JP6300937B2 - 静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法 - Google Patents

Description

本発明は、フラットパネルに関し、特に静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法に関する。

従来の静電容量式タッチスクリーンは、主に静電容量式タッチパネル及びフレキシブル回路基板を含み、フレキシブル回路基板の上方にカバープレートが被せられている。静電容量式タッチパネルはｓｅｎｓｏｒと略称し、絶縁透明基板、検知回路層および駆動回路層を含む。絶縁透明基板は、ガラスまたはプラスチック薄膜から選択された１種であり、検知回路層は、検知回路を備える透明導電薄膜またはガラスであり、駆動回路層は、駆動回路を備える透明導電薄膜またはガラスであり、かつ駆動回路層と検知回路層は、それぞれ該絶縁透明基板の両側に重ねられている。

静電容量式タッチパネルの絶縁透明基板には、表示領域１と間隙領域２を含むインジウムスズ酸化物薄膜（ＩＴＯ Ｆｉｌｍ）が設置され、図１に示すように、前記表示領域１と前記間隙領域２は、交互に配列し、静電容量式タッチパネルの制御チップの要件の制約により、前記間隙領域２の幅は、一般的に３ｍｍである。間隙領域のＩＴＯが寄生容量を備えるため、チップのサポート機能の要件の制約により、間隙領域のＩＴＯをエッチングしていなければ、製品をタッチして使用するときにタッチ信号のドリフトを生じる可能性があり、製品のタッチ認識精度に深刻な影響を与えるため、間隙領域のＩＴＯをエッチングしなければ製品のタッチ認識精度を保証できない。従来のエッチング方法については、図２に示すように、二本のパターンレーザーエッチングライン３の間の部分は前記間隙領域２であり、間隙領域レーザーエッチングライン４は、前記パターンレーザーエッチングライン３と平行にエッチングされ、間隙領域の幅の範囲が一般的に０．２ｍｍ以上，０．３ｍｍ以下であるため、通常、前記間隙領域２のＩＴＯをエッチングして除去するために、数十本のレーザーエッチングラインを必要とする。しかし、このエッチング方法によって製造された製品は、画像を表示するときに、スクリーンに明らかなエッチングストライプがある。すなわち、エッチングして除去された部分の通過率は表示領域のパターン部分の通過率よりも大きいため、画像に明らかなエッチングストライプがあり、タッチスクリーン製品の表示効果が低く、さらに、数十個のレーザー加工工程を必要とするため、製造効率も低い。

したがって、本発明が解決しようとする技術課題は、従来の静電容量式タッチパネルの間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法で加工された製品の表示効果が低く、製造効率が低いという問題を解決することであり、すなわち、表示効果が高く、製造効率が高い静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法を提供することである。

上記の技術課題を解決するために、本発明は以下の技術手段を採用する。

静電容量式タッチパネルの間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法であって、レーザーエッチングラインで間隙部のＩＴＯを、互いに独立しかつ互いに接続されていない複数のＩＴＯセクションに分割することを含む。

上記エッチング方法において、二本のレーザーエッチングラインを交差して配線して、互いに独立しかつ互いに接続されていない前記ＩＴＯセクションを形成し、二本のレーザーリソグラフィラインによって前記間隙部に間隙領域レーザーエッチングラインを形成する。

上記エッチング方法において、交差点に近づける工程において、二本のレーザーエッチングラインの中心線の間の距離は一本のレーザーエッチングラインの幅より小さい。

上記エッチング方法において、二本のレーザーエッチングラインは、前記交差点の近くにおいて、互いに平行でかつ一部が重なり合う。

上記エッチング方法において、二本のレーザーエッチングラインは、互いに０．０１ｍｍずれている。

上記エッチング方法において、交差点に近づける工程において、二本のレーザーエッチングラインの中心線の間の距離が一本のレーザーエッチングラインの幅より大きい場合、隣接した前記ＩＴＯセクションの間隙は、両側の前記ＩＴＯセクション側の位置に、互いに独立しかつ互いに接続されていない間隙部ＩＴＯセクションを形成する。

上記エッチング方法において、各前記ＩＴＯセクションの長さの範囲は２ｍｍ以上，４ｍｍ以下である。

上記エッチング方法において、各前記ＩＴＯセクションの長さは３ｍｍである。

上記エッチング方法において、前記間隙領域レーザーエッチングラインの中心線と、前記静電容量式タッチパネルの表示領域のパターンレーザーエッチングラインの中心線との距離は、一本のレーザーエッチングラインの幅より小さい。

上記エッチング方法において、前記間隙部の幅の範囲は０．２ｍｍ以上，０．３ｍｍ以下である。

静電容量式タッチパネルであって、絶縁透明基板、検知回路層及び駆動回路層を含み、前記絶縁透明基板に、表示領域と間隙領域を含むインジウムスズ酸化物薄膜が設置され、前記間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜は、上記エッチング方法によってエッチングされる。

従来の技術に比べ、本発明の上記技術手段は以下の利点を有する。

（１）本発明に係る静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法は、レーザーエッチングラインで間隙部のＩＴＯを、互いに独立しかつ互いに接続されていない複数のＩＴＯセクションに分割する。このようにエッチングされた後、各ＩＴＯセクションの寄生容量は非常に小さく、タッチ信号の認識精度にほとんど影響を与えず、また、レーザーエッチングラインを減少させ、エッチングストライプが明らかでないため、製品の表示効果は均一で、エッチングされていない製品の表示効果とほとんど同じであり、かつエッチングプロセスを簡略化したため、一枚の製品のエッチング時間を約５０％節約し、製造効率を向上させている。

（２）本発明に係る静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法は、二本のレーザーエッチングラインを交差して配線して、互いに独立しかつ互いに接続されていないＩＴＯセクションを形成し、方法が簡単で実現されやすい。

（３）本発明に係る静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法は、前記交差点に近づける工程において、二本のレーザーエッチングラインの中心線の間の距離は一本のレーザーエッチングラインの幅より小さいため、間隙領域のＩＴＯを分割して複数のＩＴＯセクションを形成することを保証できる。

（４）本発明に係る静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法は、各ＩＴＯセクションの長さの範囲が２ｍｍ以上，４ｍｍ以下で、好ましくは３ｍｍであり、この長さのＩＴＯセクションの寄生容量が非常に小さく、タッチ信号の認識精度にほとんど影響を与えず、チップのサポート機能の要件の制約による、製品のタッチ精度を保証できる。

（５）本発明に係る静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法は、間隙領域レーザーエッチングラインの中心線と、静電容量式タッチパネルの表示領域のパターンレーザーエッチングラインの中心線との距離が、一本のレーザーエッチングラインの幅より小さく、レーザーエッチングラインが同一の位置でエッチングされた回数が多すぎてエッチングストライプが明らかになることを回避し、製品の表示効果を保証できる。

本発明の内容をより明瞭に理解しやすくするために、以下、本発明の具体的な実施形態および図面を組み合わせて、本発明をさらに詳細に説明する。
従来の静電容量式タッチパネルの概略図である。 図１におけるＡ部分の拡大図である。 本発明に係る静電容量式タッチパネルの概略図である。 図３におけるＢ部分の拡大図である。 図４におけるＣ部分の拡大図である。

図３〜５は、本発明の静電容量式タッチパネルの間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法の好ましい実施例を示す。

静電容量式タッチパネルの絶縁透明基板に、表示領域１と間隙領域２を含むインジウムスズ酸化物薄膜（ＩＴＯ）が設置され、図３に示すように、前記表示領域１と前記間隙領域２は交互に配置され、制御チップの要件の制約により、前記間隙領域２の幅の範囲は、一般的に０．２ｍｍ以上，０．３ｍｍ以下であり、本実施例において、前記間隙領域２の幅は、好ましくは０．３ｍｍである。

前記間隙領域２のＩＴＯをエッチングするとき、レーザーエッチングラインで前記間隙部２のＩＴＯを複数のＩＴＯセクション５に分割し、図４に示すように、各前記ＩＴＯセクション５は互いに独立しかつ互いに接続されず、すなわち、隣接した前記ＩＴＯセクション５の間に間隙６があり、前記間隙６の長さは具体的に限定されず、隣接した前記ＩＴＯセクション５を分割するだけでよい。各前記ＩＴＯセクション５の寄生容量が非常に小さいため、タッチ信号の認識精度にほとんど影響を与えない。各前記ＩＴＯセクション５の長さの範囲は２ｍｍ以上，４ｍｍ以下であり、本実施例において、各前記ＩＴＯセクション５の長さは、好ましくは３ｍｍである。

具体的には、二本のレーザーエッチングラインを交差して配線して、互いに独立しかつ互いに接続されていない前記ＩＴＯセクション５を形成し、該二本のレーザーエッチングラインは、前記間隙部２に間隙領域レーザーエッチングライン４を形成する。交差点７に近づける工程において、該二本のレーザーエッチングラインの中心線の間の距離を、一本のレーザーエッチングラインの幅より小さくする。かつ、前記間隙領域レーザーエッチングライン４の中心線と、前記静電容量式タッチパネルの表示領域１のパターンレーザーエッチングライン３の中心線との距離も、一本のレーザーエッチングラインの幅より小さい。

他の実施例では、二本のレーザーエッチングラインは、交差点の近くに、互いに平行でかつ一部が重なり合い、二本のレーザーエッチングラインは、互いに０．０１ｍｍずれている。

他の実施例では、交差点に近づける工程において、二本のレーザーエッチングラインの中心線の間の距離が一本のレーザーエッチングラインの幅より大きい場合、隣接したＩＴＯセクション５の間隙６は、両側の前記ＩＴＯセクション５側の位置に間隙部ＩＴＯセクションを形成し、前記間隙部ＩＴＯセクションは互いに独立しかつ互いに接続されず、前記ＩＴＯセクション５と類似する。

他の実施例では、各ＩＴＯセクション５の長さは、２ｍｍ、２．５ｍｍ、３．８ｍ、４ｍｍ等であってもよく、具体的には、製品の性能の要件に従って選択する。
他の実施例では、様々な制御チップの要件に従って、間隙領域２の幅は、０．２ｍｍ、０．２３ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２８ｍｍ等であってもよい。

明らかに、上記実施例は、実施形態を制限するものではなく、明確に説明するために例示したものに過ぎない。当業者であれば、上記説明を基に様々な変形又は変更を行うことができるが、すべての実施形態を列挙する余地も必要性もない。上記説明から導出したことが明らかな変形又は変更は、本発明の保護範囲内に含まれるべきである。

１ 表示領域
２ 間隙領域
３ パターンレーザーエッチングライン
４ 間隙領域レーザーエッチングライン
５ ＩＴＯセクション
６ 間隙
７ 交差点

Claims (9)

1. 複数の間隙領域レーザーエッチングラインを用いて間隙部（２）のインジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯと呼ぶ）薄膜を、互いに独立しかつ互いに接続されていない複数のＩＴＯセクション（５）に分割する静電容量式タッチパネルの間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法であって、
   前記複数の間隙領域レーザーエッチングラインは、複数の間隙（６）において互いに交差する二本のレーザーエッチングライン（４）によって形成され、該複数の間隙（６）は前記間隙部（２）内の前記ＩＴＯ薄膜を前記複数のＩＴＯセクション（５）に分割することを特徴とするエッチング方法。
2. 前記複数の間隙（６）の各々において、前記二本のレーザーエッチングライン（４）の中心線の間の距離は一本のレーザーエッチングラインの幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
3. 前記二本のレーザーエッチングライン（４）は、前記複数の間隙（６）の各々において、互いに平行でかつ一部が重なり合うことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
4. 前記複数の間隙（６）において、前記二本のレーザーエッチングライン（４）の中心線の間の距離が一本のレーザーエッチングラインの幅より大きい場合、隣接する前記ＩＴＯセクション（５）の間にある間隙（６）に間隙部ＩＴＯセクションを形成し、該間隙部ＩＴＯセクションは隣接する前記ＩＴＯセクション（５）から独立しかつ接続されていないことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
5. 前記ＩＴＯセクション（５）の各々の長さの範囲は２ｍｍ以上，４ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のエッチング方法。
6. 前記ＩＴＯセクション（５）の各々の長さは３ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載のエッチング方法。
7. 前記間隙部（２）と前記静電容量式タッチパネルの表示領域（１）との間の境界はパターンレーザーエッチングライン（３）によって分割され、前記パターンレーザーエッチングライン（３）の中心線と隣接する前記複数の間隙領域レーザーエッチングラインの中心線との間の距離は、一本のレーザーエッチングラインの幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
8. 前記間隙部（２）の幅の範囲は０．２ｍｍ以上，０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載のエッチング方法。
9. 絶縁透明基板、検知回路層及び駆動回路層を含み、前記絶縁透明基板に、表示領域（１）及び間隙領域（２）を含むインジウムスズ酸化物薄膜が設置された静電容量式タッチパネルであって、
   前記間隙部（２）のインジウムスズ酸化物薄膜は、請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載のエッチング方法によってエッチングされることを特徴とする静電容量式タッチパネル。