JP6830168B1 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6830168B1
JP6830168B1 JP2020014032A JP2020014032A JP6830168B1 JP 6830168 B1 JP6830168 B1 JP 6830168B1 JP 2020014032 A JP2020014032 A JP 2020014032A JP 2020014032 A JP2020014032 A JP 2020014032A JP 6830168 B1 JP6830168 B1 JP 6830168B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
resin
less
electronic
electronic element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020014032A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021120993A (ja
Inventor
翔平 堀田
翔平 堀田
岳 吉川
岳 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2020014032A priority Critical patent/JP6830168B1/ja
Priority to JP2020198389A priority patent/JP2021121013A/ja
Priority to PCT/JP2021/001620 priority patent/WO2021153335A1/ja
Priority to TW110102780A priority patent/TW202138443A/zh
Application granted granted Critical
Publication of JP6830168B1 publication Critical patent/JP6830168B1/ja
Publication of JP2021120993A publication Critical patent/JP2021120993A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1401—Structure
    • H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

【課題】封止樹脂の品質が向上した電子部品を提供する。【解決手段】電子部品の製造方法は、配線基材に取り付けられた電子素子を樹脂組成物で覆う工程Ａと、電子素子を覆った前記樹脂組成物にＵＶオゾン処理を施す工程Ｂとを有し、前記工程Ａが、配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂組成物を設置する工程と、前記樹脂組成物を加熱変形温度以上に加熱する工程を含み、前記工程ＢのＵＶオゾン処理が、酸素含有ガス雰囲気下、２００ｎｍ以下にピーク波長を有する紫外線を照射する処理である製造方法。【選択図】図５

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の電子素子を備えた電子部品では、電子素子の劣化を防ぐために該電子素子をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂により封止することが多く、フッ素樹脂により封止する例もある。
例えば、特許文献１には、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）及びビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）を少なくとも含むフッ素ポリマー（ＴＨＶ）をＬＥＤ素子の封止に用いることが開示されている。
特開２００９−５１８７６号公報
ＬＥＤ等の発光素子を備えた電子部品が樹脂により封止されている場合、電子素子から出力される光を効率よく取り出すために、封止樹脂の品質の向上が求められることがある。従って本発明の目的は、封止樹脂の品質が向上した電子部品の提供にある。
上記課題を解決することのできた本発明の電子部品及びその製造方法は、以下の構成からなる。
［１］ 配線基材に取り付けられた電子素子を樹脂組成物で覆う工程Ａと、
電子素子を覆った前記樹脂組成物にＵＶオゾン処理を施す工程Ｂとを有する電子部品の製造方法。
［２］ 前記工程Ａが、配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂組成物を設置する工程と、前記樹脂組成物を加熱変形温度以上に加熱する工程を含む［１］に記載の製造方法。
［３］ 前記電子素子の上方に設置される樹脂組成物がシート状である［２］に記載の製造方法。
［４］ 前記シート状の樹脂組成物の厚さが、０．０１〜２．０ｍｍである［３］に記載の製造方法。
［５］ 前記樹脂組成物が結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分を含まない［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。
［６］ 前記結晶性フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体である［５］に記載の製造方法。
［７］ 前記工程ＢのＵＶオゾン処理が、酸素含有ガス雰囲気下、２００ｎｍ以下にピーク波長を有する紫外線を照射する処理である［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］ 前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間が０．００１Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上である［７］に記載の製造方法。
［９］ 配線基材に取り付けられた発光素子が樹脂組成物で覆われた電子部品であって、
以下で特定される変化率が１．５％以上となるＵＶオゾン処理が前記樹脂組成物に施されている電子部品。
変化率（％）＝{（ＵＶオゾン処理後の電子部品の光強度／ＵＶオゾン処理前の電子部品の光強度）−１}×１００
［１０］ 配線基材に取り付けられた発光素子が樹脂組成物で覆われた電子部品であって、
光強度が、発光素子が樹脂組成物で覆われる前の電子部品の光強度を基準とする相対値として１．３８以上である電子部品。
［１１］ 前記樹脂組成物が結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分を含まない［９］又は［１０］に記載の電子部品。
［１２］ 前記結晶性フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体である［１１］に記載の電子部品。
［１３］ 前記樹脂組成物の厚みが０．０１〜２．０ｍｍである［９］〜［１２］のいずれかに記載の電子部品。
本発明によれば、封止樹脂の品質が向上した電子部品を提供することができる。
図１は従来の電子素子の一例を示す概略断面図である。 図２は従来の電子素子をサブマウントに取り付けた電子素子部品の一例を示す概略断面図である。 図３は従来の電子素子を実装した配線基材の概略断面図である。 図４は電子素子の上方に樹脂組成物を設置した状態の一例を示す概略断面図である。 図５は本発明の電子部品の一例を示す概略断面図である。
［電子部品］
本発明の電子部品は、配線基材に取り付けられた電子素子（好ましくは発光素子）が樹脂組成物で覆われている。
（１）電子素子
前記電子素子（好ましくは発光素子）としては、一般的に半導体でありトランジスタ、ダイオードなどが挙げられ、半導体ダイオードが好ましい。半導体ダイオードとしては、発光ダイオードが好ましく、特に紫外線発光ダイオード（以下、紫外線発光素子という場合もある）が好ましい。
図１は前記紫外線発光素子の一例を示す概略断面図である。電子素子としての紫外線発光素子２はフリップチップタイプの素子であり、下側面の一部にアノード側のｐ電極１０を備え、該ｐ電極１０の上にｐ層１２が形成されている。更に紫外線発光素子２の下側面の別の一部に、カソード側のｎ電極１１を備え、ｎ電極１１の上にｎ層１４が形成されている。これらｎ電極１１とｎ層１４は、前記ｐ電極１０とｐ層１２よりも上方にシフトして形成されており、上方に存在するｎ層１４と下方に存在するｐ層１２との間に活性層１３が形成されている。加えて上方に存在するｎ層１４のさらに上に素子基板１５が存在する。
紫外線発光素子２におけるｎ層１４は、例えばＳｉ含有ＡｌＧａＮ層が挙げられる。ｐ層１２は、例えばＭｇ含有ＧａＮ層が挙げられる。このｐ層１２は、必要に応じて電子ブロック層などと積層構造にしてもよい。活性層１３は、例えばＡｌＧａＮ層が挙げられる。
ｐ電極１０、ｐ層１２からｎ層１４、ｎ電極１１に向けて順方向電流を流すことにより活性層１３におけるバンドギャップエネルギーに応じた発光が生じる。バンドギャップエネルギーは、活性層１３の例えばＡｌＮモル分率を調整することにより、ＧａＮとＡｌＮが取り得るバンドギャップエネルギー（約３．４ｅＶと約６．２ｅＶ）の範囲内で制御することができ、発光波長が約２００ｎｍから約３６５ｎｍまでの紫外線発光を得ることができる。
なお素子基板１５には、サファイア基板、窒化アルミニウム基板等が使用可能である。ｐ電極１０の素材としてＮｉ／Ａｕ、ｎ電極１１の素材としてＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ等が使用できる。またｐ電極１０とｎ電極１１の間の露出面は、短絡を防止するためにＳｉＯ2等の保護絶縁膜（図示せず）により被覆されていてもよい。
紫外線発光素子２の発光ピーク波長は２００〜３６５ｎｍの範囲で適宜設定でき、３００ｎｍ以下であることが好ましい。発光ピーク波長が３００ｎｍ以下であることにより殺菌効果が発揮され易くなるため、殺菌用の発光装置に紫外線発光素子２を用いることができる。発光ピーク波長は、より好ましくは２８０ｎｍ以下である。
（２）配線基材
配線基材は、表面に電極配線が形成された基材であり、パッケージと称されることがある。この配線基材に電子素子が取り付けられる。配線基材は、表面実装型、複数の電子素子が表面実装されたチップオンボード型のいずれでもよい。また分割することで複数の表面実装型電子部品を製造するための連結型配線基材であってもよい。さらに表面実装型、連結型、チップオンボード型などに使用される配線基材の形状は、キャビティ型であってもよく、平板型であってもよい。また表面実装型、連結型、及びチップオンボード型において、前記電子素子は、配線基材上にバンプを介して直接設置されていてもよいし、配線基材上にサブマウントを接着し、このサブマウント上にバンプを介して電子素子を取り付けて電子素子部品とし、該電子素子部品を配線基材に設置してもよい。
なお前記バンプには、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ（２０質量％）合金等の金属が使用可能である。またサブマウントには、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックスが使用できる。
図２は、紫外線発光素子２が、サブマウント４上にバンプ５を介して設置された電子素子部品６ａの一例を示す概略断面図である。図示例の電子素子部品６ａは、サブマウント４の表面に形成されたアノード側の金属電極配線（図示せず）、及びカソード側の金属電極配線（図示せず）に、紫外線発光素子２のｐ電極１０及びｎ電極１１とが、それぞれバンプ５を介して、電気接続できるように固定されている。
図３は、表面実装型配線基材に電子素子部品６ａを実装した電子素子実装パッケージを示す概略断面図である。図示例の電子素子実装パッケージ３０では、電子素子部品６ａが、シリコーン系接着剤等の接合材３１を用いて、コア基板３２上に接着される。コア基板３２は、金属基板３４の片面に絶縁層３７が形成されたものであり、この絶縁層３７の表面にアノード電極３５及びカソード電極３６に電気的に接続するパターン回路３８が形成されている。電子素子部品６ａのサブマウント４の表面に形成された金属電極配線（図示せず）とパターン回路３８を金線等のワイヤ３３によってワイヤボンディングすることにより、サブマウント４上の金属電極配線とパターン回路３８との間で電気的な接続が形成される。なお上述した様に、本発明には、チップオンボード型の配線基材も使用可能であり、図示例に限定されない。
（３）樹脂組成物
本発明では、上述した様に、配線基材に取り付けられた電子素子（好ましくは発光素子）が樹脂組成物で覆われており、すなわち配線基材に取り付けられた電子素子（好ましくは発光素子）が樹脂組成物で封止されている。前記樹脂組成物は、封止樹脂として使用される公知の樹脂を含むことが好ましく、当該樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。前記樹脂は、結晶性樹脂であってもよく、非晶性樹脂であってもよい。紫外線発光ダイオードをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で封止すると、紫外線によって樹脂の劣化が大きくなる場合があるのに対して、フッ素樹脂で封止すると樹脂の劣化を抑制できるため、前記樹脂組成物はフッ素樹脂を含むことが好ましい。前記樹脂は、１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なお、本明細書で「フッ素樹脂」とは、フッ素を含むオレフィンの重合体又はその変性物を意味し、前記変性物には、例えば、主鎖末端に−ＯＨや−ＣＯＯＨなどの極性基が結合するものが含まれる。
フッ素樹脂としては、−ＳＯ3Ｈ基などの極性基を側鎖に有さないフッ素樹脂が電子部品の性能維持の観点から好ましく、例えば、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン重合体（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）などの結晶性フッ素樹脂；テフロンＡＦ（商標；三井・ケマーズフロロプロダクツ社製）、サイトップ（商標；ＡＧＣ社製）などの非晶質フッ素樹脂などが挙げられ、これらフッ素樹脂は、１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
前記フッ素樹脂としては、結晶性フッ素樹脂がより好ましく、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）がよりさらに好ましい。結晶性フッ素樹脂、特にテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ樹脂）は、基材や電子素子に対する密着性が優れている。
前記ＴＨＶ樹脂としては、テトラフルオロエチレン由来の構成単位Ｔ、ヘキサフルオロプロピレン由来の構成単位Ｈ、及びフッ化ビニリデン由来の構成単位Ｖを含み、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）が０．２５以上であり、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）が０．６０以下である樹脂が好ましい。これにより紫外線発光素子の発熱に対する耐熱性、および紫外線発光装置の基材等に対する密着性を向上することができる。
構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）は０．２５以上であることが好ましい。これにより密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．２８以上、更に好ましくは０．３０以上である。一方、構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の上限は、透明性の観点から好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．５０以下である。
構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）は０．６０以下であることが好ましい。これにより透明性や密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の上限は、好ましくは０．５８以下、より好ましくは０．５６以下である。一方、構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の下限は、０．２０以上であることが好ましい。これにより、樹脂の屈折率を高めることができ、素子と樹脂の界面での屈折率差を緩和できるため、発光素子からの光取出し効率が向上する。なお光取出し効率とは、発光素子で発生した光が発光素子の外部に取り出される効率のことである。そのため構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の下限は、より好ましくは０．３０以上、更に好ましくは０．４０以上、更により好ましくは０．５０以上である。
構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｈのモル比（Ｈ）は０．０５以上、０．５０以下であることが好ましい。構成単位Ｈのモル比（Ｈ）の下限は溶解性の観点から、より好ましくは０．０７以上、更に好ましくは０．０９以上である。一方、構成単位Ｈのモル比（Ｈ）の上限は、耐熱性の観点からより好ましくは０．４０以下、更に好ましくは０．３０以下、更により好ましくは０．２０以下である。
モル比（Ｖ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ））は、０．２０以上、３．５０以下であることが好ましい。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することによって、密着性が向上する傾向となる。また、高温加熱時の樹脂の着色を防止できる。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．５０以上、更に好ましくは１．００以上、更により好ましくは１.３０以上である。一方、モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは３．００以下、更に好ましくは２．５０以下、更により好ましくは２．００以下である。
モル比（Ｈ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ））は、０．１０以上、０．８０以下であることが好ましい。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することにより、透過率や密着性が向上する傾向となる。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．２０以上、更に好ましくは０．２４以上、更により好ましくは０．２８以上である。一方、モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．５０以下、更により好ましくは０．４０以下である。
フッ素樹脂の各構成単位のモル比は、ＮＭＲ測定により求めることができる。モル比の算出に当たっては、例えばEric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene(HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules、2015年, 48巻, 11号, p.3563-3576を参照することができる。
前記ＴＨＶ樹脂は、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖ以外の他の構成単位を含む樹脂であってもよい。他の構成単位としては、例えばエチレン由来の構成単位、パーフルオロアルキルビニルエーテル由来の構成単位、クロロトリフルオロエチレン由来の構成単位等が挙げられる。
前記ＴＨＶ樹脂の全構成単位に対する構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計モル比は、好ましくは０．７０以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．９０以上、特に好ましくは０．９５以上、最も好ましくは１である。即ち変性されていないＴＨＶ樹脂であることが最も好ましい。これにより耐熱変形性を向上し易くすることができる。
樹脂にテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体又はその変性物（ＴＨＶ樹脂）を用いる好ましい形態において、当該樹脂組成物は、ＴＨＶ樹脂以外のフッ素樹脂（以下、フッ素樹脂Ｘという場合がある）を含有していてもよい。
フッ素樹脂Ｘとして、結晶性フッ素樹脂が挙げられ、具体的には、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン重合体（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。これらフッ素樹脂Ｘは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ＴＨＶ樹脂とフッ素樹脂Ｘとを併用する場合、ＴＨＶ１００質量部に対するフッ素樹脂Ｘの量は、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは５質量部以下、更に好ましくは２質量部以下、特に好ましくは１質量部以下、最も好ましくは０質量部である。即ち、本発明の樹脂組成物に含まれるフッ素樹脂は、ＴＨＶ樹脂からなることが最も好ましい。これにより樹脂間の屈折率差が低減されて光取出し効率を向上することができる。
前記樹脂の重量平均分子量は５０，０００以上、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量を５０，０００以上とすることにより融解時の粘度を高くすることができるため、ＬＥＤ点灯時の封止樹脂の形状変化を抑制することができる。前記樹脂の重量平均分子量の下限は、より好ましくは１００，０００以上、更に好ましくは２００，０００以上、更により好ましくは２５０，０００以上、特に好ましくは３００，０００以上である。一方、樹脂の重量平均分子量を１，０００，０００以下とすることにより溶解性が良くなる。前記樹脂の重量平均分子量の上限は、より好ましくは８００，０００以下、更に好ましくは６００，０００以下、更により好ましくは５００，０００以下、特に好ましくは４５０，０００以下である。なお、重量平均分子量は標準ポリスチレン換算値である。
前記樹脂が共重合体である場合、該共重合体は、ランダム共重合体、またはブロック共重合体のいずれであってもよいが、ランダム共重合体であることが好ましい。特にＴＨＶ樹脂をランダム共重合体樹脂にすることにより、構成単位Ｔや構成単位Ｖの結晶化度を抑制することができ、透明性を確保しやすい。
前記樹脂の屈折率は、好ましくは１．３４超、より好ましくは１．３５以上、更に好ましくは１．３６以上である。これにより、発光素子（好ましくは紫外線発光素子）と後述する封止部の屈折率の差を小さくすることができ、発光素子と封止部との界面における全反射を低減して、光取出し効率を向上させることができる。一方、前記樹脂の屈折率の上限は、例えば１．４５以下、好ましくは１．４０以下であってもよい。屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。
前記樹脂組成物の加熱変形温度は、９０℃以上、２７８℃以下であることが好ましい。加熱変形温度が９０℃以上であることにより、電子素子の発熱による封止部材の溶融を防止できる。前記樹脂組成物の加熱変形温度の下限は、より好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１１０℃以上、更により好ましくは１１５℃以上である。一方、一般的なハンダ材であるＡｕ−Ｓｎ（２０質量％）の融点が２７８℃であることから、樹脂組成物の加熱変形温度が２７８℃以下であることにより、樹脂組成物の加熱溶融による電子素子の封止を容易にできる。また加熱溶融で封止するときの後述のバンプの溶融を防止できる。樹脂組成物の加熱変形温度の上限は、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１７０℃以下、更により好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１３０℃以下である。ここで、加熱変形温度とは、結晶性樹脂の場合には融点であり、非晶性樹脂の場合にはガラス転移温度である。樹脂組成物のガラス転移温度又は融点は、例えば示差走査熱量計（ＤＳＣ、株式会社日立ハイテクサイエンス製）を用いて、昇温速度１０℃／分で−５０℃から２００℃の温度まで変化させ、これにより得られるＤＳＣ曲線（融点の場合は融解曲線）から中間ガラス温度又は融解ピーク温度（Ｔｍ）を測定することにより求めることができる。例えば、３Ｍ社製の「ＴＨＶ５００ＧＺ」の加熱変形温度（融点）は１６５℃程度、３Ｍ社製の「ＴＨＶ２２１ＡＺ」の加熱変形温度（融点）は１１５℃程度であり、ＡＧＣ社製の「サイトップ（商標）」の加熱変形温度（ガラス転移温度）は１０８℃程度である。また、本発明で好適に用いられる結晶性フッ素樹脂は、室温で固体であり、封止後の表面にタック性が無く、硬度も十分であり、さらには融点以上への加熱により適度な流動性を発現できることから、単層であっても電子素子を封止することができる。
前記樹脂組成物は実質的に揮発成分を含まないことが好ましい。樹脂組成物中に含まれる揮発成分が５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下であり、さらに好ましくは１質量％以下である。
揮発成分の含有率は、熱分析により測定できる。樹脂組成物中に含まれる揮発成分の含有率は、示差熱熱重量同時測定装置等を用いて測定することができ、樹脂組成物を昇温して、３０℃時点での樹脂組成物の質量と３００℃時点での樹脂組成物との質量を測定し、３０℃時点での樹脂組成物の質量と３００℃時点での樹脂組成物との質量差を３０℃時点での樹脂組成物の質量で除することにより求めることができる。また、揮発成分として、水、溶媒等が挙げられるが、揮発成分を特定したい場合には、ガス質量分析機を併用して当該揮発成分を分析すればよい。
前記樹脂組成物は、必要に応じて、更にフィラー、及びその他の成分を含んでいてもよい。樹脂組成物がフィラーを含有することによって樹脂の熱分解を防止できる。なお、樹脂組成物中、前記樹脂は、マトリックス成分又は主成分であることが好ましく、樹脂組成物中の前記樹脂の含有量は、例えば、４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上であり、より更に好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、１００質量％であってもよい。
フィラーとしては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、金属スルホン酸塩、金属硝酸塩、金属窒化物、窒化ホウ素等の無機フィラーが挙げられる。フィラーは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましいフィラーは、金属フッ化物である。金属フッ化物は、本発明で好適に用いられるフッ素樹脂との屈折率差が小さく、発光素子を封止する際に、光の取り出し効率を高めることができる。
金属フッ化物としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ナトリウム、氷晶石等が挙げられ、フッ化マグネシウムが好ましい。これら金属フッ化物は１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
フィラーの粒径は３００μｍ以下であることが好ましい。フィラーが３００μｍ以下であることにより樹脂の温度上昇に伴う変色を低減することができる。フィラーの粒径は、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更により好ましくは５０μｍ以下、殊更好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。一方、フィラーの粒径は０．５μｍ以上であることが好ましい。フィラーの粒径を０．５μｍ以上とすることにより樹脂とフィラー間での光の散乱を抑えることができ、樹脂の透明性が優れる。フィラーの粒径の下限は、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。このフィラーの粒径とは、レーザー回析法による体積累積頻度５０％の粒子径Ｄ50である。
前記樹脂とフィラーとの屈折率の差は、０．０５以下であることが好ましい。このように屈折率の差を低減することにより、フィラーの表面（組成物中における、フィラーの表面と樹脂との界面）での光の散乱を抑制できるため、光取出し効率を向上することができる。前記樹脂とフィラーとの屈折率の差は、より好ましくは０．０４以下、更に好ましくは０．０３以下であることが更により好ましい。一方、前記樹脂とフィラーとの屈折率の差の下限は特に限定されないが例えば０．００１以上であってもよい。前記フィラーの屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。
樹脂組成物がフィラーを含有する場合、樹脂及びフィラーの合計１００質量部に対するフィラーの量は１質量部以上、６０質量部以下であることが好ましい。フィラーの量が１質量部以上であることにより、樹脂の熱分解を防止し易くできる。フィラー量の下限は、より好ましくは１０質量部以上、更に好ましくは１５質量部以上である。一方、フィラーの量が６０質量部以下であることにより、樹脂の密着性が発揮され易くなる。フィラーの量の上限は、より好ましくは５０質量部以下、更に好ましくは４５質量部以下である。
樹脂組成物（固形分）の総質量に対する樹脂、及びフィラーの合計含量は９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましく、９７質量％以上であることが更により好ましく、９９質量％以上であることが特に好ましい。これにより、樹脂の密着性とフィラーの熱伝導性が発揮され易く、また樹脂部材の耐熱変形性が良好となる。
本発明の電子部品では、実質的にフィラーを含まない樹脂組成物を用いることが好ましい。これにより、配線基材に取り付けられた電子素子を覆う樹脂組成物の厚み（以下、単に「樹脂組成物の厚み」という）を厚くすることができる。フィラーを実質的に含まない場合、フィラーを含む場合と比べて透明性を維持することができ、後述するレンズの集光性を高めることができる。また、樹脂組成物の厚みが厚くなると、ガスバリア性や外部からの力学的な衝撃に対する電子素子の保護性能が向上する。ここで、実質的にフィラーを含まないとは、樹脂組成物中に含まれるフィラー濃度が、５質量％以下、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０質量％である。
（４）集光レンズ
紫外線発光素子を有する電子部品では、樹脂組成物が紫外線発光素子を封止している限り、封止部は種々の形状をとることができ、例えば、レンズ状、板状、円錐台状、円柱状、半球状、半楕円球状などの形状が挙げられるが、紫外線発光素子の上面をレンズ状として（紫外線発光素子の上面を凸状の曲面として）集光レンズとして使用することが好ましい。図５の電子部品５０は、樹脂組成物による封止部５１自体が上面に盛り上がって凸状の曲面を形成している例である。
配線基材に取り付けられた電子素子を覆う樹脂組成物の厚み（以下、単に「樹脂組成物の厚み」という）は、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１０ｍｍ以上、更に好ましくは０．１５ｍｍ以上、特に好ましくは０．２０ｍｍ以上、最も好ましくは０．３０ｍｍ以上である。樹脂組成物の厚みを上記範囲とすることにより、封止部がレンズ形状となり易く、光取出し効率をより向上することができる。また、樹脂組成物の厚みは、２．００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．００ｍｍ以下、更に好ましくは０．８０ｍｍ以下である。樹脂組成物の厚みを上記範囲とすることにより、後述するＵＶオゾン処理によって、樹脂組成物の透明性をより良好にすることが可能となり、光取出し効率をより向上することができる。なお、ここでいう厚みとは、図５で示すように、電子素子の上面から樹脂組成物の最大高さまでの距離（図５におけるＴ１）のことである。樹脂組成物の厚みは、例えばデジマイクロ（Ｎｉｋｏｎ社製）などを用いて測定することができる。
本発明の電子部品は、封止樹脂（樹脂組成物）の品質が良好である。特に樹脂組成物の透明性が良好であり、光取出し効率が優れていることから、本発明の電子部品は、光強度が良好である。従って、本発明の電子部品の光強度は、発光素子が樹脂組成物で覆われる前の電子部品の光強度を基準とする相対値として１．３８以上（好ましくは１．３９以上）とすることが可能である。
［電子部品の製造方法］
前記電子部品は、配線基材に取り付けられた電子素子を樹脂組成物で覆う工程Ａ（すなわち封止工程）と、電子素子を覆った前記樹脂組成物にＵＶオゾン処理を施す工程Ｂとを有する方法により製造することができる。
（５）封止工程
樹脂組成物による封止は、前記電子素子を固定できる限り特に限定されないが、電子素子が発光素子である場合、活性層を外部の酸素や水分から遮断できることが好ましく、発光素子全体を外部の酸素や水分から遮断できることがより好ましい。図５は、図３の電子素子実装パッケージ３０を封止して電子部品５０にした例を示す概略断面図である。
図５の電子部品５０は、図３に示した電子素子実装パッケージ３０における紫外線発光素子２の下面（電極１０、１１）から上面（素子基板１５まで）までを樹脂組成物で被覆して封止部５１とすることで形成できる。
樹脂組成物による封止は、例えば、以下のａ）〜ｃ）の方法により行うことができるが、作業効率の観点から、ｂ）の溶融封止法が好ましい。特に図５の電子部品５０の様に、封止部（樹脂組成物）の上面を凸状に盛り上がった形状にする場合、溶融封止法が好ましい。
ａ）樹脂組成物を適当な溶媒と混合して得られるスラリー又は溶液（以下、塗布液という場合がある）を塗布し、乾燥する工程を１回以上繰り返す方法（以下、塗布法という場合がある）。
ｂ）配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂組成物を設置する工程と、前記樹脂組成物を加熱変形温度以上に加熱する工程を含む方法（以下、溶融封止法という場合がある）。
ｃ）前記塗布法と溶融封止法とを適宜組み合わせた方法。
前記塗布液の調製に使用し得る溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、テロラヒドロフランなどの環状エーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒が挙げられる。
塗布液中の樹脂組成物の濃度は、例えば、１質量％以上である。濃度を高くするほど、塗布回数を減らすことができる。好ましい濃度は５質量％以上であり、より好ましくは７質量％以上である。また前記濃度は、例えば、５０質量％以下である。濃度を低くするほど、塗布液の粘性の向上を防ぐことができ、処理精度を高めることができる。好ましい濃度は４０質量％以下であり、より好ましくは３０質量％以下である。
溶融封止法としては、樹脂組成物を、必要に応じてシート状に成形した後、樹脂組成物又はそのシートを配線基材の電子素子実装側に積層した後、樹脂組成物又はそのシートを加熱変形温度以上に加熱して溶融し、冷却する方法を採用することが好ましい。
図４は、図３の電子素子実装パッケージ３０を封止して図５の電子部品５０を製造する封止工程の一例を示す概略断面図であり、図３の電子素子実装パッケージの上面に樹脂シート４１を配置した状態を示す。樹脂シート４１は、上述した樹脂組成物を予めシート状に成形することによって製造される。樹脂シート４１の成形方法は公知の種々の成形方法を採用することができ、プレス成形法、押出成形法、射出成形法、ブロー成形法、コーティング法などの、溶融樹脂又は溶解樹脂を用いる成形方法が採用できる。得られた樹脂シート４１を、図４に示すように、紫外線発光素子２の上方に設置する。次に、樹脂シート４１を加熱変形温度以上に加熱することにより、樹脂シート４１（樹脂組成物）が溶融し、自重により垂下する。そして垂下した樹脂組成物が紫外線発光素子２全体を覆い（封止部５１を形成し）、紫外線発光素子２を封止できる。最後に電子部品を冷却し、紫外線発光素子２全体を覆っている樹脂組成物５１を固化する。
なお、樹脂組成物による封止は、上述したように樹脂シートを利用することが好ましいものの、樹脂シートの使用は必須ではない。例えば、粉末状の樹脂組成物を電子素子の上面に散布してから樹脂組成物の加熱変形温度以上に加熱することでも、同様に封止可能である。シート状の樹脂組成物を用いる場合、その厚さは、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０５ｍｍ以上、更に好ましくは０．１０ｍｍ以上であり、また、２．０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ｍｍ以下、更に好ましくは０．８ｍｍ以下、特に好ましくは０．６ｍｍ以下である。樹脂シートの厚さが上記範囲内であると、封止後の樹脂組成物の機械的強度やバリア性を高くでき、また樹脂組成物の透明性をより良好にすることが可能となる。
シート状、粉末状等の樹脂組成物の加熱は、大気中などの酸素含有雰囲気下で行ってもよいが、窒素雰囲気中、アルゴン雰囲気中などの不活性ガス雰囲気下で行う方が好ましい。さらに樹脂組成物の加熱は、大気圧下で行ってもよいが、真空中などの減圧下で行うことも好ましい。減圧下で樹脂組成物を加熱すると、封止後の樹脂組成物中に残存する気泡が低減されて透明性が向上する。
減圧下で樹脂組成物を加熱する場合、その圧力は、大気圧から０．０５ＭＰａ以上減圧することが好ましく、０．０７ＭＰａ以上減圧することがより好ましく、０．０９ＭＰａ以上減圧することが特に好ましい。また、減圧下で樹脂組成物を加熱する場合、その圧力の上限は、大気圧から０．１２ＭＰａ程度減圧した状態である。減圧下で樹脂組成物を加熱する場合、その後の電子部品の冷却は減圧下で行ってもよく、大気圧に戻してから冷却してもよい。
樹脂組成物（粉末、樹脂シートなど）の加熱温度は、樹脂組成物の加熱変形温度以上であることが好ましい。すなわち、樹脂組成物の加熱温度は、実質的に（質量基準で、例えば、８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上が）非晶性樹脂からなる樹脂組成物の場合はガラス転移温度以上、実質的に（質量基準で、例えば、８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上が）結晶性樹脂からなる樹脂組成物の場合には、融点以上であることが好ましい。樹脂組成物の加熱温度は、樹脂組成物の加熱変形温度＋１０℃以上が好ましく、加熱変形温度＋２０℃以上がより好ましい。加熱温度の上限は、例えば、２７８℃以下であり、より好ましくは２５０℃以下であり、更により好ましくは２００℃以下であり、特に好ましくは１８０℃以下である。
樹脂組成物（粉末、樹脂シートなど）の加熱時間は、１０分間以上２０時間以下であることが好ましく、３０分間以上１０時間以下であることがより好ましい。
上述したように、紫外線発光素子を有する電子部品では、集光レンズを有していていることが好ましい。図５の電子部品５０は、樹脂組成物による封止部５１自体が上面に盛り上がって凸状の曲面を形成している例である。このような封止を行うためには、封止工程（図４）では、十分量の体積の樹脂シート４１又は樹脂粉末を用い、溶融時の表面張力で凸状の集光レンズが形成される様にすることが好ましい。また図示しないが、チップオンボード型の配線基材に電子素子を実装し、かつ封止してもよい。
図５では、１つのパッケージにおいて紫外線発光素子全体を覆うように樹脂組成物を封止する例を挙げたが、例えば、複数個のパッケージを並べて設置し、複数個のパッケージを覆うように１枚の樹脂シートを配置し、図４での製造工程と同様に樹脂シートを加熱変形温度以上に加熱して溶融することにより、複数個の紫外線発光素子を同時に樹脂組成物で覆うことができる。その後、図４での製造工程と同様に樹脂組成物を冷却して固化する。この時点では各パッケージ同士は覆われた樹脂組成物によって連結された状態となっているが、パッケージ同士を連結している樹脂組成物をカッター等で切断することにより連結されているパッケージを分離することができる。
なお、封止工程後（ＵＶオゾン処理前）の樹脂組成物の厚み、屈折率、加熱変形温度、及び樹脂組成物に含まれる樹脂の組成等は、後述するＵＶオゾン処理によって変化することはないため、上記に説明した本発明の電子部品を構成する樹脂組成物（ＵＶオゾン処理後の樹脂組成物）の好ましい範囲と同様である。また、樹脂組成物に含まれる樹脂の重量平均分子量は、後述するＵＶオゾン処理により大きくなる傾向にあり、すなわち、封止工程後（ＵＶオゾン処理前）の樹脂組成物に含まれる樹脂の重量平均分子量は、本発明の電子部品を構成する樹脂組成物（ＵＶオゾン処理後の樹脂組成物）に含まれる樹脂の重量平均分子量より小さい傾向にある。従って、封止工程後（ＵＶオゾン処理前）の樹脂組成物に含まれる樹脂の重量平均分子量は５０，０００以上であることが好ましく、より好ましくは１００，０００以上、更に好ましくは２００，０００以上、更により好ましくは２５０，０００以上、特に好ましくは３００，０００以上である。また、封止工程後（ＵＶオゾン処理前）の樹脂組成物に含まれる樹脂の重量平均分子量の上限は、１，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは８００，０００以下、更に好ましくは５００，０００以下、更により好ましくは４５０，０００以下、特に好ましくは４００，０００以下である。なお、重量平均分子量は標準ポリスチレン換算値である。
（５）ＵＶオゾン処理
本発明の電子部品の製造方法は、電子素子を覆った樹脂組成物（すなわち、封止後の樹脂組成物）にＵＶオゾン処理を施す工程を有する。電子素子（好ましくは発光素子）を覆った樹脂組成物にＵＶオゾン処理を施すことにより、樹脂組成物中に存在する透明性を低下させる要因がＵＶオゾン処理により除去されるためか、樹脂組成物の透明性が向上し、光取出し効率を向上することができる。
ＵＶオゾン処理としては、酸素含有ガス雰囲気下、２００ｎｍ以下（好ましくは１９０ｎｍ以下）にピーク波長を有する紫外線を照射することが好ましく、１５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲と、２５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にそれぞれピーク波長を有する紫外線を照射することがより好ましい。前記紫外線を照射するための光源としては、低圧水銀ランプが挙げられる。
酸素含有ガスは、酸素を含んでいれば特に限定されず、例えば酸素ガスであってもよいし、酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスであってもよいし、空気であってもよい。不活性ガスとしては窒素ガスやアルゴンガスを用いることができる。混合ガスを用いる場合、混合ガス中における酸素ガスの濃度は１容量％以上、３０容量％以下の範囲で調整することが好ましい。
ＵＶオゾン処理は、大気圧下、加圧下、減圧下のいずれで行ってもよいが、大気圧下で行うことが好ましい。
ＵＶオゾン処理の処理時間、すなわち前記紫外線の照射時間は、１分以上であることが好ましく、より好ましくは１０分以上、更に好ましくは３０分以上、特に好ましくは１時間以上である。処理時間を上記範囲とすることにより、樹脂組成物の透明性がより向上する。ＵＶオゾン処理の処理時間の上限は、生産性の観点から１０時間以下であることが好ましく、８時間以下であってもよく、５時間以下であってもよい。
前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間は、０．００１Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上、更に好ましくは０．０３Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上、特に好ましくは０．０５Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上である。前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間の値を上記範囲とすることにより、樹脂組成物の透明性がより向上する。前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間は、３Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以下であることが好ましく、より好ましくは１Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以下、更に好ましくは０．５Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以下、特に好ましくは０．３Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以下である。前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間の値を上記範囲とすることにより、樹脂組成物の強度が維持されやすく、力学的強度と透明性に優れた封止部を形成できる。
上述の方法により作製された電子部品は、下記式で特定される変化率が１．５％以上であることが好ましく、より好ましくは１．８％以上、更に好ましくは２．０％以上、特に好ましくは２．３％以上である。下記式で特定される変化率の上限は特に限定されないが、２０％以下であってもよく、１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、７％以下であってもよい。
変化率（％）＝{（ＵＶオゾン処理後の電子部品の光強度／ＵＶオゾン処理前の電子部品の光強度）−１}×１００
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例
によって制限を受けるものではなく、前後の記述の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を
加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含され
る。
［膜厚の測定］
封止後のチップ直上の樹脂組成物の厚みを、デジマイクロ（Ｎｉｋｏｎ社製、装置：ＭＦ−５０１＋カウンタＭＦＣ−１０１Ａ＋ＭＳ−１１Ｃ、測定子：ピン測定子）を用いて測定した。
［低圧水銀ランプの光強度の測定］
低圧水銀ランプの光強度を下記の条件に基づいて測定した。測定の結果、本実施例で使用した低圧水銀ランプの光強度（出力）は１．３８Ｗ／（２．５×２．５×３．１４）＝０．０７０Ｗ／ｃｍ2であった。
測定条件
装置：ＶＥＧＡ レーザーパワー/エネルギーメータ（ＯＰＨＩＲ社製）
測定波長レンジ：ＵＶ
測定タイミング：点灯開始から５分後の値
測定時間アベレージ：１０秒
測定位置：低圧水銀ランプから５ｃｍの距離に検出器の上面が来るように設置
検出器の大きさ：５ｃｍφ
［光強度の測定］
封止前後、及びＵＶオゾン処理後のサンプルの光強度を下記の条件に基づいて測定した。
測定条件
測定装置：ＯＰ−ＲＡＤＩＡＮＴ−ＵＶ 紫外ＬＥＤ測定用積分球システム（オーシャンフォトニクス社製）
電流値：４０ｍＡ
温度：２５℃
［ＴＨＶシートの作製］
Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド（富士フィルム和光純薬社製、純度９８％）８０質量部に対し、ＴＨＶ２２１ＡＺ（３Ｍ社製）２０質量部を添加し、室温で一晩かけて攪拌混合した。得られた混合物４．０ｇと８．０ｇをＰＦＡペトリ皿（内径×外径×高さ＝φ５０ｍｍ×φ５５ｍｍ×１４．５ｍｍ）上にそれぞれ入れ、送風乾燥機を用いて２００℃１０時間の条件で熱処理し、厚さ０．２０ｍｍと０．４０ｍｍの硬化物を得た。得られた硬化物をハサミで正方形に切り出し、厚さ０．４０ｍｍの硬化物からサンプル１及び２のＴＨＶシートを、厚さ０．２０ｍｍの硬化物からサンプル３のＴＨＶシートをそれぞれ得た。切り出したＴＨＶシートの重量を測定し、ＴＨＶ２２１ＡＺの比重１．９５を用いてサンプル１〜３のシートの面積を計算した。サンプル１〜３のシートの面積を表１に示す。
［深紫外線ＬＥＤ基板の作製］
サブマウント付き深紫外線ＬＥＤ素子（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、型番２７５−ＦＬ−０１−ｓ０８）を銅基板に接合材（信越化学工業株式会社、ＫＥＲ−３０００−Ｍ２）を用いて接着し、金線でサブマウントと銅基板の電極をワイヤボンディングして深紫外線ＬＥＤ基板を作製した。
［比較例１］
得られたサンプル１のＴＨＶシートを深紫外線ＬＥＤ素子の上面に置いた。深紫外線ＬＥＤ基板を真空乾燥機の中に入れ、大気圧から０．１ＭＰａ以上減圧した状態で、２００℃に加熱した。２００℃を２時間保持した後、加熱を止め、自然降温した。真空乾燥器の温度が７０℃に下がった時点で、真空乾燥器の中を２分かけて大気圧に戻してから扉を開け、封止サンプルを取り出した。チップ直上の樹脂組成物の厚みを表２に示す。また、封止前の深紫外線ＬＥＤ基板の光強度、及び封止サンプルの光強度を表３に示す。
［比較例２］
サンプル１のＴＨＶシートの代わりに、サンプル２のＴＨＶシートを使用すること以外は比較例１と同様の方法で封止サンプルを作製した。チップ直上の樹脂組成物の厚みを表２に示し、封止前の深紫外線ＬＥＤ基板の光強度、及び封止サンプルの光強度を表３に示す。
［比較例３］
サンプル１のＴＨＶシートの代わりに、サンプル３のＴＨＶシートを使用すること以外は比較例１と同様の方法で封止サンプルを作製した。チップ直上の樹脂組成物の厚みを表２に示し、封止前の深紫外線ＬＥＤ基板の光強度、及び封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例１］
比較例１で得られた封止後のサンプルに、低圧水銀ランプ（セン特殊光源株式会社製、ＰＬ１６−１１０Ｄ）を１時間照射し、ＵＶオゾン処理を行った。ジャッキの上面にアルミホイルを敷き、サンプルはその上に載せ、ジャッキで高さを調節し、封止部の上面と水銀ランプの距離が５ｃｍになるように調節した。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例２］
実施例１で得られた封止サンプルに、さらに１時間低圧水銀ランプを照射し、ＵＶオゾン処理を合計で２時間行った。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例３］
比較例２で得られた封止後のサンプルに、低圧水銀ランプ（セン特殊光源株式会社製、ＰＬ１６−１１０Ｄ）を１時間照射し、ＵＶオゾン処理を行った。ジャッキの上面にアルミホイルを敷き、サンプルはその上に載せ、ジャッキで高さを調節し、封止部の上面と水銀ランプの距離が５ｃｍになるように調節した。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例４］
実施例３で得られた封止サンプルに、さらに１時間低圧水銀ランプを照射し、ＵＶオゾン処理を合計で２時間行った。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例５］
比較例３で得られた封止後のサンプルに、低圧水銀ランプ（セン特殊光源株式会社製、ＰＬ１６−１１０Ｄ）を１時間照射し、ＵＶオゾン処理を行った。ジャッキの上面にアルミホイルを敷き、サンプルはその上に載せ、ジャッキで高さを調節し、封止部の上面と水銀ランプの距離が５ｃｍになるように調節した。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
［実施例６］
実施例５で得られた封止サンプルに、さらに１時間低圧水銀ランプを照射し、ＵＶオゾン処理を合計で２時間行った。得られた封止サンプルの光強度を表３に示す。
なお、表３中、変化率は下記式に基づいて算出した値である。
変化率（％）＝{（ＵＶオゾン処理後の封止サンプルの光強度／ＵＶオゾン処理前の封止サンプルの光強度）−１}×１００
本発明の電子部品としては、発光素子を備えた電子部品が好ましく、紫外線発光素子を備えた電子部品がより好ましい。紫外線発光素子を備えた電子部品は、例えば、分析機器、光触媒装置、光治療装置、紙幣鑑定装置、空気／水殺菌浄化装置、ＵＶ樹脂硬化装置などに利用できる。
５０ 電子部品
２ 紫外線発光素子
４ サブマウント
３１ 接合剤
３２ コア基板
３３ ワイヤ
３４ 金属基板
３５ アノード電極
３６ カソード電極
３７ 絶縁部
３８ パターン回路
５１ 樹脂組成物（封止部）
Ｔ１ 樹脂組成物の厚み

Claims (8)

  1. 配線基材に取り付けられた電子素子を樹脂組成物で覆う工程Ａと、
    電子素子を覆った前記樹脂組成物にＵＶオゾン処理を施す工程Ｂとを有する電子部品の製造方法。
  2. 前記工程Ａが、配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂組成物を設置する工程と、前記樹脂組成物を加熱変形温度以上に加熱する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記電子素子の上方に設置される樹脂組成物がシート状である請求項２に記載の製造方法。
  4. 前記シート状の樹脂組成物の厚さが、０．０１〜２．０ｍｍである請求項３に記載の製造方法。
  5. 前記樹脂組成物が結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分を含まない請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
  6. 前記結晶性フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体である請求項５に記載の製造方法。
  7. 前記工程ＢのＵＶオゾン処理が、酸素含有ガス雰囲気下、２００ｎｍ以下にピーク波長を有する紫外線を照射する処理である請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
  8. 前記紫外線の照射出力×前記紫外線の照射時間が０．００１Ｗ・ｈｏｕｒ／ｃｍ2以上である請求項７に記載の製造方法。
JP2020014032A 2020-01-30 2020-01-30 電子部品の製造方法 Active JP6830168B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020014032A JP6830168B1 (ja) 2020-01-30 2020-01-30 電子部品の製造方法
JP2020198389A JP2021121013A (ja) 2020-01-30 2020-11-30 電子部品及びその製造方法
PCT/JP2021/001620 WO2021153335A1 (ja) 2020-01-30 2021-01-19 電子部品及びその製造方法
TW110102780A TW202138443A (zh) 2020-01-30 2021-01-26 電子零件及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020014032A JP6830168B1 (ja) 2020-01-30 2020-01-30 電子部品の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020198389A Division JP2021121013A (ja) 2020-01-30 2020-11-30 電子部品及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6830168B1 true JP6830168B1 (ja) 2021-02-17
JP2021120993A JP2021120993A (ja) 2021-08-19

Family

ID=74562425

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020014032A Active JP6830168B1 (ja) 2020-01-30 2020-01-30 電子部品の製造方法
JP2020198389A Pending JP2021121013A (ja) 2020-01-30 2020-11-30 電子部品及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020198389A Pending JP2021121013A (ja) 2020-01-30 2020-11-30 電子部品及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP6830168B1 (ja)
TW (1) TW202138443A (ja)
WO (1) WO2021153335A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102639A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Sumitomo 3M Ltd フッ素系ポリマーを用いて封止した発光ダイオードおよびレーザーダイオード装置
JP2008262008A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Nissha Printing Co Ltd 発光表示パネル
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
JP2018177845A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 大日本印刷株式会社 積層フィルムとそれを用いたゴム成形体、及びそれらの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020189964A (ja) * 2019-05-16 2020-11-26 住友化学株式会社 樹脂組成物、および紫外線発光装置
CN113853690A (zh) * 2019-05-16 2021-12-28 住友化学株式会社 电子部件和其制造方法
CN113811429A (zh) * 2019-05-16 2021-12-17 住友化学株式会社 电子部件的制造方法和电子部件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102639A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Sumitomo 3M Ltd フッ素系ポリマーを用いて封止した発光ダイオードおよびレーザーダイオード装置
JP2008262008A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Nissha Printing Co Ltd 発光表示パネル
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
JP2018177845A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 大日本印刷株式会社 積層フィルムとそれを用いたゴム成形体、及びそれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021121013A (ja) 2021-08-19
JP2021120993A (ja) 2021-08-19
WO2021153335A1 (ja) 2021-08-05
TW202138443A (zh) 2021-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9818923B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing same
US8247263B2 (en) Method for producing an optical, radiation-emitting component and optical, radiation-emitting component
US9972758B2 (en) Ultraviolet light emitting device
EP2993710A1 (en) Ultraviolet light-emitting device
WO2020230716A1 (ja) 電子部品の製造方法および電子部品
CN110915006A (zh) 一种紫外光源封装元件
JPWO2017208535A1 (ja) 窒化物半導体紫外線発光装置及びその製造方法
WO2020230715A1 (ja) 電子部品及びその製造方法
TW201533120A (zh) 樹脂組成物、反射體、附反射體之引線框架、及半導體發光裝置
CN106133929B (zh) 半导体发光装置及光半导体安装用基板
JP6830168B1 (ja) 電子部品の製造方法
JPWO2019043840A1 (ja) 発光装置
TW202043362A (zh) 樹脂組成物及紫外線發光裝置
JP6998362B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
WO2021153334A1 (ja) 電子部品の製造方法および電子部品
CN111316454B (zh) 紫外线发光装置、紫外线发光装置的制造方法及紫外线发光模块的制造方法
JP6816317B1 (ja) フッ素樹脂シート及びその製造方法
WO2021153337A1 (ja) フッ素樹脂及びその製造方法
WO2021200279A1 (ja) フッ素樹脂シート及びその製造方法
US12002908B2 (en) Light-emitting packaging device
KR20200027270A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200214

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200214

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201130

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20201130

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20201208

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20201215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6830168

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350