TW201700558A

TW201700558A - 研磨墊的研磨層及其製造方法以及研磨方法

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Publication number: TW201700558A
Application number: TW105120387A
Authority: TW
Inventors: 白昆哲; 潘毓豪
Original assignee: 智勝科技股份有限公司
Priority date: 2015-06-29
Filing date: 2016-06-28
Publication date: 2017-01-01
Also published as: CN205703794U; TWI647258B; US20160375546A1; US9969049B2

Abstract

一種研磨墊的研磨層包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設在承載層中，且鑲嵌部位於研磨層之一研磨面中，其中在研磨層之研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承載層中具有一溝槽。

Description

研磨墊的研磨層及其製造方法以及研磨方法

本發明是有關於一種研磨墊的研磨層及其製造方法以及研磨方法，且特別是有關於一種使得研磨墊具有綜合特性的研磨層及其製造方法以及研磨方法。

在產業的元件製造過程中，研磨製程是現今較常使用來使待研磨的物件表面達到平坦化的一種技術。在研磨製程中，物件是藉由其本身與研磨墊彼此進行相對運動，以及選擇於物件表面及研磨墊之間提供一研磨液來進行研磨。

研磨製程中所使用研磨墊之研磨層所具有的材料性質，可提供相對應的研磨特性。對於某些研磨製程而言，可能需求兩種不同的研磨特性，因而會需要使用兩種分別具有不同材料性質的研磨墊。然而，如此一來，將會增加生產管理上的複雜度，並影響生產效率。

因此，需要一種具有綜合特性的研磨墊，以供產業所選擇。

本發明提供一種研磨墊的研磨層及其製造方法以及研磨方法，其可使得研磨墊具有綜合特性。

本發明的研磨墊之研磨層的製造方法包括以下步驟。首先，提供鑲嵌層，其具有第一表面以及第二表面，且鑲嵌層之第一表面上沿一方向具有多個凹陷部。接著，在鑲嵌層之第一表面上形成承載層，且承載層填滿凹陷部。然後，自鑲嵌層之第二表面移除鑲嵌層的部分厚度，直到承載層暴露出來，並在該方向上形成分開的多個鑲嵌部埋設在承載層之中，以形成研磨層，其中鑲嵌部位於研磨層之一研磨面中。之後，在該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承載層中形成一溝槽。

本發明的另一研磨墊之研磨層的製造方法包括以下步驟。首先，提供承載層，承載層之表面上沿一方向具有多個凹陷部。接著，在承載層上形成多個鑲嵌部，鑲嵌部埋設在凹陷部中，以形成研磨層，其中鑲嵌部位於研磨層之一研磨面中。之後，在該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承載層中形成一溝槽。

本發明的研磨墊的研磨層包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設在承載層中，且鑲嵌部位於研磨層之一研磨面中，其中在該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承載層中具有一溝槽。

本發明的研磨方法適於用以研磨一部件，且包括以下步驟。首先，提供研磨墊，研磨墊包括前述的研磨層。接著，對物件施加一壓力以壓置於研磨墊上。之後，對物件及研磨墊提供一相對運動以進行研磨程序。

本發明的另一研磨墊的研磨層包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設在承載層中，且鑲嵌部位於研磨層之一研磨面中，其中該研磨面中具有表面圖案，表面圖案沿一方向之剖面具有多個溝槽位於承載層中，且鑲嵌部及溝槽彼此交錯排列。

本發明另一的研磨方法適於用以研磨一部件，且包括以下步驟。首先，提供研磨墊，研磨墊包括前述的研磨層。接著，對物件施加一壓力以壓置於研磨墊上。之後，對物件及研磨墊提供一相對運動以進行研磨程序。

基於上述，本發明的研磨層為一具有新穎結構的研磨層，其包括承載層以及埋設在承載層中且位於一研磨面中的多個鑲嵌部，其中在沿特定方向的剖面中，多個鑲嵌部及多個溝槽彼此交錯排列。另外，在本發明的研磨層中，透過承載層與鑲嵌部之間具有至少一個不相同的材料性質，使得研磨層能夠綜合承載層與鑲嵌部所展現的特性，進而可製造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產業的選擇。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本發明一實施例之研磨層的上視示意圖。圖2是沿圖1中剖線I-I’的剖面示意圖。詳細而言，圖1中的剖線I-I’是沿著半徑方向而設置，亦即圖2是沿半徑方向的剖面示意圖。

請同時參照圖1及圖2，本實施例的研磨層100包括承載層102以及多個鑲嵌部104。鑲嵌部104埋設在承載層102中，且位於研磨層100之一研磨面PS中。詳細而言，研磨面PS上的承載層102與鑲嵌部104是共平面的。也就是說，當使用研磨層100對一物件進行研磨程序時，物件會同時與研磨面PS上的承載層102及鑲嵌部104接觸。

另外，承載層102與鑲嵌部104例如皆是由聚合物材料所構成，聚合物材料例如是聚酯（polyester）、聚醚（polyether）、聚胺酯（polyurethane）、聚碳酸酯（polycarbonate）、聚丙烯酸酯（polyacrylate）、聚丁二烯（polybutadiene）、或其餘經由合適之熱固性樹脂（thermosetting resin）或熱塑性樹脂（thermoplastic resin）所合成之聚合物材料等，但不以此限定本發明。詳細而言，構成承載層102與鑲嵌部104的聚合物材料可相同或不相同，但承載層102與鑲嵌部104之間至少具有一個不相同的材料性質。在一實施例中，可選擇透過調整製造配方的方式，以利用相同材料製作出具有不相同的材料性質。以上所述之材料性質例如是滲水率、孔隙率、孔隙尺寸、孔隙密度、親疏水性、硬度、密度、壓縮率、模數、延展性、消耗率、或粗糙度等性質，但不以此限定本發明。

如表一所示，在本發明的一實施例中，研磨墊的相對研磨率為97％，以及相對滲水率為44％。詳細而言，研磨墊之研磨層100中的鑲嵌部104具有較大的孔隙率，使研磨層100表面與物件之間可容納較多研磨液，使得物件具有較高的研磨率；而承載層102具有較小的滲水率，可避免因滲水至研磨層100背面而與基底層或黏著層脫離，使得研磨墊的使用壽命較長。因此，以此研磨層100所製成之研磨墊，使得物件的研磨率及研磨墊的使用壽命能兼具。其中，具有較小滲水率特性的承載層102例如是具有較小的孔隙率、較疏水性、較大的密度、或其組合，但不以此限定本發明。相對而言，第一傳統研磨墊之研磨層若僅具有較大孔隙率的單一材料性質，使研磨層表面與物件之間可容納較多研磨液，可使得物件具有較高的研磨率，但相對地此研磨層具有較高的滲水率，而影響研磨墊的使用壽命。如表一所示，第一傳統研磨墊的相對研磨率為100％，而相對滲水率亦為100％。第二傳統研磨墊之研磨層若僅具有較小滲水率的單一材料性質，可使得研磨墊的使用壽命較長，但相對地此研磨層使得物件的研磨率較低，而影響生產效率。如表一所示，第二傳統研磨墊的相對滲水率為31％，然相對研磨率僅為84％表一

一般而言，不相同的材料性質可使得研磨層展現不相同的特性。有鑑於此，透過承載層102與鑲嵌部104之間至少具有一個不相同的材料性質，使得研磨層100能夠綜合承載層102與鑲嵌部104所展現的特性，進而可製造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產業的選擇。

接著，請再次參照圖2，在研磨層100的研磨面PS中，每兩個相鄰的鑲嵌部104之間的承載層102中具有一溝槽106。換言之，在沿著半徑方向的剖線I-I’的剖面中，研磨面PS中具有多個溝槽106，且每一溝槽106皆位於鄰接的鑲嵌部104之間。也就是說，在沿著半徑方向的剖線I-I’的剖面中，鑲嵌部104及溝槽106彼此交錯排列。

進一步而言，如圖2所示，溝槽106與鑲嵌部104彼此是分離開來的。在一實施例中，每一鑲嵌部104與鄰接的溝槽106之間是透過承載層102而分離開來。更詳細而言，每一溝槽106的底部與兩側壁為承載層102所圍繞。另外，每一鑲嵌部104的底部與兩側壁為承載層102所圍繞。圖2之溝槽106配置於承載層102中，且皆左右對稱於鄰接的鑲嵌部104，但本發明不限於此。在一實施例中，溝槽106的配置位置也可選擇為呈不對稱，甚至是溝槽106其中一側壁緊鄰鑲嵌部104。換句話說，溝槽106之底部及至少一側壁為承載層102所圍繞，而鑲嵌部104的底部與至少一側壁為承載層102所圍繞。特別值得說明的是，最主要的滲水路徑為透過溝槽106的底部滲透至研磨層100背面，如表一所示本發明的實施例，由於溝槽106的底部為承載層102，且承載層102具有較小滲水率，因此可避免滲水至研磨層100背面而與基底層或黏著層脫離。此外，具有較大孔隙率的鑲嵌部104為位於之研磨面，使得研磨層100與物件之間可容納較多研磨液，而具有較高的研磨率。

另外，如圖2所示，在一實施例中，每一鑲嵌部104的厚度T等於鄰接的溝槽106的深度D，鑲嵌部104的厚度T與溝槽106的深度D皆小於研磨層100的厚度。然而，本發明並不限於此。在其他實施例中，每一鑲嵌部104的厚度T也可以是大於或小於鄰接的溝槽106的深度D。

從另一觀點而言，請再次參照圖1，多個溝槽106在研磨面PS中構成一表面圖案108。詳細而言，在本實施例中，每一溝槽106的形狀為圓環狀，而由多個溝槽106構成的表面圖案108則呈同心圓狀分布在研磨面PS中。另外，當使用研磨層100對一物件進行研磨程序時，溝槽106主要是用來提供研磨液的傳輸以及分佈。

以下，為了更清楚描述研磨層100，將參照圖3A至圖3D來說明研磨層100的製造方法。圖3A至圖3D是圖1之研磨層沿剖線I-I’的一實施例的製造流程剖面圖。同樣地，如前文所述，圖3A至圖3D分別皆為沿半徑方向的剖面圖。

首先，請參照圖3A，提供鑲嵌層110，其中鑲嵌層110具有第一表面S1以及第二表面S2，且第一表面S1上沿半徑方向具有多個凹陷部112。詳細而言，鑲嵌層110的第一表面S1上具有凹陷部112的形成方式例如是機械方式、化學方式、雷射加工方式、壓印方式、模印方式、或其組合，但不以此限定本發明。

接著，請參照圖3B，在鑲嵌層110的第一表面S1上形成承載層102，其中承載層102填滿凹陷部112。詳細而言，承載層102的形成方式例如是灌注方式、沉積方式、噴塗方式、壓模方式、押出方式、或其組合，但不以此限定本發明。

然後，請參照圖3C，自鑲嵌層110的第二表面S2移除鑲嵌層110的部分厚度，直到承載層102暴露出來，並在半徑方向上形成彼此分開的鑲嵌部104，以形成研磨層100，其中鑲嵌部104是位於研磨層100的一研磨面PS中。詳細而言，自鑲嵌層110的第二表面S2移除部分厚度的方法例如是機械切割、化學蝕刻、雷射加工、磨除、或是其它適合的製程，但不以此限定本發明，其中圖3C為圖3B經過以上製程後的反向結構圖。

之後，請參照圖3D，在研磨層100的研磨面PS中，於每兩個相鄰的鑲嵌部104之間的承載層102中形成一溝槽106。詳細而言，溝槽106的形成方法例如是機械切割、化學蝕刻、雷射加工、或是其它適合的製程，但不以此限定本發明。值得一提的是，圖3D即為圖2，而在前文中，已參照圖1及圖2，針對研磨層100中承載層102及鑲嵌部104的材料及其性質，以及承載層102、鑲嵌部104及溝槽106的配置關係及功效等進行詳盡地說明，故於此便不再贅述。

以下，為了更清楚描述研磨層100，將參照圖4A至圖4D來說明研磨層100的製造方法。圖4A至圖4D是圖1之研磨層沿剖線I-I’的另一實施例的製造流程剖面圖。同樣地，如前文所述，圖4A至圖4D分別皆為沿半徑方向的剖面圖。

首先，請參照圖4A，提供承載層102，其中承載層102的表面上沿半徑方向具有多個凹陷部114。詳細而言，承載層102的表面上具有凹陷部114的形成方式例如是機械方式、化學方式、雷射加工方式、壓印方式、模印方式、或其組合，但不以此限定本發明。

接著，請參照圖4B，在承載層102上形成鑲嵌層120，其中鑲嵌層120填滿凹陷部114。詳細而言，鑲嵌層120的形成方式例如是灌注方式、沉積方式、噴塗方式、壓模方式、押出方式、或其組合，但不以此限定本發明。

然後，請參照圖4C，移除鑲嵌層120的部分厚度，直到承載層102暴露出來，並在承載層102上形成埋設在凹陷部114中的鑲嵌部104，以形成研磨層100，其中鑲嵌部104是位於研磨層100的一研磨面PS中。詳細而言，移除鑲嵌層120部分厚度的方法例如是機械切割、化學蝕刻、雷射加工、磨除、或是其它適合的製程，但不以此限定本發明。

之後，請參照圖4D，在研磨層100的研磨面PS中，於每兩個相鄰的鑲嵌部104之間的承載層102中形成一溝槽106。詳細而言，溝槽106的形成方法例如是機械切割、化學蝕刻、雷射加工、或是其它適合的製程，但不以此限定本發明。值得一提的是，圖4D即為圖2，而在前文中，已參照圖1及圖2，針對研磨層100中承載層102及鑲嵌部104的材料及其性質，以及承載層102、鑲嵌部104及溝槽106的配置關係及功效等進行詳盡地說明，故於此便不再贅述。

另外，在圖1的實施例中，溝槽106的分布形狀均為同心圓，但本發明並不限於此。在其他實施例中，溝槽的分布也可為不同心圓、橢圓、多角環、螺旋環、不規則環、平行線狀、放射線狀、放射弧狀、螺旋狀、點狀、XY格子狀、多角格狀、不規則狀、或其組合，但不以此限定本發明。以下，將參照圖5，對本發明的研磨層的溝槽為XY格子狀之實施例進行詳細說明。

圖5是本發明另一實施例之研磨層的上視示意圖。其中，圖5中剖線I-I’的剖面請參考圖2。詳細而言，圖5之實施例與圖1之實施例相似，因此在此與圖1相同的構成元件以相同的符號表示，且相同構成元件所具有的相同特徵不再重複贅述。圖5之實施例與圖1之實施例不同之處在於，圖5中的剖線I-I’是沿著平行於X軸方向而設置，而圖1中的剖線I-I’是沿著半徑方向而設置。也就是說，圖5之沿剖線I-I’的剖面是沿著平行於X軸方向的剖面，而圖1之沿剖線I-I’的是沿著半徑方向的剖面圖。從另一觀點而言，圖5及圖1之研磨層100具有如圖2所示的相同剖面結構。

進一步而言，在圖5的研磨層100中，若沿著平行於Y軸方向而取得剖面，其亦具有如圖2所示的相同剖面結構。換句話說，圖5之鑲嵌部104的上下左右方向的四個邊皆為溝槽106所環繞，而圖1之鑲嵌部104的內徑方向與外徑方向的兩個邊皆為溝槽106所環繞。此表示在本發明的研磨層中，不論研磨面中的鑲嵌部的分布形狀為何，在一特定方向的剖面中，皆能夠呈現出多個鑲嵌部及多個溝槽彼此交錯排列，其中溝槽使得相鄰的鑲嵌部彼此分離開來的剖面結構。詳細而言，特定方向例如是平行於X軸方向、平行於Y軸方向、與X軸方向具有一夾角的方向、半徑方向、圓周方向、或其組合，但本發明並不限於此。

另外，如前文所述，本發明的研磨層中的鑲嵌部及溝槽並不以圖1及圖5中所繪者為限，且隨著鑲嵌部及溝槽之分布形狀或尺寸的不同，所能呈現出如圖2所示沿著特定方向的剖面結構可能不同。舉例而言，在鑲嵌部及溝槽皆呈放射狀分布的情況下，所選擇的特定方向的剖面是沿著同一半徑之圓周方向的剖面。

另外，根據上述關於圖1、圖2、圖3A至圖3D以及圖4A至圖4D的內容，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解圖5之研磨層100的製造方法，故便不再贅述。

圖6是本發明一實施例的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。

請參照圖6，首先，進行步驟S10，提供研磨墊。詳細而言，在本實施例中，研磨墊包括例如是圖1及圖5的實施例中的研磨層100。另外一提的是，在本實施例中，研磨墊可於所述研磨層100的下方包括基底層、黏著層或其組合。

接著，進行步驟S12，對物件施加壓力，藉此物件會被壓置於所述研磨墊上，並與所述研磨墊接觸。詳細而言，如前文所述，物件是與研磨層100中的研磨面PS。更詳細而言，物件會同時與研磨面PS上的承載層102及鑲嵌部104接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。

之後，進行步驟S14，對物件及研磨墊提供相對運動，以利用研磨墊對物件進行研磨程序，而達到平坦化的目的。詳細而言，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是：透過承載台進行旋轉來帶動固定於承載台上的研磨墊旋轉。

本發明上述實施例中的研磨層透過能綜合承載層的較小滲水率與鑲嵌部的較大孔隙率而具有不相同的材料性質，藉此使得所製成的研磨墊具有綜合滲水率及研磨率的特性。但本發明不限於此，對於某些研磨製程而言，承載層與鑲嵌部之間可具有不相同的其他材料性質。舉例而言，鑲嵌部可具有較大的硬度或較小的壓縮率，以使得研磨物件具有較好的平坦化效果，而承載層可具有較小的硬度或較大的壓縮率，以使得物件具有較低的缺陷率。如此一來，所製成的研磨墊具有綜合平坦化效果及缺陷率的特性。也就是說，根據本發明所提供之新穎結構的研磨層所製成的研磨墊，可視不同研磨製程的需求，而選擇搭配所需不相同材料性質的承載層與鑲嵌部。

綜上所述，本發明的研磨層為一具有新穎結構的研磨層，其包括承載層以及埋設在承載層中且位於一研磨面中的多個鑲嵌部，其中在沿特定方向的剖面中，多個鑲嵌部及多個溝槽彼此交錯排列。另外，在本發明的研磨層中，透過承載層與鑲嵌部之間具有至少一個不相同的材料性質，使得研磨層能夠綜合承載層與鑲嵌部所展現的特性，進而可提供具有綜合特性的研磨墊，以提供產業的選擇。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧研磨層
102‧‧‧承載層
104‧‧‧鑲嵌部
106‧‧‧溝槽
108‧‧‧表面圖案
110、120‧‧‧鑲嵌層
112、114‧‧‧凹陷部
D‧‧‧深度
PS‧‧‧研磨面
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S10、S12、S14‧‧‧步驟
T‧‧‧厚度

圖1是本發明一實施例之研磨層的上視示意圖。圖2是沿圖1中剖線I-I’的剖面示意圖。圖3A至圖3D是圖1之研磨層沿剖線I-I’的一實施例的製造流程剖面圖。圖4A至圖4D是圖1之研磨層沿剖線I-I’的另一實施例的製造流程剖面圖。圖5是本發明另一實施例之研磨層的上視示意圖。圖6是本發明一實施例的研磨方法的流程圖。

100‧‧‧研磨層

102‧‧‧承載層

104‧‧‧鑲嵌部

106‧‧‧溝槽

D‧‧‧深度

PS‧‧‧研磨面

T‧‧‧厚度

Claims

一種研磨墊之研磨層的製造方法，包括：提供一鑲嵌層，其具有一第一表面以及一第二表面，且該鑲嵌層之該第一表面上沿一方向具有多個凹陷部；在該鑲嵌層之該第一表面上形成一承載層，且該承載層填滿該些凹陷部；自該鑲嵌層之該第二表面移除該鑲嵌層的部分厚度，直到該承載層暴露出來，並在該方向上形成分開的多個鑲嵌部埋設在該承載層之中，以形成一研磨層，其中該些鑲嵌部位於該研磨層之一研磨面中；以及在該研磨層之該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的該承載層中形成一溝槽。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該鑲嵌層具有之該些凹陷部之形成方式為機械方式、化學方式、壓印方式、模印方式、或其組合。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該承載層與該些鑲嵌部具有至少一材料性質不相同。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該研磨面上之該承載層與該些鑲嵌部共平面。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些鑲嵌部的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間是透過該承載層而隔離開來。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置於該承載層中。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些鑲嵌部的厚度大於、等於、或小於鄰接的該些溝槽的深度。
一種研磨墊之研磨層的製造方法，包括：提供一承載層，該承載層之表面上沿一方向具有多個凹陷部；在該承載層上形成多個鑲嵌部，該些鑲嵌部埋設在該些凹陷部中，以形成一研磨層，其中該些鑲嵌部位於該研磨層之一研磨面中；以及在該研磨層之該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的該承載層中形成一溝槽。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該承載層具有之該些凹陷部之形成方式為機械方式、化學方式、壓印方式、模印方式、或其組合。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中形成該些鑲嵌部的方法包括：在該承載層上形成一鑲嵌層，其中該鑲嵌層填滿該些凹陷部；以及移除該鑲嵌層的部分厚度，直到該承載層暴露出來。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該承載層與該些鑲嵌部具有至少一材料性質不相同。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中該研磨面上之該承載層與該些鑲嵌部共平面。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些鑲嵌部的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間是透過該承載層而隔離開來。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置於該承載層中。
如申請專利範圍第10項所述的研磨墊之研磨層的製造方法，其中每一該些鑲嵌部的厚度大於、等於、或小於鄰接的該些溝槽的深度。
一種研磨墊的研磨層，包括：一承載層；以及多個鑲嵌部，該些鑲嵌部埋設在該承載層中，且該些鑲嵌部位於該研磨層之一研磨面中，其中在該研磨層之該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的該承載層中具有一溝槽。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中該承載層與該些鑲嵌部具有至少一材料性質不相同。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中該研磨面上之該承載層與該些鑲嵌部共平面。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些溝槽的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些鑲嵌部的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間是透過該承載層而隔離開來。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置於該承載層中。
如申請專利範圍第20項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些鑲嵌部的厚度大於、等於、或小於鄰接的該些溝槽的深度。
一種研磨墊的研磨層，包括：一承載層；以及多個鑲嵌部，該些鑲嵌部埋設在該承載層中，且該些鑲嵌部位於該研磨層之一研磨面中，其中該研磨面中具有一表面圖案，該表面圖案沿一方向之剖面具有多個溝槽位於該承載層中，其中該些鑲嵌部及該些溝槽彼此交錯排列。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中該承載層與該些鑲嵌部具有至少一材料性質不相同。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中該研磨面上之該承載層與該些鑲嵌部共平面。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中該方向為平行於X軸方向、平行於Y軸方向、與X軸方向具有一夾角的方向、半徑方向、圓周方向、或其組合。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些溝槽的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些鑲嵌部的底部與至少一側壁為該承載層所圍繞。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間是透過該承載層而隔離開來。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊之研磨層，其中每一該些溝槽與鄰接的該些鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置於該承載層中。
如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的研磨層，其中每一該些鑲嵌部的厚度大於、等於、或小於鄰接的該些溝槽的深度。
一種研磨方法，適於用以研磨一物件，包括：提供一研磨墊，該研磨墊包括一研磨層，該研磨層如申請專利範圍第20至27項中任一項所述的研磨墊的研磨層；對該物件施加一壓力以壓置於該研磨墊上；以及對該物件及該研磨墊提供一相對運動以進行一研磨程序。
一種研磨方法，適於用以研磨一物件，包括：提供一研磨墊，該研磨墊包括一研磨層，該研磨層如申請專利範圍第28至36項中任一項所述的研磨墊套的研磨層；對該物件施加一壓力以壓置於該研磨墊上；以及對該物件及該研磨墊提供一相對運動以進行一研磨程序。