TW201806208A - 顯示裝置 - Google Patents

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TW201806208A
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宮本光秀
松本優子
多田裕介
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日本顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種搭載具有高觸控檢測速度之觸控感測器的顯示裝置。 本發明提供具有第1層及第1層上之第2層之顯示裝置。第1層具有顯示區域，顯示區域具有：複數個第1子像素、複數個第2子像素、複數個第3子像素、夾在相鄰之二個子像素之間的分隔壁、及該等之上之密封膜。第2層具有：第1觸控電極，其與分隔壁重合，且沿著分隔壁；及第2觸控電極，其與分隔壁重合且沿著分隔壁，並與第1觸控電極交叉。第1子像素、第2子像素、第3子像素之發光顏色互不相同。第1觸控電極與第2觸控電極存在於同一層內。第1觸控電極與第2觸控電極具有複數個開口，在與開口之一者重合之區域，第1子像素之數目、第2子像素之數目、及第3子像素之數目中之一者與其他二者不同。

Description

顯示裝置
本發明之實施形態之一係關於一種搭載有觸控感測器之顯示裝置。例如，係關於一種搭載有觸控感測器之有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置。
業界已知悉一種作為用於使用者對顯示裝置輸入資訊之介面的觸控感測器。藉由將觸控感測器以與顯示裝置之畫面重合之方式設置，而可由使用者操作在畫面上顯示之輸入按鈕或圖標等，從而可容易地朝顯示裝置輸入資訊。例如在日本特開2015-50245號公報及日本特開2011-23558號公報中，揭示有在有機EL顯示裝置上搭載有觸控感測器之電子機器。此處，在有機EL元件(以下記述為發光元件)上形成密封膜，並在其上形成有觸控感測器用之觸控電極。
本發明之實施形態之一者係一種顯示裝置，其具有第1層、及第1層上之第2層。第1層具有顯示區域，顯示區域具有：複數個第1子像素，其等構成為發出第1光；複數個第2子像素，其等構成為發出第2光；複數個第3子像素，其等構成為發出第3光；分隔壁，其夾在第1子像素、第2子像素、第3子像素中之相鄰之二個子像素之間；以及第1子像素、第2子像素、第3子像素、及分隔壁上之密封膜。第2層具有：第1觸控電極，其與分隔壁重合，且沿著分隔壁；及第2觸控電極，其與分隔壁重合且沿著分隔壁，並與第1觸控電極交叉。第1光、第2光、第3光之顏色互不相同。第1觸控電極與第2觸控電極存在於同一層內。第1觸控電極與第2觸控電極各自具有複數個開口，在與開口之一者重合之區域，第1子像素之數目、第2子像素之數目、及第3子像素之數目中之一者與其他二者不同。 本發明之實施形態之一者係一種顯示裝置，其具有第1層、及第1層上之第2層。第1層具有顯示區域，顯示區域具有：複數個第1子像素，其等構成為發出第1光；複數個第2子像素，其等構成為發出第2光；複數個第3子像素，其等構成為發出第3光；分隔壁，其夾在第1子像素、第2子像素、第3子像素中之相鄰之二個子像素之間；以及第1子像素、第2子像素、第3子像素、及分隔壁上之密封膜。第2層具有：第1觸控電極，其與分隔壁重合，並沿分隔壁；第1觸控電極上之層間絕緣膜；及第2觸控電極，其位於層間絕緣膜上，與分隔壁重合且沿著分隔壁，並與第1觸控電極交叉。第1光、第2光、第3光之顏色互不相同。第1觸控電極與第2觸控電極各自具有複數個開口，在與開口之一者重合之區域，第1子像素之數目、第2子像素之數目、及第3子像素之數目中之一者與其他二者不同。
以下，針對本發明之各實施形態，一邊參照圖式等一邊進行說明。惟，本發明在不脫離其主旨之範圍內能夠以各種態樣實施，並非限定於以下例示之實施形態之記載內容而解釋者。 圖式為了使說明更加明確，與實際態樣相較雖存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地表示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。在本說明書及各圖中，存在對於與相關於已出現之圖中而說明者具備相同功能的元件賦予相同之符號，且省略其重複說明之情形。 在本發明中，在將某1個膜加工而形成複數個膜之情形下，有該等複數個膜具有不同之功能、作用之情形。然而，該等複數個膜係來自於在同一步驟中作為同一層而形成之膜，具有相同之層構造與相同之材料。因此，該等複數個膜係定義為存在於同一層者。 本說明書及申請專利範圍中，在表達在某構造體之上配置其他之構造體之態樣時，在單純地顯示為在「上」之情形下，如無特別說明，則視為包含：以與某構造體相接之方式，在正上方配置其他之構造體之情形，與在某構造體之上方進一步介隔另外之構造體配置其他構造體之情形此二者。 (第1實施形態) ［1.整體構成］ 圖1A係本發明之第1實施形態之搭載有觸控感測器之顯示裝置(以下，僅記述為顯示裝置)100之示意性俯視圖。顯示裝置100具有用於顯示映像之顯示區域102。以與顯示區域102上重合之方式，設置有在列方向上呈條帶狀排列之複數個第1觸控電極202、及在行方向上呈條帶狀排列並與第1觸控電極202交叉之複數個第2觸控電極204。由複數個第1觸控電極202與複數個第2觸控電極204形成觸控感測器200。亦將第1觸控電極202與第2觸控電極204之一者稱為發送電極(Tx)、將另一者稱為接收電極(Rx)。各第1觸控電極202與各第2觸控電極204係彼此隔開，在該等之間形成有電容。藉由人的手指等經由第1觸控電極202及第2觸控電極204與顯示區域102接觸(以下記述為觸控)而電容變化，藉由讀取該變化而決定觸控之位置。如此般，由第1觸控電極202與第2觸控電極204形成所謂之投影型靜電電容式觸控感測器200。 第1觸控電極202與自顯示區域102外延伸而來之第1配線206電性連接。第1配線206朝顯示區域102外延伸，在接觸孔208處與第1端子配線210電性連接。第1端子配線210在顯示裝置100之端部附近露出並形成第1端子212。第1端子212與撓性印刷電路(FPC)基板等之連接器214連接，觸控感測器用信號自外部電路(未圖示)經由第1端子212施加至第1觸控電極202。 相同地，第2觸控電極204與自顯示區域102外延伸而來之第2配線216電性連接。第2配線216朝顯示區域102外延伸，在接觸孔218處與第2端子配線220電性連接。第2端子配線220在顯示裝置100之端部附近露出並形成第2端子222。第2端子222與連接器214連接，觸控感測器用信號自外部電路經由第2端子222施加至第2觸控電極204。 在圖1A中，進一步顯示有：用於朝顯示區域102內之像素120供給信號之第3端子122、及用於控制像素120之驅動之IC晶片124。如圖1A所示般，第1端子212、第2端子222、第3端子122可以在顯示裝置100之一個邊上並排之方式形成，因此，可使用單一之連接器214朝顯示區域102與觸控感測器200供給信號。 圖2顯示顯示裝置100之示意性立體圖。此處，為了促進理解，而使基板104、包含顯示區域102之第1層110、包含觸控感測器200之第2層112彼此分離地顯示。 第1層110設置於基板104上。第1層110具有上述之顯示區域102，在顯示區域102內具備複數個像素120。在顯示區域102外側，設置有用於控制像素120之驅動之掃描線驅動電路126。掃描線驅動電路126無須直接形成在基板104之上，可行的是，將在與基板104不同之基板(半導體基板等)上形成之驅動電路設置在基板104及連接器214上，利用該等之驅動電路來控制各像素120。在此處雖未圖示，但在第1層110上形成有用於控制設置在像素120內之發光元件的各種半導體元件。 如上述般，觸控感測器200係由複數個第1觸控電極202與複數個第2觸控電極204形成。觸控感測器200可具有與顯示區域102大致相同之大小、形狀。 ［2.像素］ 在本實施形態中，像素120具有複數個子像素，子像素係例如如圖3A所示般，以由三個子像素130、132、134形成一個像素120之方式而配置。在各子像素中具備一個發光元件或液晶元件等之顯示元件。子像素所賦予之色由發光元件、或設置在子像素上之彩色濾光器之特性而決定。在本說明書及請求項中，所謂像素120係指分別具有一個顯示元件，且具備複數個至少一個賦予不同之色的子像素，而構成在顯示區域102內再現之映像之一部分的最小單位。顯示區域102內之子像素包含於任一個像素120內。 在圖3A所例示之排列中，可以三個子像素130、132、134賦予互不相同之色之方式構成，例如子像素130、132、134可分別具備發出紅色、綠色、藍色之三原色之發光元件。藉此，可利用各像素120製作出任意之色。 在圖3B所示之排列中，所賦予之色不同之二個子像素包含於一個像素120內。例如可行的是，一個像素120具備賦予紅色與綠色之子像素130、132，在與其相鄰之像素120內設置賦予藍色與綠色之子像素134及132。該情形下，再現之色域形成為在相鄰之像素120間為不同。 各像素120內之子像素之面積無須相同。例如如圖3C所示般，一個子像素可具有與其他二個子像素相比不同之面積。該情形下，可行的是，例如以使賦予藍色之子像素134以最大之面積形成，使賦予綠色與紅色之子像素132與130具有相同之面積之方式形成。 像素120如圖3A至圖3C所示般，可以具有大致四角形之形狀，且彼此相接之方式呈矩陣狀排列。在本說明書與請求項中，除了位於顯示區域102最外側之像素120以外，在以具有四角形之形狀之像素120之4邊與相鄰之像素120彼此相接之方式排列像素120之情形下，將各像素120中彼此對向之諸個邊之間隔定義為像素120之一邊之長度Lp 。 ［3.觸控電極］ 將放大圖1A之一部分區域之態様在圖1B中顯示。如圖1B所示般，第1觸控電極202、第2觸控電極204分別具有:具有大致四角形之形狀之複數個四角形區域(金剛石電極)240、及複數個連接區域242，且該等區域彼此交互。第1觸控電極202、第2觸控電極204係彼此隔開，而在電性上獨立。 圖4A示意性地顯示第1觸控電極202、第2觸控電極204之上表面放大圖。第1觸控電極202、第2觸控電極204皆具有網狀之形狀。亦即，該等係網狀之配線，具有複數個開口250，且開口250呈矩陣狀排列。配線之寬度為1 μm至10 μm或2 μm至8 μm，典型地為5 μm。 在圖5A、圖5B中分別顯示沿圖4A之鏈線A-A’、B-B’之剖面。如圖5A、圖5B所示般，第1觸控電極202與第2觸控電極204與金剛石電極240、連接區域242一起設置在有機絕緣膜190(後述)上。第1觸控電極202和第2觸控電極204可與有機絕緣膜190相接。此處，第1觸控電極202與第2觸控電極204可存在於同一層內。更具體而言，第1觸控電極202與第2觸控電極204之金剛石電極240可彼此存在於同一層內。藉由將第1觸控電極202與第2觸控電極204設置在同一層內，而二者之反射特性等之光學特性形成為大致相同。其結果為，可使第1觸控電極202與第2觸控電極204不易視認，亦即可使其不明顯。 在第1觸控電極202上設置有層間絕緣膜246，在層間絕緣膜246上形成有橋接配線248。橋接配線248在設置於層間絕緣膜246內之開口244處電性連接於第2觸控電極204之相鄰之二個金剛石電極240。因此，橋接配線248能夠辨識第2觸控電極204之連接區域242。層間絕緣膜246將第1觸控電極202與第2觸控電極204電性絕緣，且亦作為用於在第1觸控電極202與第2觸控電極204之間形成電容之介電體發揮功能。 在圖4A、圖5A、圖5B中，顯示橋接配線248形成於第1觸控電極202上，而將第2觸控電極204之金剛石電極240電性連接之例，但橋接配線248亦可構成為形成在第2觸控電極204之上，而將第1觸控電極202之金剛石電極240電性連接。又，在圖4A所示之例中，第1觸控電極202之相鄰之金剛石電極240間之連接區域242為一條配線，但該連接區域242亦可包含複數條配線(圖4B)。 在第1觸控電極202與第2觸控電極204各自之金剛石電極240之端部，如圖6所示般，可具有突起部254。該突起部254不包含於金剛石電極240之開口250，係對開口250之形成不起作用之配線。藉由形成突起部254，可將第1觸控電極202與第2觸控電極204之間的未形成網狀配線之區域縮小。藉此，可獲得使用者不易在顯示區域102上視認第1觸控電極202、及第2觸控電極204之效果。 另外，在第1觸控電極202與第2觸控電極204之間隙部，可配置如以虛線圓301所示之、與第1觸控電極202、第2觸控電極204之任一者皆不連接之虛設電極203(參照圖23)。該等虛設電極203為不連接於任一節點、亦即在電性上為浮動狀態之圖案，與第1觸控電極202、第2觸控電極204為同一層，而可同時圖案化而形成。藉由形成如此之虛設電極203，可適度地減少第1觸控電極202與第2觸控電極204間之電容耦合，而可增大觸控之電容變化。其結果為，可提高觸控感測器200之驅動時之S/N比。 進而，如圖7A、及沿圖7A之鏈線C-C’、D-D’之剖視示意圖之圖7B、圖7C所示般，第1觸控電極202與第2觸控電極204亦可存在於彼此不同之層內。更具體而言，第1觸控電極202與第2觸控電極204之金剛石電極240和連接區域242，可存在於彼此不同之層內。該情形下，在第1觸控電極202與第2觸控電極204之間配置層間絕緣膜246。採用如此之構造之情形下，由於無須形成開口244，故步驟變得簡潔，可有助於成品率之提高。 在第2實施形態中亦有記述，第1觸控電極202與第2觸控電極204可包含能夠透過可視光之氧化物，或可包含不透過可視光之金屬(0價金屬)。作為前者之例，可列舉的有銦-錫氧化物(ITO)及銦-鋅氧化物(IZO)。作為後者之例，可列舉鉬及鈦、鉻、鉭、銅、鋁、鎢等。藉由以包含0價金屬為主成分之方式形成第1觸控電極202與第2觸控電極204，可大幅度降低該等之電氣電阻，而可減小響應之時間常數。其結果為，可提高作為感測器之響應速度。 ［4.剖面構造］ 圖8顯示顯示裝置100之剖視示意圖。圖8係沿圖1A之鏈線E-E’之剖面，示意性地顯示自顯示區域102起至第1配線206、第1端子配線210、第1端子212之剖面。 顯示裝置100在基板104上具有第1層110、第2層112。在基板104具有可塑性之情形下，有將基板104稱為基材、基底膜、或片基材之情形。如後文所述般，在第1層110上設置有用於控制各子像素130、132、134之電晶體及發光元件，有助於映像之再現。另一方面，在第2層112上設置有觸控感測器200，有助於觸控之檢測。 ＜1.第1層＞ 在基板104上，介隔任意之構成之基底膜106設置有電晶體140。電晶體140包含：半導體膜142、閘極絕緣膜144、閘極電極146、及源極/汲極電極148等。閘極電極146介隔閘極絕緣膜144與半導體膜142重合，與閘極電極146重合之區域係半導體膜142通道區域142a。半導體膜142可以夾著通道區域142a之方式具有源極/汲極區域142b。在閘極電極146上可設置層間膜108，在設置於層間膜108與閘極絕緣膜144之開口處，源極/汲極電極148與源極/汲極區域142b連接。 在層間膜108上設置有第1端子配線210。如圖8所示般，第1端子配線210可與源極/汲極電極148存在於同一層內。雖然未圖示，但第1端子配線210亦可以與閘極電極146存在於同一層內之方式構成。 在圖8中，電晶體140係作為頂部閘極型之電晶體予以圖示，但電晶體140之構造並無限定，亦可為底部閘極型電晶體、具有複數個閘極電極146之多閘極型電晶體、具有以二個閘極電極146夾持半導體膜142上下之構造的雙閘極型電晶體。又，在圖8中，顯示了在各子像素130、132、134分別設置一個電晶體140之例，但各子像素130、132、134可進一步具有複數個電晶體及電容元件等。 在電晶體140上具備平坦化膜114。平坦化膜114具有吸收起因於電晶體140及其他半導體元件之凹凸而賦予平坦之表面的功能。 在平坦化膜114上可形成無機絕緣膜150。無機絕緣膜150具有保護電晶體140等之半導體元件之功能，且在後述之發光元件160之第1電極162和在無機絕緣膜150之下層以與第1電極162夾著無機絕緣膜150之方式形成之電極(未圖示)之間形成電容。 在平坦化膜114、及無機絕緣膜150上設置有複數個開口。其中之一者為接觸孔152，用於後述之發光元件160之第1電極162與源極/汲極電極148之電性連接。開口之一個為接觸孔208，用於第1配線206與第1端子配線210之電性連接。又一開口為開口154，以將第1端子配線210之一部分露出之方式設置。在開口154露出之第1端子配線210，利用例如各向異性導電膜252等與連接器214連接。 在平坦化膜114、及無機絕緣膜150上形成有發光元件160。發光元件160包含：第1電極(像素電極)162、功能層164、及第2電極(對向電極)166。更具體而言，第1電極162以覆蓋接觸孔152，並與源極/汲極電極148電性連接之方式設置。藉此，電流經由電晶體140朝發光元件160供給。以覆蓋第1電極162端部之方式設置有分隔壁168。分隔壁168藉由覆蓋第1電極162端部，而防止設置於其上之功能層164及第2電極166之斷線。功能層164以覆蓋第1電極162與分隔壁168之方式設置，在其上形成有第2電極166。載子自第1電極162與第2電極166朝功能層164注入，在功能層164內發生載子之再結合。藉此，功能層164內之發光性分子成為激發狀態，經由此朝基底狀態緩和之製程可獲得發光。因此，第1電極162與功能層164相接之區域形成各子像素130、132、134之發光區域。 功能層164之構成可適宜選擇，例如可組合載子注入層、載子輸送層、發光層、載子阻止層、激發子阻止層等而構成。在圖8中，顯示功能層164具有三個層170、172、174之例。該情形下，例如可將層170設為載子(電洞)注入/輸送層、將層172設為發光層、將層174設為載子(電子)注入/輸送層。作為發光層之層172，如圖8所示般，可以在子像素130、132、134處包含不同之材料之方式構成。該情形下，其他層170及174可以由子像素130、132、134共有之方式遍及子像素130、132、134、及分隔壁168上而形成。藉由適宜選擇層172所使用之材料，而可在子像素130、132、134獲得不同之發光色。或，亦可將層174之構造在子像素130、132、134間設為相同。該情形下，層174亦可以被子像素130、132、134共有之方式遍及子像素130、132、134、及分隔壁168上形成。在如此之構成中，由於自各子像素130、132、134之層172輸出相同之發光色，故例如可將層172設為能夠發出白色光之構成，可使用彩色濾光器將各種色(例如，紅色、綠色、藍色)自子像素130、132、134取出。 又，顯示裝置100可進一步具有覆蓋接觸孔208與開口154、並與第1端子配線210相接之連接電極234、236。該等之連接電極234、236可與第1電極162存在於同一層內。藉由形成連接電極234、236，而可降低顯示裝置100之製造製程中之對於第1端子配線210之損傷，從而可實現接觸電阻之低的電性連接。 在發光元件160上，設置有密封膜(鈍化膜)180。密封膜180具有防止雜質(水、氧等)自外部侵入發光元件160及電晶體140之功能。如圖8所示般，密封膜180可包含三個層182、184、186。在層(第1無機膜)182與層(第2無機膜)186中，可使用包含無機化合物之無機膜。另一方面，在第1無機膜182與第2無機膜186之間之層184中，可使用包含有機化合物之膜(有機膜)184。有機膜184可以吸收起因於發光元件160及分隔壁168之凹凸而賦予平坦之面之方式形成。因此，可將有機膜184之厚度相對增厚。其結果為，可增大觸控感測器200之第1觸控電極202及第2觸控電極204，與後述之發光元件160之一個電極(第2電極166)之間的距離。其結果為，可大幅度減小在觸控感測器200與第2電極166間產生之寄生電容。 此外，第1無機膜182與第2無機膜186較佳者係形成為停留在顯示區域102內。換言之，第1無機膜182與第2無機膜186以不與接觸孔208及開口154重合之方式設置。藉此，在第1端子配線210與連接器214及第1配線206之間能夠形成接觸電阻之低的電性連接。另外，較佳的是，在顯示區域102端部，第1無機膜182與第2無機膜186直接相接(參照圖8中之以圓188包圍之區域)。藉此，由於可利用第1無機膜182與第2無機膜186密封較第1無機膜182及第2無機膜186親水性高之有機膜184，故可更有效地防止自外部之雜質之侵入、以及在顯示區域102內之雜質之擴散。 顯示裝置100在密封膜180上進一步具有有機絕緣膜190。有機絕緣膜190可以與密封膜180之第2無機膜186相接之方式設置。 利用上述之各種元件及膜構成第1層110。 ＜2.第2層＞ 第2層112包含第1觸控電極202及第2觸控電極204、層間絕緣膜246、橋接配線248、第1配線206、及第2配線216等。 第1觸控電極202係具有開口250之網狀之配線。該配線以與分隔壁168重合之方式、以沿分隔壁168之方式(後述)、在密封膜180及有機絕緣膜190上形成。第1觸控電極202、或第2觸控電極204可與有機絕緣膜190直接相接。 層間絕緣膜246以與第1觸控電極202相接、且覆蓋第1觸控電極202之方式形成。在層間絕緣膜246內形成有開口，以覆蓋該開口之方式設置有第1配線206。第1配線206經由顯示區域102外，朝接觸孔208延伸(參照圖1A)。第1配線206進一步在接觸孔208處經由連接電極234，和與電晶體140之源極/汲極電極148(或閘極電極146)存在於同一層之第1端子配線210電性連接。藉此，第1觸控電極202與第1端子配線210電性連接。 在第1觸控電極202與第2觸控電極204形成在同一層內之情形下，可在任一個觸控電極處利用橋接配線248連接金剛石電極240(參照圖4A、圖5A、圖5B)。該情形下，第1配線206可與橋接配線248存在於同一層內。因此，可將第1配線206與橋接配線248同時形成。 相對於此，在構成為第1觸控電極202與第2觸控電極204彼此存在於不同之層內之情形下(參照圖7A至圖7C)，第1配線206可與第1觸控電極202及第2觸控電極204中位於上側者存在於同一層內，而同時形成。 ＜3.其他構成＞ 顯示裝置100作為任意之構成，可進一步具有與顯示區域102重合之圓偏光板260。圓偏光板260可具有例如1/4λ板262與配置在其上之直線偏光板264之積層構造。若自顯示裝置100之外入射之光透過直線偏光板264並形成為直線偏光，之後通過1/4λ板262，則形成右旋轉之圓偏光。若該圓偏光被第1電極162、或第1觸控電極202、第2觸控電極204反射則形成左旋轉之圓偏光，藉由其再次透過1/4λ板262，而形成直線偏光。此時之直線偏光之偏光面與反射前之直線偏光正交。因此，無法透過直線偏光板264。其結果為，藉由設置圓偏光板260而可抑制外光之反射，從而能夠提供對比度高之映像。 在圓偏光板260與第2層112間，可設置有機保護膜266作為保護膜。該有機保護膜266在物理性保護顯示裝置100之同時，還具有接著圓偏光板260與第2層112之功能。進而作為任意之構成，可在顯示裝置100內設置覆蓋膜268。覆蓋膜268具有物理性保護圓偏光板260之功能。 ［5.觸控電極與像素之布局］ 如上述般，本實施形態之第1觸控電極202、第2觸控電極204之各者，係具有格子狀之形狀的網狀配線。換言之，分別具有呈矩陣狀配置之開口250。而且，與圖8之剖視圖所示般，第1觸控電極202、第2觸控電極204之配線與分隔壁168重合。又，如圖9所示般，該配線係以在相鄰之子像素之間、亦即沿分隔壁168之方式形成。因此，在例如子像素130、132、134為條帶排列之情形下，如圖9所示般，各子像素130、132、134與開口250重合。換言之，各子像素130、132、134配置在與第1觸控電極202、第2觸控電極204之開口250重合之區域，不與第1觸控電極202、第2觸控電極204之網狀配線重合。 此處，將子像素130、132、134分別設為第1子像素、第2子像素、第3子像素，將其各自賦予之色設為第1色、第2色、第3色，且將第1色、第2色、及第3色設為彼此不同。在顯示裝置100中，與一個開口250重合之第1子像素130之數目、第2子像素132數目、第3子像素134之數目中任一者與其他二者不同。例如在圖9所示之構成中，於一個開口250配置3個第1子像素130，6個第2子像素132，6個第3子像素134，第1子像素130之數目與第2子像素132數目及第3子像素134之數目不同。 或，可將開口250設置為形成開口250之一邊之長度Lo 為像素120之一邊之長度Lp 之(n+k/m)倍。此處，長度Lo 之向量與長度Lp 之向量為平行，n為任意之自然數，m為一個像素120所包含之子像素在垂直於長度Lp 之向量之方向上延伸之行的數目，k為小於m之自然數。在圖9所示之條帶排列中，m為3，Lo 為Lp 之(1+2/3)倍。又，長度Lo 之向量與長度Lp 之向量，例如可自掃描線驅動電路126延伸，與橫貫顯示區域102之掃描信號線平行。 在如此之布局中，若著眼於開口250的垂直於長度Lo 之向量之一對邊(以下為第1邊256與第2邊258)，則最接近第1邊256且夾著第1邊256之二個子像素所賦予的顏色之組合，與最接近第2邊258且夾著第2邊258之二個子像素所賦予的顏色之組合不同。或，即便顏色之組合相同，該等子像素之位置關係仍不同。在圖9之例中，最接近開口250之第1邊256、且將其夾在中間之二個子像素形成賦予第1色之第1子像素130與賦予第2色之第2子像素132。相對於此，最接近開口250之第2邊258、且將其夾在中間之二個子像素形成賦予第3色之第3子像素134與賦予第1色之第1子像素130。 再者，在如此之布局中，開口250之至少一邊橫貫像素120。在圖9之例中，開口250之第1邊256橫貫像素120_2。 如上述般，第1觸控電極202與第2觸控電極204為網狀配線，且該配線以沿分隔壁168之方式配置。在將發光元件160之發光通過第2電極166取出時，如圖10所示般，發光之一部分被第1觸控電極202、或第2觸控電極204遮蔽。亦即，連結發光元件160之發光區域之端部與開口250之端部之直線之相對於第1電極162表面之角度θ1 為某一定角度(臨界角)以下之光無法朝外部取出。該臨界角例如在將發光元件160之發光區域之端部與開口250之端部之水平距離設為5 μm、將垂直距離設為14 μm之情形下，形成為約70°。在臨界角為70°之情形下，在該角度出射之光，如圖10所示般，在覆蓋膜268與外部(空氣)之界面處折射。若將覆蓋膜268之折射率設為1.5，則自覆蓋膜268之表面取出之光之出射角度θ2 自覆蓋膜268之法線形成為30.9°。因此，在自較該出射角度θ2 大之視野角觀察顯示裝置100之情形下，由於發光之一部分被遮蔽，故亮度降低且圖像之色度變化。其結果為，例如在形成開口250之邊始終夾在第1子像素130與第2子像素132之間之情形下，該等之子像素130、132所賦予之色度之視野角依存性變大，相對於此，針對第3子像素134色度之視野角依存性為小。 對此，藉由採用如上述之布局，由於所賦予色之不同之子像素以相同之概率與網狀之配線相鄰，故各子像素所賦予的對於色度之視野角依存性為均等。其結果為，能夠消除對於圖像整體所賦予色之視野角依存性。 像素120及其所包含之子像素、以及第1觸控電極202、第2觸控電極204之開口250之布局並不限定於如圖9所示之布局，例如可採用如圖11至圖14所示之布局。在圖9中，顯示一個開口250與設置在複數個列之像素120重合之例，但與一個開口250重合之像素120之列亦可為一列。具體而言，如圖11所示般，在像素120之每一列存在有開口250之邊。在圖12所示之布局中，與圖11所示之布局比較，在開口250之一邊之長度Lo 為像素120之一邊之長度Lp 之(2+1/3)倍)之點上不同。在圖13所示之布局中，在一個像素120設置二個子像素之點上與其他布局不同。此處，開口250之一邊之長度Lo 為像素120之一邊之長度Lp 之(1+1/3)倍)。 在圖14所示之布局中，設置在一個像素120內之子像素之數目為3個，但一個子像素之面積與其他不同。在該布局中，在各像素120中子像素係沿垂直於長度Lp 之方向配置為二行。因此，m為2。因此，開口250之一邊之長度Lo 為像素120之一邊之長度Lp 之(2+1/2)倍。 在上述任一布局中亦然，與一個開口250重合之第1子像素130之數目、第2子像素132數目、第3子像素134之數目中任一者與其他二者不同。又，開口250之一邊之長度Lo 為像素120之一邊之長度Lp 之(n+k/m)倍。進而，若著眼於一個開口250，則與第1邊256最近、且夾著第1邊之二個子像素所賦予的顏色之組合，與和第2邊258最近、且夾著第2邊258之二個子像素所賦予的顏色之組合不同。在圖14之情形下，在與第1邊256最近、且夾著第1邊256之二個子像素中，在左側具有第3子像素134、在右側具有第1子像素130。相對於此，與第2邊258最近、且夾著第2邊258之二個子像素中，在左側具有第1子像素130、在右側具有第3子像素134。同時地，開口250之至少一邊橫貫像素120。因此，各子像素所賦予的對於色度之視野角依存性為均等，而能夠消除針對圖像整體所賦予的色度之視野角依存性。 在本實施形態之顯示裝置100所搭載之觸控感測器200中，第1觸控電極202與第2觸控電極204可形成為具有以0價之金屬為主成分之網狀之金屬配線。因此，第1觸控電極202與第2觸控電極204之電氣電阻為小，而可減小響應之時間常數。其結果為，可提高作為感測器之響應速度。又，細節將於後述，第1觸控電極202與第2觸控電極204可使用光微影而形成。因此，與先前之方法、亦即將觸控面板另外形成並搭載於顯示裝置上之方法相比，能夠以高精度配置第1觸控電極202與第2觸控電極204。 另外，可在顯示裝置100中設置圓偏光板260。因此，由第1觸控電極202及第2觸控電極204反射之外光不會朝顯示裝置100外出射，而可提供對比度高的高品質之映像。 如上述般，第1觸控電極202與第2觸控電極204具有開口250，形成開口250之配線以沿發光元件160間之分隔壁168之方式設置。因此，各子像素位於開口250內。先前，由於觸控感測器用之電極使用ITO等之透光性導電膜，以與子像素重合之方式設置，故起因於透光性導電膜之光吸收，而各像素120之亮度降低。相對於此，在本實施形態之顯示裝置100中，只要視野角不大於臨界角，則來自像素120之發光就不會被觸控感測器吸收、遮蔽。因此，可有效地利用來自發光元件160之發光，且可有助於消耗電力之降低。 在顯示裝置100中，朝第1觸控電極202與第2觸控電極204賦予之信號，經由控制顯示區域102之電晶體140之源極/汲極電極148、或與閘極電極146存在於同一層之第1端子配線210、第2端子配線220而輸入。因此，可將用於朝觸控感測器200之信號輸入、與朝顯示區域102之信號輸入之端子(第1端子212、第2端子222、第3端子122)設置在同一基板上，而可減少連接器214之數目。 (第2實施形態) 在本實施形態中，使用圖8、及圖15A至圖22記述在第1實施形態中所述之顯示裝置100之製作方法。圖15A至圖22與圖8所示之剖面相對應。有省略與第1實施形態中所述之內容為相同之內容之說明之情形。 ［1.第1層］ 如圖15A所示般，首先在基板104上形成基底膜106。基板104具有支持電晶體140等的顯示區域102所包含之半導體元件及觸控感測器200等的功能。因此，針對基板104，只要使用具有對於在其上形成之各種元件之製程之溫度的耐熱性與對於在製程中所使用之藥品之化學穩定性之材料即可。具體而言，基板104可包含玻璃或石英、塑膠、金屬、陶瓷等。 在對顯示裝置100賦予可撓性時，只要在基板104上形成基材即可。該情形下，基板104亦可被稱為支持基板。基材係具有可撓性之絕緣膜，可包含例如選自例示為聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯之高分子材料之材料。基材可應用例如印刷法或噴墨法、旋轉塗佈法、浸塗法等之濕式成膜法，或層疊法等而形成。 基底膜106係具有防止鹼金屬等之雜質自基板104(及基材)朝電晶體140等擴散之功能的膜，可包含氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等之無機絕緣體。基底膜106可應用化學氣相沈積法(CVD法)或濺鍍法等形成為具有單層、或者積層構造。基板104中之雜質濃度為小之情形下，可不設置基底膜106，或者可形成為僅覆蓋基板104之一部分。 其次形成半導體膜142(圖15A)。半導體膜142可包含例如矽等之14族元素。或者半導體膜142可包含氧化物半導體。作為氧化物半導體，可例示銦或鎵等之第13族元素，例如可列舉銦與鎵之混合氧化物(IGO)。在使用氧化物半導體之情形下，半導體膜142可進一步包含12族元素，作為一例可列舉包含銦、鎵、及鋅之混合氧化物(IGZO)。對半導體膜142之結晶性亦無限定，半導體膜142可包含單晶、多晶、微晶、或非晶之任一狀態。 在半導體膜142含有矽之情形下，半導體膜142將矽烷氣體等用作原料，利用CVD法形成即可。對所獲得之非晶矽可藉由加熱處理、或者照射雷射等之光而進行結晶化。在半導體膜142包含氧化物半導體之情形下，可利用濺鍍法等來形成。 其次，以覆蓋半導體膜142之方式形成閘極絕緣膜144(圖15A)。閘極絕緣膜144可具有單層構造、積層構造之任一者之構造，可利用與基底膜106相同之方法形成。 接著，在閘極絕緣膜144上使用濺鍍法或CVD法形成閘極電極146(圖15B)。閘極電極146可使用鈦或鋁、銅、鉬、鎢、鉭等之金屬或其之合金等形成為具有單層、或者積層構造。可採用例如利用鈦或鎢、鉬等之具有比較高熔點之金屬夾持鋁或銅等之導電性高之金屬的構造。 其次，在閘極電極146上形成層間膜108(圖16A)。層間膜108可具有單層構造、積層構造之任一者之構造，可利用與基底膜106相同之方法形成。在具有積層構造之情形下，例如可在形成包含有機化合物之層之後，積層包含無機化合物之層。 其次，對層間膜108與閘極絕緣膜144進行蝕刻，形成到達半導體膜142之開口。開口可藉由例如在含有含氟碳氫化合物之氣體中進行電漿蝕刻而形成。 其次以覆蓋開口之方式形成金屬膜，藉由進行蝕刻而成形，從而形成源極/汲極電極148。在本實施形態中，係與源極/汲極電極148之形成同時形成第1端子配線210(圖16B)。因此，源極/汲極電極148可與第1端子配線210存在於同一層內。金屬膜可具有與閘極電極146相同之構造，且可使用與閘極電極146之形成相同之方法而形成。 其次，以覆蓋源極/汲極電極148及第1端子配線210之方式形成平坦化膜114(圖17A)。平坦化膜114吸收起因於電晶體140及第1端子配線210等之凹凸或傾斜，具有賦予平坦之面之功能。平坦化膜114可利用有機絕緣體來形成。作為有機絕緣體可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧烷等之高分子材料，平坦化膜114可利用上述之濕式成膜法等而形成。 接著，在平坦化膜114上形成無機絕緣膜150(圖17A)。如上述般，無機絕緣膜150不僅作為針對電晶體140之保護膜發揮功能，還可與之後形成之發光元件160之第1電極162一起形成電容。因此，較佳的是使用介電常數之較高之材料。例如可使用氮化矽或氮氧化矽、氧氮化矽等，應用CVD法或濺射法而形成無機絕緣膜150。 其次，如圖17B所示般，將源極/汲極電極148與第1端子配線210用作蝕刻阻擋器，對於無機絕緣膜150與平坦化膜114進行蝕刻，而形成開口154、接觸孔152、208。其後以覆蓋該等之開口、或接觸孔之方式形成第1電極162、及連接電極234、236(圖18A)。 此處，由於形成有連接電極236之區域、亦即開口154，其後成為經由各向異性導電膜等連接有FPC等之連接器214之區域，故遠遠大於形成有連接電極234之區域、亦即接觸孔208之面積。將前者設為連接器214之端子節距之前後，例如寬度為10 μm至50 μm，長度為1 mm至2 mm等之尺寸，相對於此，後者只要為數μm至10數μm左右即為充分。針對開口154，在連接器214之安裝步驟上，在細微化方面有限制，但接觸孔208只要在此處所連接之導電層彼此(此處為第1端子配線210、連接電極234、及第1配線206)以充分低之接觸電阻連接之程度即可，可為最小限度。 在將來自發光元件160之發光自第2電極166取出時，第1電極162以反射可視光之方式構成。該情形下，對於第1電極162使用銀或鋁等之反射率高之金屬或其合金。或在包含該等之金屬或合金之膜上，形成具有透光性之導電性氧化物之膜。作為導電氧化物可列舉ITO或IZO等。在將來自發光元件160之發光自第1電極162取出時，使用ITO或IZO形成第1電極162即可。 在本實施形態中，第1電極162、及連接電極234、236係在無機絕緣膜150上形成。因此，例如可行的是，以覆蓋開口154、接觸孔152、208之方式形成上述金屬之膜，其後形成包含透過可視光之導電氧化物之膜，進行利用蝕刻之加工而形成第1電極162、及連接電極234、236。或，可行的是，以覆蓋開口154、接觸孔152、208之方式將導電氧化物之膜、上述金屬之膜、導電氧化物之膜依次積層，其後進行蝕刻加工。或，可行的是，以覆蓋開口154、接觸孔152、208之方式形成導電性氧化物，其後以選擇性覆蓋接觸孔152之方式形成導電氧化物之膜/上述金屬之膜/導電氧化物之膜之積層膜。 其次，以覆蓋第1電極162端部之方式形成分隔壁168(圖18B)。利用分隔壁168，可吸收起因於第1電極162等之階差，且可使相鄰之子像素之第1電極162彼此電性絕緣。分隔壁168可使用環氧樹脂或丙烯酸樹脂等之平坦化膜114可使用之材料，利用濕式成膜法而形成。 其次，以覆蓋第1電極162與分隔壁168之方式形成發光元件160之功能層164、及第2電極166(圖18B)。功能層164主要包含有機化合物，可應用噴墨法或旋轉塗佈法等之濕式成膜法、或蒸著等之乾式成膜法而形成。 在將來自發光元件160之發光自第1電極162取出時，作為第2電極166，使用鋁或鎂、銀等之金屬或該等之合金即可。相反地，在將來自發光元件160之發光自第2電極166取出時，作為第2電極166，使用ITO等之具有透光性之導電性氧化物等即可。或，可將包含上述之金屬之膜以透過可視光之程度之厚度形成。該情形下，可進一步積層具有透光性之導電性氧化物。 其次，形成密封膜180。如圖19A所示般，首先覆蓋發光元件160及連接電極234、236之方式形成第1無機膜182。第1無機膜182可包含例如氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等之無機材料，可以與基底膜106相同之方法形成。 接著形成有機膜184(圖19A)。有機膜184可含有包含丙烯酸樹脂或聚矽氧烷、聚醯亞胺、聚酯等之有機樹脂。又，如圖19A所示般，可以如吸收起因於分隔壁168之凹凸、且賦予平坦之面之厚度來形成。有機膜184較佳的是選擇性地形成在顯示區域102內。亦即，有機膜184較佳的是以不與連接電極234、236重合之方式形成。有機膜184可利用噴墨法等之濕式成膜法而形成。或，亦可藉由將成為上述高分子材料之原料之低聚物在減壓下設為霧狀或氣體狀，將其噴吹於第1無機膜182，其後將低聚物聚合而形成有機膜184。 其後，形成第2無機膜186(圖19A)。第2無機膜186可具有與第1無機膜182相同之構造，且可利用相同之方法形成。第2無機膜186亦可以不僅覆蓋在有機膜184上，還覆蓋連接電極234、236之方式形成。藉此，可利用第1無機膜182與第2無機膜186將有機膜184密封。 接著，形成有機絕緣膜190(圖19B)。有機絕緣膜190可包含與密封膜180之有機膜184相同之材料，且可以與其相同之方法形成。有機絕緣膜190較佳的是，如圖19B所示般，以在顯示區域102內選擇性地覆蓋第1無機膜182與第2無機膜186彼此相接之區域、且不與連接電極234、236重合之方式形成。接著，將有機絕緣膜190用作遮罩，將自有機絕緣膜190露出之第1無機膜182與第2無機膜186利用蝕刻去除(圖20A)。藉此，在配置在顯示區域102外之接觸孔208及開口154處，分別露出連接電極234、236。此時，無機絕緣膜150亦有一部分被蝕刻而厚度變小之情形。 經由以上之製程，形成第1層110。 ［2.第2層］ 此後，形成包含觸控感測器200之第2層112。具體而言，係在有機絕緣膜190上形成第1觸控電極202(圖20B)。第1觸控電極202可包含金屬(0價金屬)為主成分，作為金屬可列舉鈦或鋁、鉬、鎢、鉭、鉻、銅、及該等之合金等。在使用CVD法或濺射法在基板104之大致整面上形成包含該等之金屬或合金之膜之後，形成抗蝕劑，可利用蝕刻(亦即光微影製程)，將具有精密之圖案之第1觸控電極202以網狀之配線而形成。 另外，在第1觸控電極202與第2觸控電極204存在於同一層內時，將第1觸控電極202與第2觸控電極204同時形成即可。此外，第1觸控電極202與第2觸控電極204可使用具有透光性之導電性氧化物而形成。 接著，在第1觸控電極202上形成層間絕緣膜246(圖20B)。層間絕緣膜246可利用與有機膜184相同之材料、及方法而形成。與平坦化膜114等不同之處為，在進行例如烘烤處理等時，不使用高溫之點。由於在此時點已經形成有包含有機化合物之功能層164，故在有機化合物不分解之程度的溫度下進行處理係所企盼者。在第1觸控電極202與第2觸控電極204存在於同一層內時，在第1觸控電極202與第2觸控電極204之上以覆蓋該等之方式形成層間絕緣膜246。 此後，在層間絕緣膜246形成開口，與以覆蓋開口之方式形成第2觸控電極204之同時形成第1配線206。開口可在使用例如感光性樹脂等形成層間絕緣膜246時形成。第1配線206以覆蓋接觸孔208之方式形成，藉此，第1觸控電極202與第1端子配線210電性連接(圖21)。第1配線206與第2觸控電極204可使用與第1觸控電極202相同之方法、材料而形成。 在第1觸控電極202與第2觸控電極204存在於同一層內時，在層間絕緣膜246不僅形成用於連接第1配線206與第1觸控電極202、或第1配線206與第2觸控電極204之開口，還形成用於連接金剛石電極240彼此之開口244。其後，同時形成橋接配線248與第1配線206。此時亦相同地，第1配線206可使用鈦或鋁、鉬、鎢、鉭、鉻、銅、及該等之合金等應用CVD法或濺射法而形成。 經由以上之製程，形成第2層112。 ［3.其他之層］ 其後，形成有機保護膜266、圓偏光板260、及覆蓋膜268。接著，藉由將連接器214在開口154使用各向異性導電膜252等予以連接，可形成圖8所示之顯示裝置100。有機保護膜266可包含聚酯、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等之高分子材料，可應用印刷法或層疊法等來形成。覆蓋膜268亦可與有機保護膜266相同地包含高分子材料，除了上述之高分子材料以外，還可應用聚烯烴、聚醯亞胺等之高分子材料。 雖未圖示，在對顯示裝置100賦予可撓性之情形下，可行的是，例如在形成連接器214之後、在形成圓偏光板260之後、或在形成有機保護膜266之後，自基板104側照射雷射等之光而使基板104與基材間之接著力降低，其後，利用物理性之力在該等之界面將基板104剝離。 如本實施形態所述般，觸控感測器200係由複數個第1觸控電極202與複數個第2觸控電極204構成。複數個第1觸控電極202與複數個第2觸控電極204之各者係網狀之金屬配線，金屬配線可經由光微影製程形成。因此，可形成具有精密之布局之第1觸控電極202、第2觸控電極204。 作為本發明之實施方式，上述之各實施方式只要不互相矛盾，可適當地組合而實施。又，以各實施形態之顯示裝置為基礎，由熟悉此項技術者適當地進行構成要素之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之要旨，皆包含於本發明之範圍內。 在本說明書中，作為揭示例主要例示了EL顯示裝置之情形，但作為其他之應用例，亦可列舉其他之自發光型顯示裝置、液晶顯示裝置、或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等所有平板型顯示裝置。又，可不受特別限定而適用於中小型以至大型。 即便是與由上述各實施形態之態樣所帶來之作用效果不同之其他作用效果，若係由本說明書之記載顯而易知者，或由熟悉此項技術者可容易地預測者，應當理解為係本發明所帶來之作用效果。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧顯示區域
104‧‧‧基板
106‧‧‧基底膜
108‧‧‧層間膜
110‧‧‧第1層
112‧‧‧第2層
114‧‧‧平坦化膜
120‧‧‧像素
120_2‧‧‧像素
122‧‧‧第3端子
124‧‧‧IC晶片
126‧‧‧掃描線驅動電路
130‧‧‧子像素/第1子像素
132‧‧‧子像素/第2子像素
134‧‧‧子像素/第3子像素
140‧‧‧電晶體
142‧‧‧半導體膜
142a‧‧‧通道區域
142b‧‧‧源極/汲極區域
144‧‧‧閘極絕緣膜
146‧‧‧閘極電極
148‧‧‧源極/汲極電極
150‧‧‧無機絕緣膜
152‧‧‧接觸孔
154‧‧‧開口
160‧‧‧發光元件
162‧‧‧第1電極(像素電極)
164‧‧‧功能層
166‧‧‧第2電極(對向電極)
168‧‧‧分隔壁
170‧‧‧層
172‧‧‧層
174‧‧‧層
180‧‧‧密封膜(鈍化膜)
182‧‧‧層(第1無機膜)
184‧‧‧層/膜(有機膜)
186‧‧‧層(第2無機膜)
188‧‧‧圓
190‧‧‧有機絕緣膜
200‧‧‧觸控感測器
202‧‧‧第1觸控電極
203‧‧‧虛設電極
204‧‧‧第2觸控電極
206‧‧‧第1配線
208‧‧‧接觸孔
210‧‧‧第1端子配線
212‧‧‧第1端子
214‧‧‧連接器
216‧‧‧第2配線
218‧‧‧接觸孔
220‧‧‧第2端子配線
222‧‧‧第2端子
234‧‧‧連接電極
236‧‧‧連接電極
240‧‧‧四角形區域(金剛石電極)
242‧‧‧連接區域
244‧‧‧開口
246‧‧‧層間絕緣膜
248‧‧‧橋接配線
250‧‧‧開口
252‧‧‧各向異性導電膜
254‧‧‧突起部
256‧‧‧邊/第1邊
258‧‧‧邊/第2邊
260‧‧‧圓偏光板
262‧‧‧1/4λ板
264‧‧‧直線偏光板
266‧‧‧有機保護膜
268‧‧‧覆蓋膜
301‧‧‧虛線圓
A-A’‧‧‧鏈線
B-B’‧‧‧鏈線
C-C’‧‧‧鏈線
D-D’‧‧‧鏈線
E-E’‧‧‧鏈線
Lo‧‧‧長度
Lp‧‧‧長度
θ1‧‧‧角度
θ2‧‧‧角度
圖1A、圖1B係本發明之實施形態之顯示裝置之俯視示意圖。 圖2係顯示本發明之實施形態之顯示裝置之構成之示意圖。 圖3A至圖3C係本發明之實施形態之顯示裝置之像素之示意圖。 圖4A、圖4B係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極之俯視示意圖。 圖5A、圖5B係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極之剖視示意圖。 圖6係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極之俯視示意圖。 圖7A至圖7C係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極之剖視與俯視示意圖。 圖8係本發明之實施形態之顯示裝置之剖視示意圖。 圖9係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極與像素之布局圖。 圖10係本發明之實施形態之顯示裝置之剖視示意圖。 圖11係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極與像素之布局圖。 圖12係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極與像素之布局圖。 圖13係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極與像素之布局圖。 圖14係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極與像素之布局圖。 圖15A、圖15B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖16A、圖16B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖17A、圖17B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖18A、圖18B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖19A、圖19B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖20A、圖20B係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖21係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖22係說明本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法之剖視示意圖。 圖23係本發明之實施形態之顯示裝置之觸控電極之俯視示意圖。
202‧‧‧第1觸控電極
204‧‧‧第2觸控電極
242‧‧‧連接區域
244‧‧‧開口
248‧‧‧橋接配線
250‧‧‧開口
A-A’‧‧‧鏈線
B-B’‧‧‧鏈線

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置，其具有：顯示區域，該顯示區域包含構成為發出第1光之複數個第1子像素、構成為發出第2光之複數個第2子像素、及構成為發出第3光之複數個第3子像素； 分隔壁，其夾在前述第1子像素、前述第2子像素、前述第3子像素中相鄰之二個子像素之間； 前述第1子像素、前述第2子像素、前述第3子像素、及前述分隔壁上之密封膜； 第1觸控電極，其與前述分隔壁重合且沿著前述分隔壁，及 第2觸控電極，其與前述分隔壁重合且沿著前述分隔壁，並與前述第1觸控電極交叉；且 前述第1光、前述第2光、前述第3光之顏色互不相同， 前述第1觸控電極包含與前述第2觸控電極以同一層形成之部分， 前述第1觸控電極與前述第2觸控電極各自具有複數個開口， 在與前述開口之一者重合之區域，前述第1子像素之數目、前述第2子像素之數目、及前述第3子像素之數目中之一者與其他二者不同。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中在前述第1觸控電極、及前述第2觸控電極上進一步具有圓偏光板。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述密封膜具有無機膜與有機膜之積層，且 在前述密封膜上，進一步具有與前述密封膜相接之第2有機膜。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中具有：橋接配線、及 前述橋接配線、前述第1觸控電極及前述第2觸控電極上之層間絕緣膜，且 前述第2觸控電極具有複數個電極， 在前述第1觸控電極與前述第2觸控電極交叉之區域，相鄰之前述電極經由前述橋接配線連接。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中前述第1觸控電極及前述第2觸控電極分別與第1配線及第2配線電性連接，且 前述第1配線及前述第2配線與前述橋接配線存在於同一層內。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中進一步具有電晶體，該電晶體與前述複數個第1子像素、前述複數個第2子像素、前述複數個第3子像素之至少一者電性連接，且具有閘極電極與源極/汲極電極， 在前述顯示區域外，前述第1配線及前述第2配線分別與第1端子配線及第2端子配線電性連接， 前述第1端子配線及前述第2端子配線係與前述閘極電極及前述源極/汲極電極之任一者存在於同一層內。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中前述第1端子配線之一部分與前述第2端子配線之一部分露出而與連接器電性連接。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1觸控電極與前述第2觸控電極具有彼此交互之複數個四角形區域及複數個連接區域，且 前述複數個四角形區域各自之端部具有不形成前述開口之部分。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中以前述第1子像素之一者、前述第2子像素之一者、前述第3子像素之一者中至少二者形成像素，且 前述開口之一個邊之長度Lo 為前述像素之一個邊之長度Lp 之(n+k/m)倍， 前述長度Lo 之向量與前述長度Lp 之向量為平行， n為任意之自然數， m為前述像素所包含之前述子像素在垂直於前述長度Lp 之前述向量之方向上形成之行之數目， k為小於m之自然數。
  10. 一種顯示裝置，其具有：顯示區域，該顯示區域包含構成為發出第1光之複數個第1子像素、構成為發出第2光之複數個第2子像素、及構成為發出第3光之複數個第3子像素； 分隔壁，其夾在前述第1子像素、前述第2子像素、前述第3子像素中相鄰之二個子像素之間； 前述第1子像素、前述第2子像素、前述第3子像素、及前述分隔壁上之密封膜； 第1觸控電極，其與前述分隔壁重合且沿前述分隔壁； 前述第1觸控電極上之層間絕緣膜；及 第2觸控電極，其位於前述層間絕緣膜上，與分隔壁重合且沿著前述分隔壁，並與前述第1觸控電極交叉；且 前述第1光、前述第2光、前述第3光之顏色互不相同， 前述第1觸控電極與前述第2觸控電極各自具有複數個開口， 在與前述開口之一者重合之區域，前述第1子像素之數目、前述第2子像素之數目、及前述第3子像素之數目中之一者與其他二者不同。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其中在前述第2觸控電極上進一步具有圓偏光板。
  12. 如請求項10之顯示裝置，其中前述密封膜具有無機膜與有機膜之積層，且 在前述密封膜上進一步具有與前述密封膜相接之第2有機膜。
  13. 如請求項10之顯示裝置，其中前述第1觸控電極及前述第2觸控電極分別與第1配線及第2配線電性連接，且 前述第1配線及前述第2配線係與前述第2觸控電極存在於同一層內。
  14. 如請求項13之顯示裝置，其中具有電晶體，該電晶體與前述複數個第1子像素、前述複數個第2子像素、前述複數個第3子像素之至少一者電性連接，且具有閘極電極與源極/汲極電極， 在前述顯示區域外，前述第1配線及前述第2配線分別與第1端子配線及第2端子配線電性連接， 前述第1端子配線及前述第2端子配線係與前述閘極電極及前述源極/汲極電極之任一者存在於同一層內。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中前述第1端子配線之一部分與前述第2端子配線之一部分露出而與連接器電性連接。
  16. 如請求項10之顯示裝置，其中前述第1觸控電極與前述第2觸控電極具有彼此交互之複數個四角形區域及複數個連接區域，且 前述複數個四角形區域各自之端部具有不形成前述開口之部分。
  17. 如請求項10之顯示裝置，其中以前述第1子像素之一者、前述第2子像素之一者、前述第3子像素之一者中至少二者形成像素，且 前述開口之一個邊之長度Lo 為前述像素之一個邊之長度Lp 之(n+k/m)倍， 前述長度Lo 之向量與前述長度Lp 之向量為平行， n為任意之自然數， m為前述像素所包含之前述子像素形成於與前述長度Lp 之前述向量垂直之方向上之行之數目， k為小於m之自然數。
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