TW201942961A - 黏著膠帶及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，其目的係特別是採用預切割法而製造微小的半導體晶片時，能夠減低將晶片21從背面研磨帶10轉印至拾取膠帶30或接著膠帶的轉印不良。又，其目的係改善將晶片從背研磨帶10轉印至拾取膠帶30或接著膠帶的轉印效率。
本發明之解決手段，係提供一種黏著膠帶10，其被使用作為上述背研磨帶且包含基材11、及設置在該基材的一面之黏著劑層12，其特徵在於：
前述黏著劑層12係由能量線硬化性黏著劑所構成；及
能量線照射而硬化後的黏著劑在200℃之儲存彈性模數E'200為1.5MPa以上。

Description

黏著膠帶及半導體裝置的製造方法
本發明係有關於一種黏著膠帶，更詳言之，係有關於在使用所謂預切割(predicing)法而製造半導體裝置時，能夠適合使用於用以將半導體晶圓及晶片暫時性地固定之黏著膠帶、及使用該黏著膠帶之半導體裝置的製造方法。
在各種電子機器的小型化、多功能化進展中，該等所搭載的半導體晶片亦同樣地被要求小型化、薄型化。為了晶片的薄型化，通常係進行將半導體晶圓的背面磨削而調整厚度。又，亦有利用稱為預切割法之技術，其係從晶圓的表面側形成預定深度的溝槽之後，從晶圓背面側進行磨削，藉由磨削將溝槽的底部除去而將晶圓單片化且得到晶片。在預切割法，因為能夠同時進行晶圓的背面磨削、與晶圓的單片化，所以能夠效率良好地製造薄型晶片。
先前，在半導體晶圓的背面磨削時、使用預切割法而製造晶片時，通常係將稱為背面研磨片之黏著膠帶貼附在晶圓表面，用以預先保護晶圓表面的電路且將半導體晶圓及半導體晶片固定。
以下，參照圖式而說明使用預切割法將晶圓進行單片化後，將晶片拾取。藉由預切割，半導體晶圓係被單片化，而且能夠在背研磨帶10上得到由經單片化的許多晶片21所構成之晶片群20(第1圖)。該晶片群20係被轉印至被稱為拾取膠帶30之黏著膠帶，依需要而進行將晶片間隔擴張之擴展後，被從拾取膠帶30剝離(專利文獻1：特開2012-209385號公報)。作為該拾取膠帶30，多半是使用為切割膠帶之黏著膠帶類。晶片群20從背研磨帶10轉印至拾取膠帶30，係如以下進行。亦即，將拾取膠帶30貼附在被保持在背研磨帶10上之晶片群20。此時，使用環狀框40將拾取膠帶30的外周部固定(第2圖)。其次，藉由只有將背研磨帶10剝離，而能夠將晶片群20轉印至拾取膠帶30。
在背面磨削步驟，背研磨帶10必須能夠將晶圓和晶片群穩定地保持的程度之黏著力，在將晶片群轉印至拾取膠帶30時，必須能夠容易地從晶片表面剝離的程度之黏著力。因此，背研磨帶10的黏著劑層12多半是使用能夠藉由能量線照射而減低黏著力之能量線硬化性黏著劑。例如專利文獻2(特開2002-053819號公報)係揭示一種背研磨帶，其能量線硬化前的黏著力為150g/25mm以上，能量線硬化後的黏著力成為150g/25mm以下。在此黏著力係依據JIS Z-0237規定的方法，使用SUS304-BA板作為被黏著物且在剝離速度300mm/分鐘、剝離角度180度的條件下測得的黏著力。
又，專利文獻3(特開2016-72546號公報)係揭示一種被使用在預切割法之半導體晶圓表面保護用黏著膠帶。該黏著膠帶之目的，係抑制在預切割時產生切口偏移(kerf shift)且消除黏著劑的轉移黏著在半導體晶片、及半導體晶片的剝離不良，該黏著膠帶的基材係特定為具有至少1層拉伸彈性模數1~10GPa的剛性層，且使黏著劑層放射線硬化後在剝離角度30∘的剝離力為0.1~3.0N/25mm。
背研磨帶10的剝離時，係將成為剝離的契機之剝離用膠帶50固定在背研磨帶10的背面(基材面(第3圖)。背研磨帶係與半導體晶圓為大略相同形狀，因為沒有成為剝離的契機之起點，所以將薄長方形狀的剝離用膠帶50固定而成為剝離的起點。剝離用膠帶50係藉由熱壓黏而被強力地固定在背研磨帶10背面。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開2012-209385號公報
[專利文獻2]日本特開2002-053819號公報
[專利文獻3]日本特開2016-72546號公報
發明欲解決之課題
將剝離用膠帶50熱壓黏在背研磨帶10時，係加熱至140~230℃左右且施加壓力而將剝離用膠帶50熱封在背研磨帶10背面。因此位於熱封部分的位置之背研磨帶的黏著劑層亦被加熱、加壓。其結果，藉由能量線照射而硬化的黏著劑層，由於加熱、加壓而流動且活性化，而且將背研磨帶之硬化後的黏著劑層與晶片熱壓黏。在此狀態下以剝離用膠帶作為起點而進行背研磨帶10的剝離時，在熱封部及其附近，背研磨帶係在晶片21被固著在背研磨帶10的狀態下剝離，致使晶片的產率低落(第4圖、第5圖)。以下，有將此現象稱為「晶片的轉印不良」之情形。
晶片尺寸較大時，雖然背研磨帶與晶片表面的剝離係能夠良好地進行，但是隨著晶片尺寸變小，晶片係容易被埋入至背研磨帶的黏著劑層12。其結果，晶片從背研磨帶剝離係變為較困難且晶片的轉印不良增大。而且，因為在預切割法多半是使用較硬質的基材作為背研磨帶的基材11，因此，背研磨帶剝離時無法將背研磨帶充分地折回亦使剝離成為困難且成為轉印不良增大的主要原因。
在專利文獻3，因為基材為硬質的，將黏著膠帶折彎變為困難。因此剝離角度成為銳角致使剝離力較強且剝離花費時間。
因而，本發明之目的係特別是在採用預切割法而製造微小半導體晶片時，將晶片群20從背研磨帶10轉印至如拾取膠帶或接著膠帶的其它膠帶時，能夠減低晶片21的轉印不良。而且，其目的係改善將晶片從背研磨帶轉印至如拾取膠帶或接著膠帶的其它膠帶之轉印效率。
用以解決課題之手段
本發明之目的係為了解決此種課題，其要旨係如以下。
(1)一種黏著膠帶，係包含基材、及設置在該基材的一面的黏著劑層之黏著膠帶，其中：
前述黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所構成；及
能量線照射而硬化後的黏著劑在200℃之儲存彈性模數E'200 為1.5MPa以上。
(2)如(1)所述之黏著膠帶，係在包含將研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟之半導體裝置的製造方法，被使用作為前述背研磨帶。
(3)一種半導體裝置的製造方法，係在包含將研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟，使用如(1)所述之黏著膠帶作為前述背研磨帶。
(4)一種黏著膠帶的用途，係如上述(1)所述之黏著膠帶的用途，在包含將研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟之半導體裝置的製造方法，係作為前述背研磨帶之用途。
發明效果
依照本發明之黏著膠帶10，係在能量線硬化性黏著劑層硬化後，即便進行剝離用膠帶50的熱壓黏，將被黏著物(半導體晶片)與黏著膠帶的黏著力抑制成為非常低的水準，能夠防止晶片的轉印不良。
用以實施發明之形態
以下，具體地說明本發明之黏著膠帶。首先，說明在本說明書所使用的主要用語。
在本說明書，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係使用作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」的雙方之用語，針對其它類似用語亦同樣。
所謂黏著膠帶，意味著包含基材、及設置在其一面的黏著劑層之積層體且包含上述以外的其它構成層亦無妨。例如亦可在黏著劑層側的基材表面形成有底漆層(易接著層)，在黏著劑層表面亦可層積有剝離片，用以保護黏著劑層至使用時為止。又，基材可為單層，亦可為多層。黏著劑層亦同樣。
所謂半導體晶圓的「表面」，係指形成有電路之面，「背面」係指未形成有電路之面。
所謂半導體晶圓的單片化，係指將半導體晶圓以電路為單位進行分割來得到半導體晶片。
所謂矽裸晶圓，係進行圖案形成等的加工處理前的狀態之矽晶圓且表面係經鏡面研磨。所謂預切割法，係指從晶圓的表面側形成預定深度的溝槽之後，從晶圓背面側進行磨削且藉由磨削而將晶圓單片化之方法。
所謂背研磨帶，係在半導體晶圓的背面磨削時為了保護晶圓電路面而使用的黏著膠帶，特別是在本說明書，係指能夠適合使用在預切割法之黏著膠帶。
所謂拾取膠帶，係用以將晶片群轉印且進行晶片的拾取之黏著膠帶，典型地係能夠使用被稱為切割膠帶之黏著膠帶類。
所謂接著膠帶，係意味著具有作為接著劑的功能之薄層，為了將接著劑層轉印至其它被接著物而使用的各種膠帶。具體而言可舉出薄膜狀接著劑與剝離片之積層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑之積層體、由具有切割膠帶與晶粒接合膠帶雙方的功能之接著劑層及剝離片所構成之切割‧晶粒接合膠帶等。
本發明之黏著膠帶，係特別是能夠使用作為上述背研磨帶。本發明之黏著膠帶10係包含基材11及設置在其一面之黏著劑層12。以下，更詳細地說明本發明的黏著膠帶10的各構件之構成。
[基材11]
黏著膠帶10的基材11，係能夠使用被使用作為背研磨帶的基材之各種樹脂膜。
以下，詳述在本發明所使用的基材11之一個例子，但是其只是因為基材容易取得而記載，不應該任何限定性地被解釋。
本發明的基材係例如可為較硬質的樹脂膜。又，基材的一面或兩面亦可層積有由較軟質的樹脂膜所構成之緩衝層。
較佳基材之楊氏模數為1000MPa以上。使用楊氏模數小於1000MPa的基材時，黏著膠帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能降低，而且背面磨削時無法抑制振動等且半導體晶片容易產生缺損和損壞。另一方面，藉由將基材的楊氏模數設為1000MPa以上，黏著膠帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能提高，背面磨削時能夠抑制振動等且能夠防止半導體晶片缺損、損壞等。又，能夠減小將黏著膠帶從半導體晶片剝離時的應力且能夠防止膠帶剝離時所產生的晶片缺損、損壞等。而且，將黏著膠帶貼附在半導體晶圓時的作業性亦能夠成為良好。從此種觀點而言，基材的楊氏模數係良好為1800~30000MPa，較佳為2500~6000MPa。
基材11的厚度(D1)係沒有特別限定，以500μm以下為佳，以15~350μm為較佳，以20~160μm為更佳。藉由將基材的厚度設為500μm以下，容易控制黏著膠帶的剝離力。又，藉由將基材的厚度設為15μm以上，基材容易達成作為黏著膠帶的支撐體之功能。
作為基材11的材質，能夠使用各種樹脂膜。在此，作為楊氏模數為1000MPa以上的基材，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚碸、聚醚酮、雙軸延伸聚丙烯等的樹脂膜。這些樹脂膜之中，以包含1種以上選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、雙軸延伸聚丙烯膜之薄膜為佳，以包含聚酯膜為較佳，以包含聚對苯二甲酸乙二酯膜為更佳。
又，基材係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，基材係對將黏著劑層硬化時所照射的能量線具有透射性。
而且，在基材的至少一表面亦可施行電暈處理等的接著處理用以提升與緩衝層及黏著劑層的至少一方之密著性。又，基材亦可為具有上述的樹脂膜、及被膜在樹脂膜的至少一表面之易接著層(底漆層)之物。
作為形成易接著層之易接著層形成用組合物，係沒有特別限定、例如可舉出含有聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組合物。易接著層形成用組合物亦可依需要而含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。
易接著層的厚度係良好為0.01~10μm，較佳為0.03~5μm。又，因為相對於基材的厚度，易接著層的厚度為較小且材質亦較柔軟，所以對楊氏模數所造成的影響較小，即便具有易接著層時，基材的楊氏模數係實質上與樹脂膜的楊氏模數為相同。
[緩衝層]
在上述基材11的一面或兩面亦可設置有緩衝層。緩衝層係由較軟質的樹脂膜所構成，能夠緩和因半導體晶圓的磨削引起的振動且防止在半導體晶圓產生裂紋及缺損。又，貼附有黏著膠帶之半導體晶圓，係在背面磨削時被配置在吸附機台上，藉由黏著膠帶係設置有緩衝層而容易被適當地保持在吸附機台。
緩衝層的厚度(D2)係以8~80μm為佳，以10~60μm為更佳。
緩衝層係以聚丙烯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、LDPE薄膜、LLDPE薄膜為佳。又，亦可為由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成之層。具有緩衝層之基材，係能夠將基材與上述薄膜貼合而得到。
[黏著劑層12]
黏著劑層12係直接或隔著緩衝層而形成在上述基材11的一面。在本發明，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所構成，其特徵在於硬化後的黏著劑在200℃之儲存彈性模數E'200 為1.5MPa以上。
以下，係有將黏著劑硬化後在200℃之儲存彈性模數稱為硬化後儲存彈性模數之情形。
硬化後儲存彈性模數係能夠藉由黏著劑的組成而控制。用以控制硬化後儲存彈性模數之通常的方針係後述。能量線照射而硬化後的黏著劑在200℃之儲存彈性模數E'200 係較佳為2.0~100MPa，更佳為2.5~70MPa的範圍。藉由硬化後儲存彈性模數E'200 為上述範圍，即便黏著劑層硬化後亦能夠穩定地保持晶片群20且將晶片群轉印至拾取膠帶30或接著膠帶時，能夠不殘留殘渣物而容易地將黏著劑層從晶片群剝離。測定硬化後儲存彈性模數時，能夠藉由能量線照射而將黏著劑完全硬化。亦即，硬化至即便進一步進行能量線照射，彈性模數亦不產生變化的程度為止。
又，通常硬化後的黏著劑在常溫儲存彈性模數為較高，隨著成為高溫而儲存彈性模數有降低之傾向。但是本發明的黏著劑係即便在高溫，亦維持較高的硬化後儲存彈性模數。
因而，即便將剝離用膠帶50熱壓黏時的條件為高溫，使用本發明的黏著膠帶時，硬化後的黏著劑層不容易軟化。其結果，即便將剝離用膠帶在高溫進行熱壓黏，亦能夠大幅度地減低晶片轉印不良。
又，黏著劑的能量線硬化前在23℃之儲存彈性模數，係以0.05~0.50MPa為佳。而且，能量線硬化前在23℃之損失正接(tanδ=損失彈性模數/儲存彈性模數)係較佳為0.2以上。在半導體晶圓表面，形成有電路等且通常具有凹凸。藉由黏著劑的儲存彈性模數及tanδ為上述範圍內，黏著膠帶被貼附在具有凹凸的晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸且使黏著劑層的接著性適當地發揮。因此能夠確實地進行將黏著膠帶固定在半導體晶圓且背面磨削時能夠適當地保護晶圓表面。從這些觀點而言，黏著劑的能量線硬化前在23℃之儲存彈性模數係以0.10~0.35MPa為較佳。
藉由硬化後的儲存彈性模數E'200 為上述範圍，即便將剝離用膠帶50在高溫進行熱壓黏，亦不將晶片等埋入至黏著劑層且能夠大幅度地減低晶片的轉印不良。例如將黏著膠帶10的黏著劑層12貼附在矽晶圓鏡面後，對黏著劑層照射能量線而硬化，而且在壓力0.5N/cm2 、210℃熱壓黏5秒鐘後，在23℃之矽晶圓鏡面與黏著劑層之間的黏著力(以下稱為「熱壓黏後黏著力」)係較佳為9.0N/25mm以下，更佳為0.001~7N/25mm，又更佳為0.1~1N/25mm的範圍。又，黏著劑層係在能量線硬化前於常溫具有適當的感壓接著性。能量線硬化前的黏著劑層在23℃對矽晶圓鏡面之黏著力係較佳10~1500mN/25mm、更佳10~700mN/25mm的範圍。
測定熱壓黏後黏著力時，係藉由能量線照射而將黏著劑層完全硬化。亦即，硬化至即便進一步進行照射能量線，黏著力亦不降低的程度為止。熱壓黏係使用熱壓機等而進行。此時，在黏著膠帶的基材側表面，係將後面說明之剝離用膠帶50同時進行熱壓黏。剝離用膠帶50係成為剝離的起點，又，亦可銜接測定裝置而使用。又，後述的熱壓黏後黏著力之測定，所測定的黏著力亦有伴隨著剝離的進行而變動之情形。在本發明，係將黏著膠帶10的剝離完成為止之最大值稱為熱壓黏後黏著力。
黏著劑層12的厚度(D3)係以小於200μm為佳，以5~55μm為較佳，以10~50μm為更佳。將黏著劑層如此地薄化時，因為在黏著膠帶能夠使剛性較低的部分的比例減少，所以容易進一步防止在背面磨削時產生的半導體晶片缺損。
黏著劑層12係例如由丙烯酸系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等作為主劑之能量線硬化性黏著劑所形成，以丙烯酸系能量線硬化性黏著劑為佳。
又，黏著劑層12係藉由由能量線硬化性黏著劑所形成，在藉由能量線照射而硬化前，能夠將在23℃之彈性模數設定在上述範圍之同時，在硬化後容易地將剝離力設定在1000mN/50mm以下。又，在此所謂黏著力，係指後述的熱封部除外之部分的黏著膠帶的黏著力。
又，黏著劑層12在能量線硬化後的狀態之斷裂應力係較佳為10MPa以上，特佳為15MPa以上。又，能量線硬化後的斷裂伸長度係較佳為15%以上，特佳為20%以上。如此，斷裂應力之值為10MPa以上且斷裂伸長度之值為15%以上時，能量線硬化性黏著劑層的拉伸物性為良好，即便紫外線等的照射不充分且能量線硬化性黏著劑層未被充分地硬化時，亦能夠防止黏著劑殘渣附著在晶圓上。
以下，詳述黏著劑的具體例，但是其為非限定的例示，在本發明之黏著劑層係不應該被解釋為限定於這些具體例。作為能量線硬化性黏著劑，例如除了非能量線硬化性黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)以外，亦能夠使用含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「X型的黏著劑組合物」)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用含有將不飽和基導入至非能量線硬化性黏著性樹脂的側鏈而成之能量線硬化性黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分且不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之黏著劑組合物(以下亦稱為「Y型的黏著劑組合物」)。
而且，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用X型與Y型的併用型亦即除了能量線硬化性黏著性樹脂II以外，亦含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「XY型的黏著劑組合物」)。這些之中，以使用XY型的黏著劑組合物為佳。藉由使用XY型之物，在硬化前係具有充分的黏著特性，另一方面，在硬化後亦能夠使對半導體晶圓之剝離力充分地降低。
又，在以下的說明，「黏著性樹脂」係使用作為指上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II的一者或兩者之用語。作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，以丙烯酸系樹脂為佳。以下，作為黏著性樹脂，係更詳述地說明使用丙烯酸系樹脂之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系樹脂係能夠使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)係將至少含有(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得到之物且含有源自(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元。作為(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出烷基的碳數為1~20之物，烷基可為直鏈亦可為分枝。作為(甲基)丙烯酸烷酯的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸酯甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上而使用。
又，從使黏著劑層的黏著力提升之觀點而言，丙烯酸系聚合物(b)係以含有源自烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元為佳。作為此(甲基)丙烯酸烷酯的碳數，係較佳為4~12，更佳為4~6。又，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，係以丙烯酸烷酯為佳。
在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，係相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量(以下亦簡稱為「單體總量」)，良好為40~98質量%，較佳為45~95質量%，更佳為50~90質量%。
丙烯酸系聚合物(b)，係除了源自烷基的碳數為4以的之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，為了調整黏著劑層的彈性模數、黏著特性等，以含有源自烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之共聚物為佳；又，此(甲基)丙烯酸烷酯係以碳數1或2的(甲基)丙烯酸烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸甲酯為較佳，以甲基丙烯酸甲酯為最佳。在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯，係相對於單體總量，良好為1~30質量%，較佳為3~26質量%，更佳為6~22質量%。
丙烯酸系聚合物(b)係除了源自上述(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，係以具有源自含官能基的單體的結構單元為佳。作為含官能基的單體的官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。含官能基的單體係能夠與後述的交聯劑反應且成為交聯起點、或與含不飽和基的化合物反應而將不飽和基導入至丙烯酸系聚合物(b)的側鏈。
作為含官能基的單體，可舉出含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體、含環氧基的單體等。這些單體可單獨或組合2種以上而使用。這些之中，以含羥基的單體、含羧基的單體為佳，以含羥基的單體為較佳。
作為含羥基的單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙基醇類等的不飽和醇類等。
作為含羧基的單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；反丁烯二酸、伊康酸、順丁烯二酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
官能基單體係相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量，良好為1~35質量%，較佳為3~32質量%，更佳為6~30質量%。
又，丙烯酸系聚合物(b)係除了上述以外，亦可含有源自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等能夠與上述丙烯酸系單體共聚合的單體之結構單元。
上述丙烯酸系聚合物(b)係能夠作為非能量線硬化性黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)使用。又，作為能量線硬化性丙烯酸系樹脂，可舉出使具有光聚合性不飽和基的化合物(亦稱為含不飽和基的化合物)，對上述丙烯酸系聚合物(b)的官能基進行反應而成之物。
含不飽和基的化合物係具有能夠與丙烯酸系聚合物(b)的官能基鍵結的取代基、及光聚合性不飽和基的雙方之化合物。作為光聚合性不飽和基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、呋喃基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。
又，作為含不飽和基的化合物所具有之能夠與官能基鍵結的取代基，可舉出異氰酸酯基、環氧丙基等。因而，作為含不飽和基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
又，含不飽和基的化合物係以對丙烯酸系聚合物(b)的官能基的一部分進行反應為佳，具體而言，係以使含不飽和基的化合物對丙烯酸系聚合物(b)所具有的官能基的50~98莫耳%進行反應為佳，以對55~93莫耳%進行反應為較佳。如此，藉由在能量線硬化性丙烯酸系樹脂，官能基的一部分不與含不飽和基的化合物反應而殘留，容易藉由交聯劑而交聯。另外，丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)係良好為30萬~160萬，較佳為40萬~140萬，更佳為50萬~120萬。又，丙烯酸系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)係較佳為-70~10℃。
(能量線硬化性化合物)
作為在X型或XY型的黏著劑組合物所含有的能量線硬化性化合物，係以在分子內具有不飽和基且能夠藉由能量線照射而聚合硬化的單體或寡聚物為佳。作為此種能量線硬化性化合物，例如可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多元(甲基)丙烯酸酯單體、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物。能量線硬化性化合物的分子量(寡聚物時為重量平均分子量)係良好為100~12000，較佳為200~10000，更佳為400~8000，特佳為600~6000。
這些之中，從分子量較高、不容易使黏著劑層的彈性模數低落之觀點而言，係以胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物為佳。
作為較佳胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物，係含有異氰酸酯單元及多元醇單元且在末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物。作為胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯，可舉出藉由伸烷基多元醇、聚醚化合物、聚酯化合物等在末端具有羥基之多元醇與多異氰酸酯反應而生成胺甲酸乙酯寡聚物，而且使具有(甲基)丙烯醯基之化合物對此末端的官能基進行反應而得到的化合物等。此種胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯係藉由(甲基)丙烯醯基而具有能量線硬化性。
作為上述的多異氰酸酯，能夠使用異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)、1,3-雙-(異氰酸酯基甲基)-環己烷(H6XDI)、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)等的二異氰酸酯。這些多異氰酸酯係在能量線硬化性胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯中，以使用40~49莫耳%為佳。又，在這些二異氰酸酯之中，以使用能夠使能量線硬化性胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯對能量線硬化性丙烯酸系聚合物之相溶性提升之異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)為特佳。
作為用以形成(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯，能夠使用丙烯酸2-羥基丙酯(2HPA)、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)等。這些丙烯酸酯係在能量線硬化性胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯中，以使用4~40莫耳%為佳。
相對於能量線硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，能量線硬化性胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯係良好為採用1~200質量份的比例而使用，較佳為5~100質量份，更佳為10~50質量份。又，從與能量線硬化性丙烯酸系聚合物的相溶性、能量線硬化性黏著劑層的加工性等的觀點而言，胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯的分子量係以數量平均分子量計，良好為設為300~30,000左右的範圍，較佳為20,000以下，例如1,000~15,000的寡聚物。
在X型的黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量，係相對於黏著性樹脂100質量份，良好為40~200質量份，較佳為50~150質量份，更佳為60~90質量份。
另一方面，在XY型的黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量，係相對於黏著性樹脂100質量份，良好為1~30質量份，較佳為2~20質量份，更佳為3~15質量份。在XY型的黏著劑組合物，因為黏著性樹脂為能量線硬化性，即便能量線硬化性化合物的含量較少，能量線照射後亦能夠使剝離力充分地降低。
(交聯劑)
黏著劑組合物係以進一步含有交聯劑為佳。交聯劑係例如對源自黏著性樹脂所具有的官能基單體之官能基進行反應而將黏著性樹脂之間交聯之物。作為交聯劑，例如可舉出甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等、及其加成物等的異氰酸酯系交聯劑；1,3-雙(N,N'-二環氧丙基胺甲基)環己烷等的環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-吖環丙烷基]三磷雜三嗪等的吖環丙烷系交聯劑；鋁鉗合物等的鉗合物系交聯劑等。這些交聯劑可單獨或者亦可組合2種以上而使用。
這些之中，從提高凝聚力而提升黏著力之觀點、及取得容易性等的觀點而言，係以異氰酸酯系交聯劑為佳。
從促進交聯反應的觀點而言，交聯劑的調配量係相對於黏著性樹脂100質量份，良好為0.01~10質量份，較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~4質量份。
(光聚合起始劑)
又，黏著劑組合物為能量線硬化性時，黏著劑組合物係以進一步含有光聚合起始劑為佳。藉由含有光聚合起始劑，即便紫外線等的較低能量的能量線，亦能夠使黏著劑組合物的硬化反應充分地進行。
作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、9-氧硫化合物、過氧化物化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
這些光聚合起始劑可單獨亦可組合2種以上而使用。
相對於黏著性樹脂100質量份，光聚合起始劑的調配量係良好為0.01~10質量份，較佳為0.03~5質量份，更佳為0.05~5質量份。
(其它添加劑)
黏著劑組合物係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑。作為其它添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配這些添加劑時，添加劑的調配量係相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~6質量份。
又，從提升對基材、剝離片等的塗佈性之觀點而言，黏著劑組合物亦可進一步使用有機溶劑稀釋而成為黏著劑組合物的溶液形態。
作為有機溶劑，例如可舉出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二㗁烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、異丙醇等。
又，這些有機溶劑亦可將黏著性樹脂的合成時所使用的有機溶劑直接使用，而且亦能夠以能夠使此黏著劑組合物的溶液均勻地塗佈之方式，添加合成時所使用的有機溶劑以外之1種以上的有機溶劑。
(硬化後儲存彈性模數的控制)
藉由構成上述黏著劑層12之能量線硬化性黏著劑的硬化後儲存彈性模數E'200 為上述範圍，即便將剝離用膠帶50熱壓黏亦不會將晶片等埋入至黏著劑層且能夠大幅度地減低晶片的轉印不良。
硬化後儲存彈性模數係能夠藉由黏著劑的組成而控制。例如能夠藉由提高在能量線硬化後之黏著劑的交聯度，而提高硬化後儲存彈性模數。因而，藉由增多調配在黏著劑之交聯劑的量、或使用官能基數較多的交聯劑，黏著劑的交聯度變高且能夠提高熱壓黏後儲存彈性模數。又，作為黏著性樹脂，係藉由使用較高Tg的丙烯酸系樹脂而能夠提高硬化後儲存彈性模數。
但是使用這些方法時，能量線硬化前的彈性模數變高且在能量線硬化前有無法得到充分的感壓接著性之情形。因此，例如提高在黏著劑所含有的能量線聚合性的不飽和基密度亦有效的。具體而言，藉由增加被導入至能量線硬化性黏著性樹脂II之能量線聚合性不飽和基量、增多能量線硬化性化合物的調配量、使用不飽和基數較多的化合物作為能量線硬化性化合物、或者藉由增多光聚合起始劑的調配量，能夠藉由能量線硬化來形成高程度的交聯結構而控制硬化後儲存彈性模數成為較高。
通常硬化後的黏著劑，在常溫時儲存彈性模數較高，隨著成為高溫而儲存彈性模數有降低之傾向。但是，藉由將高程度的交聯結構導入至黏著劑中，黏著劑層係在高溫的軟化、流動被抑制而維持較高的儲存彈性模數。其結果，即便將剝離用膠帶50進行熱壓黏，亦不將晶片等埋入至黏著劑層而能夠抑制轉印不良。
又，硬化後儲存彈性模數較高時，因為黏著膠帶難以變形而有硬化後的黏著膠帶難以剝離之情形。此時，藉由使用柔軟性較高的基材作為基材11，而有容易剝離之情形。基材為較柔軟時，剝離時能夠將黏著膠帶10折回且剝離角度變大。因此，因為在剝離進行中的部分，晶片與黏著劑層的接觸面積變小，所以能夠以較小的力量剝離。另一方面，基材太硬時，剝離角度變小，在剝離進行中的部分，晶片與黏著劑層的接觸面積變大而黏著力(剝離力)變高。基於同樣的理由，就容易剝離而言，將基材的厚度薄化亦有效的。但是，基材太柔軟或太薄時，黏著膠帶的操作性低落，而且有無法抑制背面磨削時的振動等、或造成半導體晶片產生缺損和損壞之情形。
因而，以藉由適當地設定黏著劑層12的物性及基材11的楊氏模數和厚度，來控制黏著膠帶10的剝離性為佳。
[剝離片]
亦可將剝離片貼附在黏著膠帶表面。具體而言，剝離片係被貼附在黏著膠帶的黏著劑層表面。剝離片係藉由被貼附在黏著劑層表面，而在輸送時、保管時保護黏著劑層。剝離片係以能夠剝離的方式被貼附在黏著膠帶且在黏著膠帶被使用之前(亦即，晶圓背面磨削前)從黏著膠帶被剝離除去。剝離片係能夠使用至少一面經剝離處理之剝離片，具體而言，可舉出將剝離劑塗佈在剝離片用基材表面上而成之物等。
作為剝離片用基材，係以樹脂膜為佳，作為構成此樹脂膜之樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等的聚酯樹脂膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等的聚烯烴樹脂等。作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。
剝離片的厚度係沒有特別限制，良好為10~200μm，較佳為20~150μm。
(黏著膠帶10的製造方法)
作為本發明的黏著膠帶10的製造方法，係沒有特別限制，能夠使用習知的方法而製造。
例如能夠將設置在剝離片上之黏著劑層貼合在基材的一面，來製造在黏著劑層表面貼附有剝離片之黏著膠帶。被貼附在黏著劑層表面之剝離片，係在黏著膠帶的使用前適當地剝離而除去即可。
作為在剝離片上形成黏著劑層之方法，係能夠藉由將黏著劑組合物使用習知的塗佈方法直接塗佈在剝離片上之後，藉由加熱乾燥使溶劑從塗佈膜揮發而能夠形成黏著劑層。
又，亦可將黏著劑(黏著劑組合物)直接塗佈基材的一面而形成黏著劑層，作為黏著劑的塗佈方法，例如可舉出旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。
[半導體裝置的製造方法]
本發明的黏著膠帶10係在預切割法邊保護半導體晶圓電路面邊進行背面磨削時，特別適合使用作為被貼附在晶圓電路面之背研磨帶。針對作為背研磨帶的非限定性的使用例，係採用半導體裝置的製造作為例子且更具體地進行說明。
具體而言，半導體裝置的製造方法係至少具備以下的步驟1~步驟4。
步驟1：從半導體晶圓的表面側形成溝槽之步驟；
步驟2：將上述的黏著膠帶10(背研磨帶)貼附在半導體晶圓表面之步驟；
步驟3：將表面貼附有黏著膠帶10且形成有上述溝槽之半導體晶圓，從背面側進行磨削且將溝槽的底部除去而單片化成為複數個晶片(晶片群20)之步驟(參照第1圖)；及
步驟4：將晶片群20轉印至拾取膠帶30或接著膠帶(參照第2圖~第5圖)，將各個晶片從拾取膠帶或接著膠帶剝離之步驟。
以下，詳細地說明上述半導體裝置的製造方法的各步驟。
(步驟1)
在步驟1，係從半導體晶圓表面側形成溝槽。在本步驟所形成的溝槽，係比半導體晶圓的厚度更淺的深度之溝槽。溝槽的形成係能夠使用先前習知的晶圓切割裝置等且藉由切割而進行。又，半導體晶圓係在後述之步驟3藉由將溝槽的底部除去而沿著溝槽分割成為複數個半導體晶片。
在本製造方法所使用的半導體晶圓可為矽晶圓，而且亦可為鎵‧砷等的晶圓、玻璃晶圓、藍寶石晶圓等。半導體晶圓之磨削前的厚度係沒有特別限定，通常為500~1000μm左右。又，半導體晶圓係通常在其表面形成有電路。在晶圓表面形成電路，係能夠使用包含蝕刻法、舉離(lift-off)法等先前被泛用的方法之各式各樣的方法來進行。
(步驟2)
在步驟2，係將本發明的黏著膠帶10隔著黏著劑層而貼附在形成有溝槽之半導體晶圓表面。
(步驟3)
步驟1及步驟2之後，係將吸附機台上的半導體晶圓背面進行磨削且將半導體晶圓單片化成為複數個半導體晶片。在此，在半導體晶圓形成有溝槽時，背面磨削係進行將半導體晶圓薄化至至少溝槽的底部之位置為止。藉由此背面磨削，溝槽係成為貫穿晶圓之切口，而且半導體晶圓係藉由切口而被分割且單片化成為各個半導體晶片。
經單片化的半導體晶片之形狀可為方形，亦可為矩形等的細長形狀。又，經單片化的半導體晶片之厚度係沒有特別限定，良好為5~100μm左右，較佳為10~45μm。又，經單片化的半導體晶片之大小係沒有特別限定，晶片尺寸係良好為小於200mm2 ，較佳為小於150mm2 ，更佳為小於120mm2 。
經過上述步驟，能夠如第1圖顯示，在黏著膠帶(背研磨帶)10上得到晶片群20。又，背面磨削結束後，亦可在晶片拾取之前進行乾拋光。
(步驟4)
其次，將經單片化的晶片群20從背研磨帶轉印至拾取膠帶30或接著膠帶，將各個晶片21從拾取膠帶或接著膠帶剝離。以下，基於使用拾取膠帶之例子來說明本步驟。
首先，對黏著膠帶10的黏著劑層12照射能量線而將黏著劑層硬化。其次，將拾取膠帶30貼附在晶片群20的背面側(第2圖)以能夠拾取之方式進行位置及方向對準。此時，將配置在晶片群20的外周側之環狀框40亦貼合在拾取膠帶30，而且將拾取膠帶30的外周緣部固定在環狀框40。拾取膠帶30可同時貼合在晶片群20及環狀框40，亦可依照各別的時序進行貼合。其次，只有將背研磨帶10剝離且將晶片群20轉印至拾取膠帶上。
背研磨帶10的剝離時，係將成為剝離的開端之剝離用膠帶50固定在背研磨帶10的背面(基材面)(第3圖)。背研磨帶係與半導體晶圓為大略相同形狀，因為沒有成為剝離的開端之起點，所以將薄長方形狀的剝離用膠帶50固定而作為剝離的起點。剝離用膠帶50係藉由熱壓黏而被強力地固定在背研磨帶10背面。
背研磨帶10的剝離係如第4圖、第5圖顯示，較佳是將剝離用膠帶50作為起點且以將背研磨帶10折回的方式進行剝離。
隨後，依需要而將拾取膠帶30擴展且使晶片間隔分離，而且將位於拾取膠帶30上之各個半導體晶片21拾取且變得固定在基板等的上面來製造半導體裝置。
又，拾取膠帶30係沒有特別限定，例如可由具備基材、及設置在基材的一面的黏著劑層之被稱為切割膠帶之黏著膠帶所構成。拾取膠帶30的黏著力係在剝離時比背研磨帶30的黏著力更大即可。又，以在將晶片21從拾取膠帶30剝離時具有能夠減低黏著力之性質為佳。因而，作為拾取膠帶，係能夠適合使用能量線硬化性黏著膠帶。
又，亦能夠使用接著膠帶代替拾取膠帶。所謂接著膠帶，可舉出薄膜狀接著劑與剝離片之積層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑之積層體、由具有切割膠帶與晶粒接合膠帶雙方的功能之接著劑層及剝離片所構成之切割‧晶粒接合膠帶等。又，在貼附拾取膠帶之前，亦可將薄膜狀接著劑貼合在經單片化的半導體晶圓的背面側。使用薄膜狀接著劑時，薄膜狀接著劑亦可為與晶圓相同形狀。
在使用接著膠帶時、將拾取膠帶進行貼附之前將薄膜狀接著劑貼合在經單片化的半導體晶圓的背面側時等，在接著膠帶、拾取膠帶等上之複數個半導體晶片，係將半導體晶片與被分割成為同形狀的接著劑層一起被拾取。然後，半導體晶片係隔著接著劑層而被固定在基板等的上面而製造半導體裝置。接著劑層的分割係能夠使用雷射和擴展而進行。
又，作為剝離用膠帶50，係只要能夠堅固地熱封在黏著膠帶10的基材背面之材質，就沒有特別限定。因而，剝離用膠帶50係能夠考慮黏著膠帶10的基材11之材質而適當地選擇。在本發明之基材11，較佳為由聚對苯二甲酸乙二酯等的聚酯系薄膜所構成。因而，剝離用膠帶50係能夠適合使用與聚酯系薄膜之熱封性良好的聚烯烴系膠帶。作為此種聚烯烴系膠帶，例如可舉出聚乙烯膠帶、聚丙烯膠帶等，但是不被其限定。
剝離用膠帶50係被切斷成為薄長方形狀，雖然完全不被限定，通常寬度為50mm且長度60mm左右。又，剝離用膠帶50的厚度為10~150μm左右即可。
將剝離用膠帶50固定在黏著膠帶10的背面(基材11)時，係能夠藉由進行熱壓黏將兩者堅固地熱封。熱壓黏條件係依照基材11的材質及剝離用膠帶50的材質而各式各樣，通常係在壓力0.2~1N/cm2 左右、溫度120~250℃左右的條件下，進行熱壓黏0.5~10秒左右即可。又，熱壓黏時，剝離用膠帶50係以能夠充分地固定的程度之面積將熱封部設置於基材11。例如以在基材11從基材11的外緣部起算朝向中央方向0.1~3mm左右的區域設為熱封部為佳。
如上述，將剝離用膠帶50熱壓黏在黏著膠帶10的背面(基材11)時，亦將熱及壓力傳送至黏著膠帶10的黏著劑層12且將晶片21與黏著劑層12熱壓黏。熱壓黏時的加熱引起黏著劑的儲存彈性模數低落時，係將晶片21埋入至黏著劑層中，黏著膠帶10剝離時，有晶片與黏著膠帶10一起剝離且產生晶片轉印不良之情形。但是在本發明，黏著劑的硬化後儲存彈性模數黏著劑的硬化後儲存彈性模數E'200 為上述範圍，即使在熱壓黏條件下仍不會過度軟化。因此，防止將晶片埋入至黏著劑層中，能夠減低晶片轉印不良。
又，如上述，在硬化後的黏著劑層形成高程度的交聯結構。因此，硬化前的黏著劑層係被添加能量線聚合性的不飽和基密度較高且較多量的光聚合起始劑。因而，即便被照射的能量線量較少亦能夠充分地提高黏著劑的硬化後儲存彈性模數。通常藉由能量線照射，黏著膠帶係被加熱，起因於此而有引起黏著膠帶變形且晶片轉印不良之情形。但是，依照本發明係能夠減低能量線照射時的線量。因此，能夠抑制照射時起因於熱之黏著膠帶變形，而且亦達成抑制起因於此的晶片轉印不良之效果。
以上，針對本發明的黏著膠帶，主要是說明藉由預切割法而將半導體晶圓單片化之方法所使用的例子，本發明的黏著膠帶亦能夠使用在通常的背面磨削，而且，在玻璃、陶瓷等的加工時亦能夠使用於將被加工物暫時性地固定。又，亦能夠使用作為各種的再剝離黏著膠帶。
實施例
以下，基於實施例而更詳細地說明本發明，但是本發明係不被這些例子限制。
在本發明之測定方法、評價方法係如以下。
[硬化後儲存彈性模數]
將在實施例及比較例所準備的黏著劑組合物，塗佈在使用聚矽氧系剝離劑將聚對苯二甲酸乙二酯膜之一面進行剝離處理而成之的剝離片(LINTEC公司製、SP-PET3801、厚度：38μm)且乾燥而製造厚度20μm的黏著劑層。將所得到的黏著劑層以厚度成為3mm之方式層積複數層。從所得到的黏著劑層之積層體，沖切直徑8mm的圓柱體(高度3mm)且將其作為試樣。對試樣照射紫外線且使黏著劑層完全硬化。又，上述的紫外線照射條件為波長365nm、照度150mW/cm2 、光量300mJ/cm2 。
針對硬化後的試樣，係使用動態黏彈性裝置(ORIENTEC公司製、商品名「Rheovibron DDV-11-EP1」)，針對10個試樣在頻率11Hz且溫度200℃的條件下測定儲存彈性模數E'。
[熱壓黏後黏著力]
將實施例、比較例所得到之附剝離片的黏著膠帶，邊將剝離片剝下、邊安裝在膠帶貼合機(LINTEC股份公司製、商品名「RAD-3510F/12」)且貼附在裸晶圓(直徑12英吋、厚度740μm、#2000研磨)的研磨面。隨後，將黏著膠帶的外周部切除，成為裸晶圓相同形狀。
隨後，使用紫外線照射‧附膠帶剝離裝置的貼片機(LINTEC股份公司製、商品名「RAD-2700」)，從黏著膠帶的基材面側照射紫外線使黏著劑層完全硬化。又，上述紫外線照射條件為波長365nm、照度150mW/cm2 、光量300mJ/cm2 。其次，將切割膠帶(LINTEC公司製、Adwill ID-175)貼附在裸晶圓的另一面作為拾取膠帶。其次，準備寬度50mm長度60mm的聚丙烯膜(LINTEC公司製、Adwill S-750)作為剝離用膠帶。使用熱封裝置在壓力0.5N/cm2 、210℃的條件下進行熱封5秒鐘且將剝離用膠帶進行熱壓黏在黏著膠帶的外緣部。熱封部，係設為從黏著膠帶的外緣部起算朝向中央方向2mm的區域。
將剝離用膠帶使用拉伸試驗機(島津製作所公司製、AUTOGRAPH AG-IS)，在剝離速度300mm/min、剝離角度180∘的條件下，將黏著膠帶從裸晶圓剝離。測定從剝離開始起至將熱封部完全剝離為止之間(約1cm)的最大剝離力。針對10片黏著膠帶測定最大剝離力。將其平均值作為熱壓黏後黏著力。
[剝離評價]在與上述熱壓黏後黏著力的測定同樣的裸晶圓之研磨面，在晶圓的縱向及橫向各自以1mm間隔削成深度70μm、寬度30μm的溝槽，且將黏著膠帶(背研磨帶)貼附在相同面。隨後，將晶圓的背面側磨削且使用預切割法單片化成為厚度30μm、晶片尺寸1mm×1mm。
背面磨削結束後，使用紫外線照射‧附膠帶剝離裝置的貼片機(LINTEC股份公司製、商品名「RAD-2700」)，從黏著膠帶的基材面側照射紫外線且使黏著劑層完全硬化。又，上述的紫外線照射條件為、波長365nm、照度150mW/cm2 、光量300mJ/cm2 。隨後，將切割膠帶(LINTEC公司製、Adwill D-175)作為拾取膠帶且貼附在晶片群，而且使用環狀框固定切割膠帶的外周部。其次，準備寬度50mm長度60mm的聚丙烯膜(LINTEC公司製、Adwill S-750)作為剝離用膠帶。使用熱封裝置在壓力0.5N/cm2 、210℃的條件下進行熱封5秒鐘，且將剝離用膠帶進行熱壓黏在黏著膠帶的外緣部。熱封部係設為從黏著膠帶的外緣部起算朝向中央方向2mm的區域。
拿著剝離用膠帶，邊將黏著膠帶折回、邊將晶片群從黏著膠帶剝離。確認殘留黏著在黏著膠帶的黏著劑層之晶片的個數。將在上述的操作殘留黏著在黏著膠帶之晶片的個數合計且基於以下的基準進行評價評價。
優良：小於10個
良好：10個以上且小於30個
不良：30個以上
又，以下的實施例及比較例的質量份係全部為固體成分值。
複層基材
使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜作為基材。準備在此基材設置有以下的緩衝層之複層基材。緩衝層係任一者均使用厚度27.5μm的低密度聚乙烯(LDPE)。
複層基材1：LDPE(27.5μm)/PET(25.0μm)/LDPE(27.5μm)
複層基材2：LDPE(27.5μm)/PET(50μm)/LDPE(27.5μm)
複層基材3：LDPE(27.5μm)/PET(75.0μm)/LDPE(27.5μm)
黏著劑層
調製以下的黏著劑組合物A~D。
(黏著劑組合物A的調製)
在將正丙烯酸丁酯(BA)89質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)8質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)3質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(Mw：80萬)。
相對於上述能量線硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，混合甲苯二異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份(固體成分)、環氧系交聯劑(1,3－雙(N,N’－二縮水甘油基胺基甲基) 環己烷) 2質量份(固體成分)、紫外線硬化型樹脂(日本合成化學工業股份有限公司製、製品名「紫光UV-3210EA」) 45質量份(固體成分)及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals股份公司製、製品名「IRGACURE 184」)3.5質量份(固體比)而得到能量線硬化性黏著組合物A。使用所得到的黏著組合物而測定硬化後儲存彈性模數。
(黏著劑組合物B的調製)
使正丙烯酸丁酯(BA)50質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)25質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)25質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物，以附加在此丙烯酸系聚合物的總羥基之中的90莫耳%的羥基之方式，與2-甲基丙醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
相對於上述能量線硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，混合作為能量線硬化性化合物之胺甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物(日本合成化學工業公司製、製品名「UT-4220」)6質量份、甲苯二異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、商品名「CORONATE」」)1質量份(固體成分)、及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製、IRGACURE 184)1.16質量份(固體比)，而得到能量線硬化性黏著組合物B。使用所得到的黏著組合物而測定硬化後儲存彈性模數。
(黏著劑組合物C的調製)
使正丙烯酸丁酯(BA)60質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物，以附加在此丙烯酸系聚合物的總羥基之中的80莫耳%的羥基之方式，與2-甲基丙醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：45萬)。
相對於上述能量線硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，混合甲苯二異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、商品名「CORONATE」」)0.7質量份(固體成分)、及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製、IRGACURE 184)1.16質量份(固體比)而得到能量線硬化性黏著組合物C。使用所得到的黏著組合物而測定硬化後儲存彈性模數。
(黏著劑組合物D的調製)
將正丙烯酸丁酯(BA)89質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)8質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)3質量份共聚合而得到丙烯酸系聚合物(Mw：80萬)。
相對於上述能量線硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，混合作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份(固體成分)、紫外線硬化型樹脂(日本合成化學工業股份公司製、製品名「紫外線硬化型樹脂(日本合成化學工業股份公司製、製品名「紫光UV-3210EA」)22質量份(固體成分)及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals股份公司製、製品名「IRGACURE 184」)1.16質量份(固體成分)，而得到能量線硬化性黏著組合物D。使用所得到的黏著組合物而測定硬化後儲存彈性模數。
[實施例1]
將上述所得到之能量線硬化性黏著組合物A的塗佈液塗佈在剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面，使其於100℃加熱乾燥1分鐘而在剝離片上形成厚度20μm的黏著劑層。
將黏著劑層貼合在複層基材的一面來製造黏著膠帶。測定所得到的黏著膠帶的熱壓黏後黏著力，而且進行剝離評價。
[實施例2]
除了使用複層基材2及黏著劑組合物B且將黏著劑層的厚度設為20μm以外，係與實施例1同樣地進行而製造黏著膠帶。測定所得到的黏著膠帶之熱壓黏後黏著力，而且進行剝離評價。
[實施例3]
除了使用複層基材3及黏著劑組合物C且將黏著劑層的厚度設為40μm以外，係與實施例1同樣地進行而製造黏著膠帶。測定所得到的黏著膠帶之熱壓黏後黏著力，而且進行剝離評價。
[比較例1]
除了使用複層基材2及黏著劑組合物D且將黏著劑層的厚度設為20μm以外，係與實施例1同樣地進行而製造黏著膠帶。測定所得到的黏著膠帶之熱壓黏後黏著力，而且進行剝離評價。
[表1]
從以上的結果，得知硬化後儲存彈性模數E'200 為1.5MPa以上時，即便進行剝離用膠帶的熱壓黏，在熱封部之晶片轉印無不良且能夠將晶片良好地轉印至拾取膠帶或接著膠帶。又，依據使用在實施例、比較例詳細地記載的黏著膠帶、以及各種黏著膠帶之試驗，能夠確認E'200 為1.5MPa以上時，能夠得到良好的結果。
10‧‧‧黏著膠帶(背研磨帶)
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧晶片群
21‧‧‧晶片
30‧‧‧拾取膠帶
40‧‧‧環狀框
50‧‧‧剝離用膠帶
第1圖係顯示使用預切割法而在背研磨帶10上得到晶片群20之狀態。
第2圖係顯示將晶片群20從背研磨帶10轉印至拾取膠帶30之步驟。
第3圖係顯示將剝離用膠帶50熱壓黏在背研磨帶10的背面後的狀態。
第4圖係顯示以剝離用膠帶50作為起點而將背研磨帶10剝離之狀態。
第5圖係顯示第4圖之斜視圖。

Claims (4)

  1. 一種黏著膠帶，係包含基材、及設置在該基材的一面的黏著劑層之黏著膠帶，其中： 前述黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所構成；及 能量線照射而硬化後的黏著劑在200℃之儲存彈性模數E'200 為1.5MPa以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膠帶係在包含將背研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟之半導體裝置的製造方法，被使用作為前述背研磨帶。
  3. 一種半導體裝置的製造方法，係在包含將背研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟，使用如申請專利範圍第1項所述之黏著膠帶作為前述背研磨帶。
  4. 一種黏著膠帶的用途，係如申請專利範圍第1項所述之黏著膠帶的用途，在包含將背研磨帶貼附在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓表面，而且將背面進行磨削且藉由該磨削而將半導體晶圓單片化成為半導體晶片，隨後，將經單片化的晶片群轉印至拾取膠帶或接著膠帶的步驟之半導體裝置的製造方法，係作為前述背研磨帶之用途。
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