TW202003737A - 黏著膠帶及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種即便在所謂預切割法進行乾式研磨時，亦能夠穩定地保持晶片之黏著膠帶。 本發明之解決手段為提供一種黏著膠帶，其係包含基材、及設置在前述基材的一面的黏著劑層之黏著膠帶，前述基材的60°C TMA值之絕對值為30μm以下。

Description

黏著膠帶及半導體裝置的製造方法
本發明係有關於一種黏著膠帶，更詳言之，係有關於在藉由所謂預切割(predicing)法製造半導體裝置時，能夠適用於暫時性地固定半導體晶圓、晶片之黏著膠帶、及使用該黏著膠帶之半導體裝置的製造方法。
隨著各種電子機器的小型化、多功能化的進展，電子機器所搭載的半導體晶片亦同樣地被要求小型化、薄型化。為了使晶片薄型化，通常進行半導體晶圓的背面磨削來調整厚度。又，亦有利用稱為預切割法之技術，其係從晶圓的表面側形成預定深度的溝槽之後，從晶圓背面側進行磨削，藉由磨削除去溝槽的底部而將晶圓單片化且得到晶片。在預切割法中，因為能夠同時進行晶圓的背面磨削、與晶圓的單片化，所以能夠效率良好地製造薄型晶片。
先前，在半導體晶圓的背面磨削時、在藉由預切割法製造晶片時，為了保護晶圓表面的電路且預先固定半導體晶圓及半導體晶片，通常將稱為背面研磨片之黏著膠帶貼附在晶圓表面。
作為在預切割法使用的背面研磨片，使用具備基材、及設置在基材的一面之黏著劑層的黏著膠帶。作為此種黏著膠帶的一例，特開2008-251934號公報(專利文獻1)提出一種在基材膜上設置有輻射固化性黏著劑層之半導體晶圓加工用黏著膠帶。
藉由上述的預切割法將晶圓單片化時，在進行背面磨削時，為了除去磨削時產生的熱、磨削屑，係在對磨削面供給水的同時進行背面磨削。但是，在此種先前的背面磨削中，在晶片背面殘留磨削痕跡，而且在晶片的端部產生微小缺損(破片)，清楚明白此為損害晶片的抗彎強度之主要原因。特別是晶片的薄型化之結果，晶片容易損壞且抗彎強度低落被視為問題。 先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1] 日本特開2008-251934號公報
發明欲解決之課題
為了除去上述的磨削痕跡、晶片的微小缺損(以下將該等總稱為「損傷部」)等，已研討在使用水之背面磨削後，進一步在最後藉由不使用水的乾式研磨(dry polishing)除去損傷部且提升晶片的抗彎強度。但是因為在乾式研磨時不使用水，所以晶片變熱。晶片的熱傳送至黏著膠帶。該結果，乾式研磨時黏著膠帶的基材溫度有成為60°C以上之情況。
因為黏著膠帶的基材係由樹脂膜所形成，所以容易因熱而變形。在背面磨削時，從黏著膠帶的基材面側進行吸引以固定黏著膠帶，但是在黏著膠帶的端部有吸引力不足之情形。此時黏著膠帶的基材因熱而稍微變形時，在端部之黏著膠帶的固定變得不足，且黏著膠帶端部有卷曲之情形。該結果，黏著膠帶上的晶片剝離。晶片剝離不僅造成產率降低，而且剝離後的晶片與其它晶片接觸且破壞其它晶片，並對磨削裝置造成損傷、或成為往下一個步驟之搬運不良的原因。
因此，本發明之目的係提供一種在半導體晶圓等的加工時，能夠穩定地保持晶圓、晶片等之黏著膠帶。本發明之目的特別是能夠提供一種即便在所謂預切割法進行乾式研磨時，亦能夠穩定地保持晶片之黏著膠帶。 用以解決課題之手段
本發明之目的在於解決此種課題，其要旨如下。 (1) 一種黏著膠帶，係包含基材、及設置在前述基材的一面的黏著劑層之黏著膠帶，前述基材的60°C TMA值之絕對值為30μm以下。 (2) 如(1)所述之黏著膠帶，其中將前述基材在60°C保持3分鐘之後，尺寸變化率的絕對值為0.8%以下。 (3) 如(1)或(2)所述之黏著膠帶，其中從前述基材在23°C之拉伸彈性模數(E23 )與在60°C之拉伸彈性模數(E60 )獲得之彈性模數變化率E(23-60) 為30%以下。 (4) 如(1)至(3)項中任一項所述之黏著膠帶，其中在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓的背面進行磨削且藉由該磨削將半導體晶圓單片化成為半導體晶片之步驟中，被用於貼附在半導體晶圓的表面。 (5) 如(4)所述之黏著膠帶，其中包含將前述半導體晶圓單片化成為半導體晶片之後，進行乾式研磨之步驟。 (6) 一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟：從半導體晶圓的表面側形成溝槽之步驟；將如上述(1)至(4)項中任一項所述之黏著膠帶貼附在前述半導體晶圓表面之步驟；將表面貼附有前述黏著膠帶且形成有前述溝槽之半導體晶圓，從背面側進行磨削且除去前述溝槽的底部而單片化成為複數個晶片之步驟；及將黏著膠帶從前述複數個晶片剝離之步驟。 (7) 如(6)所述之半導體裝置的製造方法，其中包含將前述半導體晶圓單片化成為半導體晶片之後，進行乾式研磨之步驟。 發明效果
本發明之黏著膠帶能夠將熱引起之基材變形抑制為非常低的程度而防止乾式研磨時產生卷曲。因此，即便是包含乾式研磨步驟之預切割法，亦能夠以高產率製造半導體晶片。 又，本發明的黏著膠帶因為能將熱變形抑制為非常低的程度，亦能用於一般的背面磨削步驟。
用以實施發明之形態
以下，具體地說明本發明之黏著膠帶。首先，說明在本說明書中使用的主要用語。 在本說明書中，例如用語「(甲基)丙烯酸酯」用於表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，針對其它類似用語亦同。
黏著膠帶意味著包含基材、及設置在基材的一面的黏著劑層之積層體，且不排除包含該等以外的其它構成層。舉例來說，作為提升基材表面與黏著劑層界面之密著性、防止低分子量成分的遷移等目的，亦可在黏著劑層側的基材表面形成底漆層，為了保護黏著劑層至使用時為止，亦可在黏著劑層表面層積剝離片。又，基材可為單層，亦可為多層。黏著劑層亦同。 半導體晶圓的「表面」係指形成電路之面，「背面」係指不形成電路之面。 半導體晶圓的單片化係指對半導體晶圓每電路進行分割來得到半導體晶片。
乾式研磨意味著不使用水、研磨粒的漿料等，使用研磨拋光輪而進行研磨之步驟。作為研磨拋光輪，能夠使用各種通用的研磨拋光輪，作為市售品，能夠使用DISCO公司的研磨輪「Gettering DP」、「DP08 SERIES」等，但不限於此。藉由乾式研磨除去晶片的損傷部，亦即磨削痕跡、晶片的微小缺損(破片)等。 預切割法係指從晶圓的表面側形成預定深度的溝槽之後，從晶圓背面側進行磨削，且藉由磨削將晶圓單片化之方法。
其次，進一步詳細地說明本發明的黏著膠帶之各構件的構成。 [基材] (基材物性) 作為黏著膠帶的基材，能夠使用60°C TMA值的絕對值為30μm以下之薄膜或薄片。 60°C TMA值的絕對值係指使用由與構成基材的薄膜或薄片相同材質所形成之15mm(寬度)×10mm(長度)的測定用薄膜，藉由BRUKER公司製4000SA，在荷重2g、升溫速度5°C/分的條件下，測量測定用薄膜的伸長或縮短(TMA值)，且為在60°C之值的絕對值。針對上述以外的測定條件，係依據測定裝置的操作手冊而設定。測定用薄膜伸長時，TMA值為正值，縮短時為負值。在本說明書中，針對10個以上的試樣進行測定，將所得到的TMA值平均且採用絕對值來進行評價。
60°C TMA值的絕對值係在60°C之基材的變形性的指標之一，且意味著該值越低越能夠抑制變形。因此，60°C TMA值的絕對值為30μm以下的基材，在60°C之熱變形為非常少。常用為黏著膠帶的基材之聚氯乙烯為40μm左右，乙烯/甲基丙烯酸共聚物為220μm左右。
60°C TMA值的絕對值為30μm以下時，即便在乾式研磨時，黏著膠帶被加熱至60°C左右亦能夠抑制變形，且能夠減少在黏著膠帶的端部的晶片產生剝離。不受任何理論拘束，出現此種效果的機制推測如下。半導體晶圓直徑為6英吋或8英吋，進一步逐漸增加直徑為12英吋。而且，在晶圓的外周部形成有不形成電路之剩餘區域。在背面磨削時或預切割時，貼附在晶圓的電路面之黏著膠帶的尺寸與半導體晶圓大略相同。只要60°C TMA值的絕對值在上述範圍且黏著膠帶的面積較大的話，就整體而言，基材的熱變形造成的影響是輕微的，所以即便黏著膠帶的端部稍微卷曲，此影響留在剩餘區域，而不會引起產品晶片的剝離、脫落。又，在剩餘區域之黏著膠帶的變形亦較少，也能減少剩餘區域的廢棄晶片之脫落。另一方面，60°C TMA值的絕對值大於30μm時，因為基材的熱變形引起之黏著膠帶的卷曲也延伸至電路形成區域，所以產品晶片、剩餘區域的晶片等產生多數剝離、脫落，不僅導致產率降低，而且剝離後的晶片與其它晶片接觸且損壞其它晶片，並對磨削裝置造成損傷，而且成為往下一個步驟之搬運不良的原因。
基材的60°C TMA值之絕對值較佳為5～25μm。更佳為10～20μm。
60°C TMA值的絕對值越低越好，但太低的基材多半缺乏柔軟性，以設為上述的範圍為佳。基材太硬時貼附性差，而且背面磨削時可能對電路面施加壓力，導致晶片產生微小缺損(破片)，致使損傷電路、凸塊電極等。但是，當薄膜足夠柔軟時，60°C TMA值的絕對值可為5μm以下，亦可為7μm以下。
又，基材於60°C下保持3分鐘後的尺寸變化率的絕對值以0.8%以下為佳。尺寸變化率的測定係依據JIS C2151、ASTM D1204，且設定測定溫度為60°C、保持時間為3分鐘。
尺寸變化率使用與構成基材之薄膜或薄片相同材質所形成之10cm×10cm的測定用薄膜來測量。測定用薄膜的尺寸係在23°C的測定值。將測定用試樣在熱風循環式恆溫槽中，於預定溫度靜置預定時間。隨後，冷卻至室溫(23°C)為止之後，依照下式從加熱前在23°C之一邊的長度(10cm：L0 )、與加熱後在23°C之相同邊的長度(L1 )來獲得尺寸變化率。在本說明書中，針對10個以上的試樣進行測定，且將所得到的尺寸變化率平均且採用絕對值來進行評價。又，測定值係使用MD方向的測定值。 尺寸變化率(%)=100×(L0 －L1 )/L0
在60°C3分鐘的尺寸變化率的絕對值，係在60°C之基材的變形性的指標之一，意味著該值越低越能夠抑制變形。因此，在60°C3分鐘之尺寸變化率的絕對值為0.8%以下的基材，在60°C之熱變形非常少。在常用為黏著膠帶的基材之聚氯乙烯為0.9%左右，在乙烯/甲基丙烯酸共聚物為1%左右。
在60°C3分鐘的尺寸變化率的絕對值為0.8%以下時，即便在乾式研磨時，黏著膠帶被加熱至60°C左右亦能夠抑制變形，且能夠減少在黏著膠帶的端部之晶片產生剝離。不受任何理論拘束，出現此種效果的機構與上述的TMA值相同，就整體而言，基材的熱變形造成的影響是輕微的，即便黏著膠帶的端部稍微卷曲，此影響亦留在剩餘區域，而不會引起產品晶片的剝離、脫落。又，在剩餘區域之黏著膠帶的變形亦較少，亦能夠減少剩餘區域的晶片的脫落。另一方面，在60°C3分鐘的尺寸變化率的絕對值大於0.8%時，因為基材的熱變形引起之黏著膠帶的卷曲也延伸至電路形成區域，產品晶片、剩餘區域的晶片等產生多數剝離、脫落，不僅導致產率降低，而且剝離後的晶片與其它晶片接觸且損壞其它晶片，並對磨削裝置造成損傷，而且有成為往下一個步驟的搬運不良的原因之情形。
在60°C3分鐘的尺寸變化率的絕對值越低效果越好，更佳為0～0.5%。又，在本發明之另外的態樣，亦可為0.5～0.8%。基材在60°C3分鐘的尺寸變化率的絕對值較佳為0～0.2%，最佳為0%。
又，相對於在常溫的拉伸彈性模數，亦能夠依照在預定溫度之拉伸彈性模數的變化率來評價基材的熱變形性。由在常溫(23°C)之拉伸彈性模數(E23 )與在預定溫度(n°C)的拉伸彈性模數(En )，從23°C至n°C為止的溫度變化之彈性模數變化率E(23-n) (%)，可用100×(E23 －En )/E23 來獲得。
又，拉伸彈性模數係指使用由與構成基材之薄膜或薄片相同材質所形成之15mm(寬度)×10mm(長度)的測定用薄膜，由ORIENTEC公司製Rheovibron DDV-II-EP1，且在測定頻率11Hz所測得的值。在本說明書中，針對10個以上的試樣進行測定，且依照所得到的拉伸彈性模數之平均值來進行評價。
本發明的基材，由在23°C之拉伸彈性模數(E23 )與在60°C之拉伸彈性模數(E60 )所獲得的彈性模數變化率E(23-60) ，以30%以下為佳。
彈性模數變化率E(23-60) 係在60°C之基材的變形性的指標之一，意味著該值越低越能夠抑制變形。因此，彈性模數變化率E(23-60) 為30%以下之基材，在60°C之熱變形非常少。在常用為黏著膠帶的基材之聚氯乙烯，彈性模數變化率E(23-60) 為95%左右，在乙烯/甲基丙烯酸共聚物為70%左右。
彈性模數變化率E(23-60) 為30%以下時，即便在乾式研磨時，黏著膠帶被加熱至60°C左右亦能夠抑制變形，且能夠減少在黏著膠帶的端部之晶片產生剝離。不受任何理論拘束，出現此種效果的機構推定如下。在乾式研磨時，因加熱基材及研磨時對晶片施加的剪切力，致使基材有變形的情形。特別是因加熱而降低基材的彈性模數時，容易遭受變形且有引起無法預測的變形之情形。但是，在彈性模數變化率E(23-60) 為30%以下時，因為常溫時的特性能夠大致維持，亦能夠抑制溫度變化引起的變形。另一方面，彈性模數變化率E(23-60) 大於30%時，基材的加熱致使從常溫時的特性大大地產生變化，有引起無法預期的變形之情形。該結果，熱變形使黏著膠帶產生卷曲，產品晶片、剩餘區域的晶片等產生多數剝離、脫落，不僅造成產率降低，而且剝離後的晶片與其它晶片接觸而損壞其它晶片，且對磨削裝置造成損傷，而且成為往下一個步驟的搬運不良原因之情形。
彈性模數變化率E(23-60) 越低效果越好，較佳為25%以下，更佳為20%以下。又，下限值沒有特別限定，從材料的取得等的觀點而言，為3%以上。
而且，基材在23°C之拉伸彈性模數(E23 )較佳為200～2000MPa，更佳為350～1500MPa。在常用為黏著膠帶的基材之聚氯乙烯，拉伸彈性模數(E23 )為450MPa左右，在乙烯/甲基丙烯酸共聚物為110MPa左右。
而且，基材在60°C之拉伸彈性模數(E60 )較佳為150～1400MPa，更佳為300～1200MPa。在常用為黏著膠帶的基材之聚氯乙烯，拉伸彈性模數(E60 )為22MPa左右，在乙烯/甲基丙烯酸共聚物為34MPa左右。
(非限定的具體例) 本發明的基材只要滿足上述物性，就沒有特別限定，可為各種材質的樹脂膜或樹脂片。此種基材藉由對各種樹脂片測定TMA，而且根據需要測定尺寸變化率、彈性模數，能夠容易地選擇所需要的特性之薄片。以下詳述本發明的基材的一例，但此例只是因為基材容易取得而記載，不應被限定性地解釋。
本發明的基材，例如亦可為由較硬質的樹脂膜構成的第1基材、及由較軟質的樹脂膜構成的第2基材之積層體。藉由設為性質不同的樹脂膜之積層體，容易控制特性且能夠簡便地得到具有所需特性之基材。又，本發明的基材亦可由第1基材及第2基材之2層所構成的積層體，而且，亦可為在第1基材的兩面層積相同或不同的第2基材而成之3層結構的積層體。
(第1基材) 第1基材以楊式模數為1000MPa以上之剛性膜為佳，較佳為1800～30000MPa，更佳為2500～6000MPa。 使用楊式模數高的剛性膜作為基材的構成層時，藉由黏著膠帶提高半導體晶圓或半導體晶片之保持性能、抑制背面磨削時的振動等，而容易防止半導體晶片的缺損、損壞等。又，藉由楊式模數為上述範圍，能夠降低從半導體晶片剝離黏著膠帶時的應力，且容易防止膠帶剝離時產生的晶片缺損、損壞等。而且能夠使黏著膠帶貼附在半導體晶圓時的作業性良好。
在此，作為楊式模數為1000MPa以上的剛性膜，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚碸、聚醚酮、雙軸延伸聚丙烯等的薄膜。 該等樹脂膜之中，以包含1種以上選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、雙軸延伸聚丙烯膜之薄膜為佳，以包含聚酯膜為較佳，以包含聚對苯二甲酸乙二酯膜為更佳。
第1基材的厚度(D1)以500μm以下為佳，以15~350μm為較佳，以20~160μm為更佳。藉由將第1基材的厚度設為500μm以下，容易將黏著膠帶的剝離力調整成為上述預定之值。又，藉由設為15μm以上，基材容易達到作為黏著膠帶的支撐體之功能。
又，第1基材在不損害本發明的效果之範圍亦可含有塑化劑、助滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，第1基材可為透明物，亦可為不透明物，亦可依照需要而著色或蒸鍍。 又，亦可對第1基材的至少一表面施行電暈處理等的接著處理，以提升與第2基材及黏著劑層的至少一方的密著性。又，第1基材亦可具有上述的樹脂膜及被膜在樹脂膜的至少一表面之易接著層。
作為形成易接著層之易接著層形成用組合物，沒有特別限定，例如可舉出含有聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組合物。易接著層形成用組合物亦可依照需要而含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。 作為易接著層的厚度，良好為0.01～10μm，較佳為0.03～5μm。又，因為易接著層的厚度小於第1基材的厚度，且材質亦較柔軟，所以對楊式模數之影響較小，即使在具有易接著層的情況下，第1基材的楊式模數與樹脂膜的楊式模數實質上相同。
(第2基材) 第2基材由較軟質的樹脂膜構成，能夠緩和半導體晶圓的磨削引起的振動，且防止半導體晶圓產生裂紋及缺損。又，在背面磨削時，貼附黏著膠帶之半導體晶圓被配置在吸附機台上，黏著膠帶藉由設置第2基材，在提升吸附機台的保持性之同時，能夠賦予背面磨削後從吸附機台之剝離性。 第2基材在23°C之儲存彈性模數以100～1500MPa為佳，以200～1200MPa為較佳。又，第2基材的應力緩和率以70～100%為佳，以78～98%為較佳。
第2基材藉由具有上述範圍內的彈性模數及應力緩和率，第2基材對在黏著膠帶與吸附機台之間被夾住的微細異物之凹凸、背面磨削時所產生之研磨石的振動、衝擊等吸收之效果變高。 第2基材的厚度(D2)對第1基材的厚度(D1)之比(D2/D1)以0.7以下為佳。厚度比(D2/D1)大於0.7時，因為黏著膠帶之剛性高的部分的比例變少，所以基材難以適當地保持半導體晶圓、半導體晶片等，且難以降低磨削時的振動。因而，在藉由預切割法而單片化為小型且薄型的半導體晶片的情況下，即便第2基材的材料選擇適當之物，亦難以防止藉由背面磨削進行單片化時所產生的半導體晶片缺損。 在減少晶片缺損的同時，將第2基材設為適當的厚度而改善黏著膠帶的緩衝性能，厚度比(D2/D1)以0.10～0.70為佳。
第2基材在-5～120°C之動態黏彈性的tanδ的最大值(以下亦只稱為「tanδ的最大值」)，良好為0.7以上，較佳為0.8以上，更佳為1.0以上。又，tanδ的最大值之上限沒有特別限定，通常為2.0。 當第2基材的tanδ的最大值為0.7以上時，第2基材吸收背面磨削時產生之研磨石的振動、衝擊等之效果變高。因此即便在預切割法將半導體晶圓或經單片化的半導體晶片磨削至極薄為止，亦容易防止在晶片的角等產生缺損。 又，tanδ被稱為損耗正切且被定義為「損失彈性模數/儲存彈性模數」，係藉由動態黏彈性測定裝置測量對施加在對象物的拉伸應力、扭曲應力等應力之響應的值。
第2基材的厚度(D2)以8～80μm為佳，以10～60μm為更佳。藉由將第2基材的厚度設為8μm以上，第2基材能夠適當地緩衝背面磨削時的振動。又，藉由80μm以下，容易將厚度比(D2/D1)調整為上述的值。又，當基材係將相同或不同的第2基材層積於第1基材的兩面而成之3層結構的積層體時，第2基材的厚度(D2)較佳為35μm以下，更佳為30μm以下。在3層結構的積層體中，較軟質的第2基材的物性可能是主要的，藉由將第2基材的厚度設為上述範圍，容易調整成所需的60°C TMA值、尺寸變化率等。
第2基材亦可由如低密度聚乙烯的軟質膜形成，以由含有能量線聚合性化合物之第2基材形成用組合物所形成之層為佳。藉由第2基材含有能量線聚合性化合物，能夠藉由照射能量線而硬化。又，「能量線」係指紫外線、電子束等，較佳為使用紫外線。 又，更具體地，第2基材形成用組合物以含有具有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)、環形成原子數6～20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)為佳。第2基材形成用組合物藉由含有該等2成分，容易使第2基材的彈性模數、第2基材的應力緩和率、及tanδ的最大值成為上述範圍內。又，從該等的觀點而言，第2基材形成用組合物除了上述(a1)及(a2)成分以外，以亦含有具有官能基的聚合性化合物(a3)為較佳。 而且，第2基材形成用組合物，除了上述(a1)及(a2)或(a1)～(a3)成分以外，以亦含有光聚合起始劑為更佳，在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑、樹脂成分等。 以下，詳細說明在第2基材形成用組合物中含有的各成分。
(胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)) 作為胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，至少具有(甲基)丙烯醯基及胺甲酸乙酯鍵之化合物，且具有藉由能量線照射而聚合硬化的性質之物。胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)為寡聚物或聚合物。
成分(a1)的質量平均分子量(Mw)良好為1,000～100,000，較佳為2,000～60,000，更佳為3,000～20,000。又，質量平均分子量(Mw)係使用凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算之值，具體而言可在以下的條件下測定。 (測定條件) ‧管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(任一者均為TOSOH股份公司製) ‧管柱溫度：40°C ‧展開溶劑：四氫呋喃 ‧流速：1.0mL/min 又，作為成分(a1)中的(甲基)丙烯醯基數(以下亦稱為「官能基數」)，可為單官能、2官能、或3官能以上，以單官能或2官能為佳。 成分(a1)例如能夠使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，對使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物進行反應而得到。又，成分(a1)可單獨或者亦可組合2種以上而使用。
成為成分(a1)的原料之多元醇化合物，只要是具有2個以上的羥基之化合物，就沒有特別限定。作為具體的多元醇化合物，例如可舉出烷二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。該等之中，以聚酯型多元醇為佳。 又，作為多元醇化合物，可為2官能的二元醇、3官能的三元醇、4官能以上的多元醇之任一者，以2官能的二元醇為佳，以聚酯型二元醇為較佳。
作為多元異氰酸酯化合物，例如可舉出四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等的脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等的芳香族系二異氰酸酯類等。 該等之中，以異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯為佳。
能夠使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，對使上述的多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物進行反應而得到胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，只要是至少在1分子中具有羥基及(甲基)丙烯醯基的化合物，就沒有特別限定。
作為具體的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基己酯、(甲基)丙烯酸5-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇一(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇一(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等的含羥基(甲基)丙烯醯胺；使(甲基)丙烯酸對乙烯醇、乙烯基苯酚、雙酚A的二環氧丙酯進行反應而得到之反應物等。 該等之中，以(甲基)丙烯酸羥基烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為較佳。
作為使末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應之條件，以在依照需要而添加的溶劑觸媒之存在下，在60～100°C下反應1～4小時之條件為佳。 第2基材形成用組合物中的成分(a1)之含量，相對於第2基材形成用組成物的總量(100質量%)，良好為10～70質量%，較佳為20～60質量%，更佳為25～55質量%、又更佳為30～50質量%。
(具有環形成原子數6～20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)) 成分(a2)係具有環形成原子數6～20的脂環基或雜環基之聚合性化合物，以具有至少一個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳。藉由使用該成分(a2)，能夠提升所得到的第2基材形成用組合物的成膜性。
成分(a2)具有之脂環基或雜環基的環形成原子數，良好為6～20，較佳為6～18，更佳為6～16，特佳為7～12。作為形成該雜環基的環結構之原子，例如可舉出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。 又，環形成原子數表示原子環狀地鍵結而成的構造之化合物之構成該環本身的原子數目，環形成原子數不含不是構成環的原子(例如鍵結在構成環的原子之氫原子)、該環為經取代基取代時之取代基所含有的原子等。
作為具體的成分(a2)，例如可舉出(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等的含脂環基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎啉酯等的含雜環基的(甲基)丙烯酸酯等。 又，成分(a2)可單獨或者亦可組合2種以上而使用。 該等之中，以含脂環基的(甲基)丙烯酸酯為佳，以(甲基)丙烯酸異莰酯為較佳。
第2基材形成用組合物中的成分(a2)的含量，相對於第2基材形成用組合物的總量(100質量%)，良好為10～70質量%，較佳為20～60質量%，更佳為25～55質量%，特佳為30～50質量%。
(具有官能基的聚合性化合物(a3)) 成分(a3)含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之聚合性化合物，而且以具有至少一個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳。 成分(a3)與成分(a1)的相溶性良好，容易將第2基材形成用組合物的黏度調整在適當的範圍。又，含有成分(a3)時，容易使由該組合物所形成之第2基材的彈性模數、tanδ之值等成為上述範圍，即便第2基材較薄，緩衝性能亦良好。 作為成分(a3)，例如可舉出含羥基的(甲基)丙烯酸酯、含環氧基的化合物、含醯胺基的化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
作為含羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等。 作為含環氧基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等，該等之中，係以(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯等含環氧基的(甲基)丙烯酸酯為佳。 作為含醯胺基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等。 作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出含第1級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含第2級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含第3級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
該等之中，以含羥基的(甲基)丙烯酸酯為佳，以(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等具有芳香環之含羥基的(甲基)丙烯酸酯為較佳。 又，成分(a3)可單獨或者亦可組合2種以上而使用。
為了容易使第2基材的彈性模數及應力緩和率成為上述的範圍，且提昇第2基材形成用組合物的成膜性，第2基材形成用組合物中的成分(a3)之含量，相對於第2基材形成用組合物的總量(100質量%)，良好為5～40質量%，較佳為7～35質量%，更佳為10～30質量%，特佳為13～25質量%。 又，第2基材形成用組合物中的成分(a2)與成分(a3)的含量比[(a2)/(a3)]，良好為0.5～3.0，較佳為1.0～3.0，更佳為1.3～3.0，特佳為1.5～2.8。
(成分(a1)～(a3)以外的聚合性化合物) 第2基材形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有上述的成分(a1)～(a3)以外的其它聚合性化合物。 作為其它聚合性化合物，例如可舉出具有碳數1～20的烷基之(甲基)丙烯酸烷酯；苯乙烯、羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯系化合物等。又，該等其它聚合性化合物可單獨或者亦可組合2種以上而使用。
第2基材形成用組合物中的其它聚合性化合物之含量，良好為0～20質量%，較佳為0～10質量%，更佳為0～5質量%，特佳為0～2質量%。
(光聚合起始劑) 形成第2基材時，藉由光照射縮短聚合時間，而且從降低光照射量之觀點而言，第2基材形成用組合物以進一步含有光聚合起始劑為佳。 作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、9-氧硫𠮿
Figure 02_image001
(thioxanthone)化合物、過氧化化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。 該等光聚合起始劑能夠單獨或組合2種以上而使用。 第2基材形成用組合物中的光聚合起始劑含量，相對於能量線聚合性化合物的總量100質量份，良好為0.05～15質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.3～5質量份。
(其它添加劑) 第2基材形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑。作為其它添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，相對於能量線聚合性化合物的總量100質量份，第2基材形成用組合物中的各添加劑含量良好為0.01～6質量份，較佳為0.1～3質量份。
(樹脂成分) 第2基材形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有樹脂成分。作為樹脂成分，例如可舉出多烯・硫醇系樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴系樹脂、及苯乙烯系共聚物等的熱可塑性樹脂等。 第2基材形成用組合物中的該等樹脂成分含量，良好為0～20質量%，較佳為0～10質量%，更佳為0～5質量%，特佳為0～2質量%。 (基材的調製) 本發明的黏著膠帶的基材之非限定的一例，係上述第1基材與第2基材的積層體。作為製造方法，沒有特別限制，能夠使用習知的方法而製造。 舉例來說，能夠藉由將第2基材形成用組合物塗佈在剝離片上且硬化而設置的第2基材、與第1基材直接貼合且除去剝離片，而得到積層基材。 作為在剝離片上形成第2基材之方法，能夠藉由使用習知的塗佈方法將第2基材形成用組合物直接塗佈在剝離片上而形成塗佈膜，且對該塗佈膜照射能量線，而形成第2基材。又，亦可藉由將第2基材形成用組合物直接塗佈在第1基材的一面，且加熱乾燥或對塗佈膜照射能量線，來形成第2基材。
作為第2基材形成用組合物的塗佈方法，例如可舉出旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。又，為了提升塗佈性，亦可在第2基材形成用組合物調配有機溶劑，以溶液形態的方式塗佈在剝離片上。
當第2基材形成用組合物含有能量線聚合性化合物時，以對第2基材形成用組合物的塗佈膜照射能量線，使其硬化來形成第2基材為佳。第2基材的硬化可進行一次硬化處理，亦可分成複數次而進行。舉例來說，可使剝離片上的塗佈膜完全硬化而形成第2基材之後，貼合在第1基材，亦可不使該塗佈膜完全硬化而形成半硬化狀態的第2基材形成膜，而且將該第2基材形成膜貼合在第1基材之後，再次照射能量線使其完全硬化而形成第2基材。作為在該硬化處理照射之能量線，以紫外線為佳。又，硬化時，亦可為在暴露第2基材形成用組合物的塗佈膜的狀態下，但以使用剝離片、第1基材等覆蓋塗佈膜且在不暴露塗佈膜的狀態下照射能量線而進行硬化為佳。
而且，基材亦能夠將第2基材貼合在第1基材的一面或兩面而得到。又，除了前述第1基材及第2基材以外，只要滿足預定60°C TMA值，本發明的基材亦可具有其它構成層。
基材的總厚係上述第1基材、第2基材及亦可依照需要而使用的其它構成層之總厚度，較佳為23～150μm，更佳為30～140μm。 本發明的基材的一個例子之上述積層基材係第1基材與第2基材的積層體，其物性能夠藉由第1基材、第2基材的材質、厚度等來控制。因此，為了得到所需要的特性之基材，遵循下述的指針來謀求第1基材、第2基材各自特性之平衡為重要的。
基材的60°C TMA值、尺寸變化率、彈性模數變化率能夠藉由適當地選擇構成基材之薄膜而控制。舉例來說，作為構成薄膜，能夠藉由具有較高的Tg之薄膜、基材製膜時進行退火處理等而降低該等之值。又，在基材為第1基材與第2基材之積層基材的情況下，亦同樣能夠藉由使用高Tg的薄膜、經退火處理等的薄膜而構成第1基材或第2基材或該兩者，而能夠將60°C TMA值、尺寸變化率、彈性模數變化率控制在較低的範圍。而且，積層基材時，藉由使高Tg的薄膜、經退火處理等的薄膜的相對的厚度增厚，而能夠將60°C TMA值、尺寸變化率、彈性模數變化率控制在較低的範圍。又，使用其它構成層時，使用剛性較高的薄膜時，能夠將60°C TMA值、尺寸變化率、彈性模數變化率控制在較低的範圍。
[黏著劑層] 黏著劑只要在常溫具有適當的感壓接著性，就沒有特別限定，在23°C之儲存彈性模數以0.05～0.50MPa之物為佳。半導體晶圓表面形成有電路等且通常具有凹凸。黏著膠帶藉由儲存彈性模數為上述範圍內，被貼附在具有凹凸之晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸，且使黏著劑層的接著性適當地發揮。因此，黏著膠帶能夠確實地進行固定在半導體晶圓且在背面磨削時適當地保護晶圓表面。從該等的觀點而言，黏著劑的儲存彈性模數以0.10～0.35MPa為較佳。又，黏著劑的儲存彈性模數意味著在黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成的情況下，藉由照射能量線而得到的硬化面之儲存彈性模數。
黏著劑層的厚度(D3)以小於200μm為佳，以5～55μm為較佳，以10～50μm為更佳。將黏著劑層如此地薄化時，因為可以降低黏著膠帶中低剛性部分的比例，所以容易進一步防止在背面磨削時產生的半導體晶片缺損。
黏著劑層例如由丙烯酸系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等所形成，以丙烯酸系黏著劑為佳。 又，黏著劑層以由能量線硬化性黏著劑所形成為佳。藉由以能量線硬化性黏著劑形成黏著劑層，在藉由能量線照射而硬化前，將在23°C之彈性模數設定在上述範圍之同時，在硬化後能夠容易地將剝離力設定在1000mN/50mm以下。
以下，詳述黏著劑的具體例，但是該等為非限定的例示，在本發明之黏著劑層不應被解釋為限定於此。 作為能量線硬化性黏著劑，例如除了非能量線硬化性黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)以外，亦能夠使用含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「X型的黏著劑組合物」)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用含有將不飽和基導入非能量線硬化性黏著性樹脂的側鏈而成之能量線硬化性黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分，且不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之黏著劑組合物(以下亦稱為「Y型的黏著劑組合物」)。
而且，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用X型與Y型的併用型，亦即除了能量線硬化性黏著性樹脂II以外，亦含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「XY型的黏著劑組合物」)。 該等之中，以使用XY型的黏著劑組合物為佳。藉由使用XY型之物，在硬化前具有充分的黏著特性，另一方面，在硬化後亦能夠充分降低對半導體晶圓之剝離力。
但是作為黏著劑，亦可由照射能量性仍不硬化的非能量線硬化性黏著劑組合物所形成。非能量線硬化性黏著劑組合物含有至少非能量線硬化性的黏著性樹脂I，另一方面，不含上述能量線硬化性的黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物之物。
又，在以下的說明中，使用「黏著性樹脂」作為指上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II的一者或兩者之用語。作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，以丙烯酸系樹脂為佳。 以下，作為黏著性樹脂，更詳述地說明使用丙烯酸系樹脂之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系樹脂能夠使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)係將至少含有(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得到之物，且含有源自(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元。作為(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出烷基的碳數為1～20之物，烷基可為直鏈亦可為支鏈。作為(甲基)丙烯酸烷酯的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上而使用。
又，從提升黏著劑層的黏著力之觀點而言，丙烯酸系聚合物(b)以含有源自烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元為佳。作為該(甲基)丙烯酸烷酯的碳數，較佳為4～12，更佳為4～6。又，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，以丙烯酸烷酯為佳。
在丙烯酸系聚合物(b)中，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量(以下亦簡稱為「單體總量」)，良好為40～98質量%，較佳為45～95質量%，更佳為50～90質量%。
丙烯酸系聚合物(b)，除了源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，為了調整黏著劑層的彈性模數、黏著特性等，以含有源自烷基的碳數為1～3之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之共聚物為佳。又，該(甲基)丙烯酸烷酯以碳數1或2的(甲基)丙烯酸烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸甲酯為較佳，以甲基丙烯酸甲酯為最佳。在丙烯酸系聚合物(b)中，烷基的碳數為1～3之(甲基)丙烯酸烷酯，相對於單體總量，良好為1～30質量%，較佳為3～26質量%，更佳為6～22質量%。
丙烯酸系聚合物(b)除了源自上述(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，以具有源自含官能基的單體的結構單元為佳。作為含官能基的單體的官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。含官能基的單體能夠與後述的交聯劑反應且成為交聯起點、或與含不飽和基的化合物反應而將不飽和基導入丙烯酸系聚合物(b)的側鏈。
作為含官能基的單體，可舉出含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體、含環氧基的單體等。該等單體可單獨或組合2種以上而使用。該等之中，以含羥基的單體、含羧基的單體為佳，以含羥基的單體為較佳。
作為含羥基的單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙基醇類等的不飽和醇類等。
作為含羧基的單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；反丁烯二酸、伊康酸、順丁烯二酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
官能基單體相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量，良好為1～35質量%，較佳為3～32質量%，更佳為6～30質量%。 又，丙烯酸系聚合物(b)除了上述以外，亦可含有源自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等能夠與上述丙烯酸系單體共聚合的單體之結構單元。
上述丙烯酸系聚合物(b)能夠使用作為非能量線硬化性黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)。又，作為能量線硬化性丙烯酸系樹脂，可舉出使具有光聚合性不飽和基的化合物(亦稱為含不飽和基的化合物)對上述丙烯酸系聚合物(b)的官能基進行反應而成之物。
含不飽和基的化合物具有能夠與丙烯酸系聚合物(b)的官能基鍵結的取代基、及光聚合性不飽和基兩者之化合物。作為光聚合性不飽和基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。 又，作為含不飽和基的化合物所具有之能夠與官能基鍵結的取代基，可舉出異氰酸酯基、環氧丙基等。因而，作為含不飽和基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
又，含不飽和基的化合物以對丙烯酸系聚合物(b)的官能基的一部分進行反應為佳，具體而言，以使含不飽和基的化合物對丙烯酸系聚合物(b)所具有的官能基的50～98莫耳%進行反應為佳，以對55～93莫耳%進行反應為較佳。如此，藉由在能量線硬化性丙烯酸系樹脂中，官能基的一部分不與含不飽和基的化合物反應而殘留，容易藉由交聯劑而交聯。 而且丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)良好為30萬～160萬，較佳為40萬～140萬，更佳為50萬～120萬。
(能量線硬化性化合物) 作為在X型或XY型的黏著劑組合物所含有的能量線硬化性化合物，以在分子內具有不飽和基且能夠藉由能量線照射而聚合硬化的單體或寡聚物為佳。 作為此種能量線硬化性化合物，例如可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多元(甲基)丙烯酸酯單體、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物。
該等之中，從分子量較高、不容易降低黏著劑層的彈性模數之觀點而言，以胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物為佳。 能量線硬化性化合物的分子量(寡聚物時為重量平均分子量)良好為100～12000，較佳為200～10000，更佳為400～8000，特佳為600～6000。
在X型的黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，良好為40～200質量份，較佳為50～150質量份，更佳為60～90質量份。 另一方面，在XY型的黏著劑組合物中之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，良好為1～30質量份，較佳為2～20質量份，更佳為3～15質量份。在XY型的黏著劑組合物中，因為黏著性樹脂為能量線硬化性，即便能量線硬化性化合物的含量較少，能量線照射後亦能夠充分降低剝離力。
(交聯劑) 黏著劑組合物以進一步含有交聯劑為佳。交聯劑係例如對源自黏著性樹脂所具有的官能基單體之官能基進行反應而將黏著性樹脂之間交聯之物。作為交聯劑，例如可舉出甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等、及該等的加成物等的異氰酸酯系交聯劑；乙二醇環氧丙基醚、1,3-雙(N,N’-二環氧丙基胺甲基)環己烷等的環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-吖環丙烷基]三磷雜三嗪等的吖環丙烷系交聯劑；鋁鉗合物等的鉗合物系交聯劑等。該等交聯劑可單獨或者亦可組合2種以上而使用。
該等之中，從提高凝聚力而提升黏著力之觀點、及取得容易性等的觀點而言，以異氰酸酯系交聯劑為佳。 從促進交聯反應的觀點而言，交聯劑的調配量相對於黏著性樹脂100質量份，良好為0.01～10質量份，較佳為0.03～7質量份，更佳為0.05～4質量份。
(光聚合起始劑) 又，當黏著劑組合物為能量線硬化性時，黏著劑組合物以進一步含有光聚合起始劑為佳。藉由含有光聚合起始劑，即便是紫外線等較低能量的能量線，亦能夠使黏著劑組合物的硬化反應充分地進行。
作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、9-氧硫𠮿
Figure 02_image001
化合物、過氧化物化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
該等光聚合起始劑可單獨亦可組合2種以上而使用。 相對於黏著性樹脂100質量份，光聚合起始劑的調配量良好為0.01～10質量份，較佳為0.03～5質量份，更佳為0.05～5質量份。
(其它添加劑) 黏著劑組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑。作為其它添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、黏著賦予劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，添加劑的調配量相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01～6質量份。
又，從提升對基材、剝離片等的塗佈性之觀點而言，黏著劑組合物亦可進一步使用有機溶劑稀釋而成的黏著劑組合物的溶液形態。 作為有機溶劑，例如可舉出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二㗁烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、異丙醇等。 又，該等有機溶劑亦可直接使用黏著性樹脂的合成時所使用的有機溶劑，而且亦能夠以能夠均勻地塗佈該黏著劑組合物的溶液之方式，添加合成時所使用的有機溶劑以外之1種以上的有機溶劑。
[剝離片] 亦可將剝離片貼附在黏著膠帶表面。具體而言，將剝離片貼附在黏著膠帶的黏著劑層表面。藉由將剝離片貼附在黏著劑層表面，而在輸送時、保管時保護黏著劑層。剝離片係能夠剝離地被貼附在黏著膠帶，且在使用黏著膠帶之前(亦即晶圓背面磨削前)從黏著膠帶剝離除去。 剝離片能夠使用至少一面經剝離處理之剝離片，具體而言，可舉出將剝離劑塗佈在剝離片用基材表面上而成之物等。
作為剝離片用基材，以樹脂膜為佳，作為構成該樹脂膜之樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等的聚酯樹脂膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等的聚烯烴樹脂等。作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離片的厚度沒有特別限制，良好為10～200μm，較佳為20～150μm。
(黏著膠帶的製造方法) 作為本發明的黏著膠帶的製造方法，沒有特別限制，能夠使用習知的方法而製造。 舉例來說，能夠將設置在剝離片上之黏著劑層貼合在基材的一面，來製造在黏著劑層表面貼附有剝離片之黏著膠帶。被貼附在黏著劑層表面之剝離片，在使用黏著膠帶前適當地剝離而除去即可。 作為將黏著劑層形成在剝離片上之方法，能夠使用習知的塗佈方法將黏著劑組合物直接塗佈在剝離片上，藉由加熱乾燥以使溶劑從塗佈膜揮發而形成黏著劑層。
又，亦可將黏著劑(黏著劑組合物)直接塗佈在基材的一面而形成黏著劑層。作為黏著劑的塗佈方法，可舉出在第2基材的製造方法列示之旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。
黏著劑層可設置在構成基材之第1基材表面，亦可設置在第2基材表面，基材係由2層所構成之積層體時，以設置在第1基材表面為佳。將黏著劑層設置在第1基材表面時，第2基材側被配置在背面磨削時使用的吸附機台上。因為第2基材較軟質，所以能夠容易密著在吸附機台且防止黏著膠帶卷曲。
[半導體裝置的製造方法] 本發明的黏著膠帶，特別適合用於在預切割法中貼附在半導體晶圓表面而進行晶圓的背面磨削時。作為黏著膠帶之非限定性的使用例，在以下更具體地說明半導體裝置的製造方法。
具體而言，半導體裝置的製造方法至少具備以下的步驟1～步驟4。 步驟1：從半導體晶圓的表面側形成溝槽之步驟； 步驟2：將上述的黏著膠帶貼附在半導體晶圓表面之步驟； 步驟3：將表面貼附有黏著膠帶且形成有上述溝槽之半導體晶圓，從背面側進行磨削且除去溝槽的底部而單片化成為複數個晶片之步驟；及 步驟4：將黏著膠帶從經單片化的半導體晶圓(亦即複數個半導體晶片)剝離之步驟。
以下，詳細地說明上述半導體裝置的製造方法的各步驟。 (步驟1) 在步驟1，從半導體晶圓表面側形成溝槽。 在本步驟所形成的溝槽係深度比半導體晶圓的厚度更淺的溝槽。溝槽的形成能夠使用先前習知的晶圓切割裝置等且藉由切割而進行。又，在後述之步驟3中，藉由除去溝槽的底部，沿著溝槽將半導體晶圓分割成為複數個半導體晶片。 (步驟2) 在步驟2，將本發明的黏著膠帶透過黏著劑層而貼附在形成有溝槽之半導體晶圓表面。
在本製造方法所使用的半導體晶圓可為矽晶圓，而且亦可為鎵‧砷等的晶圓、玻璃晶圓、藍寶石晶圓等。半導體晶圓之磨削前的厚度沒有特別限定，通常為500～1000μm左右。又，半導體晶圓通常在其表面形成有電路。在晶圓表面形成電路能夠使用包含蝕刻法、剝離法、刮刀法等先前被泛用的方法之各式各樣的方法來進行。
貼附有黏著膠帶且形成有溝槽之半導體晶圓被載置在吸附機台上且被吸附機台吸附而保持。此時，半導體晶圓係表面側被配置在機台側且被吸附。
(步驟3) 在步驟1及步驟2之後，將吸附機台上的半導體晶圓背面進行磨削，且將半導體晶圓單片化成為複數個半導體晶片。 在此，在半導體晶圓形成有溝槽時，進行背面磨削以將半導體晶圓薄化到至少溝槽的底部之位置為止。藉由該背面磨削，溝槽成為貫穿晶圓之切口，而且藉由切口分割半導體晶圓且單片化成為各個半導體晶片。
經單片化的半導體晶片之形狀可為方形，亦可為矩形等的細長形狀。又，經單片化的半導體晶片之厚度沒有特別限定，良好為5～100μm左右，較佳為10～45μm。又，經單片化的半導體晶片之大小沒有特別限定，晶片尺寸良好為小於50mm2 ，較佳為小於30mm2 ，更佳為小於10mm2 。
使用本發明的黏著膠帶時，即便是如此薄型及/或小型的半導體晶片，在背面磨削時(步驟3)、及黏著膠帶剝離時(步驟4)，亦能夠防止半導體晶片產生缺損。 背面磨削結束後，以在晶片的拾取之前進行乾式研磨為佳。
因為在背面磨削中，在晶片背面殘留磨削痕跡，而且在晶片的端部產生微小缺損(破片)，成為損害晶片的抗彎強度之主要原因。晶片的薄型化‧小型化之結果，晶片容易損壞且抗彎強度低落被視為問題。為了除去如上述的磨削痕跡、晶片的微小缺損(損傷部)等，在背面磨削後，進一步以在最後藉由不使用水的乾式研磨除去損傷部且提升晶片的抗彎強度為佳。因為乾式研磨時不使用水，所以晶片變熱。晶片的熱傳送至黏著膠帶。該結果，在乾式研磨時，基材的溫度成為60°C以上，而且有黏著膠帶的端部產生卷曲且晶片剝離之情形。但是藉由使用本發明的黏著膠帶，能夠抑制黏著膠帶的變形，且能夠減少晶片的剝離。因而，本發明的黏著膠帶特別適合用於在包含乾式研磨步驟之預切割法中保持半導體晶圓、晶片等。
(步驟4) 其次，將半導體加工用黏著膠帶從經單片化的半導體晶圓(亦即複數個半導體晶片)剝離。本步驟例如使用以下的方法而進行。 首先，當黏著膠帶的黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成時，照射能量線使黏著劑層硬化。其次，將拾取膠帶貼附在經單片化的半導體晶圓的背面側，且以能夠拾取的方式進行位置及方向對準。此時，亦將配置在晶圓的外周側之環狀框貼合在拾取膠帶，且將拾取膠帶的外周緣部固定在環狀框。拾取膠帶可同時貼合在晶圓及環狀框，亦可採用各別的時序來貼合。其次，從固定在拾取膠帶上之複數個半導體晶片剝離黏著膠帶。
隨後，拾取在拾取膠帶上之複數個半導體晶片且將半導體晶片固定化在基板等之上而製造半導體裝置。 又，拾取膠帶沒有特別限定，例如能夠由具備基材、及設在基材的一面的黏著劑層之黏著片所構成。
又，亦能夠使用接著膠帶代替拾取膠帶。接著膠帶可舉出薄膜狀接著劑與剝離片之積層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑之積層體、由具有切割膠帶與晶粒接合膠帶兩者的功能之接著劑層及剝離片所構成之切割‧晶粒接合膠帶等。又，在貼附拾取膠帶之前，亦可將薄膜狀接著劑貼合在經單片化的半導體晶圓的背面側。使用薄膜狀接著劑時，薄膜狀接著劑亦可與晶圓相同形狀。
在使用接著膠帶時、在貼附拾取膠帶之前等等，將薄膜狀接著劑貼合在經單片化的半導體晶圓的背面側時，一起拾取在接著膠帶、拾取膠帶上等之複數個半導體晶片與被分割成為和半導體晶片同形狀的接著劑層。然後，透過接著劑層將半導體晶片固定在基板等之上來製造半導體裝置。能夠使用雷射和擴片等來進行接著劑層的分割。
以上，針對本發明的黏著膠帶，主要是說明使用預切割法將半導體晶圓進行單片化之方法所使用的例子，但是本發明的黏著膠帶亦能夠使用在一般的背面磨削，而且亦能夠使用於在玻璃、陶瓷等的加工時用以暫時性地固定被加工物。又，亦能夠使用作為各種的再剝離黏著膠帶。 實施例
以下，基於實施例而更詳細地說明本發明，但本發明不限於該等例。
在本發明之測定方法、評價方法如下。 [TMA值] 準備由與構成基材的薄膜或薄片相同材質所形成之15mm(寬度)×10mm(長度)的測定用薄膜。使用BRUKER公司製4000SA，在荷重2g、升溫速度5°C/分的條件下測量該測定用薄膜的伸長或縮短(TMA值)，將在60°C之值設為60°C TMA值。針對上述以外的測定條件，依據測定裝置的操作手冊而設定。針對10個試樣進行測定且算出所得到的TMA值之平均值。 [尺寸變化率] 準備由與構成基材的薄膜或薄片相同材質所形成之10cm×10cm的測定用薄膜。測定用薄膜的尺寸係在23°C的測定值。將測定用試樣在加熱機台於60°C靜置3分鐘。隨後，冷卻至室溫(23°C)為止後，從加熱前在23°C之一邊的長度(10cm：L0 )、及加熱後在23°C之相同邊的長度(L1 )依照以下的式獲得尺寸變化率。針對10個試樣進行測定且算出所得到的尺寸變化率的平均值。又，測定值使用MD方向的測定值。 尺寸變化率(%)=100×(L0 －L1 )/L0
[拉伸彈性模數] 準備由與構成基材的薄膜或薄片相同材質所形成之15mm(寬度)×10mm(長度)的測定用薄膜。使用動態黏彈性裝置(ORIENTEC公司製、商品名「Rheovibron DDV-II-EP1」)且在頻率11Hz、溫度範圍-20～150°C的條件下，針對測定用薄膜的拉伸彈性模數測量10個試樣。將在23℃之拉伸彈性模數的平均值設為E23 ，將在60°C之拉伸彈性模數的平均值設為E60 ，來獲得從23°C至60°C為止之拉伸彈性模數的變化率E(23-60) (%)。
[第1基材的楊式模數] 在試驗速度200mm/分的條件下，依據JISK-7127(1999)測量第1基材的楊式模數。
[第2基材的彈性模數、及tanδ的最大值] 除了使用剝離片(LINTEC股份公司製、商品名「SP-PET381031」、厚度：38μm)代替第1基材，且將所得到的第2基材之厚度設為200μm以外，使用與後述實施例、比較例的第2基材同樣的方法來製造試驗用第2基材。在除去試驗用第2基材上的剝離片之後，使用經切斷成為預定大小之試片，且藉由動態黏彈性裝置(ORIENTEC公司製、商品名「Rheovibron DDV-II-EP1」)，在頻率11Hz、溫度範圍-20～150°C的條件下測量損失彈性模數及儲存彈性模數。將各溫度的「損失彈性模數/儲存彈性模數」之值以該溫度的tanδ之方式算出，將在-5～120°C的範圍之tanδ的最大值設為「第2基材的tanδ之最大值」。
[第2基材的應力緩和率] 與上述同樣地將試驗用第2基材製作在剝離片上且切割成15mm×140mm以形成試樣。使用萬能拉伸試驗機(SHIMADZU公司製AUTOGRAPH AG-10kNIS)，且抓住該試樣的兩端20mm，以每分鐘200mm的速度進行拉伸來測量10%拉伸時的應力A(N/m2 )、及膠帶的拉伸停止起算1分鐘後的應力B(N/m2 )。從該等應力A、B之值算出(A－B)/A×100(%)作為應力緩和率。
[剝離評價] 將實施例、比較例所得到之附剝離片的黏著膠帶，在剝下剝離片的同時安裝在膠帶貼合機(LINTEC股份公司製、商品名「RAD-3510」)，在以下的條件下貼附在藉由預切割法在晶圓表面形成有溝槽之12英吋的矽晶圓(厚度760μm)。 輥筒高度：0mm 輥筒溫度：23°C(室溫) 機台溫度：23°C(室溫) 所得到之附黏著膠帶的矽晶圓使用背面磨削(預切割法)而單片化成為厚度30μm、晶片尺寸1mm四方。 在背面磨削結束後，將磨削面使用DISCO公司製DPG8760進行研磨。研磨輪使用DISCO公司製「Gettering DP」。藉由該研磨除去晶片的損傷部(磨削痕跡、破片)。 乾式研磨結束後，確認黏著膠帶的端部有無變形及被保持在黏著膠帶端部之晶片數。黏著膠帶端部的變形係依照黏著膠帶與吸附機台之間隔而進行評價，在黏著膠帶與吸附機台之間存在具有間隔之處時評定為不良。而且觀察在被保持在黏著膠帶上之晶片群，能夠確認已剝離的晶片時評定為不良。
又，以下的實施例、及比較例之質量份全部為固體成分值。
[實施例1] (1)第1基材 準備作為第1基材之厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜(楊式模數：2500MPa)。
(2)第2基材 (胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物的合成) 在使聚酯二醇、與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物，使丙烯酸2-羥基乙酯對其反應而得到質量平均分子量(Mw)5000之2官能的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)。
(第2基材形成用組合物的調製) 調配上述合成的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)40質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)40質量份、及丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)20質量份，而且調配作為光聚合起始劑之一羥基環己基苯基酮(BASF公司製、製品名「IRGACURE 184」) 2.0質量份、及酞青系顏料0.2質量份來調製第2基材形成用組合物。
(3)積層基材 將上述得到的第2基材形成用組合物塗佈在第1基材的一面，而且藉由在照度160mW/cm2 、照射量500mJ/cm2 的條件下進行紫外線照射使第2基材形成用組合物硬化，而得到在第1基材上具有厚度30μm的第2基材之積層基材。
(4)黏著劑組合物的調製 在將丙烯酸丁酯(BA)65質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)15質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b)，以附加在丙烯酸系聚合物(b)的總羥基之中80莫耳%的羥基之方式，使2-甲基丙醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，添加能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯(商品名：SHIKOH UT-4332、日本合成化學工業股份公司製)6重量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH股份公司製、商品名：CORONATE L)採用固體成分基準為0.375質量份、由雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦所構成的光聚合起始劑1重量份，藉由使用溶劑進行稀釋來調製黏著劑組合物的塗佈液。
(5)黏著膠帶的製造 將上述所得到的黏著劑組合物的塗佈液，以乾燥後成為厚度為20μm之方式塗佈在剝離片(LINTEC股份公司製、商品名：SP-PET381031)的剝離處理面，且使其加熱乾燥而將黏著劑層形成在剝離片上。將該黏著劑層貼附在積層基材的第1基材表面而得到附剝離片的黏著膠帶。 又，黏著劑層在23°C之儲存彈性模數為0.15MPa。又，第2基材在23°C之儲存彈性模數為250MPa，應力緩和率為90%，tanδ的最大值為1.24。
[實施例2] 除了使用低密度聚乙烯27.5μm/聚乙烯對苯二甲酸酯25μm/低密度聚乙烯27.5μm的複合薄膜(厚度80μm)代替積層基材作為基材以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著膠帶。
[比較例1] 除了使用市售的聚氯乙烯膜(厚度80μm)代替積層基材作為基材以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著膠帶。
[比較例2] 除了使用乙烯/甲基丙烯酸共聚物膜(厚度80μm)之NEWCREL(註冊商標：三井DUPONT FLUOROCHEMICALS)代替積層基材作為基材以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著膠帶。
進行實施例及比較例所使用的基材之特性評價，而且使用各自的黏著膠帶而進行剝離評價。結果顯示在表1。
[表1]
Figure 108109273-A0304-0001
由以上的結果可得知60°C TMA值的絕對值為30μm以下時，即便進行乾式研磨，黏著膠帶亦不變形且能夠良好地保持晶片。而且，藉由使用在實施例、比較例詳細記載的黏著膠帶、以及各種黏著膠帶之試驗，能夠確認60°C TMA值的絕對值為30μm以下時，可得到良好的結果。同樣地，針對60°C3分鐘的尺寸變化率之絕對值、彈性模數變化率E(23-60) (%)，藉由使用各種黏著膠帶之試驗，能夠確認分別在0.8%以下、30%以下時，可得到良好的結果。
無。
無。

Claims (7)

  1. 一種黏著膠帶，係包含基材、及設置在前述基材的一面的黏著劑層之黏著膠帶， 前述基材的60°C TMA值之絕對值為30μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膠帶，其中將前述基材在60°C保持3分鐘之後，尺寸變化率的絕對值為0.8%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著膠帶，其中從前述基材在23°C之拉伸彈性模數(E23 )與在60°C之拉伸彈性模數(E60 )獲得之彈性模數變化率E(23-60) 為30%以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之黏著膠帶，其中在半導體晶圓表面形成有溝槽之半導體晶圓的背面進行磨削且藉由該磨削將半導體晶圓單片化成為半導體晶片之步驟中，被用於貼附在半導體晶圓的表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之黏著膠帶，其中包含將前述半導體晶圓單片化成為半導體晶片之後，進行乾式研磨之步驟。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟： 從半導體晶圓的表面側形成溝槽之步驟； 將如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之黏著膠帶貼附在前述半導體晶圓表面之步驟； 將表面貼附有前述黏著膠帶且形成有前述溝槽之半導體晶圓，從背面側進行磨削且除去前述溝槽的底部而單片化成為複數個晶片之步驟；及 將黏著膠帶從前述複數個晶片剝離之步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其中包含將前述半導體晶圓單片化成為半導體晶片之後，進行乾式研磨之步驟。
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