CN205451011U - 触控模块 - Google Patents
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Abstract
一种触控模块在此揭露。触控模块包括一基板、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、一绝缘区块、至少一电极通道、以及至少一架桥。第一触控电极形成于基板上。第二触控电极形成于基板上。绝缘区块嵌入形成于基板中,并位于第一触控电极以及第二触控电极之间。电极通道形成于基板上用以电性连接第二触控电极。架桥跨越该电极通道,用以电性连接第一触控电极。第一触控电极电性绝缘于第二触控电极。借此,可避免透过蚀刻方式图案化触控电极,并避免造成触控模块的光折射率不均匀,而影响触控模块外观的光学一致性。
Description
技术领域
本实用新型是有关于一种电子装置。特别是有关于一种触控模块。
背景技术
随着电子科技的快速进展,触控模块已被广泛地应用在各式电子装置中,如移动电话、平板电脑等。
典型的触控模块例如可设置于显示屏幕上,包括多个触控电极。在物体(手指或触碰笔等)接近或触碰显示屏幕时,相应的触控电极产生电信号,借此达成触控感测。
在制造过程中,一般是利用蚀刻方式将触控电极之间的导电物质移除,以图案化触控电极,并使触控电极间彼此绝缘。然而,将部分导电物质移除的做法,以及仅移除部分导电物质所形成的结构,将导致触控模块的光折射率不均匀,而影响触控模块外观的光学一致性。
实用新型内容
是以,为避免触控模块的光折射率不均匀,本实用新型的一方面提供一种触控模块。根据本实用新型一实施例,该触控模块包括一基板、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、一绝缘区块、至少一电极通道、以及至少一架桥。所述第一触控电极形成于该基板上。所述第二触控电极形成于该基板上。该绝缘区块嵌入形成于该基板中,并位于该第一触控电极以及该第二触控电极之间。该电极通道形成于该基板上,用以电性连接所述第二触控电极。该架桥设置于该基板上,用以电性连接所述第一触控电极。所述第一触控电极电性绝缘于所述第二触控电极。
根据本实用新型一实施例,所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道与该绝缘区块是由同一导电材料层所形成而具有相同的导电物质,并且该绝缘区块是经一分散导电物质的绝缘化处理而具有分离的导电物质。
根据本实用新型一实施例,该绝缘区块更位于所述第一触控电极以及所述第二触控电极的周围。
根据本实用新型一实施例,该绝缘区块在该基板的一表面上的正投影位于所述第一触控电极与所述第二触控电极在该基板的该表面上的正投影之间。
根据本实用新型一实施例,所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道、与该绝缘区块在该基板的一表面上的正投影之间不重叠。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括多个遮罩,分别设置于所述第一触控电极、所述第二触控电极、以及该电极通道之上。
根据本实用新型一实施例,所述设置于所述第一触控电极上的遮罩还包括多个接触孔。该架桥透过所述接触孔电性连接所述第一触控电极。
根据本实用新型一实施例,所述设置于所述第一触控电极上的遮罩还包括多个导电件,分别位于所述接触孔中。该架桥透过所述导电件电性连接所述第一触控电极。
根据本实用新型一实施例,该架桥通过该设置于该电极通道上的遮罩来与该电极通道电性绝缘。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括多条导线,电性连接该第一触控电极以及该第二触控电极。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括多条辅助导线,分别位于所述导线之下,并分别电性连接所述导线。
根据本实用新型一实施例,该触控模块还包括多个接触垫以及多条导线。所述接触垫分别设置于部分的该第一触控电极以及部分的该第二触控电极之上。所述导线分别电性连接所述接触垫。
根据本实用新型一实施例,所述第一触控电极是沿一第一方向设置,所述第二触控电极是沿一第二方向设置,且该第一方向不同于该第二方向。
综上所述,透过应用上述一实施例,可实现一种触控模块。通过于基板中形成绝缘区块,可使触控电极间彼此绝缘。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极,并避免造成触控模块的光折射率不均匀,而影响触控模块外观的光学一致性。
附图说明
图1A、图2A、图3A、图4A、图5A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图1B、图2B、图3B、图4B、图5B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图6为根据本实用新型比较例所绘示的形成触控电极与绝缘区块的剖面图;
图7A、图8A、图9A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图7B、图8B、图9B分别为图7A、图8A、图9A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图10A、图11A、图12A、图13A、图14A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图10B、图11B、图12B、图13B、图14B分别为图10A、图11A、图12A、图13A、图14A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图15A、图16A、图17A、图18A、图19A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图15B、图16B、图17B、图18B、图19B分别为图15A、图16A、图17A、图18A、图19A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图20A、图21A、图22A、图23A分别为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的一个步骤的示意图;
图20B、图21B、图22B、图23B分别为图20A、图21A、图22A、图23A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图24A、图25A、图26A、图27A、图28A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图24B、图25B、图26B、图27B、图28B分别为图24A、图25A、图26A、图27A、图28A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图29A、图30A、图31A、图32A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图29B、图30B、图31B、图32B分别为图29A、图30A、图31A、图32A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图33A、图34A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图33B、图34B分别为图33A、图34A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图35A、图36A、图37A、图38A、图39A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图35B、图36B、图37B、图38B、图39B分别为图35A、图36A、图37A、图38A、图39A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图40A、图41A、图42A、图43A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图40B、图41B、图42B、图43B分别为图40A、图41A、图42A、图43A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图44A、图45A、图46A、图47A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图44B、图45B、图46B、图47B分别为图44A、图45A、图46A、图47A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图48A、图49A、图50A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图48B、图49B、图50B分别为图48A、图49A、图50A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图51A、图52A、图53A、图54A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图51B、图52B、图53B、图54B分别为图51A、图52A、图53A、图54A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;
图55A、图56A、图57A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图;
图55B、图56B、图57B分别为图56A、图57A中的触控模块沿线段A-a方向所绘示的剖面图;以及
图58为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下将以附图及详细叙述清楚说明本实用新型的精神,任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本实用新型的较佳实施例后,当可由本实用新型所教示的技术,加以改变及修饰,其并不脱离本实用新型的精神与范围。
关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本实用新型,其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
关于本文中所使用的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。
关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等,均为开放性的用语,即意指包含但不限于。
关于本文中所使用的“及/或”,是包括所述事物的任一或全部组合。
关于本文中所使用的用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本揭露的用词将于下或在此说明书的别处讨论,以提供本领域技术人员在有关本揭露的描述上额外的引导。
本实用新型的一实施方式为一种触控模块的制造方法。在以下段落中,本实用新型将用以下第一实施例至第十四实施例为例说明本实用新型细节,然而本实用新型不以下述实施例中的细节为限,其它的实施方式亦在本实用新型范围之中。
第一实施例
图1A、图2A、图3A、图4A、图5A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A中的触控模块100沿线段A-A方向所绘示的剖面图。
首先,特别参照图1A及图1B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120上。
在一实施例中,是通过提供含导电添加物(conductingadditive)的嵌入液(embeddingsolvent)于基板110的上表面SF1上,以令导电添加物部分嵌入基板110中,形成导电材料层120。亦即,导电材料层120是部分嵌入于基板110的上表面SF1上。
在一实施例中,基板110例如是由聚酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,PET)、环状烯烃单体共聚合物(cycloolefinpolymer,COP)等适当高分子材料实现。在一实施例中,含导电添加物的嵌入液例如是通过将导电添加物溶解于特定溶剂中所实现,其中所述的特定溶剂的溶解参数(solubilityparameter)接近于基板110的材料的溶解参数,以使溶解于所述的特定溶剂中的导电添加物渗透进入基板110之中,以达成嵌入的效果。在一实施例中,上述导电添加物例如是纳米碳管、纳米金属线、导电胶、导电高分子、石墨稀、纳米金属等适当导电物质。
通过提供含导电添加物的嵌入液于以高分子材料形成的基板110的上表面SF1上,可使基板110中邻近上表面SF1的部分膨胀,以使部分导电添加物渗透到基板110之中,以达到部分嵌入的效果。
为使叙述清楚,在以下的段落中,前述导电添加物将以纳米银线为例进行说明,然而本实用新型不以此为限。
在一实施例中,第一遮罩MSK1是用以在而后的步骤中图形化第一触控电极E1,第二遮罩MSK2是用以在而后的步骤中图形化第二触控电极E2。
在一实施例中,是先形成一透明材料层于导电材料层120上,而后再以移除此一透明材料层中的一部分,以形成第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2。在一实施例中,此一移除程序可用黄光蚀刻或干式蚀刻实现,然本实用新型不以此为限。
在一实施例中,第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2例如可用光阻材料或其它透明的导电、非导电材料实现,然本实用新型不以此为限。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出部分导电材料层120。
接着,特别参照图2A及图2B,在一第三步骤中,提供多个透明导电件CD于接触孔T中以及导电材料层120上。
在一实施例中,透明导电件CD与接触孔T在俯视面上的的尺寸相同。在一实施例中,透明导电件CD在俯视面上的尺寸可大于或小于接触孔T在俯视面上的尺寸。
在一实施例中,透明导电件CD可用透明导电材料所形成。
接着,特别参照图3A及图3B,在一第四步骤中,提供多条金属导线MT于导电材料层120与第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2上。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2及透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,特别参照图4A及图4B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、及透明导电件CD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在一实施例中,是通过提供不含导电添加物的嵌入液于导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2及金属导线MT之外的第一部分P上,以分散导电材料层120中的第一部分P中的导电物质,并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中,以在基板110中形成嵌入的绝缘区块I。
举例而言,特别参照图6。如图6所示,在第一遮罩MSK1下的多个纳米银线SNW是彼此连接,以形成具导电性的第一触控电极E1,此外,暴露在第一遮罩MSK1、第一遮罩MSK1所对应的透明导电件CD与金属导线MT外的纳米银线SNW,因被不含导电添加物的嵌入液分散,故彼此不连接,以形成不具导电性的绝缘区块I。换言之,触控电极E1、E2、电极通道C与辅助导线X具有彼此电性连接的导电物质,绝缘区块I具有彼此分散且电性隔离的导电物质。
在一实施例中,不含导电添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解参数的特定溶剂所实现。
在一实施例中,绝缘区块I是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I亦形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图5A及图5B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG通过设置于电极通道C上的遮罩MSK2来与电极通道C电性绝缘。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、电极通道C、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、电极通道C、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
当注意到,在本实用新型中的用语“大致”,是用以修饰可些微变化的数量以及因制造过程所造成的些微误差,但这种些微变化及些微误差并不会改变其本质。举例而言,在形成绝缘区块I的过程中,可能产生误差,使得触控电极E1、E2、金属导线MT以及绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间存在些微间隙或些微重叠。然而,这些因制造过程所造成的些微误差,亦在本实用新型范围之中。
在一实施例中,绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影位于触控电极E1、E2与电极通道C在基板110的上表面SF1上的正投影之间。在一实施例中,绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影位于触控电极E1、E2与电极通道C在基板110的上表面SF1上的正投影的周围。
在本实施例中,第一触控电极E1例如是沿图5A中x轴方向设置。相邻的两个第一触控电极E1之间是透过架桥BG彼此电性连接。架桥BG横跨于电极通道C上。架桥BG与电极通道C通过遮罩MSK2所阻隔,故彼此不电性接触。在一实施例中,第一触控电极E1位于遮罩MSK1下,且架桥BG位于遮罩MSK1上。
此外,第二触控电极E2例如是沿图5A中y轴方向(垂直于x轴方向)设置。相邻的两个第二触控电极E2之间是透过电极通道C彼此电性连接。在一实施例中,触控电极E2与电极通道C皆位于遮罩MSK2下。
再者,于本实施例中,第一触控电极E1与第二触控电极E2皆大致为菱形。应注意到,上述实施例仅为例示,其它形状的触控电极E1、E2亦在本实用新型范畴之中,故本实用新型并不以此为限。
在一实施例中,遮罩MSK1例如是沿图5A中x轴方向设置,且遮罩MSK2例如是沿图5A中y轴方向设置。在一实施例中,遮罩MSK1、MSK2皆大致为菱形。应注意到,上述实施例仅为例示,其它形状的遮罩MSK1、MSK2亦在本实用新型范畴之中,故本实用新型并不以此为限。
在一实施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分离。在一实施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板110的上表面SF1上的正投影之间彼此不重叠。
在一实施例中,遮罩MSK1与遮罩MSK2的至少一部分可在形成触控电极E1、E2后选择性移除,故本实用新型不以上述实施例为限。
在一实施例中,辅助导线X位于金属导线MT之下。在一实施例中,辅助导线X电性连接金属导线MT,并分别电性连接触控电极E1、E2。在一实施例中,辅助导线X可协助金属导线MT传递触控信号。
在一实施例中,辅助导线X、电极通道C、绝缘区块I、与触控电极E1、E2具有相同的导电物质。
应注意到,虽然在上述实施例中,触控电极E1、E2是形成于同一基板110上,然而在不同实施例中,触控电极E1、E2亦可先分别形成于不同基板上,而后再将这些基板叠合,以形成触控模块100。因此,本实用新型不以前述实施例为限。
另一方面,应注意到,在本实用新型的一变化的实施例中,基板110可包括活化层(未绘示)以及底层(未绘示)。活化层设置于底层之上,且前述的触控电极E1、E2、电极通道C、及辅助导线X皆部分嵌入于基板110的活化层上,且前述的绝缘区块I是形成于基板110的活化层之中。
在一实施例中,底层可以是刚性或软性材质,例如可用玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)及/或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所制作。活化层例如可用聚酸甲酯、聚氯乙烯(polyvinylchloride,PVC)及/或聚苯乙烯(polystyrene)等适当高分子材料实现。
在一实施例中,由于第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、与绝缘区块I是由同一导电材料层120所形成,故具有相同的导电物质。绝缘区块I是经一分散导电材料层120中的导电物质的绝缘化处理(即前述的嵌入处理)而具有从导电材料层120中分离出的导电物质。
第二实施例
以下将透过第二实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第一实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在以金属导电件MD取代透明导电件,以使得提供金属导电件MD的步骤与提供金属导线MT的步骤得以整合。因此,在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤与第一实施例的第一步骤、第二步骤大致相同(可参照图1A、1B),故在此不赘述。
参照图7A及图7B,在一第三步骤中,可提供多个金属导电件MD于接触孔T中以及导电材料层120上,并提供金属导线MT于遮罩MSK1、MSK2与导电材料层120上。在一实施例中,金属导电件MD可填满接触孔T。
在一实施例中,提供金属导电件MD与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,金属导电件MD与金属导线MT是在不同制程中提供。
在一实施例中,金属导电件MD与金属导线MT可用相同金属材料实现。在不同实施例中,金属导电件MD与金属导线MT可用不同金属材料实现。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,参照图8A及图8B,在一第四步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第四步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及金属导电件MD之下并接触第一遮罩MSK1及金属导电件MD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图9A及图9B,在一第五步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的金属导电件MD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第三实施例
以下将透过第三实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第一实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于透明导电件CD与遮罩MSK1、MSK2的形成顺序。故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图10A、图11A、图12A、图13A、图14A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图10B、图11B、图12B、图13B、图14B分别为图10A、图11A、图12A、图13A、图14A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图10A及图10B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个透明导电件CD导电材料层120上。
在本实施例中,基板110、导电材料层120与透明导电件CD的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图11A及图11B,在一第三步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120上。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2存在接触孔T,以暴露出透明导电件CD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图12A及图12B,在一第四步骤中,提供多条金属导线MT于导电材料层120与第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2上。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,参照图13A及图13B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分系形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图14A及图14B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第四实施例
以下将透过第四实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第三实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT与遮罩MSK1、MSK2的形成顺序。故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图15A、图16A、图17A、图18A、图19A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图15B、图16B、图17B、图18B、图19B分别为图15A、图16A、图17A、图18A、图19A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图15A及图15B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个透明导电件CD于导电材料层120上。
在本实施例中,基板110、导电材料层120与透明导电件CD的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图16A及图16B,在一第三步骤中,提供多条金属导线MT于导电材料层120上。
接着,特别参照图17A及图17B,在一第四步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120与金属导线MT上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出透明导电件CD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,参照图18A及图18B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图15A及图15B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第五实施例
以下将透过第五实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第二实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT与遮罩MSK1、MSK2的形成顺序。故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图20A、图21A、图22A、图23A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图20B、图21B、图22B、图23B分别为图20A、图21A、图22A、图23A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图20A及图20B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多条金属导线MT与多个金属导电件MD于导电材料层120上。
在一实施例中,提供金属导电件MD与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,金属导电件MD与金属导线MT是在不同制程中提供。
在本实施例中,基板110、导电材料层120、金属导电件MD与金属导线MT的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图21A及图21B,在一第三步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120与金属导电件MD上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出金属导电件MD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,特别参照图22A及图22B,在一第四步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第四步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及金属导电件MD之下并接触第一遮罩MSK1及金属导电件MD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图23A及图23B,在一第五步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的金属导电件MD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第六实施例
以下将透过第六实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第四实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于第六实施例增加透明导线TR。故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图24A、图25A、图26A、图27A、图28A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图24B、图25B、图26B、图27B、图28B分别为图24A、图25A、图26A、图27A、图28A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图24A及图24B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个透明导电件CD与多条透明导线TR于导电材料层120上。
在一实施例中,提供透明导电件CD与透明导线TR的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,透明导电件CD与透明导线TR是在不同制程中提供。
在本实施例中,基板110、导电材料层120与透明导电件CD的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,透明导线TR可用相同于透明导电件CD的透明导电材料实现。在不同实施例中,透明导线TR可用不同于透明导电件CD的透明导电材料实现。
接着,特别参照图25A及图25B,在一第三步骤中,提供多条金属导线MT于透明导线TR上。
接着,特别参照图26A及图26B,在一第四步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120与金属导线MT上。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R。
接着,参照图27A及图27B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图28A及图28B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,透明导线TR位于辅助导线X与金属导线MT之间,并电性连接触控电极E1、E2、辅助导线X、与金属导线MT。在一实施例中,透明导线TR可协助金属导线MT传递触控信号。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第七实施例
以下将透过第七实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第六实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT与遮罩MSK1、MSK2的形成顺序。因此,在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤与第六实施例的第一步骤、第二步骤大致相同(可参照图24A、图24B),故在此不赘述。
参照图29A及图29B,在一第三步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出透明导电件CD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,参照图30A及图30B,在一第四步骤中,提供多条金属导线MT于透明导线TR及遮罩MSK1、MSK2上。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R。
接着,特别参照图31A及图31B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图32A及图32B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、金属导线MT、与透明导线TR的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第八实施例
以下将透过第八实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第七实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT与绝缘化导电材料层120的制程顺序,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤与第六实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤大致相同(可参照图24A、图24B、图29A、图29B),故在此不赘述。
参照图33A及图33B,在一第四步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第四步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及透明导电件CD之下并接触第一遮罩MSK1及透明导电件CD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明导线TR之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图34A及图34B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
此外,在第六步骤中,亦提供多条金属导线MT于透明导线TR上。
在一实施例中,提供架桥BG与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT是在不同制程中提供。
在一实施例中,架桥BG与金属导线MT可用相同金属材料实现。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT可用不同金属材料实现。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、金属导线MT、与透明导线TR的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第九实施例
以下将透过第九实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与前述实施例中的制造方法大致相同,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图35A、图36A、图37A、图38A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图35B、图36B、图37B、图38B分别为图35A、图36A、图37A、图38A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图35A及图35B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多条透明导线TR于导电材料层120上。
在本实施例中,基板110、导电材料层120与透明导线TR的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图36A及图36B,在一第三步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120与透明导线TR上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出部分导电材料层120。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图37A及图37B,在一第四步骤中,提供多个金属导电件MD于遮罩MSK1的接触孔T中以及导电材料层120上。
此外,在第四步骤中,亦提供多条金属导线MT于透明导线TR及遮罩MSK1、MSK2上。
在一实施例中,提供金属导电件MD与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,金属导电件MD与金属导线MT是在不同制程中提供。
在本实施例中,金属导电件MD与金属导线MT的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2及其对应的透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R。
接着,参照图38A及图38B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及金属导电件MD之下并接触第一遮罩MSK1及金属导电件MD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图39A及图39B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的金属导电件MD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、金属导线MT与透明导线TR的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第十实施例
以下将透过第十实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第九实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于遮罩MSK1、MSK2与金属导电件MD及金属导线MT的形成顺序,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤与第九实施例的第一步骤、第二步骤大致相同(可参照图35A、图35B),故在此不赘述。
参照图40A及图40B,在一第三步骤中,可提供多个金属导电件MD于导电材料层120上。
此外,在第三步骤中,亦可提供多条金属导线MT于透明导线TR上。
在一实施例中,提供金属导电件MD与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,金属导电件MD与金属导线MT是在不同制程中提供。
在本实施例中,金属导电件MD与金属导线MT的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,参照图41A及图41B,在一第四步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120与金属导线MT上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出金属导电件MD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2及金属导电件MD下的第二部分Q;以及位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R。
接着,参照图42A及图42B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1及金属导电件MD之下并接触第一遮罩MSK1及金属导电件MD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于透明导线TR下并接触透明导线TR的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、金属导电件MD、透明导线TR、以及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图43A及图43B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的金属导电件MD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、金属导线MT、与透明导线TR的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第十一实施例
以下将透过第十一实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与前述实施例中的制造方法大致相同,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图44A、图45A、图46A、图47A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图44B、图45B、图46B、图47B分别为图44A、图45A、图46A、图47A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图44A及图44B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个透明导电件CD于导电材料层120上。
此外,在第二步骤中,亦可提供多个透明接触垫PD于导电材料层120上。
在一实施例中,提供透明导电件CD与透明接触垫PD的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,透明导电件CD与透明接触垫PD是在不同制程中提供。
在本实施例中,导电材料层120与透明导电件CD的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,透明接触垫PD可用相同于透明导电件CD的透明导电材料实现。在不同实施例中,透明接触垫PD亦可用不同于透明导电件CD的透明导电材料实现。
接着,特别参照图45A及图45B,在一第三步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出透明导电件CD。
在本实施例中,遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的第一部分P;以及位于遮罩MSK1、MSK2及其对应的透明导电件CD与透明接触垫PD下的第二部分Q。
接着,特别参照图46A及图46B,在一第四步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第四步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1、透明导电件CD、及透明接触垫PD之下并接触第一遮罩MSK1、透明导电件CD、及透明接触垫PD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图47A及图47B,在一第五步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
此外,在第五步骤中,亦提供多条金属导线MT于透明接触垫PD与绝缘区块I上。如此一来,可避免金属导线MT因接触基板110中的导电物质而造成短路。
在一实施例中,提供架桥BG与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT是在不同制程中提供。
在一实施例中,架桥BG与金属导线MT可用相同金属材料实现。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT可用不同金属材料实现。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,透明接触垫PD位于金属导线MT与第一触控电极E1之间,并用以电性连接金属导线MT与第一触控电极E1。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、与金属导线MT的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第十二实施例
以下将透过第十二实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第十一实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT的形成顺序,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤与第十一实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤大致相同(可参照图44A和45A、图44B和45B),故在此不赘述。
参照图48A及图48B,在一第四步骤中,可提供多条金属导线MT于透明接触垫PD与上导电材料层120上。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的第一部分P、位于遮罩MSK1、MSK2及其对应的透明导电件CD下的第二部分Q、以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,参照图49A及图49B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1、透明导电件CD及透明接触垫PD之下并接触第一遮罩MSK1、透明导电件CD及透明接触垫PD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图50A及图50B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、透明接触垫PD、与金属导线MT的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第十三实施例
以下将透过第十三实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第十一实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于遮罩MSK1、MSK2与透明导电件CD、透明接触垫PD的形成顺序,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
图51A、图52A、图53A、图54A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图51B、图52B、图53B、图54B分别为图51A、图52A、图53A、图54A中的触控模块100沿线段A-a方向所绘示的剖面图。
特别参照图51A及图51B,在一第一步骤中,提供导电材料层120于基板110的上表面SF1上。接着,在一第二步骤中,提供多个第一遮罩MSK1与第二遮罩MSK2于导电材料层120上。
在一实施例中,第一遮罩MSK1上存在多个接触孔T,这些接触孔T暴露出部分导电材料层120。
在本实施例中,基板110、导电材料层120、遮罩MSK1、MSK2的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
接着,特别参照图52A及图52B,在一第三步骤中,提供多个透明导电件CD于遮罩MSK1的接触孔T中。
此外,在第三步骤中,亦可提供多个透明接触垫PD于导电材料层120上。
在一实施例中,提供透明导电件CD与透明接触垫PD的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,透明导电件CD与透明接触垫PD是在不同制程中提供。
在本实施例中,透明导电件CD与透明接触垫PD的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的第一部分P;以及位于遮罩MSK1、MSK2及其对应的透明导电件CD与透明接触垫PD下的第二部分Q。
接着,特别参照图53A及图53B,在一第四步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第四步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1、透明导电件CD、及透明接触垫PD之下并接触第一遮罩MSK1、透明导电件CD、及透明接触垫PD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、及透明接触垫PD之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图54A及图54B,在一第五步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
此外,在第五步骤中,亦提供多条金属导线MT于透明接触垫PD与绝缘区块I上。如此一来,可避免金属导线MT因接触基板110中的导电物质而造成短路。
在一实施例中,提供架桥BG与金属导线MT的步骤可整合为单一制程。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT是在不同制程中提供。
在一实施例中,架桥BG与金属导线MT可用相同金属材料实现。在不同实施例中,架桥BG与金属导线MT可用不同金属材料实现。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、透明接触垫PD、与金属导线MT的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
第十四实施例
以下将透过第十四实施例,提供另一种触控模块100的制造方法。此一制造方法与第十三实施例中的制造方法大致相同,差异之处仅在于金属导线MT的形成顺序,故在以下说明中,重复的部分将不赘述。
本实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤与第十三实施例的第一步骤、第二步骤、第三步骤大致相同(可参照图51A和52A、图51B和52B),故在此不赘述。
参照图55A及图55B,在一第四步骤中,可提供多条金属导线MT于透明接触垫PD与上导电材料层120上。
此时,导电材料层120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的第一部分P;位于遮罩MSK1、MSK2及其对应的透明导电件CD下的第二部分Q;以及位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R。
接着,参照图56A及图56B,在一第五步骤中,绝缘化导电材料层120的第一部分P,以形成第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道C、辅助导线X、以及绝缘区块I。
进一步来说,在第五步骤中,是分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质(如纳米银线),并使这些导电物质进一步下沉及分散至基板110之中以形成绝缘区块I,并使导电材料层120中位于第一遮罩MSK1、透明导电件CD及透明接触垫PD之下并接触第一遮罩MSK1、透明导电件CD及透明接触垫PD的第二部分Q形成第一触控电极E1、使导电材料层120中位于第二遮罩MSK2之下并接触第二遮罩MSK2的第二部分Q形成第二触控电极E2及位于第二触控电极E2之间的电极通道C,并使导电材料层120中位于金属导线MT下并接触金属导线MT的第三部分R形成辅助导线X。
在本实施例中,分散导电材料层120中暴露在遮罩MSK1、MSK2、透明导电件CD、透明接触垫PD及金属导线MT之外的一第一部分P中的导电物质的细节可参照前述段落,故在此不赘述。
在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分是形成于触控电极E1、E2之间,以使触控电极E1、E2彼此绝缘。在一实施例中,绝缘区块I中的至少一部分形成于触控电极E1、E2的周围。在一实施例中,绝缘区块I是暴露于基板110的上表面SF1。
接着,特别参照图57A及图57B,在一第六步骤中,提供至少一架桥BG,其中架桥BG是跨越电极通道C设置,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。在一实施例中,架桥BG是透过接触孔T电性接触两个相邻的透明导电件CD,以电性连接两个相邻的第一触控电极E1。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1绝缘于触控电极E2及电极通道C。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
换言之,通过前述分散导电材料层120的导电物质以于基板110中形成绝缘区块I的方法,可使触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。亦即,触控电极E1、E2、辅助导线X与绝缘区块I在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一来,即可避免因折射率不均,而影响触控模块100外观的光学一致性。
在本实施例中,基板110、绝缘区块I、触控电极E1、E2、电极通道C、遮罩MSK1、MSK2、架桥BG、辅助导线X、透明接触垫PD、与金属导线MT的细节与其间的相应关系大致可参照前述实施例,故在此不赘述。
图58为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法200的流程图。制造方法200可用以制作上述第一实施例至第十四实施例中的触控模块100,然不以此为限。在以下段落,将用第一实施例中的触控模块100为例进行制造方法200的说明,然本实用新型不以此为限。制造方法200包括以下步骤。
在步骤S1中,形成至少二第一触控电极E1、至少二第一触控电极E2、以及至少一电极通道C于一基板110上,并同步嵌入形成一绝缘区块I于基板110中,其中绝缘区块I位于第一触控电极E1以及第二触控电极E2之间用以电性连接第二触控电极E2。
在步骤S2中,设置至少一架桥BG于基板110上,其中架桥BG用以电性连接第一触控电极E1。其中,第一触控电极E1电性绝缘于第二触控电极E2。
透过上述的制造方法,即可实现触控模块100。于基板110中形成绝缘区块I,可使触控电极E1、E2间彼此绝缘。如此一来,即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极E1、E2,并避免造成触控模块100的光折射率不均匀,而影响触控模块100外观的光学一致性。
综上所述,本实用新型的一实施例揭露一种触控模块。触控模块包括一基板、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、一绝缘区块、至少一电极通道、以及至少一架桥。第一触控电极形成于基板上。第二触控电极形成于基板上。绝缘区块嵌入形成于基板中,并位于第一触控电极以及第二触控电极之间。电极通道形成于基板上用以电性连接第二触控电极。架桥设置于基板上,用以电性连接第一触控电极。第一触控电极电性绝缘于第二触控电极。
本实用新型的另一实施例揭露一种触控模块的制造方法。制造方法包括:形成至少二第一触控电极、至少二第一触控电极、以及至少一电极通道于基板上,并同步嵌入形成绝缘区块于基板中,其中绝缘区块位于第一触控电极以及第二触控电极之间,且电极通道用以电性连接第二触控电极;以及设置至少一架桥于基板上,其中架桥用以电性连接第一触控电极。第一触控电极电性绝缘于第二触控电极。
虽然本实用新型已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何熟悉此技艺者,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种触控模块,其特征在于,包括:
一基板;
至少二第一触控电极,形成于该基板上;
至少二第二触控电极,形成于该基板上;
一绝缘区块,嵌入形成于该基板中,并位于该第一触控电极以及该第二触控电极之间;
至少一电极通道,形成于该基板上,用以电性连接所述第二触控电极;以及
至少一架桥,跨越该电极通道,用以电性连接所述第一触控电极;
其中所述第一触控电极电性绝缘于所述第二触控电极。
2.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道与该绝缘区块是由同一导电材料层所形成而具有相同的导电物质,并且该绝缘区块是经一分散导电物质的绝缘化处理而具有分离的导电物质。
3.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,该绝缘区块更位于所述第一触控电极以及所述第二触控电极的周围。
4.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,该绝缘区块在该基板的一表面上的正投影位于所述第一触控电极与所述第二触控电极在该基板的该表面上的正投影之间。
5.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道、与该绝缘区块在该基板的一表面上的正投影之间不重叠。
6.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
多个遮罩,分别设置于所述第一触控电极、所述第二触控电极、以及该电极通道之上。
7.根据权利要求6所述的触控模块,其特征在于,设置于所述第一触控电极上的所述遮罩还包括:
多个接触孔;
其中该架桥透过所述接触孔电性连接所述第一触控电极。
8.根据权利要求7所述的触控模块,其特征在于,设置于所述第一触控电极上的所述遮罩还包括:
多个导电件,分别位于所述接触孔中;
其中该架桥透过所述导电件电性连接所述第一触控电极。
9.根据权利要求6所述的触控模块,其特征在于,该架桥通过设置于该电极通道上的所述遮罩来与该电极通道电性绝缘。
10.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
多条导线,电性连接该第一触控电极以及该第二触控电极。
11.根据权利要求10所述的触控模块,其特征在于,还包括:
多条辅助导线,分别位于所述导线之下,并分别电性连接所述导线。
12.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,还包括:
多个接触垫,分别设置于部分的该第一触控电极以及部分的该第二触控电极之上;以及
多条导线,分别电性连接所述接触垫。
13.根据权利要求1所述的触控模块,其特征在于,所述第一触控电极是沿一第一方向设置,所述第二触控电极是沿一第二方向设置,且该第一方向不同于该第二方向。
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---|---|---|---|---|
CN107085474A (zh) * | 2016-02-15 | 2017-08-22 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 触控模块及其制造方法 |
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2016
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