構成單元、源自氯三氟乙烯的構成單元等。
本發明的氟樹脂的折射率較佳為超過1.34，更佳為1.35以上，進而佳為1.36以上。藉此，可減小後述的紫外線發光元件與密封部的折射率的差，可減少紫外線發光元件與密封部的界面處的全反射，提高光取出效率。再者，所謂光取出效率，為將紫外線發光元件中所產生的光取出至紫外線發光元件的外部的效率。另一方面，本發明的氟樹脂的折射率的上限例如為1.45以下，亦可為1.40以下。折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可使用市售的阿貝（Abbe）折射率計或橢圓儀等並利用後述實施例中記載的方法來進行測定。再者，本申請案中記載的折射率為通常所使用的鈉的D射線（589 nm）的波長下的值。
相對於本發明的氟樹脂的所有構成單元的、構成單元A、構成單元B、以及構成單元C的合計莫耳比較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而佳為0.90以上，特佳為0.95以上，最佳為1。即，最佳為本發明的氟樹脂的所有構成單元是由構成單元A、構成單元B、以及構成單元C構成。藉此，有密接性提高的傾向。
本發明的氟樹脂的重量平均分子量較佳為50,000以上且1,000,000以下。藉由將重量平均分子量設為50,000以上，可提高熔解時的黏度，因此可抑制LED點燈時的密封樹脂的形狀變化。本發明的氟樹脂的重量平均分子量的下限更佳為100,000以上，進而佳為200,000以上，進而更佳為250,000以上，特佳為300,000以上。另一方面，藉由將本發明的氟樹脂的重量平均分子量設為1,000,000以下，溶解性變良好。本發明的氟樹脂的重量平均分子量的上限更佳為800,000以下，進而佳為500,000以下，進而更佳為450,000以下，特佳為400,000以下。再者，重量平均分子量為標準聚苯乙烯換算值。
本發明的氟樹脂可為無規共聚物、或嵌段共聚物的任一種，較佳為無規共聚物。藉此，可抑制構成單元A或構成單元C的結晶度，容易確保透明性。
本發明的氟樹脂的熔點較佳為90℃以上且278℃以下。藉由熔點為90℃以上，可容易防止由紫外線發光元件的發熱而導致的本發明的氟樹脂的熔融。本發明的氟樹脂的熔點的下限更佳為100℃以上，進而佳為110℃以上，進而更佳為115℃以上。另一方面，藉由熔點為278℃以下，本發明的氟樹脂容易進行加熱熔融，因此可容易進行基於加熱熔融的紫外線發光元件的密封。進而，由於作為通常的焊料材料的Au-Sn（20質量%）的熔點為278℃，因此藉由樹脂的熔點為278℃以下，可容易防止伴隨加熱的後述凸塊的熔融。本發明的氟樹脂的熔點的上限更佳為200℃以下，進而佳為170℃以下，進而更佳為150℃以下，特佳為130℃以下。本發明的氟樹脂的熔點可使用目錄值，例如亦可藉由如下方式來求出：使用示差掃描熱量計（DSC，日立高科技科學（Hitachi High-Tech Science）公司製造），以10℃/分鐘的升溫速度自-50℃變化至200℃的溫度，並根據藉此獲得的熔解曲線測定熔解峰值溫度（Tm）。
作為無機填料，可列舉：金屬氟化物、金屬氧化物、金屬磷酸鹽、金屬碳酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬氮化物、氮化硼等。無機填料可使用一種，亦可併用兩種以上。藉由將無機填料與本發明的氟樹脂組合，可發揮無機填料容易防止本發明的氟樹脂的熱分解的效果。
就防止熱分解與透明性的觀點而言，無機填料較佳為金屬氟化物。作為金屬氟化物，可列舉：氟化鈣、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鈉、氟化鎂、冰晶石等。其中，較佳為氟化鎂。該些可使用一種，亦可併用兩種以上。無機填料可為多晶體亦可為單晶體，就藉由減少晶界處的光的散射而容易提高樹脂成形體的光透過性的觀點、或者抑制樹脂成形體中的無機填料的凝聚而容易提高樹脂成形體的光透過性的觀點而言，較佳為粒子中所含的晶界少，特佳為使用單晶體。無機填料是否為單晶體的確認例如可藉由利用電子顯微鏡對電子束繞射圖案進行確認來判斷。
無機填料的粒徑較佳為300 μm以下。藉由無機填料為300 μm以下，可減少樹脂組成物的伴隨溫度上升的變色。無機填料的粒徑更佳為200 μm以下，進而佳為100 μm以下，進而更佳為50 μm以下，進而尤佳為30 μm以下，特佳為20 μm以下。另一方面，無機填料的粒徑較佳為0.5 μm以上。藉由將無機填料的粒徑設為0.5 μm以上，可抑制樹脂與填料間的光的散射，樹脂的透明性優異。無機填料的粒徑的下限更佳為1 μm以上，進而佳為5 μm以上。所謂該無機填料的粒徑，為利用雷射繞射法而獲得的體積累計頻率為50%的粒徑D50 。
本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差較佳為0.05以下。藉由如此減少折射率的差，可抑制無機填料的表面（組成物中的無機填料的表面與氟樹脂的界面）中的光的散射，因此可提高光取出效率。本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差更佳為0.04以下，進而佳為0.03以下。另一方面，本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差的下限並無特別限定，例如可為0.001以上。本發明的無機填料的折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可利用阿貝折射率計、橢圓儀等後述實施例中記載的方法來測定。
無機填料的比表面積（每1 g的表面積）較佳為30 m2 /g以下。藉由如此減少比表面積，可抑制樹脂組成物的著色，尤其是可獲得紫外區域的透過性優異的樹脂組成物。比表面積更佳為20 m2 /g以下，進而佳為10 m2 /g以下，進而尤佳為5 m2 /g以下，特佳為3 m2 /g以下，另外，可為0.1 m2 /g以上，亦可為0.5 m2 /g以上。無機填料的比表面積例如可使用採用布厄特（Brunauer-Emmett-Teller，BET）法的比表面積測定方法。
相對於本發明的氟樹脂、以及無機填料的合計100質量份的、無機填料的量較佳為1質量份以上且60質量份以下。藉由無機填料的量為1質量份以上，可容易防止氟樹脂的熱分解。因此，無機填料的量的下限更佳為10質量份以上，進而佳為15質量份以上，進而更佳為20質量份以上，特佳為25質量份以上。另一方面，藉由無機填料的量為60質量份以下，容易發揮本發明的氟樹脂的密接性。因此，無機填料的量的上限更佳為50質量份以下，進而佳為45質量份以下。
相對於本發明的氟樹脂、以及無機填料的合計100質量份的、本發明的氟樹脂的量較佳為40質量份以上且99質量份以下。藉由本發明的氟樹脂的量為40質量份以上，容易發揮本發明的氟樹脂的密接性。因此，本發明的氟樹脂的量的下限更佳為50質量份以上，進而佳為55質量份以上。另一方面，藉由本發明的氟樹脂的量為99質量份以下，容易發揮無機填料帶來的耐熱性提高效果。因此，本發明的氟樹脂的量的上限更佳為90質量份以下，進而佳為85質量份以下。
樹脂組成物可藉由將本發明的氟樹脂與無機填料混合來製造。關於該些的混合，例如可為熔融混練，亦可將本發明的氟樹脂在熔融的狀態下與無機填料混合，亦可在溶解或分散本發明的氟樹脂的溶媒的存在下將該氟樹脂與無機填料混合。樹脂組成物可為固形物，亦可為流質物。於為流質物的情況下，亦可包含溶媒。
作為溶媒，可列舉有機溶媒。作為有機溶媒，可列舉：乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯、對二醇醚加成乙酸基而成的二醇酯等酯系溶媒；丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒；二乙基醚、二丙基醚、丁基醚、二醇醚、四氫呋喃等醚類系溶媒；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二丁基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶媒；N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺系溶媒等。其中，較佳為酯系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒，更佳為酯系溶媒。該些有機溶媒可使用一種，亦可併用兩種以上。
使用溶媒時，相對於本發明的氟樹脂100質量份的溶媒的量較佳為100質量份以上且5000質量份以下。藉由為100質量份以上，可容易溶解或分散本發明的氟樹脂。溶媒的量更佳為200質量份以上，進而佳為400質量份以上，進而更佳為600質量份以上。另一方面，藉由為5000質量份以下，可減少將紫外線發光裝置密封時的塗佈次數。溶媒的量更佳為2000質量份以下，進而佳為1200質量份以下，進而更佳為1000質量份以下。再者，於混合本發明的氟樹脂與溶媒後，視需要亦可藉由揮發等使溶媒減少。該情況下，相對於本發明的氟樹脂100質量份的減少後的溶媒的量較佳為200質量份以下，更佳為100質量份以下，進而佳為50質量份以下，進而更佳為20質量份以下。
此外，樹脂組成物亦可進而含有本發明的氟樹脂以外的其他氟樹脂、添加劑等。
作為其他氟樹脂，可列舉結晶性氟樹脂，具體而言，可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP）、氯三氟乙烯聚合物（PCTFE（聚氯三氟乙烯，polychlorotrifluoroethylene））、不滿足本發明的所述構成單元A與構成單元C的規定比率的四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）等。該些其他氟樹脂可使用一種，亦可併用兩種以上。
相對於本發明的氟樹脂100質量份的其他氟樹脂的量較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下，進而佳為2質量份以下，特佳為1質量份以下，最佳為0質量份。即，最佳為本發明的樹脂組成物中所含的氟樹脂是由本發明的氟樹脂構成。藉此，可減少樹脂間的折射率差而提高光取出效率。
相對於樹脂組成物（固體成分）的總質量的、所有氟樹脂（本發明的氟樹脂與其他氟樹脂的合計）以及無機填料的合計含量較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而佳為97質量%以上，特佳為99質量%以上。藉此，容易發揮氟樹脂帶來的密接性提高效果與無機填料帶來的耐熱性提高效果。
本發明的樹脂組成物例如可藉由將溫度降低至熔點以下、或使溶媒揮發而製成固化物（樹脂成形體）。本發明的樹脂組成物對於紫外線的耐久性優異，並且密接性、耐熱性亦優異，因此可適宜地用於紫外線發光元件的密封。
再者，樹脂組成物的耐熱性可藉由如下方式來評價：進行熱重量測定（TG測定），測定氟樹脂自身的質量減少10質量%時的溫度（10%質量變化溫度）。10%質量變化溫度若為400℃以上，則樹脂組成物的耐熱性優異，因此較佳。於後述實施例中，在以下條件下測定10%質量變化溫度。較佳為按照以下條件於溫度上升1℃之前進行至少兩次採樣。以規定間隔（秒）進行採樣，將氟樹脂的質量減少10質量%的時間點以後的最初的採樣中的溫度設為10%質量變化溫度。 ＜測定條件＞ 測定裝置：TG/DTA6200（SII奈米科技（SII Nanotechnology）股份有限公司製造） 測定環境：大氣 升溫範圍：30℃至500℃ 升溫速度：10℃/分鐘 採樣間隔：4秒
進而，本發明亦包含一種紫外線發光裝置，其包括紫外線發光元件，並且利用所述樹脂組成物的固化物密封紫外線發光元件。以下，一邊參照圖1～圖4，一邊對紫外線發光元件、以及包括紫外線發光元件的紫外線發光裝置進行說明。
圖1是示意性地表示紫外線發光元件的一例的剖面圖。圖2是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物進行密封前的紫外線發光裝置的一例（以下，有時稱為紫外線發光元件安裝封裝體）的剖面圖，圖3是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物進行密封後的紫外線發光裝置的一例的剖面圖，圖4是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物進行密封後的紫外線發光裝置的另一例的剖面圖。
首先，對紫外線發光元件進行說明。圖1的紫外線發光元件2為覆晶型（flip chip type）元件，於下側表面的一部分包括陽極側的p電極10，於該p電極10上形成有p層12。進而，於紫外線發光元件2的下側表面的另一部分包括陰極側的n電極11，於n電極11上形成有n層14。該些n電極11與n層14較所述p電極10與p層12而言更向上方偏移地形成，在存在於上方的n層14與存在於下方的p層12之間形成有活性層13。進而，在較存在於上方的n層14更靠上而存在基板15。
n層14例如可列舉含Si的AlGaN層。p層12例如可列舉含Mg的GaN層。該p層12視需要亦可與電子阻擋層等形成積層結構。活性層13例如可列舉AlGaN層。
藉由自p電極10、p層12朝向n層14、n電極11流通前向電流，而產生與活性層13中的能帶隙能量（band gap energy）相應的發光。藉由調整活性層13的例如AlN莫耳分率，可於GaN與AlN可取得的能帶隙能量（約3.4 eV與約6.2 eV）的範圍內控制能帶隙能量，可獲得發光波長為約200 nm至約365 nm的紫外線發光。
紫外線發光元件2的發光峰值波長較佳為300 nm以下。藉由發光峰值波長為300 nm以下，容易發揮殺菌效果，因此可於殺菌用的發光裝置中使用紫外線發光元件2。發光峰值波長更佳為280 nm以下。
再者，作為基板15，可列舉藍寶石基板、氮化鋁基板等。作為p電極10的原材料，可列舉Ni/Au，作為n電極11的原材料，可列舉Ti/Al/Ti/Au等。另外，雖未圖示，但為了防止短路，p電極10與n電極11之間的露出面亦可由SiO2 等保護絕緣膜被覆。
其次，對紫外線發光元件安裝封裝體進行說明。圖2的紫外線發光元件安裝封裝體6具有由氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2 O3 ）等陶瓷等形成的基材4，於該基材4上形成有配線（未圖示），於該配線上形成有Au、Au-Sn（20質量%）合金等金屬製的凸塊5。而且，經由凸塊5，將配線（未圖示）與紫外線發光元件2的p電極10、n電極11以可分別電連接的方式加以固定。藉由利用本發明的樹脂組成物的固化物對該紫外線發光元件安裝封裝體6進行密封，而形成圖3、圖4所示的紫外線發光裝置1、紫外線發光裝置1a。
圖3的紫外線發光裝置1中，圖2中所示的紫外線發光元件安裝封裝體6的紫外線發光元件2由本發明的樹脂組成物的固化物3a密封，且於其表面形成有由二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃等形成的聚光透鏡7。藉由聚光透鏡7，可提高光取出效率，但未必必須設置該聚光透鏡7。
圖4的紫外線發光裝置1a與圖3的紫外線發光裝置1於如下方面不同：由本發明的樹脂組成物的固化物3b形成的密封構件向上方***並成為透鏡形狀。
圖3或圖4的紫外線發光裝置1、紫外線發光裝置1a的密封可藉由將如下步驟重覆進行1次以上來進行：塗佈將本發明的樹脂組成物溶解於適當的溶媒中而成的溶液並進行乾燥。作為溶媒，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮等酮系溶媒，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶媒，四氫呋喃等環狀醚，N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺類。
塗佈液中的樹脂組成物的濃度例如為1質量%以上。越提高濃度，越可減少塗佈次數。較佳的濃度為5質量%以上，更佳為7質量%以上。另外，所述濃度例如為50質量%以下。越降低濃度，越可防止塗佈液的黏性提高，越可提高處理精度。較佳的濃度為40質量%以下，更佳為30質量%以下。再者，於形成圖4的紫外線發光裝置1a的情況下，較佳為在透鏡部的形成階段設為黏度比較高的塗佈溶液。
圖3或圖4的紫外線發光裝置1、紫外線發光裝置1a的密封亦可藉由如下方式來製造：將本發明的樹脂組成物加熱至適當的溫度並加以熔融，使熔融物流入紫外線發光元件2上。該加熱溫度為所述氟樹脂的熔點以上，較佳為熔點+10℃以上，更佳為熔點+20℃以上。加熱溫度的上限例如為270℃，更佳為200℃，進而佳為150℃。
另外，圖3或圖4的紫外線發光裝置1、紫外線發光裝置1a的密封亦可藉由如下方式來進行：將本發明的樹脂組成物成形為片狀，將該片積層於紫外線發光元件安裝封裝體的紫外線發光元件安裝側後，將該片加熱至熔點以上並加以熔融，進行冷卻（以下，有時將該密封方法稱為「熔融密封法」）。
進行熔融密封法時的片的加熱溫度較佳為比所述氟樹脂的熔點高10℃以上的溫度，更佳為比熔點高20℃以上的溫度。加熱溫度的上限例如為278℃，更佳為250℃，進而佳為200℃，特佳為150℃。若為所述加熱溫度，則可抑制因熱而導致的紫外線發光元件安裝封裝體的劣化等。
所述片的加熱可於大氣中等含氧環境下進行，較佳為於氮氣環境中、氬氣環境中等惰性氣體環境下進行。進而，氟樹脂的加熱亦可於大氣壓下進行，亦較佳為於真空中等減壓下進行。若於減壓下對氟樹脂進行加熱，則密封後的樹脂中所殘存的氣泡減少，透明性提高。
再者，所述片可藉由如下方式來製作：製作混合有本發明的氟樹脂與填料的顆粒，進行壓製、或者視需要一邊施加熱一邊進行壓製。另外，亦可於熔融狀態的氟樹脂中混合無機填料，並藉由擠出成形來製作。所述顆粒可藉由將氟樹脂與填料的混合體細小地切斷而獲得。氟樹脂與填料的混合體可藉由如下方法等獲得：於藉由熱而成為熔融狀態的氟樹脂中混入填料的方法；以及使氟樹脂溶解於溶媒中而製成溶液後，混合填料，使溶媒乾燥的方法；將氟樹脂與填料及溶媒混合，於混合溶液中添加相對於氟樹脂而言的不良溶媒，於捲入填料的狀態下使氟樹脂析出並使其乾燥的方法。其中，較佳為於捲入填料的狀態下使氟樹脂析出的方法。
將本發明的樹脂組成物形成為0.5 mm厚的片時的波長265 nm下的光的透過率較佳為8%以上，更佳為30%以上，進而佳為40%以上，特佳為50%以上，另外，波長350 nm下的光的透過率較佳為25%以上，更佳為50%以上，進而佳為60%以上，特佳為70%以上，另外，波長500 nm下的光的透過率較佳為60%以上，更佳為70%以上，進而佳為75%以上，特佳為80%以上。藉此，密封部的透明性提高，可提高自紫外線發光元件的光取出效率。再者，光的透過率越高越佳，但波長265 nm下的光的透過率例如可為80%以下，波長350 nm下的光的透過率例如可為90%以下，波長500 nm下的光的透過率例如可為95%以下。 [實施例]
以下，列舉實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明不受下述實施例的限制，當然亦能夠於可適合於所述/後述的主旨的範圍內施加變更來實施，該些均包含於本發明的技術範圍內。
〈NMR測定〉 關於作為氟樹脂的日本3M（3M Japan）股份有限公司製造的代尼翁（Dyneon）THV221AZ粉末（以下，稱為THV221AZ）、與大金（Dakin）工業股份有限公司製造的DAI-EL G-501NK（以下，稱為DAI-EL G-501NK），分別於下述條件下求出構成單元A、構成單元B、構成單元C的各莫耳比。將其結果示於表1中。 測定裝置：JEOL ECZ-400 試樣：約60 mg/0.8 ml ACT-d6 IS：4-氯三氟甲苯 0.01 mL 測定模式：1 H、19 F 弛豫時間：1 H 30秒、19 F 20秒 構成單元B的單元數：用CF3 的積分比除以3來算出（CF3 積分比/3） 構成單元C的單元數：用CH2 的積分比除以2來算出（CH2 積分比/2） 構成單元A的單元數：用自CF2 的合計積分比減去源自構成單元B的CF2 與源自構成單元C的CF2 而得的值除以4來算出（（CF2 合計積分比-構成單元C的單元數×2-構成單元B的單元數×2）/4）
[表1]
氟樹脂
種類 構成單元A 莫耳比（A） 構成單元B 莫耳比（B） 構成單元C 莫耳比（C） （C）/（A） （B）/（A）
THV221AZ 0.35 0.11 0.54 1.54 0.31
DAI-EL G-501NK 0.18 0.17 0.65 3.61 0.94
〈密接性評價〉 氟樹脂的密接性是藉由使用以下兩種氟樹脂進行棋盤格試驗來加以評價。將完全沒有固化物的剝落的情況評價為「無」剝落，將固化物完全剝落的情況評價為「有」剝落。將評價結果示於表2中。
（1）不含無機填料的氟樹脂（樹脂組成物1、樹脂組成物2） 首先，於Al基板上用耐熱膠帶（厚度0.19 mm，玻璃布膠帶）製作堤部，製作多個縱3.5 cm×橫4.0 cm的區域。進而，將作為氟樹脂的THV221AZ與DAI-EL G-501NK分別添加至乙酸丙酯中，製備濃度為9質量%的乙酸丙酯溶液，獲得樹脂組成物1、樹脂組成物2。繼而，將樹脂組成物1、樹脂組成物2分別以400 μl為單位放入不同的所述區域後，於200℃下加熱3小時，進行冷卻，藉此分別獲得氟樹脂固化而成的固化物。對於所獲得的固化物，使用切割刀與切割刀導軌（cutter guide）切入切口，分別製作100個1 mm見方的棋盤格，以覆蓋全部棋盤格的方式貼附思高（Scotch）（註冊商標）隱形膠帶（mending tape）（3M公司製造的「810-3-18」）。其後，相對於Al基板於上方向剝落思高（Scotch）膠帶，利用數位顯微鏡（20倍）觀察固化物的剝落的有無。
（2）包含無機填料的氟樹脂（樹脂組成物3、樹脂組成物4） 與所述（1）同樣地，將THV221AZ與DAI-EL G-501NK分別添加至乙酸丙酯中，製備濃度為9質量%的乙酸丙酯溶液。其後，對於各溶液10 g，混合0.36 g的後述的粒徑為11 μm的MgF2 粉末（2），利用自轉公轉混合器（去泡攪拌太郎ARV-310，新基（Thinky）股份有限公司製造）進行2次以200 rpm混合3分鐘的操作，獲得於樹脂溶液中分散有填料的溶液、即樹脂組成物3、樹脂組成物4。除了使用該樹脂組成物3、樹脂組成物4以外，與所述（1）同樣地進行評價。
[表2]
  氟樹脂 溶媒 無機填料 棋盤格試驗 剝落
種類 質量% 種類 質量% 種類 質量%
樹脂組成物1 THV221AZ 9 乙酸丙酯 91 - - 無
樹脂組成物2 DAI-EL G-501NK 9 乙酸丙酯 91 - - 有
樹脂組成物3 THV221AZ 9 乙酸丙酯 88 MgF2 粉末（2） 3 無
樹脂組成物4 DAI-EL G-501NK 9 乙酸丙酯 88 MgF2 粉末（2） 3 有
如表1、表2所示般，含有構成單元A的莫耳比（A）為0.25以上、且構成單元C的莫耳比（C）為0.60以下的THV221AZ的樹脂組成物1、樹脂組成物3的固化物顯示出優異的密接性。另一方面，含有構成單元A的莫耳比（A）小於0.25、且構成單元C的莫耳比（C）超過0.60的DAI-EL G-501NK的樹脂組成物2、樹脂組成物4的固化物的密接性差。
以下實施例中，使用以下MgF2 粉末（1）～MgF2 粉末（3）的任一者作為無機填料。 ＜MgF2 粉末（1）（D50 =218 μm）＞ 並不進行粉碎地使用匹亞光學（pier-optics）股份有限公司製造的MgF2 粉末（對產品編號：MFGR3-6進行粉碎並通過60目的篩子而成者，D50 =218 μm）。 ＜MgF2 粉末（2）（D50 =11 μm）＞ 於以下條件下利用球磨機對匹亞光學（pier-optics）股份有限公司製造的MgF2 粉末（D50 =218 μm）進行粉碎，藉此調節MgF2 粉末的粒度，獲得D50 =11 μm、利用BET法測定的比表面積為1.4 m2 /g的MgF2 粉末（2）。 粉碎條件 粉碎裝置：球磨機ANZ-51S（日陶科學股份有限公司製造） 容器：250 ml 艾博（I-Boy）廣口瓶（亞速旺（Asone）股份有限公司製造 產品編號5-002-03） 介質：400 g 氧化鋯球 5 mmΦ （亞速旺（Asone）股份有限公司製造 產品編號：2-9191-16） MgF2 粉末：60 g 溶媒：異丙醇（納卡拉伊泰斯庫（Nacalai tesque）股份有限公司製造）100 g 轉數：126 rpm 粉碎時間：4小時 ＜MgF2 粉末（3）（D50 =17 μm）＞ 並不進行粉碎地使用日清工程股份有限公司製造的MgF2 粉末（D50 =17 μm，利用BET法測定的比表面積為43 m2 /g）。
〈MgF2 粉末的粒度分佈測定〉 無機填料的粒度分佈測定是藉由如下方法來進行：利用下述條件的雷射繞射法，獲得各製備完成的MgF2 粉末的粒度的累計分佈曲線，求出體積累計頻率50%時的粒徑即粒徑D50 。 測定裝置：SALD-2000J（島津製作所股份有限公司製造） 分散溶媒：離子交換水+中性洗滌劑 分散方法：攪拌器攪拌+超音波照射 10分鐘 折射率（MgF2 ）：1.40-0.20i
〈折射率測定〉 使用日本J.A.沃蘭（J.A.Woollam Japan）股份有限公司製造的高速分光橢圓儀（M-2000），測定THV221AZ以及MgF2 粉末（1）對於波長589 nm的光的折射率，結果分別為1.36、1.38。再者，雖未測定MgF2 粉末（2）的折射率，但折射率於所述程度的粉碎條件下幾乎沒有變化，因此可認為MgF2 粉末（2）顯示出與MgF2 粉末（1）同等的折射率。
〈比表面積測定〉 作為前處理，於150℃下、30分鐘的處理條件下對無機填料進行加熱處理，製備測定試樣。關於所述測定試樣，利用BET法算出比表面積。 測定裝置：莫諾索博（MONOSORB）（湯淺愛奧尼庫斯（Yuasa-ionics）股份有限公司製造） 吸附質：N2
〈樹脂組成物的固化物的製備〉 實施例1 將0.20 g的THV221AZ載置於石英玻璃板上，於200℃的加熱板上使其加熱熔解。於其上添加0.08 g的MgF2 粉末（3），使用2根扁平板狀的抹刀進行混合並加以冷卻，獲得樹脂組成物的固化物。
實施例2 以THV221AZ的含量為20質量%的方式將THV221AZ添加至乙酸丁酯中並使其溶解。向螺旋管中秤取8.0 g的所獲得的混合溶液，一邊利用攪拌子進行攪拌一邊添加0.29 g的MgF2 粉末（2），製成均勻的混合溶液。繼而，放入作為不良溶媒的乙醇20 g，使含有填料的氟樹脂析出。將所析出的樹脂自螺旋管取出，於80℃、5小時的條件下使其乾燥，獲得樹脂組成物的固化物。
實施例3 除了將所添加的MgF2 粉末（2）的量變更為0.65 g以外，與實施例2同樣地獲得樹脂組成物的固化物。
實施例4 對THV221AZ與MgF2 粉末（2）於下述條件下進行混練，獲得樹脂組成物的固化物。 混練裝置：實驗室噴射磨機（Labo Plastomill）3S150（東洋精機製作所股份有限公司製造） 混合器：輥式混合器R60 設定溫度：140℃ 轉數：50 rpm 混練時間：5分鐘 樣品量：100 g（THV221AZ：71.2 g，MgF2 粉末：28.8 g）
實施例5 除了將所添加的MgF2 粉末（2）的量變更為1.11 g以外，與實施例2同樣地獲得樹脂組成物的固化物。
實施例6 除了使用MgF2 粉末（1）、以及將所添加的MgF2 粉末（1）的量設為1.11 g以外，與實施例2同樣地獲得樹脂組成物的固化物。
比較例1 直接對THV221AZ進行測定。
〈耐熱性評價〉 為了對實施例1～實施例6中所獲得的樹脂組成物、以及比較例1的THV221AZ的固化物的耐熱性進行評價，於下述條件下進行熱重量測定（TG測定），測定氟樹脂自身的質量減少10質量%時的溫度（10%質量變化溫度）。例如，於樹脂組成物的固化物中的氟樹脂的質量為71.2質量%時，測定氟樹脂減少7.12質量%時的溫度。另外，於在資料採樣期間內氟樹脂自身的質量減少10質量%以上的情況下，將剛減少10質量%後的採樣的溫度設為10%質量變化溫度。將實施例1～實施例6、比較例1的耐熱性評價的結果示於表3中。 測定裝置：TG/DTA6200（SII奈米科技（SII Nanotechnology）股份有限公司製造） 測定環境：大氣 升溫範圍：30℃至500℃ 升溫速度：10℃/分鐘 採樣間隔：4秒
[表3]
No. 樹脂組成物
氟樹脂 無機填料 氟樹脂與 無機填料的 折射率的差 10%質量 變化溫度（℃）
種類 質量份 折射率 種類 折射率 粒徑 （μm） 質量份 體積%
實施例1 THV221AZ 71.4 1.36 MgF2 粉末（3） - 17 28.6 20 - 426
實施例2 THV221AZ 84.8 1.36 MgF2 粉末（2） - 11 15.2 10 - 402
實施例3 THV221AZ 71.1 1.36 MgF2 粉末（2） - 11 28.9 20 - 413
實施例4 THV221AZ 71.2 1.36 MgF2 粉末（2） - 11 28.8 20 - 431
實施例5 THV221AZ 59.0 1.36 MgF2 粉末（2） - 11 41.0 30 - 428
實施例6 THV221AZ 59.0 1.36 MgF2 粉末（1） 1.38 218 41.0 30 0.02 401
比較例1 THV221AZ 100 1.36 - - - - - - 397
〈透明性評價〉 利用以下記載的方法來製作片，測定透過率。 實施例7 向置於水浴中的可分離燒瓶中，量取乙酸丁酯（富士軟片和光純藥股份有限公司製造）160 g，一邊進行攪拌，一邊將水浴升溫至85℃。一邊進行攪拌，一邊一點點地加入40 g的THV221AZ並使其溶解，製作樹脂溶液。將所獲得的溶液於120℃下加熱3小時，根據剩餘部分求出固體成分濃度，結果為20.2質量%。 將所述製作的20.2質量%的濃度的樹脂溶液15 g放入250 ml的一次性杯子（disposable cup）中，於其中添加1.22 g的MgF2 粉末（2）作為填料。若將樹脂的密度作為1.95 g/cm3 、將MgF2 粉末的密度作為3.15 g/cm3 來計算，則填料的濃度為20體積%。使用去泡攪拌太郎ARV-310，對該溶液實施3次以轉數2000 rpm混合2分鐘的操作，將溶液與填料混合，於其中放入磁力攪拌器進行攪拌，一邊維持填料均勻地飛散於溶液中的狀態，一邊迅速放入異丙醇（IPA，納卡拉伊泰斯庫（Nacalai tesque）股份有限公司製造）70 g，結果，樹脂一邊捲入填料與一部分溶媒，一邊迅速凝膠化而析出。 取出凝膠化的塊狀的試樣，自該試樣取出攪拌器後，置於鋁杯上，於常溫下使其乾燥。乾燥4小時左右時，為了促進乾燥，使用剪刀剪切成約3 cm見方左右的尺寸，其後，乾燥一晚。利用剪刀將試樣剪切成5 mm見方左右，於設定為100℃的加熱板上乾燥3小時。 其後，將試樣轉移到PFA製的淺底盤中，於真空乾燥機中，在200℃下進行3小時脫泡及乾燥。於乾燥過程中，試樣熔融，乾燥後成為一塊。再次使用剪刀將所獲得的塊狀的試樣剪切成2 mm見方左右的尺寸，製成顆粒。相對於所使用的樹脂與填料的合計量的產率為100%。 於厚度5 mm、15 cm見方的不鏽鋼（Steel Use Stainless，SUS）板上積層厚度0.1 mm、15 cm見方的聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）膜，於PTFE膜上積層中心具有3 cm見方的貫通孔的厚度0.5 mm、15 cm見方的SUS板。繼而，將1.2 g的所述顆粒放入所述3 cm見方的貫通孔中。進而，依次積層厚度0.1 mm、15 cm見方的PTFE膜、與厚度5 mm、15 cm見方的SUS板，組裝模具。繼而，將壓製機的溫度設定為200℃，並不加壓，使壓製機的上下板於與模具的上下的所述SUS板接觸的狀態下保持3分鐘，使顆粒熔融。其後，於50 MPa的壓力下加壓2分鐘。於加壓後取出模具，另行利用在水中通過後的2塊SUS板夾住模具，充分進行冷卻，拆開模具，獲得0.5 mm厚的含填料的氟樹脂片，基於下述條件測定265 nm、350 nm、以及500 nm下的透過率。將結果示於表4中。 測定條件 測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計UV-3600（島津製作所股份有限公司製造） 附件（attachment）：積分球 ISR-3100 背景測定：大氣
[表4]
  透過率
265 nm 350 nm 500 nm
實施例7 54.4% 74.0% 85.8%
如表3所示般，於不含有MgF2 粉末的比較例1中，10%質量變化溫度小於400℃，耐熱性差，但於含有MgF2 粉末的實施例1～實施例6中，10%質量變化溫度為400℃以上，發揮優異的耐熱性。根據表2、表3的結果得知，藉由在樹脂組成物中包含構成單元A的莫耳比（A）為0.25以上且構成單元C的莫耳比（C）為0.60以下的本發明的氟樹脂、以及無機填料，可兼顧優異的密接性與耐熱性。
1:紫外線發光裝置 1a:紫外線發光裝置 2:紫外線發光元件 3a、3b:樹脂組成物的固化物 4:基材 5:凸塊 6:紫外線發光元件安裝封裝體 7:聚光透鏡 10:p電極 11:n電極 12:p層 13:活性層 14:n層 15:基板
圖1是示意性地表示紫外線發光元件的一例的剖面圖。 圖2是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物密封紫外線發光元件前的紫外線發光裝置的一例的剖面圖。 圖3是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物密封紫外線發光元件後的紫外線發光裝置的一例的剖面圖。 圖4是示意性地表示利用本發明的樹脂組成物的固化物密封紫外線發光元件後的紫外線發光裝置的另一例的剖面圖。
1:紫外線發光裝置
2:紫外線發光元件
3a:樹脂組成物的固化物
4:基材
5:凸塊
7:聚光透鏡
10:p電極
11:n電極

Claims (12)

  1. 一種樹脂組成物，其特徵在於包含： 氟樹脂、以及無機填料，並且 所述氟樹脂包含源自四氟乙烯的構成單元A、源自六氟丙烯的構成單元B、以及源自偏二氟乙烯的構成單元C，且 所述構成單元A相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上， 所述構成單元C相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.60以下。
  2. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述構成單元A相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（A）為0.25以上且0.75以下。
  3. 如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，其中所述構成單元C相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（C）為0.20以上且0.60以下。
  4. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述構成單元B相對於所述構成單元A、所述構成單元B、以及所述構成單元C的合計的莫耳比（B）為0.05以上且0.50以下。
  5. 如請求項3所述的樹脂組成物，其中所述莫耳比（C）相對於所述莫耳比（A）的比（莫耳比（C）/莫耳比（A））為0.20以上且3.50以下。
  6. 如請求項4所述的樹脂組成物，其中所述莫耳比（B）相對於所述莫耳比（A）的比（莫耳比（B）/莫耳比（A））為0.10以上且0.80以下。
  7. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述無機填料為金屬氟化物。
  8. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述無機填料的粒徑為300 μm以下。
  9. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中相對於所述氟樹脂、以及所述無機填料的合計100質量份的所述無機填料的量為1質量份以上且60質量份以下。
  10. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述氟樹脂與所述無機填料的折射率的差為0.05以下。
  11. 如請求項1所述的樹脂組成物，其於紫外線發光元件的密封中使用。
  12. 一種紫外線發光裝置，其特徵在於包括：紫外線發光元件，並且 所述紫外線發光元件由如請求項1所述的樹脂組成物的固化物密封。
TW109115495A 2019-05-16 2020-05-11 樹脂組成物及紫外線發光裝置 TW202043362A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019092838 2019-05-16
JP2019-092838 2019-05-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202043362A true TW202043362A (zh) 2020-12-01

Family

ID=73290083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109115495A TW202043362A (zh) 2019-05-16 2020-05-11 樹脂組成物及紫外線發光裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2020189964A (zh)
TW (1) TW202043362A (zh)
WO (1) WO2020230714A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6830168B1 (ja) * 2020-01-30 2021-02-17 住友化学株式会社 電子部品の製造方法
JP6816317B1 (ja) * 2020-01-30 2021-01-20 住友化学株式会社 フッ素樹脂シート及びその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060035047A1 (en) * 2002-10-29 2006-02-16 Daikin Industries, Ltd Fluororesin composition, molded fluororesin articles, fluororesin laminates and use of the laminates
JP2013175462A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Daikin Ind Ltd 電線被覆材及び電線
JP2014185294A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Mitsubishi Chemicals Corp 樹脂組成物、反射部材、発光装置、及び照明器具
JP5702898B1 (ja) * 2013-04-30 2015-04-15 創光科学株式会社 紫外線発光装置
KR102237112B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
US10513593B2 (en) * 2014-10-31 2019-12-24 Solvay Specialty Polymers Italy S.P.A. Fluoroelastomer composition
JP2017149839A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム組成物及び成形品
CN110931622A (zh) * 2016-03-14 2020-03-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020230714A1 (ja) 2020-11-19
JP2020189964A (ja) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020230716A1 (ja) 電子部品の製造方法および電子部品
TW202043362A (zh) 樹脂組成物及紫外線發光裝置
TWI632042B (zh) Release film and method of manufacturing semiconductor package
JP5783902B2 (ja) 太陽電池の光電地要素のための白色顔料を含む不透明フルオロポリマー組成物
WO2011065016A1 (ja) Ｌｅｄ実装用基板
TWI461438B (zh) 供光伏打電池應用而建基於不帶有丙烯酸系聚合物味道之氟聚合物與氧化鋅的膜
JP2023059896A (ja) 発光素子封止用樹脂組成物、光源装置及び光源装置の製造方法
WO2020230715A1 (ja) 電子部品及びその製造方法
WO2021054364A1 (ja) チューブおよびフレグランス製品
JP2021161270A (ja) 樹脂成形体、紫外線発光装置、および樹脂成形体の製造方法
JP6998362B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
WO2021153337A1 (ja) フッ素樹脂及びその製造方法
WO2021200279A1 (ja) フッ素樹脂シート及びその製造方法
JP6830168B1 (ja) 電子部品の製造方法
JP2021163876A (ja) 電子装置
JP6816317B1 (ja) フッ素樹脂シート及びその製造方法
JP2021161271A (ja) フッ素樹脂シート、および電子装置
JP2021518447A (ja) 発光装置の構成部品のためのフルオロポリマー組成物
JP6033361B2 (ja) 成形品
TW202132366A (zh) 密封樹脂