TW201731594A - 膜圖案描繪方法、塗布膜基材、及塗布裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種於藉由噴墨法而於基材上形成膜圖案之情形時能夠提高描繪性、進而能夠抑制伴隨著描繪性提高之膜圖案形成時間之增加的膜圖案描繪方法、塗布膜基材、及塗布裝置。 具體而言，本發明係於基材上之膜形成區域藉由噴墨法施加液滴而形成膜圖案之膜圖案描繪方法，其包括：基底膜形成步驟，其係藉由噴出能夠對基材上之膜形成區域進行描繪之微少液滴，而形成基底膜圖案；及厚膜形成步驟，其係藉由將液量較形成上述基底膜圖案之液滴多之液滴噴出至上述基底膜圖案上，而形成膜圖案。

Description

膜圖案描繪方法、塗布膜基材、及塗布裝置

本發明係關於一種能夠對藉由將塗布液噴出至基材上而形成之膜圖案提高圖案之描繪性、及抑制伴隨著描繪性提高之膜圖案形成時間之增加的膜圖案之描繪方法、藉由該膜圖案之描繪方法獲得之塗布膜基材、及應用於該膜圖案之描繪方法之塗布裝置。

期望藉由噴墨法將液滴噴出至玻璃或薄膜等基材上，而形成線段、矩形狀等各種形狀之塗布膜(稱為膜圖案)。例如，如印刷基板或封裝基板之配線基板(基材)中之配線圖案、功率半導體之絕緣膜圖案先前藉由光微影法而形成。然而，於光微影法中必需塗布、曝光、蝕刻等較多之步驟，進而，於蝕刻步驟中消耗大量塗布材料，因此正在研究藉由使用噴墨法以較少之步驟不浪費塗布材料而形成膜圖案。例如圖9、圖10所示，於沿著長方形之電極100之外周100a形成膜圖案101之情形時，於光微影法中，將形成膜圖案101之塗布材料塗布整面並去除膜圖案101以外之部分之塗布材料，故而膜圖案101以外之部分之塗布材料被無謂地消耗。另一方面，於噴墨法中，由於能夠將塗布材料塗布於膜圖案101部分，故而能夠藉由僅對必需塗布材料之膜圖案101部分供給塗布材料，而消除於光微影法中被視為問題之塗布材料之浪費(例如參照下述專利文獻1)。利用該噴墨法之描繪係藉由於基材102上設定與膜圖案101對應之膜形成區域103並將多個作為塗布材料之固定粒徑之液滴104噴出至該膜形成區域103而進行。即，藉由具備載置基材102之平台及噴出液滴104之液滴單元之塗布裝置，使液滴單元於載置於平台之基材102上掃描，將液滴104噴出至設定於基材102之膜形成區域103，藉此形成膜圖案101。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利特開2000-133649號公報

[發明所欲解決之問題]近年來，與配線基材102、功率半導體等之高性能化、用途擴大相應地，追求基於膜圖案形狀之複雜化、細線化的塗布之高精度化。因此，於利用先前之噴墨法形成膜圖案101時，存在無法滿足描繪之高精度化之要求之情形。即，如圖10(a)所示般，若藉由噴墨法對膜形成區域103施加液滴104，則噴附至膜形成區域103之液滴104(塗布材料)沿著基材102之表面潤濕擴散，故而擴散至較噴附瞬間之形狀略大之區域。即便考慮到此情況而噴附至膜形成區域103之略靠內側而塗布，亦因第1個液滴104與其後之液滴104重疊，導致僅1滴之液滴104與液滴彼此重疊而成之液滴104之液量及乾燥狀態不同，故而產生潤濕擴散方式不同之現象。因此，如圖10(b)所示，實際之膜圖案101之端部(邊緣部101a)係於微觀地觀察之情形時具有波紋形狀，而存在如下問題：於該波紋程度並不沿著膜形成區域103之邊界部，而如圖10(b)之箭頭般，膜圖案101之邊緣部101a超出容許範圍之情形時，無法滿足描繪之高精度化之要求。因此，本發明之目的在於提供一種於藉由噴墨法於基材上形成膜圖案之情形時能夠提高描繪性、進而能夠抑制伴隨著描繪性提高之膜圖案形成時間之增加的膜圖案描繪方法、塗布膜基材、及塗布裝置。[解決問題之技術手段]為了解決上述問題，本發明之膜圖案描繪方法之特徵在於：其係於基材上之膜形成區域藉由噴墨法施加液滴而形成膜圖案者，其包括：基底膜形成步驟，其係藉由噴出能夠對基材上之膜形成區域進行描繪之微少液滴，而形成基底膜圖案；及厚膜形成步驟，其係藉由將較形成上述基底膜圖案之液滴更大顆粒之液滴噴出至上述基底膜圖案上，而形成膜圖案。根據上述膜圖案描繪方法，藉由基底膜形成步驟利用微少液滴形成基底膜圖案，其後，藉由厚膜形成步驟將液量多於上述微少液滴之大顆粒之液滴塗布於基底膜圖案上，藉此形成膜圖案，故而能夠精度較佳地描繪膜形成區域，進而能夠抑制因高精度塗布導致之塗布時間之增加。即，藉由利用能夠對膜形成區域進行描繪之微少液滴、換言之分辨率較高之液滴進行描繪，即便複雜化、細線化之膜圖案亦能夠精度較佳地滴液至細微部分。即，由於液滴之粒徑較小且一滴之液量為少量，故而噴附至膜形成區域時之乾燥速度變快從而能夠抑制潤濕擴散。具體而言，即便於噴附至膜形成區域之液滴彼此重疊之情形時，亦與液量比先前之液滴少之程度相應地抑制潤濕擴散，故而能夠抑制膜圖案(基底膜圖案)之端部(邊緣部)之波紋現象，從而提高描繪精度。而且，於形成與膜形成區域相對應之基底膜圖案後，藉由厚膜形成步驟，使液量多於微少液滴之大顆粒之液滴噴附。即，藉由大顆粒之液滴與基底膜圖案融合而形成最終之膜圖案。藉此，與僅藉由微少液滴形成膜圖案之情形相比，能夠減少噴出次數、及掃描次數，故而能夠抑制膜圖案之形成所需之時間變長。即，若僅藉由微少液滴形成膜圖案，則1片基材所需之處理時間(產距時間)增加，進而，若處理時間變長，則微少液滴之乾燥速度較快，故而液滴彼此之融合較差，而存在因產生膜不均、條紋不均等而影響膜本身之品質之可能性。然而，於形成基底膜圖案後之厚膜形成步驟中，由於藉由較微少液滴更大顆粒之液滴形成膜圖案，故而與僅藉由微少液滴形成膜圖案之情形相比，能夠減少噴出次數而縮短塗布動作，從而能夠縮短膜圖案形成所需之時間。又，較佳為如下構成，即，上述厚膜形成步驟係於上述基底膜形成步驟結束後且於上述基底膜圖案完全乾燥前開始，並且於上述基底膜圖案完全乾燥前完成。根據上述構成，當於形成基底圖案後，藉由厚膜形成步驟塗布液量較多之大顆粒之液滴時，藉由基底膜圖案之表面張力拉拽大顆粒之液滴，藉此能夠一面防止液滴超出基底圖案而潤濕擴散，一面形成膜圖案。而且，由於在基底圖案完全乾燥前完成厚膜形成步驟，故而所有大顆粒之液滴於基底圖案乾燥前被滴液，藉此大顆粒之液滴與基底圖案融合而形成整體均勻之膜圖案，從而能夠抑制產生膜不均、條紋不均等。又，亦可設為如下構成，即，至少於上述基底膜形成步驟中，於噴出液滴而於基材形成膜圖案之液滴單元與上述基材之相對位置和對上述液滴單元之各噴嘴設定之噴出位置座標一致的情形時，自上述液滴單元噴出液滴。根據該構成，與先前之基於點陣圖資料使液滴自各噴嘴噴出而描繪膜圖案之方法相比，能夠更加提高位置分辨率而噴出液滴，故而能夠提高膜圖案之描繪性。又，為了解決上述問題，本發明之塗布膜基材之特徵在於藉由上述膜圖案描繪方法而形成。根據上述塗布膜基材，能夠製成不存在膜不均、條紋不均等之高品質之塗布膜基材。又，為了解決上述問題，本發明之塗布裝置之特徵在於具備：平台，其載置基材；及液滴單元，其一面相對於載置於上述平台之基材相對地移動，一面噴出液滴而於基材形成膜圖案；並且上述液滴單元具有：微少液滴噴嘴，其噴出能夠對基材上之膜形成區域進行描繪之微少液滴；及厚膜噴嘴，其噴出液量較上述微少液滴多之液滴。根據上述塗布裝置，具備將微少液滴噴出至液滴單元之微少液滴噴嘴、及直徑大於微少液滴之厚膜噴嘴，故而能夠於藉由微少液滴噴嘴於基材上形成基底膜圖案後，立即噴出液量較多之大顆粒之液滴，因此能夠於基底膜圖案完全乾燥前自厚膜噴嘴噴出大顆粒之液滴，從而形成膜圖案。又，能夠利用1台裝置形成藉由具有上述基底膜形成步驟及厚膜形成步驟之膜圖案描繪方法實現的塗布膜基材。又，亦可設為如下構成，即，上述液滴單元具備：第1噴嘴頭，其具有上述微少液滴噴嘴；第2噴嘴頭，其具有上述厚膜噴嘴；及頭移動機構，其使上述第1噴嘴頭及第2噴嘴頭於上述平台上移動。根據該構成，能夠於一噴嘴頭塗布動作中，使另一噴嘴頭進行閃蒸，故而能夠於微少液滴噴嘴內使液滴乾燥而抑制產生噴嘴堵塞。又，亦可設為如下構成，即，上述塗布裝置具備：位置檢測部，其檢測上述微少液滴噴嘴及上述厚膜噴嘴與上述平台上之基材之相對位置；及記憶部，其針對上述微少液滴噴嘴及上述厚膜噴嘴之各噴嘴之每一個記憶上述各噴嘴噴出液滴之噴出位置座標；並且該塗布裝置具有驅動信號輸出部，該驅動信號輸出部於由上述位置檢測部檢測出之位置與上述噴出位置座標一致時，輸出使液滴自上述各噴嘴噴出之驅動信號。根據該構成，於由位置檢測部檢測出之各噴嘴與基材之相對位置和針對各噴嘴之每一個設定之噴出位置座標一致之情形時噴出液滴，故而能夠根據位置檢測部之位置分辨率而噴出液滴。因此，與先前之基於點陣圖資料使液滴自各噴嘴噴出而描繪膜圖案之方法相比，能夠提高所噴出之液滴之位置分辨率。又，亦可設為如下構成，即，上述塗布裝置具備：位置檢測部，其至少檢測上述微少液滴噴嘴與上述平台上之基板之相對位置；及記憶部，其針對上述微少液滴噴嘴之各噴嘴之每一個記憶上述各噴嘴噴出液滴之噴出位置座標；並且該塗布裝置具有驅動信號輸出部，該驅動信號輸出部於由上述位置檢測部檢測出之位置與上述噴出位置座標一致時，輸出使液滴自上述各噴嘴噴出之驅動信號。根據該構成，僅針對微少液滴噴嘴，於各噴嘴與基材之相對位置和針對各噴嘴之每一個設定之噴出位置座標一致之情形時噴出液滴，故而能夠僅針對微少液滴噴嘴，根據位置檢測部之位置分辨率而噴出液滴。即，例如能夠藉由微少液滴噴嘴僅描繪必需高解像度之輪廓，其後，藉由厚膜噴嘴描畫輪廓內部之區域，從而能夠以短時間形成具有複雜之輪廓之膜圖案。[發明之效果]根據本發明，能夠於藉由噴墨法於基材上形成膜圖案之情形時提高描繪性，進而能夠抑制伴隨著描繪性提高之膜圖案形成時間之增加。

以下，基於圖式，對本發明之實施形態進行說明。圖1係概略性地表示本發明之塗布裝置之俯視圖，圖2係圖1之塗布裝置之側視圖，圖3係表示基材與膜圖案之圖，圖3(a)係表示於片材貼附有基材之狀態之圖，圖3(b)係表示於基材上形成有膜圖案之狀態之圖。如圖1、圖2所示，塗布裝置具備載置基材W之平台10、及將塗布材料噴出至基材W上之液滴單元2，藉由一面使平台10與液滴單元2相對地移動，一面使塗布材料噴出，能夠於基材W上形成膜圖案3。即，平台10以可於一方向移動之方式形成，於液滴單元2，噴出塗布材料之噴嘴頭4以與平台10之移動方向正交之方式形成，於該等平台10與噴嘴頭4交叉之區域(塗布區域A)，噴出塗布材料而於基材W上形成膜圖案3。再者，於以下之說明中，將平台10移動之方向作為X軸方向、噴嘴頭4移動之方向作為Y軸方向、與X軸及Y軸方向兩者正交之方向作為Z軸方向而進行說明。此處，圖3係作為一例將功率半導體晶片(以下簡稱為晶片)設為基材W之情形時的圖，圖3(a)係於片材S上貼附有複數個晶片(基材W)之圖，圖3(b)係表示於基材W上形成有膜圖案3之1片晶片之圖。該晶片具有電極部E及覆蓋電極部E之絕緣膜部R，以覆蓋大致長方形之電極部E之周圍之方式設置有絕緣膜部R。於本實施形態中，供給於基材W上形成有電極部E者，藉由將塗布材料塗布於基材W上之電極部E而形成膜圖案3，最終將該膜圖案3形成為絕緣膜部R。即，於基材W，設定有與膜圖案3相對應之膜形成區域5，如圖3(b)所示，設定有圓環狀之長方形且角部形成為圓弧狀之膜形成區域5。該膜形成區域5係線寬於100 μm～300 μm之範圍內設定，線寬之偏差(波紋部分之容許範圍)於10 μm～30 μm內設定。若將複數個此種基材W貼附於片材S上並將1片片材S載置於平台10，則藉由使塗布材料之液滴30噴出至各基材W各自之膜形成區域5而形成膜圖案3。再者，於本實施形態中，以功率半導體晶片為例進行說明，但並不限定於此，亦可將如印刷基板或封裝基板之配線基板作為基材W，只要為形成線段、矩形狀等各種形狀之膜圖案3者，則可應用於所有基材。圖1、圖2所示之塗布裝置具有自上方觀察為十字形狀之基台6，於該基台6上設置有平台10、液滴單元2。具體而言，液滴單元2具有於一方向(Y軸方向)延伸之形狀，平台10設置為能夠以與液滴單元2之大致中央位置交叉之方式移動。又，該塗布裝置設定有各處理區域，於X軸方向近前側設定基材更換區域B，於平台10與液滴單元2交叉之位置設定有塗布區域A。即，平台10可移動至基材更換區域B及塗布區域A，若於基材更換區域B將基材W搬入，則平台10移動至塗布區域A，於塗布區域A在基材W上形成膜圖案3之後，再次移動至基材更換區域B，將基材W搬出。平台10係載置基材W者，將所載置之基材W以維持水平之姿勢之狀態載置。於本實施形態中，載置貼附有複數個基材W之片材S。於該平台10之表面，形成有連接有真空泵之複數個抽吸孔，藉由使真空泵作動，而使抽吸孔產生抽吸力而能夠將基材W(片材S)保持於平台10之表面。該平台10可於一方向移動。即，於基台6上設置有於X軸方向延伸之軌道11，平台10滑動自如地安裝於該軌道11。而且，於平台10安裝有線性馬達，藉由驅動控制線性馬達，而能夠移動至任意位置以及於任意位置停止。藉此，平台10能夠移動至塗布區域A及基材更換區域B。該塗布區域A係將液滴30自液滴單元2噴出至基材W上而形成膜圖案3之區域。即，平台10能夠相對於液滴單元2於X軸方向微少地移動，而能夠準確地進行特定位置處之X軸方向成分之移動。又，基材更換區域B係進行貼附有基材W之片材S之更換之區域，經由機器手等進行基材W之搬入及搬出。即，於搬入基材W時，平台10移動至基材更換區域B，將片材S(基材W)供給至平台10表面。繼而，移動至塗布區域A並於基材W形成膜圖案3之後，再次移動至基材更換區域B，將塗布膜基材W(形成有膜圖案3之基材W(片材S))經由機器手等搬出。液滴單元2係使液滴30噴附於基材W上而形成膜圖案3者。液滴單元2具有於一方向(Y軸方向)延伸之支架部21、及設置於該支架部21之噴嘴頭4。支架部21具有由2根腳部22及樑部23形成之門型形狀，該等2根腳部22係於Y軸方向隔開地設置於基台6上，該樑部23連結該等腳部22且於Y軸方向延伸。即，支架部21形成為橫跨使平台10移動之軌道11之形狀。而且，於樑部23設置有噴嘴頭4，於本實施形態中，該噴嘴頭4具有使微少液滴30a噴出之微少液滴噴嘴頭41(第1噴嘴頭)、及使液量較微少液滴30a多之液滴30b噴出之厚膜噴嘴頭42(第2噴嘴頭)。此處，於無須將微少液滴噴嘴頭41(第1噴嘴頭)、厚膜噴嘴頭42(第2噴嘴頭)區別表示之情形時，將其等簡稱為噴嘴頭4。噴嘴頭4藉由樑部23相對於腳部22升降動作而可相對於基材W升降動作。藉此，於進行對基材W噴出塗布材料之塗布動作時，能夠調節基材W與噴嘴頭4之距離以使其等之距離變得合適。於噴嘴頭4，設置有複數個噴出塗布材料之頭模組。該頭模組係將壓電元件作為驅動源之墨水噴出裝置，於與平台10對向之平坦之噴嘴面形成有複數個噴嘴。而且，藉由驅動壓電元件，能夠自各噴嘴逐滴噴出塗布材料。再者，於本實施形態中，於無須區別下述微少液滴噴嘴、厚膜噴嘴之情形時，將其等簡稱為噴嘴。又，噴嘴頭4中之微少液滴噴嘴頭41(第1噴嘴頭)係用以噴出微少液滴30a而形成基底膜圖案3者。此處，基底膜圖案3係用以形成膜圖案3之基底，且係最初形成於膜形成區域5之膜圖案3。於本實施形態中，於膜形成區域5整面形成較薄之膜即基底膜圖案3，其後，形成下述厚膜圖案3，藉此形成一體化之膜圖案3。微少液滴噴嘴頭41具有微少液滴噴嘴，藉由微少液滴30a能夠描繪複雜化、細線化之膜圖案3(基底膜圖案3)。該微少液滴30係具有描畫膜圖案3之分辨率之程度之液滴30，且係於噴附而形成塗布膜之情形時能夠根據液量與乾燥狀態之關係抑制膜形成區域5之端部(膜圖案3之邊緣部31)之波紋現象而達到膜圖案3之邊緣部31中之線寬之偏差之要求精度的程度之液滴30。先前之液滴30(10～20 pl)係若描繪複雜化、細線化之膜圖案3則於膜形成區域5之端部(邊緣部31)產生波紋現象，該波紋程度不沿著膜形成區域5之邊界部而無法滿足描繪之高精度化之要求，但藉由能夠噴出粒徑小於先前之液滴30之少量之微少液滴30a，而能夠滿足邊緣部31之要求。又，微少液滴噴嘴頭41能夠沿著樑部23於Y軸方向移動(頭移動機構)。具體而言，於樑部23上設置有於Y軸方向延伸之軌道，微少液滴噴嘴頭41滑動自如地安裝於該軌道。而且，藉由驅動控制線性馬達，能夠移動至任意位置以及於任意位置停止。藉此，微少液滴噴嘴頭41能夠移動至供塗布於基材W上進行之塗布區域A、及待機區域P。又，微少液滴噴嘴頭41能夠於Y軸方向微少地移動，從而能夠於塗布區域A對平台10上之基材W使作為塗布材料之液滴30精度較佳地噴附於Y軸方向之特定位置。即，藉由微少液滴噴嘴頭41於Y軸方向移動且平台10於X軸方向移動，微少液滴噴嘴頭41與平台10相對地移動，從而能夠使微少液滴30a精度較佳地噴附於設定在基材W上之XY平面中之膜形成區域5之特定位置。又，微少液滴噴嘴頭41係於待機區域P進行閃蒸，藉此能夠防止微少噴嘴之孔堵塞。於本實施形態中，於在塗布區域A中形成基底膜圖案32後，移動至待機區域P。而且，於待機區域P進行閃蒸直至將下一個新的片材S供給至塗布區域A而開始基底膜圖案步驟，從而能夠防止微少噴嘴之孔堵塞。又，厚膜噴嘴頭42(第2噴嘴頭)係噴出液量較微少液滴30a多之大顆粒之液滴30b而於基底膜圖案32上形成厚膜圖案33者。厚膜圖案33係為了對形成於膜形成區域5之基底膜圖案32補充塗布材料而形成膜圖案3所必需之追加之圖案(厚膜圖案33)。藉由對基底膜圖案32施加液滴30b形成厚膜圖案33，而使基底膜圖案32與厚膜圖案33一體化，從而形成與膜形成區域5相對應之膜圖案3。即，藉由於形成基底膜圖案32後且於基底膜圖案32完全乾燥前噴出液滴30b，所噴出之液滴30b與基底膜圖案32融合而形成膜圖案3。該厚膜噴嘴頭42之液滴30b雖無法滿足膜形成區域5之分辨率，但若將液滴30b自厚膜噴嘴頭42噴出至形成於膜形成區域5之基底膜圖案32，則液滴30b受到表面張力之影響，藉此所噴附之液滴30b被基底膜圖案32拉拽而能夠停留於膜形成區域5內。即，自厚膜噴嘴頭42噴出之液滴30b形成厚膜圖案33而不會自膜形成區域5漏出(溢出)，且進而與基底膜圖案32融合，藉此能夠形成膜圖案3。藉此，能夠使供給至膜形成區域5之液量增大，故而與僅藉由微少液滴噴嘴形成膜圖案3之情形相比，能夠以短時間進行膜圖案3之形成。厚膜噴嘴頭42具有能夠噴出較微少液滴噴嘴頭41更大顆粒之(液量多之)液滴30b的厚膜噴嘴，能夠噴出與先前之液滴30(10～20 pl)相同程度之液滴30b。又，厚膜噴嘴頭42能夠沿著樑部23於Y軸方向移動(頭移動機構)。具體而言，於樑部23上，與微少液滴噴嘴頭41分開設置有於Y軸方向延伸之軌道，厚膜噴嘴頭42滑動自如地安裝於該軌道。而且，藉由驅動控制線性馬達，能夠移動至任意位置以及於任意位置停止。藉此，厚膜噴嘴頭42能夠移動至供塗布於基材W上進行之塗布區域A、及待機區域P。又，厚膜噴嘴頭42能夠於Y軸方向微少地移動，從而能夠於塗布區域A對平台10上之基材W使作為塗布材料之液滴30b精度較佳地噴附於Y軸方向之特定位置。即，藉由厚膜噴嘴頭42於Y軸方向移動且平台10於X軸方向移動，厚膜噴嘴頭42與平台10相對地移動，從而能夠使液滴30b精度較佳地噴附於設定在基材W上之XY平面中之膜形成區域5之特定位置。又，厚膜噴嘴頭42係於待機區域P進行閃蒸，藉此防止厚膜噴嘴之孔堵塞。於本實施形態中，可於在塗布區域A中形成厚膜圖案33後，移動至待機區域P。而且，於待機區域P進行閃蒸直至將下一個新的片材S供給至塗布區域A而開始基底膜形成步驟後之厚膜形成步驟，藉此能夠防止厚膜噴嘴之孔堵塞。又，於樑部23，在噴嘴頭4之相反側設置有檢查單元。即，於塗布區域A與基材更換區域B之間，設置有檢查區域C，於檢查區域C中，進行基材W之定位、及所形成之膜圖案3之檢查。具體而言，於樑部23，設置有檢查相機7(CCD相機)，於檢查區域C外待機之檢查相機7可一面沿著樑部23之延伸方向移動，一面拍攝基材W表面(片材S之表面)。而且，藉由拍攝設置於基材W之對準標記，掌握膜圖案3相對於各基材W之形成位置(膜形成區域5)，並基於所掌握之膜圖案3之形成位置自噴嘴頭4噴出液滴30，藉此形成膜圖案3。又，於基材W上形成膜圖案3後，藉由檢查相機7拍攝各膜圖案3，藉此進行關於各膜圖案3是否良好之檢查。即，於檢查相機7一面沿著樑部23移動(一面於Y軸方向移動)，一面進行膜圖案3之拍攝後，平台10於X軸方向移動，再次使檢查相機7一面於Y軸方向移動，一面進行拍攝，反覆進行上述動作，藉此拍攝形成於片材S上之基材W之所有膜圖案3。繼而，將所拍攝之圖像資料發送至下述控制裝置，藉由控制裝置判定膜圖案3是否良好。控制裝置(未圖示)係為了根據預先記憶之程式執行一連串之塗布動作，而驅動控制各單元之驅動裝置並且進行塗布動作所需之各種運算者。於本實施形態中，對各基材W，記憶以對準標記為基準之膜圖案3形成位置(基準位置)，根據載置於平台10之基材W(片材S)之對準標記之偏移量，修正各基材W之膜圖案3形成位置(基準位置)。即，根據由檢查相機7拍攝之對準標記之位置資訊，修正膜圖案3形成位置，而修正膜形成區域5中之噴嘴頭4之噴出位置(噴附位置)。藉此，即便於貼附有基材W之片材S之配置略微偏移之情形時，亦能夠對片材S上之基材W精度較佳地形成膜圖案3。又，亦設定有與所應形成之膜圖案3之線寬及線寬之偏差有關之容許值，若於基材W上形成膜圖案3，則根據由檢查相機7拍攝之圖像資料算出線寬及線寬之偏差，並判定該等值是否為容許值內。假設於膜圖案3為自容許值偏離者之情形時，將其於基材更換區域B中作為不良品排出。其次，一面參照圖4所示之流程圖，一面對該塗布裝置中之動作進行說明。首先，於步驟S1中，進行基材W之搬入。具體而言，平台10於基材更換區域B待機，藉由機器手搬送貼附有複數個基材W之片材S並將其載置於平台10上。繼而，於步驟S2中，進行對準處理。於該對準處理中，進行與載置於平台10之基材W對應之膜形成區域5的位置修正。具體而言，於平台10自基材更換區域B移動至檢查區域C後，藉由檢查相機7拍攝對準標記，藉此特定出對準標記位置。繼而，根據所特定出之對準標記之偏移量修正各基材W之膜圖案3形成位置(基準位置)，從而確定膜形成區域5中之噴嘴頭4之噴出位置(噴附位置)。繼而，於步驟S3中，進行基底膜形成步驟。即，對各基材W形成基底膜圖案32。具體而言，檢查區域C之平台10移動至塗布區域A，並且微少液滴噴嘴頭41自待機區域P移動至塗布區域A。繼而，基於在上述步驟S2中算出之噴出位置資訊，將微少液滴30a噴出至各基材W之膜形成區域5。即，如圖5所示，將微少液滴30a噴出至膜形成區域5之邊界之內側，而於膜形成區域5整體形成均勻之基底膜圖案32。具體而言，如圖6所示，若將微少液滴30a噴出至膜形成區域5，則噴出至膜形成區域5之微少液滴30a由於粒徑較小且液量為少量，故而噴附至膜形成區域5內並停留於此，且藉由與噴附同時開始乾燥而抑制潤濕擴散(圖6(a))。而且，藉由鄰接之微少液滴30a彼此融合，而於膜形成區域5形成均勻之基底膜圖案32(圖6(b))。即，能夠精度較佳地描畫複雜化、細線化之膜形成區域5，抑制邊緣部31中之波紋程度。繼而，於步驟S4中進行厚膜形成步驟。該厚膜形成步驟係於基底膜圖案32上追加形成圖案(厚膜圖案33)之步驟，於基底膜圖案32完全乾燥前開始並結束。具體而言，於形成基底膜圖案32後，厚膜噴嘴頭42自待機區域P移動至塗布區域A，並基於在上述步驟S2中算出之噴出位置資訊，將液滴30b噴出至各基材W之膜形成區域5。即，如圖5及圖6(c)所示，噴出至基底膜圖案32上之液滴30b係所噴出之液滴30b受到表面張力之影響被基底膜圖案32拉拽而停留於膜形成區域5內。而且，鄰接之液滴30b彼此重疊，與此同時，與未完全乾燥之基底膜圖案32融合，藉此形成與基底膜圖案32成為一體之膜圖案3(圖6(d))。繼而，於步驟S5中，進行檢查步驟。即，判斷所形成之膜圖案3是否良好。具體而言，平台10移動至檢查區域C，並且檢查相機7移動至檢查區域C。繼而，藉由檢查相機7拍攝基材W上之所有膜圖案3，並基於所獲得之圖像資料，進行所形成之膜圖案3是否良好之判定。繼而，於步驟S6中，進行基材W之排出。即，平台10自檢查區域C移動至基材更換區域B，並將平台10上之基材W(片材S)載置於機器手，藉此將基材W排出。該排出之基材W藉由後續步驟之乾燥裝置使膜圖案3完全乾燥。如上述般，根據本實施形態之塗布裝置、膜圖案3描繪方法，藉由基底膜形成步驟利用微少液滴30a形成基底膜圖案32，其後，藉由厚膜形成步驟將較上述微少液滴30a更大顆粒之液滴30b塗布於基底膜圖案32上，藉此形成膜圖案3，故而能夠精度較佳地描繪膜形成區域5，進而能夠抑制因高精度塗布導致之塗布時間之增加，而縮短圖案形成所需之時間。又，於上述實施形態中，對在基底膜形成步驟中於膜形成區域5整體形成均勻之基底膜圖案32之例進行了說明，但亦可如圖7、圖8所示般，形成沿著膜形成區域5之邊界部之基底膜圖案32，其後進行厚膜形成步驟。具體而言，於基底膜形成步驟中，沿著膜形成區域5之邊界部、即外框噴出微少液滴30a(圖8(a))。所噴附之微少液滴30a一面相互重疊，一面沿著外框呈線狀地潤濕擴散。而且，最終，於膜形成區域5之邊界部形成沿著邊界部之線狀之基底膜圖案32(圖8(b))。即，若將微少液滴30a噴出至膜形成區域5，則噴出至膜形成區域5之微少液滴30a由於粒徑較小且液量為少量，故而噴附至膜形成區域5內並停留於此，並且藉由與噴附同時開始乾燥而抑制潤濕擴散，從而能夠精度較佳地描畫膜形成區域5。藉此，能夠抑制所形成之基底膜圖案32之邊緣部31中之波紋程度。繼而，於膜厚形成步驟中，將液滴30b噴出至膜形成區域5而形成厚膜圖案33。具體而言，藉由將液滴30b噴出至基底膜圖案32上、及基材W(電極)上，而形成厚膜圖案33。即，若噴出液滴30b，則所噴附之液滴30b彼此產生重疊而欲潤濕擴散，但之前所形成之線狀之基底膜圖案32能夠發揮堤壩之作用，抑制所噴附之液滴30b超出基底膜圖案32而潤濕擴散(圖8(c))。而且，基底膜圖案32由於其邊緣部31中之波紋程度受到抑制，故而其後所噴出之液滴30b因表面張力之影響而欲停留於由基底膜圖案32形成之框內。其結果，所噴附之液滴30b與基底膜圖案32融合並一體化而形成之膜圖案3的邊緣部31中之波紋程度受到抑制，從而不損及微少液滴30a之分辨率而形成精度較佳之膜圖案3(圖8(d))。又，於上述實施形態中，關於噴嘴頭4，對噴出微少液滴30a而形成基底膜圖案32之微少液滴噴嘴頭41(第1噴嘴頭4)與形成厚膜圖案33之厚膜噴嘴頭42(第2噴嘴頭4)獨立設置之例進行了說明，但亦可於1個噴嘴頭4設置微少液滴30a噴嘴與厚膜噴嘴。於此情形時，於形成基底膜圖案32後，可不進行噴嘴頭4之更換動作，而形成厚膜圖案33，故而即便於塗布材料之速乾性較高而基底膜圖案32迅速乾燥之情形時，亦能夠迅速噴出，就此點而言較佳。又，於上述實施形態中說明之噴出位置資訊通常根據點陣圖資料進行設定。即，如圖11所示般，以如下方式構成：於頭45(相當於上述實施形態之噴嘴8頭4)設置有5個噴嘴8(噴嘴81～85)，頭45一面於塗布方向移動，一面自噴嘴8噴出液滴，藉此形成膜圖案3。噴出位置資訊係以將基材W劃分為複數個格子狀所得之像素資料(點陣圖資料)設定，於圖11之例中如被塗滿之像素K般被設定。而且，於塗布方向上每前進1像素便輸出驅動信號，而自成為對象之噴嘴8噴出液滴。例如，於圖11之例中，若於已自左端前進1像素之狀態下將驅動信號輸入至頭45，則自噴嘴81噴出液滴。又，若於已自左端前進2像素之狀態下將驅動信號輸入至頭45，則自噴嘴82及噴嘴85噴出液滴。如此般，準備與所應形成之膜圖案3相對應之點陣圖資料，基於根據點陣圖資料之噴出位置資訊噴出液滴，而於基材W上形成膜圖案3。然而，若設定根據點陣圖資料之噴出位置資訊，則各噴嘴8每前進1像素便噴出液滴，故而噴出位置(形成膜圖案3之位置)受點陣圖資料之分辨率限制。即，於如圖12所示般，於欲在鄰接之像素K彼此之間形成膜圖案3之情形時，無法將液滴噴出至像素K彼此之邊界部V(圖中×標記係基於點陣圖資料之各格子之噴附位置)。於此種情形時將液滴噴出至任一像素K，但於該位置相當於膜形成區域5之邊緣部31之情形時，成為使膜圖案3之邊緣部31之描繪精度降低之因素。因此，不使用點陣圖資料作為噴出位置資訊，以於各噴嘴8與基材W之相對位置和針對各噴嘴8設定之噴出位置座標一致之情形時噴出液滴的方式進行控制，藉此能夠提高所噴出之液滴之位置分辨率，而能夠提高描繪精度。即，若對此種塗布裝置進行說明，則省略與上述實施形態之塗布裝置相同之構成，而首先具備檢測各噴嘴8與平台10上之基材W之相對位置的位置檢測部。於本實施形態中，該位置檢測部藉由於使平台10移動之驅動部(線性馬達)設置有編碼器，利用控制裝置對來自該編碼器之輸出脈衝進行計數，而能夠檢測平台10上之基材W與各噴嘴8之相對位置。又，控制裝置設置有記憶各噴嘴8噴出液滴之噴出位置座標之記憶部，與形成於基材W上之膜圖案3相對應地記憶有以對準標記為基準之各噴嘴8之噴出位置座標。該噴出位置座標根據對準標記之位置資訊而被修正，若針對所搬送之每個基材W藉由檢查相機7拍攝對準標記，則根據該對準標記之位置資訊修正噴出位置座標，將修正後之噴出位置座標作為新的噴出位置座標而記憶。又，控制裝置具備使各噴嘴噴出為液滴之驅動信號輸出部。於本實施形態中，微少液滴噴嘴頭41、厚膜噴嘴頭42由藉由針對各噴嘴(微少液滴噴嘴及厚膜噴嘴)之每一個賦予驅動信號而能夠獨立噴出液滴之噴嘴構成，藉由將來自驅動信號輸出部之驅動信號賦予至各噴嘴，能夠僅自被賦予之噴嘴噴出液滴。而且，驅動信號輸出部於由位置檢測部檢測出之位置與噴出位置座標一致時，對各噴嘴輸出驅動信號，而使液滴自各噴嘴噴出。即，例如圖13所示，頭45具有5個噴嘴8，以將該頭45於塗布方向移行之方式構成。而且，於記憶部，作為噴出位置座標，將噴嘴81設定為於噴出位置P1、P2噴出，將噴嘴82設定為於噴出位置P3、P4噴出，以上述方式對噴嘴81～85分別將噴出位置座標設定為P1～P9。而且，若頭45於塗布方向移行，則根據來自編碼器之輸出脈衝檢測基材W與各噴嘴8之相對位置。而且，若相對位置到達至噴出位置座標P1，則對噴嘴81輸出驅動信號，而將液滴噴出至噴出位置座標P1。如此般，若根據來自編碼器之輸出脈衝偵測出之相對位置與噴出位置座標P1～P9一致，則將驅動信號輸出至成為對象之噴嘴81～85，而陸續噴出液滴。藉由基於該噴出位置座標資訊噴出之方法至少應用於基底膜形成步驟中之液滴單元，能夠以高分辨率形成塗布圖案之輪廓，故而能夠提高描繪精度。即，如圖14所示，若基於點陣圖資料進行噴出，則於膜圖案3之端部(邊緣部31)位於點陣圖之格子之間之情形時，當將液滴噴出至所有格子時，膜圖案3便會形成於較邊緣部31之位置已預先確定之邊緣部31之位置更靠外側，故而於邊緣部31之格子交替地設定噴出位置(圖14中×標記)。如此一來，存在即便為微少液滴亦殘留不少波紋現象之情形，但在基於噴出位置座標資訊進行噴出之方法中，可不拘泥於點陣圖資料之格子，而噴出至由編碼器之位置分辨率預先確定之邊緣部31之位置(圖14中○標記)。如此般，可不拘泥於點陣圖資料之格子資訊，而將液滴噴出至與位置檢測部之分辨率相對應之位置，故而能夠提高膜圖案3之描繪性。再者，於上述實施形態中，對位置檢測部、記憶部、及驅動信號輸出部作用於微少液滴噴嘴及厚膜噴嘴之各噴嘴之例進行了說明，但亦可為至少僅對微少液滴噴嘴發揮作用之構成。即，如上所述般，藉由僅對邊緣部31基於微少液滴噴嘴之噴出位置座標資訊進行噴出，能夠高精度地描繪邊緣部31。而且，藉由利用厚膜噴嘴對由邊緣部31形成之內側之區域(由邊緣部31包圍之區域)滴液而形成膜圖案，藉由該厚膜噴嘴形成之區域由於並非特別需要位置分辨率，故而亦可基於先前之點陣圖資料進行塗布。如此般，僅微少液滴噴嘴基於噴出位置座標資訊形成邊緣部31，且於其內側之區域藉由厚膜噴嘴基於點陣圖資料形成膜圖案，藉此，與全部基於噴出位置座標資訊而形成之情形相比，能夠一面高精度地描繪膜圖案整體，一面縮短產距時間。又，亦可不僅於基底膜形成步驟基於噴出位置座標資訊進行噴出，於厚膜形成步驟亦基於噴出位置座標資訊進行噴出。

2‧‧‧液滴單元
3‧‧‧膜圖案
4‧‧‧噴嘴頭
5‧‧‧膜形成區域
6‧‧‧基台
7‧‧‧檢查相機
8‧‧‧噴嘴
10‧‧‧平台
11‧‧‧軌道
21‧‧‧支架部
22‧‧‧腳部
23‧‧‧樑部
30‧‧‧液滴
30a‧‧‧微少液滴
30b‧‧‧液滴
31‧‧‧邊緣部
32‧‧‧基底膜圖案
33‧‧‧厚膜圖案
41‧‧‧微少液滴噴嘴頭(第1噴嘴頭)
42‧‧‧厚膜噴嘴頭(第2噴嘴頭)
45‧‧‧頭
81～85‧‧‧噴嘴
100‧‧‧電極
100a‧‧‧電極之外周
101‧‧‧膜圖案
101a‧‧‧邊緣部
102‧‧‧基材
103‧‧‧膜形成區域
104‧‧‧液滴
A‧‧‧塗布區域
B‧‧‧基材更換區域
C‧‧‧檢查區域
E‧‧‧電極部
K‧‧‧像素
P‧‧‧待機區域
P1～P9‧‧‧噴出位置座標
R‧‧‧絕緣膜部
S‧‧‧片材
V‧‧‧邊界部
W‧‧‧基材

圖1係概略性地表示本發明之塗布裝置之俯視圖。圖2係上述塗布裝置之側視圖。圖3係表示基材與膜圖案之圖，(a)係表示於片材貼附有基材之狀態之圖，(b)係表示於基材上形成有膜圖案之狀態之圖。圖4係表示本發明之膜圖案描繪方法之流程圖。圖5係表示液滴於膜形成區域之噴附狀態之概念圖。圖6係表示形成膜圖案之狀態之圖，(a)係表示使微少液滴噴附之狀態之圖，(b)係表示微少液滴彼此重疊而形成基底膜圖案之狀態之圖，(c)係表示使液量較微少液滴多之液滴噴附之狀態的圖，(d)係表示所有液滴重疊而形成膜圖案之狀態之圖。圖7係表示另一實施形態中之液滴於膜形成區域之噴附狀態的概念圖。圖8係表示另一實施形態中之形成膜圖案之狀態的圖，(a)係表示使微少液滴噴附之狀態之圖，(b)係表示微少液滴彼此重疊而形成基底膜圖案之狀態之圖，(c)係表示使液量較微少液滴多之液滴噴附之狀態的圖，(d)係表示所有液滴重疊而形成膜圖案之狀態之圖。圖9係表示形成有膜圖案之基材之圖。圖10係表示於先前之方法中於膜形成區域形成膜圖案之狀態的圖，(a)係表示於膜形成區域噴附有液滴之狀態之概念圖，(b)係表示於膜形成區域形成有膜圖案之狀態之圖。圖11係用以說明基於點陣圖資訊噴出之狀態之圖。圖12係用以說明於格子之間形成膜之狀態的圖。圖13係用以說明基於噴出位置座標資訊噴出之狀態之圖。圖14係表示基於點陣圖資訊或噴出位置座標資訊使液滴噴附於膜形成區域之狀態之圖。

3‧‧‧膜圖案

30a‧‧‧微少液滴

30b‧‧‧液滴

31‧‧‧邊緣部

32‧‧‧基底膜圖案

33‧‧‧厚膜圖案

Claims (8)

1. 一種膜圖案描繪方法，其特徵在於：其係於基材上之膜形成區域藉由噴墨法施加液滴而形成膜圖案者，其包括： 基底膜形成步驟，其係藉由噴出能夠對基材上之膜形成區域進行描繪之微少液滴，而形成基底膜圖案；及 厚膜形成步驟，其係藉由將液量較形成上述基底膜圖案之液滴多之液滴噴出至上述基底膜圖案上，而形成膜圖案。
2. 如請求項1之膜圖案描繪方法，其中上述厚膜形成步驟係於上述基底膜形成步驟結束後且於上述基底膜圖案完全乾燥前開始，並且於上述基底膜圖案完全乾燥前完成。
3. 如請求項1或2之膜圖案描繪方法，其中至少於上述基底膜形成步驟中，於噴出液滴而於基材形成膜圖案之液滴單元與上述基材之相對位置和對上述液滴單元之各噴嘴設定之噴出位置座標一致的情形時，自上述液滴單元噴出液滴。
4. 一種塗布膜基材，其特徵在於：其係藉由如上述請求項1至3中任一項之膜圖案描繪方法而形成。
5. 一種塗布裝置，其特徵在於具備：平台，其載置基材；及 液滴單元，其一面相對於載置於上述平台之基材相對地移動，一面噴出液滴而於基材形成膜圖案；並且 上述液滴單元具有：微少液滴噴嘴，其噴出能夠對基材上之膜形成區域進行描繪之微少液滴；及 厚膜噴嘴，其噴出液量較上述微少液滴多之液滴。
6. 如請求項5之塗布裝置，其中上述液滴單元具備：第1噴嘴頭，其具有上述微少液滴噴嘴； 第2噴嘴頭，其具有上述厚膜噴嘴；及 頭移動機構，其使上述第1噴嘴頭及第2噴嘴頭於上述平台上移動。
7. 如請求項5或6之塗布裝置，其具備：位置檢測部，其檢測上述微少液滴噴嘴及上述厚膜噴嘴與上述平台上之基材之相對位置；及記憶部，其針對上述微少液滴噴嘴及上述厚膜噴嘴之各噴嘴之每一個記憶上述各噴嘴噴出液滴之噴出位置座標；並且 該塗布裝置具有驅動信號輸出部，該驅動信號輸出部於由上述位置檢測部檢測出之位置與上述噴出位置座標一致時，輸出使液滴自上述各噴嘴噴出之驅動信號。
8. 如請求項5或6之塗布裝置，其具備：檢測部，其至少檢測上述微少液滴噴嘴與上述平台上之基板之相對位置；及記憶部，其針對上述微少液滴噴嘴之各噴嘴之每一個記憶上述各噴嘴噴出液滴之噴出位置座標；並且 該塗布裝置具有驅動信號輸出部，該驅動信號輸出部於由上述位置檢測部檢測出之位置與上述噴出位置座標一致時，輸出使液滴自上述各噴嘴噴出之驅動信號。