TW201639067A - 基板液體處理裝置 - Google Patents
基板液體處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201639067A TW201639067A TW104141847A TW104141847A TW201639067A TW 201639067 A TW201639067 A TW 201639067A TW 104141847 A TW104141847 A TW 104141847A TW 104141847 A TW104141847 A TW 104141847A TW 201639067 A TW201639067 A TW 201639067A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- processing unit
- unit
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
- B08B2203/027—Pump details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本發明之課題在於,提供一種可現實省空間化之基板液體處理裝置。 作為解決上述課題之手段,依實施態樣之一態樣的基板液體處理裝置,具備搬運部、處理部、貯存部及液體饋送機構。搬運部係用以配置搬運基板之搬運裝置。處理部於水平方向鄰接搬運部,並配置使用處理液處理基板之液體處理單元。貯存部貯存處理液。液體饋送機構將貯存於貯存部之處理液,向液體處理單元饋饋送。貯存部係配置於搬運部的正下方。又,液體饋送機構係配置於處理部的正下方。
Description
揭露之實施態樣,係關於基板液體處理裝置。
以往,吾人知悉之基板液體處理裝置,係對於半導體晶圓或玻璃基板等所謂之基板,施加清洗處理等既定基板處理。又,基板液體處理裝置中具備處理部,該處理部配置有液體處理單元,而使用處理液處理基板;在此處理部的下方,配置有貯存處理液之貯存部,以及將貯存部內的處理液向液體處理單元饋送之液體饋送機構(例如,參照專利文獻1)。 ﹝先前技術文獻﹞ ﹝專利文獻﹞
﹝專利文獻1﹞日本特開2008-34490號公報
﹝發明所欲解決之問題﹞ 然而,上述基板液體處理裝置中,由於貯存部與液體饋送機構係配置於處理部下方之相同地方,故在處理部的下方需要較大的配置空間。因此,上述基板液體處理裝置中,在實現省空間化這點上,有進而改善之餘地。
實施態樣之一態樣,係以提供一種能實現省空間化之基板液體處理裝置為目的。 ﹝解決問題之方式﹞
依實施態樣之一態樣的基板液體處理裝置,具備:搬運部、處理部、貯存部及液體饋送機構。該搬運部係用以配置搬運基板之搬運裝置。該處理部於水平方向鄰接該搬運部,並配置使用處理液處理該基板之液體處理單元。該貯存部貯存該處理液。該液體饋送機構將貯存於該貯存部之該處理液,向該液體處理單元饋送。該貯存部係配置於該搬運部的正下方。又,該液體饋送機構係配置於該搬該處理部的正下方。 ﹝發明之效果﹞
依實施態樣之一態樣,可實現基板液體處理裝置中之省空間化。
以下,參照附加圖式,詳細說明本案所揭露之基板處理裝置的實施態樣。又,本發明不限定於以下所示之實施態樣。
(第一實施態樣) 圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。以下,為了使位置關係明確,規定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸,並將Z軸的正方向定為鉛直向上的方向。
如圖1所示,基板處理系統1包含搬入出站2及處理站3。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含載體載置部11及運送部12。在載體載置部11載置複數之載體C,該複數之載體C以水平狀態收納複數片基板,在本實施態樣中,基板係半導體晶圓(以下稱作「晶圓W」)。
運送部12係鄰接載體載置部11而設置,於其內部具備基板運送裝置13及傳遞部14。基板運送裝置13具備晶圓固持機構,用以固持晶圓W。又,基板運送裝置13能於水平方向及鉛直方向移動,並能以鉛直軸為中心旋轉;使用晶圓固持機構,在載體C與傳遞部14之間運送晶圓W。
處理站3係鄰接運送部12設置。處理站3包含搬運部15及複數之處理單元16。複數之處理單元16,係並列設置於搬運部15的兩側。
於搬運部15的內部,具備基板運送裝置17。基板運送裝置17具備晶圓固持機構,用以固持晶圓W。又,基板運送裝置17能於水平方向及鉛直方向移動,並能以鉛直軸為中心旋轉;使用晶圓固持機構,在傳遞部14與處理單元16之間運送晶圓W。
處理單元16,對於由基板運送裝置17運送之晶圓W,進行既定的基板處理。
又,基板處理系統1包含控制裝置4。控制裝置4例如為電腦,控制裝置4包含控制部18及儲存部19。在儲存部19儲存程式,該程式控制於基板處理系統1中執行的各種處理。控制部18,藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式,而控制基板處理系統1的動作。
又,此程式,係記錄於可由電腦讀取的儲存媒體,亦可從儲存媒體安裝至控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的儲存媒體,例如包含硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中,首先,搬入出站2之基板運送裝置13,從載置於載體載置部11之載體C,將晶圓W取出,並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W,係藉由處理站3之基板運送裝置17,從傳遞部14取出,並向處理單元16搬入。
向處理單元16搬入之晶圓W,在利用處理單元16處理後,藉由基板運送裝置17從處理單元16搬出,並載置於傳遞部14。又,載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W,藉由基板運送裝置13,返回載體載置部11之載體C。
接著,針對包含「向處理單元16供給處理液之液體處理裝置」的處理液供給系統,參照圖2說明。圖2為表示基板處理系統1之處理液供給系統的概略構成之圖式。
如圖2所示,液體處理裝置,具有:複數處理單元(液體處理單元)16,對於基板進行液體處理;以及處理流體供給源70,向處理單元16供給處理液。
處理流體供給源70,具有:槽102,用以貯存處理液;及循環線104,從槽102出發,而返回槽102。於循環線104設有泵106。泵106形成循環流,該循環流從槽102出發,通過循環線104,而返回槽102。於泵106的下游側,在循環線104設有過濾器108,該過濾器108除去處理液所含之顆粒等污染物質。因應必要,亦可進而在循環線104設置附裝置(例如加熱器等)。
在設定於循環線104之連接區域110,連接有單一或複數之分岐線112。各分岐線112,係供給至與「流經循環線104的處理液」對應之處理單元16。在各分岐線112,因應必要,可設置流量控制閥等流量調整機構、過濾器等。
液體處理裝置在槽102具有槽液補充部116,該槽液補充部116補充處理液或處理液構成成分。在槽102設有排放部118,用以將槽102內的處理液廢棄。
接著,針對上述液體處理裝置(以下,以「基板液體處理裝置100」記載)之構成,邊參照圖3邊進行更為詳細地說明。圖3為表示依第一實施態樣之基板液體處理裝置100的構成例之圖式。
如圖3所示,基板液體處理裝置100具備第一處理液供給系統121a及第二處理液供給系統121b。此外,圖3所示之各構成元件中,在第一處理液供給系統121a之物件,於符號的末端附加「a」;在第二處理液供給系統121b之物件,於符號的末端附加「b」。又,雖然上述係設定為基板液體處理裝置100具備兩個處理液供給系統,但不限於此,例如亦可設定為一個或是三個以上。
以下,針對第一處理液供給系統121a加以說明。此外,第一處理液供給系統121a中之處理液的流動等,係與第二處理液供給系統121b中之處理液的流動約略相同。從而,以下的說明,亦大致適用於第二處理液供給系統121b。又,雖然基板液體處理裝置100具備另一組具有另一槽102之第一處理液供給系統121a、第二處理液供給系統121b,但以下說明,亦大致適用於此另一組處理液供給系統。
於基板液體處理裝置100,在槽(貯存部之一例)102連接上述循環線104a。在循環線104a,從上游側依序插設泵(液體饋送機構之一例)106a、過濾器108a及加熱器109a。
泵106a,將貯存於槽102之處理液,向複數之處理單元(液體處理單元之一例)16Ua、16La饋送。此外,雖可使用例如SC1(氨、過氧化氫及水之混合液)、氫氟酸(氟酸)或IPA(異丙醇)等作為處理液,但並不限定於此。
例如,可使用空氣式之伸縮泵作為上述泵106a。在泵106a為伸縮泵之情況下,於泵106a經由空氣配管131a連接空氣供給源130。在空氣配管131a插設控制閥132a,該控制閥132a控制向泵106a之空氣供給量。從而,泵106a因應控制閥132a之開關,藉由從空氣供給源130經由空氣配管131a供給的空氣而驅動。
此外,雖然上述係以泵106a為伸縮泵之情形舉例說明,但不限於此,例如亦可為隔膜泵或柱塞泵等其它種類的泵。
過濾器108a如上述般取除處理液內之污染物質。又,加熱器109a使通過之處理液升溫至既定溫度為止。此外,可依據處理液之種類而除去此加熱器109a。
圖4為將處理站3以Y-Z平面切斷時之縱剖面圖。如圖4所示,上述複數處理單元16Ua、16La,係於上下兩段積層。在此,有時配置於上段之處理單元16係以「處理單元16Ua」記載,而配置於下段之處理單元16係以「處理單元16La」記載。
此外,雖然本實施態樣中,係以「處理單元16於上下兩段積層之情形」為例表示,但處理單元16的積層數並不限於兩段。又,處理單元16的數量也不限定於圖中所示者。又,圖3中,為了圖示之簡化,僅將複數處理單元16Ua、16La以4個顯示,而省略了其他處理單元。
接著,針對在如上述構成之基板液體處理裝置100中,配置「複數處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb」、槽102、「泵106a、106b」等之位置,加以說明。
複數處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb,係如圖1所示,沿著搬運部15配置。詳言之,搬運部15係以「配置於基板搬運裝置17之搬運室15a(參照圖4)沿著X軸延伸」之方式形成。
又,於圖1,位在對於搬運部15朝向Y軸負方向側(紙面下方側)之位置且沿X軸配置之複數處理單元16,係相當於第一處理液供給系統121a中的處理單元16Ua。此外,圖1中,下段之處理單元16La係隱蔽於上段之處理單元16Ua,而無法被看見。
另一方面,位在對於搬運部15朝向Y軸正方向側(紙面上方側)之位置且沿X軸配置之複數處理單元16,係相當於第二處理液供給系統121b中的處理單元16Ub。此外,圖1中,下段之處理單元16Lb亦隱蔽於上段之處理單元16Ub,而無法被看見。
以下,於基板液體處理裝置100中,有時將配置於第一處理液供給系統121a的處理單元16Ua、16La之部分,記載為「第一處理部20a」(參照圖4)。又,於基板液體處理裝置100中,有時將配置第二處理液供給系統121b的處理單元16Ub、16Lb之部分,記載為「第二處理部20b」(參照圖4)。
如圖4所示,第一處理部20a及第二處理部20b,係於水平方向上鄰接搬運部15而配置。又,第一處理部20a及第二處理部20b,係並列設置於夾隔著搬運部15而對向的位置。又,在第一處理部20a及第二處理部20b,藉由搬運部15的搬運裝置17,來搬運晶圓W。
基板液體處理裝置100,具備收納部30,用以收納第一處理部20a、第二處理部20b、搬運部15,槽102及泵106a、106b等。收納部30,例如為內部劃分為複數腔室之框體。
此外,習知的基板液體處理裝置中,例如,槽及泵係共同配置於處理部下方相同的位置。因此,處理部的下方需要較大的配置空間,恐造成基板液體處理裝置大型化。從而,習知的基板液體處理裝置中,在實現省空間化這點上,有進而改善之餘地。
在此,依本實施態樣之基板液體處理裝置100中,係設定成可實現省空間化,並可使設置面積縮小。以下,就其構成詳細說明。
如圖4所示,第一處理部20a、第二處理部20b及搬運部15,係配置於收納部30的Z軸方向之上方。又,在收納部30,於第一處理部20a、第二處理部20b及搬運部15的下方,形成空間140。
圖5為圖4之V-V線剖面圖。此外,圖4及圖5中,上述空間140中,將位在第一處理部20a的下方之空間,以「符號120a」之虛線表示。同樣地,圖4及圖5中,空間140中,將位在第二處理部20b的下方之空間,以「符號120b」之虛線表示;將位在搬運部15的下方之空間,以「符號115」之虛線表示。
如圖4、5所示,槽102係配置於搬運部15的正下方,亦即,槽102係配置於空間115中。此外,雖然在圖4、5所示的例子中,係設定為將槽102整體收納於「收納部30的空間115」內,然而,並不限於此,例如,亦可使其一部分超出空間115而進行收納。
又,泵106a、106b係配置於第一處理部20a、第二處理部20b的正下方。詳言之,泵106a係配置於第一處理部20a的正下方,亦即,泵106a係配置於空間120a。另一方面,泵106b係配置於第二處理部20b的正下方,亦即,泵106b係配置於空間120b。
以下,有時係將第一處理部20a的正下方的泵106a記載為「第一泵106a」(第一液體饋送機構之一例),並將第二處理部20b的正下方的泵106b記載為「第二泵106b」(第二液體饋送機構之一例)。
如此,於基板液體處理裝置100,藉由在搬運部15的正下方配置槽102,而在第一處理部20a的正下方配置第一泵106a,並在第二處理部20b的正下方配置第二泵106b,可有效利用收納部30的空間140。
藉此,例如相較於假設將槽102、第一泵106a、第二泵106b都配置於第一處理部20a下方之相同位置之情形,由於可將第一處理部20a下方的空間120a設定的較小,因而可實現基板液體處理裝置100中之省空間化。又,伴隨基板液體處理裝置100之省空間化,亦可使設置面積變小。
又,朝向處理單元16Ua、16La供給處理液之第一泵106a,係設定為配置於具有處理單元16Ua、16La之第一處理部20a的正下方。同樣地,朝向處理單元16Ub、16Lb供給處理液之第二泵106b,係設定為配置於具有處理單元16Ub、16Lb之第二處理部20b的正下方。
藉此,可縮短從第一泵106a到處理單元16Ua、16La之循環線104a(參照圖3)的距離,並可縮短從第二泵106b到處理單元16Ub、16Lb之循環線104b(參照圖3)的距離。又,藉由縮短各循環線104a、104b,可以有效率地向各處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb供給處理液,並可使基板液體處理裝置100進而省空間化。
又,如圖5所示,基板液體處理裝置100具備兩個槽102,在兩個槽102連接分別對應之第一泵106a、第二泵106b。
圖5所示之基板液體處理裝置100的例子中,具有複數(在此為兩組)「槽102,及對應於槽102之第一泵106a、第二泵106b」之組合的設備群。此外,圖5中,將一側之設備群以符號141α表示,並將另一側之設備群以符號141β表示。又,此設備群141α、141β中,亦可包含對應於槽102等之「過濾器108a、108b」或是「加熱器109a、109b」等。
又,於收納部30,在設備群141α與設備群141β之間,形成區塊壁31、31。此區塊壁31、31,係從「收納部30的底面」形成到「第一處理部20a、第二處理部20b及搬運部15的底面」。藉此,收納部30的空間140,藉由區塊壁31、31,區分為空間140α與空間140β。
如此,於基板液體處理裝置100,各設備群141α、141β被收納於收納部30而劃分為區塊。藉此,雖然省略圖示,例如基板液體處理裝置100中,在各個配置設備群141α的空間140α、及各個配置設備群141β的空間140β,可進行排氣或溫度調節等空調管理,而提高基板處理之品質。此外,貯存於上述兩個槽102之處理液,可為相同種類,亦可為互不相同之種類。又,槽102的數量並不限定於兩個。
第一泵106a及第二泵106b分別連接於槽102。亦即,基板液體處理裝置100中,能使第一泵106a及第二泵106b共用一個槽102。
又,如上述般,由於第一處理部20a及第二處理部20b係設置於夾隔著搬運部15而對向的位置,因此,槽102係配置於第一泵106a及第二泵106b之間。
藉此,可縮短從循環線104a之槽102到第一泵106a之第一液體配管104a1(參照圖3)的長度,並可縮短從循環線104b之槽102到第二泵106b之第二液體配管104b1(參照圖3)的長度。又,藉由縮短各液體配管104a1、104b1,能有效率地向第一泵106a、第二泵106b供給處理液,並可實現基板液體處理裝置100之進而省空間化。
在此,上述第一液體配管104a1的長度,較佳為與第二液體配管104b1的長度相同。藉此,可在基板液體處理裝置100中,對於處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb進行均一的處理。
亦即,例如,假設當第一液體配管104a1與第二液體配管104b1之長度十分不一致時,各液體配管104a1、104b1中的壓力損失也不同。因此,「向處理單元16Ua、16La供給之處理液」與「向處理單元16Ub、16Lb供給之處理液」之間,在流量等等上會產生差異,而難以對於處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb進行均一的處理。
在此,由於依本實施態樣之基板液體處理裝置100中,第一液體配管104a1及第二液體配管104b1的長度係設定為相同,因此可使第一液體配管104a1及第二液體配管104b1的壓力損失約略一致。藉此,能對於處理單元16Ua、16La及處理單元16Ub、16Lb進行均一的處理。
此外,上述所謂第一液體配管104a1與第二液體配管104b1之長度「相同」,並非指兩者的長度完全一致,例如,只要第一液體配管104a1及第二液體配管104b1在設計上之長度的差值,小至不會使兩配管中產生壓力損失之差值的程度,或是,只要第一液體配管104a1及第二液體配管104b1在實際上之長度的差值,小至考量製造配管時或是設置作業時的誤差之範圍內的程度,則亦可將兩配管的長度視為「相同」。又,除了第一液體配管104a1與第二液體配管104b1之長度外,亦可調整管徑或管材的種類等,而使第一液體配管104a1與第二液體配管104b1之壓力損失設置為約略一致。
如圖5所示,於收納部30,在上述區塊壁31、31之間設置區塊壁32,該區塊壁32形成四個空間142α、142α、142β、142β。又,各空間之中,在較為靠近第一泵106a之空間142α、142α,配置第一泵106a用之控制閥132a;而在較為靠近第二泵106b之空間142β、142β,配置第二泵106b用之控制閥132b。
此外,第一泵106a用之控制閥132a係配置於第一處理部20a的正下方,而第二泵106b用之控制閥132b係配置於第二處理部20b的正下方。
藉此,可縮短從控制閥132a到第一泵106a之空氣配管131a的長度,並可縮短從控制閥132b到第二泵106b之空氣配管131b的長度。又,藉由縮短各空氣配管131a、131b,可有效率地將空氣供給至第一泵106a、第二泵106b,並可實現基板液體處理裝置100的進而省空間化。
於收納部30,在X軸正方向側設置區塊壁33,該區塊壁33形成空間143。在此空間143配設各種配管,諸如來自空氣供給源130之空氣配管131a、131b,或來自未圖示之氮氣供給源的氣體配管等。
又,空氣配管131a、131b,例如通過槽102下方之配管空間(未圖式)後,經由控制閥132a、132b,連接至第一泵106a、第二泵106b。
在此,上述空氣配管131a之長度,較佳為與空氣配管131b的長度相同。又,更佳為使得:從控制閥132a到第一泵106a的長度,與從控制閥132b到第二泵106b的長度相同。藉此,於基板液體處理裝置100,可對於處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb進行均一的處理。
亦即,例如,假設空氣配管131a、131b的長度十分不一致時,各空氣配管131a、131b中的壓力損失也會變得不同。因此,當第一泵106a、第二泵106b為伸縮泵時,在第一泵106a與第二泵106b之間,在噴出流量等方面會產生差異,而變得難以對於處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb進行均一的處理。此外,雖然第一泵106a、第二泵106b亦可為如上述般之隔膜泵或柱塞泵等,但即便在這種情況,若空氣配管131a、131b的長度十分不一致,亦難以對於各處理單元進行均一的處理。
在此,由於依本實施態樣之基板液體處理裝置100中,係將空氣配管131a、131b的長度設定成相同,故亦可使空氣配管131a、131b的壓力損失約略一致。藉此,可對於處理單元16Ua、16La與處理單元16Ub、16Lb進行均一的處理。
此外,與第一液體配管104a1及第二液體配管104b1的長度之情形同樣地,上述所謂空氣配管131a、131b的長度「相同」,並非指要兩者的長度要完全一致。亦即,只要空氣配管131a、131b之長度的差值在許容範圍內,亦可視為長度「相同」。又,除了空氣配管131a、131b的長度以外,亦可調整管徑或管材的種類等,以使空氣配管131a、131b的壓力損失設置成約略一致。
圖6為將處理站3以X-Z平面切斷時之縱剖面圖。此外,圖6中,為了簡化圖示,將槽102或第一泵106a、第二泵106b等整合為設備群141α、141β,而以一個區塊表示。
如圖6所示,從設備群141α延伸的循環線104a係配置設定如下:通過空間140α後,接著通過鄰接之設備群141β的空間140β,其後,經過處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb,而回到設備群141α。此外,圖6中,處理單元16Ub、16Lb,係隱蔽於處理單元16Ua、16La而無法被看見。
另一方面,從設備群141β延伸的循環線104b係配置設定如下:通過空間140β後,向處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb延伸,其後,通過鄰接之設備群141α的空間140α,而回到設備群141β。
如此,依本實施態樣之基板液體處理裝置100中,循環線104a及104b係設定成:均通過鄰接之設備群141α的空間140α及設備群141β的空間140β。藉此,可有效地利用收納部30的空間140α及140β,因而可實現基板液體處理裝置100中之進而省空間化。
此外,當循環線104a通過空間140β時,較佳為採取適當手法,防止來自設備群141β之處理液等的影響,例如,可通過保護管之中,或是設定為不使用接頭等。又,關於通過空間140α時之循環線104b,亦可採取同樣的手法為佳。
如上所述,依第一實施態樣之基板液體處理裝置100,具備:搬運部15、第一處理部20a與第二處理部20b(處理部之一例)、槽102、第一泵106a、第二泵106b。搬運部15配置有基板搬運裝置17,用以搬運晶圓W。第一處理部20a及第二處理部20b,係於水平方向鄰接搬運部15,並配置有液體處理單元16,以使用處理液處理晶圓W。槽102,貯存來自槽液補充部116的處理液。第一泵106a及第二泵106b,將貯存於槽102之處理液,向液體處理單元16饋送。槽102,配置於搬運部15的正下方。第一泵106a及第二泵106b,配置於第一處理部20a及第二處理部20b的正下方。藉此,可實現基板液體處理裝置100中的省空間化。
(第一實施態樣之變形例) 接著,針對第一實施態樣之變形例(以下稱為「第一變形例」),加以說明。圖7為用以說明依第一變形例之基板液體處理裝置100之圖式。
如圖7所示,於第一變形例中,「第一液體配管104a1及第一泵(第一液體饋送機構之一例)106a」與「第二液體配管104b1及第二泵(第二液體饋送機構之一例)106b」,係配置為於俯視時呈點對稱。
若以配置於圖7左側之設備群141α為例詳細說明,在槽102,於第一處理部20a下方的空間120a側,自上游側依序連接第一液體配管104a1、第一泵106a、過濾器108a及加熱器109a。又,在槽102,於第二處理部20b下方的空間120b側,連接第二泵106b、過濾器108b及加熱器109b。
又,於第一變形例,上述「第一液體配管104a1、第一泵106a」,與「第二液體配管104b1、第二泵106b」,係以位於搬運部15下方的空間115之點150α作為對稱點,而配置為於俯視時呈點對稱。
又,關於配置於圖7右側之設備群141β,係與上述設備群141α同樣之配置。亦即,「第一液體配管104a1、第一泵106a」與「第二液體配管104b1、第二泵106b」,係以位於空間115之點150β作為對稱點,而配置為於俯視時呈點對稱。
此外,雖然圖7所示之例中,上述點150α、150β,係設定成與空間115中之槽102的中心點相同的位置,然而,此設定僅不過為一例示,並非限定於此。
藉此,可在基板液體處理裝置100實現零件的共有化。亦即,例如,在第一泵106a與第二泵106b,可將對於槽102之吸入口的位置(朝向),設定為相同。又,例如,在第一液體配管104a1與第二液體配管104b1,可將長度設定為相同。
進而,在固定「第一液體配管104a1、第一泵106a、過濾器108a及加熱器109a」之零件,與固定「第二液體配管104b1、第二泵106b、過濾器108b及加熱器109b」之零件間,可使用相同規格之零件。從而,於基板液體處理裝置100,可實現零件之共有化,且亦可實現低成本化。
又,例如,當對於第一泵106a、第二泵106b,改變所希望的規格時,係對於各泵106a、106b分別進行設計變更。即便此情形下,藉由設定為如上述般之配置,例如,亦可將在一側之泵進行過的設計變更,適用到另一側之泵。藉此,即使在基板液體處理裝置100改變規格時,亦可在早期進行設計變更,而可迅速地對應。
此外,當第一液體配管104a1、第二液體配管104b1等係配置為如上述般呈點對稱之方式時,例如在設備群141α,加熱器109a的出口係位於收納部30的端部附近,另一方面,加熱器109b的出口係位於收納部30的中央部附近。因此,從加熱器109a到處理單元16Ua、16La之液體配管的長度,與從加熱器109b到處理單元16Ub、16Lb之液體配管的長度,有時會不同。關於此情形,參照圖8詳細說明。
圖8為示意地表示從加熱器109a、109b到處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb之液體配管的側面圖。如圖8所示,有時循環線104a從加熱器109a到處理單元16Ua、16La之液體配管的長度,係比起循環線104b從加熱器109b到處理單元16Ub、16Lb之液體配管的長度,長出既定距離A的量。
因此,假設將藉由加熱器109a、109b升溫之處理液的既定溫度,設定為相同之値時,到達處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb之時點的處理液溫度,在循環線104a與循環線104b有不同之虞。具體而言,液體配管較長之循環線104a的處理液溫度,有變得比循環線104b的處理液溫度更低之虞。
在此,第一變形例中,於循環線104a、104b,在至處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb為止之液體配管的長度為相同或是大致相同的位置,分別設置溫度檢測部160a、160b,用以檢測處理液的溫度。
上述溫度檢測部160a、160b,將表示檢測出之處理液溫度的信號,向控制裝置4輸出。又,控制裝置4基於檢測出之處理液溫度,控制加熱器109a、109b。詳言之,控制裝置4控制加熱器109a、109b,以使得由溫度檢測部160a檢測出之處理液溫度,與由溫度檢測部160b檢測出之處理液溫度,變得相同。
藉此,依第一變形例之基板液體處理裝置100中,到達處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb之時點的處理液溫度,在循環線104a與循環線104b變為相同,因而可進行均一的處理。
(第二實施態樣) 接著,針對依第二實施態樣之基板液體處理裝置100加以說明。雖然在上述第一實施態樣,係設定為:於一個槽102連接第一泵106a及第二泵106b,然而,在第二實施態樣,係設定為:對於一個槽個別地連接一個泵。
圖9係用以說明依第二實施態樣之基板液體處理裝置100之圖式,將處理站3以X-Y平面切斷時之橫剖面圖。此外,以下,針對與第一實施態樣共通之構成,係附加相同的符號而省略說明。
如圖9所示,依第二實施態樣之基板液體處理裝置100,具備第一槽102a與第二槽102b。此外,第一槽102a為第一貯存部之一例,而第二槽102b為第二貯存部之一例。
又,第一槽102a、第二槽102b均配置於搬運部15的正下方,亦即,配置於空間115內。又,在第一槽102a連接第一泵106a,另一方面,在第二槽102b連接第二泵106b。
又,當第一泵106a配置於第一處理部20a或第二處理部20b兩者中一者之處理部的正下方時,第二泵106b係設定成配置於第一處理部20a或第二處理部20b兩者中另一者之處理部的正下方。
具體而言,當在第一處理部20a的正下方(空間120a)配置第一泵106a時,較佳為在第二處理部20b的正下方(空間120b)配置第二泵106b。又,當在第二處理部20b的正下方(空間120b)配置第一泵106a時,較佳為在第一處理部20a的正下方(空間120a)配置第二泵106b。
如此,第一槽102a與第二槽102b,係配置於第一泵106a與第二泵106b之間,換言之,藉由配置於搬運部15的正下方,能實現基板液體處理裝置100之省空間化。
此外,雖然貯存於第一槽102a與第二槽102b之處理液為相同種類,但亦可為互不相同之種類。
在此,當第一槽102a與第二槽102b之處理液不相同時,如圖9所示,設定為於第一處理部20a的正下方(空間120a)配置一個第一泵106a,並於第二處理部20b的正下方(空間120b)配置一個第二泵106b。
藉此,可對於第一處理部20a的處理單元16Ua、16La及第二處理部20b的處理單元16Ub、16Lb,自配置於附近之第一泵106a、第二泵106b,供給不同種類的處理液。
具體而言,於第一處理部20a之處理單元16Ua、16La,從圖9左側的第一槽102a經由第一泵106a供給處理液,並從圖9右側的第二槽102b經由第二泵106b供給處理液。又,於第二處理部20b的處理單元16Ub、16Lb,從圖9右側的第一槽102a經由第一泵106a供給處理液,並從圖9左側的第二槽102b經由第二泵106b供給處理液。
又,從各槽102a、102b到各泵106a、106b之第一液體配管104a1、第二液體配管104b1中,較佳為使位於圖9左右之第一泵106a彼此間的長度相同,並使位於圖9左右之第二泵106b彼此間的長度相同。藉此,於基板液體處理裝置100,可對於處理單元16Ua、16La、16Ub、16Lb進行均一的處理。
此外,控制閥132a、132b,係配置於位在靠近對應之第一泵106a、第二泵106b的位置。
在圖9所示之基板液體處理裝置100的例子中,將第一設備群以符號241α表示,該第一設備群241α包含第一槽102a以及與第一槽102a對應之第一泵106a。同樣地,圖9中,將第二設備群以符號241β表示,該第二設備群241β包含第二槽102b以及與第二槽102b對應之第二泵106b。
又,於收納部30,在第一設備群241α與第二設備群241β之間,形成區塊壁34。藉此,收納部30之空間240,藉由區塊壁34劃分為空間240α及空間240β。此空間240α及空間240β,例如係形成為俯視時呈略L字形。
又,於收納部30,第一設備群241α之第一槽102a,係被收納於搬運部15正下方的空間115內,且位於俯視時呈略L字形之空間240α內。又,於收納部30,第二設備群241β之第二槽102b係被收納於空間115內,且位於俯視時呈略L字形之空間240β內。
如此,於基板液體處理裝置100,各第一設備群241α、第二設備群241β被收納於收納部30區塊而劃分為區塊。藉此,例如在基板液體處理裝置100,可在各個具有第一設備群241α之空間240α及具有第二設備群241β之空間240β,進行排氣或溫度調節等空調管理,而提高基板處理之品質。
如此,即便在第二實施態樣中,由於第一槽102a、第二槽102b,均配置於搬運部15的正下方,故可實現基板液體處理裝置100中之省空間化。此外,其餘效果係與第一實施態樣相同,故省略說明。
(第二實施態樣之變形例) 接著,針對第二實施態樣的變形例(以下稱為「第二變形例」)加以說明。圖10係用以說明依第二變形例之基板液體處理裝置100的圖式。
如圖10所示,與第一變形例相同,第二變形例中,「第一液體配管104a1、第一泵106a」與「第二液體配管104b1、第二泵106b」係以位於搬運部15下方的空間115之點250α、250β為對稱點,而配置為於俯視時呈點對稱。
進而,第二變形例中,當將具有對應之第一設備群241α與第二設備群241β的組合作為群組261、262之情形,群組261與群組262係配置為於俯視時呈點對稱。
此外,以下,為了理解上的方便,有時係將具有配置於圖10左側之第一設備群241α及第二設備群241β的群組261,記載為「第一群組261」,而將具有右側之第一設備群241α及第二設備群241β的群組262,記載為「第二群組262」。又,在此,於第一設備群241α,設定為包含「第一槽102a、第一液體配管104a1、第一泵106a、過濾器108a及加熱器109a」。同樣地,於第二設備群241β,設定為包含「第二槽102b、第二液體配管104b1、第二泵106b、過濾器108b及加熱器109b」。
若針對依第二變形例之基板液體處理裝置100詳細說明,構成上述第一群組261之第一設備群241α、第二設備群241β,及構成第二群組262之第一設備群241α、第二設備群241β,係以位於搬運部15下方之空間115的點251作為對稱點,而配置為於俯視時呈點對稱。
此外,雖然圖10所示的例子中,上述點251係位於鄰接的槽102a之間,然而,此不過為例示,而並非限定條件。又,雖然點250α、250β,係位於空間115中之槽102a、102b之間的位置,然而,此不過為例示,而並非限定條件。又,雖然圖10中,係以具有兩個群組261、262為例表示,但是亦可為三個以上。
如此,第二變形例中,包含複數之具有第一設備群241α及第二設備群241β之群組261、262,複數之群組261、262係配置為於俯視時呈點對稱。
藉此,依第二變形例之基板液體處理裝置100中,可實現零件之共有化。亦即,例如,於第一群組261、第二群組262,在第一泵106a及第二泵106b,可將對於槽102a、102b之吸入口的位置(朝向),設定為相同。又,例如,在第一液體配管104a1與第二液體配管104b1,可將長度設定為相同。
藉此,在第一群組261與第二群組262之間,可使用相同規格之零件或液體配管。從而,於基板液體處理裝置100,可實現零件之共有化,並可實現低成本化。此外,由於其餘之效果係與第一變形例等相同,故省略說明。
此外,基板液體處理裝置100,依據晶圓W(參照圖1)之尺吋或對於晶圓W之處理的內容等,有時會使整體的尺吋大型化。大型化後之基板液體處理裝置100中,例如,為使設置作業者將晶圓W搬運至生產工廠設置時之「搬運性」與「設置容易性」提高,較佳為以可分割之方式構成。
例如,圖10所示之例子中,收納部30係可分割為第一收納部30a與第二收納部30b。此外,圖10中,為了明確地圖示第一收納部30a及第二收納部30b之配置,係將第一收納部30a以一點鎖線包圍表示,而將第二收納部30b以二點鎖線包圍表示。
在第一收納部30a,收納:第一處理部20a(參照圖4)、搬運部15(參照圖4)、「配置於第一處理部20a的正下方之第一泵106a、第二泵106b」、及「配置於搬運部15的正下方之第一槽102a、第二槽102b」等。又,在第二收納部30b,收納:第二處理部20b(參照圖4)、及「配置於第二處理部20b的正下方之第一泵106a、第二泵106b」等。
又,被分割之第一收納部30a及第二收納部30b中,設定為分別預先組合待收納之設備,並將跨越第一收納部30a與第二收納部30b之邊界的液體配管,設定為未連接之狀態。
此外,圖10中,係將跨越上述第一收納部30a與第二收納部30b之邊界的液體配管的部位,以虛線之閉曲線271、272表示,並於以下記載為「連接部位271、272」。
又,例如,第一收納部30a、第二收納部30b在被分割之狀態下被搬入生產工廠後,將第一收納部30a與第二收納部30b連接。又,藉由連接搬運部15與第二處理部20b,並將連接部位271、272之液體配管連接,以將基板液體處理裝置100設置完成。
如此,第一處理部20a、第二處理部20b及搬運部15係收納於可分割之收納部30,該收納部30在「收納第一處理部20a及搬運部15之部分(第一收納部30a)」與「收納第二處理部20b之部分(第二收納部30b)」之間為可分割。
從而,由於搬運部15與第一處理部20a係藉由第一收納部30a而整體地搬運,因此,例如將基板液體處理裝置100設置於生產工廠時,設置作業者僅需對於第二處理部20b,進行搬運部15之位置調整即可。藉此,可縮短調整基板液體處理裝置100的時間。
此外,收納部30之構成並不限定以上,例如亦可分割為:在第一收納部30a收納第一處理部20a,而在第二收納部30b收納搬運部15與第二處理部20b。
又,第二變形例中,如上述般,第一群組261、第二群組262之第一液體配管104a1、第二液體配管104b1等,係以點對稱之方式配置。因此,如圖10所示,有時連接部位271、272之一部份(在此為連接部位272),係位於基板液體處理裝置100之中心部附近。
在此,第二變形例中,係於收納部30設定為可進而將連接部位272附近分割。藉此,可抑制基板液體處理裝置100之設置容易性的下降。
若具體說明,第二收納部30b係具備滑動收納部30b1。滑動收納部30b1於第二收納部30b,係位在設置作業者難以接近處理之連接部位272附近,例如,位在第一群組261及第二群組262之間的位置。
又,滑動收納部30b1,藉由對於第二收納部30b朝向Y軸正方向滑動退出,而加以分割。此外,退出狀態之滑動收納部30b1,於圖10中係以假想線表示。又,作為使滑動收納部30b1滑動之機構,例如,使用以下機構:在與第二收納部30b或底面接觸的部分,插設滾子等旋轉體,而藉由旋轉體之旋轉使其滑動之機構。
如此,藉由退出滑動收納部30b1,可在連接部位272附近,達成連接液體配管用之作業空間。藉此,設置作業者可容易接近處理連接部位272,而可連接液體配管,亦即,可抑制基板液體處理裝置100之設置容易性的下降。
此外,雖然上述構成係:滑動收納部30b1於Y軸方向滑動,而與第二收納部30b分割,然而,不並限於此,例如亦能以於Z軸方向滑動之方式或其它方式,加以分割。
又,雖然上述係設定為第二收納部30b具備滑動收納部30b1,但不限於此,第一收納部30a亦可構成為具備滑動收納部。又,上述將收納部30,分割為第一收納部30a、第二收納部30b及滑動收納部30b1之構成,亦可適用於第一實施態樣、第二實施態樣或第一變形例。
(第三實施態樣) 接著,針對依第三實施態樣之基板液體處理裝置100加以說明。首先,就處理單元16的概略構成,參照圖11說明。圖11為表示處理單元16的概略構成之圖式。
如圖11所示,處理單元16,具備:腔室300、基板固持機構310、第一處理液供給部320、回收杯體330及第二處理液供給部340。
腔室300,用以收納:基板固持機構310、第一處理液供給部320、回收杯體330及第二處理液供給部340。在腔室300之頂架座部,設有風機過濾機組(FFU,Fan Filter Unit)301。風機過濾機組301,於腔室300內形成降流。
基板固持機構310,具備:固持部311、支柱部312及驅動部313。固持部311,將晶圓W水平地固持。支柱部312係於鉛直方向延伸之構件,其基端部藉由驅動部313以可旋轉之方式受到支持,於其前端部將固持部311水平地支持。驅動部313,使支柱部312繞鉛直軸旋轉。此基板固持機構310,藉由使用驅動部313使支柱部312旋轉,而使支持於支柱部312之固持部311旋轉,藉此,以使固持於固持部311之晶圓W旋轉。
第一處理液供給部320,對於晶圓W供給處理液。第一處理液供給部320,係連接於例如上述槽102等處理液供給源。
回收杯體330係以圍繞固持部311之方式配置,藉由固持部311之旋轉,來收集自晶圓W飛散之處理液。在回收杯體330的底部,形成排液口331;由回收杯體330收集之處理液,係由此排液口331向處理單元16的外部等排出。又,在回收杯體330的底部形成排氣口332,該排氣口332將從風機過濾機組21供給之氣體,向處理單元16的外部排出。
第二處理液供給部340,對於晶圓W供給第二處理液。可使用例如去離子水(純水)作為第二處理液。以下,雖然係以使用第二處理液作為去離子水之情形為例說明,但不限於此,亦可為其它種類之處理液。
第二處理液供給部340具備噴出部341,該噴出部341係設置於回收杯體330周圍之適當位置。噴出部341之一端連接於去離子水供給源342之一側,另一端設置噴出口341a。噴出口341a,配置於從回收杯體330上部的開口臨近晶圓W之位置,用以將從去離子水供給源342供給之去離子水噴出。
此外,雖然晶圓W係藉由來自第一處理液供給部320之處理液,施加基板處理,然而,根據基板處理的種類,有時處理液會涵蓋複數之種類。於這般場合,例如由「正在向晶圓W供給之處理液」,切換為「下一個處理使用之處理液」時,在切換上所需的時間內,會無法向晶圓W供給處理液。
在此,在處理單元16係設定為:藉由處理液切換之時點,自第二處理液供給部340向晶圓W供給去離子水,以防止晶圓W之處理液枯竭、乾燥。
然而,由於習知之處理單元中係設定為:在開始向晶圓W供給去離子水時,使來自第二處理液供給部之去離子水的噴出量緩緩增加,因此,去離子水之軌跡,係以如圖11所示之箭頭a、箭頭b、箭頭c之順序變化。從而,例如,當去離子水之軌跡為箭頭b之狀態時,會導致沾及回收杯體330之外周面的不理想情形。
在此,第三實施態樣中,從去離子水供給源342到噴出口341a之間,設置抽吸部343。可使用例如回吸閥作為抽吸部343,但不限於此。
藉由如上述之構成,例如,可在向晶圓W供給去離子水之時點,藉由抽吸部343將去離子水暫時抽回後,再使其噴出。藉此,由於可使噴出口341a中的去離子水之流速(初速)增加,故可使去離子水噴出後立即成為箭頭c之狀態,因而,可防止去離子水沾及回收杯體330之外周面等不必要的部位。
(第四實施態樣) 接著,針對依第四實施態樣之基板液體處理裝置100加以說明。圖12為表示處理液供給系統的概略構成之圖式。
如圖12所示,基板液體處理裝置100具備循環線104,於此循環線104,除上述泵106或過濾器108、加熱器109外,另插設開關閥400及背壓調整閥401。
詳言之,循環線104具備:第一水平部410,從槽102出發後水平延伸;上升部411,連接於第一水平部410的下游側,而向上方延伸;以及第二水平部412,連接於上升部411的下游側,而於水平延伸。循環線104,進而包含:下降部413,連接於第二水平部412的下游側,而向下方延伸;以及第三水平部414,連接於下降部413之下游側,而於水平延伸;第三水平部414的下游側係連接於槽102。又,上述開關閥400及背壓調整閥401,係設置於第三水平部414。
此外,於基板液體處理裝置100,有時會替換流動於槽102及循環線104之處理液。進行替換時,先將槽102及循環線104內的處理液自排放部118排出而廢棄。接著,將新的處理液自槽液補充部116供給至槽102及循環線104。
然而,若新的處理液經由循環線104之第一水平部410、上升部411及第二水平部412,到達下降部413之處,則處理液會在下降部413內落下。此時,例如,假設如圖12中以假想線表示之第三水平部414a般,當直接連接「下降部413的下游側」與「第三水平部414a的上游側」時,在以虛線之圓包圍的連接部位415,處理液會接觸第三水平部414a,而成為液滴狀態。若供給此液滴狀態之處理液例如至背壓調整閥401,則在處理液與背壓調整閥401的閥體之間,會產生摩擦而使靜電產生,對於背壓調整閥401為不理想的情形。
在此,第四實施態樣中,係設定為在「下降部413的下游側」與「第三水平部414的上游側」之間,設置儲液部416。藉此,由於新的處理液暫時累積於儲液部416後,會向背壓調整閥401流出,故不會供給液滴狀態的處理液至背壓調整閥401,而可防止在背壓調整閥401產生靜電。
此外,雖然上述設定係於循環線104設置儲液部416,但並不限於此。亦即,例如,亦可設定為:於用以向循環線104供給新的處理液之新液供給線,在停止閥的上游側設置儲液部。藉此,變成從儲液部向停止閥供給非液滴狀態的新液,而可適切地進行停止閥中的流量調整。
此外,雖然上述第一實施態樣中,係設定為對於一個槽102連接兩個泵106a、106b,而第二實施態樣中,係設定為對於一個第一槽102a連接一個第一泵106a,然而,亦可將上述條件適當組合。
又,雖然上述係將配置於搬運部15之基板搬運裝置17設定為一台,但並不限於此,亦可設定為兩台以上。
本發明進一步的效果或變形例,可由通常知識者容易地推導出來。因此,本發明之更為廣泛的態樣,並不限定於如上述表示及記載之特定細節及代表的實施態樣。從而,只要不超過由申請專利範圍及其均等物既定義之總括的發明概念之精神或範圍,可進行各種改變。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧運送部
13‧‧‧基板運送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬運部
16‧‧‧處理單元(液處理單元)
17‧‧‧基板搬運裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧儲存部
20a‧‧‧第一處理部
20b‧‧‧第二處理部
21‧‧‧風機過濾機組
30‧‧‧收容部
31~34‧‧‧區塊壁
70‧‧‧處理流體供給源
100‧‧‧基板液處理裝置
102‧‧‧槽
102a‧‧‧第一槽
102b‧‧‧第二槽
104、104a‧‧‧循環線
104a1‧‧‧第一液配管
104b‧‧‧循環線
104b1‧‧‧第二液配管
106‧‧‧泵
106a‧‧‧第一泵
106b‧‧‧第二泵(第二送液機構之一例)
108、108a、108b‧‧‧過濾器
109、109a、109b‧‧‧加熱器
110‧‧‧連接區域
112‧‧‧分岐線
115‧‧‧空間
116‧‧‧槽液補充部
118‧‧‧排放部
120a、120b‧‧‧空間
121a‧‧‧第一處理液供給系統
121b‧‧‧第二處理液供給系統
130‧‧‧空氣供給源
131a、131b‧‧‧空氣配管
132a、132b‧‧‧控制閥
140、140α、140β‧‧‧空間
141、141α、141β‧‧‧設備群
142、142α、142β‧‧‧空間
143‧‧‧空間
150‧‧‧點
150α‧‧‧點
15a‧‧‧搬運室
160a‧‧‧溫度檢測部
160b‧‧‧溫度檢測部
16La‧‧‧處理單元
16Lb‧‧‧處理單元
16Ua‧‧‧處理單元(液處理單元之一例)
16Ub‧‧‧處理單元
240‧‧‧空間
241‧‧‧設備群
250‧‧‧點
250α‧‧‧點
251‧‧‧點
261‧‧‧群組
262‧‧‧群組
271‧‧‧連接部位
272‧‧‧連接部位
300‧‧‧腔室
301‧‧‧有風機過濾機組(FFU,Fan Filter Unit)
30a‧‧‧第一收容部
30b‧‧‧第二收容部
30b1‧‧‧滑動收容部
310‧‧‧基板固持機構
311‧‧‧固持部
312‧‧‧支柱部
313‧‧‧驅動部
320‧‧‧第一處理液供給部
330‧‧‧回收杯體
331‧‧‧排液口
332‧‧‧排氣口
340‧‧‧第二處理液供給部
341‧‧‧噴出部
341a‧‧‧噴出口
342‧‧‧去離子水供給源
343‧‧‧抽吸部
400‧‧‧開關閥
401‧‧‧背壓調整閥
410‧‧‧第一水平部
411‧‧‧上升部
412‧‧‧第二水平部
413‧‧‧下降部
414‧‧‧第三水平部
414a‧‧‧第三水平部
415‧‧‧連接部位
416‧‧‧儲液部
【圖1】圖1為表示依第一實施態樣之基板液體處理系統的概略構成之圖式。 【圖2】圖2為表示基板處理系統之處理液供給系統的概略構成之圖式。 【圖3】圖3為表示基板液體處理裝置的構成例之圖式。 【圖4】圖4為將處理站沿Y-Z平面切斷時之縱剖面圖。 【圖5】圖5為圖4之V-V線剖面圖。 【圖6】圖6為將處理站沿X-Z平面切斷時之縱剖面圖。 【圖7】圖7為用以說明依第一實施態樣之變形例的基板液體處理裝置之圖式。 【圖8】圖8為示意表示從加熱器到處理單元的液體配管之側面圖。 【圖9】圖9為用以說明依第二實施態樣之基板液體處理裝置之圖式。 【圖10】圖10為用以說明依第二實施態樣的變形例之基板液體處理裝置之圖式。 【圖11】圖11為表示依第三實施態樣之處理單元的概略構成之圖式。 【圖12】圖12為表示依第四實施態樣之處理液供給系統的概略構成之圖式。
3‧‧‧處理站
30‧‧‧收納部
31~33‧‧‧區塊壁
100‧‧‧基板液體處理裝置
102‧‧‧槽
104a1‧‧‧第一液體配管
104b1‧‧‧第二液體配管
106a、106b‧‧‧泵
108a、108b‧‧‧過濾器
109a、109b‧‧‧加熱器
115、120a、120b‧‧‧空間
130‧‧‧空氣供給源
131a、131b‧‧‧空氣配管
132a、132b‧‧‧控制閥
140、140α、140β‧‧‧空間
141α、141β‧‧‧設備群
142α、142β‧‧‧空間
143‧‧‧空間
Claims (10)
- 一種基板液體處理裝置,包含: 搬運部,配置有搬運基板之搬運裝置; 處理部,於水平方向鄰接該搬運部,並配置有使用處理液處理該基板之液體處理單元; 貯存部,貯存該處理液;及 液體饋送機構,將貯存於該貯存部之該處理液,向該液體處理單元饋送; 該貯存部係配置於該搬運部的正下方; 該液體饋送機構係配置於該處理部的正下方。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板液體處理裝置,更包含複數之設備群: 各設備群具有該貯存部;及對應於該貯存部之液體饋送機構; 各該設備群被收納於收納部而劃分為區塊。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之基板液體處理裝置,其中, 該處理部具備第一處理部及第二處理部,該第一處理部及該第二處理部藉由該搬運部搬運該基板; 該液體饋送機構,具備: 第一液體饋送機構,配置於該第一處理部的正下方,連接於該貯存部;及 第二液體饋送機構,配置於該第二處理部的正下方,連接於該貯存部。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板液體處理裝置,其中, 該第一處理部與該第二處理部,係設置於夾隔著該搬運部而對向的位置。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板液體處理裝置,更包含: 第一液體配管,連接該貯存部與該第一液體饋送機構;及 第二液體配管,連接該貯存部與該第二液體饋送機構; 該第一液體配管的長度,係與該第二液體配管的長度相同。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板液體處理裝置,更包含: 第一液體配管,連接該貯存部與該第一液體饋送機構;及 第二液體配管,連接該貯存部與該第二液體饋送機構; 該第一液體配管及該第一液體饋送機構,與該第二液體配管及該第二液體饋送機構,係配置為於俯視時呈點對稱。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板液體處理裝置,其中, 該第一液體饋送機構及該第二液體饋送機構具備泵,該泵藉由從空氣供給部經由空氣配管供給之空氣加以驅動;且連接該空氣供給部與該第一液體饋送機構的泵之該空氣配管的長度,係與連接該空氣供給部與該第二液體饋送機構的泵之該空氣配管的長度相同。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之基板液體處理裝置,其中, 該貯存部具備第一貯存部及第二貯存部; 該處理部具備第一處理部與第二處理部,該第一處理部與該第二處理部係設置於夾隔著該搬運部而對向的位置; 該液體饋送機構,具備: 第一液體饋送機構,配置於該第一處理部的正下方,連接該第一貯存部;及 第二液體饋送機構,配置於該第二處理部的正下方,連接該第二貯存部。
- 如申請專利範圍第8項所述之基板液體處理裝置,更包含: 第一液體配管,連接該第一貯存部與該第一液體饋送機構;及 第二液體配管,連接該第二貯存部與該第二液體饋送機構; 並具備複數之群組,各該群組具有:第一設備群,包含該第一液體配管及該第一液體饋送機構;及第二設備群,包含該第二液體配管及該第二液體饋送機構; 該複數之群組,係配置為於俯視時呈點對稱。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之基板液體處理裝置,其中, 該處理部具備第一處理部與第二處理部,該第一處理部與該第二處理部係設置於夾隔著該搬運部而對向的位置; 該第一處理部、該第二處理部及該搬運部係收納於可分割之收納部,該收納部在收納該第一處理部及該搬運部的部分,與收納該第二處理部的部分之間為可分割。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-253576 | 2014-12-16 | ||
JP2014253576 | 2014-12-16 | ||
JP2015-208586 | 2015-10-23 | ||
JP2015208586A JP6454629B2 (ja) | 2014-12-16 | 2015-10-23 | 基板液処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201639067A true TW201639067A (zh) | 2016-11-01 |
TWI632634B TWI632634B (zh) | 2018-08-11 |
Family
ID=56142354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104141847A TWI632634B (zh) | 2014-12-16 | 2015-12-14 | 基板液體處理裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10573539B2 (zh) |
JP (1) | JP6454629B2 (zh) |
CN (1) | CN107112226B (zh) |
TW (1) | TWI632634B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427627A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
TWI825077B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-12-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6640041B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-02-05 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置及び基板処理装置 |
JP6675955B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7122140B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP7314634B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP7382164B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5863348A (en) * | 1993-12-22 | 1999-01-26 | International Business Machines Corporation | Programmable method for cleaning semiconductor elements |
JP4100466B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP4298384B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2009-07-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 液供給装置および基板処理装置 |
CN1840247A (zh) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | 株式会社华祥 | 洗涤装置及洗涤方法 |
JP2007273510A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびその製造方法 |
JP4767783B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2010232244A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理槽洗浄方法および基板処理装置 |
JP5302781B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを格納した記憶媒体 |
-
2015
- 2015-10-23 JP JP2015208586A patent/JP6454629B2/ja active Active
- 2015-12-14 TW TW104141847A patent/TWI632634B/zh active
- 2015-12-15 US US15/535,882 patent/US10573539B2/en active Active
- 2015-12-15 CN CN201580068790.XA patent/CN107112226B/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427627A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
CN109427627B (zh) * | 2017-08-28 | 2024-03-22 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
TWI825077B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-12-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI632634B (zh) | 2018-08-11 |
JP2016115924A (ja) | 2016-06-23 |
JP6454629B2 (ja) | 2019-01-16 |
US20180358240A1 (en) | 2018-12-13 |
CN107112226A (zh) | 2017-08-29 |
CN107112226B (zh) | 2020-06-09 |
US10573539B2 (en) | 2020-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201639067A (zh) | 基板液體處理裝置 | |
US10128132B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
KR102434098B1 (ko) | 기판 액처리 장치 | |
KR102518708B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102228490B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 액 공급 장치 | |
CN110875220A (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
US11742226B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
CN113203256A (zh) | 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法 | |
KR102384082B1 (ko) | 기판 액 처리 장치 | |
CN108292597B (zh) | 液处理装置 | |
KR200496544Y1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20230131562A1 (en) | Liquid supply unit, substrate treating apparatus, and bottle replacing method | |
KR102022954B1 (ko) | 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치 | |
JP3888905B2 (ja) | めっき装置 | |
KR20150069524A (ko) | 전환 밸브, 액 처리 장치 |