TW201631082A - 晶圓加工用膠帶 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供可以減少標籤痕跡的產生且可以減少在接著劑層與黏合膜之間捲繞空氣(air)的晶圓加工用膠帶。其特徵在於，具有：長的脫模膜(11)；接著劑層(12)，設置在脫模膜(11)的第1面上、且具有既定的平面形狀；黏合膜(13)，具有標籤部(13a)和包圍標籤部(13a)的外側的周邊部(13b)，標籤部(13a)以覆蓋接著劑層(12)、且在接著劑層(12)的周圍與脫模膜(11)接觸的方式設置，並且具有既定的平面形狀；以及支承構件(14)，設置在脫模膜(11)的與第1面相反的第2面上，且在比接著劑層(12)的在脫模膜(11)的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域中、沿脫模膜(11)的短邊方向設置有多個。

Description

晶圓加工用膠帶

本發明涉及晶圓加工用膠帶，特別是涉及具有晶粒切割帶和晶粒接合膜的2個功能的晶圓加工用膠帶。

最近，正在開發一種晶粒切割/晶粒接合帶，其兼具將半導體晶圓切斷分離(晶粒切割)為各個晶片時用於固定半導體晶圓的晶粒切割帶、和用於將切斷後的半導體晶片黏接著於引線框架或封裝基板等、或者在堆疊封裝中用於將半導體晶片彼此層疊、黏接著的晶粒接合膜(也稱為晶粒貼裝膜)的2個功能。

作為這樣的晶粒切割/晶粒接合帶，考慮到向晶圓的貼附、晶粒切割時的向環形框架的安裝等的操作性，有時實施了預切割加工。

在圖4和圖5中示出預切割加工後的晶粒切割/晶粒接合帶的例子。圖4是表示將晶粒切割/晶粒接合帶捲繞為捲筒狀的狀態的圖，圖5(a)是晶粒切割/ 晶粒接合帶的俯視圖，圖5(b)是基於圖5(a)的線B-B的剖面圖。晶粒切割/晶粒接合帶50包含脫模膜51、接著劑層52和黏合膜53。接著劑層52加工為與晶圓的形狀對應的圓形，具有圓形標籤形狀。黏合膜53中除去了與晶粒切割用的環形框架的形狀對應的圓形部分的周邊區域，如圖所示，具有圓形標籤部53a和包圍其外側的周邊部53b。接著劑層52與黏合膜53的圓形標籤部53a以將其中心對齊的方式層疊，另外，黏合膜53的圓形標籤部53a覆蓋接著劑層52且在其周圍與脫模膜51接觸。

將晶圓晶粒切割時，從層疊狀態的接著劑層52和黏合膜53剝離脫模膜51，如圖6所示，在接著劑層52上貼附半導體晶圓W的背面，在黏合膜53的圓形標籤部53a的外周部黏合固定晶粒切割用環形框架R。在該狀態下將半導體晶圓W晶粒切割，之後，對黏合膜53實施紫外線照射等固化處理後拾取半導體晶片。此時，黏合膜53由於固化處理而黏合力降低，因此容易從接著劑層52剝離，在背面附著了接著劑層52的狀態下拾取半導體晶片。附著於半導體晶片的背面的接著劑層52在之後將半導體晶片接著於引線框架、封裝基板、或其他半導體晶片時，作為晶粒接合膜起作用。

另外，就像上述那樣的晶粒切割/晶粒接合帶50而言，接著劑層52與黏合膜53的圓形標籤部53a層疊的部分比黏合膜53的周邊部53b厚。因此，作為製品捲繞成捲筒狀時，接著劑層52與黏合膜53的圓形標籤 部53a的層疊部分、與黏合膜53的周邊部53a的高度差相互重疊，發生在柔軟的接著劑層52表面轉印高度差的現象，即圖7所示的那樣的轉印痕(也稱為標籤痕跡、皺紋、或捲繞痕跡)。這樣的轉印痕的產生特別是在接著劑層52由柔軟的樹脂形成的情況、存在厚度的情況和帶50的捲繞數多的情況等顯著。然後，若產生轉印痕，則存在由接著劑層與半導體晶圓的接著不良導致在晶圓的加工時產生不良情況的可能性。

為瞭解決這樣的問題，正在開發一種晶圓加工用膠帶，其為脫模膜的與設置了接著劑層和黏合膜的第1面相反的第2面上、且在脫模膜的短邊方向的兩端部設置了支承構件(例如，參照專利文獻1)。這樣的晶圓加工用膠帶設置了支承構件，因此在將晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀時，可以將對帶施加的捲繞壓力分散、或集中于支承構件，因此，可以抑制向接著劑層的轉印跡的形成。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第4360653號公報

黏合膜覆蓋接著劑層且在其周圍與脫模膜接觸，但根據接著劑層的厚度，有時在脫模膜與黏合膜之間 產生極小的空隙、殘留空氣(air)。上述專利文獻1中記載的晶圓加工用膠帶在脫模膜的短邊方向兩端部設置了支承構件。因此，在將晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀的狀態中，標籤部與在其上捲繞的脫模膜之間成為中空結構，支承構件為了防止標籤痕跡需要設置為較大的寬度，出現了存在上述空氣(air)不能向標籤部的外側移動、侵入接著劑層與黏合膜之間的可能性的問題。在接著劑層與黏合膜之間侵入的空氣(air)也稱為孔隙，存在產生對半導體晶圓W的貼合不良、造成之後的半導體晶圓W的晶粒切割程序或晶片的拾取程序、接合程序的成品率的降低的可能性。

因此，本發明的課題在於提供可以減少標籤痕跡的產生、且減少在接著劑層與黏合膜之間捲繞空氣(air)的晶圓加工用膠帶。

為瞭解決以上的課題，本發明所涉及的晶圓加工用膠帶的特徵在於具有：長的脫模膜；接著劑層，設置在前述脫模膜的第1面上、且具有既定的平面形狀；黏合膜，具有標籤部和包圍前述標籤部的外側的周邊部，前述標籤部以覆蓋前述接著劑層、且在前述接著劑層的周圍與前述脫模膜接觸的方式設置，並且具有既定的平面形狀；以及支承構件，設置在前述脫模膜的與設置有前述接著劑層和前述黏合膜的第1面相反的第2面上，且在比前 述接著劑層的在前述脫模膜的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域中、沿前述脫模膜的短邊方向設置有多個。

上述半導體加工用膠帶優選在前述一個區域中設置的前述支承構件中，靠近前述接著層的一側的厚度最厚。

另外，上述半導體加工用膠帶優選上述支承構件的各自的寬度為10~15mm、設置於上述一個區域中的上述支承構件之間的間隔為5mm以上。

根據本發明，可以減少標籤痕跡的產生、且減少在接著劑層與黏合膜之間捲繞空氣(air)。

10‧‧‧晶圓加工用膠帶

11‧‧‧脫模膜

12‧‧‧接著劑層

13‧‧‧黏合膜

13a‧‧‧圓形標籤部

13b‧‧‧周邊部

14、14'、14"‧‧‧支承構件

圖1的(a)是本發明的實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的俯視圖，(b)是(a)的基於線A-A的剖面圖。

圖2是本發明的另一實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

圖3是本發明的進一步另一實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

圖4是以往的晶圓加工用膠帶的立體圖。

圖5的(a)為以往的晶圓加工用膠帶的俯視圖，(b)為(a)的基於線B-B的剖面圖。

圖6為顯示晶圓加工用膠帶與晶粒切割用環形框架貼合的狀態的剖面圖。

圖7為用於說明以往的晶圓加工用膠帶的不良情況的示意圖。

以下基於附圖對本發明的實施方式詳細地說明。圖1(a)是本發明的實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶(晶粒切割/晶粒接合帶)的俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的基於線A-A的剖面圖。

如圖1(a)和圖1(b)所示，晶圓加工用膠帶10具有長的脫模膜11、接著劑層12、黏合膜13和支承構件14。

接著劑層12設置於脫模膜的第1面上，具有與晶圓的形狀對應的圓形標籤形狀。黏合膜13具有圓形標籤部13a和包圍該圓形標籤部13a的外側的周邊部13b，前述圓形標籤部13a以覆蓋接著劑層12、且在接著劑層12的周圍與脫模膜接觸的方式設置。周邊部13b包括將圓形標籤部13a的外側完全包圍的形態、和如圖所示的不完全包圍的形態。圓形標籤部13a具有與晶粒切割用的環形框架對應的形狀。而且，支承構件14設置在脫模膜11的與設置有接著劑12和黏合膜13的第1面11a相反的第2面11b上，且在比接著劑層12的在脫模膜11的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域r中、沿前述脫模 膜11的短邊方向設置有多個。

以下，對本實施方式的晶圓加工用膠帶10的各構成要素詳細地說明。

(脫模膜)

作為本發明的晶圓加工用膠帶10中使用的脫模膜11，可以使用聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烴(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、或將這些材料一部分置換從而進一步將接著性、機械強度提高了的膜。另外，可以為這些膜的層疊體。

脫模膜的厚度沒有特別限制，可以適當設定，但優選25~50μm。

(接著劑層)

本發明的接著劑層12如上前述，具有在脫模膜11的第1面11a上形成、與晶圓的形狀對應的圓形標籤形狀。

接著劑層12在貼合併晶粒切割半導體晶圓等後，在拾取晶片時，附著於晶片背面，作為將晶片固定於基板、引線框架時的接著劑使用。作為接著劑層12，可以優選使用含有選自環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂，酚系樹脂中的至少1種的黏接著劑等。除此以外，也可以使用聚醯亞胺系樹脂、矽酮系樹脂。其厚度可以適當設定，但優選5~100μm左右。

(黏合膜)

本發明的黏合膜13如上前述，具有與晶粒切割用的環形框架的形狀對應的圓形標籤部13a和包圍其外側的周邊部13b。可以通過預切割加工，從膜狀黏合劑除去圓形標籤部13a的周邊區域來形成這樣的黏合膜。

作為黏合膜13，沒有特別限制，只要具有將晶圓晶粒切割時晶圓不剝離的充分的黏合力，在晶粒切割後拾取晶片時表現出可以容易地從接著劑層剝離的低的黏合力即可。例如，可以適宜地使用在基材膜設置了黏合劑層的黏合膜。

作為黏合膜13的基材膜，只要為以往公知的基材膜就可以沒有特別限制地使用，但使用放射線固化性的材料作為後述的黏合劑層時，優選使用具有放射線透射性的基材膜。

例如，作為其材料，可舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或它們的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體、和它們的混合物。另外，基材膜可以為選自它們的組中的2種以上的材料混合而成的基材膜，也可以是將它們單層或多層化而成的基材膜。

基材膜的厚度沒有特別限制，可以適當設定，但優選 50~200μm。

作為黏合膜13的黏合劑層中使用的樹脂，沒有特別限制，可以使用黏合劑中使用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。

優選在黏合劑層13的樹脂中適當配合丙烯酸系黏合劑、放射線聚合性化合物、光聚合引發劑、固化劑等來製備黏合劑。黏合劑層13的厚度沒有特別限制而可以適當設定，但優選5~30μm。

可以在黏合劑層中配合放射線聚合性化合物並通過放射線固化而使得容易從接著劑層剝離。該放射線聚合性化合物可以使用例如能通過光照射而三維網狀化的在分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分量化合物。

具體地，能應用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡丙烯酸酯(Oligoester acrylate)等。

另外，除了像上述那樣的丙烯酸酯系化合物以外，也可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。可以使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-亞二甲苯基二異氰酸酯、1,4-亞二甲苯基二異氰酸酯、二 苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得的末端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物與具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應來得到氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。

在黏合劑層中，可以為選自上述的樹脂中的2種以上混合而成的混合物。

使用光聚合引發劑時，可以使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮(dodecyl thioxanthone)、二甲基噻噸酮(Dimethyl thioxanthone)、二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮(benzyldimethylketal)、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發劑的配合量相對於丙烯酸系共聚物100質量份優選0.01~5質量份。

(支承構件)

在脫模膜11的與設置了接著劑12和黏合膜13的第1面11a相反的第2面11b、且在比接著劑層12的在脫模膜11的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域r中，在脫模膜11的短邊方向設置有多個支承構件14。通過像這樣設置支承構件14，在將晶圓加工用膠帶10捲繞為捲筒狀時，可以將對帶施加的捲繞壓力分散、或集中于支承構件14，因此變得能抑制對接著劑層12的轉印跡的形成。

另外，通過在比接著劑層12的在脫模膜11的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域r中在脫模膜11的短邊方向設置多個支承構件14，可以減小欲在一個區域r中設置的一個支承構件14的寬度(脫模膜11的短邊方向的長度)。像現有專利文獻1中記載的晶圓加工用膠帶那樣支承構件的寬度大的情況下，在捲繞成捲筒狀的狀態下，黏合膜上表面被支承構件按壓，因此根據接著劑層12的厚度，在脫模膜11與圓形標籤部13a之間產生的間隙中殘留的空氣(air)不能向圓形標籤部13a的外側移動，但在支承構件14的寬度小的情況下，黏合膜13的上表面被支承構件14按壓的區域在脫模膜11的短邊方向中變小，因此對抗其擠壓力，在脫模膜11與圓形標籤部13a之間的間隙中殘留的空氣(air)可以向圓形標籤部13a的外側移動。

此外，比接著劑層12的在脫模膜11的短邊方向上的端部更靠外側的區域如圖1所示，在脫模膜11的紙面右側端部和紙面左側端部存在2處，由於要在一個區域r中在脫模膜11的短邊方向設置多個支承構件14，因此不包括在脫模膜11的紙面右側端部和紙面左側端部分別設置1個情況。

此外，圖1中，分別在脫模膜11的紙面右側端部和紙面左側端部設置了2個支承構件14，但只要為2個以上就沒有特別限定。另外，也可以在脫模膜11的紙面右側端部和紙面左側端部中的任意一側端部設置多個支 承構件14。

在設置了接著劑12和黏合膜13的第1面11a形成支承構件時，對支承層的寬度存在限制，與此相對，在本實施方式的構成中，可以更廣泛地確保支承構件14的寬度，可以更有效地抑制轉印痕的產生。進一步，通過在脫模膜11的第2面11b設置支承構件14，可以得到對支承構件14的位置偏移的容許度變大的效果。

支承構件14優選各自的寬度為10~15mm、在一個區域r中設置的支承構件14之間的間隔為5mm以上。通過將各支承構件14的寬度設置為10~15mm，空氣對抗基於支承構件14的擠壓力而變得更容易被排出至標籤部13a的外側。另外，通過將在一個區域r中設置的支承構件14之間的間隔設置為5mm以上，可以形成向外側移動的空氣可以進入的間隙，因此空氣變得更容易被排出至標籤部13a的外側。

作為支承構件14的厚度，與脫模膜11上的接著劑層12與黏合膜13的圓形標籤部13a的層疊部分、與黏合膜13的周邊部13b的高度差所相當的厚度、即接著劑層12相同或其以上即可。圖2是顯示比接著劑層12更厚的支承構件14’的例子的剖面圖。

通過支承構件具有這樣的厚度，在捲繞帶10時，黏合膜13和與其表面重疊的脫模膜11的第2面11b接觸、或不接觸地在它們之間形成空間，因此不會經由黏合膜13而向柔軟的接著劑層12強烈按壓脫模膜11的第2面 11b。由此，可以更有效地抑制轉印痕的產生。

在一個區域r中設置的支承構件14可以將靠近接著層12的一側的厚度設置為最厚。由此，在捲繞為捲筒狀的狀態下，標籤部13a的外側的基於支承構件14的擠壓力低，因此空氣變得容易被排出至標籤部13a的更外側。

支承構件14可以沿脫模膜11的長邊方向間斷地或連續地設置，但從更有效地抑制轉印痕的產生的觀點考慮，優選沿基材膜11的長邊方向連續地設置。

另外，支承構件14從防止晶圓加工用膠帶10的捲繞偏移的觀點考慮，優選對黏合膜13具有某種程度的摩擦係數的材質。由此，可以防止晶圓加工用膠帶10的捲繞偏移，得到可以高速捲繞、使捲繞數增大的效果。

另外，支承構件14與黏合膜13的基材膜之間的靜摩擦係數優選為0.2~2.0，更優選為0.6~1.6。若將晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀，則在脫模膜11的第1面11a側設置的黏合膜13的周邊部13a與在脫模膜11的第2面11b側設置的支承構件14接觸，因此支承構件14與黏合膜13的基材膜之間的靜摩擦係數小至低於0.2時，在製造時、使用時變得容易發生捲繞偏移而操作性惡化。另一方面，大於2.0時，黏合膜13的基材膜與支承構件14之間的阻力過大，成為製造程序的操作性惡化、或高速捲繞時等彎曲行進的原因。因此，通過將兩者間的靜摩擦係數設置為上述範圍，可以防止晶圓加工用膠帶10的 捲繞偏移，得到使得能高速捲繞、可以使捲繞數增大的效果。

本發明中，可以依據JIS K7125，通過以下那樣的測定方法得到支承構件14與黏合膜13的基材膜之間的靜摩擦係數。

使分別切割為25mm(寬度)×100mm(長度)的黏合膜13的基材膜與支承構件14的兩膜樣品重合，固定下側的膜。接著，在層疊的膜上載置重量200g的重物作為載荷W，將上側的膜以200mm/min的速度拉伸，測定滑出時的力Fd(g)，通過以下的式求出靜摩擦係數(μd)。

μd=Fd/W

作為支承構件14，例如可以適宜地使用在樹脂膜基材塗布了黏接著劑的黏接著帶。通過在脫模膜11的第2面11b的兩端部分的既定位置貼附這樣的黏接著帶，可以形成本實施方式的晶圓加工用膠帶10。

作為黏接著帶的基材樹脂，只要滿足上述線性膨脹係數的範圍且能耐捲繞壓力就沒有特別限定，但從耐熱性、平滑性、和獲得容易度方面考慮，優選從聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、和高密度聚乙烯中選擇。

關於黏接著帶的黏合劑的組成和物性，沒有特別限定，只要在帶10的捲繞程序和保管程序中不從脫模膜11 剝離即可。

另外，作為支承構件14，可使用著色後的支承構件。通過使用這樣的著色支承構件，在將晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀時，可以明確地識別帶的種類。例如，通過根據晶圓加工用膠帶的種類、厚度而使著色支承構件14的顏色不同，可以容易地識別帶的種類、厚度，可以抑制、防止人為的錯誤的發生。

[實施例]

接著，對本發明的實施例進行說明，但本發明不限於這些實施例。

(1)黏合膜的製作

(黏合膜1A)

在溶劑甲苯400g中適當調整滴下量而滴入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作為聚合引發劑的過氧化苯甲醯的混合液，調整反應溫度和反應時間，得到具有官能團的化合物(1)的溶液。

接著在該聚合物溶液中，適當調整滴下量而加入作為具有放射線固化性碳-碳雙鍵和官能團的化合物(2)的、另行由甲基丙烯酸和乙二醇合成的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯2.5g、作為阻聚劑的氫醌並調整反應溫度和反應時間，得到具有放射線固化性碳-碳雙鍵的化合物(A)的溶液。 接著，在化合物(A)溶液中相對於化合物(A)溶液中的化合物(A)溶液中的化合物(A)100質量份加入作為多異氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司制：coronate L 1質量份、作為光聚合引發劑的日本汽巴嘉基公司制：Irgacure-184 0.5質量份、作為溶劑的乙酸乙酯150質量份並混合，製備了放射線固化性的黏合劑組合物。

接著，在厚度100μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以乾燥膜厚為20μm的方式塗敷製備的黏合劑層組合物，在110℃乾燥3分鐘，製作了黏合膜1A。

(2)脫模膜

使用了以下所示的脫模膜2A。

脫模膜2A：厚度38μm的脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜

(3)接著劑層的形成

(接著劑層3A)

在包含作為環氧樹脂的甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型環氧樹脂(環氧當量197，分子量1200，軟化點70℃)50質量份、作為矽烷偶聯劑的γ-巰基丙基三甲氧基矽烷1.5質量份、γ-醯基丙基三乙氧基矽烷3質量份、平均粒徑16nm的二氧化矽填料30質量份的組合物中加入環己酮並攪拌混合，進一步使用珠磨機混練90分鐘。

在其中加入丙烯酸類樹脂(質均分子量：80萬，玻 璃化轉變溫度-17℃)100質量份、作為6官能丙烯酸酯單體的二季戊四醇六丙烯酸酯5質量份、作為固化劑的六亞甲基二異氰酸酯的加合體0.5質量份、Curezol 2PZ(四國化成(株)制商品名，2-苯基咪唑)2.5質量份，攪拌混合，真空脫氣，得到接著劑。

在脫模膜2A上塗布上述接著劑，在110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為20μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模膜2A上形成接著劑層3A，冷藏保管。

(接著劑層3B)

在脫模膜2A上塗布上述接著劑，在110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為60μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模膜2A上形成接著劑層3B，冷藏保管。

(接著劑層3C)

在脫模膜2A上塗布上述接著劑，在110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為120μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模膜2A上形成接著劑層3C，冷藏保管。

(4)支承構件的製作

(支承構件4A)

將丙烯酸類樹脂(質均分子量：60萬，玻璃化轉變溫度-20℃)100質量份、作為固化劑的多異氰酸酯化合物(日本聚氨酯(株)制，商品名：coronate L)10質量份混合而得到黏合劑組合物。

將上述黏合劑組合物以乾燥膜厚為20μm的方式塗敷於厚度40μm的低密度聚乙烯膜，在110℃乾燥3分鐘，將得到的黏接著帶切斷為寬度10mm，製作了支承構件4A。

(支承構件4B)

除了將上述得到的黏接著帶切斷為寬度15mm以外，與支承構件4A同樣地，製成了支承構件4B。

(支承構件4C)

除了將上述得到的黏接著帶切斷為寬度25mm以外，與支承構件4A同樣地，製成了支承構件4C。

(支承構件4D)

在厚度40μm的低密度聚乙烯膜以乾燥膜厚為32μm的方式塗敷上述黏合劑組合物，在110℃乾燥3分鐘，將得到的黏接著帶切斷為寬度10mm，製作了支承構件4D。

(支承構件4E)

除了將上述得到的黏接著帶切斷為寬度15mm以外， 與支承構件4D同樣地，製成了支承構件4E。

(支承構件4F)

除了將上述得到的黏接著帶切斷為寬度25mm以外，與支承構件4D同樣地，製成了支承構件4F。

(支承構件4G)

在厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜以乾燥膜厚為30μm的方式塗敷上述黏合劑組合物，在110℃乾燥3分鐘，將得到的黏接著帶切斷為寬度15mm，製作了支承構件4G。

(支承構件4H)

除了將上述得到的黏接著帶切斷為寬度25mm以外，與支承構件4G同樣地，製成了支承構件4H。

(實施例1)

使冷藏保管後的形成有接著劑層3A的脫模膜2A恢復至常溫，對於接著劑層，以向脫模膜的切入深度為10μm以下的方式調整而進行了直徑220mm的圓形預切割加工。之後，除去接著劑層的不需要部分，以使黏合膜1A的黏合劑層與接著劑層接觸的方式，在室溫層壓脫模膜2A。然後，對於黏合膜1A，以向脫模膜的切入深度為10μm以下的方式調節而以與接著劑層同心圓狀進行了直 徑290mm的圓形預切割加工。接著，在脫模膜2A的與設置了接著劑層和黏合膜的第1面相反的第2面、且在脫模膜2A的短邊方向兩端部的區域r隔開10mm的相互間隔貼合支承構件4A，製作了具有圖1所示的結構的實施例1的晶圓加工用膠帶。

(實施例2)

除了使用支承構件4G來代替支承構件4A、將支承構件間的間隔設置為5mm以外，與實施例1同樣地，製作了實施例2的晶圓加工用膠帶。

(實施例3)

除了使用支承構件4D來代替支承構件4A、使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，與實施例1同樣地，製作了實施例3的晶圓加工用膠帶。

(實施例4)

除了使用支承構件4G來代替支承構件4D、將支承構件間的間隔設置為5mm以外，與實施例3同樣地，製作了實施例4的晶圓加工用膠帶。

(實施例5)

除了使用接著劑層3C來代替接著劑層3B以外，與實施例4同樣地，製作了實施例5的晶圓加工用膠帶。

(實施例6)

除了在靠近接著劑層一側使用支承構件G、在端部側使用支承構件E以外，與實施例5同樣地，製作了實施例6的晶圓加工用膠帶。

(比較例1)

使冷藏保管後的形成有接著劑層3A的脫模膜2A恢復至常溫，對於接著劑層，以向脫模膜的切入深度為10μm以下的方式調整而進行了直徑220mm的圓形預切割加工。之後，除去接著劑層的不需要部分，以使黏合膜1A的黏合劑層與接著劑層接觸的方式，在室溫層壓脫模膜2A。然後，對於黏合膜1A，以向脫模膜的切入深度為10μm以下的方式調節而以與接著劑層同心圓狀進行直徑290mm的圓形預切割加工，留下圓形標籤部和周邊部，除去了其他不需要部分。接著，在脫模膜2A的與設置了接著劑層和黏合膜的第1面相反的第2面、且在脫模膜2A的短邊方向兩端部分別貼合一個支承構件4C，製作了現有專利文獻1的具有圖1所示的結構的比較例1的晶圓加工用膠帶。

(比較例2)

除了使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，與比較例1同樣地，製作了比較例2的晶圓加工用膠帶。

(比較例3)

除了使用支承構件4H來代替支承構件4C、使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，與比較例1同樣地，製作了比較例3的晶圓加工用膠帶。

(比較例4)

除了使用支承構件4H來代替支承構件4C、使用接著劑層3C來代替接著劑層3A以外，與比較例1同樣地，製作了比較例4的晶圓加工用膠帶。

(比較例5)

除了不設置支承構件以外，與比較例2同樣地，製作了比較例5的晶圓加工用膠帶。

[標籤痕跡的抑制性的評價]

以圓形形狀的黏合膜的數目為300張的方式，將實施例和比較例的晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀，製作了晶圓加工用膠帶捲筒。在冰箱內(5℃)保管得到的晶圓加工用膠帶捲筒1個月。之後，使晶圓加工用膠帶捲筒恢復至室溫後解開捲筒，目視觀察標籤痕跡的有無，基於以下的評價基準，以○、△、×的3個等級評價了晶圓加工用膠帶的轉印痕的抑制性。在表1和表2中示出結果。

○(良品)：從各種角度目視觀察也無法確認標籤痕 跡

△(容許品)：可以確認標籤痕跡但沒到對半導體裝置的加工程序造成影響的程度

×(不良品)：可以確認存在對半導體裝置的加工程序帶來影響的可能性的標籤痕跡

[空氣的捲入的抑制性的評價]

以圓形形狀的黏合膜的數目為200張的方式，將實施例和比較例的晶圓加工用膠帶捲繞為捲筒狀，製作了晶圓加工用膠帶捲筒。將得到的晶圓加工用膠帶捲筒放入包裝袋，在冰箱內(5℃)保管1個月後，在帶表面成為-50℃的乾冰氣氛下保管3天。之後，使晶圓加工用膠帶捲筒恢復至常溫後將包裝袋開封，解開捲筒，目視觀察空氣的有無，將空氣被排出至圓形標籤部的外側、在接著劑層與黏合膜的圓形標籤部之間沒有空氣的捲入的評價為○(良品)，將空氣沒有完全排出至圓形標籤部的外側而一部份殘留、但在接著劑層與黏合膜的圓形標籤部之間沒有空氣的捲入的評價為△(容許品)，將在接著劑層與黏合膜的圓形標籤部之間有空氣的捲入的評價為×(不良品)，評價了晶圓加工用膠帶的空氣的捲入的抑制性。在表1和表2中示出結果。

如表1所示，實施例1~6所涉及的晶圓加工用膠帶，在脫模膜的與第1面相反的第2面上、且在比接著劑層的在脫模膜的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域中在脫模膜的短邊方向設置有多個支承構件，因此標籤 痕跡的抑制性、空氣的捲入的抑制性都成為良好的結果。在靠近接著層的一側的支承構件的厚度最厚的實施例6中，空氣的捲入的抑制性中成為特別優異的結果。

與此相對，在比接著劑層的在脫模膜的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域中在脫模膜的短邊方向僅設置了1個支承構件的比較例1~4所涉及的晶圓加工用膠帶，如表2所示，空氣的捲入的抑制性成為差的結果。沒有設置支承構件的比較例5所涉及的晶圓加工用膠帶在空氣的捲入的抑制性中成為優異的結果，但標籤痕跡的抑制性中成為差的結果。

10‧‧‧晶圓加工用膠帶

11‧‧‧脫模膜

11a‧‧‧第1面

11b‧‧‧第2面

12‧‧‧接著劑層

13‧‧‧黏合膜

13a‧‧‧圓形標籤部

13b‧‧‧周邊部

14‧‧‧支承構件

Claims (3)

1. 一種晶圓加工用膠帶，其特徵在於：具有：長的脫模膜；接著劑層，在前述脫模膜的第1面上設置、且具有既定的平面形狀，黏合膜，具有標籤部和包圍前述標籤部的外側的周邊部，前述標籤部以覆蓋前述接著劑層、且在前述接著劑層的周圍與前述脫模膜接觸的方式設置，並且具有既定的平面形狀；以及支承構件，設置在前述脫模膜的與設置有前述接著劑層和黏合膜的第1面相反的第2面上，且在比前述接著劑層的在前述脫模膜的短邊方向上的端部更靠外側的一個區域中、沿前述脫模膜的短邊方向設置有多個。
2. 根據申請專利範圍第1項的晶圓加工用膠帶，其中，在前述一個區域中設置的前述支承構件中，靠近前述接著層的一側的厚度最厚。
3. 根據申請專利範圍第1或2項的晶圓加工用膠帶，其中，前述支承構件的各自的寬度為10~15mm，在前述一個區域中設置的前述支承構件之間的間隔為5mm以上。