JPWO2019176596A1 - 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法 - Google Patents

半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法 Download PDF

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    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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Abstract

支持フィルムと、支持フィルムの片面又は両面上に設けられ、樹脂とシランカップリング剤とを含有する接着層と、を備える半導体封止成形用仮保護フィルムが開示される。半導体封止成形用仮保護フィルムにおいて、シランカップリング剤の含有量が、樹脂全量に対して、５質量％超３５質量％以下であってよい。

Description

本発明は、半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法に関する。
従来、ダイパッド上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造の半導体パッケージが用いられてきた。しかし、近年の半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求の高まりに伴い、様々な構造の半導体パッケージが提案されている。その中には、例えば、ＬＯＣ（ｌｅａｄｏｎ ｃｈｉｐ）、ＣＯＬ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｌｅａｄ）構造等があるが、小面積化、薄型化の点では限界がある。
これらの課題を解決するために、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されてきた（特許文献１及び２）。この構造のパッケージはリードフレームが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる。このパッケージ構造の半導体装置を製造する方法の一つとして、次に示す工程からなる製造方法がある。
（１）ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面（裏面）上に半導体封止成形用仮保護フィルムを貼り付ける工程、
（２）ダイパッドの仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載（接着）する工程、
（３）半導体素子とインナーリードとを接続するワイヤを設ける工程、
（４）半導体素子及びワイヤを封止する封止層を形成して、リードフレーム、半導体素子及び封止層を有する封止成形体を得る工程、
（５）封止成形体から仮保護フィルムを剥離する工程。
この方法による半導体パッケージの製造において、封止成形時にリードフレーム裏面に封止樹脂がまわりこむ等の不具合が起きる場合がある。このような不具合を防ぐ方法として、リードフレーム裏面に半導体用接着フィルムとして仮保護フィルムを貼り付けて、リードフレーム裏面を保護し、リードフレーム表面側に搭載された半導体素子を封止成形した後に、仮保護フィルムを引き剥がす方法が知られている。
特開平５−１２９４７３号公報 特開平１０−１２７７３号公報
現在、半導体パッケージにおいて、アセンブリプロセス条件の高温化（Ｃｕワイヤボンディング、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等））が進んでいる。それに伴い、封止成形体から仮保護フィルムを剥離する工程で、仮保護フィルムとリードフレーム及び封止層とが強固に接着してしまい、仮保護フィルムが破断して剥離することができない場合があった。
そこで、本発明の目的は、リードフレーム及び封止層から、破断することなく、容易に剥離することができる半導体封止成形用仮保護フィルムを提供することにある。
本発明の一側面は、リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムであって、支持フィルムと、支持フィルムの片面又は両面上に設けられ、樹脂を含有する接着層と、を備える半導体封止成形用仮保護フィルムに関する。上記仮保護フィルムを、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームに、接着層がリードフレームに接するように貼り付けたときの接着層とリードフレームとの間の９０度ピール強度は、２５℃において５Ｎ／ｍ以上であってよい。上記仮保護フィルムを、リードフレームに、接着層がリードフレームに接するように貼り付け、ダイパッドの仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載し、続いて半導体素子、リードフレーム及び上記仮保護フィルムを加熱してから、接着層と接しながら半導体素子を封止する封止層を形成したときに、接着層とリードフレーム及び封止層との間の９０度ピール強度は、１８０℃において６００Ｎ／ｍ以下であってよい。
接着層がシランカップリング剤を更に含有し、シランカップリング剤の含有量が、樹脂全量に対して、５質量％超３５質量％以下であってよい。
本発明の一側面は、支持フィルムと、支持フィルムの片面又は両面上に設けられ、樹脂とシランカップリング剤とを含有する接着層と、を備える、半導体封止成形用仮保護フィルムに関する。シランカップリング剤の含有量は、樹脂全量に対して、５質量％超３５質量％以下であってよい。
シランカップリング剤は、下記式（Ｉ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、Ｘは、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、又は（ＩＩｅ）：
Figure 2019176596
 で表され、これら式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は水素原子を示し、＊は炭素原子との結合部位を示す。
接着層のガラス転移温度は、１００〜３００℃であってよい。
樹脂は、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂であってよい。
接着層の２００℃における弾性率は、１ＭＰａ以上であってよい。
支持フィルムの厚さに対する接着層の厚さの比は、０．５以下であってよい。接着層の厚さは、１〜２０μｍであってよい。
支持フィルムは、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるポリマーのフィルムであってよい。
支持フィルムのガラス転移温度は、２００℃以上であってよい。支持フィルムの厚さは、５〜１００μｍであってよい。
支持フィルムの２０〜２００℃における線膨張係数は、３．０×１０−５以下であってよい。
支持フィルムの２００℃で６０分間加熱されたときの収縮率は、０．１５％以下であってよい。
支持フィルムの片面上に接着層が設けられており、上記仮保護フィルムが、支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に設けられた非接着層を更に備えていてよい。
本発明の一側面は、巻芯と、巻き芯に巻き取られた上記仮保護フィルムとを備えるリール体に関する。
本発明の一側面は、上記リール体と、上記リール体を収容した包装袋と、を備える、包装体に関する。
本発明の一側面は、上記包装体と、上記包装体を収容した梱包箱と、備える、梱包物に関する。
本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、上記仮保護フィルムと、を備え、上記仮保護フィルムが、その接着層がリードフレームの片面に接するようにリードフレームに貼り付けられている、仮保護フィルム付きリードフレームに関する。
本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッドに搭載された半導体素子と、半導体素子とインナーリードとを接続するワイヤと、半導体素子及びワイヤを封止している封止層と、上記仮保護フィルムと、を備え、上記仮保護フィルムが、その接着層がリードフレームの半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている、仮保護フィルム付き封止成形体に関する。
本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、上記仮保護フィルムを、その接着層がリードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、ダイパッドの上記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子とインナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、半導体素子及びワイヤを封止する封止層を形成して、リードフレーム、半導体素子及び封止層を有する封止成形体を得る工程と、封止成形体から仮保護フィルムを剥離する工程と、をこの順に備える、半導体装置を製造する方法に関する。
リードフレームが複数のダイパッドを有し、複数のダイパッドの各々に半導体素子が搭載され、上記方法が、上記仮保護フィルムを封止成形体から剥離する前又は後に封止成形体を分割して、１個のダイパッド及び半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備えていてよい。
本発明によれば、リードフレーム及び封止層から、破断することなく、容易に剥離することができる半導体封止成形用仮保護フィルムを提供することが可能となる。
また、本発明の半導体封止成形用仮保護フィルムは、リードフレームに対する十分な接着層を有すると共に、カール、リードフレームのそり及び糊残りが抑制されるという、半導体封止用途に必要な諸特性を兼ね備えている。
仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の一実施形態を示す断面図である。 仮保護フィルム付きリードフレームの反りの測定点を示す図である。 リール体の一実施形態を示す斜視図である。 包装体の一実施形態を示す正面図である。 梱包物の一実施形態を示す正面図である。
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。実施例に記載される数値も、数値範囲の上限値又は下限値として用いることができる。
＜仮保護フィルム＞
図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示す仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１の片面上に設けられた接着層２と、から構成される。支持フィルム１の両面上に接着層が形成されていてもよい。図２も、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図２の仮保護フィルム１０’は、支持フィルム１と、支持フィルム１の一方の主面上に設けられた接着層２と、支持フィルム１の他方の主面上に設けられた、実質的に接着性を有しない樹脂層（非接着層３）とを有する。これらの仮保護フィルムは、リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、リードフレームを封止成形の間、仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。
仮保護フィルムを、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームに、接着層がリードフレームに接するように貼り付けたときの接着層とリードフレームとの間の９０度ピール強度（貼付後ピール強度）は、２５℃において５Ｎ／ｍ以上であってよく、５０Ｎ／ｍ以上であってよく、１００Ｎ／ｍ以上であってよく、１５０Ｎ／ｍ以上であってよい。貼付後ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、仮保護フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また、封止成形時に、リードフレームと接着層との間に封止樹脂が入り込む等の問題がある。貼付後ピール強度は、２０００Ｎ／ｍ以下であってよく、１５００Ｎ／ｍ以下であってよく、１０００Ｎ／ｍ以下であってよい。
貼付後ピール強度は、例えば、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して仮保護フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、又は毎分３００ｍｍの速さで仮保護フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスター産業株式会社製）で測定される。
貼付後ピール強度は、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）、接着温度、被接着材の材質、接着層の濡れ性などに依存しているため、仮保護フィルムにおいて、貼付後ピール強度を５Ｎ／ｍ以上にするには、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）、接着温度、リードフレームの材質、接着層の濡れ性などを考慮して最適条件を適宜選択する。これらのなかでも、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）及び貼り付け（接着）温度が当該ピール強度に与える影響が大きく、通常は、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）より０〜３０℃程度高い接着温度が採用されるが、リードフレームの材質又は接着層の濡れ性等も勘案して最適条件を決めてよい。
貼付後ピール強度を測定するために仮保護フィルムとリードフレームとを接着する条件としては特に制限はないが、後述する、リードフレームの製造方法における貼り付け（接着）条件で行ってよい。例えば、リードフレームとして、銅リードフレーム、パラジウムを被覆した銅リードフレーム又は４２アロイ製リードフレームを用い、（１）温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの接着条件で貼り付けることができる。
特に、封止工程を行う直前の接着層とリードフレームとの間の９０度ピール強度は、２５℃において５Ｎ／ｍ以上であってよく、１０Ｎ／ｍ以上であってよく、５０Ｎ／ｍ以上であってよい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にリードフレームと接着層との間に封止樹脂が入り込む等の問題が生じる。ここで、封止工程を行う直前とは、封止工程の前であり、かつ封止工程の前に行う全ての工程が終了したときを意味する。
仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた（接着した）後、封止工程を行う前に、仮保護フィルム付きリードフレームを加熱する加熱工程を行ってよい。これにより、接着層とリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。加熱工程における加熱温度は特に限定されないが、接着層とリードフレームとの接着強度を向上させるためには、１００℃以上であってよい。加熱温度は、リードフレーム及び仮保護フィルムの耐熱性の点から、４００℃以下であってよい。同様の理由で、加熱温度は、１３０℃以上３５０℃以下であってよい。加熱時間は特に限定されないが、接着層とリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上であってよい。同様の理由で加熱時間は１分以上２時間以内であってよい。
上記の加熱工程を、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程（半導体素子の接着工程）、リフロー接続工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行ってよい。例えば、上記したように、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
仮保護フィルムを、リードフレームに、接着層がリードフレームに接するように貼り付け、ダイパッドの仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載し、続いて半導体素子、リードフレーム及び仮保護フィルムを加熱してから、接着層と接しながら半導体素子を封止する封止層を形成したときに、接着層とリードフレーム及び封止層との間の９０度ピール強度（封止後ピール強度）は、１８０℃において６００Ｎ／ｍ以下であってよく、５００Ｎ／ｍ以下であってよく、４００Ｎ／ｍ以下であってよい。封止後ピール強度が６００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレーム及び封止層に応力が加わったときに、破損する場合がある。封止後ピール強度は０Ｎ／ｍ以上であってよく、３Ｎ／ｍ以上であってよく、５Ｎ／ｍ以上であってよい。ここで、半導体素子、リードフレーム及び仮保護フィルムを加熱する際の温度範囲は、２５０〜４００℃であってよい。リードフレーム及び仮保護フィルムを２５０〜４００℃の温度範囲で加熱する時間（加熱時間）は、１〜５分間であってよい。
封止後ピール強度は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレーム及び封止層に対して仮保護フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、１８０℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、又は毎分３００ｍｍの速さで仮保護フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧＳ−１０００Ｇ（株式会社島津製作所製）で測定される。
封止後ピール強度の測定は、封止成形後に行われる。封止成形の条件は、特に制限はないが、後述する半導体装置の製造方法における封止条件であってよい。例えば、封止材としてＧＥ−３００（日立化成株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させてよい。
＜接着層＞
接着層は、樹脂を含有する。接着層の形成に用いられる樹脂（以下、「樹脂（ａ）」ともいう。）は、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＮＲ２、ただしＲはそれぞれ−ＣＯ−である）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であってよい。樹脂（ａ）は、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であってよい。樹脂（ａ）の具体例としては、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミドが挙げられる。耐熱性及び接着性の点から、樹脂（ａ）は、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドからなる群より選択される少なくとも１種である。
樹脂（ａ）は、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体とを重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている通常の方法で行うことができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、通常の方法が用いられる。
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン；４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω−ジアミノアルカンを用いてよい。塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを４０〜１００モル％、又は５０〜９７モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及びα，ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種を０〜６０モル％、又は３〜５０モル％の量で用いてよい。塩基成分の具体例としては、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミン６０〜８９モル％、又は６８〜８２モル％と、シロキサンジアミン１〜１０モル％、又は３〜７モル％と、α，ω−ジアミノアルカン１０〜３０モル％、又は１５〜２５モル％と、からなる塩基成分、（２）エーテル基を有する芳香族ジアミン９０〜９９モル％、又は９３〜９７モル％と、シロキサンジアミン１〜１０モル％、又は３〜７モル％と、からなる塩基成分、（３）エーテル基を有する芳香族ジアミン４０〜７０モル％、又は４５〜６０モル％と、エーテル基を有しない芳香族ジアミン３０〜６０モル％、又は４０〜５５モル％と、からなる塩基成分が挙げられる。
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。中でも、上記塩基成分（１）又は（２）１モル当たり、上記酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５モル、又は０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド、及び、上記塩基成分（３）１モル当たり、上記酸成分（Ｂ）０．９５〜１．０５モル、又は０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドを用いてよい。
接着層は、シランカップリング剤を更に含有していてよい。シランカップリング剤は、例えば、下記式（Ｉ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。
Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数１〜３のアルコキシ基の例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数１〜６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数６〜１２のアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が挙げられる。
式（Ｉ）中、Ｘは、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、又は（ＩＩｅ）：
Figure 2019176596
 で表される基であってよい。これら式中、＊は炭素原子との結合部位を示す。
シランカップリング剤は、式（Ｉ）中のＸが式（ＩＩａ）で表される基である、下記式（ＩＩＩａ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。式（ＩＩＩａ）中、Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は水素原子を示す。Ｒ４としての炭素数１〜６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。Ｒ４としてのアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１２の１価のアリール基が挙げられる。
式（ＩＩＩａ）で表される化合物の例としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−エチルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−エチルアミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
シランカップリング剤は、式（Ｉ）中のＸが式（ＩＩｂ）で表される基である、下記式（ＩＩＩｂ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。式（ＩＩＩｂ）中、Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は水素原子を示す。Ｒ５としての炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数６〜１２のアリール基の例としては、式（ＩＩＩａ）のＲ４と同様のものが挙げられる。
式（ＩＩＩｂ）で表される化合物の例としては、例えば、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−メチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−メチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−エチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−エチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
シランカップリング剤は、式（Ｉ）中のＸが式（ＩＩｃ）で表される基である、下記式（ＩＩＩｃ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。
式（ＩＩＩｃ）で表される化合物の例としては、例えば、３−イソシアナトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナトプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
シランカップリング剤は、式（Ｉ）中のＸが式（ＩＩｄ）で表される基である、下記式（ＩＩＩｄ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。式（ＩＩＩｄ）中、Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は水素原子を示す。Ｒ６としての炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数６〜１２のアリール基の例としては、式（ＩＩＩａ）のＲ４と同様のものが挙げられる。
式（ＩＩＩｄ）で表される化合物の例としては、例えば、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルメチルジエトキシシラン、３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−メチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−エチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−プロピルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−ブチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−ヘキシルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−メチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−エチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−プロピルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−ブチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−ヘキシルウレイド）プロピルトリメトキシシランが挙げられる。
シランカップリング剤は、式（Ｉ）中のＸが式（ＩＩｅ）で表される基である、下記式（ＩＩＩｅ）：
Figure 2019176596
 で表される化合物であってよい。
式（ＩＩＩｅ）で表される化合物の例としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
シランカップリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
シランカップリング剤の含有量は、樹脂（ａ）全量に対して、１〜４０質量％であってよく、１〜３５質量％であってよく、２〜３５質量％であってよく、３〜３０質量％であってよく、５質量％超３５質量％以下であってよく、５質量％超３０質量％以下であってよく、５質量％超２０質量％以下であってよい。シランカップリング剤の含有量が１質量％以上である場合、封止した後に接着層とリードフレーム及び封止層との密着性が充分に低下し、室温（２５℃）で仮保護フィルムを剥離することがより容易になる傾向にある。また、シランカップリング剤の含有量が４０質量％以下である場合、ワニスのゲル化、粘度低下等が起こりにくくなるため、ワニスの安定性がより向上し、仮保護フィルムの作製がより容易になる傾向がある。
接着層は、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラー、カップリング剤（但し、上述のシランカップリング剤に該当するものを除く。）を含有していてもよい。接着層がフィラーを含有する場合、フィラーの含有量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して１〜３０質量部であってよく、５〜１５質量部であってよい。
カップリング剤（但し、上述のシランカップリング剤に該当するものを除く。）としては、例えば、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネートが挙げられる。カップリング剤の含有量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して、１〜１５質量部であってよく、２〜１０質量部であってよい。カップリング剤の含有量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して１〜３０質量部であってよく、５〜１５質量部であってよく。
接着性、耐熱性の観点から、接着層のガラス転移温度は１００〜３００℃であってよく、１３０〜２８０℃であってよく、１５０〜２５０℃であってよい。ガラス転移温度が１００℃以上の場合、リードフレーム及び封止層と接着層との接着強度が封止工程後に高くなり過ぎず、また、ワイヤボンド工程において、接着層が軟化するためにワイヤ接続時の力が分散し、ワイヤの接続不良が起こりにくくなる。一方、ガラス転移温度が３００℃以下の場合、リードフレームに対する接着強度の低下が抑制されるため、搬送工程での剥離、封止時に封止材の漏れ等が発生しにくくなる。
接着層の５％重量減少温度は、３００℃以上であってよく、３５０℃以上であってよく、４００℃以上であってよい。接着層の５％重量減少温度が３００℃以上の場合、リードフレームに仮保護フィルムを貼り付ける際の熱、及びワイヤボンド工程の熱によるアウトガスが抑制され、リードフレーム及びワイヤが汚染されにくい傾向がある。なお、接着層の５％重量減少温度は、示差熱天秤（セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分で測定して求めることができる。
接着層の２００℃における弾性率は１ＭＰａ以上であってよく、３ＭＰａ以上であってよい。ワイヤボンド温度は、特に制限はないが、一般には２００〜２３０℃程度であり、２００℃前後が広く用いられる。したがって、２００℃における弾性率が１ＭＰａ以上の場合、ワイヤボンド工程での熱による接着層の軟化が抑制され、ワイヤの接合不良が生じにくい傾向がある。接着層の２００℃における弾性率の上限は、２０００ＭＰａであってよく、１５００ＭＰａであってよく、１０００ＭＰａであってよい。接着層の２００℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００）に、チャック間距離２０ｍｍでセットし、正弦波、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定することができる。
接着層の厚さ（Ａ）は、仮保護フィルムのカールがより一層抑制されやすくなる観点から、２０μｍ以下、１８μｍ以下、１６μｍ以下、１４μｍ以下、１２μｍ以下、１０μｍ以下、９μｍ以下、又は８μｍ以下であってよい。また、接着層の厚さ（Ａ）は、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、６μｍ以上、７μｍ以上、又は８μｍ以上であってよい。接着層の厚さ（Ａ）は１〜２０以下であってよく、１〜１５以下であってよく、１〜８μｍ以下であってよい。接着層の厚さが１μｍ以上である場合、充分な接着性を確保でき、封止時に封止材が漏れにくくなる傾向にある。接着層の厚さ（Ａ）が２０μｍ以下である場合は、仮保護フィルムの層厚みが薄くなり経済性に優れる傾向にあることに加えて、３００℃以上の熱処理を行う際のボイドの発生がより一層抑制される。更に、接着層の厚さ（Ａ）が２０μｍ以下である場合、熱処理時の濡れ性の上昇が抑制され、被着材と接着層とが強固に貼りつくことが抑制されるため、剥離性により一層優れることとなる。
支持フィルムの両面に接着層を設けた場合には、両接着層の厚みの比（リードフレームと接着する側に設けられた接着層の厚さ：反対側に設けられた接着層の厚さ）は、０．８：１〜１．２：１であってよく、０．９：１〜１．１：１であってよく、１：１であってよい。
＜支持フィルム＞
支持フィルムは、特に制限されないが、接着層又は非接着層の形成に用いられる樹脂の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂（耐熱性樹脂）からなるフィルムであってよい。支持フィルムは、例えば、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーのフィルムであってよい。
支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であってよく、２５０℃以上であってよい。上記のポリマーのフィルムを用いることにより、ダイパッドに半導体素子を接着する工程、ワイヤボンド工程、封止工程、仮保護フィルムを封止成形体から引き剥がす工程等の熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムの２０〜２００℃における線膨張係数は、３.０×１０−５／℃以下であってよく、２．５×１０−５／℃以下であってよく、２．０×１０−５／℃以下であってよい。支持フィルムの２０〜２００℃における線膨張係数は、ＪＩＳ Ｋ ７１９７に準じて行う。測定は熱機械分析装置（ＴＭＡ)を使用する。チャック間距離は１０ｍｍでセットし、２０〜２００℃の熱膨張率を算出する。
仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムの２００℃で６０分間加熱されたときの収縮率（加熱収縮率）は、０.１５％以下であってよく、０．１３％以下であってよく、０．１０％以下であってよい。加熱収縮率の測定は、ＪＩＳ Ｋ ７１３３に準じて行うことができる。加熱収縮率の測定では、ＣＮＣ画像測定システム（ＮＥＸＩＶ）を使用する。加熱収縮率は、熱処理前後の支持フィルムにおけるＭＤ方向（長手方向）又はＴＤ方向（ＭＤ方向に垂直な方向）の寸法の差を測定することにより、求めることができる。熱処理条件は、温度２００℃、時間６０分間である。加熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向のうち、どちらか大きい方向における測定値である。
支持フィルムは、接着層に対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、１００〜３００℃の温度でリードフレーム及び封止材から引き剥がした際、接着層２と支持フィルムとの界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ接着層に対する密着性が十分高いことが好ましいことから、ポリイミドフィルムであってよい。
支持フィルムは、接着層に対する密着性を十分高めるために、表面を処理してもよい。支持フィルムの表面処理方法としては、特に制限されないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
支持フィルムの厚さは、特に制限されないが、５〜１００μｍであってよく、５〜５０μｍ以下であってよい。支持フィルムの厚さが５μｍ未満である場合は、仮保護フィルムにシワが入り易く作業性に劣る傾向にあり、１００μｍ超である場合は、仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りが大きくなる傾向がある。
支持フィルムの材質を、上記したポリマー以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線膨張係数を近くし、仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減できる。
支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は、０．５以下であってよく、０．３以下であってよく、０．２以下であってよい。ここでいう接着層の厚さＴ２は、支持フィルムに形成された接着層の片面のみの厚さである。支持フィルムの両面上に接着層が設けられている場合、接着層の厚さＴ２は厚い方の接着層の厚さである。
Ｔ２／Ｔ１が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の接着層の体積減少によりフィルムがカールしやすく、リードフレームに貼り付ける際の作業性が低下しやすい傾向にある。
＜非接着層＞
非接着層は、リードフレームに対する接着性（又は感圧接着性）を０〜２７０℃において実質的に有しない樹脂層である。非接着層は、高温で軟化しにくい樹脂層であってよく、例えば、高いガラス転移温度を有する樹脂層が、非接着層として機能することができる。
非接着層は、樹脂を含有する。非接着層の形成に用いられる樹脂（以下、「樹脂（ｂ）」ともいう。）の組成は、特に制限されないが、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂であってよい。また、熱硬化性樹脂の組成は、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等であってよい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせて用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００質量部としてよく、２０〜７０質量部としてよい。
非接着層は、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラー、カップリング剤等を含有してもよい。非接着層がフィラーを含有する場合、フィラーの含有量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜３０質量部であってよく、５〜１５質量部であってよい。カップリング剤の含有量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜２０質量部であってよく、２〜１５質量部であってよい。
非接着層の２００℃における弾性率は１０ＭＰａ以上であってよく、１００ＭＰａ以上であってよく、１０００ＭＰａ以上であってよい。非接着層の２００℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の場合、ワイヤボンド工程等の熱の加わる工程で軟化しにくくなり、金型及びジグに貼り付きにくくなる傾向がある。非接着層の２００℃における弾性率は、２０００ＭＰａ以下であってよく、１８００ＭＰａ以下であってよい。
非接着層の２００℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００）に、チャック間距離２０ｍｍでセットし、正弦波、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定することができる。
非接着層の金型及びジグに対する接着力は、工程上、金型及び／又はジグに張り付かない程度に低ければ特に制限はないが、常温（例えば２５℃）における非接着層と金型及びジグとの間の剥離角度９０度のピール強度は、５Ｎ／ｍ未満であってよく、１Ｎ／ｍ以下であってよい。このピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。
非接着層のガラス転移温度は、ダイパッドに半導体素子を接着する工程、ワイヤボンド工程、封止工程、仮保護フィルムを封止成形体から引き剥がす工程等で軟化しにくく、かつ、金型及びジグに貼り付きにくくするため、１５０℃以上であってよく、２００℃以上であってよく、２５０℃以上であってよい。非接着層のガラス転移温度は、３５０℃以下であってよく、３００℃以下であってよい。
＜仮保護フィルムの製造方法＞
一実施形態に係る仮保護フィルムは、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、樹脂（ａ）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤と、必要に応じて、シランカップリング剤等の他の成分と、を混合し、樹脂（ａ）又はその前駆体を含む接着層形成用のワニスを作製する。作製した接着層形成用のワニスを支持フィルムの片面又は両面上に塗布した後、加熱処理により塗膜から溶剤を除去して、支持フィルムの片面又は両面上に接着層を形成する。これにより、二層構造又は三層構造の仮保護フィルムを得ることができる。また、樹脂（ａ）の代わりに、ワニス塗布後の加熱処理等によって、溶剤が除去されると共に、樹脂（ａ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ａ）の前駆体（例えばポリイミド樹脂）を用いてもよい。塗工面の表面状態等の点から、樹脂（ａ）を含むワニスを用いてよい。
支持フィルムの一方の面上に接着層が設けられた二層構造の仮保護フィルムは、他方の面上に非接着層を設けて、三層構造の仮保護フィルムとしてもよい。接着層、支持フィルム及び非接着層を備える三層構造の仮保護フィルムは、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、樹脂（ｂ）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤と、必要に応じて、シランカップリング剤等の他の成分と、を混合し、樹脂（ｂ）又はその前駆体を含む非接着層形成用のワニスを作製する。作製した非接着層形成用のワニスを二層構造の仮保護フィルムの支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に塗布した後、加熱処理により塗膜から溶剤を除去して、支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に非接着層を形成する。これにより、接着層、支持フィルム及び非接着層を備える三層構造の仮保護フィルムを得ることができる。また、樹脂（ｂ）の代わりに、ワニス塗布後の加熱処理等によって、溶剤が除去されると共に、樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリイミド樹脂）を用いてもよい。塗工面の表面状態等の点から、樹脂（ｂ）を含むワニスを用いてよい。
ワニスを支持フィルムの片面上に塗布する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート、ダイコート、減圧ダイコートを用いることができる。支持フィルムの両面上に塗布する場合、樹脂又はその前駆体を含むワニス中に支持フィルムを通して塗布してもよい。
ワニス塗布後に、支持フィルムを溶剤の除去、イミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂（樹脂（ａ）又は（ｂ））を含むワニスを用いるか、樹脂の前駆体を含むワニスを用いるかで異なっていてよい。処理温度は、樹脂を含むワニスを用いる場合には、溶剤が除去できる温度であればよく、樹脂の前駆体を含むワニスを用いる場合には、樹脂の前駆体を樹脂とする（例えばイミド化する）ために接着層又は非接着層のガラス転移温度以上であってよい。
非接着層の厚さは、例えば、１０μｍ以下、９μｍ以下、８μｍ以下、又は７μｍ以下であってよい。非接着層の厚さは、例えば、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、又は６μｍ以上であってよい。非接着層の厚さは、特に制限されないが、例えば、１〜１０μｍ、又は１〜８μｍであってもよい。
＜半導体装置の製造方法＞
一実施形態に係る仮保護フィルムを用いた半導体素子の封止成形工程を含む方法によって、半導体装置を製造することができる。製造される半導体装置は、例えば、リードフレーム及びこれに搭載された半導体素子と、リードフレームの半導体素子側で半導体素子を封止する封止層とを有し、リードフレームの裏面が外部接続用に露出している、Ｎｏｎ Ｌｅａｄ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅであってもよい。その具体例としては、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。
図３及び４は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図５は、図３及び４の製造方法によって得られる半導体装置の一実施形態を示す断面図である。以下、必要に応じて各図面を参照して、各工程を説明する。
図３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の片面（裏面）に仮保護フィルム１０を、その接着層がリードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０とは反対側の面上に半導体素子１４を搭載（接着）する工程と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２を設ける工程と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成して、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する封止成形体２０を得る工程と、封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する工程と、をこの順に備える。
リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の貼り付けは、常温（例えば、５〜３５℃）で行うことができる。貼り付けの方法は、特に制限されないが、例えば、ロールラミネート法であってもよい。
リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の接着条件は特に制限はないが、接着温度は１５０〜４００℃であってよく、１８０〜３５０℃であってよく、２００〜３００℃であってよい。接着温度が１５０℃以上の場合、リードフレーム１１と接着層２との接着強度がより向上する傾向がある。また、接着温度が４００℃以下の場合、リードフレーム１１の劣化がより抑制される傾向がある。
リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の接着圧力は０．５〜３０ＭＰａであってよく、１〜２０ＭＰａであってよく、３〜１５ＭＰａであってよい。接着圧力が０．５ＭＰａ以上の場合、接着層２とリードフレーム１１との接着強度がより向上する傾向がある。また、接着圧力が３０ＭＰａ以下の場合、リードフレーム１１の破損がより抑制されやすい傾向がある。
リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の接着時間は０．１〜６０秒の間であってよく、１〜３０秒であってよく、３〜２０秒であってよい。接着時間が０．１秒以上の場合、接着層２とリードフレーム１１との接着強度をより向上させやすい傾向がある。また、接着時間が６０秒以内の場合、作業性と生産性をより向上させやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行ってよい。
リードフレーム１１の材質は、特に制限されないが、例えば、４２アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金であってもよい。また、銅及び銅系合金を用いる場合、リードフレームの表面に、パラジウム、金、銀等の被覆処理を施してもよい。
半導体素子１４は、通常、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに搭載（接着）される。加熱処理（例えば、１４０〜２００℃、３０分〜２時間）によって、接着剤を硬化させてもよい。
半導体素子を搭載（接着）した後に、最大温度２５０〜４００℃の温度範囲で、１〜３０分間の条件で、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等）を行ってもよい。
ワイヤ１２は、特に制限されないが、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってもよい。例えば、２００〜２７０℃で３〜６０分間加熱して超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子及びインナーリードをワイヤ１２と接合してもよい。
封止成形の工程では、封止材を用いて封止層１３が形成される。封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０が得られる。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。
一実施形態に係る仮保護フィルム付き封止成形体は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１と、ダイパッド１１ａに搭載された半導体素子１４と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止している封止層１３と、仮保護フィルム１０と、を備え、仮保護フィルム１０が、その接着層２がリードフレーム１１の半導体素子１４が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている。
封止層１３を形成する間の温度（封止温度）は、１４０〜２００℃であってもよく、１６０〜１８０℃であってもよい。封止層を形成する間の圧力（封止圧力）は、６〜１５ＭＰａであってもよく、７〜１０ＭＰａであってもよい。封止成形における加熱時間（封止時間）は、１〜５分であってもよく、２〜３分であってもよい。
形成された封止層１３を必要に応じて加熱硬化させてもよい。封止層１３の硬化のための加熱温度（封止硬化温度）は、１５０〜２００℃であってもよく、１６０〜１８０℃であってもよい。封止層１３の硬化のための加熱時間（封止硬化時間）は、４〜７時間であってもよく、５〜６時間であってもよい。
封止材の材質は特に制限されないが、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられる。封止材には、例えば、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等の添加材が添加されていてもよい。
封止層１３の形成（封止成形）の後、得られた封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層を硬化する場合、仮保護フィルム１０を、封止層１３の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
封止成形体から仮保護フィルム１０を剥離する温度（剥離温度）は、０〜２５０℃の間であってよい。剥離温度が０℃以上の場合、リードフレーム１１及び封止層１３に接着層がより残りにくくなる。また、剥離温度が２５０℃以下の場合、リードフレーム１１及び封止層１３の劣化がより抑制されやすくなる傾向がある。同様の理由で、剥離温度は、１００〜２００℃であってよく、１５０〜２５０℃であってよい。
半導体装置の製造方法は、必要に応じて、剥離工程後にリードフレーム１１及び封止層１３上に残留した接着層（糊残り）を除去する工程を更に含んでいてもよい。封止材で封止した後に仮保護フィルム１０を１８０℃で引き剥がした際、リードフレーム１１及び封止層１３に接着層２が残らないことが好ましい。接着層の残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、リードフレーム１１を外部接続用に用いると、接触不良の原因になりやすい。従って、リードフレーム１１及び封止層１３に残留した接着層を機械的ブラッシング、溶剤等で除去してよい。溶剤は、特に制限されないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等であってよい。
リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図５の半導体装置１００を複数得ることができる。
すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０（又は１０’）を封止成形体２０から剥離する前又は後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び半導体素子１４を有する半導体装置１００を得る工程を更に備えていてよい。
長尺の仮保護フィルムを巻芯に巻き取り、得られたリール体から仮保護フィルムを巻き出しながら、半導体装置を製造してもよい。この場合のリール体は、巻芯と、巻芯に巻き取られた上述の実施形態に係る仮保護フィルムとを有する。
図７は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図７に示すリール体３０は、巻芯３１と、巻芯３１に巻き取られた仮保護フィルム１０と、側板３２と、を備える。
巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、例えば、１０μｍ以上、５０μｍ以上、５０μｍ以上、又は８０μｍ以上であってよく、３００μｍ以下であってよい。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下、５０μｍ以上３００μｍ以下、又は８０μｍ以上３００μｍ以下であってよい。
上述の実施形態に係る仮保護フィルムは、上記リール体を包装袋に収容した包装体として提供されてもよい。図８は、包装体の一実施形態を示す。図８に示すように、包装体５０は、上記リール体３０と、上記リール体３０を収容した包装袋４０と、を備える。リール体３０は、通常個別に包装袋に収容されるが、複数個（例えば、２〜３個）のリール体３０を一個の包装袋４０に収容してもよい。
包装袋４０は、樹脂フィルムから形成されていてよく、アルミニウム層を有する樹脂フィルムである複合フィルムから形成されていてもよい。包装袋４０の具体例としては、アルミニウムコーティングされたプラスチック製の袋等が挙げられる。樹脂フィルムの素材としては、ポリエチレン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックが挙げられる。リール体３０は、例えば、真空パックされた状態で包装袋に収容されていてもよい。包装体５０は、真空パックされたものに限られない。
包装袋４０には、リール体３０とともに、乾燥剤が収容されていてもよい。乾燥剤としては、例えば、シリカゲルが挙げられる。包装体５０は、リール体３０を収容した包装袋４０を更に緩衝材で包んだものであってもよい。
包装体５０は、梱包箱に収容された梱包物として提供されてもよい。図８は、梱包物の一実施形態を示す。図９に示すように、梱包物７０は、上記包装体５０と、上記包装体５０を収容した梱包箱６０と、を備える。梱包箱６０には、一個又は複数個の包装体５０が収容される。梱包箱６０としては、例えば、段ボールを用いることができる。
一実施形態に係る仮保護フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば、携帯電話、スマートフォン、パソコン、タブレット等の電子機器に好適に利用することができる。
以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜接着層形成用のワニスの作製＞
製造例１
（樹脂の合成）
温度計、攪拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５０００ｍｌの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、これをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温で２時間攪拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。これをポリエーテルアミドイミドＡとした。
（接着層形成用のワニスの作製）
ポリエーテルアミドイミドＡ２２ｇ、及びＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ６０３）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス１Ａを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＡ２２ｇ、及び３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９００７）４．４ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス１Ｂを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＡ２２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス１Ｃを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＡ２２ｇ及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６．６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス１Ｄを作製した。
製造例２
（樹脂の合成）
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を備えた１０００ｍｌ四つ口フラスコに窒素雰囲気下、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを１２０．９ｇ（０．４１モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンを４４．０ｇ（０．１８モル）、これをＮＭＰ５３８．３ｇに添加し、均一に溶解した。さらにこの溶液を０℃まで冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロリドを１２５．０ｇ（０．５９モル）加え、室温（２５℃）で１時間攪拌した。反応溶液にトリエチルアミンを７２．６ｇ加えて室温（２５℃）で１時間攪拌した後、１８０℃で６時間攪拌した。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。これをポリエーテルアミドイミドＢとした。
（接着層形成用のワニスの作製）
ポリエーテルアミドイミドＢ２２ｇ、及び３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ９０３）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス２Ａを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＢ２２ｇ、及びＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ６０２）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス２Ｂを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＢ２２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス２Ｃを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＢ２２ｇ、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．６６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス２Ｄを作製した。
製造例３
（樹脂の合成）
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を備えた５０００ｍｌ四つ口フラスコに窒素雰囲気下、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２５３．３ｇ（０．８１モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、これをＮＭＰ１５００ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド２３９．７ｇ（１．１４モル）を添加した。室温で１時間攪拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。これをポリエーテルアミドイミドＣとした。
（接着層形成用のワニスの作製）
ポリエーテルアミドイミドＣ２２ｇ、及び３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）６．６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス３Ａを作製した。
ポリエーテルアミドイミドＣ２２ｇ、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス３Ｂを作製した。
＜非接着層形成用のワニスの作製＞
製造例４
温度計、攪拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、これをＮＭＰ１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間攪拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液を水中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリアミドイミドを得た。
このポリアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰ３６０ｇに溶解し、接着層形成用のワニス４を得た。
（仮保護フィルムの作製及び評価）
実施例１
厚さ５０μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス２Ａを３０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、及び３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ６μｍの接着層を形成し、実施例１の仮保護フィルムを得た。
実施例１の仮保護フィルムにおいて、接着層のガラス転移温度は１５５℃、接着層の５％重量減少温度は４２１℃、接着層の２００℃における弾性率は８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．１２であった。
実施例１の仮保護フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＡｇＣｕ）に貼り付けた後、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、５０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。実施例１の仮保護フィルムのカールはやや大きかったが、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、実施例１の仮保護フィルムの反りを測定した。図６は、反りの評価方法を示す模式図である。図６に示すように、リードフレーム１１に仮保護フィルム１０が貼り付けられた、仮保護フィルム付きリードフレームを台２００上に載せ、この仮保護フィルム付きリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定した。実施例１の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を測定した結果、反り（Ｘ）は、１．０ｍｍであった。
実施例１の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド及び封止層の形成を行った。図４は、得られたパッケージ（仮保護フィルム付き封止成形体）の模式図を示す。半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１８０℃で６０分間加熱して銀ペーストを硬化させた。続いて、リフロー接続を想定し、最大温度４００℃で２分間加熱した。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２３０℃で１０分間加熱して行った。封止層を形成する封止工程では、封止材としてＧＥ−３００（日立化成株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止材を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は３９０Ｎ／ｍであった。このとき、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例２
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、樹脂ワニス１Ａを１５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、及び３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ３μｍの接着層を形成し、実施例２の仮保護フィルムを作製した。
実施例２の仮保護フィルムにおいて、接着層のガラス転移温度は２３０℃、接着層の５％重量減少温度は４４３℃、接着層の２００℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．１２であった。
実施例２の仮保護フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＡｇＣｕ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、２０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。実施例２の仮保護フィルムのカールはやや大きかったが、貼り付け時の作業性は良好であった。実施例１と同様にして、実施例２の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を測定した結果、反り（Ｘ）は、０．８ｍｍであった。
実施例２の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４に示すパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレーム及び封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は２９０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例３
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着剤形成用のワニス３Ａを２５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、及び３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ５μｍの接着層を形成し、実施例３の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度は１４６℃、５％重量減少温度は４１０℃、接着層の２００℃における弾性率は３．８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．２であった。
実施例３の仮保護フィルムを温度１７０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、１１０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。実施例３の仮保護フィルムのカールはやや大きかったが、貼り付け時の作業性は良好であった。次に実施例３の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして測定した結果、反り（Ｘ）は、０．９ｍｍであった。
実施例３の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４に示すパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は３７０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例４
支持フィルムとして、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス１Ｂを５０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ８μｍの接着層を形成し、二層構造の仮保護フィルムを得た。
接着層のガラス転移温度は２３０℃、５％重量減少温度は４２１℃、２００℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．１６であった。
支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に製造例４で作製した非接着層形成用のワニス４を５０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ８μｍの非接着層を形成した。この非接着層のガラス転移温度は２５３℃、５％重量減少温度は４１６℃、２００℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより図２のように、支持フィルムに接着層と非接着層が片面ずつに形成された実施例４の仮保護フィルムを得た。
実施例４の仮保護フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、４０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。実施例４の仮保護フィルムの非接着層の面上を２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で真鍮製の金属板に貼り付け、２５℃における非接着層と真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍであり、工程中金型又はジグに張り付く不具合は生じなかった。実施例４の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、実施例４の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして測定した結果、反り（Ｘ）は、０．２ｍｍであった。
実施例４の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４に示すパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は４２０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例５
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス２Ｂを１５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ３μｍの接着層を形成し、２層構造の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が１５５℃、５％重量減少温度が４１５℃、２００℃における弾性率が８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．１２であった。
支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に、製造例４で作製した非接着層形成用のワニス４を１０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ２μｍの非接着層を形成した。この非接着層のガラス転移温度は２５３℃、５％重量減少温度は４１６℃、２００℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより、図２のように、支持フィルム上に接着層と非接着層が片面ずつに形成された実施例５の仮保護フィルムを得た。
実施例５の仮保護フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＡｇＣｕ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した。その結果、貼付後ピール強度は、７０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、実施例５の仮保護フィルムの非接着層の面上を２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で真鍮製の金属板に貼り付け、２５℃における非接着層と真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍであり、工程中金型又はジグに張り付く不具合は生じなかった。また、実施例５の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、実施例５の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして測定した結果、反り（Ｘ）は、０．１ｍｍであった。
実施例５の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４に示すパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は４６０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例６
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス３Ｂを１０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ２μｍの接着層を形成し、実施例６の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が１４６℃、５％重量減少温度が４０９℃、２００℃における弾性率が３．８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．０８であった。
実施例６の仮保護フィルムを温度１７０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した。その結果、９０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。
実施例６の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、実施例６の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして、測定した結果、反り（Ｘ）は、０．３ｍｍであった。
実施例６の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は３１０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
実施例７
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス１Ｄを５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、１８０℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ１μｍの接着層を形成し、実施例７の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が２３０℃、５％重量減少温度が４３５℃、２００℃における弾性率が１５００ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．０４であった。
実施例７の仮保護フィルムを温度２０ｑ℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した。その結果、１００Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。
実施例７の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、実施例７の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして、測定した結果、反り（Ｘ）は、０．２ｍｍであった。
実施例７の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は４３０Ｎ／ｍであり、接着層がリードフレーム及び封止層に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
比較例１
支持フィルムとして、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス１Ｃを１００μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ２０μｍの接着層を形成し、図１の構成の、比較例１の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が２３０℃、５％重量減少温度が４５２℃、２００℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．４であった。
次に、支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に、製造例４で作製した非接着層形成用のワニス４を９５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ１５μｍの非接着層を形成した。
この非接着層のガラス転移温度は２５３℃、５％重量減少温度は４１６℃、２００℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより、図２のように、支持フィルム上に接着層と非接着層が片面ずつに形成された、比較例１の仮保護フィルムを得た。
比較例１の仮保護フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、１５Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。比較例１の仮保護フィルムの非接着層の面上を２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に貼り付け、２５℃における非接着層と真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍであり、工程中金型又はジグに張り付く不具合は生じなかった。
比較例１の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に、比較例１の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして、測定した結果、０．２ｍｍであった。
比較例１の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレーム及び封止層から仮保護フィルムを引き剥がそうとしたところ、接着層とリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。接着層とリードフレーム及び封止材との１８０℃における９０度ピール強度はフィルムが破断したため測定できず、破断時のピール強度（封止後ピール強度）は２０００Ｎ／ｍであった。
比較例２
支持フィルムとして、厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス２Ｃを５０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ１０μｍの接着層を形成し、図１の構成の、比較例２の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が１５５℃、５％重量減少温度が４２１℃、２００℃における弾性率は８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．４であった。
支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に、製造例４で作製した非接着層形成用のワニス４を４０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ７μｍの非接着層を形成した。
この非接着層のガラス転移温度は２５３℃、５％重量減少温度は４１６℃、２００℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより、図６のように、支持フィルム上に接着層と非接着層が片面ずつに形成された、比較例２の仮保護フィルムを得た。
比較例２の仮保護フィルムを温度２１０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＡｇＣｕ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、１５０Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。
比較例２の仮保護フィルムの非接着層の面上を２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で真鍮製の金属板に貼り付け、２５℃における非接着層と真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍであり、工程中金型又はジグに張り付く不具合は生じなかった。
比較例２の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に比較例２の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして測定した結果、０．１ｍｍであった。
比較例２の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は９００Ｎ／ｍであり、剥がし途中でテープが破損した。
比較例３
支持フィルムとして、化学処理が施された表面を有する厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面上に、接着層形成用のワニス２Ｄを２５μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ１０μｍの接着層を形成し、図１の構成の、比較例３の仮保護フィルムを得た。
接着層は、ガラス転移温度が１５５℃、５％重量減少温度が４２１℃、２００℃における弾性率は８ＭＰａであった。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は０．４であった。
支持フィルムの接着層が設けられた面とは反対側の面上に、製造例４で作製した非接着層形成用のワニス４を４０μｍの厚さに塗布した。塗膜を１００℃で１０分、３００℃で１０分間加熱することによって乾燥して、支持フィルムの片面上に厚さ７μｍの非接着層を形成した。
この非接着層のガラス転移温度は２５３℃、５％重量減少温度は４１６℃、２００℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより、図６のように、支持フィルム上に接着層と非接着層が片面ずつに形成された、比較例３の仮保護フィルムを得た。
比較例３の仮保護フィルムを温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で、パラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ、ＰＰＦ）に貼り付け、２５℃における接着層とリードフレームとの９０度ピール強度（貼付後ピール強度）を測定した（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）。その結果、貼付後ピール強度は、５００Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。
比較例３の仮保護フィルムの非接着層の面上を２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で真鍮製の金属板に貼り付け、２５℃における非接着層と真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍであり、工程中金型又はジグに張り付く不具合は生じなかった。
比較例３の仮保護フィルムのカールはほとんどなく、貼り付け時の作業性は良好であった。次に比較例３の仮保護フィルムによる反り（Ｘ）を実施例１と同様にして測定した結果、０．１ｍｍであった。
比較例３の仮保護フィルムが貼り付けられたリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、リフロー接続を想定した加熱、ワイヤボンド及び封止層の形成を行い、図４のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止成形後に、１８０℃でリードフレームと封止層から仮保護フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、９０度ピール強度（封止後ピール強度）は８００Ｎ／ｍであり、剥がし途中でテープが破損した。
実施例１〜６の仮保護フィルムは、リードフレーム及び封止層より１８０℃において容易に剥離可能であった。実施例１〜６の仮保護フィルムを用いることにより、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することができることが示された。実施例１〜６の仮保護フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ最大温度４００℃のリフロー接続の工程を通し、樹脂封止してからも１８０℃においてリードフレーム及び封止層から容易に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。これに対して、仮保護フィルムを貼り付けたリードフレームを封止材で封止した後の接着層とリードフレーム及び封止材との１８０℃における９０度ピール強度が６００Ｎ／ｍを超える比較例１、２及び３の仮保護フィルムは、接着層とリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
Figure 2019176596
Figure 2019176596
１…支持フィルム、２…接着層、３…非接着層、１０,１０’…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、２０…封止成形体、３０…リール体、３１…巻芯、３２…側板、４０…包装袋、５０…包装体、６０…梱包箱、７０…梱包物、１００…半導体装置。

Claims (22)

  1. リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムであって、
    支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられ、樹脂を含有する接着層と、を備え、
    前記仮保護フィルムを、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームに、前記接着層が前記リードフレームに接するように貼り付けたときの前記接着層と前記リードフレームとの間の９０度ピール強度が、２５℃において５Ｎ／ｍ以上であり、
    前記仮保護フィルムを、前記リードフレームに、前記接着層が前記リードフレームに接するように貼り付け、前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載し、続いて前記半導体素子、前記リードフレーム及び前記仮保護フィルムを加熱してから、前記接着層と接しながら前記半導体素子を封止する封止層を形成したときに、前記接着層と前記リードフレーム及び前記封止層との間の９０度ピール強度が、１８０℃において６００Ｎ／ｍ以下である、半導体封止成形用仮保護フィルム。
  2. 前記接着層がシランカップリング剤を更に含有し、
    前記シランカップリング剤の含有量が、前記樹脂全量に対して、５質量％超３５質量％以下である、請求項１に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  3. リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムであって、
    支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられ、樹脂とシランカップリング剤とを含有する接着層と、を備え、
    前記シランカップリング剤の含有量が、前記樹脂全量に対して、５質量％超３５質量％以下である、半導体封止成形用仮保護フィルム。
  4. 前記シランカップリング剤が、下記式（Ｉ）：
    Figure 2019176596
     で表され、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、Ｘは、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、又は（ＩＩｅ）：
    Figure 2019176596
     で表され、これら式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は水素原子を示し、＊は炭素原子との結合部位を示す、請求項２又は３に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  5. 前記接着層のガラス転移温度が１００〜３００℃である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  6. 前記樹脂がアミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  7. 前記接着層の２００℃における弾性率が１ＭＰａ以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  8. 前記支持フィルムの厚さに対する前記接着層の厚さの比が０．５以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  9. 前記接着層の厚さが１〜２０μｍである請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  10. 前記支持フィルムが、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるポリマーのフィルムである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  11. 前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  12. 前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  13. 前記支持フィルムの２０〜２００℃における線膨張係数が３．０×１０−５以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  14. 前記支持フィルムの、２００℃で６０分間加熱されたときの収縮率が０．１５％以下である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  15. 前記支持フィルムの片面上に前記接着層が設けられており、
    当該仮保護フィルムが、前記支持フィルムの前記接着層が設けられた面とは反対側の面上に設けられた非接着層をさらに備える、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  16. 巻芯と、前記巻芯に巻き取られた請求項１〜１５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、を備える、リール体。
  17. 請求項１６に記載のリール体と、前記リール体を収容した包装袋と、を備える、包装体。
  18. 請求項１７に記載の包装体と、前記包装体を収容した梱包箱と、備える、梱包物。
  19. ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、
    請求項１〜１５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けられている、仮保護フィルム付きリードフレーム。
  20. ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、
    前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、
    前記半導体素子及び前記ワイヤを封止している封止層と、
    請求項１〜１５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの前記半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている、仮保護フィルム付き封止成形体。
  21. ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、
    前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、
    前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する封止成形体を得る工程と、
    前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、
    をこの順に備える、半導体装置を製造する方法。
  22. 前記リードフレームが複数の前記ダイパッドを有し、前記複数のダイパッドの各々に前記半導体素子が搭載され、
    当該方法が、前記仮保護フィルムを前記封止成形体から剥離する前又は後に前記封止成形体を分割して、１個の前記ダイパッド及び前記半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備える、請求項２１に記載の方法。
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