TW201725435A

TW201725435A - 畫素結構

Info

Publication number: TW201725435A
Application number: TW105100096A
Authority: TW
Inventors: 何昇儒; 黃孟秋; 白佳蕙; 吳尚杰; 陳宜瑢; 林弘哲
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2016-01-04
Filing date: 2016-01-04
Publication date: 2017-07-16
Also published as: CN105549285A; US10049626B2; US20170193930A1; CN105549285B; TWI561905B

Abstract

畫素結構包括掃描線、資料線、第一與第二共用線、第一與第二子畫素及彩色濾光層。掃描線位於第一及第二共用線之間。第一子畫素與第二子畫素分別包括主動元件與畫素電極。第一子畫素的畫素電極位於掃描線與第一共用線之間。第二子畫素的畫素電極位於掃描線與第二共用線之間。畫素電極經接觸窗開口與主動元件連接。畫素電極具有兩相對的第一與第二側邊，畫素電極的第一側邊與掃描線相鄰，接觸窗開口位於畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。彩色濾光層具有暴露第一與第二子畫素的主動元件的開口。

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種適於具有較小尺寸的畫素結構。

隨著顯示技術的蓬勃發展，對於顯示面板的需求也逐漸朝向輕薄、高畫質、省能源等方向邁進。特別是，為了獲得高解析度，必須在相同面積下佈局更多畫素，因此畫素尺寸越來越小，而畫素的佈線方式則面臨更嚴苛的挑戰。

一般來說，會採用具有不同電位的兩條共用線分別與畫素結構中的主子畫素區與次子畫素區的儲存電容進行耦合的方式，使得主子畫素區與次子畫素區獲得不同電壓，進而改善色偏現象（color washout）。然而，當上述的佈線方式搭配彩色濾光膜直接整合於薄膜電晶體陣列基板上(Color Filter on Array，COA)的製作方式時，很容易導致開口率低落的問題。

本發明提供一種畫素結構，具有較高的開口率。

本發明的畫素結構包括第一掃描線、第一資料線、第一共用線以及第二共用線、第一畫素單元以及彩色濾光層。第一資料線相交於第一掃描線。第一掃描線位於第一共用線與第二共用線之間，第一共用線與第二共用線具有不同電位。第一畫素單元包括第一子畫素與第二子畫素。第一子畫素包括第一主動元件與第一畫素電極。第一主動元件與第一掃描線及第一資料線電性連接。第一畫素電極，位於第一掃描線與第一共用線之間，且經由第一接觸窗開口與第一主動元件電性連接，其中第一畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第一畫素電極的第一側邊與第一掃描線相鄰，第一接觸窗開口位於第一畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。第二子畫素包括第二主動元件與第二畫素電極。第二主動元件與第一掃描線及第一資料線電性連接。第二畫素電極，位於第一掃描線與第二共用線之間，且經由第二接觸窗開口與第二主動元件電性連接，其中第二畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第二畫素電極的第一側邊與第一掃描線相鄰，第二接觸窗開口位於第二畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。彩色濾光層配置於第一畫素單元上方，具有第一開口，第一開口暴露部分第一主動元件與部分第二主動元件。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口與第一共用線重疊設置以及第二接觸窗開口與第二共用線重疊設置。

在本發明的一實施例中，更包括遮光圖案層，包括遮光圖案區塊，填入第一開口中。

在本發明的一實施例中，上述的第一主動元件與第二主動元件共用第一源極與第一閘極，第一源極與第一資料線電性連接，第一閘極與第一掃描線電性連接。

在本發明的一實施例中，更包括第二資料線與第二畫素單元。第二資料線相交於第一掃描線。第二畫素單元與第一畫素單元位於同一列。第二畫素單元包括第三子畫素與第四子畫素。第三子畫素包括第三主動元件與第三畫素電極。第三主動元件與第一掃描線及第二資料線電性連接。第三畫素電極位於第一掃描線與第一共用線之間，且經由第三接觸窗開口與第三主動元件電性連接，其中第三畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第三畫素電極的第一側邊與第一掃描線相鄰，第三接觸窗開口位於第三畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。第四子畫素包括第四主動元件與第四畫素電極。第四主動元件與第一掃描線及第二資料線電性連接。第四畫素電極位於第一掃描線與第二共用線之間，且經由第四接觸窗開口與第四主動元件電性連接，其中第四畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第四畫素電極的第一側邊與第一掃描線相鄰，第四接觸窗開口位於第四畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。彩色濾光層更配置於第二畫素單元上方，具有第二開口，第二開口暴露部分第三主動元件與部分第四主動元件。

在本發明的一實施例中，上述的第二畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，第一資料線位於第一畫素單元與第二畫素單元之間。

在本發明的一實施例中，上述的第三接觸窗開口與第一接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，第四接觸窗開口與第二接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，且第一接觸窗開口與第三接觸窗開口與第一資料線之間的距離小於第二接觸窗開口與第四接觸窗開口與第一資料線之間的距離。

在本發明的一實施例中，上述的第一開口及第二開口位於第二資料線的相對兩側，且第一開口與第二開口分離。

在本發明的一實施例中，上述的第一開口及第二開口皆鄰近第二資料線且第一開口與第二開口相連。

在本發明的一實施例中，上述的第一主動元件與第二主動元件共用第一源極，第三主動元件與第四主動元件共用第二源極，第二源極沿第一掃描線方向的長度大於第一源極沿第一掃描線方向的長度，且第一掃描線與第二源極的重疊處具有第一掃描線開口。

在本發明的一實施例中，上述的彩色濾光層更包括第一溝渠與第二溝渠，第一溝渠暴露第一接觸窗開口與第三接觸窗開口，第二溝渠暴露第二接觸窗開口與第四接觸窗開口。

在本發明的一實施例中，更包括遮光圖案層，包括多個遮光圖案區塊，分別填入第一開口、第二開口、第一溝渠以及第二溝渠中。

在本發明的一實施例中，更包括第二掃描線、第三共用線以及第三畫素單元。第二掃描線相交於第一資料線，其中第二共用線位於第二掃描線與第一掃描線之間。第二掃描線位於第二共用線與第三共用線之間，第三共用線與第二共用線具有不同電位。第三畫素單元與第一畫素單元位於同一行，包括第五子畫素與第六子畫素。第五子畫素包括第五主動元件與第五畫素電極。第五主動元件與第二掃描線電性連接。第五畫素電極位於第二共用線與第二掃描線之間，且經由第五接觸窗開口與第五主動元件電性連接，其中第五畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第五畫素電極的第一側邊與第二掃描線相鄰，第五接觸窗開口位於第五畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。第六子畫素包括第六主動元件與第六畫素電極。第六主動元件與第二掃描線電性連接。第六畫素電極位於第二掃描線與第三共用線之間，且經由第六接觸窗開口與第六主動元件電性連接，其中第六畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第六畫素電極的第一側邊與第二掃描線相鄰，第六接觸窗開口位於第六畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。彩色濾光層更配置於第三畫素單元上方，其中彩色濾光層具有第三開口以及溝渠，第三開口暴露部分第五主動元件與部分第六主動元件，溝渠位於第一畫素單元與第三畫素單元之間，且暴露第二接觸窗開口與第五接觸窗開口。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口與第一共用線重疊設置，第二接觸窗開口與第五接觸窗開口與第二共用線重疊設置，以及第六接觸窗開口與第三共用線重疊設置。

在本發明的一實施例中，上述的第五接觸窗開口與第二接觸窗開口相鄰。

在本發明的一實施例中，更包括遮光圖案層，包括多個遮光圖案區塊，分別填入第一開口、第三開口以及溝渠中。

在本發明的一實施例中，更包括第四共用線，位於第二共用線與第二掃描線之間，其中第三畫素單元位於第四共用線與第三共用線之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口與第一共用線重疊設置，第二接觸窗開口與第二共用線重疊設置，與第五接觸窗開口與第四共用線重疊設置，以及第六接觸窗開口與第三共用線重疊設置。

在本發明的一實施例中，更包括第二掃描線、第三共用線、第三畫素單元以及第四畫素單元。第二掃描線相交於第一資料線與第二資料線，其中第二共用線位於第二掃描線與第一掃描線之間。第二掃描線位於第二共用線與第三共用線之間，第三共用線與第二共用線具有不同電位。第三畫素單元與第一畫素單元位於同一行。第三畫素單元包括第五子畫素與第六子畫素。第五主動元件與第二掃描線電性連接。第五畫素電極位於第二共用線與第二掃描線之間，且經由第五接觸窗開口與第五主動元件電性連接，其中第五接觸窗開口位於第五畫素電極的邊緣處。第六子畫素包括第六主動元件與第六畫素電極。第六主動元件與第二掃描線電性連接。第六畫素電極位於第二掃描線與第三共用線之間，且經由第六接觸窗開口與第六主動元件電性連接，其中第六畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第六畫素電極的第一側邊與第二掃描線相鄰，第六接觸窗開口位於第六畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。第四畫素單元與第二畫素單元位於同一行且與第三畫素單元位於同一列。第四畫素單元包括第七子畫素與第八子畫素。第七子畫素包括第七主動元件與第七畫素電極。第七主動元件與第二掃描線電性連接。第七畫素電極位於第二掃描線與第二共用線之間，且經由第七接觸窗開口與第七主動元件電性連接，其中第七接觸窗開口位於第七畫素電極的邊緣處。第八子畫素包括第八主動元件與第八畫素電極。第八主動元件與第二掃描線電性連接。第八畫素電極位於第二掃描線與第三共用線之間，且經由第八接觸窗開口與第八主動元件電性連接，其中第八畫素電極具有兩相對的第一側邊與第二側邊，第八畫素電極的第一側邊與第二掃描線相鄰，第八接觸窗開口位於第八畫素電極鄰近第二側邊的邊緣處。彩色濾光層更配置於第三畫素單元與第四畫素單元上方，其中彩色濾光層具有第三開口、第四開口以及溝渠，第三開口暴露部分第五主動元件與部分第六主動元件，第四開口暴露部分第七主動元件與部分第八主動元件，以及第二接觸窗開口、第四接觸窗開口、第五接觸窗開口和第七接觸窗開口位於溝槽中。

在本發明的一實施例中，上述的第五主動元件及第六主動元件與第一資料線電性連接，第七主動元件及第八主動元件與第二資料線電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的第二與第四畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，第一資料線位於第一與第二畫素單元之間以及第三與第四畫素單元之間，第三主動元件與第四主動元件共用一第二源極，第一掃描線與第二源極的重疊處具有一第一掃描線開口，第五主動元件與第六主動元件共用一第三源極，第二掃描線與第三源極的重疊處具有一第二掃描線開口。

在本發明的一實施例中，更包括第三資料線，其中第五與第六主動元件與第二資料線電性連接，第七與第八主動元件與第三資料線電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的第一開口與第二開口彼此分離，且第三開口與第四開口彼此相連，而第三開口與第四開口彼此分離。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口與第三接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，第二接觸窗開口與第四接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，第五接觸窗開口與第七接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，第六接觸窗開口與第八接觸窗開口對應於第一資料線鏡像配置，且第一接觸窗開口與第三接觸窗開口與第一資料線之間的距離小於第二接觸窗開口與第四接觸窗開口與第一資料線之間的距離，第五接觸窗開口與第七接觸窗開口之間的距離小於第六接觸窗開口與第八接觸窗開口之間的距離。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口和第三接觸窗開口與第一共用線重疊設置，第二接觸窗開口、第四接觸窗開口、第五接觸窗開口和第七接觸窗開口與第二共用線重疊設置，以及第六接觸窗開口和第八接觸窗開口與第三共用線重疊設置。

在本發明的一實施例中，更包括第四共用線，位於第二共用線與第二掃描線之間，其中第三畫素單元和第四畫素單元位於第四共用線與第三共用線之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸窗開口和第三接觸窗開口與第一共用線重疊設置，第二接觸窗開口和第四接觸窗開口與第二共用線重疊設置，第五接觸窗開口和第七接觸窗開口與第四共用線重疊設置，以及第六接觸窗開口和第八接觸窗開口與第三共用線重疊設置。

在本發明的一實施例中，更包含對向電極與顯示介質層，其中顯示介質層設置於第一和第二畫素電極以及對向電極之間，且第一畫素電極包含至少兩個配向領域（domain)，第二畫素電極包含至少兩個配向領域。

基於上述，在本發明的畫素結構中，將接觸窗開口設置於畫素電極與共用線相鄰的邊緣處，使得兩個子畫素的接觸窗開口會在相對兩側。再者，藉由使得位於同列的兩相鄰畫素單元的主動元件鄰近配置，用以暴露出主動元件的彩色濾光層的開口可以彼此相連，因而填入開口中的遮光圖案區塊具有較大體積。如此一來，能避免遮光圖案區塊有因體積太小而容易脫落的疑慮，使得畫素結構具有較佳的良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖1B至圖1D分別是沿圖1A的A-A’、B-B’、C-C’線的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1D，畫素結構10包括配置於基板102上的第一掃描線SL1、第一資料線DL1、第一共用線CL1、第二共用線CL2、第一畫素單元PU1、彩色濾光層110以及遮光圖案層130。第一資料線DL1相交於第一掃描線SL1。第一掃描線SL1位於第一共用線CL1與第二共用線CL2之間。

第一畫素單元PU1包括第一子畫素P1與第二子畫素P2。第一子畫素P1包括第一主動元件T1與第一畫素電極PE1。第一主動元件T1與第一掃描線SL1及第一資料線DL1電性連接。第一畫素電極PE1經由第一接觸窗開口121與第一主動元件T1電性連接，第一畫素電極PE1位於第一掃描線SL1與第一共用線CL1之間，其中第一接觸窗開口121位於第一畫素電極PE1中與第一共用線CL1相鄰的邊緣處。在本實施例中，第一畫素電極PE1具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第一畫素電極PE1的第一側邊BS1與第一掃描線SL1相鄰，第一接觸窗開口121位於第一畫素電極PE1鄰近第二側邊BS2的邊緣處。

第二子畫素P2包括第二主動元件T2與第二畫素電極PE2。第二主動元件T2與第一掃描線SL1及第一資料線DL1電性連接電性連接。第二畫素電極PE2經由第二接觸窗開口122與第二主動元件T2電性連接，第二畫素電極PE2位於第一掃描線SL1與第二共用線CL2之間，其中第二接觸窗開口122位於第二畫素電極PE2中與第二共用線CL2相鄰的邊緣處。在本實施例中，第二畫素電極PE2具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第二畫素電極PE2的第一側邊BS1與第一掃描線SL1相鄰，第二接觸窗開口122位於第一畫素電極PE1鄰近第二側邊BS2的邊緣處。

在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2例如是共用第一源極S1、第一閘極G1以及第一半導體層CH1，第一源極S1與第一資料線DL1電性連接，第一閘極G1與第一掃描線SL1電性連接。第一主動元件T1更包括與第一資料線DL1電性連接的第一汲極D1，第一畫素電極PE1經由第一接觸窗開口121與第一汲極D1電性連接。第二主動元件T2更包括與第一資料線DL1電性連接的第二汲極D2，第二畫素電極PE2經由第二接觸窗開口122與第二汲極D2電性連接。

在本實施例中，第一閘絕緣層104例如是覆蓋第一閘極G1。第一半導體層CH1例如是配置於第一閘絕緣層104上。第一源極S1與第一汲極D1例如是位於第一閘極G1的相對側上，第一源極S1與第二汲極D2例如是位於第一閘極G1的相對側上。在本實施例中，第一保護層106例如是覆蓋第一與第二主動元件T1、T2。彩色濾光層110例如是位於第一保護層106上。在本實施例中，第二保護層120例如是覆蓋彩色濾光層110。第一與第二接觸窗開口121、122例如是形成於第一與第二保護層106、120中，以暴露第一與第二汲極D1、D2。第一與第二畫素電極PE1、PE2例如是位於第二保護層120上且分別經由第一與第二接觸窗開口121、122與第一與第二汲極D1、D2電性連接。

在本實施例中，第一汲極D1與第二汲極D2例如是具有條狀圖案，第一汲極D1由第一畫素電極PE1中與第一源極S1相鄰的一側延伸至與第一共用線CL1相鄰的一側，第二汲極D2由第二畫素電極PE2中與第一源極S1相鄰的一側延伸至與第二共用線CL2相鄰的一側。也就是說，第一汲極D1例如是延伸於第一畫素電極PE1相對的第一側BS1與第二側BS2之間，第二汲極D2例如是延伸於第二畫素電極PE2相對的第一側BS1與第二側BS2之間。在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2被集中設置在靠近第一掃描線SL1的區域中，而第一接觸窗開口121與第二接觸窗開口122被分別設置在遠離第一掃描線SL1的區域中。

在本實施例中，第一共用線CL1與第二共用線CL2具有不同電位，當其分別與第一子畫素P1與第二子畫素P2的儲存電容進行耦合後，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2具有不同電位，進而改善色偏現象。

在本實施例中，畫素結構10例如是更包括第二資料線DL2與第二畫素單元PU2。第二資料線DL2相交於第一掃描線SL1，且與第一資料線DL1平行。在本實施例中，第二畫素單元例如是位於第一資料線DL1與第二資料線DL2之間，第一資料線DL1例如是位於第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間。

第二畫素單元PU2與第一畫素單元PU1位於同一列，第二畫素單元PU2的構件例如是大致與第一畫素單元PU1的構件相同。第二畫素單元PU2包括第三子畫素P3與第四子畫素P4。第三子畫素P3包括第三主動元件T3與第三畫素電極PE3。第三主動元件T3與第一掃描線SL1及第二資料線DL2電性連接。第三畫素電極PE3經由第三接觸窗開口123與第三主動元件T3電性連接，第三畫素電極PE3位於第一掃描線SL1與第一共用線CL1之間，其中第三接觸窗開口123位於第三畫素電極PE3中與第一共用線CL1相鄰的邊緣處。在本實施例中，第三畫素電極PE3具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第三畫素電極PE3的第一側邊BS1與第一掃描線SL1相鄰，第三接觸窗開口123位於第三畫素電極PE3鄰近第二側邊BS2的邊緣處。第四子畫素P4包括第四主動元件T4與第四畫素電極PE4。第四主動元件T4與第一掃描線SL1及第二資料線DL2電性連接。第四畫素電極PE4經由第四接觸窗開口124與第四主動元件T4電性連接，第四畫素電極PE4位於第一掃描線SL1與第二共用線CL2之間，其中第四接觸窗124開口位於第四畫素電極PE4中與第二共用線CL2相鄰的邊緣處。在本實施例中，第四畫素電極PE4具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第四畫素電極PE4的第一側邊BS1與第一掃描線SL1相鄰，第四接觸窗開口124位於第四畫素電極PE4鄰近第二側邊BS2的邊緣處。

在本實施例中，第三與第四主動元件T3、T4例如是共用第二源極S2、第二閘極G2以及第二半導體層CH2，第二源極S2與第二資料線DL2電性連接，第二閘極G2與第一掃描線SL1電性連接。第三主動元件T3更包括與第二資料線DL2電性連接的第三汲極D3，第三畫素電極PE3經由第三接觸窗開口123與第三汲極D3電性連接。第四主動元件T4更包括與第二資料線DL2電性連接的第四汲極D4，第四畫素電極PE4經由第四接觸窗開口124與第四汲極D4電性連接。

在本實施例中，第一至第四主動元件T1~T4例如是集中於第一資料線DL1與第一掃描線SL1的交錯處。在本實施例中，第一資料線DL1與第二資料線DL2例如是由同一側給予第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2訊號。第一源極S1與第二源極S2例如是分別由第一資料線DL1與第二資料線DL2的同一側延伸，其中第二源極S2於第一掃描線SL1上的延伸距離大於第一源極S1於第一掃描線SL1上的延伸距離。也就是說，第一源極S1與第二源極S2是沿著第一掃描線SL1方向上延伸，而第二源極S2沿該第一掃描線SL1方向的長度大於第一源極S1沿該第一掃描線SL1方向的長度。為了使得第一源極S1與第二源極S2分別與其下方的第一閘極G1與第二閘極G2之間的電容值大致相同，第一掃描線SL1與第二源極S2的重疊處具有掃描線開口OP。

在本實施例中，第三接觸窗開口123與第一接觸窗開口121例如是對應於第一資料線DL1鏡像配置，第四接觸窗開口124與第二接觸窗開口122例如是對應於第一資料線DL1鏡像配置，且第一接觸窗開口121與第三接觸窗開口123分別與第一資料線DL1之間的距離小於第二接觸窗開口122與第四接觸窗開口124分別與第一資料線DL1之間的距離。

彩色濾光層110位於第一與二畫素單元PU1、PU2上方。彩色濾光層110具有第一開口111，第一開口111暴露部分第一與第二主動元件T1、T2。在本實施例中，第一開口111例如是位於第一掃描線SL1上方，暴露源極S1、閘極G1、半導體層CH1以及部分第一汲極D1與部分第二汲極D2。在本實施例中，彩色濾光層110更包括第二開口112，暴露部分第三與第四主動元件T3、T4。在本實施例中，第一開口111及第二開口112位於第一資料線DL1的相對兩側。在本實施例中，第一開口111及第二開口112例如是皆鄰近第一資料線DL1且第一開口111及第二開口112相連。

在本實施例中，彩色濾光層110例如是更包括第一溝渠115與第二溝渠116，第一溝渠115暴露第一接觸窗開口121與第三接觸窗開口123，第二溝渠116暴露第二接觸窗開口122與第四接觸窗開口124。

在本實施例中，遮光圖案層130包括多個遮光圖案區塊132，分別填入第一開口111、第二開口112、第一溝渠115以及第二溝渠116中。在本實施例中，由於第一開口111及第二開口112相連，因此填入的遮光圖案區塊132具有較大的體積。再者，第一溝渠115以及第二溝渠116分別為連續性延伸結構，因此填入的遮光圖案區塊132亦具有較大的體積。

在本實施例中，搭配第一與第二資料線DL1、DL2由同一側將訊號送入第一與第二畫素單元PU1、PU2的設計，於第二源極S2下方的第二閘極G2中形成掃描線開口OP，使得第一與第二畫素單元PU1、PU2的第一與第二主動元件T1、T2集中於第二資料線DL2的兩側，且第一源極S1與第一閘極G1之間的電容值與第二源極S2與第二閘極G2之間的電容值大致相同。如此一來，用以暴露出部分第一與第二主動元件T1、T2的第一與第二開口111、112能設置成相連，進而填入第一與第二開口111、112的遮光圖案區塊132具有較大的體積，如此，可以穩固的定位，避免遮光圖案區塊132因體積較小而在製程中容易脫落的問題。再者，位於第一掃描線SL1與第二資料線DL2交錯處的遮光圖案區塊132可作為間隙物，因此可以省略額外配置間隙物的製程與空間。

圖2A是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖，以及圖2B是沿圖2B的B-B’線的剖面示意圖。圖2A的畫素結構的構件與圖1A的畫素結構的構件大致相同，以下就其不同處進行說明。請同時參照圖2A與圖2B，在本實施例中，第一接觸窗開口121與第一共用線CL1例如是重疊設置以及第二接觸窗開口122與第二共用線CL2例如是重疊設置。也就是說，在本實施例中，第一共用線CL1例如是延伸至第一接觸窗開口121下方，即第一汲極D1與第一畫素電極PE1重疊處，以與第一汲極D1之間形成電容。第二共用線CL2例如是延伸至第二接觸窗開口122下方，即第二汲極D2與第二畫素電極PE2重疊處，以與第二汲極D2之間形成電容。相似地，第三接觸窗開口123與第一共用線CL1例如是重疊設置以及第四接觸窗開口124與第二共用線CL2例如是重疊設置。

一般來說，畫素結構包括多個陣列排列的畫素單元，因此以下以四個畫素單元為基礎單位來進一步說明畫素結構。圖3是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。請參照圖3，在本實施例中，畫素結構10例如是更包括第二掃描線SL2、第三與第四共用線CL3、CL4以及第三與第四畫素單元PU3、PU4。第二掃描線SL2相交於第一與第二資料線DL1、DL2，且與第一掃描線SL1平行。在本實施例中，第二共用線CL2與第三共用線CL3例如是位於第一掃描線SL1與第二掃描線SL2之間，且位於第一與第三畫素單元PU1、PU3之間。第三共用線CL3位於第二共用線CL2與第二掃描線SL2之間，第二掃描線SL2位於第三共用線CL3與第四共用線CL4之間。第三共用線CL3與第四共用線CL4具有不同電位。

第三畫素單元PU3與第一畫素單元PU1位於同一行，包括第五子畫素P5與第六子畫素P6。第五子畫素P5包括第五主動元件T5與第五畫素電極PE5。第五主動元件T5例如是與第二掃描線SL2及第一資料線DL1電性連接。第五畫素電極PE5經由第五接觸窗開口125與第五主動元件T5電性連接，第五畫素電極PE5位於第三共用線CL3與第二掃描線SL2之間，其中第五接觸窗開口125位於第五畫素電極PE5中與第三共用線CL3相鄰的邊緣處。在本實施例中，第五畫素電極PE5具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第五畫素電極PE5的第一側邊BS1與第二掃描線SL2相鄰，第五接觸窗開口125位於第五畫素電極PE5鄰近第二側邊BS2的邊緣處。第六子畫素P6包括第六主動元件T6與第六畫素電極PE6。第六主動元件T6例如是與第二掃描線SL2及第一資料線DL1電性連接。第六畫素電極PE6經由第六接觸窗開口126與第六主動元件T6電性連接，第六畫素電極PE6位於第二掃描線SL2與第四共用線CL4之間，其中第六接觸窗開口126位於第六畫素電極PE6中與第四共用線CL4相鄰的邊緣處。在本實施例中，第六畫素電極PE6具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第六畫素電極PE6的第一側邊BS1與第二掃描線SL2相鄰，第六接觸窗開口126位於第六畫素電極PE6鄰近第二側邊BS2的邊緣處。在本實施例中，第五與第六主動元件T5、T6例如是共用第三源極S3、第三閘極G3以及第三半導體層CH3，且分別包括第五與第六汲極D5、D6。在本實施例中，第一接觸窗開口121與第一共用線CL1例如是重疊設置，第二接觸窗開口122與第五接觸窗開口125與第二共用線CL2例如是重疊設置，以及第六接觸窗開口126與第三共用線CL3例如是重疊設置。

第四畫素單元PU4例如是與第二畫素單元PU2位於同一行且與第三畫素單元PU3位於同一列。第四畫素單元PU4包括第七子畫素P7與第八子畫素P8。第七子畫素P7包括第七主動元件T7與第七畫素電極PE7。第七主動元件T7例如是與第二掃描線SL2及第二資料線DL2電性連接。第七畫素電極PE7經由第七接觸窗開口127與第七主動元件T7電性連接，第七畫素電極PE7例如是位於第二掃描線SL2與第三共用線CL3之間，其中第七接觸窗開口127位於第七畫素電極PE7中與第三共用線CL3相鄰的邊緣處。在本實施例中，第七畫素電極PE7具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第七畫素電極PE7的第一側邊BS1與第二掃描線SL2相鄰，第七接觸窗開口127位於第七畫素電極PE7鄰近第二側邊BS2的邊緣處。第八子畫素P8包括第八主動元件T8與第八畫素電極PE8。第八主動元件T8例如是與第二掃描線SL2及第二資料線DL2電性連接。第八畫素電極PE8經由第八接觸窗開口128與第八主動元件T8電性連接，第八畫素電極PE8例如是位於第二掃描線SL2與第四共用線CL4之間，其中第八接觸窗開口128位於第八畫素電極PE8中與第四共用線CL4相鄰的邊緣處。在本實施例中，第八畫素電極PE8具有兩相對的第一側邊BS1與第二側邊BS2，第八畫素電極PE8的第一側邊BS1與第二掃描線SL2相鄰，第八接觸窗開口128位於第八畫素電極PE8鄰近第二側邊BS2的邊緣處。在本實施例中，第七與第八主動元件T7、T8例如是共用第四源極S4、第四閘極G4以及第四半導體層CH4，且分別包括第七與第八汲極D7、D8。在本實施例中，第一接觸窗開口121和第三接觸窗開口123與第一共用線CL1例如是重疊設置，第二接觸窗開口122和第四接觸窗開口124與第二共用線CL2例如是重疊設置，第五接觸窗開口125和第七接觸窗開口127與第三共用線CL3例如是重疊設置，以及第六接觸窗開口126和第八接觸窗開口128與第四共用線CL4例如是重疊設置。在本實施例中，第三源極S3與第四源極S4是沿著第二掃描線SL2方向上延伸，而第三源極S3沿該第二掃描線SL2方向的長度大於第四源極S4沿該第二掃描線SL2方向的長度。為了使得第二掃描線SL2與第四源極S4分別與其下方的第三閘極G3與第四閘極G4之間的電容值大致相同，第二掃描線SL2與第三源極S3的重疊處例如是具有掃描線開口OP。

在本實施例中，彩色濾光層110例如是更具有第三開口113與第四開口114，第三開口113暴露部分第五主動元件T5與部分第六主動元件T6，第四開口114暴露部分第七主動元件T7與部分第八主動元件T8。在本實施例中，第三開口113與第四開口114例如是分離且分別遠離第一資料線DL1。然而，值得一提的是，對應於第三畫素單元PU3的第三開口113可與對應於與第三畫素單元PU3相鄰且位於同一列的畫素單元的開口相連。相似地，對應於第四畫素單元PU4的第四開口114可與對應於與第四畫素單元PU4相鄰且位於同一列的畫素單元的開口相連。再者，在另一實施例中(未繪示)，第一開口111與第三開口113可以皆遠離第一資料線DL1，且第二開口112與第四開口114皆靠近第二資料線DL2。也就是說，第一至第四開口111~114分別位於畫素結構的邊緣處。

在本實施例中，第五接觸窗開口125例如是與第二接觸窗開口122相鄰，第七接觸窗開口127例如是與第四接觸窗開口124相鄰，且例如是位於第二與第三共用線CL2、CL3之間。在本實施例中，第二溝渠116例如是更暴露第五與第七接觸窗開口125、127。也就是說，第二溝渠116例如是延伸配置於第一與第三畫素單元PU1、PU3之間，以及第二與第四畫素單元PU2、PU4之間，而第二、第四、第五以及第七接觸窗開口122、124、125、127位於第二溝渠116中。在本實施例中，彩色濾光層110例如是更包括第三溝渠117，其同時暴露第六與第八接觸窗開口126、128。

在本實施例中，彩色濾光層110的開口111~114例如是連續地形成於同列的兩相鄰畫素單元之間，以及彩色濾光層110的溝渠115~117是連續地形成於同行的兩相鄰畫素單元之間。如此一來，如圖4所示，填入開口111~114與溝渠115~117中的遮光圖案區塊132可以具有較大的體積，以避免遮光圖案區塊132因體積較小而在製程中容易脫落的問題。

圖5是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖5的畫素結構的構件與圖3的畫素結構的構件大致相同，以下就其不同處進行說明。請參照圖5，在本實施例中，第一與第三畫素單元PU1、PU3之間、以及第二與第四畫素單元PU2、PU4之間例如是僅配置一條第二共用線CL2。也就是說，在本實施例中，可以省略第三共用線CL3的配置。在本實施例中，第二共用線CL2例如是與第二接觸窗開口122、第四接觸窗開口124、第五接觸窗開口125以及第七接觸窗開口127重疊設置。

圖6A至圖6N分別是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。在這些圖式中，為了清楚說明遮光圖案區塊(等同於開口與溝渠的位置)與各子畫素的大致相對位置以及子畫素的驅動方式，僅簡單繪示第一至第八子畫素P1~P8、第一至第四源極S1~S4、遮光圖案區塊132、掃描線SL1、SL2、資料線DL1、DL2以及共用線CL1~CL4，並以上箭頭與下箭頭來表示共用線對於與其相鄰的子畫素的電位影響，以及以正(+)與負(-)來表示資料線所提供的電位極性以及與共用線耦合後的子畫素的電位，詳細的構件可以參照前一實施例中所述。在畫素結構中，畫素單元與位於其兩側的共用線耦合，畫素單元兩側的共用線對於畫素單元的兩個子畫素的電位產生相反的影響。如此一來，畫素單元中的兩個子畫素具有不同電位，其中電位與接地電位差異較大者可稱為主畫素(Main pixel)，而與接地電位差異較小者可稱為次畫素(Sub pixel)。在以下的說明中，以共用線對於第一畫素單元的子畫素P1、P2的影響以及與子畫素P2相鄰的子畫素P5的影響來進行說明，並省略說明其對其他畫素單元的影響。請同時參照圖6A至圖6H，在畫素結構10a~10h中，位於同一行的兩相鄰畫素單元未共用同一條共用線。請同時參照圖6A至圖6C，在畫素結構10a~10c中，共用線CL1例如是增加與其相鄰的子畫素P1的電位，而共用線CL2例如是降低與其相鄰的子畫素P2的電位。再者，兩相鄰的共用線CL2、CL3對於與其相鄰的子畫素P2、P5的電位產生相反的影響，舉例來說，共用線CL2例如是降低與其相鄰的子畫素P2的電位，而共用線CL3例如是增加與其相鄰的子畫素P5的電位。在畫素結構10a、10b中，資料線DL1、DL2與畫素單元例如是交替排列，也就是說，兩條相鄰資料線DL1、DL2之間僅配置一行畫素單元，兩行相鄰畫素單元之間僅配置一條資料線DL1，其中同行的畫素單元是由同一資料線DL1、DL2驅動。舉例來說，資料線DL1驅動第一與第三畫素單元，資料線DL2驅動第二與第四畫素單元。在畫素結構10c中，兩條相鄰資料線DL1、DL2之間配置兩行相鄰畫素單元，其中同行的畫素單元是由同一資料線DL1、DL2驅動。舉例來說，資料線DL1驅動第一與第三畫素單元，資料線DL2驅動第二與第四畫素單元。

請同時參照圖6D與圖6E，在畫素結構10d、10e中，共用線CL1例如是降低與其相鄰的子畫素P1的電位，而共用線CL2例如是增加與其相鄰的子畫素P2的電位。再者，兩相鄰的共用線CL2、CL3對於與其相鄰的子畫素P2、P5的電位產生相同的影響，舉例來說，共用線CL2與共用線CL3例如是增加與其相鄰的子畫素P2、P5的電位。在畫素結構10d、10e中，資料線DL1、DL2、DL3與畫素單元例如是交替排列，但同行的畫素單元是由不同條資料線DL1、DL2、DL3驅動，也就是說，同一條資料線DL2會同時驅動其兩側位於不同列的畫素單元。舉例來說，資料線DL1驅動第一畫素單元，資料線DL2驅動第二與第三畫素單元，資料線DL3驅動第四畫素單元。

請同時參照圖6F至圖6H，在畫素結構10f~10h中，共用線CL1例如是增加與其相鄰的子畫素P1的電位，而共用線CL2例如是降低與其相鄰的子畫素P2的電位。再者，兩相鄰的共用線CL2、CL3對於與其相鄰的子畫素P2、P5的電位產生相反的影響，舉例來說，共用線CL2例如是降低與其相鄰的子畫素P2的電位，而共用線CL3例如是增加與其相鄰的子畫素P5的電位。其中，資料線DL1、DL2對畫素結構10f、10g的驅動方式與對畫素結構10d、10e的驅動方式相同，於此不贅述。在畫素結構10h中，畫素單元是由不同條資料線DL1~DL4驅動，其中兩條資料線DL3、DL4之間配置有兩行畫素單元，而該兩行畫素單元之間又配置有兩條資料線DL1、DL2，資料線DL1~DL4分別驅動畫素單元。舉例來說，資料線DL1驅動第一畫素單元，資料線DL2驅動第二畫素單元，資料線DL3驅動第三畫素單元，資料線DL4驅動第四畫素單元。

請同時參照圖6I至圖6N，在畫素結構10i~10n中，位於同一行的兩相鄰畫素單元共用同一條共用線，此條共用線對於與其相鄰的兩個子畫素產生相同的影響。在畫素結構10i~10n中，共用線CL1例如是降低與其相鄰的子畫素P1、P6的電位，而共用線CL2例如是增加與其相鄰的子畫素P2、P5的電位。其中，資料線DL1~DL4對畫素結構10i~10n的驅動方式與對畫素結構10a~10e、10h的驅動方式相同，於此不贅述。

圖7是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。在本實施例中，畫素結構10包括配置於基板102上的畫素陣列層103、配置於基板202上的對向電極210以及位於畫素陣列層103與對向電極210之間顯示介質層300。在本實施例中，畫素陣列層103包括前述的第一子畫素P1與第二子畫素P2，且例如是包括圖1A、圖2A、圖3、圖5及其類似者中配置於基板102上的構件，於此不贅述。在本實施例中，顯示介質層300例如是設置於包括第一和第二畫素電極PE1、PE2以及對向電極200之間。在本實施例中，如圖1A、圖2A、圖3、圖5所示，第一畫素電極PE1例如是包含至少兩個配向領域（domain)，第二畫素電極PE2例如是包含至少兩個配向領域。如此一來，諸如液晶層的顯示介質層300被第一和第二畫素電極PE1、PE2所驅動時可以呈現多域配向排列以實現廣視角的顯示效果，其中各區域的配向排列方向由第一和第二畫素電極PE1、PE2的狹縫的延伸方向所控制。

綜上所述，本發明將接觸窗開口設置於畫素電極中與共用線相鄰的邊緣處，使得畫素單元的兩個接觸窗開口會在相對兩側，且同行的相鄰畫素單元的接觸窗開口會彼此相鄰而集中配置。因此，暴露接觸窗開口的彩色濾光層的溝渠可以彼此相連。再者，藉由使得位於同列的兩相鄰畫素單元的主動元件彼此相鄰而集中配置，用以暴露出部分主動元件的彩色濾光層的開口可以彼此相連。如此一來，填入開口與溝渠中的遮光圖案區塊皆具有較大體積。因此，能避免遮光圖案區塊有因體積太小而容易脫落的疑慮，使得畫素結構具有較佳的良率。再者，位於掃描線與資料線的交錯處的遮光圖案區塊可作為間隙物，因此可以省略額外配置間隙物的製程與空間，進而提昇畫素結構的開口率與空間利用率，因此畫素結構能具有較小的尺寸，進而符合對於畫素解析度增高的需求。此外，為了避免相鄰主動元件中的源極延伸於閘極上方的長度不同所致的負載不平衡，於延伸長度較長的源極下方的閘極中形成開口，因此畫素結構具有較佳的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10a~10n‧‧‧畫素結構
102、202‧‧‧基板
103‧‧‧畫素陣列層
110‧‧‧彩色濾光層
111、112、113、114、OP‧‧‧開口
115、116、117‧‧‧溝渠
121、122、123、124、125、126、127、128‧‧‧接觸窗開口
130‧‧‧遮光圖案層
132‧‧‧遮光圖案區塊
210‧‧‧對向電極
300‧‧‧顯示介質層
BS1、BS2‧‧‧側邊
CH1、CH2、CH3、CH4‧‧‧半導體層
CL1、CL2、CL3、CL4‧‧‧共用線
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8‧‧‧汲極
DL1、DL2、DL3、DL4‧‧‧資料線
G1、G2、G3、G4‧‧‧閘極
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8‧‧‧子畫素
PE1、PE2、PE3、PE4、PE5、PE6、PE7、PE8‧‧‧畫素電極
PU1、PU2、PU3、PU4‧‧‧畫素單元
S1、S2、S3、S4‧‧‧源極
SL1、SL2‧‧‧掃描線
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8‧‧‧主動元件

圖1A是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖1B至圖1D分別是沿圖1A的A-A’、B-B’、C-C’線的剖面示意圖。圖2A是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖2B是沿圖2A的B-B’線的剖面示意圖。圖3是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖4是依照本發明的實施例的一種畫素結構的遮光圖案區塊與畫素單元的配置關係的示意圖。圖5是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖6A至圖6N分別是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。圖7是依照本發明的實施例的一種畫素結構的示意圖。

10‧‧‧畫素結構

111、112、OP‧‧‧開口

115、116‧‧‧溝渠

121、122、123、124‧‧‧接觸窗開口

BS1、BS2‧‧‧側邊

CH1、CH2‧‧‧半導體層

CL1、CL2、CL3、CL4‧‧‧共用線

D1、D2、D3、D4‧‧‧汲極

DL1、DL2‧‧‧資料線

G1、G2‧‧‧閘極

P1、P2、P3、P4‧‧‧子畫素

PE1、PE2、PE3、PE4‧‧‧畫素電極

PU1、PU2‧‧‧畫素單元

S1、S2‧‧‧源極

SL1‧‧‧掃描線

T1、T2、T3、T4‧‧‧主動元件

Claims

一種畫素結構，包括：一第一掃描線；一第一資料線，相交於該第一掃描線；一第一共用線以及一第二共用線，該第一掃描線位於該第一共用線與該第二共用線之間，其中該第一共用線與該第二共用線具有不同電位；一第一畫素單元，包括：一第一子畫素，包括：一第一主動元件，與該第一掃描線及該第一資料線電性連接；以及一第一畫素電極，位於該第一掃描線與該第一共用線之間，且經由一第一接觸窗開口與該第一主動元件電性連接，其中該第一畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，該第一畫素電極的該第一側邊與該第一掃描線相鄰，該第一接觸窗開口位於該第一畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；一第二子畫素，包括：一第二主動元件，與該第一掃描線及該第一資料線電性連接；以及一第二畫素電極，位於該第一掃描線與該第二共用線之間，且經由一第二接觸窗開口與該第二主動元件電性連接，其中該第二畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第二畫素電極的該第一側邊與該第一掃描線相鄰，該第二接觸窗開口位於該第二畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及一彩色濾光層，配置於該第一畫素單元上方，具有一第一開口，該第一開口暴露部分該第一主動元件與部分該第二主動元件。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口與該第一共用線重疊設置以及該第二接觸窗開口與該第二共用線重疊設置。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案層，包括一遮光圖案區塊，填入該第一開口中。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一主動元件與該第二主動元件共用一第一源極與一第一閘極，該第一源極與該第一資料線電性連接，該第一閘極與該第一掃描線電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括：一第二資料線，相交於該第一掃描線；一第二畫素單元，與該第一畫素單元位於同一列，包括：一第三子畫素，包括：一第三主動元件，與該第一掃描線及該第二資料線電性連接；一第三畫素電極，位於該第一掃描線與該第一共用線之間，且經由一第三接觸窗開口與該第三主動元件電性連接，其中該第三畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第三畫素電極的該第一側邊與該第一掃描線相鄰，該第三接觸窗開口位於該第三畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及一第四子畫素包括：一第四主動元件，與該第一掃描線及該第二資料線電性連接；一第四畫素電極，位於該第一掃描線與該第二共用線之間，且經由一第四接觸窗開口與該第四主動元件電性連接，其中該第四畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第四畫素電極的該第一側邊與該第一掃描線相鄰，該第四接觸窗開口位於該第四畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及該彩色濾光層，更配置於該第二畫素單元上方，具有一第二開口，該第二開口暴露部分該第三主動元件與部分該第四主動元件。
如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該第二畫素單元位於該第一資料線與該第二資料線之間，該第一資料線位於該第一畫素單元與該第二畫素單元之間。
如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該第三接觸窗開口與該第一接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，該第四接觸窗開口與該第二接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，且該第一接觸窗開口與該第三接觸窗開口與該第一資料線之間的距離小於該第二接觸窗開口與該第四接觸窗開口與該第一資料線之間的距離。
如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該第一開口及該第二開口位於該第一資料線的相對兩側，且該第一開口與該第二開口分離。
如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該第一開口及該第二開口皆鄰近該第一資料線且該第一開口與該第二開口相連。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，其中該第一主動元件與該第二主動元件共用一第一源極，該第三主動元件與該第四主動元件共用一第二源極，該第二源極沿該第一掃描線方向的長度大於第一源極沿該第一掃描線方向的長度，且該第一掃描線與該第二源極的重疊處具有一第一掃描線開口。
如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該彩色濾光層更包括一第一溝渠與一第二溝渠，該第一溝渠暴露該第一接觸窗開口與該第三接觸窗開口，該第二溝渠暴露該第二接觸窗開口與該第四接觸窗開口。
如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案層，包括多個遮光圖案區塊，分別填入該第一開口、該第二開口、該第一溝渠以及該第二溝渠中。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括：一第二掃描線，相交於該第一資料線，其中該第二共用線位於該第二掃描線與該第一掃描線之間；一第三共用線，其中該第二掃描線位於該第二共用線與該第三共用線之間，該第三共用線與該第二共用線具有不同電位；一第三畫素單元，與該第一畫素單元位於同一行，包括：一第五子畫素，包括：一第五主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第五畫素電極，位於該第二共用線與該第二掃描線之間，且經由一第五接觸窗開口與該第五主動元件電性連接，其中該第五畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第五畫素電極的該第一側邊與該第二掃描線相鄰，該第五接觸窗開口位於該第五畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及一第六子畫素，包括：一第六主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第六畫素電極，位於該第二掃描線與該第三共用線之間，且經由一第六接觸窗開口與該第六主動元件電性連接，其中該第六畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第六畫素電極的該第一側邊與該第二掃描線相鄰，該第六接觸窗開口位於該第六畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及該彩色濾光層，更配置於該第三畫素單元上方，其中該彩色濾光層具有一第三開口以及一溝渠，該第三開口暴露部分該第五主動元件與部分該第六主動元件，該溝渠位於該第一畫素單元與該第三畫素單元之間，且暴露該第二接觸窗開口與該第五接觸窗開口。
如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口與該第一共用線重疊設置，該第二接觸窗開口與第五接觸窗開口與該第二共用線重疊設置，以及該第六接觸窗開口與該第三共用線重疊設置。
如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該第五接觸窗開口與該第二接觸窗開口相鄰。
如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案層，包括多個遮光圖案區塊，分別填入該第一開口、該第三開口以及該溝渠中。
如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，更包括一第四共用線，位於該第二共用線與該第二掃描線之間，其中該第三畫素單元位於該第四共用線與該第三共用線之間。
如申請專利範圍第17項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口與該第一共用線重疊設置，該第二接觸窗開口與該第二共用線重疊設置，與第五接觸窗開口與該第四共用線重疊設置，以及該第六接觸窗開口與該第三共用線重疊設置。
如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，更包括：一第二掃描線，相交於該第一資料線與該第二資料線，其中該第二共用線位於該第二掃描線與該第一掃描線之間；一第三共用線，其中該第二掃描線位於該第二共用線與該第三共用線之間，該第三共用線與該第二共用線具有不同電位；一第三畫素單元，與該第一畫素單元位於同一行，包括：一第五子畫素，包括：一第五主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第五畫素電極，位於該第二共用線與該第二掃描線之間，且經由一第五接觸窗開口與該第五主動元件電性連接，其中該第五接觸窗開口位於該第五畫素電極的邊緣處；一第六子畫素，包括：一第六主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第六畫素電極，位於該第二掃描線與該第三共用線之間，且經由一第六接觸窗開口與該第六主動元件電性連接，其中該第六畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第六畫素電極的該第一側邊與該第二掃描線相鄰，該第六接觸窗開口位於該第六畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及一第四畫素單元，與該第二畫素單元位於同一行且與該第三畫素單元位於同一列，包括：一第七子畫素，包括：一第七主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第七畫素電極，位於該第二掃描線與該第二共用線之間，且經由一第七接觸窗開口與該第七主動元件電性連接，其中該第七接觸窗開口位於該第七畫素電極的邊緣處；以及一第八子畫素，包括：一第八主動元件，與該第二掃描線電性連接；一第八畫素電極，位於該第二掃描線與該第三共用線之間，且經由一第八接觸窗開口與該第八主動元件電性連接，其中該第八畫素電極具有兩相對的一第一側邊與一第二側邊，第八畫素電極的該第一側邊與該第二掃描線相鄰，該第八接觸窗開口位於該第八畫素電極鄰近該第二側邊的邊緣處；以及該彩色濾光層，更配置於該第三畫素單元與該第四畫素單元上方，其中該彩色濾光層具有一第三開口、一第四開口以及一溝渠，該第三開口暴露部分該第五主動元件與部分該第六主動元件，該第四開口暴露部分該第七主動元件與部分該第八主動元件，以及該第二接觸窗開口、第四接觸窗開口、第五接觸窗開口和第七接觸窗開口位於該溝槽中。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，其中該第五主動元件及該第六主動元件與該第一資料線電性連接，該第七主動元件及該第八主動元件與該第二資料線電性連接。
如申請專利範圍第20項所述的畫素結構，其中該第二與該第四畫素單元位於該第一資料線與該第二資料線之間，該第一資料線位於該第一與該第二畫素單元之間以及該第三與該第四畫素單元之間，該第三主動元件與該第四主動元件共用一第二源極，該第一掃描線與該第二源極的重疊處具有一第一掃描線開口，該第五主動元件與該第六主動元件共用一第三源極，該第二掃描線與該第三源極的重疊處具有一第二掃描線開口。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，更包括一第三資料線，其中該第五與該第六主動元件與該第二資料線電性連接，該第七與該第八主動元件與該第三資料線電性連接。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，其中該第一開口與該第二開口彼此相連，而該第三開口與該第四開口彼此分離。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口與該第三接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，該第二接觸窗開口與該第四接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，該第五接觸窗開口與該第七接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，該第六接觸窗開口與該第八接觸窗開口對應於該第一資料線鏡像配置，且該第一接觸窗開口與該第三接觸窗開口與該第一資料線之間的距離小於該第二接觸窗開口與該第四接觸窗開口與該第一資料線之間的距離，該第五接觸窗開口與該第七接觸窗開口之間的距離小於該第六接觸窗開口與該第八接觸窗開口之間的距離。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口和該第三接觸窗開口與該第一共用線重疊設置，該第二接觸窗開口、第四接觸窗開口、第五接觸窗開口和第七接觸窗開口與該第二共用線重疊設置，以及該第六接觸窗開口和第八接觸窗開口與該第三共用線重疊設置。
如申請專利範圍第19項所述的畫素結構，更包括一第四共用線，位於該第二共用線與該第二掃描線之間，其中該第三畫素單元和該第四畫素單元位於該第四共用線與該第三共用線之間。
如申請專利範圍第26項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗開口和該第三接觸窗開口與該第一共用線重疊設置，該第二接觸窗開口和第四接觸窗開口與該第二共用線重疊設置，該第五接觸窗開口和第七接觸窗開口與該第四共用線重疊設置，以及該第六接觸窗開口和第八接觸窗開口與該第三共用線重疊設置。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包含一對向電極與一顯示介質層，其中該顯示介質層設置於該第一和第二畫素電極以及該對向電極之間，且該第一畫素電極包含至少兩個配向領域（domain)，該第二畫素電極包含至少兩個配向領域。