CN108511576A - 发光二极管封装结构 - Google Patents
发光二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108511576A CN108511576A CN201710107172.2A CN201710107172A CN108511576A CN 108511576 A CN108511576 A CN 108511576A CN 201710107172 A CN201710107172 A CN 201710107172A CN 108511576 A CN108511576 A CN 108511576A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pedestal
- light
- emitting diode
- electrode
- encapsulation structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装结构，其包括一基座以及至少一发光二极管芯片，基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度，基座上形成一收容腔，收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端，收容腔在基座的顶部具有一正向开口，在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口，发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开***出。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。
传统的发光二极管封装结构产生的光场形状大多为圆形，但是在某些照明场合下，常常需要长条形的光场，例如道路照明，若路灯的光场为圆形，则一部分光线会照出道路范围之外，不但造成资源浪费还可能形成错误交通引导，如此，则要求路灯所形成的照明区域大致呈长条形为佳，在沿道路的方向上具有较大的照明长度，而在垂直于道路的方向上具有较小的照明长度。但是普通的长条形照明装置，光线会沿平行于发光二极管电极方向散射，导致聚光度不够。所以说如何提供一种具有良好聚光度光场的发光二极管封装结构，成为业内人士需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有好聚光度长条形光场形状的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，其包括一基座以及至少一发光二极管芯片，所述基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度，所述基座上形成一收容腔，所述收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端，收容腔在基座的顶部具有一正向开口，在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口，所述基座包括一绝缘部，所述绝缘部包括长方形的底座、由所述底座第一方向的侧边垂直向上延伸的两个第一侧壁以及由所述底座第二方向的侧边垂直向上延伸的两个第二侧壁，所述两个第一侧壁平行相对，所述两个第二侧壁平行相对，所述两个第一侧壁、两个第二侧壁与底座共同围成所述收容腔，所述第一侧壁的高度大于所述第二侧壁的高度，所述发光二极管芯片设置于所述收容腔中，发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开***出。
进一步地，所述基座包括一设置于所述绝缘座上的第一电极构造和第二电极构造。
更进一步地，所述绝缘座呈一长方体结构，所述长方体结构的长边沿第一方向延伸，短边沿第二方向延伸。
进一步地，所述发光二极管芯片的高度小于所述第二侧壁的高度。
更进一步地，所述第一电极构造包括第一内部电极、第一延伸电极以及第一外部电极，所述第二电极构造包括第二内部电极、第二延伸电极以及第二外部电极，所述第一内部电极与第二内部电极相互间隔设置于所述收容腔中的绝缘座的侧壁上，所述第一延伸电极以及第二延伸电极分别设置在绝缘座的底座的侧面上，并分别通过所述底座与第一内部电极以及第二内部电极电连接，所述第一外部电极以及第二外部电极分别由第一延伸电极以及第二延伸电极延伸至绝缘座的侧壁上。
更进一步地，所述发光二极管芯片设置于所述基座的收容腔内并分别电性连接第一内部电极与第二内部电极。
进一步地，所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层填充于所述基座的整个收容腔内，并覆盖所述发光二极管芯片。
进一步地，所述封装层内包含荧光粉。
更进一步地，所述封装层的顶面由所述收容腔的正向开口露出，并与所述两个第一侧壁的顶面齐平；所述封装层的侧面与所述两个第二侧壁的侧面相齐平；部分所述封装层的侧面分别由所述收容腔的侧向开口露出，并分别与所述两个第二侧壁的外侧端面齐平。
上述的发光二极管封装结构中，基座上形成收容腔，所述收容腔在基座的顶部具有一正向开口，在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口，发光二极管芯片设置于基座的收容腔中，其发出的光线由基座的正向开口以及基座的沿第一方向的两侧的侧向开***出，所述两个第一侧壁、两个第二侧壁与底座共同围成所述收容腔，所述第一侧壁的高度大于所述第二侧壁的高度，由于第一侧壁的高度大于第二侧壁的高度，使得发光二极管封装结构的发光二极管芯片光束可轻易自所述第二侧壁方向射出而增加广角发光的特性，同时第二侧壁也可将部分射至所述第二侧壁内侧的光束反射且集中自正向开口方向射出，借以维持所述发光二极管封装结构的光强度。
附图说明
图1为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的立体图。
图2为图1中的发光二极管封装结构的俯视图。
图3为图1中的发光二极管封装结构的仰视图。
图4为图1中的发光二极管封装结构的左视图。
图5为图1中的发光二极管封装结构的右视图。
图6为图1中的发光二极管封装结构的侧视图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 100
基座 10
发光二极管芯片 20
封装层 30
绝缘座 11
第一电极构造 12
第二电极构造 13
收容腔 14
底座 111
第一侧壁 112
第二侧壁 114
第一内部电极 121
第一延伸电极 122
第一外部电极 123
第二内部电极 131
第二延伸电极 132
第二外部电极 133
正向开口 141
侧向开口 142
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1至图6，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构100包括一基座10、设置于所述基座10内的至少一发光二极管芯片20以及设置于基座10内并覆盖发光二极管芯片20的封装层30。
请接着参阅图2，所述基座10包括一绝缘座11以及设置于所述绝缘座11上的第一电极构造12和第二电极构造13。所述绝缘座11呈一长方体结构，其长边沿第一方向X延伸，短边沿第二方向Y延伸。所述绝缘座11包括长方形的底座111、所述底座111的两个长边垂直向上延伸的第一侧壁112以及由所述底座111的两个短边垂直向上延伸的第二侧壁114。两个所述第一侧壁112平行相对，两个所述第二侧壁114平行相对。所述第一侧壁112的高度大于所述第二侧壁114的高度。两个所述第一侧壁112、两个所述第二侧壁114与所述底座111共同围成一收容腔14。请参阅图1，所述收容腔14贯通所述绝缘座11的顶部以及所述绝缘座11沿第一方向X的两端，其具有一位于所述绝缘座11顶部的正向开口141以及分别位于所述绝缘座11的沿第一方向X两端的侧向开口142。
请参阅图2至图5，所述第一电极构造12与第二电极构造13相互间隔设置于绝缘座11上。其中，第一电极构造12包括第一内部电极121、第一延伸电极122以及第一外部电极123。同样，第二电极构造13包括第二内部电极131、第二延伸电极132以及第二外部电极133。所述第一内部电极121与第二内部电极131相互间隔设置于收容腔14中的绝缘座11的底座111上，用于与发光二极管芯片20电连接。所述第一延伸电极122以及第二延伸电极132分别设置在绝缘座11的底座111的下表面上，并分别通过所述底座111与第一内部电极121以及第二内部电极131连接。所述第一外部电极123以及第二外部电极133分别由第一延伸电极122以及第二延伸电极132延伸至绝缘座11的第一侧壁112上，以用于与外部电源电连接。
所述发光二极管芯片20设置于基座10的收容腔14内并通过导线分别电性连接第一内部电极121与第二内部电极131。所述发光二极管芯片20的高度小于所述第二侧壁114的高度。
所述封装层30填充于基座10的整个收容腔14内，并覆盖所述发光二极管芯片20与所述两个第二侧壁114。所述封装层30的顶面由收容腔14的正向开口141露出，并与所述两个第一侧壁112的顶面齐平；所述封装层30的侧面与所述两个第二侧壁114的侧面相齐平；部分所述封装层30的侧面分别由收容腔14的侧向开口142露出，并分别与两第二侧壁114的外侧端面齐平。所述封装层30为一透明结构，其材质可为硅、环氧树脂等。所述封装层30中还可掺入荧光粉。所述荧光粉材质可选自石榴石(garnet)、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物中之一或几种组合的化合物。
请参阅图2及图6，在本发明的发光二极管封装结构100中，所述基座10上形成收容腔14，所述收容腔14在基座10的顶部具有一正向开口141，在基座10的沿第一方向X的两端分别具有侧向开口142，发光二极管芯片20设置于基座10的收容腔14中，其发出的光线由基座10的正向开口141以及基座10的沿第一方向X两侧的侧向开口142射出，由此，可以使得发光二极管芯片20产生的光场在第一方向X上被拉长延伸，如此，可以形成一长条形的光场形状。由于第一侧壁112的高度大于第二侧壁114的高度，使得发光二极管封装结构100的发光二极管芯片20光束可轻易自所述第二侧壁114方向射出而增加广角发光的特性，同时第二侧壁114也可将部分射至所述第二侧壁114内侧的光束反射且集中自正向开口141方向射出，借以维持所述发光二极管封装结构100的光强度。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种发光二极管封装结构，其包括一基座以及至少一发光二极管芯片，其特征在于：所述基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度，所述基座上形成一收容腔，所述收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端，收容腔在基座的顶部具有一正向开口，在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口，所述基座包括一绝缘座，所述绝缘座包括长方形的底座、由所述底座第一方向的侧边垂直向上延伸的两个第一侧壁以及由所述底座第二方向的侧边垂直向上延伸的两个第二侧壁，所述两个第一侧壁平行相对，所述两个第二侧壁平行相对，所述两个第一侧壁、两个第二侧壁与底座共同围成所述收容腔，所述第一侧壁的高度大于所述第二侧壁的高度，所述发光二极管芯片设置于所述收容腔中，发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开***出。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基座包括一设置于所述绝缘座上的第一电极构造和第二电极构造。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘座呈一长方体结构，所述长方体结构的长边沿第一方向延伸，短边沿第二方向延伸。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片的高度小于所述第二侧壁的高度。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极构造包括第一内部电极、第一延伸电极以及第一外部电极，所述第二电极构造包括第二内部电极、第二延伸电极以及第二外部电极，所述第一内部电极与第二内部电极相互间隔设置于所述收容腔中的绝缘座的侧壁上，所述第一延伸电极以及第二延伸电极分别设置在绝缘座的底座的侧面上，并分别通过所述底座与第一内部电极以及第二内部电极电连接，所述第一外部电极以及第二外部电极分别由第一延伸电极以及第二延伸电极延伸至绝缘座的侧壁上。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于所述基座的收容腔内并分别电性连接第一内部电极与第二内部电极。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层填充于所述基座的整个收容腔内，并覆盖所述发光二极管芯片。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层内包含荧光粉。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层的顶面由所述收容腔的正向开口露出，并与所述两个第一侧壁的顶面齐平；所述封装层的侧面与所述两个第二侧壁的侧面相齐平；部分所述封装层的侧面分别由所述收容腔的侧向开口露出，并分别与所述两个第二侧壁的外侧端面齐平。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710107172.2A CN108511576A (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 发光二极管封装结构 |
| TW106115554A TWI633685B (zh) | 2017-02-27 | 2017-05-11 | 發光二極體封裝結構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710107172.2A CN108511576A (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 发光二极管封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108511576A true CN108511576A (zh) | 2018-09-07 |
Family
ID=63373922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710107172.2A Pending CN108511576A (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 发光二极管封装结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108511576A (zh) |
| TW (1) | TWI633685B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| CN1971957A (zh) * | 2005-11-22 | 2007-05-30 | 夏普株式会社 | 发光元件及其制造方法和具备发光元件的背光灯单元及其制造方法 |
| CN101355126A (zh) * | 2007-07-23 | 2009-01-28 | 瑞莹光电股份有限公司 | 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 |
| CN102456813A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及制造方法 |
| CN103123058A (zh) * | 2013-01-09 | 2013-05-29 | 中微光电子(潍坊)有限公司 | 一种led光源 |
| CN103398324A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-11-20 | 友达光电股份有限公司 | 发光元件的封装结构及包含其的背光模块 |
| CN104425675A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8525213B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-09-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same |
| CN103050603B (zh) * | 2011-10-17 | 2016-03-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构的制作方法 |
| CN203312365U (zh) * | 2013-07-04 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种led支架、led以及背光模组 |
| KR102237155B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2021-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
-
2017
- 2017-02-27 CN CN201710107172.2A patent/CN108511576A/zh active Pending
- 2017-05-11 TW TW106115554A patent/TWI633685B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| CN1971957A (zh) * | 2005-11-22 | 2007-05-30 | 夏普株式会社 | 发光元件及其制造方法和具备发光元件的背光灯单元及其制造方法 |
| CN101355126A (zh) * | 2007-07-23 | 2009-01-28 | 瑞莹光电股份有限公司 | 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 |
| CN102456813A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及制造方法 |
| CN103123058A (zh) * | 2013-01-09 | 2013-05-29 | 中微光电子(潍坊)有限公司 | 一种led光源 |
| CN103398324A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-11-20 | 友达光电股份有限公司 | 发光元件的封装结构及包含其的背光模块 |
| CN104425675A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201832379A (zh) | 2018-09-01 |
| TWI633685B (zh) | 2018-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI606616B (zh) | 發光裝置封裝件 | |
| US8546833B2 (en) | LED package and light emitting device having the same | |
| EP2492982A2 (en) | Light emitting device package | |
| CN103050615B (zh) | 一种高显色性白光led器件 | |
| US7884378B1 (en) | Light emitting diode package structure and lead frame structure thereof | |
| KR20140004351A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| TWI573245B (zh) | 發光二極體燈條 | |
| CN202930426U (zh) | 一种可以实现不同发光方向的应用效果的led器件 | |
| CN203721758U (zh) | 高密封性的led支架 | |
| CN108511576A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| KR101803560B1 (ko) | 발광 장치 및 이를 포함하는 조명 시스템 | |
| KR20130014755A (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 | |
| US20140319562A1 (en) | Light-emitting diode package structure | |
| KR101459555B1 (ko) | 발광 소자 | |
| TWI531092B (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
| KR101433261B1 (ko) | 발광소자 | |
| CN215869379U (zh) | Led光源、照明装置和显示装置 | |
| KR102070980B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR101050363B1 (ko) | 발광다이오드 램프 | |
| KR20110039228A (ko) | 렌즈 장착식 발광다이오드 패키지 | |
| KR20110115320A (ko) | 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템 | |
| KR102195756B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| US20130285093A1 (en) | Light emitting diode package structure having a substrate including ceramic fibers | |
| KR101692511B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR101902399B1 (ko) | 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180907 |