TW201911605A - 發光裝置封裝 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置封裝包括：一封裝主體；安置於該封裝主體上之一發光裝置；及安置於該封裝主體與該發光裝置之間的一黏著劑，該封裝主體包括在該封裝主體之一上部表面上穿過該封裝主體之第一及第二開口，及提供為自該封裝主體之該上部表面在該封裝主體之一下部表面的一方向上凹入的一凹陷，該發光裝置包括安置於該第一開口上之一第一接合部分及安置於該第二開口上之一第二接合部分，該黏著劑提供在該凹陷處，
Description
實施例涉及一種半導體裝置封裝，一種半導體裝置封裝之製造方法及一種光源設備。
包括諸如GaN及AlGaN之化合物的半導體裝置具有許多價值，諸如寬且易於調整之帶隙能量，因此裝置可不同地用作發光裝置、光接收裝置及各種二極體。
特定言之，由於薄膜生長技術及裝置材料之發展，藉由使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可實施具有各種波長帶之光，諸如紅光、綠光、藍光及紫外線。另外，藉由使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可藉由使用螢光物質或組合色彩而實施具有高效率之白光源。相比於諸如螢光燈及白熾燈之習知光源，此發光裝置具有諸如低功率消耗、半永久壽命、快速回應速度、安全性及環境友好性之優勢。
另外，在使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質製造諸如光偵測器或太陽能電池之光接收裝置時，隨著裝置材料之發展，藉由吸收具有各種波長域之光生成了光電流，從而使得可使用具有各種波長域之光，諸如自伽馬射線至無線電波。另外，上文之光接收裝置具有諸如快速回應速度、安全性、環境友好性及易於控制裝置材料之優勢，從而使得光接收裝置可易於用於功率控制件、超高頻電路或通信模組。
因此，半導體裝置已被應用且擴展至光學通信工具之傳輸模組、替換構成液晶顯示器(LCD)之背光的冷陰極螢光燈(CCFL)的發光 二極體背光、可替換螢光燈或白熾燈泡的白色發光二極體照明設備、車輛前燈、信號燈及用於偵測氣體或火之感測器。另外，半導體裝置之應用可擴展至高頻應用電路、功率控制設備或通信模組。
舉例而言，發光裝置可提供為具有如下特性之p-n接面二極體：藉由使用元素週期表中之III-V族元素或II-VI族元素將電能轉換成光能，且可藉由調整化合物半導體物質之組成比率來實現各種波長。
舉例而言，由於氮化物半導體具有高熱穩定性及寬帶隙能量，因此其在光學裝置及高功率電子裝置之開發領域中受到極大關注。特定言之，使用氮化物半導體之藍色發光裝置、綠色發光裝置、紫外(UV)發光裝置及紅色發光裝置已被商業化且廣泛使用。
舉例而言，紫外發光裝置是指生成在波長範圍200nm至400nm中分佈之光的發光二極體。在上文波長範圍中，短波長可用於滅菌、淨化等且長波長可用於步進器、固化設備等。
紫外線可按長波長之次序分為UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)及UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域應用於各種領域，諸如工業UV固化、印刷油墨之固化、曝光機器、偽造金錢之鑑別、光催化滅菌、特殊照明(諸如水族箱/農業)，UV-B(280nm至315nm)域應用於醫療用途，且UV-C(200nm至280nm)域應用於空氣淨化、水淨化、滅菌產品等。
同時，由於已要求能夠提供高輸出之半導體裝置，因此已開始研究能夠藉由應用高功率源而增大輸出功率之半導體裝置。
另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究改良半導體裝置之光提取效率及改良封裝階段中之光強度的方法。另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究改良封裝電極與半導體裝置之間的接合強度之方法。
另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究藉由改良製程效率及改變結構來降低製造成本並改良製造良率之方法。
實施例可提供一種能夠改良光提取效率及電特性之半導體 裝置封裝，一種該半導體裝置封裝之製造方法，及一種光源設備。
實施例可提供一種能夠降低製造成本並改良製造良率之半導體裝置封裝，一種該半導體裝置封裝之製造方法，及一種光源設備。
實施例提供一種可防止在將半導體裝置封裝重新接合至基板等之製程期間在半導體裝置封裝之接合區域中出現重新熔融現象的半導體裝置封裝，及一種半導體裝置封裝製造方法。
一種根據實施例之發光裝置封裝包含：封裝主體；安置於封裝主體上之發光裝置；及安置於封裝主體與發光裝置之間的黏著劑，其中封裝主體包含在封裝主體之上部表面上穿過封裝主體之第一及第二開口，及提供為自封裝主體之上部表面在封裝主體之下部表面方向上凹入的凹陷，其中發光裝置包含安置於第一開口上之第一接合部分及安置於第二開口上之第二接合部分，且其中黏著劑提供在凹陷處。
根據實施例，凹陷可以封閉迴路形狀提供在第一及第二開口之周邊處。
根據實施例，在自發光裝置之上部方向檢視時，發光裝置之尺寸可提供為大於由凹陷提供的封閉迴路之內部區域。
根據實施例，在自發光裝置之上部方向檢視時，由凹陷提供之封閉迴路可以連接發光裝置之四個側表面的輪廓安置。
根據實施例，在自發光裝置之上部方向檢視時，連接發光裝置之四個側表面的輪廓可提供為在凹陷上重疊。
根據實施例，封裝主體可包含第一框架、第二框架及安置於第一框架與第二框架之間的主體，其中第一開口可提供在第一框架處，其中第二開口可提供在第二框架處，且其中凹陷可提供為與第一框架之上部表面、主體之上部表面及第二框架之上部表面連接。
根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含上部凹陷，其提供為自封裝主體之上部表面在封裝主體之下部表面的方向上凹入，其中上部凹陷可提供於第一開口與第二開口之間。
根據實施例，黏著劑可安置於第一接合部分及第二接合部分 之周邊處。
根據實施例之發光裝置封裝可包含安置於第一開口處且電連接至第一接合部分之第一導電層，及安置於第二開口處且電連接至第二接合部分之第二導電層。
根據實施例之發光裝置封裝可包含安置於第一接合部分與第一導電層之間的第一導體，及安置於第二接合部分與第二導電層之間的第二導體。
根據實施例，黏著劑可提供為與封裝主體之上部表面及發光裝置之下部表面直接接觸，且可包圍並密封第一及第二接合部分之周邊。
根據實施例，第一及第二接合部分可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
根據實施例，第一及第二導電層可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu及SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金。
根據實施例，第一導體可安置於第一開口中，且第二導體可安置於第二開口中。
根據實施例，第一導體可安置成在豎直方向上與第一接合部分重疊，且第二導體可安置成在豎直方向上與第二接合部分重疊。
一種根據實施例之發光裝置封裝包含：封裝主體，其包含：包含第一開口之第一框架、包含第二開口之第二框架，及安置於第一框架與第二框架之間的主體；安置於封裝主體上且包含第一接合部分及第二接合部分之發光裝置；及安置於封裝主體之上部表面與發光裝置之下部表面之間的黏著劑，其中封裝主體包含提供為自封裝主體之上部表面在封裝主體之下部表面的方向上凹入的凹陷，且其中凹陷以封閉迴路形狀安置於第一及第二開口之周邊處。
根據實施例，凹陷可提供為與第一框架之上部表面、主體之上部表面及第二框架之上部表面連接。
根據實施例之發光裝置封裝可包含安置於第一開口處且電連接至第一接合部分之第一導電層，及安置於第二開口處且電連接至第二接合部分之第二導電層。
根據實施例之發光裝置封裝可包含安置於第一開口中且安置於第一接合部分與第一導電層之間的第一導體，及安置於第二開口中且安置於第二接合部分與第二導電層之間的第二導體。
根據實施例，第一導電層可安置成與第一接合部分之下部表面及第一導體之側表面直接接觸，且第二導電層可安置成與第二接合部分之下部表面及第二導體之側表面直接接觸。
一種根據實施例之發光裝置封裝包含：主體；在主體處彼此間隔開之第一及第二框架；發光裝置，其包含發光結構、安置在發光結構下之第一接合部分，及在發光結構下安置成與第一接合部分間隔開之第二接合部分；包圍發光裝置之模製部件；及安置於第一與第二框架之間的熱耗散部件，其中主體之下部表面與第一及第二框架之下部表面形成相同平面，第一接合部分包含接近於第二接合部分之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面，第二接合部分包含接近於第一接合部分之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面，其中第一側表面及第三側表面與熱耗散部件接觸，且第二側表面及第四側表面與模製部件接觸，熱耗散部件之上部表面與發光裝置接觸且在第一方向上延伸，其中第一方向為自發光裝置之上部表面朝向主體之下部表面的方向，且自發光裝置之上部表面至第一框架之下部表面的第一距離提供為等於或大於自發光裝置之上部表面至熱耗散部件之下部表面的第二距離。
根據實施例，主體可包含在主體之上部表面處在第一方向上穿過主體之下部表面的開口，且熱耗散部件可提供在開口處。
根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含安置於第一接合部分與第一框架之間的第一導電層；及安置於第二接合部分與第二框架之間的第二導電層。
根據實施例，模製部件可包含安置在發光裝置下之反射性樹 脂部分，及安置於發光裝置之周邊處的模製部分。
根據實施例，第一接合部分之下部表面的面積或第二接合部分之下部表面的面積可小於開口之上部區域的面積。
根據實施例，熱耗散部件可包含環氧類或聚矽氧類樹脂，且可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Al2O3及AlN。
根據實施例，熱耗散部件可提供為絕緣黏著劑，且第一及第二導電層可提供為導電黏著劑。
根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含安置於第一接合部分與第一導電層之間的第一導體，及安置於第二接合部分與第二導電層之間的第二導體。
一種根據實施例的發光裝置封裝之製造方法包含：提供第一框架、第二框架，及包含安置於第一框架與第二框架之間的主體且包含穿過其上部及下部表面之開口的封裝主體；在封裝主體上提供發光裝置，該發光裝置包含安置於其下部表面上的第一接合部分及第二接合部分，其中第一接合部分安置於第一框架上且第二接合部分安置於第二框架上；及安置熱耗散部件，該部件提供為穿過開口、與發光裝置之下部表面直接接觸。
根據實施例，該方法可進一步包含在發光裝置之周邊處提供模製部件。
根據實施例，提供模製部件可包含在發光裝置下提供反射性樹脂部分，及在發光裝置之周邊處提供模製部分。
根據實施例，在提供熱耗散部件時，熱耗散部件可安置成與第一接合部分及第二接合部分直接接觸。
根據實施例之半導體裝置封裝及半導體裝置封裝之製造方法可改良光提取效率、電特性及可靠性。
根據實施例之半導體裝置封裝及半導體裝置封裝之製造方法可改良製程效率，並提出新的封裝結構，藉此降低製造成本並改良製造良率。
根據實施例，半導體裝置封裝具備具有高反射率之主體，從 而使得可防止反射器變色，藉此改良半導體裝置封裝之可靠性。
根據實施例，半導體裝置封裝及半導體裝置之製造方法可防止在將半導體裝置封裝重新接合至基板等或熱處理半導體裝置封裝之製程期間，在半導體裝置封裝之接合區域中出現重新熔融現象。
100‧‧‧發光裝置封裝
110‧‧‧封裝主體
111‧‧‧第一框架
111a‧‧‧第一電鍍層
112‧‧‧第二框架
112a‧‧‧第二電鍍層
113‧‧‧主體
117‧‧‧反射器
120‧‧‧發光裝置
121‧‧‧第一接合部分/第一襯墊電極
122‧‧‧第二接合部分/第二襯墊電極
123‧‧‧發光結構
124‧‧‧基板
130‧‧‧黏著劑/黏著層
133‧‧‧熱耗散部件
135‧‧‧樹脂部分
140‧‧‧模製部分
200‧‧‧發光裝置封裝
221‧‧‧第一導體
222‧‧‧第二導體
300‧‧‧發光裝置封裝
310‧‧‧電路板
311‧‧‧第一襯墊
312‧‧‧第二襯墊
313‧‧‧支撐基板
321‧‧‧第一導電層
322‧‧‧第二導電層
421‧‧‧第一接合層
422‧‧‧第二接合層
430‧‧‧金屬層
1100‧‧‧發光裝置封裝
A1‧‧‧第一區域
C‧‧‧腔體
R‧‧‧凹陷
R1‧‧‧第一凹陷
R2‧‧‧第二凹陷
R10‧‧‧上部凹陷
R11‧‧‧第一下部凹陷
R12‧‧‧第二下部凹陷
T1‧‧‧深度
TH1‧‧‧第一開口
TH2‧‧‧第二開口
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
圖1為根據本發明之實施例的發光裝置封裝的平面圖。
圖2為圖1中示出之發光裝置封裝的仰視圖。
圖3為沿著圖1中示出之發光裝置封裝的線D-D截取之橫截面圖。
圖4為解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝的第一框架、第二框架及主體之配置關係的視圖。
圖5a及圖5b為解釋藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供封裝主體之狀態的視圖。
圖6a及圖6b為解釋藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供發光裝置之狀態的視圖。
圖7a及圖7b為解釋藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法在開口處提供熱耗散部件的狀態的視圖。
圖8a及圖8b為解釋藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供模製部件的狀態的視圖。
圖9為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖10為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖11為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖12為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖13為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖14為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖15為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖16為解釋根據本發明之實施例的發光裝置封裝之分解透視圖。
圖17為解釋根據本發明之實施例的發光裝置封裝的封裝主體、凹陷及 開口之配置關係的視圖。
圖18至圖21為解釋根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法的視圖。
圖22為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖23為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖24為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖25為解釋圖24中示出之發光裝置封裝的封裝主體、凹陷、開口及上部凹陷之配置關係的視圖。
圖26為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖27為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖28為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的平面圖。
圖29為圖28中示出之發光裝置封裝的仰視圖。
圖30為沿著圖29中示出之發光裝置封裝的線F-F截取之橫截面圖。
圖31為解釋圖28中示出之發光裝置封裝的封裝主體、凹陷、開口之配置關係的視圖。
圖32為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖33為解釋圖32中示出之發光裝置封裝的封裝主體、凹陷、開口及上部凹陷之配置關係的視圖。
圖34為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖35為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖36為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖37為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
在下文中，將參考附圖描述實施例。在實施例之描述中，應理解，在將層(或薄膜)、區域、圖案或結構稱為在另一層(或薄膜)、區域、圖案或結構「上」或「下」時，術語「上」及「下」包含「直接」或「藉由***另一層(間接)」之含義。此外，關於在每一層「上」及「下」 之參考係基於圖式，但實施例不限於此。
在下文中，將參考附圖詳細描述根據本發明之實施例的半導體裝置封裝及半導體裝置封裝之製造方法。在下文中，將基於發光裝置應用為半導體裝置之實例的狀況進行描述。
首先，將參考圖1至圖4描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖1至圖4中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
根據實施例，如圖2至圖4中所示出，主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可提供在發光裝置120下。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖3中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一接合部分121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二接合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
第一接合部分121及第二接合部分122可藉由使用選自由以下組成之群組的至少一種材料而以單層或多個層形成：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、 Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO及Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
在第一框架111及第二框架112之下部表面區域中的第一導電層321與第二導電層322之間的寬度W3可提供為幾百微米。在第一框架111及第二框架112之下部表面區域中的第一導電層321與第二導電層322 之間的寬度W3可選擇為提供預定距離，以便在根據實施例之發光裝置封裝100稍後安裝在電路板、次基座等上時防止襯墊之間出現短路。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含熱耗散部件133。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含開口TH1，如圖1至圖4中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133 可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下 之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
開口TH1可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。此處，下填充製程可為將發光裝置120安裝在封裝主體110上，且接著將熱耗散部件133安置在發光裝置120下之製程。開口TH1可提供為第一深度或更深，從而使得熱耗散部件133可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。
開口TH1之深度及寬度W4可影響熱耗散部件133之形成位置及固定力。可判定開口TH1之深度及寬度W4，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的熱耗散部件133可充分提供固定力。
作為實例，開口TH1之深度可提供為對應於第一框架111或第二框架112之厚度。開口TH1之深度可提供為能夠維持第一框架111或第二框架112之穩定強度的厚度。
另外，開口TH1之深度可提供為對應於主體113之厚度。開口TH1之深度可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，開口TH1之深度可提供為幾百微米。開口TH1 之深度可提供為180至220微米。作為實例，開口TH1之深度可提供為200微米。
另外，開口TH1之寬度W4可提供為幾十微米至幾百微米。此處，開口TH1之寬度W4可提供在發光裝置120之長軸方向上。
開口TH1之寬度W4可提供為窄於第一接合部分121與第二接合部分122之間的間隙。開口TH1之寬度W4可提供為140至400微米。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如圖4中所示出。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如圖4中所示出。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部件，如圖1至圖3中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分 135及模製部分140。
根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140中之至少一者。首先，在以下實施例中，基於模製部件包含樹脂部分135及模製部分140兩者之狀況進行描述。
然而，根據另一實施例，模製部件可僅包含樹脂部分135，或可僅包含模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝 置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140，如圖1及圖3中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
同時，如上文所描述，根據根據本發明之實施例的發光裝置 封裝之另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且模製部分140可安置成與第一框架111及第二框架112直接接觸。此外，並不單獨地提供模製部分140，且樹脂部分135可提供在發光裝置120之周邊及上部部分兩者處。
另外，根據實施例，發光結構123可提供為化合物半導體。舉例而言，發光結構123可提供為II-VI族或III-V族化合物半導體。作為實例，發光結構123可具備選自鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)及氮(N)之至少兩種或大於兩種元素。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、作用層及第二導電型半導體層。
第一及第二導電型半導體層可被實施為II-VI族或III-V族化合物半導體中之至少一者。第一及第二導電型半導體層可由具有InxAlyGa1-x-yN(0x1、0y1、0x+y1)之實驗公式的半導體材料形成。舉例而言，第一及第二導電型半導體層可包含選自由以下組成之群組的至少一者：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等。第一導電型半導體層可為摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或Te之n型摻雜劑的n型半導體層。第二導電型半導體層可為摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba之p型摻雜劑的p型半導體層。
作用層可被實施為化合物半導體。作用層可被實施為III-V族或II-VI族化合物半導體中之至少一者。在作用層被實施為多井結構時，作用層可包含交替安置之多個井層及多個阻擋層，且作用層可安置為具有InxAlyGa1-x-yN(0x1、0y1、0x+y1)之實驗公式的半導體材料。舉例而言，作用層可包含選自由以下組成之群組的至少一者：InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP及InP/GaAs。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合 部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，參考附圖，將描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法。
在參考附圖描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法時，可省略對與參考圖1至圖4所描述之內容重疊的內容之描述。
首先，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，如圖5a及圖5b中所示出，可提供封裝主體110。
圖5a及圖5b為說明藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供封裝主體之狀態的平面圖及橫截面圖。
封裝主體110可包含如圖5a及圖5b中示出之第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
接著，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖6A及圖6B中所示出，可在封裝主體110上提供發光裝置120。
圖6a及圖6b為說明藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供發光裝置之狀態的平面圖及橫截面圖。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於主體113上。第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
作為實例，第一接合部分121及第二接合部分122可由第一導電層321及第二導電層322固定於第一框架111及第二框架112上。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
根據實施例，發光裝置120可安置於開口TH1上。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。開口TH1可安置成在自主體113之下部表面朝向其上部表面的方向上與發光結構123之下部表面重疊。
作為實例，可執行針對第一導電層321及第二導電層322之固化製程。發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可藉由固化製程穩定地固定於第一框架111及第二框架112上。
接著，在根據實施例之發光裝置封裝的製造方法中，可在開口TH1處提供熱耗散部件133，如圖7a及圖7b中所示出。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第 一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光 裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
作為實例，可執行針對熱耗散部件133之固化製程。熱耗散部件133可藉由固化製程穩定地固定於發光裝置120與封裝主體110之間。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖8a及圖8b中所示出，可形成模製部件。
圖8a及圖8b為解釋藉由根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法來提供模製部件之狀態的平面圖及橫截面圖。
如參考圖1至圖4所描述，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部件140中之至少一者。此處，基於模製部件包含樹脂部分135及模製部分140兩者之狀況進行描述。
根據實施例，樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135 可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
同時，如上文所描述，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且模製部分140可安置成與第一框架111及第二框架112直接接觸。此外，並不單獨地提供模製部分140，且樹脂部分135可提供在發光裝置120之周邊及上部部分兩者處。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，第一接合部分121及第二接合部分122之周邊可由熱耗散部件133以及模製部件135及140穩定地密封。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，有可能防止第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面方向上自第一接合部分121及第二接合部分122之下部表面擴散，且有可能防止由於發光裝置120之短路，藉此改良發光裝置封裝之可靠性。
同時，在上文描述中，基於在如圖7a及圖7b中示出般形成熱耗散部件133之後，如圖8a及圖8b中示出般形成模製部件135及140之狀況進行描述。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法之另一實例，可首先形成模製部件135及140，且可稍後形成熱耗散部件133。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法之另一實例，可不形成樹脂部分135，且僅模製部分140可形成於封裝主體110之腔體中。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在框架與發光裝置封裝處提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。因此，發光裝置之位置可改變，且發光裝置封裝之光學及電特性與可靠性可退化。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
接著，將參考圖9描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖9描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與 參考附圖描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖9中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
根據實施例，主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可提供在發光裝置120下。
另外，根據實施例，可在第一框架111之上部表面及第二框架112之上部表面處提供階梯式階梯形狀。舉例而言，主體113之上部表面可以平坦形狀提供，第一框架111之上部表面可以具有不同高度之階梯式階梯形狀提供，且第二框架112之上部表面可以具有不同高度之階梯式階梯形狀提供。
根據實施例，可由主體113之平坦上部表面、第一框架111之階梯式階梯形狀上部表面、第二框架112之階梯式階梯形狀上部表面提供自封裝主體110之上部表面朝向其下部表面凹入的凹陷結構。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖9中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321 及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133，如圖9中所示出。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。熱耗散部件133可安置於在第一框架111與第二框架112之間安置的階梯式階梯形狀凹陷結構處。熱耗散部件133可安置於主體113之平坦表面上。
如上文所描述，根據實施例，熱耗散部件133可提供在由第一框架111之上部表面、主體113之上部表面及第二框架112之上部表面提供的寬凹陷區域處，且因此可進一步改良根據實施例之發光裝置封裝的熱耗散特性。
另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖9中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部 表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一 接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部件，如圖9中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其 可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140，如圖9中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135 上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電 連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，將參考圖10描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖10描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖9所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖10中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
根據實施例，主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可提供在發光裝置120下。
相比於參考圖3所描述之發光裝置封裝，圖10中示出的根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含第一凹陷R1及第二凹陷R2。
第一凹陷R1可提供於第一框架111之上部表面上。第一凹陷R1可提供為自第一框架111之上部表面在下部表面方向上凹入。第一凹陷R1可安置成與開口TH1間隔開。
第二凹陷R2可提供於第二框架112之上部表面上。第二凹陷R2可提供為自第二框架112之上部表面在下部表面方向上凹入。第二上部凹陷R4可安置成與開口TH1間隔開。
根據實施例，第一導電層321可提供在第一凹陷R1處。另外，第一接合部分121可提供在第一凹陷R1區域處。另外，第二導電層322可提供在第二凹陷R2處。另外，第二接合部分122可提供在第二凹陷R2區域處。第一凹陷R1及第二凹陷R2可提供可在其中提供第一導電層321及第二導電層322之充分空間。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導 電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖10中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133，如圖10中所示出。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。根據實施例，熱耗散部件133可安置於第一框架111之上部表面、主體113之上部表面及第二框架112之上部表面上。
另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在 第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖10中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133 可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部件，如圖10中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖10中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安 置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光 裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，將參考圖11描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖11描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖10所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖11中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
根據實施例，主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可提供在發光裝置120下。
相比於參考圖9所描述之發光裝置封裝，圖11中示出的根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含第一凹陷R1及第二凹陷R2。
第一凹陷R1可提供於第一框架111之上部表面上。第一凹陷R1可提供為自第一框架111之上部表面在下部表面方向上凹入。第一凹陷R1可安置成與凹陷R間隔開。
第二凹陷R2可提供於第二框架112之上部表面上。第二凹陷R2可提供為自第二框架112之上部表面在下部表面方向上凹入。第二上部凹陷R4可安置成與凹陷R間隔開。
第二凹陷R2可提供於第二框架112之上部表面上。第二凹陷R2可提供為自第二框架112之上部表面在下部表面方向上凹入。第二上部凹陷R4可安置成與開口TH1間隔開。
根據實施例，第一導電層321可提供在第一凹陷R1處。另外，第一接合部分121可提供在第一凹陷R1區域處。另外，第二導電層322可提供在第二凹陷R2處。另外，第二接合部分122可提供在第二凹陷R2區域處。第一凹陷R1及第二凹陷R2可提供可在其中提供第一導電層321及第二導電層322之充分空間。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖11中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133，如圖11中所示出。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。熱耗散部件133可安置於在第一框架111與第二框架112之間安置的階梯式階梯形狀凹陷結構處。熱耗散部件133可安置於主體113之平坦表面上。
如上文所描述，根據實施例，熱耗散部件133可提供在由第一框架111之上部表面、主體113之上部表面及第二框架112之上部表面提供的寬凹陷區域處，且因此可進一步改良根據實施例之發光裝置封裝的熱耗散特性。
另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖11中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部 件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接 合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部件，如圖11中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。 另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖11中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近 於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝 的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，上文參考圖1至圖11所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
接著，將參考圖12描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
圖12中示出的根據本發明之實施例的發光裝置封裝300為參考圖1至圖11所描述之發光裝置封裝安裝在電路板310上且被供應之實例。
在參考圖12描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝300之製造方法時，可省略與參考圖1至圖11所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝300可包含電路板310、封裝主體110及發光裝置120，如圖12中所示出。
電路板310可包含第一襯墊311、第二襯墊312及支撐基板313。支撐基板313可具備經組態以控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板310上。第一襯墊311與第一襯墊電極121可彼此電連接。第二襯墊312與第二襯墊電極122可彼此電連接。
第一襯墊311及第二襯墊312可包含導電材料。舉例而言，第一襯墊311及第二襯墊312可包含選自由以下組成之群組的一種材料： Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊311及第二襯墊312可提供為單層或多個層。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
根據實施例，如圖12中所示出，主體113可包含開口TH1。開口TH1可安置於第一框架111與第二框架112之間。開口TH1可提供在發光裝置120下。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖12中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與封裝主體110之間。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一接合部分121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二接合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可安置於第一框架111上。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可提供固定第一接合部分121與第一框架111之功能。
第二導電層322可安置於第二框架112上。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可提供固定第二接合部分122與第二框架112之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖12中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接 觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根 據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如上文參考圖4所描述。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部件，如圖12中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135 可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖12中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一 者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
根據實施例，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321可電連接。另外，電路板310之第二襯墊312與第二導電層322可電連接。
同時，根據實施例，單獨的接合層可另外提供於第一襯墊311與第一導電層321之間。另外，單獨的接合層可另外提供於第二襯墊312與第二導電層322之間。
此外，根據另一實施例，第一導電層321及第二導電層322可藉由共晶接合安裝在電路板310上。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分 可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
另外，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110僅包含上部表面平坦之支撐部件，且可不具備安置成傾斜之反射部分。
作為另一表示，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110可具備提供腔體C之結構。此外，封裝主體110可具備並未提供腔體C的上部表面平坦之結構。
如參考圖1至圖12所描述，在第一接合部分121與第二接合部分122之間發射的光可入射至安置於主體113區域處之熱耗散部件133。在發光裝置之下部方向上發射之光可被熱耗散部件133光學漫射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根 據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
舉例而言，第一接合部分121根據發光裝置之長軸方向的寬度可為幾十微米。第一接合部分121之寬度可例如為70至90微米。另外，第一接合部分121之面積可為幾千平方微米。
另外，第二接合部分122根據發光裝置之長軸方向的寬度可為幾十微米。第二接合部分122之寬度可例如為70至90微米。另外，第二接合部分122之面積可為幾千平方微米。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝係基於第一接合部分121及第二接合部分122與第一導電層321及第二導電層322直接接觸之狀況進行描述。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝的又一實例，另一導電組件可進一步安置於第一接合部分121及第二接合部分122與第一導電層321及第二導電層322之間。
接著，將參考圖13描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖13描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖12所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖13中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖13中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構 123與主體113之間。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一接合部分121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二接合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
如圖13中所示出，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222。另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置在第一接合部分121下。第一導體221可電連接至第一接合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一接合部分121重疊。
第一導體221可安置於第一框架111上。第一導體221可安置於第一接合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一接合部分121及第一導電層321。
另外，第二導體222可安置在第二接合部分122下。第二導體222可電連接至第二接合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二接合部分122重疊。
第二導體222可安置於第二框架112上。第二導體222可安置於第二接合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二接合部分122及第二導電層322。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下部表面及側表面上。第一導電層321可安置成與第一導體221之下部表面及側表面直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第一導電層321與第一導體221之間的接觸面積被增大，從而使得第一導體221可較穩定地提供第一導電層321與第一接合部分121之間的電連接。
另外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下部表面及側表面處。第二導電層322可安置成與第二導體222之下部表面及側表面直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝200，第二導電層322與第二導體222之間的接觸面積被增大，從而使得第二導體222可較穩定地提供第二導電層322與第二接合部分122之間的電連接。
作為實例，第一導體221及第二導體222可分別經由單獨的接合材料穩定地接合至第一接合部分121及第二接合部分122。另外，第一導體221及第二導體222之側表面及下部表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。
因此，相比於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一接合部分121及第二接合部分122之下部表面的狀況，可進一步增大第一導電層321及第二導電層322分別與第一導體221及第二導體222接觸之面積。
因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力自第一導電層321及第二導電層322穩定地提供至第一接合部分121及第二接合部分122。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此， 且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。
另外，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體221及第二導體222。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖13中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光 裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
根據實施例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面接觸。作為實例，熱耗散部件133可安置成與第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面直接接觸。
另外，熱耗散部件133可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第一框架111之間。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與第二框架112之間。熱耗散部件133可提供為由主體113包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空 間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝之光提取效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便 將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，從而使得可穩定地配置第一導體221及第二導體222。
作為實例，第一接合部分121之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如圖4中所示出。另外，第二接合部分122之面積可提供為小於開口TH1之上部區域的面積，如圖4中所示出。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝200可包含模製部件，如圖13中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140中之至少一者。首先，在以下實施例中，基於模製部件包含樹脂部分135及模製部分140兩者之狀況進行描述。
然而，根據另一實施例，模製部件可僅包含樹脂部分135，或可僅包含模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另 外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖13中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉 換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。作為實例，模製部分140可被稱為波長轉換模製部件。
另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
根據實施例，如上文所描述，第一接合部分121可包含接近於第二接合部分122之第一側表面及面向第一側表面之第二側表面。第二接合部分122可包含接近於第一接合部分121之第三側表面及面向第三側表面之第四側表面。
作為實例，第一接合部分121之第一側表面及第二接合部分122之第三側表面可安置成與熱耗散部件133接觸。另外，第一接合部分121之第二側表面及第二接合部分122之第四側表面可安置成與模製部件135及140接觸。
同時，如上文所描述，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且模製部分140可安置成與第一框架111及第二框架112直接接觸。此外，並不單獨地提供模製部分140，且樹脂部分135可提供在發光裝置120之周邊及上部部分兩者處。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光 裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，將參考圖14描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖14描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖13所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖14中所示出。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成在主體113處彼此間隔開。舉例而言，第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開，其中主體113***其間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123，如圖13中所示出。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222。另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置在第一接合部分121下。第一導體221可電連接至第一接合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一 接合部分121重疊。
第一導體221可安置於第一框架111上。第一導體221可安置於第一接合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一接合部分121及第一導電層321。
另外，第二導體222可安置在第二接合部分122下。第二導體222可電連接至第二接合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二接合部分122重疊。
第二導體222可安置於第二框架112上。第二導體222可安置於第二接合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二接合部分122及第二導電層322。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可選自由以下組成之群組中的至少一者：焊錫膏、銀膏等。
根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可被稱為導電黏著劑。第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122固定至第一框架111及第二框架112。另外，第一導電層321及第二導電層322可將第一接合部分121及第二接合部分122電連接至第一框架111及第二框架112。
另外，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體221及第二導體222。
根據實施例，第一導體221及第二導體222之下部表面的面積可提供為大於第一接合部分121及第二接合部分122之下部表面的面積。因此，第一導電層321及第二導電層322與第一導體221及第二導體222直接接觸之面積可提供為大於第一導電層321及第二導電層322與第一 接合部分121及第二接合部分122直接接觸之面積。因此，根據根據實施例之發光裝置封裝，由於提供了第一導體221及第二導體222，可較穩定地提供自第一框架111及第二框架112供應至發光裝置120之電力。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含熱耗散部件133。
熱耗散部件133可安置於封裝主體110與發光裝置120之間。熱耗散部件133可安置於封裝主體110之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。熱耗散部件133可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
熱耗散部件133可安置於第一框架111與第二框架112之間。另外，主體113之下部表面與第一框架111及第二框架112之下部表面可安置在相同平面處。
熱耗散部件133之上部表面可安置成接觸發光裝置120並在第一方向上延伸。第一方向可界定為自發光裝置120之上部表面朝向主體113之下部表面的方向。
根據實施例，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含開口TH1，如圖14中所示出。
開口TH1可提供在主體113處。開口TH1可藉由穿過主體113而提供。開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。開口TH1可安置在發光裝置120下。開口TH1可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，開口TH1可提供為由主體113包圍。在自發光裝置120之上部方向檢視時，開口TH1可提供為由主體113包圍。開口TH1可安置於主體113之中心區域處。
根據實施例，熱耗散部件133可安置於開口TH1處。熱耗散部件133可安置於發光裝置120與主體113之間。熱耗散部件133可安置 於第一接合部分121與第二接合部分122之間。作為實例，熱耗散部件133可提供為在發光裝置120下由樹脂部分135包圍。
熱耗散部件133可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，熱耗散部件133可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，熱耗散部件133可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
根據實施例，如上文所描述，自發光裝置120之上部表面至第一框架111之下部表面的第一距離可提供為等於或大於自發光裝置120之上部表面至熱耗散部件133之下部表面的第二距離。
作為實例，熱耗散部件133可安置成在上部方向上與開口TH1之下部表面間隔開預定距離。開口TH1之上部區域可填充有熱耗散部件133，且開口TH1之下部區域可提供為未填充熱耗散部件133之空白空間。
作為實例，熱耗散部件133可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。此外，作為實例，在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可包含白色聚矽氧。另外，熱耗散部件133可包含具有良好導熱性的選自包含以下之群組的材料：Al2O3、AlN等。
根據實施例，在熱耗散部件133包含具有良好導熱性之材料時，有可能將發光裝置120穩定地固定至封裝主體110並有效地耗散自發光裝置120生成之熱。因此，發光裝置120可穩定地固定至封裝主體110，且可有效地耗散熱，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
另外，熱耗散部件133可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力，且在熱耗散部件133包含反射材料時，熱耗散部件133可在發光裝置120與主體113之間提供關於發射至發光裝置120之下部表面的光的光漫射功能。在光自發光裝置120發射至發光裝置120之下部表面時，熱耗散部件133可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝之光提取 效率。
根據實施例，熱耗散部件133可反射自發光裝置120發射之光。在熱耗散部件133包含反射功能時，熱耗散部件133可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之熱耗散部件133可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射的光在熱耗散部件133處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝200可包含模製部件，如圖13中所示出。作為實例，根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140。
根據實施例之模製部件可包含樹脂部分135及模製部分140中之至少一者。首先，在以下實施例中，基於模製部件包含樹脂部分135及模製部分140兩者之狀況進行描述。
然而，根據另一實施例，模製部件可僅包含樹脂部分135，或可僅包含模製部分140。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之腔體C的下部表面處。
作為實例，樹脂部分135可安置在發光裝置120下。樹脂部分135可被稱為反射性樹脂部分。另外，樹脂部分135可被稱為反射性模製部件。
樹脂部分135可安置於第一接合部分121之側表面處。另外，樹脂部分135可安置於第二接合部分122之側表面處。樹脂部分135可安置在發光結構123下。樹脂部分135可在發光裝置120下安置於熱耗散部件133之周邊處。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射器，作為實例，其可為包含諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置在發光裝置120下且可執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可圍繞第一接合部分121及第二接合部分122密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121下之區域及第二接合部分下之區域分離，並在發光裝置120之方向上擴散且移動。
在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120之作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，在樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧之具有反射特性的材料時，樹脂部分135可朝向封裝主體110之上部方向反射自發光裝置 120提供之光，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖14中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
模製部分140可安置於發光裝置120之周邊處。另外，根據實施例，模製部分140可安置於樹脂部分135上。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可通過第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一接合部分及第二接合部分可通過安置於第一及第二框架處之第一及第二導電層而提供有驅動電力。另外，安置於第一及第二開口處之第一及第二導電層的熔點可選擇為具有比一般接 合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參考圖15至圖17描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。根據實施例之發光裝置封裝1100可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖15至圖17中所示出。
封裝主體110可包含主體113及反射器117。反射器117可安置於主體113上。反射器117可安置於主體113之上部表面的周邊處。反射器117可在主體113之上部表面上提供腔體C。
換言之，主體113可被稱為下部主體，且反射器117可被稱為上部主體。另外，根據實施例，封裝主體110可不包含提供腔體之反射器117，而是可僅包含提供平坦上部表面之主體113。
反射器117可在上部方向上反射自發光裝置120發射之光。反射器117可安置成相對於主體113之上部表面傾斜。
封裝主體110可包含腔體C。腔體可包含底部表面及自底部表面傾斜至封裝主體110之上部表面的側表面。
根據實施例，封裝主體110可提供為具有腔體C之結構，或 可提供為並無腔體C的具有平坦上部表面之結構。
舉例而言，封裝主體110可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，封裝主體110可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123。發光結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一接合部分121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二接合部分122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於主體113上。發光裝置120可安置於由反射器117提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於發光結構123與主體113之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
第一接合部分121及第二接合部分122可藉由使用選自由以下組成之群組的至少一種材料而以單層或多個層形成：Ti、Al、Sn、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO及Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
同時，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖15至圖17中所示出。
封裝主體110可包含自腔體C之底部表面穿過封裝主體110 之下部表面的第一開口TH1。封裝主體110可包含自腔體C之底部表面穿過封裝主體110之下部表面的第二開口TH2。
第一開口TH1可提供在主體113處。第一開口TH1可藉由穿過主體113而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第二開口TH2可提供在主體113處。第二開口TH2可藉由穿過主體113而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一接合部分121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二接合部分122之寬度。
此外，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區域的寬度W2。此外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區域的寬度。
第一開口TH1可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。第二開口TH2可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部與下部區域之間的傾斜表面可具有具不同斜率之多個傾斜表面，且傾斜表面可安置成具有曲率。
在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為幾百微米。作為實例，在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為100至150微米。
在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可選擇為提供預定距離，以便在根據實施例之發光裝置封裝1100稍後安裝在電路板、次基座等上時防止接合部分之間出現短路。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含凹陷R，如圖15至圖17中所示出。凹陷R可提供為在封裝主體110之下部表面中自腔體C之底部表面凹入。
凹陷R可提供在主體113處。凹陷R可提供於第一開口TH1與反射器117之間。另外，凹陷R可提供於第二開口TH2與反射器117之間。凹陷R可提供為自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。凹陷R可安置在發光裝置120下。作為實例，凹陷R可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第一接合部分121與安置成鄰近於第一開口TH1之反射器117之間。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第二接合部分122與安置成鄰近於第二開口TH2之反射器117之間。
凹陷R可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，發光裝置120之尺寸可提供為大於由凹陷R提供之封閉迴路區域。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，由凹陷R形成之封閉迴路可以連接發光裝置120之四個側表面的輪廓提供。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含黏著劑130，如圖 15中所示出。
黏著劑130可安置於凹陷R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一接合部分121與反射器117之間。黏著劑130可安置於第二接合部分122與反射器117之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。在黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。在黏著劑130包含反射功能時，作為實例，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹陷R之深度可提供為小於第一開口TH1或第二開口TH2之深度。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹陷R之深度。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100中不會由於自發光裝置120耗散之熱而出現裂痕來判定凹陷R之深度T1。
凹陷R可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。凹陷R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。另外，凹陷R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
凹陷R之深度及寬度W3可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹陷R之深度及寬度W3，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹陷R之深度可提供為幾十微米。凹陷R之深度可提供為40至60微米。
另外，凹陷R之寬度W3可提供為幾百微米。凹陷R之寬度W3可提供為140至160微米。作為實例，凹陷R之寬度W3可提供為150微米。
發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可由提供在凹陷R處之黏著劑130自外部密封。黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
黏著劑130可沿著如圖16及圖17中示出的凹陷R之形狀以封閉迴路形狀提供。凹陷R可提供為具有矩形形狀之封閉迴路或具有圓形或橢圓形形狀之封閉迴路。
第一開口TH1之深度可提供為對應於主體113之厚度。第一開口TH1之深度可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度可提供為200微米。
作為實例，可藉由自第一開口TH1之深度減去凹陷R之深度獲得的厚度可選擇為至少100微米或更多。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，第一開口TH1之深度可提供為凹陷R之深度的兩至十倍。作為實例，在第一開口TH1之深度提供為200微米時，凹陷R之深度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含模製部分140，如圖15中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於主體113上。模製部分140可安置於由反射器117提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光且經組態以提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含磷光體、量子點等。
另外，根據實施例，發光結構123可提供為化合物半導體。 作為實例，發光結構123可提供為II-VI族或III-V族化合物半導體。舉例而言，發光結構123可具備選自鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)及氮(N)之至少兩種或大於兩種元素。
發光結構123可包含第一導電型半導體層、作用層及第二導電型半導體層。
另外，如圖15中所示出，根據實施例之發光裝置封裝1100可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為小於第一接合部分121之寬度。
第一接合部分121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一接合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可安置成由主體113包圍。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為小於第二接合部分122之寬度。
第二接合部分122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二接合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可安置成由主體113包圍。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明 不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根據實施例，第一導電層321可電連接至第一接合部分121，且第二導電層322可電連接至第二接合部分122。作為實例，外部電力可被供應至第一導電層321及第二導電層322，且因此可驅動發光裝置120。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，提供在凹陷R處之黏著劑130可提供於如圖15至圖17中示出的發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動 時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
接著，將參考圖18至圖21描述根據本發明之實施例的發光 裝置封裝之製造方法。
在參考圖18至圖21描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法時，可省略對與參考圖1至圖17所描述之內容重疊的內容的描述。
首先，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，如圖18中所示出，可提供封裝主體110。
封裝主體110可包含主體113及反射器117。封裝主體110可包含第一開口TH1及第二開口TH2。另外，封裝主體110可包含凹陷R。
第一開口TH1可提供在主體113處。第一開口TH1可藉由穿過主體113而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
第二開口TH2可提供在主體113處。第二開口TH2可藉由穿過主體113而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。
凹陷R可提供在主體113處。凹陷R可提供於第一開口TH1與反射器117之間。另外，凹陷R可提供於第二開口TH2與反射器117之間。凹陷R可提供為自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。凹陷R可安置在發光裝置120下。作為實例，凹陷R可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
凹陷R可安置於第一接合部分121與反射器117之間。凹陷R可安置於第二接合部分122與反射器117之間。
接下來，在根據實施例之發光裝置封裝的製造方法中，可如圖19中示出般在凹陷R處提供黏著劑130。
可經由點漬法等在凹陷區域處提供黏著劑130。舉例而言，可將黏著劑130以預定量提供至形成凹陷R之區域，且可將其提供為溢出凹陷R。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，可在主 體113上提供發光裝置120，如圖20中所示出。
根據實施例，在將發光裝置120安置於主體113上之製程中，凹陷R亦可用以充當一種對準鍵。
發光裝置120可由黏著劑130固定在主體113處。提供在凹陷R處之黏著劑130的部分可在第一接合部分121及第二接合部分122之方向上移動且可固化。因此，黏著劑130可提供在發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間的較寬區域處，且可改良發光裝置120與主體113之間的固定力。
根據實施例，第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
接下來，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖21中所示出，可在發光裝置120上提供模製部分140，且可在第一開口TH1及第二開口TH2處提供第一導電層321及第二導電層322。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為小於第一接合部分121之寬度。
第一接合部分121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第 一方向的第二方向上的寬度。第一接合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可安置成由主體113包圍。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為小於第二接合部分122之寬度。
第二接合部分122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二接合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可安置成由主體113包圍。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn及Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描 述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
另外，根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制第一導電層321及第二導電層322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，根據實施例，可在形成模製部分140之後形成第一導電層321及第二導電層322。另外，可在形成第一導電層321及第二導電層322之後形成模製部分140。
在根據實施例之發光裝置封裝1100中，習知引線框並不用於形成封裝主體110。
在習知引線框應用至發光裝置封裝之狀況下，儘管另外需要形成引線框之製程，但根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，並不需要形成引線框之製程。因此，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，不僅可縮短製程時間且還可減少材料。
此外，在習知引線框應用至發光裝置封裝之狀況下，儘管應添加鍍銀製程以防止引線框劣化，但根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，由於並不需要引線框，因此可不需要諸如鍍銀之額外製程。如上文所描述，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，可降低製造成本且可改良製造良率。
在根據實施例之發光裝置封裝1100中，電力可通過提供在第一開口TH1處之第一導電層321連接至第一接合部分121，且電力可通過提供在第二開口TH2處之第二導電層322連接至第二接合部分122。
因此，發光裝置120可由通過第一接合部分121及第二接合部分122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上部方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
接下來，將參考圖22描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
圖22中示出的根據本發明之實施例的發光裝置封裝為參考圖15至圖21所描述之發光裝置封裝1100安裝在電路板310上且被供應之實例。舉例而言，安裝在電路板310上之發光裝置封裝1100可用於照明設備中。
在參考圖22描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法時，可省略與參考圖1至圖21所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含電路板310、封裝主體110及發光裝置120，如圖22中所示出。
電路板310可包含第一襯墊311、第二襯墊312及支撐基板313。支撐基板313可具備經組態以控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板310上。第一襯墊311與第一襯墊電極121可彼此電連接。第二襯墊312與第二襯墊電極122可彼此電連接。
第一襯墊311及第二襯墊312可包含導電材料。舉例而言，第一襯墊311及第二襯墊312可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊311及第二襯墊312可提供為單層或多個層。
封裝主體110可包含主體113及反射器117。
封裝主體110可包含在第一方向上自上部表面穿過至下部表面之第一開口TH1及第二開口TH2。第一開口TH1及第二開口TH2可藉由在第一方向上自主體113之上部表面穿過至其下部表面而提供。
發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122及發光結構123。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於主體113上。發光裝置120可安置於由反射器117提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於發光結構123與主體113之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121 下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第一開口TH1可提供為與第一襯墊311重疊。第一接合部分121與第一襯墊311可提供為在豎直方向上彼此重疊。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
第二開口TH2可提供為與第二襯墊312重疊。第二接合部分122與第二襯墊312可提供為在豎直方向上彼此重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322，如圖22中所示出。
第一導電層321可安置於第一開口TH1處。第一導電層321可安置成在第一接合部分121之下部表面處直接接觸。第一導電層321可提供為在豎直方向上與第一接合部分121重疊。
第一導電層321之上部表面可安置在與主體113之上部表面相同之平面處。第一導電層321之下部表面可提供在與主體113之下部表面相同之平面處。
第二導電層322可安置於第二開口TH2處。第二導電層322可安置成在第二接合部分122之下部表面處直接接觸。第二導電層322可提供為在豎直方向上與第二接合部分122重疊。
第二導電層322之上部表面可安置在與主體113之上部表面相同之平面處。第二導電層322之下部表面可提供在與主體113之下部表面相同之平面處。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn及Cu等或其合金。
如圖22中所示出，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一接合層421及第二接合層422。
第一接合層421可在將封裝主體110安裝在電路板310上之製程中電連接至第一接合部分121。第二接合層422可在將封裝主體110安裝在電路板310處之製程中電連接至第二接合部分122。
第一接合層421及第二接合層422可由選自以下組成之群組的至少一種金屬形成：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag及P以及其選擇性合金。
根據實施例，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321可由第一接合層421彼此電連接。另外，電路板310之第二襯墊312與第二導電層322可由第二接合層422彼此電連接。
同時，根據實施例，第一導電層321及第二導電層322可藉由共晶接合安裝在電路板310上。此外，根據實施例，可不提供第一接合層421及第二接合層422，且第一導電層321及第二導電層322可分別電連接至第一襯墊311及第二襯墊312。
根據實施例之發光裝置封裝可包含凹陷R，如圖22中所示出。
凹陷R可提供在主體113處。凹陷R可提供於第一開口TH1與反射器117之間。另外，凹陷R可提供於第二開口TH2與反射器117之間。凹陷R可提供為自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。凹陷R可安置在發光裝置120下。作為實例，凹陷R可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
凹陷R可安置於第一接合部分121與反射器117之間。凹陷R可安置於第二接合部分122與反射器117之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130，如圖22中所示出。
黏著劑130可安置於凹陷R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一接合部分121與反射器117之間。黏著劑130可安置於第二接合部分122與反射器117之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。在黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。在黏著劑130包含反射功能時，作為實例，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹陷R之深度可提供為小於第一開口TH1或第二開口TH2之深度。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹陷R之深度。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100中不會由於自發光裝置120耗散之熱而出現裂痕來判定凹陷R之深度T1。
凹陷R可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。凹陷R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。另外，凹陷R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
凹陷R之深度及寬度W3可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹陷R之深度及寬度W3，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹陷R之深度可提供為幾十微米。凹陷R之深度可提供為40至60微米。
另外，凹陷R之寬度W3可提供為幾百微米。凹陷R之寬 度W3可提供為140至160微米。作為實例，凹陷R之寬度W3可提供為150微米。
發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可由提供在凹陷R處之黏著劑130自外部密封。黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。黏著劑130可沿著如圖16及圖17中示出的凹陷R之形狀以封閉迴路形狀提供。凹陷R可提供為具有矩形形狀之封閉迴路或具有圓形或橢圓形形狀之封閉迴路。
第一開口TH1之深度可提供為對應於主體113之厚度。第一開口TH1之深度可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度可提供為200微米。
作為實例，可藉由自第一開口TH1之深度減去凹陷R之深度獲得的厚度可選擇為至少100微米或更多。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，第一開口TH1之深度可提供為凹陷R之深度的兩至十倍。作為實例，在第一開口TH1之深度提供為200微米時，凹陷R之深度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140，如圖22中所示出。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於主體113上。模製部分140可安置於由反射器117提供之腔體C處。
在根據實施例之發光裝置封裝中，習知引線框並不用於形成封裝主體110，如上文參考圖22所描述。
在習知引線框應用至發光裝置封裝之狀況下，儘管另外需要形成引線框之製程，但根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，並不需要形成引線框之製程。因此，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，不僅可縮短製程時間且還可減少材料。
此外，在習知引線框應用至發光裝置封裝之狀況下，儘管應添加鍍銀製程以防止引線框劣化，但根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝，由於並不需要引線框，因此可省略諸如鍍銀之額外製程。因此，發光裝置封裝之實施例可解決諸如鍍銀之材料褪色問題，且可藉由省略該製程而降低製造成本。因此，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法，可降低製造成本，且可改良製造良率及產品可靠性。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，提供在凹陷R處之黏著劑130可提供於發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130 提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，圖23為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。如圖23中所示出，相比於參考圖15至圖22所描述之發光裝置封裝，根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含金屬層430。
金屬層430可提供在第一開口TH1及第二開口TH2處。金屬層430可提供在封裝主體110的提供第一開口TH1之側壁及封裝主體110 的提供第二開口TH2之側壁處。
金屬層430可安置於提供第一開口TH1之封裝主體110與第一導電層321之間。另外，金屬層430可安置於提供第二開口TH2之封裝主體110與第二導電層322之間。
另外，根據實施例，金屬層430亦可提供在封裝主體110的鄰近於第一開口TH1及第二開口TH2之下部表面處。
金屬層430可由具有至封裝主體110之良好黏著屬性之材料形成。另外，金屬層430可由具有至第一導電層321及第二導電層322之良好黏著屬性之材料形成。
因此，第一導電層321及第二導電層322可穩定地提供於第一開口TH1及第二開口TH2中。根據實施例，即使在第一導電層321及第二導電層322與封裝主體110之間的黏著力不充分時，第一導電層321及第二導電層322仍可由金屬層430穩定地提供於第一開口TH1及第二開口TH2中。
同時，在上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝的狀況下，發光裝置封裝係基於一個開口提供在每一接合部分下之狀況進行解釋。
然而，根據根據另一實施例之發光裝置封裝，多個開口可提供在每一開口下。此外，多個開口可提供為具有不同寬度之開口。
另外，根據實施例之開口的形狀可以各種形狀提供。
舉例而言，根據實施例之開口可自上部區域至其下部區域具備相同寬度。
另外，根據實施例之開口可以多階梯式結構之形狀提供。作為實例，開口可以具有不同傾角之兩個階梯式結構的形狀提供。此外，開口可以具有不同傾角之三個或大於三個階梯式結構的形狀提供。
此外，開口可以隨著自上部區域朝向下部區域寬度改變之形狀提供。作為實例，開口可以隨著自上部區域朝向下部區域具有曲率之形狀提供。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110僅包 含主體113，且可提供為不包含安置於主體113上之反射器117。
接下來，將參考圖24及圖25描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖24及圖25描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖23所描述之內容重疊的描述。
如圖24及圖25中所示出，相比於參考圖15至圖23所描述之半導體裝置封裝，根據實施例之半導體裝置封裝可進一步包含上部凹陷R10。
上部凹陷R10可提供在主體113之上部表面處。上部凹陷R10可提供在位於發光裝置120之下部表面下之第一區域A1處。上部凹陷R10可提供為在第一方向上自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。
凹陷R10可安置在發光裝置120下，且可提供於第一接合部分121與第二接合部分122之間。上部凹陷R10可提供為在發光裝置120下在發光裝置120之短軸方向上延伸。
如參考圖15至圖23所描述，在提供至凹陷R之黏著劑130的量不充分時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝包含上部凹陷R10時，上部凹陷R10可提供進一步限制第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中之擴散及移動的功能。
在提供了上部凹陷R10時，即使在第一導電層321及第二 導電層322的部分擴散至主體113之上部部分時，在上部凹陷R10中仍會生成一種陷阱效應：第一導電層321及第二導電層322之流動受到限制。會出現如下現象：通過第一開口TH1擴散之第一導電層321可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。另外，會出現如下現象：通過第二開口TH2擴散之第二導電層322可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。此被解釋為：由於表面張力之影響等，第一導電層321及第二導電層322之流動被限制在上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面處。
因此，由於可穩定且可靠地控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
接下來，將參考圖26描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖26描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖25所描述之內容重疊的描述。
如圖26中所示出，在根據實施例之發光裝置封裝中，發光裝置120之尺寸可小於參考圖15至圖25所描述之半導體裝置封裝的發光裝置之尺寸。
如參考圖15至圖25所描述，發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面可由黏著劑130連接並密封。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在參考圖15至圖25所描述之發光裝置封裝中，係基於發光裝置120提供為大於由凹陷R之外邊界表面形成的區域的狀況進行描述。
然而，在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖26中所示出，在自發光裝置120之上部方向檢視時，發光裝置120之外側表面可提供為與凹陷R重疊。
如上文所描述，發光裝置120之外表面可安置於凹陷R之區域上，從而使得發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面可由提供 於凹陷R中之黏著劑130固定並密封。
另外，如圖26中所示出，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為小於第一接合部分121之寬度。
第一接合部分121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一接合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可安置成由主體113包圍。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為小於第二接合部分122之寬度。
第二接合部分122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二接合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可安置成由主體113包圍。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn及Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層 或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根據實施例，第一導電層321可電連接至第一接合部分121，且第二導電層322可電連接至第二接合部分122。作為實例，外部電力可被供應至第一導電層321及第二導電層322，且因此可驅動發光裝置120。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝，提供在凹陷R處之黏著劑130可提供於如圖26中示出的發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。在自發光裝置120之上部方向檢視時，連接發光裝置120之四個側表面的輪廓可提供為在凹陷R上重疊。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120 之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
另外，根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制第一導電層321及第二導電層322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
接下來，將參考圖27描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖27描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時， 可省略與參考圖1至圖26所描述之內容重疊的描述。
如圖27中所示出，相比於參考圖26所描述之半導體裝置封裝，根據實施例之半導體裝置封裝可進一步包含上部凹陷R10。
上部凹陷R10可提供在主體113之上部表面處。上部凹陷R10可提供在位於發光裝置120之下部表面下之第一區域A1處。上部凹陷R10可提供為在第一方向上自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。
凹陷R10可安置在發光裝置120下，且可提供於第一接合部分121與第二接合部分122之間。上部凹陷R10可提供為在發光裝置120下在發光裝置120之短軸方向上延伸。
如參考圖15至圖23及圖26所描述，在提供至凹陷R之黏著劑130的量不充分時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝包含上部凹陷R10時，上部凹陷R10可提供進一步限制第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中之擴散及移動的功能。
在提供了上部凹陷R10時，即使在第一導電層321及第二導電層322的部分擴散至主體113之上部部分時，在上部凹陷R10中仍會生成一種陷阱效應：第一導電層321及第二導電層322之流動受到限制。會出現如下現象：通過第一開口TH1擴散之第一導電層321可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。另 外，會出現如下現象：通過第二開口TH2擴散之第二導電層322可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。此被解釋為：由於表面張力之影響等，第一導電層321及第二導電層322之流動被限制在上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面處。
因此，由於可可靠地控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
接下來，將參考圖28至圖31描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖28至圖31描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖27所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物 (SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於主體113上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供在第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上部表面及下部表面而提供。
第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上部表面朝向其下部表面之第一 方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第二開口TH2可提供在第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上部表面及下部表面而提供。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一接合部分121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二接合部分122之寬度。
因此，發光裝置120之第一接合部分121與第一框架111可較牢固地附接。另外，發光裝置120之第二接合部分122與第二框架112可較牢固地附接。
此外，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區域的寬度W2。此外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區域的寬度。
第一開口TH1可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。第二開口TH2可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部與下部區域之間的傾斜表面可具有具不同斜率之多個傾斜表面，且傾斜表面可安置成具有曲率。
在第一框架111及第二框架112之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為幾百微米。作為實例，在第一 框架111及第二框架112之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為100至150微米。
在第一框架111及第二框架112之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可選擇為提供預定距離，以便在根據實施例之發光裝置封裝稍後安裝在電路板、次基座等上時防止襯墊之間出現電短路。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹陷R。
凹陷R可提供在主體113處。凹陷R可提供於第一開口TH1與反射器117之間。另外，凹陷R可提供於第二開口TH2與反射器117之間。凹陷R可提供為自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。凹陷R可安置在發光裝置120下。作為實例，凹陷R可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第一接合部分121與安置成鄰近於第一開口TH1之反射器117之間。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第二接合部分122與安置成鄰近於第二開口TH2之反射器117之間。
黏著劑130可安置於凹陷R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一接合部分121與反射器117之間。黏著劑130可安置於第二接合部分122與反射器117之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料， 及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。在黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。在黏著劑130包含反射功能時，作為實例，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹陷R之深度可提供為小於第一開口TH1或第二開口TH2之深度。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹陷R之深度。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100中不會由於自發光裝置120耗散之熱而出現裂痕來判定凹陷R之深度T1。
凹陷R可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。凹陷R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。另外，凹陷R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
凹陷R之深度及寬度W3可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹陷R之深度及寬度W3，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹陷R之深度可提供為幾十微米。凹陷R之深度可提供為40至60微米。
另外，凹陷R之寬度W3可提供為幾百微米。凹陷R之寬度W3可提供為140至160微米。作為實例，凹陷R之寬度W3可提供為150微米。
發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可由提供在凹陷R處之黏著劑130自外部密封。黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
黏著劑130可沿著如圖30及圖31中示出的凹陷R之形狀以封閉迴路形狀提供。凹陷R可提供為具有矩形形狀之封閉迴路或具有圓形或橢圓形形狀之封閉迴路。
第一開口TH1之深度可提供為對應於第一框架111之厚 度。第一開口TH1之深度可提供為能夠維持第一框架111之穩定強度的厚度。
第二開口TH2之深度可提供為對應於第二框架112之厚度。第二開口TH2之深度可提供為能夠維持第二框架112之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度可提供為200微米。
作為實例，可藉由自第一開口TH1之深度減去凹陷R之深度獲得的厚度可選擇為至少100微米或更多。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，第一開口TH1之深度可提供為凹陷R之深度的兩至十倍。作為實例，在第一開口TH1之深度提供為200微米時，凹陷R之深度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光且經組態以提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為小於第一接合部分121之寬度。
第一接合部分121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第 一方向的第二方向上的寬度。第一接合部分121之寬度可提供為大於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為小於第二接合部分122之寬度。
第二接合部分122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二接合部分122之寬度可提供為大於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一下部凹陷R11及第二下部凹陷R12。第一下部凹陷R11及第二下部凹陷R12可安置成彼此間隔開。
第一下部凹陷R11可提供在第一框架111之下部表面處。第一下部凹陷R11可提供為在自第一框架111之下部表面至上部表面之方向上凹入。第一下部凹陷R11可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹陷R11可提供為具有幾微米至幾十微米之寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹陷R11處。填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分可提供為具有例如與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可提供為具有選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，樹脂部分可提供為選自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料。
作為實例，可在通過注入製程等形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分。
填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下部表面區域的周邊處。第一框架111的提供第一開口TH1之下部表面可安置成與第一框架111的以一種島狀物形狀形成於第一框架111之周邊中的下部表面分離。
作為實例，如圖15中所示出，第一框架111的提供第一開口TH1之下部表面可由填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分及主體113與第一框架111之周邊隔離。
因此，在樹脂部分安置成具有與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及不佳可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力之材料時，有可能防止提供在第一開口TH1處之第一導電層321與第一開口TH1分離，並擴散至填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分或主體113上。
此係基於第一導電層321與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性及表面張力等並不良好的事實。亦即，構成第一導電層321之材料可選擇為與第一框架111具有良好黏著特性。另外，構成第一導電層321之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著特性。
因此，在第一導電層321自第一開口TH1朝向提供樹脂或主體113之區域溢出時，其被防止溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113 之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域處。
在安置於第一開口TH1處之第一導電層321溢出時，有可能防止第一導電層321延伸至提供樹脂部分或主體113之第一下部凹陷R11的外部區域。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第一接合部分121之下部表面。
因此，在發光裝置封裝安裝在電路板處時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第二下部凹陷R12可提供在第二框架112之下部表面處。第二下部凹陷R12可提供為自第二框架112之下部表面在上部表面方向上凹入。第二下部凹陷R12可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹陷R12可提供為具有幾微米至幾十微米之寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹陷R12處。填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分可提供為具有例如與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可提供為具有選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，樹脂部分可提供為選自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料。
作為實例，可在通過注入製程等形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分。
填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下部表面區域的周邊處。第二框架112的提供第二開口TH2之下部表面可安置成與第二框架112的以一種島狀物形狀形成於第二框架112之周邊中的下部表面分離。
作為實例，如圖29中所示出，第二框架112的提供第二開口TH2之下部表面可由填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分及主體113 與第一框架111之周邊隔離。
因此，在樹脂部分安置成具有與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及不佳可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力之材料時，有可能防止提供在第二開口TH2處之第二導電層322與第二開口TH2分離，並擴散至填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分或主體113上。
此係基於第二導電層322與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性及表面張力等並不良好的事實。亦即，構成第二導電層322之材料可選擇為與第二框架112具有良好黏著特性。另外，構成第二導電層322之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著特性。
因此，在第二導電層322自第二開口TH2朝向提供樹脂或主體113之區域溢出時，其被防止溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域處。
因此，在安置於第二開口TH2處之第二導電層322溢出時，有可能防止第二導電層322延伸至提供樹脂部分或主體113之第二下部凹陷R12的外部區域。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二接合部分122之下部表面。
因此，在發光裝置封裝安裝在電路板處時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
根據實施例，第一導電層321可電連接至第一接合部分121，且第二導電層322可電連接至第二接合部分122。作為實例，外部電力可被供應至第一導電層321及第二導電層322，且因此可驅動發光裝置120。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，提供在凹陷R 處之黏著劑130可提供於如圖15至圖17中示出的發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且 可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊或熱處理之高溫製程。此時，在回焊或熱處理製程中，在引線框與提供在發光裝置封裝處之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的電極部分可提供為藉由安置於開口處之導電層而具有驅動電力。另外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接 及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參考圖32及圖33描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
在參考圖32及圖33描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖31所描述之內容重疊的描述。
如圖32及圖33中所示出，相比於參考圖28至圖31所描述之半導體裝置封裝，根據實施例之半導體裝置封裝可進一步包含上部凹陷R10。
上部凹陷R10可提供在主體113之上部表面處。上部凹陷R10可提供在位於發光裝置120之下部表面下之第一區域A1處。上部凹陷R10可提供為在第一方向上自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。
凹陷R10可安置在發光裝置120下，且可提供於第一接合部分121與第二接合部分122之間。上部凹陷R10可提供為在發光裝置120下在發光裝置120之短軸方向上延伸。
如參考圖28至圖31所描述，在提供至凹陷R之黏著劑130的量不充分時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝包含上部凹陷R10時，上部凹陷R10可提供進一步限制第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中之擴散及移動的功能。
在提供了上部凹陷R10時，即使在第一導電層321及第二導電層322的部分擴散至主體113之上部部分時，在上部凹陷R10中仍會生成一種陷阱效應：第一導電層321及第二導電層322之流動受到限制。會出現如下現象：通過第一開口TH1擴散之第一導電層321可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。另外，會出現如下現象：通過第二開口TH2擴散之第二導電層322可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。此被解釋為：由於表面張力之影響等，第一導電層321及第二導電層322之流動被限制在上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面處。
因此，由於可穩定且可靠地控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，在參考圖28至圖33所描述之發光裝置封裝中，在自發光裝置120之上部方向檢視時，係基於發光裝置120提供為大於由凹陷R之外邊界表面形成之區域的狀況進行描述。
然而，在根據另一實施例之發光裝置封裝中，類似於參考圖26所描述之發光裝置封裝，在自發光裝置120之上部方向檢視時，發光裝置120之外側表面可提供為與凹陷R重疊。
如上文所描述，發光裝置120之外表面可安置於凹陷R之 區域上，從而使得發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面可由提供於凹陷R中之黏著劑130固定並密封。
接著，將參考圖34描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖34描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖33所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝1100可包含封裝主體110及發光裝置120。
封裝主體110可包含主體113及反射器117。反射器117可安置於主體113上。反射器117可安置於主體113之上部表面的周邊處。反射器117可在主體113之上部表面上提供腔體C。
根據實施例，封裝主體110可提供為具有腔體C之結構，或可提供為並無腔體C的具有平坦上部表面之結構。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置在基板124下之發光結構123。第一接合部分121及第二接合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於主體113上。發光裝置120可安置於由反射器117提供之腔體C中。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於發光結構123與主體113之間。 第二接合部分122可安置於發光結構123與主體113之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2。
封裝主體110可包含自腔體C之底部表面穿過封裝主體110之下部表面的第一開口TH1。封裝主體110可包含自腔體C之底部表面穿過封裝主體110之下部表面的第二開口TH2。
第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第二開口TH2可提供在主體113處。第二開口TH2可藉由穿過主體113而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過主體113之上部表面及下部表面而提供。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自主體113之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為大於第一接合部分121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為大於第二接合部分122之寬度。
根據實施例，第一接合部分121之下部區域可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一接合部分121之底部表面可安置成低於主體113之上部表面。
另外，第二接合部分122之下部區域可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二接合部分122之底部表面可安置成低於主體113之上部 表面。
此外，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區域的寬度W2。此外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區域的寬度。
第一開口TH1可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。第二開口TH2可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部與下部區域之間的傾斜表面可具有具不同斜率之多個傾斜表面，且傾斜表面可安置成具有曲率。
在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為幾百微米。作為實例，在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可提供為100至150微米。
在主體113之下部表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度可選擇為提供預定距離，以便在根據實施例之發光裝置封裝稍後安裝在電路板、次基座等上時防止襯墊之間出現短路。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上部表面與發光裝置120之下部表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹陷R。
凹陷R可提供在主體113處。凹陷R可提供於第一開口TH1與反射器117之間。另外，凹陷R可提供於第二開口TH2與反射器117之間。凹陷R可提供為自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。凹陷R可安置在發光裝置120下。作為實例，凹陷R可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第一接合部分121與安置成鄰近於第一開口TH1之反射器117之間。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，凹陷R可安置於第二接合部分122 與安置成鄰近於第二開口TH2之反射器117之間。
黏著劑130可安置於凹陷R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一接合部分121與反射器117之間。黏著劑130可安置於第二接合部分122與反射器117之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。在黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。在黏著劑130包含反射功能時，作為實例，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹陷R之深度可提供為小於第一開口TH1或第二開口TH2之深度。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹陷R之深度。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100中不會由於自發光裝置120耗散之熱而出現裂痕來判定凹陷R之深度T1。
凹陷R可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。凹陷R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。另外，凹陷R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
凹陷R之深度及寬度W3可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹陷R之深度及寬度W3，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹陷R之深度可提供為幾十微米。凹陷R之深度可提供為40至60微米。
另外，凹陷R之寬度W3可提供為幾百微米。凹陷R之寬度W3可提供為140至160微米。作為實例，凹陷R之寬度W3可提供為150微米。
發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可由提供在凹陷R處之黏著劑130自外部密封。黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
黏著劑130可沿著如上文參考圖16及圖17所描述的凹陷R之形狀以封閉迴路形狀提供。凹陷R可提供為具有矩形形狀之封閉迴路或具有圓形或橢圓形形狀之封閉迴路。
第一開口TH1之深度可提供為對應於主體113之厚度。第一開口TH1之深度可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度可提供為200微米。
作為實例，可藉由自第一開口TH1之深度減去凹陷R之深度獲得的厚度可選擇為至少100微米或更多。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，第一開口TH1之深度可提供為凹陷R之深度的兩至十倍。作為實例，在第一開口TH1之深度提供為200微米時，凹陷R之深度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接 合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性之黏著劑130可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射之光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於主體113上。模製部分140可安置於由反射器117提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光且經組態以提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含磷光體、量子點等。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222。另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置在第一接合部分121下。第一導體221可電連接至第一接合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一接合部分121重疊。
第一導體221可提供在第一開口TH1處。第一導體221可安置於第一接合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一接合部分121及第一導電層321。
第一導體221之下部表面可安置成低於第一開口TH1之上部表面。第一導體221之下部表面可安置成低於第一導電層321之上部表面。
第一導體221可安置於第一開口TH1上。另外，第一導體221可安置成自第一接合部分121延伸至第一開口TH1之內部。
另外，第二導體222可安置在第二接合部分122下。第二導 體222可電連接至第二接合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二接合部分122重疊。
第二導體222可提供在第二開口TH2處。第二導體222可安置於第二接合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二接合部分122及第二導電層322。
第二導體222之下部表面可安置成低於第二開口TH2之上部表面。第二導體222之下部表面可安置成低於第二導電層322之上部表面。
第二導體222可安置於第二開口TH2上。另外，第二導體222可安置成自第二接合部分122延伸至第二開口TH2之內部。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下部表面及側表面上。第一導電層321可安置成與第一導體221之下部表面及側表面直接接觸。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一接合部分121之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第一導電層321與第一接合部分121之間的電連接可由第一導體221較穩定地提供。
另外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下部表面及側表面處。第二導電層322可安置成與第二導體222之下部表面及側表面直接接觸。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二接合部分122之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第二導電層322與第二接合部分122之間的電連接可由第二導體222較穩定地提供。
作為實例，第一導體221及第二導體222可分別經由單獨的接合材料穩定地接合至第一接合部分121及第二接合部分122。另外，第一 導體221及第二導體222之側表面及下部表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。
因此，相比於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一接合部分121及第二接合部分122之下部表面的狀況，可進一步增大第一導電層321及第二導電層322分別與第一導體221及第二導體222接觸之面積。
因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力自第一導電層321及第二導電層322穩定地提供至第一接合部分121及第二接合部分122。
作為實例，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Al、Au、Ag及Pt等或其合金。另外，第一導體221及第二導體222可提供為單層或多層。
第一接合部分121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一接合部分121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一接合部分121之下部表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一接合部分121。第一導電層321可安置成由主體113包圍。
第一導電層321之上部部分可在第一開口TH1之上部區域中安置於第一接合部分121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上部表面可安置成高於第一接合部分121之下部表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二接合部分122之寬度。
第二接合部分122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二接合部分122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二接合部分122之下部表面直 接接觸。第二導電層322可電連接至第二接合部分122。第二導電層322可安置成由主體113包圍。
第二導電層322之上部部分可在第二開口TH2之上部區域中安置於第二接合部分122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上部表面可安置成高於第二接合部分122之下部表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根據實施例，第一導電層321可電連接至第一接合部分121，且第二導電層322可電連接至第二接合部分122。作為實例，外部電力可被供應至第一導電層321及第二導電層322，且因此可驅動發光裝置120。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝，提供在凹陷R處之黏著劑130可提供於發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置120電短路，藉此改良光提取效率。
根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊或熱處理之高溫製程。此時，在回焊或熱處理製程中，在引線框與提供在發光裝置封裝處之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的電極部分可提供為藉由安置於開口處之導電層而具有驅動電力。另外，安置於開口中之導電層的熔點可選擇為具有比一般接合材料高之值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT) 樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參考圖35描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
在參考圖35描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖34所描述之內容重疊的描述。
如圖35中所示出，相比於參考圖34所描述之半導體裝置封裝，根據實施例之半導體裝置封裝可進一步包含上部凹陷R10。
上部凹陷R10可提供在主體113之上部表面處。上部凹陷R10可提供在位於發光裝置120之下部表面下之第一區域A1處。上部凹陷R10可提供為在第一方向上自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。
凹陷R10可安置在發光裝置120下，且可提供於第一接合部分121與第二接合部分122之間。上部凹陷R10可提供為在發光裝置120下在發光裝置120之短軸方向上延伸。
如參考圖34所描述，在提供至凹陷R之黏著劑130的量不充分時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝包含上部凹陷R10時，上部凹陷R10可提供進一步限制第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中之擴散及移動的功能。
在提供了上部凹陷R10時，即使在第一導電層321及第二導電層322的部分擴散至主體113之上部部分時，在上部凹陷R10中仍會 生成一種陷阱效應：第一導電層321及第二導電層322之流動受到限制。會出現如下現象：通過第一開口TH1擴散之第一導電層321可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。另外，會出現如下現象：通過第二開口TH2擴散之第二導電層322可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。此被解釋為：由於表面張力之影響等，第一導電層321及第二導電層322之流動被限制在上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面處。
因此，由於可穩定且可靠地控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，在參考圖34至圖35所描述之發光裝置封裝中，在自發光裝置120之上部方向檢視時，係基於發光裝置120提供為大於由凹陷R之外邊界表面形成之區域的狀況進行描述。
然而，在根據另一實施例之發光裝置封裝中，類似於參考圖26所描述之發光裝置封裝，在自發光裝置120之上部方向檢視時，發光裝置120之外側表面可提供為與凹陷R重疊。
如上文所描述，發光裝置120之外表面可安置於凹陷R之區域上，從而使得發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面可由提供於凹陷R中之黏著劑130固定並密封。
接著，將參考圖36描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參考圖36描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參考圖1至圖35所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架 111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。腔體C可藉由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可以具有腔體C之結構提供，或可以並無腔體C的具有平坦上部表面之結構提供。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
發光裝置120可包含第一接合部分121、第二接合部分122、發光結構123及基板124。
第一接合部分121可安置於發光裝置120之下部表面上。第二接合部分122可安置於發光裝置120之下部表面上。第一接合部分121及第二接合部分122可安置成在發光裝置120之下部表面上彼此間隔開。
第一接合部分121可安置於第一框架111上。第二接合部分122可安置於第二框架112上。
第一接合部分121可安置於發光結構123與第一框架111之間。第二接合部分122可安置於發光結構123與第二框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供在第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第 一框架111之上部表面及下部表面而提供。
第一開口TH1可安置在發光裝置120之第一接合部分121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一接合部分121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第一接合部分121重疊。
第二開口TH2可提供在第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上部表面及下部表面而提供。
第二開口TH2可安置在發光裝置120之第二接合部分122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二接合部分122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上部表面朝向其下部表面之第一方向上與發光裝置120之第二接合部分122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下部表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為大於第一接合部分121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為大於第二接合部分122之寬度。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222。另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置在第一接合部分121下。第一導體221可電連接至第一接合部分121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一接合部分121重疊。
第一導體221可提供在第一開口TH1處。第一導體221可安置於第一接合部分121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一接合部分121及第一導電層321。
第一導體221之下部表面可安置成低於第一開口TH1之上 部表面。第一導體221之下部表面可安置成低於第一導電層321之上部表面。
第一導體221可安置於第一開口TH1上。另外，第一導體221可安置成自第一接合部分121延伸至第一開口TH1之內部。
另外，第二導體222可安置在第二接合部分122下。第二導體222可電連接至第二接合部分122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二接合部分122重疊。
第二導體222可提供在第二開口TH2處。第二導體222可安置於第二接合部分122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二接合部分122及第二導電層322。
第二導體222之下部表面可安置成低於第二開口TH2之上部表面。第二導體222之下部表面可安置成低於第二導電層322之上部表面。
第二導體222可安置於第二開口TH2上。另外，第二導體222可安置成自第二接合部分122延伸至第二開口TH2之內部。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下部表面及側表面上。第一導電層321可安置成與第一導體221之下部表面及側表面直接接觸。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置在第一接合部分121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一接合部分121之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第一導電層321與第一接合部分121之間的電連接可由第一導體221較穩定地提供。
另外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下部表面及側表面處。第二導電層322可安置成與第二導體222之下部表面及側表面直接接觸。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置在第二接合部分122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二 接合部分122之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝，第二導電層322與第二接合部分122之間的電連接可由第二導體222較穩定地提供。
作為實例，第一導體221及第二導體222可分別經由單獨的接合材料穩定地接合至第一接合部分121及第二接合部分122。另外，第一導體221及第二導體222之側表面及下部表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。
因此，相比於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一接合部分121及第二接合部分122之下部表面的狀況，可進一步增大第一導電層321及第二導電層322分別與第一導體221及第二導體222接觸之面積。
因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力自第一導電層321及第二導電層322穩定地提供至第一接合部分121及第二接合部分122。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au及Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏等，且可由不同材料構成之多個層或其合金構成之多個層或單層構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹陷R。
黏著劑130可安置於凹陷R處。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一接合部分121與反射器117之間。黏著劑130可安置於第二接合部分122與反射器117之間。作為實例，黏著劑130可安置成與第一接合部分121之側表面及第二接合部分122之側表面接觸。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上部表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下部表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，及包含環氧類材料與聚矽氧類材料之混合材料中的至少一者。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。在黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。在黏著劑130包含反射功能時，作為實例，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹陷R之深度可提供為小於第一開口TH1或第二開口TH2之深度。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹陷R之深度。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度及/或發光裝置封裝1100中不會由於自發光裝置120耗散之熱而出現裂痕來判定凹陷R之深度T1。
凹陷R可提供可在發光裝置120之下部部分處執行一種下填充製程之適當空間。凹陷R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面之間。另外，凹陷R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
凹陷R之深度及寬度W3可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹陷R之深度及寬度W3，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹陷R之深度可提供為幾十微米。凹陷R之深度可提供為40至60微米。
另外，凹陷R之寬度W3可提供為幾百微米。凹陷R之寬度W3可提供為140至160微米。作為實例，凹陷R之寬度W3可提供為150微米。
發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122可由提供在凹陷R處之黏著劑130自外部密封。黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在發光裝置120下。
黏著劑130可沿著如上文參考圖16及圖17所描述的凹陷R之形狀以封閉迴路形狀提供。凹陷R可提供為具有矩形形狀之封閉迴路或具有圓形或橢圓形形狀之封閉迴路。
第一開口TH1之深度可提供為對應於主體113之厚度。第一開口TH1之深度可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度可提供為200微米。
作為實例，可藉由自第一開口TH1之深度減去凹陷R之深度獲得的厚度可選擇為至少100微米或更多。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，第一開口TH1之深度可提供為凹陷R之深度的兩至十倍。作為實例，在第一開口TH1之深度提供為200微米時，凹陷R之深度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於主體113上。模製部分140可安置於由反射器117提供之腔體C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換部分，其經組態以入射自發光裝置120發射之光且經組態以提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含磷光體、量子點等。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一下部凹陷R11及第二下部凹陷R12。第一下部凹陷R11及第二下部凹陷R12可安置成彼此間隔開。
第一下部凹陷R11可提供在第一框架111之下部表面處。第一下部凹陷R11可提供為在自第一框架111之下部表面至上部表面之方向上凹入。第一下部凹陷R11可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹陷R11可提供為具有幾微米至幾十微米之寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹陷R11處。填充在第一下部凹陷R11中 之樹脂部分可提供為具有例如與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可提供為具有選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，樹脂部分可提供為選自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料。
作為實例，可在通過注入製程等形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分。
填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下部表面區域的周邊處。第一框架111的提供第一開口TH1之下部表面可安置成與第一框架111的以一種島狀物形狀形成於第一框架111之周邊中的下部表面分離。
因此，在樹脂部分安置成具有與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及不佳可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力之材料時，有可能防止提供在第一開口TH1處之第一導電層321與第一開口TH1分離，並擴散至填充在第一下部凹陷R11中之樹脂部分或主體113上。
此係基於第一導電層321與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性及表面張力等並不良好的事實。亦即，構成第一導電層321之材料可選擇為與第一框架111具有良好黏著特性。另外，構成第一導電層321之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著特性。
因此，在第一導電層321自第一開口TH1朝向提供樹脂或主體113之區域溢出時，其被防止溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域處。
在安置於第一開口TH1處之第一導電層321溢出時，有可能防止第一導電層321延伸至提供樹脂部分或主體113之第一下部凹陷R11的外部區域。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第 一接合部分121之下部表面。
因此，在發光裝置封裝安裝在電路板處時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第二下部凹陷R12可提供在第二框架112之下部表面處。第二下部凹陷R12可提供為自第二框架112之下部表面在上部表面方向上凹入。第二下部凹陷R12可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹陷R12可提供為具有幾微米至幾十微米之寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹陷R12處。填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分可提供為具有例如與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可提供為具有選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，樹脂部分可提供為選自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料。
作為實例，可在通過注入製程等形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分。
填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下部表面區域的周邊處。第二框架112的提供第二開口TH2之下部表面可安置成與第二框架112的以一種島狀物形狀形成於第二框架112之周邊中的下部表面分離。
因此，在樹脂部分安置成具有與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及不佳可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力之材料時，有可能防止提供在第二開口TH2處之第二導電層322與第二開口TH2分離，並擴散至填充在第二下部凹陷R12中之樹脂部分或主體113上。
此係基於第二導電層322與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性及表 面張力等並不良好的事實。亦即，構成第二導電層322之材料可選擇為與第二框架112具有良好黏著特性。另外，構成第二導電層322之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著特性。
因此，在第二導電層322自第二開口TH2朝向提供樹脂或主體113之區域溢出時，其被防止溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域處。
因此，在安置於第二開口TH2處之第二導電層322溢出時，有可能防止第二導電層322延伸至提供樹脂部分或主體113之第二下部凹陷R12的外部區域。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二接合部分122之下部表面。
因此，在發光裝置封裝安裝在電路板處時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
同時，在形成第一開口TH1及第二開口TH2之製程中，圖36中示出之發光裝置封裝示出分別在第一框架111及第二框架112之上部及下部表面的方向上執行蝕刻的狀況。
由於蝕刻製程中之每一者在第一框架111及第二框架112之上部及下部表面的方向上進行，因此第一開口TH1及第二開口TH2之形狀可提供為一種雪人形狀。
第一開口TH1及第二開口TH2之寬度可隨著自下部區域朝向中間區域逐漸增大且接著再次降低。此外，寬度可隨著再次自寬度降低之中間區域朝向上部區域逐漸增大且接著再次降低。
第一開口TH1及第二開口TH2可包含安置於第一框架111及第二框架112中之每一者的上部表面上的第一區域，及安置於第一框架111及第二框架112中之每一者的下部表面上的第二區域。第一區域之上部表面的寬度可提供為小於第二區域之下部表面的寬度。
另外，第一開口TH1之下部區域的寬度可提供為寬於第一開口TH1之上部區域的寬度。第一開口TH1可包含以預定寬度與預定深度提供在上部區域處之第一區域，及隨著朝向下部區域以傾斜形狀提供之第二區域。另外，第一區域及第二區域可以側表面具有曲率之圓形形狀形成，且第一區域之上部表面的寬度可窄於第二區域之上部表面的寬度。第一區域與第二區域彼此接觸之部分可具有彎曲部分。
此外，根據實施例，完成用於形成第一開口TH1及第二開口TH2之蝕刻製程，且接著可執行針對第一框架111及第二框架112之電鍍製程。因此，第一電鍍層111a及第二電鍍層112a可分別形成於第一框架111及第二框架112之表面上。
第一電鍍層111a及第二電鍍層112a可分別提供於第一框架111及第二框架112之上部及下部表面上。此外，第一電鍍層111a及第二電鍍層112a可提供於與第一開口TH1及第二開口TH2接觸之邊界區域中。
作為實例，第一框架111及第二框架112可提供為具有作為基本支撐部件之Cu層。另外，第一電鍍層111a及第二電鍍層112a可包含Ni層、Ag層等中之至少一者。
在第一電鍍層111a及第二電鍍層112a包含Ni層時，由於關於Ni層之熱膨脹的改變較小，因此即使在封裝主體之尺寸或配置位置因熱膨脹改變時，安置於上部部分處的發光裝置之位置仍可由Ni層穩定地固定。在第一電鍍層111a及第二電鍍層112a包含Ag層時，Ag層可有效地反射自安置於上部部分處之發光裝置發射的光且可改良光強度。
根據實施例，在發光裝置120之第一接合部分121及第二接合部分122的尺寸可安置成較小以改良光提取效率時，第一開口TH1之上部區域的寬度可提供為大於或等於第一接合部分121之寬度。此外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為大於或等於第二接合部分122之寬度。
此外，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可提供為小於或等於第一開口TH1之下部區域的寬度W2。此外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為小於或等於第二開口TH2之下部區域的寬度。
作為實例，第一開口TH1之上部區域的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。此外，第一開口TH1之下部區域的寬度可提供為比第一開口TH1之上部區域的寬度大幾十微米至幾百微米。
另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可提供為幾十微米至幾百微米。此外，第二開口TH2之下部區域的寬度可提供為比第二開口TH2之上部區域的寬度大幾十微米至幾百微米。
另外，第一開口TH1之下部區域的寬度可提供為寬於第一開口TH1之上部區域的寬度。第一開口TH1可提供為在預定深度的上部區域中具有預定寬度，且可隨著朝向下部區域以傾斜形狀提供。
另外，第二開口TH2之下部區域的寬度可提供為寬於第二開口TH2之上部區域的寬度。第二開口TH2可提供為在預定深度的上部區域中具有預定寬度，且可隨著朝向下部區域以傾斜形狀提供。
舉例而言，第一開口TH1可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。此外，第二開口TH2可以寬度隨著自下部區域朝向上部區域逐漸降低之傾斜形狀提供。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部與下部區域之間的傾斜表面可具有具不同斜率之多個傾斜表面，且傾斜表面可安置成具有曲率。
在根據實施例之發光裝置封裝中，在第一接合部分121及第二接合部分122之面積較小時，第一接合部分121及第二接合部分122可安置於第一開口TH1及第二開口TH2中。
此時，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積較小，因此難以確保第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121及第二接合部分122之間的黏著力。因此，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導體221及第二導體222，以進一步確保第一導電層321及第二導電層322與第一接合部分121及第二接合部分122接觸之面積。
根據實施例，第一導電層321可電連接至第一接合部分121，且第二導電層322可電連接至第二接合部分122。作為實例，外部電 力可被供應至第一導電層321及第二導電層322，且因此可驅動發光裝置120。
同時，根據根據實施例之發光裝置封裝1100，提供在凹陷R處之黏著劑130可提供於發光裝置120之下部表面與封裝主體110之上部表面之間。在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。另外，在自發光裝置120之上部方向檢視時，黏著劑130可以封閉迴路形狀提供在第一開口TH1及第二開口TH2之周邊處。
黏著劑130可執行在封裝主體110中穩定地固定發光裝置120之功能。此外，黏著劑130可與第一接合部分121及第二接合部分122之側表面接觸地安置於第一接合部分121及第二接合部分122之周邊處。黏著劑130可安置成使得在自發光裝置120之上部方向檢視時，第一開口TH1及第二開口TH2與提供模製部分140之外部區域隔離。
黏著劑130可防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322與凹陷R之封閉迴路分離，並在發光裝置120之外部方向上流動。
在自發光裝置120之上部方向檢視時，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外部方向上移動之狀況下，第一導電層321及第二導電層322可沿著發光裝置120之側表面擴散。如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之第一導電型半導體層及第二導電型半導體層可電短路。另外，如上文所描述，在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之側表面中移動時，發光裝置120之光提取效率可降低。
然而，根據實施例，由於內部與外部可基於由黏著劑130提供凹陷R之區域而彼此隔離，因此有可能防止第一導電層321及第二導電層322與提供凹陷R之區域分離並在外部方向上移動。
因此，根據根據實施例之發光裝置封裝，有可能防止第一導電層321及第二導電層322移動至發光裝置120之側表面，並防止發光裝置 120電短路，藉此改良光提取效率。
根據本發明之實施例，提供在凹陷R處之黏著劑130可沿著發光裝置120之下部表面移動至位於發光裝置120下之第一區域A1，且可安置成與第一接合部分121及第二接合部分122之四個側表面接觸。因此，第一接合部分121及第二接合部分122可安置成由黏著劑130包圍，且第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封。
如上文所描述，由於第一開口TH1及第二開口TH2可由黏著劑130密封，因此有可能防止提供在第一開口TH1及第二開口TH2處之第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面上移動。
同時，在未充分提供黏著劑130之量時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便 將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上部表面的面積，第一接合部分121及第二接合部分122之面積的總和可設定為0.7%或更多，從而使得可穩定地配置第一導體221及第二導體222。
如上文所描述，由於第一接合部分121及第二接合部分122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下部表面的光的量。另外，具有良好反射特性及熱耗散特性之黏著劑130可提供在發光裝置120下。因此，在發光裝置120之下部方向上發射之光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝之上部方向有效地發射，且因此可改良光提取效率。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在次基座、電路板等上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在次基座、電路板等上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與發光裝置封裝中提供之發光裝置之間的接合區域中會出現重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的接合部分可藉由安置於開口中之導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜之樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參考圖37描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
在參考圖37描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝時，可省略與參考圖1至圖36所描述之內容重疊的描述。
如圖37中所示出，相比於參考圖36所描述之半導體裝置封裝，根據實施例之半導體裝置封裝可進一步包含上部凹陷R10。
上部凹陷R10可提供在主體113之上部表面處。上部凹陷R10可提供在位於發光裝置120之下部表面下之第一區域A1處。上部凹陷R10可提供為在第一方向上自主體113之上部表面朝向其下部表面凹入。
凹陷R10可安置在發光裝置120下，且可提供於第一接合部分121與第二接合部分122之間。上部凹陷R10可提供為在發光裝置120下在發光裝置120之短軸方向上延伸。
如參考圖36所描述，在提供至凹陷R之黏著劑130的量不充分時，位於發光裝置120下之第一區域A1可能未填充有黏著劑130且其部分區域可提供為空白空間。因此，第一導電層321及第二導電層322可通過黏著劑130之空隙擴散並移動至第一區域A1之空白空間。
然而，在選擇根據實施例之主體113之實體屬性以及第一導電層321及第二導電層322之實體屬性時，可藉由選擇彼此具有不佳黏著性之屬性來限制導電層321及322自主體113之上部表面擴散的距離。因此，由於可控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝包含上部凹陷R10時，上部凹陷R10可提供進一步限制第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中之擴散及移動的功能。
在提供了上部凹陷R10時，即使在第一導電層321及第二導電層322的部分擴散至主體113之上部部分時，在上部凹陷R10中仍會生成一種陷阱效應：第一導電層321及第二導電層322之流動受到限制。會出現如下現象：通過第一開口TH1擴散之第一導電層321可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。另外，會出現如下現象：通過第二開口TH2擴散之第二導電層322可能無法在上部凹陷R10之下部方向上自上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面移動。此被解釋為：由於表面張力之影響等，第一導電層321及第二導電層322之流動被限制在上部凹陷R10之凹入區域的邊界表面處。
因此，由於可穩定且可靠地控制第一導電層321及第二導電層322在主體113之上部表面處移動的距離，因此可防止第一導電層321及第二導電層322在第一區域A1中電短路。
同時，在參考圖36所描述之發光裝置封裝中，在自發光裝置120之上部方向檢視時，係基於發光裝置120提供為大於由凹陷R之外邊界表面形成之區域的狀況進行描述。
然而，在根據另一實施例之發光裝置封裝中，類似於參考圖26所描述之發光裝置封裝，在自發光裝置120之上部方向檢視時，發光裝置120之外側表面可提供為與凹陷R重疊。
如上文所描述，發光裝置120之外表面可安置於凹陷R之區域上，從而使得發光裝置120之下部表面與主體113之上部表面可由提供於凹陷R中之黏著劑130固定並密封。
同時，在上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝中，在黏著層130提供為鄰近於發光裝置120之側表面時，黏著層130可擴散至沿著發光裝置120之側表面的部分區域。
另外，儘管根據上文所描述實施例之發光裝置封裝係基於形成於封裝主體處之凹陷R提供為封閉迴路之狀況進行描述，但凹陷R可能未必形成為封閉迴路。在凹陷R以彼此間隔開預定距離之形狀提供而非以封閉迴路形成之狀況中，在凹陷R間隔較小距離使得提供於凹陷R中之黏 著層彼此連接時，發光裝置與封裝主體可由黏著劑穩定地密封，且因此可充分實現所要效果。此外，由於黏著劑具有可擴散性，因此安置於彼此間隔開之凹陷R處之黏著層可自發光裝置之下部表面及封裝主體之上部表面擴散，且因此可有效地密封發光裝置之下部表面與封裝主體之上部表面之間的空間。
同時，作為實例，倒裝晶片發光裝置可提供於上文所描述的發光裝置封裝中。
作為實例，倒裝晶片發光裝置可提供為在六個表面方向上發射光之透射型倒裝晶片發光裝置，或可提供為在五個表面方向上發射光之反射型倒裝晶片發光裝置。
在五個表面方向上發射光之反射型倒裝晶片發光裝置可具有反射層在接近於封裝主體110之方向上安置的結構。舉例而言，反射型倒裝晶片發光裝置可包含在第一及第二接合部分與發光結構之間的絕緣反射層(例如，分佈式布拉格反射器、全向反射器等)及/或導電型反射層(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，倒裝晶片發光裝置可包含電連接至第一導電型半導體層之第一接合部分，及電連接至第二導電型半導體層之第二接合部分，且可提供為在第一接合部分與第二接合部分之間發射光之一般水平發光裝置。
此外，在六個表面方向上發射光之倒裝晶片發光裝置可提供為透射型倒裝晶片發光裝置，其包含反射層安置於第一與第二接合部分之間的反射區域，及發射光之透射區域。
此處，透射型倒裝晶片發光裝置意謂將光發射至一上部表面、四個側表面及一下部表面之六個表面的裝置。另外，反射型倒裝晶片發光裝置意謂將光發射至上部表面及四個側表面之裝置。
同時，如上文參考圖1至圖37所描述的根據實施例之發光裝置封裝可應用於光源設備。
此外，基於工業領域，光源設備可包括顯示設備、照明設備、 頭燈等。
作為光源設備之實例，顯示設備包括：底部蓋、安置於底部蓋上之反射板、發射光且包括發光裝置之發光模組、安置於反射板之前方且導引自發光模組發射之光的光導板、包括安置於光導板之前方的稜鏡薄片之光學薄片、安置於光學薄片之前方的顯示面板、連接至顯示面板且將影像信號供應至顯示面板之影像信號輸出電路，及安置於顯示面板之前方的彩色濾光片。本文中，底部蓋、反射板、發光模組、光導板及光學薄片可形成背光單元。另外，顯示設備可具有安置各自發射紅光、綠光及藍光之發光裝置而不包括彩色濾光片之結構。
作為光源設備之另一實例，頭燈可包括：包括安置於基板上之發光裝置封裝的發光模組、用於在預定方向上(例如，前向方向上)反射自發光模組發射之光的反射器、用於向前折射光之透鏡，及用於阻擋或反射由反射器反射且被引導至透鏡之光的一部分，以形成設計者所要之光分佈圖案的遮光物。
作為另一光源設備之照明設備可包括蓋、光源模組、散熱片、電力供應器、內殼及插口。另外，根據實施例之光源設備可進一步包括部件及支架中的至少一者。光源模組可包括根據實施例之發光裝置封裝。
上文實施例中描述之特徵、結構、效應等包括在至少一個實施例中且不限於僅一個實施例。此外，關於實施例中所描述之特徵、結構、效應等，一般技術者可藉由組合或修改執行其他實施例。因此，與組合及修改相關之內容應視為包括在實施例之範疇中。
儘管已在前述描述中提出並闡述較佳實施例，但不應將本發明視為限於此。一般技術者將顯而易見，在不脫離本發明之實施例的固有特徵的情況下，可在範疇內進行未說明之各種變形及修改。舉例而言，可藉由修改來執行實施例中具體示出之每一組件。另外，顯而易見的是，與修改及變形相關之差異包括在本發明之隨附申請專利範圍中設定的實施例之範疇中。
Claims (10)
- 一種發光裝置封裝，其包含：一封裝主體；一發光裝置，安置於該封裝主體上；及一黏著劑，安置於該封裝主體與該發光裝置之間，其中該封裝主體包含在該封裝主體之一上部表面上穿過該封裝主體之一第一開口及一第二開口，及提供為自該封裝主體之該上部表面在該封裝主體之一下部表面的一方向上凹入之一凹陷，其中該發光裝置包含安置於該第一開口上之一第一接合部分及安置於該第二開口上之一第二接合部分，且其中該黏著劑提供在該凹陷處。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該凹陷以一封閉迴路形狀提供在該第一及該第二開口之一周邊處。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中在自該發光裝置之一上部方向檢視時，該發光裝置之一尺寸大於由該凹陷提供的該封閉迴路之一內部區域。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中在自該發光裝置之一上部方向檢視時，由該凹陷提供之該封閉迴路以連接該發光裝置之四個側表面的一輪廓安置。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中在自該發光裝置之一上部方向檢視時，連接該發光裝置之四個側表面的一輪廓提供為在該凹陷上重疊。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該封裝主體包含一第一框架、一第二框架及安置於該第一框架與該第二框架之間的一主體，其中該第一開口提供在該第一框架處且該第二開口提供在該第二框架處，且其中該凹陷提供為與該第一框架之一上部表面、該主體之一上部表面及該第二框架之一上部表面連接。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其進一步包含， 一上部凹陷，其提供為自該封裝主體之該上部表面在該封裝主體之該下部表面的一方向上凹入，其中該上部凹陷提供於該第一開口與該第二開口之間。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該黏著劑安置於該第一接合部分及該第二接合部分之一周邊處。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其包含：一第一導電層，其安置於該第一開口處且電連接至該第一接合部分；及一第二導電層，其安置於該第二開口處且電連接至該第二接合部分。
- 如請求項9之發光裝置封裝，其包含：一第一導體，其安置於該第一接合部分與該第一導電層之間；及一第二導體，其安置於該第二接合部分與該第二導電層之間。
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