KR200493739Y1 - 릴체, 포장체 및 곤포물 - Google Patents

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Abstract

권취 코어와, 권취 코어에 권취된 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름을 구비하는, 릴체가 개시된다. 가보호 필름은, 지지 필름과, 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 마련된 접착층을 구비하고, 가보호 필름의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수는, 가보호 필름의 적어도 하나의 면 내 방향에 있어서, 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하여도 된다.

Description

릴체, 포장체 및 곤포물
본 발명은, 릴체, 포장체 및 곤포물에 관한 것이다.
종래, 다이 패드 상에 은 페이스트 등의 접착제에 의해 반도체 소자를 접착하고, 이것과 리드 프레임을 와이어로 접합한 후에, 외부 접속용의 아우터 리드를 남기고 전체를 밀봉하는 구조의 반도체 패키지가 사용되어 왔다. 그러나, 최근 몇년간 반도체 패키지의 고밀도화, 소면적화, 박형화 등의 요구의 높아짐에 따라, 다양한 구조의 반도체 패키지가 제안되고 있다. 이러한 반도체 패키지로서, 패키지의 편면(반도체 소자측)만을 밀봉하고, 이면이 드러난 리드 프레임을 외부 접속용에 사용하는 구조의 반도체 패키지가 개발되고 있다(예를 들어, QFN(Quad Flat Non-leaded) 패키지). 이 구조의 반도체 패키지에서는, 리드 프레임이 밀봉 수지로부터 돌출되어 있지 않기 때문에, 소면적화 및 박형화가 도모된다. 그러나, 밀봉 성형시에 리드 프레임 이면에 밀봉 수지가 혼입되는 등의 문제가 일어나는 경우가 있다.
이러한 문제를 방지하는 방법으로서, 리드 프레임 이면에 반도체용 접착 필름을 가보호 필름으로서 첩부하여 리드 프레임 이면을 보호하고, 리드 프레임 표면측에 탑재된 반도체 소자를 밀봉 성형한 후에, 가보호 필름을 박리하는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
국제 공개 제2001/035460호
반도체 밀봉 성형에 사용되는 가보호 필름을 리드 프레임에 첩부한 후, 리드 프레임이 휘지 않는 것이 바람직하다. 리드 프레임의 휨이 크면, 리드 프레임이 반송 중에 걸려 반송할 수 없고, 리드 프레임을 장치에 진공 고정할 수 없고, 와이어 변형이 발생한다는 등, 양산성의 관점에서 문제가 발생하는 경우가 있다.
특허문헌 1의 반도체용 접착 필름은 휨의 발생을 발생시키기 쉬운 필름이지만, 종래의 리드 프레임에 사용하는 경우에는, 큰 문제가 되지 않았다. 그러나, 최근 몇년간 리드 프레임의 박막화·광폭화·고밀도화(칩 사이즈 소형화)에 따라, 리드 프레임의 휨에 대한 요구가 엄격해져, 특허문헌 1의 반도체용 접착 필름으로는, 고온·고압 조건하(예를 들어, 200 내지 250℃, 3 내지 8MPa)에서의 첩부 후, 및 흡습 후의 휨의 영향을 피하는 것이 곤란하다는 것이 판명되었다.
상술한 가보호 필름은 권취 코어에 권취함으로써, 얻어진 릴체로부터, 권출하면서 반도체 밀봉 성형에 사용되는 경우가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 고온·고압 조건하에서의 첩부 후 및 흡습 후의 리드 프레임의 휨을 억제하는 것이 가능한 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름을 구비하는 릴체를 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 선팽창 계수(CTE)를 조정하여 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 일측면은, 권취 코어와, 권취 코어에 권취된 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름을 구비하고, 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름은, 지지 필름과, 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 마련된 접착층을 구비하고, 가보호 필름의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수는, 가보호 필름의 적어도 하나의 면 내 방향에 있어서, 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하인, 릴체에 관한 것이다.
상기 가보호 필름의 30℃에서의 탄성률은 9GPa 이하여도 된다.
상기 접착층의 230℃에서의 탄성률은 1MPa 이상이어도 된다.
상기 접착층은, 아미드기, 에스테르기, 이미드기, 에테르기 또는 술폰기를 갖는 열가소성 수지를 함유하고 있어도 되고, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성 수지를 함유하고 있어도 된다.
상기 지지 필름은, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리머의 필름이어도 된다.
상기 지지 필름의 편면 상에 상기 접착층이 마련되어 있고, 상기 지지 필름의 두께에 대한 상기 접착층의 두께의 비는, 0.2 이하여도 된다.
상기 가보호 필름은, 상기 지지 필름의 상기 접착층이 마련된 면과는 반대측의 면 상에 마련된 비접착층을 구비하고 있어도 된다.
상기 비접착층의 두께에 대한 상기 접착층의 두께의 비는, 1.0 내지 2.0이어도 된다.
본 발명의 일측면은, 상기 릴체와, 상기 릴체를 수용한 포장 주머니를 구비하는, 포장체에 관한 것이다.
본 발명의 일측면은, 상기 포장체와, 상기 포장체를 수용한 곤포 상자를 구비하는, 곤포물에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 고온·고압 조건하에서 첩부한 후, 냉각시의 수축에 의한 리드 프레임의 휨, 및 흡습에 의한 필름의 팽창에 기인한 리드 프레임의 휨을 억제 가능한 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름을 구비하는 릴체가 제공된다. 이에 의해, 반도체 장치를 높은 작업성과 생산성으로 제조하는 것이 가능하게 된다.
종래의 가보호 필름에서는, 첩부 후에는 리드 프레임의 휨이 크지만, 흡습 팽창 후에 휨이 작아지는 상태인 경우에도 제조 공정에 있어서 열이 가해짐으로써 배습되어, 휨이 원래의 큰 상태로 되돌아가는 경우가 있었다. 본 발명의 가보호 필름으로는, 이러한 배습에 기인하는 휨도 억제되어 있다.
도 1은 가보호 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면도이다.
도 2는 가보호 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 단면도이다.
도 4는 반도체 장치의 일 실시 형태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 가보호 필름 구비 리드 프레임의 휨량을 측정하는 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은 릴체의 일 실시 형태를 도시하는 사시도이다.
도 7은 포장체의 일 실시 형태를 도시하는 정면도이다.
도 8은 곤포물의 일 실시 형태를 도시하는 정면도이다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 기재되는 수치 범위의 상한값 및 하한값은, 임의로 조합할 수 있다. 실시예에 기재되는 수치도, 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로서 사용할 수 있다.
<릴체>
도 6은, 릴체의 일 실시 형태를 도시하는 사시도이다. 도 6에 도시하는 릴체(33)는, 권취 코어(31)와, 권취 코어(31)에 권취된 가보호 필름(10)과, 측판(32)을 구비한다. 반도체 장치는, 예를 들어 릴체로부터 가보호 필름을 권출하면서 제조할 수 있다.
권취 코어(31) 및 가보호 필름(10)의 폭(권취 방향과 직교하는 방향의 길이)은, 예를 들어 10㎛ 이상, 50㎛ 이상, 50㎛ 이상 또는 80㎛ 이상이어도 되고, 300㎛ 이하여도 된다. 권취 코어(31) 및 가보호 필름(10)의 폭(권취 방향과 직교하는 방향의 길이)은, 예를 들어 10㎛ 이상 300㎛ 이하, 50㎛ 이상 300㎛ 이하 또는 80㎛ 이상 300㎛ 이하여도 된다.
<가보호 필름>
도 1은, 일 실시 형태에 관한 가보호 필름을 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시하는 가보호 필름(10)은, 지지 필름(1)과, 지지 필름(1)의 편면 상에 마련된 접착층(2)으로 구성된다. 지지 필름(1)의 양면 상에 접착층이 형성되어 있어도 된다. 도 2도, 일 실시 형태에 관한 가보호 필름을 도시하는 단면도이다. 도 2의 가보호 필름(10')은, 지지 필름(1)과, 지지 필름(1)의 한쪽의 주면 상에 마련된 접착층(2)과, 지지 필름(1)의 다른쪽의 주면 상에 마련된, 실질적으로 접착성을 갖지 않는 수지층(비접착층(3))을 갖는다. 이들 가보호 필름은, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 밀봉하는 밀봉층을 형성하는 밀봉 성형의 공정에 있어서, 리드 프레임의 이면(반도체 소자가 탑재되는 면과는 반대측의 면)에 첩부함으로써, 리드 프레임을 밀봉 성형하는 동안, 가보호하기 위한 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름으로서 사용할 수 있다.
가보호 필름의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수는, 가보호 필름의 적어도 하나의 면 내 방향에 있어서 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하여도 된다. 적어도 하나의 면 내 방향은, MD 방향(Machine direction) 및 TD 방향(Transverse direction)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 면 내 방향이어도 되고, TD 방향이어도 된다. MD 방향이란, 통상, 지지 필름의 길이 방향이다. TD 방향이란, MD 방향과는 수직인 방향이다. 선팽창 계수의 측정은, 열 기계 분석 장치(예를 들어, 세이코 인스트루먼츠 가부시끼가이샤제, SSC5200형)에 의해 측정할 수 있다. 가보호 필름의 적어도 하나의 방향의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수는, 예를 들어 접착층의 두께를 조정함으로써, 조정할 수 있다.
가보호 필름의 30℃에서의 탄성률은, 9GPa 이하여도 된다. 가보호 필름의 30℃에서의 탄성률은, 8GPa 이하 또는 7GPa 이하여도 되고, 4GPa 이상 또는 5GPa 이상이어도 된다. 가보호 필름의 30℃에서의 탄성률은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다. 우선, 가보호 필름을 4mm×30mm 사이즈로 잘라서 얻은 시험편을 동적 점탄성 측정 장치(예를 들어, 가부시키가이샤 유비엠제, Rheogel-E4000)에, 척간 거리 20mm로 세팅한다. 세팅한 시험편을 사인파, 온도 범위 30℃ 일정, 주파수 10Hz의 조건으로 인장 탄성률을 측정함으로써 구할 수 있다.
<접착층>
접착층은, 지지 필름의 편면 상에 마련되어 있어도 되고, 용제 제거시의 접착층의 부피 감소에 기인하는 가보호 필름의 컬을 상쇄하기 위해, 지지 필름의 양면 상에 마련되어 있어도 된다.
접착층을 지지 필름 상에 형성하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 접착층의 형성에 사용되는 수지(이하, 「수지 (a)」라고도 한다.)를 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 제작한 접착층 형성용의 바니시(수지 바니시)를, 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 도공한 후, 가열 처리하여 용제를 제거함으로써, 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 수지 (a)를 포함하는 접착층을 형성할 수 있다. 바니시 도포 후의 가열 처리 등에 의해 수지 (a)가 되는, 수지 (a)(예를 들어, 폴리이미드 수지)의 전구체(예를 들어 폴리아미드산)를 용제에 용해한 접착층 형성용의 바니시(전구체 바니시)를, 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 도공한 후, 가열 처리함으로써, 수지 (a)를 포함하는 접착층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 전구체 바니시 도공 후의 가열 처리에 의해, 용제가 제거됨과 함께, 수지 (a)의 전구체가 수지 (a)가 된다(예를 들어, 이미드화). 수지 (a)는, 내열성 수지여도 된다. 도공면의 표면 상태 등의 관점에서, 수지 바니시를 사용해도 된다.
접착층 형성용의 바니시를 도공한 후의 지지 필름을 용제의 제거, 이미드화 등을 위해 가열 처리할 때의 처리 온도는, 수지 바니시인지 전구체 바니시인지에 따라 상이해도 된다. 처리 온도는, 수지 바니시의 경우, 용제를 제거할 수 있는 온도이면 되고, 전구체 바니시의 경우, 전구체로부터 수지를 형성(예를 들어, 이미드화)시키기 위해, 접착층의 유리 전이 온도 이상이어도 된다.
수지 바니시 또는 전구체 바니시를 지지 필름의 편면에 도공하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 롤 코트, 리버스 롤 코트, 그라비아 코트, 바 코트, 콤마 코트, 다이 코트, 감압 다이 코트를 사용할 수 있다. 수지 바니시 또는 전구체 바니시 중에 지지 필름을 통해 도공해도 된다.
접착층의 유리 전이 온도(Tg)는 100℃ 이상이어도 되고, 150℃ 이상이어도 된다. 접착층의 유리 전이 온도(Tg)는 300℃ 이하여도 되고, 250℃ 이하여도 된다. 유리 전이 온도가 100℃ 이상인 경우, 가보호 필름을 리드 프레임 및 밀봉재로부터 박리했을 때, 접착층과 지지 필름의 계면에서의 박리가 억제되기 쉬워짐과 함께, 접착층이 응집 파괴되기 어려워지는 경향이 있다. 유리 전이 온도가 100℃ 이상인 경우, 리드 프레임 및 밀봉재에 접착층이 잔류하기 어렵고, 와이어 본드 공정에서의 열에 의해 접착층이 연화되기 어렵고, 와이어의 접합 불량이 발생하기 어려워지는 경향이 있다. 나아가, 밀봉 공정에서의 열에 의해 수지층이 연화되기 어렵고, 리드 프레임과 접착층의 사이에 밀봉재가 들어간다는 등의 문제가 일어나기 어려워지는 경향이 있다. 유리 전이 온도가 300℃ 이내인 경우, 접착시에 접착층의 연화가 충분히 억제되어, 상온(예를 들어 25℃)에서의, 가보호 필름과 리드 프레임의 박리 각도 90도의 필 강도의 저하가 억제되기 쉬워지는 경향이 있다.
유리 전이 온도는 열 기계 분석 장치(세이코 인스트루먼츠 가부시끼가이샤제, SSC5200형)를 사용하여 인장 모드, 척간 거리 10mm, 온도 범위 30℃ 내지 300℃, 승온 속도 10℃/분의 조건으로 측정할 수 있다.
접착층의 5％ 중량 감소 온도는, 300℃ 이상이어도 되고, 350℃ 이상이어도 되고, 400℃ 이상이어도 된다. 접착층이 5중량％ 감소하는 온도가 300℃ 이상인 경우, 리드 프레임에 가보호 필름을 첩부할 때의 열, 및 와이어 본드 공정에서의 열에 의한 아웃 가스가 발생하기 어려워져, 리드 프레임, 와이어 등의 오염이 억제되기 쉬운 경향이 있다. 5％ 중량 감소 온도는, 시차 열천칭(예를 들어, 세이코 인스트루먼츠 가부시끼가이샤제, SSC5200형)을 사용하여, 공기 분위기하, 승온 속도 10℃/분의 조건으로 측정할 수 있다.
접착층의 230℃에서의 탄성률은 1MPa 이상이어도 되고, 3MPa 이상이어도 된다. 여기서, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 와이어 본드 공정에서의 온도(와이어 본드 온도)는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 200 내지 260℃ 정도이고, 230℃ 전후가 널리 사용된다. 따라서, 230℃에서의 탄성률이 1MPa 이상인 경우, 와이어 본드 공정에서의 열에 의한 접착층의 연화가 억제되어, 와이어의 접합 불량이 발생하기 어려운 경향이 있다. 접착층의 230℃에서의 탄성률의 상한은, 2000MPa여도 되고, 1500MPa여도 되고, 1000MPa여도 된다.
접착층의 230℃에서의 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치(가부시키가이샤 유비엠제, Rheogel-E4000)에, 척간 거리 20mm로 세팅하고, 사인파, 승온 속도 5℃/분, 주파수 10Hz의 인장 모드에 의해 측정할 수 있다.
접착층의 형성에 사용되는 수지 (a)는, 아미드기(-NHCO-), 에스테르기(-CO-O-), 이미드기(-NR2, 단 R은 각각 -CO-이다), 에테르기(-O-) 또는 술폰기(-SO2-)를 갖는 열가소성 수지여도 된다. 수지 (a)는, 특히, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성 수지여도 된다. 구체적으로는, 수지 (a)로서는, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리에스테르, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리에테르, 방향족 폴리에테르아미드이미드, 방향족 폴리에테르 아미드, 방향족 폴리에스테르 이미드 및 방향족 폴리에테르이미드 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 수지 (a)는, 내열성, 접착성의 관점에서 방향족 폴리에테르아미드이미드, 방향족 폴리에테르이미드 및 방향족 폴리에테르아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지여도 된다.
상기한 수지는 모두, 염기 성분인 방향족 디아민 또는 비스페놀 등과, 산 성분인 디카르복실산, 트리카르복실산, 테트라카르복실산 혹은 방향족 염화물 또는 이들의 반응성 유도체를 중축합시켜 제조할 수 있다. 즉, 아민과 산의 반응에 사용되고 있는 통상의 방법으로 행할 수 있으며, 여러 조건 등에 대해서도 특별히 제한은 없다. 방향족 디카르복실산, 방향족 트리카르복실산 또는 이들의 반응성 유도체와 디아민의 중축합 반응에 대해서는, 통상의 방법이 사용된다.
방향족 폴리에테르이미드, 방향족 폴리에테르아미드이미드 또는 방향족 폴리에테르아미드의 합성에 사용되는 염기 성분으로서는, 예를 들어 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)]헥사플루오로프로판 등의 에테르기를 갖는 방향족 디아민; 4,4'-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아민) 등의 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민; 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 등의 실록산디아민; 및 1,12-디아미노도데칸, 1,6-디아미노헥산 등의 α,ω-디아미노알칸을 사용해도 된다. 염기 성분 총량 중, 상기한 에테르기를 갖는 방향족 디아민을 40 내지 100몰％ 또는 50 내지 97몰％, 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민, 실록산디아민 및 α,ω-디아미노알칸으로부터 선택되는 적어도 1종을 0 내지 60몰％ 또는 3 내지 50몰％의 양으로 사용해도 된다. 염기 성분의 구체예로서는, (1) 에테르기를 갖는 방향족 디아민 60 내지 89몰％ 또는 68 내지 82몰％와, 실록산디아민 1 내지 10몰％ 또는 3 내지 7몰％와, α,ω-디아미노알칸 10 내지 30몰％ 또는 15 내지 25몰％를 포함하는 염기 성분, (2) 에테르기를 갖는 방향족 디아민 90 내지 99몰％ 또는 93 내지 97몰％와, 실록산디아민 1 내지 10몰％ 또는 3 내지 7몰％를 포함하는 염기 성분, (3) 에테르기를 갖는 방향족 디아민 40 내지 70몰％ 또는 45 내지 60몰％와, 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민 30 내지 60몰％ 또는 40 내지 55몰％를 포함하는 염기 성분을 들 수 있다.
방향족 폴리에테르이미드, 방향족 폴리에테르아미드이미드 또는 방향족 폴리에테르아미드의 합성에 사용되는 산 성분으로서는, 예를 들어 (A) 무수 트리멜리트산, 무수 트리멜리트산클로라이드 등의 무수 트리멜리트산의 반응성 유도체, 피로멜리트산 이무수물 등의 단핵 방향족 트리카르복실산 무수물 또는 단핵 방향족 테트라카르복실산 이무수물, (B) 비스페놀 A 비스트리멜리테이트 이무수물, 옥시디프탈산 무수물 등의 다핵 방향족 테트라카르복실산 이무수물, (C) 테레프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산클로라이드, 이소프탈산클로라이드 등의 프탈산의 반응성 유도체 등의 방향족 디카르복실산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 염기 성분 (1) 또는 (2) 1몰당, 상기 산 성분 (A) 0.95 내지 1.05몰 또는 0.98 내지 1.02몰을 반응시켜 얻어지는 방향족 폴리에테르아미드이미드 및 상기 염기 성분 (3) 1몰당, 상기 산 성분 (B) 0.95 내지 1.05몰 또는 0.98 내지 1.02몰을 반응시켜 얻어지는 방향족 폴리에테르이미드를 사용해도 된다.
접착층은, 수지 (a) 이외의 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 세라믹 분말, 유리 분말, 은 분말, 구리 분말, 수지 입자, 고무 입자 등의 필러, 커플링제를 들 수 있다.
접착층이 다른 성분으로서 필러를 함유하는 경우, 필러의 함유량은, 수지 (a) 100질량부에 대하여 1 내지 30질량부여도 되고, 5 내지 15질량부여도 된다.
커플링제로서는, 비닐실란, 에폭시실란, 아미노실란, 머캅토실란, 티타네이트, 알루미늄킬레이트, 지르코알루미네이트 등의 커플링제를 사용할 수 있지만, 실란 커플링제여도 된다. 실란 커플링제로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 말단에 유기 반응성기를 갖는 실란 커플링제이며, 이들 중, 에폭시기를 갖는 에폭시실란 커플링제를 사용해도 된다. 여기서 유기 반응성기란, 에폭시기, 비닐기, 아미노기, 머캅토기 등의 관능기이다. 실란 커플링제의 첨가는, 수지의 지지 필름에 대한 밀착성을 향상시키고, 100 내지 300℃의 온도에서 박리했을 때에, 접착층과 지지 필름의 계면에서 박리가 발생하기 어렵게 하기 위함이다. 접착층이 다른 성분으로서 커플링제를 함유하는 경우, 커플링제의 함유량은, 수지 (a) 100질량부에 대하여 1 내지 15질량부여도 되고, 2 내지 10질량부여도 된다.
접착층의 두께 (A)는, 20㎛ 이하, 18㎛ 이하, 16㎛ 이하, 14㎛ 이하, 12㎛ 이하, 10㎛ 이하, 9㎛ 이하 또는 8㎛ 이하여도 된다. 접착층의 두께 (A)는, 1㎛ 이상, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 7㎛ 이상 또는 8㎛ 이상이어도 된다. 접착층의 두께 (A)는 1 내지 20 이하여도 되고, 1 내지 15 이하여도 되고, 1 내지 8㎛ 이하여도 된다. 접착층의 두께가 1㎛ 이상인 경우, 충분한 접착성을 확보할 수 있으며, 밀봉시에 밀봉재가 누설되기 어려워지는 경향이 있다. 접착층의 두께 (A)가 20㎛ 이하인 경우에는, 가보호 필름의 층 두께가 얇아져 경제성이 우수한 경향이 있을 뿐만 아니라, 300℃ 이상의 열 처리를 행할 때의 보이드의 발생이 한층 더 억제된다. 또한, 접착층의 두께 (A)가 20㎛ 이하인 경우, 열 처리시의 습윤성의 상승이 억제되어, 피착재와 접착층이 견고하게 부착되는 것이 억제되기 때문에, 박리성이 한층 더 우수하게 된다.
<비접착층>
비접착층은, 리드 프레임에 대한 접착성(또는 감압 접착성)을 0 내지 270℃에서 실질적으로 갖지 않는 수지층이다. 비접착층은 고온에서 연화되기 어려운 수지층이어도 되고, 예를 들어 높은 유리 전이 온도를 갖는 수지층이, 비접착층으로서 기능할 수 있다.
비접착층의 230℃에서의 탄성률은 10MPa 이상이어도 되고, 100MPa 이상이어도 되고, 1000MPa 이상이어도 된다. 비접착층의 230℃에서의 탄성률이 10MPa 이상인 경우, 와이어 본드 공정 등의 열이 가해지는 공정에서 연화되기 어려워져, 금형 및 지그에 첩부되기 어려워지는 경향이 있다. 비접착층의 230℃에서의 탄성률은, 2000MPa 이하여도 되고, 1800MPa 이하여도 된다.
비접착층의 230℃에서의 탄성률은, 상술한 접착층의 230℃에서의 탄성률과 마찬가지로 하여 측정할 수 있다.
비접착층의 금형 및 지그에 대한 접착력은, 공정상, 금형 및/또는 지그에 첩부되지 않을 정도로 낮으면 특별히 제한은 없지만, 상온(예를 들어 25℃)에서의 비접착층과 금형 및 지그와의 박리 각도 90도의 필 강도가 5N/m 미만이어도 되고, 1N/m 이하여도 된다. 이 필 강도는, 예를 들어 놋쇠제의 금형에 온도 250℃, 압력8MPa로 10초간 압착한 후에 측정한다.
비접착층의 유리 전이 온도는, 다이 패드에 반도체 소자를 접착하는 공정, 와이어 본드 공정, 밀봉 공정, 가보호 필름을 밀봉 성형체로부터 박리하는 공정 등에서 연화되기 어렵고, 또한 금형 및 지그에 첩부되기 어렵게 하기 위해, 150℃ 이상이어도 되고, 200℃ 이상이어도 되고, 250℃ 이상이어도 된다. 비접착층의 유리 전이 온도는 350℃ 이하여도 되고, 300℃ 이하여도 된다.
비접착층의 형성에 사용되는 수지(이하, 「수지 (b)」라고도 한다.)의 조성에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 모두 사용할 수 있다. 열가소성 수지의 조성은 특별히 제한은 없지만, 상기한 수지와 마찬가지의, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성 수지여도 된다. 특히, 상기한 염기 성분 (3) 1몰과 상기한 산 성분 (A) 0.95 내지 1.05몰 또는 0.98 내지 1.02몰을 반응시켜 얻어지는 방향족 폴리에테르아미드이미드 여도 된다. 열경화성 수지의 조성에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드 수지(예를 들어, 비스(4-말레이미드페닐)메탄을 모노머로 하는 비스말레이미드 수지) 등이어도 된다. 열가소성 수지와 열경화성 수지를 조합하여 사용할 수도 있다. 열가소성 수지와 열경화성 수지를 조합하여 사용하는 경우, 열가소성 수지 100질량부에 대하여 열경화성 수지 5 내지 100질량부로 해도 되고, 20 내지 70질량부로 해도 된다.
비접착층은, 수지 (b) 이외의 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 상술한 필러, 커플링제를 들 수 있다. 비접착층이 다른 성분으로서 필러를 함유하는 경우, 필러의 함유량은, 수지 (b) 100질량부에 대하여 1 내지 30질량부여도 되고, 5 내지 15질량부여도 된다. 비접착층이 다른 성분으로서 커플링제를 함유하는 경우, 커플링제의 함유량은, 수지 (b) 100질량부에 대하여 1 내지 20질량부로 해도 되고, 5 내지 15질량부로 해도 된다.
비접착층을 지지 필름 상에 형성하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 통상, 수지 (b)를 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 제작한 비접착층 형성용의 바니시(수지 바니시)를, 지지 필름 상에 도공한 후, 가열 처리하여 용제를 제거함으로써 형성할 수 있다. 바니시 도포 후의 가열 처리 등에 의해 수지 (b)(예를 들어, 내열성 수지)가 되는, 수지 (b)(예를 들어, 폴리이미드 수지)의 전구체(예를 들어 폴리아미드산)를 용제에 용해한 전구체 바니시를 지지 필름 상에 도공한 후, 가열 처리함으로써, 수지 (b)를 포함하는 비접착층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 전구체 바니시 도공 후의 가열 처리에 의해 용제가 제거됨과 함께, 수지 (b)의 전구체가 수지 (b)가 된다(예를 들어, 이미드화). 도공면의 표면 상태 등의 관점에서, 수지 바니시를 사용해도 된다.
상기한 바니시를 도공한 지지 필름을 용제의 제거, 이미드화 등을 위해 가열 처리하는 경우의 처리 온도는, 수지 바니시인지 전구체 바니시인지에 따라 상이해도 된다. 처리 온도는, 수지 바니시의 경우, 용제를 제거할 수 있는 온도이면 되고, 전구체 바니시의 경우, 이미드화시키기 위해 수지층의 유리 전이 온도 이상이어도 된다.
수지 (b)로서 열경화성 수지를 사용하는 경우, 또는 열가소성 수지와 열경화성 수지를 조합하여 사용하는 경우에는, 도공 후의 가열 처리에 의해 열경화성 수지를 경화시켜, 비접착층의 탄성률을 10MPa 이상으로 할 수도 있다. 이 가열 처리는, 용제의 제거 및/또는 이미드화와 동시에 행할 수도 있고, 별도로 행할 수도 있다.
지지 필름의 접착층이 마련된 면과는 반대측의 면 상에 비접착층을 마련하는 경우, 용제 제거시의 비접착층의 부피 감소, 이미드화, 열경화성 수지의 경화 등의 시의 수축에 의해, 접착층의 부피 감소에 기인하는 가보호 필름의 컬이 상쇄된다.
수지 (b)를 포함하는 수지 바니시, 또는 수지 (b)의 전구체를 포함하는 전구체 바니시를 지지 필름 상에 도공하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 롤 코트, 리버스 롤 코트, 그라비아 코트, 바 코트, 콤마 코트, 다이 코트, 감압 다이 코트 등을 사용하여 행할 수 있다.
비접착층의 두께는, 예를 들어 10㎛ 이하, 9㎛ 이하, 8㎛ 이하 또는 7㎛ 이하여도 된다. 비접착층의 두께는, 예를 들어 1㎛ 이상, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상 또는 6㎛ 이상이어도 된다. 비접착층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 1 내지 10㎛ 또는 1 내지 8㎛여도 된다.
비접착층의 두께 (C)에 대한 접착층의 두께 (A)의 비(A/C)는, 1.0 내지 2.0 또는 1.3 내지 2.0이어도 된다.
<지지 필름>
지지 필름은 특별히 제한되지 않지만, 접착층 또는 비접착층의 형성에 사용되는 수지의 도공, 건조, 반도체 장치 조립 공정 중의 열에 견딜 수 있는 수지(내열성 수지)를 포함하는 필름이어도 된다. 지지 필름은, 예를 들어 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 폴리머의 필름이어도 된다.
지지 필름의 유리 전이 온도는, 내열성을 향상시키기 위해 200℃ 이상이어도 되고, 250℃ 이상이어도 된다. 상기한 폴리머의 필름을 사용함으로써, 다이 패드에 반도체 소자를 접착하는 공정, 와이어 본드 공정, 밀봉 공정, 가보호 필름을 밀봉 성형체로부터 박리하는 공정 등의 열이 가해지는 공정에 있어서, 지지 필름이 연화되지 않아, 효율적으로 작업을 행할 수 있다.
지지 필름은, 접착층에 대하여 밀착성이 충분히 높은 것이 바람직하다. 밀착성이 낮으면, 100 내지 300℃의 온도에서 리드 프레임 및 밀봉재로부터 박리했을 때, 접착층(2)과 지지 필름의 계면에서 박리가 발생하기 쉽고, 리드 프레임 및 밀봉재에 수지가 잔류하기 쉽다. 지지 필름은 내열성을 갖고, 또한 접착층에 대한 밀착성이 충분히 높은 것이 바람직하다는 점에서, 폴리이미드 필름이어도 된다.
폴리이미드 필름의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 30 내지 200℃에서의 선팽창 계수가 3.0×10-5/℃ 이하여도 되고, 2.5×10-5℃ 이하여도 되고, 2.0×10-5/℃ 이하여도 된다. 200℃에서 2시간 가열했을 때의 가열 수축률은, 0.15％ 이하여도 되고, 0.1％ 이하여도 되고, 0.05％ 이하여도 된다.
지지 필름은, 접착층에 대한 밀착성을 충분히 높이기 위해, 표면을 처리해도 된다. 지지 필름의 표면 처리 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 알칼리 처리, 실란 커플링 처리 등의 화학적 처리, 샌드 매트 처리 등의 물리적 처리, 플라스마 처리, 코로나 처리 등을 들 수 있다.
지지 필름의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 가보호 필름을 리드 프레임에 첩부한 후의 리드 프레임의 휨을 저감하기 위해, 100㎛ 이하여도 되고, 50㎛ 이하여도 되고, 25㎛ 이하여도 된다. 지지 필름의 두께는 5㎛ 이상이어도 되고, 10㎛ 이상이어도 된다.
지지 필름의 재질을, 상기한 수지 이외의, 구리, 알루미늄, 스테인리스 스틸 및 니켈로 이루어지는 군으로부터 선택할 수도 있다. 지지 필름을 상기한 금속으로 함으로써, 리드 프레임과 지지 필름의 선팽창 계수를 가깝게 하고, 가보호 필름을 리드 프레임에 첩부한 후의 리드 프레임의 휨을 저감할 수 있다.
지지 필름의 편면에 접착층이 마련된 가보호 필름의 경우, 도공 후의 용제 제거시의 접착층의 부피 감소에 의한 필름의 컬이 보다 억제되기 쉬워진다는 관점에서, 지지 필름의 두께 (B)에 대한 접착층의 두께 (A)의 비(A/B)는, 0.2 이하여도 되고, 0.1 이하여도 되고, 0.05 이하여도 된다. 지지 필름의 두께 (B)에 대한 접착층의 두께 (A)의 비(A/B)가 0.2 이하인 경우, 도공 후의 용제 제거시의 수지층의 부피 감소에 의한 필름의 컬이 억제되기 쉽고, 리드 프레임에 접착할 때의 작업성, 생산성 등의 저하가 억제되기 쉬워지는 경향이 있다.
가보호 필름의 컬이 보다 억제되기 쉬워진다는 관점에서, 가보호 필름은, 지지 필름의 양면 상에 접착층이 마련되어 있어도 되고, 지지 필름의 접착층이 마련된 면과는 반대측의 면 상에, 비접착층이 마련되어 있어도 된다. 지지 필름의 양면 상에 접착층이 마련된 3층 구조의 가보호 필름의 경우, 상술한 접착층의 두께 (A)는, 접착층의 어느 한쪽의 층의 두께를 의미한다. 이 경우, 접착층의 두께 (A)끼리의 두께의 비(A/A)는 1이어도 된다.
<커버 필름>
상기 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름은, 상기 접착층의 상기 지지 필름이 마련된 면과는 반대측의 면 상에 마련된 커버 필름을 구비하고 있어도 된다. 즉, 상기 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름은, 커버 필름 구비 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름의 형태여도 된다. 상기 커버 필름은 특별히 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이어도 되고, 박리층을 마련한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이어도 된다.
상기 커버 필름의 두께는 10㎛ 이상이어도 되고, 20㎛ 이상이어도 되고, 100㎛ 이하여도 된다.
<반도체 장치의 제조 방법>
일 실시 형태에 관한 가보호 필름을 사용한 반도체 소자의 밀봉 성형 공정을 포함하는 방법에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 제조되는 반도체 장치는, 예를 들어 리드 프레임 및 이것에 탑재된 반도체 소자와, 리드 프레임의 반도체 소자측에서 반도체 소자를 밀봉하는 밀봉층을 갖고, 리드 프레임의 이면이 외부 접속용에 노출되어 있는, Non Lead Type Package여도 된다. 그의 구체예로서는, QFN(Quad Flat Non-leaded Package), SON(Small Outline Non-leaded Package)을 들 수 있다.
도 3은, 일 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도이다. 도 4는, 도 3의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치의 일 실시 형태를 도시하는 단면도이다. 이하, 필요에 따라 각 도면을 참조하여, 각 공정을 설명한다.
도 3의 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 다이 패드(11a) 및 이너 리드(11b)를 갖는 리드 프레임(11)의 편면(이면)에 가보호 필름(10)(또는 10')을, 그의 접착층이 리드 프레임에 접함과 함께, 가보호 필름(10)(또는 10')의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수가, 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하인 면 내 방향이, 리드 프레임의 외주가 직사각형인 경우에는 그의 짧은 변에, 리드 프레임의 외주가 정사각형인 경우에는 그 중 어느 한 변을 따르는 방향으로 첩부하는 공정과, 다이 패드(11a)의 가보호 필름(10)(또는 10')과는 반대측의 면 상에 반도체 소자(14)를 탑재(접착)하는 공정과, 반도체 소자(14)와 이너 리드(11b)를 접속하는 와이어(12)를 마련하는 공정과, 리드 프레임(11)의 반도체 소자(14)측의 표면, 반도체 소자(14) 및 와이어(12)를 덮는 밀봉층(13)을 형성하여 반도체 소자(14)를 밀봉하는 공정과, 가보호 필름(10)(또는 10')을 리드 프레임(11), 반도체 소자(14) 및 밀봉층(13)을 갖는 밀봉 성형체(20)를 얻는 공정과, 밀봉 성형체(20)로부터 가보호 필름(10)(또는 10')을 박리하는 공정을 이 순서대로 구비한다.
리드 프레임(11)으로의 가보호 필름(10)(또는 10')의 첩부 조건은 특별히 제한되지 않지만, 접착 온도는 150℃ 이상이어도 되고, 180℃ 이상이어도 되고, 200℃ 이상이어도 된다. 접착 온도는 400℃ 이하여도 되고, 350℃ 이하여도 되고, 300℃ 이하여도 된다. 접착 온도가 150℃ 이상인 경우, 리드 프레임과 수지층(2)의 박리 각도 90도의 필 강도가 보다 향상되는 경향이 있다. 접착 온도가 400℃ 이하인 경우, 리드 프레임의 열화가 보다 억제되는 경향이 있다.
리드 프레임(11)으로의 가보호 필름(10)(또는 10')의 접착 압력은 0.5MPa 이상이어도 되고, 1MPa 이상이어도 되고, 3MPa 이상이어도 된다. 접착 압력은 30MPa 이하여도 되고, 20MPa 이하여도 되고, 15MPa 이하여도 된다. 접착 압력이 0.5MPa 이상인 경우, 접착층과 리드 프레임의 박리 각도 90도의 필 강도가 보다 향상되는 경향이 있다. 접착 압력이 30MPa 이하인 경우, 리드 프레임의 파손이 보다 억제되기 쉬운 경향이 있다. 본 발명에 있어서, 리드 프레임으로의 가보호 필름의 접착 시간은 0.1 내지 60초의 사이여도 되고, 1 내지 30초여도 되고, 3 내지 20초여도 된다. 접착 시간이 0.1초 이상인 경우, 접착층과 리드 프레임의 90도 필 강도를 보다 향상시키기 쉬운 경향이 있다. 접착 시간이 60초 이하인 경우, 작업성과 생산성을 보다 향상시키기 쉬운 경향이 있다. 압력을 가하기 전에, 5 내지 60초 정도의 예비 가열을 행해도 된다.
일 실시 형태에 관한 가보호 필름 구비 리드 프레임은, 다이 패드(11a) 및 이너 리드(11b)를 갖는 리드 프레임(11)과, 가보호 필름(10)(또는 10')을 구비하고, 가보호 필름(10)(또는 10')이, 그의 접착층(2)이 리드 프레임(11)의 편면에 접함과 함께, 가보호 필름(10)(또는 10')의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수가, 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하인 면 내 방향이, 리드 프레임(11)의 외주가 직사각형인 경우에는 그의 짧은 변에, 리드 프레임(11)의 외주가 정사각형인 경우에는 그 중 어느 한 변을 따르는 방향으로 리드 프레임(11)에 부착되어 있다.
리드 프레임(11)의 재질은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 42 알로이 등의 철계 합금, 구리 또는 구리계 합금이어도 된다. 구리 및 구리계 합금의 리드 프레임을 사용하는 경우, 리드 프레임의 표면에, 팔라듐, 금, 은 등의 피복 처리를 실시해도 된다. 밀봉재와의 밀착력을 향상시키기 위해, 리드 프레임 표면을, 물리적으로 조화 처리해도 된다. 은 페이스트의 블리드 아웃을 방지하는 에폭시 블리드 아웃(EBO) 방지 처리 등의 화학적 처리를 리드 프레임 표면에 실시해도 된다. 리드 프레임의 두께는, 예를 들어 30 내지 150㎛여도 된다. 리드 프레임의 두께가 이 범위 내이면, 반도체 밀봉 성형에 사용되는 가보호 필름을 리드 프레임에 첩부한 후에, 리드 프레임의 휨이 발생하기 쉬운 경향이 있지만, 본 실시 형태에 관한 가보호 필름에 의하면, 리드 프레임의 휨의 발생이 억제된다.
반도체 소자(14)는, 통상, 접착제(예를 들어, 은 페이스트)를 통해 다이 패드(11a)에 접착된다. 가열 처리(예를 들어, 140 내지 200℃, 30분 내지 2시간)에 의해, 접착제를 경화시켜도 된다.
다이 패드(11a)의 연장 방향의 길이 및/또는 연장 방향과 직교하는 방향의 길이는, 5㎛ 이하, 3㎛ 이하, 2㎛ 이하 또는 1㎛ 이하여도 된다. 다이 패드(11a)의 상기 길이가 작아지면, 가보호 필름을 리드 프레임에 첩부한 후에, 리드 프레임의 휨이 발생하기 쉬워진다. 본 실시 형태에 관한 가보호 필름에 의하면, 상기 길이의 다이 패드(11a)를 사용한 경우에도, 리드 프레임의 휨의 발생이 억제된다.
와이어(12)는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 금선, 구리선 또는 팔라듐 피복 구리선이어도 된다. 예를 들어, 200 내지 270℃에서 3 내지 60분 가열하여 초음파와 누름 압력을 이용하여, 반도체 소자 및 이너 리드를 와이어(12)와 접합해도 된다.
와이어(12)에 의한 와이어 본딩 후, 밀봉 성형체(20)를 얻는(밀봉층(13)을 형성하는) 밀봉 성형의 공정 전에, 리드 프레임(11)에 플라스마 처리를 실시해도 된다. 플라스마 처리에 의해, 밀봉층과 리드 프레임의 밀착성을 보다 높여, 반도체 장치의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 플라스마 처리로서는, 예를 들어 감압 조건(예를 들어, 9.33Pa 이하)으로, 아르곤, 질소, 산소 등의 가스를 소정의 가스 유량으로 주입하여, 플라스마 조사하는 방법을 들 수 있다. 플라스마 처리에 있어서의 플라스마의 조사 출력은, 예를 들어 10 내지 500W여도 된다. 플라스마 처리의 시간은, 예를 들어 5 내지 50초간이어도 된다. 플라스마 처리에 있어서의 가스 유량은, 5 내지 50sccm이어도 된다.
밀봉 성형의 공정에서는, 밀봉재를 사용하여 밀봉층(13)이 형성된다. 밀봉 성형에 의해, 복수의 반도체 소자(14) 및 이들을 일괄하여 밀봉하는 밀봉층(13)을 갖는 밀봉 성형체(20)가 얻어진다. 밀봉 성형하는 동안, 가보호 필름(10)(또는 10')이 마련되어 있음으로써, 밀봉재가 리드 프레임(11)의 이면측으로 혼입되는 것이 억제된다.
일 실시 형태에 관한 가보호 필름 구비 밀봉 성형체는, 다이 패드(11a) 및 이너 리드(11b)를 갖는 리드 프레임(11)과, 다이 패드(11a)에 탑재된 반도체 소자(14)와, 반도체 소자(14)와 이너 리드(11b)를 접속하는 와이어(12)와, 반도체 소자(14) 및 와이어(12)를 밀봉하고 있는 밀봉층(13)과, 가보호 필름(10)(또는 10')을 구비하고, 가보호 필름(10)(또는 10')이, 그의 접착층(2)이 리드 프레임(11)의 반도체 소자(14)가 탑재되어 있는 면과는 반대측의 면에 첩부되어 있다.
밀봉층을 형성하는 동안의 온도(밀봉 온도)는, 140 내지 200℃여도 되고, 160 내지 180℃여도 된다. 밀봉층을 형성하는 동안의 압력(밀봉 압력)은 6 내지 15MPa여도 되고, 7 내지 10MPa여도 된다. 밀봉 성형에 있어서의 가열 시간(밀봉 시간)은, 1 내지 5분이어도 되고, 2 내지 3분이어도 된다.
형성된 밀봉층(13)을 필요에 따라 가열 경화시켜도 된다. 밀봉층의 경화를 위한 가열 온도(밀봉 경화 온도)는, 150 내지 200℃여도 되고, 160 내지 180℃여도 된다. 밀봉층의 경화를 위한 가열 시간(밀봉 경화 시간)은, 4 내지 7시간이어도 되고, 5 내지 6시간이어도 된다.
밀봉재의 재질은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 크레졸노볼락에폭시 수지, 페놀노볼락에폭시 수지, 비페닐디에폭시 수지, 나프톨노볼락에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 들 수 있다. 밀봉재에는, 예를 들어 필러, 브롬 화합물 등의 난연성 물질, 왁스 성분 등의 첨가재가 첨가되어 있어도 된다.
밀봉층(13)의 형성(밀봉 성형) 후, 얻어진 밀봉 성형체(20)의 리드 프레임(11) 및 밀봉층(13)으로부터, 가보호 필름(10)(또는 10')이 박리된다. 밀봉층을 경화하는 경우, 가보호 필름(10)(또는 10')을, 밀봉층의 경화 전 또는 후 중 어느 시점에 박리해도 된다.
가보호 필름을 박리할 때의 온도는, 특별히 제한되지 않지만, 박리 온도는 0 내지 250℃의 사이여도 된다. 온도가 0℃ 이상인 경우, 리드 프레임 및 밀봉재에 접착층이 남기 어렵다. 온도가 250℃ 이하이면, 리드 프레임 및 밀봉재의 열화가 억제되는 경향이 있다. 상기 마찬가지의 이유로부터, 박리 온도는 100 내지 250℃여도 되고, 150 내지 200℃여도 된다.
반도체 장치의 제조 방법은, 필요에 따라, 박리 공정 후에 리드 프레임(11) 및 밀봉층(13) 상에 잔류한 접착층(점착제 잔류)을 제거하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 본 발명에 있어서, 밀봉재로 밀봉한 후에 가보호 필름을 0 내지 250℃에서 박리했을 때, 리드 프레임 및 밀봉재에 접착층이 남지 않는 것이 바람직하다. 접착층의 잔류량이 많은 경우, 외관이 떨어질 뿐만 아니라, 리드 프레임을 외부 접속용에 사용하면, 도금 불량이나 접촉 불량의 원인이 되기 쉽다. 따라서, 리드 프레임 및 밀봉재에 잔류한 접착층을 기계적 브러싱, 용제 등으로 제거해도 된다. 용제로서는 특별히 제한되지 않지만, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등이 사용된다.
리드 프레임이 다이 패드 및 이너 리드를 갖는 복수의 패턴을 포함하는 경우, 필요에 따라 밀봉 성형체(20)를 분할하여, 각각 1개의 반도체 소자를 갖는 도 4의 반도체 장치(100)를 복수 얻을 수 있다.
즉, 리드 프레임(11)이 복수의 다이 패드(11a)를 갖고, 복수의 다이 패드(11a)의 각각에 반도체 소자(14)가 탑재되는 경우, 일 실시 형태에 관한 제조 방법은, 가보호 필름(10)(또는 10')을 밀봉 성형체(20)로부터 박리하기 전 또는 후에 밀봉 성형체(20)를 분할하여, 1개의 다이 패드(11a) 및 반도체 소자(14)를 갖는 반도체 장치(100)를 얻는 공정을 더 구비하고 있어도 된다.
<포장체>
상술한 실시 형태에 관한 가보호 필름은, 상기 릴체를 포장 주머니에 수용한 포장체로서 제공되어도 된다. 도 7은, 포장체의 일 실시 형태를 나타낸다. 도 7에 도시한 바와 같이, 포장체(50)는, 상기 릴체(33)와, 상기 릴체(33)를 수용한 포장 주머니(40)를 구비한다. 릴체(33)는, 통상 개별로 포장 주머니에 수용되지만, 복수개(예를 들어, 2 내지 3개)의 릴체(33)를 1개의 포장 주머니(40)에 수용해도 된다.
포장 주머니(40)는, 수지 필름으로 형성되어 있어도 되고, 알루미늄층을 갖는 수지 필름인 복합 필름으로 형성되어 있어도 된다. 포장 주머니(40)의 구체예로서는, 알루미늄 코팅된 플라스틱제의 주머니 등을 들 수 있다. 수지 필름의 소재로서는, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 플라스틱을 들 수 있다. 릴체(33)는, 예를 들어 진공팩된 상태로 포장 주머니에 수용되어 있어도 된다. 포장체(50)는, 진공팩된 것으로 한정되지 않는다.
포장 주머니(40)에는, 릴체(33)와 함께 건조제가 수용되어 있어도 된다. 건조제로서는, 예를 들어 실리카겔을 들 수 있다. 포장체(50)는, 릴체(33)를 수용한 포장 주머니(40)를 더 완충재로 둘러싼 것이어도 된다.
<곤포물>
포장체(50)는, 곤포 상자에 수용된 곤포물로서 제공되어도 된다. 도 8은, 곤포물의 일 실시 형태를 나타낸다. 도 8에 도시한 바와 같이, 곤포물(70)은, 상기 포장체(50)와, 상기 포장체(50)를 수용한 곤포 상자(60)를 구비한다. 곤포 상자(60)에는, 1개 또는 복수개의 포장체(50)가 수용된다. 곤포 상자(60)로서는, 예를 들어 골판지를 사용할 수 있다.
일 실시 형태에 관한 가보호 필름을 사용하여 제조되는 반도체 장치는, 고밀도화, 소면적화, 박형화 등의 관점에서 우수하고, 예를 들어 휴대 전화, 스마트폰, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 등의 전자 기기에 적합하게 이용할 수 있다.
실시예
이하에, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 4의 가보호 필름의 제조>
(도공용 바니시의 제작)
제조예 1: 접착층 형성용의 바니시 1의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 258.3g(0.63몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 10.4g(0.042몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1450g에 용해하였다. 이 용액을 70℃로 승온하고, 이 온도에서 1,12-디아미노도데칸 33.6g(0.168몰)을 첨가하고, 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리멜리트산클로라이드 180.4g(0.857몰)을 첨가하였다. 무수 트리멜리트산클로라이드가 용해된 후, 트리에틸아민 130g을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르아미드이미드를 얻었다. 이 폴리에테르아미드이미드 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 6g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 1을 얻었다.
제조예 2: 접착층 형성용의 바니시 2의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 258.6g(0.63몰) 및 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 67.0g(0.27몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1550g에 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리멜리트산클로라이드 187.3g(0.89몰)을 첨가하였다. 무수 트리멜리트산클로라이드가 용해된 후, 트리에틸아민 100g을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르아미드이미드를 얻었다. 이 폴리에테르아미드이미드 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 3.6g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 2를 얻었다.
제조예 3: 비접착층 형성용의 바니시 3의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 172.4g(0.42몰) 및 4,4'-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아닐린) 153.7g(0.42몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1550g에 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리멜리트산클로라이드 174.7g(0.83몰)을 첨가하였다. 무수 트리멜리트산클로라이드가 용해된 후, 트리에틸아민 130g을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르아미드이미드를 얻었다. 이 폴리에테르아미드이미드 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 6g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 비접착층 형성용의 바니시 3을 얻었다.
제조예 4: 접착층 형성용의 바니시 4의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 270.9g(0.66몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 8.7g(0.035몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1950g에 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리멜리트산클로라이드 149.5g(0.71몰)을 첨가하였다. 무수 트리멜리트산클로라이드가 용해된 후, 트리에틸아민 100g을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르아미드이미드를 얻었다. 이 폴리에테르아미드이미드 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 3.6g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 4를 얻었다.
제조예 5: 접착층 형성용의 바니시 5의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 102.5g(0.25몰), 4,4-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아닐린) 91.5g(0.25몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1900g에 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 비스페놀 A 비스트리멜리테이트 이무수물 282.2g(0.49몰)을 첨가하였다. 그 후, 실온에서 20분간, 60℃에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르이미드를 얻었다. 이 폴리에테르이미드 120g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 5를 얻었다.
제조예 6: 접착층 형성용의 바니시 6의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰 250.9g(0.58몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 7.4g(0.03몰)을 넣고, 이들을 N-메틸-2-피롤리돈 1500g에 용해하였다. 또한 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리멜리트산클로라이드 126.3g(0.6몰)을 첨가하였다. 무수 트리멜리트산클로라이드가 용해된 후, 트리에틸아민 67g을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온하여 5시간의 반응에 의해 이미드화를 완결시켰다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리에테르아미드이미드를 얻었다. 이 폴리에테르아미드이미드 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 6.0g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 6을 얻었다.
제조예 7: 접착층 형성용의 바니시 7의 제조
온도계, 교반기, 질소 도입관 및 분류탑을 설치한 5리터의 4구 플라스크에 질소 분위기하, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 295.2g(0.72몰), 실리콘디아민(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: X-22-161B) 540g(0.18몰)을 넣고, 이들을 디에틸렌글리콜디메틸에테르 2400g에 용해하였다. 또한 이 용액을 -10℃로 냉각하고, 이 온도에서 이소프탈산클로라이드 188.8g(0.93몰)을 첨가하였다. 그 후, 1시간 교반한 후, 프로필렌옥사이드 214g을 첨가하였다. 또한 실온에서 30분간 교반을 계속한 후, 40℃로 승온하여 5시간의 반응을 행하였다. 반응액을 메탄올 중에 투입하여 중합체를 단리하였다. 이것을 건조한 후, 디메틸포름아미드에 용해하여 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리하였다. 단리한 중합체를 감압 건조하여 정제된 분말상의 폴리실록산폴리아미드 블록 공중합체를 얻었다. 이 폴리실록산폴리아미드 블록 공중합체 120g 및 실란 커플링제(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명: SH6040) 6.0g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 접착층 형성용의 바니시 7을 얻었다.
(가보호 필름의 제작)
실시예 1 내지 19
접착층 형성용의 각 바니시 1, 2, 4, 5 또는 6을 표 1에 나타내는 지지 필름 상에 도포하였다. 도막을 100℃에서 10분간 및 300℃에서 10분 가열함으로써 건조하여, 지지 필름 상에 표 1에 나타내는 두께(막 두께)의 접착층을 형성하였다. 3층 구조의 가보호 필름을 제작하는 경우, 비접착층 형성용의 바니시 3을 사용하여, 상기한 바와 마찬가지로, 지지 필름의 접착층과는 반대측의 면 상에 표 1에 나타내는 두께(막 두께)의 비접착층을 형성하였다. 이상의 방법에 의해, 실시예 1 내지 19의 가보호 필름을 형성하였다.
비교예 1 내지 9
접착층 형성용의 바니시 1, 2, 4, 5, 6 또는 7을 표 2에 나타내는 지지 필름 상에 도포하였다. 도막을 100℃에서 10분간 및 300℃에서 10분 가열함으로써 건조하여, 지지 필름 상에 표 2에 나타내는 두께의 접착층을 형성하였다. 3층 구조의 가보호 필름을 제작하는 경우, 비접착층 형성용의 바니시 3을 사용하여, 상기한 바와 마찬가지로, 지지 필름 상에 표 2에 나타내는 두께의 비접착층을 형성하였다. 이상의 방법에 의해, 비교예 1 내지 9의 가보호 필름을 얻었다.
바니시 1 내지 2 및 4 내지 7을 사용하여 제작된 접착층의 Tg(℃), 5％ 중량 감소 온도(5％ 중량 분해 온도)(℃), 및 230℃에서의 탄성률(MPa, 230℃)은 표 1에 나타내는 바와 같았다. 바니시 3(제조예 3)을 사용하여 제작된 비접착층의 Tg(℃), 5％ 중량 감소 온도(℃), 및 230℃에서의 탄성률(MPa, 230℃)은, 각각 260℃, 421℃ 및 1700MPa(230℃)였다.
<평가>
(휨량의 측정)
가보호 필름을 220mm×54mm 사이즈로 자르고, 250℃/10초간 테이프 프리베이크를 행하였다. 이 필름을 리드 프레임(신코 뎅키 고교 가부시키가이샤제, EL-D912S) 상에 놓고, 상부 금형 250℃, 하부 금형 250℃의 조건으로 설정된 프레스기를 사용하여, 6MPa, 12초의 조건으로 열 압착하였다. 실시예 5에 있어서는 첩부 온도 260℃의 조건으로 열 압착하였다.
도 5는, 휨량의 측정 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 5의 B에 도시한 바와 같이, 가보호 필름 구비 리드 프레임(30)은, 가보호 필름(10)(또는 10')이 측정 스테이지(S)에 접하는 방향으로 측정 스테이지(S) 상에 놓였다. 이어서, 도 5의 A에 도시하는 리드 프레임(11) 외주의 짧은 변측 단부에 마련된 6개소의 측정점 a 내지 f에 있어서의 측정 스테이지(S)로부터의 가보호 필름(10)(또는 10') 하면의 높이를 측정하였다. 휨량은, 측정점 a 내지 f의 높이로부터, 다음 식에 의해 산출하였다.
식: 휨량(㎛)={(a, b 및 c의 높이의 최댓값)+(d, e 및 f의 높이의 최댓값)}/2-100(리드 프레임의 막 두께)(㎛)-가보호 필름의 막 두께(㎛)
휨량은, 가보호 필름의 첩부 직후 및 24℃, 50％RH(상대 습도)의 조건에서 24시간 정치 후(흡습 후)에 측정하였다.
(인장 탄성률(탄성률)의 측정)
가보호 필름을 4mm×30mm 사이즈로 잘라서 얻은 시험편을 동적 점탄성 측정 장치(가부시키가이샤 유비엠제, Rheogel-E4000)에, 척간 거리 20mm로 세팅하였다. 세팅한 시험편을 사인파, 온도 범위 30℃ 일정, 주파수 10Hz의 조건으로 인장 탄성률을 측정하였다.
(선팽창 계수(CTE)의 측정)
가보호 필름을 300℃로 가열한 핫 플레이트 상에 10분간 방치하고, 가보호 필름의 잔류 응력을 제거하였다. 그 후, 가보호 필름을 지지 필름의 TD(Transverse direction) 방향이 길이 방향이 되도록 3mm×30mm 사이즈로 잘라서 시험편을 얻었다. 시험편을 열 기계 분석 장치(세이코 인스트루먼츠 가부시끼가이샤제, SSC5200형)에, 인장 모드에서, 척간 거리 20mm로 세팅하였다. 세팅한 시험편을 온도 범위 30℃ 내지 300℃, 승온 속도 10℃/분의 조건으로 처리하여, 시험편의 선팽창 계수를 측정하였다. 측정 결과로부터, 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수(CTE)를 판독하였다.
Figure 112019107882112-ptm00001
Figure 112019107882112-ptm00002
1…지지 필름
2…접착층
3…비접착층
10, 10'…가보호 필름
11…리드 프레임
11a…다이 패드
11b …이너 리드
12…와이어
13…밀봉층
14…반도체 소자
20…밀봉 성형체
30…가보호 필름 구비 리드 프레임
31…권취 코어
32…측판
33…릴체
40…포장 주머니
50…포장체
60…곤포 상자
70…곤포물
100…반도체 장치

Claims (11)

  1. 권취 코어와, 상기 권취 코어에 권취된 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름을 구비하고,
    상기 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름이, 지지 필름과, 상기 지지 필름의 편면 또는 양면 상에 마련된 접착층을 구비하고,
    상기 가보호 필름의 30℃ 내지 200℃에서의 선팽창 계수가, 상기 가보호 필름의 적어도 하나의 면 내 방향에 있어서, 16ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하인, 릴체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가보호 필름의 30℃에서의 탄성률이 9GPa 이하인, 릴체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착층의 230℃에서의 탄성률이 1MPa 이상인, 릴체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접착층이 아미드기, 에스테르기, 이미드기, 에테르기 또는 술폰기를 갖는 열가소성 수지를 함유하는, 릴체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접착층이 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성 수지를 함유하는, 릴체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지 필름이 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리머의 필름인, 릴체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지 필름의 편면 상에 상기 접착층이 마련되어 있고,
    상기 지지 필름의 두께에 대한 상기 접착층의 두께의 비가 0.2 이하인, 릴체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 지지 필름의 편면 상에 상기 접착층이 마련되어 있고,
    당해 가보호 필름이, 상기 지지 필름의 상기 접착층이 마련된 면과는 반대측의 면 상에 마련된 비접착층을 더 구비하는, 릴체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 비접착층의 두께에 대한 상기 접착층의 두께의 비가 1.0 내지 2.0인, 릴체.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 릴체와, 상기 릴체를 수용한 포장 주머니를 구비하는, 포장체.
  11. 제10항에 기재된 포장체와, 상기 포장체를 수용한 곤포 상자를 구비하는, 곤포물.
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