TW201525811A - 電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法 - Google Patents

電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法 Download PDF

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Abstract

一種電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法。該刻蝕方法包括利用鐳射蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個該ITO段相互獨立且互不連接。本發明的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法生產效率高，而且刻蝕後的觸控式螢幕產品顯示效果佳。

Description

電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法
本發明係關於平板顯示技術領域，尤其是關於一種電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法。
現有的電容式觸控式螢幕主要包括電容屏觸控面板和柔性電路板，在柔性電路板的上方覆蓋有蓋板。其中，電容屏觸控面板簡稱為電容屏功能片(sensor)，包括絕緣透明基板、感應線路層和驅動線路層。其中，絕緣透明基板選自玻璃或塑膠薄膜的其中一種；感應線路層為具感應線路的透光性導電薄膜或玻璃；驅動線路層為具驅動線路的透光性導電薄膜或玻璃，且驅動線路層和感應線路層分別疊置在該絕緣透明基板的兩側。
在電容屏觸控面板的絕緣透明基板上設置有氧化銦錫薄膜(ITO Film)，其包括顯示區域1和間隙區域2，如圖1所示，該顯示區域1和該間隙區域2相間分佈，受電容屏觸控面板的控制晶片要求的限制該間隙區域2的寬度一般為3mm。由於間隙區域的ITO具有寄生電容，在晶片支援功能要求的限制下，如果間隙區域的ITO不刻蝕掉，在產品進行觸摸使用時會產生觸摸信號漂移，嚴重影響產品的觸摸識別精度，因此間隙區域的ITO必須要刻蝕掉才能保證產品觸摸精度。現有的刻蝕方式如圖2所示，兩條 圖形鐳射蝕刻走線3之間的部分為該間隙區域2，間隙區域鐳射蝕刻走線4平行於該圖形鐳射蝕刻走線3進行刻蝕，因為間隙區域的寬度取值範圍一般為[0.2mm,0.3mm]mm，所以通常需要幾十道鐳射蝕刻線才能蝕刻掉線該間隙區域2的ITO。但是，採用這種刻蝕方法加工出來的產品，顯示圖像時螢幕上會出現明顯的刻蝕條紋，即刻蝕掉的部分的透過率大於顯示區域圖形部分的透過率，所以圖像看起來有明顯條紋，這就使得觸控式螢幕產品顯示效果很差，而且由於需要十幾道鐳射加工工序，生產效率也很低。
為此，本發明所要解決的技術問題在於經過現有電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法加工後的產品顯示效果差，而且生產效率低的問題，而提供一種顯示效果佳、生產效率高的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法。
為解決上述技術問題，本發明採用的技術方案如下：一種電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，包括利用鐳射蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個該ITO段相互獨立且互不連接。
上述刻蝕方法中，採用兩道鐳射蝕刻線交叉走線形成若干相互獨立且互不連接的該ITO段，兩道鐳射蝕刻線在該間隙部分形成間隙區域鐳射蝕刻走線。
上述刻蝕方法中，兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交 叉點過程中的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度。
上述刻蝕方法中，兩道鐳射刻蝕線在臨近交叉點處相互平行且有部分重疊。
上述刻蝕方法中，兩道鐳射刻蝕線相互錯位0.01mm。
上述刻蝕方法中，當兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點過程中的距離大於一道鐳射蝕刻線的寬度時，相鄰該ITO段的間隔在靠近兩側該ITO段的位置上形成間隔部分ITO段，該間隔部分ITO段相互獨立且互不連接。
上述刻蝕方法中，每段該ITO段長度的取值範圍是[2mm,4mm]。
上述刻蝕方法中，每段該ITO段的長度選取為3mm。
上述刻蝕方法中，該間隙區域鐳射蝕刻走線的中心線與該電容屏觸控面板顯示區域的圖形鐳射蝕刻走線的中心線的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度。
上述刻蝕方法中，該間隙部分的寬度取值範圍是[0.2mm,0.3mm]。
一種電容屏觸控面板，包括絕緣透明基板、感應線路層和驅動線路層，該絕緣透明基板上設置有氧化銦錫薄膜，該氧化銦錫薄膜包括顯示區域和間隙區域，該間隙部分的氧化銦錫薄膜採用上述刻蝕方法進行刻蝕。
本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：
(1)本發明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，利用鐳射蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個ITO段相互獨立且互不連接。這 樣刻蝕後，每個ITO段的寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產生影響，而且由於減少了鐳射蝕刻線路，蝕刻紋不明顯，使得產品顯示效果均勻，幾乎與未刻蝕產品的顯示效果相同，並且由於刻蝕工序簡化，刻蝕一片產品節省了50%左右的時間，生產效率得到提高。
(2)本發明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，採用兩道鐳射蝕刻線交叉走線形成若干相互獨立且互不連接的ITO段，方法簡便且易於實現。
(3)本發明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點過程中的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度，確保能夠將間隙區域的ITO分開，形成若干ITO段。
(4)本發明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，每段ITO段長度的取值範圍是[2mm,4mm]，較佳長度為3mm，晶片支援功能要求的限制下，這種長度的ITO段寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產生影響，確保產品觸摸精度。
(5)本發明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，間隙區域鐳射蝕刻走線的中心線與電容屏觸控面板顯示區域的圖形鐳射蝕刻走線的中心線的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度，防止鐳射蝕刻線在同一個位置刻蝕次數過多，導致蝕刻紋明顯的問題，確保產品的顯示效果。
1‧‧‧顯示區域
2‧‧‧間隙區域
3‧‧‧圖形鐳射蝕刻走線
4‧‧‧間隙區域鐳射蝕刻走線
5‧‧‧ITO段
6‧‧‧間隔
7‧‧‧交叉點
C‧‧‧部分
為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例並結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中：圖1是現有電容屏觸控面板的示意圖；圖2是圖1中A部分的放大圖；圖3是本發明中電容屏觸控面板的示意圖；圖4是圖3中B部分的放大圖；以及圖5是圖4中C部分的放大圖。
如圖3至5所示，是本發明電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法的較佳實施例。
電容屏觸控面板的絕緣透明基板上設置有氧化銦錫薄膜(ITO)，其包括顯示區域1和間隙區域2，如圖3所示，該顯示區域1和該間隙區域2相間分佈，受控制晶片要求的限制該間隙區域2的寬度取值範圍一般為[0.2mm,0.3mm]，在本實施例中該間隙區域2的寬度較佳為0.3mm。
在刻蝕該間隙區域2的ITO時，利用鐳射蝕刻線將該間隙部分2的ITO分割成若干ITO段5，如圖4所示，各個該ITO段5相互獨立且互不連接，即相鄰的該ITO段5之間具有間隔6，而該間隔6的長度不做具體限定，只需將相鄰該ITO段5分割開即可。由於每個該ITO段5的寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產生影響。每段該ITO段5長度的取值範圍是[2mm,4mm]，在本實施 例中，每段該ITO段5的長度較佳為3mm。
具體地說，是採用兩道鐳射蝕刻線交叉走線形成若干相互獨立且互不連接的該ITO段5，兩道鐳射蝕刻線在該間隙部分2形成間隙區域鐳射蝕刻走線4。兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點7過程中的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度。並且，該間隙區域鐳射蝕刻走線4的中心線與該電容屏觸控面板顯示區域1的圖形鐳射蝕刻走線3的中心線的距離也小於一道鐳射蝕刻線的寬度。
在其他實施例中，兩道鐳射刻蝕線在臨近交叉點處相互平行且有部分重疊，兩道鐳射刻蝕線相互錯位0.01mm。
在其他實施例中，當兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點7過程中的距離大於一道鐳射蝕刻線的寬度時，相鄰ITO段5的間隔6在靠近兩側該ITO段5的位置上會形成間隔部分ITO段，該間隔部分ITO段相互獨立且互不連接，與該ITO段5類似。
在其他實施例中，每段ITO段5的長度還可選擇為2mm、2.5mm、3.8m、4mm等，具體根據產品性能要求進行選取。
在其他實施例中，根據不同控制晶片要求的不同，間隙區域2的寬度還可以選擇為0.2mm、0.23mm、0.25mm、0.28mm等。
顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變 化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明創造的保護範圍之中。
3‧‧‧圖形鐳射蝕刻走線
4‧‧‧間隙區域鐳射蝕刻走線
5‧‧‧ITO段
C‧‧‧部分

Claims (11)

  1. 一種電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，其特徵在於，該刻蝕方法包括利用鐳射蝕刻線將間隙部分(2)的ITO分割成若干ITO段(5)，各個該ITO段(5)相互獨立且互不連接。
  2. 如請求項1之刻蝕方法，其中，採用兩道鐳射蝕刻線交叉走線形成若干相互獨立且互不連接的該ITO段(5)，兩道鐳射蝕刻線在該間隙部分(2)形成間隙區域鐳射蝕刻走線(4)。
  3. 如請求項2之刻蝕方法，其中，該兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點(7)過程中的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度。
  4. 如請求項2之刻蝕方法，其中，該兩道鐳射刻蝕線在臨近交叉點(7)處相互平行且有部分重疊。
  5. 如請求項4之刻蝕方法，其中，該兩道鐳射刻蝕線相互錯位0.01mm。
  6. 如請求項2之刻蝕方法，其中，當該兩道鐳射蝕刻線的中心線在趨近交叉點(7)過程中的距離大於一道鐳射蝕刻線的寬度時，相鄰該ITO段(5)的間隔(6)在靠近兩側該ITO段(5)的位置上形成間隔部分ITO段，該間隔部分ITO段相互獨立且互不連接。
  7. 如請求項1至5中任一項之刻蝕方法，其中，每段該ITO段(5)長度的取值範圍是[2mm,4mm]。
  8. 如請求項6之刻蝕方法，其中，每段該ITO段(5)的長度選取為3mm。
  9. 如請求項7之刻蝕方法，其中，該間隙區域鐳射蝕刻走線(4)的中心線與該電容屏觸控面板顯示區域(1)的圖形鐳射蝕刻走線(3)的中心線的距離小於一道鐳射蝕刻線的寬度。
  10. 如請求項8之刻蝕方法，其中，該間隙部分(2)的寬度取值範圍是[0.2mm,0.3mm]。
  11. 一種電容屏觸控面板，包括絕緣透明基板、感應線路層及驅動線路層，該絕緣透明基板上設置有氧化銦錫薄膜，該氧化銦錫薄膜包括顯示區域(1)和間隙區域(2)，其特徵在於，該間隙部分(2)的氧化銦錫薄膜採用如請求項1至9中任一項之刻蝕方法進行刻蝕。
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