TW201739907A - 液晶介質及含彼之高頻構件 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於液晶介質,其包含: - 一或多種多色性化合物,及 - 一或多種選自式I、II及III之化合物之群之化合物,□其中基團具有如申請專利範圍第1項中所闡釋之含義, 且係關於包含該等介質用於高頻技術、具體而言相移器及微波陣列天線之構件。

Description

液晶介質及含彼之高頻構件
本發明係關於液晶介質及含彼之高頻構件,尤其係用於高頻裝置(例如用於使微波相位移位之裝置)、具體而言用於微波相控陣列天線之微波構件。
一段時間以來,液晶介質已用於電光顯示器(液晶顯示器(l iquidc rystald isplay):LCD)中以顯示資訊。 然而,最近(例如)在DE 10 2004 029 429.1 A及JP 2005-120208 (A)中亦提出用於微波技術用構件中之液晶介質。 作為典型的微波應用,採用如K.C. Gupta、R. Garg、I. Bahl及P. Bhartia:Microstrip Lines and Slotlines, 第2版, Artech House, Boston, 1996所述之倒置微帶線之概念,例如於D. Dolfi、M. Labeyrie、P. Joffre及J.P. Huignard: Liquid Crystal Microwave Phase Shifter.Electronics Letters , 第29卷,第10期,第926-928頁, 1993年5月;N. Martin、N. Tentillier、P. Laurent、B. Splingart、F. Huert、PH. Gelin、C. Legrand:Electrically Microwave Tunable Components Using Liquid Crystals. 第32屆歐洲微波會議(32nd European Microwave Conference), 第393-396頁, Milan 2002中或於Weil, C.: Passiv steuerbare Mikrowellenphasenschieber auf der Basis nichtlinearer Dielektrika [Passively Controllable Microwave Phase Shifters based on Nonlinear Dielectrics], Darmstädter Dissertationen D17, 2002, C. Weil、G. Lüssem及R. Jakoby: Tunable Invert-Microstrip Phase Shifter Device Using Nematic Liquid Crystals,IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. , Seattle, Washington, 2002年6月, 第367-370頁中,其連同來自Merck KGaA. C. Weil、G. Lüssem及R. Jakoby: Tunable Invert-Microstrip Phase Shifter Device Using Nematic Liquid Crystals,IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. , Seattle, Washington, 2002年6月, 第367-370頁之市售液晶K15一起在10 GHz下達成12°/dB之相移器品質,其伴隨控制電壓為約40 V。在Weil, C.: Passiv steuerbare Mikrowellenphasenschieber auf der Basis nichtlinearer Dielektrika [Passively Controllable Microwave Phase Shifters based on Nonlinear Dielectrics], Darmstädter Dissertationen D17, 2002中給出之LC之***損失(即,僅由液晶中之極化損失造成之損失)為在10 GHz下大約1至2 dB。此外,其闡述相移器損失主要由介電LC損失和在波導接合處之損失決定。T. Kuki、H. Fujikake、H. Kamoda及T. Nomoto: Microwave Variable Delay Line Using a Membrane Impregnated with Liquid Crystal.IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. 2002, 第363-366頁, 2002年6月及T. Kuki、H. Fujikake、T. Nomoto: Microwave Variable Delay Line Using Dual-Frequency Switching-Mode Liquid Crystal.IEEE Trans. Microwave Theory Tech. , 第50卷, 第11期, 第2604-2609頁, 2002年11月亦提出聚合LC膜及雙頻切換模式液晶與平面相移器配置之組合之用途。 A. Penirschke、S. Müller、P. Scheele、C. Weil、M. Wittek、C. Hock及R. Jakoby: 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」,第34屆歐洲微波會議- Amsterdam,第545-548頁尤其闡述已知單液晶物質K15 (Merck KGaA, Germany)在9 GHz頻率下之性質。 A. Gaebler、F. Goelden、S. Müller、A. Penirschke及R. Jakoby 「Direct Simulation of Material Permittivites using an Eigen-Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach」, 12MTC 2009 -國際儀器與量測技術會議(International Instrumentation and Measurement Technology Conference), Singapore, 2009 (IEEE),第463-467頁闡述已知液晶混合物E7 (Merck KGaA, Germany)之相應性質。 DE 10 2004 029 429.1 A闡述液晶介質在微波技術、尤其相移器中之應用。在其中,已關於在相應頻率範圍內之液晶介質之性質來研究該等液晶介質。此外,其闡述包含以下之液晶介質:少量下式之單一化合物分別地與熟知氰基聯苯化合物之組合以及除其他化合物外包含以下之介質:分別地。 然而,該等相對簡單的混合物在用於以微波型態操作之裝置之應用中且甚至在其一般物理特性(例如清亮點及相範圍、且尤其在低溫下之穩定性與儲存及其黏度且尤其其旋轉黏度)方面顯示有限性能。 用於微波應用之包含一或多種該等化合物以及類似者之其他液晶介質係於DE 10 2010 025 572 A及WO 2013/034227中提出用於微波應用。 在(例如) 「Influence of dye molecules on the birefringence of liquid crystal mixtures at near infrared frequencies」, Simpson, S.H.、Richardson, R.M.及Hanna, S., Journal of Chemical Physics, (2007), 第127卷, 第(10)期 第104901-104901-14頁中建議在客體-主體系統中使用染料以使吸收邊緣移位靠近近紅外區以增加液晶之(有效)雙折射。 而且,「Liquid crystal dyes with high solubility and large dielectric anisotropy」, Wu, Shin-Tson, Margerum, J. David, Ho, Mei-Sing及Fung, Bing M., Appl. Phys. Lett. (1994), 64 (17) 第2191 - 2193頁闡述以下通式之偶氮染料其中n在4至14之範圍內,尤其n係4、5及6;及其在近紅外範圍中之行為,且建議在其他用途中使用其作為「摻雜劑」用於IR及毫米波調變器之非極性、高雙折射LC。 出於各種原因,已建議將液晶介質之聚合物穩定化以及藉由對掌性摻雜劑摻雜用於若干類型之顯示器應用。 然而,通常所用液晶組合物迄今為止具有不充分或不足之材料性質,例如不利地高損失及/或不充分相移。用於包含液晶介質之高頻技術之已知裝置仍缺乏足夠穩定性且尤其快速反應。 因此,業內需要具有有利且經改良性質之液晶介質,其在高頻技術應用中可意味著具體地、迄今與眾不同且罕見性質或性質組合。
本發明之目標係提供在微波區具有降低之介電損失及經改良材料品質之適宜液晶介質,其中品質因數h涉及高可調諧性以及伴隨低介電損失。其他目標係提供液晶介質,其展現尤其用於使用平面結構之裝置(例如,相移器及洩漏波天線)中之應用之經改良反應時間,而同時提供其他益處,例如寬及穩定向列相範圍、經改良之低溫行為及在低溫下之操作性質以及儲存壽命之改良。熟習此項技術者可自以下詳細說明即刻明瞭本發明之其他目的。 目標係藉由隨附申請專利範圍中定義之標的解決,同時較佳實施例闡述於各別附屬項中且進一步闡述於下文中。
本發明尤其提供以下物項,包括主要態樣、較佳實施例及具體特徵,其分別單獨及組合促使解決上述目標且最終提供額外優點。 本發明之第一態樣提供液晶介質,其包含 (i) 一或多種多色性化合物, (ii) 一或多種選自式I、II及III之化合物之群之化合物,其中 R1 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, n 表示0或1,且彼此獨立地表示另一選擇表示其中 R2 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, Z21 表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-,且彼此獨立地表示 其中 R3 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, Z31 及Z32 中之一者 表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-,且另一者表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或單鍵,且彼此獨立地表示另一選擇表示及視情況(iii)一或多種可聚合化合物。 較佳地,一或多種多色性化合物係液晶原化合物。而且,視情況提供之一或多種可聚合化合物係液晶原化合物。 已驚訝地發現,藉由提供包含一或多種多色性化合物及一或多種選自如上所述式I、II及III之化合物之群之化合物之組合的本發明之液晶介質,可獲得具有適宜地快速切換時間、適宜向列相範圍及經改良或至少適宜之介電損失之介質。 在本發明中,有利地認識到,在含有一或多種選自式I、II及III之化合物之群之化合物之介質中藉由使用一、二或多種多色性添加劑、尤其二色性染料可提供關於液晶介質之可調諧性的顯著益處。 該等多色性添加劑展現不同之電磁吸收光譜,此取決於光傳播相對於液晶原主體之長分子軸之平均方向之定向。長分子軸之方向稱為指向矢。尤其在該等添加劑顯示在電磁輻射之可見光譜或在毗鄰UV或近IR區中之吸收的情形中,其通常稱為多色性染料。較佳地,本發明之介質中所提供之多色性染料係二色性染料,即,其關於其指向矢之定向相對於光傳播的兩個不同方向(即,平行及垂直於其)展現不同光譜。其各別吸收值之比率稱為介電比。此取決於液晶原主體之有序參數及主體中各別添加劑之相對定向程度。因此,根據本申請案,使用具有類似於液晶化合物之液晶原核心及/或液晶原基團及/或典型末端基團之伸長結構之較佳化合物。 使用多色性染料之其他優點已尤其在使用一或多種螢光染料之情形中發現。較佳地,所有或大多數所用染料可為螢光染料或僅其中之一者或兩者為螢光染料。慮及液晶介質係用於呈微波型態之大多數應用之腔體中,故存在材料之不期望洩漏之可能性。此一突發事件可方便地藉由材料中所存在染料之色彩來檢測。在此情形中,螢光染料具有在特定照射、尤其利用UV輻照特別容易地檢測之優點。而且,在一些情形中可有益地使用非螢光染料。 較佳地,本發明之液晶介質包含一或多種選自偶氮染料及噻二唑染料之群之多色性染料。 本發明之另一態樣係關於複合物系統,其包含本發明之液晶介質及自或可自一或多種可聚合化合物之聚合獲得之聚合物。 較佳地,藉由使一或多種如本文所定義之式P化合物單獨或與一或多種來自各別混合物之其他可聚合化合物之組合聚合可獲得或各別地獲得聚合物穩定系統,該各別混合物視情況且更佳地進一步包含聚合起始劑。 已發現,藉由使用可聚合化合物、尤其反應性液晶原,可獲得具有寬溫度範圍及經改良之更快切換時間、良好可調諧性及可接受損失之經穩定液晶相。 本發明之其他態樣係關於本發明之液晶介質及複合物系統在用於高頻技術之構件或裝置、尤其適於在微波範圍中操作之構件、較佳可在微波區中操作之相移器或基於LC之天線元件及微波天線陣列中之用途。 已有利地發現,一或多種多色性化合物之使用可在包含一或多種選自如上所述式I、II及III之化合物之群之化合物之液晶介質的可調諧性方面提供顯著益處,此進而可有利於在以上構件及裝置中之使用。 術語「液晶」、「液晶態化合物(mesomorphic compound)」或「液晶原化合物」(亦簡稱為「液晶原」)意指在溫度、壓力及濃度之適宜條件下可作為中間相(向列相、層列相等)或尤其作為LC相存在之化合物。非兩親性液晶原化合物包含(例如)一或多個桿條狀、香蕉形或盤狀液晶原基團。 在此上下文中,術語「液晶原基團」意指具有誘導液晶(LC)相行為之能力的基團。本發明之液晶原化合物本身並不一定必須展現LC相。其亦可僅在與其他化合物之混合物中展示LC相行為。為簡明起見,術語「液晶」在下文中用於液晶原材料及LC材料二者。 一般而言,術語「對掌性」用於闡述與其鏡像不可重疊之物體。「非對掌性」(無對掌性)物體係與其鏡像相同之物體。除非另外明確闡述,否則術語對掌性向列型及膽固醇型在本申請案中同義使用。 除非另外明確指出,否則在本申請案中提及之光波長為550 nm。 單元之單元間隙較佳在1 µm至20 µm範圍內,具體而言在2.0 µm至10 µm範圍內。 並不由此限制本發明,在下文中藉由態樣、實施例及具體特徵之詳細闡述說明本發明,且更詳細闡述具體實施例。 已驚訝地發現,藉由在液晶介質中一或多種多色性化合物及一或多種選自如上所述式I、II及III之化合物之群之化合物之組合提供可獲得有利的特性,包括適宜地快速切換時間、適宜向列相範圍及經改良或至少適宜之介電損失。 本發明所用之多色性添加劑較佳係二色性染料,且其較佳展現大的二色性比。此意味著其光譜性質沿指向矢及垂直於其觀察將顯著不同。 LC介質中多色性化合物、具體而言二色性染料之濃度及各別地二色性染料之總濃度較佳在0.1%或以上至15%或以下、更佳地0.5%或以上至10%或以下且最佳地1.0%或以上至8%或以下之範圍內。 較佳染料係選自偶氮染料及噻二唑染料之群。以上較佳濃度範圍具體而言適用於該等較佳二色性染料。 本發明所用之偶氮染料較佳包含一或兩個鏈接至芳香族環之重氮基。其更佳地選自式A及D、較佳式A之群其中 XA 係極性基團,較佳地選自F、Cl、CN、CF3 、OCF3 、SF5 或SF4 CF3 ,更佳地Cl、CF3 、SF5 或SF4 CF3 ,且最佳地Cl或CF3 , LA 、L’A 及L’’A 彼此獨立地為H、F、Cl或CN,較佳H、F或Cl,且最佳地H或F, RA 及R’A 彼此獨立地為具有1至6個C原子、較佳1至3個C原子且最佳地1個C原子之烷基或具有2至6個C原子、較佳2或3個C原子之烯基,且 RD 及R’D 彼此獨立地為具有1至6個C原子、較佳2至5個C原子且最佳地4或5個C原子之烷基或具有2至6個C原子、較佳3、4或5個C原子之烯基。 本發明所用之噻二唑染料較佳係更佳選自式T之二苯并噻二唑其中 R及R’ 彼此獨立地為具有1至6個C原子、較佳2至5個C原子且最佳地4或5個C原子之烷氧基,且 L’及L’’ 彼此獨立地為H、F或Cl、較佳F。 根據本發明,視情況一或多種可聚合化合物提供於液晶介質中。根據較佳實施例,一或多種可聚合化合物存在於本發明之液晶介質中。 較佳地,本發明之液晶介質包含一或多種式P化合物 Pa -(Spa )s1 -(A1 -Z1 )n1 -A2 -Q-A3 -(Z4 -A4 )n2 -(Spb )s2 -Pb P 其中 Pa 、Pb 各自彼此獨立地係可聚合基團, Spa 、Spb 各自彼此獨立地表示間隔基團, s1、s2 各自彼此獨立地表示0或1, n1、n2 各自彼此獨立地表示0或1, Q 表示單鍵、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CO)O-、-O(CO)-、-(CH2 )4 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CF2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CºC-、-O-、-CH2 -、-(CH2 )3 -、-CF2 -,較佳-CF2 O-, Z1 、Z4 彼此獨立地表示單鍵、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CO)O-、-O(CO)-、-(CH2 )4 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CF2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CºC-、-O-、-CH2 -、-(CH2 )3 -、-CF2 -, 其中Z1 及Q或各別地Z4 及Q不同時表示選自-CF2 O-及-OCF2 -之基團, A1 、A2 、A3 、A4 各自彼此獨立地表示選自下列群之二價基團: a) 由反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基及1,4’-伸聯環己基組成之群,其中另外一或多個不毗鄰CH2 基團可由-O-及/或-S-替代,且其中另外一或多個H原子可由F替代, b) 由1,4-伸苯基及1,3-伸苯基組成之群,其中另外一或兩個CH基團可由N替代,且其中另外一或多個H原子可由L替代, c) 由四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、四氫呋喃-2,5-二基、環丁烷-1,3-二基、六氫吡啶-1,4-二基、噻吩-2,5-二基及硒吩-2,5-二基組成之群,其中之每一者亦可經L單取代或多取代, d) 由具有5至20個環C原子之飽和、部分不飽和或完全不飽和且視情況經取代之多環基團組成之群,其中之一或多者另外可由雜原子替代,其較佳選自由以下組成之群:雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基, 其中另外,該等基團中之一或多個H原子可由L替代,及/或一或多個雙鍵可由單鍵替代,及/或一或多個CH基團可由N替代, 或A3 另一選擇可為單鍵, L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5 或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、在每一情形下視情況經氟化之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基, R03 、R04 各自彼此獨立地表示H、F或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基,其中另外一或多個H原子可由F替代, M 表示-O-、-S-、-CH2 -、-CHY1 -或-CY1 Y2 -,且 Y1 及Y2 各自彼此獨立地具有上文針對R03 指示含義中之一者,或表示Cl或CN,且基團Y1 及Y2 中之一者另一選擇表示-OCF3 ,較佳H、F、Cl、CN或CF3 。 視情況進一步包含聚合起始劑,其中較佳LC介質中存在一或多種聚合起始劑。 本發明所用之較佳式P之可聚合化合物係選自由下式組成之群: 其中L在每次出現時相同或不同地具有上文及下文所指示含義中之一者,r表示0、1、2、3或4,s表示0、1、2或3,且n表示介於1與24之間、較佳介於1與12之間、更加介於2與8之間之整數,且其中在單鍵或雙鍵之末端處未指示基團之情形中,其係末端CH3 或CH2 基團。 在式P1-1至P12-4中,較佳表示選自由以下各式組成之群之基團:尤佳地選自。 在式P中,部分A2 -Q-A3 較佳表示下式之基團其中至少一個環經至少一個基團取代,其中L為F,且其中r在每一情形中獨立地係0、1、2、3或4,較佳0、1或2。 式P及其子式之化合物中之Pa 及Pb 較佳分別且獨立地表示丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基,此外氟丙烯酸酯基。 式P及其子式之化合物中之Spa 及Spb 較佳表示選自由-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -O-CO-及-(CH2 )p1 -O-CO-O-及其鏡像組成之群之基團,其中p1表示1至12、較佳1至6、尤佳1、2或3之整數,其中該等基團係以使得O原子不直接毗鄰之方式鏈接至Pa 或Pb 。 式P化合物在以下情形中尤佳:其中基團Pa 及Pb 係選自由乙烯基氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧基組成之群、較佳係丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基,及/或 其中基團Spa 及Spb 係選自由-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -O-CO-及-(CH2 )p1 -O-CO-O-及其鏡像組成之群,其中p1表示1至12、較佳1至6、尤佳1、2或3之整數,且其中該等基團係以使O原子不直接毗鄰之方式鏈接至Pa 或Pb 。 根據本發明之較佳實施例所用之式P化合物係彼等恰好包含兩個較佳為6員環之環(即,其中n1 = n2 = 0)者。尤佳者係選自下式化合物之群之化合物: 其中Pa 、Pb 、Spa 、Spb 、s1及s2如上文針對式P所定義,且較佳Spa 及Spb 分別且獨立地係伸烷基-(CH2 )n -,其中n較佳係3、4、5、6或7,且上式中之Pa 及Pb 分別且獨立地較佳係甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯部分。尤佳者係選自式Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph及Pi之群之化合物、且尤其式Pa化合物之用途。 在用於本發明聚合物穩定化裝置之聚合物前體中使用之適宜且較佳共單體係選自(例如)下式: 其中個別基團具有下列含義: P1 及P2 各自彼此獨立地表示可聚合基團,其較佳具有上文或下文針對Pa 給出含義中之一者,尤佳為丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧雜環丁烷基、乙烯氧基或環氧基, Sp1 及Sp2 各自彼此獨立地表示單鍵或間隔基團,其較佳具有上文或下文針對Spa 所給出含義中之一者,尤佳為-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -CO-O-、-(CH2 )p1 -O-CO-或-(CH2 )p1 -O-CO-O-,其中p1係1至12之整數,且其中最後提及之基團係經由O原子鏈接至毗鄰環, 且,其中另一選擇為P1 -Sp1 -及P2 -Sp2 -中之一或多者亦可為Raa ,前提係該化合物中所存在之P1 -Sp1 -及P2 -Sp2 -中之至少一者不為Raa , Raa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基,其中一或多個非毗鄰-CH2 -基團可彼此獨立地經-C(R0 )=C(R00 )-、-CºC-、-N(R0 )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O或S原子皆不直接彼此鏈接之方式替代,且其中一或多個H原子亦可經F、Cl、CN或P1 -Sp1 -替代;尤佳係具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況經單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰基氧基,其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且具支鏈基團具有至少三個C原子, R0 、R00 在每次出現時各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基, Z1 表示-O-、-CO-、-C(Ry Rz )-或-CF2 CF2 -, Z2 及Z3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -或-(CH2 )n -,其中n係2、3或4, Ry 及Rz 各自彼此獨立地表示H、F、CH3 或CF3 , L 在每次出現時彼此獨立地表示F、Cl、CN、SCN、SF5 或具有最高12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況經單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基,較佳為F, L’及L’’ 各自彼此獨立地表示H、F或Cl, r 表示0、1、2、3或4, s 表示0、1、2或3, t 表示0、1或2,且 x 表示0或1。 用於本發明裝置中之適宜且較佳共單體係(例如)選自單反應性化合物之群,該等化合物以1 wt.-%至9 wt.-%、尤佳4 wt.-%至7 wt.-%範圍內之濃度存在於聚合物穩定系統之前體中。較佳單反應性化合物係式M1至M29之化合物,其中P1 -Sp1 -及P2 -Sp2 -中之一或多者係Raa ,使得化合物僅具有單一反應性基團。 尤佳單反應性化合物係下式之化合物:其中P1 、Sp1 及Raa 具有上文所給出之各別含義,且P1 較佳係丙烯酸酯基(CH2 =CH-CO-O-)或甲基丙烯酸酯基(CH2 =C(CH3 )-CO-O-)。 在該等化合物中,下式之化合物尤佳其中 n 係在1至16、較佳2至8範圍內之整數、較佳偶數, m 係在1至15、較佳2至7範圍內之整數。 尤佳者係較佳用於高頻技術、具體而言用於相移器或微波天線(例如洩漏波天線)之LC介質、LC裝置、如上下文闡述之製程或用途,其中LC介質或其中存在之可聚合或經聚合組份包含一或多種下式化合物:其中Pa 、Pb 、Spa 、Spb 、s1、s2及L具有上下文所指示之含義,r表示0、1、2、3或4,且Z2 及Z3 各自彼此獨立地表示-CF2 -O-或-O-CF2 -,較佳Z2 係-CF2 -O-且Z3 係-O-CF2 -或反之亦然,或Z2 係-CO-O-且Z3 係-O-CO-或反之亦然,且最佳地Z2 係-CF2 -O-且Z3 係-O-CF2 -或Z2 係-CO-O-且Z3 係-O-CO-。 在實施例中,較佳使用具有伸環己基核心替代包含一或多個1,4-伸苯基核心之反應性液晶原。此在一般而言對UV輻照且具體而言對聚合期間所用之UV輻照之穩定性方面可係有利的。所得聚合物穩定相(即,複合物系統)可具有經改良或適宜之高高電壓保持率(VHR)。 此外,已發現,藉由使用伸環己基反應性液晶原與包含氟苯基液晶化合物之液晶主體之組合,此主體可有效地由該等反應性液晶原穩定化以獲得高VHR,此對於用於高級裝置中尤其有益。 在實施例中,本發明之液晶介質包含一或多種以上所述式I化合物。在另一實施例中,本發明之液晶介質包含一或多種以上所述式II化合物。在其他實施例中,本發明之液晶介質包含一或多種以上所述式III化合物。 然而,更佳地,本發明液晶介質包含 - 一或多種式I化合物及 - 一或多種式II化合物 或 - 一或多種式I化合物及 - 一或多種式III化合物 或 - 一或多種式II化合物及 - 一或多種式III化合物 或,最佳地 - 一或多種式I化合物及 - 一或多種式II化合物及 - 一或多種式III化合物。 另外,在具體實施例中,本發明所用液晶介質較佳包含一或多種式IV化合物:其中表示 較佳地,尤佳地,L4 表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基,較佳CH3 、C2 H5n -C3 H7 (-(CH2 )2 CH3 )、i -C3 H7 (-CH(CH3 )2 )、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環基-1-烯基,且尤佳CH3 、C2 H5 、環丙基或環丁基, X4 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素,較佳H、F或Cl,且更佳H或F且最佳F, R41 至R44 彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、各自具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基、或各自具有最多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基,且另一選擇R43 及R44 中之一者或二者亦表示H, 較佳地, R41 及R42 彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或各自具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, 尤佳地, R41 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或各自具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基,且 尤佳地, R42 表示各自具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基,且 較佳地, R43 及R44 表示H、具有1至5個C原子之未氟化烷基、具有3至7個C原子之未氟化環烷基或環烯基、各自具有4至12個C原子之未氟化烷基環己基或未氟化環己基烷基、或具有5至15個C原子之未氟化烷基環己基烷基,更佳環丙基、環丁基或環己基,且甚至更佳R43 及R44 中之至少一者表示正烷基、尤佳地甲基、乙基或正丙基,且另一者表示H或正烷基、尤佳地H、甲基、乙基或正丙基。 較佳地,液晶介質含有一或多種對掌性摻雜劑,其螺旋扭轉力(HTP)之絕對值較佳為20 µm-1 或更大、更佳40 µm-1 或更大、甚至更佳在60 µm-1 或更大之範圍內、且最佳在80 µm-1 或更大至260 µm-1 或更小之範圍內。 因此,在較佳實施例中,由一或多種對掌性化合物組成之對掌性組份可另外存在本發明之液晶原介質中。此所用掌性組份之對掌性化合物在存在之情形中較佳具有高HTP之絕對值。其亦稱為對掌性摻雜劑,此乃因其通常以相對較低濃度添加至液晶原基礎混合物中。其較佳在非對掌性組份中具有良好溶解性。其並不賦予液晶原介質液晶原或液晶性質,或僅在較小程度上賦予該等性質,只要膽固醇液晶螺距具有遠小於光波長之較小值即可。然而,若膽固醇液晶螺距約為光波長,則其誘導具有完全不同於膽固醇相之結構之藍相。若採用兩種或更多種對掌性化合物,則其可具有相同或相反旋轉方向及相同或相反扭轉溫度依賴性。 尤佳者係來自Merck KGaA之商業液晶混合物MLC-6828中HTP為20 µm-1 或以上、尤其40 µm-1 或以上、尤佳地70 µm-1 或以上之對掌性化合物。 在本發明之較佳實施例中,對掌性組份由兩種或更多種對掌性化合物組成,其皆具有相同符號之HTP。 個別化合物之HTP之溫度依賴性可較高或較低。可藉由以相應比率混合具有不同HTP溫度依賴性之化合物來補償介質螺距之溫度依賴性。 對於光學活性組份而言,熟習此項技術者可獲得多種對掌性摻雜劑(其中之一些市面有售),例如壬酸膽固醇基酯、R/S-811、R/S-1011、R/S-2011、R/S-3011、R/S-4011、B(OC)2C*H-C-3或CB15 (皆來自Merck KGaA, Darmstadt)。 尤其適宜之對掌性摻雜劑係含有一或多個對掌性基團及一或多個液晶原基團或一或多個與對掌性基團形成液晶原基團之芳香族或脂環族基團之化合物。 適宜對掌性基團係(例如)對掌性具支鏈烴基團、對掌性乙二醇、聯萘酚或二氧雜環戊烷,此外選自由以下組成之群之單價或多價對掌性基團:糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、對掌性經取代二醇、類固醇衍生物、萜烯衍生物、胺基酸或幾個、較佳1至5個胺基酸之序列。 較佳對掌性基團係糖衍生物,例如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、***糖及右旋糖;糖醇,例如山梨糖醇、甘露醇、艾杜糖醇、半乳糖醇或其去水衍生物,尤其係二去水己糖醇,例如二去水山梨糖醇酐(1,4:3,6-二去水-D-山梨糖醇酐,異山梨糖醇酐)、二去水甘露醇(異山梨糖醇)或二去水艾杜糖醇(異艾杜糖醇);糖酸,例如葡萄糖酸、古洛糖酸及酮古洛糖酸;對掌性經取代二醇基團,例如單-或寡乙二醇或丙二醇,其中一或多個CH2 基團經烷基或烷氧基取代;胺基酸,例如丙胺酸、纈胺酸、苯基甘胺酸或***酸或1至5個該等胺基酸之序列;類固醇衍生物,例如膽固醇基或膽酸基團;萜烯衍生物,例如薄荷基、新薄荷基、莰烯基、蒎烯基、萜品烯基、異長葉烯基(isolongifolyl)、葑烯基、蒈烯基、桃金娘烯基(myrthenyl)、諾卜醇基(nopyl)、香葉基、芳樟醇基、橙花基、香茅基或二氫香茅基。 適宜對掌性基團及液晶原對掌性化合物闡述於(例如) DE 34 25 503、DE 35 34 777、DE 35 34 778、DE 35 34 779及DE 35 34 780、DE 43 42 280、EP 01 038 941及DE 195 41 820中。 較佳用於本發明之對掌性化合物係選自由下文所示之式組成之群。 尤佳者係選自由下式A-I至A-III之化合物組成之群之摻雜劑:其中 Ra11 及Ra12 彼此獨立地係具有2至9個C原子、較佳最多7個C原子之烷基、氧雜烷基或烯基,且Ra11 另一選擇為甲基或具有1至9個C原子之烷氧基,較佳二者皆為烷基、較佳正烷基, Ra21 及Ra22 彼此獨立地係具有1至9個C原子、較佳最多7個C原子之烷基或烷氧基、具有2至9個C原子、較佳最多7個C原子之氧雜烷基、烯基或烯氧基,較佳二者皆為烷基、較佳正烷基, Ra31 及Ra32 彼此獨立地係具有2至9個C原子、較佳最多7個C原子之烷基、氧雜烷基或烯基,且Ra11 另一選擇為甲基或具有1至9個C原子之烷氧基,較佳地二者皆為烷基,較佳地正烷基。 尤佳者係選自由下式之化合物組成之群之摻雜劑:。 其他較佳摻雜劑係下式A-IV之異山梨糖醇酐、異甘露醇或異艾杜糖醇之衍生物:其中基團較佳係二去水山梨糖醇, 及對掌性乙二醇,例如二苯基乙二醇(氫化偶苯姻)、尤其下式A-V之液晶原氫化偶苯姻衍生物:包括(R,S)、(S,R)、(R,R)及(S,S)對映異構體,其並未顯示, 其中各自彼此獨立地係1,4-伸苯基,其可經L單取代、二取代或三取代;或1,4-伸環己基, L 係H、F、Cl、CN或具有1至7個C原子之視情況鹵化之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰基氧基, c 係0或1, Z0 係-COO-、-OCO-、-CH2 CH2 -或單鍵,且 R0 係具有1至12個C原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰基氧基。 式A-IV化合物闡述於WO 98/00428中。式A-V化合物闡述於GB-A-2,328,207中。 極佳摻雜劑係對掌性聯萘衍生物(如WO 02/94805中所述)、對掌性聯萘酚縮醛衍生物(如WO 02/34739中所述)、對掌性TADDOL衍生物(如WO 02/06265中所述)及具有至少一個氟化橋接基團及末端或中央對掌性基團之對掌性摻雜劑(如WO 02/06196及WO 02/06195中所述)。 尤佳者係式A-VI之對掌性化合物: 其中 X1 、X2 、Y1 及Y2 各自彼此獨立地係F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基,其可經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中另外一或多個非毗鄰CH2 基團可各自彼此獨立地以使O及/或S原子彼此不直接鍵結之方式由-O-、-S-、-NH-、NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-替代;具有最多20個C原子之可聚合基團或環烷基或芳基,其可視情況經鹵素、較佳F或經可聚合基團單取代或多取代, x1 及x2 各自彼此獨立地係0、1或2, y1 及y2 各自彼此獨立地係0、1、2、3或4, B1 及B2 各自彼此獨立地係芳香族或部分地或完全飽和脂肪族6員環,其中一或多個CH基團可由N原子替代且一或多個非毗鄰CH2 基團可由O及/或S替代, W1 及W2 各自彼此獨立地係-Z1 -A1 -(Z2 -A2 )m -R,且另一選擇兩者中之一者為R1 或A3 ,其中二者不同時為H,或U1 及U2 各自彼此獨立地係CH2 、O、S、CO或CS, V1 及V2 各自彼此獨立地係(CH2 )n ,其中一至四個非毗鄰CH2 基團可由O及/或S替代,且V1 及V2 中之一者係單鍵,且在之情形中,二者均係單鍵, Z1 及Z2 各自彼此獨立地係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0 -、-NR0 -CO-、-O-CH2 -、-CH2 -O-、-S-CH2 -、-CH2 -S-、-CF2 -O-、-O-CF2 -、-CF2 -S-、-S-CF2 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CF2 -CF2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-CºC-、兩個該等基團之組合,其中兩個O及/或S及/或N原子不彼此直接鍵結,較佳-CH=CH-COO-、或-COO-CH=CH-或單鍵, A1 、A2 及A3 各自彼此獨立地係1,4-伸苯基,其中一個或兩個非毗鄰CH基團可經N替代;1,4-伸環己基,其中一個或兩個非毗鄰CH2 基團可經O及/或S替代;1,3-二氧雜環戊烷-4,5-二基;1,4-伸環己烯基;1,4-二環[2.2.2]伸辛基;六氫吡啶-1,4-二基;萘-2,6-二基;十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基,其中該等基團中之每一者皆可經L單取代或多取代,且另外A1 係單鍵, L 係鹵素原子、較佳F;CN、NO2 、具有1至7個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰基氧基,其中一或多個H原子可由F或Cl替代, m 在每一情形下獨立地係0、1、2或3,且 R及R1 各自彼此獨立地係H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 ;分別具有1個或3個至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基,其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中一或多個非毗鄰CH2 基團可由-O-、-S-、-NH-、-NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-替代,其中兩個O及/或S原子彼此不直接鍵結;或可聚合基團。 尤佳者係式A-VI-1之對掌性聯萘衍生物: 尤其係彼等選自下式A-VI-1a至A-VI-1c者: 其中環B及Z0 係如針對式A-IV所定義,且 R0 係如針對式A-IV所定義或H或具有1至4個C原子之烷基,且 b係0、1或2, 且Z0 具體而言係-O-CO-或單鍵。 另外,尤佳者係式A-VI-2之對掌性聯萘衍生物:尤其係彼等選自下式A-VI-2a至A-VI-2f者:其中R0 係如針對式A-VI所定義,且X係H、F、Cl、CN或R0 ,較佳F。 LC介質中對掌性摻雜劑之濃度、對掌性摻雜劑之總濃度分別較佳在0.05%或以上至5%或以下、更佳地0.1%或以上至1%或以下且最佳地0.2%或以上至0.8%或以下之範圍內。該等較佳濃度範圍尤其分別適用於對掌性摻雜劑S-2011、其對映異構體形式R-2011 (二者皆來自Merck KGaA)及具有相同或類似HTP之對掌性摻雜劑。對於與S-2011相比具有更高或更低HTP絕對值之對掌性摻雜劑而言,該等較佳濃度可分別根據其HTP值相對於S-2011之比率按比例降低、增加。 本申請案之液晶介質較佳包含總共5%至70%、更佳5%至60%且尤佳30%至50%之式I化合物。 本申請案之液晶介質較佳包含總共20%至80%、更佳30%至70%且尤佳35%至65%之式II化合物。 本申請案之液晶介質較佳包含總共5%至45%、更佳10%至40%且尤佳15%至35%之式III化合物。 在其中液晶介質在每一情形中包含一或多種式I、II及III化合物之本發明較佳實施例,式I化合物之濃度較佳為45%至100%、較佳50%至100%且尤佳55%至100%。 式II化合物之濃度較佳為1%至20%、更佳地2%至15%且尤佳3%至10%,且式III化合物之濃度較佳為1%至30%、更佳地5%至25%且尤佳5%至20%。 在其中液晶介質在每一情形中包含一或多種式I、II及III化合物之本發明其他較佳實施例中,式I化合物之濃度較佳為15%至40%、更佳地20%至35%且尤佳25%至30%,式II化合物之濃度較佳為10%至35%、更佳地15%至30%且尤佳20%至25%,且式III化合物之濃度較佳為25%至50%、更佳地30%至45%且尤佳35%至40%。 在其中液晶介質在每一情形中包含一或多種式I及II化合物、但至多5%且較佳無式III化合物之本發明較佳實施例中,式I化合物之濃度較佳為10%至50%、更佳地20%至40%且尤佳25%至35%, 式II化合物之濃度較佳為40%至70%、更佳地50%至65%且尤佳55%至60%,且式III化合物之濃度較佳為1%至4%、更佳地1%至3%且尤佳0%。 本申請案之液晶介質尤佳包含總共50%至80%、更佳地55%至75%且尤佳57%至70%如下文所定義之式I-1化合物及/或總共5%至70%、較佳6%至50%且尤佳8%至20%選自如下文所定義之式I-2及I-3化合物之群之化合物、最佳式I-2及式I-3化合物二者。 本申請案之液晶介質同樣較佳包含總共5%至60%、較佳10%至50%且尤佳7%至20%之式II化合物。 在使用單一同系化合物之情形中,該等限值對應於此同系物之濃度,其較佳係2%至20%,尤佳係1%至15%。在使用兩種或更多種同系物之情形中,個別同系物之濃度在每一情形下同樣較佳係1%至15%。 式I至III化合物在每一情形下皆包括介電各向異性大於3之介電正性化合物、介電各向異性小於3且大於-1.5之介電中性化合物及介電各向異性為-1.5或更小之介電負性化合物。 在本發明之較佳實施例中,液晶介質包含一或多種選自如下所闡釋之式I-1及I-2化合物之群之式I化合物,較佳同時包含一或多種式I-1化合物及一或多種式I-2化合物。視情況且較佳地根據實施例,進一步包含一或多種如下文所闡釋之式I-3化合物。在尤佳實施例中,式I化合物主要由一或多種選自式I-1、I-2及I-3化合物之化合物組成、更佳地基本由其組成且最佳地完全由其組成:其中 L1 係H或F,較佳F, 且其他基團具有上文針對式I所指示之各別含義,且較佳地 R1 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有2至7個C原子之未氟化烯基。 本發明之介質較佳包含一或多種式I-1化合物,該等式I-1化合物更佳地選自式I-1a至I-1c、甚至更佳地式I-1c之化合物之群,其中更佳地式I-1化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成:其中基團具有上文針對式I-1所指示之各別含義,且其中較佳地 R1 表示未氟化烷基或未氟化烯基。 介質較佳包含一或多種式I-2化合物,該等式I-2化合物更佳地選自式I-2a至I-2d、甚至更佳地式I-2d化合物之群,其中較佳地式I-2化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成:其中基團具有上文針對式I-2所指示之各別含義,且其中較佳地 R1 表示未氟化烷基或未氟化烯基。 介質較佳包含一或多種式I-3化合物,該等式I-3化合物更佳地選自式I-3a至I-3d、甚至更佳地式I-3c化合物之群,其中較佳地式I-3化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成: 其中基團具有上文針對式I-3所指示之各別含義,且其中較佳地 R1 表示未氟化烷基或未氟化烯基。 本發明之介質較佳包含一或多種式II化合物,該等式II化合物更佳地選自式II-1至II-3化合物之群、甚至更佳地選自式II-1及II-2化合物之群,其中較佳地式II化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成:其中基團具有上文針對式II所給出之含義且較佳地 R2 表示H、具有1至7個C原子之未氟化烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未氟化烯基, 且中之一者表示, 且另一者獨立地表示,較佳地,最佳地,且較佳地 R2 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式II-1化合物,該等式II-1化合物更佳地選自式II-1a至II-1e化合物之群、甚至更佳地選自式II-1a及II-1b化合物之群、尤佳式II-1b,其中較佳地式II-1化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成: 其中 R2 具有上文所指示之含義,且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 彼此獨立地表示在0至15之範圍內、較佳在1至7之範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式II-2化合物,該等式II-2化合物更佳選自式II-2a及II-2b化合物之群,甚至更佳地同時選自一或多種式II-2a化合物及一或多種式II-2b化合物,其中較佳該等式II-2化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成: 其中 R2 具有上文所指示之含義,且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式II-3化合物,該等式II-3化合物更佳選自式II-3a至II-3c化合物之群,甚至更佳選自式II-3a及II-3b化合物之群,尤佳同時選自一或多種式II-3a化合物及一或多種式II-3b化合物,其中較佳地式II-3化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成: 其中 R2 具有上文所指示之含義,且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式III化合物,該等式III化合物更佳地選自式III-1至III-6化合物之群,其中甚至更佳地該等化合物選自式III-1、III-2、III-3及III-4、尤佳式III-1化合物之群,其中較佳地式III化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成: 其中 Z31 及Z32 彼此獨立地表示反式-CH=CH-或反式-CF=CF-、較佳反式-CH=CH-,其中在式III-6中另一選擇Z31 及Z32 中之一者可表示-C≡C-且其他基團具有上文針對式III所給出之含義,且較佳地 R3 表示H、具有1至7個C原子之未氟化烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未氟化烯基, 且中之一者、較佳表示 ,較佳, 且其他彼此獨立地表示,較佳地,更佳地,且較佳地 R3 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式III-1化合物,該等式III-1化合物更佳地選自式III-1a至III-1d化合物之群,甚至更佳地選自式III-1a及III-1b、尤佳式III-1b化合物之群,其中較佳地式III-1化合物主要由其組成、甚至更佳基本由其組成且尤佳完全由其組成:其中 R3 具有上文所指示之含義,且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式III-2化合物,該等式III-2化合物更佳地係式III-2a化合物:其中 R3 具有上文所指示之含義,且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )z , n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7範圍內且尤佳1至5之整數,且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為0或2。 介質較佳包含一或多種式III-3化合物及/或一或多種式III-4化合物。 介質較佳包含一或多種式III-5化合物,該等式III-5化合物更佳地係式III-5a化合物:其中 R3 具有上文針對式III-5所給出之含義,且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中 n 表示在0至7範圍內、較佳在1至5範圍內之整數。 式III之其他較佳化合物係下式之化合物: 其中 n 表示在0至7範圍內、較佳在1至5範圍內之整數。 在本發明之其他態樣中,提供複合物系統,其包含含有一或多種多色性化合物及一或多種選自如上所述式I、II及III之化合物之群之化合物之液晶介質及自或可自一或多種上文所闡述可聚合化合物之聚合獲得之聚合物。 適宜且較佳之聚合方法係(例如)熱誘導聚合或光聚合、較佳光聚合、具體而言UV光聚合。亦可視情況添加一或多種起始劑。聚合之適宜條件及起始劑之適宜類型及量為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中。適宜自由基聚合係例如且較佳地市售光起始劑Irgacure®184、Irgacure®369、Irgacure®651、具體而言Irgacure®784、具體而言Irgacure®819、Irgacure®907或Irgacure®1300 (所有皆來自BASF)或Darocure®1173 (來自Ciba AG)。在採用起始劑之情形中,其比例較佳係0.001重量%至5重量%、更佳0.001重量%至1重量%。 本發明之可聚合化合物亦適於在無起始劑之情況下聚合,此可伴隨有大量優點,例如較低材料成本及具體而言較少的由可能殘餘量之起始劑或其降解產物造成之LC介質污染。因此,亦可在不添加起始劑情況下實施聚合。因此,在較佳實施例中,LC介質不包含聚合起始劑。 可聚合組份或LC介質亦可包含一或多種穩定劑以防止反應性液晶原(RM)在(例如)儲存或運輸期間發生不期望自發聚合。穩定劑之適宜類型及量為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中。尤其適宜者係(例如)來自Irganox®系列(來自Ciba AG)之市售穩定劑,例如Irganox® 1076。在採用穩定劑之情形中,其比例以包括RM或可聚合組份在內之LC混合物之總量計較佳在10 ppm至10,000 ppm範圍內,更佳介於50 ppm至2,000 ppm範圍內,最佳0.2%或約0.2%。 較佳地,在聚合之前如下所述表徵混合物。然後藉由輻照一次(180 s)使反應性組份聚合,並重新表徵所得介質。 較佳地,藉由利用有效功率為約3.0 mW/cm2 之UV燈(例如Dymax,Bluewave 200,365 nm干涉濾波器)輻照180秒來實施介質聚合。聚合係在測試單元/天線裝置中直接實施。為最小化UV誘導之主體降解,可有益地應用適宜長通濾波器,例如Schott GG395或GG410。 該聚合較佳在室溫下實施。 在所指示輻照功率下獲得最大穩定化之整個輻照時間通常為180 s。可依照最佳化輻照/溫度程式進一步實施聚合。 在聚合之前介質中可聚合化合物之總濃度較佳在1%至20%、更佳2%至15%且最佳2%至10%之範圍內。 在本發明之較佳實施例中,介質包含一或多種介電各向異性大於3之式I-1之介電正性化合物。 介質較佳包含一或多種介電各向異性在超過-1.5至3範圍內之式I-2之介電中性化合物。 在本發明之較佳實施例中,介質包含一或多種式II化合物。 在本發明之進一步較佳實施例中,介質包含一或多種式III化合物。 液晶介質、較佳本發明所用液晶介質之向列型組份較佳包含10%或更少、較佳5%或更少、更佳2%或更少、甚至更佳1%或更少且具體而言絕對沒有僅具有兩個或更少五員及/或六員環之化合物。 縮寫(首字母縮略詞)之定義同樣闡述於下表D中或自表A至C顯而易見。 本發明之液晶介質較佳包含選自式I至III化合物之群之化合物、更佳地主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組成且尤佳完全由其組成。 在本發明之較佳實施例中,液晶介質主要由較佳地選自式I至III化合物之群之異硫氰酸酯化合物組成、更佳地基本上由其組成且最佳地完全由其組成。 本發明之液晶介質可藉由將一或多種可聚合化合物與一或多種多色性化合物及一或多種選自如上所闡釋式I、II及III化合物之群之化合物、及視情況與一或多種其他化合物及/或一或多種添加劑混合或摻和來製備。 本發明之液晶介質或複合物系統可有益地用於供高頻技術用之構件中。 因此,本發明之另一態樣係關於用於高頻技術之構件,其包含本發明之液晶介質或複合物系統。構件較佳適於在微波範圍中操作,且更佳地係可在微波區中操作相移器或基於LC之天線元件。 在其他態樣中,提供包含一或多個本發明構件之微波天線陣列。 在該等構件及裝置中,具體而言藉由有利或適宜地影響可調諧性、具體而言微波可調諧性及/或損失參數、同時適宜地維持或改良VHR,可有利地使用包含一或多種多色性化合物之本發明液晶介質。 在本申請案中,與組合物有關之術語「包含」意指所討論實體(即介質或組份)較佳以10%或以上且更佳20%或以上之總濃度包含一或多種所指示組份或化合物。 就此而言,術語「主要由……組成」意指所討論實體包含55%或以上、較佳60%或以上且尤佳70%或以上之一或多種所指示組份或化合物。 就此而言,術語「基本上由……組成」意指所討論實體包含80%或以上、較佳90%或以上且極佳95%或以上之一或多種所指示組份或化合物。 就此而言,術語「完全由……組成」意指所討論實體包含98%或以上、較佳99%或以上且尤佳100.0%之一或多種所指示組份或化合物。 亦可視情況且有利地將上文未明確提及之其他液晶原化合物用於本發明介質中。該等化合物已為熟習此項技術者所熟知。 較佳地,介質中式I至III化合物之總濃度在80%或以上至100%範圍內、更佳地在90%或以上至100%範圍內且最佳地在95%或以上至100%範圍內。 較佳地,介質中式I-3、更佳地式I-3c化合物之總濃度在10%至45%或以下、更佳地15%或以上至35%或以下、甚至更佳地20%或以上至33%或以下且最佳25%或以上至30%或以下範圍內。 本發明之液晶介質之清亮點較佳為90℃或更高、更佳地100℃或更高、甚至更佳地120℃或更高、再更佳地150℃或更高且尤佳170℃或更高。 本發明介質之向列相較佳至少自20℃或以下延伸至90℃或更高。更佳地,該相自高達100℃或更高、更佳地至少自0℃或以下延伸至120℃或以上或甚至更佳地至少自-10℃或以下延伸至140℃或更高、具體而言至少自-20℃或以下延伸至150℃或更高。 在1 kHz及20℃下,本發明液晶介質之∆ε較佳為1或以上、更佳2或以上且尤佳3或以上。 在589 nm (NaD )及20℃下,本發明液晶介質之∆n較佳在0.200或更大至0.90或更小之範圍內,更佳在0.250或更大至0.90或更小之範圍內,甚至更佳在0.300或更大至0.85或更小之範圍內且尤佳在0.350或更大至0.800或更小之範圍內。 在本發明之較佳實施例中,本發明液晶介質之∆n較佳為0.50或更大、更佳0.55或更大。 根據本發明,以總混合物計,個別式I化合物較佳以10%至70%、更佳20%至60%、甚至更佳30%至50%且尤佳25%至45%之總濃度使用。 以總混合物計,式II化合物較佳以1%至20%、更佳1%至15%、甚至更佳2%至15%且尤佳3%至10%之總濃度使用。 以總混合物計,式III化合物較佳以1%至60%、更佳5%至50%、甚至更佳10%至45%且尤佳15%至40%之總濃度使用。 液晶介質較佳包含總共50%至100%、更佳地70%至100%且尤佳80%至100%、且具體而言90%至100%式I、II及III化合物,更佳地主要由其組成且尤佳完全由其組成。 在本申請案中,表達介電正性描述其中De > 3.0之化合物或組份,介電中性描述其中1.5 ≤∆ε ≤ 3.0之彼等化合物或組份,且介電負性描述其中De < -1.5之彼等化合物或組份。∆ε係以1 kHz之頻率且於20℃下測定。各別化合物之介電各向異性係根據向列相主體混合物中10%各別個別化合物之溶液的結果來測定。若主體混合物中各別化合物之溶解度低於10%,則濃度降至5%。測試混合物之電容係在具有垂直配向之單元及具有平行配向之單元二者中測得。該兩種類型單元之單元厚度為約20 µm。施加電壓係頻率為1 kHz且有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波,但其始終經選擇以低於各別測試混合物之電容臨限值。 De定義為(e½½ - e^ ),其中eave. 係(e½½ + 2 e^ ) / 3。 用於介電正性化合物之主體混合物為混合物ZLI-4792,且用於介電中性及介電負性化合物之主體混合物為混合物ZLI-3086,二者皆來自Merck KGaA, Germany。化合物之介電常數之絕對值係根據添加所關注化合物後主體混合物之各別值之變化來測得。將該等值外推至100%之所關注化合物之濃度。 如此量測在20℃之量測溫度下具有向列相之組份,所有其他組份皆如化合物一樣進行處理。 表達臨限電壓在本申請案中係指光學臨限值且係針對10%之相對對比度(V10 ),且表達飽和電壓係指光飽和且係針對90%相對對比度(V90 ),在該兩種情形中,另外明確陳述之情形除外。電容式臨限電壓(V0 ) (亦稱為Freedericks臨限值(VFr ))僅在明確提及時使用。 除非另外明確陳述,否則在本申請案中所指示之參數範圍皆包括限值。 所指示用於各性質範圍之不同上限及下限值彼此組合而產生其他較佳範圍。 在整篇本申請案中,除非另有明確陳述,否則下列條件及定義適用。所有濃度皆以重量百分比表示且係關於作為整個之各別混合物,所有溫度皆以攝氏度表示且所有溫度差皆以度數差表示。所有物理性質皆係根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」,Status,1997年11月,Merck KGaA, Germany測得,且除非另有明確說明,否則係針對20℃之溫度。光學各向異性(∆n)係在589.3 nm之波長下測定。介電各向異性(∆ε)係在1 kHz之頻率下測定。臨限電壓以及其他光電性質係使用Merck KgaA,Germany生產之測試單元來測定。用於測定∆ε之測試單元具有約20 µm之單元厚度。電極係具有1.13 cm2 面積及保護環之圓形ITO電極。定向層係來自Nissan Chemicals, Japan之SE-1211 (用於垂直定向(ε½½ ))及來自Japan Synthetic Rubber, Japan之聚醯亞胺AL-1054 (用於平行定向(ε^ ))。電容係使用Solatron 1260頻率響應分析器且使用具有0.3 Vrms 電壓之正弦波來測定。電光量測中所用之光係白光。使用利用來自Autronic-Melchers, Germany之市售DMS儀器之設定。已在垂直觀察下測定特性電壓。已分別在10%、50%及90%相對對比度下測定臨限值(V10 )、中間灰度(V50 )及飽和(V90 )電壓。 研究液晶介質在微波頻率範圍中之性質,如A. Penirschke、S. Müller、P. Scheele、C. Weil、M. Wittek、C. Hock及R. Jakoby: 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」,第34屆歐洲微波會議- Amsterdam,第545至548頁中所述。 亦在此方面進行比較,A. Gaebler、F. Gölden、S. Müller、A. Penirschke及R. Jakoby 「Direct Simulation of Material Permittivites …」, 12MTC 2009 –國際儀器與量測技術會議,Singapore, 2009 (IEEE),第463至467頁及DE 10 2004 029 429 A,其中同樣詳細闡述量測方法。 將液晶引入聚四氟乙烯(PTFE)毛細管中。毛細管具有180 μm之內徑及350 μm之外徑。有效長度為2.0 cm。將經填充毛細管引入共振頻率為30 GHz之空腔的中央。此空腔之長度為6.6 mm,寬度為7.1 mm且高度為3.6 mm。然後施加輸入信號(源),並使用市售矢量網路分析器記錄輸出信號之結果。 使用共振頻率及Q因子在利用填充有液晶之毛細管量測及不利用填充有液晶之毛細管量測之間之變化藉助以下文獻中之方程式10及11來測定相應目標頻率下之介電常數及損耗角:A. Penirschke、S. Müller、P. Scheele、C. Weil、M. Wittek、C. Hock及R. Jakoby: 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」,第34屆歐洲微波會議- Amsterdam,第545至548頁,如其中所闡述。 藉由在磁場中使液晶對準獲得垂直及平行於液晶指向矢之性質的分量值。為此,使用永磁體之磁場。磁場之強度為0.35特斯拉(tesla)。相應地設定磁體之配向且然後相應地旋轉90°。 較佳構件係相移器、變容器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路自適應濾波器及其他裝置。 在本申請案中,除非另外明確陳述,否則術語化合物意指一種化合物及複數種化合物二者。 本發明之液晶介質較佳在以上所給較佳範圍中具有向列相。此處,表達具有向列相一方面意指在相應溫度之低溫下觀察不到層列相及結晶,且另一方面在加熱時向列相不出現澄清。在相應溫度下使用流量式黏度計實施低溫研究,且藉由在層厚度為5 µm之測試單元中儲存達至少100小時來進行檢查。在高溫下,所有澄清點皆在毛細管中藉由習用方法量測。 此外,本發明液晶介質之特徵較佳在於在可見範圍內、尤其於589.0 nm之波長下(即,於Na"D"線下)具有高光學各向異性值。589 nm下之雙折射率較佳為0.20或更大、更佳0.25或更大、甚至更佳0.30或更大、再更佳0.40或更大且尤佳0.45或更大。另外,雙折射率較佳係0.80或以下。 所採用液晶較佳具有正介電各向異性。此較佳為2或以上、更佳4或以上、甚至更佳6或以上且尤佳10或以上。 此外,本發明之液晶介質之特徵較佳在於在微波範圍內具有高各向異性值。例如,在約8.3 GHz下之雙折射率較佳為0.14或更大、更佳0.15或更大、甚至更佳0.20或更大、再更佳0.25或更大且尤佳0.30或更大。另外,雙折射率較佳係0.80或以下。 微波範圍內之介電各向異性定義為。 可調諧性(t)定義為。 材料品質(h)定義為,其中 最大介電損失係。 較佳液晶材料之材料品質(h)為6或以上、較佳8或以上、更佳10或以上。 在相應構件中,較佳液晶材料之相移器品質為15°/dB或以上、較佳20°/dB或以上、更佳地30°/dB或以上、甚至更佳地40°/dB或以上、甚至更佳地50°/dB或以上、再尤佳80°/dB或以上且尤佳100°/dB或以上。 然而,在一些實施例中,亦可有利地使用介電各向異性為負值之液晶。 所用液晶係個別物質或混合物。其較佳具有向列相。 術語「烷基」較佳涵蓋具有1至15個碳原子之直鏈及具支鏈烷基,尤其直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基。具有2至10個碳原子之基團通常較佳。 術語「烯基」較佳涵蓋具有2至15個碳原子之直鏈及具支鏈烯基,尤其直鏈基團。尤佳烯基係C2 -至C7 -1E-烯基、C4 -至C7 -3E-烯基、C5 -至C7 -4-烯基、C6 -至C7 -5-烯基及C7 -6-烯基、具體而言C2 -至C7 -1E-烯基、C4 -至C7 -3E-烯基及C5 -至C7 -4-烯基。其他較佳烯基之實例係乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及諸如此類。具有最多5個碳原子之基團通常較佳。 術語「氟烷基」較佳涵蓋具有末端氟之直鏈基團,即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而,不排除氟之其他位置。 術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳涵蓋式Cn H2n+1 -O-(CH2 )m 之直鏈基團,其中n及m各自彼此獨立地表示1至10。較佳地,n為1且m為1至6。 含有乙烯基末端基團之化合物及含有甲基末端基團之化合物具有低旋轉黏度。 在本申請案中,高頻技術及超高頻技術二者均表示頻率在1 MHz至1 THz、較佳1 GHz至500 GHz、更佳2 GHz至300 GHz、尤佳約5 GHz至150 GHz範圍內之應用。 本發明之液晶介質可以慣用濃度包含其他添加劑及對掌性摻雜劑。基於總混合物,該等其他成份之總濃度在0%至10%、較佳0.1%至6%之範圍內。所用個別化合物之濃度各自較佳在0.1%至3%之範圍內。在本申請案中,當列舉液晶介質之液晶組份及液晶化合物之值及濃度範圍時,並不慮及該等及類似添加劑之濃度。 較佳地,本發明介質包含一或多種對掌性化合物作為對掌性摻雜劑以調整其膽固醇液晶螺距。其在本發明介質中之總濃度較佳在0.05%至15%、更佳1%至10%且最佳2%至6%之範圍內。 本發明介質視情況可包含其他液晶化合物以調整物理性質。該等化合物為專業人士已知。其在本發明介質中之濃度較佳係0%至30%、更佳地0.1%至20%且最佳地1%至15%。 反應時間分別以以下給出:上升時間(τon ),其係分別針對電-光反應之相對對比度相對調諧自0%至90%之變化時間(t90 – t0 ),亦即包括延遲時間(t10 – t0 );衰減時間(τoff ),其係分別針對電-光反應之相對對比度相對調諧自100%返回至10%之變化時間(t100 – t10 );及總反應時間(τtotal = τon + τoff )。 本發明之液晶介質由複數種化合物、較佳3至30種、更佳4至20種且極佳4至16種化合物組成。該等化合物係以習用方式加以混合。一般而言,將以較少量使用之期望量化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物之澄清點,則尤其易於觀察到溶解過程之完成。然而,亦可以其他習用方式來製備介質,例如使用可為(例如)化合物之同系物或低共熔混合物之所謂的預混合物,或使用所謂「多瓶」系統(其成份自身係即用混合物)。 所有溫度(例如,液晶之熔點T(C,N)或T(C,S)、自層列相(S)至向列相(N)之轉變溫度T(S,N)及澄清點T(N,I))皆以攝氏度表示。所有溫度差皆以度數差表示。 在本發明中且尤其在下列實例中,液晶原化合物之結構係由縮寫(亦稱為首字母縮略詞)來表示。在該等首字母縮略詞中,使用下表A至C將化學式縮寫如下。所有基團Cn H2n+1 、Cm H2m+1 及Cl H2l+1 或Cn H2n-1 、Cm H2m-1 及Cl H2l-1 皆表示直鏈烷基或烯基、較佳1-E -烯基,其在每一情形下分別具有n、m及l個C原子。表A列示用於化合物核心結構之環要素的代碼,而表B顯示鏈接基團。表C給出左手側或右手側末端基團之代碼之含義。表D顯示化合物說明性結構以及其各別縮寫。 A :環要素 B :鏈接基團 C 末端集團 其中n及m各自表示整數,且三個點「...」係來自此表之其他縮寫之佔位符。 下表顯示說明性結構以及其各別縮寫。顯示該等結構以說明縮寫規則之含義。另外,其代表較佳使用之化合物。 D 說明性結構 以下說明性結構係尤佳採用且具有末端-NSC基團之化合物: 以下說明性結構係介質中較佳另外使用之化合物: 以下說明性結構係視情況採用且具有三個6員環之輔助化合物: 以下說明性結構係視情況採用且具有四個6員環之輔助化合物: 另外可採用之介電中性化合物之說明性結構:另外可採用之其他化合物之說明性結構: 下表(表E)顯示可以且較佳用作本發明液晶原介質中之二色性染料之說明性化合物。 E 本發明之液晶原介質較佳包含一種、更佳地兩種、甚至更佳地三種或更多種選自由表E之化合物組成之群之化合物。一或多種二色性染料較佳以0.1%或以上至15%或以下、更佳地0.5%或以上至10%或以下且最佳地1.0%或以上至8%或以下之範圍內的濃度使用。 下表(表F)顯示可用作本發明液晶原介質中之穩定劑之說明性化合物。該等化合物及類似化合物在介質中之總濃度較佳係5%或更小。 F 在本發明之較佳實施例中,液晶原介質包含一或多種選自表F化合物之群之化合物。 下表(表G)顯示較佳可用作本發明液晶原介質中之對掌性摻雜劑之說明性化合物。 G 在本發明之較佳實施例中,液晶原介質包含一或多種選自表G之化合物之群之化合物。 本申請案之液晶原介質較佳包含兩種或更多種、較佳四種或更多種選自由以上表之化合物組成之群之化合物。 本發明之液晶介質較佳包含7種或更多種、較佳8種或更多種選自表D化合物之群之化合物、較佳具有3個或更多、較佳4個或更多個不同式之化合物。 以下實例僅說明本發明且其不應以任何方式視為限制本發明之範圍。實例及其修改或其他等效物對於熟習此項技術者根據本揭示內容將顯而易見。實例 實例 1 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-1且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 k11 = 15.0 pN;k33 = 15.4 V;V10 = 0.86 V 此混合物適用於微波範圍中之應用,具體而言用於微波(MW)區中之相移器或基於LC之天線構件,且具有適宜反應時間。實例 1.1 1.3 將混合物B-1分成三份。向該三份中之每一份添加某一濃度之如上表E所示之二色性染料TAZO-1,以獲得混合物M-1.1、M-1.2及M-1.3。 另一選擇,向該三份中分別添加1.0%、3.0%及5.0%之TAZO-1。 1 :所研究混合物之組成 將三種所得混合物M-1.1至M-1.3各自填充至測試單元中,該等測試單元具有由PI Al3046覆蓋之反平行摩擦玻璃基板。測試單元具有50 mm之單元間隙。關於一般物理特性及其在微波型態中之性能對混合物進行研究。實例 2 向混合物B-1中以3.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料AZO-1。 關於其在微波應用中之性能對所得混合物M-2進行研究。實例 3 向混合物B-1中以3.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料AZO-2。 關於其在微波應用中之性能對所得混合物M-3進行研究。實例 4 向混合物B-1中以3.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料AZO-3。 關於其在微波應用中之性能對所得混合物M-4進行研究。實例 5 向混合物B-1中以3.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料THIO-1 (Merck KGaA, Darmstadt, Germany)。 關於其在微波應用中之性能對所得混合物M-5進行研究。 下表顯示混合物B-1及M-1.2、M-2、M-3、M-4及M-5之微波特性之比較,其中後面的混合物各自含有3%如上所述之各別染料。 2 :在19 GHz下微波特性量測之比較 令人驚訝地,發現各別二色性染料之提供可在增加之可調諧性方面提供益處。同時,介電損失至少保持在相當位準或甚至改良,使得品質因數h至少相當或甚至顯著改良。增加量之二色性染料可進一步改良有利效應。 為進行比較且作為參照,熟知化合物4’-苯基-4-氰基聯苯(亦稱為5CB或K15, Merck KGaA)在20℃下給出tan de r, ^ = 0.026且h = 4.3。 以下混合物亦適於微波範圍中之應用,具體而言用於MW區中之相移器或基於LC之天線構件。實例 6 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-6且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-6分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 7 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-7且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 k11 = 15.8 pN;k33 = 15.1 V;V10 = 0.87 V 將混合物B-7分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 8 製備具有如下表中所指示組成及性質之液晶混合物B-8。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-8分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 9 13 基礎混合物 另一選擇,向實例8之液晶介質B-8各自添加某一濃度之其他單一化合物並針對其一般物理特性及其在微波型態中之性能對所得基礎混合物(B-9至B-13)進行研究。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-9至B-13分別分成七份。分別向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 包含各別濃度之各別二色性化合物之所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 14 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-14且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-14分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 15 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-15且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-15分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 16 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶基礎混合物B-16且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-16分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 17 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-17且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-17分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 18 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-18且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-18分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 19 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-19且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-19分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 20 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-20且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-20分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 21 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-21且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-21分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 22 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-22且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-22分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 23 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-23且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-23分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 24 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-24且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-24分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 25 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-25且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-25分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 26 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶基礎混合物B-26且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-26分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 27 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-27且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-27分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。實例 28 基礎混合物 製備具有如下表中所指示之組成及性質之液晶混合物B-28且關於其一般物理性質及其在19 GHz下於微波構件中之適用性進行表徵。 注釋:t.b.d.:待測定。 將混合物B-28分成七份。向該七份中之三份中分別以1.0%、3.0%及5.0%之濃度添加如上表E中所示之二色性染料TAZO-1。向其他四份中分別以3.0%之濃度分別添加如上表E中所示之AZO-1、AZO-2、AZO-3或THIO-1。 所得混合物顯示與實例1.1-1.3及實例2-5類似之經改良性質、具體而言關於可調諧性及品質因數。 關於上文所述實例中所用二色性染料之另一選擇,可使用螢光二色性染料。該等允許容易的檢測來自各別微波構件之調變介質之任何洩漏。 除提供一或多種多色性化合物外,可向以上混合物中添加一或多種對掌性化合物以達成關於大多數應用之經改良性能。

Claims (15)

  1. 一種液晶介質,其包含 一或多種多色性化合物, 一或多種選自式I、II及III化合物之群之化合物,其中 R1 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, n 表示0或1,且彼此獨立地表示另一選擇表示 其中 R2 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, Z21 表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-,且彼此獨立地表示 其中 R3 表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基, Z31 及Z32 中之一者 表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-C≡C-, 且另一者表示 反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或單鍵,且彼此獨立地表示另一選擇表示及視情況 一或多種可聚合液晶原化合物。
  2. 如請求項1之液晶介質,其包含一或多種選自偶氮染料及噻二唑染料之群之多色性染料。
  3. 如請求項1或2之液晶介質,其包含一或多種式P化合物 Pa -(Spa )s1 -(A1 -Z1 )n1 -A2 -Q-A3 -(Z4 -A4 )n2 -(Spb )s2 -Pb P 其中 Pa 、Pb 各自彼此獨立地係可聚合基團, Spa 、Spb 各自彼此獨立地表示間隔基團, s1、s2 各自彼此獨立地表示0或1, n1、n2 各自彼此獨立地表示0或1, Q 表示單鍵、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CO)O-、-O(CO)-、-(CH2 )4 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CF2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CºC-、-O-、-CH2 -、-(CH2 )3 -、-CF2 -、較佳-CF2 O-, Z1 、Z4 彼此獨立地表示單鍵、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CO)O-、-O(CO)-、-(CH2 )4 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CF2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CºC-、-O-、-CH2 -、-(CH2 )3 -、-CF2 -, 其中Z1 及Q或各別地Z4 及Q不同時表示選自-CF2 O-及-OCF2 -之基團, A1 、A2 、A3 、A4 各自彼此獨立地表示選自下列群之二價基團: a) 由反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基及1,4’-伸聯環己基組成之群,其中另外一或多個不毗鄰CH2 基團可由-O-及/或-S-替代,且其中另外一或多個H原子可由F替代, b) 由1,4-伸苯基及1,3-伸苯基組成之群,其中另外一或兩個CH基團可由N替代,且其中另外一或多個H原子可由L替代, c) 由四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、四氫呋喃-2,5-二基、環丁烷-1,3-二基、六氫吡啶-1,4-二基、噻吩-2,5-二基及硒吩-2,5-二基組成之群,其中之每一者亦可經L單取代或多取代, d) 由具有5至20個環C原子之飽和、部分不飽和或完全不飽和且視情況經取代之多環基團組成之群,其中之一或多者另外可由雜原子替代,其較佳選自由以下組成之群:雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、其中另外,該等基團中之一或多個H原子可由L替代,及/或一或多個雙鍵可由單鍵替代,及/或一或多個CH基團可由N替代, 或A3 另一選擇可為單鍵, L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5 或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、在每一情形下視情況經氟化之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基, R03 、R04 各自彼此獨立地表示H、F或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基,其中另外一或多個H原子可由F替代, M 表示-O-、-S-、-CH2 -、-CHY1 -或-CY1 Y2 -,且 Y1 及Y2 各自彼此獨立地具有上文針對R03 指示含義中之一者,或表示Cl或CN,且另一選擇為基團Y1 及Y2 中之一者表示-OCF3 ,較佳H、F、Cl、CN或CF3 , 且其視情況進一步包含聚合起始劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其包含一或多種如請求項1中所闡釋之式I化合物。
  5. 如請求項1至4中任一項之液晶介質,其包含一或多種如請求項1中所闡釋之式II化合物。
  6. 如請求項1至5中任一項之液晶介質,其包含一或多種如請求項1中所闡釋之式III化合物。
  7. 如請求項1至6中任一項之液晶介質,其包含一或多種選自式I-1、I-2、II-1至II-3及III-1至III-6化合物之群之化合物 其中R1 、R2 、R3 、A11 、A12 、A13 、A21 、A22 、A31 、A32 、A33 、Z31 及Z32 各自具有如請求項1中所闡釋之各別含義。
  8. 如請求項1至7中任一項之液晶介質,其進一步包含一或多種對掌性化合物。
  9. 一種複合物系統,其包含: 液晶介質,其包含一或多種多色性化合物及一或多種選自如請求項1中所闡釋之式I、II及III之化合物之群之化合物,及 聚合物,其係自或可自如請求項1或3之該(等)可聚合化合物之聚合獲得。
  10. 一種用於高頻技術之構件,其包含如請求項1至8中任一項之液晶介質或如請求項9之複合物系統。
  11. 如請求項10之構件,其係適用於在微波範圍中操作之構件,較佳係可在微波範圍中操作之相移器或基於LC之天線元件。
  12. 一種如請求項1至8中任一項之液晶介質或如請求項9之複合物系統之用途,其用於高頻技術用構件中。
  13. 一種製備液晶介質之方法,其中將一或多種可聚合化合物與一或多種多色性化合物及一或多種選自如請求項1中所闡釋之式I、II及III化合物之群之化合物、及視情況一或多種其他化合物及/或一或多種添加劑混合。
  14. 一種一或多種多色性化合物之用途,其用於改良包含一或多種選自如請求項1中所闡釋之式I、II及III之化合物之群之化合物之液晶介質的可調諧性。
  15. 一種微波天線陣列,其包含一或多個如請求項10或11之構件。
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