KR101008373B1 - 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 - Google Patents

포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 포토레지스트 박리 능력이 우수하고, 포토레지스트 하부막에 몰리브덴(Mo)을 포함시키는 경우에도 포토레지스트 하부막에 대한 부식 방지력이 우수한 효과가 있다.

Description

포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법{STRIPPER COMPOSITION FOR PHOTORESIST AND METHOD FOR STRIPPING PHOTORESIST}
본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로 또는 액정 표시 소자의 미세 회로 제조 공정은 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막, 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식 또는 건식으로 에칭하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후 불필요해진 포토레지스트층을 스트리퍼(박리액)로 제거하는 공정으로 진행된다.
상기 반도체 소자 및 액정 표시 소자 제조용 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼가 갖추어야 할 기본 특성은 다음과 같다.
먼저, 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리할 수 있어야 하고, 세 척(rinse) 후 기판 상에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않아야 하는 우수한 박리 능력을 가져야 한다. 또한, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 또한, 스트리퍼를 이루는 용제간에 상호반응이 일어나면 스트리퍼의 저장 안정성이 문제되고 스트리퍼 제조시의 혼합순서에 따라 다른 물성을 보일 수 있으므로, 혼합 용제간의 무반응성 및 고온 안정성이 있어야 한다. 또한, 작업자의 안전이나 폐기 처리시의 환경 문제를 고려하여 저독성이어야 한다. 또한, 고온 공정에서 포토레지스트 박리가 진행될 경우 휘발이 많이 일어나면 구성 성분비가 빨리 변하게 되어 스트리퍼의 공정 안정성과 작업 재현성이 저하되므로, 저휘발성이어야 한다. 또한, 일정 스트리퍼 양으로 처리할 수 있는 기판 수가 많아야 하고, 스트리퍼를 구성하는 성분의 수급이 용이하고 저가이며 폐스트리퍼의 재처리를 통한 재활용이 가능하여 경제성이 있어야 한다.
이러한 조건들을 충족시키기 위해 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개발되고 있다. 그러나, 보다 우수한 포토레지스트 스트리퍼 조성물로서, 조성물 내 다른 성분들과 반응하지 않고, 불필요한 부산물을 발생시키지 않으며, 특히 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 갖는 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 포토레지스트 박리 효과가 우수하면서, 포토레지스트 박리 공정을 반복하는 경우에도 포토레지스트의 하부막을 부식시키지 않는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 포토레지스트 하부막으로서 Cu막/Mo막 다층막을 사용하는 경우에도 하부막의 부식 없이 효율적으로 포토레지스트를 박리할 수 있는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 및
2) 용매
를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112009072883449-pat00001
상기 화학식 1에서, R, R' 및 R"은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌이다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 포토레지스트 박리 속도, 박리 효율 등이 우수할 뿐만 아니라, 포토레지스트의 하부막에 대한 부식 방지력이 우수하다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
디스플레이의 고해상도, 대화면화가 진행되면서 저저항인 구리(Cu) 배선이 필수적으로 요구되고 있다. Cu의 경우, 유리와 밀착력이 낮고 하부막으로의 확산이 심하여 확산 방지막으로서 다른 금속막이 필요하다. 일반적으로, 몰리브덴(Mo) 합금을 이용한 Cu/Mo합금의 이중막 구조가 현재 적용되고 있다.
그러나, Mo 합금의 경우, 증착 장치 내 파티클(particle) 오염, 예컨대 Ti 입자에 의한 파티클 오염이 잦아 수율을 저하시키는 단점이 있으며, 또한 타겟(target)의 단가가 높은 단점이 있다.
Mo 합금 대신 Mo를 하부막에 적용하는 경우, Mo가 Cu와 갈바닉 커플(galvanic couple)을 형성하므로, 고온 염기성인 포토레지스트 스트리퍼를 이용하는 경우 부식이 크게 발생될 수 있다. 따라서, 포토레지스트 스트리퍼에 의한 부식 문제로 인하여, 포토레지스트 하부막으로써 아직까지 Cu/Mo를 적용한 업체는 없었다.
그러나, 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 포토레지스트 하부막의 부식 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 유기 아민 화합물을 이용하는 경우보다 박리 속도가 우수한 특성이 있다.
종래에는 Mo막의 두께가 10nm 이하인 수준에서는 갈바닉 현상이 너무 심해서, 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 적용 자체가 불가능하였으나, 본 발명에서는 갈바닉 현상을 제어할 수 있으므로 Mo막이 10nm 이하인 경우에도 적용이 가능하다.
또한, 공정 중 불량이 발생하면 재작업(rework)을 하게 되는데, 포토레지스트 박리공정의 횟수에 따라 부식이 더 심해져 폐기 처분할 수 밖에 없었으나, 본 발명에서는 포토레지스트 박리공정을 수 회 반복하는 경우에도 부식의 문제를 일으키지 않으므로 재작업이 가능하다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 1) 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 2) 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 1에 있어서, R은 메틸렌인 것이 바람직하고, R'는 탄소수 2 이상의 알킬렌, 더욱 바람직하게는 에틸렌인 것이 바람직하다. 바람직한 화합물의 구조식은 하기 화학식 1-1과 같다.
[화학식 1-1]
Figure 112009072883449-pat00002
상기 화학식 1-1에서, R"는 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌이다.
상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-2로 표시되는 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 1-2]
Figure 112009072883449-pat00003
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 끓는점(b.p.)이 54 ~ 58℃/3.3torr 인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 (RO)n (여기서, R은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, n은 1 내지 20의 정수임) 및 용매의 존재하에서 환류(reflux)시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
[화학식 2]
H2N-R'-NH-R"-OH
상기 화학식 2에서, R' 및 R"은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌이다.
상기 방법에 있어서, R은 메틸렌, R' 및 R"은 에틸렌, n은 1인 것이 바람직하다.
상기 방법에 있어서, 용매는 특별히 한정되는 것은 아니나, 벤젠, 메탄올과 같은 알코올류 등이 바람직하다.
상기 방법에 있어서, 상기 환류를 위하여 상기 반응물들을 가열할 수 있다. 상기 환류 온도는 용매의 끓는점에 따라 당업자가 용이하게 결정할 수 있다. 예컨대, 용매가 벤젠인 경우에는 85 ~ 95℃인 것이 바람직하다. 상기 환류 시간은 30분 내지 2시간이 바람직하고, 약 1시간인 것이 더욱 바람직하다. 상기 방법은 상압에서 수행될 수 있다.
상기 제조방법의 일 구체예를 하기 반응식 1에 나타내었다.
[반응식 1]
Figure 112009072883449-pat00004
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량 중 1 ~ 35 중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3 ~ 30 중량%이다. 만일, 상기 1) 유기 아민 화합물의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 충분치 못하고, 35 중량%를 초과하는 경우에는 점도값이 증가하여 포토레지스트 침투력이 낮아 박리시간이 증가하고, 또한 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막에 대한 부식성이 커지는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 이외에 당 기술분야에 알려진 유기 아민 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 보다 구체적인 예로는 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부 탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA), 히드록시에틸피페라진(HEP) 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 추가의 유기 아민 화합물을 포함하는 경우에는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 추가의 유기 아민 화합물의 총 함량은 전체 조성물 총중량 중 1 ~ 35 중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3 ~ 30 중량%이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 2) 용매는 물과 유기 화합물과의 상용성이 뛰어나고 포토레지스트를 용해시키는 용제 역할을 한다. 또한, 스트리퍼의 표면장력을 저하시켜 포토레지스트막에 대한 습윤성(wetting property)을 향상시켜 준다.
상기 2) 용매는 당 기술분야에 알려진 용매를 이용할 수 있다. 이의 구체적인 예로는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 테트라메틸렌설폰, 부틸 디글리콜(butyl diglycol, BDG), 에틸 디글리콜(ethyl diglycol, EDG), 메틸 디글리콜(methyl diglycol, MDG), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol, TEG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethyleneglycol monoethylether, DEM), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(diethyleneglycol monoethylether), 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 2) 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 65 ~ 99 중량%인 것이 바람직하고, 70 ~ 97 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 만일 용매의 함량이 65 중량% 미만인 경우에는 스트리퍼의 점도가 상승하여 스트리퍼의 박리력이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 하기 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6 및 화학식 7로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 부식 방지제를 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112010070581477-pat00024
상기 화학식 3에서,
R1은 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 티올기 또는 하이드록시기이고,
R2는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며,
R3는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 하이드록시기이다.
상기 벤즈이미다졸계 화합물로는 벤즈이미다졸, 2-히드록시벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸, 2-머캡토벤즈이미다졸 등을 들 수 있고, 벤즈이미다졸 또는 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸인 것이 바람직하나, 이 에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 4]
Figure 112009072883449-pat00006
상기 화학식 4에서,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
[화학식 5]
Figure 112009072883449-pat00007
상기 화학식 5에서, R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 6]
Figure 112009072883449-pat00008
상기 화학식 6에서, R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
[화학식 7]
Figure 112009072883449-pat00009
상기 화학식 7에서,
R9 및 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 히드록시기이고,
R11은 수소, t-부틸기, 카르복실산기(-COOH), 메틸에스테르기(-COOCH3), 에틸에스테르기(-COOC2H5) 또는 프로필에스테르기(-COOC3H7)이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 부식 방지제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 5 중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 1 중량%이다. 만일 상기 부식 방지제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우에는 박리하고자 하는 기판이 장시간 박리액과 접촉할 때 금속 배선에서 부분적인 부식 현상이 일어날 수 있고, 5 중량%를 초과하는 경우에는 점도가 증가하여 박리력을 감소시킬 수 있으며 조성물 가격이 상승하여 가격대비 성능면에서 비효율적이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 포토레지스트 박리 능력이 우수할 뿐만 아니라, 포토레지스트 하부의 도전성 금속막 및 절연막에 손상을 주지 않으며, 포토레지스트 하부의 도전성 금속막 또는 절연막에 대한 부식 방지력이 우수하다.
상기 도전성 금속막 또는 절연막은 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 보다 바람직하게는 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막, 또는 2층 이상의 다층막이거나, 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금과 네오디뮴, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막, 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법은 전술한 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따른 포토레지스트의 박리방법은 1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및 4) 본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따른 포토레지스트의 박리방법은 1) 기판 상에 포토레지스를 전면 도포하는 단계, 2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 형성하는 단계, 및 4) 본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다.
상기 본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법에 있어서, 상기 도전성 금속막 또는 절연막은 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 구체적으로는 Al-Nd/Mo 이중막, Cu/Mo 이중막 등이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 미세 회로 패턴이 새겨진 기판으로부터 포토레지스트를 박리하는 방법은, 많은 양의 스트리퍼액에 박리하고자 하는 기판을 동시에 여러 장 침지(dipping)하는 딥 방식과 한 장씩 박리액을 기판에 스프레이(분무)시켜 포토레지스트를 제거하는 매엽식 방식 모두 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 박리할 수 있는 포토레지스트의 종류로는, 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트, 포지형/네가형 겸용 포토레지스트(dual tone photoresist)가 있고, 구성 성분에 제약을 받지 않지만, 특히 효과적으로 적용되는 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트이다.
본 발명에 따라 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하여 제조된 액정 표시 장치 또는 반도체 소자는 포토레지스트 박리시 미세 패턴을 갖는 기판이 부식 또는 손상되지 않으면서, 잔류 포토레지스트가 적은 특징이 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 식각 공정 동안 변성된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 짧은 시간 내에 용이하게 제거 가능하며, 포토레지스트 하부의 알루 미늄 또는 알루미늄 합금, 구리 또는 구리 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금과 같은 도전성막 및 절연막에 대한 부식이 적은 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 제조예 > 유기 아민 화합물의 제조
상기 반응식 1에 따라 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 제조하였다. 이 때, 상압하에서 반응온도는 85 ~ 95℃ 이었고, 환류 시간은 1시간 이었다. 제조된 화합물의 물성은 하기와 같으며, 그 NMR 데이터를 도 1 및 도 2에 나타내었다.
화학식: C5H12N2O
Mass: 116.09
Mol. Wt.: 116.16
m/e: 116.09(100.0%), 117.10(5.6%)
C, 51.70; H, 10.41; N, 24.12; O, 13.77
< 실시예 1 ~ 2>
하기 표 1에 기재되어 있는 성분과 조성비를 이용하고, 상온에서 2시간 동안 교반한 후 0.1㎛로 여과하여 스트리퍼 용액을 제조하였다.
< 비교예 1 ~ 3>
하기 표 1에 기재되어 있는 성분과 조성비를 이용하여 상기 실시예 1 ~ 2와 동일한 방법으로 스트리퍼 용액을 제조하였다.
[표 1]
Figure 112009072883449-pat00010
AEE: 아미노에톡시에탄올(aminoethoxyethanol)
HEP: 히드록시에틸피페라진(Hydroxyethylpiperazine)
IME: 1-이미다졸리딘 에탄올(1-imidazolidine ethanol)
NMEA: N-메틸에탄올아민(N-methylethanolamine)
BDG: 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르(Diethylene glycol mono butyl ether)
NMF: N-메틸 포름아마이드(N-methylformamide)
THBTA: 테트라하이드로벤조트리아졸(Tetrahydrobenzotriazole)
BzI: 벤즈이미다졸(benzimidazole)
< 실험예 >
1) 박리 속도 평가
상기 실시예 1 및 비교예 1 ~ 3에서 제조한 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하고, 각각 140℃, 150℃ 및 160℃에서 5분간 하드 베이크(hard bake)한 포토레지스트에 대한 박리 공정을 수행하였고, 포토레지스트가 완전히 박리되는데 걸리는 시간을 측정하였다. 평가 결과는 하기 표 2 및 도 3에 나타내었다.
[표 2]
Figure 112009072883449-pat00011
상기 표 1 및 도 3의 결과로부터, 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 박리 능력이 우수하여 박리 속도가 빠름을 알 수 있다.
2) 부식 정도 평가
상기 실시예 1 및 비교예 1 ~ 3에서 제조한 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트 박리 공정을 수행한 후, 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 이 때, 상기 부식 정도는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
◎: 표면과 측면에 부식이 전혀 없는 경우
○: 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△: 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
×: 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
[표 3]
Figure 112009072883449-pat00012
상기 표 3의 결과로부터, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 하부막의 종류에 상관 없이 모두 부식 방지력이 우수함을 알 수 있다.
도 1 및 도 2는 화학식 1-2로 표시되는 화합물의 NMR 데이터이다.
도 3은 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 아민 화합물에 따른 박리 속도를 평가한 결과를 나타낸 도이다.

Claims (11)

1) 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 및
2) 용매
를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물:
[화학식 1-1]
Figure 112010070581477-pat00025
상기 화학식 1-1에서, R"은 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌이다.
삭제
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물:
[화학식 1-2]
Figure 112010070581477-pat00015
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량 중 1 ~ 35 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA) 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 아민 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이 미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 테트라메틸렌설폰, 부틸 디글리콜(butyl diglycol, BDG), 에틸 디글리콜(ethyl diglycol, EDG), 메틸 디글리콜(methyl diglycol, MDG), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol, TEG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethyleneglycol monoethylether, DEM), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(diethyleneglycol monoethylether), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 65 ~ 99 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 하기 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6 및 화학식 7로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 부식 방지제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물:
[화학식 3]
Figure 112010070581477-pat00026
상기 화학식 3에서,
R1은 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 티올기 또는 하이드록시기이고,
R2는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며,
R3는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 하이드록시기이고,
[화학식 4]
Figure 112010070581477-pat00017
상기 화학식 4에서,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
[화학식 5]
Figure 112010070581477-pat00018
상기 화학식 5에서, R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 6]
Figure 112010070581477-pat00019
상기 화학식 6에서, R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 7]
Figure 112010070581477-pat00020
상기 화학식 7에서,
R9 및 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 히드록시기이고,
R11은 수소, t-부틸기, 카르복실산기(-COOH), 메틸에스테르기(-COOCH3), 에틸에스테르기(-COOC2H5) 또는 프로필에스테르기(-COOC3H7)이다.
청구항 8에 있어서, 상기 부식 방지제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및
4) 청구항 1 및 청구항 3~9 중 어느 한 항의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
1) 기판 상에 포토레지스를 전면 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 형성하는 단계, 및
4) 청구항 1 및 청구항 3~9 중 어느 한 항의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
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