KR20080065609A - 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을설정하는 방법 및 이러한 타입의 투사 노광 장치 - Google Patents

마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을설정하는 방법 및 이러한 타입의 투사 노광 장치 Download PDF

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요아힘 뷔첼
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칼 짜이스 에스엠테 아게
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Abstract

마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을 설정하는 방법으로서, 상기 방법에 의해 마스크가 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상될 수 있고, 상기 기판은 투사 대물 렌즈에 관한 광축에 대해 횡방향으로 순차적으로 이동될 수 있는 광학 결상 특성 설정 방법에 있어서, 예정된 압력하에서 및/또는 예정된 유량으로 침지 매체(immersion medium)를 적어도 하나의 제1 간격(interspace) 내로 도입하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치되는 것인 단계와, 상기 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로부터의 편차를 위해 상기 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하는 단계를 포함하는 광학 결상 특성 설정 방법이 제공된다.

Description

마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을 설정하는 방법 및 이러한 타입의 투사 노광 장치{METHOD FOR SETTING AN OPTICAL IMAGING PROPERTY IN A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS OF THIS TYPE}
본 발명은 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을 설정하기 위한 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 이러한 타입의 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 관한 것이다.
마이크로리소그래픽 투사 노광 장치는 예를 들어 집적 회로와 같은 전자 부품의 생산 동안 사용된다. 마이크로리소그래픽 생산 방법에 있어서, 보통 레티클(reticle)로서 또한 언급되고 결상될 구성을 구비한 마스크는 투사 대물 렌즈에 의해 보통 웨이퍼로서 또한 언급되는 기판 상으로 결상된다. 기판은 마스크의 패턴을 따라 노광되는 보통 포토레지스트(photoresist)인 감광 표면을 구비한다. 포토레지스트가 현상된 후, 원하는 구성이 기판 상에 나타난다.
노광 공정 동안 기판의 전체 표면이 아니라 매 경우에 기판의 소정 면적만을 노광시키는 것이 가능하기 때문에, 기판의 전체 표면을 점진적으로 노광시키기 위 해, 기판은 투사 대물 렌즈의 광축에 대해 때때로, 즉 순차적으로 이동된다. 이 공정은 "스텝(step)" 공정으로서 언급된다.
이러한 목적을 위해, 기판은 예를 들어 스텝퍼 모터(stepper motor)에 의해 순차적으로 이동될 수 있는 테이블 상에 배치된다.
마이크로리소그래픽으로 생산될 전자 부품의 집적 밀도를 증가시키는 것은 또한 이러한 타입의 투사 노광 장치의 투사 대물 렌즈의 해상도 성능으로 만들어진 요건에 있어서의 증가를 수반한다. 투사 대물 렌즈의 해상도 성능은 시스템의 개구수(numerical aperture)에 반비례한다. 시스템의 개구수에 있어서의 증가는 해상도 성능에 있어서의 향상으로 이어진다.
개구수를 증가시키기 위해, 예를 들어 문헌 EP 1 420 299 A2, DD 242 880 A1 또는 WO 2004/019128 A2로부터 기판이 감광 표면과 상기 표면에 면하는 투사 대물 렌즈의 말단 요소의 단부면(end face) 사이의 간격(interspace) 내로 침지액을 도입하는 것이 알려져 있다. 예를 들어 물과 같은 침지액은 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖고, 이에 의해 시스템의 개구수는 증가된다. 침지액을 사용하는 리소그래픽 생산 방법의 분야는 또한 침지 리소그래피로서 언급된다.
문헌 WO 2004/053596 A2는 투사 대물 렌즈의 광학 결상 특성이 침지액의 온도에 있어서의 목적으로 하는 변화에 의해 원하는 방식으로 설정될 수 있는 방법을 기술한다. 침지액의 온도에 있어서의 변화는 침지액의 굴절률에 있어서의 변화를 야기하고, 이것은 침지액의 굴절 특성을 변화시킨다. 따라서, 그 문헌에 따라, 온도에 있어서의 변화에 의해, 투사 대물 렌즈의 초점 거리를 변화시키는 것이 가능 하거나, 또는 특히 구형 수차인 회전 대칭 결상 수차를 적어도 감소시키는 것이 가능하다.
침지 리소그래피의 하나의 문제는 노광 공정 동안 결상 수차가 때때로 발생된다는 것이고, 상기 결상 수차는 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동과 서로 관련된다.
침지액은 투사 대물 렌즈의 말단 요소의 단부면 및 기판의 표면에 접촉하기 때문에, 이들 두 영역에서 침지액의 점착력으로 인해, 만약 기판이 투사 대물 렌즈에 대해 이동되면 간격 내의 침지액의 압력 및 유동 상태가 변한다. 투사 대물 렌즈에 대한 기판이 순차적 이동 동안 침지액의 이들 상태 변화는 말단 요소의 단부면에 대해 침지액의 펌핑(pumping)을, 그리고 따라서 비록 아주 작기는 하지만 특히 구형 수차인 결상 수차를 유발하는 말단 요소의 위치에 있어서의 변화를 야기한다. 기판의 순차적 이동에 따라, 그러한 결상 수차는 펌프식 또는 맥동 방식으로 발생한다.
침지액의 온도에 있어서의 변화가 발생 및 소멸하는 결상 수차에 대한 시간 지속에 비해 너무 완만하기 때문에, 위에서 언급된 일시적으로 발생하는 이들 결상 수차는 침지액의 온도를 변하시키는 것에 의해 중화될 수 없다.
DE 102 53 679는 리소그래피 방법 및 리소그래피 방법에 사용하기 위한 장치를 개시한다. 장치는 마스크 뒤(광학 비임 경로에 대해)에 배치된 렌즈 시스템을 갖고, 1보다 큰 굴절률을 갖는 매체가 마스크와 렌즈 시스템 사이에 놓인 영역에 제공된다.
따라서, 본 발명의 일 목적은 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서 광학 결상 특성을 설정하기 위한 방법으로서, 상기 방법에 의해 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동에 의해 야기된 결상 수차의 발생이 가능한 한 효율적으로 중화될 수 있는 그러한 방법을 상술하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동에 기인한 결상 수차가 가능한 한 크게 회피되거나 적어도 감소되는 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치를 상술하는 것이다.
본 발명의 제1 실시형태는, 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서 광학 결상 특성을 설정하는 방법으로서, 상기 방법에 의해 마스크가 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상될 수 있고, 상기 기판은 투사 대물 렌즈에 관한 광축에 대해 횡방향으로 순차적으로 이동될 수 있는, 상기 광학 결상 특성을 설정하는 방법에 있어서, 예정된 압력하에서 및/또는 예정된 유량으로 침지 매체(immersion medium)를 적어도 하나의 제1 간격(interspace) 내로 도입하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치되는 것인 단계와, 상기 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로부터의 편차를 위해 상기 침지액의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하는 단계를 포함하는 광학 결상 특성 설정 방법을 제공한다.
본 발명에서 적어도 하나의 제1 간격이 광축을 따라 보았을 때 전체 투사 마이크로리소그래피 장치 내에 배치될 수 있는 것이 중요하다. 침지액 뿐만 아니라 침지 가스, 또한 침지 가스 및 침지액의 조합, 그리고 상이한 침지액들 및/또는 상이한 침지 가스들의 조합이 침지 매체로서 제공될 수 있다.
광축을 따라 배치되는 방식으로 투사 마이크로리소그래피 장치에 상기 하나의 제1 간격에 나란히 추가의 간격을 또한 제공하기 위한 준비가 행해지고, 상기 간격은 상이한 기하학적 형상을 가질 수 있다. 이 경우에 있어서, 간격의 형태는 유리하게 조명 시스템 및/또는 투사 대물 렌즈의 광학 부품에 각각 접하는 형태로 적용될 수 있다.
간격은 광축을 따라 보았을 때 광학 부품의 위 그리고 아래 양쪽에 배치될 수 있고, 하나의 광학 부품 위에 그리고 아래에 추가의 광학 부품이 제1 광학 부품으로부터 소정 거리에 배치될 수 있다.
광학 부품에 접하는 간격이 양측으로부터 동일하거나 상이한 침지 매체로 충전될 수 있는 것이 가능하다. 이 목적을 위해, 각각의 광학 부품의 각각의 표면의 구성은 이것과 조화되어야 한다.
상이한 침지 매체로 간격을 채우는 것은 특히 개별 간격이 기밀하게 밀봉되는 것을 필요로 한다. 특히, 각 간격은 각각 입구 및 출구를 갖는 별개의 침지 매체 플러싱 회로[생략하여, 플러싱 회로(flushing circuit)]에 의해 충전된다. 플러싱 회로는 서로로부터 독립적으로 제어 및 조절될 수 있지만, 또한 각각의 플러싱 회로가 서로에 종속하는 방식으로 제어 및 조절되는 것도 가능하다.
본 발명의 다른 실시형태는, 마스크를 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상하기 위한 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서, 투사 대물 렌즈와, 테이블로서, 상기 테이블 상에 상기 투사 대물 렌즈의 단부면에 면하는 상기 감광 표면을 갖는 상기 기판이 배치될 수 있는 것인 테이블과, 상기 투사 대물 렌즈의 광축에 대해 횡방향으로 상기 테이블의 순차적 이동을 위한 스텝퍼 구동 장치와, 적어도 하나의 제1 간격으로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격 내로 침지 매체가 도입될 수 있고, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 광축을 따라 보았을 때 상기 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치될 수 있는, 상기 적어도 하나의 제1 간격을 포함하고, 적어도 하나의 감시 장치가 상기 적어도 하나의 제1 간격 내의 상기 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하기 위해 제공되는 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치를 제공한다.
따라서 본 발명에 따른 방법은, 예정된 압력 및/또는 예정된 유량에 대해 실제 압력 및/또는 실제 유량에 있어서의 변화가 발생되었는지의 효과로서, 예정된 압력하에 및/또는 예정된 유량으로 적어도 하나의 간격 내로 도입된 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 검사하는 것을 제공한다.
본 방법의 바람직한 일 구성에 있어서, 적어도 하나의 제1 간격은 감광 표면과 상기 표면에 면하는 투사 대물 렌즈의 표면 사이에 배치된다.
기판과 투사 대물 렌즈 사이의 간격 내의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 감시는, 적합한 수단에 의해 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동에 의해 야기된 맥동 압력 및/또는 유량 변화를 중화시키는 것을 가능하게 한다.
그러한 조치는 바람직하게 예정된 압력 및/또는 예정된 유량을 노광 공정 동안 가능한 한 일정하게 유지하기 위해 실제 압력 및/또는 유량의 검출된 편차에 따라 적어도 하나의 설정 유닛에 의해 침지액의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로 설정 또는 재조정하는 것으로 이루어진다.
이 목적을 위해, 투사 노광 장치에는 바람직하게 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 유닛이 갖추어진다.
본 발명의 다른 바람직한 구성은 기판의 순차적 이동 동안 실행될 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 감시를 제공한다.
이들 조치의 경우에, 기판의 순차적 이동에 의해 야기된 침지 매체의 상태 변화는 따라서 침지 매체 자체에 작용함으로써 중화된다. 따라서, 예로서, 이러한 방식으로 예를 들어 광축 방향으로의 말단 요소 또는 투사 대물 렌즈의 단부면의 위치에 있어서의 변화가 가능한 한 적게 유지되거나 또는 심지어 회피되도록 하기 위해, 압력이 증가 또는 감소될 수 있거나, 유량이 증가 또는 감소될 수 있다.
투사 노광 장치의 감시 장치는 바람직하게 압력 게이지 및/또는 유량계를 구비하고, 이것은 예를 들어 특히 기판과 투사 대물 렌즈의 말단 요소 사이의 적어도 제1 간격 내로의 침지 매체용 이송 라인에 배치되지만, 또한 간격 자체 내에 배치될 수도 있다.
투사 노광 장치가 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 유닛을 구비한 구성과 관련하여, 압력 게이지 및/또는 유량계는 바람직하게 설정 유닛에 결합되고, 이에 의해 유리하게도 수동 개입을 필요로 하지 않는 자동 제어 루프가 제공된다.
투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동에 의해 야기되고 따라서 결상 수차를 유발하는 투사 대물 렌즈의 단부면 또는 말단 요소의 위치에 있어서의 맥동 변화를 회피하기 위한 다른 조치는, 압력 및/또는 유량의 검출된 편차에 따라 적어도 하나의 액추에이터에 의해 광축 방향으로 투사 대물 렌즈의 단부면을, 예정된 압력 및/또는 예정된 유량에 할당된 단부면의 원하는 위치에 가능한 한 가깝게 되는 위치로 위치적으로 조정하는 것으로 이루어진다.
투사 노광 장치에 있어서, 대응하여 바람직하게 투사 대물 렌즈의 단부면을 구비한 투사 대물 렌즈의 말단 요소는 광축 방향으로 이동될 수 있고, 말단 요소는 실제 압력 및/또는 실제 유량을 위한 감시 장치에 결합된 적어도 하나의 액추에이터에 할당된다.
이 조치는 침지 매체 자체에 작용함으로써 기판과 투사 대물 렌즈 사이의 간격 내의 실제 압력 및/또는 실제 유량에 있어서의 변화에 반응을 나타내는 것을 포함하지 않고, 오히려 예를 들어 기판의 순차적 이동에 의해 야기된 결상 특성에 있어서의 맥동 변화가 가능한 한 적게 유지되거나 심지어 회피되기 위해, 단부면을 구비한 투사 대물 렌즈의 말단 요소 또는 단부면은 압전 액추에이터에 의해 위치적으로 고정 유지된다.
실제 압력 및/또는 유량을 감시하는 것과 관련하여, 다양한 절차가 바람직한 구성의 본 발명에 따른 방법에 채택될 수 있다.
제1 변형에 있어서, 기판의 순차적 이동 동안 유래하는 압력 및/또는 유량에 있어서의 변화는 투사 노광 장치의 각각의 노광 작동 동안 다시 검출될 수 있다.
이 절차는 노광 작동으로부터 노광 작동까지 변하는 시스템 파라미터가 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시할 때에 항상 부수적으로 고려된다는 장점을 갖는다. 따라서, 투사 노광 장치가 작동되는 작동 상태가 가능한 한 변하지 않는 것을 보장할 필요가 없다.
제2의 바람직한 변형에 있어서, 절차는 또한 바람직하게 순차적 이동 동안 유래하는 압력 및/또는 유량에 있어서의 변화가 투사 노광 장치의 조정 작동 동안 검출되고 기판의 순차적 이동의 위치 및 속도 데이터에 할당되어 전자 메모리에 저장되는 것일 수도 있다.
이어서 전자 메모리에 저장된 데이터는 투사 노광 장치의 각 노광 작동 동안 검색될 수 있고, 이어서 각 노광 작동 동안 침지 매체의 실제 압력 및/또는 유량의 각각의 현재 감시를 필요없게 하는 것이 가능하다.
이어서 전자 메모리에 저장된, 압력 및/또는 유량 변화와 기판의 순차적 이동의 관련 위치 및 속도 데이터를 포함하는 데이터 또는 보다 엄밀하게 데이터 쌍은 침지 매체의 압력 및/또는 유량에 대한 설정 유닛(전술함) 또는 투사 대물 렌즈의 단부면 또는 말단 요소를 위치적으로 조정하기 위한 적어도 하나의 액추에이터를 제어하기 위해 사용될 수 있다.
이와 관련하여, 투사 노광 장치는 바람직하게 기판의 테이블용 스텝퍼 구동 장치에 결합된 전자 메모리를 구비하고, 스텝퍼 구동 장치는 바람직하게 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 유닛, 또는 말단 요소를 위치적으로 조정하기 위한 적어도 하나의 액추에이터에 결합된다.
투사 노광 장치에 관한 다른 바람직한 조치는 투사 대물 렌즈의 단부면에 침지액에 대해 반발성인 코팅을 제공하는 것으로 이루어진다.
단부면에서의 침지 매체의 점착력은 특히 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동 동안 기판과 투사 대물 렌즈 사이의 간격 내의 압력 및/또는 유동 상태에 있어서의 변화가 왜 발생하는 지에 대한 하나의 이유이다.
예를 들어 물과 같은 침지 매체의 점착력, 그리고 이에 따라 기판과 투사 대물 렌즈 사이의 간격 내의 결과로서 생기는 압력 및 유동 변화는 예를 들어 소수성 물질을 갖는 단부면의 코팅에 의해 감소된다.
본 발명의 다른 실시형태는, 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서 투사 대물 렌즈의 광학 결상 특성을 설정하는 방법으로서, 상기 방법에 의해 마스크가 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상될 수 있고, 상기 기판은 투사 대물 렌즈에 관한 광축에 대해 횡방향으로 순차적으로 이동될 수 있는, 상기 광학 결상 특성을 설정하는 방법에 있어서, 침지 매체를 적어도 하나의 제1 간격 내로 도입하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 항상 배치되고, 및/또는 감광 표면과 상기 표면에 면하는 투사 대물 렌즈의 단부면 사이에 배치된, 상기 단계와, 상기 결상 특성이 가능한 한 원하는 결상 특성에 가깝게 되는 방식으로 상기 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하는 단계를 포함하는 광학 결상 특성을 설정하는 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시형태는, 마스크를 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상하기 위한 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서, 투사 대물 렌즈와, 테이블로서, 상기 테이블 상에 상기 투사 대물 렌즈의 단부면에 면하는 상기 감광 표면을 갖는 상기 기판이 배치될 수 있는 것인 테이블과, 상기 투사 대물 렌즈의 광축에 대해 횡방향으로 상기 테이블의 순차적 이동을 위한 스텝퍼 구동 장치와, 침지 매체가 그 안으로 도입될 수 있는 적어도 하나의 제1 간격을 포함하고, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 항상 배치되고, 및/또는 감광 표면과 상기 표면에 면하는 상기 투사 대물 렌즈의 단부면 사이에 배치될 수 있으며, 상기 적어도 하나의 제1 간격과, 상기 투사 대물 렌즈의 광학 결상 특성을 원하는 결상 특성으로 설정하기 위해 상기 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 유닛이 제공되는 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치를 제공한다.
침지 매체는 적어도 하나의 침지액 및/또는 적어도 하나의 침지 가스일 수 있다.
위에서 언급된 방법에 있어서, 그리고 위에서 언급된 투사 노광 장치에 있어서, 적어도 하나의 제1 간격 내의 침지 매체의 압력 및/또는 유량의 설정가능성은 유리하게 목적으로 하는 방식으로 투사 노광 장치, 하지만 특히 투사 대물 렌즈에 있어서 광학 결상 특성을 변경하기 위해 사용된다. 특히, 기판과 투사 대물 렌즈 사이의 간격 내의 압력 및/또는 유량에 있어서의 변화는 다시 말하자면 예를 들어 구상 수차와 같은 확인된 회전 대칭 결상 수차를 수정하도록 투사 대물 렌즈의 특정 광학 결상 특성을 설정하기 위해, 목적으로 하는 방식으로 광축 방향으로 투사 대물 렌즈의 단부면 또는 말단 요소의 위치를 설정하기 위해 사용될 수 있다.
추가의 간격이 유리하게 광축을 따라 보았을 때 조명 장치 내에, 투사 대물 렌즈 내의 조명 장치와 마스크 사이에, 마스크와 투사 대물 렌즈 사이에, 그리고 투사 대물 렌즈와 노광될 기판 표면 사이에 배치될 수 있다. 이 경우에, 각각의 간격에는 별개의 침지 매체 플러싱 회로가 제공된다. 각 침지 매체 플러싱 회로는 별개의 입구 및 별개의 출구를 구비한다. 침지 매체의 유량 및/또는 압력은 각 경우에 있어서 독립적으로 제어 및 조절될 수 있다. 하지만, 특히 투사 노광 장치 내의 제어 및 조절 유닛을 절약하기 위해 서로에 종속하는 방식으로 여러 침지 매체 회로를 제어 및 조절하는 것도 또한 가능하다.
온도, 압력, 유량, 굴절률, 순도, 흡수도의 파라미터는 침지 매체 플러싱 회로의 제어 및 설정가능성에 유효하다. 침지 매체 자체에는 표면 장력을 낮추기 위한 부가물, 굴절률을 설정하기 위한 부가물, 경계결정 표면(delimiting surface)을 보호하기 위한 부가물이 제공될 수 있다. 또한, 침지 매체 플러싱 회로는 초음파 유닛 및 필터와 같은 정화 유닛을 구비할 수 있다.
온도, 압력, 유량, 굴절률, 흡수도 및 순도의 파마리터를 목적으로 하는 방식으로 설정하기 위한 장치가 유사하게 각 침지 매체 플러싱 회로 내로 통합될 수 있다.
상술된 파라미터를 목적으로 하는 방식으로 설정하기 위한 상기 장치는, 일반적으로 예를 들어 온도-조절 장치 또는 부가물을 도입하기 위한 계량 장치와 같은 표준 장치를 포함하기 때문에, 본 명세서에서는 구체적으로 논의되지 않는다.
하지만, 위에서 언급된 방법 및 위에서 언급된 투사 노광 장치는 혼자서 뿐만 아니라, 일반적으로 투사 대물 렌즈에 대한 기판의 순차적 이동 때문에 유발되고 맥동 방식으로 발생되는 결상 수차가 그것에 의해 수정될 수 있는 전술한 방법 및 전술한 투사 노광 장치와 조합하여 사용될 수 있다.
다른 장점 및 특징이 이하의 설명 및 첨부된 도면으로부터 명백해질 것이다.
위에서 언급된 특징부 그리고 또한 이하에서 설명될 특징부는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 각각 전술한 조합 뿐만 아니라 다른 조합으로 또는 단독으로 사용될 수 있음은 당연하다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면에 도시되어 있으며, 이 도면을 참조하여 이하에서 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 마이크로리소크래픽 투사 노광 장치의 전체 실례를 아주 개략적으로 측면도로서 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 영역(A)의 확대 발췌부를 보여주는 도면으로서, 투사 노광 장 치를 보다 상세하게 도시한다.
도 3은 다른 예시적인 실시예에 따른, 도 1의 발췌부(A)의 도 2와 유사한 도해를 보여주는 도면이다.
도 4는 3개의 간격(interspace)을 갖는 투사 노광 장치의 예시적인 실시예를 보여주는 도면이다.
전체적으로 참조번호 10이 부여된 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치(microlithographic projection exposure apparatus)가 도 1에 대체로 개략적으로 도시되어 있다.
투사 노광 장치(10)는 광선(light beam)(16)을 발생시키기 위한 예를 들어 레이저와 같은 노광원(exposure source)(14)을 구비한 조명 시스템(12), 조명 광학 조립체(8) 및 다이어프램(20)을 갖고, 조명 광학 조립체(18) 및 다이어프램(20)은 조명 시스템(12)의 아주 단순화되고 예시적인 구성을 나타낼 뿐이다.
마스크(22)가 광선(16)의 전파 방향으로 조명 시스템(12)의 하류측에 배치되고, 상기 마스크(22)에는 참조번호(24)로 지시된 바와 같이 패터닝(patterning)이 제공된다. 레티클(reticle)로서도 언급되는 마스크(22)는 홀더(28) 상에 고정되고, 홀더(28)와 따라서 마스크(22)는 이중머리 화살표(30)를 따라 광축(32)에 대해 횡방향으로 이동될 수 있다. 마스크(22)와 함께 홀더(28)는 구동장치(도시되지 않음)에 의해 이동될 수 있다.
또한, 광선(16)의 전파 방향으로, 투사 대물 렌즈(34)가 마스크(22)의 하류 측에 배치된다. 투사 대물 렌즈(34)는 복수의 광학 부품(더 구체적으로는 도시하지 않음)을 갖는다. 상기 광학 부품은 전용 굴절 타입, 전용 반사 타입이거나, 또는 굴절 및 반사 부품의 조합일 수 있다.
투사 대물 렌즈(34)에 의해, 마스크(22) 보다 엄밀하게 패터닝(24)은 그로부터 감광 표면(38)을 구비한 기판(36) 상으로 결상(imaging)되고, 감광 표면(38)은 예를 들어 기판(36) 상에 도포된 포토레지스트에 의해 형성된다. 기판(36)의 감광 표면(38)은 투사 대물 렌즈(34)의 단부면(endface)(40)에 면한다.
감광 표면(38)은 반드시 기판(36)의 최외측 층은 아니다. 감광 표면은 예를 들어 적어도 하나의 반사방지 층(도시되지 않음)에 의해 덮일 수 있다.
기판(36)은 테이블(42) 상에 배치되고, 테이블(42)은 이중머리 화살표(46)를 따라 광축(32)에 대해 횡방향으로 투사 대물 렌즈(34)에 대해 베이스(44) 상에서 이동될 수 있다.
도 2는 간격(interspace)(50)을 가진 투사 노광 장치의 예시적인 실시예를 보여준다. 침지 매체(immersion medium), 본 명세서에서 침지액이 간격(50) 내로 충전된다. 하지만, 침지 가스 또는 침지액 및/또는 침지 가스의 혼합물 그리고 상이한 침지액들 및/또는 침지 가스들의 조합이 또한 포함될 수 있다. 하나의 간격(50)이 예로서 도시되지만, 서로 분리된 복수의 간격 역시 적용될 수 있다.
도 2는 테이블(42) 그리고 따라서 기판(36)의 순차적 이동을 위한 대응하는 스텝퍼 모터(stepper motor)(48)를 예시한다.
예를 들어 집적 회로와 같은 전자 부품의 마이크로리소그래픽 생산에 있어 서, 기판(36)은 또한 웨이퍼로서 언급된다.
도 2는 간격(50)이 또한 투사 대물 렌즈(34)의 단부 공간(40)과 기판(36)의 감광 표면(38) 사이에 존재함을 도시하며, 도시된 예시적인 실시예에 있어서 간격은 기판(36)의 표면(38)을 향해 원뿔형으로 테이퍼진 벽 요소(52)에 의해 측방향으로 경계가 정해진다. 침지 매체, 본 명세서에서 예를 들어 물과 같은 침지액(54)이 간격(50) 내로 도입될 수 있다. 광축(32) 방향에 있어서의 간격(50)의 연장량은 약 수 밀리미터이다. 침지액(54)은 투사 대물 렌즈(34)의 단부면(40)과 기판(36)의 감광 표면(38) 양쪽에 닿는다.
투사 대물 렌즈(34)의 단부면(40)은 보다 엄밀하게 광학 요소(56)의 단부면이고, 광학 요소는 도시된 예시적인 실시예에 있어서 예를 들어 석영 유리 또는 형석 유리로 생산될 수 있는 평면-평행 말단 플레이트(plane-parallel terminating plate)로서 형성된다. 단부면(40)에는 침지액에 대해 반발성인 코팅이 제공될 수 있다.
그 구성으로 인해, 말단 요소(56)는 예를 들어 부력있게 떠서, 말단 요소는 이중머리 화살표 방향으로 적어도 극미하게 이동할 수 있다.
투사 노광 장치(10)의 노광 작동 동안, 광원(14)에 의해 발생된 광선(16)은 마스크(22)를 통과하고 투사 대물 렌즈(34)를 통과하여, 마스크(22)의 패터닝(24)은 투사 대물 렌즈(34)에 의해 기판(36)의 감광 표면(38) 상으로 결상된다. 마스크(22)의 전체 영역을 감광 표면(38) 상에 결상하기 위해, 마스크(22)는 "스캔(scan)" 공정으로 조명된다. 이 경우에 있어서, 마스크(22)의 전체 영역은 마스 크(22)가 다이어프램(20)에 의해 경계가 정해진 광선(16)을 통하여 이동함으로써 스캐닝 방식으로 조명된다. 광선(16)에 의해 기판(36)의 전체 표면(38)을 점진적으로 노광시키기 위해, 그 위의 기판(36)과 함께 테이블(42)은 노광 동안 스텝퍼 모터(48)의 도움으로 순차적으로 이동된다.
침지액(54)은 화살표(62) 방향으로 저장소(61)로부터 공급 라인(60)을 경유하여 간격(50) 내로 도입되고, 화살표(66) 방향으로 배출 라인(64)을 경유하여 간격(50)으로부터 다시 방출되며, 방출된 침지액은 보다 구체적으로 도시되지 않은 순회로를 경유하여 다시 저장소(61)로 공급된다.
저장소(61)에서, 침지액(54)의 온도가 국제 공개 제WO 2004/053596 A2 호에 기술된 바와 같이 조절될 수 있다.
펌프(68)에 의해, 침지액(54)은 예정된 압력 하에 그리고 예정된 유량으로 저장소(61)로부터 간격(50) 내로 도입되고, 대응하여 예정된 압력하에 그리고 예정된 유량으로 상기 간격을 통해 유동한다.
기판(36)이 여전히 서있는 노광 작동의 단계에서, 간격(50) 내의 침지액(54)의 압력 및 유동 상태는 예정된 압력 및 예정된 유량에 대해 변하지 않는다.
이어서 만약 기판(36)이 다음의 스캐닝 단계를 수행하기 위해 이중머리 화살표(46)의 방향으로 예를 들어 도 2의 좌측을 향해 거리(Δx)만큼 이동되면, 침지액(54)이 예정된 압력 및 예정된 유량으로 간격(50)으로 여전히 공급되더라도, 간격(50) 내의 침지액(54)의 압력 및 유동 상태는 이 이동 과정 때문에 변한다. 기판(36)의 이동 동안 간격(50) 내에 있어서의 압력 및 유동 상태의 이들 변화는 침 지액(54)이 단부면(40)에 소정의 점착력 및 표면(38)에 소정의 점착력을 나타낸다는 사실에 기초한다는 것이 추측되어야 한다.
기판(36)의 이동 동안, 간격(50) 내의 침지액(54)의 압력은 예를 들어 이동 때문에 순간적으로 증가할 수 있고, 증가된 압력은 말단 요소(56)의 단부면(40)이 아주 약간만이기는 하지만 화살표(70) 방향으로 상승되는 효과를 갖는다. 하지만, 따라서 단부면(40)과 표면(38) 사이의 거리 또한 말단 요소(56)와 투사 대물 렌즈(34)의 끝에서 둘째의 광학 요소(도시되지 않음) 사이의 거리는 변하고, 이것은 투사 대물 렌즈(34)의 결상 특성에 악영향을 미친다. 이동 단계 후 기판(36)이 여전히 다시 서자 마자, 간격(50) 내의 침지액(54)의 예정된 압력 및 유동 상태가 다시 수립되며, 이에 의해 투사 대물 렌즈(34)가 테이블(42)의 고정 상태에서 결상 수차(imaging aberration)가 없다 하더라도 이동에 의해 유도된 결상 수차가 다시 사라진다.
기판(36)은 투사 노광 장치(10)의 노광 작동 동안 반복적으로 순차적으로 이동되기 때문에, 따라서 표면(38)의 노광 동안 결상 수차가 일시적으로 또는 맥동식으로 발생한다.
이하의 조치는 투사 대물 렌즈(34)의 광학 결상 특성에 대한 기판(36)의 순차적 이동의 상술한 악영향을 중화시키기 위해 투사 노광 장치(10)에서 취해진다.
이 목적을 위해, 투사 노광 장치는 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하기 위한 적어도 하나의 감시 장치(72)를 갖는다.
감시 장치(72)는 바람직하게 도 2에 도시된 바와 같이 침지액(54)용 공급 라 인(60)에 배치된 압력 게이지(74) 및/또는 유량계(76)를 갖는다. 하지만, 압력 게이지(74) 및/또는 유량계(76)는 또한 간격(50) 자체에 배치될 수도 있다.
또한, 투사 노광 장치(10)는 침지액(54)의 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 유닛(78)을 갖고, 설정 유닛은 한편으로는 감시 장치(72)에 다른 한편으로는 신호 라인을 경유하여 펌프(68)에 결합된다.
감시 장치(72)에 의해, 투사 노광 장치(10)의 각각의 노광 작동 동안, 적어도 기판(36)의 순차적 이동 동안, 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로부터 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 편차[기판(36)의 순차적 이동 동안 유래함]를 검출하는 것이 가능하다. 검출 데이터는 평가되어 설정 유닛(78)으로 공급되고, 압력 및/또는 유량 변화의 검출의 경우에 펌프 동력의 증가 또는 감소에 의해 이들 압력 및/또는 유량 변화를 중화시키기 위해 대응하여 펌프(68)를 구동시켜, 가능한 한 예정된 압력 및 예정된 유량이 공간(50) 내에서 유지된다.
투사 노광 장치(10)의 각각의 노광 작동 동안 감시 장치(72)에 의한 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화를 검출하는 절차에 대한 변형으로서, 감시 장치(72)에 의해 투사 노광 장치의 조정 작동 동안 압력 및/또는 유량의 변화(순차적 이동 동안 유래함)를 검출하고 그것들을 기판(36)의 순차적 이동의 위치 및 속도 데이터에 할당하여 전자 메모리(80)에 저장하는 것이 가능하다. 기판(36)의 순차적 이동의 위치 및 속도 데이터는 테이블(42)의 스텝퍼 모터(48)에 의해 공급될 수 있다.
투사 노광 장치(10)의 노광 작동 동안, 반드시 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화가 감시 장치(72)에 의해 영구적으로 검출될 필요가 없다. 오히려, 침지액(54)의 압력 및/또는 유량의 증가 또는 감소는 스텝퍼 모터(48)와 설정 유닛(78) 사이의 직접 결합에 의해 얻어질 수 있다. 테이블(42) 그리고 따라서 기판(36)의 각각의 위치 및 속도와 관련하여, 전자 메모리(80)는 간격(50) 내의 압력 변동 및/또는 유량 변화를 중화시키기 위해 펌프(68)를 제어하기 위한 대응하는 작동 신호를 포함할 수 있다.
전술한 조치는 투사 대물 렌즈(34)의 광학 결상 특성에 있어서의 전술한 맥동 또는 펌프식 변화를 중화시키는 역할을 한다. 이러한 방식으로 조절되는 광학 결상 특성은 특히 만약 말단 요소(56) 그리고 따라서 그것의 단부면(40)이 압력 변동 때문에 이중머리 화살표(58)의 방향으로 이동하면 발생하는 구형 수차이다.
하지만, 다른 조치에 따라, 설정 유닛(78)에 의해 투사 대물 렌즈(34)의 원하는 결상 특성을 얻기 위해 압력 및/또는 유량을 증가 또는 감소시킴으로써 목적으로 하는 방식으로 광학 결상 특성을 설정하는 것이 가능하다. 이 목적을 위해, 원하는 바람직한 결상 특성이 가능한 한 달성되는 방식으로 간격(50) 내의 침지액(54)의 예정된 압력 및/또는 예정된 유량을 설정하기 위해, 외부 조작 장치(82)가 설정 유닛(78)에 제공되어 설정 유닛(78)에 결합된다. 구체적으로, 압력 및/또는 유량 설정에 의해, 구형 수차가 말단 요소(56)를 위치설정함으로써 수정되는 것과 같이, 원하는 결상 특성이 달성되는 방식으로 말단 요소(56)의 위치를 광축(32) 방향으로 위치설정하는 것이 가능하다.
도 3은 도 2에 대해 변형된 예시적인 실시예를 도시하며, 투사 노광 장치(10)의 동일하거나 비교되는 부분 및 요소에 도 2에서와 동일한 참조 부호가 제공된다. 도 2의 예시적인 실시예에 대해 차이점만 이하게 기술될 것이다.
이 예시적인 실시예는 역시 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하기 위한 감시 장치(72)를 포함하고, 감시 장치는 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화[기판(36)의 순차적 이동 동안 야기됨]를 검출한다.
이전의 예시적인 실시예와 대조적으로, 이제 실제 압력 및/또는 유량의 그러한 변화는 침지액(54) 자체의 압력 또는 유량을 증가 및/또는 감소시킴으로써 중화되지 않고, 오히려 말단 요소(56)는 주위에 걸쳐 분포되는 방식으로 배치된 액추에이터(actuator)(84, 86)에 접속되며, 2개의 액추에이터가 도 3에 예시된다. 말단 요소(56) 상의 주위에 걸쳐 분포되는 방식으로 존재하는 그러한 액추에이터보다 많거나 또는 적은 액추에이터가 또한 있을 수 있다.
도 3에서 액추에이터(84)에 대해서만 도시된 바와 같이, 액추에이터(84, 84)는 제어 장치(88)를 경유하여 감시 장치(72)에 결합된다. 감시 장치(72)에 의해 검출되는 간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화는 감시 장치(72)에 의해 제어 신호의 형태로 제어 장치(88)로 전송되고, 이것에 의해 제어 장치(88)는 말단 요소(56)가 기판(36)의 순차적 이동 동안 변하지 않는 식으로 적소에 유지되는 방식으로 액추에이터(84, 86)를 제어한다. 따라서, 순차적 이동에 의해 야기된 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화는 말단 요소(56)의 위치의 변화 에 영향을 미치지 않고, 이것의 결과로서 투사 대물 렌즈(34)에 대해 원하는 바람직한 결상 특성이 변하지 않는다.
간격(50) 내의 침지액(54)의 실제 압력 및/또는 실제 유량의 변화는 투사 노광 장치(10)의 각각의 노광 작동 동안 또는 그것의 조정 작업 전에 다시 검출될 수 있다. 후자의 경우를 위해, 바람직하게 스텝퍼 모터(48)와 제어 장치(88) 사이의 결합이 존재하여, 제어 장치(88)는 투사 노광 장치(10)의 노광 작동 동안 스텝퍼 모터(48)에 의해 공급된 위치 및 속도 데이터에 기초하여서만 액추에이터(84, 86)를 제어한다.
도 4는 투사 노광 장치 내에 3개의 간격의 배치의 예시적인 실시예를 도시한다. 동일한 부분에 도 2 및 도 3에서와 동일한 참조 번호가 제공된다. 기판의 감광 표면과 투사 대물 렌즈의 마지막 광학 부품의 단부면 사이에 배치된 간격(50)에 추가하여, 제2 간격(90) 및 제3 간격(92)이 예시적인 실시예에 도시된다.
광학 말단 요소(56)는 제1 광학 요소(94) 및 제2 광학 요소(96)로 세분된다. 제2 간격(90)은 말단 요소(56)의 제1 요소(94)와 제2 요소(96) 사이에 배치되고, 제3 간격(92)은 위에, 즉 광축(32)을 따라 조명 유닛의 방향으로 보이는 것과 같이 배치된다.
제1 간격(50), 제2 간격(90) 및 제3 간격(92)은 각각 침지 매체로 채워지고, 상이한 침지액 및/또는 상이한 침지 가스가 사용될 수 있다. 예를 들어 제3 간격(92)을 침지 가스로 채우고 나머지 2개의 간격(90, 50)을 침지액으로 채우는 것이 가능하며, 상이한 침지액들의 조합이 또한 포함될 수 있다.
예시는 대체로 출구 및 입구를 갖는, 생략하여 플러싱 회로(flushing circuit)로 불리는 침지 매체 플러싱 회로를 도시하지 않는다. 예시된 각각의 간격(50, 90, 92)은 별개의 플러싱 회로를 갖는다. 특히, 플러싱 회로는 상이한 침지 매체가 함께 혼합되는 것을 방지하기 위해 기밀하게 밀봉된다.
이 경우에, 각 플러싱 회로가 독립적으로 제어되고 조절되는 것이 제공된다. 이것은 각 플러싱 회로에 있어서 침지 매체에 대한 압력 및/또는 이송 속도 및/또는 온도, 및/또는 각각의 플러싱 매체의 조성이 독립적으로 관리 및 설정, 즉 제어될 수 있는 것을 의미한다.
이 경우에, 예를 들어 표면 장력 및/또는 굴절률에 영향을 주기 위해 예를 들어 침지액에 상이한 화학적 조성을 갖는 부가물의 첨가를 제공하기 위한 준비가 유사하게 행해질 수 있다. 침지 매체에 인접하는 표면 보호용 첨가제를 제공하기 위한 준비가 유사하게 행해질 수 있다.
제어 및 조절 유닛의 개수가 적게 유지되는 것을 위해 상이한 플러싱 회로를 공동으로 감시 및 조절하는 것이 유사하게 가능하다.
예를 들어 필터와 같은 정화 유닛 및 초음파 유닛이 유사하게 플러싱 회로에 제공될 수 있다.
간격(50, 90, 92)의 기하학적 형상, 즉 형태는 도 4에 오직 개략적으로 예시되며, 특히 광학 요소의 표면에 적용된 상이한 기하학적 형상이 간격에 대해 제공될 수 있다.
투사 노광 장치의 여러 위치에 제공될 수 있는 간격은 복수의 원칙에 따라 배치될 수 있다. 첫째로, 각각의 경우에 조명 유닛 및/또는 투사 대물 렌즈의 광학 요소에 양측으로부터 간격이 제공되는 것이 가능하며, 동일한 및/또는 상이한 침지 매체가 각각의 광학 부품 위의 그리고 아래의 간격 내로 충전될 수 있다.
둘째로, 예를 들어 조명 유닛(12)에 하나의 간격을 제공하고, 기판(36)의 감광 상측과 기판에 면하는 마지막 광학 부품(56)의 표면 사이에 제2 간격을 배치하는 것이 가능하다.
간격은 또한 조명 유닛(12)과 마스크 사이 그리고 또한 투사 대물 렌즈의 광학 부품들 사이에 제공될 수 있다.
말단 요소(56)의 분할은 특히 고유의 복굴절이 따라서 보상될 수 있기 때문에 유리하다.
바람직하게, 모든 간격(50, 90, 92) 및 관련된 플러싱 회로는 간격 내에 침지 매체를 신뢰성 있게 유지하기 위해 그리고 상이한 침지 매체가 함께 혼합되는 것을 방지하기 위해 기밀하게 밀봉된다.

Claims (43)

  1. 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을 설정하는 방법으로서, 상기 방법에 의해 마스크가 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상될 수 있고, 상기 기판은 투사 대물 렌즈에 관한 광축에 대해 횡방향으로 순차적으로 이동될 수 있는 광학 결상 특성 설정 방법에 있어서,
    예정된 압력하에서 및/또는 예정된 유량으로 침지 매체(immersion medium)를 적어도 하나의 제1 간격(interspace) 내로 도입하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치되는 것인 단계와,
    상기 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로부터의 편차를 위해 상기 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하는 단계
    를 포함하는 광학 결상 특성 설정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 감광 표면과 이 감광 표면에 면하는 상기 투사 대물 렌즈의 단부면 사이에 배치되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실제 압력 및/또는 상기 실제 유량의 최종 편차는 상기 투사 노광 장치의 각각의 노광 작동 동안 다시 검출되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실제 압력 및/또는 상기 실제 유량의 최종 편차는 상기 투사 노광 장치의 조정 작동(calibration operation) 동안 검출되고, 상기 기판의 순차적 이동의 위치 및 속도 데이터에 할당하여 전자 메모리에 저장되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 예정된 압력 및/또는 상기 예정된 유량을 노광 공정 동안 가능한 한 일정하게 유지하기 위해, 상기 실제 압력 및/또는 상기 실제 유량의 검출된 상기 편차에 따라, 적어도 하나의 설정 유닛에 의해 상기 침지 매체의 상기 실제 압력 및/또는 실제 유량을 상기 예정된 압력 및/또는 상기 예정된 유량으로 설정하는 단계를 더 포함하는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 검출된 압력 및/또는 유량의 편차에 따라, 적어도 하나의 액추에이터에 의해 상기 광축 방향으로 상기 투사 대물 렌즈의 단부면을 상기 예정된 압력 및/또는 상기 예정된 유량에 할당된 단부면의 소정 위치에 가능한 한 가깝게 되는 위치로 위치적으로 조정하는 단계를 더 포함하 는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 설정 유닛은 전자 메모리에 저장된 위치 및 속도 데이터에 기초하여 각각의 노광 작동 동안 상기 실제 압력 및/또는 상기 실제 유량을 설정하는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  8. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 액추에이터는 전자 메모리에 저장된 위치 및 속도 데이터에 기초하여 각각의 노광 작동 동안 상기 투사 대물 렌즈의 단부면을 설정하는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  9. 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에서 광학 결상 특성을 설정하는 방법으로서, 상기 방법에 의해 마스크가 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상될 수 있고, 상기 기판은 투사 대물 렌즈에 관한 광축에 대해 횡방향으로 순차적으로 이동될 수 있는 광학 결상 특성 설정 방법에 있어서,
    침지 매체를 상기 투사 노광 장치의 적어도 하나의 제1 간격 내로 도입하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 광축을 따라 보았을 때 조명 시스템 및/또는 상기 투사 대물 렌즈 내에 및/또는 상기 조명 시스템과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치되는 것인 단계와,
    상기 광학 결상 특성이 가능한 한 원하는 결상 특성에 가깝게 되는 방식으로 상기 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하는 단계
    를 포함하는 광학 결상 특성 설정 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 침지 매체는 상기 간격 내로 도입되고 입구 및 출구에 의해 상기 간격으로부터 방출되어, 각각의 간격에 대해 폐쇄된 침지 매체 회로가 존재하는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 입력 및/또는 유량은 각각의 상기 침지 매체 회로에서 독립적으로 설정되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 침지액 및/또는 적어도 하나의 침지 가스가 침지 매체로서 제공되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투사 노광 장치 내에 적어도 하나의 제2 간격이 배치되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 투사 노광 장치 내에 추가의 간격이 배치되고, 상기 추가의 간격 내로 적어도 하나의 침지액 및/또는 적어도 하나의 침지 가스가 도입되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 간격은, 인접하고/인접하거나 상기 광축을 따라 소정 거리에 배치된 투사 대물 렌즈 및/또는 조명 유닛의 광학 부품에 배치되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하는 단계는 상기 기판의 순차적 이동 동안 실행되는 것인 광학 결상 특성 설정 방법.
  17. 마스크를 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상하기 위한 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서,
    조명 유닛과,
    투사 대물 렌즈와,
    테이블로서, 이 테이블 상에 상기 투사 대물 렌즈의 단부면에 면하는 상기 감광 표면을 갖는 기판이 배치될 수 있는 것인 테이블과,
    상기 투사 대물 렌즈의 광축에 대해 횡방향으로 상기 테이블의 순차적 이동을 위한 스텝퍼 구동 장치와,
    상기 조명 유닛 및/또는 상기 투사 대물 렌즈에 및/또는 상기 조명 유닛과 상기 마스크 사이 및/또는 상기 마스크와 상기 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 투사 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 배치될 수 있는 적어도 하나의 제1 간격을 포 함하고,
    상기 적어도 하나의 제1 간격 내로 침지 매체가 도입될 수 있으며, 적어도 하나의 감시 장치가 상기 적어도 하나의 제1 간격 내의 상기 침지 매체의 실제 압력 및/또는 실제 유량을 감시하기 위해 마련되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 감시 장치는 압력 게이지 및/또는 유량계를 구비하는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 압력 게이지 및/또는 상기 유량계는 상기 적어도 하나의 제1 간격 내로의 상기 침지 매체용 이송 라인에 배치되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 침지 매체의 상기 압력 및/또는 유량을 설정하기 위한 설정 장치를 포함하는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  21. 제17항 또는 제20항에 있어서, 상기 압력 게이지 및/또는 유량계는 상기 설정 장치에 결합되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  22. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 간격은 상기 기판의 감광 표면과 상기 투사 대물 렌즈의 단부면 사이에 배치되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  23. 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 제2 간격이 마련되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  24. 제23항에 있어서, 추가의 간격이 마련되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  25. 제17항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 경우에 상기 투사 대물 렌즈 및/또는 상기 조명 유닛의 광학 요소의 기판에 면하는 측 및/또는 기판으로부터 멀리 떨어진 측에 간격이 배치되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  26. 제17항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 경우에 상기 광축을 따라 보았을 때 상기 투사 대물 렌즈 및/또는 조명 유닛의 광학 부품의 양측에 접하는 방식으로 간격이 배치되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  27. 제17항 내지 제26항에 있어서, 상기 투사 대물 렌즈 및/또는 조명 유닛의 여러 광학 부품에 접하는 방식으로 양측에 간격이 배치되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  28. 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투사 대물 렌즈의 단부면을 구비한 상기 투사 대물 렌즈의 말단 요소는 상기 광축 방향으로 이동될 수 있고, 상기 말단 요소는 상기 감시 장치에 결합된 적어도 하나의 액추에이터에 할당되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  29. 제17항 내지 제28항에 있어서, 전자 메모리를 포함하고,
    상기 전자 메모리에, 예정된 압력 및/또는 예정된 유량으로부터 실제 압력 및/또는 실제 유량의 편차(투사 노광 장치의 조정 작동 동안 검출됨)가 상기 기판의 순차적 이동의 위치 및 속도 데이터에 할당하여 저장되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 전자 메모리는 상기 스텝퍼 구동 장치에 결합되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  31. 제17항 또는 제20항에 있어서, 상기 스텝퍼 구동 장치는 상기 설정 유닛에 결합되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  32. 제17항 또는 제28항에 있어서, 상기 스텝퍼 구동 장치는 상기 적어도 하나의 액추에이터에 결합되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  33. 마스크를 감광 표면을 구비한 기판 상으로 결상하기 위한 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치에 있어서,
    조명 유닛과,
    투사 대물 렌즈와,
    테이블로서, 이 테이블 상에 상기 투사 대물 렌즈의 단부면에 면하는 상기 감광 표면을 갖는 상기 기판이 배치될 수 있는 것인 테이블과,
    상기 투사 대물 렌즈의 광축에 대해 횡방향으로 상기 테이블의 순차적 이동을 위한 스텝퍼 구동 장치와,
    상기 투사 대물 렌즈 및/또는 상기 조명 유닛의 광학 부품들 사이 및/또는 상기 마스크와 조명 유닛 사이 및/또는 상기 마스크와 투사 대물 렌즈 사이 및/또는 상기 기판의 감광 표면과 상기 투사 대물 렌즈의 단부면 사이에 배치될 수 있는 적어도 하나의 제1 간격을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 제1 간격 내로 침지 매체가 도입될 수 있으며, 상기 투사 노광 장치에서의 광학 결상 특성을 원하는 결상 특성으로 설정하도록 상기 침지 매체의 압력 및/또는 유량을 설정하기 위해 설정 유닛이 제공되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 광학 결상 특성은 구형 수차(shperical aberration)의 크기인 것인 마 이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  35. 제17항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투사 대물 렌즈의 단부면에는 상기 침지 매체에 반발하는 코팅이 마련되어 있는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  36. 제33항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 제2 간격이 마련되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  37. 제36항에 있어서, 추가의 간격이 마련되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  38. 제17항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 침지 매체는 적어도 하나의 침지액 및/또는 적어도 하나의 침지 가스를 갖는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  39. 제17항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 간격은 상이한 기하학적 형상을 갖는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  40. 제17항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 상기 간격은 폐쇄된 침 지 매체 회로를 각각 형성하는 각각의 상기 침지 매체용의 별개의 입구 및 별개의 출구를 갖는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 침지 매체 회로는 각각 독립적으로 제어 및 조절되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  42. 제40항 또는 제41항에 있어서, 각각의 상기 간격 및/또는 침지 매체 회로는 기밀하게 밀봉되는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
  43. 제17항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실제 압력 및/또는 상기 실제 유량의 편차는 상기 순차적 이동 때문에 생기는 것인 마이크로리소그래픽 투사 노광 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110222030A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Nanya Technology Corporation Immersion lithographic apparatuses
CN109407474A (zh) * 2018-12-26 2019-03-01 长春长光智欧科技有限公司 一种带保护玻璃的浸没头

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6542302B2 (en) * 1999-12-01 2003-04-01 Bushnell Corporation Lens coating to reduce external fogging of scope lenses
JP2001345263A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
AU2003289239A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure system and device producing method
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) * 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
ATE467902T1 (de) * 2004-01-05 2010-05-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP4479269B2 (ja) * 2004-02-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1756663B1 (en) * 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
JP4565272B2 (ja) * 2004-07-01 2010-10-20 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム

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