TW201743139A - 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 - Google Patents

Abstract

曝光裝置EX，透過從液體供應機構10所供應之液體LQ與投影光學系統PL，將曝光用光EL照射於基板P上以將基板P曝光。其具備壓力調整機構90，供調整從液體供應機構10所供應之液體LQ之壓力。藉此，可良好地形成液浸區域，而能獲得高曝光精度及測量精度。

Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法

本發明，係有關透過投影光學系統與液體，將曝光用光照射於基板上以將基板曝光之曝光裝置、曝光方法及元件製造方法。

半導體元件或液晶顯示元件，係藉由將光罩上所形成之圖案轉印在感光性基板上之所謂光微影方法來製造。在此光微影步驟所使用之曝光裝置係具有：光罩載台(支持光罩)與基板載台(支持基板)，邊逐步移動光罩載台與基板載台，邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印至基板。近年來，為了對應元件圖案之更高積體化，而期望投影光學系統之更高解析度化。投影光學系統之解析度，係所使用之曝光波長越短、且投影光學系統之數值孔徑越大，則變成越高。因此，曝光裝置所使用之曝光波長係逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑亦增大。又，現在主流之曝光波長係KrF準分子雷射之248nm，進而更短波長之ArF準分子雷射之193nm亦正實用化。又，當進行曝光時，與解析度同樣，焦點深度(DOF)亦變成重要。解析度R、及焦點深度δ能分別用以下之公式來表示。

R=k1×λ/NA…(1)

δ=±k2×λ/NA2…(2)

在此，λ係曝光波長，NA係投影光學系統之數值孔徑，k1、k2係處理係數。由(1)式、(2)式可知，為了提高解析度R，若縮短曝光波長 λ來增大數值孔徑NA，則焦點深度δ會變小。

若焦點深度δ太小，則不易使基板表面與投影光學系統之像面對準，於曝光動作時會有聚焦裕度不足之虞。因此，就實質縮短曝光波長，且加大焦點深度之方法而言，例如：提案有國際公開第99/49504號公報所揭示之液浸法。該液浸法係用水或有機溶劑等液體，來填滿投影光學系統下面與基板表面之間，液體中之曝光用光之波長係利用空氣中之1/n(n係液體之折射率，通常為1.2~1.6左右)，來提高解析度，並且將焦點深度放大約n倍者。

然而，為了良好地進行透過液浸曝光處理或液體之各種光學測量處理，將液體之液浸區域形成所要狀態乃極為重要。例如：由於液浸區域之液體壓力變動，例如基板或基板載台之稍微變形，由於其變形，曝光精度和測量精度可能劣化。或是，若液體之壓力產生變動，則連接於該液體之投影光學系統之一部分(最靠像面側之光學元件等)會移位或振動，使投影至基板上之圖案像劣化，或透過投影光學系統及液體之測量精度劣化。

又，當為了形成液浸區域而供應液體時，在液浸區域之液體中，產生氣泡等氣體部分之可能性變高。若在液浸區域之液體中產生氣體部分，則會因該氣體部分產生下列之現象，即：用來將圖案像形成於基板上之曝光用光不能到達基板上、用來將圖案像形成於基板上之曝光用光不能到達基板上所要之位置、或測量光不能到達測量器、或測量光不能到達所要位置等，導致曝光精度及測量精度劣化。

又，使用液體供應機構及液體回收機構來進行液體之供應及回收，藉此將液體之液浸區域形成於基板上之情形，亦可能因液體供應機 構或液體回收機構之誤動作等，使曝光裝置發生異常，而發生液浸區域無法形成所要狀態之不良情況。例如：若液浸區域較既定之大小為大，則液體流出基板外側之可能性變高。又，依照基板載台之移動條件，有可能發生無法將液體良好地保持在投影光學系統之像面側，因此，亦在液浸區域產生氣體部分、或發生液體流出基板外側之不良情況。若液體流出，則由於其所流出之液體，在支持基板之基板載台周邊之機械元件等發生生銹，或引起載台驅動系統等漏電之不良狀況。又，若液體流出，則由於其所流出之液體之氣化，例如：由於基板之放置環境(溫度、溼度)變動，基板或基板載台發生熱變形，或因液體之氣化，在測量基板位置資訊等之各種測量光之光路上之氣體(空氣)發生晃動，使曝光精度或測量精度劣化。進而，若發生打雷或地震等天災或難以預測之意外，則會有曝光裝置之電源停電，而使液體回收裝置無法動作，因此會有前述液體流出之情形。

本發明為了解決上述習知之問題，其目的係提供良好地形成液浸區域，而能獲得高曝光精度及測量精度之曝光裝置、曝光方法及使用這些之元件製造方法。

為了解決上述問題，本發明係採用能對應實施形態所示之第1圖~第17圖之以下構成。但附加於各要件之括弧符號只不過是該要件之例示，不限定各要件者。

依本發明之第1形態，提供一種曝光裝置(EX)，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：用以將液體供應於基板上之液體供應機構(10)；投影光學系統(PL)；以及壓力調整機構 (90)，供調整該液體供應機構所供應之液體壓力。

依本發明，使用壓力調整機構(90)來調整液體供應機構(10)所供應之液體(LQ)之壓力，藉此能防止液體(LQ)之壓力變動所造成之基板(P)或基板載台(PST)之變形、或投影光學系統(PL、2)之移位或振動之產生。因此，能獲得高曝光精度及測量精度。

依本發明之第2形態，提供一種曝光裝置(EX)，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：投影光學系統(PL)；用來供應該液體之液體供應機構(10)；以及排氣機構(90、92)，係用來排出該投影光學系統像面側之氣體；該排氣機構之排氣口(98A、98B)係配置於，較該液體供應機構(10)之液體供應口(13A、13B)更靠近該投影光學系統(PL)之投影區域，邊藉由該排氣機構(90、92)進行氣體之排出，邊藉由該液體供應機構(10)開始供應液體。

依本發明，透過配置於投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)附近之排氣口(98A、98B)，邊進行投影光學系統(PL)像面側之氣體排出，邊藉由液體供應機構(10)開始供應液體(LQ)，藉此，因該排氣口(98A、98B)附近被負壓化，故所供應之液體(LQ)可順利地配置於被上述負壓化之負壓化區域。因此，能防止在形成於投影光學系統(PL)像面側之液浸區域(AR2)產生氣體部分之不良情況，能獲得高曝光精度及測量精度。

依本發明之第3形態，提供一種曝光裝置(EX)，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：投影光學系統(PL)；用來供應液體(LQ)之液體供應機構(10)；第1液體回收機構(20)，以投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)為基準，在液體供應機構(10)之液體供應 口(13A、13B)外側具有液體回收口(23A、23B)；以及第2液體回收機構(40)，係具有與第1液體回收機構(20)不同之驅動源(100B)，且以投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)為基準，在第1液體回收機構(20)之液體回收口(23A、23B)外側具有回收口(43A、43B)。

依本發明，由於在第1液體回收機構(20)之液體回收口(23A、23B)無法完全回收之液體(LQ)係透過第2液體回收機構(40)之液體回收口(43A、43B)來回收，故能防止液體(LQ)之流出。又，即使在驅動第1液體回收機構(20)之驅動源(100A)發生異常，因第2液體回收機構(40)係以另一驅動源(100B)驅動，故能用第2液體回收機構(40)來良好地回收液體(LQ)，故能防止液體(LQ)之流出。因此，能防止因液體(LQ)之流出所造成之曝光精度及測量精度之劣化。

依本發明之第4形態，提供一種曝光裝置(EX)，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：投影光學系統(PL)；用來供應該液體之液體供應機構(10)；用來回收該液體之液體回收機構(20)；以及用來保持該基板之基板載台(PST)；藉由該液體供應機構(10)和該液體回收機構(20)，在該基板載台(PST)上局部形成液浸區域(AR2)之狀態下，當該基板載台(PST)從第1位置朝第2位置大致直線地移動時，按照該第1位置與第2位置之間隔，使該基板載台之移動速度不同。

依本發明，例如：當第1位置與第2位置之間隔變長，基板載台(PST)移動長距離之情形，由於液體(LQ)流出，或液體(LQ)之乾涸或剝離等而產生氣體部分等，要將液體(LQ)良好地事先保持在投影光學系統(PL)之像面側雖有困難，但這種情形，藉由減慢基板載台(PST)之移動速度，而 能將液體(LQ)良好地保持在投影光學系統(PL)之像面側。因此，能防止液體(LQ)之流出或液浸區域之氣體部分之產生，故能防止因液體(LQ)之流出或氣體部分之產生等所造成之曝光精度及測量精度之劣化。另一方面，當第1位置與第2位置之間隔變短，基板載台(PST)移動距離不長之情形，則加快基板載台(PST)之移動速度，藉此能提高產能。

在本案中，所謂「基板載台(PST)上之液浸區域(AR2)」亦包含「保持於基板載台(PST)之基板(P)上之液浸區域(AR2)」。

依本發明之第5形態，提供一種曝光裝置(EX)，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：投影光學系統(PL)；用來供應該液體之液體供應機構(10)；用來回收該液體之液體回收機構(20)；以及用來保持該基板之基板載台(PST)；藉由該液體供應機構(10)和該液體回收機構(20)，在該基板載台(PST)上局部形成液浸區域(AR2)之狀態下，當該基板載台(PST)從第1位置朝第2位置大致直線地移動時，按照該基板載台從該第1位置朝該該第2位置之移動方向，使該基板載台之移動速度不同。

依本發明，例如：由於液體(LQ)之供應口(13)及回收口(23)之配置或大小，無法依照基板載台(PST)之移動方向將液體(LQ)良好地保持於投影光學系統(PL)之像面側，可能產生該液體(LQ)流出，或液浸區域(AR2)之液體(LQ)乾涸或剝離等而產生氣體部分等不良狀況，但按照基板載台(PST)之移動方向，使基板載台(PST)之移動速度不同，藉此能防止液體(LQ)之流出或產生氣體部分等不良情況，能防止曝光精度及測量精度之劣化。例如：當使基板載台(PST)朝液體回收力弱之方向移動之情形等，則減慢基板載台 (PST)之移動速度，藉此能將液體(LQ)良好地保持在投影光學系統(PL)之像面側。另一方面，例如：當把基板載台(PST)朝液體回收力或液體供應力強之方向移動之情形，則加速基板載台(PST)之移動速度，藉此能提高產能。

依本發明之第6形態，提供一種曝光裝置，係透過在基板(P)上產生之液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其具備：流路形成構件(70)，係具有光透過部(70T)且在內部形成有液體之流路(14、24、44、94、96)；以及液體供應裝置(10)，通過該流路形成構件(70)之流路，在基板(P)與流路形成構件(70)之間供應液體；供應於基板(P)與流路形成構件(70)間之液體壓力係依據通過該流路(94、96)所供應之液體流量來進行調節。該曝光裝置，因在流路形成構件與基板之間供應液體，故控制通過流路形成構件之流路所供應之液體流量，藉此能調節基板上之液體對基板所施加之壓力。

依本發明之第7形態，提供一種曝光方法，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其包含以下步驟：將液體(LQ)供應於基板(P)上；調整供應於基板上之液體(LQ)之壓力；以及透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光。依本發明，藉由調整所供應之液體壓力，可防止例如發生液體之壓力變動所造成之基板或基板載台之變形、移位、振動等。

依本發明之第8形態，提供一種曝光方法，係透過投影光學系統(PL)與液體(LQ)，將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其包含以下步驟：將液體(LQ)供應於基板上；配置於投影光學系統(PL)附近，在垂直方向(Z方向)上，於較投影光學系統(PL)之終端面(2A)為高之位置進 行排氣；以及透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光。藉由此曝光方法，在形成液浸區域之液體內，能防止產生氣泡狀之氣體部分之不良狀況。

依本發明之第9形態，提供一種曝光方法，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板曝光；其包含以下步驟：將該液體(LQ)供應於基板(P)上；對投影光學系統(PL)，在較液體所供應之位置為遠之位置，藉由第1及第2液體回收機構(20、40)來回收基板上之液體；以及透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光；且第1及第2液體回收機構之驅動電源(100A、100B)不同。

依本發明，即使驅動第1液體回收機構之驅動源發生異常，因第2液體回收機構能用別的驅動源來驅動，故能以第2液體回收機構來良好地回收液體，而能防止液體之流出。

依本發明之第10形態，提供一種曝光方法，係透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板(P)曝光；其包含以下步驟：透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上以將該基板(P)曝光；當不曝光基板時，將液體保持在基板上的狀態下將基板(P)從第1位置朝第2位置移動；按照該第1位置與第2位置之位置關係，來調整該基板從該第1位置朝該第2位置之移動速度。

依本發明，將基板例如以基板載台，從第1位置朝第2位置移動之情形，按照移動距離或移動方向來調節移動速度，藉此能將液體良好地保持在基板上。

依本發明之第11形態，提供一種元件製造方法，係使用第 1~6形態之曝光裝置來製造元件。又，依本發明之第12形態，提供一種元件製造方法，係使用第7~10形態之曝光方法來製造元件。

依本發明，由於能良好地形成液浸區域(AR2)，能獲得高的曝光精度及測量精度，故能製造具有所要性能之元件。

AR1‧‧‧投影區域

AR2‧‧‧液浸區域

AR3‧‧‧預備液浸區域

AX‧‧‧光軸

CONT‧‧‧控制裝置

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

G‧‧‧間隙部

IL‧‧‧照明光學系統

KA1‧‧‧上端區域

KA2‧‧‧下端區域

La‧‧‧檢測光

LQ‧‧‧液體

M‧‧‧光罩

MST‧‧‧光罩載台

MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置

P‧‧‧基板

PFM‧‧‧基準標記

PH‧‧‧基板保持器

PK‧‧‧鏡筒

PL‧‧‧投影光學系統

PST‧‧‧基板載台

SB‧‧‧載台基座

β‧‧‧倍率

2‧‧‧光學元件

2A‧‧‧液體接觸面

2T‧‧‧側面

10‧‧‧液體供應機構

11‧‧‧液體供應部

12(12A、12B)‧‧‧供應管

13(13A、13B)‧‧‧液體供應口

14(14A、14B)‧‧‧供應流路

14h‧‧‧水平流路部

14s‧‧‧垂直流路部

16(16A、16B)‧‧‧流量控制器

20‧‧‧第1液體回收機構

21‧‧‧第1液體回收部

22(22A、22B)‧‧‧回收管

23(23A、23B、23D)‧‧‧液體回收口

24(24A、24B)‧‧‧回收流路

24h‧‧‧水平流路部

24s‧‧‧垂直流路部

31‧‧‧移動鏡

32‧‧‧雷射干涉計

33‧‧‧移動鏡

34‧‧‧雷射干涉計

40‧‧‧第2液體回收機構

41‧‧‧第2液體回收部

42(42A、42B)‧‧‧回收管

43(43A、43B)‧‧‧輔助液體回收口

44(44A、44B)‧‧‧回收流路

44h‧‧‧水平流路部

44s‧‧‧垂直流路部

51‧‧‧XY載台

52‧‧‧Z傾斜載台

56‧‧‧板構件

57‧‧‧平坦面(平坦部)

58‧‧‧虛線箭頭符號

60‧‧‧第3液體回收機構

61‧‧‧液體回收口

62‧‧‧液體吸收構件

70‧‧‧流路形成構件

70A‧‧‧流路形成構件之下面

70B‧‧‧開口部(光透過部)

70T‧‧‧流路形成構件之內側面

71‧‧‧第1構件

72‧‧‧第2構件

73‧‧‧第3構件

74‧‧‧第4構件

71A~74A‧‧‧孔部

75、76‧‧‧凹部

78‧‧‧凹部

78A‧‧‧內壁面

80‧‧‧聚焦調平檢測系統

81‧‧‧投光部

82‧‧‧受光部

83(83A、83B)‧‧‧第1光學構件

84(84A、84B)‧‧‧第2光學構件

90‧‧‧壓力調整機構

91‧‧‧壓力調整用液體供應部(液體回收部)

92‧‧‧壓力調整用液體回收部

93(93A、93B)‧‧‧供應管(回收管)

94(94A、94B)‧‧‧供應流路(回收流路)

95(95A、95B)‧‧‧回收管

96(96A、96B)‧‧‧回收流路

97(97A、97B)‧‧‧壓力調整用液體供應口(壓力調整用供應口)

97C、97D‧‧‧供應口(回收口)

98(98A、98B)‧‧‧壓力調整用液體回收口(壓力調整用回收口)

100A‧‧‧商用電源

100B‧‧‧不斷電電源

120‧‧‧壓力感測器

130‧‧‧槽部

131‧‧‧壁部

131A‧‧‧壁部之下面

132‧‧‧第2壁部

133‧‧‧第3壁部

134‧‧‧槽部

300‧‧‧基準構件

301‧‧‧基準構件之上面

360‧‧‧光罩對準系統

400‧‧‧照度不均感測器

401‧‧‧上板402之上面

402‧‧‧俯視矩形狀之上板

403‧‧‧針孔

500‧‧‧空間像測量感測器

501‧‧‧空間像測量感測器上板之上面

502‧‧‧俯視矩形狀之上板

503‧‧‧狹縫部

第1圖係表示本發明之曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。

第2圖係表示基板載台之俯視圖。

第3圖係表示流路形成構件之立體圖。

第4圖係從下面側觀察流路形成構件之立體圖。

第5圖係第3圖之A-A截面圖。

第6圖係第3圖之B-B截面圖。

第7圖係表示液浸區域及預備液浸區域之示意圖。

第8圖係表示液浸區域及預備液浸區域之示意圖。

第9圖係表示流路形成構件中去除第4構件狀態之立體圖。

第10圖係從下面側觀察流路形成構件中去除第1、第2構件狀態之立體圖。

第11(a)~(d)圖係表示本發明之曝光裝置動作之一例之示意圖。

第12圖係表示本發明之曝光裝置另一實施形態之截面圖。

第13圖係表示本發明之曝光裝置另一實施形態之示意圖。

第14(a)~(d)圖係表示第13圖所示之曝光裝置動作之一例之示意圖。

第15圖係表示本發明之曝光裝置動作之一例之俯視圖。

第16圖係表示液體供應口及液體回收口之另一實施形態之俯視圖。

第17圖係表示半導體元件製程之一例之流程圖。

以下，針對本發明之曝光方法及曝光裝置，邊參照圖式邊加以說明，但本發明不限於其等。

第1圖係表示本發明之曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。在第1圖中，曝光裝置EX係具備：光罩載台MST，係支持光罩M；基板載台PST，係支持基板P；照明光學系統IL，係用曝光用光EL來照明光罩載台MST所支持之光罩M；投影光學系統PL，係將被曝光用光EL所照明之光罩M之圖案像投影曝光於基板載台所支持之基板P上；以及控制裝置CONT，係綜合控制全體曝光裝置EX之動作。全體曝光裝置EX係採用來自電力公司所供應之商用電源(第1驅動源)100A之電力驅動。

本實施形態之曝光裝置EX，為了實質縮短曝光波長來提高解析度，並且實質加大焦點深度，適用液浸法之液浸曝光裝置，其具備：液體供應機構10(將液體LQ供應於基板P上)、第1液體回收機構20及第2液體回收機構40(皆供回收基板P上之液體LQ)。曝光裝置EX係至少在將光罩M之圖案像轉印至基板P上期間，藉由液體供應機構10所供應之液體LQ，在包含投影光學系統PL之投影區域AR1之基板P上之一部分局部形成較投影區域AR1為大、且較基板為小之液浸區域AR2。具體而言，曝光裝置EX係採用局部液浸方式，其係在投影光學系統PL像面側終端部之光學元件2、及配置於其像面側之基板P表面之間，填滿液體LQ，透過此投影光學系統PL與基板P間之液體LQ及投影光學系統PL，將通過光罩M 之曝光用光EL照射於基板P上，以把光罩M之圖案投影曝光於基板P上。

又，如後詳述，曝光裝置EX具備壓力調整機構90，供調整液體供應機構10所供應之液體LQ之壓力。壓力調整機構90具備：壓力調整用液體供應部91(從液體供應機構10所供應之液體LQ中能進一步追加液體LQ)，以及壓力調整用液體回收部92(能回收液體LQ之一部分)。壓力調整機構90之動作係藉由控制裝置CONT來控制。

本實施形態係針對曝光裝置，以使用掃描型曝光裝置(所謂掃描步進器)，將光罩M和基板P邊朝掃描方向上彼此不同之方向(反方向)同步移動，邊將形成於光罩M之圖案曝光於基板P之情形為例加以說明。在以下之說明中，把與投影光學系統PL之光軸AX一致方向當作Z軸方向，在與Z軸方向垂直之平面內，把光罩M和基板P同步移動方向(掃描方向)當作X軸方向，把與Z軸方向及X軸方向垂直之方向(非掃描方向)當作Y軸方向。又，把繞X軸、Y軸、及Z軸旋轉(傾斜)方向分別當作θ X、θ Y、及θ Z方向。

照明光學系統IL，係用曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩M者，其具有曝光用光源、光學積分器(將從曝光用光源射出之光束照度均勻化)、聚光透鏡(將來自光學積分器之曝光用光EL聚光)、中繼透鏡系統、及可變視野光圈(用以將藉曝光用光EL之光罩M上之照明區域設定成狹縫狀)等。光罩M上之既定照明區域係藉由照明光學系統IL，用均勻之照度分布之曝光用光EL來照明。就從照明光學系統IL所射出之曝光用光EL而言，例如：使用從水銀燈所射出之光線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、或ArF準分子雷射光(波長 193nm)及F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本實施形態中，使用ArF準分子雷射光。

在本實施形態中，液體LQ係使用純水。純水不僅能使ArF準分子雷射光透過，例如：亦能使從水銀燈所射出之光線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透過。

光罩載台MST，係以能移動的方式來保持光罩M，例如：藉由真空吸附(或靜電吸附)來固定光罩M。光罩載台MST，係藉由光罩載台驅動裝置MSTD(包含線性馬達等)，在與投影光學系統PL之光軸AX垂直之平面，即，在XY平面內能2維移動及能在θ Z方向微旋轉。又，光罩載台MST能用指定於X軸方向之掃描速度來移動，光罩M全面至少具有僅能橫切投影光學系統PL光軸AX之X軸方向之移動行程(stroke)。

在光罩載台MST上，設有與光罩載台一起移動之移動鏡31。又，在與移動鏡31相對向位置，設有雷射干涉計32。光罩載台MST上之光罩M之2維方向位置、及θ Z方向之旋轉角(視情形，亦包含θ X、θ Y方向之旋轉角)係採用雷射干涉計32來即時測量，並將測量結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係根據雷射干涉計32之測量結果，來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，藉此來控制被支持於光罩載台MST之光罩M位置。

投影光學系統PL係以既定之投影倍率β，將光罩M之圖案投影曝光於基板P。投影光學系統PL係具備複數個光學元件(包含設置於基板P側前端部之光學元件(透鏡)2)，這些光學元件2係以鏡筒PK支持。在本實施形態中，投影光學系統PL之投影倍率β，例如係1/4或1/5之縮小 系統。又，投影光學系統PL亦可係等倍系統及放大系統之任一系統。

本實施形態之投影光學系統PL前端部之光學元件2係從鏡筒PK露出，並與液浸區域AR2之液體LQ接觸。光學元件2係以螢石形成。或是，亦可在螢石表面附著MgF2、Al2O3、SiO2等。因螢石或MgF2、Al2O3、SiO2等與水之親和性高，故光學元件2之液體接觸面2A之大致全面能密合液體LQ。即，在本實施形態中，因供應與光學元件2之液體接觸面2A親和性高之液體(水)LQ，故光學元件2之液體接觸面2A與液體LQ之密合性高，能用液體LQ確實地填滿光學元件2與基板P間之光路。又，光學元件2亦可係與水親和性高之石英。又，亦可在光學元件2之液體接觸面2A施以親水化(親液化)處理，來更提高與液體LQ之親和性。

基板載台PST，係以能移動的方式保持基板P，其包含：XY載台51、及Z傾斜載台52(被搭載於XY載台51上)所構成。XY載台51係透過未圖示之非接觸軸承(氣體軸承)，以非接觸的方式支持於載台基座SB之上面上方。XY載台51(基板載台PST)係對載台基座SB之上面，以以非接觸的方式支持之狀態，藉由基板載台驅動裝置PSTD(包含線性馬達等)，在與投影光學系統PL之光軸AX垂直之平面內，即，在XY平面內能2維移動及在θ Z方向能微旋轉。在此XY載台51上搭載Z傾斜載台52，在Z傾斜載台52上透過未圖示之基板保持器，例如：藉由真空吸附等來保持基板P。Z傾斜載台52亦以能移動的方式設置於Z軸方向、θ X方向、及θ Y方向。基板載台驅動裝置PSTD係藉由控制裝置CONT來控制。

在基板載台PST(Z傾斜載台52)上，設置移動鏡33(與基板載台PST一起對投影光學系統PL移動)。又，在與移動鏡33相對向之位置， 設置雷射干涉計34。基板載台PST上之基板P之2維方向位置、及旋轉角，係藉由雷射干涉計34即時測量，並將測量結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係根據雷射干涉計34之測量結果，來驅動基板載台驅動裝置PSTD(包含線性馬達等)，藉此來進行支持於基板載台PST之基板P之定位。

又，曝光裝置EX具備聚焦調平檢測系統80，其係供檢測支持於基板載台PST之基板P之表面位置。聚焦調平檢測系統之受光結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT能根據聚焦調平檢測系統之檢測結果，來檢測出基板P表面之Z軸方向之位置資訊、及基板P之θ X及θ Y方向之傾斜資訊。Z傾斜載台52係控制基板P之聚焦位置及傾斜角，將基板P之表面對準自動聚焦方式、及自動調平方式之投影光學系統PL之像面，XY載台51係進行基板P之X軸方向及Y軸方向之定位。又，當然亦可一體性地設置Z傾斜載台和XY載台。

在基板載台PST附近，設有基板對準系統(未圖示)，其係供檢測設置於基板P上之對準標記或基板載台PST(Z傾斜載台52)上之基準標記(後述)。又，在光罩載台MST附近，設有光罩對準系統360，其係透過光罩M和投影光學系統PL，檢測出基板載台PST(Z傾斜載台52)上之基準標記。光罩對準系統360係構成所謂TTM(Through-The-Mask：經由光罩)方式(或亦所謂TTR(Through-The-Reticle：經由標線片)方式)之對準系統。又，就基板對準系統之構成而言，例如能使用日本特開平4-65603號公報所揭示者，就光罩對準系統360之構成而言，例如能使用日本特開平7-176468號公報所揭示者。

又，在基板載台PST(Z傾斜載台52)上，以包圍被保持於基 板載台PST之基板P的方式設有板構件56。板構件56係環狀構件，被配置在基板P之外側。板構件56具有與保持於基板載台PST之基板P表面大致同高度(表面一致)之平坦面(平坦部)57。平坦面57係配置在保持於基板載台PST之基板P外側周圍。

板構件56，例如係由具有鐵氟龍(註冊商標)等撥液性之材料所形成。因此，平坦面57具有撥液性。又，例如以既定之金屬等來形成板構件56，對該金屬製之板構件56之至少平坦面57施以撥液處理，亦可將平坦面57施以撥液性。就板構件56(平坦面57)之撥液處理而言，例如塗布鐵氟龍等氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料、矽系樹脂材料等撥液性材料，或貼付由上述撥液性材料所構成之薄膜。又，供表面處理之膜亦可係單層膜，亦可係由複數層所構成之膜。就用來作為撥液性之撥液性材料而言，係使用對液體LQ非溶解性之材料。又，就撥液性材料之塗布區域而言，亦可對板構件56之全表面進行塗布，例如亦可對平坦面57等必須具撥液性之一部分區域加以塗布。

因在基板P周圍設有板構件57(具有與基板P表面大致平面一致之平坦面57)，故在將基板P之邊緣區域E進行液浸曝光時，在基板P之邊緣部外側，因大致無段差部，故將液體LQ保持在投影光學系統PL之下，在投影光學系統PL之像面側能良好地形成液浸區域AR2。又，將平坦面57作成撥液性，藉此能防止液體LQ流出至液浸曝光中之基板P外側(平坦面57外側)，且在液浸曝光後，亦能順利回收液體LQ，故能防止液體LQ殘留在平坦面57上。

又，在本實施形態中，雖板構件56僅形成在基板P周圍， 但亦可大致平面性地配置在基板載台PST(Z傾斜載台52)上。這種情形，移動鏡33之上面亦可作成與基板載台PST之上面大致表面一致。又，若在投影光學系統PL像面側之光路空間能良好地保持液體LQ，則在基板載台PST上面和被保持於基板載台PST之基板P表面亦可稍有段差。

液體供應機構10，係用來將既定之液體LQ供應於投影光學系統PL之像面側者，其具備液體供應部11(能送出液體LQ)、以及供應管12(12A、12B)(將其一端部連接於液體供應部11)。液體供應部11係具備收容液體LQ之槽、及加壓泵等。當把液浸區域AR2形成於基板P上時，液體供應機構10係將液體LQ供應於基板P上。又，曝光裝置EX未必具備液體供應部11之槽、及加壓泵，亦能代用曝光裝置EX所配置之工場等設備。

第1液體回收機構20，係用來回收投影光學系統PL像面側之液體LQ者，其具備第1液體回收部21(能回收液體LQ)、以及回收管22(22A、22B)(將其一端部連接於第1液體回收部21)。第1液體回收部21，例如具備真空泵等真空系統(吸引裝置)、氣液分離器(用來分離所回收之液體LQ和氣體)、以及收容槽(用來***回收之液體LQ)等，又，就真空系統而言，曝光裝置EX亦可未設置真空泵，而使用曝光裝置EX所配置之工場之真空系統。為了形成液浸區域AR2在基板P上，第1液體回收機構20係回收從液體供應機構10所供應之基板P上之既定量液體LQ。

第2液體回收機構40，係用來回收投影光學系統PL像面側之液體LQ者，其具備第2液體回收部41(能回收液體LQ)、以及回收管4242A、42B(將其一端部連接於第2液體回收部41)。第2液體回收部41， 例如具備真空泵等真空系統(吸引裝置)、氣液分離器(用來分離所回收之液體LQ和氣體)、以及收容槽(用來***回收之液體LQ)等，又，就真空系統而言，曝光裝置EX亦可未設置真空泵，而使用曝光裝置EX所配置之工場之真空系統。又，在基板P(基板載台PST)上，用來局部形成液浸區域AR2之機構不受限於上述，例如，亦能採用美國專利公開2004/020782號公報或國際公開第2004/055803號公報所揭示之機構。

又，第2液體回收機構40除了具有包含第1液體回收機構20之曝光裝置EX全體驅動源之商用電源100A之外，另具有不斷電電源(第2驅動源)100B。不斷電電源100B，例如當商用電源100A斷電時，對第2液體回收機構40之驅動部供應電力(驅動力)。

又，電源100B(將電力供應於第2液體回收機構40)較佳係不斷電電源，但亦可係與商用電源100A同一者。這種情形，只要電力公司不停止供應電力，即使在電源100A、100B之任一方發生異常，使用從另一電源所供應之電力來驅動之液體回收機構，能回收形成液浸區域AR2之液體LQ。

在Z傾斜載台52中，在板構件56之外側，設有液體回收口61(構成供回收流出到基板P外側之液體LQ之第3液體回收機構60)。液體回收口61係以環繞板構件56方式所形成之環狀槽部，在其內部配置由海棉狀構件或多孔質等所構成之液體吸收構件62。液體吸收構件62能更換。又，在液體回收口61連接形成於基板載台PST內部之回收流路之一端部，其回收管之另一端部係連接設置於基板載台PST外側之第3液體回收部(皆未圖示)。第3液體回收部係與第1、第2液體回收部同樣，具備真空泵等真空 系統(吸引裝置)、氣液分離器(用來分離所回收之液體LQ和氣體)、以及收容槽(用來***回收之液體LQ)等。又，第3液體回收部之真空系統、氣液分離器、收容槽等未必為曝光裝置EX所具備，亦能代用設置曝光裝置EX之工場等設備。

設置第3液體回收機構60，藉此，即使液體LQ流出到基板P及板構件56之外側，亦能回收其所流出之液體LQ，能防止因所流出之液體LQ之氣化而發生基板放置環境變動等不良情況。又，亦可係在第3液體回收機構60(第3液體回收部)未設置真空系統，使液體吸收構件62所回收之液體藉由本身重量，滴至基板載台PST外側之構成。並且，亦可作成未設置包含真空系統之第3液體回收部，在基板載台PST上，事先僅配置液體吸收構件62，定期(例如每1批)更換吸收液體LQ之液體吸收構件62之構成。這種情形，雖基板載台PST因液體LQ而變動重量，但按照液體吸收構件62所回收之液體LQ之重量來變更載台控制參數，藉此能維持載台定位精度。

在投影光學系統PL終端部之光學元件2附近，配置流路形成構件70。流路形成構件70係在中央形成開口部70B(光透過部)之環狀構件，在開口部70B收容有光學元件2。即，流路形成構件70係在基板P(基板載台PST)之上方，以環繞光學元件2周圍之方式來設置。流路形成構件70，例如能由鋁、鈦、不銹鋼、硬鋁、以及包含該等之合金所形成。或是，流路形成構件70亦可由具有玻璃(石英)等透光性之透明構件(光學構件)所構成。

流路形成構件70具備液體供應口13(13A、13B)，其係設置 於基板P(基板載台PST)之上方，以與其基板P表面相對向之方式配置。在本實施形態中，流路形成構件70係具有2個液體供應口13A、13B。液體供應口13A、13B係設置在流路形成構件70之下面70A。

又，流路形成構件70係具有供應流路14(14A、14B)，其係在其內部對應液體供應口13(13A、3B)。供應流路14A、14B之一端部係透過供應管12A、12B分別連接於供應部11，另一端部係分別連接於液體供應口13A、13B。

在供應管12A、12B之途中，分別設置流量控制器16A、16B(mass flow controller)，俾控制從液體供應部11所送出且分別對液體供應口13A、3B每單位時間之液體供應量。藉由流量控制器16(16A、16B)之液體供應量之控制，係在控制裝置CONT之指令信號下進行。

進而，流路形成構件70具備液體回收口23，其係形成於基板P(基板載台PST)之上方，以與其基板P表面相對向之方式配置。在本實施形態中，流路形成構件70係具有2個液體回收口23A、23B。液體回收口23A、23B係設置於流路形成構件70之下面70A。

又，流路形成構件70係在其內部具有對應液體回收口23(23A、23B)之回收流路24(24A、24B)。回收流路24A、24B之一端部係透過回收管22A、22B，分別連接於第1液體回收部21，另一端部分別連接於液體回收口23A、23B。

進而，流路形成構件70具備輔助液體回收口43，其係形成於基板P(基板載台PST)之上方，以與其基板P表面相對向之方式配置。在本實施形態中，流路形成構件70係具有2個輔助液體回收口43A、43B。輔 助液體回收口43A、43B係設置於流路形成構件70之下面70A。

又，流路形成構件70係在其內部具有對應輔助液體回收口43(43A、43B)之回收流路44(44A、44B)。回收流路44A、44B之一端部係透過回收管42A、42B，分別連接於第2液體回收部41，另一端部分別連接於輔助液體回收口43A、43B。

在本實施形態中，流路形成構件70係構成液體供應機構10、第1液體回收機構20、及第2液體回收機構40之一部分。又，構成液體供應機構10之液體供應口13A、13B係設置於隔投影光學系統PL之投影區域AR1之X軸方向兩側之位置，構成第1液體回收機構20之液體回收口23A、23B係對投影光學系統PL之投影區域AR1，設置於液體供應機構10之液體供應口13A、13B之外側，構成第2液體回收機構40之液體回收口43A、43B係對投影光學系統PL之投影區域AR1，設置於第1液體回收機構20之液體回收口23A、23B之外側。

液體供應部11及流量控制器16之動作係藉由控制裝置CONT來控制。當把液體LQ供應於基板P上時，控制裝置CONT係從液體供應部11送出液體LQ，透過供應管12A、12B及供應流路14A、14B，從設置於基板P上方之液體供應口13A、13B，將液體LQ供應於基板P上。此時，液體供應口13A、13B係配置於投影光學系統PL之投影區域AR1兩側，透過該液體供應口13A、13B，以從投影區域AR1兩側供應液體LQ。又，從各液體供應口13A、13B供應於基板P上之液體LQ每單位時間之量，能藉由分別設置於供應管12A、12B之流量控制器16A、6B分別加以控制。

第1液體回收部21之液體回收動作係藉由控制裝置CONT 來控制。控制裝置CONT能控制第1液體回收部21所回收之每單位時間之液體回收量。從設置於基板P上方之液體回收口23A、23B所回收之基板P上之液體LQ，係透過流路形成構件70之回收流路24A、24B及回收管22A、22B，被回收至第1液體回收部21。

第2液體回收部41之液體回收動作係藉由控制裝置CONT來控制。控制裝置CONT能控制第2液體回收部41所回收之每單位時間之液體回收量。從設置於基板P上方之輔助液體回收口43A、43B所回收之基板P上之液體LQ，係透過流路形成構件70之回收流路44A、44B及回收管42A、42B，被回收至第2液體回收部41。又，第2液體回收機構40係採用不斷電電源100B持續進行驅動。例如當商用電源100A斷電之情形，雖第1液體回收機構20之液體回收動作停止，但第2液體回收機構40之第2液體回收部41係用從不斷電電源100B所供應之電力來驅動。這種情形，第2液體回收機構40(包含第2液體回收部41)之液體回收動作不被控制裝置CONT控制，例如係根據來自內設於第2液體回收機構40之另一控制裝置之指令信號來控制。或是，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B亦可施加於第2液體回收機構40，在控制裝置CONT亦提供電力。這種情形，被來自其不斷電電源100B之電力所驅動之控制裝置CONT亦能控制第2液體回收機構40之液體回收動作。

又，在本實施形態中，雖供應管12A、12B連接於1個液體供應部11，但亦可設置複數(例如2個)個對應供應管數之液體供應部11，將各供應管12A、12B分別連接於上述複數個液體供應部11。

又，雖回收管22A、22B連接於1個液體回收部21，但亦可 設置複數(例如2個)個對應回收管數之第1液體回收部21，將各回收管22A、22B分別連接於上述複數個液體回收部21。

同樣地，雖回收管42A、42B連接於1個液體回收部41，但亦可設置複數(例如2個)個對應回收管數之第2液體回收部41，將各回收管42A、42B分別連接於上述複數個液體回收部41。

投影光學系統PL之光學元件2之液體接觸面2A、及流路形成構件70之下面(液體接觸面)70A具有親液性(親水性)。在本實施形態中，係對光學元件2及流路形成構件70之液體接觸面施以親液處理，藉由其親液處理，光學元件2及流路形成構件70之液體接觸面變成親液性。換言之，在與保持於基板載台PST之基板P之被曝光面(表面)相對向之構件表面上，至少液體接觸面係成為親液性，因本實施形態中之液體LQ係極性大之水，故就親液處理(親水處理)而言，例如係用乙醇等極性大之分子構造之物質來形成薄膜，藉此，在此光學元件2及流路形成構件70之液體接觸面賦予親水性。即，當使用水來作為液體LQ之情形，較佳係進行下列處理，將分子中具有OH基等極性大之基之物質設置於上述液體接觸面。或是，亦可將MgF2、Al2O3、SiO2等設置於上述液體接觸面。

又，在本實施形態中，雖流路形成構件70之下面(向基板P側之面)70A係大致平坦面，但在流路形成構件70之下面70A，對投影光學系統PL，在輔助液體回收口43(43A、43B)更外側之區域，對XY平面傾斜之面，具體而言，亦可對投影區域AR1(液浸區域AR2)，越朝外側對基板P表面越離開(向上)的方式，設置具有傾斜之既定長度之傾斜面(捕集面)。藉此，隨著基板P之移動，在投影光學系統PL與基板P間之液體LQ即使流 出至流路形成構件70之下面70A之外側，亦被捕集面捕集，故能防止液體LQ之流出。此處，在捕集面施以親液處理，使其作成親液性，藉此流出至輔助液體回收口43外側之液體LQ被捕集面捕集。又，塗布在基板P表面之膜(光阻等感光材料膜、及抗反射膜或從液體保護感光材料之膜等)為撥液性(撥水性)之情形，能更確實地用捕集面來捕集流出至輔助液體回收口43外側之液體LQ。

第2圖係從上方觀察基板載台PST(Z傾斜載台52)之俯視圖。在第2圖中，在俯視矩形狀之Z傾斜載台52之彼此垂直之2個緣部，設有移動鏡33。又，在Z傾斜載台52之大致中央部，配置基板保持器PH(構成保持基板P之Z傾斜載台52之一部分)。在基板P周圍，設有板構件56(具有與基板P表面大致同高度(表面一致)之平坦面57)。板構件56係環狀構件，以圍繞保持於基板保持器PH之基板P方式來配置。

又，在Z傾斜載台52(基板載台PST)上之中，在板構件56外側之既定位置，配置基準構件300。在基準構件300，以既定位置關係設有基準標記PFM(藉由上述基板對準系統來進行檢測)、以及基準標記MFM(藉由光罩對準系統360來進行檢測)。又，基準構件300之上面301係大致成為平坦面，亦能用來作為聚焦調平檢測系統之基準面。並且，基準構件300之上面301係設置成與基板P表面、板構件56表面(平坦面)57大致同高度(表面一致)。

又，在Z傾斜載台52(基板載台PST)上之中，在板構件56外側之既定位置，配置照度不均感測器400(例如日本特開昭57-117238號公報所揭示)作為光學感測器。照度不均感測器400具備呈俯視矩形狀之上板 402。上板402之上面401係大致成為平坦面，設置成與基板P表面、板構件56表面(平坦面)57大致同高度(表面一致)。在上板402之上面401設置能使光通過之針孔部403。在上面401，除了針孔部403以外，係以鉻等遮光性材料來覆蓋。

又，在Z傾斜載台52(基板載台PST)上之中，在板構件56外側之既定位置，配置空間像測量感測器500(例如日本特開2002-14005號公報所揭示)作為光學感測器。空間像測量感測器500具備呈俯視矩形狀之上板502。上板502之上面501係大致成為平坦面，亦能用來作為聚焦調平檢測系統之基準面。又，上板502之上面501設置成與基板P表面、板構件56表面(平坦面)57大致同高度(表面一致)。在上板502之上面501設置能使光通過之狹縫部503。在上面501，除了狹縫部503以外，係以鉻等遮光性材料來覆蓋。

又，雖未圖示，但在Z傾斜載台52(基板載台PST)上，亦設有照射量感測器(照度感測器，例如日本特開平11-16816號公報所揭示)，其照射量感測器上板之上面係設置成與基板P和板構件56表面(平坦面)57大致同高度(表面一致)。

本實施形態之曝光裝置EX，係將光罩M與基板P邊朝X軸方向(掃描方向)移動，邊將光罩M之圖案像投影曝光於基板P者，掃描曝光時，透過液浸區域AR2之液體LQ及投影光學系統PL將光罩M之一部分圖案像投影至投影區域AR1內，光罩M係在-X方向(或+X方向)與以速度V移動者同步，基板P係對投影區域AR1，在+X方向(或-X方向)，以速度β×V(β係投影倍率)來移動。而且，如第2圖所示，在基板P上，設 有複數個照射區域S1~S12，對1個照射區域曝光完成後，藉由基板P之步進移動，將下一照射區域移動至開始掃描位置，以下，以步進且掃描方式邊移動基板P，邊對各照射區域依序進行掃描曝光處理。又，在本實施形態中，控制裝置CONT，係以使投影光學系統PL之光軸AX沿著第2圖之虛線箭頭58前進方式，邊監控雷射干涉計34之輸出，邊移動XY載台51者。

如第2圖所示，投影光學系統PL之投影區域AR1係設定成把Y軸方向當作長邊方向，把X軸方向當作短邊方向之俯視矩形狀。又，板構件56中被形成圓環狀之平坦面57之寬度較佳係至少較投影區域AR1為大。藉此，當曝光基板P之邊緣E時，曝光用光EL不會照射板構件56之外側，而且，較佳係平坦面57之寬度較形成於投影光學系統PL像面側之液浸區域AR2為大。藉此，當液浸曝光基板P之邊緣區域E時，因液浸區域AR2係形成於板構件56之平坦面57上，不會形成於板構件56之外側，故能防止液浸區域AR2之液體LQ流出至板構件56外側等不良狀況發生。

第3圖係表示流路形成構件70之概略立體圖。如第3圖所示，流路形成構件70，係以圍繞投影光學系統PL終端部之光學元件2周圍之方式來設置之環狀構件，其具備：第1構件71、第2構件72(配置於第1構件71之上部)、第3構件73(配置於第2構件72之上部)、及第4構件74(配置於第3構件73之上部)。構成流路形成構件70之第1構件71~第4構件74係板狀構件，在其中央部，具有能配置投影光學系統PL(光學元件2)之孔部71A~74A。

在第1構件71~第4構件74中，事先適當形成槽部和貫穿孔，藉連接該等槽部和貫穿孔，在由第1構件71~第4構件74所構成之流 路形成構件70內部，形成供應流路14及回收流路24、44。

曝光裝置EX係具備聚焦調平檢測系統80，其係供檢測保持於基板載台PST之基板P表面之面位置資訊。聚焦調平檢測系統80係斜射入方式之聚焦調平檢測系統，其具備投光部81(透過液浸區域AR2之液體LQ，從基板P斜方向(斜上方)照射檢測光La)、及受光部82(接收被基板P所反射之檢測光La之反射光)。又，就聚焦調平檢測系統80之構成而言，能使用例如日本特開平8-37149號公報所揭示者。

在流路形成構件70中，在-Y側及+Y側之各側面，向中央部側(投影光學系統PL側)，分別形成凹狀的凹部75、76。在一凹部75，設置第1光學構件83(能使從聚焦調平檢測系統80之投光部所射出之檢測光La透過)，在另一凹部76，設置第2光學構件84(能被基板P上反射之檢測光La透過)。第1光學構件83及第2光學構件84係構成聚焦調平檢測系統80之光學系統之一部分，並且，構成流路形成構件70之一部分。換言之，在本實施形態中，流路形成構件70之一部分係兼作聚焦調平檢測系統80之一部分。

而且，包含第1光學構件83及第2光學構件84之流路形成構件70，係以與投影光學系統PL前端之光學元件2分離之狀態來支持。

又，亦可從液體供應機構10、第1液體回收機構20、及形成第2液體回收機構40之流路一部分之流路形成構件70，分離第1光學構件83及第2光學構件84，來分離支持流路形成構件70與第1、第2光學構件83、84。

投光部81及受光部82兩者係隔投影光學系統PL之投影區 域AR1，分別設置於其兩側。在第3圖所示之例中，投光部81及受光部82係隔投影區域AR1，在各±Y側，設置於離投影區域AR1之位置。聚焦調平檢測系統80之投光部81係在基板P表面，對投影光學系統PL之光軸AX，以既定入射角θ來照射檢測光La。從投光部81所射出之檢測光La係通過第1光學構件83，透過基板P上之液體LQ，從基板P上之斜方向(斜上方)以入射角θ來照射。被基板P上反射之檢測光La之反射光係通過第2光學構件84後，被受光部82受光。此處，聚焦調平檢測系統80之投光部81係在基板P上照射複數個檢測光La。藉此，聚焦調平檢測系統80能求出基板P上，例如在矩陣狀之複數個各點(各位置)之各聚焦位置，根據所求出之複數個各點之聚焦位置，能檢測出基板P表面之Z軸方向之位置資訊、及基板P之θ X及θ Y方向之傾斜資訊。

控制裝置CONT，係根據聚焦調平檢測系統80之檢測結果，透過基板載台驅動裝置PSTD，來軀動基板載台PST之Z傾斜載台52，藉此來控制保持於Z傾斜載台52之基板P之Z軸方向之位置(聚焦位置)、及θ X、θ Y方向之位置(參照第1圖)。即，Z傾斜載台52係根據聚焦調平檢測系統80之檢測結果，依照來自控制裝置CONT之指令來動作，控制基板P之聚焦位置(Z位置)及傾斜角，用自動聚焦方式及自動調平方式，透過投影光學系統PL及液體LQ，對所形成之像面，將基板P之表面(被曝光面)配合最佳之狀態。

又，如第3圖所示，曝光裝置EX具備壓力調整機構90，其供調整從液體供應機構10所供應之液體LQ之壓力。壓力調整機構90係在從液體供應機構10所供應之液體LQ中，進一步具備：壓力調整用液體供 應部91(能追加液體LQ)、以及壓力調整用液體回收部92(能回收液體LQ之一部分)。

供應管93(93A、93B)之一端部係連接至壓力調整用液體供應部91，供應管93(93A、93B)之另一端部係連接至形成於流路形成構件70內部之供應流路94(94A、94B)。壓力調整用液體供應部91係具備收容液體LQ之槽、及加壓泵等。

供應管93A之另一端部係配置於流路形成構件70之凹部75。在流路形成構件70之凹部75之側面事先形成供應流路94A之一端部，在此供應流路94A之一端部連接供應管93A之另一端部。又，供應管93B之另一端部係配置於流路形成構件70之凹部76。在流路形成構件70之凹部76之側面，形成供應流路94B之一端部，在此供應流路94B之一端部連接供應管93B之另一端部。

回收管95(95A、95B)之一端部係連接至壓力調整用液體回收部92，回收管95(95A、95B)之另一端部係連接至形成於流路形成構件70內部之回收流路96(96A、96B)之一端部。壓力調整用液體回收部92例如具備真空泵等真空系統(吸引裝置)、氣液分離器(用來分離所回收之液體LQ和氣體)、及收容槽(用來收容液體LQ之槽)等。又，就真空系統而言，在曝光裝置EX亦可未設置真空泵，而使用配置曝光裝置EX之工場之真空系統。

回收管94A之另一端部係配置於流路形成構件70之凹部75。在流路形成構件70之凹部75之側面，事先形成回收流路96A之一端部，在此回收流路96A之一端部連接回收管95A之另一端部。又，回收管95B之另一端部係配置於流路形成構件70之凹部76。在流路形成構件70 之凹部76之側面，形成回收流路96B之一端部，在此回收流路96B之一端部連接回收管95B之另一端部。

第4圖係從下面70A側觀察流路形成構件70之立體圖。在第4圖中，投影光學系統PL之投影區域AR1係設定成把Y軸方向(非掃描方向)當作長邊方向之矩形狀。填滿液體LQ之液浸區域AR2(參照第1圖)，係以包含投影區域AR1方式，實質上用2個液體回收口23A、23B來圍繞之區域內，且局部形成在基板P之一部分。又，較佳係液浸區域AR2至少覆蓋投影區域AR1，被2個液體回收口23A、3B圍繞之整個區域亦可未必成為液浸區域。

液體供應口13A、13B)係在與基板P相對向之流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於掃描方向(X軸方向)兩側。具體而言，液體供應口13A係在流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於掃描方向一側(-X側)，液體供應口13B係設置於另一側(+X側)。即，液體供應口13A、13B係設置於投影區域AR1附近，在掃描方向(X軸方向)，係以隔投影區域AR1之方式設置於其兩側。液體供應口13A、13B係形成延伸至Y軸方向之呈俯視大致字形(圓弧狀)之狹縫狀。流路形成構件70之下面70A中，在Y軸方向兩側端部分別配置第1光學構件83及第2光學構件84，液體供應口(13A、13B)係在流路形成構件70之下面70A中，於配置第1光學構件83及第2光學構件84以外區域來形成。而且，液體供應口13A、13B之Y軸方向之長度係至少較投影區域AR1之Y軸方向之長度為長。液體供應口13A、13B係至少以圍繞投影區域AR1之方式來設置。液體供應機構10係透過液體供應口13A、13B，能將液體LQ同時供 應於投影區域AR1兩側(參照第1圖)。

液體回收口23A、23B，係在與基板P相對向之流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於液體供應機構10之液體供應口13A、13B之外側，對投影區域AR1設置於掃描方向(X軸方向)兩側。具體而言，液體回收口23A係在流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於掃描方向一側(-X側)，液體回收口23B係設置於另一側(+X側)。液體回收口23A、23B係形成延伸至Y軸方向之呈俯視大致字形(圓弧狀)之狹縫狀。液體回收口23A、23B係在流路形成構件70之下面70A中，於配置第1光學構件83及第2光學構件84以外區域來形成。而且，液體回收口23A、23B係以圍繞液體供應口13A、13B之方式來設置。

輔助液體回收口43A、43B係在與基板P相對向之流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於第1液體回收機構20(參照第1圖)之液體回收口23A、23B之外側，對投影區域AR1設置於掃描方向(X軸方向)兩側。具體而言，輔助液體回收口43A係在流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1設置於掃描方向一側(-X側)，輔助液體回收口43B係設置於另一側(+X側)。輔助液體回收口43A、43B係形成延伸至Y軸方向之俯視大致字形(圓弧狀)之狹縫狀。輔助液體回收口43A、43B係在流路形成構件70之下面70A中，於配置第1光學構件83及第2光學構件84以外區域來形成。而且，輔助液體回收口43A、43B係以圍繞液體供應口13A、13B及液體回收口23A、23B之方式來設置。

又，雖液體供應口13係在投影區域AR1之X軸方向兩側各設置1個之構成，但亦可分割成複數個，其數量係任意。同樣地，液體回 收口23及輔助液體回收口43亦可分割成複數個。

又，雖設置於投影區域AR1之X軸方向兩側之液體供應口13係形成彼此大致相同大小(長度)，但亦可彼此不同大小。同樣地，設置於投影區域AR1之X軸方向兩側之液體回收口23亦可係彼此不同大小，設置於投影區域AR1之X軸方向兩側之輔助液體回收口43亦可係彼此不同大小。

又，供應口13之狹縫寬和回收口23、43之狹縫寬亦可係相同，亦可較供應口13之狹縫寬加大回收口23、43之狹縫寬，相反地，亦可較供應口13之狹縫寬縮小回收口23、43之狹縫寬。

又，在流路形成構件70(第1構件71)之下面70A中，形成把Y軸方向當作長邊方向之凹部78。在與由凹部78所形成之YZ平面大致平行之內壁面78A，設有供檢測液體LQ壓力之壓力感測器120。壓力感測器120能檢測出形成於投影光學系統PL之光學元件2下面2A及流路形成構件70之下面70A與基板P間之液浸區域AR2之液體LQ之壓力，並將其檢測結果輸出至控制裝置CONT。又，就壓力感測器120之設置位置而言，亦可係不影響液浸區域AR2之液體LQ流動，能接觸液浸區域AR2之液體LQ之位置(能檢測出液體LQ壓力之位置)。而且，在流路形成構件70之下面70A中，在凹部78之長邊方向大致中央部，露出投影光學系統PL前端部之光學元件2。

在流路形成構件70之下面70A中，在與形成於凹部78內之XY平面平行之平坦部78B，對投影光學系統PL之投影區域AR1，在非掃描方向(X軸方向)兩側設有壓力調整用液體回收口(壓力調整用回收 口)98A、98B。壓力調整用回收口98A、98B係連接於形成於流路形成構件70內部之回收流路96A、96B之另一端部。而且，壓力調整用回收口98A、98B係透過回收流路96A、96B、及回收管95A、95B，連接於壓力調整用液體回收部92。驅動壓力調整用液體回收部92，藉此能透過壓力調整用回收口98A、98B來回收液體LQ。

壓力調整用回收口98A係在形成於流路形成構件70之下面70A之凹部78中，對投影區域AR1設置於非掃描方向一側(-Y側)，壓力調整用回收口98B係設置於另一側(+Y側)。而且，壓力調整用回收口98A、98B係設置於投影光學系統PL之投影區域AR1附近，對投影光學系統PL之投影區域AR1，配置於較液體供應機構10之液體供應口(13A、13B)更近。

又，壓力調整用液體回收部92係具有真空系統，透過配置於投影光學系統PL像面側之光學元件2附近之壓力調整用回收口98A、98B，能排出投影光學系統PL像面側之氣體(負壓化)。即，包含壓力調整用液體回收部92及壓力調整用回收口98A、98B之壓力調整機構90，係具有作為排出投影光學系統PL像面側氣體之排氣機構之功能。又，除了壓力調整機構90之外，亦可另外設置排氣機構。

在流路形成構件70之下面70A中，在形成凹部78內之平坦部78B，對投影區域AR1，在非掃描方向(Y軸方向)兩側設有壓力調整用液體供應口(壓力調整用供應口)97A、97B。壓力調整用供應口97A、97B係連接在形成於流路形成構件70內部之供應流路94A、94B另一端部。而且，壓力調整用供應口97A、97B係透過供應流路94A、94B及供應管93A、93B，連接於壓力調整用液體供應部91。驅動壓力調整用液體供應部91，藉此透 過壓力調整用供應口97A、97B，能供應液體LQ。

壓力調整用供應口97A係在形成於流路形成構件70之下面70A之凹部78中，對投影區域AR1設置於非掃描方向一側(-Y側)，壓力調整用供應口97B係設置於另一側(+Y側)。而且，壓力調整用供應口97A、97B係設置於投影光學系統PL之投影區域AR1附近，對投影光學系統PL之投影區域AR1，配置於較液體供應機構10之液體供應口13A、13B更近。

又，液體供應口13A、13B係以圍繞投影區域AR1、壓力調整用供應口97(97A、97B)、及壓力調整用回收口98(98A、98B)之方式來設置。

又，在本實施形態中，壓力調整用供應口97A、97B係對投影光學系統PL之投影區域AR1，設置於壓力調整用回收口98A、98B之外側，但亦可設置於內側，壓力調整用供應口97A、97B和壓力調整用回收口98A、98B亦可近接設置。或是，例如於X軸方向(或Y軸方向)，將壓力調整用供應口97A、97B設置於投影區域AR1兩側，於Y軸方向(或X軸方向)，亦可將壓力調整用回收口98A、98B設置於投影區域AR1兩側。這種情形，對投影區域AR1之壓力調整用供應口97A、97B之距離、與對投影區域AR1之壓力調整用回收口98A、98B之距離亦可不同，亦可大致相等。

第5圖係第3圖之A-A截面圖，第6圖係第3圖之B-B截面圖。如第5圖所示，各供應流路14A、14B之一端部係連接於供應管12A、12B，將另一端部連接於液體供應口13A、13B。又，各供應流路14A、14B係具有水平流路部14h和垂直流路部14s。從液體供應部11(參照第1圖)透過供應管12A、12B所供應之液體LQ係流入供應流路14A、14B，將 水平流路部14h朝大致水平方向(XY平面方向)流動後，大致直角彎曲，把垂直流路部14s朝垂直方向(-Z方向)流動，從液體供應口13A、13B，自基板P之上方供應於基板P上。

各回收流路24A、24B係將其一端部連接於回收管22A、22B，將另一端部連接於液體回收口23A、23B。又，各回收流路24A、24B具有水平流路部24h和垂直流路部24s。藉由具體真空系統之第1液體回收部21(參照第1圖)之驅動，基板P上之液體LQ係透過設置於其基板P上方之液體回收口23A、23B，垂直向上(+Z方向)地流入回收流路24A、24B，流到垂直流路部24s。此時，從液體回收口23A、23B亦與基板P上之液體LQ同時，其周圍之氣體(空氣)亦流入(回收)。在+Z方向流入回收流路24A、24B之液體LQ係改變大致水平方向之流動方向後，大致水平方向流向水平流路部24h。然後，透過回收管22A、22B，被吸引回收至第1液體回收部21。

各回收流路44A、44B係將其一端部連接於回收管42A、42B，將另一端部連接於輔助液體回收口43A、43B。又，各回收流路44A、44B具有水平流路部44h和垂直流路部44s。藉由具有真空系統之第2液體回收部41(參照第1圖)之驅動，基板P上之液體LQ係透過輔助液體回收口43A、43B，垂直向上(+Z方向)地流入回收流路44A、44B，流到垂直流路部44s。此時，從輔助液體回收口43A、43B亦與基板P上之液體LQ同時，其周圍之氣體(空氣)亦流入(回收)。在+Z方向流入回收流路(44A、44B)之液體LQ係改變大致水平方向之流動方向後，大致水平方向流向水平流路部44h。然後，透過回收管42A、42B，被吸引回收至第2液體回收部41。

在流路形成構件70與投影光學系統PL之光學元件2之間，設有間隙部G。間隙部G係為了振動分離投影光學系統PL之光學元件2和流路形成構件70而設置者。分別以不同的支持機構來支持包含流路形成構件70之液體供應機構10、第1液體回收機構20、第2液體回收機構40、及投影光學系統PL，被振動性地分離。藉此，能防止包含流路形成構件70之液體供應機構10、第1液體回收機構20、及第2液體回收機構40所發生之振動傳達至投影光學系統PL側。

又，形成間隙G之流路形成構件70之內側面70T、及光學元件2之側面2T係形成撥液性。具體而言，各內側面70T及側面2T係被施以撥液處理，藉此具有撥液性。就撥液處理而言，係塗布氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料、矽系樹脂材料等撥液性材料，或貼付由前述撥液性材料所構成之薄膜。又，用來表面處理之膜亦可係單層膜，亦可係由複數層所構成之膜。另一方面，如上述，投影光學系統PL之光學元件2之液體接觸面2A、及包含第1、第2光學構件83、84下面(液體接觸面)70A係具有親液性(親水性)。

在流路形成構件70之下面70A，對投影區域AR1，在液體供應口13A、13B之外側形成槽部130。液體回收口23A、23B係在流路形成構件70之下面70A，形成於槽部130之內部。槽部130係在流路形成構件70之下面70A，沿著液體回收口23形成，並且，由第4圖及第6圖可知，在第1、第2光學構件83、84之下面亦連續形成，以圍繞投影區域AR1之方式形成環狀。又，對投影區域AR1，在槽部130之外側形成環狀之壁部131。壁部131係突出基板P側之凸部。在本實施形態中，壁部131之下面 131A和基板P之距離係與投影光學系統PL之光學元件2之下面2A和基板P之距離D大致相同。壁部131係在包含槽部130之壁部131之內側區域之至少一部分，能保持液體LQ。

第7圖係表示液體供應口13A、13B、液體回收口23A、23B、槽部130、及壁部131之位置關係之俯視圖。從液體供應口13A、13B所供應之液體LQ係在投影光學系統PL之光學元件2與基板P之間形成液浸區域AR2，並且，填滿槽部130(壁部131內側區域)的一部分，形成預備液浸區域AR3。又，所有槽部130並不是持續以液體LQ來填滿，其一部分係以液體LQ來填滿，形成預備液浸區域AR3。因此，在液體回收口23A、23B之外側設置壁部131，以包含液體回收口23A、23B之方式來形成槽部(緩衝部)130，藉此，在液浸區域AR2之外側，形成供保持液體LQ之預備液浸區域AR3。此處，液浸區域AR2之液體LQ和預備液浸區域AR3之液體LQ密合，液體LQ能在液浸區域AR2和預備液浸區域AR3間流通。液浸區域AR2之液體LQ和預備液浸區域AR3之液體LQ係不分離而連續。

從液體供應機構10供應於基板P上之液體LQ，係以液體LQ填滿投影光學系統PL之光學元件2與基板P之間，以覆蓋投影區域AR1之方式來形成液浸區域AR2。並且，液浸區域AR2形成後，持續供應液體LQ，在液浸區域AR2之外側區域之一部分亦填滿液體LQ，而形成預備液浸區域AR3。又，形成液浸區域AR2及預備液浸區域AR3後，驅動第1液體回收機構20，液體LQ之供應量和回收量係設定在大致相同或供應量大致超過回收量之程度，維持該狀態。因此，開始曝光時，例如以與形成液浸區域AR2之液體LQ之約10~20%程度以上同量之液體LQ，來形成預備 液浸區域AR3。

第8圖係表示掃描曝光時之預備液浸區域AR3之動作示意圖。如用與第2圖之關係說明般，在基板P掃描曝光時(步進移動及掃描移動)，對投影光學系統PL，使基板P朝XY方向移動。投影光學系統PL之光學元件2之下面2A，即液浸區域AR2之液體LQ係被基板P之移動牽引，沿基板P移動方向之方向移動。特別是在掃描曝光時，因基板P高速移動(例如400mm/秒)，故液體LQ之移動量變大。這種情形，當液體LQ與基板P一起移動時，在投影光學系統PL之光學元件2之下面2A之一部分(基板P之移動方向之後方側)中，可能發生液體LQ之剝離，液浸區域AR2無法良好地形成，引起曝光精度劣化。但是，在液浸區域AR2之外側進一步設置預備液浸區域AR3，藉此只要基板P移動，液浸區域AR2之液體LQ就會流入基板P移動方向後方側之預備液浸區域AR3。與此同時，基板P移動方向後方側之預備液浸區域AR3之液體LQ流入液浸區域AR2。即，預備液浸區域AR3係作為液浸區域AR2之預備槽之功能，隨著基板P之移動而回收從液浸區域AR2所溢出之液體LQ，另一方面，對液浸區域AR2供應液體LQ。藉此，能防止液體LQ之流出，並且，能彌補液浸區域AR2之液體LQ之不足，能持續以液體LQ填滿液浸區域AR2。又，形成預備液浸區域AR3之區域、即以壁部131圍繞之區域，因其全區域不完全被液體LQ填滿，故從液浸區域AR2被回收至預備液浸區域AR3之液體LQ不會漏出至壁部131之外側，能停留在被壁部131圍繞之區域內。

又，基板P之移動方向反轉之情形等，被預備液浸區域AR3回收之液體LQ係返回液浸區域AR2，另一方面，液浸區域AR2之液體LQ 係以返回預備液浸區域AR3之方式移動。又，基板P在非掃描方向來回移動之情形，或重複掃描方向移動與非掃描方向移動之情形，亦同樣地，液體LQ係在液浸區域AR2與預備液浸區域AR3之間通過，能持續以液體LQ填滿液浸區域AR2。

又，此處，雖壁部131之下面131A和基板P之距離，係與投影光學系統PL之光學元件2之下面2A和基板P之距離D大致相同，但亦可不同。例如亦可較光學元件2之下面2A和基板P之距離D，縮小壁部131之下面131A和基板P之距離，亦可較光學元件2之下面2A和基板P之距離D，增大壁部131之下面131A和基板P之距離。又，較佳係壁部131之下面131A和基板P之距離儘量近(窄)。距離越近，越能藉由液體LQ之表面張力確實保持液體LQ，能防止液體LQ向外側流出。另一方面，因壁部131之下面131A和基板P之距離越近，發生與基板P等干涉之不良狀況可能性變高，如本實施形態般，以壁部131之下面131A與投影光學系統PL之光學元件2之下面2A大致相同位置(Z方向)之方式來形成，藉此能防止上述不良狀況之發生。

同樣地，如第5圖和第6圖所示，在流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1，在壁部131之外側，形成第2壁部132及第3壁部133，在形成於第2壁部132及第3壁部133間之槽部134，設有輔助液體回收部43A、43B。藉由該等第2、第3壁部132、133，能更確實防止液體流出至基板P之外側。

如第6圖所示，在流路形成構件70之下面70A形成凹部78，形成於凹部78之平坦部78B係較投影光學系統PL之光學元件2之液體接 觸面2A、及第1、第2光學構件83、84之下面為高(離基板P遠)。即，在流路形成構件70之凹部78之平坦部78B與第1、第2光學構件83、84之間形成段差部，並且，在流路形成構件70之凹部78之下面與光學元件2之液體接觸面2A之間亦形成段差部。即，在流路形成構件70之下面70A中，凹部78內之平坦部78B係在垂直方向(Z方向)形成最高位置，而且該平坦部78B係形成於較投影光學PL之光學元件2之下面2A為高之位置。

當在流路形成構件70之下面70A，未設置凹部78構成之情形，即流路形成構件70之下面70A、光學元件2之下面(液體接觸面)2A、和第1、第2光學構件83、84係表面一致之情形，當欲以既定之入射角θ將聚焦調平檢測系統80(參照第3圖)之檢測光La照射基板P之所要區域(這種情形，係指投影區域AR1)，在檢測光La之光路上，例如配置流路形成構件70，會發生下列之不良情況，妨礙檢測光La之照射，或為了確保檢測光La之光路，必須變更入射角θ或投影光學系統PL之光學元件2之下面(液體接觸面)2A與基板P表面之距離D等。但是，在流路形成構件70之下面70A中，在構成聚焦調平檢測系統80之第1、第2光學構件83、84以連續方式設置凹部78，藉此將投影光學系統PL之光學元件2之下面(液體接觸面)2A與基板P表面之距離D邊保持在既定值，邊確保聚焦調平檢測系統80之檢測光La之光路，能將檢測光La照射於基板P上之所要區域。

第9圖係表示在由第1構件71~第4構件74所形成之流路形成構件70之中，去除第4構件74之狀態立體圖。如第9圖所示，在第3構件73中，在投影光學系統PL之各-X及+X側，形成狹縫部(在供應流路14A中，形成垂直流路14s之貫穿孔)。又，雖未圖示，但在第2構件72 中連接第3構件73時，形成與該狹縫部連接之狹縫部，在第1構件71亦形成同樣之狹縫部。而且，連接第1構件71~第3構件73，連接該狹縫部彼此間，藉此形成垂直流路14s。又，在第3構件73之上面，形成錐狀槽部(形成有供連接各供應管12A、12B與垂直流路部14s之水平流路部14h)。形成水平流路部14h之錐狀槽部係從對供應管12A、12B之連接部朝垂直流路部14s，以逐次朝水平方向擴大方式來形成。因此，將水平流路部14h形成錐狀，藉此，從液體供應部11透過供應管12A、12B所供應之液體LQ係在水平流路14h中，在Y軸方向充分擴大後，為了透過垂直流路部14s供應於基板P上，能在基板P上之廣區域同時供應液體LQ。

第10圖係在由第1構件71~第4構件74所形成之流路形成構件70之中，從下面側觀察去除第1、第2構件71、72之狀態立體圖。如第10圖所示，在第3構件73中，在投影光學系統PL之各-X及+X側，形成狹縫部(在回收流路24A中，形成垂直流路24s之貫穿孔)。又，雖未圖示，但在第2構件72中連接第3構件73時，形成與該狹縫部連接之狹縫部，在第1構件71亦形成同樣之狹縫部。而且，連接第1構件71~第3構件73，連接該狹縫部彼此間，藉此形成垂直流路24s。又，在第3構件73之下面，形成錐狀槽部(形成有供連接各供應管22A、22B與垂直流路部24s之水平流路部24h)。形成水平流路部24h之錐狀槽部係從垂直流路部24s朝對回收管22A、22B之連接部，以逐次朝水平方向縮小之方式來形成。因此，將水平流路部24h形成錐狀，藉此，把Y軸方向當作長邊方向之液體回收口23A、23B之液體回收力分布均勻化，能透過液體回收口23A、23B，同時回收基板P上之廣區域之液體LQ。

其次，針對使用具有上述構成之曝光裝置EX，將光罩M之圖案像曝光於基板P上之方法，邊參照第11圖所示之示意圖，邊加以說明。

將光罩M裝載在光罩載台MST，並且將基板P裝載在基板載台PST後，進行基板P之掃描曝光處理時，控制裝置CONT係驅動液體供應機構10，開始對基板P進行液體供應動作(參照第1圖)。為了形成液浸區域AR2，從液體供應機構10之液體供應部11所供應之液體LQ係如第11(a)圖所示，流通供應管12A、12B後，透過供應流路14A、14B，從液體供應口13A、13B供應於基板P上。

控制裝置CONT，當使用液體供應機構10，開始對基板P上供應液體LQ時，在壓力調整機構90之中，驅動具有真空系統之壓力調整用液體回收部92(參照第1圖)。驅動具有真空系統之壓力調整用液體回收部92，藉此透過設置於投影光學系統PL像面側之光學元件2附近之壓力調整用回收口98A、98B，投影光學系統PL之像面側附近空間之氣體排出，俾使該空間負壓化。控制裝置CONT係驅動壓力調整機構90之壓力調整用液體回收部92，透過壓力調整用回收口98A、98B(配置於較液體供應機構10之液體供應口13A、13B更靠近投影光學系統PL之投影光學系統PL之投影區域AR1)，邊進行投影光學系統PL之像面側氣體之排出，邊藉由液體供應機構10(用來形成液浸區域AR2)開始供應氣體。

透過配置於投影光學系統PL之投影區域AR1附近之壓力調整用回收口98A、98B，邊進行投影光學系統PL之像面側氣體之排出，邊藉由液體供應機構10來進行液體LQ之供應，藉此，因該壓力調整用回收口98A、98B附近被負壓化，故所供應之液體LQ係順利地配置在該經負壓 化之負壓化區域(空間)。壓力調整用回收口98A、98B係設成較液體供應口13A、13B更靠近投影區域AR1附近，故能以液體LQ良好地覆蓋投影區域AR1。

特別是，在本實施形態中，因在投影光學系統PL之像面側形成流路形成構件70之凹部78，故為了形成液浸區域AR2而供應液體LQ時，所供應之液體LQ不會流入凹部78，在液浸區域AR2之液體LQ中，產生氣泡等之氣體部分之可能性變高。若產生氣體部分，則由於該氣體部分會發生以下之現象，即：在基板P上用來形成圖案像之曝光用光EL無法到達基板P上，或在基板P上用來形成圖案像之曝光用光EL無法到達基板P上之所要位置、或例如聚焦調平檢測系統80之檢測光La無法到達基板P上或受光部82、或檢測光La無法到達基板P上之所要位置等，導致曝光精度及測量精度之劣化。然而，邊排出投影光學系統PL像面側之氣體，邊藉由液體供應機構10開始供應液體，藉此能將液體LQ順利地配置於該凹部78。因此，能防止在形成於投影光學系統PL像面側之液浸區域AR2產生氣體部分之不良狀況，而能獲得高曝光精度及測量精度。特別是，在本實施形態中，因將壓力調整用回收口98A、98B(用來構成排氣機構之排氣口)設置於凹部78之內側，流路形成構件70之下面70A之最高位置，故能更順利地將液體LQ配置於凹部78。又，因將壓力調整用回收口98A、98B(用來構成排氣機構之排氣口)設置於較投影光學系統PL之光學元件2之下面2A為高之位置，故亦能防止氣體殘留在光學元件2之下面2A之不良情況。

又，藉由供應於基板P上之液體LQ，在投影光學系統PL與基板P間形成液浸區域AR2。此處，流通供應管12A、12B之液體LQ係 朝形成狹縫狀之供應流路14A、14B及液體供應口13A、3B擴展，而供應於基板P上之廣範圍。從液體供應口13A、13B供應於基板P上之液體LQ係以潤濕擴展在投影光學系統PL之前端部(光學元件2)之下端面和基板P之間之方式來供應，在包含投影區域AR1之基板P上之一部分局部形成較基板P為小、且較投影區域AR1為大之液浸區域AR2。此時，控制裝置CONT係在液體供應機構10中，從配置於投影區域AR1之X軸方向(掃描方向)兩側之各液體供應口13A、13B，同時進行從投影區域AR1兩側將液體LQ供應於基板P上。

又，控制裝置CONT係與液體供應機構10之驅動一起進行，驅動第1液體回收機構20之第1液體回收部21，如第11(b)圖所示，進行基板P上之液體LQ之回收。又，控制裝置CONT係如上述，控制液體供應機構10及第1液體回收機構20之驅動，與液浸區域AR2同時，亦形成預備液浸區域AR3。

液浸區域AR2形成後，控制裝置CONT係藉由壓力調整機構90之壓力調整用液體回收部92來停止投影光學系統PL像面側之氣體排出動作。

控制裝置CONT係藉由液體供應機構10，對基板P上同時進行供應液體LQ，邊藉由第1液體回收機構20進行基板P上之液體LQ之回收，邊將基板載台PST(支持基板P)移動至X軸方向(掃描方向)，邊透過投影光學系統PL與基板P間之液體LQ及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影曝光於基板P上。此時，液體供應機構10係在掃描方向，從投影區域AR1兩側，透過液體供應口13A、13B，同時進行液體LQ之供應， 故液浸區域AR2係均勻且良好地形成。

在本實施形態中，從投影區域AR1之掃描方向兩側對基板P供應液體LQ時，控制裝置CONT係使用液體供給機構10之流量控制器16A、16B，來調整每單位時間之液體供應量，在基板P上之1個照射區域之掃描曝光中，在掃描方向，使從投影區域AR1一側所供應之液體量(每單位時間之液體供應量)與另一側所供應之液體量不同。具體而言，控制裝置CONT係在掃描方向，將投影區域AR1前所供應之每單位時間之液體供應量，較其相反側所供應之液體供應量為多來設定。

例如邊將基板P朝+X方向移動，邊進行曝光處理之情形，控制裝置CONT係對投影區域AR1，使來自-X側(即液體供應口13A)之液體量較來自+X側(即液體供應口13B)之液體量為多，另一方面，邊將基板P朝-X方向移動，邊進行曝光處理之情形，對投影區域AR1，使來自+X側之液體量較來自-X側之液體量為多。因此，控制裝置CONT係按照基板P之移動方向，改變來自各液體供應口13A、13B之每單位時間之液體供應量。

在基板P之液浸曝光中，液浸區域AR2之液體LQ之壓力係藉由壓力感測器120持續監控(參照第5圖)。壓力感測器120之檢測結果輸出至控制裝置CONT。制裝置CONT係在基板P之液浸曝光中，根據壓力感測器120之檢測結果，使用壓力調整機構90來調整從液體供應機構10供應於基板P上之液體LQ之壓力。

控制裝置CONT係使用壓力調整機構90之壓力調整用液體供應部91及壓力調整用液體回收部92，進行對基板P上之液體LQ之追加， 或基板P上之液體LQ之局部回收，藉此以減低液體LQ對基板P所施加之力，來調整液體LQ之壓力。

例如根據壓力感測器120之檢測結果，當判斷液浸區域AR2之液體LQ壓力較預先設定之既定值為低時，或判斷液浸區域AR2之壓力較液浸區域AR2外之壓力(大氣壓)為低(負壓)時，控制裝置CONT係以減低液體LQ對基板P所施加之力的方式，即，使該液體LQ之壓力成為既定值的方式，驅動壓力調整用液體供應部91，如第11(b)圖所示，透過壓力調整用供應口97A、97B，進一步將液體LQ追加至液浸區域AR2之液體LQ。藉由追加液體LQ，使液浸區域AR2之液體LQ之壓力上升，成為上述既定值。藉此，能減低LQ液體對基板P所施加之力。

相反地，根據壓力感測器120之檢測結果，當判斷液浸區域AR2之液體LQ之壓力較預先設定之既定值為高時，或判斷液浸區域AR2之壓力較液浸區域AR2外之壓力(大氣壓)為高(正壓)時，控制裝置CONT係以減低液體LQ對基板P之力的方式，即，使該液體LQ之壓力成為既定值的方式，驅動壓力調整用液體回收部92，如第11(c)圖示，透過壓力調整用回收口98A、98B，回收液浸區域AR2之液體LQ之一部分，藉此使液浸區域AR2之液體LQ之壓力下降，成為上述既定值。藉此，能減低液體LQ對基板P所施加之力。

如此，以調整用壓力調整機構90來調整從液體供應機構10所供應之液體LQ之壓力，藉此例如能防止因液體LQ之壓力變動而發生基板P或基板載台PST之變形，或是投影光學系統PL之光學元件2之移位或振動。因此，能獲得高曝光精度及測量精度。

特別是，在本實施形態中，在流路形成構件70(連接於投影光學系統PL像面側之液浸區域AR2之液體LQ)設有凹部78，在該凹部78容易產生液體LQ之壓力變動。又，由於掃描移動基板P，液體LQ被移動，故壓力變動變成明顯。因此，在該凹部78之內側，設置壓力調整用供應口97A、97B(為了進行液浸區域AR2之液體LQ之壓力調整、而追加液體LQ)，並且，設置壓力調整用回收口98A、98B(用以回收液體LQ之一部分)，故能有效減低上述凹部78所產生之壓力變動，且能良好地進行壓力調整。

又，當透過第1液體回收機構20之液體回收口23A、23B，來完全回收基板P上之液浸區域AR2之液體LQ之情形，其無法完全回收之液體LQ雖流出至液體回收口23A、23B之外側，但因如第11(d)圖所示，透過第2液體回收機構40之輔助液體回收口43A、43B來加以回收，故能防止液體LQ之流出。又，即使在第1液體回收機構20中發生異常而使液體回收動作無法之情形，或在第1液體回收機構20中發生異常而誤動作導致大量供應液體LQ，僅以第1液體回收機構20無法完全回收液體LQ之情形，以第2液體回收機構40亦能回收液體LQ，故能防止液體LQ之流出。因此，能防止因所流出之液體LQ所造成之機器構件等之生銹或驅動系統漏電之發生，或由於所流出之液體LQ之氣化所造成之基板P之放置環境變動，能防止曝光精度及測量精度之劣化。這種情形，在第2液體回收機構40事先設置流量控制器，當以第2液體回收機構40來回收液體LQ時，亦可停止從液體供應機構10供應液體。

又，如第1圖所示，第2液體回收機構40具備不斷電電源100B，即使商用電源100A(包含第1液體回收機構20之曝光裝置EX全體之 驅動源)發生停電等異常，對第2液體回收機構40之電力供應亦能切換為不斷電電源100B，故能用第2液體回收機構40良好地回收液體LQ。因此，能防止液體LQ之流出，又，因不放置殘留在基板P上之液體LQ，能以第2液體回收機構40來回收，故能防止基板載台PST(支持基板P)周邊之機械構件之生銹或故障，或基板P放置環境變動等不良狀況之發生。

例如，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B能對構成第2液體回收機構40之真空系統電力驅動部，或氣液分離器之電力驅動部等分別供應電力。具體而言，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B係將對第2液體回收機構40之電力供應，例如切換為內裝蓄電池，瞬間進行供電。然後，不斷電電源100B係預防長時間之斷電，起動內設發電機，從蓄電池將對第2液體回收機構40之電力供應切換為發電機。因此，即使商用電源100A斷電，對第2液體回收機構40之電力供應亦能持續，能藉由第2液體回收機構40來維持液體回收動作。又，就不斷電電源100B而言，不受限於上述之形態，能採用眾所周知之不斷電電源。又，在本實施形態中，係針對當商用電源100A斷電時之備用電源，以不斷電電源裝置為例加以說明，但當然，就備用電源而言，亦可使用備用用蓄電池，當商用電源100A斷電時，切換至其蓄電池。

又，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B亦可對第3液體回收機構60進行電力供應。藉此，例如當液體LQ之液浸區域AR2之一部分配置在板構件56上之狀態時，即使商用電源100A斷電，液體LQ流出至基板P之外側，第3液體回收機構60亦能回收其流出之液體LQ。又，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B亦可將電力供應於基板載台 PST(保持基板P)之吸附機構。因此，即使商用電源100A斷電時，亦能維持基板載台PST(Z傾斜載台52)之基板P之吸附保持，故不發生因斷電而對Z傾斜載台52之基板P之位置偏離。因此，在斷電復原後，再開始曝光動作之情形，能順利地進行曝光處理再開始動作。

又，當商用電源100A斷電時，不斷電電源100B亦可在構成曝光裝置EX之各機構(裝置)中，將電力(驅動力)供應於第2液體回收機構40以外之機構。例如當商用電源100A斷電時，加上第2液體回收機構40，即使對第1液體回收機構20亦供應電力，能進一步確實防止液體LQ之流出。

又，在液體回收機構10之供應管12，事先設置常閉方式之閥，當商用電源100A斷電時，該常閉方式之閥亦可機械性地切斷供應管12之流路。因此，商用電源100A斷電後，不會有液體LQ從液體供應機構10漏出至基板P上之不良情況。

然而，按照基板P表面(液體接觸面)之材料特性，液體LQ對基板P所施加之力變化。具體而言，基板P表面和液體LQ之親和性，更具體而言，按照基板P對液體LQ之接觸角，液體LQ對基板P所施加之力變化。基板P表面之材料特性係按照塗布其基板P表面之感光材料，或保護膜(用來保護塗布於其感光材料之感光材料)等既定膜而變化。壓力調整機構能考慮基板P表面與液體LQ之親和性，來進行液體LQ之壓力調整。例如當基板P表面係親液性之情形，該液體LQ係在基板P上潤濕擴展，故基板P上之液體LQ之壓力降低(負壓化)。因此，當基板P表面為親液性之情形，壓力調整機構90係透過壓力調整用供應口97A、97B，進行液體LQ之 追加，使基板P上之液浸區域AR2之液體LQ之壓力上升，使液體LQ對基板P所施加之壓力減低。另一方面，當基板P表面為撥液性之情形，基板P上之液體LQ之壓力上升(正壓化)。因此，當基板P表面為撥液性之情形，壓力調整機構90係透過壓力調整用回收口98A、98B，來進行液體LQ之局部回收，使基板P上之液浸區域AR2之液體LQ之壓力下降，使液體LQ對基板P所施加之壓力減低。

又，因液體LQ之基板P上之壓力成為對應基板P對液體LQ之親和性(接觸角)之值，故事先求出基板P對液體LQ之親和性(接觸角)，根據其所求出之結果，能藉由實驗或模擬來事先求出基板P上液體LQ之壓力，將有關其所求出之壓力之資訊事先記憶於控制裝置CONT(或連接此之記憶裝置)，藉此即使不使用上述壓力感測器120，控制裝置CONT亦可根據有關上述壓力之資訊，來求出用來調整液體LQ壓力之調整量(從壓力調整用供應口97所供應之每單位時間之液體供應量、或透過壓力調整用回收口98所回收之每單位時間之液體回收量)，根據其所求出之調整量，能進行追加或回收一部分液體LQ。

又，此處，係考慮基板P表面(液體接觸面)對液體LQ之親和性(接觸角)，以進行液體LQ之壓力調整之方式來加以說明，但亦可考慮流路形成構件70下面(液體接觸面)70A或投影光學系統PL之光學元件2下面(液體接觸面)2A對液體LQ之親和性(接觸角)，來進行基板P上液浸區域AR2之液體LQ之壓力調整。又，光學元件2或流路形成構件70對液體LQ之親和性變化不大，另一方面，基板P對液體LQ之親和性係按照所使用之感光材料等，例如依各批變化，故實際上，即使不考慮光學元件2或流路 形成構件70對液體LQ之親和性，而考慮基板P表面對液體LQ之親和性，藉此能良好地進行液體LQ之壓力調整。

又，在上述之實施形態中，係針對將液體LQ之液浸區域AR2形成於基板P上之情形加以說明，但亦有在參照第2圖所說明之基準構件300之上面301，形成液體LQ之液浸區域AR2之情形。而且，有時透過該上面301上之液浸區域AR2之液體LQ，來進行各種測量處理。這種情形，壓力調整機構90能進行液體LQ之壓力調整，俾減低形成在基準構件300上之液浸區域AR2之液體LQ對基準構件300所施加之力。此時，壓力調整機構90考慮基準構件300之上面301與液體LQ之親和性，能進行液體LQ之壓力調整。同樣地，壓力調整機構90係在照度不均感測器400之上板402之上面401、或空間像測量感測器500之上板502之上面501等，形成液體LQ之液浸區域AR2時，亦能進行液體LQ之壓力調整，俾減低液體LQ對上板402或上板502所施加之力。而且，亦考慮在Z傾斜載台52(基板載台PST)上面形成液浸區域AR2之構成，這種情形，壓力調整機構90能進行液體LQ之壓力調整，俾減低液體LQ對基板載台PST所施加之力。

又，在上述實施形態中，壓力調整機構90係在基板P之液浸曝光中進行形成於基板P上之液浸區域AR2之液體LQ之壓力調整動作，但亦可在基板P液浸曝光前或後來進行。

又，在上述實施形態中，雖壓力調整用供應口97和壓力調整用回收口98係彼此獨立之口，但液體供應部91及液體回收部92亦可兼作1個口，透過該1個口來進行液體供應及回收。

在上述實施形態中，將並排設置複數(2個)之壓力調整用供 應口97A、97B之每單位時間之供應量，例如亦可按照基板P之移動方向或掃描速度，設定彼此不同之值，以減低液體LQ對基板P所施加之力。同樣地，亦可將透過並排複數個壓力調整用回收口98A、98B之每單位時間之液體回收量設定在彼此不同之值。

又，在上述實施形態中，雖壓力調整用供應口97及壓力調整用回收口98係在非掃描方向(Y軸方向)並排設定2個，但亦可在掃描方向(X軸方向)並排設定複數個。在X軸方向並排設定複數個之情形，能隔投影區域AR1，分別設置於其兩側。在這種情形中，當進行液體LQ壓力調整時，將並排設置複數個於X軸方向之壓力調整用供應口97之各液體供應量，例如亦可按照基板P之掃描方向或掃描速度，設定彼此不同之值，俾減低液體LQ對基板P所施加之力。同樣地，亦可將並排設置複數個於X軸方向之壓力調整用回收口98之各液體回收量設定在彼此不同之值。

在上述實施形態中，雖壓力調整用供應口97及壓力調整用回收口98係分別設置各2個，但亦可設置各1個，亦可設置於2個以上任意複數處。又，壓力調整用供應口97及壓力調整用回收口98之形狀不限於圓形，例如亦可係矩形或多角形、圓弧狀、把既定方向當作長邊方向之狹縫狀。

又，在上述實施形態中，壓力感測器120雖係設定1個之構成，在連接液浸區域AR2之液體LQ之位置中，亦可分別設置任意複數個地方。這種情形，亦可根據複數個壓力感測器120之各輸出，將來自複數個壓力調整用供應口97(97A、97B)之各液體供應量設定彼此不同之值。同樣地，亦可根據複數個壓力感測器120之各輸出，將來自複數個壓力調整 用回收口98(98A、98B)之各液體回收量設定彼此不同之值。

又，在上述實施形態中，進行液體LQ之供應或回收，雖進行液體LQ之壓力調整，但亦可調整液體LQ之接觸角。

又，在上述實施形態中，亦可在液體供應口13、液體回收口23、及輔助液體回收口43、或連接在該等之供應流路14、回收流路24、及回收流路44等，配置由海棉狀構件或多孔質陶瓷等所構成之多孔質體。

又，在上述實施形態中，在基板P之曝光中，雖從液體供應口13A、13B兩方供應液體LQ，但亦可從任一方供應。又，亦可省略液體供應機構10(液體供應口13A、13B)，僅用來自壓力調整用供應口97之液體LQ之供應，來形成液浸區域AR2。

以下，針對本發明另一實施形態加以說明。在以下說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分，賦予相同符號，將其說明予以簡略或省略。

第12圖係表示流路形成構件70及第1、第2光學構件(安裝於該流路流路形成構件70之聚焦調平檢測系統80之光學系統)之另一實施形態圖。在第12圖中，第1、第2光學構件83A、84A係由稜鏡所構成，藉由稜鏡所構成之第1、第2光學構件83A、84A，使聚焦調平檢測系統80(參照第3圖)之檢測光La之行進方向之方向改變。在本實施形態中，第1、第2光學構件83A、84A係由平行移位稜鏡、具體而言係由菱形稜鏡所構成，使射入之檢測光La平行移動。

第1、第2光學構件83A、84A係分別安裝於流路形成構件70之內面側。而且，在第1、第2光學構件83A、84A中，至少檢測光La 之通過上端區域KA1及下端區域KA2係從流路形成構件70露出。第1、第2光學構件83A、84A之上端區域KA1係從流路形成構件70之上面露出，下端區域KA2係對投影光學系統PL和基板P間之空間露出。又，在第12圖所示之例，第1光學構件83A係設置於投影光學系統PL(光學元件2)之-X側，第2光學構件84A係設置於投影光學系統PL(光學元件2)之+X側。將第1、第2光學構件83A、84A分別設置於投影光學系統PL(光學元件2)之-X側及+X側，藉此能防止連接於壓力調整用供應口97之供應流路94或供應管93、及壓力調整用回收口98之回收流路96或回收管96(參照第6圖)、和第1、第2光學構件83A、84A之干涉。

從聚焦調平檢測系統80之投光部81所射出之檢測光La係沿著與XZ平面大致平行之面前進，從第1光學構件83A之上端區域KA1射入後，通過第1光學構件83A，藉此移動至-Z方向，從下端區域KA2射出。而且，通過第1光學構件83A之檢測光La係被基板P照射且反射後，對第2光學構件84A，從下端區域KA2射入。從下端區域KA2射入第2光學構件84A之檢測光La係在移動至+Z方向後，從上端部KA1射出，被受光部82接收。

如此，在流路形成構件70，藉由稜鏡來構成第1、第2光學構件83A、83B(用來構成聚焦調平檢測系統80之光學系統)，藉此檢測光La能對基板P加大入射角θ，能提高設計裝置(包含流路形成構件70)構成之自由度。又，亦能縮小流路形成構件70之大小。

第13圖係表示壓力調整機構90之另一實施形態之示意圖。在第13圖中，壓力調整機構90具備液體供應部91(能送出液體LQ)。第13 圖之液體供應部91係兼具液體回收部92之功能者。在流路形成構件70之內側面70T形成供應口97C、97D。又，在流路形成構件70之內部，形成供應流路94A、94B，其係透過供應管93A、93B將其一端部連接於液體供應部91，將另一端部連接於供應口97C、97D。又，在流路形成構件70之下面70A，係與上述之實施形態同樣，形成液體供應口13A、13B、液體回收口23A、23B、及輔助液體回收口43A、43B。

又，從液體供應部91所送出之液體LQ係透過供應管93A、93B、及供應流路94A、94B，從供應口97C、97D供應於流路形成構件70之內側面70T與投影光學系統PL之光學元件2之側面2T間之間隙部G。又，如上述，本實施形態之液體供應部91具有液體回收部之功能，藉由驅動液體回收部，使間隙部G之液體LQ或氣體透過供應口(回收口)97C、97D、供應流路(回收流路)94A、94B、及供應管(回收管)93A、93B，被吸引回收至液體供應部(液體回收部)91。

當在基板P上形成液體LQ之液浸區域AR2時，例如藉由毛細管現象等，基板P上之液體LQ流入間隙部G，有可能滯留在間隙部G。若液體LQ長時間滯留在間隙部G，該液體LQ被污染之可能性變高，其被污染之間隙部G之液體LQ，例如在基板P之液浸曝光中，若流入投影光學系統PL與基板P之間，則可能造成曝光精度之劣化。因此，控制裝置CONT適當驅動壓力調整機構90，藉此能去除滯留於流路形成構件70之內側面70T與投影光學系統PL之光學元件2之側面2T間之液體LQ。即，本實施形態之壓力調整機構90係具有作為去除液體機構(去除流路形成構件70之內側面70T與投影光學系統PL之光學元件2之側面2T間之液體LQ)之功能。

第14圖係第13圖所示之壓力調整機構(去除液體機構)90動作一例之圖。如第14(a)所示，透過投影光學系統PL與液浸區域AR2之液體LQ，將曝光用光EL照射於基板P上時，驅動壓力調整機構90，能去除滯留於流路形成構件70之內側面70T與投影光學系統PL之光學元件2之側面2T間之間隙部G之液體LQ。在第14(a)圖所示之例中，從液體供應部91所送出之液體LQ係從供應口97C、97D供應於間隙部G。藉由從供應口97C、97D所供應之液體LQ，配置(滯留)在間隙部G之液體LQ係在下方排出，在基板上流出，與基板P上之液體LQ同時，從第1液體回收機構20之液體回收口23A、23B回收。在第14(a)圖所示之例中，因在基板P之曝光中，亦從供應口97C、97D，液體LQ持續供應於間隙部G，故配置於間隙部G之液體LQ，因在被污染前在基板P上流出，故曝光精度不受影響。又，在第14(a)圖所示之例中，雖邊將曝光用光EL照射於基板P上，邊將液體LQ供應於間隙部G，但當然亦可對基板P照射曝光用光EL之前或後，將液體LQ供應於間隙部G。

如第14(b)圖所示，透過供應口97C、97D，將液體LQ供應於間隙部G，藉此亦可使用第3液體回收機構60來回收從間隙部G所排出之液體LQ。因此，不使間隙部G中被污染之液體LQ附著於基板P等，能從間隙部G排出並加以回收。

如第14(c)圖所示，亦可透過回收口97C、97D，將間隙部G之液體LQ吸引回收。藉此亦能去除間隙部G之液體LQ。

上述間隙部G之液體LQ之去除處理，係能以基板載台PST對基板P之交換時(裝載、卸載時)或基板P之各批等既定時點來定期進行。 又，參照第14(a)圖所說明，亦可在基板P之曝光中，進行去除液體動作，亦可用曝光中以外之時序來進行。

又，如第14(d)圖所示，當基板P未進行曝光處理時，亦可驅動液體供應部91，將液體LQ持續供應於間隙部G。這種情形，藉由調整液體供應量，使從供應口97C、97D所供應之液體LQ傳送至投影光學系統PL(光學元件2)之側面2T，並潤濕擴展至下面(液體接觸面)2A。從光學元件2滴下之液體LQ能被第3液體回收機構60回收。用從供應口97C、97D所供應之液體LQ，持續潤溼表面(包含光學元件2之下面2A)，藉此能防止光學元件2(投影光學系統PL)之乾燥，能防止產生液體LQ之附著痕跡(所謂水痕)之不良情況。

又，在上述各實施形態中，使用液體供應機構10及液體回收機構20(40、60)，進行液體LQ之供應及回收，在包含基板P上之基板載台PST上，局部形成液浸區域AR2之狀態下，邊移動該基板載台PST，邊進行曝光處理或測量處理，但依照基板載台PST之移動條件，在基板P外側液體LQ流出而在液浸區域AR2產生氣體部分等，在投影光學系統PL之像面側無法良好地保持液體LQ，液浸區域AR2可能發生無法良好地形成之狀況。

因此，藉由液體供應機構10和液體回收機構20，在基板載台PST(包含保持於基板載台上之基板P)上，局部形成液浸區域AR2之狀態下，當使基板載台PST從第1位置朝第2位置大致直線移動時，亦可按照第1位置和第2位置之間隔，使基板載台PST之移動速度不同。

又，此處，「基板載台PST上之液浸區域AR2」亦包含「保 持於基板載台PST上之基板P上之液浸區域AR2」。

在本實施形態中，雖係用步進且掃描方式邊移動基板P，邊對各照射區域依序進行掃描曝光處理之構成，但例如在曝光裝置EX之重置動作或校正動作等(以下，統稱「校正動作」)，控制裝置CONT係在指令校正動作開始時，從基板載台PST之位置(第1位置)起至用來進行校正動作之位置(第2位置)為止，長距離移動基板載台PST。該距離(第1位置與第2位置之間隔)係較上述步進移動或掃描移動距離為大，要將液體LQ事先保持於投影光學系統PL之像面側有其困難。

因此，控制裝置CONT，當第1位置與第2位置之間隔係預先所設定之既定量以上之情形，與當第1位置和第2位置之間隔較既定量為短之情形相較，係減慢基板載台PST之移動速度。例如為了上述之校正動作，當長距離移動時之基板載台PST之移動距離，與曝光處理時之步進且掃描時之基板載台PST之移動距離相較為長(例如2倍以上)之情形，使該長距離移動時之移動速度較曝光處理時之步進且掃描時之基板載台PST之移動速度為慢。因此，在投影光學系統PL之像面側，能良好地形成液體LQ之液浸區域AR2。

如以上說明，第1位置與第2位置之間隔變長，當基板載台PST移動長距離之情形，要在投影光學系統PL之像面側良好地保持液體LQ有其困難，但這種情形，藉由減慢基板載台PST之移動速度，能在投影光學系統PL之像面側良好地保持液體LQ。因此，能防止液體LQ之流出或氣體部分之產生等，而能防止因液體LQ之流出或氣體部分之產生等所引起之曝光精度及測量精度之劣化。另一方面，當第1位置與第2位置之間隔變 短，基板載台PST之移動距離不長之情形，則加快基板載台PST之移動速度，藉此能提高產能。

又，當移動上述既定量、及該既定量以上距離時之基板載台PST之移動速度，例如係考慮基板P、光學元件2、流路形成構件70等對液體LQ之親和性(液體LQ之接觸角)，藉由實驗或模擬能預先求出。

又，這種情形，較減慢基板載台PST之移動速度，優先提高產能之情形，亦可不進行從第1位置朝第2位置之直線移動且不減慢移動速度，用較前述既定量為短之直線距離，邊變更基板載台PST之移動方向，邊到達第2位置。

又，藉由液體供應機構10和液體回收機構20，在基板載台PST上局部形成液浸區域AR2之狀態下，使基板載台PST從第1位置朝第2位置大致直線移動時，為了在投影光學系統PL之像面側良好地保持液體LQ，亦可按照基板載台PST從第1位置朝第2位置之移動方向，使基板載台PST之移動速度不同。

例如第15圖之示意圖所示，當對用來形成液浸區域AR2之液體供應機構10之液體供應口13A、13B、及液體回收機構20之液體回收口23A、23B移動基板載台PST時，在將基板載台PST朝X軸方向移動時和朝Y軸方向移動時，使基板載台PST之移動速度不同。

本實施形態之液體回收機構20之液體回收口23係參照第4圖等加以說明，在流路形成構件70之下面70A中，對投影區域AR1，未設置於+Y側及-Y側之區域。即，對投影區域AR1(液浸區域AR2)，在Y軸方向側，不配置液體回收口23，在其Y側方向側，液體回收機構20之液體 回收力變弱。即，沿著Y軸方向之方向係液體回收機構20之液體回收力弱之方向。

因此，控制裝置CONT，當使基板載台PST朝液體回收機構20之液體回收力弱的方向移動，即朝Y軸方向移動之情形，與使該基板載台PST朝與Y軸方向不同之方向(例如沿著X軸方向之方向)移動之情形相較，係減慢基板載台PST之移動速度。

例如在曝光處理時，使基板載台PST朝X軸方向掃描移動時，對基板載台PST之移動速度(例如400mm/秒左右)，朝Y軸方向時步進移動時，或為了進行上述校正動作，在Y軸方向或X軸方向斜方向移動時，將基板載台PST之移動速度減慢至200mm/秒左右。因此，能在投影光學系統PL之像面側事先保持液體LQ，能防止液體LQ之流出或液浸區域AR2之氣體部分之產生。

又，這種情形，當減慢基板載台PST之移動速度，優先提高產能之情形，不進行從第1位置朝第2位置直線移動，而且亦可不減慢移動速度，用較該既定量為短之直線距離，邊變更基板載台PST之移動方向，邊到達第2位置。又，當朝回收力弱之方向及其方向移動時之基板載台PST的移動速度，例如考慮基板P、光學元件2、流路形成構件70等對液體LQ之親和性(液體LQ之接觸角)進行實驗或模擬，藉此能事先求出。

如以上說明，依照液體LQ供應口13及回收口23之配置或大小，由於基板載台PST之移動方向，無法將液體LQ良好地保持在投影光學系統PL像面側，造成其液體LQ流出，或液浸區域AR2之液體LQ乾涸而剝離等，會有在投影光學系統PL之像面側液浸區域產生氣體部分之不良 情況，但按照基板載台PST之移動方向，使基板載台PST之移動速度不同，藉此能防止液體LQ之流出或氣體部分之產生等不良情況，能防止由於液體LQ之流出所引起之曝光精度及測量精度之劣化。而且，當使基板載台PST朝液體回收力弱之方向移動之情形，減慢基板載台PST之移動速度，藉此在投影光學系統PL之像面側，能良好地形成液浸區域AR2。另一方面，例如當使基板載台PST朝液體回收力或液體回收力強之方向移動之情形，加快基板載台PST之移動速度，藉此能提高產能。

又，在本實施形態中，在液浸區域AR2之Y軸方向側，未配置液體回收口23，在該Y軸方向，雖以液體回收機構20之液體回收力變弱之方式來說明，但不僅未配置液體回收口23，例如第16圖所示，即使在液浸區域AR2之Y軸方向側配置液體回收口23(23D)，配置於該Y軸方向側之液體回收口23D係被分割成複數個之情形，該Y軸方向之液體回收力弱。在具有這種構成之液體回收口23，當使基板載台PST朝Y軸方向移動之情形，與使基板載台PST朝與Y軸方向不同方向移動之情形相較，較佳係減慢基板載台PST之移動速度。

或是，被分割成複數個之液體回收口23以圍繞投影區域AR1(液浸區域AR2)方式配置之情形，係在該複數個液體回收口23中，例如對液浸區域AR2，設置於Y軸方向側位置之液體回收口23之液體回收力弱之情形，當使基板載台PST朝Y軸方向移動時，與朝Y軸方向不同方向移動之情形相較，較佳係減慢基板載台PST之移動速度。

又，形成於基板P周圍之基板載台PST上之平坦面57具有形成液浸區域AR2之充分範圍之情形，並非是降低基板載台PST之移動速 度從第1位置朝第2位置移動，而是將基板載台PST從第1位置朝第1中繼位置(在該第1位置附近，液浸區域AR2形成於平坦面57上)移動，進而，將液浸區域AR2仍形成於平坦面57上，將基板載台PST從第1中繼位置朝第2中繼位置(在第2位置附近，液浸區域AR2形成於平坦面57上)移動，然後將基板載台PST從該第2中繼位置朝第2位置移動。這種情形，因基板載台PST上之平坦面57表面對液體LQ具有撥液性，故在投影光學系統PL之像面側保持液浸區域AR2之狀態下，能高速移動基板載台PST，較降低基板載台PST之移動速度直線移動，能以更短時間使基板載台PST從第1位置朝第2位置移動之情形。

又，在以上說明，在校正動作中，當將基板載台PST從第1位置朝第2位置移動時，考慮其移動方向或移動距離，把調整基板載台PST之速度和移動路徑之情形當作一例來加以說明，但不限於校正動作，在基板P上之既定照射區域曝光完成後，用來開始下一照射區域曝光之步進移動等，在用曝光裝置EX執行之各種動作中，能調整基板載台PST之速度或移動路徑。

又，不限於基板載台PST，在將液浸區域AR2形成於與投影光學系統PL相對向之物體上之狀態下移動該物體之情形，亦可調整該物體之移動速度或移動路徑。

如上述，在本實施形態中，液體LQ係使用純水。純水在半導體製造工場等能大量取得，並且具有對基板P上之光阻或光學元件(透鏡)等無不良影響之優點。又，因純水對環保無不良影響，並且雜質之含量極低，故亦能期待洗淨設置於基板P表面、及投影光學系統PL之前端面之光 學元件表面之作用。又，當從工場等所供應之純水純度低之情形，曝光裝置亦可具有超純水製造器。

而且，純水(水)對波長193nm左右之曝光用光EL之折射率n大致為1.44左右，就曝光用光EL之光源而言，當使用ArF準分子雷射光(波長193nm)之情形，在基板P上為1/n，即被短波長化成約134nm左右，能獲得高解析度。而且，與空氣中相較，焦點深度被放大到約n倍，即被放大約1.44倍左右，當佳能確保與空氣中所使用之情形同程度之焦點深度之情形，能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，此點亦能提高解析度。

又，當使用上述之液浸法之情形，投影光學系統之數值孔徑NA為0.9~1.3。因此，當投影光學系統之數值孔徑NA變大之情形，由於從習知用來作為曝光用光之隨機偏光用光，會因偏光效應而使成像性能惡化之情形，故較佳係使用偏光照明。這種情形，較佳係進行對準光罩(標線片)之線和空間(line and space)圖案之線圖案長邊方向之直線偏光照明，從光罩(標線片)之圖案係沿著S偏光成分(TE偏光成分)、即沿著線圖案長邊方向之偏光方向成分之繞射光大量射出。當在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間以液體填滿之情形，與在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間用空氣(氣體)填滿之情形相較，因有助於提高對比之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光之光阻表面之透過率變高，故即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0之情形，亦能獲得高成像性能。又，若適當組合移相光罩或日本特開平6-188169號公報所揭示之對準線圖案之長邊方向之斜入射照明法(特別是雙極照明法)等則更有效。

又，例如把ArF準分子雷射光當作曝光用光，使用1/4左右 縮小倍率之投影光學系統PL，將微細之線和空間圖案(例如25nm~50nm左右之線和空間)曝光在基板P上之情形，採用光罩M之構造(例如圖案之微細度或鉻之厚度)，藉由導波(Wave guide)效應，把光罩M當作偏光板之作用，從S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光，較用以使對比降低之P偏光成分(TM偏光成分)之繞射光為多的方式，從光罩M射出，故較佳係使用上述之直線偏光照明，但即使用隨機偏光用光來照明光罩M，即使投影光學系統PL之數值孔徑NA大到0.9~1.3之情形，亦能獲得高解像性能。又，當把光罩M上之極微細之線和空間圖案曝光於基板P上之情形，由於線柵(Wire Grid)效應，P偏光成分(TM偏光成分)可能較S偏光成分(TE偏光成分)為大，但例如把ArF準分子雷射當作曝光用光，使用1/4左右縮小倍率之投影光學系統PL，將較25nm為大之線和空間圖案曝光在基板P上之情形，因從光罩M射出較P偏光成分(TM偏光成分)之繞射光為多之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光，故即使投影光學系統PL之數值孔徑NA大到0.9~1.3之情形，亦能獲得高高解像性能。

進而，不僅對準光罩(標線片)之線圖案之長邊方向之直線偏光照明(S偏光照明)，並且如日本特開平6-53120號公報所示，組合偏光照明法(直線偏光至以光軸為中心之圓切線(周)方向)與斜入射照明法亦具有效果。特別是，光罩(標線片)之圖案不僅在延伸至既定一方向之線圖案，延伸至複數個不同方向之線圖案混在一起之情形，同樣地，如日本特開平6-53120號公報所揭示，同時使用偏光照明法(直線偏光至以光軸為中心之圓切線方向)和環帶照明法，藉此即使投影光學系統之數值孔徑NA較大之情形，亦能獲得高的成像性能。

在本實施形態中，在投影光學系統PL之前端安裝光學元件2，藉由此透鏡能進行投影光學系統PL之光學特性，例如像差(球面像差、彗形像差等)之調整。又，就安裝於投影光學系統PL前端之光學元件而言，亦可係使用於投影光學系統PL之光學特性之調整之光學板。或亦可係能使曝光用光EL透過之平行平面板。即使將與液體LQ接觸之光學元件當作較透鏡廉價之平行平面板，藉此，在曝光裝置EX之搬運、組裝、調整時等，即使投影光學系統PL之透過率、基板P上之曝光用光EL之照度、及使照度分布均勻性降低之物質(例如矽系有機物等)附著於該平行平面板，在供應液體LQ之前，亦可只交換該平行平面板，把與液體LQ接觸之光學元件當作透鏡之情形相較，具有該交換成本變低之優點。即，由於曝光用光EL之照射，從光阻所產生之飛散粒子，或液體LQ中之雜質之附著等所造成，因接觸於液體LQ之光學元件表面被污染，故必須定期更換其光學元件，但把此光學元件當作廉價之平行平面板，與透鏡相較，更換構件之成本低，且能縮短更換所需要之時間，故能防止維護成本(運轉成本)之上升或產能之降低。

又，當由於液體LQ之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件和基板P間之壓力大之情形，不僅能更換其光學元件，並且亦能藉由該壓力使光學元件不動之方式來牢固地固定。

又，在本實施形態中，雖投影光學系統PL與基板P表面間係以液體LQ來填滿之構成，但例如亦可係在把蓋玻璃(由平行平面板所構成)安裝於基板P表面之狀態下填滿液體LQ之構成。

又，適用上述液浸法之曝光裝置，係以液體(純水)來填滿投 影光學系統PL之終端光學元件2射出側之光路空間，將基板P曝光，但如國際公開第2004/019128號所揭示般，投影光學系統PL之終端光學元件2入射側之光路空間亦可以液體(純水)來填滿。這種情形，與上述實施形態同樣，亦可調整投影光學系統PL之終端光學元件2入射側之光路空間之液體壓力。又，邊將投影光學系統PL之終端光學元件2入射側之光路空間之氣體排出，邊開始供應液體，藉此能快速且良好地以液體來填滿其光路空間。

又，雖本實施形態之液體LQ係水，但亦可係水以外之液體。例如當曝光用光EL之光源係F2雷射之情形，因該F2雷射光無法透過水，故就液體LQ而言，例如亦可係能使F2雷射光透過之過氟化聚酯(PFPE)或氟系油等氟系流體。這種情形，與液體LQ接觸之部分，例如以含氟之極性小之分子構造物質來形成薄膜，進行親液化處理。又，就液體LQ而言，其他亦能使用對曝光用光EL具有透過性，折射率儘量高，對投影光學系統PL或塗布於基板P表面之光阻穩定者(例如洋杉油)。這種情形，表面處理亦按照所使用之液體LQ之極性來進行。又，亦能使用具有所要折射率之各種流體(例如超臨界流體或高折射率氣體)，來替代液體LQ之純水。

又，就上述各實施形態之基板P而言，不僅適用半導體元件製造用之半導體晶圓，而且適用顯示元件用之玻璃基板、或薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

就曝光裝置EX而言，除了同步移動光罩M與基板P，將光罩M之圖案掃描曝光之步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)之外，亦適用於在光罩M與基板P靜止狀態下，將光罩M之圖案整體曝光， 依序使基板P步進移動之步進重複方式之投影曝光裝置(步進機)。又，本發明亦能適用於在基板P上，將至少2個圖案局部重疊，來進行轉印之步進接合方式之曝光裝置。

又，本發明亦能適用雙載台型(具備2個載台，分別裝載晶圓等被處理基板，能獨立朝XY方向移動)。雙載台型之曝光裝置構造及曝光動作，例如揭示於日本特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國6，341，007、6，400，441、6，549，269及6，590，634)、日本特表2000-505958號(對應美國專利5，969，441)或美國專利6，208，407。

又，在上述實施形態中，雖採用局部地以液體來填滿投影光學系統PL和基板P間之曝光裝置，但本發明亦能適用曝光對象之全體基板表面被液體覆蓋之液浸曝光裝置。曝光對象之全體基板表面被液體覆蓋之液浸曝光裝置之構造及曝光動作，例如係詳細記載於日本特開平6-124873號公報、日本特開平10-303114號公報、美國專利第5，825，043號等。

就搭載於曝光裝置之投影光學系統而言，亦能使用各種型式之投影光學系統。例如亦可係包含反射元件和折射元件之反射折射型投影光學系統，亦可係僅包含反射元件之反射型投影光學系統。又，本發明亦能適用未具有投影光學系統型之曝光裝置(例如接近型曝光裝置)。

又，在上述實施形態中，雖採用透過液體LQ來檢測出基板P表面之面位置資訊之聚焦調平檢測系統，但亦可採用不透過液體LQ，在曝光前或曝光中檢測出基板P表面之面位置資訊之聚焦調平檢測系統。

在上述具體例中，係在流路形成構件70之開口部70B(光透過部)，隔既定間隔配置投影光學系統PL前端之光學元件2，但亦可在流路 形成構件70之開口部70B安裝任意之光學元件。即，亦可將光學元件2或前述之光學板保持於流路形成構件70。這種情形，從防止傳達振動之觀點來看，較佳係投影光學系統PL與流路形成構件70係不同的支持構造。

又，本發明亦能適用於備有曝光載台(能保持晶圓等被處理基板移動)、及測量載台(具備各種基準構件或測量感測器等測量構件)之曝光裝置。這種情形，在上述之實施形態中，能將配置於基板載台PST之基準構件或各種測量感測器之至少一部分配置於測量載台。具備曝光載台與測量載台之曝光裝置，例如記載於日本特開平11-135400號。

就曝光裝置EX之種類而言，不限於將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、及用來製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片或光罩等之曝光裝置等。

當在基板載台PST或光罩載台MST使用線性馬達之情形，亦可採用使用空氣軸承之氣浮型、及使用洛倫茲力或反作用力之磁浮型之任一種。又各載台PST、MST亦可係沿著導件移動之型式，亦可係未設置導件之無導件型。載台使用線性馬達之例係揭示在美國專利5，623，853及5，528，118。

就各載台PST、MST之驅動機構而言，亦可使用平面馬達，其係使磁鐵單元(二維配置磁鐵而成)與電樞單元(二維地配置線圈)相對向，藉由電磁力來驅動各載台PST、MST。這種情形，亦可將磁鐵單元與電樞單元之任一方連接於載台PST、MST，而將磁鐵單元與電樞單元之另一方設置於載台PST、MST之移動面側。

因基板載台PST之移動所產生之反作用力，為避免傳達至投影光學系統PL，亦可使用框構件使其機械性地傳達至地面(大地)。該反作用力之處理方法，例如詳細揭示於美國專利第5，874，820(日本8-330224號公報)。

如以上所述，本案實施形態之曝光裝置EX，為保持既定之機械精度、電氣精度、及光學精度，藉組裝各種副系統(包含本案申請專利範圍所列舉之各構成要件)來加以製造。為了確保該等各種精度，在該組裝前後，針對各種光學系統進行用來達成光學精度之調整，針對各種機械系統進行用來達成機械精度之調整，針對各種電氣系統，進行用來達成電氣精度之調整。從各種副系統對曝光裝置之組裝步驟係包含各種副系統相互之機械連接、電氣電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。在從各種副系統對曝光裝置之組裝步驟前，當然有各副系統之各組裝步驟。待各種副系統對曝光裝置之組裝步驟完成後，進行綜合調整，能確保曝光裝置整體之各種精度。又，較佳係曝光裝置之製造在控制溫度及潔淨度等之無塵室來進行。

半導體元件等之微元件如第17圖所示，經由進行微元件功能及性能設計之步驟201、根據該設計步驟來製作光罩(標線片)之步驟202、製造元件基材(基板)之步驟203、曝光處理步驟204(採用前述實施形態之曝光裝置EX，將光罩之圖案曝光於基板上)、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、及封裝步驟)205、及檢查步驟206等。

依本發明，能防止由於供應於基板上之液體壓力所造成之不良影響。能防止在供應於基板上之液體中產生氣體區域。又，因具備第1 及第2液體回收機構，故即使因停電等供電中斷，亦不會產生液體漏出。又，當移動基板或基板載台時，為避免從液浸區域漏出液體而調整移動速度。因此，能良好地形成液浸區域，獲得高曝光精度及測量精度，藉此能製造具有所要性能之元件。

AR1‧‧‧投影區域

AR2‧‧‧液浸區域

AX‧‧‧光軸

CONT‧‧‧控制裝置

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

IL‧‧‧照明光學系統

LQ‧‧‧液體

M‧‧‧光罩

MST‧‧‧光罩載台

MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置

P‧‧‧基板

PL‧‧‧投影光學系統

PK‧‧‧鏡筒

PST‧‧‧基板載台

SB‧‧‧載台基座

2‧‧‧光學元件

2A‧‧‧液體接觸面

2T‧‧‧側面

10‧‧‧液體供應機構

11‧‧‧液體供應部

12(12A、12B)‧‧‧供應管

13(13A、13B)‧‧‧液體供應口

14(14A、14B)‧‧‧供應流路

16(16A、16B)‧‧‧流量控制器

20‧‧‧第1液體回收機構

21‧‧‧第1液體回收部

22(22A、22B)‧‧‧回收管

23(23A、23B、23D)‧‧‧液體回收口

24(24A、24B)‧‧‧回收流路

31‧‧‧移動鏡

32‧‧‧雷射干涉計

33‧‧‧移動鏡

34‧‧‧雷射干涉計

40‧‧‧第2液體回收機構

41‧‧‧第2液體回收部

42(42A、42B)‧‧‧回收管

43(43A、43B)‧‧‧輔助液體回收口

44(44A、44B)‧‧‧回收流路

51‧‧‧XY載台

52‧‧‧Z傾斜載台

56‧‧‧板構件

57‧‧‧平坦面(平坦部)

60‧‧‧第3液體回收機構

61‧‧‧液體回收口

62‧‧‧液體吸收構件

70‧‧‧流路形成構件

70A‧‧‧流路形成構件之下面

70B‧‧‧開口部(光透過部)

90‧‧‧壓力調整機構

91‧‧‧壓力調整用液體供應部(液體回收部)

92‧‧‧壓力調整用液體回收部

100A‧‧‧商用電源

100B‧‧‧不斷電電源

360‧‧‧光罩對準系統

Claims (42)

1. 一種曝光裝置，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於具備：用以將液體供應於基板上之液體供應機構；投影光學系統；以及壓力調整機構，供調整從該液體供應機構所供應之液體壓力。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該壓力調整機構係進行該液體之追加或該液體之局部回收，藉此來進行該液體之壓力調整。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該液體係在配置於該投影光學系統像面側之物體上形成液浸區域；該壓力調整機構係進行該液體之壓力調整，俾減低該液體對該物體所施加之力。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該液體係在配置於該投影光學系統像面側之物體上形成液浸區域；該壓力調整機構，係考慮該物體之液體接觸面與該液體之親和性，而進行該液體之壓力調整。
5. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該物體係該基板。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之曝光裝置，其中具備排氣機構，用以排出該投影光學系統像面側之氣體；邊藉由該排氣機構進行氣體之排出，邊藉由該液體供應機構開始供應液體。
7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該排氣機構之排氣口係配置於，較該液體供應機構之液體供應口更靠近該投影光學系統之投影區域。
8. 一種曝光裝置，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝 光，其特徵在於具備：投影光學系統；用來供應該液體之液體供應機構；以及排氣機構，用以排出該投影光學系統像面側之氣體；該排氣機構之排氣口係配置於，較該液體供應機構之液體供應口更靠近該投影光學系統之投影區域，邊藉由該排氣機構進行氣體之排出，邊藉由該液體供應機構開始供應液體。
9. 如申請專利範圍第1項或第8項之曝光裝置，其中，該液體供應機構之液體供應口係配置於該投影光學系統之投影區域兩側，以從該投影區域兩側供應液體。
10. 如申請專利範圍第1項或第8項之曝光裝置，其中具備第1液體回收機構，其以該投影光學系統之投影區域為基準，在該液體供應機構之液體供應口外側具有液體回收口。
11. 如申請專利範圍第10項之曝光裝置，其中具備第2液體回收機構，其具有與該第1液體回收機構不同的驅動源，且以該投影光學系統之投影區域為基準，在該第1液體回收機構之液體回收口外側具有回收口。
12. 一種曝光裝置，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統；用來供應該液體之液體供應機構；第1液體回收機構，其以該投影光學系統之投影區域為基準，在該液體供應機構之液體供應口外側具有液體回收口；以及 第2液體回收機構，其具有與該第1液體回收機構不同的驅動源，且以該投影光學系統之投影區域為基準，在該第1液體回收機構之液體回收口外側具有回收口。
13. 如申請專利範圍第11項或第12項之曝光裝置，其中，該驅動源包含不斷電電源。
14. 一種曝光裝置，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統；用來供應該液體之液體供應機構；用來回收該液體之液體回收機構；以及供保持該基板之基板載台；藉由該液體供應機構和該液體回收機構，在該基板載台上局部形成液浸區域之狀態下，當該基板載台從第1位置朝第2位置大致直線地移動時，按照該第1位置與第2位置之間隔使該基板載台之移動速度不同。
15. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該第1位置與第2位置之間隔為既定量以上之情形，與該第1位置與第2位置之間隔較既定量為短之情形相較，係減慢該基板載台之移動速度。
16. 一種曝光裝置，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統；用來供應該液體之液體供應機構；用來回收該液體之液體回收機構；以及 供保持該基板之基板載台；藉由該液體供應機構和該液體回收機構，在該基板載台上局部形成液浸區域之狀態下，當該基板載台從第1位置朝第2位置大致直線地移動時，按照該基板載台從該第1位置朝該第2位置之移動方向，使該基板載台之移動速度不同。
17. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，當使該基板載台朝該液體回收機構之液體回收力弱之既定方向移動之情形，與使該基板載台朝與該既定方向不同方向移動之情形相較，係減慢該基板載台之移動速度。
18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中，在該液體回收機構之液體回收力弱之既定方向，不配置該液體回收機構之液體回收口。
19. 一種曝光裝置，係透過基板上之液體，將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於具備；流路形成構件，其具有光透過部且在內部形成有液體之流路；以及液體供應裝置，通過該流路形成構件之流路，在基板與流路形成構件間供應液體；供應於基板與流路形成構件間之液體壓力，係依據通過該流路所供應之液體流量來進行調節。
20. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，進一步具備投影光學系統，該光透過部係開口，投影光學系統之前端係收容在該開口內。
21. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，進一步具備液體回收裝置，其通過該流路來回收該基板上之液體。
22. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置，其中在該流路形成構件之與 基板相對向之面，該流路開放端形成包圍投影光學系統之投影區域之環狀槽。
23. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，在該流路形成構件之與基板相對向之面形成凹部，在凹部內設置供測定液體壓力之壓力感測器。
24. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，該流路形成構件具有液體供應流路和液體回收流路。
25. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其中，該流路形成構件進一步包含壓力調整用之流路。
26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，該壓力調整用之流路包含：供應流路；以及回收流路，其形成於較該供應流路更靠近投影光學系統之投影區域側。
27. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，壓力調整用之流路端部係朝該投影光學系統開口。
28. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，進一步具備聚焦調平機構，在該流路形成構件設置光學構件，俾使從聚焦調平機構所射出之光線透過。
29. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，該流路形成構件之與該基板相對向之面係親水性。
30. 一種元件製造方法，其特徵在於，係採用申請專利範圍第1、8、12、14、16、及19項中任一項之曝光裝置來製造元件。
31. 一種曝光方法，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟： 將液體供應於基板上；調整供應於基板上之液體壓力；以及透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光。
32. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其中，在基板上追加該液體或回收該液體的一部分，藉此來調整該液體之壓力。
33. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其中，考慮該基板之液體接觸面與該液體之親和性，來調整該液體之壓力。
34. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其中，測定供應於基板上之液體壓力，按照所測定之壓力來調整該液體之壓力。
35. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體，將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：將該液體供應於基板上；配置於投影光學系統附近，在垂直方向上，於較投影光學系統之終端面為高之位置進行排氣；以及透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光。
36. 如申請專利範圍第35項之曝光方法，其中，邊進行該液體之排出，邊開始該液體之供應。
37. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體，將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：將該液體供應於基板上；對投影光學系統，在較該液體所供應之位置為遠之位置，藉由第1及第2液體回收機構來回收基板上之液體；以及 透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光；且第1及第2液體回收機構之驅動電源不同。
38. 如申請專利範圍第37項之曝光方法，其中，第1及第2液體回收機構兩者之一驅動電源係不斷電電源。
39. 一種曝光方法，係透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：透過液體將曝光用光照射於基板上以將該基板曝光；當未曝光基板時，在將液體保持在基板上之狀態下使基板從第1位置朝第2位置移動；以及按照該第1位置與第2位置之位置關係，來調整該基板從第1位置朝該第2位置之移動速度。
40. 如申請專利範圍第39項之曝光方法，其中，該移動距離為既定距離以上之情形，係較既定距離為小之情形減慢該基板之移動速度。
41. 如申請專利範圍第39項之曝光方法，其中，進一步包含以下步驟：從基板上回收液體；使該基板朝液體回收力弱之既定方向移動之情形，與使該基板朝與該既定方向不同方向移動之情形相較，係減慢該基板之移動速度。
42. 一種元件製造方法，其特徵在於，係使用申請專利範圍第31、35、37及39項中任一項之曝光方法來製造元件。