TW201610612A - 光阻用廢棄剝離劑的回收製程 - Google Patents

Abstract

本發明是關於一種光阻用廢棄剝離劑的回收製程，其包含以下步驟：使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸。

Description

光阻用廢棄剝離劑的回收製程

本發明是關於一種光阻用廢棄剝離劑的回收製程。

更具體言之，本發明是關於一種光阻用廢棄剝離劑的回收製程，其可以縮短原材料之分析時間及添加劑之稀釋時間，由此提高生產率且降低成本，且亦可定量地引入原材料及添加劑，由此減少回收之前的新鮮的光阻用剝離劑與回收的光阻用剝離劑之間的含量變化。

液晶顯示裝置之微電路或半導體積體電路之製造製程包含以下若干步驟：在基板上形成多種下部膜(諸如由鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬或鉬合金製成之導電金屬膜)或絕緣膜（諸如氧化矽膜、氮化矽膜或丙烯醯基絕緣膜（acryl insulating film））；在所述下部膜上均勻塗佈光阻；視情況使經塗佈之光阻曝光及顯影以形成光阻圖案；及用所述光阻圖案作為遮罩對所述下部膜進行圖案化。

在此等圖案化步驟之後，執行移除殘留於下部膜上之光阻的製程。出於此目的，使用一種用於移除光阻之剝離劑組成物。

同時，廢棄剝離劑主要產生於電子部件(諸如液晶顯示裝置之半導體晶圓或玻璃基板)的製造製程期間。廢棄剝離劑不僅含有剝離劑溶劑，而且亦含有光阻樹脂、水及諸如重金屬的雜質。

此等廢棄剝離劑主要以作為所述製程之燃料的形式焚燒或進行低量回收。因此，其可能經由低效能量消耗而引起二次污染以及環境污染，且IT行業中公司之企業競爭力會變弱。

此外，隨著IT技術之迅速發展，以所排出的廢棄剝離劑量最高之LCD製造而言，已經運行能夠製造商業化40吋至47吋LCD面板以及82吋大小之產品的第7代生產線。基於已經建立的第8代及第9代生產線之開發計劃，LCD基板之大小迅速地增長且基板之類型亦多樣化。與此相關之剝離劑溶劑量也會顯著地成比例增加。

考慮到此現實情況，迫切需要廢棄剝離劑的回收技術，所述技術不僅提供對廢棄剝離劑之基本回收，而且亦能夠以低成本製造高純度的經回收剝離劑溶劑。

因此，已經提出用於回收剝離劑之技術，所述技術藉由純化廢棄剝離劑以回收相應原材料，接著分析所述原材料，且向其中添加稀釋於溶劑中的添加劑來進行。

然而，對於回收相應原材料、分析回收之材料及在溶劑中稀釋添加劑而言，要花費許多時間及金錢，且使製程效率降低。另外，在溶劑中稀釋添加劑及添加所述添加劑的過程中，會發生顯著變化且因此具有難以定量引入添加劑之缺點。

因此，需要開發一種用於回收廢棄剝離劑之新製程，所述製程能夠減少材料分析及在溶劑中稀釋所需之時間，並且能夠定量地引入添加劑。

本發明的一個目的是提供一種用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其能夠縮短原材料之分析時間及添加劑之稀釋時間，由此提高生產率且降低成本，而且亦製造出品質與回收之前的新鮮的光阻用剝離劑相當的經回收剝離劑。

在本發明中，提供一種用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其包含以下步驟：使含有以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸。

在下文中，將更詳細地描述根據本發明之具體實施例的光阻用廢棄剝離劑之回收製程。

根據本發明的一個實施例，提供一種用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其包含以下步驟：使含有以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸。

本發明人經由多次實驗發現，當使用如上文所描述的用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程時，由於使用了包含預定量的製造光阻用剝離劑所需之材料的經回收液體，有可能縮短原材料之分析時間及添加劑之稀釋時間，由此提高生產率且降低成本，而且亦可能定量地引入所述原材料及添加劑，由此製造出品質與回收之前新鮮的光阻用剝離劑相當的經回收剝離劑產物。本發明人基於此發現完成本發明。

具體言之，所述用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程可以包含以下步驟：使含有以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑溶液接觸。

在上述經回收液體中，在已經完成分析及過濾之狀態下，在伸烷基二醇化合物溶劑中稀釋未包含在純化的光阻用廢棄剝離劑液體中之添加劑，且由此可以縮短分析時間及過濾時間，從而降低成本。

此外，由於可以準確地引入欲少量引入的添加劑之量，因此有可能製造出品質與回收之前新鮮的光阻用剝離劑相當的經回收剝離劑產物。

所述經回收液體可以包含至少一種胺化合物。胺化合物是展現剝離能力之組分，且其可以用於溶解光阻且將其移除。

所用胺化合物的實例可以包含（但不特定地限於）鏈狀胺化合物，諸如(2-胺基乙氧基)-1-乙醇（(2-aminoethoxy)-1- ethanol，AEE）、胺基乙基乙醇胺（aminoethylethanolamine，AEEA）、單甲醇胺、單乙醇胺、N-甲基乙基胺（N-methylethylamine，N-MEA）、1-胺基異丙醇（1-aminoisopropanol，AIP）、甲基二甲胺（methyl dimethylamine，MDEA）、二伸乙基三胺（diethylenetriamine，DETA）、2-甲基胺基乙醇（2-methylaminoethanol，MMEA）、3-胺基丙醇（3-aminopropanol，AP）、二乙醇胺（diethanolamine，DEA）、二乙胺基乙醇（diethylaminoethanol，DEEA）、三乙醇胺（triethanolamine，TEA）及三伸乙基四胺（triethylenetetraamine，TETA）；或環狀胺化合物，諸如咪唑基-4-乙醇（imidazolyl-4-ethanol，IME）、胺基乙基哌嗪（aminoethylpiperazine，AEP）及羥基乙基哌嗪（hydroxyethylpiperazine，HEP）。

經回收液體可以包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物。

若以經回收溶液之總重量計，所述至少一種胺化合物之含量小於40重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中胺化合物之含量降低，經回收光阻用剝離劑之剝離能力會減小。

若以經回收溶液之總重量計，所述至少一種胺化合物之含量大於75重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中胺化合物之含量過度增加，此可能引起下部膜（例如含銅膜）之腐蝕，因此可能有必要使用大量腐蝕抑制劑來抑制腐蝕。

在此情況下，由於使用了大量腐蝕抑制劑，大量腐蝕抑制劑會經吸收且保留在下部膜之表面上，由此降低含銅下部膜及類似膜之電特性。

由於經回收液體中包含伸烷基二醇化合物，故可以使用本領域技術人員所熟知之材料，但其類別不受特定限制。

舉例而言，本文所使用的伸烷基二醇化合物可以包含雙(2-羥乙基)醚、二乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丁醚、二乙二醇單***、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單***、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單***、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單丙醚或三丙二醇單丁醚及類似物。可以使用選自其中的兩種或超過兩種類別。

此外，考慮到根據一個實施例之剝離劑組成物的優良潤濕能力及由此引起的剝離能力及沖洗能力之改善，可以適當地用於本文中之伸烷基二醇或伸烷基二醇單烷基醚包含雙(2-羥乙基)醚（bis(2-hydroxyethyl)ether，HEE）或二乙二醇單丁醚（diethylene glycol monobutyl ether，BDG），及類似物。

當以經回收溶液之總重量計，所含伸烷基二醇化合物之量是20重量%至55重量%時，可以確保最終回收之光阻用剝離劑的剝離能力，且隨著時間推移，剝離能力及沖洗能力可以維持一段較長時間。

此外，經回收液體可以更包含添加劑。

如上文所描述，在經回收液體中，在已經完成分析及過濾之狀態下，於伸烷基二醇化合物溶劑中稀釋微量的添加劑，且由此可以縮短分析時間及過濾時間，從而降低成本。

此外，可以準確地引入欲以少量引入的添加劑之量，由此製造出品質與回收之前新鮮的光阻用剝離劑相當的經回收剝離劑產物。

另外，以經回收液體之總重量計，所含添加劑的量可以是1重量%至10重量%、2重量%至9重量%或4重量%至8重量%。

所述添加劑可以包含由腐蝕抑制劑或矽酮類非離子界面活性劑所構成的族群中選出之一或多者。

腐蝕抑制劑與矽類非離子界面活性劑的重量比為5:1至15:1、7:1至12:1、8:1至10:1或8.5:1至9.5:1。

可以使用苯并咪唑類化合物、***類化合物、四唑類化合物及類似物作為腐蝕抑制劑。

苯并咪唑類化合物之實例可以包含（但不特定地限於）苯并咪唑、2-羥基苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-(羥甲基)苯并咪唑、2-巰基苯并咪唑及類似物。四唑類化合物之實例可以包含5-胺基四唑或其水合物及類似物。

另外，***類化合物可以包含由式1或式2表示之化合物。 [式1]

在本文中，R9為氫或具有1至4個碳原子之烷基，R10及R11彼此相同或不同且各自獨立地為具有1至4個碳原子之羥烷基，且a為1至4的整數， [式2]

在本文中，R12為氫或具有1至4個碳原子之烷基，且b為1至4的整數。

更具體言之，可以使用R9為甲基，R10及R11各自為羥乙基且a為1的式1化合物，或R12為甲基且b為1之式2化合物及類似物。

藉由使用上述腐蝕抑制劑，可以極好地維持經回收剝離劑之剝離能力，同時有效地抑制含金屬下部膜之腐蝕。

此外，以經回收液體之總重量計，所含腐蝕抑制劑的量可以是1重量%至10重量%、2重量%至9重量%或4重量%至8重量%。

若以經回收液體之總重量計，腐蝕抑制劑的含量小於1重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中腐蝕抑制劑之含量減少，可能難以有效地抑制下部膜之腐蝕。

若以經回收液體之總重量計，腐蝕抑制劑的含量大於10重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中腐蝕抑制劑之含量過度增加，使得大量腐蝕抑制劑可以經吸收且保留在下部膜上，由此降低含銅下部膜及類似物之電特性。

同時，矽類非離子界面活性劑可以包括聚矽氧烷類聚合物。

更具體言之，聚矽氧烷類聚合物之實例可以包含聚醚改質之丙烯酸官能性聚二甲矽氧烷、聚醚改質之矽氧烷、聚醚改質之聚二甲矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷、聚醚改質之羥基官能性聚二甲矽氧烷、聚醚改質之二甲基聚矽氧烷、經改質之丙烯酸官能性聚二甲矽氧烷或其中兩種或超過兩種的混合物及類似物。

以經回收液體之總重量計，所含矽類非離子界面活性劑的量可以為0.1重量%至0.9重量%、0.2重量%至0.8重量%或0.3重量%至0.7重量%。

若以經回收液體之總重量計，矽類非離子界面活性劑的含量小於0.1重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中矽類非離子界面活性劑的含量減少，使得無法充分達成經回收剝離劑之剝離能力及沖洗能力。

此外，若以經回收液體總重量計，矽類非離子界面活性劑的含量大於0.9重量%，則由於最終回收之光阻用剝離劑中矽類非離子界面活性劑的含量過度增加，使得在經回收剝離劑之剝離製程期間，在高壓下產生氣泡，由此在下部膜上產生污漬或使設備感測器故障。

同時，在使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸的步驟中，純化的光阻用廢棄剝離劑液體與經回收液體的重量比可以是5:1至20:1、7:1至15:1或8:1至12:1。

藉由在上述範圍內調整純化的光阻用廢棄剝離劑液體與經回收液體的重量比，可以確保最終製造的經回收剝離劑之組分比率與回收之前原始剝離劑產物的組分比率實質上相同。

若純化的光阻用廢棄剝離劑液體與經回收液體的重量比為小於5:1，則由於純化的光阻用廢棄剝離劑液體之比率變小，使得未包含在經回收溶液中而僅包含在純化的光阻用廢棄剝離劑液體中的N-甲基甲醯胺之含量會變得過小。

若純化的光阻用廢棄剝離劑液體與經回收液體的重量比大於20:1，則由於經回收液體之比率變小，使得未包含在純化的光阻用廢棄剝離劑液體中而是僅包含在經回收液體中的其他添加劑之含量會變得過小。

使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸的步驟可以更包含使由非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑所構成的族群中選出之一或多者與純化的光阻用廢棄剝離劑液體及經回收液體接觸的步驟。

具體言之，可以使以重量計為60%至95%之純化的光阻用廢棄剝離劑液體、以重量計為1%至10%之經回收液體及以重量計為1%至30%的一或多種由非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑構成之族群中選出的化合物接觸。

非質子性有機溶劑可以有利地溶解胺化合物，且亦使經回收剝離劑能在殘留有欲移除之光阻的下部膜上浸潤，由此確保優良的剝離能力及沖洗能力。

可以用於本文中的非質子性有機溶劑之實例包括（但不特定地限於）N-甲基-吡咯啶酮（N-methyl-pyrrolidone，NMP）、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮（1,3-dimethyl-2-imidazolidinone，DMI）、二甲亞碸（dimethylsulfoxide，DMSO）、二甲基乙醯胺（dimethylacetamide，DMAc）、二甲基甲醯胺（dimethylformamide，DMF）、N-甲基甲醯胺（N-methylformamide，NMF）、N,N'-二乙基-甲醯胺（N'-diethyl-carboxamide，DCA）、二甲基丙醯胺（dimethylpropionamide，DMP）及類似物。

非質子性有機溶劑可以使經回收剝離劑更佳地在下部膜上浸潤，由此幫助優良的剝離能力，且其亦可有效地移除諸如含銅膜之下部膜上之污漬，由此改善沖洗能力。

質子性有機溶劑可以包含伸烷基二醇或伸烷基二醇單烷基醚。

更具體言之，伸烷基二醇或伸烷基二醇單烷基醚可以包含雙(2-羥乙基)醚、二乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丁醚、二乙二醇單***、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單***、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單***、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單***、三丙二醇單丙醚、三丙二醇單丁醚或其中兩種或超過兩種之混合物。

純化的光阻用廢棄剝離劑液體可以包含重量比為0.5至2:1、0.6:1至1.8:1、0.7:1至1.7:1或0.8:1至1.65:1的非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑。

在使由非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑所構成的族群中選出之一或多者與純化的光阻用廢棄剝離劑液體及經回收液體接觸的步驟中，純化的光阻用廢棄剝離劑液體中所包含的非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑包含以上提及之含量。

純化的光阻用廢棄剝離劑液體可以更包含以重量計為0.1%至10%之胺化合物。

純化的光阻用廢棄剝離劑液體含有如上所提到的非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑，且非質子性有機溶劑可以隨時間推移而在胺存在下引起分解反應，而少量胺可以包含在所述純化的液體中。

在使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑與純化的光阻用廢棄剝離劑溶液接觸的步驟之前，可以更包含純化光阻用廢棄剝離劑的步驟。

經由純化光阻用廢棄剝離劑的步驟，有可能在半導體、顯示裝置、LED或太陽能電池之製造製程中有效地且經濟地自使用新鮮的光阻用剝離劑液體之後收集的光阻用廢棄剝離劑中移除固體、雜質及水，由此回收高純度剝離劑。

具體言之，純化光阻用廢棄剝離劑的步驟可以包含將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托（torr）至140托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟。

在純化光阻用廢棄剝離劑的步驟中，經由將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟，自光阻用廢棄剝離劑移除固體且同時可以移除沸點大於235℃之光阻。

在純化光阻用廢棄剝離劑的步驟中，可以使用根據如上文所描述的沸點差異來回收所述純化液體的蒸餾塔及類似物。

本文所使用之蒸餾塔的具體實例可以包含（但不特定地限於）常見的簡單蒸餾及可再裝填蒸餾塔或多級蒸餾塔。

蒸餾塔意謂使用分餾原理製造的一種實驗設備，所述分餾是利用沸點差異分離混合之液體混合物的一種製程。

若蒸餾塔之溫度小於100℃，則無法完全移除光阻用廢棄剝離劑。因此，存在的問題在於，活性組分與固體及光阻一起被移除，由此使光阻用廢棄剝離劑之回收率降低。

此外，若蒸餾塔之溫度大於200℃，則很可能在光阻用廢棄剝離劑中發生活性組分之熱分解及變形。另外，有可能無法移除光阻及固體之一部分，由此在後續純化製程中引起問題。

另外，若壓力條件小於60托，則可能由於成本問題而難以用於工業製程。若壓力條件超過140托，則即使是充分提昇溫度，仍無法完全蒸餾出光阻用廢棄剝離劑。因此，活性組分與固體及光阻一起被移除且因此會減小光阻用廢棄剝離劑之回收率。

在將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟之後，可以更包含將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟；以及將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在120℃至130℃的溫度及70托至180托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟。

具體言之，經由將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟，可以自已經移除固體之光阻用廢棄剝離劑中移除低沸點混合物。

低沸點混合物是指沸點低於光阻用廢棄剝離劑中所包含之剝離劑溶劑的雜質。

蒸餾塔下部部分特定地指蒸餾塔中最接近地表面的最低層點。所述下部部分可以維持高溫，由此獲得在高溫下汽化之液體。

另一方面，蒸餾塔上部部分特定地指蒸餾塔中距地表面最遠的最上層點。相較於蒸餾塔下部部分，所述上部部分可以維持相對較低溫度，由此獲得在低溫下汽化之液體。

經由將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在120℃至180℃的溫度及70托至130托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟，可以自移除低沸點混合物之光阻用廢棄剝離劑中移除高沸點混合物。

高沸點混合物是指沸點高於光阻用廢棄剝離劑中所包含之剝離劑溶劑的雜質。

另一方面，在將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟之後，可以更包含將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在120℃至180℃的溫度及70托至130托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟；以及將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟。

經由將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在120℃至180℃的溫度及70托至130托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟，可以自移除固體之光阻用廢棄剝離劑中移除高沸點混合物。

此外，經由將蒸餾塔下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力，及將蒸餾塔上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力，且蒸餾光阻用廢棄剝離劑的步驟，可以自移除高沸點混合物之光阻用廢棄剝離劑中移除低沸點混合物。

根據本發明，可以提供一種用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其能夠縮短原材料之分析時間及添加劑之稀釋時間，由此提高生產率且降低成本，而且亦製造出品質與回收之前新鮮的光阻用剝離劑相當的經回收剝離劑。

下文中，將參照以下實例詳細解釋本發明。然而，這些實例僅為說明本發明之概念，且本發明概念之範疇不受其限制。＜ 製備實例 1 至製備實例 20 ： 製備經純化剝離劑液體 ＞

在電子部件之製造製程中使用具有下表1中所示之組成的新鮮剝離劑液體。使用多級蒸餾塔，在150℃的溫度及100托的壓力下，自所產生的光阻用廢棄剝離劑移除固體。

之後，將多級蒸餾塔下部部分維持在150℃的溫度及100托的壓力，且將多級蒸餾塔上部部分維持在100℃的溫度及30托的壓力，以移除低沸點混合物。

接著，將多級蒸餾塔下部部分維持在150℃的溫度及100托的壓力且將多級蒸餾塔上部部分維持在130℃的溫度及100托的壓力，以移除高沸點混合物。由此回收具有下表2中所示之組成的經純化剝離劑液體。 【表1】 回收之前新鮮剝離劑液體的組成 【表2】 經純化剝離劑液體的組成 ＜ 製備實例 21 ：製備經回收液體 ＞

製備具有下表3中所示之組成的經回收液體。 【表3】 經回收液體的組成 ＜ 實例 1 至實例 20 ：製備經回收剝離劑 ＞

在攪拌器中，放入下表4中所示重量比的在製備實例1至製備實例20中獲得之經純化剝離劑液體、在製備實例21中獲得之經回收液體、N-甲基甲醯胺及二乙二醇單丁醚，且在室溫下攪拌45分鐘，以獲得具有下表5中所示之組成的經回收剝離劑。 【表4】 經純化剝離劑液體、經回收液體、N-甲基甲醯胺及二乙二醇單丁醚之混合比率 【表5】 經回收剝離劑之組成 * IME：咪唑基-4-乙醇 * AEE：(2-胺基-乙氧基)-1-乙醇 * NMF：N-二甲基甲醯胺 * BDG：二乙二醇單丁醚 * 第一腐蝕抑制劑：[[(甲基-1-苯并***-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇 * 第二腐蝕抑制劑：苯并咪唑 * 界面活性劑：聚醚改質之聚矽氧烷

如上表5中所示，實例1至實例20之經回收剝離劑包括均一含量的以重量計為3.0%之咪唑基-4-乙醇、以重量計為1.0%之(2-胺基乙氧基)-1-乙醇、以重量計為54%至56%之N-甲基甲醯胺、以重量計為39%至42%之二乙二醇單丁醚、以重量計為0.3%之[[(甲基-1H-苯并***-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇、以重量計為0.15%之苯并咪唑及以重量計為0.05%之聚醚改質之矽氧烷。

此外，考慮到上表1中所示的在回收之前新鮮的光阻用剝離劑液體已經包含以重量計為3.0%之咪唑基-4-乙醇；以重量計為1.0%之(2-胺基乙氧基)-1-乙醇；以重量計為54.5%之N-甲基甲醯胺；以重量計為41%之二乙二醇單丁醚；以重量計為0.3%之[[(甲基-1H-苯并***-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇；以重量計為0.15%之苯并咪唑；及以重量計為0.05%之聚醚改質之矽氧烷，可以確定在實例1至實例20之經回收剝離劑中所包含的組分中，咪唑基-4-乙醇、(2-胺基乙氧基)-1-乙醇、[[(甲基-1H-苯并***-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇、苯并咪唑及聚醚改質之矽氧烷展現與回收之前新鮮的光阻用剝離劑液體相同之含量，而沒有變化。

另外，就N-甲基甲醯胺及二乙二醇單丁醚而言，在實例1至實例20之經回收剝離劑中所包含的組分中，包含以重量計為54%至56%之N-甲基甲醯胺及以重量計為39%至42%之二乙二醇單丁醚。因此，其展現與上表1中所示之新鮮的光阻用剝離劑中所包含的以重量計為54.5%之N-甲基甲醯胺及以重量計為41%之二乙二醇單丁醚相當之水準的含量。

因此，實例1至實例20中獲得的經回收剝離劑即使在重複回收製程情況下，亦可以引入預定量之原材料及添加劑，由此均一地維持品質。另外，無論經回收光阻用剝離劑如何，其均可具有與回收之前新鮮的光阻用剝離劑液體相當之品質。

具體而言，在以少量引入添加劑（以重量計為0.3%之[[(甲基-1H-苯并***-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇、以重量計為0.15%之苯并咪唑及以重量計為0.05%之聚醚改質之矽氧烷）的情況下，可以確定有可能以精確含量回收光阻用剝離劑，使得經回收剝離劑將含有與回收之前新鮮的光阻用剝離劑液體相同之含量，而沒有變化。

無

無

無

Claims (16)

1. 一種用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其包括以下步驟：使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中在所述使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸的步驟中， 所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體與所述經回收液體的重量比為5:1至20:1。
3. 如申請專利範圍第1項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中其中所述使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸的步驟更包括使由非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑所構成的族群中選出之一或多者與所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體及所述經回收液體接觸的步驟。
4. 如申請專利範圍第3項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述使由非質子性有機溶劑及質子性有機溶劑所構成的族群中選出之一或多者與所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體及所述經回收液體接觸的步驟包括： 使以重量計為60%至95%之所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體、以重量計為1%至10%之所述經回收液體、及以重量計為1%至30%的一或多種由所述非質子性有機溶劑及所述質子性有機溶劑構成之族群中選出的化合物接觸。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體包含重量比為0.5:1至2:1的所述非質子性有機溶劑及所述質子性有機溶劑。
6. 如申請專利範圍第5項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述純化的光阻用廢棄剝離劑液體更包含以重量計為0.1%至10%的所述胺化合物。
7. 如申請專利範圍第1項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述添加劑包含由腐蝕抑制劑及矽酮類非離子界面活性劑所構成的族群中選出之一或多者。
8. 如申請專利範圍第7項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述腐蝕抑制劑與所述非離子矽類界面活性劑的重量比為5:1至15:1。
9. 如申請專利範圍第7項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述腐蝕抑制劑包含苯并咪唑類化合物、***類化合物或四唑類化合物。
10. 如申請專利範圍第9項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述***類化合物包含由式1或式2表示之化合物： [式1]其中R9為氫或具有1至4個碳原子之烷基，R10及R11彼此相同或不同且各自獨立地為具有1至4個碳原子之羥烷基，且a為1至4的整數；及 [式2]其中R12為氫或具有1至4個碳原子之烷基，且b為1至4的整數。
11. 如申請專利範圍第7項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述矽酮類非離子界面活性劑包含聚矽氧烷類聚合物。
12. 如申請專利範圍第11項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述聚矽氧烷類聚合物包含由以下各者所構成的族群中選出之一或多者：聚醚改質之丙烯酸官能性聚二甲矽氧烷、聚醚改質之矽氧烷、聚醚改質之聚二甲矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷、聚醚改質之羥基官能性聚二甲矽氧烷、聚醚改質之二甲基聚矽氧烷及經改質之丙烯酸官能性聚二甲矽氧烷。
13. 如申請專利範圍第1項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中在所述使包含以重量計為40%至75%之至少一種胺化合物、以重量計為20%至55%之伸烷基二醇化合物及以重量計為1%至10%之添加劑的經回收液體與純化的光阻用廢棄剝離劑液體接觸的步驟之前， 更包括純化光阻用廢棄剝離劑的步驟。
14. 如申請專利範圍第13項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中所述純化光阻用廢棄剝離劑的步驟包含將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟。
15. 如申請專利範圍第14項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中在所述將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟之後， 更包括將所述蒸餾塔的下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力及將所述蒸餾塔的上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟；及 將所述蒸餾塔的下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力及將所述蒸餾塔的上部部分維持在120℃至180℃的溫度及70托至130托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟。
16. 如申請專利範圍第14項所述之用於回收光阻用廢棄剝離劑之製程，其中在所述將整個蒸餾塔維持在100℃至200℃的溫度及60托至140托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟之後， 更包括將所述蒸餾塔的下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力及將所述蒸餾塔的上部部分維持在120℃至180℃的溫度及70托至130托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟；及 將所述蒸餾塔的下部部分維持在100℃至200℃的溫度及70托至130托的壓力及將所述蒸餾塔的上部部分維持在50℃至110℃的溫度及10托至50托的壓力且蒸餾所述光阻用廢棄剝離劑的步驟。