KR102522822B1 - 발광소자 패키지 - Google Patents
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- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 194
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 261
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 261
- 239000000463 material Substances 0.000 description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 16
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 16
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 15
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 dotting Substances 0.000 description 6
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 6
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 제1 및 제2 개구부 내에 배치되어 제1 및 제2 본딩부와 각각 수직 방향에서 중첩된 제1 및 제2 프레임을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 제1 프레임은 몸체의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 연장된 제1 부분과, 제1 부분이 연장된 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 제1 프레임은 몸체의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 연장된 제1 부분과, 제1 부분이 연장된 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함할 수 있다.
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 상기 제1 및 제2 개구부 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부와 각각 수직 방향에서 중첩된 제1 및 제2 프레임을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임은 상기 몸체의 상기 상면에서 상기 하면을 향하는 제1 방향으로 연장된 제1 부분과, 상기 제1 부분이 연장된 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부는 제1 부분과 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 제1 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되어 제공되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 아래에 배치되어 상기 제1 부분과 연결되고, 상기 제2 부분의 상부 영역의 폭이 상기 제1 부분의 하부 영역의 폭에 비해 더 크게 제공되고, 상기 제1 프레임은 상기 제1개구부의 상기 제1 및 제2 부분에 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부의 상기 제2 부분은 상기 몸체의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부 내에서 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전체와, 상기 제2 개구부 내에서 상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전체를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부는 상기 발광소자의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공되고, 상기 제1 개구부는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부의 하면과 상기 제1 도전체 사이에 배치된 제1 도전부를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전부는 상기 제1 본딩부의 하면으로부터 상기 제1 개구부 내로 연장되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체는 상기 제1 도전부의 측면과 상기 제1 개구부를 제공하는 상기 몸체의 측면 사이와, 상기 제1 도전부의 하면과 상기 제1 프레임의 상면 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임의 상면은 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체의 상기 하면 아래에 배치되며, 제1 및 제2 패드를 포함하는 회로기판을 포함하고, 상기 발광소자의 상면에 대한 수직 방향에서, 상기 제1 및 제2 패드는 상기 제1 및 제2 프레임과 중첩되게 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체와 상기 회로기판 사이에 배치된 제1 및 제2 접착제를 포함하고, 상기 제1 접착제는 상기 제1 패드와 상기 제1 프레임에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 접착제는 상기 제2 패드와 상기 제2 프레임에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 및 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 설명하는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 설명하는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
참고로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)의 구조가 용이하게 파악될 수 있도록, 도 1은 발광소자(120)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 실장되지 않은 상태로 도시되었으며, 도 2 및 도 3에 몸체(110), 발광소자(120), 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간의 배치 관계가 도시되었다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
다른 표현으로서, 상기 제1 몸체(111)는 하부 몸체, 상기 제2 몸체(113)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다.
상기 제2 몸체(113)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드(Black EMC), 블랙 실리콘 몰딩 컴파운드(Black SMC) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(124)은 상기 발광 구조물(123)을 지지할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다.
상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 100 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 본딩패드 간의 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다.
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
한편, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1 몸체(111)의 상면에 적어도 하나의 리세스(R)가 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제1 몸체(111)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되는 경우, 상기 제1 수지(130)가 상기 리세스(R)에 제공되도록 함으로써, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 몸체(111)의 상면에 배치된 상기 리세스(R)에 상기 제1 수지(130)가 제공되는 경우, 상기 제1 수지(130)의 주입 영역 및 주입량이 용이하게 제어될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다.
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
도 5에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 회로기판(310)은 제1 패드, 제2 패드를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(310)은 제1 패드와 제2 패드가 제공된 기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)와 상기 회로기판(310) 사이에 제1 및 제2 접착제(311, 312)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)에 제공된 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 회로기판(310)에 제공된 제1 및 제2 패드와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 프레임(211)과 상기 제1 패드 사이에 상기 제1 접착제(311)가 제공될 수 있으며, 상기 제 2 프레임(212)과 상기 제2 패드 사이에 제2 접착제(312)가 제공될 수 있다.
상기 회로기판(310)의 제1 패드 영역과 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)가 제1 도전체(321), 제1 프레임(211), 제1 접착제(311)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 제2 패드 영역과 상기 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)가 제2 도전체(322), 제2 프레임(212), 제2 접착제(312)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 접착제(311)는 상기 제1 패드와 상기 제1 프레임(211)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 접착제(312)는 상기 제2 패드와 상기 제2 프레임(212)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 접착제(311)는 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 부분과 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(312)는 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 부분과 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
여기서, 상기 수직 방향이란 상기 발광소자(120)의 상면에 수직한 방향을 의미할 수 있다. 또한, 상기 수직 방향이란 상기 몸체(110)의 상면에 수직한 방향을 의미할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다.
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 실장된 상기 몸체(110)가 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)를 통하여 상기 회로기판(310) 위에 부착될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(200)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)를 통하여 상기 회로기판(310)에 부착되는 과정에서, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 프레임(211)의 상기 제2 부분의 상면과 상기 제1 본딩부(121)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 프레임(211)의 상기 제2 부분의 측면과 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 측면 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 프레임(212)의 상기 제4 부분의 상면과 상기 제2 본딩부(122)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 프레임(212)의 상기 제4 부분의 측면과 상기 제2개구부(TH2)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 측면 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다.
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(300)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 금속층(231,232)은 증착 또는 도금 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지와 유사하게 제1 및 제2 프레임으로 지칭될 수도 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 금속층(231) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 금속층(232) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 금속층(231)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 금속층(231)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 연장되어 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 금속층(232)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 금속층(232)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 연장되어 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다.
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 금속층(231)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 금속층(232)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(400)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)에 의하면, 상기 제1 금속층(231)과 상기 제2 금속층(232)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 8을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제1 및 제2 도전부(221, 222), 제1 및 제2 도전체(321, 322), 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면으로부터 각각 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 연장되어 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 측면과 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 몸체(110)의 측면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 하면과 상기 제1 프레임(211)의 상면 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 측면과 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 몸체(110)의 측면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 하면과 상기 제2 프레임(212)의 상면 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전체(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전체(321)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전부(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)의 하면은 상기 제1 도전체(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전체(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전체(322)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 도전부(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)의 하면은 상기 제2 도전체(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전체(321)가 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전체(322)가 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)에 의하여 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 도금 공정을 통해 제공될 수도 있다. 예로서, 복수의 발광소자가 형성된 웨이퍼 레벨에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 시드(seed)층이 제공되고, 시드층 위에 포토 레지스트막과 같은 마스크층이 형성된 후, 도금 공정이 수행될 수 있다. 도금 공정이 수행된 후, 포토레지스트막의 제거를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 일정 영역에만 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)가 형성될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 Ag, Au, Cu, Ti, Ni 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 시드층을 포함할 수 있다. 상기 시드층은 예로서 Ti, Ni, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 예로서 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 형상은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역 형상에 대응되어 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 폭 또는 직경은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭 또는 직경에 비해 작게 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 분리된 공정에서 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 다른 물질 및 서로 다른 적층 구조를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 제공 없이 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다.
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(500)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 비해 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)의 배치 위치에 차이가 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 프레임(211)은 캐비티(C)의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분은 캐비티의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 프레임(212)은 캐비티(C)의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 부분은 캐비티의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(600)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 비해 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)의 배치 위치에 차이가 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 프레임(211)은 상기 제2 부분의 끝단에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 돌출된 돌출부(211a)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(211a)에 의하여 상기 제1 프레임(211)의 상면과 상기 몸체(110)의 하면 사이에 기구적인 결합 강도가 향상될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다.
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 프레임(212)은 상기 제4 부분의 끝단에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 돌출된 돌출부(212a)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(212a)에 의하여 상기 제2 프레임(212)의 상면과 상기 몸체(110)의 하면 사이에 기구적인 결합 강도가 향상될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(700)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)가 제공된 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 예로서 상기 몸체(110)의 상면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 하면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다.
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면 및 하면에서 원형 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)가 복수의 개구부로 제공되고, 상기 제2 개구부(TH2)가 복수의 개구부로 제공될 수도 있다.
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다.
5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 패키지 몸체에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 전극 패드와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다.
또한, 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 가지며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다.
또한, 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 제1 및 제2 전극 패드 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상면, 4개의 측면, 하면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 11을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.
상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자는 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
참고로, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 11 및 도 12에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110 몸체 111 제1 몸체
113 제2 몸체 120 발광소자
121 제1 본딩부 122 제2 본딩부
123 발광 구조물 130 제1 수지
140 제2 수지 211 제1 프레임
212 제2 프레임 221 제1 도전부
222 제2 도전부 310 회로기판
321 제1 도전체 322 제2 도전체
TH1 제1 개구부 TH2 제2 개구부
113 제2 몸체 120 발광소자
121 제1 본딩부 122 제2 본딩부
123 발광 구조물 130 제1 수지
140 제2 수지 211 제1 프레임
212 제2 프레임 221 제1 도전부
222 제2 도전부 310 회로기판
321 제1 도전체 322 제2 도전체
TH1 제1 개구부 TH2 제2 개구부
Claims (12)
- 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체;
상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자;
상기 제1 및 제2 개구부 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부와 각각 수직 방향에서 중첩된 제1 및 제2 프레임;
상기 제1 개구부 내에서 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전체; 그리고
상기 제2 개구부 내에서 상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전체
를 포함하고,
상기 제1 개구부는 제1 영역과 제2 영역을 포함하고,
상기 제1 영역은 상기 제1 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되어 제공되고,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역 아래에 제공되어 상기 제1 영역과 연결되고, 상기 제2 영역의 하부 영역의 폭이 상기 제1 영역의 하부 영역의 폭에 비해 더 크게 제공되고,
상기 제1 도전체는 상기 제1 개구부의 상기 제1 영역에 배치되고,
상기 제1 프레임은 상기 제1 개구부의 상기 제1 및 제2 영역에 배치되며,
상기 제1 개구부의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부의 하부 영역의 폭보다 작고, 상기 제2 개구부의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부의 하부 영역의 폭보다 작으며,
상기 제1 도전체와 상기 제1 프레임 간 접촉부 및 상기 제2 도전체와 상기 제2 프레임 간 접촉부는 계단 형상을 갖는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 프레임은 상기 몸체의 상기 상면에서 상기 하면을 향하는 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 개구부의 상기 제1 영역에 배치된 제1 부분과, 상기 제1 부분이 연장된 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 개구부의 상기 제2 영역에 배치된 제2 부분을 포함하는 발광소자 패키지. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 개구부의 상기 제2 영역은 상기 몸체의 상기 하면으로부터 상기 상면 방향으로 오목하게 제공된 발광소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 본딩부의 하면과 상기 제1 도전체 사이에 배치된 제1 도전부를 포함하고,
상기 제1 도전부는 상기 제1 본딩부의 상기 하면으로부터 상기 제1 개구부 내로 연장되어 배치되고,
상기 제1 도전체는 상기 제1 도전부의 측면과 상기 제1 개구부를 제공하는 상기 몸체의 측면 사이와, 상기 제1 도전부의 상기 하면과 상기 제1 프레임의 상면 사이에 배치된 발광소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 몸체의 상기 하면 아래에 배치되며, 제1 및 제2 패드를 포함하는 회로기판을 포함하고,
상기 발광소자의 상면에 대한 수직 방향에서, 상기 제1 및 제2 패드는 상기 제1 및 제2 프레임과 중첩되게 배치된 발광소자 패키지. - 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180012725A KR102522822B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180012725A KR102522822B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190093282A KR20190093282A (ko) | 2019-08-09 |
KR102522822B1 true KR102522822B1 (ko) | 2023-04-18 |
Family
ID=67613589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180012725A KR102522822B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102522822B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012895A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
KR101264339B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-05-14 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
KR102301869B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2021-09-15 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 |
-
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- 2018-02-01 KR KR1020180012725A patent/KR102522822B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190093282A (ko) | 2019-08-09 |
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