CN109791971A - 发光装置及发光装置的制造方法 - Google Patents

发光装置及发光装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109791971A
CN109791971A CN201780060782.XA CN201780060782A CN109791971A CN 109791971 A CN109791971 A CN 109791971A CN 201780060782 A CN201780060782 A CN 201780060782A CN 109791971 A CN109791971 A CN 109791971A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin layer
light emitting
emitting device
sulfide
mentioned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780060782.XA
Other languages
English (en)
Inventor
大桥修二
山菅雄大
阿部守晃
八木桥和弘
楠木常夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Publication of CN109791971A publication Critical patent/CN109791971A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012—Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提供一种发光特性优异、且因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化得到充分抑制的发光装置。发光装置的特征在于，具备：发光元件；一个以上的银系部件，在表面具有银；以及树脂层，包括覆盖至少一个上述银系部件的第一树脂层和配置于上述第一树脂层的正上方的第二树脂层，上述发光元件被上述第一树脂层覆盖、或者被上述第一树脂层和上述第二树脂层这两者覆盖，上述第一树脂层和上述第二树脂层的至少一个层含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，上述第二树脂层含有硫化物系荧光体，上述第一树脂层的厚度相对于上述第一树脂层与上述第二树脂层的总厚度的比例为50％以上。

Description

发光装置及发光装置的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请主张日本专利申请2016-194456号(2016年9月30日申请)的优先权，为了参照将该申请的全部公开内容援引于此。
技术领域
本发明涉及发光装置及发光装置的制造方法。
背景技术
目前，在照明等的各种领域中，使用了以发光二极管(LED)为代表的发光元件的发光装置逐步普及。作为使用了LED的发光装置，例如已知有具有如下构成的发光装置，即在基板上配置LED，利用使有机硅树脂等树脂中含有荧光体而成的树脂组合物将该LED以及基板密封。另外，还已知有通过在由银板或者实施了银镀覆的板构成的反射器上配置LED，来实现提高光的提取效率的发光装置。
在这样的发光装置中，作为荧光体使用了硫化物系荧光体的情况下，所述硫化物系荧光体由于易于与水反应，所以例如有时与大气中的水分反应，生成硫化氢、二氧化硫、三氧化硫等硫系气体。并且，生成的硫系气体导致包括反射器在内的在表面具有银的部件的腐蚀，是导致反射器的反射性能的降低、甚至发光特性的降低、断线等电气不良等的原因。
作为应对所述问题的对策，例如专利文献1中公开了通过使用由含有金属氧化物粉末的二氧化硅膜覆盖的硫化物系荧光体作为荧光体，从而使从硫化物系荧光体发散的硫系气体吸附到金属氧化物粉末，能够抑制硫系气体的释放。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-119581号公报
发明内容
技术问题
然而，上述现有的技术着眼于所使用的荧光体本身的改良，对于作为使用了硫化物系荧光体的发光装置的改良，还没有进行充分的研究。
本发明的课题在于解决现有的上述各问题，实现以下的目的。即，本发明的目的在于提供一种发光特性优异且因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化得到充分抑制的发光装置、以及该发光装置的简便的制造方法。
技术方案
本发明人等为了实现上述目的进行了深入研究，其结果发现，通过至少实现包括由密封LED等发光元件的树脂组合物的层的构成的合理化，能够充分地抑制因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化，从而完成本发明。
本发明基于本发明人等的上述发现而完成，作为用于解决上述课题的手段如下所述。即，
＜1＞一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件；
一个以上的银系部件，在表面具有银；
树脂层，包括覆盖至少一个上述银系部件的第一树脂层和配置于上述第一树脂层的正上方的第二树脂层，
上述发光元件被上述第一树脂层覆盖、或者被上述第一树脂层和上述第二树脂层这两者覆盖，
上述第一树脂层和上述第二树脂层的至少一个层含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，
上述第二树脂层含有硫化物系荧光体，
上述第一树脂层的厚度相对于上述第一树脂层与上述第二树脂层的总厚度的比例为50％以上。
＜2＞根据上述＜1＞所述的发光装置，其中，上述第一树脂层和上述第二树脂层中的覆盖上述发光元件的层含有上述无机吸附剂。
＜3＞根据上述＜1＞或者＜2＞所述的发光装置，其中，上述第一树脂层的厚度为240μm以上。
＜4＞根据上述＜1＞～＜3＞中任一项所述的发光装置，其中，上述无机吸附剂包含微粒，上述微粒包括含有金属元素的化合物。
＜5＞根据上述＜4＞所述的发光装置，其中，上述含有金属元素的化合物选自MgO、CaO、BaO、BaB2O4、SrO、La2O3、ZnO、Zn(OH)2、ZnSO4·nH2O(0≤n≤7)、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4、ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125～ 0.95Mg0.05～0.9O、Zn0.1～0.75Ca0.25～0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3～7In2O6～10、ZnSnO3、Zn2SnO4、以及含有从Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al以及镧系元素中选择的金属元素的硅酸盐。
＜6＞根据上述＜4＞所述的发光装置，其中，上述含有金属元素的化合物是ZnO。
＜7＞根据上述＜1＞～＜6＞中任一项所述的发光装置，其中，上述第一树脂层和上述第二树脂层含有有机硅树脂或者环氧树脂。
＜8＞一种上述＜1＞～＜7＞中任一项所述的发光装置，其中，上述树脂层含有玻璃鳞片。
＜9＞根据上述＜1＞～＜8＞中任一项所述的发光装置，其中，构成上述树脂层的层中的与被上述第一树脂层覆盖的上述银系部件距离最远的层含有玻璃鳞片。
＜10＞根据上述＜1＞～＜9＞中任一项所述的发光装置，其中，上述硫化物系荧光体包含由MGa2S4:Eu(M表示包括Sr、Ba以及Ca中的至少一个元素的一个以上的元素)表示的绿色荧光体。
＜11＞根据上述＜1＞～＜9＞中任一项所述的发光装置，其中，上述硫化物系荧光体包含由SrGa2S4:Eu表示的绿色荧光体。
＜12＞根据上述＜1＞～＜11＞中任一项所述的发光装置，其中，上述硫化物系荧光体在表面具备包含第一二氧化硅膜和上述第一二氧化硅膜上的第二二氧化硅膜的覆盖膜，上述第一二氧化硅膜和上述第二二氧化硅膜的至少一个膜含有金属氧化物粉末。
＜13＞根据上述＜12＞所述的发光装置，其中，构成上述覆盖膜的二氧化硅膜中的最表面侧的膜含有金属氧化物粉末。
＜14＞根据上述＜12＞或者＜13＞所述的装置，其中，上述金属氧化物粉末包含氧化锌粉末。
＜15＞一种发光装置的制造方法，其特征在于，是上述＜1＞～＜14＞中任一项所述的发光装置的制造方法，包括：
准备在上部具备发光元件且在表面具有银的反射器的工序；
以覆盖上述反射器的方式供给第一树脂组合物而形成第一树脂层的工序；以及
将第二树脂组合物供给到上述第一树脂层的正上方而形成第二树脂层的工序，
上述第一树脂组合物和上述第二树脂组合物的至少一个组合物含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，
上述第二树脂组合物含有硫化物系荧光体，
以形成的第一树脂层的厚度相对于第一树脂层与第二树脂层的总厚度的比例为50％以上的方式，分别确定上述第一树脂组合物的供给量和上述第二树脂组合物的供给量。
发明效果
根据本发明，能够解决现有的上述各问题，提供一种发光特性优异且因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化得到充分抑制的发光装置及该发光装置的简便的制造方法。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的发光装置的示意截面图。
图2是本发明的另一实施方式的发光装置的示意截面图。
图3是本发明的又一实施方式的发光装置的示意截面图。
图4是本发明的发光装置能够具备的一实施方式的硫化物系荧光体的示意截面图。
图5是本发明的发光装置能够具备的另一实施方式的硫化物系荧光体的示意截面图。
图6是本发明的发光装置能够具备的又一实施方式的硫化物系荧光体的示意截面图。
符号说明
1 发光装置
2 反射器
3 发光元件
4 树脂层
4a 第一树脂层
4b 第二树脂层
5 树脂层收纳部件
6 引线框架
7 基板
8 无机吸附剂
9 硫化物系荧光体
10 覆盖膜
10a 第一二氧化硅膜
10b 第二二氧化硅膜
11 金属氧化物粉末
15 金属线
具体实施方式
(发光装置)
以下，使用图1等对本发明的一实施方式的发光装置1进行说明。
本发明的一实施方式的发光装置(以下，有时仅称为“本发明的发光装置”)1至少具备反射器2、配置在反射器2上的发光元件3和树脂层4，树脂层4包括第一树脂层4a和配置在第一树脂层4a的正上方的第二树脂层4b。
应予说明，反射器2没有特别限制，如图1～3所示，其能够与树脂层收纳部件5共同构成引线框架6。
另外，如图1～3所示，本发明的发光装置1可以在反射器2的下部具备基板7作为引线框架6的构成部件，另外，还可以具备其他任意的部件。
＜基板＞
作为基板7，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，可以使用在发光装置的领域中已知的平板状的基板，例如陶瓷基板、树脂基板、金属基板、玻璃环氧基板等。
＜树脂层收纳部件＞
树脂层收纳部件5没有特别限制，是具有上表面和下表面被开口为圆状等的结构并在下表面配置有反射器2，从而形成收纳树脂层4的区域的部件。为了提高发光装置1的光提取效率，该树脂层收纳部件5优选使上表面的开口部的直径大于下表面的开口部的直径，如图1所示开口截面倾斜。
树脂层收纳部件5可以通过例如使用包含热固性树脂的组合物并进行注塑成型等方法而制成。
＜反射器＞
反射器2是用于使从发光元件3发出的光反射到发光装置1的表面侧(上部)的平板状的部件。该反射器2通常在表面具有银。另外，利用第一树脂层4a覆盖该反射器2的整个表面(具体而言，介由树脂层收纳部件5的开口部能够目视辨认出的全部的表面)。
应予说明，在表面具有银的反射器2可以是由银构成的平板，也可以是在任意的平板状基材实施了银镀覆而成的部件。
＜发光元件＞
发光元件3通常配置在反射器2上，如图1～3所示，被第一树脂层4a覆盖(被密封)，或者被第一树脂层4a和第二树脂层4b这两者覆盖(被密封)。这里，图1中，发光元件3以板上芯片(COB)的形式通过金属线15直接安装在反射器2上，但安装形式并不限于此。
应予说明，例如，金属线15可以在表面具有银。因此，使用在表面具有银的导线作为金属线15的情况下，如图1所示，能够利用第一树脂层4a覆盖该金属线15。
另外，考虑到发光元件3也可以在表面具有银，从抑制硫系气体对银的腐蚀的观点出发，如图1所示，发光元件3优选被第一树脂层4a覆盖。
作为发光元件3，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，例如可举出发光二极管等。另外，使用发光二极管作为发光元件3的情况下，该发光二极管没有特别限制，可以采用蓝色发光二极管。这里，蓝色发光二极管是以氮化镓(GaN)为主材料的发出蓝色系的光的发光二极管。
＜树脂层＞
树脂层4至少包含第一树脂层4a和配置在第一树脂层4a的正上方的第二树脂层4b，并覆盖(密封)发光元件3。另外，第一树脂层4a至少覆盖一个在表面具有银的部件。即，例如反射器2在表面具有银的情况下，如图1所示，第一树脂层4a至少能够覆盖反射器2，另外，例如金属线15在表面具有银的情况下，如图1所示，第一树脂层4a至少能够覆盖金属线15。如此，能够抑制可从硫化物系荧光体9释放出的硫系气体对银的腐蚀，能够良好地维持发光装置的发光特性等性能。
另外，树脂层4中的第二树脂层4b需要含有硫化物系荧光体9。这样，通过使填充于引线框架6等的树脂多层化，且使在第二树脂层4b中含有硫化物系荧光体9，能够隔开硫化物系荧光体9与发光元件3之间的距离，抑制硫化物系荧光体9的热劣化，从而良好地维持发光特性。从同样的观点出发，树脂层4中的第一树脂层4a优选不含有硫化物系荧光体9。
应予说明，为了提取所希望的光，也可以在树脂层4中的第一树脂层4a和/或第二树脂层4b，含有除硫化物系荧光体以外的荧光体。
另外，树脂层4可以如图1所示仅由第一树脂层4a和第二树脂层4b构成，另外，还可以具备任意的树脂层。
此外，树脂层4可以如图1所示相对于树脂层收纳部件5的上表面平齐地被填充，另外，也可以具有例如穹顶状那样向上凸起的结构。
包含第一树脂层4a和第二树脂层4b的树脂层4主要包括透明树脂，例如第一树脂层4a和第二树脂层4b优选含有苯基系有机硅树脂、甲基系有机硅树脂等有机硅树脂，或者环氧树脂。这些透明树脂可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
在树脂层4中，第一树脂层4a的厚度相对于第一树脂层4a与第二树脂层4b的总厚度的比例(图1中的H1/(H1+H2)×100)需要为50％以上。本发明人等发现通过将上述比例设为50％以上，能够使在第二树脂层4b中含有的硫化物系荧光体9适当地与反射器2等银系部件分离，抑制可从硫化物系荧光体9释放出的硫系气体对银系部件的腐蚀。应予说明，如果上述比例小于50％，则无法充分地抑制第一树脂层4a所覆盖的银系部件的腐蚀，无法使发光装置的发光特性等性能良好。
另外，从进一步有效地抑制可从硫化物系荧光体9释放出的硫系气体对反射器2等银系部件的腐蚀的观点出发，第一树脂层4a的厚度相对于第一树脂层4a与第二树脂层4b的总厚度的比例优选为60％以上，更优选为70％以上。
应予说明，第一树脂层4a的厚度、第二树脂层4b的厚度以及第一树脂层4a与第二树脂层4b的总厚度是指与基板7和/或反射器2的面垂直的方向上的厚度，另外，在上述厚度不均匀的情况下，是指厚度最小的位置处的该厚度。
树脂层4中的第一树脂层4a的厚度(图1中的H1)优选为240μm以上。由此，能够使在第二树脂层4b中含有的硫化物系荧光体9与反射器2等银系部件可靠地分离，能够进一步可靠地抑制可从硫化物系荧光体9释放出的硫系气体对银系部件的腐蚀。从同样的观点出发，树脂层4中的第一树脂层4b的厚度更优选为300μm以上，进一步优选为350μm以上。
应予说明，树脂层4的总厚度没有特别限制，优选为250μm以上，更优选为450μm以上，另外，树脂层4的总厚度优选为750μm以下，更优选为550μm以下。
-硫化物系荧光体-
作为硫化物系荧光体9，只要是含有硫的荧光体就没有特别限制，可以根据目的适当地选择，但优选包含由MGa2S4:Eu(M表示包含Sr、Ba以及Ca中至少一个元素的一个以上的元素)表示的绿色荧光体。上述的绿色荧光体是在硫化物系荧光体中比较容易与大气中的水分等反应(水解)而生成硫系气体的荧光体，但在本发明的发光装置中，即使在使用了上述的绿色荧光体作为硫化物系荧光体9的情况下，无机吸附剂8也能够适宜地吸附硫系气体，而抑制反射器2等银系部件的腐蚀。从同样的观点出发，作为由上述的化学式表示的绿色荧光体，更优选M表示仅由Sr、Ba以及Ca中的至少一个元素构成的元素的绿色荧光体，进一步优选为由SrGa2S4:Eu表示的绿色荧光体。
硫化物系荧光体9可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
另外，如图4～6所示，硫化物系荧光体9具备包含第一二氧化硅膜10a和上述第一二氧化硅膜10a上的第二二氧化硅膜10b的覆盖膜10，上述第一二氧化硅膜10a和上述第二二氧化硅膜10b的至少一个膜优选为含有金属氧化物粉末11(以下，称为“覆盖硫化物系荧光体”)。由此，使硫化物系荧光体9不与大气中的水分等接触，能够抑制硫化物系荧光体9的劣化，并且即使硫化物系荧光体9与水反应而生成了硫系气体，由于覆盖硫化物系荧光体9的二氧化硅膜中含有的金属氧化物粉末11吸附该硫系气体，所以能够减少硫系气体本身的释放量。
特别是，从更有效地抑制从硫化物系荧光体9释放硫系气体的观点出发，构成覆盖膜10的二氧化硅膜中的最表面侧的膜优选含有金属氧化物粉末11。即，例如覆盖膜10仅由第一二氧化硅膜10a以及第二二氧化硅膜10b构成的情况下，如图4和图6所示，作为最表面侧的二氧化硅膜的第二二氧化硅膜10b优选含有金属氧化物粉末11。另外，例如覆盖膜10除了包含第一二氧化硅膜10a和第二二氧化硅膜10b，还在第二二氧化硅膜10b上包含第三二氧化硅膜(未图示)的情况下，作为最表面侧的二氧化硅膜的该第三二氧化硅膜优选含有金属氧化物粉末11。
应予说明，二氧化硅膜例如可以通过烷氧基硅烷的水解(溶胶-凝胶法)形成。
作为金属氧化物粉末11，优选吸附硫系气体、例如吸附硫化氢的能力优异且能够起到硫系气体的抑制效果的物质。作为这样的金属氧化物粉末11，例如可举出氧化锌(ZnO)粉末、氧化铝(Al2O3)粉末，特别是从能够进一步有效地起到硫系气体的抑制效果的观点出发，金属氧化物粉末11优选包含氧化锌(ZnO)粉末。这里，金属氧化物粉末11也可以是进行了表面处理的物质。
应予说明，金属氧化物粉末11可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
金属氧化物粉末11的粒径优选为0.2μm以下。通过使金属氧化物粉末11的粒径为0.2μm以下，从而使金属氧化物粉末11对硫系气体的吸附能力不缺乏，由此，能够有效地抑制硫系气体从硫化物系荧光体9释放。
金属氧化物粉末11的量相对于100质量份的硫化物系荧光体9，优选为1质量份以上且小于20质量份，更优选为5质量份以上且10质量份以下。通过使金属氧化物粉末11的量相对于100质量份的硫化物系荧光体9为1质量份以上，能够获得金属氧化物粉末11的有效的吸附作用，即，能够使金属氧化物粉末11对硫系气体的吸附能力不缺乏。另外，通过使金属氧化物粉末11的量相对于100质量份的硫化物荧光体9小于20质量份，能够抑制硫化物系荧光体9的特性的恶化、例如峰值强度、亮度的降低。
这里，作为第二树脂层4b中的硫化物系荧光体9的含量，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，但从获得所希望的发光特性的观点出发，优选为相对于树脂为3质量％以上的比例，另外，从抑制硫系气体的过度生成的观点出发，优选为10质量％以下。
-无机吸附剂-
另外，树脂层4中，第一树脂层4a和第二树脂层4b的至少一个层需要含有化学性地吸附硫化物的无机吸附剂8。通过使第一树脂层4a和第二树脂层4b的至少一个层含有无机吸附剂8，从而即使第二树脂层4b中含有的硫化物系荧光体9与大气中的水分等反应而生成了硫系气体，无机吸附剂8也能够吸附该硫系气体而抑制反射器2等银系部件的腐蚀。
应予说明，无机吸附剂8可以如图1所示仅存在于树脂层4中的第一树脂层4a，也可以如图2所示仅存在于树脂层4中的第二树脂层4b，还可以如图3所示存在于第一树脂层4a和第二树脂层4b这两者。
但是，更优选如图1所示仅树脂层4中的第一树脂层4a含有无机吸附剂8。由此，无机吸附剂8和硫化物系荧光体9不存在于同一层，无机吸附剂8仅能够吸附从上层到达下层的硫系气体，因此与存在于同一层的情况相比能够长期具有无机吸附剂8的吸附能力，能够进一步有效地抑制反射器2等银系部件的腐蚀。
另一方面，从树脂层4与发光元件3的位置关系的观点出发，第一树脂层4a和第二树脂层4b中的覆盖发光元件3的树脂层也优选含有无机吸附剂8。即，在第一树脂层4a除了覆盖(密封)反射器2等银系部件还覆盖(密封)发光元件3，并且第二树脂层4b与发光元件3不接触的情况下，第一树脂层4a优选含有无机吸附剂8，另外，不是第一树脂层4a完全覆盖发光元件3，而是利用第一树脂层4a和第二树脂层4b覆盖(密封)发光元件3的情况下，第一树脂层4a和第二树脂层4b优选均含有无机吸附剂8。通常，发光元件3的周边受到热、光的影响大，水分与硫化物系荧光体9的反应被促进，而硫化氢等硫系气体的产生趋于明显，通过如上述那样能够有效地抑制硫系气体在发光元件3的周边产生。
作为无机吸附剂8，只要是能够通过配位键吸附硫化物等的化学性吸附硫化物的无机物质，就没有特别限制，但从具有更高吸附能力的观点出发，无机吸附剂8优选包含由含有金属元素的化合物构成的微粒。
应予说明，无机吸附剂8可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
这里，作为含有金属元素的化合物，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，例如可举出MgO、CaO、BaO、BaB2O4、SrO、La2O3、ZnO、Zn(OH)2、ZnSO4·nH2O(0≤n≤7)、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4、ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125～0.95Mg0.05～0.9O、Zn0.1～0.75Ca0.25～0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3～7In2O6～10、ZnSnO3、Zn2SnO4、以及含有从Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al和镧系元素中选择的金属元素的硅酸盐等。含有金属元素的化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
特别是，从具有更进一步高的吸附能力的观点出发，无机吸附剂8更优选含有由ZnO构成的微粒。
上述的含有金属元素的硅酸盐优选金属与硅的摩尔比为金属/硅＝0.60～0.80。这样的硅酸盐可以通过使金属盐与碱金属硅酸盐反应而制造。另外，作为上述的金属盐，可以使用选自铜、锌、锰、钴、镍、锆、铝以及镧系中的至少1种金属的硫酸盐、盐酸盐、硝酸盐等无机盐，和/或甲酸盐、乙酸盐、草酸盐等有机盐。特别是，作为金属，优选铜(I)、铜(II)以及锌(I)。作为含有上述金属元素的硅酸盐，可举出由M2O·nSiO2·xH2O(M表示一价的碱金属，n为1以上，x为0以上)表示的碱金属硅酸盐。
作为第一树脂层4a和/或第二树脂层4b中的无机吸附剂8的含量，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，从以必须的最低限度的量有效地吸附硫系气体的观点出发，优选相对于树脂为1质量％以上且5质量％以下的比例。
-玻璃鳞片-
另外，树脂层4优选含有玻璃鳞片(未图示)。通过使树脂层4含有玻璃鳞片，该玻璃鳞片作为对大气中的水的扩散障壁而发挥功能，能够抑制硫化物系荧光体9与水反应而生成硫系气体，甚至能够抑制该硫系气体对反射器2等银系部件的腐蚀。
根据同样的观点，还优选构成树脂层4的层中的与反射器2等银系部件距离最远的层含有玻璃鳞片。即，例如树脂层4仅由第一树脂层4a和第二树脂层4b构成的情况下，与被第一树脂层4a覆盖的反射器2等银系部件距离最远的层、即第二树脂层4b优选含有玻璃鳞片。另外，例如树脂层4除了包含第一树脂层4a和第二树脂层4b之外，还在第二树脂层4b的正上方包含第三树脂层(未图示)的情况下，与被第一树脂层4a覆盖的反射器2等银系部件距离最远的层、即该第三树脂层优选含有玻璃鳞片。
从更有效地发挥作为对大气中的水的扩散障壁的功能的观点出发，玻璃鳞片的直径优选为5μm以上且20μm以下，玻璃鳞片的厚度优选为0.1μm以上且5μm以下。
另外，作为含有玻璃鳞片的树脂层中的玻璃鳞片的含量，没有特别限制，可以根据目的适当地选择，但从更有效地发挥作为对大气中的水的扩散障壁的功能的观点出发，优选相对于树脂为1质量％以上且5质量％以下的比例。
(发光装置的制造方法)
接下来，对能够制造上述的本发明的发光装置的、本发明的一实施方式的发光装置的制造方法进行说明。应予说明，本发明的一实施方式的发光装置的制造方法中的各部件、原料等的具体构成与在本发明的发光装置的说明中已叙述的内容相同。
本发明的一实施方式的发光装置的制造方法包括反射器准备工序、第一树脂层形成工序、第二树脂层形成工序，进一步根据需要，可以包括荧光体制备工序、覆盖荧光体制备工序、树脂组合物制备工序、追加树脂层形成工序等的其他工序。
＜反射器准备工序＞
反射器准备工序是准备在上部具备发光元件3且在表面具有银的反射器2的工序。在该反射器准备工序中，例如可以准备在具备反射器2和树脂层收纳部件5的引线框架6安装发光元件3。
应予说明，没有特别限制，优选预先掌握填充于该引线框架6的树脂组合物的量与该量的树脂组合物填充于引线框架6而形成树脂层时的该树脂层的高度之间的关系。
＜荧光体制备工序＞
荧光体制备工序是制备第二树脂层4b中含有的硫化物系荧光体的工序。在该工序中，例如可以制备由MGa2S4:Eu(M表示包含Sr、Ba以及Ca中的至少一个元素的一个以上的元素)表示的绿色荧光体。在一实施方式的上述绿色荧光体的制备中，将包含铕化合物并包含锶化合物、钙化合物、以及钡化合物中的至少一种化合物的混合溶液滴入到加有镓化合物粉末的亚硫酸盐溶液中，获得包含Eu、包含Sr、Ca以及Ba中的至少一个元素、并包含Ga的亚硫酸盐的粉体混合物之后，烧制该粉体混合物，能够获得由MGa2S4:Eu(M表示包含Sr、Ba以及Ca中的至少一个元素的一个以上的元素)表示的绿色荧光体。即，在一实施方式的上述绿色荧光体的制备中，能够使用在液相中生成初始物质的湿法。
作为铕化合物，可以使用硝酸铕[Eu(NO3)3·xH2O]、草酸铕[Eu2(C2O4)3·xH2O]、碳酸铕[Eu2(CO3)3·xH2O]、硫酸铕[Eu2(SO4)3]、氯化铕[EuCl3·xH2O]、氟化铕[EuF3]、氢化铕[EuHx]、硫化铕[EuS]、三异丙氧基铕[Eu(O-i-C3H7)3]、乙酸铕[Eu(O-CO-CH3)3]等。
铕化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为锶化合物，可以使用硝酸锶[Sr(NO3)2]、氧化锶[SrO]、溴化锶[SrBr2·xH2O]、氯化锶[SrCl2·xH2O]、碳酸锶[SrCO3]、草酸锶[SrC2O4·H2O]、氟化锶[SrF2]、碘化锶[SrI2·xH2O]、硫酸锶[SrSO4]、氢氧化锶[Sr(OH)2·xH2O]、硫化锶[SrS]等。
锶化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为钙化合物，可以使用硝酸钙[Ca(NO3)2]、氧化钙[CaO]、溴化钙[CaBr2·xH2O]、氯化钙[CaCl2·xH2O]、碳酸钙[CaCO3]、草酸钙[CaC2O4·H2O]、氟化钙[CaF2]、碘化钙[CaI2·xH2O]、硫酸钙[CaSO4]、氢氧化钙[Ca(OH)2]、硫化钙[CaS]等。
钙化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为钡化合物，可以使用硝酸钡[Ba(NO3)2]、氧化钡[BaO]、溴化钡[BaBr2·xH2O]、氯化钡[BaCl2·xH2O]、碳酸钡[BaCO3]、草酸钡[BaC2O4·H2O]、氟化钡[BaF2]、碘化钡[BaI2·xH2O]、硫酸钡[BaSO4]、氢氧化钡[Ba(OH)2]、硫化钙[BaS]等。
钡化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为用于获得上述的混合溶液的溶剂，可以使用纯水、硝酸水溶液、氨水溶液、盐酸水溶液、氢氧化钠水溶液、它们的混合水溶液。
另外，作为粉状镓化合物，可以使用氧化镓[Ga2O3]、硫酸镓[Ga2(SO4)3·xH2O]、硝酸镓[Ga(NO3)3·xH2O]、溴化镓[GaBr3]、氯化镓[GaCl3]、碘化镓[GaI3]、硫化镓(II)[GaS]、硫化镓(III)[Ga2S3]、羟基氧化镓[GaOOH]等。
粉状镓化合物可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为加入粉状镓化合物的亚硫酸盐，可以使用亚硫酸铵、亚硫酸钠、亚硫酸钾。
另外，不限于上述的操作，也可以在包含铕化合物并且包含锶化合物、钙化合物以及钡化合物中的至少一种化合物的混合溶液中加入镓化合物粉末，将包含Eu、包含Sr、Ca以及Ba中的至少一个元素、并且包含Ga的混合溶液滴入到亚硫酸盐溶液中，获得包含Eu、包含Sr、Ca以及Ba中的至少一个元素、并且包含Ga的亚硫酸盐的粉体混合物之后，烧制该粉体混合物，获得由MGa2S4:Eu(M表示包含Sr、Ba以及Ca中的至少一个元素的一个以上的元素)表示的绿色荧光体。
＜覆盖荧光体制备工序＞
覆盖荧光体制备工序是在硫化物系荧光体9形成包含第一二氧化硅膜10a和第一二氧化硅膜10a上的第二二氧化硅膜10b的覆盖膜10，获得覆盖硫化物系荧光体的工序。该工序中，例如制备使硫化物系荧光体9、烷氧基硅烷、金属氧化物粉末11、催化剂在溶剂中混合而成的混合液，通过由含有金属氧化物粉末9的烷氧基硅烷形成的二氧化硅膜覆盖硫化物系荧光体9，接着，通过使上述的混合液分离为固相和液相，能够使含有金属氧化物粉末11的二氧化硅膜(10a或者10b)形成在硫化物系荧光体9的表面。即，为了形成第一二氧化硅膜10a和第二二氧化硅膜10b，重复2次与上述同样的操作即可，为了再次形成二氧化硅膜，再次重复与上述同样的操作即可。
应予说明，在形成不含有金属氧化物粉末11的二氧化硅膜(10a或者10b)的情况下，在上述工序中，仅不使用金属氧化物粉末11即可。
烷氧基硅烷可以选自乙氧基硅烷、甲氧基硅烷、异丙氧基硅烷等，例如可举出四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷等。另外，烷氧基硅烷也可以是聚硅酸乙酯等烷氧基硅烷低聚物、水解缩合物。进而，烷氧基硅烷还可以使用烷基烷氧基硅烷等这样的对溶胶-凝胶反应不起作用的具有烷基、氨基、巯基等的硅烷偶联剂。
烷氧基硅烷可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
溶剂没有特别限定，例如可以使用水、有机溶剂等。作为有机溶剂，可以使用醇、醚、酮、多元醇类等。作为醇，可以使用甲醇、乙醇、丙醇、戊醇等。作为多元醇类，可以使用乙二醇、丙二醇、二乙二醇等。
溶剂可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
催化剂用于引发烷氧基硅烷的水解、缩聚反应，例如可以使用酸性催化剂、碱性催化剂。作为酸性催化剂，可举出盐酸、硫酸、硼酸、硝酸、高氯酸、四氟硼酸、六氟砷酸、氢溴酸、乙酸、草酸、甲磺酸等。作为碱性催化剂，可举出氢氧化钠等碱金属的氢氧化物、氨等。这些催化剂中，从有效防止硫化物系荧光体9的劣化的观点出发，优选使用碱性催化剂。
催化剂可以1种单独使用，也可以组合2种以上使用。
对于混合液分离为固相和液相，例如可以使用吸滤器，将混合液分离为固相和液相，将分离后的固相干燥，粉碎经干燥获得的试样，进行烧制处理。由此，通过含有金属氧化物粉末11的二氧化硅膜(10a或者10b)来覆盖硫化物系荧光体9。
使分离的固相干燥的温度能够根据所使用的溶剂进行变更，优选为80～110℃。另外，使分离的固相干燥的时间优选为2小时以上。
并且，烧制温度优选为150～250℃，另外，烧制时间优选为8小时以上。
＜树脂组合物制备工序＞
树脂组合物工序是分别制备在第一树脂层形成工序中使用的第一树脂组合物和在第二树脂层形成工序中使用的第二树脂组合物的工序。在第二树脂组合物的制备中，至少配合必须量的硫化物系荧光体9。另外，在第一树脂组合物的制备和第二树脂组合物的制备的至少一个工序中，配合必须量的化学性吸附硫化物的无机吸附剂8。并且，第一树脂组合物和第二树脂组合物分别至少使用透明树脂以及硫化物系荧光体9、无机吸附剂8等必须的成分之外，进一步根据需要，例如可以使用塑化剂、颜料、抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、光扩散材料、防沉降材料、填料等各种添加剂，通过将这些混合而制备。另外，作为混合方法，只要是能够均匀混合的方法就没有特别限制，可以根据目的适当地选择，例如可以举出利用真空搅拌进行的混合、在真空干燥器内进行的螺旋桨搅拌、利用了自转、公转的离心力的旋转搅拌等。
应予说明，第一树脂组合物的制备和第二树脂组合物的制备不需要同时进行，例如可以分别在第一树脂层形成工序和第二树脂层形成工序之前进行。
＜第一树脂层形成工序＞
第一树脂层形成工序是以覆盖作为银系部件的反射器2的方式供给第一树脂组合物而形成第一树脂层4a的工序。这里，第一树脂组合物的供给例如可以通过灌封而进行。并且，在第一树脂层形成工序中，以覆盖反射器2的方式供给的第一树脂组合物包覆发光元件3的一部分或者全部。
这里，在第一树脂层形成工序中，需要以形成的第一树脂层4a的厚度成为所希望的厚度的方式，具体而言以形成的第一树脂层4a的厚度相对于第一树脂层4a与第二树脂层4b的总厚度的比例为50％以上的方式，预先确定第一树脂组合物的供给量。应予说明，第一树脂组合物的量例如可以利用电子天秤等进行控制。
在第一树脂层形成工序中，优选例如通过使供给的第一树脂组合物固化或者半固化而形成第一树脂层4a。通过使第一树脂组合物固化或者半固化，能够抑制后续供给的第二树脂组合物的成分进入第一树脂层。应予说明，从使所形成的第一树脂层的表面呈现适度的粘合性，且与后续形成的第二树脂层之间的接合保持良好，甚至是抑制空气混入第一树脂层与第二树脂层的界面的观点出发，优选使供给的第一树脂组合物半固化。
这里，在例如使用有机硅树脂或者环氧树脂的情况下，固化通常可以通过以约150℃(例如130℃以上且170℃以下)加热约2小时(例如1.5小时以上且2.5小时以下)而实现，半固化通常可以通过以约100℃(例如80℃以上且120℃以下)加热约1小时(例如45分钟以上且小于1.5小时)而实现。
＜第二树脂层形成工序＞
第二树脂层形成工序是将第二树脂组合物供给到由第一树脂层形成工序形成的第一树脂层4a上而形成第二树脂层4b的工序。这里，第二树脂组合物的供给例如可以通过灌封而进行。并且，在第二树脂层形成工序中，可以将第二树脂层4b配置在第一树脂层4a的正上方。
这里，在第二树脂层形成工序中，需要以使形成在第一树脂层4a的正上方的第二树脂层4b的厚度成为所希望的厚度的方式，具体而言以使已经形成的第一树脂层4a的厚度相对于第一树脂层4a与形成的第二树脂层4b的总厚度的比例为50％以上的方式，来预先确定第二树脂组合物的供给量。应予说明，第二树脂组合物的量例如可以通过电子天秤等进行控制。
第二树脂层形成工序中，能够例如通过使供给的第二树脂组合物固化而形成第二树脂层4b。
＜追加树脂层形成工序＞
追加树脂层形成工序是制备含有所希望的成分的树脂组合物，并且将该树脂组合物供给到第二树脂层4b的上方而形成追加树脂层的任意的工序。
应予说明，树脂组合物的制备能够通过与第二树脂组合物的制备同样的处理方法而进行，追加树脂层的形成能够通过与第二树脂层4b的形成同样的处理方法而进行。
并且，经由第二树脂层形成工序或者追加树脂层形成工序，能够简便地获得图1～3所示那样的发光装置。
实施例
接下来，举出实施例、比较例以及参考例进一步具体地说明本发明，但本发明并不限于下述实施例。
(实施例1)
＜(未覆盖的)硫化物系荧光体的制备＞
作为原料，准备Ga2O3(纯度6N)、Sr(NO3)2(纯度3N)、以及Eu(NO3)3·nH2O(纯度3N，n＝6.00)、以及亚硫酸铵一水合物。并且，对于由组成式Sr1-xGa2S4:Eux表示的荧光体，按照x＝0.10的组成比(Eu浓度：10mol％)，以成为0.2摩尔量的方式，求得各原料的称量值。即，计算出铕化合物(Eu(NO3)3·nH2O)8.921g、锶化合物(Sr(NO3)2)38.093g。
接着，将称量出的铕化合物和锶化合物添加到200mL的纯水中，充分搅拌直到没有溶解残留物，获得含有Eu和Sr的混合溶液。
接下来，在将Eu与Sr的摩尔数合计的1.15倍的摩尔数的亚硫酸铵(30.974g)溶解于200mL的纯水而成的溶液中，加入粉状镓化合物(粉状Ga2O3)37.488g，进行充分搅拌，制成亚硫酸盐混合溶液。
通过将上述的含有Eu和Sr的混合溶液滴加到该亚硫酸盐混合溶液中，获得析出/沉淀物。该析出/沉淀物是亚硫酸铕-锶粉体与氧化镓粉体的混合物。
然后，用纯水清洗并过滤析出/沉淀物直到电导率为0.1mS/cm以下，在120℃下干燥6小时。之后，通过标称筛孔100μm的金属丝网，获得含有Eu、Sr、Ca以及Ga的粉体混合品。该粉体混合品是含有亚硫酸铕-锶粉体[包括(Sr，Eu)SO3的粉体]与氧化镓粉体的混合物。
接着，利用电炉烧制粉体混合品。作为烧制的条件，以1.5小时升温到925℃，之后在925℃下保持1.5小时，接着，以2小时降温到室温。烧制中，以0.3升/分钟的比例向电炉内通入硫化氢。之后，通过标称筛孔25μm的筛网，获得由Sr1-xGa2S4:Eux(x＝0.10)表示的硫化物系荧光体的粒子。
应予说明，针对该硫化物系荧光体，测定PL光谱，其结果为波长538nm处呈现PL峰，PL峰值强度为3.13(YAG比)，半峰全宽为46nm。另外，计算转换效率，其结果吸收率为82.3％，内部量子效率为65.4％，以及外部量子效率为53.9％。
＜覆盖硫化物系荧光体的制备＞
首先，准备将得到的硫化物系荧光体10g、乙醇80g、纯水5g以及28％的氨水6g混合而成的第一配合物、以及将四乙氧基硅烷5g和乙醇35g混合而成的第二配合物。
接着，向聚乙烯树脂制容器，投入第一配合物，投入磁力搅拌子，在40℃的恒温槽中搅拌10分钟。之后，将第二配合物投入到该容器。将第二配合物的投入结束的时刻作为0分钟，进行3小时搅拌。在搅拌结束之后，使用真空泵进行吸滤，将回收的样品转移到烧杯中，利用水和/或乙醇进行清洗后，再次进行过滤，回收样品。通过在85℃下对回收的样品进行2小时干燥，在200℃下进行8小时烧制，从而获得具备第一二氧化硅膜的硫化物系荧光体。
接下来，准备将得到的具备第一二氧化硅膜的硫化物系荧光体10g、乙醇80g、纯水5g以及28％的氨水6g混合而成的第三配合物、以及与上述的第二配合物同样的配合物。
接着，在上述的覆盖处理中，代替投入第一配合物而投入第三配合物和粒径为0.1～0.2μm的氧化锌粉末(K-FRESH MZO，TAYCA制)0.1g(相对于硫化物系荧光体100质量份为1质量份)，除此之外，进行与上述的覆盖处理同样的处理，获得图6所示的覆盖硫化物系荧光体。
＜发光装置的制造＞
准备具备蓝色发光二极管直接配置于上部的银反射器的引线框架。
另一方面，将有机硅树脂(Dow Corning Toray株式会社制，“OE-6550”(A液：B液＝1：1))和相对于该有机硅树脂为2质量％的无机吸附剂(東亚合成株式会社制，“KESMON”，氧化锌)投入到容器中，利用自转/公转混合器(株式会社THINKY制，“AR-250”)每次搅拌且脱泡180秒，制备第一树脂组合物。将该第一树脂组合物5mg以覆盖银反射器和蓝色发光二极管的方式填充(供给)到上述的引线框架内，通过在100℃下加热1小时而使其半固化。
另外，将有机硅树脂(Dow Corning Toray株式会社制，“OE-6550”(A液：B液＝1：1))和相对于该有机硅树脂为5质量％的上述覆盖硫化物系荧光体(成为色度点(x，y)＝(0.1958，0.2333)的量)投入到容器中，利用自转/公转混合器(株式会社THINKY制，“AR-250”)每次搅拌且脱泡180秒，制备第二树脂组合物。将该第二树脂组合物2mg填充(供给)到上述半固化的第一树脂组合物上，通过在150℃下加热2小时而使其固化。
应予说明，第一树脂组合物的供给量和第二树脂组合物的供给量是在掌握引线框架的结构的同时预先确定的量，以使形成的第一树脂层的厚度和第二树脂层的厚度为所希望的厚度。
这样，获得发光装置。应予说明，在中央部切断制成的发光装置，利用SEM观察截面之后，确认了第一树脂层和第二树脂层的界面与银反射器的面大致平行，另外确认了第一树脂层的厚度为350μm，第二树脂层的厚度为140μm。
(实施例2)
对于实施例1的发光装置的制造中的第二树脂组合物的制备，除了相对于有机硅树脂为5质量％的覆盖硫化物系荧光体，还进一步将相对于有机硅树脂为2质量％的玻璃鳞片(日本板硝子株式会社制，“RCF-015”)投入到容器中，除此之外，与实施例1同样地进行，获得发光装置。
(实施例3)
在实施例1的发光装置的制造中，代替覆盖硫化物系荧光体而使用在实施例1中制备的(未覆盖的)硫化物系荧光体，除此之外，与实施例1同样地进行，获得发光装置。
(实施例4)
对于实施例3的发光装置的制造中的第二树脂组合物的制备，除了相对于有机硅树脂为5质量％的(未覆盖的)硫化物系荧光体，还进一步将相对于有机硅树脂为2质量％的无机吸附剂(東亚合成株式会社制，“KESMON”，氧化锌)投入到容器中，除此之外，与实施例3同样地进行，获得发光装置。
(实施例5)
对于实施例1的发光装置的制造中的第二树脂组合物的制备，除了相对于有机硅树脂为5质量％的(未覆盖的)覆盖硫化物系荧光体，还进一步将相对于有机硅树脂为2质量％的无机吸附剂(东亚合成株式会社制，“KESMON”，氧化锌)投入到容器中，除此之外，与实施例1同样地进行，获得发光装置。
(实施例6)
对于实施例5的发光装置的制造中的第二树脂组合物的制备，除了相对于有机硅树脂为5质量％的覆盖硫化物系荧光体和相对于有机硅树脂为2质量％的无机吸附剂，还进一步将相对于有机硅树脂为2质量％的玻璃鳞片(日本板硝子株式会社制，“RCF-015”)投入到容器中，除此之外，与实施例5同样地进行，获得发光装置。
(实施例7)
对于实施例5的发光装置的制造中的第一树脂组合物的制备，不将无机吸附剂投入到容器中，除此之外，与实施例5同样地进行，获得发光装置。
(比较例1)
在实施例1中，如下所述进行发光装置的制造，除此之外，与实施例1同样地进行，获得发光装置。
＜发光装置的制造＞
准备具备蓝色发光二极管直接配置于上部的银反射器的引线框架。
另一方面，将有机硅树脂(Dow Corning Toray株式会社制，“OE-6550”(A液：B液＝1：1))和相对于该有机硅树脂为2质量％的上述覆盖硫化物系荧光体投入到容器中，利用自转/公转混合器(株式会社THINKY制，“AR-250“)每次搅拌且脱泡180秒，制备树脂组合物。将该树脂组合物7mg以覆盖银反射器和蓝色发光二极管的方式填充到上述的引线框架内，通过在150℃下加热2小时而使其固化。
(比较例2)
对于实施例1的发光装置的制造中的第一树脂组合物的制备，不将无机吸附剂投入到容器中，除此之外，与实施例1同样地进行，获得发光装置。
(比较例3)
对于实施例2的发光装置的制造中的第一树脂组合物的制备，不将无机吸附剂投入到容器中，除此之外，与实施例2同样地进行，获得发光装置。
(比较例4)
对于比较例1的发光装置的制造中的树脂组合物的制备，代替覆盖硫化物系荧光体，使用实施例1中制备的(未覆盖的)硫化物系荧光体，除此之外，与比较例1同样地进行，获得发光装置。
(实施例8)
在实施例1的发光装置的制造中，将第一树脂组合物的填充量从5mg变为4mg，且将第二树脂组合物的填充量从2mg变为3mg，除此之外，与实施例1同样地进行，获得具备厚度280μm的第一树脂层和厚度210μm的第二树脂层的发光装置。
(实施例9)
在实施例1的发光装置的制造中，将第一树脂组合物的填充量从5mg变为3.5mg，且将第二树脂组合物的填充量从2mg变为3.5mg，除此之外，与实施例1同样地进行，获得具备厚度245μm的第一树脂层和厚度245μm的第二树脂层的发光装置。
(比较例5)
在实施例1的发光装置的制造中，将第一树脂组合物的填充量从5mg变为3mg，且将第二树脂组合物的填充量从2mg变为4mg，除此之外，与实施例1同样地进行，获得具备厚度210μm的第一树脂层和厚度280μm的第二树脂层的发光装置。
(银腐蚀试验的实施和反射率的测定)
将实施例和比较例中获得的发光装置利用双面胶带贴合在载玻片上，置于密封瓶(容量100mL的玻璃制称量瓶)中，并且为了设置湿度100％RH，将放入了水的玻璃槽放入密封瓶。然后，盖上盖子，将密封瓶放入85℃的烤箱，实施银腐蚀试验。
然后，对于放入烤箱前的发光装置和放入烤箱而经过48小时后的发光装置中的银反射器，使用安装有积分球单元的荧光分光光度计(日本分光株式会社制，“FP-6500”)，将以硫酸钡为主成分的白板作为基准，测定560nm的光的反射率。
将结果示于表1、表2。应予说明，只要放入烤箱而经过了48小时后的发光装置中的银反射器的反射率为60％以上，则银反射器的腐蚀就被充分抑制，发光装置能够实际使用。
[表1]
表1
[表2]
表2
由表1、表2的结果可以确认，实施例1～9的发光装置即使在放入85℃的烤箱，经过48小时后，银反射器的反射率也为60％以上，可知作为银系部件的银反射器的腐蚀被充分抑制，能够维持良好的发光特性等性能。
工业上的可利用性
根据本发明，能够提供发光特性优异且因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化得到充分抑制的发光装置及该发光装置的简便的制造方法。

Claims (15)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件；
一个以上的银系部件，在表面具有银；以及
树脂层，包括覆盖至少一个所述银系部件的第一树脂层和配置于所述第一树脂层的正上方的第二树脂层，
所述发光元件被所述第一树脂层覆盖、或者被所述第一树脂层和所述第二树脂层这两者覆盖，
所述第一树脂层和所述第二树脂层的至少一个层含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，
所述第二树脂层含有硫化物系荧光体，
所述第一树脂层的厚度相对于所述第一树脂层与所述第二树脂层的总厚度的比例是50％以上。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一树脂层和所述第二树脂层中的覆盖所述发光元件的层含有所述无机吸附剂。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述第一树脂层的厚度为240μm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述无机吸附剂包含微粒，所述微粒包括含有金属元素的化合物。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述含有金属元素的化合物选自MgO、CaO、BaO、BaB2O4、SrO、La2O3、ZnO、Zn(OH)2、ZnSO4·nH2O(0≤n≤7)、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4、ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125～ 0.95Mg0.05～0.9O、Zn0.1～0.75Ca0.25～0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3～7In2O6～10、ZnSnO3、Zn2SnO4、以及含有从Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Zr、Al以及镧系元素中选择的金属元素的硅酸盐。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述含有金属元素的化合物是ZnO。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一树脂层和所述第二树脂层含有有机硅树脂或者环氧树脂。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述树脂层含有玻璃鳞片。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光装置，其特征在于，构成所述树脂层的层中的与被所述第一树脂层覆盖的所述银系部件距离最远的层含有玻璃鳞片。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述硫化物系荧光体包含由MGa2S4:Eu表示的绿色荧光体，其中，M表示包括Sr、Ba以及Ca中至少一个元素的一个以上的元素。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述硫化物系荧光体包含由SrGa2S4:Eu表示的绿色荧光体。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述硫化物系荧光体在表面具备包含第一二氧化硅膜和所述第一二氧化硅膜上的第二二氧化硅膜的覆盖膜，所述第一二氧化硅膜和所述第二二氧化硅膜的至少一个膜含有金属氧化物粉末。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，构成所述覆盖膜的二氧化硅膜中的最表面侧的膜含有金属氧化物粉末。
14.根据权利要求12或13所述的装置，其特征在于，所述金属氧化物粉末包含氧化锌粉末。
15.一种发光装置的制造方法，其特征在于，是权利要求1～14中任一项所述的发光装置的制造方法，包括：
准备在上部具备发光元件且在表面具有银的反射器的工序；
以覆盖所述反射器的方式供给第一树脂组合物而形成第一树脂层的工序；以及
将第二树脂组合物供给到所述第一树脂层的正上方而形成第二树脂层的工序，
所述第一树脂组合物和所述第二树脂组合物的至少一个组合物含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，
所述第二树脂组合物含有硫化物系荧光体，
以形成的第一树脂层的厚度相对于第一树脂层与第二树脂层的总厚度的比例为50％以上的方式，分别确定所述第一树脂组合物的供给量和所述第二树脂组合物的供给量。
CN201780060782.XA 2016-09-30 2017-08-25 发光装置及发光装置的制造方法 Pending CN109791971A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016194456A JP2018056512A (ja) 2016-09-30 2016-09-30 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2016-194456 2016-09-30
PCT/JP2017/030534 WO2018061553A1 (ja) 2016-09-30 2017-08-25 発光装置、及び発光装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109791971A true CN109791971A (zh) 2019-05-21

Family

ID=61762781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780060782.XA Pending CN109791971A (zh) 2016-09-30 2017-08-25 发光装置及发光装置的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200028040A1 (zh)
JP (1) JP2018056512A (zh)
KR (1) KR20190086659A (zh)
CN (1) CN109791971A (zh)
DE (1) DE112017004937T5 (zh)
TW (1) TW201824589A (zh)
WO (1) WO2018061553A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110361912B (zh) * 2018-04-10 2021-08-17 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
JP7112354B2 (ja) * 2019-02-28 2022-08-03 デクセリアルズ株式会社 緑色発光蛍光体及びその製造方法、並びに蛍光体シート、及び発光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2519986B1 (de) * 2009-12-30 2018-09-12 Merck Patent GmbH Vergussmasse als diffusionsbarriere für wassermoleküle
JP5466771B2 (ja) * 2010-12-09 2014-04-09 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
KR101562577B1 (ko) * 2011-04-05 2015-10-23 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 발광 디바이스
JP2013119581A (ja) 2011-12-07 2013-06-17 Dexerials Corp 被覆蛍光体及び被覆蛍光体の製造方法
JP6038524B2 (ja) * 2012-07-25 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 蛍光体シート
WO2014021354A1 (ja) * 2012-08-02 2014-02-06 株式会社日本セラテック 発光装置
DE102012109177A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2014120529A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板、ｌｅｄモジュール及びｌｅｄパッケージ、並びに回路基板の製造方法
JP6257551B2 (ja) 2015-03-31 2018-01-10 有限会社パパラボ 色忠実環境補正装置および色忠実環境補正方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018056512A (ja) 2018-04-05
WO2018061553A1 (ja) 2018-04-05
TW201824589A (zh) 2018-07-01
KR20190086659A (ko) 2019-07-23
DE112017004937T5 (de) 2019-06-13
US20200028040A1 (en) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5767245B2 (ja) 水分子に対する拡散障壁としての成型構成物
TWI646172B (zh) Phosphor
JP5909230B2 (ja) 酸窒化物蛍光体、製造方法及び発光装置
WO2014104143A1 (ja) 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
CN103717702B (zh) 具有被覆膜的碱土金属类硅酸盐荧光体粒子的制造方法
JP6496738B2 (ja) 耐湿性蛍光体組成物及び関連する方法
KR20180121687A (ko) 색 안정성 망간-도핑된 형광체
JP2011012091A (ja) 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
CN103988325A (zh) 用于光致发光材料的涂层
TW200927886A (en) Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
TW200938608A (en) Surface-modified conversion phosphors
TW201207084A (en) Color stable phosphors
TW200835774A (en) Phosphor flakes for LEDs made from structured films
EP2128219A1 (en) Fluorescent substance, method for production thereof, and wavelength converter, light-emitting device and lighting device
TW200907025A (en) Process for the preparation of phosphors based on orthosilicates for pcLEDs
CN105555914A (zh) 绿色荧光体及其制造方法、荧光体片以及照明装置
CN110062800A (zh) 经涂覆的窄带绿色磷光体
JP4972957B2 (ja) 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置
CN109791971A (zh) 发光装置及发光装置的制造方法
WO2012063707A1 (ja) 蛍光体材料の製造方法
CN109054811A (zh) 硫化物红色荧光粉及其制备方法和采用该荧光粉的发光装置
KR101848364B1 (ko) 형광체 및 이의 제조방법
CN103597054A (zh) 红色荧光体和发光元件
JP2021057604A (ja) 発光装置の製造方法
JP6871098B2 (ja) 蛍光体、及びその製造方法、蛍光体シート、並びに照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190521