TW201832379A - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片，基座沿第一方向的長度大於沿垂直第一方向的第二方向的長度，基座上形成一收容腔，收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端，收容腔在基座的頂部具有一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側向開口，發光二極體晶片發出的光線通過基座的正向開口以及側向開***出。

Description

發光二極體封裝結構
本發明涉及一種發光二極體封裝結構。
相比於傳統的發光源，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越廣泛地應用。
傳統的發光二極體封裝結構產生的光場形狀大多為圓形，但是在某些照明場合下，常常需要長條形的光場，例如道路照明，若路燈的光場為圓形，則一部分光線會照出道路範圍之外，不但造成資源浪費還可能形成錯誤交通引導，如此，則要求路燈所形成的照明區域大致呈長條形為佳，在沿道路的方向上具有較大的照明長度，而在垂直于道路的方向上具有較小的照明長度。但是普通的長條形照明裝置，光線會沿平行於發光二極體電極方向散射，導致聚光度不夠。所以說如何提供一種具有良好聚光度光場的發光二極體封裝結構，成為業內人士需要解決的技術問題。
有鑒於此，有必要提供一種具有好聚光度長條形光場形狀的發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片，所述基座沿第一方向的長度大於沿垂直第一方向的第二方向的長度，所述基座上形成一收容腔，所述收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端，收容腔在基座的頂部具有一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側向開口，所述基座包括一絕緣部，所述絕緣部包括長方形的底座、由所述底座第一方向的側邊垂直向上延伸的兩個第一側壁以及由所述底座第二方向的側邊垂直向上延伸的兩個第二側壁，所述兩個第一側壁平行相對，所述兩個第二側壁平行相對，所述兩個第一側壁、兩個第二側壁與底座共同圍成所述收容腔，所述第一側壁的高度大於所述第二側壁的高度，所述發光二極體晶片設置於所述收容腔中，發光二極體晶片發出的光線通過基座的正向開口以及側向開***出。
進一步地，所述基座包括一設置於所述絕緣座上的第一電極構造和第二電極構造。
更進一步地，所述絕緣座呈一長方體結構，所述長方體結構的長邊沿第一方向延伸，短邊沿第二方向延伸。
進一步地，所述發光二極體晶片的高度小於所述第二側壁的高度。
更進一步地，所述第一電極構造包括第一內部電極、第一延伸電極以及第一外部電極，所述第二電極構造包括第二內部電極、第二延伸電極以及第二外部電極，所述第一內部電極與第二內部電極相互間隔設置於所述收容腔中的絕緣座的側壁上，所述第一延伸電極以及第二延伸電極分別設置在絕緣座的底座的側面上，並分別通過所述底座與第一內部電極以及第二內部電極電連接，所述第一外部電極以及第二外部電極分別由第一延伸電極以及第二延伸電極延伸至絕緣座的側壁上。
更進一步地，所述發光二極體晶片設置於所述基座的收容腔內並分別電性連接第一內部電極與第二內部電極。
進一步地，所述發光二極體封裝結構還包括一封裝層，所述封裝層填充於所述基座的整個收容腔內，並覆蓋所述發光二極體晶片。
進一步地，所述封裝層內包含螢光粉。
更進一步地，所述封裝層的頂面由所述收容腔的正向開口露出，並與所述兩個第一側壁的頂面齊平；所述封裝層的側面與所述兩個第二側壁的側面相齊平；部分所述封裝層的側面分別由所述收容腔的側向開口露出，並分別與所述兩個第二側壁的外側端面齊平。
上述的發光二極體封裝結構中，基座上形成收容腔，所述收容腔在基座的頂部具有一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側向開口，發光二極體晶片設置於基座的收容腔中，其發出的光線由基座的正向開口以及基座的沿第一方向的兩側的側向開***出，所述兩個第一側壁、兩個第二側壁與底座共同圍成所述收容腔，所述第一側壁的高度大於所述第二側壁的高度，由於第一側壁的高度大於第二側壁的高度，使得發光二極體封裝結構的發光二極體晶片光束可輕易自所述第二側壁方向射出而增加廣角發光的特性，同時第二側壁也可將部分射至所述第二側壁內側的光束反射且集中自正向開口方向射出，藉以維持所述發光二極體封裝結構的光強度。
下面將結合附圖，對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖1至圖6，本發明實施方式提供的一種發光二極體封裝結構100包括一基座10、設置於所述基座10內的至少一發光二極體晶片20以及設置於基座10內並覆蓋發光二極體晶片20的封裝層30。
請接著參閱圖2，所述基座10包括一絕緣座11以及設置於所述絕緣座11上的第一電極構造12和第二電極構造13。所述絕緣座11呈一長方體結構，其長邊沿第一方向X延伸，短邊沿第二方向Y延伸。所述絕緣座11包括長方形的底座111、所述底座111的兩個長邊垂直向上延伸的第一側壁112以及由所述底座111的兩個短邊垂直向上延伸的第二側壁114。兩個所述第一側壁112平行相對，兩個所述第二側壁114平行相對。所述第一側壁112的高度大於所述第二側壁114的高度。兩個所述第一側壁112、兩個所述第二側壁114與所述底座111共同圍成一收容腔14。請參閱圖1，所述收容腔14貫通所述絕緣座11的頂部以及所述絕緣座11沿第一方向X的兩端，其具有一位於所述絕緣座11頂部的正向開口141以及分別位於所述絕緣座11的沿第一方向X兩端的側向開口142。
請參閱圖2至圖5，所述第一電極構造12與第二電極構造13相互間隔設置於絕緣座11上。其中，第一電極構造12包括第一內部電極121、第一延伸電極122以及第一外部電極123。同樣，第二電極構造13包括第二內部電極131、第二延伸電極132以及第二外部電極133。所述第一內部電極121與第二內部電極131相互間隔設置於收容腔14中的絕緣座11的底座111上，用於與發光二極體晶片20電連接。所述第一延伸電極122以及第二延伸電極132分別設置在絕緣座11的底座111的下表面上，並分別通過所述底座111與第一內部電極121以及第二內部電極131連接。所述第一外部電極123以及第二外部電極133分別由第一延伸電極122以及第二延伸電極132延伸至絕緣座11的第一 側壁112上，以用於與外部電源電連接。
所述發光二極體晶片20設置於基座10的收容腔14內並通過導線分別電性連接第一內部電極121與第二內部電極131。所述發光二極體晶片20的高度小於所述第二側壁114的高度。
所述封裝層30填充於基座10的整個收容腔14內，並覆蓋所述發光二極體晶片20與所述兩個第二側壁114。所述封裝層30的頂面由收容腔14的正向開口141露出，並與所述兩個第一側壁112的頂面齊平；所述封裝層30的側面與所述兩個第二側壁114的側面相齊平；部分所述封裝層30的側面分別由收容腔14的側向開口142露出，並分別與兩第二側壁114的外側端面齊平。所述封裝層30為一透明結構，其材質可為矽、環氧樹脂等。所述封裝層30中還可摻入螢光粉。所述螢光粉材質可選自石榴石(garnet)、矽酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物中之一或幾種組合的化合物。
請參閱圖2及圖6，在本發明的發光二極體封裝結構100中，所述基座10上形成收容腔14，所述收容腔14在基座10的頂部具有一正向開口141，在基座10的沿第一方向X的兩端分別具有側向開口142，發光二極體晶片20設置於基座10的收容腔14中，其發出的光線由基座10的正向開口141以及基座10的沿第一方向X兩側的側向開口142射出，由此，可以使得發光二極體晶片20產生的光場在第一方向X上被拉長延伸，如此，可以形成一長條形的光場形狀。由於第一側壁112的高度大於第二側壁114的高度，使得發光二極體封裝結構100的發光二極體晶片20光束可輕易自所述第二側壁114方向射出而增加廣角發光的特性，同時第二側壁114也可將部分射至所述第二側壁114內側的光束反射且集中自正向開口141方向射出，藉以維持所述發光二極體封裝結構100的光強度。
可以理解的係，對於本領域具有通常知識者來說，可以根據本發明的技術構思做出其他各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明的保護範圍。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧基座
20‧‧‧發光二極體晶片
30‧‧‧封裝層
11‧‧‧絕緣座
12‧‧‧第一電極構造
13‧‧‧第二電極構造
14‧‧‧收容腔
111‧‧‧底座
112‧‧‧第一側壁
114‧‧‧第二側壁
121‧‧‧第一內部電極
122‧‧‧第一延伸電極
123‧‧‧第一外部電極
131‧‧‧第二內部電極
132‧‧‧第二延伸電極
133‧‧‧第二外部電極
141‧‧‧正向開口
142‧‧‧側向開口
圖1為本發明實施方式中的發光二極體封裝結構的立體圖。
圖2為圖1中的發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖3為圖1中的發光二極體封裝結構的仰視圖。
圖4為圖1中的發光二極體封裝結構的左視圖。
圖5為圖1中的發光二極體封裝結構的右視圖。
圖6為圖1中的發光二極體封裝結構的側視圖。
無
無

Claims (9)

  1. 一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片，其特徵在於：所述基座沿第一方向的長度大於沿垂直第一方向的第二方向的長度，所述基座上形成一收容腔，所述收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端，收容腔在基座的頂部具有一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側向開口，所述基座包括一絕緣座，所述絕緣座包括長方形的底座、由所述底座第一方向的側邊垂直向上延伸的兩個第一側壁以及由所述底座第二方向的側邊垂直向上延伸的兩個第二側壁，所述兩個第一側壁平行相對，所述兩個第二側壁平行相對，所述兩個第一側壁、兩個第二側壁與底座共同圍成所述收容腔，所述第一側壁的高度大於所述第二側壁的高度，所述發光二極體晶片設置於所述收容腔中，發光二極體晶片發出的光線通過基座的正向開口以及側向開***出。
  2. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中：所述基座包括一設置於所述絕緣座上的第一電極構造和第二電極構造。
  3. 如請求項2所述的發光二極體封裝結構，其中：所述絕緣座呈一長方體結構，所述長方體結構的長邊沿第一方向延伸，短邊沿第二方向延伸。
  4. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中：所述發光二極體晶片的高度小於所述第二側壁的高度。
  5. 如請求項2所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一電極構造包括第一內部電極、第一延伸電極以及第一外部電極，所述第二電極構造包括第二內部電極、第二延伸電極以及第二外部電極，所述第一內部電極與第二內部電極相互間隔設置於所述收容腔中的絕緣座的側壁上，所述第一延伸電極以及第二延伸電極分別設置在絕緣座的底座的側面上，並分別通過所述底座與第一內部電極以及第二內部電極電連接，所述第一外部電極以及第二外部電極分別由第一延伸電極以及第二延伸電極延伸至絕緣座的側壁上。
  6. 如請求項5所述的發光二極體封裝結構，其中：所述發光二極體晶片設置於所述基座的收容腔內並分別電性連接第一內部電極與第二內部電極。
  7. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中：所述發光二極體封裝結構還包括一封裝層，所述封裝層填充於所述基座的整個收容腔內，並覆蓋所述發光二極體晶片。
  8. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中：所述封裝層內包含螢光粉。
  9. 如請求項7所述的發光二極體封裝結構，其中：所述封裝層的頂面由所述收容腔的正向開口露出，並與所述兩個第一側壁的頂面齊平；所述封裝層的側面與所述兩個第二側壁的側面相齊平；部分所述封裝層的側面分別由所述收容腔的側向開口露出，並分別與所述兩個第二側壁的外側端面齊平。
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