TW201545037A - 觸控模組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種觸控模組及其製造方法在此揭露。觸控模組包括一基板、至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、至少一導電殘料、至少一電極通道以及至少一架橋。基板具有第一表面及第二表面。第一表面與第二表面彼此相對。導電殘料形成於基板的第二表面上。第一觸控電極、第二觸控電極以及電極通道皆嵌入於基板中。電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接。架橋設置於基板的第一表面上，用以令第一觸控電極彼此電性連接。第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。

Description

觸控模組及其製造方法

本案是有關於一種電子裝置及其製造方法。特別是有關於一種觸控模組及其製造方法。

隨著電子科技的快速進展，觸控模組已被廣泛地應用在各式電子裝置中，如行動電話、平板電腦等。

典型的觸控模組例如可設置於顯示螢幕上，包括複數個觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示螢幕時，相應的觸控電極產生電訊號，並傳送電訊號至控制電路，藉以達成觸控感測。

在製造過程中，一般係利用蝕刻方式將觸控電極之間的導電物質移除，以圖案化觸控電極，並使觸控電極間彼此絕緣。然而，將部份導電物質移除的做法，將導致觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。

是以，為避免觸控模組的光折射率不均勻，本案的一態樣提供一種觸控模組。根據本案一實施例，該觸控模組包括一基板、至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、至少一導電殘料、至少一電極通道以及至少一架橋。該基板具有一第一表面及一第二表面，其中該第一表面與該第二表面彼此相對。該導電殘料形成於該基板的該第二表面上。該第一觸控電極、該第二觸控電極以及該電極通道皆嵌入於該基板中。該電極通道用以令該第二觸控電極彼此電性連接。該架橋設置於該基板的該第一表面上，用以令該第一觸控電極彼此電性連接。該第一觸控電極電性絕緣於該第二觸控電極。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度彼此不同。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度的高度差大於50奈米。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極暴露於該基板的該第一表面上。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極相對於該基板的一第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度彼此相同。

根據本案一實施例，該導電殘料在該基板的該第一表面上的正投影是位於該些第一觸控電極、該些第二觸 控電極以及該些電極通道在該基板的該第一表面上的正投影之間。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極、該些第二觸控電極、該電極通道以及該導電殘料在該基板的該第一表面上的正投影之間不重疊。

根據本案一實施例，該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道相對於該第一表面的高度不同，以令該導電殘料絕緣於該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道。

根據本案一實施例，該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第一觸控電極相對於該第一表面的高度的高度差大於50奈米，且該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該第一表面的高度的高度差大於50奈米。

根據本案一實施例，該電極通道相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度相同。

根據本案一實施例，該基板包括至少二第一接觸孔。該些第一接觸孔，設置於該些第一觸控電極與該基板的該第一表面之間。該架橋透過該些第一接觸孔電性接觸該些第一觸控電極。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極或該些第二觸控電極相對於該基板的該第二表面的嵌入深度介於10 奈米至500奈米之間。

根據本案一實施例，該些第一觸控電極是沿一第一方向設置，該些第二觸控電極是沿一第二方向設置，且該第一方向不同於該第二方向。

根據本案一實施例，該些第二觸控電極皆為菱形。

根據本案一實施例，該觸控模組更包括至少一導線，設置於該基板的該第一表面上，並電性接觸該些第一觸控電極中至少一者。

根據本案一實施例，該基板包括至少一第二接觸孔，設置於該些第一觸控電極中的該至少一者與該基板的該第一表面之間。該導線透過該第二接觸孔電性接觸該些第一觸控電極中的該至少一者。

此外，本案的另一態樣提供一種觸控模組的製造方法。根據本案一實施例，該製造方法包括：提供一基板，其中該基板具有一第一表面及一第二表面，且該第一表面與該第二表面彼此相對；嵌入至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道於該基板中，並形成至少一導電殘料於該基板的該第二表面上，其中該電極通道用以令該些第二觸控電極彼此電性連接；以及提供至少一架橋於該基板的該第一表面上，以令該些第一觸控電極彼此電性連接。該些第一觸控電極電性絕緣於該些第二觸控電極。

根據本案一實施例，嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該 基板中，並形成該導電殘料於該基板的該第二表面上的步驟包括：提供一第一導電材料層於該基板的該第二表面上；以及嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中，以分別形成該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道，並保留該第一導電材料層中的一第一保留部份於該基板的該第二表面上，以形成該導電殘料。

根據本案一實施例，嵌入該第一導電材料層中的該第一嵌入部份於該基板中的步驟包括：提供一嵌入液於該第一導電材料層中的該第一嵌入部份上，以令該第一導電材料層中的該第一嵌入部份從該基板的該第二表面嵌入於該基板中。

根據本案一實施例，嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中，並形成該導電殘料於該基板的該第二表面上的步驟包括：提供一第一導電材料層於該基板的該第二表面上；嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第一高度，以形成一第二導電材料層，並保留該第一導電材料層中的一第一保留部份於該基板的該第二表面上，以形成該導電殘料；以及嵌入該第二導電材料層中的一第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第二高度，以形成該些第一觸控電極，並保留該第二導電材料層中的一第二保留部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第一高度，以形成該些第二觸控電極以及該電極通道。

根據本案一實施例，嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度的步驟包括：嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中，直到該第二導電材料層中的該第二嵌入部份暴露於該基板的該第一表面上。

根據本案一實施例，嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度的步驟包括：對應於該第二導電材料層中的該第二嵌入部份，提供一嵌入液於該基板的該第二表面上，以令該第二導電材料層中的該第二嵌入部份嵌入於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度。

根據本案一實施例，該製造方法更包括：在提供該架橋之前，形成至少二第一接觸孔於該些第一觸控電極與該基板的該第一表面之間，以令該架橋得以透過該些第一接觸孔電性接觸該些第一觸控電極。

根據本案一實施例，形成該些第一接觸孔的步驟包括：提供一遮罩於該基板的該第一表面上，並暴露該基板的至少二第一待開孔部份；以及移除該基板的該至少二第一待開孔部份，以形成該些第一接觸孔。

根據本案一實施例，製造方法更包括：提供至少一導線於該基板的該第一表面上，其中該導線電性接觸該些第一觸控電極中的至少一者。

根據本案一實施例，該製造方法更包括：在提供該導線之前，形成至少一第二接觸孔於該些第一觸控電極 中的該至少一者與該基板的該第一表面之間，以令該導線得以透過該第二接觸孔電性接觸該些第一觸控電極中的該至少一者。

根據本案一實施例，形成該些第二接觸孔的步驟包括：提供一遮罩於該基板的該第一表面上，並暴露該基板的至少一第二待開孔部份；以及移除該基板的該至少一第二待開孔部份，以形成該第二接觸孔。

綜上所述，透過應用上述一實施例，可實現一種觸控模組。藉由嵌入觸控電極於基板中，即可使觸控電極間彼此絕緣，以圖案化觸控電極。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，並避免造成觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。

100‧‧‧觸控模組

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一導電材料層

120a‧‧‧第一保留部份

RM‧‧‧導電殘料

EC‧‧‧電極通道

BG‧‧‧架橋

TR‧‧‧導線

120b‧‧‧第一嵌入部份

130‧‧‧第二導電材料層

130a‧‧‧第二保留部份

130b‧‧‧第二嵌入部份

200‧‧‧觸控模組

300‧‧‧觸控模組

SF1‧‧‧表面

SF2‧‧‧表面

E1‧‧‧第一觸控電極

E2‧‧‧第二觸控電極

MSK‧‧‧遮罩

H0-H2‧‧‧高度

A-A‧‧‧線段

CT1‧‧‧第一接觸孔

CT2‧‧‧第二接觸孔

HL1‧‧‧第一待開孔部份

HL2‧‧‧第二待開孔部份

400‧‧‧製造方法

S1-S3‧‧‧步驟

圖1A-4A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖1B-4B為圖1A-4A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖5A-8A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖5B-8B為圖5A-8A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖9A-12A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組 的製造方法的示意圖；圖9B-12B為圖9A-12A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；以及圖13為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的流程圖。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。

關於本文中所使用之『第一』、『第二』、...等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本案，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。

關於本文中所使用之方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本創作。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之『及/或』，係包括所述事物的任一或全部組合。

關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞 將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。

本案的一實施態樣為一種觸控模組的製造方法。在以下段落中，本案將用以下第一實施例至第三實施例為例說明本案細節，然而本案不以下述實施例中的細節為限，其它的實施方式亦在本案範圍之中。

第一實施例

圖1A-4A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖1B-4B為圖1A-4A中的觸控模組100沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。

首先，特別參照圖1A及圖1B。在第一步驟中，提供基板110，其中基板110具有表面SF1、SF2，且表面SF1、SF2彼此相對。在一實施例中，基板110的厚度(即H0)大致介於50微米至550微米，然而本案不以此為限。在一實施例中，基板110可用聚酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、環狀烯烴單體共聚合物(cyclo olefin polymer，COP)等適當高分子材料實現，然而本案不以此為限。

接著，提供第一導電材料層120於基板110的表面SF2上。第一導電材料層120包括第一保留部份120a與第一嵌入部份120b。第一導電材料層120可用奈米碳管、奈米金屬線、導電膠、導電高分子、石墨稀、奈米金屬等適當導電材料實現，然而本案不以此為限。

接著，特別參照圖2A及圖2B。在第二步驟中，嵌入第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b於基板110中相對於表面SF1的高度H1，以形成第二導電材料層130，並保留第一導電材料層120中的第一保留部份120a於基板110的表面SF2上，以形成導電殘料RM。其中高度H1不等於基板110的厚度(即H0)，以使導電殘料RM絕緣於第二導電材料層130。在本實施例中，第二導電材料層130包括第二保留部份130a以及第二嵌入部份130b。

在一實施例中，藉由提供一種特定溶劑(下稱嵌入液(embedded ink))於第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b上，可令第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b從基板110的表面SF1嵌入於基板110中。換言之，藉由提供嵌入液於第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b上，可令基板110中的對應部份膨脹(swell)，以使第一導電材料層120中的導電材料滲透到基板110之中，以嵌入第一嵌入部份120b於基板110中。應注意到，嵌入液的態樣是對應於基板110的材料，凡足以使基板110膨脹，以使導電材料滲透到基板110之中的溶液皆可做為嵌入液。在一實施例中，嵌入液的溶解參數(solubility parameter)接近於基板110之材料的溶解參數。

應注意到，在本案實施例中，可透過塗佈(spray)或印刷(print)的方式提供嵌入液，但本案不以此為限。

接著，特別參照圖3A及圖3B。在第三步驟中，嵌入第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b於基板 110中相對於表面SF1的高度H2，以形成第一觸控電極E1，並保留第二導電材料層130中的第二保留部份130a於基板110中相對於表面SF1的高度H1，以形成第二觸控電極E2以及電極通道EC。

應注意到，所謂導電殘料RM係指在製程中，並未用以製作第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的導電材料。在一實施例中，導電殘料RM在基板110的表面SF1的正投影是位於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC在基板110的表面SF1正投影之間。

在一實施例中，第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b是嵌入於基板110中，直到第二嵌入部份130b暴露於基板110的表面SF1上。

在一實施例中，可藉由提供嵌入液於基板110的表面SF2上對應於第二嵌入部份130b之處，令第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b嵌入於基板110中相對於表面SF1的高度H2。換言之，藉由提供嵌入液於基板110的表面SF2上對應於第二嵌入部份130b之處，可令基板110中的對應部份膨脹，以使第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b進一步嵌入於基板110。應注意到，關於嵌入液的相關細節可參照前述段落，在此不贅述。

在本實施例中，高度H2與高度H1彼此不同。在一實施例中，高度H2與高度H1的高度差大致大於50奈米，以使具有高度H1的第二觸控電極E2以及電極通道EC電性絕緣於具有高度H2的第一觸控電極E1。

接著，特別參照圖4A及圖4B。在第四步驟中，提供至少一架橋BG於基板110的表面SF1上，並使架橋BG分別電性接觸暴露於基板110的表面SF1上相鄰的不同的第一觸控電極E1，以令此些第一觸控電極E1彼此電性連接。此外，在第四步驟中，可提供至少一導線TR於基板110的表面SF1上，並使導線TR的一端電性接觸基板110的表面SF1上的第一觸控電極E1。導線TR的另一端可電性連接觸控控制電路(未繪示)，以將第一觸控電極E1產生的電訊號回傳至觸控控制電路。

透過上述的製造方法，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

換言之，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，可使第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

當注意到，在本案中的用語「大致」，係用以修飾可些微變化的數量以及因製造過程所造成的些微誤差，但這種些微變化及些微誤差並不會改變其本質。舉例而言，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸 控電極E2以及電極通道EC，可能因擠壓而造成誤差，使得第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的表面SF1上的正投影之間存在些微間隙或彼此些微重疊。然而，此些因製造過程所造成的些微誤差，亦在本案範圍之中。

在本實施例中，第二觸控電極E2例如是沿圖4A中y軸方向設置。相鄰的兩個第二觸控電極E2之間係透過電極通道EC彼此電性連接，且第二觸控電極E2與電極通道EC相對於基板110的表面SF1的高度彼此相同。

此外，第一觸控電極E1例如是沿圖4A中x軸方向(垂直於y軸方向)設置。相鄰的兩個第一觸控電極E1之間係透過架橋BG彼此電性連接。

在本實施例中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2相對於基板110的表面SF1的高度皆不同於導電殘料RM相對於基板110的表面SF1的高度，故導電殘料RM電性絕緣於第一觸控電極E1與第二觸控電極E2。

再者，於本實施例中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2皆大致為菱形(除了電性接觸導線TR的第一觸控電極E1不為菱形)。

在一實施例中，基板110的表面SF2上設置有一保護層(passive layer)，以保護或阻隔暴露於基板110上的導電殘料RM，避免導電殘料RM剝落。

在一實施例中，為避免第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC中任一者暴露於基板110的表 面SF2，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC中最接近基板110的表面SF2者(例如第二觸控電極E2)相對於基板110的表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介於10奈米至500奈米之間。

第二實施例

以下將透過第二實施例，提供一種觸控模組200的製造方法。觸控模組200的製造方法與前述觸控模組100的製造方法大致相同，差異之處僅在於觸控模組200的第一觸控電極E1並不暴露於基板100的表面SF1上。是以，在以下說明中，重覆的部份將不贅述。

首先，再次參照圖1A、1B，在第一步驟中，提供基板110，並提供第一導電材料層120於基板110的表面SF2上。基板110與第一導電材料層120的相關細節可參照前述對應段落，在此不贅述。此外，此一步驟的細節亦可參照前述對應段落，在此不贅述。

接著，再次參照圖2A、2B，在第二步驟中，嵌入第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b於基板110中相對於表面SF1的高度H1，以形成第二導電材料層130,並保留第一導電材料層120中的第一保留部份120a於基板110的表面SF2上，以形成導電殘料RM。其中高度H1不等於基板110的厚度(即H0)，以使導電殘料RM絕緣於第二導電材料層130。關於導電殘料RM及第二導電材料層130的相關細節可參照前述對應段落，在此不贅述。此外，此一嵌入步驟的細節亦可參照前述對應段落，在此不贅述。

接著，特別參照圖5A及圖5B。在第三步驟中，嵌入第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b於基板110中相對於表面SF1的高度H2，以形成第一觸控電極E1，並保留第二導電材料層130中的第二保留部份130a於基板110中相對於表面SF1的高度H1，以形成第二觸控電極E2以及電極通道EC。

在本實施例中，第一觸控電極E1並未暴露於基板110的表面SF1上。

應注意到，在不同實施例中，亦可嵌入第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b於基板110中相對於表面SF1的高度H2，以形成第二觸控電極E2以及電極通道EC，並保留第二導電材料層130中的第二保留部份130a於基板110中相對於表面SF1的高度H1，以形成第一觸控電極E1。本案的實施方式不以上述為限。

在本實施例中，高度H2與高度H1彼此不同。在一實施例中，高度H2與高度H1的高度差大致大於50奈米，以使具有高度H1的第二觸控電極E2以及電極通道EC電性絕緣於具有高度H2的第一觸控電極E1。

關於此一嵌入步驟的具體細節可參照前述相關段落，在此不贅述。

接著，特別參照圖6A及圖6B。在第四步驟中，提供遮罩MSK於基板110的表面SF1上，並暴露基板110的至少二第一待開孔部份HL1以及至少一第二待開孔部份HL2。

接著，特別參照圖7A及圖7B。在第五步驟中，移除(例如蝕刻(etch))基板110的第一待開孔部份HL1，以形成第一接觸孔CT1於第一觸控電極E1與基板110的表面SF1之間，並移除基板110的第二待開孔部份HL2，以形成第二接觸孔CT2於第一觸控電極E1與基板110的表面SF1之間。當注意到，在此步驟中，遮罩MSK因蝕刻而變薄，但仍存在於基板110的表面SF1上。在另一實施例中，遮罩MSK在此步驟中被完全移除。

接著，特別參照圖8A及圖8B。在第六步驟中，提供至少一架橋BG於基板110的表面SF1上，並使架橋BG透過第一接觸孔CT1電性接觸相鄰的不同的第一觸控電極E1，以令此些第一觸控電極E1彼此電性連接。此外，在第六步驟中，提供至少一導線TR於基板110的表面SF1上，並使導線TR透過第二接觸孔CT2電性接觸基板110的表面SF1上的第一觸控電極E1，以令導線TR得以將第一觸控電極E1上的電訊號傳送至控制電路(未繪示)。

透過上述的製造方法，即可實現觸控模組200。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組200中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免影響觸控模組200外觀的光學一致性。

類似地，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的表面SF1上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模組200外觀的光學一致性。

此外，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導電殘料RM相對於基板110的表面SF1的高度皆不相同，故導電殘料RM電性絕緣於第一觸控電極E1與第二觸控電極E2，且第一觸控電極E1電性絕緣於第二觸控電極E2。

在本實施例中，相鄰的兩個第二觸控電極E2之間係透過電極通道EC彼此電性連接，且第二觸控電極E2與電極通道EC相對於基板110的表面SF1具有相同的高度。相鄰的兩個第一觸控電極E1之間係透過架橋BG彼此電性連接。關於第一、第二觸控電極E1、E2的形狀及設置走向可參照前述段落，在此不贅述。

另一方面，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板110之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露於基板110的表面SF1或表面SF2。如此一來，則觸控模組200可選擇性的不設置額外的保護層以保護或阻隔暴露於基板110上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模組200的製造時間與成本。並且，由於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC皆完全嵌入基板110之中，故觸控模組200可更便於進行後續加工或組裝。

在一實施例中，為避免第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC中任一者暴露於基板110的表面SF2，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道 EC中最接近基板110的表面SF2者(例如第二觸控電極E2)相對於基板110的表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介於10奈米至500奈米之間。

此外，在一實施例中，基板110的表面SF2上可設置一保護層，以保護或阻隔暴露於基板110上的導電殘料RM，避免導電殘料RM剝落。

應注意到，在本實施例中，形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC的次序可依實際需要改變，本案不以此為限。

第三實施例

以下將透過第三實施例，提供一種觸控模組300的製造方法。觸控模組300的製造方法與前述觸控模組200、100的製造方法大致相同，差異之處僅在於觸控模組300的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC相對於基板110的表面SF1之高度彼此相同。是以，在以下說明中，重覆的部份將不贅述。

首先，再次參照圖1A及圖1B，在第一步驟中，提供基板110，並提供第一導電材料層於基板110的表面SF2上。基板110與第一導電材料層120的相關細節可參照前述相關段落，在此不贅述。此外，此一步驟的細節亦可參照前述相關段落，在此不贅述。

接著，特別參照圖9A及圖9B，在第二步驟中，嵌入第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b於基板110中，以分別形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以 及電極通道EC，並保留第一導電材料層120中的第一保留部份120a於基板110的表面SF2上，以形成導電殘料RM。其中高度H1不等於基板110的厚度(即H0)，以使導電殘料RM絕緣於具有高度H1的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC。關於導電殘料RM的相關細節可參照前述對應段落，在此不贅述。此外，此一嵌入步驟的細節可參照圖2A、2B及其相關段落，在此不贅述。

接著，特別參照圖10A及圖10B。在第三步驟中，提供遮罩MSK於基板110的表面SF1上，並暴露基板110的至少二第一待開孔部份HL1以及至少一第二待開孔部份HL2。

接著，特別參照圖11A及圖11B。在第四步驟中，移除(例如是蝕刻(etch))基板110的第一待開孔部份HL1，以形成第一接觸孔CT1於第一觸控電極E1與基板110的表面SF1之間，並移除基板110的第二待開孔部份HL2，以形成第二接觸孔CT2於第一觸控電極E1與基板110的表面SF1之間。當注意到，在此步驟中，遮罩MSK因蝕刻而變薄，但仍存在於基板110的表面SF1上。在不同實施例中，遮罩MSK在此步驟中被完全移除。

接著，特別參照圖12A及圖12B。在第五步驟中，提供至少一架橋BG於基板110的表面SF1上，並使架橋BG透過第一接觸孔CT1電性接觸相鄰的不同的第一觸控電極E1，以令此些第一觸控電極E1彼此電性連接。此外，在第六步驟中，提供至少一導線TR於基板110的表面SF1 上，並使導線TR透過第二接觸孔CT2電性接觸基板110的表面SF1上的第一觸控電極E1，以令導線TR得以將第一觸控電極E1上的電訊號傳送至控制電路(未繪示)。

透過上述的製造方法，即可實現觸控模組300。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組300中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免影響觸控模組300外觀的光學一致性。

類似地，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的表面SF1上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模組300外觀的光學一致性。

此外，在本實施例中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2相對於基板110的表面SF1的高度(如高度H1)彼此相同，但第一觸控電極E1與第二觸控電極E2彼此並未電性接觸，故第一觸控電極E1電性絕緣於第二觸控電極E2。另一方面，導電殘料RM相對於基板110的表面SF1的高度不同於第一觸控電極E1與第二觸控電極E2相對於基板110的表面SF1的高度，故導電殘料RM電性絕緣於第一觸控電極E1與第二觸控電極E2。

在本實施例中，相鄰的兩個第二觸控電極E2之間係透過電極通道EC彼此電性連接，且第二觸控電極E2與電極通道EC相對於基板110的表面SF1具有相同的高度。相鄰的兩個第一觸控電極E1之間係透過架橋BG彼此電性連接。關於第一、第二觸控電極E1、E2的形狀及設置走向 可參照前述段落，在此不贅述。

另一方面，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板110之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露於基板110的表面SF1或表面SF2。如此一來，則觸控模組300可選擇性的不設置額外的保護層以保護或阻隔暴露於基板110上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模組300的製造時間與成本。並且，由於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC皆完全嵌入基板110之中，故觸控模組300可更便於進行後續加工或組裝。

在一實施例中，為避免第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC中任一者暴露於基板110的表面SF2，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC中最接近基板110的表面SF2者(例如第二觸控電極E2)相對於基板110的表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介於10奈米至500奈米之間。

此外，在一實施例中，基板110的表面SF2上可設置一保護層，以保護或阻隔暴露於基板110上的導電殘料RM，避免導電殘料RM剝落。

圖13為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法400的流程圖。製造方法400可用以製作上述第一實施例至第三實施例中的觸控模組100、200、300，然不以此為限。在以下段落，將用第一實施例中的觸控模組100 為例進行製造方法400的說明，然本案不以此為限。製造方法400包括以下步驟。

在步驟S1中，提供基板110。

在步驟S2中，嵌入至少兩個第一觸控電極E1、至少兩個第二觸控電極E2、以及至少一個電極通道EC於基板110中，並形成至少一導電殘料RM於基板110的表面SF2上。電極通道EC用以令第二觸控電極E2彼此電性連接。

在步驟S3中，提供至少一個架橋BG於基板110的表面SF1上。架橋BG用以令第一觸控電極E1彼此電性連接。其中，第一觸控電極E1電性絕緣於第二觸控電極E2。

透過上述的製造方法400，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

綜上所述，本案的一實施例揭露一種觸控模組。觸控模組包括一基板、至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、至少一導電殘料、至少一電極通道以及至少一架橋。基板具有第一表面及第二表面，其中第一表面與第二表面彼此相對。導電殘料形成於基板的第二表面上。第一觸控電極、第二觸控電極以及電極通道皆嵌入於基板中。電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接。架橋設置於基板的第一表面上，用以令第一觸控電極彼此電 性連接。第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。

本案的另一實施例揭露一種觸控模組的製造方法。製造方法包括：提供基板，其中基板具有第一表面及第二表面，且第一表面與第二表面彼此相對；嵌入至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、以及至少一電極通道於基板中，並形成至少一導電殘料於該基板的該第二表面上，其中電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接；以及，提供至少一架橋於基板的第一表面上，以令第一觸控電極彼此電性連接；其中第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。

透過應用上述的實施例，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，並避免造成觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。

雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧觸控模組

110‧‧‧基板

SF1‧‧‧表面

SF2‧‧‧表面

E1‧‧‧第一觸控電極

RM‧‧‧導電殘料

EC‧‧‧電極通道

BG‧‧‧架橋

TR‧‧‧導線

H0-H2‧‧‧高度

A-A‧‧‧線段

Claims (27)

1. 一種觸控模組，包括：一基板，具有一第一表面及一第二表面，其中該第一表面與該第二表面彼此相對；至少二第一觸控電極，嵌入於該基板中；至少二第二觸控電極，嵌入於該基板中；至少一導電殘料，形成於該基板的該第二表面上；至少一電極通道，嵌入於該基板中，用以令該些第二觸控電極彼此電性連接；以及至少一架橋，設置於該基板的該第一表面上，用以令該些第一觸控電極彼此電性連接；其中該些第一觸控電極電性絕緣於該些第二觸控電極。
2. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度彼此不同。
3. 如請求項2所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度的高度差大於50奈米。
4. 如請求項2所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極暴露於該基板的該第一表面上。
5. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的一第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度彼此相同。
6. 如請求項1所述之觸控模組，其中該導電殘料在該基板的該第一表面上的正投影是位於該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該些電極通道在該基板的該第一表面上的正投影之間。
7. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極、該些第二觸控電極、該電極通道以及該導電殘料在該基板的該第一表面上的正投影之間不重疊。
8. 如請求項1所述之觸控模組，其中該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道相對於該第一表面的高度不同，以令該導電殘料絕緣於該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道。
9. 如請求項8所述之觸控模組，其中該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第一觸控電極相對於該第一表面的高度的高度差大於50奈米，且該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該第一表面的高 度的高度差大於50奈米。
10. 如請求項1所述之觸控模組，其中該電極通道相對於該基板的該第一表面的高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的高度相同。
11. 如請求項1所述之觸控模組，其中該基板包括：至少二第一接觸孔，設置於該些第一觸控電極與該基板的該第一表面之間，其中該架橋透過該些第一接觸孔電性接觸該些第一觸控電極。
12. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極或該些第二觸控電極相對於該基板的該第二表面的嵌入深度介於10奈米至500奈米之間。
13. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極是沿一第一方向設置，該些第二觸控電極是沿一第二方向設置，且該第一方向不同於該第二方向。
14. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第二觸控電極皆為菱形。
15. 如請求項1所述之觸控模組，更包括：至少一導線，設置於該基板的該第一表面上，並電性 接觸該些第一觸控電極中至少一者。
16. 如請求項15所述之觸控模組，其中該基板包括：至少一第二接觸孔，設置於該些第一觸控電極中的該至少一者與該基板的該第一表面之間，其中該導線透過該第二接觸孔電性接觸該些第一觸控電極中的該至少一者。
17. 一種觸控模組的製造方法，包括：提供一基板，其中該基板具有一第一表面及一第二表面，且該第一表面與該第二表面彼此相對；嵌入至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道於該基板中，並形成至少一導電殘料於該基板的該第二表面上，其中該電極通道用以令該些第二觸控電極彼此電性連接；以及提供至少一架橋於該基板的該第一表面上，以令該些第一觸控電極彼此電性連接；其中該些第一觸控電極電性絕緣於該些第二觸控電極。
18. 如請求項17所述之製造方法，其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中，並形成該導電殘料於該基板的該第二表面上的步驟包括：提供一第一導電材料層於該基板的該第二表面上；以 及嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中，以分別形成該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道，並保留該第一導電材料層中的一第一保留部份於該基板的該第二表面上，以形成該導電殘料。
19. 如請求項18所述之製造方法，其中嵌入該第一導電材料層中的該第一嵌入部份於該基板中的步驟包括：提供一嵌入液於該第一導電材料層中的該第一嵌入部份上，以令該第一導電材料層中的該第一嵌入部份從該基板的該第二表面嵌入於該基板中。
20. 如請求項17所述之製造方法，其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中，並形成該導電殘料於該基板的該第二表面上的步驟包括：提供一第一導電材料層於該基板的該第二表面上；嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第一高度，以形成一第二導電材料層，並保留該第一導電材料層中的一第一保留部份於該基板的該第二表面上，以形成該導電殘料；以及嵌入該第二導電材料層中的一第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第二高度，以形成該些第一觸控電極，並保留該第二導電材料層中的一第二保留 部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第一高度，以形成該些第二觸控電極以及該電極通道。
21. 如請求項20所述之製造方法，其中嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度的步驟包括：嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中，直到該第二導電材料層中的該第二嵌入部份暴露於該基板的該第一表面上。
22. 如請求項20所述之製造方法，其中嵌入該第二導電材料層中的該第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度的步驟包括：對應於該第二導電材料層中的該第二嵌入部份，提供一嵌入液於該基板的該第二表面上，以令該第二導電材料層中的該第二嵌入部份嵌入於該基板中相對於該基板的該第一表面的該第二高度。
23. 如請求項17所述之製造方法，其中該製造方法更包括：在提供該架橋之前，形成至少二第一接觸孔於該些第一觸控電極與該基板的該第一表面之間，以令該架橋得以透過該些第一接觸孔電性接觸該些第一觸控電極。
24. 如請求項23所述之製造方法，其中形成該些第一接觸孔的步驟包括：提供一遮罩於該基板的該第一表面上，並暴露該基板的至少二第一待開孔部份；以及移除該基板的該至少二第一待開孔部份，以形成該些第一接觸孔。
25. 如請求項17所述之製造方法，更包括：提供至少一導線於該基板的該第一表面上，其中該導線電性接觸該些第一觸控電極中的至少一者。
26. 如請求項25所述之製造方法，其中該製造方法更包括：在提供該導線之前，形成至少一第二接觸孔於該些第一觸控電極中的該至少一者與該基板的該第一表面之間，以令該導線得以透過該第二接觸孔電性接觸該些第一觸控電極中的該至少一者。
27. 如請求項26所述之製造方法，其中形成該些第二接觸孔的步驟包括：提供一遮罩於該基板的該第一表面上，並暴露該基板的至少一第二待開孔部份；以及移除該基板的該至少一第二待開孔部份，以形成該第二接觸孔。