TW201524284A - 電子元件以及片材 - Google Patents

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TW201524284A
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TW103138729A
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Hidenobu Kobayashi
Kazunori Matsudo
Jun Mikoshiba
Original Assignee
Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd
Toyochem Co Ltd
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Abstract

本發明的電子元件具備：電子基板，具備具有安裝面的配線基板、及安裝於該配線基板的所述安裝面上的多個電子零件；片材，積層於該電子基板上，且具備具有導電性的片狀的基材、及設置於該基材的所述電子基板側且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸的至少一個絕緣層；以及接地部，將該片材的所述基材接地，並且將所述片材與所述電子基板固定。藉此，可提供一種容易將自電子零件的放熱去除、薄型且可靠性高的電子元件。

Description

電子元件以及片材
本發明是有關於一種電子元件以及片材。
於智慧型電話(smart phone)等電子設備中，為了保護搭載於配線基板上的電子零件不受例如電磁波等的影響，而進行以下操作：將具有導電性的箱狀的屏蔽罐以覆蓋電子零件的方式設置於配線基板上(例如參照專利文獻1)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4857927號
然而，該屏蔽罐通常是由金屬所構成，故於減小尺寸(特別是薄型化)的方面存在極限。因此存在以下問題：無法應對將屏蔽罐設置於配線基板上而成的電子元件、進而組入有電子元件的電子設備進一步薄型化的要求。
另外，金屬製的屏蔽罐為硬質，並無柔軟性或其柔軟性 極低。因此，於將屏蔽罐設置(接合)於配線基板上時，為了防止電子零件破損，必須於屏蔽罐與電子零件之間設置具備一定尺寸的間隙。該情況亦妨礙電子元件的薄型化。
此外，該電子元件亦存在以下問題：因設置所述間隙，而難以將電子零件的放熱有效地去除。
因此，本發明在於提供一種容易將自電子零件的放熱去除、薄型且可靠性高的電子元件，以及發揮充分的電磁波屏蔽效果、並且可實現所得的電子元件的薄型化的片材。
此種目的是藉由以下的本發明而達成。
本發明的電子元件的特徵在於具有：電子基板，具備具有安裝面的配線基板、及安裝於該配線基板的所述安裝面上的多個電子零件；片材，積層於所述電子基板上，且具備具有導電性的片狀的基材、及設置於該基材的所述電子基板側且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸的至少一個絕緣層；以及接地部，將所述片材的所述基材接地，並且將所述片材與所述電子基板固定。
本發明的電子元件中，較佳為所述接地部含有設置於所述配線基板的所述安裝面側的接地配線，所述絕緣層具有俯視小於所述基材的尺寸，所述基材於自所述絕緣層露出的露出區域中與所述接地配線 接觸。
本發明的電子元件中，較佳為所述配線基板的所述安裝面具備經所述接地配線所劃分、且安裝既定的所述電子零件的多個安裝區域，所述至少一個絕緣層包含與各所述安裝區域相對應而設置的多個所述絕緣層。
本發明的電子元件中，較佳為所述基材含有硬化性樹脂的硬化物、及分散於該硬化物中的導電性粒子。
本發明的電子元件中，較佳為所述硬化性樹脂為熱硬化性樹脂及光硬化性樹脂中的至少一種。
本發明的電子元件中，較佳為所述導電性粒子的平均粒徑為1μm~100μm。
本發明的電子元件中，較佳為所述基材具備含有所述硬化性樹脂的硬化物及所述導電性粒子的本體部、以及與該本體部接觸而設置的金屬膜。
本發明的電子元件中，較佳為所述金屬膜具備俯視與所述絕緣層大致相等的尺寸。
本發明的電子元件中，較佳為所述金屬膜具備俯視與所述本體部大致相等的尺寸。
本發明的電子元件中，較佳為所述金屬膜的平均厚度為所述基材的平均厚度的0.004%~2500%。
本發明的電子元件中，較佳為所述基材具有第1部分及 第2部分，其中所述第1部分是與所述絕緣層接觸而設置，且含有第1導電性粒子，所述第2部分是設置於所述第1部分的與所述絕緣層為相反之側，且以較所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量更多的量而含有第2導電性粒子。
本發明的電子元件中，較佳為所述基材的平均厚度為2μm~500μm。
本發明的電子元件中，較佳為所述絕緣層的所述電子基板側的面是由平滑面所構成。
本發明的電子元件中，較佳為所述絕緣層的所述電子基板側的面是由粗糙面所構成。
本發明的電子元件中，較佳為於將所述基材的平均厚度設定為100時，所述絕緣層的平均厚度為50~200的比例。
本發明的電子元件中，較佳為所述絕緣層含有樹脂、及分散於該樹脂中且導熱率高於所述樹脂的導熱率的導熱性粒子。
本發明的電子元件中，較佳為所述導熱性粒子的構成材料含有氧化鋁、氮化鋁、氮化硼中的至少一種。
本發明的電子元件中，較佳為所述導熱性粒子於所述絕緣層中的含量為25重量%~95重量%。
本發明的電子元件中，較佳為更具有保護層，該保護層是設置於所述基材的與所述電子基板為相反之側，且具備保護所述基材的功能。
本發明的電子元件中，較佳為所述片材是以如下方式構 成：於積層於所述電子基板上之前的狀態下，所述電子零件的邊緣部接觸的第1區域的平均厚度大於所述第1區域以外的第2區域的平均厚度。
本發明的電子元件中，較佳為所述多個電子零件包含並列設置的2個以上的所述電子零件，且所述片材是以如下方式構成：於積層於所述電子基板之前的狀態下，與所述並列設置的電子零件的邊緣部連續而接觸的呈直線狀的第1區域的平均厚度大於所述第1區域以外的第2區域的平均厚度。
本發明的電子元件中，較佳為於將所述片材積層於所述電子基板之前的狀態下，將所述片材的所述第1區域的平均厚度設定為A[μm]、所述第2區域的平均厚度設定為B[μm]時，A/B為1.05~3。
本發明的電子元件中，較佳為所述片材更具有在所述電子基板側且與所述基材的邊緣部相對應的位置處，與所述絕緣層分離而設置的至少一個絕緣部。
本發明的電子元件中，較佳為所述至少一個絕緣部包含沿著所述基材的邊緣部彼此空開間隔而設置的多個所述絕緣部。
本發明的電子元件中，較佳為所述絕緣部是沿著所述基材的邊緣部而形成為框狀。
本發明的電子元件中，較佳為所述絕緣部的平均厚度小於所述絕緣層的平均厚度。
本發明的電子元件中，較佳為所述片材的設有所述絕緣部的部分構成自所述電子基板上分離所述片材時握持的握持部。
另外，本發明的片材為積層於電子基板上、且以經由接地部而固定於所述電子基板上的方式使用的片材，其中所述電子基板具有具備安裝面的配線基板、及安裝於該配線基板的所述安裝面上的多個電子零件，並且所述片材的特徵在於具有：片狀的基材，於將該片材積層於所述電子基板上的狀態下，與所述接地部接觸且具備導電性；以及至少一個絕緣層，於將該片材積層於所述電子基板上的狀態下，位於所述基材的所述電子基板側，且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸。
本發明的片材中，較佳為所述基材具有與所述絕緣層接觸而設置且具備黏著性的第1部分、及設置於該第1部分的與所述絕緣層為相反之側的第2部分。
本發明的片材中，較佳為所述第1部分含有第1樹脂、及分散於該第1樹脂中的第1導電性粒子，且所述第2部分含有第2樹脂、及以較所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量更多的量而分散於該第2樹脂中的第2導電性粒子。
本發明的片材中，較佳為相對於所述第1樹脂100重量份，所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量為1重量份~100重量份。
本發明的片材中，較佳為相對於所述第2樹脂100重量 份，所述第2導電性粒子於所述第2部分中的含量為100重量份~1500重量份。
本發明的片材中，較佳為所述第1導電性粒子的形狀與所述第2導電性粒子的形狀不同。
本發明的片材中，較佳為所述第1導電性粒子的形狀為樹枝狀或球狀。
根據所述構成的本發明，藉由使用具備高的柔軟性的片材，於將該片材積層於配線基板上時，無需考慮電子零件的破損。因此，可縮小片材與電子零件之間隔，直至該些構件密接或接觸。藉此，可實現將片材積層於電子基板上而成的電子元件的進一步的薄型化。進而，可經由片材將電子零件的放熱高效地去除。
因此，根據本發明，可提供一種容易將自電子零件的放熱去除、薄型且可靠性高的電子元件，以及發揮充分的電磁波屏蔽效果、並且可實現所得的電子元件的薄型化的片材。
1‧‧‧片材
2‧‧‧基材
2a‧‧‧露出區域
2X‧‧‧下層
2Y‧‧‧上層
20‧‧‧本體部
21‧‧‧樹脂
22‧‧‧導電性粒子
23‧‧‧金屬膜
24‧‧‧耳部
25‧‧‧樹脂
26‧‧‧導電性粒子
3‧‧‧絕緣層
3a‧‧‧第1絕緣層
3b‧‧‧第2絕緣層
3c‧‧‧第3絕緣層
31‧‧‧樹脂
32‧‧‧導熱性粒子
33‧‧‧第1區域
34‧‧‧第2區域
35‧‧‧絕緣部
4‧‧‧硬塗層
10‧‧‧電子元件
100‧‧‧電子基板
110‧‧‧配線基板
101‧‧‧安裝面
101a‧‧‧第1安裝區域
101b‧‧‧第2安裝區域
101c‧‧‧第3安裝區域
111‧‧‧基板
112‧‧‧配線
113‧‧‧接地配線
114‧‧‧導電性銷
120‧‧‧半導體晶片
圖1為表示本發明的電子元件的構成的分解立體圖。
圖2為表示第1實施形態的片材的構成(接合於電子基板上的狀態)的縱剖面圖(圖1中的A-A線剖面圖)。
圖3為表示第2實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。
圖4(a)、圖4(b)為表示第3實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。
圖5(a)、圖5(b)為表示第4實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的圖(圖5(a)為表示絕緣層附近的俯視圖，圖5(b)為表示圖5(a)中的B-B線剖面的中央部的圖)。
圖6為表示第4實施形態的片材的其他構成(接合於電子基板上之前的狀態)的俯視圖。
圖7(a)、圖7(b)為表示第5實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的圖(圖7(a)為俯視圖，圖7(b)為表示圖7(a)中的C-C線剖面的中央部以及端部的圖)。
圖8為表示第5實施形態的片材的其他構成(接合於電子基板上之前的狀態)的俯視圖。
圖9(a)、圖9(b)為表示第6實施形態的電子元件的端部的構成的縱剖面圖。
圖10為表示第7實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。
以下，根據隨附圖式所示的較佳實施形態對本發明的電子元件及片材加以詳細說明。
圖1為表示本發明的電子元件的構成的分解立體圖。再者，以下為便於說明，將圖1中的上側設定為「上」，下側設定為 「下」。
本發明的電子元件10具有電子基板100、及接合(積層)於電子基板100上的片材1。首先，於片材1的說明之前，對電子基板100加以說明。再者，電子基板100例如可列舉可撓性印刷基板、剛性印刷基板、剛性可撓性基板等。
電子基板100具備具有安裝面101的配線基板110、及安裝於該配線基板110的安裝面101上的多個半導體晶片(電子零件)120。再者，半導體晶片120例如可列舉：中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)晶片、記憶體晶片、電源晶片、音源晶片等。
配線基板110是由基板111、及形成於該基板111上的配線112以及接地配線(接地部)113所構成。配線112的一端部連接於電源，另一端部連接於半導體晶片120的端子。接地配線113是以避開配線112的方式而形成為框狀，且經接地。於本實施形態中，如圖1所示，藉由該接地配線113將安裝面101劃分成第1安裝區域101a、第2安裝區域101b、第3安裝區域101c。於第1安裝區域101a~第3安裝區域101c中，分別安裝有既定的半導體晶片120。
於該構成的電子基板100上接合片材1。以下，對片材1加以說明。
<第1實施形態>
首先，對片材1的第1實施形態加以說明。
圖2為表示第1實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之狀態)的縱剖面圖(圖1中的A-A線剖面圖)。再者，以下為便於說明，將圖2中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
如圖2所示，片材1具有具備導電性的片狀的基材2、設置於基材2的下表面(其中一面)上的絕緣層3、及設置於基材2的上表面(另一面)上的硬塗層4。該片材1是將絕緣層3置於電子基板100側而接合於電子基板100上。
基材2只要具有導電性即可，亦可由金屬膜構成，但較佳為如本實施形態般，由含有樹脂21的固化物或硬化物及導電性粒子22的樹脂膜所構成。再者，基材2亦可為該些金屬膜與樹脂膜的膜的組合，亦可為兩種以上的不同的樹脂膜的組合。關於此種組合的構成，將於下文的實施形態中表示。另外，於由金屬膜來構成基材2的情形時，該金屬膜可使用與導電性粒子22中列舉的金屬相同的金屬來形成。
另外，基材2可根據配線基板110的種類(目的)而將其導電性設定為等向導電性或異向導電性。再者，所謂等向導電性，是指基材2於其厚度方向及面方向上具有導電性，所謂異向導電性，是指基材2僅於其厚度方向上具有導電性。
樹脂21例如可列舉熱塑性樹脂、硬化性樹脂等，可使用該些樹脂中的一種或將兩種以上組合使用。另外，硬化性樹脂例如可列舉：熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、厭氧硬化性樹脂、反應硬化性樹脂等，較佳為熱硬化性樹脂及光硬化性樹脂中的至 少一種。使用硬化性樹脂、特別是熱硬化性樹脂及光硬化性樹脂中的至少一種作為樹脂21所帶來的效果將於下文中加以說明。
熱塑性樹脂例如可列舉：聚烯烴系樹脂、乙烯系樹脂、苯乙烯-丙烯酸系樹脂、二烯系樹脂、萜烯系樹脂、石油系樹脂、纖維素系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氟系樹脂等。
熱硬化性樹脂只要為於一分子中具有1個以上的可用於由加熱引起的交聯反應的官能基的樹脂即可。該官能基例如可列舉：羥基、酚性羥基、甲氧基甲基、羧基、胺基、環氧基、氧雜環丁烷基、噁唑啉基、噁嗪基、氮丙啶基、硫醇基、異氰酸基(isocyanato)、封閉化異氰酸基、封閉化羧基、矽烷醇基等。
該熱硬化性樹脂的具體例例如可列舉：丙烯酸系樹脂、馬來酸系樹脂、聚丁二烯系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、脲系樹脂、環氧系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、苯氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、苯酚系樹脂、甲酚系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂、胺基系樹脂、聚乳酸系樹脂、噁唑啉系樹脂、苯并噁嗪系樹脂、矽酮系樹脂、氟系樹脂等。
另外，於使用熱硬化性樹脂的情形時，基材2較佳為除了含有熱硬化性樹脂以外，視需要而含有與所述官能基反應而形成化學交聯的樹脂或低分子化合物般的硬化劑。此種硬化劑並無特別限定，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂等酚系硬化劑，二氰 二胺(dicyandiamide)、芳香族二胺等胺系硬化劑般的可於相對較高的溫度下進行硬化反應的硬化劑，異氰酸酯系硬化劑，環氧系硬化劑，氮丙啶系硬化劑，金屬螯合物系硬化劑等可於相對較低的溫度(例如120℃以下)下進行硬化反應的硬化劑。
再者，可單獨使用該些硬化劑中的一種，亦可將兩種以上組合使用。藉由適當選擇硬化劑的種類、該些硬化劑的組合及含量等，可控制積層於電子基板100上之前(使用前)的片材1中的基材2的硬化程度(完全硬化狀態或半硬化狀態)、流動性的程度(固體狀態或凝膠狀態)以及黏著性的程度(高黏著性、低黏著性或非黏著性)中的至少一個。
另一方面，光硬化性樹脂只要為於一分子中具有1個以上的藉由光而引起交聯反應的不飽和鍵的樹脂即可。光硬化性樹脂的具體例例如可列舉：丙烯酸系樹脂、馬來酸系樹脂、聚丁二烯系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、苯氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、酚系樹脂、醇酸系樹脂、胺基系樹脂、聚乳酸系樹脂、噁唑啉系樹脂、苯并噁嗪系樹脂、矽酮系樹脂、氟系樹脂等。
本實施形態的基材2中，於此種樹脂21的固化物或硬化物中分散有導電性粒子22。藉由該構成，基材2(片材1)發揮電磁波屏蔽效果。導電性粒子22例如可列舉金屬粒子、碳粒子、導電性樹脂粒子等，可使用該些粒子中的一種或將兩種以上組合使用。
構成金屬粒子的金屬例如可列舉：金、鉑、銀、銅、鎳、鋁、鐵或該些金屬的合金，或者氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銻錫(Antimony Tin Oxide，ATO)等，就價格及導電性的方面而言較佳為銅。另外，金屬粒子亦可為具備由金屬構成的核體、及被覆該核體且由金屬構成的被覆層的粒子。該金屬粒子例如可列舉：利用由銀所構成的被覆層將由銅所構成的核體被覆而成的銀塗佈銅粒子等。
另外，構成碳粒子的碳例如可列舉：乙炔黑、科琴黑(Ketjen black)、爐黑(furnace black)、碳奈米管、碳奈米纖維、石墨(graphite)、富勒烯、石墨烯等。另外，構成導電性樹脂粒子的導電性樹脂例如可列舉：聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)、聚乙炔、聚噻吩等。
導電性粒子22的平均粒徑較佳為1μm~100μm左右，更佳為3μm~75μm左右，進而佳為5μm~50μm左右。藉由將導電性粒子22的平均粒徑設定為所述範圍，可提高基材2中的導電性粒子22的填充率。因此，可進一步提高基材2(片材1)的電磁波屏蔽效果。另外，例如於與樹脂21混合而製備樹脂組成物時，其流動性變良好，故成形為基材2的成形性提高。
另外，導電性粒子22的形狀可為球狀、針狀、鱗片狀、樹枝狀等任意形狀。再者，導電性粒子22的平均粒徑可藉由通常的雷射繞射法、散射法等進行測定而求出，可將假定與該微粒子集合體的投影面積相等的圓時的直徑的平均值設定為平均粒徑。
導電性粒子22於基材2中的含量並無特別限定，相對於樹脂21的100重量份，較佳為100重量份~1500重量份，更佳為100重量份~1000重量份。藉由將導電性粒子22於基材2中的含量設定為所述範圍，無論導電性粒子22的種類如何，均可對基材2賦予必要且充分的導電性，可充分提高基材2的電磁波屏蔽效果。另外，含有樹脂21與導電性粒子22的樹脂組成物的流動性提高，更容易形成基材2，故亦較佳。
另外，基材2的平均厚度亦無特別限定，較佳為2μm~500μm左右，更佳為5μm~100μm左右。藉由將基材2的平均厚度設定為所述範圍，可防止基材2的機械強度的降低，並且實現基材2的薄型化。
再者，基材2例如亦可含有著色劑(顏料、染料)、阻燃劑、填充劑(無機添加劑)、潤滑劑、抗黏連劑、金屬鈍化劑、增黏劑、分散劑、矽烷偶合劑、防銹劑、銅抑制劑、還原劑、抗氧化劑、增稠樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、流平調整劑等。
著色劑例如可列舉：有機顏料、碳黑、群青、鐵丹、鋅白、氧化鈦、石墨(graphite)等。阻燃劑例如可列舉：含鹵素阻燃劑、含磷阻燃劑、含氮阻燃劑、無機阻燃劑等。填充劑例如可列舉：玻璃纖維、二氧化矽、滑石、陶瓷等。
另外，潤滑劑例如可列舉：脂肪酸酯、烴樹脂、石蠟、高級脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪族醇、金屬皂、改質矽酮等。抗 黏連劑例如可列舉：碳酸鈣、二氧化矽、聚甲基倍半矽氧烷、矽酸鋁鹽等。
於此種基材2的下表面(電子基板100側的面)上，設有絕緣層3。本實施形態中，如圖1所示，於基材2的下表面上，設有與安裝面101(配線基板110)的第1安裝區域100a相對應的第1絕緣層3a、與第2安裝區域100b相對應的第2絕緣層3b、及與第3安裝區域100c相對應的第3絕緣層3c。
第1絕緣層3a~第3絕緣層3c(以下，有時亦將該些絕緣層統稱而簡稱為「絕緣層3」)分別具備俯視小於基材2、且於將片材1積層於電子基板100上的狀態下包含1個以上的半導體晶片120的尺寸。藉由該構成，基材2的下表面上形成有自第1絕緣層3a~第3絕緣層3c露出的帶狀的露出區域2a。因此，該露出區域2a呈與配線基板110的接地配線113的形狀相對應的形狀。於將片材1接合於配線基板110上的狀態下，露出區域2a與接地配線113接觸，從而將基材2接地。即，基材2的露出區域2a構成將片材1連接(接合)於配線基板110的連接部(接合部)。
例如，於基材2含有硬化性樹脂作為樹脂21的情形時，藉由在使基材2的露出區域2a與配線基板110的接地配線113接觸後，使硬化性樹脂硬化，可藉由其硬化物於該接觸部分中將片材1與電子基板100接合(固定)。
絕緣層3只要具備充分的絕緣性即可，可使用硬質樹脂或硬化性樹脂(特別是熱硬化性樹脂)來形成。硬質樹脂的具體 例例如可列舉：丙烯酸系、聚胺基甲酸酯、聚胺基甲酸酯脲、環氧樹脂(epoxy)、環氧酯、聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚等，可使用該些樹脂中的一種或將兩種以上組合使用。另一方面，硬化性樹脂可使用與樹脂21中列舉的硬化性樹脂相同的樹脂。
另外，於使用熱硬化性樹脂作為硬化性樹脂的情形時，絕緣層3亦可含有與基材2中記載的硬化劑相同的硬化劑。藉此，可控制積層於電子基板100上之前(使用前)的片材1中的絕緣層3的硬化程度(完全硬化狀態或半硬化狀態)、流動性的程度(固體狀態或凝膠狀態)以及黏著性的程度(高黏著性、低黏著性或非黏著性)中的至少一個。
另外，絕緣層3例如亦可含有著色劑(顏料、染料)、阻燃劑、填充劑(無機添加劑)、潤滑劑、抗黏連劑、金屬鈍化劑、增黏劑、分散劑、矽烷偶合劑、防銹劑、銅抑制劑、還原劑、抗氧化劑、增稠樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、流平調整劑等。
絕緣層3的平均厚度並無特別限定，於將基材2的平均厚度設定為100時，較佳為50~200左右的比例，更佳為75~150左右的比例。具體而言，絕緣層3的平均厚度較佳為1μm~1000μm左右，更佳為3μm~200μm左右。藉此，絕緣層3可維持充分的絕緣性，並且對絕緣層3(片材1)賦予對電子基板100的表面的優異追隨性。
另外，就促進自半導體晶片120的放熱的觀點而言，較 佳為如圖2所示，絕緣層3與半導體晶片120的表面密接，藉由將絕緣層3的平均厚度與基材2的平均厚度的關係設定為所述範圍，可進一步提高絕緣層3對半導體晶片120的表面的密接性。再者，為了使絕緣層3密接於半導體晶片120的表面，只要於將片材1接合於電子基板100上時，於減壓下或真空下進行該操作即可。
另外，絕緣層3的下表面(與半導體晶片120的接觸面)可由平滑面構成，亦可由粗糙面構成。若由平滑面來構成絕緣層3的下表面(電子基板100側的面)，則可增大絕緣層3與半導體晶片120的表面的接觸面積，可提高由片材1所得的放熱效果。另一方面，若由粗糙面來構成絕緣層3的下表面，則可稍許減少絕緣層3與半導體晶片120的表面的接觸面積，可於電子基板100的回收時更容易地將絕緣層3(片材1)自半導體晶片120上去除。
另一方面，於基材2的上表面(與電子基板100為相反側的面)上，設有具備保護基材2的功能的硬塗層(保護層)4。藉此，可較佳地防止基材2的破損。
此種硬塗層4例如較佳為由具有α,β-不飽和雙鍵的二官能以上的多官能或單官能單體、乙烯型單體、烯丙基型單體、單官能(甲基)丙烯酸酯單體、多官能(甲基)丙烯酸酯單體般的自由基聚合系單體的聚合物(硬化物)所構成。藉由以該單體的聚合物來構成硬塗層4，硬塗層4的強度增大，防止基材2的破損的效果進一步提高。
再者，具有α,β-不飽和雙鍵的二官能以上的單體可為例如分子量小於1000的分子量相對較低的單體(所謂狹義的單體)，亦可為例如重量平均分子量為1000以上且小於10000的分子量相對較高的寡聚物或預聚物。此處，具有α,β-不飽和雙鍵的寡聚物例如可列舉：聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸化馬來酸改質聚丁二烯等。
乙烯型單體例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、二乙烯基苯、N-乙烯基吡咯啶酮、乙酸乙烯酯、N-乙烯基甲醛、N-乙烯基己內醯胺、烷基乙烯基醚等。另外，烯丙基型單體例如可列舉：異三聚氰酸三甲基丙烯酸酯、三聚氰酸三烯丙酯等。
單官能(甲基)丙烯酸酯單體例如可列舉：2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥基乙基鄰苯二甲酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基鄰苯二甲酸酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、2-乙基己基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丁二醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、己內酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、甲酚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、二乙二醇單***(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸二甲 基胺基乙酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸異肉豆蔻酯、月桂氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、甲氧基二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸八氟戊酯、辛氧基聚乙二醇-聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸辛酯、對枯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、琥珀酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁基環己酯、(甲基)丙烯酸四氟丙酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸-β-羧基乙酯、ω-羧基-聚己內酯(甲基)丙烯酸酯、或該些單體的衍生物或改質品等。
多官能(甲基)丙烯酸酯單體例如可列舉：1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯 酸酯、雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、六氫鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸酯新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘油二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、磷酸三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、二(甲基)丙烯酸化異三聚氰酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、或者該些單體的衍生物或改質品等。
再者，硬塗層4例如亦可由聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(Polybutylene terephthalate，PBT)般的聚酯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯般的丙烯酸系樹脂、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物般的聚烯烴系樹脂等熱塑性樹脂所構成。
另外，硬塗層4例如亦可含有著色劑(顏料、染料)、阻燃劑、填充劑(無機添加劑)、潤滑劑、抗黏連劑、金屬鈍化劑、增黏劑、分散劑、矽烷偶合劑、防銹劑、銅抑制劑、還原劑、抗氧化劑、增稠樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、流平調整劑等。
於由單體的聚合物(硬化物)來構成硬塗層4的情形時，硬塗層4的平均厚度並無特別限定，較佳為0.1μm~10μm左右，更佳為0.5μm~5μm左右。另一方面，於由熱塑性樹脂的固化物來構成硬塗層4的情形時，硬塗層4的平均厚度較佳為1μm~50μm左右，更佳為5μm~30μm左右。藉由將硬塗層4的平均厚度設定為所述範圍，可維持片材1的可撓性，並且更可靠地防止基材2的破損。
再者，保護層不限定於硬塗層4，亦可為吸收來自外部的應力或衝擊的緩衝層、印刷層等，亦可為將該些層組合而成的積層體。
如上述般的片材1例如可藉由如下方式製造。
首先，將硬塗層用樹脂組成物塗敷於剝離片上後，使之硬化或固化。藉此獲得硬塗層4。
繼而，將基材用樹脂組成物塗敷於硬塗層4上後，使之半硬化、硬化或固化。藉此獲得基材2。於該狀態下，基材2可具有黏著性，亦可不具有黏著性。
然後，將絕緣層用樹脂組成物塗敷於基材2上後，使之 半硬化、硬化或固化。藉此獲得絕緣層3。於該狀態下，絕緣層3可具有黏著性，亦可不具有黏著性。
塗敷各樹脂組成物的方法例如可使用凹版塗佈方式、吻合塗佈方式、模塗方式、狹縫塗佈方式、缺角輪塗佈(comma coat)方式、刮刀(blade)方式、輥塗方式、刀片塗佈(knife coat)方式、噴霧塗佈方式、棒塗方式、旋塗方式、浸漬塗佈方式等。
再者，關於片材1，亦可分別形成各層後，將該些層彼此接合而形成。
另外，片材1中，亦可於基材2與硬塗層(保護層)4之間，設置例如導熱層、水蒸氣阻障層、阻氧層、低介電常數層、高介電常數層、低介電正切層、高介電正切層、耐熱性層等的一個以上的層。
以如下方式將此種片材1接合於電子基板100上。
首先，將絕緣層3置於電子基板100側，設定為將片材1積層於電子基板100上的狀態。繼而，於該狀態下，對電子基板100加熱壓接片材1，結果絕緣層3密接於半導體晶片120的表面，並且基材2的露出區域2a與接地配線113接觸，將片材1固定(接合)於電子基板100上。藉此獲得電子元件10。再者，藉由在減壓下或真空下進行加熱壓接，絕緣層3對半導體晶片120的表面的密接度提高。結果，不僅發揮由片材1所得的電磁波屏蔽效果，亦發揮良好的放熱效果。
再者，於基材2含有熱硬化性樹脂且為半硬化狀態的情 形時，藉由所述加熱加壓，熱硬化性樹脂硬化，藉由其硬化物將基材2的露出區域2a牢固地接合於接地配線113上。另外，藉由熱硬化性樹脂的硬化，基材2(片材1)自身的機械強度亦提高。另外，於基材2含有光硬化性樹脂的情形時，於所述加熱壓接後，對基材2的露出區域2a照射光(活性放射線)。藉此，光硬化性樹脂硬化，藉由其硬化物將基材2的露出區域2a牢固地接合於接地配線113上。進而，於基材2是由金屬膜所構成的情形時，於所述加熱壓接之前於接地配線113上設置焊材(焊料)，藉此經由焊材將基材2的露出區域2a牢固地接合於接地配線113上。
此種電子元件10容易將自半導體晶片120的放熱去除，為薄型且具有高的可靠性，例如可用於智慧型電話等行動電話、個人電腦、輸入板(tablet)終端機、發光二極體(Light Emitting Diode，LED)照明、有機電致發光(Electroluminescence，EL)照明、液晶電視、有機EL電視、數位相機、數位攝像機、汽車等的車載零件等。
<第2實施形態>
繼而，對本發明的第2實施形態加以說明。
圖3為表示第2實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。以下，對第2實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心進行說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖3中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
對於第2實施形態的片材1而言，絕緣層3(第1絕緣層3a~第3絕緣層3c)的構成不同，除此以外與所述第1實施形態相同。即，如圖3所示，第2實施形態的絕緣層3含有樹脂31、及分散於該樹脂31中且導熱率高於樹脂31的導熱率的導熱性粒子32。藉由絕緣層3含有導熱性粒子32，片材1的導熱性提高，由片材1所得的放熱效果進一步增大。
導熱性粒子32的構成材料例如可列舉：氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁般的金屬氧化物，氫氧化鋁、氫氧化鎂般的金屬氫氧化物，氮化鋁、氮化硼般的金屬氮化物，碳酸鈣、碳酸鎂般的金屬碳酸鹽，矽酸鈣般的金屬矽酸鹽，結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽、碳化矽般的矽化合物等，可使用該些材料中的一種或將兩種以上組合使用。
該些材料中，導熱性粒子32的構成材料較佳為氧化鋁、氮化鋁及氮化硼中的至少一種，就耐熱性及絕緣可靠性高的方面而言，更佳為氧化鋁。另外，球狀氧化鋁就可於絕緣層3中最密填充的方面而言優異，即便於增多填充量的情形時，亦可防止絕緣層3的彈性模量不需要地上升，就此方面而言尤佳。再者，導熱性粒子32亦可含有多種粒子。
導熱性粒子32的平均粒徑並無特別限定，較佳為0.1μm~250μm左右，更佳為0.5μm~100μm左右。該平均粒徑的導熱性粒子32容易均勻分散於絕緣層3中，故可進一步提高絕緣層3的導熱性。
另外，導熱性粒子32的形狀可為球狀、針狀、鱗片狀、樹枝狀等的任意形狀。再者，導熱性粒子32的平均粒徑可藉由通常的雷射繞射法、散射法等進行測定而求出，可將假定與其微粒子集合體的投影面積相等的圓時的直徑的平均值設定為平均粒徑。
導熱性粒子32於絕緣層3中的含量並無特別限定，較佳為25重量%~95重量%左右，更佳為35重量%~85重量%左右。藉由將導熱性粒子32於絕緣層3中的含量設定為所述範圍，可防止絕緣層3的機械強度降低，並且充分提高絕緣層3的導熱性。
再者，樹脂31可使用與所述第1實施形態中絕緣層3中可使用的樹脂相同的樹脂。另外，絕緣層3亦可含有與所述第1實施形態中記載的硬化劑相同的硬化劑。
於如上所述的第2實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。
<第3實施形態>
繼而，對本發明的第3實施形態加以說明。
圖4(a)、圖4(b)為表示第3實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。以下，對第3實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心進行說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖4(a)、圖4(b)中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
對於第3實施形態的片材1而言，基材2的構成不同，除此以外與所述第1實施形態相同。即，如圖4(a)及圖4(b)所示，第3實施形態的基材2具備含有樹脂21及導電性粒子22的本體部20、以及於該本體部20的絕緣層3側與本體部20接觸而設置的金屬膜23。藉由基材2含有金屬膜23，而更佳地發揮基材2(片材1)的電磁波屏蔽效果及放熱效果。
該金屬膜23可藉由以下方法而獲得：將由導電性粒子22中列舉的金屬所形成的金屬箔貼附(接合)於本體部20上的方法；對導電性粒子22中列舉的金屬氧化物(例如ITO、ATO)進行蒸鍍或濺鍍，藉此於本體部20上形成蒸鍍膜或濺鍍膜的方法；印刷導電性膏(例如銀膏)，藉此於本體部20上形成印刷膜的方法等。再者，於由金屬箔來構成金屬膜23的情形時，就導電性及成本的方面而言，較佳為各種銅箔，更佳為軋壓銅箔或電解銅箔。
另外，金屬膜23的平均厚度並無特別限定，較佳為基材2的平均厚度的0.004%~2500%左右，更佳為0.025%~75%左右。藉由將金屬膜23的平均厚度設定為所述範圍，可防止基材2(片材1)的可撓性降低，並且充分地發揮基材2的電磁波屏蔽效果及放熱效果。
金屬膜23的具體的平均厚度較佳為如下。例如於由蒸鍍膜構成金屬膜23的情形時，其平均厚度較佳為50nm~300nm左右，更佳為75nm~200nm左右。於由濺鍍膜來構成金屬膜23的情形時，其平均厚度較佳為20nm~80nm左右，更佳為25nm ~70nm左右。另外，於由金屬箔或印刷膜來構成金屬膜23的情形時，其平均厚度較佳為0.01μm~20μm左右，更佳為0.1μm~15μm左右。
再者，金屬膜23可如圖4(a)所示般為俯視與絕緣層3大致相等的尺寸，亦可如圖4(b)所示般為俯視與本體部20大致相等的尺寸。圖4(a)所示的構成的情況下，可利用露出區域2a的本體部20，將片材1牢固地接合於電子基板100上。另一方面，圖4(b)所示的構成的情況下，可藉由例如雷射照射等將露出區域2a的金屬膜23與配線基板110的接地配線113進行金屬接合。因此，可實現片材1與電子基板100之間的極高的接合。
另外，此種金屬膜23亦可呈絲網(mesh)形狀、具有藉由沖孔(punching)所形成的多個貫通孔的形狀。藉由呈該形狀，可對金屬膜23賦予水蒸氣透過性。
於如上所述的第3實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。
再者，金屬膜23只要以與本體部20接觸的方式設置即可，亦可設置於硬塗層4側來代替絕緣層3側，亦可設置於本體部20的厚度方向中途的任意位置，亦可為該等的組合。
<第4實施形態>
繼而，對本發明的第4實施形態加以說明。
圖5(a)、圖5(b)為表示第4實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的圖(圖5(a)為表示絕緣層 3a附近的俯視圖，圖5(b)為表示圖5(a)中的B-B線剖面的中央部的圖)，圖6為表示第4實施形態的片材的其他構成(接合於電子基板上之前的狀態)的俯視圖。以下，對第4實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心進行說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖5(b)及圖6中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
第4實施形態的片材1於將片材1接合於電子基板100上之前的狀態(片材1的使用前的狀態)下，絕緣層3的厚度不均勻，除此以外與所述第1實施形態相同。即，如圖5(a)及圖5(b)所示，第4實施形態的絕緣層3於接合(積層)於電子基板100上之時，半導體晶片120的邊緣部接觸的第1區域33的平均厚度大於第1區域33以外的第2區域34的平均厚度。於圖5(a)及圖5(b)的構成中，第1區域33與半導體晶片120的外周形狀相對應，俯視呈四角形的框狀。
藉由該構成，於因半導體晶片120的邊緣部接觸而被擠出的片材1的部分(第1區域33)中，確保僅可彌補擠出量的充分厚度。因此，於將片材1接合於電子基板100上時，即便片材1於第1區域33中被擠出，亦可防止片材1斷裂。
於將片材1接合於電子基板100上之前的狀態下，將片材1的第1區域33的平均厚度設定為A[μm]、第2區域34的平均厚度設定為B[μm]時，A/B較佳為1.05~3左右，更佳為1.05~1.4左右，進而佳為1.1~1.25左右。藉此，能更可靠地防止絕緣 層3(片材1)的斷裂。
此種絕緣層3可藉由以下方式獲得：藉由所述第1實施形態中記載的方法形成絕緣層3的基材2側的均勻厚度的部分後，於該部分的第1區域33上堆積形成四角形的框形狀。
於如上所述的第4實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。
再者，第1區域33不限定於圖5(a)所示的區域，只要設定為特別容易產生片材1的斷裂的區域即可。例如，圖1所示的電子基板100中，於紙面近前側，於左右方向上並列設置有2個半導體晶片120，於該情形時，第1區域33可如圖6所示般，設定為沿著並列設置的2個半導體晶片120的邊緣部連續而接觸的直線狀的區域。通常，於密集配置有半導體晶片120的部位，片材1被擠出的程度變大。因此，藉由將圖6所示般的橫跨2個半導體晶片120的直線狀的區域設定為第1區域33，並增大該第1區域33中的絕緣層3(片材1)的厚度，可充分防止片材1的斷裂。
另外，於將片材1接合於電子基板100上之前的狀態下，片材1只要其第1區域33的平均厚度大於第2區域34的平均厚度即可，該構成亦可藉由以下方式實現：代替使絕緣層3的厚度局部形成得大，而將基材2的厚度局部形成得大，或將硬塗層4的厚度局部形成得大，或該些方式的組合。
<第5實施形態>
繼而，對本發明的第5實施形態加以說明。
圖7(a)、圖7(b)為表示第5實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的圖(圖7(a)為俯視圖，圖7(b)為表示圖7(a)中的C-C線剖面的中央部及端部的圖)，圖8為表示第5實施形態的片材的其他構成(接合於電子基板上之前的狀態)的俯視圖。以下，對第5實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心加以說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖7(b)中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
第5實施形態的片材1具有沿著基材2的下表面的邊緣部與絕緣層3分離而設置的絕緣部35，除此以外與所述第1實施形態相同。即，如圖7(a)及圖7(b)所示，絕緣部35是以包圍第1絕緣層~第3絕緣層(3a~3c)的方式，沿著基材2的下表面的邊緣部而形成為四角形的框狀。藉由該構成，於將片材1接合(積層)於電子基板100上的狀態下，可於片材1的邊緣部防止基材2與配線基板110的安裝面101直接接觸。因此，可防止基材2與配線基板110之間的非本意的短路，獲得可靠性高的電子元件10。
另外，於電子基板100的回收時將片材1自電子基板100上剝離時，藉由握持片材1的形成有絕緣部35的部分，而成為剝離操作的起點，可容易地進行該剝離操作。即，片材1的設有絕緣部35的部分構成自積層有片材1的電子基板100上分離片材1 時握持的握持部。尤其於圖7(a)所示的構成中，絕緣部35是沿著基材2的邊緣部而形成為框狀，故自片材1全周的任一部位均可開始剝離操作。
該絕緣部35的構成材料較佳為使用與所述第1實施形態的絕緣層3中列舉的硬質樹脂相同的材料。藉由以硬質樹脂來構成絕緣部35，可防止將絕緣部35接合於配線基板110的安裝面101上。因此，可於將片材1自電子基板100上剝離時，更容易且可靠地握持片材1的形成有絕緣部35的部分。
另外，絕緣部35的平均厚度較佳為設定得小於絕緣層3的平均厚度。藉此，可設定為使絕緣部35與配線基板110的安裝面101輕輕地接觸的狀態。因此，於將片材1自電子基板100上剝離時，片材1的形成有絕緣部35的部分更容易握持。
再者，該絕緣部35例如可利用與絕緣層3相同的方法來形成，可藉由與絕緣層3相同的步驟來形成，亦可藉由與絕緣層3不同的步驟來形成。
於如上所述的第5實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。
另外，如圖8所示，亦可於基材2上設置沿著其邊緣部彼此空開間隔而形成的多個耳部24，並於各耳部24的下表面上設置絕緣部35。即，亦可沿著基材2的邊緣部彼此空開間隔而設置多個絕緣部35。根據該構成，可將電子基板100於彎折耳部24的狀態下收容於電子設備的框體內。因此，可防止於電子設備的 組裝作業中耳部24成為障礙。
再者，就設定為電子基板100回收時的剝離操作的起點的觀點而言，亦可僅設置1個耳部24(絕緣部35)。
<第6實施形態>
繼而，對本發明的第6實施形態加以說明。
圖9(a)、圖9(b)為表示第6實施形態的電子元件的端部的構成的縱剖面圖。以下，對第6實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心加以說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖9(a)、圖9(b)中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
如圖9(a)所示，第6實施形態的片材1可為具有由金屬膜所構成的基材2、及設置於基材2的下表面(其中一面)上的絕緣層3的二層構成。另外，於接地配線113的上表面上，沿著接地配線113的長度方向，空開既定的間隔而設有多個導電性銷114。各導電性銷114是使針尖(頂部)朝向上方而配置。
根據該構成，於將片材1積層於電子基板100上時，藉由導電性銷114將基材2的露出區域2a刺穿，使之與接地配線113接觸。藉此，可將基材2接地，並且將片材1與電子基板100固定。因此，本實施形態中，藉由接地配線113與導電性銷114而構成接地部。
再者，導電性銷114亦可與接地配線113一體地形成。另外，亦可省略接地配線113而使導電性銷114直接接地。該導 電性銷114可使用與第1實施形態的導電性粒子22中列舉的金屬相同的金屬來形成。
另外，亦可如圖9(b)所示般以如下方式構成：使基材2的露出區域2a與接地配線113接觸後，藉由導電性銷114朝向配線基板110(基板111)刺穿露出區域2a。
於如上所述的第6實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。再者，片材1當然亦可為與第1實施形態~第5實施形態的片材1相同的構成。
<第7實施形態>
繼而，對本發明的第7實施形態加以說明。
圖10為表示第7實施形態的片材的構成(接合於電子基板上之前的狀態)的放大剖面圖。以下，對第7實施形態加以說明，但以與所述第1實施形態的不同點為中心加以說明，關於相同的事項，省略其說明。再者，以下為便於說明，將圖10中的上側設定為「上」，下側設定為「下」。
對於第7實施形態的片材1而言，基材2的構成不同，除此以外與所述第1實施形態相同。即，如圖10所示，第7實施形態的基材2具有與絕緣層3接觸而設置的下層(第1部分)2X、及設置於該下層2X上(與絕緣層3為相反之側)的上層(第2部分)2Y。
下層2X含有樹脂(第1樹脂)25、及分散於該樹脂25中的導電性粒子(第1導電性粒子)26，上層2Y含有樹脂(第2 樹脂)21、及分散於該樹脂21中的導電性粒子(第2導電性粒子)22。另外，以導電性粒子22於上層2Y中的含量多於導電性粒子25於下層2X中的含量的方式進行設定。
藉由該構成，可使上層2Y發揮高的電磁波屏蔽性，並且對下層2X根據樹脂25的種類等而賦予黏著性。因此，於將本實施形態的片材1積層於電子基板100上時，藉由利用下層2X的黏著性，可將片材1(基材2)的露出區域2a貼附固定於接地配線113上。
因此，可省略如第1實施形態般對電子基板100加熱壓接片材1的操作，即，可藉由操作者的手動操作將片材1貼附於電子基板100上。因此，可提高電子基板100的生產效率。另外，因可省略加熱壓接的操作，故可防止由此時的加熱導致半導體晶片120劣化的情況，可獲得可靠性更高的電子元件10。
關於樹脂25，就對下層2X賦予更高的黏著性的觀點而言，較佳為玻璃轉移溫度為0℃以下的樹脂(包含橡膠)，更佳為玻璃轉移溫度為-10℃以下的樹脂(包含橡膠)，進而佳為玻璃轉移溫度為-20℃以下的樹脂(包含橡膠)。該樹脂(包含橡膠)的具體例例如可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂般的各種樹脂，天然橡膠、合成橡膠般的各種橡膠，苯乙烯嵌段共聚物般的各種熱塑性彈性體等。另外，下層2X亦可含有與所述第1實施形態中記載的硬化劑相同的硬化劑。
下層2X亦可具有等向導電性或異向導電性的任一種導 電性，較佳為具有異向導電性。藉此，可將上層2Y中流通的電流經由下層2X更順暢地傳至接地配線113，更佳地發揮基材2(片材1)的電磁波屏蔽效果。分散於樹脂25中的導電性粒子26可使用種類及平均粒徑與所述第1實施形態中記載的導電性粒子22相同的粒子。
導電性粒子26的形狀亦可設定為與所述第1實施形態中記載的導電性粒子22相同的形狀，較佳為樹枝狀或球狀。若為樹枝狀或球狀的導電性粒子26，則即便其於下層2X中的含量相對較少，亦可對下層2X賦予必要且充分的導電性。另外，藉由將導電性粒子26於下層2X中的含量設定為少量，可進一步提高下層2X的黏著性。進而，藉由使用樹枝狀或球狀的導電性粒子26，容易對下層2X賦予異向導電性。再者，樹枝狀的導電性粒子26及球狀的導電性粒子26可僅使用該等的任一者，亦可將兩者組合使用。
相對於樹脂25的100重量份，導電性粒子26於下層2X中的含量較佳為1重量份~100重量份，更佳為10重量份~50重量份。藉由將導電性粒子26於下層2X中的含量設定為所述範圍，可對下層2X賦予必要且充分的導電性，可充分提高基材2的電磁波屏蔽效果。另外，含有樹脂25與導電性粒子26的樹脂組成物的流動性提高，更容易形成下層2X，故亦較佳。
另一方面，設置於下層2X上的上層2Y所含有的樹脂21及導電性粒子22可設定為與所述第1實施形態中記載者相同的 構成。另外，上層2Y亦可含有與所述第1實施形態中記載的硬化劑相同的硬化劑。
上層2Y亦可具有等向導電性或異向導電性的任一種導電性，較佳為等向導電性。藉此，可藉由上層2Y可靠地捕捉電磁波，並將所轉變的電流迅速地傳至下層2X。尤其藉由將下層2X設定為與上層2Y的等向導電性不同的導電性即異向導電性，可使下層2X與上層2Y分擔不同的作用，更佳地發揮基材2(片材1)的電磁波屏蔽效果。
就對上層2Y賦予等向導電性的觀點而言，導電性粒子22的形狀較佳為與導電性粒子26不同的形狀(特別是鱗片狀)。若為鱗片狀的導電性粒子22，則上層2Y可大量含有導電性粒子22，可具有充分的等向導電性。
相對於樹脂21的100重量份，導電性粒子22於上層2Y中的含量較佳為100重量份~1500重量份，更佳為100重量份~1000重量份。藉由將導電性粒子22於上層2Y中的含量設定為所述範圍，可對上層2Y賦予必要且充分的導電性，可充分提高基材2的電磁波屏蔽效果。另外，含有樹脂21與導電性粒子21的樹脂組成物的流動性提高，更容易形成上層2Y，故亦較佳。
再者，於本實施形態的基材2中，將下層2X的平均厚度設定為Tx[μm]、上層2Y的平均厚度設定為Ty[μm]時，該些厚度之比Ty/Tx並無特別限定，較佳為1~7.5左右，更佳為2~5左右。藉由將比Ty/Tx設定為所述範圍，可獲得發揮更高的電磁 波屏蔽效果的基材2。具體而言，下層2X的平均厚度較佳為0.5μm~150μm左右，更佳為1.5μm~25μm左右，上層2Y的平均厚度較佳為1.5μm~350μm左右，更佳為3.5μm~75μm左右。
另外，上層2Y亦可由與所述第3實施形態及第6實施形態中記載的金屬膜相同的金屬膜所構成。
於此種基材2的下表面(電子基板100側的面)上，設有絕緣層3。該絕緣層3可設定為與所述第1實施形態或第2實施形態中記載的絕緣層相同的構成，除此以外，可使用與所述上層2Y相同的含有樹脂21與硬化劑的樹脂組成物來形成。再者，絕緣層3可具有黏著性，亦可不具有黏著性。
如上所述，本實施形態的片材1較佳為藉由操作者的手動操作而貼附於電子基板100上。此時，若絕緣層3具有黏著性，則可容易地進行片材1對電子基板100的定位，亦可進一步提高電子元件10的生產效率，另一方面，若絕緣層3不具有黏著性，則即便暫且將片材1貼附於電子基板100上亦容易自電子基板100上剝離，可容易地進行片材1對電子基板100的位置修正。
再者，於下層2X、上層2Y及絕緣層3中的至少一個層為半硬化狀態及/或凝膠狀態的情形時，亦可將片材1固定(積層)於電子基板100上之後，使該狀態的層進行後硬化。藉此，可將片材1接合於電子基板100上，並且亦可提高片材1的機械強度。
例如，若使用含有玻璃轉移溫度為0℃以下的樹脂(包含橡膠)、所述第1實施形態所記載般的可於相對較低的溫度下進 行硬化反應的第1硬化劑、可於較該第1硬化劑更高的溫度下進行硬化反應的第2硬化劑、及導電性粒子26的樹脂組成物來形成下層2X，則可於片材1的使用前，藉由第1硬化劑的作用將下層2X設定為凝膠狀態(半固體狀態)，藉由將片材1固定(積層)於電子基板100上之後的後硬化，利用第2硬化劑的作用將下層2X設定為固體狀態。
另外，片材1可與所述第1實施形態同樣地，藉由依序塗敷構成各層的樹脂組成物來形成硬塗層4、上層2Y、下層2X及絕緣層3而製造。再者，本實施形態中，因下層2X具有黏著性，故片材1亦可藉由如下方式製造：預先製作將硬塗層4、上層2Y及下層2X積層而成的積層體，將另行製作的絕緣層3貼附於積層體的下層2X上。
於如上所述的第7實施形態中，亦發揮與所述第1實施形態相同的作用、效果。
再者，亦可於下層2X與上層2Y之間，設置1個以上的任意目的之中間層。該中間層例如可列舉：用以提高下層2X與上層2Y的密接性的密接層、所述第3實施形態的金屬膜23等。於設置密接層作為中間層的情形時，該密接層例如較佳為由構成下層2X的樹脂組成物與構成上層2Y的樹脂組成物的混合物來構成。
以上，根據圖示的實施形態對本發明的電子元件及片材進行了說明，但本發明不限定於該些實施形態。例如，構成電子 元件及片材的各部亦可替換成可發揮同樣功能的任意構成者。另外，亦可附加任意的構成物。
再者，電子元件及片材亦可將所述第1實施形態~第7實施形態中的任意構成組合。另外，所述各實施形態的片材具有硬塗層(保護層)，但硬塗層(保護層)只要視需要而設置即可，亦可省略。另外，接地部只要將片材的基材接地(連接於基準電位)即可，其形態或形狀並無特別限定。
另外，片材可為具備1個絕緣層、且利用該1個絕緣層將整個電子零件覆蓋的構成，亦可成為利用1個片材覆蓋1個電子零件般的構成。
另外，於構成片材的各部(各層)中，亦存在於接合(積層)於電子基板上時稍許被擠出的部位，但於以平均值(平均厚度)來規定各部的厚度的情形時，其值於接合於電子基板上的前後大致相等。
[產業上之可利用性]
本發明的電子元件具有：電子基板，具備具有安裝面的配線基板、及安裝於該配線基板的所述安裝面上的多個電子零件；片材，積層於該電子基板上，且具備具有導電性的片狀的基材、及設置於該基材的所述電子基板側且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸的至少一個絕緣層；以及接地部，將該片材的所述基材接地，並且將所述片材與所述電子基板固定。藉此，可提供一種容易將自電子零件的放熱去除、薄型且可靠性高的電子元 件。因此，本發明具有產業上之可利用性。
1‧‧‧片材
2a‧‧‧露出區域
3a‧‧‧第1絕緣層
3b‧‧‧第2絕緣層
3c‧‧‧第3絕緣層
10‧‧‧電子元件
100‧‧‧電子基板
110‧‧‧配線基板
101‧‧‧安裝面
101a‧‧‧第1安裝區域
101b‧‧‧第2安裝區域
101c‧‧‧第3安裝區域
111‧‧‧基板
113‧‧‧接地配線
120‧‧‧半導體晶片

Claims (17)

  1. 一種電子元件，其特徵在於具有：電子基板，具備具有安裝面的配線基板、及安裝於所述配線基板的所述安裝面上的多個電子零件；片材，積層於所述電子基板上，具備：具有導電性的片狀的基材、及設置於所述基材的所述電子基板側且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸的至少一個絕緣層；以及接地部，將所述片材的所述基材接地，並且將所述片材與所述電子基板固定。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，其中所述接地部含有設置於所述配線基板的所述安裝面側的接地配線，所述絕緣層具備俯視小於所述基材的尺寸，所述基材於自所述絕緣層露出的露出區域中與所述接地配線接觸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電子元件，其中所述配線基板的所述安裝面具備經所述接地配線所劃分、且安裝既定的所述電子零件的多個安裝區域，所述至少一個絕緣層包含與各所述安裝區域相對應而設置的多個所述絕緣層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，其中所述基材含有硬化性樹脂的硬化物、及分散於所述硬化物中的導電性粒子。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電子元件，其中所述基材具 備：含有所述硬化性樹脂的硬化物及所述導電性粒子的本體部、以及與所述本體部接觸而設置的金屬膜。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，其中所述基材具有第1部分及第2部分，其中所述第1部分是與所述絕緣層接觸而設置，且含有第1導電性粒子，所述第2部分是設置於所述第1部分的與所述絕緣層為相反之側，且以較所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量更多的量而含有第2導電性粒子。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，其中所述絕緣層含有樹脂、及分散於所述樹脂中且導熱率高於所述樹脂的導熱率的導熱性粒子。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，更具有保護層，所述保護層是設置於所述基材的與所述電子基板為相反之側，且具備保護所述基材的功能。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件，其中所述片材更具有在所述電子基板側且與所述基材的邊緣部相對應的位置處，與所述絕緣層分離而設置的至少一個絕緣部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的電子元件，其中所述片材的設有所述絕緣部的部分構成自所述電子基板上分離所述片材時握持的握持部。
  11. 一種片材，其是積層於電子基板上，且以經由接地部而固定於所述電子基板上的方式使用的片材，其中所述電子基板具備具有安裝面的配線基板、及安裝於所述配線基板的所述安裝面上 的多個電子零件；並且所述片材的特徵在於具有：片狀的基材，於將所述片材積層於所述電子基板上的狀態下，與所述接地部接觸且具備導電性；以及至少一個絕緣層，於將所述片材積層於所述電子基板上的狀態下，位於所述基材的所述電子基板側，且具備包含至少一個所述電子零件的尺寸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的片材，其中所述基材具有與所述絕緣層接觸而設置且具備黏著性的第1部分、及設置於所述第1部分的與所述絕緣層為相反之側的第2部分。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的片材，其中所述第1部分含有第1樹脂、及分散於所述第1樹脂中的第1導電性粒子，所述第2部分含有第2樹脂、及以較所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量更多的量而分散於所述第2樹脂中的第2導電性粒子。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的片材，其中相對於所述第1樹脂100重量份，所述第1導電性粒子於所述第1部分中的含量為1重量份~100重量份。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的片材，其中相對於所述第2樹脂100重量份，所述第2導電性粒子於所述第2部分中的含量為100重量份~1500重量份。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的片材，其中所述第1導電 性粒子的形狀與所述第2導電性粒子的形狀不同。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的片材，其中所述第1導電性粒子的形狀為樹枝狀或球狀。
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