CN204423340U - 触控模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电子装置,特别是一种触控模块,触控模块包括基板、至少一第一触控电极、活化层以及至少一第二触控电极。第一触控电极设置于基板上,活化层覆盖于第一触控电极与基板上。导电残料嵌入于活化层中,第二触控电极设置于活化层上。
Description
技术领域
本实用新型是有关于一种电子装置。特别是有关于一种触控模块。
背景技术
随着电子科技的快速进展,触控模块已被广泛地应用在各式电子装置中,如移动电话、平板电脑等。
典型的触控模块例如可设置于显示屏幕上,包括多个触控电极。在物体(手指或触碰笔等)接近或触碰显示屏幕时,相应的触控电极产生电信号,并传送电信号至控制电路,借以达成触控感测。
在制造过程中,一般是利用蚀刻方式将触控电极之间的导电物质移除,以图案化触控电极,并使触控电极间彼此绝缘。然而,将部分导电物质移除的做法,将导致触控模块的光折射率不均匀,而影响触控模块外观的光学一致性。
实用新型内容
是以,为避免触控模块的光折射率不均匀,本实用新型的一方面提供一种触控模块。根据本实用新型一实施例,该触控模块包括一基板、至少一第一触控电极、一活化层、以及至少一第二触控电极。该第一触控电极设置于该基板上。该活化层覆盖于该第一触控电极与该基板上。一导电残料嵌入于该活化层中。该第二触控电极设置于该活化层上。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括一绝缘层。该绝缘层设置于该第二触控电极上。
根据本实用新型一实施例,该绝缘层于该基板上的正投影小于该第二触控电极于该基板上的正投影。
根据本实用新型一实施例,该绝缘层与该导电残料于该基板上的正投影彼此不重叠。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括至少一第一导线。该第一导线设置于该基板上,并电性接触该第一触控电极。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括至少一第二导线。该第二导线设置于该第二触控电极上,并电性接触该第二触控电极。
根据本实用新型一实施例,该第二导线于该基板上的正投影小于该第二触控电极于该基板上的正投影。
根据本实用新型一实施例,该第二导线与该导电残料于该基板上的正投影彼此不重叠。
根据本实用新型一实施例,该第二触控电极相对于该基板的高度不同于该导电残料相对于该基板的高度。
根据本实用新型一实施例,该第二触控电极相对于该基板的高度以及该导电残料相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。
根据本实用新型一实施例,该第二触控电极与该导电残料在该基板上的正投影彼此不重叠。
根据本实用新型一实施例,该第一触控电极与该第二触控电极为长条形。
根据本实用新型一实施例,该第一触控电极与该第二触控电极在该基板上的正投影彼此垂直。
根据本实用新型一实施例,该第一触控电极由金属网格所实现。
综上所述,透过应用上述一实施例,可实现一种触控模块。通过嵌入触控电极于基板中,即可使触控电极间彼此绝缘,以图案化触控电极。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极,并避免造成触控模块的光折射率不均匀,而影响触控模块外观的光学一致性。
附图说明
图1A-4A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图1B-4B为图1A-4A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图;
图1C-4C为图1A-4A中的触控模块沿线段B-B方向所绘示的剖面图;
图4D为图4A中的触控模块沿线段C-C方向所绘示的剖面图;以及
图5为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下将以附图及详细叙述清楚说明本实用新型的精神,任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本实用新型的较佳实施例后,当可由本实用新型所教示的技术,加以改变及修饰,其并不脱离本实用新型的精神与范围。
关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本实用新型,其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
关于本文中所使用的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。
关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等,均为开放性的用语,即意指包含但不限于。
关于本文中所使用的“及/或”,是包括所述事物的任一或全部组合。
关于本文中所使用的用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本揭露的用词将于下或在此说明书的别处讨论,以提供本领域技术人员在有关本揭露的描述上额外的引导。
图1A-4A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图1B-4B为图1A-4A中的触控模块100沿线段A-A方向所绘示的剖面图。图1C-4C为图1A-4A中的触控模块100沿线段B-B方向所绘示的剖面图。图4D为图4A中的触控模块100沿线段C-C方向所绘示的剖面图。
特别参照图1A、图1B及图1C。首先,在第一步骤中,形成至少一第一触控电极ETD1以及至少一第一导线TRC1于基板SBT上,其中第一导线TRC1电性接触第一触控电极ETD1。在本实施例中,第一触控电极ETD1可用金属、金属网格(metal mesh)、金属氧化物、导电高分子、纳米碳管、纳米金属线、导电胶、导电高分子、石墨稀、纳米金属等适当导电材料实现,然本实用新型不以此为限。第一导线TRC1可用金属、金属氧化物、导电高分子等适当导电材料实现,然本实用新型不以此为限。基板SBT可用玻璃、塑胶等适当材料实现,然本实用新型不以此为限。
接着,在第二步骤中,形成活化层ACT,覆盖于第一触控电极ETD1与基板SBT上。在一实施例中,活化层ACT的厚度大致介于50微米至550微米,然而本实用新型不以此为限。在一实施例中,活化层ACT可用聚酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、环状烯烃单体共聚合物(cycloolefin polymer,COP)等适当高分子材料实现,然而本实用新型不以此为限。应注意到,在第一触控电极ETD1用金属网格实现的情况下,可使活化层ACT更稳固地附着在基板SBT及第一触控电极ETD1上。
接着,在第三步骤中,形成导电材料层CDT于活化层ACT上。在本实施例中,导电材料层CDT包括嵌入部分EBP以及保留部分RTP。导电材料层CDT的保留部分RTP是用以在后续的步骤中形成第二触控电极ETD2。导电材料层CDT的嵌入部分EBP是用以在后续的步骤中形成导电残料RMN(如图4C)。导电材料层CDT可用纳米碳管、纳米金属线、导电胶、导电高分子、石墨稀、纳米金属等适当导电材料实现,然而本实用新型不以此为限。
所谓导电残料RMN是指在导电材料层CDT中,并未用以制作第二触控电极ETD2(如图4C)的部分。在本实施例中,导电残料RMN与第二触控电极ETD2在基板SBT上的正投影彼此不重叠。在本实施例中,导电残料RMN与第二触控电极ETD2在基板SBT上的正投影可形成一完整的平面,以保持触控模块100外观的光学一致性。
接着,特别参照图2A、图2B及图2C。在第四步骤中,形成至少一第二导线TRC2于导电材料层CDT的保留部分RTP上,并电性接触导电材料层CDT的保留部分RTP。在本实施例中,第二导线TRC2可用金属、金属氧化物、导电高分子等适当导电材料实现,然本实用新型不以此为限。
接着,特别参照图3A、图3B及图3C。在第五步骤中,形成绝缘层INS于导电材料层CDT的保留部分RTP上。在本实施例中,绝缘层INS的一部分是覆盖于第二导线TRC2上。在本实施例中,绝缘层INS与第二导线TRC2共同地完整覆盖导电材料层CDT的保留部分RTP。
接着,特别参照图4A、图4B及图4C。在第六步骤中,嵌入导电材料层CDT的嵌入部分EBP于活化层ACT中,并使保留部分RTP保持在活化层ACT的表面上,以令嵌入部分EBP与保留部分RTP彼此分隔并绝缘。此时,嵌入于活化层ACT中的嵌入部分EBP成为导电残料RMN,保持在活化层ACT的表面上的保留部分RTP成为第二触控电极ETD2。在本实施例中,导电残料RMN并未电性接触第一触控电极ETD1或第一导线TRC1。
在本实施例中,导电残料RMN具有相对于基板SBT的高度H1(亦即与基板SBT的间距为H1),第二触控电极ETD2具有相对于基板SBT的高度H2(亦即与基板SBT的间距为H2)。高度H1不同于高度H2,且高度H1与H2的差值大于导电残料RMN的厚度或大于第二触控电极ETD2的厚度,以使导电残料RMN绝缘于第二触控电极ETD2。在一实施例中,导电残料RMN相对于基板SBT的高度H1与第二触控电极ETD2相对于基板SBT的高度H2之间的高度差大致大于50纳米。
在一实施例中,于上述的第六步骤中,是通过提供一种特定溶剂(下称嵌入液(embedded ink))于导电材料层CDT中的嵌入部分EBP上,以令导电材料层CDT中的嵌入部分EBP从活化层ACT的表面嵌入于活化层ACT中。换言之,通过提供嵌入液于导电材料层CDT的嵌入部分EBP上,可令活化层ACT中的对应部分膨胀(swell),以使导电材料层CDT中的导电材料渗透到活化层ACT之中,以嵌入嵌入部分EBP于活化层ACT中。应注意到,嵌入液的态样是对应于活化层ACT的材料,凡足以使活化层ACT膨胀,以使导电材料渗透到活化层ACT之中的溶液皆可做为嵌入液。在一实施例中,嵌入液的溶解参数(solubility parameter)接近于活化层ACT的材料的溶解参数。
应注意到,在本实用新型实施例中,可透过涂布(spray)或印刷(print)的方式提供嵌入液,但本实用新型不以此为限。
再者,应注意到,于上述的第六步骤中,由于绝缘层INS与第二导线TRC2已共同地完整覆盖于导电材料层CDT的保留部分RTP上,故在提供嵌入液时,可将嵌入液全面性地提供于绝缘层INS、第二导线TRC2与导电材料层CDT的嵌入部分EBP上,而不会使导电材料层CDT的保留部分RTP被嵌入于活化层ACT中,以简化提供嵌入液的制程。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100中第二触控电极ETD2,而非透过蚀刻方式,即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过嵌入的方式图案化触控模块100第二触控电极ETD2可使第二触控电极ETD2及导电残料RMN在基板SBT上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
当注意到,在本实用新型中的用语“大致”,是用以修饰可些微变化的数量以及因制造过程所造成的些微误差,但这种些微变化及些微误差并不会改变其本质。举例而言,通过嵌入的方式图案化触控模块100中第二触控电极ETD2可能因挤压而造成误差,使得第二触控电极ETD2及导电残料RMN在基板SBT上的正投影之间存在些微间隙或彼此些微重叠。然而,此些因制造过程所造成的些微误差,亦在本实用新型范围之中。
在本实施例中,第一触控电极ETD1与第二触控电极ETD2大致为长条形,然本实用新型不以此为限。在本实施例中,第一触控电极ETD1是向图4A中的y轴方向延伸,且第二触控电极ETD2是向图4A中的x轴方向延伸。第一触控电极ETD1与第二触控电极ETD2在基板SBT上的正投影彼此垂直。
在一实施例中,导电残料RMN于基板SBT上的正投影不重叠于第二导线TRC2或绝缘层INS于基板SBT上的正投影。此外,第二导线TRC2以及绝缘层INS于基板SBT上的正投影小于第二触控电极ETD2于基板SBT上的正投影。
图5为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法200的流程图。制造方法200可用以制作上述的触控模块100,然不以此为限。在以下段落,将用第一实施例中的触控模块100为例进行制造方法200的说明,然本实用新型不以此为限。制造方法200包括以下步骤。
在步骤S1中,形成至少一第一触控电极ETD1于基板SBT上。
在步骤S2中,形成活化层ACT覆盖于第一触控电极ETD1与基板SBT上。
在步骤S3中,嵌入导电残料RMN于活化层ACT中,以形成至少一第二触控电极ETD2于活化层ACT上。
透过上述的制造方法200,即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100、第二触控电极ETD2,而非透过蚀刻方式,即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
综上所述,本实用新型的一实施例揭露一种触控模块。触控模块包括基板、至少一第一触控电极、活化层以及至少一第二触控电极。第一触控电极设置于基板上。活化层覆盖于第一触控电极与基板上。导电残料嵌入于活化层中。第二触控电极设置于活化层上。
本实用新型的另一实施例揭露一种触控模块的制造方法。制造方法包括:形成至少一第一触控电极于基板上;形成活化层覆盖于第一触控电极与基板上;以及嵌入导电残料于活化层中,以形成至少一第二触控电极于活化层上。
虽然本实用新型已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何熟悉此技艺者,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种触控模块,其特征在于,包括:
一基板;
至少一第一触控电极,设置于该基板上;
一活化层,覆盖于该第一触控电极与该基板上,其中一导电残料嵌入于该活化层中;以及
至少一第二触控电极,设置于该活化层上。
2.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
一绝缘层,设置于该第二触控电极上。
3.根据权利要求2所述的触控模块,其特征在于,该绝缘层于该基板上的正投影小于该第二触控电极于该基板上的正投影。
4.根据权利要求2所述的触控模块,其特征在于,该绝缘层与该导电残料于该基板上的正投影彼此不重叠。
5.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
至少一第一导线,设置于该基板上,并电性接触该第一触控电极。
6.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
至少一第二导线,设置于该第二触控电极上,并电性接触该第二触控电极。
7.根据权利要求6所述的触控模块,其特征在于,该第二导线于该基板上的正投影小于该第二触控电极于该基板上的正投影。
8.根据权利要求6所述的触控模块,其特征在于,该第二导线与该导电残料于该基板上的正投影彼此不重叠。
9.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,该第二触控电极相对于该基板的高度不同于该导电残料相对于该基板的高度。
10.根据权利要求9所述的触控模块,其特征在于,该第二触控电极相对于该基板的高度以及该导电残料相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。
Priority Applications (1)
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