TW201824589A - 發光裝置及發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種發光特性優異、且硫系氣體的產生所引起的發光特性等性能的惡化充分得到抑制的發光裝置。發光裝置的特徵在於具備：發光元件；一個以上的銀系構件，於表面具有銀；以及樹脂層，包含覆蓋至少一個所述銀系構件的第1樹脂層、及配置於所述第1樹脂層的正上方的第2樹脂層；所述發光元件由所述第1樹脂層、或者所述第1樹脂層及所述第2樹脂層兩者覆蓋，所述第1樹脂層及所述第2樹脂層中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑，所述第2樹脂層含有硫化物系螢光體，所述第1樹脂層的厚度相對於所述第1樹脂層及所述第2樹脂層的總厚度的比例為50%以上。

Description

發光裝置及發光裝置的製造方法
本發明是有關於一種發光裝置及發光裝置的製造方法。
現在，於照明等各種領域中，使用了以發光二極體（Light Emitting Diode，LED）為代表的發光元件的發光裝置正逐漸普及。作為使用了LED的發光裝置，已知有具有如下構成者：例如於基板上配置LED，且利用在矽酮樹脂等樹脂中含有螢光體而成的樹脂組成物來密封所述LED及基板。另外，亦已知有藉由於包含銀板或實施了鍍銀的板的反射器上配置LED而實現光的取出效率的提高的發光裝置。
所述發光裝置中，於使用硫化物系螢光體作為螢光體的情況下，所述硫化物系螢光體容易與水反應，因此有時例如與大氣中的水分發生反應而生成硫化氫、二氧化硫、三氧化硫等硫系氣體。而且，所生成的硫系氣體對以反射器為代表的表面具有銀的構件造成腐蝕，而成為導致反射器的反射性能下降、進而發光特性的下降或者斷線等的電氣不良等的原因。
作為對所述問題的應對，例如於專利文獻1中揭示了可藉由使用經含有金屬氧化物粉末的二氧化矽膜被覆的硫化物系螢光體作為螢光體而使自硫化物系螢光體產生的硫系氣體吸附於金屬氧化物粉末，從而抑制硫系氣體的放出。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-119581號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，所述現有的技術將重點置於所使用的螢光體自身的改良，關於作為使用硫化物系螢光體的發光裝置的改良，尚未進行充分的研究。
本發明的課題在於解決先前的所述諸問題並達成以下目的。即，本發明的目的在於提供發光特性優異、且硫系氣體的產生所引起的發光特性等性能的惡化充分得到抑制的發光裝置、以及簡單的所述發光裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了達成所述目的而進行了努力研究，結果發現藉由至少實現包含將LED等發光元件密封的樹脂組成物的層的構成的合理化，可充分抑制硫系氣體的產生所引起的發光特性等性能的惡化，從而完成了本發明。
本發明基於本發明者等人的所述見解，用以解決所述課題的手段為如下所述。即， ＜1＞ 一種發光裝置，其特徵在於具備： 發光元件； 一個以上的銀系構件，於表面具有銀；以及 樹脂層，包含覆蓋至少一個所述銀系構件的第1樹脂層、及配置於所述第1樹脂層的正上方的第2樹脂層， 所述發光元件由所述第1樹脂層、或者所述第1樹脂層及所述第2樹脂層兩者覆蓋， 所述第1樹脂層及所述第2樹脂層中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑， 所述第2樹脂層含有硫化物系螢光體， 所述第1樹脂層的厚度相對於所述第1樹脂層及所述第2樹脂層的總厚度的比例為50%以上。
＜2＞ 如所述＜1＞所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層及所述第2樹脂層中，覆蓋所述發光元件的層含有所述無機吸附劑。
＜3＞ 如所述＜1＞或＜2＞所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層的厚度為240 μm以上。
＜4＞ 如所述＜1＞～＜3＞中任一項所述的發光裝置，其中所述無機吸附劑包含如下微粒子，所述微粒子包含含有金屬元素的化合物。
＜5＞ 如所述＜4＞所述的發光裝置，其中所述含有金屬元素的化合物自MgO、CaO、BaO、BaB2 O4 、SrO、La2 O3 、ZnO、Zn(OH)2 、ZnSO4 ･nH2 O（0≦n≦7）、ZnTi2 O4 、Zn2 Ti3 O8 、Zn2 TiO4 、ZnTiO3 、ZnBaO2 、ZnBa2 O3 、ZnGa2 O4 、Zn1.23 Ga0.28 O2 、Zn3 GaO4 、Zn6 Ga2 O9 、Zn0.125 ～ 0.95 Mg0.05 ～ 0.9 O、Zn0.1 ～ 0.75 Ca0.25 ～ 0.9 O、ZnSrO2 、Zn0.3 Al2.4 O4 、ZnAl2 O4 、Zn3 ～ 7 In2 O6 ～ 10 、ZnSnO3 、Zn2 SnO4 、以及含有選自Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al及鑭元素中的金屬元素的矽酸鹽中選擇。
＜6＞ 如所述＜4＞所述的發光裝置，其中所述含有金屬元素的化合物為ZnO。
＜7＞ 如所述＜1＞～＜6＞中任一項所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層及所述第2樹脂層含有矽酮樹脂或環氧樹脂。
＜8＞ 如所述＜1＞～＜7＞中任一項所述的發光裝置，其中所述樹脂層含有玻璃片。
＜9＞ 如所述＜1＞～＜8＞中任一項所述的發光裝置，其中構成所述樹脂層的層中，與由所述第1樹脂層覆蓋的所述銀系構件隔開最遠的層含有玻璃片。
＜10＞ 如所述＜1＞～＜9＞中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體包含由MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。
＜11＞ 如所述＜1＞～＜9＞中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體包含由SrGa2 S4 :Eu所表示的綠色螢光體。
＜12＞ 如所述＜1＞～＜11＞中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體於表面具備包含第1二氧化矽膜、及所述第1二氧化矽膜上的第2二氧化矽膜的被覆膜，所述第1二氧化矽膜及所述第2二氧化矽膜中的至少任一者含有金屬氧化物粉末。
＜13＞ 如所述＜12＞所述的發光裝置，其中構成所述被覆膜的二氧化矽膜中，最表面側的膜含有金屬氧化物粉末。
＜14＞ 如所述＜12＞或＜13＞所述的發光裝置，其中所述金屬氧化物粉末包含氧化鋅粉末。
＜15＞ 一種發光裝置的製造方法，其為製造如所述＜1＞～＜14＞中任一項所述的發光裝置的方法，且所述發光裝置的製造方法的特徵在於包括： 準備上部具備發光元件、且表面具有銀的反射器的步驟； 以覆蓋所述反射器的方式供給第1樹脂組成物而形成第1樹脂層的步驟；以及 將第2樹脂組成物供給至所述第1樹脂層的正上方而形成第2樹脂層的步驟， 所述第1樹脂組成物及所述第2樹脂組成物中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑， 所述第2樹脂組成物含有硫化物系螢光體， 以所形成的第1樹脂層的厚度相對於第1樹脂層及第2樹脂層的總厚度的比例成為50%以上的方式分別決定所述第1樹脂組成物的供給量及所述第2樹脂組成物的供給量。 [發明的效果]
根據本發明，可解決先前的所述諸問題，而提供一種發光特性優異、且硫系氣體的產生所引起的發光特性等性能的惡化充分得到抑制的發光裝置、以及簡單的所述發光裝置的製造方法。
（發光裝置） 以下，使用圖1等對本發明的一實施形態的發光裝置1進行說明。 本發明的一實施形態的發光裝置（以下，有時簡稱為「本發明的發光裝置」）1至少具備反射器2、配置於反射器2上的發光元件3及樹脂層4，樹脂層4包含第1樹脂層4a及配置於第1樹脂層4a的正上方的第2樹脂層4b。 再者，反射器2並無特別限制，如圖1～圖3所示，可與樹脂層收容構件5一起構成引線框架6。 另外，如圖1～圖3所示，本發明的發光裝置1可於反射器2的下部具備基板作為引線框架6的構成構件，另外亦可進而具備其他任意構件。
＜基板＞ 作為基板7，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，可使用發光裝置的領域中已知的平板狀者、例如陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、玻璃環氧基板等。
＜樹脂層收容構件＞ 樹脂層收容構件5並無特別限制，且為如下構件：具有上表面及下表面以圓狀等開口的結構，且於下表面配置有反射器2，藉此形成收容有樹脂層4的區域。為了提高發光裝置1的光取出效率，所述樹脂層收容構件5較佳為上表面的開口部的直徑大於下表面的開口部的直徑，如圖1所示般開口剖面傾斜。 樹脂層收容構件5例如可使用包含熱硬化性樹脂的組成物並藉由射出成型等方法而製作。
＜反射器＞ 反射器2是用以使自發光元件3產生的光反射至發光裝置1的表面側（上部）的平板狀者。所述反射器2通常於表面具有銀。另外，所述反射器2由第1樹脂層4a覆蓋整個面（具體而言可經由樹脂層收容構件5的開口部而視認的整個面）。 再者，於表面具有銀的反射器2可為包含銀的平板，亦可為對任意的平板狀基材實施鍍銀者。
＜發光元件＞ 發光元件3通常配置於反射器2上，如圖1～圖3所示由第1樹脂層4a覆蓋（密封）、或者由第1樹脂層4a及第2樹脂層4b兩者覆蓋（密封）。此處，圖1中，發光元件3以板上晶片（Chip On Board，COB）的形式藉由金屬線15而直接安裝於反射器2上，但安裝形式並不限制於此。 再者，例如金屬線15可於表面具有銀。因而，於使用表面具有銀的線作為金屬線15的情況下，如圖1所示，可利用第1樹脂層4a覆蓋所述金屬線15。 另外，根據發光元件3亦可於表面具有銀的方面，就抑制硫系氣體所引起的銀腐蝕的觀點而言，發光元件3較佳為如圖1所示利用第1樹脂層4a進行覆蓋。
作為發光元件3，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，例如可列舉發光二極體等。另外，於使用發光二極體作為發光元件3的情況下，所述發光二極體並無特別限制，可設為藍色發光二極體。此處，藍色發光二極體是以氮化鎵（GaN）為主材料的產生藍色系的光的發光二極體。
＜樹脂層＞ 樹脂層4至少包含第1樹脂層4a、以及配置於第1樹脂層4a的正上方的第2樹脂層4b，且覆蓋（密封）發光元件3。另外，第1樹脂層4a覆蓋至少一個於表面具有銀的構件。即，關於第1樹脂層4a，例如於反射器2在表面具有銀的情況下，如圖1所示可至少覆蓋反射器2，另外例如於金屬線15在表面具有銀的情況下，如圖1所示可至少覆蓋金屬線15。藉此，可抑制自硫化物系螢光體9放出的硫系氣體所引起的銀腐蝕，且良好地維持發光裝置的發光特性等的性能。
另外，樹脂層4中的第2樹脂層4b必須含有硫化物系螢光體9。如此，將填充至引線框架6等中的樹脂多層化，且使第2樹脂層4b中含有硫化物系螢光體9，藉此可使硫化物系螢光體9與發光元件3的距離拉開，抑制硫化物系螢光體9的熱劣化，而良好地維持發光特性。就同樣的觀點而言，樹脂層4中的第1樹脂層4a較佳為不含硫化物系螢光體9。 再者，為了取出所需的光，亦可於樹脂層4中的第1樹脂層4a及/或第2樹脂層4b中含有硫化物系螢光體以外的螢光體。 另外，樹脂層4可如圖1所示僅包含第1樹脂層4a及第2樹脂層4b，另外亦可進而具備任意的樹脂層。 進而，樹脂層4可如圖1所示相對於樹脂層收容構件5的上表面磨平填充，另外例如亦可具有如圓頂狀般凸起的結構。
包含第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的樹脂層4主要包含透明樹脂，例如第1樹脂層4a及第2樹脂層4b較佳為含有苯基系矽酮樹脂或甲基系矽酮樹脂等矽酮樹脂、或者環氧樹脂。該些透明樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於樹脂層4中，需要第1樹脂層4a的厚度相對於第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的總厚度的比例（圖1中的H1 /（H1 +H2 ）×100）為50%以上。本發明者等人發現藉由將所述比例設為50%以上，可使第2樹脂層4b中所含的硫化物系螢光體9適當地與反射器2等銀系構件隔開，抑制自硫化物系螢光體9放出的硫系氣體所引起的銀系構件的腐蝕。再者，若所述比例未滿50%，則無法充分抑制第1樹脂層4a所覆蓋的銀系構件的腐蝕，無法使發光裝置的發光特性等性能良好。 另外，就更有效地抑制自硫化物系螢光體9放出的硫系氣體所引起的反射器2等銀系構件的腐蝕的觀點而言，第1樹脂層4a的厚度相對於第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的總厚度的比例較佳為60%以上，更佳為70%以上。 再者，第1樹脂層4a的厚度、第2樹脂層4b的厚度、以及第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的總厚度是指相對於基板7或反射器2的面為垂直方向的厚度，另外於所述厚度不均勻的情況下，是指厚度最小的部位中的所述厚度。
樹脂層4中的第1樹脂層4a的厚度（圖1中的H1 ）較佳為240 μm以上。藉此，可確實地使第2樹脂層4b中所含的硫化物系螢光體9與反射器2等銀系構件隔開，可更確實地抑制自硫化物系螢光體9放出的硫系氣體所引起的銀系構件的腐蝕。就同樣的觀點而言，樹脂層4中的第1樹脂層4b的厚度更佳為300 μm以上，進而佳為350 μm以上。 再者，樹脂層4的總厚度並無特別限制，較佳為250 μm以上，更佳為450 μm以上，另外較佳為750 μm以下，更佳為550 μm以下。
-硫化物系螢光體- 作為硫化物系螢光體9，只要為含有硫的螢光體，則並無特別限制，可根據目的適宜選擇，但較佳為包含由MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。所述綠色螢光體是於硫化物系螢光體中比較容易與大氣中的水分等發生反應（水解）而生成硫系氣體的螢光體，但於本發明的發光裝置中，即便於使用所述綠色螢光體作為硫化物系螢光體9的情況下，無機吸附劑8亦可較佳地吸附硫系氣體而抑制反射器2等銀系構件的腐蝕。就同樣的觀點而言，作為所述化學式所表示的綠色螢光體，更佳為M表示僅包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的元素的綠色螢光體，進而佳為SrGa2 S4 :Eu所表示的綠色螢光體。 硫化物系螢光體9可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
另外，如圖4～圖6所示，硫化物系螢光體9具備包含第1二氧化矽膜10a、以及所述第1二氧化矽膜10a上的第2二氧化矽膜10b的被覆膜10，較佳為所述第1二氧化矽膜10a及所述第2二氧化矽膜10b中的至少任一者含有金屬氧化物粉末11（以下，有時稱為「被覆硫化物系螢光體」）。藉此，使硫化物系螢光體9不與大氣中的水分等接觸，可抑制硫化物系螢光體9的劣化，並且即便硫化物系螢光體9與水反應而生成硫系氣體，被覆硫化物系螢光體9的二氧化矽膜中所含的金屬氧化物粉末11亦吸附所述硫系氣體，因此可減少硫系氣體的放出量自身。 尤其，就更有效地抑制自硫化物系螢光體9的硫系氣體的放出的觀點而言，較佳為構成被覆膜10的二氧化矽膜中最表面側的膜含有金屬氧化物粉末11。即，例如於被覆膜10僅包含第1二氧化矽膜10a及第2二氧化矽膜10b的情況下，如圖4及圖6所示，較佳為作為最表面側的二氧化矽膜的第2二氧化矽膜10b含有金屬氧化物粉末11。另外，例如於被覆膜10除了第1二氧化矽膜10a及第2二氧化矽膜10b以外，於第2二氧化矽膜10b上亦包含第3二氧化矽膜（未圖示）的情況下，較佳為作為最表面側的二氧化矽膜的所述第3二氧化矽膜含有金屬氧化物粉末11。 再者，二氧化矽膜例如可藉由烷氧基矽烷的水解（溶膠凝膠法）而形成。
作為金屬氧化物粉末11，較佳為吸附硫系氣體、例如硫化氫的能力優異且可發揮硫系氣體的抑制效果者。作為所述金屬氧化物粉末11，例如可列舉氧化鋅（ZnO）粉末、氧化鋁（Al2 O3 ）粉末，尤其就更有效地發揮硫系氣體的抑制效果的觀點而言，較佳為金屬氧化物粉末11包含氧化鋅（ZnO）粉末。此處，金屬氧化物粉末11亦可為實施表面處理者。 再者，金屬氧化物粉末11可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
金屬氧化物粉末11較佳為粒徑為0.2 μm以下。藉由將金屬氧化物粉末11的粒徑設為0.2 μm以下，使金屬氧化物粉末11的硫系氣體的吸附能力不缺乏，藉此可有效地抑制自硫化物系螢光體9的硫系氣體的放出。
相對於100質量份的硫化物系螢光體9，金屬氧化物粉末11的量較佳為設為1質量份以上且未滿20質量份，更佳為設為5質量份以上且10質量份以下。藉由將金屬氧化物粉末11的量設為相對於100質量份的硫化物系螢光體9而為1質量份以上，可獲得金屬氧化物粉末11的有效的吸附作用，即可使金屬氧化物粉末11的硫系氣體的吸附能力不缺乏。另外，藉由將金屬氧化物粉末11的量設為相對於100質量份的硫化物螢光體9而未滿20質量份，可抑制硫化物系螢光體9的特性的惡化、例如峰值強度或亮度的下降。
此處，作為第2樹脂層4b中的硫化物系螢光體9的含量，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，就獲得所需的發光特性的觀點而言，較佳為相對於樹脂為3質量%以上的比例，另外就抑制硫系氣體的過度的生成的觀點而言，較佳為10質量%以下。
-無機吸附劑- 另外，樹脂層4需要第1樹脂層4a及第2樹脂層4b中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑8。藉由第1樹脂層4a及第2樹脂層4b中的至少任一者含有無機吸附劑8，即便第2樹脂層4b中所含的硫化物系螢光體9與大氣中的水分等發生反應並生成硫系氣體，無機吸附劑8亦可吸附所述硫系氣體，而抑制反射器2等銀系構件的腐蝕。
再者，無機吸附劑8可如圖1所示於樹脂層4中僅存在於第1樹脂層4a中，亦可如圖2所示於樹脂層4中僅存在於第2樹脂層4b中，亦可如圖3所示存在於第1樹脂層4a及第2樹脂層4b兩者中。 其中，較佳為如圖1所示於樹脂層4中僅第1樹脂層4a含有無機吸附劑8。藉此，無機吸附劑8與硫化物系螢光體9不存在於同一層中，無機吸附劑8可僅吸附自上層到達下層的硫系氣體，因此與存在於同一層中的情況相比，可使無機吸附劑8的吸附能力持久，可更有效地抑制反射器2等銀系構件的腐蝕。 另一方面，就樹脂層4及發光元件3的位置關係的觀點而言，亦較佳為第1樹脂層4a及第2樹脂層4b中覆蓋發光元件3的樹脂層含有無機吸附劑8。即，於第1樹脂層4a除了反射器2等銀系構件以外亦覆蓋（密封）發光元件3，第2樹脂層4b不與發光元件3接觸的情況下，較佳為第1樹脂層4a含有無機吸附劑8，另外，於第1樹脂層4a未完全覆蓋發光元件3而是由第1樹脂層4a與第2樹脂層4b覆蓋（密封）發光元件3的情況下，較佳為第1樹脂層4a及第2樹脂層4b中的任一者均含有無機吸附劑8。通常，發光元件3的周邊存在如下傾向：熱·光的影響大，水分與硫化物系螢光體9的反應得到促進且硫化氫等硫系氣體的產生變得顯著，但藉由如上所述可有效地抑制在發光元件3的周邊產生硫系氣體。
作為無機吸附劑8，只要為藉由配位鍵吸附硫化物等可化學性地吸附硫化物的無機物質，則並無特別限制，就帶來更高的吸附能力的觀點而言，無機吸附劑8較佳為包含如下微粒子，所述微粒子包含含有金屬元素的化合物。 再者，無機吸附劑8可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
此處，作為含有金屬元素的化合物，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，例如可列舉自MgO、CaO、BaO、BaB2 O4 、SrO、La2 O3 、ZnO、Zn(OH)2 、ZnSO4 ･nH2 O（0≦n≦7）、ZnTi2 O4 、Zn2 Ti3 O8 、Zn2 TiO4 、ZnTiO3 、ZnBaO2 、ZnBa2 O3 、ZnGa2 O4 、Zn1.23 Ga0.28 O2 、Zn3 GaO4 、Zn6 Ga2 O9 、Zn0.125 ～ 0.95 Mg0.05 ～ 0.9 O、Zn0.1 ～ 0.75 Ca0.25 ～ 0.9 O、ZnSrO2 、Zn0.3 Al2.4 O4 、ZnAl2 O4 、Zn3 ～ 7 In2 O6 ～ 10 、ZnSnO3 、Zn2 SnO4 、以及含有選自Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al及鑭元素中的金屬元素的矽酸鹽等中選擇。含有金屬元素的化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 尤其，就帶來更高的吸附能力的觀點而言，無機吸附劑8更佳為含有包含ZnO的微粒子。
所述含有金屬元素的矽酸鹽較佳為金屬與矽的莫耳比為金屬/矽=0.60～0.80。所述矽酸鹽可使金屬鹽與矽酸鹼鹽反應而製造。另外，作為所述金屬鹽，可使用選自銅、鋅、錳、鈷、鎳、鋯、鋁及鑭中的至少一種金屬的硫酸、鹽酸、硝酸等無機鹽、及/或甲酸、乙酸、草酸等有機鹽。尤其，作為金屬，較佳為銅（I）、銅（II）及鋅（I）。作為含有所述金屬元素的矽酸鹽，可列舉M2 O·nSiO2 ·xH2 O（M表示一價的鹼金屬，n為1以上，x為0以上）所表示的矽酸鹼鹽。
作為第1樹脂層4a及/或第2樹脂層4b中的無機吸附劑8的含量，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，就以必要最低限的量有效地吸附硫系氣體的觀點而言，較佳為相對於樹脂為1質量%以上且5質量%以下的比例。
-玻璃片- 另外，樹脂層4較佳為含有玻璃片（未圖示）。藉由樹脂層4含有玻璃片，所述玻璃片可作為相對於大氣中的水的擴散障壁而發揮功能，並抑制硫化物系螢光體9與水反應而生成硫系氣體，進而抑制所述硫系氣體導致的反射器2等銀系構件的腐蝕。 藉由同樣的見解，亦較佳為於構成樹脂層4的層中與反射器2等銀系構件隔開最遠的層含有玻璃片。即，例如於樹脂層4僅包含第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的情況下，較佳為作為與由第1樹脂層4a覆蓋的反射器2等銀系構件隔開最遠的層的第2樹脂層4b含有玻璃片。另外，例如於樹脂層4包含第1樹脂層4a及第2樹脂層4b、以及於第2樹脂層4b的正上方包含第3樹脂層（未圖示）的情況下，較佳為作為與由第1樹脂層4a覆蓋的反射器2等銀系構件隔開最遠的層的所述第3樹脂層含有玻璃片。
就使作為相對於大氣中的水的擴散障壁的功能更有效的觀點而言，玻璃片較佳為直徑為5 μm以上且20 μm以下、厚度為0.1 μm以上且5 μm以下。 另外，作為含有玻璃片的樹脂層中的玻璃片的含量，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，就使作為相對於大氣中的水的擴散障壁的功能更有效的觀點而言，較佳為相對於樹脂為1質量%以上且5質量%以下的比例。
（發光裝置的製造方法） 其次，對可製造所述本發明的發光裝置的本發明的一實施形態的發光裝置的製造方法進行說明。再者，本發明的一實施形態的發光裝置的製造方法中的各構件或原料等具體的構成與在本發明的發光裝置的說明中已述者相同。
本發明的一實施形態的發光裝置的製造方法包括反射器準備步驟、第1樹脂層形成步驟、第2樹脂層形成步驟，可進而視需要包括螢光體製備步驟、被覆螢光體製備步驟、樹脂組成物製備步驟、追加樹脂層形成步驟等其他步驟。
＜反射器準備步驟＞ 反射器準備步驟是準備上部具備發光元件3、且表面具有銀的反射器2的步驟。所述反射器準備步驟中，例如亦可準備於具備反射器2及樹脂層收容構件5的引線框架6上安裝發光元件3者。 再者，並無特別限制，較佳為預先把握填充於所述引線框架6中的樹脂組成物的量、與將所述量的樹脂組成物填充於引線框架6中而形成樹脂層時的所述樹脂層的高度的關係。
＜螢光體製備步驟＞ 螢光體製備步驟是製備第2樹脂層4b中所含的硫化物系螢光體的步驟。所述步驟中，例如可製備MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。於一實施形態的所述綠色螢光體的製備中，將包含銪化合物、以及鍶化合物、鈣化合物及鋇化合物中的至少任一者的混合溶液滴加至添加了粉末鎵化合物的亞硫酸鹽溶液中，而獲得包含Eu、Sr、Ca及Ba中的至少任一者及Ga的亞硫酸鹽的粉體混合物後，對所述粉體混合物進行煅燒，可獲得MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。即，於一實施形態的所述綠色螢光體的製備中，可使用以液相生成起始物料的濕式法。
作為銪化合物，可使用硝酸銪[Eu(NO3 )3 ·xH2 O]、草酸銪[Eu2 (C2 O4 )3 ·xH2 O]、碳酸銪[Eu2 (CO3 )3 ·xH2 O]、硫酸銪[Eu2 (SO4 )3 ]、氯化銪[EuCl3 ·xH2 O]、氟化銪[EuF3 ]、氫化銪[EuHx ]、硫化銪[EuS]、三-異丙氧基銪[Eu(O-i-C3 H7 )3 ]、乙酸銪[Eu(O-CO-CH3 )3 ]等。 銪化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為鍶化合物，可使用硝酸鍶[Sr(NO3 )2 ]、氧化鍶[SrO]、溴化鍶[SrBr2 ·xH2 O]、氯化鍶[SrCl2 ·xH2 O]、碳酸鍶[SrCO3 ]、草酸鍶[SrC2 O4 ·H2 O]、氟化鍶[SrF2 ]、碘化鍶[SrI2 ·xH2 O]、硫酸鍶[SrSO4 ]、氫氧化鍶[Sr(OH)2 ·xH2 O]、硫化鍶[SrS]等。 鍶化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為鈣化合物，可使用硝酸鈣[Ca(NO3 )2 ]、氧化鈣[CaO]、溴化鈣[CaBr2 ·xH2 O]、氯化鈣[CaCl2 ·xH2 O]、碳酸鈣[CaCO3 ]、草酸鈣[CaC2 O4 ·H2 O]、氟化鈣[CaF2 ]、碘化鈣[CaI2 ·xH2 O]、硫酸鈣[CaSO4 ]、氫氧化鈣[Ca(OH)2 ]、硫化鈣[CaS]等。 鈣化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為鋇化合物，可使用硝酸鋇[Ba(NO3 )2 ]、氧化鋇[BaO]、溴化鋇[BaBr2 ·xH2 O]、氯化鋇[BaCl2 ·xH2 O]、碳酸鋇[BaCO3 ]、草酸鋇[BaC2 O4 ·H2 O]、氟化鋇[BaF2 ]、碘化鋇[BaI2 ·xH2 O]、硫酸鋇[BaSO4 ]、氫氧化鋇[Ba(OH)2 ]、硫化鈣[BaS]等。 鋇化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為用以獲得所述混合溶液的溶媒，可使用純水、硝酸水溶液、氨水溶液、鹽酸水溶液、氫氧化鈉水溶液、該些的混合水溶液。
另外，作為粉狀鎵化合物，可使用氧化鎵[Ga2 O3 ]、硫酸鎵[Ga2 (SO4 )3 ·xH2 O]、硝酸鎵[Ga(NO3 )3 ·xH2 O]、溴化鎵[GaBr3 ]、氯化鎵[GaCl3 ]、碘化鎵[GaI3 ]、硫化鎵(II)[GaS]、硫化鎵(III)[Ga2 S3 ]、氧氫氧化鎵[GaOOH]等。 粉狀鎵化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為添加有粉狀鎵化合物的亞硫酸鹽，可使用亞硫酸銨、亞硫酸鈉、亞硫酸鉀。
另外，並不局限於所述操作，亦可於包含銪化合物、以及鍶化合物、鈣化合物及鋇化合物中的至少任一者的混合溶液中添加粉末鎵化合物，將包含Eu、及Sr、Ca及Ba中的至少任一者以及Ga的混合溶液滴加至亞硫酸鹽溶液中，而獲得包含Eu、及Sr、Ca及Ba中的至少任一者以及Ga的亞硫酸鹽的粉體混合物後，對所述粉體混合物進行煅燒，而獲得MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。
＜被覆螢光體製備步驟＞ 被覆螢光體製備步驟是於硫化物系螢光體9上形成包含第1二氧化矽膜10a、及第1二氧化矽膜10a上的第2二氧化矽膜10b的被覆膜10而獲得被覆硫化物系螢光體的步驟。於所述步驟中，例如製作於溶媒中使硫化物系螢光體9、烷氧基矽烷、金屬氧化物粉末11及觸媒混合的混合液，藉由由含有金屬氧化物粉末9的烷氧基矽烷形成的二氧化矽膜而被覆硫化物系螢光體9，繼而對所述混合液進行固相與液相分離，藉此可於硫化物系螢光體9的表面形成含有金屬氧化物粉末11的二氧化矽膜（10a或10b）。即，為了形成第1二氧化矽膜10a及第2二氧化矽膜10b，只要將與所述同樣的操作重覆兩次即可，為了進一步形成二氧化矽膜，只要進一步重覆進行與所述同樣的操作即可。 再者，於形成不含金屬氧化物粉末11的二氧化矽膜（10a或10b）的情況下，於所述步驟中，只要不單獨使用金屬氧化物粉末11即可。
烷氧基矽烷可自乙氧化物、甲氧化物、異丙氧化物等中選擇，例如可列舉四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷等。另外，烷氧基矽烷亦可為聚乙基矽酸鹽等烷氧基矽烷寡聚物或水解物。進而，烷氧基矽烷可使用如烷基烷氧基矽烷等般具有無助於溶膠凝膠反應的烷基、胺基、巰基等的矽烷偶合劑。 烷氧基矽烷可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
溶媒並無特別限定，例如可使用水、有機溶媒等。作為有機溶媒，可使用醇、醚、酮、多元醇類等。作為醇，可使用甲醇、乙醇、丙醇、戊醇等。作為多元醇類，可使用乙二醇、丙二醇、二乙二醇等。 溶媒可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
觸媒是用以使烷氧基矽烷的水解或縮聚反應開始者，例如可使用酸性觸媒或鹼性觸媒。作為酸性觸媒，可列舉：鹽酸、硫酸、硼酸、硝酸、過氯酸、四氟硼酸、六氟砷酸、溴化氫酸、乙酸、草酸、甲磺酸等。作為鹼性觸媒，可列舉氫氧化鈉等鹼金屬的氫氧化物、氨等。該些觸媒中，就有效地防止硫化物系螢光體9的劣化的觀點而言，較佳為使用鹼性觸媒。 觸媒可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於對混合液的固相與液相的分離中，例如可使用吸引過濾器，對混合液進行固相與液相分離，對分離的固相進行乾燥，並將進行乾燥而得的試樣粉碎，而進行煅燒處理。藉此，可藉由含有金屬氧化物粉末11的二氧化矽膜（10a或10b）被覆硫化物系螢光體9。
使進行了分離的固相乾燥的溫度可根據所使用的溶媒而進行變更，較佳為設為80℃～110℃。另外，使進行了分離的固相乾燥的時間較佳為設為2小時以上。
而且，煅燒溫度較佳為設為150℃～250℃，另外煅燒時間較佳為設為8小時以上。
＜樹脂組成物製備步驟＞ 樹脂組成物步驟是分別製備於第1樹脂層形成步驟中使用的第1樹脂組成物及於第2樹脂層形成步驟中使用的第2樹脂組成物的步驟。於第2樹脂組成物的製備中，至少調配必要量的硫化物系螢光體9。另外，於第1樹脂組成物的製備及第2樹脂組成物的製備中的任一者中，調配必要量的化學性地吸附硫化物的無機吸附劑8。而且，第1樹脂組成物及第2樹脂組成物分別至少使用透明樹脂、及硫化物系螢光體9或無機吸附劑8等必要成分，除此以外，可進而視需要使用例如塑化劑、顏料、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、光擴散材料、抗沈澱材料、填充劑等各種添加劑，並將該些混合，藉此而製備。另外，作為混合方法，只要為可均勻混合的方法，並無特別限制，可根據目的適宜選擇，例如可列舉利用真空攪拌的混合、在真空乾燥器內的螺旋攪拌、利用自轉·公轉的離心力的旋轉攪拌等。 再者，第1樹脂組成物的製備及第2樹脂組成物的製備無須同時進行，例如可分別於第1樹脂層形成步驟及第2樹脂層形成步驟前進行。
＜第1樹脂層形成步驟＞ 第1樹脂層形成步驟是以覆蓋作為銀系構件的反射器2的方式供給第1樹脂組成物而形成第1樹脂層4a的步驟。此處，第1樹脂組成物的供給例如可藉由灌注進行。而且，於第1樹脂層形成步驟中，以覆蓋反射器2的方式供給的第1樹脂組成物內含發光元件3的一部分或全部。
此處，於第1樹脂層形成步驟中，必須以所形成的第1樹脂層4a的厚度成為所需厚度的方式，具體而言以所形成的第1樹脂層4a的厚度相對於第1樹脂層4a及第2樹脂層4b的總厚度的比例成為50%以上的方式預先決定第1樹脂組成物的供給量。再者，第1樹脂組成物的量例如可利用電子天平等進行管理。
於第1樹脂層形成步驟中，較佳為例如藉由使所供給的第1樹脂組成物硬化或半硬化而形成第1樹脂層4a。藉由使第1樹脂組成物硬化或半硬化，可抑制之後供給的第2樹脂組成物的成分進入第1樹脂層。再者，就於所形成的第1樹脂層的表面顯現出適度的接著性且與之後形成的第2樹脂層的接合良好，進而抑制於第1樹脂層與第2樹脂層的界面混入空氣的觀點而言，較佳為使所供給的第1樹脂組成物半硬化。 此處，於例如使用矽酮樹脂或環氧樹脂的情況下，硬化通常可藉由於約150℃（例如為130℃以上且170℃以下）下加熱約2小時（例如為1.5小時以上且2.5小時以下）而達成，半硬化通常可藉由於約100℃（例如為80℃以上且120℃以下）下加熱約1小時（例如為45分鐘以上且未滿1.5小時）而達成。
＜第2樹脂層形成步驟＞ 第2樹脂層形成步驟是將第2樹脂組成物供給至第1樹脂層形成步驟中形成的第1樹脂層4a上而形成第2樹脂層4b的步驟。此處，第2樹脂組成物的供給例如可藉由灌注而進行。而且，於第2樹脂層形成步驟中，可將第2樹脂層4b配置於第1樹脂層4a的正上方。
此處，於第2樹脂層形成步驟中，必須以第1樹脂層4a的正上方所形成的第2樹脂層4b的厚度成為所需厚度的方式，具體而言以第1樹脂層4a的厚度相對於已經形成的第1樹脂層4a及所形成的第2樹脂層4b的總厚度的比例成為50%以上的方式預先決定第2樹脂組成物的供給量。再者，第2樹脂組成物的量例如可利用電子天平等進行管理。
於第2樹脂層形成步驟中，例如可藉由使所供給的第2樹脂組成物硬化而形成第2樹脂層4b。
＜追加樹脂層形成步驟＞ 追加樹脂層形成步驟是製備含有所需成分的樹脂組成物且將所述樹脂組成物供給至第2樹脂層4b上而形成追加樹脂層的任意的步驟。 再者，樹脂組成物的製備可利用與第2樹脂組成物的製備同樣的做法進行，追加樹脂層的形成可藉由與第2樹脂層4b的形成同樣的做法進行。
而且，可經過第2樹脂層形成步驟或追加樹脂層形成步驟而簡單地獲得如圖1～圖3所示般的發光裝置。 [實施例]
其次，列舉實施例、比較例及參考例來對本發明進行更具體的說明，但本發明並不限制於下述實施例。
（實施例1） ＜（未被覆的）硫化物系螢光體的製備＞ 準備Ga2 O3 （純度6N）、Sr(NO3 )2 （純度3N）及Eu(NO3 )3 ·nH2 O（純度3N､n=6.00）、以及亞硫酸銨一水合物作為原料。而且，於組成式Sr1-x Ga2 S4 :Eux 所表示的螢光體中，利用x=0.10的組成比（Eu濃度：10 mol%），以成為0.2莫耳量的方式求出各原料的秤量值。即，算出銪化合物（Eu(NO3 )3 ･nH2 O）為8.921 g、鍶化合物（Sr(NO3 )2 ）為38.093 g。
繼而，將進行了秤量的銪化合物及鍶化合物添加於200 ml的純水中，充分攪拌至溶解殘留物消失為止，而獲得含有Eu及Sr的混合溶液。
其次，於使Eu及Sr的莫耳數的合計的1.15倍的莫耳數的亞硫酸銨（30.974 g）溶解於200 ml的純水中的溶液中，添加粉狀鎵化合物（粉狀Ga2 O3 ）37.488 g，進行充分攪拌而製作亞硫酸鹽混合溶液。
藉由於所述亞硫酸鹽混合溶液中滴加之前的含有Eu及Sr的混合溶液而獲得析出·沈澱物。所述析出·沈澱物為亞硫酸銪·鍶粉體與氧化鎵粉體的混合物。
而且，利用純水對析出·沈澱物進行清洗、過濾，直至傳導率成為0.1 mS/cm以下為止，並於120℃下乾燥6小時。其後，通過標準網格為100 μm的金屬絲網，藉此獲得含有Eu、Sr、Ca及Ga的粉體混合品。所述粉體混合品為含有亞硫酸銪·鍶粉體[包含(Sr,Eu)SO3 的粉體]及氧化鎵粉體的混合物。
繼而，利用電爐對粉體混合品進行煅燒。作為煅燒的條件，以1.5小時升溫至925℃為止，其後保持925℃1.5小時，繼而以2小時降溫至室溫為止。煅燒過程中，以0.3升/分鐘的比例於電爐中流通硫化氫。其後，通過標準網格為25 μm的網眼，而獲得以Sr1-x Ga2 S4 :Eux （x=0.10）所表示的硫化物系螢光體的粒子。
再者，關於所述硫化物系螢光體，對光致發光（Photoluminescence，PL）光譜進行測定的結果是在波長538 nm出現PL峰值，PL峰值強度為3.13（YAG比）、半值寬為46 nm。另外，對轉換效率進行計算的結果是吸收率為82.3%，內部量子效率為65.4%，以及外部量子效率為53.9%。
＜被覆硫化物系螢光體的製備＞ 首先準備將所得的硫化物系螢光體10 g、乙醇80 g、純水5 g及28%的氨水6 g混合而成的第1調配物，以及將四乙氧基矽烷5 g及乙醇35 g混合而成的第2調配物。 繼而，於聚乙烯樹脂製容器中投入第1調配物，且投入磁攪拌器，利用40℃的恆溫槽攪拌10分鐘。其後，將第2調配物投入至所述容器中。將第2調配物的投入結束的時間點設為0分鐘，進行3小時攪拌。於攪拌結束後，使用真空泵進行吸引過濾，將回收的樣品移至燒杯中，利用水或乙醇進行清洗後，再次進行過濾，並回收樣品。於85℃下對所回收的樣品進行2小時乾燥，於200℃下進行8小時煅燒，藉此獲得具備第1二氧化矽膜的硫化物系螢光體。
其次，準備將所得的具備第1二氧化矽膜的硫化物系螢光體10 g、乙醇80 g、純水5 g及28%的氨水6 g混合而成的第3調配物、以及與所述第2調配物相同者。 繼而，於所述被覆處理中，投入第3調配物與粒徑為0.1 μm～0.2 μm的氧化鋅粉末（K-FRESH MZO、帝化（Tayca）製造）0.1 g（相對於硫化物系螢光體100質量份為1質量份）來代替投入第1調配物，除此以外，進行與所述被覆處理同樣的處理，而獲得如圖6所示般的被覆硫化物系螢光體。
＜發光裝置的製造＞ 準備具備將藍色發光二極體直接配置於上部的銀反射器的引線框架。 另一方面，將矽酮樹脂（東麗·道康寧（Dow Corning）股份有限公司製造，「OE-6550」（A液：B液=1：1））以及相對於所述矽酮樹脂為2質量%的無機吸附劑（東亞合成股份有限公司製造，「凱西蒙（kesmon）」、氧化鋅）投入至容器中，利用自轉·公轉混合機（新基（Thinky）股份有限公司製造，「AR-250」）分別進行180秒攪拌及脫泡，而製備第1樹脂組成物。以覆蓋銀反射器及藍色發光二極體的方式將所述第1樹脂組成物5 mg填充（供給）至所述引線框架內，於100℃下進行1小時加熱，藉此進行半硬化。 另外，將矽酮樹脂（東麗·道康寧（Dow Corning）股份有限公司製造，「OE-6550」（A液：B液=1：1））以及相對於所述矽酮樹脂為5質量%的所述被覆硫化物系螢光體（成為色度點（x，y）=（0.1958，0.2333）的量）投入至容器中，利用自轉·公轉混合機（新基（Thinky）股份有限公司製造，「AR-250」）分別進行180秒攪拌及脫泡，而製備第2樹脂組成物。將所述第2樹脂組成物2 mg填充（供給）至所述半硬化的第1樹脂組成物上，於150℃下進行2小時加熱，藉此進行硬化。 再者，第1樹脂組成物的供給量及第2樹脂組成物的供給量是以所形成的第1樹脂層的厚度及第2樹脂層的厚度成為所需厚度的方式把握引線框架的結構並預先決定的量。 如此而獲得發光裝置。再者，在中央部切斷所製作的發光裝置，利用掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）觀察剖面，結果確認到第1樹脂層及第2樹脂層的界面與銀反射器的面大致平行，另外，確認到第1樹脂層的厚度為350 μm，第2樹脂層的厚度為140 μm。
（實施例2） 於實施例1的發光裝置的製造中的第2樹脂組成物的製備中，除了相對於矽酮樹脂而為5質量%的被覆硫化物系螢光體，亦進而於容器中投入相對於矽酮樹脂而為2質量%的玻璃片（日本板硝子股份有限公司製造，「RCF-015」），除此以外，與實施例1同樣地獲得發光裝置。
（實施例3） 於實施例1的發光裝置的製造中，使用實施例1中製備的（未被覆的）硫化物系螢光體來代替被覆硫化物系螢光體，除此以外，與實施例1同樣地獲得發光裝置。
（實施例4） 於實施例3的發光裝置的製造中的第2樹脂組成物的製備中，除了相對於矽酮樹脂而為5質量%的（未被覆的）硫化物系螢光體，亦進而於容器中投入相對於矽酮樹脂而為2質量%的無機吸附劑（東亞合成股份有限公司製造，「凱西蒙（kesmon）」、氧化鋅），除此以外，與實施例3同樣地獲得發光裝置。
（實施例5） 於實施例1的發光裝置的製造中的第2樹脂組成物的製備中，除了相對於矽酮樹脂而為5質量%的（未被覆的）被覆硫化物系螢光體，亦進而於容器中投入相對於矽酮樹脂而為2質量%的無機吸附劑（東亞合成股份有限公司製造，「凱西蒙（kesmon）」、氧化鋅），除此以外，與實施例1同樣地獲得發光裝置。
（實施例6） 於實施例5的發光裝置的製造中的第2樹脂組成物的製備中，除了相對於矽酮樹脂而為5質量%的被覆硫化物系螢光體以及相對於矽酮樹脂而為2質量%的無機吸附劑，亦進而於容器中投入相對於矽酮樹脂而為2質量%的玻璃片（日本板硝子股份有限公司製造，「RCF-015」），除此以外，與實施例5同樣地獲得發光裝置。
（實施例7） 於實施例5的發光裝置的製造中的第1樹脂組成物的製備中，未將無機吸附劑投入至容器中，除此以外，與實施例5同樣地獲得發光裝置。
（比較例1） 於實施例1中，如以下所述來進行發光裝置的製造，除此以外，與實施例1同樣地獲得發光裝置。 ＜發光裝置的製造＞ 準備具備將藍色發光二極體直接配置於上部的銀反射器的引線框架。 另一方面，將矽酮樹脂（東麗·道康寧（Dow Corning）股份有限公司製造，「OE-6550」（A液：B液=1：1））以及相對於所述矽酮樹脂為2質量%的所述被覆硫化物系螢光體投入至容器中，利用自轉·公轉混合機（新基（Thinky）股份有限公司製造，「AR-250」）分別進行180秒攪拌及脫泡，而製備樹脂組成物。以覆蓋銀反射器及藍色發光二極體的方式將所述樹脂組成物7 mg填充至所述引線框架內，於150℃下進行2小時加熱，藉此進行硬化。
（比較例2） 於實施例1的發光裝置的製造中的第1樹脂組成物的製備中，未將無機吸附劑投入至容器中，除此以外，與實施例1同樣地獲得發光裝置。
（比較例3） 於實施例2的發光裝置的製造中的第1樹脂組成物的製備中，未將無機吸附劑投入至容器中，除此以外，與實施例2同樣地獲得發光裝置。
（比較例4） 於比較例1的發光裝置的製造中的樹脂組成物的製備中，使用實施例1中製備的（未被覆的）硫化物系螢光體來代替被覆硫化物系螢光體，除此以外，與比較例1同樣地獲得發光裝置。
（實施例8） 於實施例1的發光裝置的製造中，將第1樹脂組成物的填充量由5 mg變為4 mg，且將第2樹脂組成物的填充量由2 mg變為3 mg，除此以外，與實施例1同樣地獲得具備厚度為280 μm的第1樹脂層與厚度為210 μm的第2樹脂層的發光裝置。
（實施例9） 於實施例1的發光裝置的製造中，將第1樹脂組成物的填充量由5 mg變為3.5 mg，且將第2樹脂組成物的填充量由2 mg變為3.5 mg，除此以外，與實施例1同樣地獲得具備厚度為245 μm的第1樹脂層與厚度為245 μm的第2樹脂層的發光裝置。
（比較例5） 於實施例1的發光裝置的製造中，將第1樹脂組成物的填充量由5 mg變為3 mg，且將第2樹脂組成物的填充量由2 mg變為4 mg，除此以外，與實施例1同樣地獲得具備厚度為210 μm的第1樹脂層與厚度為280 μm的第2樹脂層的發光裝置。
（銀腐蝕試驗的實施及反射率的測定） 利用雙面膠帶將實施例及比較例中所得的發光裝置貼附於載玻片上，並放入至密閉瓶（容量為100 ml的玻璃製秤量瓶）中，並且為了使濕度為100%RH而將放入有水的玻璃單元放入至密閉瓶。然後，蓋上蓋，將密閉瓶放入至85℃的烘箱中，藉此實施銀腐蝕試驗。 而且，關於放入至烘箱前的發光裝置、以及放入至烘箱中並經過48小時後的發光裝置中的銀反射器，使用安裝有積分球單元的螢光分光光度計（日本分光股份有限公司製造的「FP-6500」），以將硫酸鋇作為主成分的白板為基準，測定560 nm的光的反射率。 將結果示於表1、表2中。再者，若放入至烘箱中並經過48小時後的發光裝置中的銀反射器的反射率為60%以上，則充分抑制銀反射器的腐蝕，可實際使用發光裝置。
[表1] 表1
[表2] 表2
根據表1、表2的結果可知：實施例1～實施例9的發光裝置即便於放入至85℃的烘箱中並經過48小時後，亦可確認銀反射器的反射率為60%以上，充分抑制作為銀系構件的銀反射器的腐蝕而可維持良好的發光特性等性能。 [產業上之可利用性]
根據本發明，可提供發光特性優異、且硫系氣體的產生所引起的發光特性等性能的惡化充分得到抑制的發光裝置、以及簡單的所述發光裝置的製造方法。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧反射器
3‧‧‧發光元件
4‧‧‧樹脂層
4a‧‧‧第1樹脂層
4b‧‧‧第2樹脂層
5‧‧‧樹脂層收容構件
6‧‧‧引線框架
7‧‧‧基板
8‧‧‧無機吸附劑
9‧‧‧硫化物系螢光體
10‧‧‧被覆膜
10a‧‧‧第1二氧化矽膜
10b‧‧‧第2二氧化矽膜
11‧‧‧金屬氧化物粉末
15‧‧‧金屬線
H1、H2‧‧‧厚度
圖1為本發明的一實施形態的發光裝置的示意剖面圖。 圖2為本發明的另一實施形態的發光裝置的示意剖面圖。 圖3為本發明的進而另一實施形態的發光裝置的示意剖面圖。 圖4為本發明的發光裝置可具備的一實施形態的硫化物系螢光體的示意剖面圖。 圖5為本發明的發光裝置可具備的另一實施形態的硫化物系螢光體的示意剖面圖。 圖6為本發明的發光裝置可具備的進而另一實施形態的硫化物系螢光體的示意剖面圖。

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，其特徵在於具備： 發光元件； 一個以上的銀系構件，於表面具有銀；以及 樹脂層，包含覆蓋至少一個所述銀系構件的第1樹脂層、及配置於所述第1樹脂層的正上方的第2樹脂層， 所述發光元件由所述第1樹脂層、或者所述第1樹脂層及所述第2樹脂層兩者覆蓋， 所述第1樹脂層及所述第2樹脂層中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑， 所述第2樹脂層含有硫化物系螢光體， 所述第1樹脂層的厚度相對於所述第1樹脂層及所述第2樹脂層的總厚度的比例為50%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層及所述第2樹脂層中，覆蓋所述發光元件的層含有所述無機吸附劑。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層的厚度為240 μm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的發光裝置，其中所述無機吸附劑包含微粒子，所述微粒子包含含有金屬元素的化合物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中所述含有金屬元素的化合物自MgO、CaO、BaO、BaB2 O4 、SrO、La2 O3 、ZnO、Zn(OH)2 、ZnSO4 ･nH2 O（0≦n≦7）、ZnTi2 O4 、Zn2 Ti3 O8 、Zn2 TiO4 、ZnTiO3 、ZnBaO2 、ZnBa2 O3 、ZnGa2 O4 、Zn1.23 Ga0.28 O2 、Zn3 GaO4 、Zn6 Ga2 O9 、Zn0.125 ～ 0.95 Mg0.05 ～ 0.9 O、Zn0.1 ～ 0.75 Ca0.25 ～ 0.9 O、ZnSrO2 、Zn0.3 Al2.4 O4 、ZnAl2 O4 、Zn3 ～ 7 In2 O6 ～ 10 、ZnSnO3 、Zn2 SnO4 、以及含有選自Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al及鑭元素中的金屬元素的矽酸鹽中選擇。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中所述含有金屬元素的化合物為ZnO。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的發光裝置，其中所述第1樹脂層及所述第2樹脂層含有矽酮樹脂或環氧樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的發光裝置，其中所述樹脂層含有玻璃片。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的發光裝置，其中構成所述樹脂層的層中，與由所述第1樹脂層覆蓋的所述銀系構件隔開最遠的層含有玻璃片。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體包含由MGa2 S4 :Eu（M表示包含Sr、Ba及Ca中的至少任一者的一個以上的元素）所表示的綠色螢光體。
  11. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體包含由SrGa2 S4 :Eu所表示的綠色螢光體。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的發光裝置，其中所述硫化物系螢光體於表面具備包含第1二氧化矽膜、及所述第1二氧化矽膜上的第2二氧化矽膜的被覆膜， 所述第1二氧化矽膜及所述第2二氧化矽膜中的至少任一者含有金屬氧化物粉末。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置，其中構成所述被覆膜的二氧化矽膜中，最表面側的膜含有金屬氧化物粉末。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的發光裝置，其中所述金屬氧化物粉末包含氧化鋅粉末。
  15. 一種發光裝置的製造方法，其為製造如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述的發光裝置的方法，且所述發光裝置的製造方法的特徵在於包括： 準備上部具備發光元件、且表面具有銀的反射器的步驟； 以覆蓋所述反射器的方式供給第1樹脂組成物而形成第1樹脂層的步驟；以及 將第2樹脂組成物供給至所述第1樹脂層的正上方而形成第2樹脂層的步驟， 所述第1樹脂組成物及所述第2樹脂組成物中的至少任一者含有化學性地吸附硫化物的無機吸附劑， 所述第2樹脂組成物含有硫化物系螢光體， 以所形成的第1樹脂層的厚度相對於第1樹脂層及第2樹脂層的總厚度的比例成為50%以上的方式分別決定所述第1樹脂組成物的供給量及所述第2樹脂組成物的供給量。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110361912B (zh) * 2018-04-10 2021-08-17 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
JP7112354B2 (ja) * 2019-02-28 2022-08-03 デクセリアルズ株式会社 緑色発光蛍光体及びその製造方法、並びに蛍光体シート、及び発光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011079900A1 (de) * 2009-12-30 2011-07-07 Merck Patent Gmbh Vergussmasse als diffusionsbarriere für wassermoleküle
US9312454B2 (en) * 2010-12-09 2016-04-12 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Sulfur-containing phosphor coated with ZnO compound
US9166119B2 (en) * 2011-04-05 2015-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Light-emitting device
JP2013119581A (ja) 2011-12-07 2013-06-17 Dexerials Corp 被覆蛍光体及び被覆蛍光体の製造方法
JP6038524B2 (ja) * 2012-07-25 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 蛍光体シート
WO2014021354A1 (ja) * 2012-08-02 2014-02-06 株式会社日本セラテック 発光装置
DE102012109177A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2014120529A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板、ｌｅｄモジュール及びｌｅｄパッケージ、並びに回路基板の製造方法
JP6257551B2 (ja) 2015-03-31 2018-01-10 有限会社パパラボ 色忠実環境補正装置および色忠実環境補正方法

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