JP2017220174A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017220174A JP2017220174A JP2016116512A JP2016116512A JP2017220174A JP 2017220174 A JP2017220174 A JP 2017220174A JP 2016116512 A JP2016116512 A JP 2016116512A JP 2016116512 A JP2016116512 A JP 2016116512A JP 2017220174 A JP2017220174 A JP 2017220174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- electrodes
- layer
- banks
- detection electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 72
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】薄さ、低コスト及び高い光学特性を備え持った構造で、表示素子への影響を考慮して、タッチセンサを表示装置に内蔵することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、ストライプ状で第1方向D1に延びる複数の第1領域28にそれぞれ配列されて第1方向D1に延びる複数の第1検出電極32と、格子状領域26に配置されて複数の第1検出電極32を覆って複数の画素電極24の周縁部に載る絶縁層34と、格子状領域26に含まれるストライプ状で第2方向D2に延びる複数の第2領域30に沿って封止層46の上にそれぞれ配列されて第2方向D2に延びる複数の第2検出電極44と、を有する。複数の共通電極42のそれぞれは、複数の第2バンク38に載って第1方向D1に連続する。
【選択図】図2
【解決手段】表示装置は、ストライプ状で第1方向D1に延びる複数の第1領域28にそれぞれ配列されて第1方向D1に延びる複数の第1検出電極32と、格子状領域26に配置されて複数の第1検出電極32を覆って複数の画素電極24の周縁部に載る絶縁層34と、格子状領域26に含まれるストライプ状で第2方向D2に延びる複数の第2領域30に沿って封止層46の上にそれぞれ配列されて第2方向D2に延びる複数の第2検出電極44と、を有する。複数の共通電極42のそれぞれは、複数の第2バンク38に載って第1方向D1に連続する。
【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置に関する。
スマートホンなどのモバイルディスプレイのタッチパネルには、静電容量方式が広く採用されている(特許文献1)。タッチパネルは、従来ディスプレイとは別に形成することが多かったが、最近は、薄さ、低コスト、光学特性の優位性から内蔵化が要望されている。
タッチパネルは、特に静電容量方式にあっては、表示面の近く、つまり、ディスプレイの素子の上方に配置することが望ましい。しかし、タッチパネルの電極をすべてディスプレイの上方に配置した構造は、別体のタッチパネルを搭載したのと同様に、薄さ、コスト及び光学特性において劣る。また、有機エレクトロルミネッセンス素子のように水分及び高温を避けるべき素子への影響を考慮する必要がある。
本発明は、薄さ、低コスト及び高い光学特性を備え持った構造で、表示素子への影響を考慮して、タッチセンサを表示装置に内蔵することを目的とする。
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、隣り合う前記画素電極の間隔によって形成された格子状領域と、前記格子状領域に含まれるストライプ状で第1方向に延びる複数の第1領域にそれぞれ配列されて前記第1方向に延びる複数の第1検出電極と、前記格子状領域に配置されて、前記複数の第1検出電極を覆い、前記複数の画素電極の周縁部に載る絶縁層と、前記複数の画素電極に載る発光層と、前記複数の第1検出電極との重畳を避けて、前記複数の画素電極の上方で前記発光層にそれぞれ載る複数の共通電極と、前記複数の共通電極を覆う封止層と、前記格子状領域に含まれるストライプ状で第2方向に延びる複数の第2領域に沿って前記封止層の上にそれぞれ配列されて前記第2方向に延びる複数の第2検出電極と、を有し、前記絶縁層は、前記複数の第1領域に沿ってそれぞれ前記第1方向に連続的に延びる複数の第1バンクと、前記複数の第2領域に沿ってそれぞれ隣同士の前記第1バンクに接続する複数の第2バンクと、を有し、前記複数の共通電極のそれぞれは、前記複数の第2バンクに載って前記第1方向に連続することを特徴とする。
本発明によれば、複数の第1検出電極及び複数の画素電極は、同層に配置することができるので薄型化が可能であり、同時に形成すれば低コスト化を図ることができ、発光層に影響を与えないように先に形成することも可能である。また、第1検出電極は、隣同士の画素電極の間にあって発光領域と重ならないため、光学特性にも優れている。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、第1基板10を有する。第1基板10には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ12が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、第1基板10を有する。第1基板10には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ12が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
図2は、図1においてIIで指す部分を示す拡大図である。図3は、図2に示す表示装置のIII−III線断面の拡大図である。第1基板10は、樹脂又はガラスからなる。第1基板10には、絶縁膜が形成され、その上に半導体層14が形成されている。半導体層14にソース電極16及びドレイン電極18が電気的に接続し、半導体層14の上方にはゲート絶縁膜を介してゲート電極20がある。半導体層14、ソース電極16、ドレイン電極18及びゲート電極20によって薄膜トランジスタ22が構成される。
薄膜トランジスタ22に接続するように、複数の画素電極24が設けられている。複数の画素電極24は、図2に示すようにマトリクス状に配列されており、格子状領域26によって隣同士の間隔があく。格子状領域26は、ストライプ状で第1方向D1に延びる複数の第1領域28を含む。格子状領域26は、ストライプ状で第2方向D2に延びる複数の第2領域30を含む。第1方向D1と第2方向D2は交差(例えば直交)する。
複数の第1領域28には、それぞれ、複数の第1検出電極32が配列されている。第1検出電極32は、第2方向D2に隣同士の画素電極24の間にあり、第1方向D1に延びる。図3に示すように、複数の画素電極24と複数の第1検出電極32とは、同層上にあり、同じ材料から構成されている。したがって、画素電極24と第1検出電極32は、同時に形成することができる。
図4は、図2に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。図5は、図2に示す表示装置のV−V線断面の拡大図である。第1検出電極32上および複数の画素電極24の周縁部には絶縁層34が載って、後述する共通電極42との絶縁を図っている。絶縁層34は、複数の第1バンク36を有する。第1バンク36は、第1領域28に沿って第1方向D1に連続的に延びる。第1バンク36は、第1領域28に載り、第1領域28からはみ出して画素電極24の周縁部に載る。絶縁層34は、複数の第2バンク38を有する。第2バンク38は、第2領域30に載り、第2領域30からはみ出して画素電極24の周縁部に載る。第2バンク38は、第2領域30に沿って隣同士の第1バンク36に接続する。複数の第1バンク36及び複数の第2バンク38は、格子状になっている。
図4と図5を比較して分かるように、第2バンク38は、第1バンク36よりも高さが低い。このような高さの異なる第1バンク36及び第2バンク38は、ハーフトーンマスクを使用した露光を含むフォトリソグラフィによって形成することができる。絶縁層34は、複数の画素電極24を相互に隔てる格子状領域26(図2参照)に配置され、画素電極24の周縁部に載り、画素電極24の一部(例えば中央部)を開口させる。また、絶縁層34(複数の第1バンク36)は、複数の第1検出電極32を覆う。
画素電極24の上に発光層40が設けられている。発光層40は、画素電極24ごとに別々に(分離して)設けられ、各画素に対応して青、赤、緑で発光層40が発光するようになる。発光層40は、第1検出電極32との重畳を少なくとも部分的に(あるいは表示領域では完全に)避けている。
画素電極24の上で、発光層40に共通電極42が載る。複数の共通電極42のそれぞれは、図5に示すように、複数の第2バンク38に載って第1方向D1に連続する。つまり、第1方向D1に隣り合う発光層40の上では、共通電極42が連続する。これに対して、図4に示すように、第2方向D2に隣り合う発光層40の上にある隣り合う共通電極42の間には、絶縁層34(第1バンク36)がある。第2方向D2に隣り合う共通電極42は、少なくとも表示領域では全体的に分離されている。この形状により、共通電極42は、第1検出電極32との重畳を避けるようになる。
例えば、導電膜を絶縁層34の全体を覆うように形成し、発光層40及び第2バンク38よりも高い位置にある第1バンク36の上で、導電膜を機械的研磨又は機械的化学的研磨して除去し、発光層40の上には導電膜を残すことで、複数の共通電極42を形成することができる。
発光層40並びに発光層40を挟む画素電極24及び共通電極42を含む発光素子層43が構成される。発光層40は、画素電極24及び共通電極42に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層40と画素電極24との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層40と共通電極42との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
発光素子層43は、共通電極42に積層する封止層46によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層46は、SiNなどの無機膜を含み、一対の無機層の間に樹脂などの有機膜を挟む構造であってもよい。封止層46は、複数の共通電極42を覆う。
封止層46の上には、複数の第2検出電極44が配置されている。第2検出電極44は、図2に示すように、第2領域30に沿って第2方向D2に延びる。例えば、複数の第2領域30の直上に、それぞれ、複数の第2検出電極44が配置される。第2検出電極44は、第2領域30からはみ出して、第2バンク38又は画素電極24の周縁部と重畳してもよい。第2検出電極44は、酸化インジウムスズなどの透明導電膜で形成してもよいし、金属で形成してもよい。第2検出電極44の周縁をジグザグに形成すれば、第2検出電極44が視認されにくくなり、画像表示の妨げとならないようになる。
複数の第1検出電極32及び複数の第2検出電極44は、指などの導電体の接近によるタッチを検出するためのものであり、例えば、相互容量方式の原理が採用される。具体的には、複数の第1検出電極32のそれぞれにパルスを印加し、電界を発生させる。第1検出電極32の上には絶縁層34および封止層46があり、これらを誘電体として第1検出電極32と第2検出電極44の間に静電容量が形成される。第1検出電極32と第2検出電極44の間に形成される静電容量の変化を検知することで、タッチの有無を検出することができる。
複数の第2検出電極44の上には第2基板47がある。第2基板47は、例えば樹脂からなるフィルムである。複数の第2検出電極44に第2基板47を貼り付けてもよい。あるいは、複数の第2検出電極44を備える第2基板47を用意し、これを封止層46に貼り付けてもよい。
本実施形態によれば、複数の第1検出電極32及び複数の画素電極24は、同層に配置することができるので薄型化が可能であり、同時に形成すれば低コスト化を図ることができ、発光層40に影響を与えないように先に形成することも可能である。また、第1検出電極32は、隣同士の画素電極24の間にあって発光領域と重ならないため、光学特性にも優れている。
[第2の実施形態]
図6は、本発明の第2の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、封止層246と複数の第2検出電極244との間に、外光の反射を低減するための円偏光板248が配置されている。この構造は、複数の第2検出電極244が形成された円偏光板248を用意し、これを封止層246に貼り合わせることで得られる。その他の内容は、上述した第1の実施形態で説明した内容が該当する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、封止層246と複数の第2検出電極244との間に、外光の反射を低減するための円偏光板248が配置されている。この構造は、複数の第2検出電極244が形成された円偏光板248を用意し、これを封止層246に貼り合わせることで得られる。その他の内容は、上述した第1の実施形態で説明した内容が該当する。
[第3の実施形態]
図7は、本発明の第3の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、保護層350が、複数の共通電極342のそれぞれを覆っている。保護層350は、光透過性を有し、樹脂で形成することができ、形成時に表面張力で表面を湾曲させることでレンズを構成してもよい。保護層350は、共通電極342の全体を覆っている。製造プロセスでは、共通電極342にパターニングするための導電膜の上に、共通電極342の形状で保護層350を設け、保護層350をエッチングマスクとして導電膜をエッチングして共通電極42を形成する。したがって、保護層350の周縁は、複数の共通電極342のそれぞれの周縁と一致する。なお、保護層350の形成にはインクジェット方式を適用することができる。その他の内容は、上述した第1の実施形態で説明した内容が該当する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、保護層350が、複数の共通電極342のそれぞれを覆っている。保護層350は、光透過性を有し、樹脂で形成することができ、形成時に表面張力で表面を湾曲させることでレンズを構成してもよい。保護層350は、共通電極342の全体を覆っている。製造プロセスでは、共通電極342にパターニングするための導電膜の上に、共通電極342の形状で保護層350を設け、保護層350をエッチングマスクとして導電膜をエッチングして共通電極42を形成する。したがって、保護層350の周縁は、複数の共通電極342のそれぞれの周縁と一致する。なお、保護層350の形成にはインクジェット方式を適用することができる。その他の内容は、上述した第1の実施形態で説明した内容が該当する。
[第4の実施形態]
図8は、本発明の第4の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、導電層452が、複数の第1バンク436のそれぞれの上に積層しており、第1検出電極432を覆うようになっている。ただし、導電層452は、隣同士の共通電極442から分離して、電気的に孤立している(配線や電極に接続されない)ので、第1検出電極432からの電界を遮蔽しない。
図8は、本発明の第4の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本実施形態では、導電層452が、複数の第1バンク436のそれぞれの上に積層しており、第1検出電極432を覆うようになっている。ただし、導電層452は、隣同士の共通電極442から分離して、電気的に孤立している(配線や電極に接続されない)ので、第1検出電極432からの電界を遮蔽しない。
本実施形態では、第1バンク436の側面が急峻に立ち上がるようになっている。例えば、側面の傾斜角度αは、少なくとも80°以上(例えば90°)であることが望ましく、90°を超えてもよい。この形状であるため、共通電極442にパターニングするための導電膜を全面に設けたときに、この導電膜は、第1バンク436の側面に付着せずに段切れする。これにより、第1バンク436の上に導電層452を孤立させて残すことができる。その他の内容は、上述した第1の実施形態で説明した内容が該当する。
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 第1基板、12 集積回路チップ、14 半導体層、16 ソース電極、18 ドレイン電極、20 ゲート電極、22 薄膜トランジスタ、24 画素電極、26 格子状領域、28 第1領域、30 第2領域、32 第1検出電極、34 絶縁層、36 第1バンク、38 第2バンク、40 発光層、42 共通電極、43 発光素子層、44 第2検出電極、46 封止層、47 第2基板、244 第2検出電極、246 封止層、248 円偏光板、342 共通電極、350 保護層、432 第1検出電極、436 第1バンク、442 共通電極、452 導電層。
Claims (7)
- 複数の画素電極と、
隣り合う前記画素電極の間隔によって形成された格子状領域と、
前記格子状領域に含まれるストライプ状で第1方向に延びる複数の第1領域にそれぞれ配列されて前記第1方向に延びる複数の第1検出電極と、
前記格子状領域に配置されて前記複数の第1検出電極を覆って前記複数の画素電極の周縁部に載る絶縁層と、
前記複数の画素電極に載る発光層と、
前記複数の第1検出電極との重畳を避けて前記複数の画素電極の上方で前記発光層にそれぞれ載る複数の共通電極と、
前記複数の共通電極を覆う封止層と、
前記格子状領域に含まれるストライプ状で第2方向に延びる複数の第2領域に沿って前記封止層の上にそれぞれ配列されて前記第2方向に延びる複数の第2検出電極と、
を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第1領域に沿ってそれぞれ前記第1方向に連続的に延びる複数の第1バンクと、前記複数の第2領域に沿ってそれぞれ隣同士の前記第1バンクに接続する複数の第2バンクと、を有し、
前記複数の共通電極のそれぞれは、前記複数の第2バンクに載って前記第1方向に連続することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記複数の第2バンクは、前記複数の第1バンクよりも高さが低いことを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は2に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極と、前記複数の第1検出電極とは、同層上にあることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記複数の共通電極のそれぞれを覆う保護層をさらに有し、
前記保護層の周縁は、前記複数の共通電極のそれぞれの周縁と一致することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記複数の第1バンクのそれぞれの上に積層し、隣同士の前記共通電極から分離して、電気的に孤立する導電層をさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記封止層と前記複数の第2検出電極との間に円偏光板をさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記発光層は、前記複数の第1検出電極との重畳を避けていることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016116512A JP2017220174A (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 表示装置 |
CN201710338700.5A CN107491197B (zh) | 2016-06-10 | 2017-05-15 | 显示装置 |
US15/610,754 US10355058B2 (en) | 2016-06-10 | 2017-06-01 | Display device |
KR1020170071588A KR101961019B1 (ko) | 2016-06-10 | 2017-06-08 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016116512A JP2017220174A (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017220174A true JP2017220174A (ja) | 2017-12-14 |
Family
ID=60574224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016116512A Pending JP2017220174A (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10355058B2 (ja) |
JP (1) | JP2017220174A (ja) |
KR (1) | KR101961019B1 (ja) |
CN (1) | CN107491197B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180077747A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
KR20210104392A (ko) * | 2020-02-17 | 2021-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7462910B1 (en) * | 1998-10-14 | 2008-12-09 | International Rectifier Corporation | P-channel trench MOSFET structure |
WO2007080672A1 (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体装置及び表示装置 |
US7993960B2 (en) * | 2006-12-13 | 2011-08-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
US20120306771A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-06 | Apple Inc. | Touch panel display with improved pattern visibility |
US9720295B2 (en) * | 2011-09-27 | 2017-08-01 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
CN102841716B (zh) * | 2012-08-21 | 2015-08-05 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置 |
KR101932126B1 (ko) | 2012-09-24 | 2018-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치 |
JP6093543B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-03-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP5855604B2 (ja) | 2013-02-23 | 2016-02-09 | 日本写真印刷株式会社 | 押圧力測定を備えたタッチパネル |
JP6253923B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
CN104793804B (zh) * | 2015-05-12 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板、显示设备及其制造方法和驱动方法 |
KR102324830B1 (ko) * | 2016-01-26 | 2021-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2016
- 2016-06-10 JP JP2016116512A patent/JP2017220174A/ja active Pending
-
2017
- 2017-05-15 CN CN201710338700.5A patent/CN107491197B/zh active Active
- 2017-06-01 US US15/610,754 patent/US10355058B2/en active Active
- 2017-06-08 KR KR1020170071588A patent/KR101961019B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10355058B2 (en) | 2019-07-16 |
KR101961019B1 (ko) | 2019-03-21 |
US20170358631A1 (en) | 2017-12-14 |
CN107491197A (zh) | 2017-12-19 |
KR20170140093A (ko) | 2017-12-20 |
CN107491197B (zh) | 2020-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI651877B (zh) | 顯示裝置 | |
US20180197924A1 (en) | Touch sensor and display device having touch sensor | |
CN107797689B (zh) | 显示装置 | |
US10593742B2 (en) | Display device | |
WO2018142739A1 (ja) | 表示装置 | |
CN107463287B (zh) | 显示装置 | |
JP7119180B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2018190331A (ja) | タッチセンサ及びタッチセンサを有する表示装置 | |
CN107452767B (zh) | 显示装置 | |
JP2017117594A (ja) | 有機el表示装置 | |
US11127810B2 (en) | Display device | |
JP6815173B2 (ja) | タッチセンサ及び表示装置 | |
US11489034B2 (en) | TFT array substrate and display device | |
KR101961019B1 (ko) | 표시 장치 | |
JP6742822B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7145992B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2019171873A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 |